DE102022124049A1

DE102022124049A1 - Magnetsensor, signalverarbeitungsschaltung und magnetsensorvorrichtung

Info

Publication number: DE102022124049A1
Application number: DE102022124049.5A
Authority: DE
Inventors: Kenkichi Anagawa; Shinichirou MOCHIZUKI; Homare TOKIDA
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2021-09-20
Filing date: 2022-09-20
Publication date: 2023-03-23
Also published as: US20230089798A1

Abstract

Ein Magnetsensor umfasst zumindest einen Sensorhauptkörper; eine Detektionsschaltung, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung ein magnetisches Detektionselement aufweist; und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Sensoranschlüssen weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl der Signalanschlüsse sind alle an einer Seite eines Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers angeordnet. Die Mehrzahl der Stromversorgungsanschlüsse weisen zumindest einen ersten Anschluss, der an der Seite des einen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers angeordnet ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die an einer Seite des anderen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers angeordnet sind.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Feld der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Magnetsensor mit magnetischen Detektionselementen, eine Signalverarbeitungsschaltung für einen Magnetsensor und eine Magnetsensorvorrichtung mit einem Magnetsensor und einer Signalverarbeitungsschaltung.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Magnetsensorvorrichtungen, die magnetoresistive Elemente verwenden, wurden in den letzten Jahren für verschiedene Anwendungen verwendet. Die Magnetsensorvorrichtung umfasst einen Magnetsensor und eine Signalverarbeitungsschaltung. Der Magnetsensor ist derart eingerichtet, dass er ein Magnetfeld als Detektionsziel detektiert und zumindest ein Detektionssignal erzeugt. Die Signalverarbeitungsschaltung ist derart eingerichtet, dass sie eine vorbestimmte Signalverarbeitung des zumindest einen Detektionssignals durchführt und einen Detektionswert erzeugt, der mit dem Magnetfeld als Detektionsziel korrespondiert.
DE 102019126872 A1 offenbart eine Magnetsensorvorrichtung, die einen Sensorchip mit Magnetsensoren und einen Schaltungschip mit einem Prozessor aufweist. In der Magnetsensorvorrichtung ist der Sensorchip auf einer oberen Fläche des Schaltungschips montiert. Sowohl die obere Fläche des Sensorchips als auch die obere Fläche des Schaltungschips sind mit einer Anschlussgruppe versehen. Die Anschlussgruppe des Sensorchips ist mit der Anschlussgruppe des Schaltungschips zum Beispiel durch eine Mehrzahl von Bonddrähten verbunden.
Der Prozessor weist eine Signalverarbeitungsschaltung und eine Stromversorgungsschaltung auf. In einem typischen Prozessor ist eine Signalverarbeitungsschaltung als ein unabhängiger Block eingerichtet und eine Stromversorgungsschaltung als ein weiterer unabhängiger Block eingerichtet, so dass eine gegenseitige Beeinflussung zwischen der Signalverarbeitungsschaltung und der Stromversorgungsschaltung unterdrückt wird.
Die Anschlussgruppe des Sensorchips weist eine Mehrzahl von Anschlüssen für die Magnetsensoren und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. In einem Fall, in dem die Mehrzahl von Anschlüssen für die Magnetsensoren gemeinsam aufgebracht sind und die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen ebenfalls gemeinsam in Übereinstimmung mit dem Prozessor aufgebracht sind, war es notwendig, die Dimension des Sensorchips zu erhöhen, wenn die Anzahl der Mehrzahl von Anschlüssen für die Magnetsensoren und die Anzahl der Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen nicht gleich sind.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Magnetsensor mit einer kompakten Größe, eine Signalverarbeitungsschaltung und eine Magnetsensorvorrichtung bereitzustellen.
Ein Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst zumindest einen Sensorhauptkörper; eine Detektionsschaltung, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung ein magnetisches Detektionselement aufweist; und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl der Sensoranschlüsse weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite eines Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf einer Seite des anderen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht sind.
In dem Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen zumindest einen ersten Anschluss und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die wie oben beschrieben aufgebracht sind. Dadurch kann gemäß der vorliegenden Erfindung ein Magnetsensor mit einer kompakten Größe implementiert werden.
Eine Signalverarbeitungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Signalverarbeitungsschaltung für einen Magnetsensor. Die Signalverarbeitungsschaltung umfasst einen Schaltkreishauptkörper; einen ersten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der erste Block zur Verarbeitung eines Detektionssignals des Magnetsensors eingerichtet ist; einen zweiten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der zweite Block zur Versorgung des Magnetsensors mit Strom eingerichtet ist; und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite des einen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen weist zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen, die an einer Seite eines anderen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht sind.
In der Signalverarbeitungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung weisen die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen zumindest einen ersten Anschluss und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die wie oben beschrieben aufgebracht sind. Dadurch kann gemäß der vorliegenden Erfindung ein Magnetsensor mit einer kompakten Größe verwendet werden.
Eine Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Magnetsensor und eine Signalverarbeitungsschaltung für den Magnetsensor. Der Magnetsensor weist zumindest einen Sensorhauptkörper, eine Detektionsschaltung, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung ein magnetisches Detektionselement aufweist, und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen auf, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Sensoranschlüssen weist eine Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite eines Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf einer Seite des anderen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht sind.
Die Signalverarbeitungsschaltung umfasst einen Schaltkreishauptkörper, einen ersten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der erste Block zur Verarbeitung ein Detektionssignals des Magnetsensors eingerichtet ist, einen zweiten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der zweite Block zur Versorgung des Magnetsensors mit Strom eingerichtet ist, und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen weist eine Mehrzahl von zweiten Signalanschlüssen, die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen verbunden sind, und eine Mehrzahl von zweiten Stromversorgungsanschlüssen auf, die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen verbunden sind. Die Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse sind alle auf einer Seite eines Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl der zweiten Stromversorgungsanschlüsse weist zumindest einen dritten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von vierten Anschlüssen auf, die an einer Seite des anderen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht sind.
In der Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Mehrzahl der ersten Stromversorgungsanschlüsse zumindest einen ersten Anschluss und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die wie oben beschrieben aufgebracht sind, und die Mehrzahl der zweiten Stromversorgungsanschlüsse weist zumindest einen dritten Anschluss und eine Mehrzahl von vierten Anschlüssen auf, die wie oben beschrieben aufgebracht sind. Dadurch kann gemäß der vorliegenden Erfindung eine Magnetsensorvorrichtung einschließlich eines Magnetsensors mit einer kompakten Größe implementiert werden.
Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Beschreibung ausführlicher dargestellt.
Figurenliste
Die beiliegenden Zeichnungen dienen dem weiteren Verständnis der Offenbarung und sind Bestandteil dieser Beschreibung und werden in diese aufgenommen. Die Zeichnungen zeigen beispielhafte Ausführungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Technologie zu erklären.

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Magnetsensorvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
2 ist eine Seitenansicht, die die Magnetsensorvorrichtung gemäß der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
3 ist ein funktionelles Blockdiagramm, das eine Konfiguration der Magnetsensorvorrichtung gemäß der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
4 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung einer ersten Detektionsschaltung der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
5 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung einer zweiten Detektionsschaltung der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
6 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung einer dritten Detektionsschaltung der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
7 ist eine Draufsicht, die einen Teil eines ersten Chips der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
8 ist eine Schnittansicht, die einen Teil des ersten Chips der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
9 ist eine Draufsicht, die einen Teil eines zweiten Chips der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
10 ist eine Schnittdarstellung, die einen Teil des zweiten Chips der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
11 ist eine Seitenansicht, die ein magnetoresistives Element der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
12 ist eine Draufsicht die die Magnetsensorvorrichtung gemäß der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
13 ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Mehrzahl von Blöcken in einer Signalverarbeitungsschaltung gemäß der Ausführungsform der Erfindung zeigt.
14 ist eine Draufsicht, die ein Modifikationsbeispiel der Magnetsensorvorrichtung gemäß der Ausführungsform der Erfindung zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im Folgenden werden einige beispielhafte Ausführungsformen und Modifikationsbeispiele der Technologie unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben. Es ist zu beachten, dass die folgende Beschreibung auf illustrative Beispiele der Offenbarung gerichtet ist und nicht als Einschränkung der Technologie zu verstehen ist. Faktoren wie numerische Werte, Formen, Materialien, Komponenten, Positionen der Komponenten und die Art und Weise, wie die Komponenten miteinander verbunden sind, sind nur illustrativ und nicht als Einschränkung der Technologie zu verstehen. Ferner sind Elemente in den folgenden beispielhaften Ausführungsformen, die nicht in einem der allgemeinsten unabhängigen Ansprüche der Offenbarung aufgeführt sind, optional und können je nach Bedarf bereitgestellt werden. Die Zeichnungen sind schematisch und nicht als maßstabsgetreu anzusehen. Gleichartige Elemente werden mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, um redundante Beschreibungen zu vermeiden. Es ist zu beachten, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge gegeben wird.
Zunächst wird eine Konfiguration einer Magnetsensorvorrichtung mit einem Magnetsensor gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die 1 bis 3 beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Magnetsensorvorrichtung 100 zeigt. 2 ist eine Seitenansicht, die die Magnetsensorvorrichtung 100 zeigt. 3 ist ein funktionelles Blockdiagramm, das eine Konfiguration der Magnetsensorvorrichtung 100 zeigt.
Die Magnetsensorvorrichtung 100 weist einen Magnetsensor 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf. Der Magnetsensor 1 weist zumindest einen Sensorhauptkörper auf. Der zumindest eine Sensorhauptkörper ist beispielsweise in Form eines Chips ausgebildet. Insbesondere umfasst in der vorliegenden Ausführungsform der zumindest eine Sensorhauptkörper einen ersten Chip 2 und einen zweiten Chip 2. Der erste Chip 2 entspricht einem „ersten Sensorhauptkörper“ der vorliegenden Erfindung. Der zweite Chip 3 entspricht einem „zweiten Sensorhauptkörper“ der vorliegenden Erfindung. Komponenten des ersten Chips 2 sind auch Komponenten des ersten Sensorhauptkörpers. Komponenten des zweiten Chips 3 sind auch Komponenten des zweiten Sensorhauptkörpers.
Die Magnetsensorvorrichtung 100 weist ferner eine Signalverarbeitungsschaltung 14 für den Magnetsensor 1 auf. Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist einen Schaltkreishauptkörper 4. Der Schaltkreishauptkörper 4 wird als Träger für den ersten und zweiten Chip 2 und 3 verwendet. Der erste Chip 2, der zweite Chip 3 und der Schaltkreishauptkörper 4 haben jeweils eine rechteckige feste Form. Der Schaltkreishauptkörper 4 hat eine Bezugsebene 4a, die eine obere Fläche ist, eine untere Fläche, die der Bezugsebene 4a gegenüberliegt, und vier Seitenflächen, die die Bezugsebene 4a und die untere Fläche 4b verbinden.
Im Folgenden wird ein Referenzkoordinatensystem in der vorliegenden Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben. Das Referenzkoordinatensystem ist ein orthogonales Koordinatensystem, das in Bezug auf die Magnetsensorvorrichtung 100 festgelegt und durch drei Achsen definiert ist. Im Bezugskoordinatensystem sind eine X Richtung, eine Y Richtung und eine Z Richtung definiert. Die X, Y und Z Richtungen sind orthogonal zueinander. Insbesondere wird in der vorliegenden Ausführungsform eine Richtung, die senkrecht zur Bezugsebene 4a des Schaltkreishauptkörpers 4 und von der unteren Fläche 4b des Schaltkreishauptkörpers 4 zur Bezugsebene 4a gerichtet ist, als Z Richtung bezeichnet. Die zur X, Y und Z Richtung entgegengesetzten Richtungen werden als -X, -Y bzw. -Z Richtung bezeichnet. Die drei Achsen, die das Referenzkoordinatensystem definieren, sind eine Achse parallel zur X Richtung, eine Achse parallel zur Y Richtung und eine Achse parallel zur Z Richtung.
Im Folgenden bezieht sich der Begriff „oben“ auf Positionen, die sich in der Z Richtung vor einer Referenzposition befinden, und „unten“ bezieht sich auf Positionen, die in Bezug auf die Referenzposition den „oben“-Positionen gegenüberliegen. Für jede Komponente der Magnetsensorvorrichtung 100 bezieht sich der Begriff „obere Fläche“ auf eine Fläche des Bauteils, die sich an dessen Ende in Z Richtung befindet, und „untere Fläche“ bezieht sich auf eine Fläche des Bauteils, die sich an dessen Ende in -Z Richtung befindet. Der Ausdruck „in Z-Richtung gesehen“ bedeutet, dass das beabsichtigte Objekt von einer Position aus gesehen wird, die sich in Z Richtung in einem gewissen Abstand befindet.
Der erste Chip 2 hat eine obere Fläche 2a und eine untere Fläche 2b, die einander gegenüberliegen, und vier Seitenflächen, die die obere Fläche 2a und die untere Fläche 2b verbinden. Der zweite Chip 3 hat eine obere Fläche 3a und eine untere Fläche 3b, die einander gegenüberliegen, und vier Seitenflächen, die die obere Fläche 3a und die untere Fläche 3b verbinden.
Der erste Chip 2 ist derart auf der Bezugsebene 4a montiert, dass die untere Fläche 2b des ersten Chips 2 der Bezugsebene 4a des Schaltkreishauptkörpers 4 zugewandt ist. Der zweite Chip 3 ist derart auf der Bezugsebene 4a montiert, dass die untere Fläche 3b des zweiten Chips 3 der Bezugsebene 4a des Schaltkreishauptkörpers 4 zugewandt ist. Der erste Chip 2 und der zweite Chip 3 sind beispielsweise mit den Klebstoffen 6 und 7 mit dem Schaltkreishauptkörper 4 verklebt.
Der Magnetsensor 1 weist eine erste Detektionsschaltung 10, eine zweite Detektionsschaltung 20 und eine dritte Detektionsschaltung 30 auf. Die erste Detektionsschaltung 10 ist auf dem ersten Chip 2 vorgesehen. Die zweite Detektionsschaltung 20 und die dritte Detektionsschaltung 30 sind auf dem zweiten Chip 3 vorgesehen.
Die ersten bis dritten Detektionsschaltungen 10, 20 und 30 weisen jeweils eine Mehrzahl von magnetischen Detektionselementen auf und sind derart eingerichtet, dass sie ein Zielmagnetfeld detektieren und zumindest ein Detektionssignal erzeugen. Insbesondere handelt es sich bei der Ausführungsform bei der Mehrzahl der magnetischen Detektionselemente um eine Mehrzahl von magnetoresistiven Elementen. Die magnetoresistiven Elemente werden im Folgenden als MR Elemente bezeichnet.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist einen Prozessor 40 auf, der im Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen ist. Der Prozessor 40 ist ein Hauptteil der Signalverarbeitungsschaltung 14. Der Prozessor 40 ist derart eingerichtet, dass er einen ersten Erkennungswert, einen zweiten Erkennungswert und einen dritten Erkennungswert erzeugt, indem er die Mehrzahl von Detektionssignalen verarbeitet, die von der ersten bis dritten Erkennungsschaltung 10, 20 und 30 erzeugt werden. Die ersten, zweiten und dritten Detektionswerte entsprechen den Komponenten des Magnetfeldes in jeweils drei verschiedenen Richtungen an einer vorbestimmten Referenzposition. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die drei verschiedenen Richtungen zwei Richtungen parallel zu einer XY Ebene und eine Richtung parallel zur Z Richtung. Der Prozessor 40 ist beispielsweise aus einem anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC) aufgebaut.
Die erste bis dritte Detektionsschaltung 10, 20 und 30 und der Prozessor 40 sind über eine Mehrzahl von Bonddrähten verbunden. Die Verbindung zwischen der ersten bis dritten Detektionsschaltung 10, 20 und 30 und dem Prozessor 40 wird später im Detail beschrieben.
Die Magnetsensorvorrichtung 100 kann zum Beispiel auf einer Leiterplatte 5 montiert werden. In diesem Fall wird die Magnetsensorvorrichtung 100 auf einer oberen Fläche der Leiterplatte 5 in einer derartigen Position montiert, dass die untere Fläche 4b des Schaltkreishauptkörpers 4 der oberen Fläche der Leiterplatte 5 zugewandt ist. Der Schaltkreishauptkörper 4 ist zum Beispiel mit einem Klebstoff 8 auf die Leiterplatte 5 geklebt. Die auf der Leiterplatte 5 montierte Magnetsensorvorrichtung 100 ist mit einem nicht abgebildeten Gießharz versiegelt.
Nachfolgend werden die erste bis dritte Detektionsschaltung 10, 20 und 30 unter Bezugnahme auf die 3 bis 10 beschrieben. 4 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung der ersten Detektionsschaltung 10 zeigt. 5 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung der zweiten Detektionsschaltung 20 zeigt. 6 ist ein Schaltplan, der eine Schaltungsanordnung der dritten Detektionsschaltung 30 zeigt. 7 ist eine Draufsicht, die einen Teil des ersten Chips 2 zeigt. 8 ist eine Schnittansicht, die einen Teil des ersten Chips 2 zeigt. 9 ist eine Draufsicht, die einen Teil des zweiten Chips 3 zeigt. 10 ist eine Schnittansicht, die einen Teil des zweiten Chips 3 zeigt.
Wie in den 7 und 9 gezeigt, sind eine U Richtung und eine V Richtung wie folgt definiert. Die U Richtung ist eine Richtung, die von der X Richtung in die -Y Richtung gedreht ist. Die V Richtung ist eine Richtung, die von der Y Richtung in die X Richtung gedreht ist. Genauer gesagt wird in der vorliegenden Ausführungsform die U Richtung auf eine Richtung festgelegt, die von der X Richtung in die -Y Richtung um a gedreht wird, und die V Richtung wird auf eine Richtung festgelegt, die von der Y Richtung in die X Richtung um a gedreht wird. Dabei ist zu beachten, dass a ein Winkel größer als 0° und kleiner als 90° ist. In einem Beispiel ist a gleich 45° . Eine -U Richtung bezieht sich auf eine Richtung, die der U Richtung entgegengesetzt ist, und eine -V Richtung bezieht sich auf eine Richtung, die der V Richtung entgegengesetzt ist.
Wie in 10 gezeigt, sind eine W1 Richtung und eine W2 Richtung wie folgt definiert. Die W1 Richtung ist eine Richtung, die von der V Richtung in die -Z Richtung gedreht ist. Die W2 Richtung ist eine Richtung, die von der V Richtung in die Z Richtung gedreht ist. Genauer gesagt ist in der vorliegenden Ausführungsform die W1 Richtung eine Richtung, die von der V Richtung in die -Z Richtung um β gedreht ist, und die W2-Richtung ist eine Richtung, die von der V Richtung in die Z Richtung um β gedreht ist. Dabei ist zu beachten, dass β ein Winkel größer als 0° und kleiner als 90° ist. Eine -W1 Richtung bezieht sich auf eine Richtung, die der W1 Richtung entgegengesetzt ist, und eine -W2 Richtung bezieht sich auf eine Richtung, die der W2 Richtung entgegengesetzt ist. Die W1 Richtung und die W2 Richtung sind beide orthogonal zur U Richtung.
Die erste Detektionsschaltung 10 ist derart eingerichtet, dass sie eine Komponente des Zielmagnetfeldes in einer Richtung parallel zur U Richtung detektiert und zumindest ein erstes Detektionssignal erzeugt, das eine Übereinstimmung mit der Komponente hat. Die zweite Detektionsschaltung 20 ist derart eingerichtet, dass sie eine Komponente des Zielmagnetfeldes in einer Richtung parallel zur W1 Richtung detektiert und zumindest ein zweites Detektionssignal erzeugt, das eine Übereinstimmung mit der Komponente hat. Die dritte Detektionsschaltung 30 ist derart eingerichtet, dass sie eine Komponente des Zielmagnetfeldes in einer Richtung parallel zur W2 Richtung detektiert und zumindest ein drittes Detektionssignal erzeugt, das eine Übereinstimmung mit der Komponente hat.
Wie in 4 gezeigt, weist die erste Detektionsschaltung 10 einen Stromversorgungsanschluss V1, einen Masseanschluss G1, Signalausgangsanschlüsse E11 und E12, einen ersten Widerstandsabschnitt R11, einen zweiten Widerstandsabschnitt R12, einen dritten Widerstandsabschnitt R13 und einen vierten Widerstandsabschnitt R14 auf. Die Mehrzahl der MR Elemente der ersten Detektionsschaltung 10 bilden den ersten bis vierten Widerstandsabschnitt R11, R12, R13 und R14.
Der erste Widerstandsabschnitt R11 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V1 und dem Signalausgangsanschluss E11 vorgesehen. Der zweite Widerstandsabschnitt R12 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E11 und dem Masseanschluss G1 vorgesehen. Der dritte Widerstandsabschnitt R13 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E12 und dem Erdungsanschluss G1 vorgesehen. Der vierte Widerstandsabschnitt R14 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V1 und dem Signalausgangsanschluss E12 vorgesehen.
Wie in 5 gezeigt, weist die zweite Detektionsschaltung 20 einen Stromversorgungsanschluss V2, einen Masseanschluss G2, Signalausgangsanschlüsse E21 und E22, einen ersten Widerstandsabschnitt R21, einen zweiten Widerstandsabschnitt R22, einen dritten Widerstandsabschnitt R23 und einen vierten Widerstandsabschnitt R24 auf. Die Mehrzahl der MR Elemente der zweiten Detektionsschaltung 20 bilden den ersten bis vierten Widerstandsabschnitt R21, R22, R23 und R24.
Der erste Widerstandsabschnitt R21 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V2 und dem Signalausgangsanschluss E21 vorgesehen. Der zweite Widerstandsabschnitt R22 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E21 und dem Masseanschluss G2 vorgesehen. Der dritte Widerstandsabschnitt R23 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E22 und dem Erdungsanschluss G2 vorgesehen. Der vierte Widerstandsabschnitt R24 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V2 und dem Signalausgangsanschluss E22 vorgesehen.
Wie in 6 gezeigt, weist die dritte Detektionsschaltung 30 einen Stromversorgungsanschluss V3, einen Masseanschluss G3, Signalausgangsanschlüsse E31 und E32, einen ersten Widerstandsabschnitt R31, einen zweiten Widerstandsabschnitt R32, einen dritten Widerstandsabschnitt R33 und einen vierten Widerstandsabschnitt R34 auf. Die Mehrzahl der MR Elemente der dritten Detektionsschaltung 30 bilden die ersten bis vierten Widerstandsabschnitte R31, R32, R33 und R34.
Der erste Widerstandsabschnitt R31 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V3 und dem Signalausgangsanschluss E31 vorgesehen. Der zweite Widerstandsabschnitt R32 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E31 und dem Masseanschluss G3 vorgesehen. Der dritte Widerstandsabschnitt R33 ist zwischen dem Signalausgangsanschluss E32 und dem Erdungsanschluss G3 vorgesehen. Der vierte Widerstandsabschnitt R34 ist zwischen dem Stromversorgungsanschluss V3 und dem Signalausgangsanschluss E32 vorgesehen.
An jeden der Stromversorgungsanschlüsse V1 bis V3 wird eine Spannung oder ein Strom einer bestimmten Größe angelegt. Jeder der Masseanschlüsse G1 bis G3 ist mit der Masse verbunden.
Die Mehrzahl von MR Elementen der ersten Detektionsschaltung 10 wird im Folgenden als eine Mehrzahl von ersten MR Elementen 50A bezeichnet. Die Mehrzahl der MR Elemente der zweiten Detektionsschaltung 20 wird als eine Mehrzahl von zweiten MR Elementen 50B bezeichnet. Die Mehrzahl der MR Elemente der dritten Detektionsschaltung 30 wird als eine Mehrzahl von dritten MR Elementen 50C bezeichnet. Da die ersten bis dritten Detektionsschaltungen 10, 20 und 30 Komponenten des Magnetsensors 1 sind, kann man sagen, dass der Magnetsensor 1 die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A, die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B und die Mehrzahl der dritten MR Elemente 50C aufweist. Jedes gegebene MR Element wird mit dem Bezugszeichen 50 bezeichnet.
11 ist eine Seitenansicht, die die MR Elemente 50 zeigt. Jedes MR Element 50 kann ein Spin-Ventil MR Element oder ein anisotropes magnetoresistives (AMR) Element sein. Insbesondere ist in der vorliegenden Ausführungsform jedes MR Element 50 ein Spin-Ventil MR Element. Das MR Element 50 weist eine magnetisierte Schicht 52 mit einer Magnetisierung, deren Richtung fest ist, eine freie Schicht 54 mit einer Magnetisierung, deren Richtung in Abhängigkeit von der Richtung eines Zielmagnetfeldes variabel ist, und eine Spaltschicht 53 auf, die zwischen der magnetisierten Schicht 52 und der freien Schicht 54 angeordnet ist. Das MR Element 50 kann ein magnetoresistives Tunnelelement (TMR) oder ein riesenmagnetoresistives (GMR) Element sein. Bei dem TMR Element ist die Spaltschicht 53 eine Tunnelbarriereschicht. Beim GMR Element ist die Spaltschicht 53 eine nichtmagnetische leitfähige Schicht. Der Widerstand des MR Elements 50 ändert sich mit dem Winkel, den die Magnetisierungsrichtung der freien Schicht 54 in Bezug auf die Magnetisierungsrichtung der magnetisierten Schicht 52 bildet. Der Widerstand des MR Elements 50 hat seinen minimalen Wert, wenn der vorgenannte Winkel 0° beträgt, und seinen maximalen Wert, wenn der vorgenannte Winkel 180° beträgt. In jedem MR Element 50 weist die freie Schicht 54 eine Formanisotropie auf, die die Richtung der leichten Magnetisierungsachse derart einstellt, dass sie orthogonal zur Magnetisierungsrichtung der magnetisierten Schicht 52 verläuft. Als Verfahren zum Einstellen der leichten Magnetisierungsachse in eine vorbestimmte Richtung in der freien Schicht 54 kann ein Magnet verwendet werden, der derart eingerichtet ist, dass er ein Vormagnetisierungsfeld an die freie Schicht 54 anlegt.
Das MR Element 50 weist außerdem eine antiferromagnetische Schicht 51 auf. Die antiferromagnetische Schicht 51, die magnetisierte Schicht 52, die Spaltschicht 53 und die freie Schicht 54 sind in dieser Reihenfolge gestapelt. Die antiferromagnetische Schicht 51 ist aus einem antiferromagnetischen Material gebildet und steht in Austauschkopplung mit der magnetisierten Schicht 52, um dadurch die Magnetisierungsrichtung der magnetisierten Schicht 52 zu fixieren. Die magnetisierte Schicht 52 kann eine so genannte selbstgepinnte Schicht (Englisch: synthetic ferri pinned layer, kurz: SFP Schicht) sein. Die selbstgepinnte Schicht hat eine gestapelte Ferri-Struktur, in der eine ferromagnetische Schicht, eine nichtmagnetische Zwischenschicht und eine ferromagnetische Schicht gestapelt sind, und die beiden ferromagnetischen Schichten sind antiferromagnetisch gekoppelt. In einem Fall, in dem die magnetisierte Schicht 52 die selbstgepinnte Schicht ist, kann die antiferromagnetische Schicht 51 weggelassen werden.
Es sollte beachtet werden, dass die Schichten 51 bis 54 jedes MR Elements 50 in der umgekehrten Reihenfolge wie in 11 gezeigt gestapelt werden können.
In den 4 bis 6 stellen die durchgezogenen Pfeile die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 der MR Elemente 50 dar. Hohle Pfeile stellen die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 der MR Elemente 50 in einem Fall dar, in dem kein Zielmagnetfeld an die MR Elemente 50 angelegt wird.
In dem in 4 gezeigten Beispiel sind die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der ersten und dritten Widerstandsabschnitte R11 und R13 die U Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der zweiten und vierten Widerstandsabschnitte R12 und R14 sind die -U Richtung. Die freie Schicht 54 in jedem der Mehrzahl erster MR Elemente 50A weist eine Formanisotropie auf, die die Richtung der leichten Magnetisierungsachse auf eine Richtung parallel zur V Richtung einstellt. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der ersten und zweiten Widerstandsabschnitte R11 und R12 in einem Fall, in dem kein Zielmagnetfeld an die ersten MR Elemente 50A angelegt wird, sind die V Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der dritten und vierten Widerstandsabschnitte R13 und R14 sind im vorgenannten Fall die -V Richtung.
In dem in 5 gezeigten Beispiel sind die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der ersten und dritten Widerstandsabschnitte R21 und R23 die W1 Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der zweiten und vierten Widerstandsabschnitte R22 und R24 sind die -W1 Richtung. Die freie Schicht 54 in jedem der Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B weist eine Formanisotropie auf, die die Richtung der leichten Magnetisierungsachse auf eine Richtung parallel zur U Richtung einstellt. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der ersten und zweiten Widerstandsabschnitte R21 und R22 in einem Fall, in dem kein Zielmagnetfeld an die zweiten MR Elemente 50B angelegt wird, sind die U Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der dritten und vierten Widerstandsabschnitte R23 und R24 sind im vorgenannten Fall die -U Richtung.
In dem in 6 gezeigten Beispiel sind die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der ersten und dritten Widerstandsabschnitte R31 und R33 die W2 Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 in jedem der zweiten und vierten Widerstandsabschnitte R32 und R34 sind die -W2 Richtung. Die freie Schicht 54 in jedem der Mehrzahl dritter MR Elemente 50C weist eine Formanisotropie auf, die die Richtung der leichten Magnetisierungsachse auf eine Richtung parallel zur U Richtung einstellt. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der ersten und zweiten Widerstandsabschnitte R31 und R32 in einem Fall, in dem kein Zielmagnetfeld an die dritten MR Elemente 50C angelegt wird, sind die U Richtung. Die Magnetisierungsrichtungen der freien Schichten 54 in jedem der dritten und vierten Widerstandsabschnitte R33 und R34 sind im vorgenannten Fall die -U Richtung.
Der Magnetsensor 1 weist einen Magnetfeldgenerator auf, der zum Anlegen eines Magnetfelds in einer vorgegebenen Richtung an die freie Schicht 54 von jedem der Mehrzahl von ersten MR Elementen 50A, der Mehrzahl von zweiten MR Elementen 50B und der Mehrzahl von dritten MR Elementen 50C eingerichtet ist. In der Ausführungsform weist der Magnetfeldgenerator eine erste Spule 70 auf, die ein Magnetfeld in der vorbestimmten Richtung an die freie Schicht 54 in jedem der ersten MR Elemente 50A anlegt, und eine zweite Spule 80, die ein Magnetfeld in der vorbestimmten Richtung an die freie Schicht 54 in jedem der Mehrzahl von zweiten MR Elementen 50B und der Mehrzahl von dritten MR Elementen 50C anlegt. Der erste Chip 2 weist die erste Spule 70 auf. Der zweite Chip 3 weist die zweite Spule 80 auf.
Im Hinblick auf die Herstellungspräzision und dergleichen der MR Elemente 50 können die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 und die Richtungen der leichten Magnetisierungsachsen der freien Schichten 54 geringfügig von den vorgenannten Richtungen abweichen. Die magnetisierten Schichten 52 können derart magnetisiert werden, dass sie Magnetisierungskomponenten mit den vorgenannten Richtungen als Hauptkomponenten enthalten. In diesem Fall sind die Magnetisierungsrichtungen der magnetisierten Schichten 52 die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen wie die vorgenannten Richtungen.
Die spezifische Struktur des ersten und zweiten Chips 2 und 3 wird im Folgenden detailliert beschrieben. Zunächst wird eine Struktur des ersten Chips 2 mit Bezug auf die 7 und 8 beschrieben. 8 zeigt einen Teil eines Querschnitts an der durch die Linie 8-8 in 7 angegebenen Stelle.
Der erste Chip 2 weist ein Substrat 201 mit einer oberen Fläche 201a, Isolierschichten 202, 203, 204, 207, 208, 209 und 210, eine Mehrzahl von unteren Elektroden 61A, eine Mehrzahl von oberen Elektroden 62A, eine Mehrzahl von unteren Spulenelementen 71 und eine Mehrzahl von oberen Spulenelementen 72 auf. Die obere Fläche 201a des Substrats 201 ist parallel zur XY Ebene. Die Z Richtung ist ebenfalls eine Richtung, die senkrecht zur oberen Fläche 201a des Substrats 201 verläuft. Die Spulenelemente sind ein Teil der Spulenwicklung.
Die Isolierschicht 202 ist auf dem Substrat 201 aufgebracht. Die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 71 ist auf der Isolierschicht 202 aufgebracht. Die Isolierschicht 203 ist um die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 71 auf der Isolierschicht 202 aufgebracht. Die Isolierschicht 204 ist auf der Mehrzahl der unteren Spulenelemente 71 und der Isolierschicht 203 aufgebracht.
Die Mehrzahl der unteren Elektroden 61A sind auf der Isolierschicht 204 aufgebracht. Die Isolierschicht 207 ist um die Mehrzahl der unteren Elektroden 61A auf der Isolierschicht 204 aufgebracht. Die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A sind auf der Mehrzahl der unteren Elektroden 61A aufgebracht. Die Isolierschicht 208 ist um die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A auf der Mehrzahl der unteren Elektroden 61A und der Isolierschicht 207 aufgebracht. Die Mehrzahl der oberen Elektroden 62A sind auf der Mehrzahl der ersten M -Elementen 50A und der Isolierschicht 208 aufgebracht. Die Isolierschicht 209 ist um die Mehrzahl der oberen Elektroden 62A auf der Isolierschicht 208 aufgebracht.
Die Isolierschicht 210 ist auf der Mehrzahl der oberen Elektroden 62A und der Isolierschicht 209 aufgebracht. Die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 72 sind auf der Isolierschicht 210 aufgebracht. Der erste Chip 2 kann ferner eine nicht dargestellte Isolierschicht aufweisen, die die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 72 und die Isolierschicht 210 bedeckt. 7 zeigt die Isolierschicht 204, die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A und die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 72 als Komponenten des ersten Chips 2.
Die obere Fläche 201a des Substrats 201 ist parallel zur XY Ebene. Die obere Fläche jeder der Mehrzahl unterer Elektroden 61A ist ebenfalls parallel zur XY Ebene. Die Bezugsebene 4a ist parallel zur XY Ebene. Somit kann im vorhergehenden Zustand gesagt werden, dass die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A auf einer Ebene parallel zur Bezugsebene 4a aufgebracht sind.
Wie in 7 gezeigt, ist die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A derart aufgebracht, dass zwei oder mehr MR Elemente 50A sowohl in der U Richtung als auch in der V Richtung angeordnet sind. Die Mehrzahl der ersten MR Elemente 50A sind durch die Mehrzahl der unteren Elektroden 61A und die Mehrzahl der oberen Elektroden 62A in Reihe geschaltet.
Ein Verfahren zum Verbinden der Mehrzahl erster MR Elemente 50A wird nun unter Bezugnahme auf 11 im Detail beschrieben. In 11 bezeichnen die Bezugszeichen 61 untere Elektroden, die bestimmten MR Elementen 50 entsprechen, und die Bezugszahlen 62 bezeichnen obere Elektroden, die den MR Elementen 50 entsprechen. Wie in 11 dargestellt, hat jede untere Elektrode 61 eine lange, schlanke Form. Zwei untere Elektroden 61, die in longitudinaler Richtung der unteren Elektroden 61 aneinander angrenzen, haben einen Spalt dazwischen. MR Elemente 50 sind in der Nähe beider longitudinaler Enden auf der oberen Fläche jeder unteren Elektrode 61 aufgebracht. Jede obere Elektrode 62 hat eine lange, schlanke Form und verbindet elektrisch zwei benachbarte MR Elemente 50, die auf zwei unteren Elektroden 61 aufgebracht sind, die in longitudinaler Richtung der unteren Elektroden 61 aneinander angrenzen.
Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ist ein MR Element 50, das sich am Ende einer Reihe von MR Elementen 50 befindet, mit einem anderen MR Element 50 verbunden, das sich am Ende einer anderen Reihe von MR Elementen 50 befindet, die in einer Richtung angrenzen, die die longitudinale Richtung der unteren Elektroden 61 schneidet. Die beiden MR Elemente 50 sind durch eine nicht gezeigte Elektrode miteinander verbunden. Die nicht gezeigte Elektrode kann eine Elektrode sein, die die unteren Flächen der beiden MR Elemente 50 oder die oberen Flächen derselben verbindet.
Wenn die in 11 gezeigten MR Elemente 50 erste MR Elemente 50A sind, entsprechen die in 11 gezeigten unteren Elektroden 61 den unteren Elektroden 61A, und die in 11 gezeigten oberen Elektroden 62 entsprechen den oberen Elektroden 62A. In einem solchen Fall ist die longitudinale Richtung der unteren Elektroden 61 parallel zur V Richtung.
Jedes der Mehrzahl von oberen Spulenelementen 72 erstreckt sich in einer Richtung parallel zur Y Richtung. Die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 72 sind in X Richtung angeordnet. Insbesondere überlappt in der vorliegenden Ausführungsform, in Z Richtung gesehen, jedes der Mehrzahl von ersten MR Elementen 50A zwei obere Spulenelemente 72.
Jedes der Mehrzahl von unteren Spulenelementen 71 erstreckt sich in einer Richtung parallel zur Y Richtung. Die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 71 ist in X Richtung angeordnet. Die Form und Anordnung der Mehrzahl von unteren Spulenelementen 71 kann gleich oder verschieden von denen der Mehrzahl von oberen Spulenelementen 72 sein.
In dem in den 7 und 8 dargestellten Beispiel ist die Mehrzahl von unteren Spulenelementen 71 und die Mehrzahl von oberen Spulenelementen 72 elektrisch verbunden, um die erste Spule 70 zu bilden, die ein Magnetfeld in einer Richtung parallel zur X Richtung an die freien Schichten 54 der jeweiligen ersten MR Elemente 50A anlegt. Die erste Spule 70 kann derart eingerichtet sein, dass ein Magnetfeld in X Richtung an die freien Schichten 54 in den ersten und zweiten Widerstandsabschnitten R11 und R12 angelegt werden kann und ein Magnetfeld in -X Richtung an die freien Schichten 54 in den dritten und vierten Widerstandsabschnitten R13 und R14 angelegt werden kann. Die erste Spule 70 kann durch den Prozessor 40 gesteuert werden.
Nachfolgend wird eine Struktur des zweiten Chips 3 unter Bezugnahme auf die 9 und 10 beschrieben. 10 zeigt einen Teil eines Querschnitts an der durch die Linie 10-10 in 9 angegebenen Stelle.
Der zweite Chip 3 umfasst ein Substrat 301 mit einer oberen Fläche 301a, Isolierschichten 302, 303, 304, 305, 307, 308, 309 und 310, eine Mehrzahl von unteren Elektroden 61B, eine Mehrzahl von unteren Elektroden 61C, eine Mehrzahl von oberen Elektroden 62B, eine Mehrzahl von oberen Elektroden 62C, eine Mehrzahl von unteren Spulenelementen 81 und eine Mehrzahl von oberen Spulenelementen 82. Die obere Fläche 301a des Substrats 301 ist parallel zur XY Ebene. Die Z Richtung ist eine Richtung, die senkrecht zur oberen Fläche 301a des Substrats 301 verläuft.
Die Isolierschicht 302 ist auf dem Substrat 301 aufgebracht. Die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 81 ist auf der Isolierschicht 302 aufgebracht. Die Isolierschicht 303 ist um die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 81 auf der Isolierschicht 302 aufgebracht. Die Isolierschichten 304 und 305 sind in dieser Reihenfolge auf der Mehrzahl der unteren Spulenelemente 81 und die Isolierschicht 303 gestapelt.
Die Mehrzahl der unteren Elektroden 61B und die Mehrzahl der unteren Elektroden 61C sind auf der Isolierschicht 305 aufgebracht. Die Isolierschicht 307 ist um die Mehrzahl der unteren Elektroden 61B und um die Mehrzahl der unteren Elektroden 61C auf der Isolierschicht 305 aufgebracht. Die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B ist auf der Mehrzahl der unteren Elektroden 61B aufgebracht. Die Mehrzahl der dritten MR Elemente 50C ist auf der Mehrzahl der unteren Elektroden 61C aufgebracht. Die Isolierschicht 308 ist um die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B und um die Mehrzahl der dritten MR Elemente 50C auf der Mehrzahl der unteren Elektroden 61B, der Mehrzahl der unteren Elektroden 61C und der Isolierschicht 307 aufgebracht. Die Mehrzahl der oberen Elektroden 62B ist auf der Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B und der Isolierschicht 308 aufgebracht. Die Mehrzahl der oberen Elektroden 62C ist auf der Mehrzahl der dritten MR-Elemente 50C und der Isolierschicht 308 aufgebracht. Die Isolierschicht 309 ist um die Mehrzahl der oberen Elektroden 62B und um die Mehrzahl der oberen Elektroden 62C auf der Isolierschicht 308 aufgebracht.
Die Isolierschicht 310 ist auf der Mehrzahl der oberen Elektroden 62B, der Mehrzahl der oberen Elektroden 62C und der Isolierschicht 309 aufgebracht. Die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 82 ist auf der Isolierschicht 310 aufgebracht. Der zweite Chip 3 kann ferner eine nicht dargestellte Isolierschicht aufweisen, die die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 82 und die Isolierschicht 310 bedeckt.
Der zweite Chip 3 weist ein Trägerelement auf, das die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B und die Mehrzahl der dritten MR Elemente 50C trägt. Das Trägerelement hat zumindest eine geneigte Fläche, die relativ zur oberen Fläche 301a des Substrats 301 geneigt ist. In der vorliegenden Ausführungsform weist das Trägerelement insbesondere die Isolierschicht 305 auf. 9 zeigt die Isolierschicht 305, die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B, die Mehrzahl der dritten MR-Elemente 50C und die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 82 als Komponenten des zweiten Chips 3.
Die Isolierschicht 305 weist eine Mehrzahl von vorstehenden Flächen 305c auf, die jeweils in einer Richtung weg von der oberen Fläche 301a des Substrats 301 (Z Richtung) vorstehen. Die Mehrzahl vorstehender Flächen 305c erstreckt sich jeweils in der Richtung parallel zur U Richtung. Die Gesamtform jeder vorstehenden Fläche 305c ist eine dreieckige Dachform, die durch Verschieben der dreieckigen Form der in 10 gezeigten vorstehenden Fläche 305c entlang der Richtung parallel zur U Richtung erhalten wird. Die Mehrzahl vorstehender Flächen 305c sind in der Richtung parallel zur V Richtung angeordnet.
Nun wird der Fokus auf eine der Mehrzahl vorstehender Flächen 305c gelegt. Die vorstehende Fläche 305c umfasst eine erste geneigte Fläche 305a und eine zweite geneigte Fläche 305b. Die erste geneigte Fläche 305a ist eine Fläche, die einen Teil der vorstehenden Fläche 305c auf der Seite der V Richtung bildet. Die zweite geneigte Fläche 305b ist eine Fläche, die einen Teil der vorstehenden Fläche 305c auf der Seite der -V Richtung bildet.
Die obere Fläche 301a des Substrats 301 ist parallel zur XY Ebene. Die Bezugsebene 4a ist parallel zur XY Ebene. Die erste geneigte Fläche 305a und die zweite geneigte Fläche 305b sind jeweils in Bezug auf die obere Fläche 301a des Substrats 301 und die Bezugsebene 4a geneigt. Die zweite geneigte Fläche 305b zeigt in eine andere Richtung als die erste geneigte Fläche 305a. Ein Spalt zwischen der ersten geneigten Fläche 305a und der zweiten geneigten Fläche 305b in einem VZ Querschnitt senkrecht zur oberen Fläche 301a des Substrats 301 wird in der Richtung weg von der oberen Fläche 301a des Substrats 301 kleiner.
In der Ausführungsform gibt es eine Mehrzahl von vorstehenden Flächen 305c und somit eine Mehrzahl von ersten geneigten Flächen 305a und eine Mehrzahl von zweiten geneigten Flächen 305b. Die Isolierschicht 305 weist die Mehrzahl der ersten geneigten Flächen 305a und die Mehrzahl der zweiten geneigten Flächen 305b auf.
Die Mehrzahl der unteren Elektroden 61B sind auf der Mehrzahl der ersten geneigten Flächen 305a aufgebracht. Die Mehrzahl der unteren Elektroden 61C sind auf der Mehrzahl der zweiten geneigten Flächen 305b aufgebracht. Wie oben beschrieben, sind die ersten und zweiten geneigten Flächen 305a und 305b jeweils relativ zur oberen Fläche 301a des Substrats 301, d. h. zur XY Ebene, geneigt. Die obere Fläche jedes der Mehrzahl unterer Elektroden 61B und die obere Fläche jedes der Mehrzahl unterer Elektroden 61C sind daher ebenfalls relativ zur XY Ebene geneigt. Die Bezugsebene 4a ist parallel zur XY Ebene. Man kann also sagen, dass die Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B und die Mehrzahl dritter MR Elemente 50C auf den geneigten Flächen aufgebracht sind, die relativ zur Bezugsebene 4a geneigt sind. Die Isolierschicht 305 ist ein Element zum Tragen jedes der Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B und der Mehrzahl dritter MR Elemente 50C, so dass jedes der MR Elemente relativ zur Bezugsebene 4a geneigt werden kann.
Jede der Mehrzahl erster geneigter Flächen 305a kann eine Ebene sein, die zumindest teilweise parallel zur U Richtung und der W1 Richtung verläuft. Jede der Mehrzahl zweiter geneigter Flächen 305b kann eine Ebene sein, die zumindest teilweise parallel zur U Richtung und der W2 Richtung verläuft.
Die vorstehende Fläche 305c kann eine halbzylindrische gekrümmte Fläche sein, die durch Verschieben der gekrümmten Form (Bogenform) entlang der Richtung parallel zur U Richtung gebildet wird. In einem solchen Fall ist die erste geneigte Fläche 305a eine gekrümmte Fläche. Die zweiten MR Elemente 50B sind entlang der gekrümmten Fläche (der ersten geneigten Fläche 305a) gekrümmt. Selbst in einem solchen Fall ist die Magnetisierungsrichtung der magnetisierten Schicht 52 jedes zweiten MR Elements 50B der Einfachheit halber als eine gerade Richtung definiert, wie oben beschrieben. In ähnlicher Weise ist die zweite geneigte Fläche 305b eine gekrümmte Fläche. Die dritten MR Elemente 50C sind entlang der gekrümmten Fläche (der zweiten geneigten Fläche 305b) gekrümmt. Selbst in einem solchen Fall ist die Magnetisierungsrichtung der magnetisierten Schicht 52 jedes dritten MR Elements 50C der Einfachheit halber als eine gerade Richtung definiert, wie oben beschrieben.
Obwohl nicht dargestellt, weist die Isolierschicht 305 außerdem eine flache Fläche auf, die um die Mehrzahl vorstehender Flächen 305c herum vorhanden ist. Die Mehrzahl vorstehender Flächen 305c können von der flachen Fläche in der Z Richtung vorstehen. Die Mehrzahl vorstehender Flächen 305c können mit vorbestimmten Lücken dazwischen aufgebracht sein, so dass eine ebene Fläche zwischen zwei benachbarten vorstehenden Flächen 305c gebildet wird. Alternativ kann die Isolierschicht 305 Rillenabschnitte aufweisen, die von der flachen Oberfläche in der -Z Richtung zurückgesetzt sind. In diesem Fall kann die Mehrzahl der vorstehenden Flächen 305c in den Rillenabschnitten vorhanden sein.
Wie in 9 gezeigt, ist die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B derart aufgebracht, dass zwei oder mehr MR Elemente 50B sowohl in der U Richtung als auch in der V Richtung angeordnet sind. Eine Mehrzahl von zweiten MR Elementen 50B ist in einer Reihe auf einer ersten geneigten Fläche 305a angeordnet. In ähnlicher Weise ist die Mehrzahl der dritten MR Elemente 50C derart aufgebracht, dass zwei oder mehr MR Elemente 50C sowohl in U Richtung als auch in V Richtung angeordnet sind. Eine Mehrzahl von dritten MR Elementen 50C ist in einer Reihe auf einer zweiten geneigten Fläche 305b angeordnet. Bei dieser Ausführungsform sind eine Mehrzahl von Reihen zweiter MR Elemente 50B und eine Mehrzahl von Reihen dritter MR Elemente 50C abwechselnd in der Richtung parallel zur V Richtung angeordnet.
Die Mehrzahl der zweiten MR Elemente 50B sind durch die Mehrzahl der unteren Elektroden 61B und die Mehrzahl der oberen Elektroden 62B in Reihe geschaltet. Die vorangehende Beschreibung des Verfahrens zum Verbinden der Mehrzahl erster MR Elemente 50A gilt auch für ein Verfahren zum Verbinden der Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B. Wenn die in 11 dargestellten MR Elemente 50 zweite MR Elemente 50B sind, entsprechen die in 11 dargestellten unteren Elektroden 61 den unteren Elektroden 61B und die in 11 dargestellten oberen Elektroden 62 entsprechen den oberen Elektroden 62B. In einem solchen Fall ist die longitudinale Richtung der unteren Elektroden 61 parallel zur U Richtung.
In ähnlicher Weise ist die Mehrzahl dritter MR Elemente 50C durch die Mehrzahl der unteren Elektroden 61C und die Mehrzahl der oberen Elektroden 62C in Reihe geschaltet. Die vorangehende Beschreibung des Verfahrens zum Verbinden der Mehrzahl erster MR Elemente 50A gilt auch für ein Verfahren zum Verbinden der Mehrzahl dritter MR Elemente 50C. Wenn die in 11 dargestellten MR Elemente 50 dritte MR Elemente 50C sind, entsprechen die in 11 dargestellten unteren Elektroden 61 den unteren Elektroden 61C, und die in 11 dargestellten oberen Elektroden 62 entsprechen den oberen Elektroden 62C. In diesem Fall ist die longitudinale Richtung der unteren Elektroden 61 parallel zur U Richtung.
Jedes der Mehrzahl oberer Spulenelemente 82 erstreckt sich in einer Richtung parallel zur Y Richtung. Die Mehrzahl der oberen Spulenelemente 82 ist in X Richtung angeordnet. Insbesondere überlappt in der vorliegenden Ausführungsform, in Z Richtung gesehen, jedes der Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B und der Mehrzahl dritter MR Elemente 50C zwei obere Spulenelemente 82.
Jedes der Mehrzahl unterer Spulenelemente 81 erstreckt sich in einer Richtung parallel zur Y Richtung. Die Mehrzahl der unteren Spulenelemente 81 ist in X Richtung angeordnet. Die Form und Anordnung der Mehrzahl unterer Spulenelemente 81 kann gleich oder verschieden von denen der Mehrzahl oberer Spulenelemente 82 sein.
In dem in den 9 und 10 dargestellten Beispiel ist die Mehrzahl unterer Spulenelemente 81 und die Mehrzahl oberer Spulenelemente 82 elektrisch verbunden, um die zweite Spule 80 zu bilden, die ein Magnetfeld in der Richtung parallel zur X Richtung an die freie Schicht 54 in jedem der Mehrzahl zweiter MR Elemente 50B und der Mehrzahl dritter MR Elemente 50C anlegt. Die zweite Spule 80 kann beispielsweise derart eingerichtet sein, dass ein Magnetfeld in X Richtung an die freien Schichten 54 in den ersten und zweiten Widerstandsabschnitten R21 und R22 der zweiten Detektionsschaltung 20 und den ersten und zweiten Widerstandsabschnitten R31 und R32 der dritten Detektionsschaltung 30 angelegt werden kann, und ein Magnetfeld in -X Richtung an die freien Schichten 54 in den dritten und vierten Widerstandsabschnitten R23 und R24 der zweiten Detektionsschaltung 20 und den dritten und vierten Widerstandsabschnitten R33 und R34 der dritten Detektionsschaltung 30 angelegt werden kann. Die zweite Spule 80 kann durch den Prozessor 40 gesteuert werden.
Als Nächstes werden die ersten bis dritten Detektionssignale beschrieben. Zunächst wird das erste Detektionssignal unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. Wenn sich die Stärke der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur U Richtung ändert, ändert sich der Widerstand jedes der Widerstandsabschnitte R11 bis R14 der ersten Detektionsschaltung 10 entweder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R11 und R13 zunehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R12 und R14 abnehmen, oder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R11 und R13 abnehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R12 und R14 zunehmen. Dadurch ändert sich das elektrische Potenzial an jedem der Signalausgangsanschlüsse E11 und E12. Die erste Detektionsschaltung 10 erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E11 entspricht, als ein erstes Detektionssignal S11, und erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E12 entspricht, als ein erstes Detektionssignal S12.
Als Nächstes wird das zweite Detektionssignal unter Bezugnahme auf 5 beschrieben. Wenn sich die Stärke der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur W1 Richtung ändert, ändert sich der Widerstand jedes der Widerstandsabschnitte R21 bis R24 der zweiten Detektionsschaltung 20 entweder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R21 und R23 zunehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R22 und R24 abnehmen oder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R21 und R23 abnehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R22 und R24 zunehmen. Dadurch ändert sich das elektrische Potential an jedem der Signalausgänge E21 und E22. Die zweite Detektionsschaltung 20 erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E21 entspricht, als zweites Detektionssignal S21, und erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E22 entspricht, als zweites Detektionssignal S22.
Als Nächstes wird das dritte Detektionssignal unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. Wenn sich die Stärke der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur W2 Richtung ändert, ändert sich der Widerstand jedes der Widerstandsabschnitte R31 bis R34 der dritten Detektionsschaltung 30 entweder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R31 und R33 zunehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R32 und R34 abnehmen, oder derart, dass die Widerstände der Widerstandsabschnitte R31 und R33 abnehmen und die Widerstände der Widerstandsabschnitte R32 und R34 zunehmen. Dadurch ändert sich das elektrische Potenzial an jedem der Signalausgangsanschlüsse E31 und E32. Die dritte Detektionsschaltung 30 erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E31 entspricht, als drittes Detektionssignal S31, und erzeugt ein Signal, das dem elektrischen Potential des Signalausgangsanschlusses E32 entspricht, als drittes Detektionssignal S32.
Als Nächstes wird die Funktionsweise des Prozessors 40 beschrieben. Der Prozessor 40 ist derart eingerichtet, dass er den ersten Detektionswert auf der Grundlage der ersten Detektionssignale S11 und S12 erzeugt. Der erste Detektionswert ist ein Detektionswert, der der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur U Richtung entspricht. Der erste Detektionswert wird im Folgenden durch das Symbol Su dargestellt.
In der vorliegenden Ausführungsform erzeugt der Prozessor 40 den ersten Detektionswert Su durch eine Arithmetik, die das Bilden einer Differenz S11-S12 zwischen dem ersten Detektionssignal S11 und dem ersten Detektionssignal S12 beinhaltet. Der erste Detektionswert Su kann die Differenz S11-S12 selbst sein. Der erste Detektionswert Su kann das Ergebnis vorbestimmter Korrekturen sein, wie zum Beispiel Verstärkungsanpassung und Offset-Anpassung, die an der Differenz S11-S12 vorgenommen wurden.
Der Prozessor 40 ist ferner derart eingerichtet, dass er die zweiten und dritten Detektionswerte auf der Grundlage der zweiten Detektionssignale S21 und S22 und der dritten Detektionssignale S31 und S32 erzeugt. Der zweite Detektionswert ist ein Detektionswert, der der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur V Richtung entspricht. Der dritte Detektionswert ist ein Detektionswert, der der Komponente des Zielmagnetfeldes in der Richtung parallel zur Z Richtung entspricht. Im Folgenden wird der zweite Detektionswert durch ein Symbol Sv und der dritte Detektionswert durch ein Symbol Sz dargestellt.
Der Prozessor 40 erzeugt den zweiten und dritten Detektionswert Sv und Sz beispielsweise wie folgt. Zunächst erzeugt der Prozessor 40 einen Wert S1 durch eine Arithmetik, die das Bilden der Differenz S21-S22 zwischen dem zweiten Detektionssignal S21 und dem zweiten Detektionssignal S22 beinhaltet, und erzeugt einen Wert S2 durch eine Arithmetik, die das Bilden der Differenz S31-S32 zwischen dem dritten Detektionssignal S31 und dem dritten Detektionssignal S32 beinhaltet. Als Nächstes berechnet der Prozessor 40 die Werte S3 und S4 unter Verwendung der folgenden Ausdrücke (1) und (2). $s 3 = (s 2 + s 1) / (2 cos α)$
$s4 = (s 2 - s1) / (2 sin α)$
Der zweite Detektionswert Sv kann der Wert S3 selbst sein oder das Ergebnis vorbestimmter Korrekturen, wie zum Beispiel einer Verstärkungsanpassung und einer Offset-Anpassung, die an dem Wert S3 vorgenommen wurden. In gleicher Weise kann der dritte Detektionswert Sz der Wert S4 selbst sein oder das Ergebnis vorbestimmter Korrekturen, wie zum Beispiel einer Verstärkungsanpassung und einer Offset-Anpassung, die an dem Wert S4 vorgenommen wurden.
Als Nächstes werden die strukturellen Merkmale der Magnetsensorvorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 12 ist eine Draufsicht auf die Magnetsensorvorrichtung 100.
Zunächst wird die Mehrzahl der Anschlüsse beschrieben. Der erste Chip 2 umfasst zwei Endabschnitte 2c und 2d, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur Y Richtung befinden, und zwei Endabschnitte 2e und 2f, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur X Richtung befinden. Der Endabschnitt 2c befindet sich an einem Ende des ersten Chips 2 in der -Y Richtung. Der Endabschnitt 2d befindet sich an einem Ende des ersten Chips 2 in der Y Richtung. Der Endabschnitt 2e befindet sich an einem Ende des ersten Chips 2 in der -X Richtung. Der Endabschnitt 2f befindet sich an einem Ende des ersten Chips 2 in der X Richtung. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die vier Endabschnitte 2c bis 2f auch vier Seitenflächen, die die obere Fläche 2a und die untere Fläche 2b des ersten Chips 2 verbinden.
Der Magnetsensor 1 weist eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen auf, die auf dem ersten Chip 2 vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Sensoranschlüssen des ersten Chips 2 weisen eine Mehrzahl von Signalanschlüssen 211 und 212 und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen 221, 222, 223, und 224 auf. Die Signalanschlüsse 211 und 212 sind beide auf der Seite des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 aufgebracht. Der Stromversorgungsanschluss 221 ist auf der Seite des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Signalanschlüsse 211 und 212 und der Stromversorgungsanschluss 221 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 222 bis 224 sind auf der Seite des Endabschnitts 2d des ersten Chips 2 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 222 bis 224 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 2d des ersten Chips 2 angeordnet. Auf dem ersten Chip 2 ist die Anzahl der Anschlüsse, die auf der Seite des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 aufgebracht sind, und die Anzahl der Anschlüsse, die auf der Seite des Endabschnitts 2d des ersten Chips 2 aufgebracht sind, gleich.
Der zweite Chip 3 weist zwei Endabschnitte 3c und 3d auf, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur Y Richtung befinden, und zwei Endabschnitte 3e und 3f, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur X Richtung befinden. Der Endabschnitt 3c befindet sich an einem Ende des zweiten Chips 3 in der -Y Richtung. Der Endabschnitt 3d befindet sich an einem Ende des zweiten Chips 3 in der Y Richtung. Der Endabschnitt 3e befindet sich an einem Ende des zweiten Chips 3 in der -X Richtung. Der Endabschnitt 3f befindet sich an einem Ende des zweiten Chips 3 in der X Richtung. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die vier Endabschnitte 3c bis 3f auch vier Seitenflächen, die die obere Fläche 3a und die untere Fläche 3b des zweiten Chips 3 verbinden.
Der Magnetsensor 1 weist ferner eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen auf, die auf dem zweiten Chip 3 vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Sensoranschlüssen des zweiten Chips 3 weisen eine Mehrzahl von Signalanschlüssen 311, 312, 313 und 314 und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen 321, 322, 323, 324, 325, 326, 327, und 328 auf. Die Signalanschlüsse 311 bis 314 sind alle auf der Seite des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 aufgebracht. Die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322 sind auf der Seite des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322 und die Signalanschlüsse 311 bis 314 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 328 sind auf der Seite des Endabschnitts 3d des zweiten Chips 3 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 328 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 3d des zweiten Chips 3 angeordnet. Auf dem zweiten Chip 3 sind die Anzahl der Anschlüsse, die auf der Seite des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 aufgebracht sind, und die Anzahl der Anschlüsse, die auf der Seite des Endabschnitts 3d des zweiten Chips 3 aufgebracht sind, gleich.
Der erste Chip 2 und der zweite Chip 3 sind in dieser Reihenfolge entlang der X Richtung angeordnet. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform der erste Chip 2 und der zweite Chip 3 derart angeordnet, dass der Stromversorgungsanschluss 221 des ersten Chips 2 und der Stromversorgungsanschluss 321 des zweiten Chips 3 aneinander angrenzen.
Die Signalanschlüsse 211 und 212 und der Stromversorgungsanschluss 221 des ersten Chips 2, und die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322 und die Signalanschlüsse 311 bis 314 des zweiten Chips 3 sind in einer Reihe entlang der Richtung parallel zur Y Richtung angeordnet. Es ist zu beachten, dass zumindest einige dieser Anschlüsse an der gleichen Position in der Richtung parallel zur Y Richtung oder an verschiedenen Positionen in der Richtung parallel zur Y Richtung aufgebracht sein können.
Die Stromversorgungsanschlüsse 222 bis 224 des ersten Chips 2 und die Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 328 des zweiten Chips 3 sind in einer Reihe entlang der Richtung parallel zur Y Richtung angeordnet. Es ist zu beachten, dass zumindest einige dieser Anschlüsse an der gleichen Position in der Richtung parallel zur Y Richtung oder an verschiedenen Positionen in der Richtung parallel zur Y Richtung aufgebracht sein können.
Die Anzahl der Anschlüsse auf dem ersten Chip 2 beträgt 6. Die Anzahl der Anschlüsse auf dem zweiten Chip 3 beträgt 12 und ist damit größer als die Anzahl der Anschlüsse auf dem ersten Chip 2.
Der Schaltkreishauptkörper 4 weist zwei Endabschnitte 4c und 4d auf, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur Y Richtung befinden, und zwei Endabschnitte 4e und 4f, die sich an beiden Enden in der Richtung parallel zur X Richtung befinden. Der Endabschnitt 4c befindet sich an einem Ende des Schaltkreishauptkörpers 4 in der -Y Richtung. Der Endabschnitt 4d befindet sich an einem Ende des Schaltkreishauptkörpers 4 in Y Richtung. Der Endabschnitt 4e befindet sich an einem Ende des Schaltkreishauptkörpers 4 in -X Richtung. Der Endabschnitt 4f befindet sich an einem Ende des Schaltkreishauptkörpers 4 in X Richtung. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die vier Endabschnitte 4c bis 4f auch vier Seitenflächen, die die Bezugsebene 4a und die untere Fläche 4b des Schaltkreishauptkörpers 4 verbinden.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist eine Mehrzahl von Anschlüssen auf, die auf dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind. Die Mehrzahl der Schaltkreisanschlüsse weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen 411, 412, 413, 414, 415 und 416 und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen 421, 422, 423, 424, 425, 426, 427 und 428 auf. Die Signalanschlüsse 411 bis 416 sind alle auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Der Stromversorgungsanschluss 421 ist auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die Signalanschlüsse 411 und 412, der Stromversorgungsanschluss 421 und die Signalanschlüsse 413 bis 416 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 422 bis 428 sind auf der Seite des Endabschnitts 4d des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 422 bis 428 in dieser Reihenfolge in X Richtung entlang des Endabschnitts 4d des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die ersten und zweiten Chips 2 und 3 sind zwischen den Anschlüssen 411 bis 416 und 421 und den Anschlüssen 422 bis 428 aufgebracht.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 kann ferner eine Mehrzahl von nicht dargestellten Anschlüssen umfassen, die auf dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen und mit der Leiterplatte 5 verbunden sind. Die Mehrzahl von nicht dargestellten Anschlüssen kann zum Beispiel auf der Seite des Endabschnitts 4e oder der Seite des Endabschnitts 4f des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht sein.
Als Nächstes werden die Verbindungsbeziehungen zwischen der Mehrzahl von Anschlüssen beschrieben. Zwei gegebene Anschlüsse der Mehrzahl von Anschlüssen werden zum Beispiel durch einen Bonddraht verbunden. Man beachte, dass der Bonddraht in den 1 und 2 weggelassen ist.
Die Signalanschlüsse 411 bis 416 und der Stromversorgungsanschluss 421 des Schaltkreishauptkörpers 4 sind in einer Reihe angeordnet. Die Signalanschlüsse 211 und 212 und der Stromversorgungsanschluss 221 des ersten Chips 2 und die Signalanschlüsse 311 bis 314 und die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322 des zweiten Chips 3 sind in einer Reihe entlang der Signalanschlüsse 411 bis 416 und des Stromversorgungsanschlusses 421 des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 422 bis 428 des Schaltkreishauptkörpers 4 sind in einer Reihe angeordnet. Die Stromversorgungsanschlüsse 222 bis 224 des ersten Chips 2 und die Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 328 des zweiten Chips 3 sind in einer Reihe entlang der Stromversorgungsanschlüsse 422 bis 428 des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die Signalanschlüsse 211 und 212 des ersten Chips 2 sind jeweils mit den Signalanschlüssen 411 und 412 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 221 und 224 des ersten Chips 2 sind jeweils mit den Stromversorgungsanschlüssen 321 und 323 des zweiten Chips 3 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 222 und 223 des ersten Chips 2 sind jeweils mit den Stromversorgungsanschlüssen 422 und 423 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden.
Die Signalanschlüsse 311, 312, 313 und 314 des zweiten Chips 3 sind jeweils mit den Signalanschlüssen 413, 414, 415 und 416 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 322, 324, 325, 326, 327 und 328 des zweiten Chips 3 sind jeweils mit den Stromversorgungsanschlüssen 421, 424, 425, 426, 427 und 428 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden.
Als Nächstes werden die Beziehungen zwischen der Mehrzahl von Anschlüssen und den in den 3 bis 6 dargestellten Schaltungskomponenten beschrieben. Die Signalanschlüsse 211 und 212 und die Stromversorgungsanschlüsse 221 und 223, die auf dem ersten Chip 2 vorgesehen sind, sind elektrisch mit der in 4 dargestellten ersten Detektionsschaltung 10 verbunden. Die Signalanschlüsse 211 und 212 sind jeweils elektrisch mit den Signalausgangsanschlüssen E11 und E12 verbunden. Der Stromversorgungsanschluss 221 ist elektrisch mit dem Masseanschluss G1 verbunden. Der Stromversorgungsanschluss 223 ist elektrisch mit dem Stromversorgungsanschluss V1 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 222 und 224 sind mit der in 3 gezeigten ersten Spule 70 verbunden und werden als Anschlüsse für die Spule verwendet.
Die Signalanschlüsse 311 bis 314 und die Stromversorgungsanschlüsse 321, 322, 326 und 327, die auf dem zweiten Chip 3 vorgesehen sind, sind elektrisch mit der in 5 gezeigten zweiten Detektionsschaltung 20 und mit der in 6 gezeigten dritten Detektionsschaltung 30 verbunden. Die Signalanschlüsse 311, 312, 313 und 314 sind jeweils elektrisch mit den Signalausgangsanschlüssen E21, E22, E31 und E32 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322 sind jeweils elektrisch mit den beiden Masseanschlüssen G2 und G3 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 326 und 327 sind jeweils elektrisch mit den Stromversorgungsanschlüssen V2 und V3 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 325 und 328 sind mit der in 3 gezeigten zweiten Spule 80 verbunden und werden als Anschlüsse für die Spule verwendet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 221, 321 und 322 sind elektrisch mit dem Stromversorgungsanschluss 421 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 221, 321, 322 und 421 sind mit der Masse verbunden.
Als Nächstes wird ein Beispiel für die Konfiguration der Signalverarbeitungsschaltung 14 unter Bezugnahme auf 13 beschrieben. 13 ist eine Draufsicht, die eine Mehrzahl von Blöcken in der Signalverarbeitungsschaltung 14 zeigt.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist zumindest einen ersten Block 431 und einen zweiten Block 432 auf, die in dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind. Der erste Block 431 ist derart eingerichtet, dass er die ersten Detektionssignale S11 und S12, die zweiten Detektionssignale S21 und S22 und die dritten Detektionssignale S31 und S32 des Magnetsensors 1 verarbeitet.
Der erste Block 431 ist an einer Position aufgebracht, die näher an dem Endabschnitt 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 liegt als eine Position, an der der zweite Block 432 aufgebracht ist. Somit ist der erste Block 431 an einer Position aufgebracht, die näher an den Signalanschlüssen 411 bis 416 liegt als eine Position, an der der zweite Block 432 aufgebracht ist.
Der erste Block 431 kann zum Beispiel einen analogen Front-End-Block 4311 und einen mit dem analogen Front-End-Block 4311 verbundenen digitalen Signalverarbeitungsblock 4312 umfassen. Der analoge Front-End-Block 4311 ist über die Signalanschlüsse 211, 212, 311 bis 314 und 411 bis 416 mit den Signalausgangsanschlüssen E11 und E12 der in 4 dargestellten ersten Detektionsschaltung 10, den Signalausgangsanschlüssen E21 und E22 der in 5 dargestellten zweiten Detektionsschaltung 20 und den Signalausgangsanschlüssen E31 und E32 der in 6 dargestellten dritten Detektionsschaltung 30 verbunden. Der analoge Front-End-Block 4311 führt einen vorbestimmten Prozess an den ersten Detektionssignalen S11 und S12, den zweiten Detektionssignalen S21 und S22 und den dritten Detektionssignalen S31 und S32 aus und führt auch einen Prozess der Umwandlung der ersten Detektionssignale S11 und S12, der zweiten Detektionssignale S21 und S22 und der dritten Detektionssignale S31 und S32 in digitale Signale aus.
Der digitale Signalverarbeitungsblock 4312 führt einen vorbestimmten Prozess an den ersten Detektionssignalen S11 und S12, den zweiten Detektionssignalen S21 und S22 und den dritten Detektionssignalen S31 und S32 aus, die in digitale Signale umgewandelt wurden, um die ersten bis dritten Detektionswerte Su, Sv und Sz zu erzeugen.
Der zweite Block 432 ist derart eingerichtet, dass er den Magnetsensor 1 mit Strom versorgt. Der zweite Block 432 ist an einer Position aufgebracht, die näher an dem Endabschnitt 4d des Schaltkreishauptkörpers 4 liegt als eine Position, an der der erste Block 431 aufgebracht ist. Somit ist der zweite Block 432 an einer Position aufgebracht, die näher an den Stromversorgungsanschlüssen 422 bis 428 liegt als eine Position, an der der erste Block 431 aufgebracht ist.
Der zweite Block 432 kann zum Beispiel einen ersten Stromversorgungsblock 4321 und einen zweiten Stromversorgungsblock 4322 umfassen. Der erste Stromversorgungsblock 4321 ist derart eingerichtet, dass er jede der ersten bis dritten Detektionsschaltungen 10, 20 und 30 mit Strom versorgt. Mit anderen Worten, der erste Stromversorgungsblock 4321 ist über die Stromversorgungsanschlüsse 221, 223, 321, 322, 326, 327, 421, 423, 426 und 427 mit dem Stromversorgungsanschluss V1 und dem Masseanschluss G1 der in 4 gezeigten ersten Detektionsschaltung 10, dem Stromversorgungsanschluss V2 und dem Masseanschluss G2 der in 5 gezeigten zweiten Detektionsschaltung 20 und dem Stromversorgungsanschluss V3 und dem Masseanschluss G3 der in 6 gezeigten dritten Detektionsschaltung 30 verbunden.
Der zweite Stromversorgungsblock 4322 ist derart eingerichtet, dass er jede der ersten und zweiten Spulen 70 und 80 mit Strom versorgt. Mit anderen Worten, der zweite Stromversorgungsblock 4322 ist mit der ersten Spule 70 und der zweiten Spule 80, die in 3 dargestellt sind, über die Stromversorgungsanschlüsse 222, 224, 323 bis 325, 328, 422, 424, 425 und 428 verbunden.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist ferner eine Mehrzahl von nicht dargestellten Drähten auf, die auf dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind und den ersten Stromversorgungsblock 4321 und die Stromversorgungsanschlüsse 421, 423, 426 und 427 verbinden. Die Mehrzahl von Drähten weist einen ersten Draht mit einer vorbestimmten Länge auf, der einen Teil eines Pfades von der ersten bis dritten Detektionsschaltung 10, 20 und 30 zum ersten Stromversorgungsblock 4321 bildet.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist ferner eine Mehrzahl von nicht dargestellten Drähte auf, die am Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind und den zweiten Stromversorgungsblock 4322 und die Stromversorgungsanschlüsse 422, 424, 425 und 428 verbinden. Die Mehrzahl von Drähten weist einen zweiten Draht mit einer vorbestimmten Länge auf, der einen Teil eines Pfades von den ersten und zweiten Spulen 70 und 80 zum zweiten Stromversorgungsblock 4322 bildet.
Die Breite des ersten Drahtes ist kleiner als die Breite des zweiten Drahtes. Mit anderen Worten, die Breite des zweiten Drahtes ist größer als die Breite des ersten Drahtes. Die Breite des zweiten Drahtes kann zum Beispiel das 1.2- bis 500-fache der Breite des ersten Drahtes betragen.
Die Signalverarbeitungsschaltung 14 weist ferner einen Schnittstellenblock 433 und einen Hilfsschaltungsblock 434 auf. Der Schnittstellenblock 433 ist derart eingerichtet, dass er die ersten bis dritten Detektionswerte Su, Sv und Sz als digitale Signale nach außerhalb der Signalverarbeitungsschaltung 14 ausgeben kann.
Der Schnittstellenblock 433 kann zum Beispiel zwischen dem ersten Block 431 und dem Endabschnitt 4e des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht sein. Der Hilfsschaltungsblock 434 kann zum Beispiel zwischen dem ersten Block 431 und dem zweiten Block 432 aufgebracht sein.
Als Nächstes werden die Funktionen und Auswirkungen des Magnetsensors 1, der Signalverarbeitungsschaltung 14 und der Magnetsensorvorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Signalanschlüsse 211 und 212 des Magnetsensors 1, die auf dem ersten Chip 2 vorgesehen sind, beide auf der Seite des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 aufgebracht. Die Stromversorgungsanschlüsse 221 bis 224 des auf dem ersten Chip 2 vorgesehenen Magnetsensors 1 weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des Endabschnitts 2c des ersten Chips 2 aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf der Seite des Endabschnitts 2d des ersten Chips 2 aufgebracht sind. Insbesondere entspricht in der vorliegenden Ausführungsform der zumindest eine erste Anschluss dem Stromversorgungsanschluss 221, und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse entspricht den Stromversorgungsanschlüssen 222 bis 224. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Abmessung des ersten Chips 2 in der Richtung parallel zur X Richtung im Vergleich zu einem Fall reduziert werden, in dem die Stromversorgungsanschlüsse 221 bis 224 alle auf der Seite des Endabschnitts 2d des ersten Chips 2 aufgebracht sind.
In der vorliegenden Ausführungsform sind die Signalanschlüsse 311 bis 314 des auf dem zweiten Chip 3 vorgesehenen Magnetsensors 1 alle auf der Seite des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 aufgebracht. Die Stromversorgungsanschlüsse 321 bis 328 des auf dem zweiten Chip 3 vorgesehenen Magnetsensors 1 weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des Endabschnitts 3c des zweiten Chips 3 aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf der Seite des Endabschnitts 3d des zweiten Chips 3 aufgebracht sind. Insbesondere entspricht in der vorliegenden Ausführungsform der zumindest eine erste Anschluss den Stromversorgungsanschlüssen 321 und 322, und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse entspricht den Stromversorgungsanschlüssen 323 bis 328. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Abmessung des zweiten Chips 3 in der Richtung parallel zur X Richtung im Vergleich zu einem Fall reduziert werden, in dem die Stromversorgungsanschlüsse 321 bis 328 alle auf der Seite des Endabschnitts 3d des zweiten Chips 3 aufgebracht sind.
In der vorliegenden Ausführungsform sind die Signalanschlüsse 411 bis 416 der auf dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehenen Signalverarbeitungsschaltung 14 alle auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Die Stromversorgungsanschlüsse 421 bis 428 der Signalverarbeitungsschaltung 14, die auf dem Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind, weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf der Seite des Endabschnitts 4d des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht sind. Insbesondere entspricht bei der vorliegenden Ausführungsform der zumindest eine erste Anschluss dem Stromversorgungsanschluss 421, und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse entspricht den Stromversorgungsanschlüssen 422 bis 428. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die Signalverarbeitungsschaltung 14 als Signalverarbeitungsschaltung für den ersten und zweiten Chip 2 und 3 mit den vorgenannten Merkmalen verwendet werden.
Übrigens kann in der Signalverarbeitungsschaltung 14 die Breite jedes der Mehrzahl von Stromversorgungsdrähten, die mit der ersten bis dritten Detektionsschaltung 10, 20 und 30 verbunden sind, kleiner gemacht werden als die Breite jedes der Mehrzahl von Stromversorgungsdrähten, die mit der ersten und zweiten Spule 70 und 80 verbunden sind. Eine parasitäre Kapazität eines Drahtes wird kleiner, wenn die Breite des Drahtes kleiner ist. Es ist vorteilhaft, Stromversorgungsanschlüsse für die erste bis dritte Detektionsschaltung 10, 20 und 30 auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 unter dem Gesichtspunkt der Unterdrückung von Rauschen aufzubringen, das aufgrund von gegenseitiger Beeinflussung mit einer Mehrzahl von Signaldrähten erzeugt wird, die mit der ersten bis dritten Detektionsschaltung 10, 20 und 30 verbunden sind.
Wie oben beschrieben, ist bei der vorliegenden Ausführungsform der Stromversorgungsanschluss 421 auf der Seite des Endabschnitts 4c des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Der Stromversorgungsanschluss 221, der elektrisch mit dem in 5 gezeigten Masseanschluss G1 verbunden ist, und die Stromversorgungsanschlüsse 321 und 322, die jeweils elektrisch sowohl mit dem in 6 gezeigten Masseanschluss G2 als auch mit dem in 7 gezeigten Masseanschluss G3 verbunden sind, sind mit dem Stromversorgungsanschluss 421 verbunden. Mit anderen Worten, der Stromversorgungsanschluss 421 wird als Anschluss für die erste bis dritte Detektionsschaltung 10, 20 und 30 verwendet. Auf diese Weise kann gemäß der vorliegenden Ausführungsform Rauschen unterdrückt werden.
[Modifikationsbeispiel]
Als Nächstes wird ein Modifikationsbeispiel der Magnetsensorvorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unter Bezugnahme auf 14 beschrieben. 14 ist eine Draufsicht, die das Modifikationsbeispiel der Magnetsensorvorrichtung 100 zeigt.
In dem Modifikationsbeispiel weist der Magnetsensor 1 Stromversorgungsanschlüsse 231, 232 und 233 auf, die auf dem ersten Chip 2 anstelle der Stromversorgungsanschlüsse 222 bis 224 vorgesehen sind. Die Stromversorgungsanschlüsse 231 bis 233 sind auf der Seite des Endabschnitts 2e des ersten Chips 2 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 231 bis 233 in dieser Reihenfolge in Y Richtung entlang des Endabschnitts 2e des ersten Chips 2 angeordnet.
In dem Modifikationsbeispiel weist der Magnetsensor 1 auch Stromversorgungsanschlüsse 331, 332, 333, 334, 335 und 336 auf, die auf dem zweiten Chip 3 anstelle der Stromversorgungsanschlüsse 323 bis 328 vorgesehen sind. Die Stromversorgungsanschlüsse 331 bis 336 sind auf der Seite des Endabschnitts 3f des zweiten Chips 3 aufgebracht. Insbesondere sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 331 bis 336 in dieser Reihenfolge in Y Richtung entlang des Endabschnitts 3f des zweiten Chips 3 angeordnet.
In dem Modifikationsbeispiel weist die Signalverarbeitungsschaltung 14 Stromversorgungsanschlüsse 441, 442, 443, 444, 445, 446, 447, 448 und 449 auf, die anstelle der Stromversorgungsanschlüsse 422 bis 428 am Schaltkreishauptkörper 4 vorgesehen sind. Die Stromversorgungsanschlüsse 441 bis 443 sind auf der Seite des Endabschnitts 4e des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 441 bis 443 in dieser Reihenfolge in Y Richtung entlang des Endabschnitts 4e des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 444 bis 449 sind auf der Seite des Endabschnitts 4f des Schaltkreishauptkörpers 4 aufgebracht. Insbesondere sind in der vorliegenden Ausführungsform die Stromversorgungsanschlüsse 444 bis 449 in dieser Reihenfolge in Y Richtung entlang des Endabschnitts 4f des Schaltkreishauptkörpers 4 angeordnet.
Die Stromversorgungsanschlüsse 231 bis 233 des ersten Chips 2 sind jeweils mit den Stromversorgungsanschlüssen 441 bis 443 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden. Die Stromversorgungsanschlüsse 331 bis 336 des zweiten Chips 3 sind jeweils mit den Stromversorgungsanschlüssen 444 bis 449 des Schaltkreishauptkörpers 4 verbunden.
Die Beziehungen zwischen den Stromversorgungsanschlüssen 231 bis 233 und den in den 3 bis 6 dargestellten Schaltungskomponenten sind ähnlich wie die Beziehungen zwischen den Stromversorgungsanschlüssen 222 bis 224 und den in den 3 bis 6 dargestellten Schaltungskomponenten. Die Beziehungen zwischen den Stromversorgungsanschlüssen 331 bis 336 und den in den 3 bis 6 dargestellten Schaltungskomponenten sind ähnlich wie die Beziehungen zwischen den Stromversorgungsanschlüssen 323 bis 328 und den in den 3 bis 6 dargestellten Schaltungskomponenten.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorangehende Ausführungsform beschränkt, und es können verschiedene Modifikationen daran vorgenommen werden. Zum Beispiel kann der Magnetsensor der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von Chips aufweisen, die integriert sind.
Die Verbindung zwischen der Mehrzahl von Anschlüssen jedes der ersten und zweiten Chips 2 und 3 und der Mehrzahl von Anschlüssen des Schaltkreishauptkörpers 4 kann nicht nur durch Bonddrähte, sondern auch durch beschichtete Drähte oder Beulen (Englisch: bumps) hergestellt werden. Der erste Chip 2 und der zweite Chip 3 können auch durch das Flip-Chip-Verfahren auf den Schaltkreishauptkörper 4 montiert werden.
Wie oben beschrieben, umfasst der Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung zumindest einen Sensorhauptkörper; eine Detektionsschaltung, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung ein magnetisches Detektionselement umfasst; und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl der Sensoranschlüsse weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite eines Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf einer Seite eines anderen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht sind.
Bei dem Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann der zumindest eine erste Anschluss mit einer Masse verbunden sein. Der zumindest eine erste Anschluss kann elektrisch mit der Detektionsschaltung verbunden sein.
Bei dem Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Summe aus der Anzahl der Mehrzahl von Signalanschlüssen und der Anzahl des zumindest einen ersten Anschlusses gleich der Anzahl der Mehrzahl zweiter Anschlüsse sein.
Der Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann ferner eine Spule aufweisen, die an dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Spule zur Erzeugung eines Magnetfelds eingerichtet, das an das magnetische Detektionselement angelegt wird. Die Mehrzahl von zweiten Anschlüssen kann eine Mehrzahl von Anschlüssen für die Spule aufweisen.
Bei dem Magnetsensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann der zumindest eine Sensorhauptkörper einen ersten Sensorhauptkörper und einen zweiten Sensorhauptkörper aufweisen. Der erste Sensorhauptkörper und der zweite Sensorhauptkörper können derart angeordnet sein, dass der zumindest eine erste Anschluss des ersten Sensorhauptkörpers und der zumindest eine erste Anschluss des zweiten Sensorhauptkörpers aneinander angrenzen. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen und der zumindest eine erste Anschluss des ersten Sensorhauptkörpers und die Mehrzahl von Signalanschlüssen und der zumindest eine erste Anschluss des zweiten Sensorhauptkörpers können in einer Reihe angeordnet sein. Die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse des ersten Sensorhauptkörpers und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse des zweiten Sensorhauptkörpers können in einer Reihe angeordnet sein. Die Detektionsschaltung des ersten Sensorhauptkörpers kann zur Detektion einer Komponente eines Zielmagnetfeldes in einer ersten Richtung eingerichtet sein. Die Detektionsschaltung des zweiten Sensorhauptkörpers kann zur Detektion einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer zweiten Richtung und einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer dritten Richtung eingerichtet sein.
Die Signalverarbeitungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Signalverarbeitungsschaltung für einen Magnetsensor. Die Signalverarbeitungsschaltung kann einen Schaltkreishauptkörper aufweisen; einen ersten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der erste Block zur Verarbeitung eines Detektionssignals des Magnetsensors eingerichtet ist; einen zweiten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der zweite Block zur Versorgung des Magnetsensors mit Strom eingerichtet ist; und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen weist eine Mehrzahl von Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite eines Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen weist zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf einer Seite des anderen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht sind.
Bei der Signalverarbeitungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung kann der zumindest eine erste Anschluss mit einer Masse verbunden sein.
Bei der Signalverarbeitungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung können die Mehrzahl von Signalanschlüssen und der zumindest eine erste Anschluss eine Mehrzahl von Anschlüssen sein, die in einer Reihe angeordnet sind. Die Mehrzahl von Signalanschlüssen kann einen Anschluss aufweisen, der sich an einem Ende der Reihe der Mehrzahl von Anschlüssen befindet, und einen Anschluss aufweisen, der sich an einem anderen Ende der Reihe der Mehrzahl von Anschlüssen befindet.
Die Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen Magnetsensor und eine Signalverarbeitungsschaltung für den Magnetsensor auf. Der Magnetsensor umfasst zumindest einen Sensorhauptkörper, eine Detektionsschaltung, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung ein magnetisches Detektionselement aufweist, und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Sensoranschlüssen weist eine Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen und eine Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen auf. Die Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen sind alle auf einer Seite eines Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen weisen zumindest einen ersten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen auf, die auf einer Seite des anderen Endes des zumindest einen Sensorhauptkörpers aufgebracht sind.
Die Signalverarbeitungsschaltung umfasst einen Schaltkreishauptkörper, einen ersten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der erste Block zur Verarbeitung eines Detektionssignals des Magnetsensors eingerichtet ist, einen zweiten Block, der auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen ist, wobei der zweite Block zur Versorgung des Magnetsensors mit Strom eingerichtet ist, und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper vorgesehen sind. Die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen weisen eine Mehrzahl von zweiten Signalanschlüssen, die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen verbunden sind, und eine Mehrzahl von zweiten Stromversorgungsanschlüssen auf, die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen verbunden sind. Die Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse sind alle auf einer Seite eines Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht. Die Mehrzahl der zweiten Stromversorgungsanschlüsse weisen zumindest einen dritten Anschluss, der auf der Seite des einen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von vierten Anschlüssen auf, die auf einer Seite des anderen Endes des Schaltkreishauptkörpers aufgebracht sind.
Bei der Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann der zumindest eine erste Anschluss und der zumindest eine dritte Anschluss jeweils mit einer Masse verbunden sein.
Bei der Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Magnetsensor ferner eine Spule aufweisen, die an dem zumindest einen Sensorhauptkörper vorgesehen ist, wobei die Spule zur Erzeugung eines Magnetfelds eingerichtet ist, das an das magnetische Detektionselement angelegt wird. Die Mehrzahl von zweiten Anschlüssen kann eine Mehrzahl von Anschlüssen für die Spule aufweisen. Die Signalverarbeitungsschaltung kann einen ersten Draht mit einer vorbestimmten Länge, der einen Teil eines Weges von der Detektionsschaltung zum zweiten Block bildet, und einen zweiten Draht mit einer vorbestimmten Länge, der einen Teil eines Weges von der Spule zum zweiten Block bildet, aufweisen. Die Breite des ersten Drahtes kann kleiner sein als die Breite des zweiten Drahtes.
Bei der Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung können die Mehrzahl von zweiten Signalanschlüssen und der zumindest eine dritte Anschluss in einer Reihe angeordnet sein. Die Mehrzahl der ersten Signalanschlüsse und der zumindest eine erste Anschluss können in einer Reihe entlang der Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse und des zumindest einen dritten Anschlusses angeordnet sein. Die Mehrzahl der vierten Anschlüsse kann in einer Reihe angeordnet sein. Die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse kann in einer Reihe entlang der Mehrzahl der vierten Anschlüsse angeordnet sein.
Bei der Magnetsensorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann der zumindest eine Sensorhauptkörper einen ersten Sensorhauptkörper und einen zweiten Sensorhauptkörper aufweisen. Der zumindest eine erste Anschluss des ersten Sensorhauptkörpers kann einen ersten Anschluss aufweisen. Der zumindest eine erste Anschluss des zweiten Sensorhauptkörpers kann zwei erste Anschlüsse aufweisen. Der zumindest eine dritte Anschluss des Schaltkreishauptkörpers kann einen dritten Anschluss aufweisen. Der zumindest eine dritte Anschluss des Schaltkreishauptkörpers kann einen dritten Anschluss aufweisen. Einer der beiden ersten Anschlüsse und der eine dritte Anschluss können elektrisch verbunden sein. Die Detektionsschaltung des ersten Sensorhauptkörpers kann zur Detektion einer Komponente eines Zielmagnetfeldes in einer ersten Richtung eingerichtet sein. Die Detektionsschaltung des zweiten Sensorhauptkörpers kann zur Detektion einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer zweiten Richtung und einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer dritten Richtung eingerichtet sein.
Offensichtlich sind verschiedene Modifikationsbeispiele und Variationen der vorliegenden Erfindung im Lichte der obigen Lehren möglich. So ist es zu verstehen, dass innerhalb des Geltungsbereichs der beigefügten Ansprüche und Äquivalente davon, die vorliegende Erfindung in anderen Ausführungsformen als der vorstehenden Ausführungsform praktiziert werden kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102019126872 A1 [0003]

Claims

Ein Magnetsensor (1), umfassend: zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3); eine Detektionsschaltung (10, 20, 30), die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung (10, 20, 30) ein magnetisches Detektionselement (50A, 50B, 50C) aufweist; und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen sind, wobei: die Mehrzahl der Sensoranschlüsse eine Mehrzahl von Signalanschlüssen (211, 212, 311, 312, 313, 314) und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen (221, 222, 223, 224, 231, 232, 233, 321, 322, 323, 324, 325, 325, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) aufweist; die Mehrzahl von Signalanschlüssen (211, 212, 311, 312, 313, 314) alle auf einer Seite eines Endes (2c, 3c) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht sind; und die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen (221, 222, 223, 224, 231, 232, 233, 321, 322, 323, 324, 325, 325, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) zumindest einen ersten Anschluss (221, 321, 322), der auf der Seite des einen Endes (2c, 3c) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) aufweist, die auf einer Seite eines anderen Endes (2d, 2e, 3d, 3f) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht sind.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei der zumindest eine erste Anschluss (221, 321, 322) mit einer Masse verbunden ist.
Der Magnetsensor (1)(1) nach Anspruch 2, wobei der zumindest eine erste Anschluss (221, 321, 322) elektrisch mit der Detektionsschaltung (10, 20, 30) verbunden ist.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei eine Summe aus der Anzahl der Mehrzahl von Signalanschlüssen (211, 212, 311, 312, 313, 314) und der Anzahl des zumindest einen ersten Anschlusses (221, 321, 322) gleich der Anzahl der Mehrzahl zweiter Anschlüsse (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) ist.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Spule (70, 80), die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen ist, wobei die Spule (70, 80) zur Erzeugung eines Magnetfelds eingerichtet ist, das an das magnetische Detektionselement (50A, 50B, 50C) angelegt wird, wobei die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) eine Mehrzahl von Anschlüssen (222, 224, 231, 233, 323, 324, 325, 328, 331, 332, 333, 336) für die Spule (70, 80) aufweist.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei der zumindest eine Sensorhauptkörper (2, 3) einen ersten Sensorhauptkörper (2) und einen zweiten Sensorhauptkörper (3) aufweist.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 6, wobei der erste Sensorhauptkörper (2) und der zweite Sensorhauptkörper (3) derart angeordnet sind, dass der zumindest eine erste Anschluss (221) des ersten Sensorhauptkörpers (2) und der zumindest eine erste Anschluss (321, 322) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) aneinander angrenzen.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 6, wobei: die Mehrzahl von Signalanschlüssen (211, 212) und der zumindest eine erste Anschluss (221) des ersten Sensorhauptkörpers (2) und die Mehrzahl von Signalanschlüssen (311, 312, 313, 314) und der zumindest eine erste Anschluss (321, 322) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) in einer Reihe angeordnet sind; und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (222, 223, 224) des ersten Sensorhauptkörpers (2) und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (323, 324, 325, 326, 327, 328) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) in einer Reihe angeordnet sind.
Der Magnetsensor (1) nach Anspruch 6, wobei: die Detektionsschaltung (10) des ersten Sensorhauptkörpers (2) zur Detektion einer Komponente eines Zielmagnetfeldes in einer ersten Richtung eingerichtet ist; und die Detektionsschaltung (20, 30) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) zur Detektion einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer zweiten Richtung und einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer dritten Richtung eingerichtet ist.
Eine Signalverarbeitungsschaltung (14) für einen Magnetsensor (1), umfassend: einen Schaltkreishauptkörper (4); einen ersten Block (431), der auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen ist, wobei der erste Block (431) zur Verarbeitung eines Detektionssignals (S11, S12, S21, S22, S31, S32) des Magnetsensors (1) eingerichtet ist; einen zweiten Block (432), der auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen ist, wobei der zweite Block (432) zur Versorgung des Magnetsensors (1) mit Strom eingerichtet ist; und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen sind, wobei: die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen eine Mehrzahl von Signalanschlüssen (411, 412, 413, 414, 415, 416) und eine Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen (421, 422, 423, 424, 425, 426, 427, 428, 441, 442, 443, 444, 445, 446, 447, 448, 449) aufweisen; die Mehrzahl von Signalanschlüssen (411, 412, 413, 414, 415, 416) alle auf einer Seite eines Endes (4c) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht sind; und die Mehrzahl von Stromversorgungsanschlüssen (421, 422, 423, 424, 425, 426, 427, 428) zumindest einen ersten Anschluss (421), der auf der Seite des einen Endes (4c) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen (422, 423, 424, 425, 426, 427, 428, 441, 442, 443, 444, 445, 446, 447, 448, 449) aufweisen, die auf einer Seite eines anderen Endes (4d, 4e, 4f) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht sind.
Die Signalverarbeitungsschaltung (14) nach Anspruch 10, wobei der zumindest eine erste Anschluss (421) mit einer Masse verbunden ist.
Die Signalverarbeitungsschaltung (14) nach Anspruch 10, wobei: die Mehrzahl von Signalanschlüssen (411, 412, 413, 414, 415, 416) und der zumindest eine erste Anschluss (421) eine Mehrzahl von Anschlüssen sind, die in einer Reihe angeordnet sind; und die Mehrzahl von Signalanschlüssen (411, 412, 413, 414, 415, 416) einen Anschluss (411), der sich an einem Ende der Reihe der Mehrzahl von Anschlüssen befindet, und einen Anschluss (416) aufweist, der sich an einem anderen Ende der Reihe der Mehrzahl von Anschlüssen befindet.
Eine Magnetsensorvorrichtung (100) umfassend einen Magnetsensor (1) und eine Signalverarbeitungsschaltung (14) für den Magnetsensor (1), wobei: der Magnetsensor (1) umfasst zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3), eine Detektionsschaltung (10, 20, 30), die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen ist, wobei die Detektionsschaltung (10, 20, 30) ein magnetisches Detektionselement (50A, 50B, 50C) aufweist, und eine Mehrzahl von Sensoranschlüssen, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen sind; die Mehrzahl von Sensoranschlüssen eine Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen (211, 212, 311, 312, 313, 314) und eine Mehrzahl von ersten Stromversorgungsanschlüssen (221, 222, 223, 224, 231, 232, 233, 321, 322, 323, 324, 325, 325, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) aufweist; die Mehrzahl der ersten Signalanschlüsse (211, 212, 311, 312, 313, 314) alle auf einer Seite eines Endes (2c, 3c) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht sind; die Mehrzahl der ersten Stromversorgungsanschlüsse (221, 222, 223, 224, 231, 232, 233, 321, 322, 323, 324, 325, 325, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) zumindest einen ersten Anschluss (221, 321, 322), der auf der Seite des einen Endes (2c, 3c) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von zweiten Anschlüssen (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) aufweisen, die auf einer Seite eines anderen Endes (2d, 2e, 3d, 3f) des zumindest einen Sensorhauptkörpers (2, 3) aufgebracht sind; die Signalverarbeitungsschaltung (14) umfasst einen Schaltkreishauptkörper (4), einen ersten Block (431), der auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen ist, wobei der erste Block (431) zur Verarbeitung eines Detektionssignals (S11, S12, S21, S22, S31, S32) des Magnetsensors (1) eingerichtet ist, einen zweiten Block (432), der auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen ist, wobei der zweite Block (432) zur Versorgung des Magnetsensors (1) mit Strom eingerichtet ist, und eine Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen, die auf dem Schaltkreishauptkörper (4) vorgesehen sind; die Mehrzahl von Schaltkreisanschlüssen eine Mehrzahl von zweiten Signalanschlüssen (411, 412, 413, 414, 415, 416), die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl von ersten Signalanschlüssen (211, 212, 311, 312, 313, 314) verbunden sind, und eine Mehrzahl von zweiten Stromversorgungsanschlüssen (421, 422, 423, 424, 425, 426, 427, 428, 441, 442, 443, 444, 445, 446, 447, 448, 449) aufweisen, die jeweils elektrisch mit der Mehrzahl der ersten Stromversorgungsanschlüsse (221, 222, 223, 224, 231, 232, 233, 321, 322, 323, 324, 325, 325, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) verbunden sind; die Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse (411, 412, 413, 414, 415, 416) alle auf einer Seite eines Endes (4c) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht sind; und die Mehrzahl der zweiten Stromversorgungsanschlüsse (421, 422, 423, 424, 425, 426, 427, 428) zumindest einen dritten Anschluss (421), der auf der Seite des einen Endes (4c) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht ist, und eine Mehrzahl von vierten Anschlüssen (422, 423, 424, 425, 426, 427, 428, 441, 442, 443, 444, 445, 446, 447, 448, 449) aufweisen, die auf einer Seite eines anderen Endes (4d, 4e, 4f) des Schaltkreishauptkörpers (4) aufgebracht sind.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei der zumindest eine erste Anschluss (221, 321, 322) und der zumindest eine dritte Anschluss (421) jeweils mit einer Masse verbunden sind.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: der Magnetsensor (1) ferner eine Spule (70, 80) aufweist, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen ist, wobei die Spule (70, 80) zur Erzeugung eines Magnetfelds eingerichtet ist, das an das magnetische Detektionselement (50A, 50B, 50C) angelegt wird; und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 331, 332, 333, 334, 335, 336) eine Mehrzahl von Anschlüssen (222, 224, 231, 233, 323, 324, 325, 328, 331, 332, 333, 336) für die Spule (70, 80) aufweist.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: der Magnetsensor (1) ferner eine Spule (70, 80) aufweist, die auf dem zumindest einen Sensorhauptkörper (2, 3) vorgesehen ist, wobei die Spule (70, 80) zur Erzeugung eines Magnetfelds eingerichtet ist, das an das magnetische Detektionselement (50A, 50B, 50C) angelegt wird; die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (222, 223, 224, 231, 232, 233, 323, 324, 325, 326, 327, 328) eine Mehrzahl von Anschlüssen (222, 224, 323, 324, 325, 328) für die Spule (70, 80) aufweist; die Signalverarbeitungsschaltung (14) einen ersten Draht mit einer vorbestimmten Länge, der einen Teil eines Pfades von der Detektionsschaltung (10, 20, 30) zu dem zweiten Block (432) bildet, und einen zweiten Draht mit einer vorbestimmten Länge aufweist, der einen Teil eines Pfades von der Spule (70, 80) zu dem zweiten Block (432) bildet, aufweist; und eine Breite des ersten Drahtes kleiner ist als eine Breite des zweiten Drahtes.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: die Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse (411, 412, 413, 414, 415, 416) und der zumindest eine dritte Anschluss (421) in einer Reihe angeordnet sind; die Mehrzahl der ersten Signalanschlüsse (211, 212, 311, 312, 313, 314) und der zumindest eine erste Anschluss (221, 321, 322) in einer Reihe entlang der Mehrzahl der zweiten Signalanschlüsse (411, 412, 413, 414, 415, 416) und des zumindest einen dritten Anschlusses (421) angeordnet sind; die Mehrzahl der vierten Anschlüsse (422, 423, 424, 425, 426, 427, 428) in einer Reihe angeordnet sind; und die Mehrzahl der zweiten Anschlüsse (222, 223, 224, 323, 324, 325, 326, 327, 328) in einer Reihe entlang der Mehrzahl der vierten Anschlüsse (422, 423, 424, 425, 426, 427, 428) angeordnet sind.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: der zumindest eine Sensorhauptkörper (2, 3) einen ersten Sensorhauptkörper (2) und einen zweiten Sensorhauptkörper (3) aufweist; der zumindest eine erste Anschluss (221) des ersten Sensorhauptkörpers (2) einen ersten Anschluss aufweist; der zumindest eine erste Anschluss (321, 322) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) zwei erste Anschlüsse aufweist; und der zumindest eine dritte Anschluss (421) des Schaltkreishauptkörpers (4) einen dritten Anschluss aufweist.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: der zumindest eine Sensorhauptkörper (2, 3) einen ersten Sensorhauptkörper (2) und einen zweiten Sensorhauptkörper (3) aufweist; der zumindest eine erste Anschluss (321, 322) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) zwei erste Anschlüsse aufweist; der zumindest eine dritte Anschluss (421) des Schaltkreishauptkörpers (4) einen dritten Anschluss aufweist; und einer (322) der beiden ersten Anschlüsse und der eine dritte Anschluss (421) elektrisch verbunden sind.
Die Magnetsensorvorrichtung (100) nach Anspruch 13, wobei: der zumindest eine Sensorhauptkörper (2, 3) einen ersten Sensorhauptkörper (2) und einen zweiten Sensorhauptkörper (3) aufweist; die Detektionsschaltung (10) des ersten Sensorhauptkörpers (2) zur Detektion einer Komponente eines Zielmagnetfeldes in einer ersten Richtung eingerichtet ist; und die Detektionsschaltung (20, 30) des zweiten Sensorhauptkörpers (3) zur Detektion einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer zweiten Richtung und einer Komponente des Zielmagnetfeldes in einer dritten Richtung eingerichtet ist.