DE102022210262A1

DE102022210262A1 - Method, device and computer program product for processing a body, in particular a mirror body of an EUV mirror

Info

Publication number: DE102022210262A1
Application number: DE102022210262.2A
Authority: DE
Inventors: Michael Luebben
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-09-28
Filing date: 2022-09-28
Publication date: 2024-03-28
Also published as: WO2024068269A1

Abstract

Verfahren zum Bearbeiten eines Körpers (20), insbesondere eines Spiegelkörpers eines EUV-Spiegels, bei dem ein Ionenstrahl (18) auf eine zu bearbeitende Oberfläche (21) des Körpers (20) gerichtet wird, um Material von der Oberfläche (21) des Körpers (20) abzutragen. Der Ionenstrahl (18) wird entlang einer Bahn (22, 23, 24, 25) über die Oberfläche (21) geführt, wobei die Bahn (22, 23, 24, 25) eine erste Teilbahn (22) und eine zeitlich nach der ersten Teilbahn (22) liegende zweite Teilbahn (23) umfasst, wobei der Ionenstrahl (18) während der ersten Teilbahn (22) die gesamte Oberfläche (21) überstreicht und wobei der Ionenstrahl (18) während der zweiten Teilbahn (23) die gesamte Oberfläche (21) überstreicht. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung und ein Computerprogrammprodukt zum Bearbeiten eines Körpers.Method for processing a body (20), in particular a mirror body of an EUV mirror, in which an ion beam (18) is directed onto a surface (21) of the body (20) to be processed in order to remove material from the surface (21) of the body (20) to be removed. The ion beam (18) is guided along a path (22, 23, 24, 25) over the surface (21), the path (22, 23, 24, 25) being a first partial path (22) and one after the first Partial web (22) comprises second partial web (23), wherein the ion beam (18) sweeps over the entire surface (21) during the first partial web (22) and wherein the ion beam (18) covers the entire surface (21) during the second partial web (23). 21) painted over. The invention also relates to a device and a computer program product for editing a body.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Körpers, insbesondere eines Spiegelkörpers eines EUV-Spiegels. Bei dem Verfahren wird ein Ionenstrahl auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Körpers gerichtet, um Material von der Oberfläche des Körpers abzutragen. Der Ionenstrahl wird entlang einer Bahn über die Oberfläche geführt. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung und ein Computerprogrammprodukt zum Bearbeiten eines solchen Körpers.The invention relates to a method for processing a body, in particular a mirror body of an EUV mirror. In the process, an ion beam is directed onto a surface of the body to be processed in order to remove material from the surface of the body. The ion beam is guided along a path across the surface. The invention also relates to a device and a computer program product for processing such a body.

Integrierte Schaltkreise mit besonders kleinen Strukturen werden unter Verwendung von mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen hergestellt. Eine mit sehr kurzwelliger, tief ultravioletter oder extrem ultravioletter Strahlung (DUV- oder EUV-Strahlung) beleuchtete Maske (= Retikel) wird auf ein Lithografieobjekt abgebildet, um die Maskenstruktur auf das Lithografieobjekt zu übertragen.Integrated circuits with particularly small structures are manufactured using microlithographic projection exposure systems. A mask (= reticle) illuminated with very short-wave, deep ultraviolet or extreme ultraviolet radiation (DUV or EUV radiation) is imaged onto a lithography object in order to transfer the mask structure onto the lithography object.

Die Projektionsbelichtungsanlage umfasst mehrere Spiegel, an denen die Strahlung reflektiert wird. Die Spiegel haben eine präzise definierte Form und sind präzise ausgerichtet, damit die Abbildung der Maske auf das Lithografieobjekt eine hinreichende Qualität hat.The projection exposure system includes several mirrors on which the radiation is reflected. The mirrors have a precisely defined shape and are precisely aligned so that the image of the mask on the lithography object has sufficient quality.

Damit eine hinreichende Menge an EUV- oder DUV-Strahlung auf das Lithografieobjekt geleitet werden kann, werden große Spiegel verwendet, deren Ausdehnung in der Größenordnung von mehreren 100 mm liegen kann. In manchen Fällen umfasst der Herstellungsprozess des Spiegels einen Schritt, bei dem der Spiegelkörper mit einem Ionenstrahl behandelt wird, um Material von der Oberfläche des Spiegelkörpers abzutragen. Die herausgeschlagenen Partikel erhalten durch den Ionenstrahl so viel kinetische Energie, dass sie sich von der Oberfläche des Spiegelkörpers entfernen. Bei Spiegelkörpern mit großen Abmessungen stellt sich das Problem, dass die herausgeschlagenen Partikel sich an einer anderen Stelle der Oberfläche niederschlagen können und sich dort gemeinsam mit von der Ionenstrahlquelle ausgehenden Bestandteilen des ionisierten Prozessgases zu einer Schicht aufbauen können. Dies ist unerwünscht, weil die Qualität der Oberfläche beeinträchtigt wird.In order for a sufficient amount of EUV or DUV radiation to be directed onto the lithography object, large mirrors are used, the dimensions of which can be on the order of several 100 mm. In some cases, the mirror manufacturing process includes a step in which the mirror body is treated with an ion beam to remove material from the surface of the mirror body. The ejected particles receive so much kinetic energy from the ion beam that they move away from the surface of the mirror body. In the case of mirror bodies with large dimensions, the problem arises that the ejected particles can settle on another part of the surface and build up into a layer there together with components of the ionized process gas emanating from the ion beam source. This is undesirable because the quality of the surface is affected.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren, eine Vorrichtung und ein Computerprogrammprodukt vorzustellen, mit denen diese Nachteile vermieden werden. Die Aufgabe wird gelöst mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.The invention is based on the object of presenting a method, a device and a computer program product with which these disadvantages are avoided. The task is solved with the features of the independent claims. Advantageous embodiments are specified in the subclaims.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren umfasst die Bahn des Ionenstrahl auf der zu bearbeitenden Oberfläche des Körpers eine erste Teilbahn und eine zeitlich nach der ersten Teilbahn liegende zweite Teilbahn. Der Ionenstrahl überstreicht während der ersten Teilbahn die gesamte Oberfläche. Der Ionenstrahl überstreicht auch während der zweiten Teilbahn die gesamte Oberfläche.In the method according to the invention, the path of the ion beam on the surface of the body to be processed comprises a first partial path and a second partial path located after the first partial path. The ion beam sweeps over the entire surface during the first partial path. The ion beam also sweeps over the entire surface during the second partial path.

Indem während der Bearbeitung des Körpers die gesamte zu behandelnde Oberfläche mehrfach mit dem Ionenstrahl überstrichen wird, können abgelagerte Partikel von der Oberfläche entfernt werden, bevor sich eine nur schwierig zu beseitigende Schicht aus den Partikeln gebildet hat. Die Erfindung hat erkannt, dass die konventionelle Vorgehensweise, bei der der Ionenstrahl die zu bearbeitende Oberfläche genau einmal überstreicht von Nachteil ist, wenn die zu bearbeitende Oberfläche größer ist. Die aus herausgeschlagenen Partikeln und Bestandteilen des Prozessgases entstehende Schicht bildet sich in einem Abstand zu dem mit dem Ionenstrahl behandelten Bereich der Oberfläche, so dass die Schicht nur bei größeren Oberflächen stört. Mit der Erfindung kann das Verfahren auch dann angewendet werden, wenn die Partikel sich auf der zu bearbeitenden Oberfläche niederschlagen, weil die Partikel im Laufe des Verfahrens immer wieder entfernt werden und deswegen das Ergebnis der Bearbeitung nicht beeinträchtigen können.By sweeping the entire surface to be treated several times with the ion beam while the body is being processed, deposited particles can be removed from the surface before a difficult-to-remove layer of the particles has formed. The invention has recognized that the conventional approach, in which the ion beam sweeps over the surface to be processed exactly once, is disadvantageous if the surface to be processed is larger. The layer formed from ejected particles and components of the process gas forms at a distance from the area of the surface treated with the ion beam, so that the layer only interferes with larger surfaces. With the invention, the method can be used even if the particles are deposited on the surface to be processed, because the particles are repeatedly removed in the course of the method and therefore cannot affect the result of the processing.

Das Verfahren kann so durchgeführt werden, dass die Dauer einer einzelnen Teilbahn wesentlich kleiner ist als die Gesamtdauer der Bearbeitung. Beispielsweise kann die Dauer einer Teilbahn kleiner sein als 10 %, vorzugsweise kleiner sein als 5 %, weiter vorzugsweise kleiner sein als 1 % der Gesamtdauer der Bearbeitung. Die Gesamtdauer der Bearbeitung hängt davon ab, wieviel Material abgetragen werden soll. Es gibt Anwendungsfälle, in den sich die Bearbeitung über wenigstens 5h, vorzugsweise wenigstens 10h, weiter vorzugsweise wenigstens 20h erstreckt. Die Dauer einer einzelnen Teilbahn kann beispielsweise zwischen 2 Minuten und 20 Minuten, vorzugsweise zwischen 5 Minuten und 10 Minuten liegen. In anderen Anwendungsfällen, in denen nur wenig Material abgetragen werden soll, kann die Dauer der Bearbeitung kleiner sein und beispielsweise zwischen 0,5h und 5h liegen.The process can be carried out in such a way that the duration of an individual partial path is significantly shorter than the total duration of the processing. For example, the duration of a partial path can be less than 10%, preferably less than 5%, more preferably less than 1% of the total duration of the processing. The total duration of the processing depends on how much material is to be removed. There are applications in which the processing lasts at least 5 hours, preferably at least 10 hours, more preferably at least 20 hours. The duration of an individual sub-track can be, for example, between 2 minutes and 20 minutes, preferably between 5 minutes and 10 minutes. In other applications in which only a small amount of material is to be removed, the processing time can be shorter and, for example, between 0.5h and 5h.

In vielen Fällen ist es gewünscht, dass die Oberfläche einer im Wesentlichen gleichmäßigen Bearbeitung unterzogen wird. Dies kann erreicht werden, indem die Parameter des Ionenstrahls konstant gehalten werden und indem der Ionenstrahl mit nahezu konstanter Geschwindigkeit über die zu bearbeitende Oberfläche geführt wird. Als nahezu konstant wird die Geschwindigkeit bezeichnet, wenn die niedrigste Geschwindigkeit während einer Teilbahn um nicht mehr als 10 % von der höchstene Geschwindigkeit während der Teilbahn abweicht. Auch über verschiedene Teilbahnen hinweg kann die Geschwindigkeit in diesem Sinne nahezu konstant gehalten werden. Jede einzelne Teilbahn kann so gestaltet sein, dass die Teilbahn keine Bahnabschnitte umfasst, die sich gegenseitig kreuzen. Die verschiedenen Teilbahnen können so aufeinander abgestimmt sein, dass die Teilbahnen sich nicht kreuzen. Dies gilt vorzugsweise für die Gesamtheit der erfindungsgemäßen Teilbahnen.In many cases it is desired that the surface is subjected to a substantially uniform treatment. This can be achieved by keeping the parameters of the ion beam constant and by guiding the ion beam over the surface to be processed at an almost constant speed. The speed is said to be almost constant if the lowest speed during a partial path does not deviate by more than 10% from the highest speed during the partial path. It can also be done across different sub-tracks In this sense, the speed can be kept almost constant. Each individual sub-track can be designed in such a way that the sub-track does not include any track sections that cross each other. The different sub-tracks can be coordinated with one another in such a way that the sub-tracks do not cross each other. This preferably applies to the entirety of the partial webs according to the invention.

In einer Ausführungsform ist die Bahn über die Oberfläche so eingerichtet, dass der Ionenstrahl die zu behandelnde Oberfläche im Laufe der ersten Teilbahn und/oder der zweiten Teilbahn nicht verlässt. Hat die zu bearbeitende Oberfläche eine abgerundete Umfangslinie, wie es beispielsweise bei einer kreisförmigen oder ovalen Form der Oberfläche der Fall ist, so kann der Ionenstrahl entlang einer spiralartigen Teilbahn über die Oberfläche geführt werden. Die spiralartige Teilbahn kann in einem peripheren Bereich der Oberfläche beginnen und zum Zentrum führen oder umgekehrt.In one embodiment, the path over the surface is set up so that the ion beam does not leave the surface to be treated over the course of the first partial path and/or the second partial path. If the surface to be processed has a rounded circumferential line, as is the case, for example, with a circular or oval shape of the surface, the ion beam can be guided along a spiral-like partial path over the surface. The spiral-like partial path can start in a peripheral area of the surface and lead to the center or vice versa.

Die Teilbahn ist vorzugsweise so gestaltet, dass der Ionenstrahl ohne abrupte Richtungsänderungen über die zu bearbeitende Oberfläche geführt wird. Im Sinne der Erfindung gilt eine abrupte Richtungsänderung als Änderung der Geschwindigkeit, mit der der Ionenstrahl über die Oberfläche geführt wird. Es kann von Vorteil sein, den Ionenstrahl in einen außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegenden Bereich zu führen, um abrupte Richtungsänderungen innerhalb der Oberfläche zu vermeiden. Außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche kann die Bahn des Ionenstrahls beliebigen Richtungsänderungen unterzogen werden, ohne dass die gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche beeinträchtigt wird. Beispielsweise kann der Ionenstrahl die zu bearbeitende Oberfläche entlang eines ersten geradlinigen Bahnabschnitts queren, außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche seine Richtung umkehren und entlang eines zweiten geradlinigen Bahnabschnitts, der parallel zu dem ersten geradlinigen Bahnabschnitt ist, die zu bearbeitende Oberfläche erneut queren. Mit einer Vielzahl von geradlinigen Bahnabschnitten kann auf diese Weise die gesamte zu bearbeitende Oberfläche überstrichen werden, ohne dass es auf der Oberfläche zu abrupten Richtungsänderungen kommt.The partial path is preferably designed in such a way that the ion beam is guided over the surface to be processed without abrupt changes in direction. For the purposes of the invention, an abrupt change in direction is considered a change in the speed at which the ion beam is guided over the surface. It can be advantageous to guide the ion beam to an area outside the surface to be processed in order to avoid abrupt changes in direction within the surface. Outside the surface to be processed, the path of the ion beam can be subjected to any directional changes without affecting the uniform processing of the surface. For example, the ion beam can traverse the surface to be processed along a first rectilinear path section, reverse its direction outside the surface to be processed and cross the surface to be processed again along a second rectilinear path section which is parallel to the first rectilinear path section. With a large number of straight path sections, the entire surface to be processed can be covered in this way, without there being any abrupt changes in direction on the surface.

Der Körper kann so gestaltet sein, dass der Ionenstrahl außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche nicht mehr auf den Körper trifft. Möglich ist auch, dass der Ionenstrahl außerhalb der zu bearbeitenden Fläche auf periphere Oberflächenbereiche des Körpers trifft, die keiner gezielten Bearbeitung unterzogen werden.The body can be designed in such a way that the ion beam no longer hits the body outside the surface to be processed. It is also possible that the ion beam hits peripheral surface areas of the body outside the area to be processed that are not subjected to any targeted processing.

Von Vorteil kann es sein, den Ionenstrahl zwischen der ersten Teilbahn und der zweiten Teilbahn in einen Bereich außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche zu führen. In einer Ausführungsform hat die zu bearbeitende Fläche eine zentrale Ausnehmung. Der Ionenstrahl kann beim Übergang zwischen der ersten Teilbahn und der zweiten Teilbahn in den Bereich der zentralen Ausnehmung geführt werden und dort beliebigen Richtungsänderungen unterzogen werden.It can be advantageous to guide the ion beam between the first partial path and the second partial path into an area outside the surface to be processed. In one embodiment, the surface to be processed has a central recess. At the transition between the first partial path and the second partial path, the ion beam can be guided into the area of the central recess and can be subjected to any directional changes there.

Die als Halbwertsbreite (FWHM - Full Width at Half Maximum) angegebene Querschnittsausdehnung des Ionenstrahls quer zur Bahnrichtung (laterale Querschnittsausdehnung) kann beispielsweise zwischen 30 mm und 150 mm, vorzugsweise zwischen 50 mm und 100 mm liegen. Die Angaben zur Bahn, entlang derer der Ionenstrahl geführt wird, beziehen sich auf den Zentralstrahl der Verteilung. In anderen Annwendungsbereichen kann die Halbwertsbreite des Ionenstrahls kleiner sein und beispielsweise zwischen 0,5 mm und 30mm liegen.The cross-sectional extent of the ion beam transverse to the path direction (lateral cross-sectional extent) specified as the half-width (FWHM - Full Width at Half Maximum) can be, for example, between 30 mm and 150 mm, preferably between 50 mm and 100 mm. The information about the path along which the ion beam is guided refers to the central beam of the distribution. In other areas of application, the half-width of the ion beam can be smaller and, for example, between 0.5 mm and 30 mm.

Das Verfahren kann so durchgeführt werden, dass der Zentralstrahl während einer Teilbahn einen konstanten lateralen Abschnitt zu dem Zentralstrahl eines früheren Bahnabschnitts derselben Teilbahn einhält. Der laterale Abstand kann kleiner sein als die laterale Querschnittsausdehnung des Ionenstrahls, sodass der Ionenstrahl mit dem früheren Bahnabschnitt überlappt. Die Überlappung kann sich über wenigstens 10 %, vorzugsweise wenigstens 20 %, weiter vorzugsweise wenigstens 30 % der Querschnittsausdehnung erstrecken. Mit anderen Worten können die Teilbahnen, entlang derer der Ionenstrahl geführt wird, kann zueinander benachbarte Bahnabschnitte umfassen, wobei der Abstand zwischen den Bahnabschnitten so gewählt ist, dass sich die gewünschte Überlappung einstellt. Der Abstand zwischen den zueinander benachbarten Bahnabschnitte kann beispielsweise zwischen 20 mm und 100 mm liegen. Alle Angaben zu den lateralen Abständen beziehen sich auf den Zentralstrahl des Ionenstrahls. Dies kann für jede der Teilbahnen gelten.The method can be carried out in such a way that the central beam maintains a constant lateral section to the central beam of an earlier track section of the same partial track during a partial track. The lateral distance can be smaller than the lateral cross-sectional dimension of the ion beam, so that the ion beam overlaps with the earlier track section. The overlap can extend over at least 10%, preferably at least 20%, more preferably at least 30% of the cross-sectional dimension. In other words, the partial tracks along which the ion beam is guided can comprise track sections that are adjacent to one another, the distance between the track sections being selected such that the desired overlap is achieved. The distance between the track sections that are adjacent to one another can be, for example, between 20 mm and 100 mm. All information on the lateral distances refers to the central beam of the ion beam. This can apply to each of the partial tracks.

Die zweite Teilbahn kann sich parallel zu der ersten Teilbahn erstrecken. Dies bedeutet, dass der Zentralstrahl des Ionenstrahls während der zweiten Teilbahn einen Weg nimmt, der einen konstanten lateralen Abstand zu dem Weg des Zentralstrahls während der ersten Teilbahn hat. Eine zweite Teilbahn kann genau mittig zwischen zwei Bahnabschnitten der ersten Teilbahn geführt werden. Weitere Teilbahnen können den von der ersten Teilbahn gelassenen Freiraum mit äquidistanten lateralen Abständen ausfüllen. Das Verfahren kann mit wenigstens 50 Teilbahnen, vorzugsweise mit wenigstens 100 Teilbahnen, weiter vorzugsweise mit wenigstens 200 Teilbahnen durchgeführt werden.The second sub-track can extend parallel to the first sub-track. This means that the central beam of the ion beam takes a path during the second partial path that has a constant lateral distance to the path of the central beam during the first partial path. A second partial web can be guided exactly in the middle between two web sections of the first partial web. Further sub-tracks can fill the free space left by the first sub-track with equidistant lateral distances. The method can be carried out with at least 50 partial webs, preferably with at least 100 partial webs, more preferably with at least 200 partial webs.

Während einer Teilbahn können die Parameter der Bearbeitung konstant gehalten werden. Insbesondere können die Eigenschaften des Ionenstrahls konstant gehalten werden und kann der Ionenstrahl mit einer konstanten Geschwindigkeit entlang der Teilbahn bewegt werden. Jede Teilbahn kann geradlinig sein oder eine kontinuierliche Krümmung aufweisen, wie es bei einer Spirale der Fall ist. Die Parameter des Ionenstrahls können auch beim Wechsel zwischen zwei Teilbahnen konstant gehalten werden. Die Geschwindigkeit des Ionenstrahls und die Form der Bahn unterliegen in einer Zwischenphase zwischen zwei Teilbahnen keinen besonderen Einschränkungen. In einem häufigen Anwendungsfall gibt es keine Kreuzungen zwischen den Teilbahnen. Von der Erfindung umfasst ist auch die Möglichkeit, dass ein oder mehrere Teilbahnen mehrfach identisch abgefahren werden. Dies kann für jede der Teilbahnen gelten.The machining parameters can be kept constant during a partial path. Into the In particular, the properties of the ion beam can be kept constant and the ion beam can be moved along the partial path at a constant speed. Each partial path can be straight or have a continuous curvature, as is the case with a spiral. The parameters of the ion beam can also be kept constant when changing between two partial paths. The speed of the ion beam and the shape of the path are not subject to any particular restrictions in an intermediate phase between two partial paths. In a common application, there are no intersections between the sub-lanes. The invention also includes the possibility of one or more partial paths being traveled identically several times. This can apply to each of the sub-trajectories.

Die Vorgabe, dass die Teilbahnen sich nicht kreuzen sollen, dient in erster Linie dem Ziel, eine gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche zu ermöglichen, sodass insbesondere eine Schicht von konstanter Dicke von dem Körper abgetragen werden kann. Für den Fall, dass an bestimmten Stellen der zu bearbeitenden Oberfläche mehr Material abgetragen werden soll als an anderen Stellen, kann es zweckmäßig sein, dass Teilbahnen sich kreuzt.The requirement that the partial paths should not cross each other primarily serves the aim of enabling uniform processing of the surface, so that in particular a layer of constant thickness can be removed from the body. In the event that more material is to be removed at certain points on the surface to be processed than at other points, it may be advisable for partial paths to cross each other.

Das Verfahren kann durchgeführt werden an einem Körper, dessen zu bearbeitende Oberfläche mit einer Maske versehen ist, durch die Oberflächenbereiche, von denen Material abgetragen werden soll, getrennt werden, von Oberflächenbereichen, in denen kein Material abgetragen werden soll. Die Maske kann beispielsweise aus einer Fotolackschicht bestehen. Die mit der Maske definierten Strukturen sind üblicherweise so klein, dass der Ionenstrahl gleichzeitig mehrere Oberflächenbereiche überstreicht. Auch in einem solchen Anwendungsfall ist es erstrebenswert, dass die zu bearbeitende Oberfläche gleichmäßig mit dem Ionenstrahl behandelt wird.The method can be carried out on a body whose surface to be processed is provided with a mask through which surface areas from which material is to be removed are separated from surface areas in which no material is to be removed. The mask can, for example, consist of a photoresist layer. The structures defined by the mask are usually so small that the ion beam sweeps over several surface areas at the same time. Even in such an application, it is desirable that the surface to be processed is treated evenly with the ion beam.

Das Problem von unerwünschten Ablagerungen der herausgeschlagenen Partikel stellt sich besonders, wenn die zu bearbeitende Oberfläche groß ist. Beispielsweise kann die größte Ausdehnung der zu bearbeitenden Oberfläche wenigstens 300 mm, vorzugsweise wenigstens 500 mm liegen.The problem of undesirable deposits from the ejected particles arises particularly when the surface to be processed is large. For example, the largest extent of the surface to be processed can be at least 300 mm, preferably at least 500 mm.

Der Körper kann ein Spiegelkörper eines EUV- oder DUV-Spiegels sein. Im fertigen Spiegel kann der Spiegelkörper mit einer für EUV-Strahlung oder DUV-Strahlung hoch reflektierenden Beschichtung versehen sein. Es kann sich um eine Multilayer-Beschichtung handeln, insbesondere um eine Multilayer-Beschichtung mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium. Die erfindungsgemäße Bearbeitung des Spiegelkörpers kann durchgeführt werden, bevor der Spiegelkörper mit der Beschichtung versehen wird. Als EUV-Strahlung wird elektromagnetische Strahlung im extrem ultravioletten Spektralbereich mit Wellenlängen zwischen 5 nm und 100 nm, insbesondere mit Wellenlängen zwischen 5 nm und 30 nm bezeichnet. DUV-Strahlung liegt im tiefen ultravioletten Spektralbereich und hat eine Wellenlänge zwischen 100 nm und 300 nm.The body can be a mirror body of an EUV or DUV mirror. In the finished mirror, the mirror body can be provided with a coating that is highly reflective for EUV radiation or DUV radiation. It can be a multilayer coating, in particular a multilayer coating with alternating layers of molybdenum and silicon. The processing of the mirror body according to the invention can be carried out before the mirror body is provided with the coating. EUV radiation refers to electromagnetic radiation in the extreme ultraviolet spectral range with wavelengths between 5 nm and 100 nm, in particular with wavelengths between 5 nm and 30 nm. DUV radiation lies in the deep ultraviolet spectral range and has a wavelength between 100 nm and 300 nm.

In einer Ausführungsform hat der Spiegelkörper die Form eines Hohlspiegels. Die zu bearbeitende Oberfläche kann der Reflexionsfläche des Hohlspiegels entsprechen. Die erste Teilbahn kann spiralartig von der Peripherie der Hohlspiegel-Reflexionsfläche zum Zentrum der Hohlspiegel-Reflexionsfläche geführt sein oder umgekehrt vom Zentrum der Hohlspiegel-Reflexionsfläche zur Peripherie geführt sein. Die zweite Teilbahn kann sich entlang des spiralartigen Zwischenraums zwischen den Bahnabschnitten der ersten Teilbahn erstrecken, also mit der ersten Teilbahn verschlugen sein. Alle weiteren Teilbahnen können sich ebenfalls entlang des spiralartigen Zwischenraums der ersten Teilbahn erstrecken.In one embodiment, the mirror body has the shape of a concave mirror. The surface to be processed can correspond to the reflection surface of the concave mirror. The first partial path can be guided in a spiral from the periphery of the concave mirror reflection surface to the center of the concave mirror reflection surface or, conversely, from the center of the concave mirror reflection surface to the periphery. The second partial web can extend along the spiral-like space between the web sections of the first partial web, i.e. it can be intersected with the first partial web. All other sub-tracks can also extend along the spiral-like space of the first sub-track.

Der Hohlspiegel-Spiegelkörper kann einen zentralen Bereich umfassen, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegt. Der zentrale Bereich kann konzentrisch zu der Achse des Hohlspiegels angeordnet sein. In einer Ausführungsform hat der Hohlspiegel-Spiegelkörper eine zentrale Ausnehmung, die einen Durchbruch in dem Hohlspiegel-Spiegelkörper bildet.The concave mirror body can include a central area that lies outside the surface to be processed. The central area can be arranged concentrically to the axis of the concave mirror. In one embodiment, the concave mirror body has a central recess which forms a breakthrough in the concave mirror body.

Hat der Hohlspiegel-Spiegelkörper einen zentralen Bereich, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche liegt, so kann die erste Teilbahn sich zwischen dem peripheren Rand und dem zentralen Rand der zu bearbeitenden Oberfläche erstrecken. Wird am Ende der Teilbahn ein Rand der zu bearbeitenden Oberfläche erreicht, so kann der Ionenstrahl in einen Bereich außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche geführt werden und dort umgelenkt bzw. in eine Position gebracht werden, in der die zweite Teilbahn beginnen kann. Entsprechend kann mit allen nachfolgenden Teilbahnen verfahren werden.If the concave mirror body has a central area that lies outside the surface to be processed, the first partial path can extend between the peripheral edge and the central edge of the surface to be processed. If an edge of the surface to be processed is reached at the end of the partial path, the ion beam can be guided to an area outside the surface to be processed and deflected there or brought into a position in which the second partial path can begin. You can proceed accordingly with all subsequent partial paths.

Der Ionenstrahl kann mit einer Ionenstrahlquelle erzeugt werden, in der ein Prozessgas mit RF-Strahlung (Radiofrequenz) ionisiert wird. In der Ionenstrahlquelle kann eine elektrische Spannung angelegt werden, um den Ionenstrahl zu formen und auf die zu bearbeitende Oberfläche zu richten.The ion beam can be generated with an ion beam source in which a process gas is ionized with RF radiation (radio frequency). An electrical voltage can be applied in the ion beam source to shape the ion beam and direct it onto the surface to be processed.

Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Körpers, insbesondere eines Spiegelkörpers eines EUV-Spiegels. Die Vorrichtung umfasst eine Ionenstrahlquelle und ein Positioniersystem, um einen von der Ionenstrahlquelle abgegebenen Ionenstrahl auf eine zu bearbeitende Oberfläche des Körpers zu richten, so dass Material von der Oberfläche des Körpers abgetragen wird. Die Vorrichtung umfasst weiter eine Steuereinheit, die das Positioniersystem so ansteuert, dass der Ionenstrahl entlang einer Bahn über die Oberfläche geführt wird. Die Bahn umfasst eine erste Teilbahn und eine zeitlich nach der ersten Teilbahn liegende zweite Teilbahn. Der Ionenstrahl überstreicht während der ersten Teilbahn die gesamte Oberfläche und überstreicht während der zweiten Teilbahn die gesamte Oberfläche.The invention also relates to a device for processing a body, in particular a mirror body of an EUV mirror. The device comprises an ion beam source and a positioning system to direct an ion beam emitted by the ion beam source onto a surface of the body to be processed, so that material from the Surface of the body is removed. The device further comprises a control unit that controls the positioning system so that the ion beam is guided along a path over the surface. The track comprises a first sub-track and a second sub-track located after the first sub-track. The ion beam sweeps over the entire surface during the first partial path and sweeps over the entire surface during the second partial path.

Das Positioniersystem kann so gestaltet sein, dass der Körper in fester Position gehalten wird und die Ionenstrahlquelle relativ zu dem Körper bewegt wird oder umgekehrt. Möglich ist auch ein Positioniersystem, bei dem sowohl die Ionenstrahlquelle als auch der Körper bewegt werden. Ist der Körper ein Spiegelkörper in Form eines Hohlspiegels, so kann dieser um seine optische Achse rotiert werden. Um den Ionenstrahl auf verschiedene meridionale Abschnitte des Hohlspiegels, also verschiedene Abschnitte entlang eines Meridians des Hohlspiegels, richten zu können, kann die Ionenstrahlquelle in geeigneter Weise relativ zu dem Spiegelkörper Verfahren und geschwenkt werden. Dabei kann die Ionenstrahlquelle jeweils so ausgerichtet werden, dass der Ionenstrahl senkrecht auf die zu bearbeitende Fläche des Hohlspiegels trifft.The positioning system can be designed so that the body is held in a fixed position and the ion beam source is moved relative to the body or vice versa. A positioning system is also possible in which both the ion beam source and the body are moved. If the body is a mirror body in the form of a concave mirror, it can be rotated about its optical axis. In order to be able to direct the ion beam to different meridional sections of the concave mirror, i.e. different sections along a meridian of the concave mirror, the ion beam source can be moved and pivoted in a suitable manner relative to the mirror body. The ion beam source can be aligned in such a way that the ion beam hits the surface of the concave mirror to be processed perpendicularly.

Die Offenbarung umfasst Weiterbildungen des Verfahrens mit Merkmalen, die im Zusammenhang der erfindungsgemäßen Vorrichtung beschrieben sind. Die Offenbarung umfasst Weiterbildungen der Vorrichtung, die im Zusammenhang des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben sind.The disclosure includes developments of the method with features that are described in connection with the device according to the invention. The disclosure includes developments of the device that are described in the context of the method according to the invention.

Die Erfindung betrifft auch ein Computerprogrammprodukt oder einen Satz von Computerprogrammprodukten, umfassend Programmteile, welche, wenn geladen in einen Computer oder in untereinander vernetzte Computer, die mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung verbunden sind, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgelegt sind.The invention also relates to a computer program product or a set of computer program products, comprising program parts which, when loaded into a computer or into computers networked with one another and connected to a device according to the invention, are designed to carry out the method according to the invention.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen anhand vorteilhafter Ausführungsformen beispielhaft beschrieben. Es zeigen:

1: eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
2: einen beispielhaften Ablauf beim Bearbeiten eines Körpers;
3: eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Teilbahn;
4: ein mit einem Ionenstrahl erzeugtes Profil;
5: eine Kombination aus mehreren Teilbahnen;
6: einen Spiegelkörper mit einer zu bearbeitenden Oberfläche;
7: eine alternative Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.

The invention is described below by way of example with reference to the accompanying drawings using advantageous embodiments. Show it:

1 : an embodiment of a device according to the invention;
2 : an example process for editing a body;
3 : a schematic representation of a partial web according to the invention;
4 : a profile generated with an ion beam;
5 : a combination of several partial tracks;
6 : a mirror body with a surface to be processed;
7 : an alternative embodiment of a device according to the invention.

In 1 ist ein Körper in Form eines Spiegelkörpers 20 auf einer Trägerfläche einer erfindungsgemäßen Bearbeitungsvorrichtung 15 angeordnet. Die Bearbeitungsvorrichtung 15 umfasst ein Positioniersystem in Form eines X-Y-Positionierers 16, der eine Ionenstrahlquelle 17 trägt. Die Ionenstrahlquelle 17 erzeugt einen Ionenstrahl 18, der senkrecht auf eine zu bearbeitende Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 trifft. Indem die Ionenstrahlquelle 17 mit dem X-Y-Positionierer 16 bewegt wird, wird der Ionenstrahl 18 über die Oberfläche 21 (2) des Spiegelkörpers 20 bewegt. Die Bearbeitungsvorrichtung 15 umfasst eine Steuereinheit 14, die den X-Y-Positionierer 16 so ansteuert, dass der Ionenstrahl 18 eine vorgegebene Bahn auf der zu bearbeitenden Oberfläche 21 abfährt.In 1 a body in the form of a mirror body 20 is arranged on a support surface of a processing device 15 according to the invention. The processing device 15 includes a positioning system in the form of an XY positioner 16, which carries an ion beam source 17. The ion beam source 17 generates an ion beam 18 which strikes a surface 21 of the mirror body 20 to be processed perpendicularly. By moving the ion beam source 17 with the XY positioner 16, the ion beam 18 is projected across the surface 21 ( 2 ) of the mirror body 20 moves. The processing device 15 includes a control unit 14, which controls the XY positioner 16 so that the ion beam 18 travels a predetermined path on the surface 21 to be processed.

Gemäß 2 ist die zu bearbeitende Oberfläche 21 rechteckig, wobei die längere Seite des Rechtecks etwa 70 cm misst. Der Ionenstrahl überstreicht die zu bearbeitende Oberfläche 21 mit einer Mehrzahl von Teilbahnen 22, 23, 24, 25. Die erste Teilbahn 22 beginnt damit, dass der Ionenstrahl 18 die kürzere Dimension der rechteckigen Oberfläche 21 einmal entlang eines geradlinigen Bahnabschnitts 19 quert. Außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 wird die Bahn des Ionenstrahls 18 entlang eines halbkreisförmigen Bogens umgelenkt, sodass der Ionenstrahl 18 die zu bearbeitende Oberfläche 21 in entgegengesetzter Richtung überstreichen kann. Die erste Teilbahn 22 wird auf diese Weise fortgesetzt, bis das bezogen auf die längere Dimension des Rechtecks gegenüberliegende Ende der zu bearbeitenden Oberfläche 21 erreicht ist.According to 2 the surface 21 to be processed is rectangular, with the longer side of the rectangle measuring approximately 70 cm. The ion beam sweeps over the surface 21 to be processed with a plurality of partial paths 22, 23, 24, 25. The first partial path 22 begins with the ion beam 18 crossing the shorter dimension of the rectangular surface 21 once along a rectilinear path section 19. Outside the surface 21 to be processed, the path of the ion beam 18 is deflected along a semicircular arc, so that the ion beam 18 can sweep over the surface 21 to be processed in the opposite direction. The first partial path 22 is continued in this way until the end of the surface 21 to be processed, which is opposite the longer dimension of the rectangle, is reached.

Die Ionenstrahlquelle 17 wird anschließend außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 zum Ausgangsende zurückgefahren, sodass der Ionenstrahl 18 entlang einer zweiten Teilbahn 23 über die Oberfläche 21 geführt werden kann. Die zweite Teilbahn 23 hat denselben Verlauf wie die erste Teilbahn 22 ist aber so relativ zu der ersten Teilbahn 22 verschoben, dass die geradlinigen Bahnabschnitte 19 parallel zueinander liegen. Das Verfahren wird mit weiteren Teilbahnen fortgesetzt, bis der Zwischenraum zwischen den geradlinigen Abschnitten 19 der ersten Teilbahn 22 gleichmäßig mit geradlinigen Abschnitten 19 der anderen Teilbahnen bedeckt ist. In der vereinfachten Skizze in 2 ist dies für vier Teilbahnen 22, 23, 24, 25 gezeigt. Tatsächlich wird das Verfahren in der Praxis regelmäßig mit wesentlich mehr Teilbahnen, beispielsweise zwischen 100 und 200 Teilbahnen durchgeführt. Die Geschwindigkeit, mit der die Teilbahnen abgefahren werden, ist über alle Teilbahnen hinweg identisch. Die Gesamtdauer der Bearbeitung kann beispielsweise 20h sein. Die Zeitdauer einer einzelnen Teilbahn 22, 23, 24, 25 kann Beispielsweise zwischen 5 Minuten und 10 Minuten liegen.The ion beam source 17 is then moved back to the output end outside the surface 21 to be processed, so that the ion beam 18 can be guided along a second partial path 23 over the surface 21. The second partial path 23 has the same course as the first partial path 22 but is shifted relative to the first partial path 22 in such a way that the straight path sections 19 lie parallel to one another. The process is continued with further sub-tracks until the space between the straight sections 19 of the first sub-track 22 is evenly covered with straight sections 19 of the other sub-tracks. In the simplified sketch in 2 This is shown for four partial tracks 22, 23, 24, 25. In fact, in practice the process is regularly used with significantly more partial paths, for example between 100 and 200 partial tracks were carried out. The speed at which the partial paths are traveled is identical across all partial paths. The total processing time can be, for example, 20 hours. The duration of an individual sub-track 22, 23, 24, 25 can be between 5 minutes and 10 minutes, for example.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist die zweite Teilbahn 23 benachbart zu der ersten Teilbahn 22, die dritte Teilbahn 24 benachbart zu der zweiten Teilbahn 23 usw. Es sind auch andere Abfolgen von Teilbahnen möglich, bei denen beispielsweise die jeweils aktuelle Teilbahn möglichst mittig zwischen bestehenden Teilbahnen angeordnet ist.In the exemplary embodiment according to 2 the second sub-track 23 is adjacent to the first sub-track 22, the third sub-track 24 is adjacent to the second sub-track 23, etc. Other sequences of sub-tracks are also possible, in which, for example, the current sub-track is arranged as centrally as possible between existing sub-tracks.

Die Ionenstrahlquelle 17 bleibt während des gesamten Ablaufs in Betrieb und sendet einen konstanten Ionenstrahl 18 aus. Gemäß 3 ist der Ionenstrahl 18 nicht sehr stark fokussiert, sondern hat eine deutliche Ausdehnung quer zur Richtung der ersten Teilbahn 22. Die Halbwertsbreite (FWHM - Full Width at Half Maximum) des Ionenstrahls 18 beträgt etwa 70 mm. Damit ist die laterale Querschnittsausdehnung 26 des Ionenstrahls 18 so groß, dass es zu einer Überlappung der mit dem Ionenstrahl 18 bearbeiteten Bereiche kommt, wenn der Ionenstrahl 18 entlang benachbarter geradliniger Bahnabschnitte 19 einer einzelnen Teilbahn 22 geführt wird. Der Abstand zwischen den benachbarten geradlinigen Bahnabschnitten 19 ist etwa 100 mm. Auf diese Weise wird erreicht, dass mit jeder der Teilbahnen 22, 23, 24, 25 die Oberfläche 21 in ihrer Gesamtheit einer Bearbeitung unterzogen wird.The ion beam source 17 remains in operation throughout the entire process and emits a constant ion beam 18. According to 3 the ion beam 18 is not very strongly focused, but has a clear extension transversely to the direction of the first partial path 22. The half-width (FWHM - Full Width at Half Maximum) of the ion beam 18 is approximately 70 mm. The lateral cross-sectional extent 26 of the ion beam 18 is therefore so large that the areas processed with the ion beam 18 overlap when the ion beam 18 is guided along adjacent rectilinear path sections 19 of an individual partial path 22. The distance between the adjacent rectilinear track sections 19 is approximately 100 mm. In this way it is achieved that the surface 21 is subjected to processing in its entirety with each of the partial webs 22, 23, 24, 25.

In 4 ist ein durch die Bearbeitung mit dem Ionenstrahl 18 erzeugtes Profil gezeigt. Der Ionenstrahl 18 dringt in das Material des Spiegelkörpers 20 ein, indem Partikel aus der Oberfläche herausgeschlagen werden. Es wird eine Furche 29 gebildet, deren größte Tiefe mit dem Zentralstrahl 27 des Ionenstrahls 18 erzeugt wird und die mit zunehmendem Abstand vom Zentralstrahl 18 flacher wird. Die Skala auf der senkrechten Achse in 4 liegt im Nanometer-Bereich.In 4 shows a profile created by processing with the ion beam 18. The ion beam 18 penetrates into the material of the mirror body 20 by knocking particles out of the surface. A groove 29 is formed, the greatest depth of which is created by the central beam 27 of the ion beam 18 and which becomes shallower with increasing distance from the central beam 18. The scale on the vertical axis in 4 is in the nanometer range.

Die zu bearbeitende Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 hat eine Ausdehnung 30 von 700 mm. Die in der Furche 29 ausgeschlagenen Partikel sowie Bestandteile des ionisierten Prozessgases lagern sich in einem Abstand von etwa 300 mm zu dem Zentralstrahl 27 ab und bauen sich dort zu einer Schicht 28 auf. Indem gemäß der Erfindung die zu bearbeitende Oberfläche 21 mit jeder Teilbahn in ihrer Gesamtheit bearbeitet wird, wird die Schicht 28 jeweils nach kurzer Zeit wieder entfernt, sodass die abgelagerten Partikel das Ergebnis der Bearbeitung insgesamt nicht beeinträchtigen.The surface 21 of the mirror body 20 to be processed has an extension 30 of 700 mm. The particles knocked out in the furrow 29 and components of the ionized process gas are deposited at a distance of approximately 300 mm from the central jet 27 and build up there to form a layer 28. By processing the surface 21 to be processed with each partial web in its entirety according to the invention, the layer 28 is removed again after a short time, so that the deposited particles do not affect the result of the processing as a whole.

In 5 ist eine Kombination aus vier Teilbahnen 22, 23, 24, 25 gezeigt, die zur Bearbeitung einer kreisförmigen Oberfläche 21 geeignet ist. Jede der Teilbahnen 22, 23, 24, 25 bildet einen spiralförmigen Weg, der am peripheren Ende der kreisförmigen Oberfläche 21 beginnt und sich bis zum Zentrum der kreisförmigen Oberfläche 21 fortsetzt. Jede der Teilbahnen 22, 23, 24, 25 erstreckt sich innerhalb eines spiralförmigen Freiraums, der zwischen zwei benachbarten Teilbahnen gelassen ist, die Teilbahnen sind also miteinander verschlungen. Am Ende jeder Teilbahn wird die Ionenstrahlquelle 17 deaktiviert und die Ionenstrahlquelle 17 anschließend mit dem X-Y-Positionierer 16 zurück nach außen gefahren. Dort wird die Ionenstrahlquelle 17 wieder in Betrieb gesetzt, und das Verfahren wird mit der nächsten Teilbahn fortgesetzt.In 5 a combination of four partial tracks 22, 23, 24, 25 is shown, which is suitable for processing a circular surface 21. Each of the partial tracks 22, 23, 24, 25 forms a spiral path that begins at the peripheral end of the circular surface 21 and continues to the center of the circular surface 21. Each of the partial tracks 22, 23, 24, 25 extends within a spiral free space left between two adjacent partial tracks, i.e. the partial tracks are intertwined with one another. At the end of each partial track, the ion beam source 17 is deactivated and the ion beam source 17 is then moved back outwards with the XY positioner 16. There, the ion beam source 17 is put into operation again and the process is continued with the next partial track.

Auch dieses Verfahren, das in 5 anhand von vier Teilbahnen 22, 23, 24, 25 angedeutet ist, wird in der Praxis mit einer wesentlich größeren Anzahl von Teilbahnen durchgeführt. Die Gesamtdauer der Bearbeitung kann zwischen 10h und 20h liegen, eine einzelne Teilbahn kann beispielsweise 5 Minuten oder 10 Minuten dauern.This procedure, which is also 5 is indicated by four sub-tracks 22, 23, 24, 25, is carried out in practice with a significantly larger number of sub-tracks. The total duration of processing can be between 10 hours and 20 hours; a single partial path can take, for example, 5 minutes or 10 minutes.

In 6 ist ein Spiegelkörper 20 mit einem kreisförmigen Umfang und einer zentralen Ausnehmung 32 gezeigt. Bei einem solchen Spiegelkörper 20 kann das Teilbahn-Muster aus 5 angewendet werden, ohne dass die Ionenstrahlquelle 17 am Ende einer Teilbahn ausgeschaltet wird. Der Ionenstrahl 18 kann in der Ausnehmung 32 in einen Bereich geführt werden, der außerhalb der zu bearbeitenden Oberfläche 21 liegt. Dort kann die Bahn des Ionenstrahls 18 beliebig verändert und umgelenkt werden, ohne dass die gleichmäßige Bearbeitung der Oberfläche 21 beeinträchtigt wird. Ab erneutem Erreichen der zu bearbeitenden Oberfläche 21 kann der Ionenstrahl 18 wieder mit konstanter Geschwindigkeit entlang der nächsten spiralförmigen Teilbahn geführt werden.In 6 a mirror body 20 with a circular circumference and a central recess 32 is shown. With such a mirror body 20, the partial web pattern can be made 5 can be applied without the ion beam source 17 being switched off at the end of a partial path. The ion beam 18 can be guided in the recess 32 into an area that lies outside the surface 21 to be processed. There, the path of the ion beam 18 can be changed and redirected as desired without affecting the uniform processing of the surface 21. Once the surface 21 to be processed has been reached again, the ion beam 18 can be guided again at a constant speed along the next spiral partial path.

Die 7 zeigt eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die Ionenstrahlquelle 17 ist auf einem Schlitten 35 gehalten, der mit einem Linearantrieb in X-Richtung verfahren werden kann. Mit einem Gelenkantrieb 36, dessen Gelenkachse senkrecht zur Bildebene ausgerichtet ist, kann die Ausrichtung der Ionenstrahlquelle 17 relativ zu dem Schlitten 35 verändert werden.The 7 shows a further embodiment of a device according to the invention. The ion beam source 17 is held on a carriage 35, which can be moved in the X direction using a linear drive. The alignment of the ion beam source 17 relative to the carriage 35 can be changed using an articulated drive 36, the articulated axis of which is aligned perpendicular to the image plane.

Der Spiegelkörper 20, der die Form eines Hohlspiegels mit einer zentralen Ausnehmung 32 hat, ist an einer Halterung 33 befestigt. Mit einem Positionierantrieb 34 kann der Spiegelkörper 20 in Z-Richtung verfahren werden sowie um die Z-Achse gedreht werden. Mit diesem vierachsigen Positioniersystem können die Ionenstrahlquelle 17 und der Spiegelkörper 20 so zueinander ausgerichtet werden, dass der Ionenstrahl 18 senkrecht auf jede Position der Oberfläche 21 des Spiegelkörpers 20 gerichtet werden kann.The mirror body 20, which has the shape of a concave mirror with a central recess 32, is attached to a holder 33. With a positioning drive 34, the mirror body 20 can be moved in the Z direction and rotated about the Z axis. With this four-axis positioning system, the ion beam source 17 and the Mirror bodies 20 can be aligned with each other so that the ion beam 18 can be directed perpendicularly to any position of the surface 21 of the mirror body 20.

Mit der Steuereinheit 14 werden der Schlitten 35, der Gelenkantrieb 36 und der Positionierantrieb 34 so angesteuert, dass der Ionenstrahl 18 eine erste spiralartige Teilbahn 22 auf der Oberfläche 21 abfährt, die sich mit nahezu gleichmäßiger Geschwindigkeit von dem peripheren Ende der Oberfläche 21 bis zu der zentralen Ausnehmung 32 erstreckt. Innerhalb der zentralen Ausnehmung 32 wird die Bewegungsrichtung umgelenkt, so dass der Ionenstrahl 18 eine weitere spiralartige Teilbahn auf der Oberfläche 21 abfahren kann. Dies wird mit einer Vielzahl von spiralartigen Teilbahnen wiederholt, die sich jeweils innerhalb der spiralartigen Freiräume zwischen zwei benachbarten Teilbahnen erstrecken.With the control unit 14, the carriage 35, the joint drive 36 and the positioning drive 34 are controlled in such a way that the ion beam 18 travels a first spiral-like partial path 22 on the surface 21, which extends at an almost uniform speed from the peripheral end of the surface 21 to the central recess 32 extends. Within the central recess 32, the direction of movement is redirected so that the ion beam 18 can travel a further spiral-like partial path on the surface 21. This is repeated with a plurality of spiral-like partial webs, each of which extends within the spiral-like free spaces between two adjacent partial webs.

Claims

Method for processing a body (20), in particular a mirror body of an EUV mirror, in which an ion beam (18) is directed onto a surface (21) of the body (20) to be processed in order to remove material from the surface (21) of the body (20), and in which the ion beam (18) is guided along a path (22, 23, 24, 25) over the surface (21), the path (22, 23, 24, 25) being a first partial path ( 22) and a second partial path (23) located after the first partial path (22), the ion beam (18) sweeping over the entire surface (21) during the first partial path (22) and the ion beam (18) during the second Partial web (23) covers the entire surface (21).

Procedure according to Claim 1 , wherein the duration of a partial path is less than 10%, preferably less than 5%, more preferably less than 1% of the total duration of the processing.

Procedure according to Claim 1 or 2 , the total duration of the processing extending over at least 5 hours, preferably at least 10 hours, more preferably at least 20 hours.

Procedure according to one of the Claims 1 until 3 , whereby the duration of an individual sub-track is between 2 minutes and 20 minutes, preferably between 5 minutes and 10 minutes.

Procedure according to one of the Claims 1 until 4 , wherein the ion beam (18) is guided at an almost constant speed along the first partial path (22) and along the second partial path (23).

Procedure according to one of the Claims 1 until 5 , wherein the ion beam (18) is guided between the first partial path (22) and the second partial path (23) into an area outside the surface (21) to be processed.

Procedure according to one of the Claims 1 until 6 , wherein the first partial web (22) and the second partial web (23) have a spiral-like shape and the first partial web (22) is intertwined.

Procedure according to Claim 7 , wherein the surface (21) to be processed has a central recess (32) and the ion beam is guided between the first partial path (22) and the second partial path (23) into the area of the central recess (32).

Procedure according to one of the Claims 1 until 8th , whereby the half-width (FWHM - Full Width at Half Maximum) of the ion beam is between 30 mm and 150 mm, preferably between 50 mm and 100 mm.

Procedure according to one of the Claims 1 until 9 , wherein the first partial web (22) comprises mutually adjacent web sections (19), the distance between the web sections being between 50 mm and 150 mm.

Procedure according to one of the Claims 1 until 10 , wherein the ion beam (18) is guided along at least 50 partial paths, preferably at least 100 partial paths, more preferably at least 200 partial paths.

Procedure according to one of the Claims 1 until 11 , wherein the surface (21) to be processed has a maximum extent of at least 300 mm, preferably at least 500 mm.

Procedure according to one of the Claims 1 until 12 , wherein the body is a mirror body (20) which has the shape of a concave mirror.

Device for processing a body (20), in particular a mirror body of an EUV mirror, with an ion beam source (17) and with a positioning system (16, 34, 35, 36) around an ion beam (18) emitted by the ion beam source (17). to be directed at a surface (21) of the body (20) to be processed, so that material is removed from the surface (21) of the body (20), and with a control unit (14) which controls the positioning system (16, 34, 35 , 36) is controlled in such a way that the ion beam (18) is guided along a path (22, 23, 24, 25) over the surface (21), the path (22, 23, 24, 25) forming a first partial path (22 ) and a second sub-track (23) located after the first sub-track (22), wherein the Ion beam (18) sweeps over the entire surface (21) during the first sub-track (22) and the ion beam (18) sweeps over the entire surface (21) during the second sub-track (23).

Computer program product or set of computer program products, comprising program parts which, when loaded into a computer or into interconnected computers, are used with an operating microscope according to Claim 14 are connected to carry out the procedure according to one of the Claims 1 until 13 are designed.