DE102022213987A1 - Method for assembling an optical assembly, optical assembly and projection exposure system - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe (30.x) mit einem Grundkör-per (31) eines optischen Elementes (Mx, 117) und einem Anbauteil (38) wobei zwischen dem Anbauteil (38) und dem Grundkörper (31) eine Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) zur Minimierung von Spannungsüberhöhungen im Bereich der Verbindungschicht (50,51,51.1,51.2) angeordnet ist, umfassend folgende Verfahrensschritte:- Fügen des Grundkörpers (31), der Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) und des Anbauteils (38),- Auslagerung mindestens eines Bereichs der optischen Baugruppe (30.x) zur Aufnahme und/oder Austausch von Material mindestens in einem Teilbereich der Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2).Weiterhin umfasst die Erfindung eine optische Baugruppe (30.x) mit einem Grundkörper (31) eines optischen Elementes (Mx, 117) und einem Anbauteil (38),wobei zwischen dem Anbauteil (38) und dem Grundkörper (31) eine Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) zur Minimierung von Spannungsüberhöhungen im Bereich der Verbindungschicht (50,51,51.1,51.2) angeordnet ist. Die Baugruppe (30.x) zeichnet sich dadurch aus, dass die Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) derart ausgebildet ist, dass sich die Veränderung des Volumens der Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) bei Schwankungen der die Verbindungsschicht (50,51,51.1,51.2) umgebenden Luftfeuchtigkeit im Bereich von 0% rel. Feuchte bis 60% rel. Feuchte kleiner als 5 Vol.-%, bevorzugt kleiner als 2 Vol.-% und besonders bevorzugt von 0,1 Vol.-% ist.The invention relates to a method for assembling an optical assembly (30.x) with a base body (31) of an optical element (Mx, 117) and an attachment (38), with between the attachment (38) and the base body (31) a connecting layer (50,51,51.1,51.2) is arranged to minimize stress increases in the area of the connecting layer (50,51,51.1,51.2), comprising the following process steps: - joining the base body (31), the connecting layer (50,51, 51.1,51.2) and the attachment (38), - removal of at least one area of the optical assembly (30.x) for receiving and/or exchanging material at least in a partial area of the connecting layer (50,51,51.1,51.2).Furthermore included the invention relates to an optical assembly (30.x) with a base body (31) of an optical element (Mx, 117) and an attachment (38), with a connecting layer (50, 51) between the attachment (38) and the base body (31). ,51.1,51.2) is arranged to minimize stress increases in the area of the connection layer (50,51,51.1,51.2). The assembly (30.x) is characterized in that the connecting layer (50,51,51.1,51.2) is designed in such a way that the change in the volume of the connecting layer (50,51,51.1,51.2) changes in the event of fluctuations in the connecting layer (50,51,51.1,51.2) surrounding humidity in the range of 0% rel. Humidity up to 60% rel. Moisture is less than 5% by volume, preferably less than 2% by volume and particularly preferably 0.1% by volume.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe, eine optische Baugruppe und eine Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Halbleiterlithografie.The invention relates to a method for assembling an optical assembly, an optical assembly and a projection exposure system, in particular for semiconductor lithography.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithografie werden zur Erzeugung feinster Strukturen, insbesondere auf Halbleiterbauelementen oder anderen mikrostrukturierten Bauteilen, verwendet. Das Funktionsprinzip der genannten Anlagen beruht dabei darauf, mittels einer in der Regel verkleinernden Abbildung von Strukturen auf einer Maske, mit einem sogenannten Retikel, auf einem mit fotosensitivem Material versehenen zu strukturierenden Element, einem sogenannten Wafer, um feinste Strukturen bis in den Nanometerbereich zu erzeugen. Die minimalen Abmessungen der erzeugten Strukturen hängen dabei direkt von der Wellenlänge des zur Abbildung verwendeten Lichtes, dem sogenannten Nutzlicht, ab. Neben den überwiegend verwendeten Lichtquellen mit einer Emissionswellenlänge im Bereich von 100 nm bis 300 nm, dem sogenannten DUV-Bereich, werden in jüngerer Zeit vermehrt Lichtquellen mit einer Emissionswellenlänge im Bereich weniger Nanometer, beispielsweise zwischen 1 nm und 120 nm, insbesondere im Bereich von 13,5 nm verwendet. Der beschriebene Wellenlängenbereich wird auch als EUV-Bereich bezeichnet.Projection exposure systems for semiconductor lithography are used to create the finest structures, especially on semiconductor components or other microstructured components. The functional principle of the systems mentioned is based on using a generally reducing image of structures on a mask, with a so-called reticle, on an element to be structured with photosensitive material, a so-called wafer, in order to produce the finest structures down to the nanometer range . The minimum dimensions of the structures created depend directly on the wavelength of the light used for imaging, the so-called useful light. In addition to the predominantly used light sources with an emission wavelength in the range from 100 nm to 300 nm, the so-called DUV range, light sources with an emission wavelength in the range of a few nanometers, for example between 1 nm and 120 nm, in particular in the range of 13, have recently been increasingly used .5 nm used. The wavelength range described is also referred to as the EUV range.
Die zur Abbildung verwendeten optischen Elemente für die oben beschriebene Anwendung müssen mit höchster Präzision positioniert und/oder gegebenenfalls auch deformiert werden, um eine ausreichende Abbildungsqualität gewährleisten zu können. Insbesondere sind als Spiegel ausgebildete optische Elemente zusätzlich zur Positionierung in bis zu sechs Freiheitsgraden dazu eingerichtet, dass die optische Wirkfläche deformiert werden kann. Die optische Wirkfläche ist diejenige Oberfläche eines optischen Elements, welche während des üblichen Betriebes der zugehörigen Anlage mit zur Abbildung und Belichtung verwendeter Strahlung beaufschlagt wird.The optical elements used for imaging for the application described above must be positioned and/or, if necessary, deformed with the highest precision in order to be able to guarantee sufficient imaging quality. In particular, optical elements designed as mirrors are set up in addition to positioning in up to six degrees of freedom so that the optical effective surface can be deformed. The optical effective surface is that surface of an optical element which is exposed to radiation used for imaging and exposure during normal operation of the associated system.
Die genannte Deformation wird dabei beispielsweise durch auf der der optischen Wirkfläche gegenüberliegenden Rückseite des Spiegels angeordnete Aktuatoren bewirkt. Dabei können die verwendeten Aktuatoren prinzipiell parallel zur optischen Wirkfläche, aber auch senkrecht zu ihr auf das optische Element einwirken. Eine entsprechende Anordnung ist in der deutschen Patentanmeldung
Klebstoffverbindungen haben jedoch den Nachteil, dass diese aufgrund von Umwelteinflüssen, insbesondere der Veränderung der Luftfeuchtigkeit, quellen bzw. schrumpfen, wodurch parasitäre Deformationen in das optische Element eingetragen werden können, so dass die Anforderungen an die Abbildungsqualität, insbesondere für die neuesten Generationen von Projektionsbelichtungsanlagen, nicht mehr ausreichend erfüllt werden können.However, adhesive connections have the disadvantage that they swell or shrink due to environmental influences, in particular changes in air humidity, as a result of which parasitic deformations can be introduced into the optical element, so that the requirements for imaging quality, in particular for the latest generations of projection exposure systems, can no longer be adequately fulfilled.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Montage einer Baugruppe anzugeben, bei welchem die mit einer Klebstoffverbindung verbundenen Nachteile vermieden werden. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine entsprechend verbesserte optische Baugruppe bereitzustellen.The object of the present invention is to provide a method for assembling an assembly in which the disadvantages associated with an adhesive connection are avoided. A further object of the invention is to provide a correspondingly improved optical assembly.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.This task is solved by a method and a device with the features of the independent claims. The subclaims relate to advantageous developments and variants of the invention.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Verbindung eines Grundkörpers eines optischen Elementes und eines Anbauteils einer optischen Baugruppe, wobei zwischen dem Anbauteil und dem Grundkörper eine Verbindungsschicht zur Minimierung von Spannungsüberhöhungen im Bereich der Verbindungschicht angeordnet wird, umfasst folgende Verfahrensschritte:
- - Fügen des Grundkörpers, der Verbindungsschicht und des Anbauteils,
- - Auslagerung mindestens eines die Verbindungsschicht mindestens teilweise umfassenden Bereichs der optischen Baugruppe zur Aufnahme von Material mindestens in einem Teilbereich der Verbindungsschicht.
- - joining the base body, the connecting layer and the add-on part,
- - Removal of at least one area of the optical assembly that at least partially encompasses the connecting layer to accommodate material in at least a partial area of the connecting layer.
Das Fügen kann insbesondere ein Verschrauben oder Verklemmen zwischen dem Grundkörper und dem Anbauteil umfassen. Weiterhin können das Anbauteil und der Grundkörper beim Fügen mindestens vorjustiert, also zueinander ausgerichtet werden, wobei ein Nachjustieren, also eine Veränderung der Position von Anbauteil zu Grundkörper nach und/oder während des Auslagerungsschrittes ebenfalls denkbar ist.The joining can in particular include screwing or clamping between the base body and the add-on part. Furthermore, the attachment and the base body can be at least pre-adjusted during joining, i.e. aligned with one another, with readjustment, i.e. a change in the position of the attachment to the base body, after and/or during the removal step also being conceivable.
Die oben beschriebene Auslagerung des die Verbindungsschicht mindestens teilweise umfassenden Bereichs umfasst eine strukturelle Veränderung mindestens von Teilen der Verbindungsschicht, durch welche die mechanischen Eigenschaften der geschaffenen Verbindungsschicht im Hinblick auf ihren geplanten Einsatz verbessert werden.The above-described outsourcing of the area at least partially comprising the connecting layer includes a structural change of at least parts of the connecting layer, through which the mechanical properties of the connecting layer created are improved with regard to its planned use.
Insbesondere kann sich mindestens in einem oberflächennahen Bereich der Verbindungsschicht durch Aufnahme von Material mindestens eine physikalische Eigenschaft der Verbindungsschicht verändern. Dadurch kann sich vorteilhafterweise beispielsweise die Härte und/oder die Steifigkeit, welche von dem Elastizitätsmodul abhängt, erhöhen. Dies hat den Vorteil, dass ein während des Fügens zur Reduzierung der Spannungsüberhöhungen noch duktiles Material der Verbindungsschicht zumindest in diesem Bereich, also an den Kontaktflächen zwischen der Verbindungsschicht und dem Grundkörper bzw. dem Anbauteil härter bzw. steifer und dadurch weniger nachgiebig wird. Die Veränderung der physikalischen Eigenschaften kann beispielsweise durch Nitrieren, Diffusionshärten oder Einsatzhärten oder jedes andere Verfahren, welches Diffusionsvorgänge und/oder Rekristallisationsvorgänge aufweist, bewirkt werden.In particular, at least one physical property of the connecting layer can change at least in a region of the connecting layer close to the surface due to the absorption of material. This can advantageously increase, for example, the hardness and/or the rigidity, which depends on the modulus of elasticity. This has the advantage that a material of the connecting layer that is still ductile during joining to reduce the stress increases becomes harder or stiffer and therefore less flexible, at least in this area, i.e. on the contact surfaces between the connecting layer and the base body or the add-on part. The change in physical properties can be brought about, for example, by nitriding, diffusion hardening or case hardening or any other process that involves diffusion processes and/or recrystallization processes.
Die Oberfläche kann dadurch lokal auf sie wirkende Kräfte auf eine größere Fläche des unter ihr liegenden duktilen Bereichs der Verbindungsschicht verteilen und die in einem duktilen Material überwiegend plastische Deformation der Verbindungsschicht dadurch vorteilhaft minimieren. Das duktile Material kann durch die so geschaffene harte Hülle nicht weiter plastisch deformiert werden, wodurch die Kraft des Aktuators zur Deformation des Grundkörpers ohne Verlust auf Grund der Deformation der duktilen Verbindungsschicht auf diesen übertragen werden kann.The surface can thereby distribute forces acting locally on it over a larger area of the ductile region of the connecting layer underneath it and thereby advantageously minimize the predominantly plastic deformation of the connecting layer in a ductile material. The ductile material cannot be further plastically deformed by the hard shell created in this way, whereby the force of the actuator to deform the base body can be transferred to it without loss due to the deformation of the ductile connecting layer.
Insbesondere bei Verbindungsschichten, welche als beispielsweise separate, zylinderförmige Bauteile ausgebildet sind, kann der Kraftfluss innerhalb der härteren Oberfläche verlaufen, so dass eine Deformation des darunterliegenden Bereichs nicht zum Tragen kommt. Im Idealfall kann die Verbindungsschicht während des Auslagerungsschrittes vollständig durchhärten, wodurch aus einem beim Fügen duktilen Material zur Minimierung von Spannungsüberhöhungen, nach dem Auslagerungsschritt ein Material mit einer reduzierten Neigung zur plastischen Deformation erzeugt werden kann, welches auch unter im Betrieb üblichen Belastung nicht plastisch deformiert wird, wodurch die mechanischen Verspannungen in der Verbindungsschicht und damit in den Bauteilen vorteilhaft minimiert werden können.Particularly in the case of connecting layers, which are designed as, for example, separate, cylindrical components, the force flow can run within the harder surface, so that deformation of the underlying area does not come into play. Ideally, the connecting layer can harden completely during the aging step, whereby a material with a reduced tendency to plastic deformation can be produced from a material that is ductile during joining to minimize stress increases after the aging step, which is not plastically deformed even under normal operational loads , whereby the mechanical tensions in the connecting layer and thus in the components can be advantageously minimized.
In einer weiteren Ausführungsform kann die Verbindungsschicht vor dem Fügen mindestens zweiteilig ausgebildet sein. Dadurch kann die Herstellung und/oder die Montage vorteilhaft vereinfacht werden, indem beispielsweise komplex herzustellende Geometrien in zwei einfachere Geometrien unterteilt werden, die leichter herzustellen und durch eine geeignete Kontaktfläche auch leichter zu montieren sind.In a further embodiment, the connecting layer can be formed at least in two parts before joining. As a result, production and/or assembly can be advantageously simplified, for example by dividing complex geometries into two simpler geometries that are easier to manufacture and also easier to assemble thanks to a suitable contact surface.
Insbesondere können die mindestens zwei Teile der Verbindungsschicht unterschiedliche Materialien umfassen. Dies hat den Vorteil, dass die physikalischen Eigenschaften der Verbindungsschicht auf das Material oder die Oberflächenbeschaffenheit des Grundkörpers, welcher beispielsweise ein Quarzglas oder Silikatglas aufweist und eine glatte Oberfläche aufweist und dem Anbauteil, welches beispielsweise eine Keramik oder ein Metall umfasst und eine rauere Oberfläche aufweist, angepasst werden können.In particular, the at least two parts of the connecting layer can comprise different materials. This has the advantage that the physical properties of the connecting layer depend on the material or the surface quality of the base body, which has, for example, quartz glass or silicate glass and has a smooth surface, and the add-on part, which includes, for example, a ceramic or a metal and has a rougher surface. can be adjusted.
Weiterhin können die Materialien beim Auslagern miteinander interagieren. Eine Interaktion kann beispielsweise bei einem Thermokompressionsbonden erfolgen, wobei durch eine Kombination von Wärme und/oder Druck eine Diffusion, also ein Materialaustausch zwischen den beiden Schichten bewirkt wird. Weitere mögliche Verfahren, welche eine Interaktion unterstützen sind das eutektische Fügen oder das Solid-Liquid-Interdiffusion-Bonding. Das eutektische Fügen hat die besondere Eigenschaft, dass die beiden, meist reinen, Ausgangsmaterialien einen höheren Schmelzpunkt als die daraus erzeugte eutektische Legierung aufweisen. Dadurch kann nach einem ersten Kontakt und einem durch Diffusion bewirkten Ausbilden der eutektischen Legierung, die auch als Eutektikum bezeichnet wird, die Verbindungsschicht bei einer geeigneten Temperatur verflüssigt werden, wodurch die durch die Oberflächenrauheiten erzeugten Lücken in der Kontaktfläche zwischen Grundkörper und Verbindungsschicht und zwischen Verbindungsschicht und Anbauteil vorteilhaft geschlossen werden können. Zudem kann auch die Steifigkeit, Festigkeit und Härte nach dem Bonden von einem duktilen in ein elastisches Verhalten mit höherer Steifigkeit übergehen. Weiterhin kann die Verbindungsschicht durch den Materialaustausch eine stoffschlüssige Verbindung bilden, welche auch Zugkräfte übertragen kann.Furthermore, the materials can interact with each other during storage. An interaction can take place, for example, in thermocompression bonding, whereby a combination of heat and/or pressure causes diffusion, i.e. an exchange of material, between the two layers. Other possible processes that support interaction are eutectic joining or solid-liquid interdiffusion bonding. Eutectic joining has the special property that the two, mostly pure, starting materials have a higher melting point than the eutectic alloy created from them. As a result, after a first contact and formation of the eutectic alloy, which is also referred to as a eutectic, by diffusion, the connecting layer can be liquefied at a suitable temperature, whereby the gaps created by the surface roughness in the contact surface between the base body and the connecting layer and between the connecting layer and Attachment can be advantageously closed. In addition, the stiffness, strength and hardness can also change from ductile behavior to elastic behavior with higher rigidity after bonding. Furthermore, the connecting layer can form a cohesive connection through the material exchange, which can also transmit tensile forces.
Insbesondere können die unterschiedlichen Materialien Gold und Indium oder Kupfer und Zinn oder Gold und Zinn umfassen, wobei diese sich beispielsweise für das weiter oben beschriebene eutektische Fügen eignen können.In particular, the different materials can include gold and indium or copper and tin or gold and tin, which can be suitable, for example, for the eutectic joining described above.
Weiterhin kann das Fügen kraftfrei erfolgen. Unter kraftfrei ist in diesem Zusammenhang zu verstehen, dass die Bauteile (Grundkörper, Anbauteil) keine von außen zugeführte Krafteinwirkung erfahren, wie etwas beim Thermokompressionsbonden, also maximal die Gewichtskraft des einen Bauteils auf die Kontaktflächen zwischen den Bauteilen und der Verbindungsschicht einwirkt. Das kraftfreie Fügen hat den Vorteil, dass die Gefahr einer Beschädigung des Anbauteils oder des Grundkörpers, die beispielsweise ein sprödes Material, wie beispielsweise Glas oder Keramik aufweisen können, minimiert werden kann.Furthermore, joining can take place without force. In this context, force-free means that the components (base body, add-on part) do not experience any external force, as is the case with thermocompression bonding, i.e. a maximum of the weight of one component acts on the contact surfaces between the components and the connecting layer. The force-free joining has the advantage that the risk of damage to the attachment or the base body, which may have a brittle material such as glass or ceramic, for example, can be minimized.
In einer weiteren Ausführungsform können die zwei Teile der Verbindungsschicht als Beschichtungen auf dem Grundkörper und auf dem Anbauteil ausgebildet sein. Im Gegensatz zu einer als separates Bauteil ausgebildeten Verbindungsschicht kann durch die Beschichtung schon eine feste und auch Zugkräfte übertragende Verbindung zwischen den als Verbindungsteil wirkenden Beschichtungen und dem Grundkörper bzw. dem Anbauteil erreicht werden. Bei geeigneter Materialauswahl für die zweiteilige Verbindungsschicht und einem dazu korrespondierenden Auslagerungsschritt kann dadurch ohne die Gefahr von Spannungsüberhöhungen in der Kontaktstelle eine Druckkräfte und Zugkräfte übertragende Verbindung zwischen Grundkörper und Anbauteil erzeugt werden.In a further embodiment, the two parts of the connecting layer can be designed as coatings on the base body and on the add-on part. In contrast to a connecting layer designed as a separate component, the coating can achieve a firm connection that also transmits tensile forces between the coatings acting as a connecting part and the base body or the add-on part. With a suitable choice of material for the two-part connecting layer and a corresponding aging step, a connection that transmits compressive forces and tensile forces can be created between the base body and the attachment without the risk of excessive stress in the contact point.
Eine erfindungsgemäße optische Baugruppe mit einem Grundkörper eines optischen Elementes und einem Anbauteil, wobei zwischen dem Anbauteil und dem Grundkörper eine Verbindungsschicht zur Minimierung von Spannungsüberhöhungen im Bereich der Verbindungschicht angeordnet ist, zeichnet sich dadurch aus, dass die Verbindungsschicht derart ausgebildet ist, dass die Veränderung des Volumens der Verbindungsschicht bei Schwankungen der die Verbindungsschicht umgebenden Luftfeuchtigkeit im Bereich von 60% rel. Feuchte bis 0% rel. Feuchte kleiner als 5 Vol.-%, bevorzugt kleiner als 2 Vol.-% und besonders bevorzugt kleiner als 0,1Vol.-% beträgt. Insbesondere im Fall einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welche üblicherweise in einem Hochvakuum von 10Pa betrieben wird, können die Unterschiede zwischen dem Betrieb und der Montage oder einer zur Wartung notwendigen Belüften der EUV-Projektionsbelichtungsanlage erheblich sein. Die Stabilität der Verbindungsschicht im angegebenen Bereich vermeidet ein Verspannen der hochgenauen optischen Elemente auf Grund der sich ändernden Umgebungsbedingungen, wodurch eine für die Abbildungsqualität störende über die Zeit variierende Deformation einer optischen Wirkfläche, also der Fläche, welche mit der für die Abbildung verwendeten elektromagnetischen Strahlung beaufschlagt wird, vorteilhaft vermieden werden kann.An optical assembly according to the invention with a base body of an optical element and an attachment, wherein a connecting layer is arranged between the attachment and the base body to minimize stress increases in the area of the connection layer, is characterized in that the connection layer is designed in such a way that the change in the Volume of the connecting layer with fluctuations in the humidity surrounding the connecting layer in the range of 60% rel. Humidity up to 0% rel. Moisture is less than 5% by volume, preferably less than 2% by volume and particularly preferably less than 0.1% by volume. Particularly in the case of an EUV projection exposure system, which is usually operated in a high vacuum of 10Pa, the differences between the operation and the assembly or ventilation of the EUV projection exposure system required for maintenance can be significant. The stability of the connecting layer in the specified area prevents the high-precision optical elements from straining due to the changing environmental conditions, which results in a time-varying deformation of an optical effective surface, i.e. the surface which is exposed to the electromagnetic radiation used for the imaging, which is disruptive to the imaging quality can be advantageously avoided.
In einer ersten Ausführungsform kann die Verbindungsschicht als separates Bauteil ausgebildet sein. Die Verbindungsschicht wird beim Fügen zwischen Grundkörper und Anbauteil gelegt und kann beispielsweise durch duktile Eigenschaften die durch Fertigungstoleranzen auftretenden Spannungsüberhöhungen vorteilhaft ausgleichen.In a first embodiment, the connecting layer can be designed as a separate component. The connecting layer is placed between the base body and the add-on part when joining and can, for example, use ductile properties to advantageously compensate for the stress increases that occur due to manufacturing tolerances.
In einer weiteren Ausführungsform kann die Verbindungsschicht als eine Beschichtung ausgebildet sein. Diese hat den Vorteil, dass eine im Vergleich zum separaten Bauteil dünne Verbindungsschicht realisiert werden kann und diese mit dem Grundkörper oder dem Anbauteil bereits fest verbunden sein kann, was durch eine geeignete Beschichtungstechnologie, wie beispielsweise Chemical Vapor Deposition (CFD), Physical Vapor Deposition (PVD), Galvanische Beschichtungsverfahren, Flammspritzen oder thermisches Beschichten, erreicht werden kann. Die Dicke der Verbindungsschicht kann dabei derart gewählt werden, dass durch das Ausfüllen der Unebenheiten bzw. der Täler zwischen den Spitzen der mikroskopisch rauen Oberfläche des nicht beschichteten Bauteils ein flächiger Kontakt zwischen Grundkörper und Anbauteil von mindestens 50%, bevorzugt von 60% und besonders bevorzugt von 70% oder mehr sichergestellt werden kann, wodurch die Spannungsüberhöhungen ausreichend reduziert werden können. Der flächige Kontakt, welcher sich aus einem direkten Kontakt der Spitzen der Oberflächen von Grundkörper und Anbauteil und der die Täler ausfüllenden Verbindungsschicht zusammensetzt, kann auch eine unter den im Betrieb auftretenden Belastungen stabile Verbindung, also ohne oder mit nur minimaler weiterer plastischer Deformation, sicherstellen. Dies gilt auch für optische Baugruppen, welche nach dem Fügen keinen weiteren Auslagerungsschritt durchlaufen und Beschichtungen aus Materialien, welche keine Veränderungen der physikalischen Eigenschaften bei einem möglichen Auslagerungsschritt aufweisen.In a further embodiment, the connecting layer can be formed as a coating. This has the advantage that a connecting layer that is thin compared to the separate component can be realized and that this can already be firmly connected to the base body or the add-on part, which is achieved by a suitable coating technology, such as Chemical Vapor Deposition (CFD), Physical Vapor Deposition ( PVD), galvanic coating processes, flame spraying or thermal coating. The thickness of the connecting layer can be chosen such that by filling the bumps or valleys between the tips of the microscopically rough surface of the uncoated component, there is a surface contact between the base body and the attachment of at least 50%, preferably 60% and particularly preferably of 70% or more can be ensured, whereby the voltage increases can be sufficiently reduced. The flat contact, which is made up of direct contact between the tips of the surfaces of the base body and the add-on part and the connecting layer filling the valleys, can also ensure a stable connection under the loads that occur during operation, i.e. with no or only minimal further plastic deformation. This also applies to optical assemblies that do not undergo any further aging step after joining and coatings made of materials that do not show any changes in physical properties during a possible aging step.
Weiterhin kann die Verbindungsschicht als eine auf dem Grundkörper und eine auf dem Anbauteil angeordnete Beschichtung ausgebildet sein.Furthermore, the connecting layer can be designed as a coating arranged on the base body and a coating on the add-on part.
Insbesondere können die beiden Beschichtungen unterschiedliche Materialien umfassen. Dies hat den Vorteil, dass für die Materialien des Grundkörpers und des Anbauteils jeweils gut korrespondierende Materialien Anwendung finden können, also beispielsweise eine gute Verbindungseigenschaft aufweisen. Weiterhin kann dadurch zumindest in einem Teilbereich der Verbindungsschicht, beispielsweise durch einen nach dem Fügen durchlaufenen Auslagerungsschritt, wie weiter oben bereits erläutert, eine Legierung aus den beiden Materialien erzeugt werden, welche für den Betrieb vorteilhafte ausgebildete physikalische Eigenschaften, wie beispielsweise Formstabilität und/oder hohe Steifigkeit aufweisen kann.In particular, the two coatings can comprise different materials. This has the advantage that materials that correspond well to the materials of the base body and the add-on part can be used, i.e. have good connection properties, for example. Furthermore, at least in a partial area of the connecting layer, for example through an aging step carried out after joining, as already explained above, an alloy can be produced from the two materials which have developed physical properties that are advantageous for operation, such as dimensional stability and / or high can have stiffness.
Weiterhin kann die Verbindungsschicht kraftschlüssig mit dem Grundkörper und/oder dem Abbauteil verbunden sein. In diesem Zusammenhang ist unter kraftschlüssig eine Verbindung zu verstehen, die Druckkräfte und Zugkräfte übertragen kann. Je nach angewendetem Verfahren kann die Verbindung auch als mikroskopisch formschlüssig bezeichnet werden. Die Materialien der beiden Beschichtungen können sich beispielsweise durch Thermokompressionsbonden durch Diffusion und Wärme derart miteinander verbinden, dass die neu gebildeten Korngrenzen ineinander greifen, also einen Formschluss bilden, so dass keine scharfe Trennschicht mehr vorhanden ist.Furthermore, the connecting layer can be non-positively connected to the base body and/or the dismantling part. In this context, non-positive means a connection that can transmit compressive forces and tensile forces. Depending on the method used, the connection can also be described as microscopically positive. The materials of the two coatings can, for example, bond together through thermocompression bonding through diffusion and heat in such a way that the newly formed grain boundaries interlock, i.e. form a positive fit, so that there is no longer a sharp separating layer.
Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage kann eine optische Baugruppe nach einer der weiter oben beschriebenen Ausführungsformen umfassen.A projection exposure system according to the invention can comprise an optical assembly according to one of the embodiments described above.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
-
1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie, -
2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie, -
3a-c eine erste Ausführungsform der Erfindung, -
4a-d weitere Ausführungsformen der Erfindung, und -
5a-d Details der Erfindung.
-
1 schematically in meridional section a projection exposure system for EUV projection lithography, -
2 schematically in meridional section a projection exposure system for DUV projection lithography, -
3a-c a first embodiment of the invention, -
4a-d further embodiments of the invention, and -
5a-d Details of the invention.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.One embodiment of a
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.A
In der
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 includes
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.The
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The
Wie beispielsweise aus der
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.The
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In a further embodiment of the
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The
Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der
Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.One of the
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.The illumination of the entrance pupil of the
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It may be that the projection optics have 10 different positions of the entrance pupil for the tangential and sagittal beam paths. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the
Bei der in der
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.The
Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in
Im Unterschied zu einer wie in
Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The
Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 101 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in
Die Verbindungsschicht 50 kann dabei beispielsweise Aluminium, Palladium, Gold, Indium, Kupfer, Zinn oder Kombinationen davon, sowie andere duktile Metalle bzw. Metalllegierungen umfassen. Sie kann aber alternativ oder zusätzlich auch einen Kunststoff, wie beispielsweise ein Polymer, umfassen.The connecting
Die Verbindungsschicht 50 kann weiterhin entweder als separates Bauteil ausgebildet sein oder als Beschichtung 51 auf dem Aktuator 40 und/oder dem Grundkörper 31 ausgebildet sein. Darüber hinaus kann die Verbindungsschicht 50 ihre physikalischen Eigenschaften durch einen der Montage des Aktuators 40 nachgeschalteten Auslagerungsschritt verändern, so dass beispielsweise die für die Montage zweckmäßige Duktilität zum Ausgleich der Formtoleranzen durch plastische Deformation durch den Auslagerungsschritt minimiert wird, also ein weniger duktiles und dafür härteres Material und/oder ein Material mit einem höheren E-Modul erzeugt wird.The connecting
Varianten zur Anordnung der Verbindungsschicht 50 als separates Bauteil und/oder in Form einer Beschichtung 51 und Verfahren zur Veränderung der physikalischen Eigenschaften werden anhand der
Die
Die in den
Die
BezugszeichenlisteReference symbol list
- 11
- ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
- 22
- BeleuchtungssystemLighting system
- 33
- StrahlungsquelleRadiation source
- 44
- BeleuchtungsoptikIllumination optics
- 55
- ObjektfeldObject field
- 66
- ObjektebeneObject level
- 77
- RetikelReticule
- 88th
- RetikelhalterReticle holder
- 99
- RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
- 1010
- ProjektionsoptikProjection optics
- 1111
- BildfeldImage field
- 1212
- BildebeneImage plane
- 1313
- Waferwafers
- 1414
- Waferhalterwafer holder
- 1515
- WaferverlagerungsantriebWafer displacement drive
- 1616
- EUV-StrahlungEUV radiation
- 1717
- Kollektorcollector
- 1818
- ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
- 1919
- UmlenkspiegelDeflecting mirror
- 2020
- FacettenspiegelFacet mirror
- 2121
- Facettenfacets
- 2222
- FacettenspiegelFacet mirror
- 2323
- Facettenfacets
- 30, 30.1-30.730, 30.1-30.7
- Optische BaugruppeOptical assembly
- 3131
- GrundkörperBasic body
- 3232
- optische Wirkflächeoptical effective surface
- 3333
- Rückseiteback
- 34.1, 34.234.1, 34.2
- Ausnehmungrecess
- 35.1,35.235.1,35.2
- zylindrischer, konischer Zapfencylindrical, conical tenon
- 36.1, 36.236.1, 36.2
- zylindrische, konische Ausnehmungcylindrical, conical recess
- 3737
- Optikkörperoptics body
- 3838
- AnbauteilAttachment part
- 4040
- Unidirektionaler Aktuator, axial verbundenUnidirectional actuator, axially connected
- 41.1-41.341.1-41.3
- Ringaktuatorzylindrisch, konisch innen, konisch außenRing actuator cylindrical, conical inside, conical outside
- 4242
- Hebellever
- 4343
- Lagerungstorage
- 4444
- RückplatteBackplate
- 4545
- Gegenlagercounter bearing
- 4747
- RahmenFrame
- 4848
- Unidirektionaler Aktuator, radial verbundenUnidirectional actuator, radially connected
- 4949
- AktuatoreinheitActuator unit
- 5050
- VerbindungsschichtConnection layer
- 51,51.1,51.251,51.1,51.2
- Beschichtung als VerbindungsschichtCoating as a connecting layer
- 101101
- ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
- 102102
- BeleuchtungssystemLighting system
- 107107
- RetikelReticule
- 108108
- RetikelhalterReticle holder
- 110110
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- Waferwafers
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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