DE102022212238A1 - Method for characterizing the dynamic transfer behavior of a system, especially for microlithography - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems, insbesondere für die Mikrolithographie, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bestimmen eines Amplitudengangs als Frequenzabhängigkeit der Amplitude einer Übertragungsfunktion des Systems, Bestimmen, für diesen Amplitudengang, der dritten Ableitung der Amplitude nach der Frequenz, und Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens des Systems durch Bestimmen wenigstens einer Eigenfrequenz (f0) sowie wenigstens einer Dämpfung (D) auf Basis dieser dritten Ableitung.The invention relates to a method for characterizing the dynamic transmission behavior of a system, in particular for microlithography, the method having the following steps: determining an amplitude response as a frequency dependency of the amplitude of a transmission function of the system, determining, for this amplitude response, the third derivative of the amplitude according to the frequency, and characterizing the dynamic transmission behavior of the system by determining at least one natural frequency (f0) and at least one damping (D) on the basis of this third derivative.
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der Erfindungfield of invention
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems, insbesondere für die Mikrolithographie.The invention relates to a method for characterizing the dynamic transmission behavior of a system, in particular for microlithography.
Stand der TechnikState of the art
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to produce microstructured components such as integrated circuits or LCDs. The microlithographic process is carried out in a so-called projection exposure system, which has an illumination device and a projection lens. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is projected by means of the projection objective onto a substrate (e.g. a silicon wafer) coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to project the mask structure onto the light-sensitive coating of the to transfer substrate.
In einer für EUV (d.h. für elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge unterhalb von 15 nm) ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage werden mangels Vorhandenseins lichtdurchlässiger Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet. Diese Spiegel können auf einem Tragrahmen befestigt und wenigstens teilweise manipulierbar ausgestaltet sein, um eine Bewegung des jeweiligen Spiegels beispielsweise in sechs Freiheitsgraden (d.h. hinsichtlich Verschiebungen in den drei Raumrichtungen x, y und z sowie hinsichtlich Rotationen Rx, Ry und Rz um die entsprechenden Achsen) zu ermöglichen.In a projection exposure system designed for EUV (ie for electromagnetic radiation with a wavelength below 15 nm), mirrors are used as optical components for the imaging process due to the lack of presence of transparent materials. These mirrors can be attached to a support frame and designed to be at least partially manipulable in order to allow the respective mirror to move, for example, in six degrees of freedom (ie with regard to displacements in the three spatial directions x, y and z and with regard to rotations R x , R y and R z around the corresponding axes) to allow.
Im Betrieb von Projektionsbelichtungsanlagen, insbesondere bei EUV-Systemen, spielen Dynamikaspekte eine zunehmend wichtige Rolle für die optische Performance des Systems. Mechanische Störungen verursacht durch Vibrationen wirken sich nachteilig auf die Positionsstabilität der optischen Komponenten aus. Schwach gedämpfte mechanische Resonanzen im System führen im Bereich der Resonanzfrequenzen zu einer lokalen Überhöhung des Störspektrums und einer damit einhergehenden Verschlechterung der Positionsstabilität von passiven gelagerten Komponenten wie auch von aktiv geregelten Komponenten. Des Weiteren können Resonanzen im Falle von geregelten Systemen zur Instabilität der Regelschleife führen.In the operation of projection exposure systems, especially in EUV systems, dynamic aspects play an increasingly important role for the optical performance of the system. Mechanical disturbances caused by vibrations adversely affect the positional stability of the optical components. Weakly damped mechanical resonances in the system lead to a local increase in the interference spectrum in the range of resonance frequencies and an associated deterioration in the position stability of passively mounted components as well as actively controlled components. Furthermore, in the case of controlled systems, resonances can lead to instability of the control loop.
In der Praxis wird das mechatronische Design eines komplexen mechatronischen Systems wie z.B. eines optischen Systems einer Projektionsbelichtungsanlage basierend auf berechneten Werten von Eigenfrequenzen und zugehörigen Dämpfungen (sowie jeweils angenommenen Toleranzen) ausgelegt. Dabei ist es für den ordnungsgemäßen Betrieb des betreffenden Systems wichtig, die wesentlichen Eigenfrequenzen und zugehörigen Dämpfungen in Realität zu verifizieren sowie erforderlichenfalls (etwa bei signifikanten Abweichungen zu den nominellen Werten) eine Kalibrierung z.B. von Regelungsparametern vorzunehmen. Des Weiteren kann die Bestimmung der Eigenfrequenzen sowie Dämpfungen im betreffenden System auch zur Fehleranalyse und -überwachung verwendet werden, wobei gegebenenfalls Veränderungen in einem Fertigungs- oder Montageprozess detektiert und entsprechende Fehler in nachfolgenden Prozessschritten frühzeitig prognostiziert werden können.In practice, the mechatronic design of a complex mechatronic system such as an optical system of a projection exposure system is based on calculated values of natural frequencies and associated damping (as well as assumed tolerances). It is important for the proper operation of the system in question to verify the essential natural frequencies and associated damping in reality and, if necessary (e.g. in the case of significant deviations from the nominal values), to calibrate control parameters, for example. Furthermore, the determination of the natural frequencies and damping in the relevant system can also be used for error analysis and monitoring, with changes in a manufacturing or assembly process being detected if necessary and corresponding errors being able to be predicted at an early stage in subsequent process steps.
Zur Bestimmung von Eigenfrequenzen und zugehörigen Dämpfungen aus einer gemessenen Übertragungsfunktion bzw. einem Frequenzgang eines Systems sind diverse Ansätze bekannt. Dabei können insbesondere sowohl der Amplitudengang (d.h. die Frequenzabhängigkeit der Amplitude der Übertragungsfunktion) als auch die jeweilige Phasenlage berücksichtigt werden. Wenngleich ein solches Vorgehen grundsätzlich Vorteile hinsichtlich einer Nutzung bzw. Identifizierung der vollständigen Information aus der komplexwertigen Übertragungsfunktion hat, können sich in der Praxis Probleme aus der resultierenden Komplexität und insbesondere auch aus unvermeidlichen, durch auftretende Verzögerungen bedingten Änderungen der Phasenlage ergeben.Various approaches are known for determining natural frequencies and associated damping from a measured transfer function or a frequency response of a system. In particular, both the amplitude response (i.e. the frequency dependency of the amplitude of the transfer function) and the respective phase position can be taken into account. Although such a procedure has fundamental advantages in terms of using or identifying the complete information from the complex-valued transfer function, in practice problems can arise from the resulting complexity and in particular from unavoidable changes in the phase position caused by delays that occur.
Ein vergleichsweise einfacheres und auf der alleinigen Verwendung des Amplitudengangs beruhendes Verfahren stellt die sogenannte Q-Faktor-Methode dar. Hierbei werden ein auch als „Gütefaktor“ bezeichneter Q-Faktor sowie eine Dämpfung D anhand der nachfolgenden Gleichungen (1) und (2) bestimmt, wobei die Frequenz fmax denjenigen Frequenzwert bezeichnet, an welchem die Amplitude ihr Maximum annimmt und wobei fl und fr die jeweiligen Frequenzwerte bezeichnen, an denen die Amplitude zu beiden Seiten des Amplitudenmaximums Amax den Wert Amax/√2 erreicht (siehe beispielhaftes Szenario gemäß
Wenngleich die o.g. Q-Faktor-Methode in einfachen Systemen durchaus gute Übereinstimmungen zwischen jeweils ermittelter und tatsächlicher Dämpfung liefern kann, erweist sich dieses Verfahren als fehlerhaft in komplexeren Systemen und insbesondere dann, wenn im Amplitudengang zwei oder mehr Resonanzen relativ nahe beieinander liegen (d.h. bei sich nur geringfügig voneinander unterscheidenden Frequenzwerten auftreten). In diesem Falle kann beispielsweise, wie aus
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems, insbesondere für die Mikrolithographie, bereitzustellen, welches eine zuverlässige Charakterisierung unter zumindest teilweiser Vermeidung der vorstehend beschriebenen Probleme ermöglicht.The object of the present invention is to provide a method for characterizing the dynamic transmission behavior of a system, in particular for microlithography, which enables reliable characterization while at least partially avoiding the problems described above.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.This object is solved according to the features of
Eine erfindungsgemäßes Verfahren zum Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems, insbesondere für die Mikrolithographie, weist folgende Schritte auf:
- a) Bestimmen eines Amplitudengangs als Frequenzabhängigkeit der Amplitude einer Übertragungsfunktion des Systems;
- b) Bestimmen, für diesen Amplitudengang, der dritten Ableitung der Amplitude nach der Frequenz; und
- c) Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens des Systems durch Bestimmen wenigstens einer Eigenfrequenz (f0) sowie wenigstens einer Dämpfung (D) auf Basis dieser dritten Ableitung.
- a) determining an amplitude response as a frequency dependency of the amplitude of a transfer function of the system;
- b) determining, for this amplitude response, the third derivative of amplitude with respect to frequency; and
- c) Characterizing the dynamic transmission behavior of the system by determining at least one natural frequency (f 0 ) and at least one damping (D) on the basis of this third derivative.
Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, die Charakterisierung des Übertragungsverhaltens eines mechatronischen Systems (wie z.B. eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage) im Sinne einer Identifizierung der jeweils vorhandenen Werte von Eigenfrequenz(en) sowie Dämpfung(en), insbesondere auch zur Verifizierung von insoweit zuvor eingestellten Werten sowie gegebenenfalls Kalibrierung des Systems hinsichtlich insoweit vorhandener Abweichungen, dadurch vorzunehmen, dass nach Bestimmung der (im Weiteren auch als „Amplitudengang“ bezeichneten) Frequenzabhängigkeit der Amplitude in der Übertragungsfunktion des Systems die dritte Ableitung der Amplitude nach der Frequenz bestimmt und dann anhand geeigneter Kriterien einer quantitativen Bestimmung besagter Eigenfrequenz(en) bzw. Dämpfung(en) zugrundegelegt wird.The invention is based in particular on the concept of characterizing the transmission behavior of a mechatronic system (e.g. an optical system of a microlithographic projection exposure system) in the sense of identifying the existing values of natural frequency(s) and damping(s), in particular also for verification of this previously set values and, if necessary, calibrating the system with regard to any deviations that are present, by determining the frequency dependency of the amplitude (hereinafter also referred to as "amplitude response") in the transfer function of the system, determining the third derivative of the amplitude according to the frequency and then using this suitable criteria for a quantitative determination of said natural frequency(s) or damping(s).
Dabei geht die Erfindung u.a. von der Erkenntnis aus, dass in besagter dritter Ableitung des Amplitudengangs eine im Übertragungsverhalten vorhandene Resonanz ein charakteristisches und vergleichsweise einfach zu detektierendes Muster erzeugt, aus welchem sowohl Eigenfrequenz(en) als auch Dämpfung(en) selbst dann mit hoher bzw. hinreichender Genauigkeit bestimmt werden können, wenn zwei oder mehr Resonanzen bei vergleichsweise nahe beieinanderliegenden Frequenzen vorliegen.The invention is based, among other things, on the finding that in said third derivation of the amplitude response, a resonance present in the transmission behavior generates a characteristic pattern that is comparatively easy to detect, from which both natural frequency(s) and damping(s) can be derived even with high or can be determined with sufficient accuracy when there are two or more resonances at relatively close frequencies.
Die im Weiteren noch detaillierter beschriebene quantitative Bestimmung hat mit der alleinigen Zugrundelegung des Amplitudengangs bzw. dessen dritter Ableitung gegenüber einer vollständigen Nutzung sowohl der Amplituden- als auch der Phaseninformation des Übertragungsverhaltens zunächst den Vorteil, dass Probleme infolge einer unvermeidlichen (z.B. durch auftretende Verzögerungen bedingten) Änderung der Phasenlage vermieden werden. Des Weiteren kann die erfindungsgemäße quantitative Bestimmung von Eigenfrequenz(en) und Dämpfung(en) in jeweils eindeutiger reproduzierbarer Weise automatisiert und frei von subjektiven Fehlereinflüssen durchgeführt werden. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, dass zusätzliche Kenntnisse bzw. Informationen betreffend das hinsichtlich seines Übertragungsverhaltens zu charakterisierende System nicht erforderlich sind.The quantitative determination described in more detail below, based solely on the amplitude response or its third derivative, has the advantage over a complete use of both the amplitude and the phase information of the transmission behavior that problems due to an unavoidable (e.g. due to delays that occur) Changing the phase position can be avoided. Furthermore, the quantitative determination of natural frequency(s) and damping(s) according to the invention can be carried out automatically in a clearly reproducible manner and free from subjective error influences. A further advantage of the method according to the invention is that additional knowledge or information relating to the system to be characterized with regard to its transmission behavior is not required.
Gemäß einer Ausführungsform wird im Schritt c) für eine die Frequenzabhängigkeit der dritten Ableitung beschreibende Funktion wenigstens eine von dieser Funktion mit positiver Steigung durchlaufene Nullstelle (fz) ermittelt.According to one embodiment, at least one zero point (f z ) through which this function has a positive gradient is determined in step c) for a function describing the frequency dependency of the third derivative.
Gemäß einer Ausführungsform wird die wenigstens eine Eigenfrequenz auf Basis dieser wenigstens einen Nullstelle (fz) bestimmt.According to one embodiment, the at least one natural frequency is determined on the basis of this at least one zero point (f z ).
Gemäß einer Ausführungsform werden im Schritt c) für eine die Frequenzabhängigkeit der dritten Ableitung beschreibende Funktion ein erster Frequenzwert, welcher unterhalb dieser Eigenfrequenz liegt und bei dem die Funktion ein lokales Minimum aufweist, und ein zweiter Frequenzwert, welcher oberhalb dieser Eigenfrequenz liegt und bei dem die Funktion ein lokales Maximum aufweist, ermittelt.According to one embodiment, in step c) for a function describing the frequency dependency of the third derivative, a first frequency value, which is below this natural frequency and at which the function has a local minimum, and a second frequency value, which is above this natural frequency and at which the Function has a local maximum determined.
Gemäß einer Ausführungsform wird die wenigstens eine Dämpfung auf Basis der Differenz (Δf) zwischen dem ersten Frequenzwert und dem zweiten Frequenzwert bestimmt.According to one embodiment, the at least one attenuation is based on the difference (Δf) between the first frequency value and the second frequency value is determined.
Gemäß einer Ausführungsform werden im Schritt c) eine Mehrzahl von Eigenfrequenzen (f0,i) sowie zugehörigen Dämpfungen (Di) bestimmt.According to one embodiment, a plurality of natural frequencies (f 0,i ) and associated damping (D i ) are determined in step c).
Gemäß einer Ausführungsform wird bei dieser Bestimmung in einem iterativen Prozess die jeweilige, die Frequenzabhängigkeit der dritten Ableitung der Amplitude nach der Frequenz beschreibende Funktion nach Bestimmung jeweils einer Eigenfrequenz (f0,i) sowie zugehöriger Dämpfung (Di) angepasst und der Bestimmung einer weiteren Eigenfrequenz (f0,i+1) sowie Dämpfung (Di+1) zugrundegelegt.According to one embodiment, the respective function describing the frequency dependency of the third derivative of the amplitude according to the frequency is adapted in this determination in an iterative process after determining a respective natural frequency (f 0,i ) and associated damping (D i ) and determining a further one Natural frequency (f 0,i+1 ) and damping (D i+1 ) are taken as a basis.
Gemäß einer Ausführungsform ist das System ein optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.According to one embodiment, the system is an optical system, in particular of a microlithographic projection exposure system.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System für einen Betrieb im EUV ausgelegt.According to one embodiment, the optical system is designed for operation in EUV.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further configurations of the invention can be found in the description and in the dependent claims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to exemplary embodiments illustrated in the attached figures.
Figurenlistecharacter list
Es zeigen:
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1a-2 Diagramme zur Erläuterung des der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Konzepts; -
3 ein Flussdiagramm zur Erläuterung einer möglichen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; -
4a-4c Diagramme zur Verdeutlichung der Leistungsfähigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens; -
5-6 Diagramme zur Erläuterung einer weiteren möglichen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens; -
7a-8b Diagramme zur Erläuterung eines herkömmlichen Verfahrens zur Charakterisierung des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems nach der Q-Faktor-Methode; und -
9 eine schematische Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie im Meridionalschnitt.
-
1a-2 Diagrams for explaining the concept underlying the present invention; -
3 a flowchart to explain a possible embodiment of the method according to the invention; -
4a-4c Diagrams to illustrate the performance of the method according to the invention; -
5-6 Diagrams to explain a further possible embodiment of the method according to the invention; -
7a-8b Diagrams explaining a conventional method for characterizing the dynamic transmission behavior of a system using the Q-factor method; and -
9 a schematic representation of a projection exposure system for EUV projection lithography in the meridional section.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Im Weiteren wird jeweils ein möglicher Ablauf eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Charakterisieren des dynamischen Übertragungsverhaltens eines Systems wie z.B. eines optischen Systems für die Mikrolithographie anhand beispielhafter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf das in
Daraufhin wird im Schritt S30 für diesen Amplitudengang die dritte Ableitung der Amplitude nach der Frequenz bestimmt.
Zum einen besitzt die dritte Ableitung am Amplitudenmaximum eine einzige, mit positiver Steigung durchlaufene (im Weiteren mit fz bezeichnete) Nullstelle, die mit steigender Dämpfung zu niedrigeren Frequenzen wandert. Der Zusammenhang zwischen Eigenfrequenz f0, Nullstelle fz und Dämpfung D ist gegeben durch:
Da die übrigen Nullstellen der dritten Ableitung mit negativer Steigung durchlaufen werden, kann die Eigenfrequenz f0 auf Basis dieser mit positiver Steigung durchlaufenen Nullstelle fz eindeutig bestimmt werden.Since the remaining zeros of the third derivative are traversed with a negative gradient, the natural frequency f 0 can be determined unambiguously on the basis of this zero point f z , which is traversed with a positive gradient.
Betrachtet man weiter die Differenz Δf zwischen den jeweiligen Frequenzwerten unterhalb bzw. oberhalb der besagten Eigenfrequenz f0, bei denen die dritte Ableitung gemäß
Insgesamt ergibt sich damit der nachfolgende bilineare Zusammenhang:
Dabei kann die Konstante k aus einem beliebigen Referenzwert ungleich Null berechnet werden. Der gesuchte Wert der Dämpfung D kann somit für einen gegebenen Verlauf der dritten Ableitung des Amplitudengangs gemäß nachfolgenden Gleichungen (5) und (6) berechnet werden.
Die vorstehend beschriebene Ermittlung von Eigenfrequenz sowie Dämpfung für eine in der Übertragungsfunktion bzw. in dem zugehörigen Amplitudengang auftretende Resonanz anhand der beschriebenen Analyse der Frequenzabhängigkeit der dritten Ableitung dieses Amplitudengangs kann erfindungsgemäß in der Regel mit hinreichender Genauigkeit auch bei Vorhandensein mehrerer Resonanzen (gegebenenfalls auch bei vergleichsweise wenig voneinander abweichenden Frequenzwerten) erfolgen. Unter erneuter Bezugnahme auf
Optional kann in weiteren Ausführungsformen eine zusätzliche Genauigkeitserhöhung dadurch erzielt werden, dass in einem iterativen Prozess nach jeder Bestimmung jeweils einer Eigenfrequenz sowie zugehöriger Dämpfung eine Anpassung der dritten Ableitung des Amplitudengangs vorgenommen wird. Dieses optional zur Genauigkeitserhöhung iterativ durchgeführte Verfahren ist in
Im Ergebnis kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine hochgenaue Identifikation der in einem vorgegebenen System vorhandenen Eigenfrequenzen sowie Dämpfungen auch ohne nähere Kenntnisse über das System (insbesondere hinsichtlich Anzahl der vorhandenen Resonanzen) und insbesondere auch ohne Berücksichtigung der Phasenlage erzielt werden, womit die eingangs beschriebenen Probleme vermieden werden.As a result, with the method according to the invention, a highly accurate identification of the natural frequencies and damping present in a given system can be achieved even without more detailed knowledge of the system (in particular with regard to the number of resonances present) and in particular without taking into account the phase position, which avoids the problems described at the beginning become.
Gemäß
Das Projektionsobjektiv 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.The
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP („Laser Produced Plasma“, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma)-Quelle oder um eine DPP („Gas Discharged Produced Plasma“, über Gasentladung erzeugtes Plasma)-Quelle. Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich weiter auch um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.The
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, von denen in
Das Projektionsobjektiv 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind. Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, ausgestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. Just like the mirrors of the illumination optics 4, the mirrors Mi can have highly reflective coatings for the
Das Projektionsobjektiv 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy des Projektionsobjektivs 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (± 0.25, ±/0.125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr. Das Projektionsobjektiv 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1. Das Projektionsobjektiv 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1. Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0.125 oder von 0.25, sind möglich.The
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.Although the invention has also been described on the basis of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to the person skilled in the art, e.g. by combining and/or exchanging features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be encompassed by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN DESCRIPTION
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2022
- 2022-01-20 DE DE102022200618.6A patent/DE102022200618A1/en not_active Withdrawn
- 2022-11-17 DE DE102022212238.0A patent/DE102022212238A1/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5960091A (en) | 1997-04-25 | 1999-09-28 | White; Stanley A. | Adaptive removal of resonance-induced noise |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102022200618A1 (en) | 2022-04-21 |
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