DE102021214289A1 - Method for driving a circuit arrangement for power semiconductors - Google Patents

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Abstract

Vorgeschlagen wird Verfahren zur Ansteuerung einer Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiter eines Inverters mit mindestens einer Phase, aufweisend jeweils einen Highside Schalter und einen Lowside Schalter, von denen jeder mindestens einen Transistor aufweist, wobei einer der Schalter aktiv und der andere passiv ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine zeitweise Anhebung der Gatespannung des passiven Schalters während des Ausschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt, oder ein zeitweises Absenken der Gatespannung des passiven Schalters während des Einschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt.A method is proposed for driving a circuit arrangement for power semiconductors of an inverter with at least one phase, each having a high-side switch and a low-side switch, each of which has at least one transistor, one of the switches being active and the other being passive, characterized in that a the gate voltage of the passive switch is temporarily increased by a predetermined amount during the switch-off process, or the gate voltage of the passive switch is temporarily lowered by a predetermined amount during the switch-on process.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Elektromobilität, insbesondere der Elektronikmodule für einen Elektroantrieb.The present invention relates to the field of electric mobility, in particular electronic modules for an electric drive.

Die Verwendung von Elektronikmodulen, etwa Leistungselektronikmodulen, bei Kraftfahrzeugen hat in den vergangenen Jahrzehnten stark zugenommen. Dies ist einerseits auf die Notwendigkeit, die Kraftstoffeinsparung und die Fahrzeugleistung zu verbessern, und andererseits auf die Fortschritte in der Halbleitertechnologie zurückzuführen. Hauptbestandteil eines solchen Elektronikmoduls ist ein DC/AC-Wechselrichter (Inverter), der dazu dient, elektrische Maschinen wie Elektromotoren oder Generatoren mit einem mehrphasigen Wechselstrom (AC) zu bestromen. Dabei wird ein aus einem mittels einer DC-Energiequelle, etwa einer Batterie, erzeugter Gleichstrom in einen mehrphasigen Wechselstrom umgewandelt. Zu diesem Zweck umfassen die Inverter eine Vielzahl von Elektronikbauteilen, mit denen Brückenschaltungen (etwa Halbbrücken) realisiert werden, beispielsweise Halbleiterleistungsschalter, die auch als Leistungshalbleiter bezeichnet werden.The use of electronic modules, such as power electronic modules, in motor vehicles has increased significantly in recent decades. This is due on the one hand to the need to improve fuel economy and vehicle performance and on the other hand to advances in semiconductor technology. The main component of such an electronic module is a DC/AC converter (inverter), which is used to power electrical machines such as electric motors or generators with a multi-phase alternating current (AC). In this case, a direct current generated from a DC energy source such as a battery is converted into a multi-phase alternating current. For this purpose, the inverters include a large number of electronic components with which bridge circuits (such as half-bridges) are implemented, for example semiconductor power switches, which are also referred to as power semiconductors.

In aktuellen Traktionsumrichtern erfolgt die Beschaltung des Gates von Halbleitern zwischen zwei Spannungspegeln. Das Einstellen der Schaltgeschwindigkeit erfolgt mit Hilfe des Gatewiderstands. Bei schnellen Schaltvorgängen kann ein sogenannter Parasitic turn-off auftreten. Auch kann beim Einschalten ein sogenannter Parasitic turn-on auftreten. Beide Effekte sind unerwünscht, so dass zur Vermeidung dieser Effekte die Schaltgeschwindigkeit begrenzt werden muss.In current traction converters, the gates of semiconductors are connected between two voltage levels. The switching speed is set using the gate resistance. A so-called parasitic turn-off can occur during fast switching processes. A so-called parasitic turn-on can also occur when switching on. Both effects are undesirable, so that the switching speed must be limited in order to avoid these effects.

Somit liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zur Ansteuerung einer Schaltungsanordnung bereitzustellen, durch welches eine höhere Schaltgeschwindigkeit erreichbar ist.The invention is therefore based on the object of providing a method for driving a circuit arrangement, by means of which a higher switching speed can be achieved.

Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. This object is solved by the features of the independent claims. Advantageous configurations are the subject matter of the dependent claims.

Vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Ansteuerung einer Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiter eines Inverters mit mindestens einer Phase, aufweisend jeweils einen Highside Schalter und einen Lowside Schalter, von denen jeder mindestens einen Transistor aufweist, wobei einer der Schalter aktiv und der andere passiv ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine zeitweise Anhebung der Gatespannung des passiven Schalters während des Ausschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt, oder ein zeitweises Absenken der Gatespannung des passiven Schalters während des Einschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt.A method is proposed for driving a circuit arrangement for power semiconductors of an inverter with at least one phase, each having a high-side switch and a low-side switch, each of which has at least one transistor, one of the switches being active and the other being passive, characterized in that the gate voltage of the passive switch is temporarily increased by a predetermined amount during the switch-off process, or the gate voltage of the passive switch is temporarily lowered by a predetermined amount during the switch-on process.

Durch das zeitweise Absenken bzw. Anheben der Gatespannung sind höhere Schaltgeschwindigkeiten möglich, ohne dass es zu einem Parasitic turn-off bzw. Parasitic turn-on kommt.By temporarily lowering or raising the gate voltage, higher switching speeds are possible without a parasitic turn-off or parasitic turn-on occurring.

In einer Ausführung erfolgt die Anhebung der Gatespannung bei oder kurz vor Beginn des Ausschaltvorgangs, wobei mit Ende des Ausschaltvorgangs wieder auf den ursprünglichen Wert abgesenkt wird.In one embodiment, the gate voltage is raised at or shortly before the start of the turn-off process, with it being lowered back to the original value at the end of the turn-off process.

In einer Ausführung wird die Gatespannung maximal bis zur Schwellenspannung des Transistors angehoben.In one embodiment, the gate voltage is raised to a maximum of the threshold voltage of the transistor.

In einer Ausführung liegt die Gatespannung bei 0V und wird nur im Einschaltmoment zu negativen Werten abgesenkt.In one version, the gate voltage is 0V and is only lowered to negative values when the device is switched on.

Ferner wird eine Schaltungsanordnung, aufweisend mindestens einen Highside Schalter und einen Lowside Schalter mit jeweils mindestens einem Transistor vorgeschlagen, die Teil eines Inverters eines Elektronikmoduls zur Ansteuerung des Elektroantriebs eines mit einem elektrischen Antrieb ausgestatteten Fahrzeugs ist und durch das beschriebene Verfahren angesteuert wird.Furthermore, a circuit arrangement is proposed, having at least one high-side switch and one low-side switch, each with at least one transistor, which is part of an inverter of an electronic module for controlling the electric drive of a vehicle equipped with an electric drive and is controlled by the method described.

Ferner wird ein Elektroantrieb eines Fahrzeugs bereitgestellt, aufweisend ein Elektronikmodul zur Ansteuerung des Elektroantriebs, das einen Inverter mit der beschriebenen Schaltungsanordnung aufweist.Furthermore, an electric drive of a vehicle is provided, having an electronic module for controlling the electric drive, which has an inverter with the circuit arrangement described.

Ferner wird eine Steuereinrichtung bereitgestellt, die dazu eingerichtet ist, eine Schaltungsanordnung, aufweisend mindestens einen Highside Schalter und einen Lowside Schalter mit jeweils mindestens einem Transistor durch das beschriebene Verfahren anzusteuern.Furthermore, a control device is provided, which is set up to drive a circuit arrangement having at least one high-side switch and one low-side switch, each with at least one transistor, using the method described.

Außerdem wird ein Fahrzeug mit dem Elektroantrieb bereitgestellt. Das Fahrzeug kann ferner zusätzlich eine Steuereinrichtung aufweisen.A vehicle with the electric drive is also provided. The vehicle can also additionally have a control device.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungsgemäße Einzelheiten zeigt, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.Further features and advantages of the invention result from the following description of exemplary embodiments of the invention, with reference to the figures of the drawing, which show details according to the invention, and from the claims. The individual features can each be realized individually or together in any combination in a variant of the invention.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

  • 1 zeigt einen prinzipiellen Aufbau einer durch das vorgeschlagene Verfahren anzusteuernden Schaltungsanordnung gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt einen beispielhaften Zeitverlauf eines Parasitic turn-off.
  • 3 zeigt beispielhaft die Anhebung der Gatespannung während eines Ausschaltvorgangs gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung.
Preferred embodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the attached drawing.
  • 1 shows a basic structure of a circuit arrangement to be controlled by the proposed method according to an embodiment of the present invention.
  • 2 shows an example of a parasitic turn-off over time.
  • 3 FIG. 12 shows an example of increasing the gate voltage during a turn-off process according to an embodiment of the present invention.

In den nachfolgenden Figurenbeschreibungen sind gleiche Elemente bzw. Funktionen mit gleichen Bezugszeichen versehen.In the following descriptions of the figures, the same elements or functions are provided with the same reference symbols.

Wie bereits eingangs erwähnt, ist es ein Ziel dieser Erfindung, schnellere Schaltvorgänge (Einschalten und Ausschalten) von Schaltungsanordnungen für Leistungshalbleiter eines Inverters mit mindestens einer Phase bereitzustellen. Solche Schaltungsanordnungen werden bevorzugt in Invertern, insbesondere Traktionsinvertern, im Automobilbereich eingesetzt und weisen jeweils einen Highside HS Schalter und einen Lowside LS Schalter auf. In diesen Schaltungsanordnungen kann immer nur einer der Schalter HS oder LS aktiv sein, der andere ist passiv. Beide Schalter HS und LS weisen jeweils mindestens einen Transistor auf, z.B. einen MOSFET oder einen IGBT, wobei die Schalter HS, LS nicht unbedingt dieselbe Art an Transistor aufweisen müssen.As already mentioned at the outset, it is an object of this invention to provide faster switching operations (switching on and off) of circuit arrangements for power semiconductors of an inverter with at least one phase. Such circuit arrangements are preferably used in inverters, in particular traction inverters, in the automotive sector and each have a high-side HS switch and a low-side LS switch. In these circuit arrangements, only one of the switches HS or LS can be active, the other is passive. Both switches HS and LS each have at least one transistor, for example a MOSFET or an IGBT, the switches HS, LS not necessarily having to have the same type of transistor.

Ausgangspunkt der Erfindung ist das aktive Ausschalten eines Schalters, in 1 beispielhaft am Lowside LS Schalter dargestellt. Durch Anlegen einer negativen Steuerspannung am Lowside LS Schalter ergibt sich ein Stromfluss aus dem Gate heraus (Gatewiderstand ist aus Übersichtlichkeitsgründen weggelassen) und eine Entladung der Gate-Source Kapazität CGS. Die Gatespannung kommutiert vom positiven zum negativen Wert (dargestellt durch den gestrichelten Pfeil). Basierend auf der Transkonduktanz kommutiert die Spannung von der Highside HS auf die Lowside LS. Dabei werden die Kapazitäten CGD und CDS der Lowside LS geladen. Gleichzeitig erfolgt eine Entladung dieser Kapazitäten auf der Highside HS. Der zur Umladung der Millerkapazität benötigte Strom wird von der Spannungsquelle der Highside HS bereitgestellt. Da hier jedoch ein stark dynamischer Strom nötig ist, kommt es vor allem bei schnellen Schaltflanken zu einer weiteren Entladung der Gate-Source Kapazität CGS am Highside HS Schalter. Der durch den Pfeil aus der Gate-Source Kapazität CGS angedeutete Strom sorgt für eine niedrigere Spannung an der Highside HS als die angelegten z.B. -4V (uGS). Dieser Effekt wird als Parasitic Turn-Off bezeichnet.The starting point of the invention is the active switching off of a switch in 1 shown as an example on the lowside LS switch. Applying a negative control voltage to the low-side LS switch results in a current flow out of the gate (gate resistance is omitted for reasons of clarity) and a discharge of the gate-source capacitance C GS . The gate voltage commutes from positive to negative (represented by the dashed arrow). Based on the transconductance, the voltage commutes from the highside HS to the lowside LS. The capacitances C GD and C DS of the lowside LS are loaded. At the same time, these capacities are discharged on the highside HS. The current required to charge the Miller capacitance is provided by the voltage source of the Highside HS. However, since a highly dynamic current is required here, the gate-source capacitance C GS at the high-side HS switch is discharged further, particularly in the case of fast switching edges. The current indicated by the arrow from the gate-source capacitance C GS ensures a lower voltage on the high side HS than the applied eg -4V (u GS ). This effect is called Parasitic Turn-Off.

In 2 ist dies während eines Schaltvorgangs dargestellt. Im oberen Plot ist die Drain-Source Spannung von Highside (uGate,HS) und Lowside (uGate,LS) über die Zeit in Sekunden (t in s) dargestellt, sowie der abzuschaltende Strom der Lowside (iLS). Im unteren Teil sind die Gatespannungen u_Gate (genauer uGate,LS, uGate,HS) der beiden Schalter HS, LS dargestellt, wobei der Highside HS Schalter in dieser Ausführung eine Gatespannung von -4V aufweist. Es können selbstverständlich auch andere Gatespannungen u_Gate vorkommen, je nach Bauteil und Ausführung.In 2 this is shown during a switching process. The top plot shows the drain-source voltage of the high side (u gate, HS ) and low side (u gate, LS ) over time in seconds (t in s), as well as the low side current to be switched off (i LS ). The lower part shows the gate voltages u_Gate (more precisely u Gate,LS , u Gate,HS ) of the two switches HS, LS, with the high-side HS switch having a gate voltage of -4V in this embodiment. Of course, other gate voltages u_Gate can also occur, depending on the component and design.

Mit Abgabe der Drain-Source Spannung im Highside HS Schalter ist eine Verschiebung der Gatespannung u_Gate zu niedrigeren Gatespannungen u_Gate zu sehen. Diese erreicht in diesem Fall bis zu -7V (unterer Plot, mit einem Kreis markiert). Mit noch höheren Schaltgeschwindigkeiten kann die Spannung weiter abgesenkt werden und die maximale negative Gatespannung u_Gate des Transistors T laut Datenblatt überschreiten. Dabei kann es zu einer Schädigung des Gateoxids kommen. Die Schaltgeschwindigkeit ist damit nicht mehr allein durch die Überspannung des Schalters HS bzw. LS begrenzt, sondern auch durch den negativen Gate-Unterschwinger während des Ausschaltens.When the drain-source voltage is released in the high-side HS switch, a shift in the gate voltage u_Gate to lower gate voltages u_Gate can be seen. In this case, it reaches up to -7V (lower plot, marked with a circle). With even higher switching speeds, the voltage can be lowered further and the maximum negative gate voltage u_Gate of the transistor T according to the data sheet can be exceeded. This can damage the gate oxide. The switching speed is therefore no longer limited solely by the overvoltage of the switch HS or LS, but also by the negative gate undershoot during turn-off.

Zur Lösung des Problems wird eine zeitweise Anhebung der Gatespannung u_Gate des passiven Schalters (in dieser Ausführung des HS Schalters) während des Ausschaltvorgangs vorgeschlagen. Bevor die Gatespannung uLS des aktiven Schalters (in dieser Ausführung des LS Schalters) abfällt, erfolgt eine Anhebung der Gatespannung uGate,HS des passiven Schalters HS. Im in 3 dargestellten Beispiel (dieselbe Ausführung wie in 2 nur mit eingezeichneter Anhebung der Gatespannung uGate,HS der Highside HS) wird die Gatespannung der Highside HS um 4V auf 0V angehoben (durch die gestrichelte Linie im unteren Plot und den Pfeil angedeutet). Die maximale negative Gatespannung der Highside HS uGate,HS liegt dadurch in dieser Ausführung nicht mehr bei -7V sondern nur noch bei -3V. Dies erlaubt eine weitere Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit.To solve the problem, a temporary increase in the gate voltage u_Gate of the passive switch (in this version of the HS switch) during the turn-off process is proposed. Before the gate voltage u LS of the active switch (in this embodiment of the LS switch) drops, the gate voltage u Gate,HS of the passive switch HS is increased. in 3 shown example (same execution as in 2 the gate voltage of the highside HS is only increased by 4V to 0V (indicated by the dashed line in the lower plot and the arrow) if the gate voltage u Gate,HS of the highside HS is increased. The maximum negative gate voltage of the highside HS u Gate,HS is no longer -7V in this version, but only -3V. This allows a further increase in switching speed.

Da die dynamische Spannungsverschiebung zu negativeren Werten erfolgt, liegt auch kein Risiko von parasitärem Einschalten vor. Nachdem der Ausschaltvorgang abgeschlossen ist, wird die Gatespannung uGate,HS wieder auf den ursprünglichen Wert abgesenkt.Since the dynamic voltage shift is to more negative values, there is also no risk of parasitic turn-on. After the turn-off process is complete, the gate voltage u Gate,HS is lowered back to the original value.

Die Anhebung der Gatespannung u_Gate erfolgt dabei vorteilhafterweise nur während des Ausschaltvorgangs. Das heißt, dass die Gatespannung u_Gate also bei oder kurz vor Beginn (der Beginn des Ausschaltvorgangs ist bekannt) angehoben wird und nach Beenden des Ausschaltvorgangs wieder abgesenkt wird. Das heißt, sobald eine Spannungsflanke vom aktiven Schalter LS eingeprägt wird, muss die Gatespannung u_Gate am passiven Schalter HS (hier uGate,HS) erhöht werden. Nach Beenden des Schaltvorgangs, also frühestens, wenn die Spannung kommutiert hat, wird die Gatespannung u_Gate wieder abgesenkt.In this case, the gate voltage u_Gate is advantageously raised only during the switch-off process. This means that the gate voltage u_Gate is raised at or shortly before the start (the start of the turn-off process is known) and after the end of the turn-off process is lowered again. This means that as soon as a voltage edge is impressed by the active switch LS, the gate voltage u_Gate at the passive switch HS (here u Gate,HS ) must be increased. After the switching process has ended, ie at the earliest when the voltage has commutated, the gate voltage u_Gate is lowered again.

Die Gatespannung u_Gate kann je nach Arbeitspunkt bis zur Schwellenspannung (Thresholdspannung) des Transistors T angehoben werden.Depending on the operating point, the gate voltage u_gate can be raised up to the threshold voltage (threshold voltage) of the transistor T.

Eine Alternative zum Absenken der Gatespannung u_Gate im Ausschaltvorgang kann das Absenken der Gatespannung u_Gate (nur) im Einschaltvorgang sein. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die (negative) Gatespannung bei 0V liegt und im Einschaltvorgang auf z.B. -4V abgesenkt wird.An alternative to lowering the gate voltage u_Gate in the turn-off process can be to lower the gate voltage u_Gate (only) in the turn-on process. This is particularly advantageous if the (negative) gate voltage is 0V and is lowered to e.g. -4V during the switch-on process.

Vorteilhaft ist bei der Wahl einer höheren Gatespannung u_Gate von 0V, also der Spannung, auf welche die Gatespannung u_Gate während des Ausschaltens bzw. Einschaltens angehoben wird, dass keine zusätzliche Spannungserzeugung nötig ist.When choosing a higher gate voltage u_Gate of 0V, ie the voltage to which the gate voltage u_Gate is raised during switching off or on, it is advantageous that no additional voltage generation is necessary.

Um einen Parasitic turn-on während eines Einschaltvorgangs zu verhindern, kann ein Absenken der Gatespannung u_Gate des passiven Schalters vorgesehen sein.In order to prevent a parasitic turn-on during a switch-on process, the gate voltage u_Gate of the passive switch can be lowered.

Die Erfindung wurde anhand eines Beispiels dargestellt, bei dem der HS Schalter als passiver Schalter und der LS Schalter als aktiver Schalter dienen. Es erfolgt also ein Absenken der Gatespannung uGate,HS des Highside HS Schalters. Selbstverständlich kann das Verfahren auch im umgekehrten Fall angewendet werden.The invention was illustrated using an example in which the HS switch is used as a passive switch and the LS switch is used as an active switch. The gate voltage u Gate,HS of the high-side HS switch is therefore lowered. Of course, the method can also be used in the opposite case.

Das vorgeschlagene Ansteuerverfahren, also das Anheben der Gatespannung im (Aus-)Schaltzeitpunkt (bzw. das Absenken im Einschaltzeitpunkt), ermöglicht schnellere Schaltflanken und damit mehr Effizienz für zukünftige Inverter-Topologien. Durch das vorgeschlagene Ansteuerverfahren einer in einem Inverter verwendeten Schaltungsanordnung lässt sich ein hocheffizienter Inverter, der z.B. als Antriebsumrichter bzw. Traktionsumrichter verwendet wird, erreichen. Die Schaltungsanordnung, für die das Verfahren zur Ansteuerung vorgeschlagen wird, kann in einem Inverter eines Elektronikmoduls zur Ansteuerung des Elektroantriebs eines mit einem elektrischen Antrieb ausgestatteten Fahrzeugs verwendet werden. Auch können elektrifizierte Achsen durch den Elektroantrieb angetrieben werden.The proposed control method, i.e. raising the gate voltage at the (off) switching time (or lowering it at the on-time), enables faster switching edges and thus more efficiency for future inverter topologies. The proposed control method for a circuit arrangement used in an inverter makes it possible to achieve a highly efficient inverter, which is used, for example, as a drive converter or traction converter. The circuit arrangement for which the control method is proposed can be used in an inverter of an electronic module for controlling the electric drive of a vehicle equipped with an electric drive. Electrified axles can also be driven by the electric drive.

Ein Elektronikmodul im Rahmen dieser Erfindung dient zum Betreiben eines Elektroantriebs eines Fahrzeugs, insbesondere eines Elektrofahrzeugs und/oder eines Hybridfahrzeugs, und/oder elektrifizierten Achsen. Das Elektronikmodul umfasst einen DC/AC-Wechselrichter (Engl.: Inverter). Es kann außerdem einen AC/DC-Gleichrichter (Engl.: Rectifier), einen DC/DC-Wandler (Engl.: DC/DC Converter), Transformator (Engl.: Transformer) und/oder einen anderen elektrischen Wandler oder ein Teil eines solchen Wandlers umfassen oder ein Teil hiervon sein. Insbesondere dient das Elektronikmodul zum Bestromen einer E-Maschine, beispielsweise eines Elektromotors und/oder eines Generators. Ein DC/AC-Wechselrichter dient vorzugsweise dazu, aus einem mittels einer DC-Spannung einer Energiequelle, etwa einer Batterie, erzeugten Gleichstrom einen mehrphasigen Wechselstrom zu erzeugen.An electronic module within the scope of this invention serves to operate an electric drive of a vehicle, in particular an electric vehicle and/or a hybrid vehicle, and/or electrified axles. The electronics module includes a DC/AC inverter. It may also be an AC/DC rectifier, DC/DC converter, transformer and/or other electrical converter or part of a include or be part of such transducer. In particular, the electronics module serves to energize an electric machine, for example an electric motor and/or a generator. A DC/AC inverter is preferably used to generate a multi-phase alternating current from a direct current generated by means of a DC voltage from an energy source, such as a battery.

BezugszeichenlisteReference List

HS, LSHS, LS
Highside, LowsideHigh side, low side
TT
Transistortransistor

Claims (9)

Verfahren zur Ansteuerung einer Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiter eines Inverters mit mindestens einer Phase, aufweisend jeweils einen Highside (HS) Schalter und einen Lowside (LS) Schalter, von denen jeder mindestens einen Transistor (T) aufweist, wobei einer der Schalter (HS; LS) aktiv und der andere passiv ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine zeitweise Anhebung der Gatespannung (u_Gate) des passiven Schalters (HS; LS) während des Ausschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt, oder ein zeitweises Absenken der Gatespannung (u_Gate) des passiven Schalters (HS; LS) während des Einschaltvorgangs um einen vorgegebenen Betrag erfolgt.Method for driving a circuit arrangement for power semiconductors of an inverter with at least one phase, each having a high-side (HS) switch and a low-side (LS) switch, each of which has at least one transistor (T), wherein one of the switches (HS; LS) is active and the other is passive, characterized in that the gate voltage (u_Gate) of the passive switch (HS; LS) is temporarily increased by a predetermined amount during the switch-off process, or the gate voltage (u_Gate) of the passive switch (HS ; LS) during the switch-on process by a predetermined amount. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Anhebung der Gatespannung (u_Gate) bei oder kurz vor Beginn des Ausschaltvorgangs erfolgt und die Gatespannung (u_Gate) mit Ende des Ausschaltvorgangs wieder auf den ursprünglichen Wert abgesenkt wird.procedure after claim 1 , the gate voltage (u_Gate) being raised at or shortly before the start of the turn-off process and the gate voltage (u_Gate) being lowered back to the original value at the end of the turn-off process. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Gatespannung (u_Gate) maximal bis zur Schwellenspannung des Transistors (T) angehoben wird.procedure after claim 1 or 2 , whereby the gate voltage (u_Gate) is raised to a maximum of the threshold voltage of the transistor (T). Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Gatespannung (u_Gate) bei 0V liegt und nur im Einschaltmoment zu negativen Werten abgesenkt wird.procedure after claim 1 , 2 or 3 , whereby the gate voltage (u_Gate) is 0V and is only lowered to negative values when the device is switched on. Schaltungsanordnung, aufweisend mindestens einen Highside (HS) Schalter und einen Lowside (LS) Schalter mit jeweils mindestens einem Transistor (T), wobei die Schaltungsanordnung Teil eines Inverters eines Elektronikmoduls zur Ansteuerung des Elektroantriebs eines mit einem elektrischen Antrieb ausgestatteten Fahrzeugs ist und durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 angesteuert wird.Circuit arrangement, having at least one high-side (HS) switch and one low-side (LS) switch, each with at least one transistor (T), the circuit arrangement being part of an inverter of an electronic module for driving tion of the electric drive of a vehicle equipped with an electric drive and by the method according to one of Claims 1 until 4 is controlled. Elektroantrieb eines Fahrzeugs, aufweisend ein Elektronikmodul zur Ansteuerung des Elektroantriebs, das einen Inverter mit einer Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 aufweist.Electric drive of a vehicle, having an electronic module for controlling the electric drive, which has an inverter with a circuit arrangement claim 5 having. Steuereinrichtung, die dazu eingerichtet ist, eine Schaltungsanordnung, aufweisend mindestens einen Highside (HS) Schalter und einen Lowside (LS) Schalter mit jeweils mindestens einem Transistor (T) durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 anzusteuern.Control device which is set up to a circuit arrangement, having at least one high-side (HS) switch and a low-side (LS) switch, each with at least one transistor (T) by the method according to one of Claims 1 until 4 head for. Fahrzeug, aufweisend einen Elektroantrieb nach Anspruch 6.Vehicle having an electric drive claim 6 . Fahrzeug nach Anspruch 8, zusätzlich aufweisend eine Steuereinrichtung nach Anspruch 7.vehicle after claim 8 , additionally having a control device claim 7 .
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