DE102022202090A1 - VCSEL chip with a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements and method for its production - Google Patents

VCSEL chip with a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements and method for its production Download PDF

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Abstract

Es wird ein VCSEL-Chip (100) beschrieben, der Halbleitersubstrat (110), eine darauf angeordnete Funktionsschicht (130), in der eine matrixförmige Anordnung (170) von VCSEL-Elementen (1401-14016) ausgebildet ist, und eine auf der Funktionsschicht (130) angeordnete Anodenstruktur (150) zum Adressieren der VCSEL-Elemente (1401-14016) umfasst. Dabei umfasst die Anodenstruktur (150) mehrere separat bestrombare Anodenbahnen (151-154), die jeweils VCSEL-Elemente (1401-14016) aus einer Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren. Ferner weist jede Anodenbahn (151-154) jeweils zwei separat bestrombare Abschnitte (151i-154i) auf, die jeweils verschiedene Gruppen (171j-174j) von VCSEL-Elementen (1401-14016) aus der jeweiligen Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren.

Figure DE102022202090A1_0000
A VCSEL chip (100) is described, the semiconductor substrate (110), a functional layer (130) arranged thereon, in which a matrix-like arrangement (170) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) is formed, and a the functional layer (130) arranged anode structure (150) for addressing the VCSEL elements (140 1 -140 16 ). The anode structure (150) comprises a plurality of anode tracks (151-154) which can be supplied with current separately and which each address VCSEL elements (140 1 -140 16 ) from a row (171-174) of the matrix-like arrangement (170). Furthermore, each anode track (151-154) has two separately energized sections (151 i -154 i ), each of which has different groups (171 j -174 j ) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) from the respective row ( 171-174) of the matrix-like arrangement (170).
Figure DE102022202090A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft einen VCSEL-Chip mit einer matrixförmigen Anordnung von VCSEL-Elementen. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen VCSEL-Chips.The invention relates to a VCSEL chip with a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements. Furthermore, the invention relates to a method for producing such a VCSEL chip.

VCSEL-Emitter werden häufig als lichtemittierende Halbleiter-Bauelemente verwendet. Hierbei handelt es sich um oberflächenemittierende Laser mit vertikaler Kavität (eng. Vertical Cavity Surface Emitting Laser), das aufgrund seiner Oberflächenemission anstatt von Flankenemission sich sehr gut für besonders leistungsstarke Anordnungen aus einer Vielzahl solcher VCSEL-Elemente eignet. Bei solchen VCSEL-Anordnungen sind die einzelnen VCSEL-Elemente in der Regel matrixförmig nebeneinander angeordnetVCSEL emitters are widely used as light-emitting semiconductor devices. These are surface emitting lasers with a vertical cavity (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) which, due to its surface emission instead of edge emission, is very well suited for particularly powerful arrangements made up of a large number of such VCSEL elements. In such VCSEL arrangements, the individual VCSEL elements are usually arranged next to one another in the form of a matrix

In matrixförmigen VCSEL-Anordnungen, die jeweils eine Treiberschaltung zur Stromversorgung der VCSEL-Elemente einer Zeile der Matrix verwenden, sind die jeweiligen VCSEL-Elemente jeder Zeile elektrisch parallel zueinander geschaltet. Diese Parallelschaltung hat den Nachteil, dass VCSEL-Elemente derselben Zeile, die aufgrund der produktionsbedingten Streuung unterschiedliche elektrische Widerstände aufweisen, auch unterschiedlich stark bestromt werden. Infolgedessen können bestimmte VCSEL-Elemente der Zeile, die bereits an der Leistungsgrenze betrieben werden, deutlich heller leuchten als andere VCSEL-Elemente derselben Zeile, die aufgrund eines höheren elektrischen Widerstands eine lediglich geringe Strom- bzw. Leistungsaufnahme aufweisen. Aufgrund der oben beschriebenen produktionsbedingten Streuung kann auch die Stromaufnahme der verschiedenen Zeilen der Matrix starken Variationen unterliegen, je nachdem welcher Gesamtwiderstand sich aus der Parallelschaltung der VCSEL-Elemente einer Zeile ergibt. Um eine möglichst hohe Lichtleistung des VCSEL-Chips zu erzielen, müssen für die einzelnen Zeilen der Matrix daher besonders leistungsstarke Treiberschaltungen vorgesehen werden, die in der Lage sind, auch Zeilen der Matrix mit einer besonders hohen Stromaufnahme genügend Leistung zur Verfügung zu stellen. Solche leistungsstarken Treiberschaltungen sind für Zeilen der Matrix, die eine relativ geringe Stromaufnahme aufweisen, jedoch überdimensioniert.In matrix-shaped VCSEL arrangements, each of which uses a driver circuit to supply power to the VCSEL elements in a row of the matrix, the respective VCSEL elements in each row are electrically connected in parallel with one another. This parallel connection has the disadvantage that VCSEL elements in the same row, which have different electrical resistances due to production-related scatter, are also supplied with different amounts of current. As a result, certain VCSEL elements in the row that are already being operated at the power limit can shine much brighter than other VCSEL elements in the same row that have only a low current or power consumption due to a higher electrical resistance. Due to the production-related scatter described above, the current consumption of the various rows of the matrix can also be subject to strong variations, depending on the total resistance resulting from the parallel connection of the VCSEL elements in a row. In order to achieve the highest possible light output of the VCSEL chip, particularly powerful driver circuits must be provided for the individual rows of the matrix, which are able to provide sufficient power even to rows of the matrix with a particularly high current consumption. However, such powerful driver circuits are oversized for rows of the matrix that have a relatively low current consumption.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe kann daher darin gesehen werden, eine Möglichkeit bereitzustellen, die Leistungsfähigkeit von VCSEL-Chips mit matrixförmigen VCSEL-Anordnungen zu erhöhen. Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind jeweils Gegenstand der abhängigen Unteransprüche.The object on which the invention is based can therefore be seen as providing a way of increasing the performance of VCSEL chips with matrix-type VCSEL arrangements. This object is solved by means of the respective subject matter of the independent claims. Advantageous configurations of the invention are the subject matter of the dependent subclaims.

Gemäß der Erfindung ist ein VCSEL-Chip umfassend ein Halbleitersubstrat, eine darauf angeordnete Funktionsschicht, in der eine matrixförmige Anordnung von VCSEL-Elementen ausgebildet ist, und eine auf der Funktionsschicht angeordnete Anodenstruktur zum Adressieren der VCSEL-Elemente vorgesehen. Dabei umfasst die Anodenstruktur mehrere separat bestrombare Anodenbahnen, die jeweils VCSEL-Elemente aus einer Zeile der matrixförmigen Anordnung adressieren. Ferner weist jede Anodenbahn jeweils zwei separat bestrombare Abschnitte auf, die jeweils verschiedene Gruppen von VCSEL-Elementen aus der jeweiligen Zeile der matrixförmigen Anordnung adressieren.According to the invention, a VCSEL chip is provided comprising a semiconductor substrate, a functional layer arranged thereon, in which a matrix-like arrangement of VCSEL elements is formed, and an anode structure arranged on the functional layer for addressing the VCSEL elements. In this case, the anode structure comprises a plurality of anode tracks which can be supplied with current separately and which each address VCSEL elements from a row of the matrix-shaped arrangement. Furthermore, each anode track has two separately energizable sections, which each address different groups of VCSEL elements from the respective row of the matrix-like arrangement.

Die Segmentierung der Anodenbahnen in zwei separat bestrombare Abschnitte resultiert in einer Lastreduktion der einzelnen die Abschnitte individuell bestromenden Treiberschaltungen. Dadurch wird es möglich, relativ einfache Treiberschaltungen zu verwenden, bei denen sich die jeweils benötigte Stromstärke relativ einfach durch die Spannung einstellen lässt. Somit entfällt die Notwendigkeit für einen Mikrocontroller zur Steuerung der einzelnen Treiberschaltungen. Die durch die Segmentierung der Anodenbahnen in Abschnitte erzielte Lastverteilung ermöglicht ferner eine Erhöhung des Abtastgrads (engl. duty cycle) einzelner Treiberschaltungen und damit eine insgesamt größere Leistung der gesamten VCSEL-Anordnung. Alternativ dazu können aufgrund der an den einzelnen Anodenabschnitten insgesamt reduzierten Last die einzelnen Treiberschaltung gegebenenfalls auch kleiner bzw. weniger aufwändig ausgebildet werden. Ferner wird durch die bessere Lastverteilung eine größere Robustheit einer entsprechenden VCSEL-Vorrichtung gegenüber Temperatur erzielt. Insgesamt führt die hier vorgeschlagene Modifikation zu einer Verbesserung der Stabilität und der temperaturbedingten Einschränkungen der Abtastrate einer adressierbaren VCSEL-Matrix.The segmentation of the anode tracks into two separately energizable sections results in a load reduction of the individual driver circuits that energize the sections individually. This makes it possible to use relatively simple driver circuits in which the current required in each case can be set relatively easily by means of the voltage. This eliminates the need for a microcontroller to control the individual driver circuits. The load distribution achieved by segmenting the anode paths into sections also allows an increase in the sampling rate (duty cycle) of individual driver circuits and thus an overall greater performance of the entire VCSEL arrangement. As an alternative to this, due to the overall reduced load on the individual anode sections, the individual driver circuits can optionally also be designed to be smaller or less complex. Furthermore, the better load distribution achieves greater robustness of a corresponding VCSEL device with respect to temperature. Overall, the modification proposed here leads to an improvement in the stability and the temperature-related limitations of the sampling rate of an addressable VCSEL matrix.

Da jedes Segment einer Anodenlinie nunmehr eine geringere Anzahl an VCSEL-Elementen adressiert, wird die Stromstärke auf den einzelnen Segmenten einer Anodenlinie reduziert. Hierdurch lässt sich der Aufwand, die Größe und/oder die Komplexität der entsprechenden Treiberschaltungen reduzieren.Since each segment of an anode line now addresses a smaller number of VCSEL elements, the current intensity on the individual segments of an anode line is reduced. This allows the outlay, the size and/or the complexity of the corresponding driver circuits to be reduced.

Aufgrund der verbesserten Lastverteilung und der damit einhergehenden Reduktion der thermischen Drift einzelner VCSEL-Elemente, wird insgesamt eine konstantere optische Leistung der von einem Anodensegment adressierten VCSEL-Elemente erzielt.Due to the improved load distribution and the associated reduction in the thermal drift of individual VCSEL elements, a more constant optical power is achieved overall for the VCSEL elements addressed by an anode segment.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Unterteilung der Anodenbahnen in Abschnitte jeweils so gewählt ist, dass die Abschnitte die gleiche Anzahl an VCSEL-Elementen adressieren. Damit lässt sich das Treiberkonzept vereinfachen. Eine solche Unterteilung kann im Rahmen der Segmentierung der Anodenbahnabschnitte erfolgen und erfordert somit keine zusätzlichen Verfahrensschritte.In one embodiment it is provided that the subdivision of the anode tracks into sections is selected in such a way that the sections address the same number of VCSEL elements. This simplifies the driver concept. Such a subdivision can take place as part of the segmentation of the anode track sections and thus requires no additional method steps.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Unterteilung der Anodenbahnen in Abschnitte für jede Anodenbahn jeweils individuell ausgebildet ist. Hiermit ist es möglich, die Lastverteilung der beiden Abschnitte einer Anodenbahn besser anzupassen. Insbesondere ist damit möglich eine besonders gleichmäßige Lastverteilung aller Anodenbahnabschnitte zu erzielen.In a further embodiment it is provided that the subdivision of the anode tracks into sections is designed individually for each anode track. This makes it possible to better adjust the load distribution of the two sections of an anode track. In particular, this makes it possible to achieve a particularly uniform load distribution of all anode track sections.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Unterteilung einer Anodenbahn in zwei Abschnitte jeweils so gewählt ist, dass die von den beiden Abschnitten adressierten Gruppen von VCSEL-Elementen im Wesentlichen die gleiche elektrische Aufnahmeleistung aufweisen. Dieses Konzept ermöglich eine besonders gleichmäßige Bestromung der einzelnen Abschnitte. Damit können alle VCSEL-Elemente mit einem besonders hohen Abtastgrad betrieben werden, was auch mit einer höheren Lichtleistung des gesamten VCSEL-Chips einhergeht.A further embodiment provides that the subdivision of an anode track into two sections is selected in each case such that the groups of VCSEL elements addressed by the two sections have essentially the same electrical power consumption. This concept enables a particularly even current supply to the individual sections. This means that all VCSEL elements can be operated with a particularly high degree of scanning, which is also associated with a higher light output of the entire VCSEL chip.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die VCSEL-Elemente elektrisch an eine unterhalb der Funktionsschicht angeordnete Kathodenstruktur angeschlossen sind.A further embodiment provides that the VCSEL elements are electrically connected to a cathode structure arranged below the functional layer.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Kathodenstruktur wenigstens zwei separat bestrombare Kathodenbahnen umfasst, die jeweils wenigstens eine Spalte der matrixförmigen Anordnung adressieren. Hierdurch ist es möglich, einzelne VCSEL-Elemente individuell zu adressieren.In a further embodiment, it is provided that the cathode structure comprises at least two separately energizable cathode tracks, which each address at least one column of the matrix-like arrangement. This makes it possible to address individual VCSEL elements individually.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Kathodenstruktur in Form einer gemeinsamen Kathode ausgebildet ist, die alle VCSEL-Elemente der matrixförmigen Anordnung adressiert. Durch die gemeinsame Kathode wird das Schaltungskonzept deutlich vereinfacht.A further embodiment provides that the cathode structure is in the form of a common cathode, which addresses all VCSEL elements of the matrix-like arrangement. The circuit concept is significantly simplified by the common cathode.

Ferner ist eine VCSEL-Vorrichtung mit einem VCSEL-Chip und einer Stromversorgungseinrichtung zur Stromversorgung des VCSEL-Chips vorgesehen, wobei der VCSEL-Chip ein Halbleitersubstrat, eine darauf angeordnete Funktionsschicht mit einer matrixförmigen Anordnung von VCSEL-Elementen und eine auf der Funktionsschicht angeordnete Anodenstruktur zum Adressieren der VCSEL-Elemente umfasst. Dabei umfasst die Anodenstruktur mehrere separat bestrombare Anodenbahnen, die jeweils VCSEL-Elemente aus einer Zeile der matrixförmigen Anordnung adressieren. Ferner weist jede Anodenbahn jeweils zwei separat bestrombare Abschnitte auf, die jeweils verschiedene Gruppen von VCSEL-Elementen aus der jeweiligen Zeile der matrixförmigen Anordnung adressieren. Schließlich weist die Stromversorgungseinrichtung für jede Zeile der matrixförmigen Anordnung zwei Treiberschaltungen auf, die jeweils einen der beiden Abschnitte der jeweiligen Anodenbahn individuell bestromen. Für die VCSEL-Vorrichtung ergeben sich die im Zusammenhang mit dem VCSEL-Chip genannten Vorteile.Furthermore, a VCSEL device with a VCSEL chip and a power supply device for power supply of the VCSEL chip is provided, the VCSEL chip having a semiconductor substrate, a functional layer arranged thereon with a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements and an anode structure arranged on the functional layer for addressing the VCSEL elements. In this case, the anode structure comprises a plurality of anode tracks which can be supplied with current separately and which each address VCSEL elements from a row of the matrix-shaped arrangement. Furthermore, each anode track has two separately energizable sections, which each address different groups of VCSEL elements from the respective row of the matrix-like arrangement. Finally, the power supply device has two driver circuits for each row of the matrix-like arrangement, each of which individually energizes one of the two sections of the respective anode track. The advantages mentioned in connection with the VCSEL chip result for the VCSEL device.

Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen eines VCSEL-Chips vorgesehen, das als Schritte ein Bereitstellten eines Halbleitersubstrats und ein Erzeugen einer Funktionsschicht auf dem Halbleitersubstrat, wobei die Funktionsschicht eine matrixförmige Anordnung von VCSEL-Elementen umfasst, umfasst. Das Verfahren umfasst ferner ein Erzeugen einer Anodenstruktur auf der Funktionsschicht, wobei die Anodenstruktur mehrere separat bestrombare Anodenbahnen umfasst, die jeweils einer Zeile der matrixförmigen Anordnung von VCSEL-Elementen individuell zugeordnet ist, und ein Erzeugen einer Unterteilung jeder Anodenbahn in wenigstens zwei Abschnitte, die jeweils eine dem jeweiligen Abschnitt individuell zugeordnete Gruppe der VCSEL-Elemente der jeweiligen Zeile adressieren.Furthermore, a method for producing a VCSEL chip is provided, which comprises providing a semiconductor substrate and producing a functional layer on the semiconductor substrate as steps, the functional layer comprising a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements. The method also includes generating an anode structure on the functional layer, the anode structure comprising a plurality of separately energizable anode tracks, each of which is individually assigned to a row of the matrix-shaped arrangement of VCSEL elements, and generating a subdivision of each anode track into at least two sections, each address a group of the VCSEL elements of the respective row that is individually assigned to the respective section.

Gemäß einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass zum Erzeugen der Anodenstruktur eine elektrisch leitfähige Schicht auf der Funktionsschicht abgeschieden wird, wobei die elektrisch leitfähige Schicht strukturiert wird, um die Anodenbahnen voneinander zu separieren und die Anodenbahnen in Abschnitte zu unterteilen. Ferner erfolgen das Separieren der Anodenbahnen und das Unterteilen der Anodenbahnen die Abschnitte in einem gemeinsamem Strukturierungsschritt. Alternativ dazu erfolgt das Unterteilen der Anodenbahnen in Abschnitte nach dem Separieren der Anodenbahnen. Sofern die Abschnitte der Anodenbahnen gemeinsam mit den Anodenbahn erzeugt werden, vereinfacht sich das Herstellungsverfahren. Hingegen erlaubt das später folgende unterteilen der Anodenbahn in Abschnitte eine Optimierung der Lastverteilung auf den einzelnen Abschnitten.According to one embodiment it is provided that an electrically conductive layer is deposited on the functional layer to produce the anode structure, the electrically conductive layer being structured in order to separate the anode tracks from one another and to subdivide the anode tracks into sections. Furthermore, the anode tracks are separated and the anode tracks are subdivided into sections in a common structuring step. Alternatively, the anode tracks are divided into sections after the anode tracks have been separated. If the sections of the anode tracks are produced together with the anode tracks, the manufacturing process is simplified. On the other hand, the subsequent subdivision of the anode track into sections allows an optimization of the load distribution on the individual sections.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren näher beschrieben. Dabei zeigen:

  • 1 schematisch einen Querschnitt durch ein typisches VCSEL-Element,
  • 2 schematisch eine perspektivische Ansicht eines VCSEL-Chips mit einer matrixförmigen Anordnung von VCSEL-Elementen,
  • 3 schematisch eine Draufsicht auf den VCSEL-Chip aus 2,
  • 4 schematisch eine Draufsicht auf einen VCSEL-Chip mit segmentierten Anodenbahnen,
  • 5 schematisch eine perspektivische Ansicht eines VCSEL-Chips mit unsymmetrisch segmentierten Anodenbahnen,
  • 6 schematisch eine Draufsicht auf einen VCSEL-Chip mit individuell segmentierten Anodenbahnen,
  • 7 schematisch den Aufbau einer VCSEL-Vorrichtung mit dem VCSEL-Chip aus 4, und
  • 8 schematisch ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines entsprechenden VCSEL-Chips.
The invention is described in more detail below with reference to figures. show:
  • 1 schematically a cross section through a typical VCSEL element,
  • 2 schematically a perspective view of a VCSEL chip with a matrix-shaped arrangement of VCSEL elements,
  • 3 schematically shows a plan view of the VCSEL chip 2 ,
  • 4 a schematic top view of a VCSEL chip with segmented anode tracks,
  • 5 schematically a perspective view of a VCSEL chip with asymmetrically segmented anode tracks,
  • 6 a schematic top view of a VCSEL chip with individually segmented anode tracks,
  • 7 Schematically shows the structure of a VCSEL device with the VCSEL chip 4 , and
  • 8th schematically shows a flowchart of a method for producing a corresponding VCSEL chip.

Die 1 zeigt schematisch den grundsätzlichen Aufbau eines VCSEL-Elements 140, bei dem es sich um einen oberflächenemittierenden Laser mit vertikaler Kavität handelt. Das VCSEL-Element 140 umfasst eine auf einem Halbleitersubstrats 110 angeordnete Funktionsschicht 130, in der eine Mesa-Struktur 131 ausgebildet ist. Die Mesa-Struktur 131 umfasst typischerweise einen unteren Bragg-Spiegel 132, einen oberen Bragg-Spiegel 134, eine zwischen den beiden Bragg-Spiegeln 132, 134 angeordnete aktive Laserschicht 133 sowie weitere, hier nicht gezeigte Schichten. Die Stromversorgung der Mesa-Struktur 131 erfolgt über eine darunter angeordnete Kathode 120 sowie eine auf der Oberseite der Mesa-Struktur 131 angeordnete Anode 150, welche über eine vorzugsweise kreisförmige Öffnung verfügt. Sofern eine geeignete Versorgungsspannung zwischen der Anode 150 und Kathode 120 anliegt, bewirkt ein Stromfluss durch die aktive Laserschicht 133, welche in der Regel wenigstens einem zweidimensionalen Quantentopf bzw. Quatenfilm (engl. Quantum well) umfasst, eine Lichtemission innerhalb der aktiven Laserschicht 133. Durch die spezielle Anordnung der beiden Bragg-Spiegel 132, 134 kommt es zu einer Laserresonanz mit einer vertikal nach oben gerichteten Laseremission. Je nach Anwendung kann der Aufbau des VCSEL-Elements auch von der in der 1 lediglich beispielhaft gezeigten Anordnung abweichen. So kann die Mesa-Struktur ganz oder teilweise auch innerhalb des Halbleitersubstrats angeordnet sein. Ferner sind auch VCSEL-Emitter bekannt, bei denen die Lichtemission nach unten durch das Halbleitersubstrat erfolgt.The 1 FIG. 12 schematically shows the basic structure of a VCSEL device 140, which is a vertical cavity surface emitting laser. The VCSEL element 140 comprises a functional layer 130 which is arranged on a semiconductor substrate 110 and in which a mesa structure 131 is formed. The mesa structure 131 typically includes a lower Bragg mirror 132, an upper Bragg mirror 134, an active laser layer 133 arranged between the two Bragg mirrors 132, 134 and further layers not shown here. Power is supplied to the mesa structure 131 via a cathode 120 arranged underneath and an anode 150 arranged on top of the mesa structure 131, which has a preferably circular opening. If a suitable supply voltage is present between the anode 150 and the cathode 120, a current flow through the active laser layer 133, which usually comprises at least one two-dimensional quantum well or quantum film (engl. Quantum well), causes light to be emitted within the active laser layer 133 The special arrangement of the two Bragg mirrors 132, 134 results in a laser resonance with a laser emission directed vertically upwards. Depending on the application, the structure of the VCSEL element can also differ from that in FIG 1 deviate only exemplary arrangement shown. The mesa structure can thus also be arranged entirely or partially within the semiconductor substrate. Furthermore, VCSEL emitters are also known in which the light is emitted downwards through the semiconductor substrate.

Die 2 zeigt eine perspektivische Ansicht eines VCSEL-Chips 100 mit einer matrixförmigen Anordnung 170 von VCSEL-Elementen 1401-14016, die jeweils analog zu dem in der 1 gezeigten Beispiel ausgebildet sein können. Hierbei ist ersichtlich, dass die auf der Oberseite der Funktionsschicht 130 angeordnete Anodenstruktur 150 in mehrere parallel zueinander verlaufenden Anodenbahnen 151-154 segmentiert ist. Die Anodenbahnen 151 bis 144 verlaufen dabei jeweils entlang einer Zeile 171-174 der matrixförmigen VCSEL-Anordnung 170, wobei alle VCSEL-Elemente 1401-14016 einer Zeile 171-174 von derselben Anodenbahn 151-154 adressiert wird. Unter dem Begriff „Adressieren“ eines VCSEL-Elements wird das Beaufschlagen der mit dem jeweiligen VCSEL-Element elektrisch verbundenen Anodenbahn bzw. Anodenabschnitts mit einer geeigneten Versorgungsspannung verstanden, die zum Aktivieren des jeweiligen VCSEL-Elements führt. Wie aus der 2 ferner ersichtlich ist, weisen die Anodenbahnen 151-154 jeweils eigene Anschlussflächen 1551-1558 (z.B. Bondingpads) zum Anschluss entsprechender elektrischer Leiter auf.The 2 FIG. 1 shows a perspective view of a VCSEL chip 100 with a matrix-shaped arrangement 170 of VCSEL elements 140 1 -140 16 , each of which is analogous to that in FIG 1 example shown can be formed. It can be seen here that the anode structure 150 arranged on the upper side of the functional layer 130 is segmented into a plurality of anode tracks 151-154 running parallel to one another. The anode tracks 151 to 144 each run along a row 171-174 of the matrix-like VCSEL arrangement 170, with all VCSEL elements 140 1 -140 16 in a row 171-174 being addressed by the same anode track 151-154. The term “addressing” of a VCSEL element means applying a suitable supply voltage to the anode track or anode section electrically connected to the respective VCSEL element, which leads to the activation of the respective VCSEL element. How from the 2 It can also be seen that the anode tracks 151-154 each have their own connection surfaces 155 1 -155 8 (eg bonding pads) for connecting corresponding electrical conductors.

Aus der 3, die schematisch eine Draufsicht auf den VCSEL-Chip 100 aus 2 zeigt, ist ersichtlich, dass unterhalb der VCSEL-Elemente 1401-14016 eine Kathodenstruktur 120 befindet, welche die VCSEL-Elemente 1401-14016 mit der negativen Versorgungsspannung verbindet. Je nach Anwendung kann die Kathodenstruktur 120 dabei sowohl als eine zusammenhängende Schicht oder als voneinander elektrisch separierte Kathodenbahnen 121-124 ausgebildet sein. Abhängig von der jeweiligen Anwendung kann eine Segmentierung der Kathode in separate Kathodenbahnen aufgrund des damit erzielten elektrischen Verhaltens vorteilhaft sein. So lässt sich mithilfe einer derart segmentierten Kathode und entsprechenden Schalteinrichtungen auf der Kathodenseite z.B. eine individuelle Steuerung einzelner VCSEL-Elemente erreichen. Insgesamt erhöht sich durch die Segmentierung der Kathode der Freiheitsgrad in der Beschaltung der matrixförmigen VCSEL-Anordnung. Je nach Anwendung kann eine Segmentierung der Kathode jedoch auch nicht notwendig bzw. sinnvoll sein. In diesem Fall kann die Kathode als eine durchgehende elektrisch leitfähige Schicht ausgebildet werden. Das ist insbesondere aufgrund der Diodencharakteristik der Mesa-Strukturen möglich, welche die Anode und die Kathode elektrisch separieren. Die eventuelle Segmentierung ist zur Veranschaulichung mittels einer gepunkteten Linie angedeutet. Bei der in 3 gezeigten Anordnung werden alle VCSEL-Elemente 1401-14016 einer Zeile 171-174 unabhängig von der Gestaltung der Kathodenstruktur 120 von einer einzigen Treiberschaltung mit der benötigten Versorgungsspannung versorgt.From the 3 , which schematically shows a plan view of the VCSEL chip 100. FIG 2 1 shows, it can be seen that underneath the VCSEL elements 140 1 -140 16 there is a cathode structure 120 which connects the VCSEL elements 140 1 -140 16 to the negative supply voltage. Depending on the application, the cathode structure 120 can be embodied both as a coherent layer or as cathode tracks 121-124 that are electrically separated from one another. Depending on the particular application, segmenting the cathode into separate cathode tracks can be advantageous because of the electrical behavior that is achieved. For example, individual control of individual VCSEL elements can be achieved with the aid of a cathode segmented in this way and corresponding switching devices on the cathode side. Overall, the segmentation of the cathode increases the degree of freedom in the wiring of the matrix-type VCSEL arrangement. Depending on the application, however, segmentation of the cathode may not be necessary or useful. In this case, the cathode can be formed as a continuous electrically conductive layer. This is possible in particular due to the diode characteristics of the mesa structures, which electrically separate the anode and the cathode. The eventual segmentation is indicated by a dotted line for illustration purposes. At the in 3 In the arrangement shown, all VCSEL elements 140 1 -140 16 in a row 171-174 are supplied with the required supply voltage by a single driver circuit, regardless of the design of the cathode structure 120 .

Die 4 zeigt eine Modifikation des VCSEL-Chips 100 aus 3. Die Modifikation umfasst eine Unterteilung der einzelnen Anodenbahnen 151-154 in kleinere Abschnitte 151i-154i, die jeweils einen Teil der einer Anodenbahn 151-154 zugeordneten VCSEL-Elemente 1401-14016 adressieren. Im vorliegenden Beispiel verläuft die Trennlinie 160, welche die Anodenbahnen 151-154 in die Abschnitte unterteilt, genau symmetrisch durch die matrixförmigen Anordnung 170. Aus diesem Grunde sind den beiden Abschnitten 1511-1541 und 1512-1542 jeweils die gleiche Anzahl an VCSEL-Elementen zugeordnet. Wie aus der 5 ersichtlich ist, die eine perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform zeigt, lässt sich die matrixförmigen Anordnung 170 unter sich auch unsymmetrisch unterteilen. Dabei sind die Anodenbahnen 151-154 jeweils in zwei ungleiche Abschnitte 1511-1541 und 1512-1542 unterteilt.The 4 FIG. 1 shows a modification of the VCSEL chip 100. FIG 3 . The modification comprises a subdivision of the individual anode tracks 151-154 into smaller sections 151 i -154 i , which each address part of the VCSEL elements 140 1 -140 16 associated with an anode track 151-154. In the present example, the dividing line 160, which the anode tracks 151-154 in the Divided into sections, exactly symmetrically by the matrix-shaped arrangement 170. For this reason, the two sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 are each assigned the same number of VCSEL elements. How from the 5 As can be seen, which shows a perspective view of a further embodiment, the matrix-shaped arrangement 170 can also be subdivided asymmetrically. The anode tracks 151-154 are each divided into two unequal sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 .

Ferner kann die Position der Trennlinie 160 und damit verbunden die Länge der beiden Abschnitte 1511-1541 und 1512-1542 auch für jede Anodenbahn 151-154 auch individuell erfolgen. Dies kann beispielsweise sinnvoll sein, um die Lastverteilung zwischen den beiden Abschnitten 1511-1541 und 1512-1542 zu optimieren. So kann nach dem Herstellen des VCSEL-Chips 100 zunächst ermittelt werden, an welchen VCSEL-Elementen 1401-14016 einer Zeile 171-174 besonders viel Leistung abfällt. Anschließend kann die Position der Trennlinie 160 für jede Zeile 171-174 bestimmt werden, sodass die VCSEL-Elemente 1401-14016 an den beiden Abschnitten 1511-1541 und 1512-1542 im Wesentlichen eine möglichst gleiche Leistung aufweisen. Eine solche kann grundsätzlich in verschiedenen Verfahrenszeitpunkten erfolgen, beispielsweise im Rahmen einer End-Of-Line Kalibrierung des VCSEL-Chips 100 bzw. der den VCSEL-Chip 100 enthaltenden VCSEL-Vorrichtung 200 erfolgen. Die 6 zeigt einen entsprechenden VCSEL-Chip 100 mit einer für Anodenbahn Zeile 171-174 individuell bestimmten Abschnittslänge.Furthermore, the position of the dividing line 160 and the length of the two sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 associated therewith can also be set individually for each anode track 151-154. This can be useful, for example, to optimize the load distribution between the two sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 . Thus, after the production of the VCSEL chip 100, it can first be determined at which VCSEL elements 140 1 -140 16 of a row 171-174 a particularly large amount of power is dropped. The position of the dividing line 160 can then be determined for each row 171-174, so that the VCSEL elements 140 1 -140 16 essentially have the same power as possible at the two sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 . Such a calibration can in principle take place at different points in time in the method, for example as part of an end-of-line calibration of the VCSEL chip 100 or of the VCSEL device 200 containing the VCSEL chip 100 . The 6 shows a corresponding VCSEL chip 100 with a section length individually determined for anode track rows 171-174.

Die 7 zeigt schematisch den Aufbau einer beispielhaften VCSEL-Vorrichtung 200 umfassend einen modifizierten VCSEL-Chip 100 sowie eine geeignete Stromversorgungseinrichtung 210. Wie hierbei ersichtlich ist, umfasst die Stromversorgungseinrichtung im vorliegenden Beispiel acht separate Treiberschaltungen 211-218, die jeweils einem einzelnen Abschnitt 1511-1541 und 1512-1542 der Anodenbahnen 151-154 der matrixförmigen VCSEL-Anordnung 170 zugeordnet sind. Hierzu sind die Treiberschaltungen 211-218 über jeweils separate elektrische Leiterstrukturen 121, 122 mit den Anschlussflächen 1551-1558 der einzelnen Anodenbahnabschnitte 1511-1541 und 1512-1542 verbunden. Je nach Anwendung kann eine solche VCSEL-Vorrichtung auch mehr als einen VCSEL-Chip und gegebenenfalls auch weitere Komponenten umfassen.The 7 shows schematically the structure of an exemplary VCSEL device 200 comprising a modified VCSEL chip 100 and a suitable power supply device 210. As can be seen here, the power supply device in the present example comprises eight separate driver circuits 211-218, each of which has an individual section 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 of the anode tracks 151-154 of the matrix-shaped VCSEL arrangement 170 are assigned. For this purpose, the driver circuits 211-218 are connected to the connection surfaces 155 1 -155 8 of the individual anode track sections 151 1 -154 1 and 151 2 -154 2 via separate electrical conductor structures 121, 122 in each case. Depending on the application, such a VCSEL device can also include more than one VCSEL chip and possibly also other components.

Die 8 zeigt schematisch den Ablauf des hier vorgeschlagenen Verfahrens 300 zur Herstellung eines solchen VCSEL-Chips 100. Dabei wird in einem ersten Schritt 310 ein geeignetes Halbleitersubstrat 110 bereitgestellt. In einem darauffolgenden Verfahrensschritt 320 wird eine Funktionsschicht 130 auf dem Halbleitersubstrat 110 erzeugt. Dieser Schritt umfasst vorzugsweise auch die Ausbildung entsprechender Mesa-Strukturen 131 innerhalb der Funktionsschicht 130. Zuvor kann eine Kathodenstruktur 120 auf dem Halbleitersubstrat 110 beispielsweise durch Abscheiden einer elektrisch leitfähigen Schicht erzeugt werden. In einem weiteren Verfahren Schritt 330 wird eine Anodenschicht 150 auf der Oberseite der Funktionsschicht 130 erzeugt. Das erfolgt vorzugsweise durch Abscheiden eines geeigneten elektrisch leitfähigen Materials. Ferner wird in dem Verfahrensschritt 340 Anodenschicht strukturiert, um die gewünschte Anodenstruktur 150 zu erzeugen. Dieser Schritt 140 umfasst ein Segmentierten 341 der Anodenschicht in einzelne Anodenbahnen 151-154 sowie ein Unterteilen 342 der Anodenbahnen 151-154 in kleinere Abschnitte 151i-154i. Je nach Anwendung können das Segmentierten 341 und das Unterteilen 342 in einem gemeinsamen Prozess oder in zwei separaten Prozessen erfolgen. Insbesondere findet das Unterteilen 342 der Anodenbahnen 151-154 in dem Fall, dass die Länge der Anodenbahnabschnitte 151i-154i zur Verbesserung der Lastverteilung für jede Anodenbahn 151-154 individuell bestimmt wird, vorteilhafterweise erst nach dem Strukturieren der Anodenbahnen 151-154 statt.The 8th FIG. 12 shows schematically the course of the method 300 proposed here for producing such a VCSEL chip 100. In a first step 310, a suitable semiconductor substrate 110 is provided. A functional layer 130 is produced on the semiconductor substrate 110 in a subsequent method step 320 . This step preferably also includes the formation of corresponding mesa structures 131 within the functional layer 130. Beforehand, a cathode structure 120 can be produced on the semiconductor substrate 110, for example by depositing an electrically conductive layer. In a further method step 330, an anode layer 150 is produced on top of functional layer 130. This is preferably done by depositing a suitable electrically conductive material. Furthermore, in method step 340, the anode layer is structured in order to produce the desired anode structure 150. This step 140 includes segmenting 341 the anode layer into individual anode tracks 151-154 and subdividing 342 the anode tracks 151-154 into smaller sections 151 i -154 i . Depending on the application, the segmentation 341 and the subdivision 342 can take place in a common process or in two separate processes. In particular, the subdivision 342 of the anode tracks 151-154 advantageously only takes place after the structuring of the anode tracks 151-154 if the length of the anode track sections 151 i -154 i is determined individually for improving the load distribution for each anode track 151-154.

Bei der hier beschriebenen Modifikation handelt es sich um eine Unterteilung der Anodenbahnen, um innerhalb der adressierbaren VCSEL-Matrix geeignete Abschnitte zu erzeugen. Die auf der Oberseite der VCSEL-Matrix erfolgende Modifikation kann grundsätzlich mit der Strukturierung der Anodenschicht in einzelne Anodenbahnen und unter Nutzung der dabei verwendeten lithographischen Maske erfolgen. Alternativ hierzu kann die Unterteilung der Anodenbahn auch in einem separaten Strukturierungsschritt erfolgen. Die hierbei erzeugten Abschnitte der Anodenbahnen können individuell adressiert werden, was mit einer Erhöhung der Abtastrate einhergeht. Dabei können die Kathoden der VCSEL-Elemente je nach Anwendung sowohl separat als auch in Form einer gemeinsamen Schicht ausgebildet sein. Die Unterteilung der Anodenbahnen in einzelne Abschnitte erhöht den Freiheitsgrad in der Beschaltung, da die den Abschnitten entsprechend zugeordneten Gruppen von VCSEL-Elementen sich auf der Anodenbahn Seite nicht gegenseitig beeinflussen.The modification described here is a subdivision of the anode tracks to create appropriate sections within the addressable VCSEL array. The modification taking place on the upper side of the VCSEL matrix can in principle take place by structuring the anode layer into individual anode tracks and using the lithographic mask used in this process. As an alternative to this, the anode track can also be subdivided in a separate structuring step. The sections of the anode tracks produced in this way can be addressed individually, which is associated with an increase in the sampling rate. Depending on the application, the cathodes of the VCSEL elements can be formed both separately and in the form of a common layer. The subdivision of the anode tracks into individual sections increases the degree of freedom in the wiring, since the groups of VCSEL elements assigned to the sections do not affect one another on the anode track side.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus auch andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples. Rather, other variations can also be derived from this by a person skilled in the art without departing from the scope of protection of the invention.

Claims (10)

VCSEL-Chip (100) umfassend ein Halbleitersubstrat (110), eine darauf angeordnete Funktionsschicht (130), in der eine matrixförmige Anordnung (170) von VCSEL-Elementen (1401-14016) ausgebildet ist, und eine auf der Funktionsschicht (130) angeordnete Anodenstruktur (150) zum Adressieren der VCSEL-Elemente (1401-14016), wobei die Anodenstruktur (150) mehrere separat bestrombare Anodenbahnen (151-154) umfasst, die jeweils VCSEL-Elemente (1401-14016) aus einer Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren, und wobei jede Anodenbahn (151-154) jeweils zwei separat bestrombare Abschnitte (151i-154i) aufweist, die jeweils verschiedene Gruppen (171j-174j) von VCSEL-Elementen (1401-14016) aus der jeweiligen Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren.VCSEL chip (100) comprising a semiconductor substrate (110), a functional layer (130) arranged thereon, in which a matrix-like arrangement (170) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) is formed, and on the functional layer (130 ) arranged anode structure (150) for addressing the VCSEL elements (140 1 -140 16 ), wherein the anode structure (150) comprises a plurality of separately energizable anode tracks (151-154), each of which has VCSEL elements (140 1 -140 16 ). address a row (171-174) of the matrix-like arrangement (170), and wherein each anode track (151-154) has two separately energizable sections (151 i -154 i ), each having different groups (171 j -174 j ) of Address VCSEL elements (140 1 -140 16 ) from the respective row (171-174) of the matrix-like arrangement (170). VCSEL-Chip (100) nach Anspruch 1, wobei die Unterteilung der Anodenbahnen (151-154) in die Abschnitte (151i-154i) jeweils so gewählt ist, dass die Abschnitte (151i-154i) die gleiche Anzahl an VCSEL-Elementen (1401-14016) adressieren.VCSEL chip (100) after claim 1 , wherein the subdivision of the anode tracks (151-154) into the sections (151 i -154 i ) is selected in each case in such a way that the sections (151 i -154 i ) have the same number of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) address. VCSEL-Chip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Unterteilung der Anodenbahnen (151-154) in Abschnitte (151i-154i) für jede Anodenbahn (151-154) jeweils individuell ausgebildet ist.VCSEL chip (100) according to one of the preceding claims, wherein the subdivision of the anode tracks (151-154) into sections (151 i -154 i ) is formed individually for each anode track (151-154). VCSEL-Chip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Unterteilung einer Anodenbahn (151-154) in zwei Abschnitte (151i-154i) jeweils so gewählt ist, dass die von den beiden Abschnitten (151i-154i) adressierten Gruppen (171j-174j) von VCSEL-Elementen (1401-14016) im Wesentlichen die gleiche elektrische Aufnahmeleistung aufweisen.VCSEL chip (100) according to one of the preceding claims, wherein the subdivision of an anode track (151-154) into two sections (151 i -154 i ) is selected in each case such that the of the two sections (151 i -154 i ) addressed groups (171 j -174 j ) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) have essentially the same electrical input power. VCSEL-Chip (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die VCSEL-Elemente (1401-14016) elektrisch an eine unterhalb der Funktionsschicht (130) angeordnete Kathodenstruktur (120) angeschlossen sind.VCSEL chip (100) according to one of the preceding claims, wherein the VCSEL elements (140 1 -140 16 ) are electrically connected to a cathode structure (120) arranged below the functional layer (130). VCSEL-Chip (100) nach Anspruch 5, wobei die Kathodenstruktur (120) mehrere separat bestrombare Kathodenbahnen (121-124) umfasst, die jeweils wenigstens eine Spalte der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren.VCSEL chip (100) after claim 5 , wherein the cathode structure (120) comprises a plurality of separately energized cathode tracks (121-124), each addressing at least one column of the matrix-like arrangement (170). VCSEL-Chip (100) nach Anspruch 5, wobei die Kathodenstruktur (120) in Form einer gemeinsamen Kathode ausgebildet ist, die alle VCSEL-Elemente (1401-14016) der matrixförmigen Anordnung (170) adressiert.VCSEL chip (100) after claim 5 , wherein the cathode structure (120) is in the form of a common cathode which addresses all VCSEL elements (140 1 -140 16 ) of the matrix-shaped arrangement (170). VCSEL-Vorrichtung (200) mit einem VCSEL-Chip (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 und einer Stromversorgungseinrichtung (210) zur Stromversorgung des VCSEL-Chips (100), wobei der VCSEL-Chip (100) ein Halbleitersubstrat (110), eine darauf angeordnete Funktionsschicht (130) mit einer matrixförmigen Anordnung (170) von VCSEL-Elementen (1401-14016) und eine auf der Funktionsschicht (130) angeordnete Anodenstruktur (150) zum Adressieren der VCSEL-Elemente (1401-14016) umfasst, wobei die Anodenstruktur (150) mehrere separat bestrombare Anodenbahnen (151-154) umfasst, die jeweils VCSEL-Elemente (1401-14016) aus einer Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren, wobei jede Anodenbahn (151-154) jeweils zwei separat bestrombare Abschnitte (151i-154i) aufweist, die jeweils verschiedene Gruppen (171j-174j) von VCSEL-Elemente (1401-14016) aus der jeweiligen Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) adressieren, und wobei die Stromversorgungseinrichtung (210) für jede Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) zwei Treiberschaltungen (211-218) aufweist, die jeweils einen der beiden Abschnitte (151i-154i) der jeweiligen Anodenbahn (151-154) individuell bestromen.VCSEL device (200) with a VCSEL chip (100) according to any one of Claims 1 until 7 and a power supply device (210) for supplying power to the VCSEL chip (100), the VCSEL chip (100) having a semiconductor substrate (110), a functional layer (130) arranged thereon with a matrix-like arrangement (170) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) and an anode structure (150) arranged on the functional layer (130) for addressing the VCSEL elements (140 1 -140 16 ), wherein the anode structure (150) comprises a plurality of anode tracks (151-154) that can be supplied with current separately, addressing the respective VCSEL elements (140 1 -140 16 ) from a row (171-174) of the matrix-like arrangement (170), each anode track (151-154) having two separately energizable sections (151 i -154 i ), each addressing different groups (171 j -174 j ) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) from the respective row (171-174) of the matrix-shaped arrangement (170), and wherein the power supply device (210) for each row ( 171-174) of the matrix-like arrangement (170) has two driver circuits (211-218), which individually energize one of the two sections (151 i -154 i ) of the respective anode track (151-154). Verfahren zum Herstellen eines VCSEL-Chips (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend die Schritte: - Bereitstellten eines Halbleitersubstrats (110) - Erzeugen einer Funktionsschicht (130) auf dem Halbleitersubstrat (110), wobei die Funktionsschicht (130) eine matrixförmige Anordnung (170) von VCSEL-Elementen (1401-14016) umfasst, - Erzeugen einer Anodenstruktur (150) auf der Funktionsschicht (130), wobei die Anodenstruktur (150) mehrere separat bestrombare Anodenbahnen (151-154) umfasst, die jeweils einer Zeile (171-174) der matrixförmigen Anordnung (170) von VCSEL-Elementen (1401-14016) individuell zugeordnet ist, und - Erzeugen einer Unterteilung jeder Anodenbahn (151-154) in wenigstens zwei Abschnitte (151i-154i), die jeweils eine dem jeweiligen Abschnitt (151;-154i) individuell zugeordnete Gruppe (171j-174j) der VCSEL-Elemente (1401-14016) der jeweiligen Zeile (171-174) adressieren.Method for manufacturing a VCSEL chip (100) according to one of Claims 1 until 7 , comprising the steps: - providing a semiconductor substrate (110) - producing a functional layer (130) on the semiconductor substrate (110), wherein the functional layer (130) comprises a matrix-like arrangement (170) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ). - Generating an anode structure (150) on the functional layer (130), the anode structure (150) comprising a plurality of separately energizable anode tracks (151-154), each of which corresponds to a row (171-174) of the matrix-like arrangement (170) of VCSEL elements (140 1 -140 16 ) is assigned individually, and - generating a subdivision of each anode track (151-154) into at least two sections (151 i -154 i ), each one of which is individual to the respective section (151;-154 i ). address the associated group (171 j -174 j ) of the VCSEL elements (140 1 -140 16 ) of the respective row (171-174). Verfahren nach Anspruch 9, wobei zum Erzeugen der Anodenstruktur (150) eine elektrisch leitfähige Schicht auf der Funktionsschicht (130) abgeschieden wird, wobei die elektrisch leitfähige Schicht strukturiert wird, um die Anodenbahnen (151-154) voneinander zu separieren und die Anodenbahnen (151-154) in Abschnitte zu unterteilen, und wobei das Separieren (341) der Anodenbahnen (152-154) und das Unterteilen (342) der Anodenbahnen (151-154) in die Abschnitte (151i-154i) in einem gemeinsamem Strukturierungsschritt (340) erfolgen, oder wobei das Unterteilen (342) der Anodenbahnen (151-154) in die Abschnitte (151i-154i) nach dem Separieren (341) der Anodenbahnen (152-154) erfolgt.procedure after claim 9 , wherein an electrically conductive layer is deposited on the functional layer (130) to produce the anode structure (150), the electrically conductive layer being structured in order to separate the anode tracks (151-154) from one another and the anode tracks (151-154) in to subdivide sections, and wherein the separation (341) of the anode tracks (152-154) and the subdivision (342) of the anode tracks (151-154) into sections (151 i -154 i ) take place in a common structuring step (340), or wherein the subdivision ( 342) of the anode tracks (151-154) into the sections (151 i -154 i ) after the separation (341) of the anode tracks (152-154).
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