DE102022119740A1 - Control of a DC converter for DC charging - Google Patents
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Abstract
Ein elektrisches System kann ein wiederaufladbares Energiespeichersystem (RESS) und einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC) umfassen. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ist mit dem RESS verbunden und konfiguriert, mit einer Gleichstrom-Ladestation verbunden zu werden. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ist konfiguriert, das RESS selektiv mit der Gleichstrom-Ladestation zu verbinden, so dass dem RESS während eines Aufladevorgangs selektiv ein Ladestrom zugeführt wird.An electrical system may include a rechargeable energy storage system (RESS) and a direct current to direct current (DC-DC) converter. The DC-to-DC converter is connected to the RESS and configured to be connected to a DC charging station. The DC-to-DC converter is configured to selectively connect the RESS to the DC charging station such that charging current is selectively supplied to the RESS during a charging operation.
Description
Technisches Gebiettechnical field
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein elektrisches System, das das Laden von Batterien von einem Gleichstrom-Ladegerät aus, das als Stromquelle über einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler funktioniert, ermöglicht.The present disclosure relates to an electrical system that enables charging of batteries from a DC charger functioning as a power source via a DC-to-DC converter.
Einführungintroduction
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC-Wandler) wandeln eine Gleichstromquelle von einem Spannungsniveau in ein anderes Spannungsniveau um. Beispielsweise können geschaltete Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler einen Gleichspannungspegel in einen anderen umwandeln, indem sie die Eingangsenergie vorübergehend speichern und dann die gespeicherte Energie an den Ausgang mit einer anderen Spannung abgeben.Direct current to direct current (DC-DC) converters convert a direct current source from one voltage level to another voltage level. For example, switched DC-to-DC converters can convert one DC voltage level to another by temporarily storing the input energy and then releasing the stored energy to the output at a different voltage.
Beschreibung der ErfindungDescription of the invention
Ein Beispiel für ein elektrisches System, das eine von einer Gleichstrom-Ladestation (DC-Ladestation) gelieferte Spannung erhöht, wird offenbart. Das elektrische System kann ein wiederaufladbares Energiespeichersystem (Engl.: Rechargeable Energy Storage System, RESS) und einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC) umfassen. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ist mit dem RESS verbunden und konfiguriert, sich mit einer Gleichstrom-Ladestation zu verbinden. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler ist konfiguriert, das RESS selektiv mit der Gleichstrom-Ladestation zu verbinden, so dass dem RESS während eines Aufladevorgangs selektiv ein Ladestrom bereitgestellt wird.An example of an electrical system that boosts a voltage provided by a direct current (DC) charging station is disclosed. The electrical system may include a Rechargeable Energy Storage System (RESS) and a DC-to-DC (DC-DC) converter. The DC-to-DC converter is connected to the RESS and configured to connect to a DC charging station. The DC-to-DC converter is configured to selectively connect the RESS to the DC charging station such that charging current is selectively provided to the RESS during a charging operation.
In anderen Merkmalen umfasst der DC-DC-Wandler einen ersten Schalter und einen zweiten Schalter.In other features, the DC-DC converter includes a first switch and a second switch.
In anderen Merkmalen umfassen der erste Schalter und der zweite Schalter einen spannungsgesteuerten Halbleiterschalter.In other features, the first switch and the second switch comprise a voltage-controlled semiconductor switch.
In anderen Merkmalen umfasst der spannungsgesteuerte Halbleiterschalter mindestens eines aus einem Bipolartransistor mit Silizium-isolierter Gate-Elektrode (Silizium-IGBT), einem Siliziumcarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Siliziumcarbid-MOSFET), einem Silizium-Superübergangs-MOSFET, einem Galliumnitrid-Feldeffekttransistor (GaN-FET), einem SiC-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SiC-JFET), einer Vorrichtung mit breitem Bandabstand (WBG-Vorrichtung), und einer Vorrichtung mit ultraweitem Bandabstand (UWBG-Vorrichtung).In other features, the semiconductor voltage-controlled switch comprises at least one of a silicon insulated gate bipolar transistor (silicon IGBT), a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (silicon carbide MOSFET), a silicon superjunction MOSFET, a gallium nitride field effect transistor (GaN-FET), a SiC Junction Field Effect Transistor (SiC-JFET), a wide bandgap (WBG) device, and an ultra wide bandgap (UWBG) device.
In anderen Merkmalen sind der erste Schalter und der zweite Schalter konfiguriert, in komplementären Betriebszuständen zu arbeiten.In other features, the first switch and the second switch are configured to operate in complementary operating states.
In anderen Merkmalen umfasst das elektrische System eine Steuerung, die betriebsmäßig mit dem DC-DC-Wandler verbunden und konfiguriert ist, den DC-DC-Wandler so zu betreiben, um das RESS basierend auf einem Gatesignal, das an den ersten Schalter und/oder den zweiten Schalter geliefert wird, selektiv mit der Gleichstrom-Ladestation zu verbinden.In other features, the electrical system includes a controller operatively connected to the DC-DC converter and configured to operate the DC-DC converter to switch the RESS based on a gate signal applied to the first switch and/or the second switch is provided to selectively connect to the DC charging station.
In anderen Merkmalen ist die Steuerung ferner konfiguriert, eine Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung mit einem vorbestimmten Spannungsschwellenwert zu vergleichen und den ersten Schalter selektiv zu betreiben, um eine von einem Vorladekondensator gespeicherte Spannung hochzufahren, wobei der Vorladekondensator unter Verwendung von durch das RESS bereitgestellter Energie geladen wird.In other features, the controller is further configured to compare an input DC-DC converter voltage to a predetermined voltage threshold and selectively operate the first switch to ramp up a voltage stored by a pre-charge capacitor, the pre-charge capacitor using RESS provided energy is charged.
Ein Beispiel für ein elektrisches System, das eine von einer Gleichstrom-Ladestation gelieferte Spannung erhöht, wird offenbart. Das elektrische System kann ein wiederaufladbares Energiespeichersystem (RESS) und einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC-Wandler) umfassen. Der DC-DC-Wandler ist mit dem RESS verbunden und konfiguriert, sich mit einer Gleichstrom-Ladestation zu verbinden. Der DC-DC-Wandler ist konfiguriert, das RESS selektiv mit der Gleichstrom-Ladestation zu verbinden, so dass dem RESS während eines Aufladevorgangs selektiv ein Ladestrom zugeführt wird.An example of an electrical system that boosts a voltage provided by a DC charging station is disclosed. The electrical system may include a rechargeable energy storage system (RESS) and a direct current-to-direct current (DC-DC) converter. The DC-DC converter is connected to the RESS and configured to connect to a DC charging station. The DC-DC converter is configured to selectively connect the RESS to the DC charging station such that charging current is selectively supplied to the RESS during a charging operation.
In anderen Merkmalen umfasst der DC-DC-Wandler einen ersten Schalter und einen zweiten Schalter.In other features, the DC-DC converter includes a first switch and a second switch.
In anderen Merkmalen umfassen der erste Schalter und der zweite Schalter einen spannungsgesteuerten Halbleiterschalter.In other features, the first switch and the second switch comprise a voltage-controlled semiconductor switch.
In anderen Merkmalen umfasst der spannungsgesteuerte Halbleiterschalter mindestens eines aus einem Bipolartransistor mit Silizium-isolierter Gate-Elektrode (Silizium-IGBT), einem Siliziumcarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Siliziumcarbid-MOSFET), einem Silizium-Superübergangs-MOSFET, einem Galliumnitrid-Feldeffekttransistor (GaN-FET), einem SiC-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SiC-JFET), einer Vorrichtung mit breitem Bandabstand (WBG-Vorrichtung), und einer Vorrichtung mit ultraweitem Bandabstand (UWBG-Vorrichtung).In other features, the semiconductor voltage-controlled switch comprises at least one of a silicon insulated gate bipolar transistor (silicon IGBT), a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (silicon carbide MOSFET), a silicon superjunction MOSFET, a gallium nitride field effect transistor (GaN-FET), a SiC Junction Field Effect Transistor (SiC-JFET), a wide bandgap (WBG) device, and an ultra wide bandgap (UWBG) device.
In anderen Merkmalen sind der erste Schalter und der zweite Schalter konfiguriert, in komplementären Betriebszuständen zu arbeiten.In other features, the first switch and the second switch are configured to operate in complementary operating states.
In anderen Merkmalen umfasst das elektrische System eine Steuerung, die betriebsmäßig mit dem DC-DC-Wandler verbunden und konfiguriert ist, den DC-DC-Wandler so zu betreiben, um das RESS basierend auf einem Gatesignal, das an den ersten Schalter und/oder den zweiten Schalter geliefert wird, selektiv mit der Gleichstrom-Ladestation zu verbinden.In other features, the electrical system includes a controller operatively connected to the DC-DC converter and configured to operate the DC-DC converter to switch the RESS based on a gate signal applied to the first switch and/or the second switch is provided to selectively connect to the DC charging station.
In anderen Merkmalen ist die Steuerung ferner konfiguriert, eine Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung mit einem vorbestimmten Spannungsschwellenwert zu vergleichen und den ersten Schalter selektiv zu betätigen, um eine von einem Vorladekondensator gespeicherte Spannung hochzufahren, wobei der Vorladekondensator unter Verwendung von durch das RESS bereitgestellter Energie geladen wird.In other features, the controller is further configured to compare an input DC-DC converter voltage to a predetermined voltage threshold and selectively actuate the first switch to ramp up a voltage stored by a pre-charge capacitor, wherein the pre-charge capacitor is charged using RESS provided energy is charged.
Es wird ein Verfahren offenbart, das das Vergleichen einer Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung (DC-DC) eines DC-DC-Wandlers mit einem vorbestimmten Spannungsschwellenwert und das selektive Betreiben eines ersten Schalters des DC-DC-Wandlers umfasst, um eine von einem Vorladekondensator gespeicherte Spannung hochzufahren, wobei der Vorladekondensator unter Verwendung von Energie geladen wird, die von einem wiederaufladbaren Energiespeichersystem (RESS) bereitgestellt wird. Das Verfahren umfasst auch das selektive Betreiben eines zweiten Schalters des DC-DC-Wandlers, um einen Ladestrom auf einen vorbestimmten Ladestromschwellenwert hochzufahren, so dass der Ladestrom das RESS wieder auflädt.A method is disclosed that includes comparing an input DC-DC converter (DC-DC) voltage of a DC-DC converter to a predetermined voltage threshold and selectively operating a first switch of the DC-DC converter to ramp up a voltage stored by a pre-charge capacitor, wherein the pre-charge capacitor is charged using energy provided by a rechargeable energy storage system (RESS). The method also includes selectively operating a second switch of the DC-DC converter to ramp up a charge current to a predetermined charge current threshold such that the charge current recharges the RESS.
In anderen Merkmalen wird der Ladestrom von einer Gleichstrom-Ladestation bereitgestellt.In other features, the charging current is provided by a DC charging station.
In anderen Merkmalen umfasst die Gleichstrom-Ladestation eine DC-Schnellladestation, die eine Leistung von etwa fünfzig Kilowatt (50 kW) bis etwa dreihundertfünfzig Kilowatt (350 kW) erbringen kann.In other features, the DC charging station includes a DC fast charging station capable of output from about fifty kilowatts (50 kW) to about three hundred and fifty kilowatts (350 kW).
In anderen Merkmalen umfassen der erste Schalter und der zweite Schalter einen spannungsgesteuerten Halbleiterschalter.In other features, the first switch and the second switch comprise a voltage-controlled semiconductor switch.
In anderen Merkmalen umfasst der spannungsgesteuerte Halbleiterschalter mindestens eines aus einem Bipolartransistor mit Silizium-isolierter Gate-Elektrode (Silizium-IGBT), einem Siliziumcarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Siliziumcarbid-MOSFET), einem Silizium-Superübergangs-MOSFET, einem Galliumnitrid-Feldeffekttransistor (GaN-FET), einem SiC-Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SiC-JFET), einer Vorrichtung mit breitem Bandabstand (WBG-Vorrichtung), und einer Vorrichtung mit ultraweitem Bandabstand (UWBG-Vorrichtung).In other features, the semiconductor voltage-controlled switch comprises at least one of a silicon insulated gate bipolar transistor (silicon IGBT), a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (silicon carbide MOSFET), a silicon superjunction MOSFET, a gallium nitride field effect transistor (GaN-FET), a SiC Junction Field Effect Transistor (SiC-JFET), a wide bandgap (WBG) device, and an ultra wide bandgap (UWBG) device.
In anderen Merkmalen sind der erste Schalter und der zweite Schalter konfiguriert, in komplementären Betriebszuständen zu arbeiten.In other features, the first switch and the second switch are configured to operate in complementary operating states.
Weitere Anwendungsbereiche werden sich aus der vorliegenden Beschreibung ergeben. Es sollte verstanden werden, dass die Beschreibung und die spezifischen Beispiele nur zur Veranschaulichung dienen und den Umfang der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken sollen.Further areas of application will emerge from the present description. It should be understood that the description and specific examples are intended for purposes of illustration only and are not intended to limit the scope of the present disclosure.
Figurenlistecharacter list
Die hierin beschriebenen Zeichnungen dienen nur der Veranschaulichung und sollen den Umfang der vorliegenden Offenbarung in keiner Weise einschränken.
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1 ist eine schematische Darstellung eines Beispiel-Kraftfahrzeugs, das an eine externe Gleichstrom-Ladestation angeschlossen ist; -
2 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften Gleichstrom-Ladeschaltung, d.h. eines elektrischen Systems, gemäß einer beispielhaften Implementierung; -
3 ist ein Schaltplan des Beispiels eines elektrischen Systems gemäß einer Beispielimplementierung; und -
4 ist ein Flussdiagramm, das einen beispielhaften Prozess zum Aufladen eines RESS eines Fahrzeugs über eine externe Stromquelle gemäß einer beispielhaften Implementierung zeigt.
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1 Figure 12 is a schematic representation of an example motor vehicle connected to an external DC charging station; -
2 12 is a block diagram of an example DC charging circuit, ie, an electrical system, according to an example implementation; -
3 Figure 12 is a circuit diagram of an example electrical system according to an example implementation; and -
4 12 is a flow chart depicting an example process for charging a RESS of a vehicle via an external power source, according to an example implementation.
Detaillierte BeschreibungDetailed description
Die folgende Beschreibung ist lediglich beispielhafter Natur und soll die vorliegende Offenbarung, Anwendung oder Verwendung nicht einschränken.The following description is merely exemplary in nature and is not intended to limit the present disclosure, application, or use.
Die DC-Ladeschaltung 10 kann als Teil des Kraftfahrzeugs 20 sowie anderer elektrischer Systeme wie stationärer oder mobiler Kraftwerksroboter oder Plattformen verwendet werden. Bei Fahrzeuganwendungen können auch Nicht-Kraftfahrzeuge wie Flugzeuge, Wasserfahrzeuge und Schienenfahrzeuge von ähnlichen Vorteilen profitieren. Die DC-Ladeschaltung 10 kann als Teil eines Antriebsstrangs eines mobilen Systems, wie dem beispielhaften Fahrzeug 20, verwendet werden. Zur Veranschaulichung wird im Folgenden eine Anwendung der DC-Ladeschaltung 10 als integraler Bestandteil des Fahrzeugs 20 in einem Kraftfahrzeugkontext beschrieben, ohne die vorliegende Offenbarung auf eine solche Implementierung zu beschränken.The
Das Fahrzeug 20 von
Die DC-Ladeschaltung 10 umfasst auch einen Gate-Treiber 110 und einen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler (DC-DC-Wandler) 115. Die Steuerung 105 ist mit dem Gate-Treiber 110 und dem DC-DC-Wandler 115 betriebsmäßig verbunden. Basierend auf den von der Steuerung 105 ausgegebenen Steuersignalen steuert der Gate-Treiber 110 einen oder mehrere Schalter innerhalb des DC-DC-Wandlers 115, wie unten in Bezug auf
Wie dargestellt, umfasst die DC-Ladeschaltung 10 auch ein bordeigenes wiederaufladbares Energiespeichersystem (RESS) 120, das für die Speicherung von elektrischer Hochspannungsenergie ausgelegt ist, die für den Antrieb eines Fahrzeugs mit Elektroantrieb verwendet wird, wie z.B. des Fahrzeugs 20 von
Bei dem RESS 120 kann es sich um ein Deep-Cycle-Batteriesystem mit hoher Amperekapazität handeln, das für etwa vierhundert (400) bis etwa achthundert (800) Volt Gleichstrom (VDC) oder mehr ausgelegt ist, beispielsweise in Abhängigkeit von der gewünschten Fahrzeugreichweite, dem Gesamtgewicht des Fahrzeugs und den Leistungswerten der verschiedenen Verbraucher, die in verschiedenen Implementierungen elektrischen Strom aus dem RESS 120 beziehen. Es versteht sich jedoch, dass die RESS 120 auch für andere Spannungen ausgelegt sein kann. Das RESS 120 kann eines oder mehrere unabhängig voneinander wiederaufladbare Hochspannungsbatteriepakete enthalten.The
Wenn die Gleichstrom-Ladestation 30 mit dem Fahrzeug 20 verbunden ist, z.B. das Ladekabel 15 der Gleichstrom-Ladestation 30 an den Ladeanschluss 11 des Fahrzeugs 20 angeschlossen ist, liefert die Gleichstrom-Ladestation 30 elektrische Energie an den DC-DC-Wandler 115, um das RESS 120 aufzuladen.When the
Wie in
Die DC-Ladeschaltung 10 kann auch einen Vorladekondensator 230 und einen Entladewiderstand 235 enthalten, die parallel geschaltet sind. Der Vorladekondensator 230 und der Entladewiderstand 235 sind zwischen dem positiven Anschluss 240 und dem negativen Anschluss 245 angeschlossen.The
Die DC-Ladeschaltung 10 umfasst auch eine Induktivität 250 zwischen Knoten 255 und Knoten 260. Der Knoten 255 umfasst einen elektrischen Knoten, an den die positiven Anschlüsse des Vorladekondensators 230 und des Entladewiderstands 235 angeschlossen sind. Der Knoten 260 umfasst einen elektrischen Knoten, der als Eingang zu den Schaltern 205, 210 dienen kann. Je nach Betrieb der DC-Ladeschaltung 10 kann beispielsweise elektrische Energie über die Induktivität 250 zu einem der Schalter 205, 210 geleitet werden. Die DC-Ladeschaltung 10 kann auch einen Ausgangskondensator 265 enthalten. Der Vorladekondensator 230, der Entladewiderstand 235, die Induktivität 250 und der Ausgangskondensator 265 können alle geeigneten Werte gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweisen.
Wenn die Gleichstrom-Ladestation 30 an die DC-Ladeschaltung 10 angeschlossen ist, fungiert die Gleichstrom-Ladestation 30 als Stromquelle für den DC-DC-Wandler 115. Wie hierin ausführlicher beschrieben, kann ein Boost-Modus-Technik verwendet werden, um dem RESS 120 ausreichend elektrische Energie für Ladezwecke zuzuführen. Die Boost-Modus-Technik kann zum Beispiel verwendet werden, um einen Innenwiderstand 270 und eine innere Induktivität 275 zu berücksichtigen, die dem RESS 120 zugeordnet sind.When the
In Block 410 wird festgestellt, ob eine Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung größer oder gleich wie ein vorgegebener Spannungsschwellenwert ist. Die Steuerung 105 kann mit Hilfe eines oder mehrerer Sensoren (nicht dargestellt), die in der Gleichstrom-Ladeschaltung 10 eingesetzt werden, feststellen, ob die Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung größer oder gleich dem vorgegebenen Spannungsschwellenwert ist. Bei dem einen oder den mehreren Sensoren kann es sich beispielsweise um Spannungssensoren handeln, die einen Spannungswert an einem oder mehreren Knotenpunkten innerhalb der DC-Ladeschaltung 10 ermitteln. In einigen Ausführungsformen kann die Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung die von dem Vorladekondensator 230 gespeicherte Spannung umfassen.In
Falls die Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung unter dem vorgegebenen Spannungsschwellenwert liegt, veranlasst die Steuerung 105 in Block 415 den Gate-Treiber 110, Steuersignale zu erzeugen, die den Betrieb des Schalters 205 steuern. Beispielsweise kann der Gate-Treiber 110 Steuersignale übertragen, so dass ein Tiefsetzmodus-Tastverhältnis an das Gate 215 angelegt wird, wodurch der DC-DC-Wandler 115 in einem Tiefsetzmodus betrieben wird, der bewirkt, dass die vom Vorladekondensator 230 gespeicherte Spannung auf den vorbestimmten Spannungsschwellenwert ansteigt. Während des Tiefsetz-Betriebsmodus wird der Vorladekondensator 230 über die von der RESS 120 gelieferte Energie auf dem vorgegebenen Spannungsschwellenwert geladen.If the input DC-DC converter voltage is below the predetermined voltage threshold, in
Wenn die Eingangs-DC-DC-Wandler-Spannung größer oder gleich dem vorbestimmten Spannungsschwellenwert ist, veranlasst die Steuerung 105 in Block 420 den Gate-Treiber 110, Steuersignale an die Schalter 205, 210 gemäß einem Boost-Modus-Tastverhältnis auszugeben, um einen Ladestrom auf einen vorbestimmten Ladestromschwellenwert hochzufahren. In einer Beispielimplementierung kann der vorbestimmte Ladestromschwellenwert etwa einhundertfünfundzwanzig Ampere (125 A) betragen. Es versteht sich jedoch, dass andere vorbestimmte Ladestromschwellenwerte auf der Grundlage eines Aufladevorgangs ausgewählt werden können. In verschiedenen Implementierungen wird der Schalter 210 (sowie der Schalter 205 aufgrund der komplementären Natur der Schalter 205, 210) des DC-DC-Wandlers 115 über die an das Gate 220 angelegten Steuersignale gesteuert, um einen Ladestrom zu steuern, der dem RESS 120 zugeführt wird. Das Boost-Modus-Tastverhältnis kann eine Amplitude des Ladestroms so steuern, dass der Ladestrom bis zu dem vorgegebenen Ladestromschwellenwert ansteigt. Der Ladestrom kann von der Gleichstrom-Ladestation 30 über den Schalter 205 an das RESS 120 geliefert werden. In einigen Fällen veranlasst die Steuerung 105 den Gate-Treiber 110, Steuersignale mit einer Totzeit zwischen den komplementären Signalen auszugeben, die an die Gates von 215 und 220 angelegt werden, um das Durchschießen des Stroms über die Schalter 205 und 210 abzuschwächen.If the input DC-DC converter voltage is greater than or equal to the predetermined voltage threshold, in
In Block 425 wird festgestellt, ob der Ladevorgang abgeschlossen ist. Die Steuerung 105 kann zum Beispiel eine von der RESS 120 gespeicherte Spannung mit einem RESS-Spannungsschwellenwert vergleichen. Wenn die von der RESS 120 gespeicherte Spannung größer oder gleich dem RESS-Spannungsschwellenwert ist, ist der Ladevorgang abgeschlossen. Wenn der Ladevorgang nicht abgeschlossen ist, kehrt das Verfahren 400 zu Block 420 zurück.
Andernfalls veranlasst die Steuerung 105, dass der Ladestrom heruntergefahren wird, indem es den Schalter 210 im Block 430 in den offenen Zustand versetzt. In Block 435 veranlasst die Steuerung 105, dass beide Schalter 205, 210 in den offenen Zustand übergehen, und die im Vorladekondensator 230 gespeicherte Spannung wird über den Entladewiderstand 235 entladen. Das Verfahren 400 endet dann in Block 440.Otherwise,
Die Beschreibung der vorliegenden Offenbarung ist lediglich beispielhafter Natur, und Variationen, die nicht vom Kern der vorliegenden Offenbarung abweichen, sollen in den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung fallen. Solche Variationen sind nicht als Abweichung von Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung zu betrachten.The description of the present disclosure is merely exemplary in nature and variations that do not depart from the gist of the present disclosure are intended to be within the scope of the present disclosure. Such variations are not to be regarded as a departure from the spirit and scope of the present disclosure.
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2022
- 2022-08-05 DE DE102022119740.9A patent/DE102022119740A1/en active Pending
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