DE102023201840A1 - Assembly for semiconductor technology and projection exposure system - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Baugruppe (30) für die Halbleiterlithografie mit mindestens zwei Bauteilen (31, 32), welche über mindestens ein Gelenk (34.1,34.2,40,60) miteinander verbunden sind, wobei das Gelenk (34.1,34.2,40,60) mindestens zwei aufeinander abrollende Kontaktflächen (47,48.1,48.2,48.3) zum Auslenken des Gelenks (34.1,34.2,40,60) umfasst.Weiterhin umfasst die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer entsprechenden Baugruppe (30).The invention relates to an assembly (30) for semiconductor lithography with at least two components (31, 32), which are connected to one another via at least one joint (34.1,34.2,40,60), the joint (34.1,34.2,40,60 ) comprises at least two contact surfaces (47,48.1,48.2,48.3) rolling on one another for deflecting the joint (34.1,34.2,40,60).Furthermore, the invention comprises a projection exposure system with a corresponding assembly (30).
Description
Die Erfindung betrifft eine Baugruppe für die Halbleitertechnik, insbesondere ein optisches Modul und eine Projektionsbelichtungsanlage.The invention relates to an assembly for semiconductor technology, in particular an optical module and a projection exposure system.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithografie werden zur Erzeugung feinster Strukturen, insbesondere auf Halbleiterbauelementen oder anderen mikrostrukturierten Bauteilen, verwendet. Das Funktionsprinzip der genannten Anlagen beruht dabei darauf, mittels einer in der Regel verkleinernden Abbildung von Strukturen auf einer Maske, mit einem sogenannten Retikel, auf einem mit fotosensitivem Material versehenen zu strukturierenden Element, wie beispielsweise einem Wafer, feinste Strukturen bis in den Nanometerbereich zu erzeugen. Die minimalen Abmessungen der erzeugten Strukturen hängen dabei direkt von der Wellenlänge des verwendeten Lichtes, dem sogenannten Nutzlicht, ab. Die verwendeten Lichtquellen weisen in einen als DUV-Bereich bezeichneten Emissionswellenlängenbereich von 100nm bis 300nm auf, wobei in jüngerer Zeit vermehrt Lichtquellen mit einer Emissionswellenlänge im Bereich weniger Nanometer, beispielsweise zwischen 1 nm und 120 nm, insbesondere im Bereich von 13,5 nm verwendet werden. Der beschriebene Emissionswellenlängenbereich wird auch als EUV-Bereich bezeichnet.Projection exposure systems for semiconductor lithography are used to create the finest structures, especially on semiconductor components or other microstructured components. The functional principle of the systems mentioned is based on producing the finest structures down to the nanometer range by means of a generally reducing image of structures on a mask, with a so-called reticle, on an element to be structured with photosensitive material, such as a wafer . The minimum dimensions of the structures created depend directly on the wavelength of the light used, the so-called useful light. The light sources used have an emission wavelength range of 100 nm to 300 nm, known as the DUV range, with light sources with an emission wavelength in the range of a few nanometers, for example between 1 nm and 120 nm, in particular in the range of 13.5 nm, being increasingly used recently . The emission wavelength range described is also referred to as the EUV range.
Zur Beleuchtung der Strukturen und insbesondere zu deren Abbildung werden optische Elemente wie beispielsweise Linsen, aber auch (vor allem im Bereich der EUV-Lithografie) Spiegel verwendet, deren sogenannte optische Wirkflächen während des üblichen Betriebes der zugehörigen Anlage mit Nutzlicht beaufschlagt werden. Dabei wirken sich Abweichungen der optischen Wirkflächen von einer optimalen Sollposition und Sollform massiv auf die Qualität der Abbildung und damit auf die Qualität der hergestellten Bauteile aus.To illuminate the structures and in particular to image them, optical elements such as lenses, but also (especially in the field of EUV lithography) mirrors are used, the so-called optical effective surfaces of which are exposed to useful light during normal operation of the associated system. Deviations of the optical effective surfaces from an optimal target position and target shape have a massive impact on the quality of the image and thus on the quality of the manufactured components.
Typischerweise wird dieser Problematik dadurch begegnet, dass die verwendeten optischen Elemente bewegbar oder auch deformierbar ausgebildet sind, um die angesprochenen Abbildungsfehler während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage korrigieren zu können. Die optischen Elemente sind üblicherweise in Aufnahmen optischer Module angeordnet, wobei diese auf eine Modulhalterung montiert werden, wobei zwischen dem optischen Modul und der Modulhalterung Aktuatoren und Sensoren angeordnet sind, so dass, wie weiter oben beschrieben, das optische Modul auf eine vorbestimmte Position positioniert werden kann.Typically, this problem is addressed by the fact that the optical elements used are designed to be movable or deformable in order to be able to correct the aforementioned imaging errors during operation of the projection exposure system. The optical elements are usually arranged in receptacles of optical modules, which are mounted on a module holder, with actuators and sensors being arranged between the optical module and the module holder, so that, as described above, the optical module is positioned at a predetermined position can.
Zur genauen Ausrichtung der optischen Module auf der Modulhalterung wird eine statisch bestimmte Lagerung bevorzugt, welche beispielsweise durch drei sogenannte Bipoden, also Zweibeine, mit jeweils einem Anbindungspunkt am optischen Modul und je zwei Anbindungspunkten auf der Modulhalterung ausgebildet sind. Die statische Lagerung bedingt üblicherweise, dass jedes Bein der Bipoden dabei lediglich Kräfte in Längsrichtung des Beins überträgt. Alle anderen Freiheitgrade außer der Rotation um die Beinachse sind dabei so weich wie möglich ausgebildet, wodurch parasitäre Kräfte und Momente bei der Positionierung des optischen Moduls verhindert werden sollen. Die Beine umfassen daher an den Anbindungspunkten Gelenke, welche eine Bewegung des optischen Moduls zur Modulhalterung mit minimalen parasitären Kräften ermöglichen sollen.For precise alignment of the optical modules on the module holder, a statically determined bearing is preferred, which are formed, for example, by three so-called bipods, i.e. bipods, each with one connection point on the optical module and two connection points each on the module holder. The static positioning usually means that each leg of the bipods only transmits forces in the longitudinal direction of the leg. All other degrees of freedom except rotation around the leg axis are designed to be as soft as possible, which is intended to prevent parasitic forces and moments when positioning the optical module. The legs therefore include joints at the connection points, which are intended to enable movement of the optical module to the module holder with minimal parasitic forces.
Im Stand der Technik sind diese Gelenke üblicherweise als Blattfedern ausgebildet, welche keine Hysterese aufweisen und keine Schmierung benötigen, welche auf Grund der empfindlichen optischen Elemente in der Halbleiterlithografie häufig nicht angewendet werden kann.In the prior art, these joints are usually designed as leaf springs, which have no hysteresis and do not require lubrication, which often cannot be used in semiconductor lithography due to the sensitive optical elements.
Die Blattfedern haben den Nachteil, dass beim Auslenken der elastischen Blattfedern insbesondere aufgrund der damit verbundenen Rückstellkräfte unerwünschte Kräfte und Momente in das optische Modul eingeleitet werden können. Ein weiterer Nachteil ist, dass die Spannungen in den Blattfedern mit steigender Auslenkung (Verbiegung) ansteigen und dadurch beim Überschreiten einer Grenzspannung zum Bruch oder einer plastischen Deformation führen. Ebenso können auch sich häufig wiederholende wechselnde Belastungen zu einer Schädigung der Blattfeder führen.The leaf springs have the disadvantage that when the elastic leaf springs are deflected, unwanted forces and moments can be introduced into the optical module, particularly due to the associated restoring forces. Another disadvantage is that the stresses in the leaf springs increase with increasing deflection (bending) and thus lead to breakage or plastic deformation when a limit stress is exceeded. Frequently repeated changing loads can also lead to damage to the leaf spring.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche die weiter oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt.The object of the present invention is to provide a device which eliminates the disadvantages of the prior art described above.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.This object is achieved by a device with the features of
Eine erfindungsgemäße Baugruppe für die Halbleiterlithografie umfasst mindestens zwei Bauteile, welche über ein Gelenk miteinander verbunden sind, wobei das Gelenk erfindungsgemäß mindestens zwei aufeinander abrollende Kontaktflächen zum Auslenken des Gelenks umfasst. Dabei kann mindestens eine Kontaktfläche einen Radius aufweisen. Bevorzugt weisen beide Kontaktflächen einen Radius auf. Je kleiner dieser Radius ist, desto geringer ist der Betrag, um welchen die Kontaktlinie beim Auslenken des Gelenks wandert. Bei der Auslegung des Gelenks kann dieses Wandern der Kontaktlinie gegenüber der erforderlichen Kontaktsteifigkeit, welche durch die Hertzsche Pressung in der Kontaktfläche bestimmt wird und mit größer werdendem Radius ansteigt, abgewogen werden und der Radius entsprechend der Anforderungen an das Gelenk ausgelegt werden. Das Abrollen ist bis auf die zu vernachlässigende Rollreibung reibungsfrei und bewirkt dadurch keine Kräfte oder Momente, welche die beteiligten Bauteile deformieren können. Die Bauteile können dabei beispielsweise als ein optisches Modul und eine Modulhalterung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie ausgebildet sein.An assembly according to the invention for semiconductor lithography comprises at least two components which are connected to one another via a joint, the joint according to the invention comprising at least two contact surfaces rolling on one another for deflecting the joint. At least one contact surface can have a radius. Both contact surfaces preferably have a radius. The smaller this radius is, the smaller the amount by which the contact line moves when the joint is deflected. When designing the joint, this migration of the contact line can occur compared to the required contact stiffness, which is caused by the Hertzian pressure in the contact surface che is determined and increases with increasing radius, must be weighed and the radius can be designed according to the requirements of the joint. The rolling is frictionless apart from the negligible rolling friction and therefore does not cause any forces or moments that can deform the components involved. The components can be designed, for example, as an optical module and a module holder of a projection exposure system for semiconductor lithography.
Insbesondere kann das Gelenk mindestens ein beim Auslenken des Gelenks auf einer der Kontaktflächen der Bauteile abrollendes Führungsband umfassen.In particular, the joint can comprise at least one guide band that rolls on one of the contact surfaces of the components when the joint is deflected.
Insbesondere können mindestens zwei Führungsbänder über Kreuz angeordnet sein. Die Führungsbänder sind jeweils an gegenüberliegenden Seiten des unteren Bauteils und des oberen Bauteils angebunden, verlaufen also über Kreuz und liegen zum Teil auf der Kontaktfläche des ersten Bauteils an und zum Teil auf der Kontaktfläche des zweiten Bauteils an. Die Führungsbänder weisen also im Einbauzustand eine s-förmige Geometrie auf, wobei am Wendepunkt der s-förmigen Geometrie das erste Bauteil über die Führungsbänder mit dem zweiten Bauteil in unmittelbarem Kontakt steht. Der Wendepunkt ist auch der momentane Drehpunkt des Gelenks, welcher mit Auslenkung des Gelenks entlang der Radien der Kontaktflächen wandert. Beim Auslenken des Gelenks wird ein Führungsband aufgerollt und ein Führungsband abgerollt, wodurch sich der Anteil des Führungsbandes in Kontakt zum ersten Bauteil und der Anteil des Führungsbandes in Kontakt mit dem zweiten Bauteil beim Auslenken gegenläufig verändern kann. Die Breite der Führungsbänder bewirkt eine Führung für das Abrollen der beiden Bauteile aufeinander, so dass ein gerades Abrollen der Führungsbänder entlang der Kontaktflächen sichergestellt werden kann.In particular, at least two guide bands can be arranged crosswise. The guide bands are each connected to opposite sides of the lower component and the upper component, so they run crosswise and rest partly on the contact surface of the first component and partly on the contact surface of the second component. When installed, the guide bands therefore have an s-shaped geometry, with the first component being in direct contact with the second component via the guide bands at the turning point of the s-shaped geometry. The turning point is also the instantaneous pivot point of the joint, which moves along the radii of the contact surfaces as the joint deflects. When the joint is deflected, a guide band is rolled up and a guide band is unrolled, whereby the proportion of the guide band in contact with the first component and the proportion of the guide band in contact with the second component can change in opposite directions during deflection. The width of the guide bands provides guidance for the rolling of the two components on one another, so that a straight rolling of the guide bands along the contact surfaces can be ensured.
Weiterhin kann die Steifigkeit der beiden Führungsbänder gleich groß sein. Dies hat den Vorteil, dass sich die Momente in den Anbindungspunkten der Führungsbänder gegenseitig kompensieren. Auch das absolute Moment in den Führungsbändern ist über ihre gesamte Länge konstant, so dass das Gelenk kraftfrei bewegt werden kann. Die Spannung im Wendepunkt der Bänder ist null. Auf der einen Seite des Wendepunktes ist die Spannung an jedem Punkt konstant und positiv und auf der anderen Seite an jedem Punkt konstant und negativ. Der Betrag der Spannung ist in erster Linie nur vom Radius der Rollen abhängig, also bei gleichen Radien der beiden Rollen auf beiden Seiten des Nullpunktes gleich. Da der Wendepunkt beim Abrollen wandert, wandert auch der Ort der Spannungsumkehr bzw. Nullspannung im Band. Bei der Auslegung der Führungsbänder müssen daher keine zusätzlichen und über die Auslenkung des Gelenks variierende Belastungen, wie beispielsweise bei einer Blattfeder, berücksichtigt werden, sondern lediglich der Spannungswechsel innerhalb des Bandes. Die maximalen absoluten Spannungen sind also unabhängig von der Auslenkung des Gelenks, was sich vorteilhaft auf die Lebensdauer auswirken kann. Die Steifigkeit des Gelenks wird in allen anderen Freiheitsgraden, außer in Normalenrichtung der Kontaktflächen am jeweiligen Wendepunkt, durch die Dicke und Breite der Führungsbänder bestimmt. In Normalenrichtung hängt die Steifigkeit, wie weiter oben bereits erläutert, von der Hertzschen Pressung in der Kontaktfläche und damit vom Radius der Rollen ab. Die Führungsbänder sind vorteilhafterweise um die Mittellinie der Kontaktflächen des Gelenks derart angeordnet, dass die Summe der Steifigkeiten der über Kreuz angeordneten Führungsbänder symmetrisch zur Mittellinie ausgebildet ist. Eine Ausführungsform des Gelenks kann beispielsweise entlang der Mittellinie der Kontaktflächen ein symmetrisch angeordnetes Führungsband mit der Breite x aufweisen und an jeder Seite des mittleren Führungsbandes je ein weiteres Führungsband mit der Breite x/2 aufweisen, welche über Kreuz zum mittleren Führungsband angeordnet sind und den gleichen Abstand von der Mittellinie aufweisen. Alternativ können auch zwei Führungsbänder außen und zwei Führungsbänder innen gleicher Breite symmetrisch zur Mittellinie der Kontaktflächen angeordnet sein, wobei die beiden inneren Führungsbänder und die beiden äußeren Führungsbänder jeweils auf der gleichen Seite der Bauteile angebunden sind, die inneren und die äußeren Führungsbänder also über Kreuz verlaufen.Furthermore, the rigidity of the two guide bands can be the same. This has the advantage that the moments in the connection points of the guide bands compensate for each other. The absolute moment in the guide bands is also constant over their entire length, so that the joint can be moved without force. The tension at the turning point of the bands is zero. On one side of the inflection point the voltage is constant and positive at every point and on the other side it is constant and negative at every point. The amount of tension depends primarily only on the radius of the rollers, i.e. if the radius of the two rollers is the same on both sides of the zero point. Since the turning point moves during unwinding, the location of the tension reversal or zero tension in the strip also moves. When designing the guide bands, no additional loads that vary due to the deflection of the joint, such as with a leaf spring, have to be taken into account, but only the change in tension within the band. The maximum absolute tensions are therefore independent of the deflection of the joint, which can have a beneficial effect on the service life. The stiffness of the joint is determined by the thickness and width of the guide bands in all other degrees of freedom, except in the normal direction of the contact surfaces at the respective turning point. In the normal direction, the stiffness depends, as already explained above, on the Hertzian pressure in the contact surface and thus on the radius of the rollers. The guide bands are advantageously arranged around the center line of the contact surfaces of the joint in such a way that the sum of the stiffnesses of the guide bands arranged crosswise is symmetrical to the center line. One embodiment of the joint can, for example, have a symmetrically arranged guide band with the width x along the center line of the contact surfaces and have another guide band with the width x/2 on each side of the middle guide band, which are arranged crosswise to the middle guide band and the same Distance from the center line. Alternatively, two guide bands on the outside and two guide bands on the inside of the same width can be arranged symmetrically to the center line of the contact surfaces, with the two inner guide bands and the two outer guide bands each being connected to the same side of the components, i.e. the inner and outer guide bands run crosswise .
Je dicker und breiter die Führungsbänder, desto steifer wird das Gelenk, wobei die Spannungen in den Führungsbändern nur über deren Dicke und die Radien der Kontaktflächen bestimmt wird, nicht aber durch die Auslenkung des Gelenks selbst. Durch die Radien der beiden Kontaktflächen kann auch der Verlauf des Drehpunktes beim Auslenken des Gelenks eingestellt werden. Das Gelenk ist in Richtung einer Achse durch die Kontaktlinie senkrecht zur Normalen auf die Kontaktfläche in Druckrichtung sehr steif, wobei die Steifigkeit in Zugrichtung, also beim Versuch die beiden Bauteile auseinander zu ziehen, durch die großen Hebel von der Anbindung der Führungsbänder zur Kontaktlinie der Bauteile deutlich niedriger ist.The thicker and wider the guide bands, the stiffer the joint becomes, whereby the tensions in the guide bands are only determined by their thickness and the radii of the contact surfaces, but not by the deflection of the joint itself. The course can also be determined by the radii of the two contact surfaces of the pivot point can be adjusted when deflecting the joint. The joint is very stiff in the direction of an axis through the contact line perpendicular to the normal to the contact surface in the compression direction, with the stiffness in the pulling direction, i.e. when trying to pull the two components apart, through the large levers from the connection of the guide bands to the contact line of the components is significantly lower.
In einer weiteren Ausführungsform kann das Gelenk senkrecht zu einer Gelenkachse vorgespannt ausgebildet sein. Diese führt zu einer erhöhten Steifigkeit in Zugrichtung.In a further embodiment, the joint can be designed to be prestressed perpendicular to a joint axis. This leads to increased rigidity in the pulling direction.
Insbesondere kann die Vorspannung durch eine Vorspannung der Führungsbänder erzeugt werden. Dies hat den Vorteil, dass keine zusätzlichen Teile benötigt werden, wobei bei der Berechnung der Spannungen in den Führungsbändern die Vorspannung berücksichtigt werden muss.In particular, the pretension can be generated by pretensioning the guide bands the. This has the advantage that no additional parts are required, although the preload must be taken into account when calculating the tensions in the guide bands.
Weiterhin kann die Vorspannung durch ein die beiden Bauteile verbindendes elastisches Element bewirkt werden. Dabei können die beiden Bauteile mit einer elastischen Klammer miteinander verbunden werden, welche eine Vorspannkraft bewirkt, oder es kann eine Kraft in Druckrichtung von außen auf eines der beiden Bauteile aufgebracht werden. In beiden Fällen ist das Wandern des Drehpunktes bei der Auslenkung des Gelenks zu berücksichtigen.Furthermore, the preload can be brought about by an elastic element connecting the two components. The two components can be connected to one another with an elastic clamp, which causes a pretensioning force, or a force in the pressure direction can be applied to one of the two components from the outside. In both cases, the migration of the pivot point must be taken into account when the joint is deflected.
In einer weiteren Ausführungsform kann das Gelenk als Kreuzgelenk ausgebildet sein. Das Kreuzgelenk umfasst zwei weiter oben erläuterte einfache Gelenke, welche zu 90° zueinander verdreht angeordnet sind.In a further embodiment, the joint can be designed as a universal joint. The universal joint comprises two simple joints explained above, which are arranged twisted at 90° to each other.
Insbesondere können die Gelenkachsen der Gelenke des Kreuzgelenks in einer Ebene ausgebildet sein. Dadurch können die durch einen Abstand zwischen den Gelenkachsen bewirkten parasitären Bewegungen auf ein Minimum reduziert werden.In particular, the joint axes of the joints of the universal joint can be formed in one plane. This allows the parasitic movements caused by a distance between the joint axes to be reduced to a minimum.
In einer Ausführungsform der Erfindung kann das Gelenk monolithisch ausgebildet sein. Die beispielsweise aus Edelstahl hergestellten Gelenke können dadurch hochgenau und ohne das Einbringen von Verspannungen in die Führungsbänder und/oder Bauteile verbunden werden. Alternativ können die Bauteile auch durch andere Verbindungsverfahren, wie beispielsweise Schweißen oder Verschrauben hergestellt werden. Weiterhin ist auch eine Kombination von Materialien denkbar, wobei die Anbindung der Führungsbänder durch Schweißen, Löten, Kleben oder auch durch eine lösbare Schraubverbindung ausgebildet sein kann. Neue additive Fertigungsverfahren können auch die Herstellung von monolithischen Gelenken aus unterschiedlichen Materialien ermöglichen.In one embodiment of the invention, the joint can be monolithic. The joints made of stainless steel, for example, can be connected with high precision and without introducing tension into the guide bands and/or components. Alternatively, the components can also be manufactured using other connection methods, such as welding or screwing. Furthermore, a combination of materials is also conceivable, whereby the connection of the guide bands can be formed by welding, soldering, gluing or even by a releasable screw connection. New additive manufacturing processes can also enable the production of monolithic joints from different materials.
Weiterhin kann das Gelenk einen Endanschlag aufweisen. Dieser beschränkt die Auslenkung, die je nach Ausbildung der Kontaktflächen einen Bereich von 180° oder mehr betragen kann, so dass die Bewegung der mit dem Gelenk verbundenen Bauteile beschränkt und eine Kollision mit anderen Bauteilen verhindert werden kann. Ein Endschlag zum Schutz der Führungsbänder in Bezug auf plastische Deformation ist durch die über den Bewegungsspielraum konstante Spannung nicht notwendig.Furthermore, the joint can have an end stop. This limits the deflection, which can be a range of 180° or more depending on the design of the contact surfaces, so that the movement of the components connected to the joint can be limited and a collision with other components can be prevented. A final stop to protect the guide bands from plastic deformation is not necessary due to the constant tension over the range of motion.
In einer weiteren Ausführungsform können die beiden Bauteile mit zwei Gelenken und einem zwischen den Gelenken angeordneten Verbindungselement verbunden sein. Insbesondere können die zwei Gelenke als Kreuzgelenke ausgebildet sein, so dass die Bauteile in Längsrichtung des Verbindungselementes, welches beispielsweise als Pin ausgebildet ist, sehr steif verbunden sein können und in allen weiteren Freiheitsgraden, außer einer Rotation um die Längsachse des Pins, kräftefrei zueinander bewegt werden können.In a further embodiment, the two components can be connected with two joints and a connecting element arranged between the joints. In particular, the two joints can be designed as universal joints, so that the components can be very rigidly connected in the longitudinal direction of the connecting element, which is designed, for example, as a pin, and can be moved relative to one another without force in all other degrees of freedom, except rotation about the longitudinal axis of the pin can.
Insbesondere können die beiden Gelenke und das Verbindungselement als Teil einer Gewichtskompensation eines Aktuators der Baugruppe ausgebildet sein. Durch die auf der Gewichtskompensation wirkenden Teil der Gewichtskraft des aufliegenden Bauteils wird das Gelenk bereits von außen vorgespannt, so dass auf eine zusätzliche, wie weiter oben erläuterte, Vorspannung durch eine Feder oder eine Klammer verzichtet werden kann. Die Führungsbänder können zweckmäßigerweise weiterhin vorgespannt werden, um einer möglichen Entspannung der Bänder durch die äußere Vorspannung entgegenzuwirken.In particular, the two joints and the connecting element can be designed as part of a weight compensation of an actuator of the assembly. Due to the part of the weight of the resting component acting on the weight compensation, the joint is already preloaded from the outside, so that additional preloading by a spring or a clamp, as explained above, can be dispensed with. The guide bands can expediently continue to be pretensioned in order to counteract any possible relaxation of the bands due to the external pretensioning.
Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage weist eine Baugruppe nach einer der weiter oben erläuterten Ausführungsformen auf.A projection exposure system according to the invention has an assembly according to one of the embodiments explained above.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
-
1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie, -
2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie, -
3 eine erfindungsgemäße Baugruppe, -
4a ,b ein Detail der Erfindung, und -
5a ,b eine Ausführungsform des Details der Erfindung.
-
1 schematically in meridional section a projection exposure system for EUV projection lithography, -
2 schematically in meridional section a projection exposure system for DUV projection lithography, -
3 an assembly according to the invention, -
4a ,b a detail of the invention, and -
5a ,b an embodiment of the detail of the invention.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.One embodiment of a
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.A
In der
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The
Wie beispielsweise aus der
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The lighting optics 4 thus forms a double faceted system. This basic principle is also known as the honeycomb condenser (fly's eye integrator).
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 4, not shown, transmission optics can be arranged in the beam path between the
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the lighting optics 4, the
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The
Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the lighting optics 4, can have highly reflective coatings for the
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Image scales of the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der
Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.One of the
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.The illumination of the entrance pupil of the
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It may be that the projection optics have 10 different positions of the entrance pupil for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the
Bei der in der
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.The
Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in
Im Unterschied zu einer wie in
Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The
Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 101 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in
Die
Die bei der Montage durch die bei der Deformation der elastischen Führungsbänder 43.1, 43.2, 44 in die s-förmige Form erzeugten Kräfte und Momente bewirkten Deformationen in einer optischen Wirkfläche eines optischen Moduls 31 können beispielsweise durch optische Korrekturelemente und/oder Manipulatoren kompensiert werden. Weiterhin führt die konstante Spannung in den Führungsbändern 43.1, 43.2, 44 über den gesamten Bewegungsspielraum des Gelenks 40 nicht zu einer Belastung des Gelenks 40 durch die üblicherweise bei der Montage erforderlichen großen Auslenkungen zur Kompensation von etwaigen Fertigungs- und Montagetoleranzen. Das Gelenk 40 hat also den Vorteil, dass es einen großen Bewegungsbereich bei gleichzeitiger kräfte- und reibungsfreier Auslenkung und eine bei den im Betrieb üblicherweise kleinen Auslenkungen konstante Drehachse 53 aufweist. Die Steifigkeit des Gelenks 40 in x-Richtung, y-Richtung und einer Rotation um die z-Achse wird über die Breite und die Dicke der Führungsbänder 41.1, 43 2, 44 bestimmt. Diese Steifigkeiten führen auch das Abrollen und Aufrollen der Führungsbänder 41.1, 43 2, 44 und damit die Bewegung des Gelenks 40. In z-Richtung ist das Gelenk 40 auf Druck durch den unmittelbaren Kontakt der oberen Gelenkteile 42.1, 42.2, 42.3 und unteren Gelenksteils 41 sehr steif, wobei die Steifigkeit einer Zugbelastung in z-Richtung von der Vorspannung des Gelenks 40 abhängig ist. Die Vorspannung kann über die Vorspannung der Führungsbänder 43.1, 43.2, 44 eingestellt werden oder alternativ über die Vorspannung der Gelenkteile 41, 42.1, 42.2, 42.3, wobei dabei der mit der Auslenkung wandernde Drehpunkt des Gelenks 40 berücksichtigt werden muss. Das Gelenk 40 ist insbesondere für hohe Drucklasten, wie beispielsweise durch die Gewichtskraft des auf dem Gelenk aufliegenden Bauteils 31 geeignet.The deformations in an optical effective surface of an
Der Wendepunkt 52.2 des oberen Gelenks 61.2 wandert dabei, wie in der
BezugszeichenlisteReference symbol list
- 11
- ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
- 22
- BeleuchtungssystemLighting system
- 33
- StrahlungsquelleRadiation source
- 44
- BeleuchtungsoptikIllumination optics
- 55
- ObjektfeldObject field
- 66
- ObjektebeneObject level
- 77
- RetikelReticule
- 88th
- RetikelhalterReticle holder
- 99
- RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
- 1010
- ProjektionsoptikProjection optics
- 1111
- BildfeldImage field
- 1212
- BildebeneImage plane
- 1313
- Waferwafers
- 1414
- Waferhalterwafer holder
- 1515
- WaferverlagerungsantriebWafer displacement drive
- 1616
- EUV-StrahlungEUV radiation
- 1717
- Kollektorcollector
- 1818
- ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
- 1919
- UmlenkspiegelDeflecting mirror
- 2020
- FacettenspiegelFacet mirror
- 2121
- Facettenfacets
- 2222
- FacettenspiegelFacet mirror
- 2323
- Facettenfacets
- 3030
- Baugruppemodule
- 3131
- Optisches ModulOptical module
- 3232
- ModulhalterungModule holder
- 3333
- PinPin code
- 34.1,34.234.1,34.2
- Gelenkjoint
- 35.1, 35.235.1, 35.2
- GelenkachseJoint axis
- 3636
- Längsachse PinLongitudinal axis pin
- 4040
- Gelenkjoint
- 4141
- unteres Gelenkteillower joint part
- 42.1-42.342.1-42.3
- Oberes GelenkteilUpper joint part
- 43.1, 43.243.1, 43.2
- Band links-rechtsBand left-right
- 4444
- Band rechts-linksBand right-left
- 4545
- Anbindung unteres GelenkteilConnection to the lower joint part
- 4646
- Anbindung oberes GelenkteilConnection to upper joint part
- 4747
- Kreisfläche unteres GelenkteilCircular area of the lower joint part
- 48.1-48.348.1-48.3
- Kreisfläche obere GelenkteileCircular area of upper joint parts
- 49.1,49.249.1,49.2
- Stirnseiten unteres GelenkteilFront sides of the lower joint part
- 50.1,50.250.1,50.2
- Stirnseiten oberes GelenkteilEnd faces of upper joint part
- 5151
- DurchgangslöcherThrough holes
- 52, 52.1,52.252, 52.1,52.2
- Wendepunkt, Drehpunktturning point, turning point
- 53,53.1,53.253,53.1,53.2
- Drehachse GelenkAxis of rotation joint
- 6060
- KreuzgelenkUniversal joint
- 61.1,61.261.1,61.2
- Gelenkjoint
- 62.1-62.362.1-62.3
- GelenkachseJoint axis
- 6363
- unteres Gelenkteillower joint part
- 6464
- mittleres Gelenkteilmiddle joint part
- 6565
- oberes Gelenkteilupper joint part
- 6666
- Band außenBand outside
- 6767
- Band innenBand inside
- 6868
- Anbindung unteres GelenkteilConnection to the lower joint part
- 6969
- Anbindung mittleres GelenkteilConnection to the middle joint part
- 7070
- Anbindung oberes GelenkteilConnection to upper joint part
- 7171
- Halbkreisfläche unteres GelenkteilSemicircular area of the lower joint part
- 72.1,72.272.1,72.2
- Halbkreisfläche mittleres GelenkteilSemicircular area of the middle joint part
- 7373
- Halbkreisfläche oberes GelenkteilSemicircular surface of the upper joint part
- 7474
- Wangecheek
- 7575
- Innenseiteinside
- 101101
- ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
- 102102
- BeleuchtungssystemLighting system
- 107107
- RetikelReticule
- 108108
- RetikelhalterReticle holder
- 110110
- ProjektionsoptikProjection optics
- 113113
- Waferwafers
- 114114
- Waferhalterwafer holder
- 116116
- DUV-StrahlungDUV radiation
- 117117
- optisches Elementoptical element
- 118118
- Fassungenversions
- 119119
- ObjektivgehäuseLens housing
- M1-M6M1-M6
- SpiegelMirror
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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Applications Claiming Priority (1)
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DE102023201840.3A DE102023201840A1 (en) | 2023-03-01 | 2023-03-01 | Assembly for semiconductor technology and projection exposure system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE102023201840.3A Pending DE102023201840A1 (en) | 2023-03-01 | 2023-03-01 | Assembly for semiconductor technology and projection exposure system |
Country Status (1)
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DE (1) | DE102023201840A1 (en) |
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