DE102020201482B4

DE102020201482B4 - Apparatus and method for repairing a defect in an optical component for the extreme ultraviolet wavelength range

Info

Publication number: DE102020201482B4
Application number: DE102020201482.5A
Authority: DE
Inventors: Conrad Wolke; Martin Dietzel
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2020-02-06
Filing date: 2020-02-06
Publication date: 2024-06-27
Anticipated expiration: 2040-02-07
Also published as: WO2021156380A1; DE102020201482A1; TW202134780A

Abstract

Vorrichtung (700) zum Reparieren zumindest eines Defekts (150, 350, 550, 1450) einer optischen Komponente (100, 300, 500) für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich, wobei die optische Komponente (100, 300, 500) ein Substrat (110) und eine auf dem Substrat (110) angeordnete Mehrschichtstruktur (120) umfasst, aufweisend:a. zumindest eine Lichtquelle (610, 1010, 1020), die ausgebildet ist, einen Photonenstrahl (605, 1030, 1130) im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung zu erzeugen;b. eine Steuervorrichtung (750), die ausgebildet ist, den Photonenstrahl (605, 1030, 1130) einzustellen, um durch ein lokales Verändern der optischen Komponente (100, 300, 500) den zumindest einen Defekt (150, 350, 550, 1450) zu reparieren; undc. einen Detektor (690, 780), der eingerichtet ist, von der optischen Komponente (100, 300, 500) reflektierte Photonen zu detektieren.Device (700) for repairing at least one defect (150, 350, 550, 1450) of an optical component (100, 300, 500) for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component (100, 300, 500) comprises a substrate (110) and a multilayer structure (120) arranged on the substrate (110), comprising:a. at least one light source (610, 1010, 1020) which is designed to generate a photon beam (605, 1030, 1130) in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays;b. a control device (750) configured to adjust the photon beam (605, 1030, 1130) in order to repair the at least one defect (150, 350, 550, 1450) by locally changing the optical component (100, 300, 500); andc. a detector (690, 780) configured to detect photons reflected from the optical component (100, 300, 500).

Description

1. Technisches Gebiet1. Technical area

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV)-Wellenlängenbereich, wobei die optische Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Mehrschichtstruktur umfasst.The present invention relates to an apparatus and a method for repairing at least one defect of an optical component for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component for the EUV wavelength range comprises a substrate and a multilayer structure arranged on the substrate.

2. Stand der Technik2. State of the art

Als Folge der wachsenden Integrationsdichte in der Halbleiterindustrie müssen Photolithographiemasken zunehmend kleinere Strukturen auf Wafer abbilden. Auf der Photolithographieseite wird dem Trend wachsender Integrationsdichte Rechnung getragen, indem die Belichtungswellenlänge von Photolithographiegeräten zu immer kleineren Wellenlängen verschoben wird. In Photolithographiegeräten oder Lithographiegeräten wird derzeit häufig ein ArF- (Argonfluorid) Excimerlaser als Lichtquelle eingesetzt, der bei einer Wellenlänge von etwa 193 nm emittiert.As a result of the growing integration density in the semiconductor industry, photolithography masks must image increasingly smaller structures on wafers. On the photolithography side, the trend of increasing integration density is taken into account by shifting the exposure wavelength of photolithography devices to ever smaller wavelengths. In photolithography devices or lithography devices, an ArF (argon fluoride) excimer laser is currently often used as the light source, emitting at a wavelength of around 193 nm.

Gegenwärtig befinden sich Lithographiesysteme in der Entwicklung, die elektromagnetische Strahlung im EUV- (extremen ultravioletten) Wellenlängenbereich (vorzugsweise im Bereich von 10 nm bis 15 nm) verwenden. Diese EUV-Lithographiesysteme basieren auf einem völlig neuen Strahlführungskonzept, das reflektierende optische Elemente verwendet, da derzeit keine Materialien verfügbar sind, die im angegebenen EUV-Bereich optisch transparent sind. Die technologischen Herausforderungen bei der Entwicklung von EUV-Systemen sind enorm und riesige Entwicklungsanstrengungen sind notwendig, um diese Systeme bis zur industriellen Einsatzreife zu bringen.Lithography systems are currently under development that use electromagnetic radiation in the EUV (extreme ultraviolet) wavelength range (preferably in the range of 10 nm to 15 nm). These EUV lithography systems are based on a completely new beam guidance concept that uses reflective optical elements, since there are currently no materials available that are optically transparent in the specified EUV range. The technological challenges in developing EUV systems are enormous and huge development efforts are necessary to bring these systems to industrial maturity.

Ein maßgeblicher Anteil an der Abbildung immer kleinerer Strukturen in den auf einem Wafer angeordneten Photolack kommt den photolithographischen Masken, Belichtungsmasken, Photomasken oder einfach Masken zu. Mit jeder weiteren Steigerung der Integrationsdichte wird es zunehmend wichtiger, die minimale Strukturgröße der Belichtungsmasken zu verringern. Der Herstellungsprozess photolithographischer Masken wird deshalb zunehmend komplexer und damit zeitaufwändiger und letztlich auch teurer. Aufgrund der winzigen Strukturgrößen der Pattern-Elemente können Fehler bei der Maskenherstellung nicht ausgeschlossen werden. Diese müssen - wann immer möglich - repariert werden.Photolithographic masks, exposure masks, photomasks or simply masks play a significant role in the imaging of ever smaller structures in the photoresist arranged on a wafer. With every further increase in integration density, it becomes increasingly important to reduce the minimum structure size of the exposure masks. The production process for photolithographic masks is therefore becoming increasingly complex and thus more time-consuming and ultimately more expensive. Due to the tiny structure sizes of the pattern elements, errors in mask production cannot be ruled out. These must be repaired whenever possible.

Die Reparatur von Maskendefekten wird derzeit häufig durch Elektronenstrahlinduzierte lokale Abscheide- und/oder Ätzprozesse ausgeführt. Die nachfolgend beispielhaft angegebenen Dokumente beschäftigen sich mit der Reparatur von EUV-Masken: L. Pang et al.: „Compensation of EUV multilayer defects within arbitrary layout by absorber pattern modification“, in „Extreme Ultraviolet Lithography II“, herausgegeben von B.M. Fontaine und P.P. Naulleau, Proc. of SPIE, Vol. 7969, 2011, S. 79691E-1 – 79691E-14 ; WO 2016 / 037 851 A1 ; M. Waiblinger et al.: „The door opener for EUV mask repair“, in „Photomask and Next Generation Lithography Mask Technology XIVX“, herausgegeben von K. Kato, Proc. of SPIE, Vol. 8441, 2012, S. 84410F-1 – 84410F-10 ; WO 2011 / 161 243 A1 ; WO 2013 / 010 976 A1 ; WO 2015 / 144 700 A1 ; G. McIntyre et al.: „Through-focus EUV multilayer defect repair with micromachining“, in „Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IV“, herausgegeben von P.P. Naulleau, Proc. of SPIE, Vol. 8679, 2013, S. 86791I-1 – 86791I-4 .The repair of mask defects is currently often carried out by electron beam induced local deposition and/or etching processes. The following examples of documents deal with the repair of EUV masks: L. Pang et al.: “Compensation of EUV multilayer defects within arbitrary layout by absorber pattern modification”, in “Extreme Ultraviolet Lithography II”, edited by BM Fontaine and PP Naulleau, Proc. of SPIE, Vol. 7969, 2011, pp. 79691E-1 – 79691E-14 ; WO 2016 / 037 851 A1 ; M. Waiblinger et al.: “The door opener for EUV mask repair”, in “Photomask and Next Generation Lithography Mask Technology XIVX”, edited by K. Kato, Proc. of SPIE, Vol. 8441, 2012, pp. 84410F-1 – 84410F-10 ; WO 2011 / 161 243 A1 ; WO 2013 / 010 976 A1 ; WO 2015 / 144 700 A1 ; G. McIntyre et al.: “Through-focus EUV multilayer defect repair with micromachining,” in “Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IV,” edited by PP Naulleau, Proc. of SPIE, Vol. 8679, 2013, pp. 86791I-1 – 86791I-4 .

Aufgrund der abnehmenden Strukturgrößen der Pattern-Elemente wird das Kontrollieren der lokalen Abscheide- bzw. Ätzprozesse immer herausfordernder. Darüber hinaus müssen die Reparaturstrategien individuell an die Anforderungen der einzelnen Fertigungsumgebungen angepasst werden. Jede Technologie-getriebene Anpassung der der EUV-Masken (beispielsweise deren Materialzusammensetzung, Abmessungen oder Aufbau) erfordert eine Neubewertung der etablierten Reparaturprozesse, was in manchen Fällen zu deren zeitaufwändiger Umgestaltung führt.Due to the decreasing structure sizes of the pattern elements, controlling the local deposition or etching processes is becoming increasingly challenging. In addition, the repair strategies must be individually adapted to the requirements of the individual manufacturing environments. Any technology-driven adaptation of the EUV masks (e.g. their material composition, dimensions or structure) requires a re-evaluation of the established repair processes, which in some cases leads to their time-consuming redesign.

Die nachfolgend genannten beispielhaften Dokumente beschreiben kohärente Lichtquellen für den EUV-Wellenlängenbereich: S. Hädrich et al.: „High photon flux tabletop coherent extreme ultraviolet source“, in „Nature Photonics“, Vol. 8, 2014, S. 779 - 783, DOI: 10.1038/nphoton.2014.214, arXiv: 1403.4631; https://kmlabs.com/wp-content/uploads/2o17/o2/KML_XUUSTM.pdf ; H. Carstens et al.: „High-harmonic generation at 250 MHz with photon energies exceeding 100 eV“, Optica, Vol. 3, 2016, No. 4, S. 366-369 .The following example documents describe coherent light sources for the EUV wavelength range: S. Hädrich et al.: “High photon flux tabletop coherent extreme ultraviolet source”, in “Nature Photonics”, Vol. 8, 2014, pp. 779 - 783, DOI: 10.1038/nphoton.2014.214, arXiv: 1403.4631; https://kmlabs.com/wp-content/uploads/2o17/o2/KML_XUUSTM.pdf ; H. Carstens et al.: “High-harmonic generation at 250 MHz with photon energies exceeding 100 eV”, Optica, Vol. 3, 2016, No. 4, pp. 366-369 .

In dem Artikel „ Understanding thin film laser ablation: The role of the effective penetration depth and film thickness“, Physics Procedia, Vol. 56, 2014, S. 1007-1014 , untersuchen die Autoren M. Domke et al. das Abtragen von einer dünnen Metallschicht von einem optisch transparenten Material mit Hilfe von Laser-Pulsen. Die Autoren J. Na et al. beschreiben in dem Artikel „Application of actinic mask review system for the preparation of HVM EUV lithography with defect free mask“, BACUS Newsletter, Vol. 33, 2017, No. 7, S. 1-8 , das Untersuchen einer EUV-Maske mit einem HHG (High Harmonic Generation) Laser-System.In the article " Understanding thin film laser ablation: The role of the effective penetration depth and film thickness“, Physics Procedia, Vol. 56, 2014, pp. 1007-1014 , the authors M. Domke et al. investigate the removal of a thin metal layer from an optically transparent material using laser pulses. The authors J. Na et al. describe in the Article “Application of actinic mask review system for the preparation of HVM EUV lithography with defect free mask”, BACUS Newsletter, Vol. 33, 2017, No. 7, pp. 1-8 , examining an EUV mask with a HHG (High Harmonic Generation) laser system.

Die Offenlegungsschrift US 2013 / 0 028 273 A1 beschreibt einen Strahl-Erzeuger für eine Luftbild-Erzeugungsvorrichtung, die einschließt: eine Laser-Quelle zum Emittieren eines Laser-Strahls und eine Strahlquelle für eine kurze Wellenlänge zum Erzeugen eines Strahls kurzer Wellenlänge durch Bearbeiten des Laser-Strahls, so dass der Strahl kurzer Wellenlänge kohärent mit dem Laser-Strahl ist und eine Wellenlänge aufweist, die kürzer als die Wellenlänge des Laser-Strahls ist. Eine spektrale Einheit umfasst eine Quarzplatte und eine spektrale Schicht, die auf einer Oberfläche der Quarzplatte aufgedampft ist. Die spektrale Schicht weist einen Brewster-Winkel auf, der größer als 70° bezüglich des Laser-Strahls ist, so dass der Strahl kurzer Wellenlänge von der spektralen Einheit ohne den Laser-Strahl reflektiert wird, wodurch die Reflektivität des Strahls kurzer Wellenlänge vergrößert wird und die Reflektivität und der Absorptionskoeffizient des Laser-Strahls in der spektralen Einheit verringert wird.The disclosure document US 2013 / 0 028 273 A1 describes a beam generator for an aerial image forming apparatus including: a laser source for emitting a laser beam and a short wavelength beam source for generating a short wavelength beam by processing the laser beam so that the short wavelength beam is coherent with the laser beam and has a wavelength shorter than the wavelength of the laser beam. A spectral unit includes a quartz plate and a spectral layer evaporated on a surface of the quartz plate. The spectral layer has a Brewster angle greater than 70° with respect to the laser beam so that the short wavelength beam is reflected from the spectral unit without the laser beam, thereby increasing the reflectivity of the short wavelength beam and reducing the reflectivity and absorption coefficient of the laser beam in the spectral unit.

Die Offenlegungsschrift US 2006 / 0 243 712 A1 beschreibt ein Verfahren zum selektiven Abtragen von unbekanntem Material von einem Substrat, das das Bereitstellen eines Substrats mit zwei Bereichen einschließt; das Bereitstellen von Laser-Pulsen; das Abstimmen einer Wellenlänge der Laser-Pulse, so dass sie zu einer gewünschten Wellenlängeneigenschaft eine Materials passen und das Richten der abgestimmten Laser-Pulse auf das Substrat; und das Steuern einer Pulsdauer, der Wellenlänge oder beider Größen der Laser-Pulse zum Abtragen des ungewünschten Materials ohne Beschädigen des Substrats oder von umgebendem Material. In einer anderen Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung zum Reparieren eines Defekts einer reflektiven Fotomaske einen Laser mit Pulsen im Femtosekundenbereich; eine Konversionszelle für Harmonische; ein Filter zum Durchlassen einer ausgewählten EUV-Harmonischen des Laser-Lichts; eine Linsen-Anordnung, die dafür ausgelegt ist, die ausgewählte EUV-Harmonische des Laser-Lichts auf die Fotomaske zu richten; und eine Steuereinheit, die mit dem Laser zum Abtragen des Defekts von der reflektiven Fotomaske verbunden ist.The disclosure document US 2006 / 0 243 712 A1 describes a method for selectively ablating unknown material from a substrate, including providing a substrate having two regions; providing laser pulses; tuning a wavelength of the laser pulses to match a desired wavelength characteristic of a material and directing the tuned laser pulses at the substrate; and controlling a pulse duration, wavelength, or both sizes of the laser pulses to ablate the unwanted material without damaging the substrate or surrounding material. In another embodiment, an apparatus for repairing a defect in a reflective photomask includes a laser with femtosecond pulses; a harmonic conversion cell; a filter for passing a selected EUV harmonic of the laser light; a lens arrangement configured to direct the selected EUV harmonic of the laser light at the photomask; and a control unit connected to the laser for ablating the defect from the reflective photomask.

Der vorliegenden Erfindung liegt das Problem zu Grunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, die es ermöglichen, das Reparieren von Defekten von optischen Komponenten für den extrem ultravioletten Wellenlängenbereich zu verbessern.The present invention is based on the problem of specifying a device and a method which make it possible to improve the repair of defects in optical components for the extreme ultraviolet wavelength range.

3. Zusammenfassung der Erfindung3. Summary of the invention

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 15 gelöst. In einer Ausführungsform weist die Vorrichtung zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich, wobei die optische Komponente ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Mehrschichtstruktur umfasst, auf: (a) zumindest eine Lichtquelle, die ausgebildet ist, einen Photonenstrahl im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung zu erzeugen; eine Steuervorrichtung, die ausgebildet ist, um durch ein lokales Verändern der optischen Komponente den zumindest einen Defekt zu reparieren; und (c) einen Detektor, der eingerichtet ist, von der optischen Komponente reflektierte Photonen zu detektieren.According to an embodiment of the present invention, this problem is solved by a device according to claim 1 and a method according to claim 15. In one embodiment, the device for repairing at least one defect of an optical component for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component comprises a substrate and a multilayer structure arranged on the substrate, comprises: (a) at least one light source designed to generate a photon beam in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays; a control device designed to repair the at least one defect by locally changing the optical component; and (c) a detector designed to detect photons reflected by the optical component.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung stellt einen Paradigmenwechsel in der Reparatur von Komponenten für den EUV-Wellenlängenbereich dar. Bei den bisherigen indirekten Prozessen aktiviert ein Elektronenstrahl einen lokalen Abscheideprozess zum Abscheiden von fehlendem Material oder einen lokalen Ätzprozess zum Entfernen von überschüssigem Material durch Bereitstellen eines Präkursor-Gas am Reaktionsort. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung benutzt hingegen einen Photonenstrahl im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung, um direkt einen Defekt zu reparieren. Dadurch überwindet eine erfindungsgemäße Vorrichtung die laterale Auflösungsbegrenzung herkömmlicher Reparaturvorrichtungen, die durch den Einsatz eines Präkursor-Gases bewirkt wird. Aufgrund der kleinen Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung im EUV-Bereich stößt eine erfindungsgemäße Vorrichtung in neue Dimensionen lateraler Ortsauflösung bei der Defektreparatur von optischen Komponenten für den EUV-Wellenlängenbereich vor. Überdies wird eine Verschmutzung der optischen Komponente bei einer Defektreparatur durch ein Präkursor-Gas und/oder dessen Bestandteile vermieden.The device according to the invention represents a paradigm shift in the repair of components for the EUV wavelength range. In the previous indirect processes, an electron beam activates a local deposition process to deposit missing material or a local etching process to remove excess material by providing a precursor gas at the reaction site. A device according to the invention, on the other hand, uses a photon beam in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays to directly repair a defect. As a result, a device according to the invention overcomes the lateral resolution limitation of conventional repair devices, which is caused by the use of a precursor gas. Due to the small wavelength of electromagnetic radiation in the EUV range, a device according to the invention advances into new dimensions of lateral spatial resolution when repairing defects in optical components for the EUV wavelength range. In addition, contamination of the optical component during a defect repair by a precursor gas and/or its components is avoided.

Der EUV-Spektralbereich umfasst Wellenlängen von 10 nm bis 121 nm. Dies entspricht Photonenenergien zwischen 10,3 eV (Elektronenvolt) und 124 eV. Unter dem Bereich weicher Röntgenstrahlung wird in dieser Anmeldung der Wellenlängenbereich von 0,1 nm bis 10 nm verstanden. Die zugehörigen Photonenenergien erstrecken sich über den Bereich von 124 eV bis 12,4 keV. Die aktinische Wellenlänge, d.h. die Wellenlänge, bei der die optische Komponente betrieben wird, umfasst vorzugsweise den Wellenlängenbereich von 10 nm bis 15 nm bzw. den Energiebereich von 124 eV bis 82,7 eV.The EUV spectral range includes wavelengths from 10 nm to 121 nm. This corresponds to photon energies between 10.3 eV (electron volts) and 124 eV. In this application, the range of soft X-rays is understood to mean the wavelength range from 0.1 nm to 10 nm. The associated photon energies extend over the range from 124 eV to 12.4 keV. The actinic wavelength, i.e. the wavelength at which the optical component is operated, preferably includes the wavelength range from 10 nm to 15 nm or the energy range from 124 eV to 82.7 eV.

Die zumindest eine Lichtquelle kann einen Photonenstrahl mit einer Wellenlänge im Bereich der aktinischen Wellenlänge erzeugen.The at least one light source can generate a photon beam having a wavelength in the range of the actinic wavelength.

Einerseits weist ein fokussierter Photonenstrahl im Bereich der aktinischen Wellenlänge eine hohe laterale Ortsauflösung auf, wodurch das Ausführen einer sehr präzisen Reparatur eines Defekts ermöglicht und gleichzeitig die Gefahr einer Beschädigung der optischen Komponente während des Reparaturprozesses verringert wird. Andererseits kann eine Lichtquelle, die einen Photonenstrahl im Bereich der aktinischen Wellenlänge generiert, zum Aufnehmen eines Luftbildes einer defekten Stelle und/oder einer reparierten Stelle eingesetzt werden.On the one hand, a focused photon beam in the actinic wavelength range has a high lateral spatial resolution, which enables a very precise repair of a defect to be carried out while reducing the risk of damage to the optical component during the repair process. On the other hand, a light source that generates a photon beam in the actinic wavelength range can be used to take an aerial image of a defect and/or a repaired area.

Das lokale Verändern der optischen Komponente kann eine lokale Änderung einer Reflektivität der optischen Komponente im Bereich einer aktinischen Wellenlänge umfassen.The local change of the optical component may comprise a local change of a reflectivity of the optical component in the range of an actinic wavelength.

Defekte einer reflektierenden optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich äußern sich typischerweise in einer ungleichmäßigen Verteilung der reflektierten optischen Intensität. Dabei kann es Bereiche der optischen Komponente geben, aus denen mehr bzw. weniger Licht, wie vom Design vorgesehen, reflektiert wird. Indem der EUV-Photonenstrahl eingesetzt wird, lokal die Reflektivität der optischen Komponente zu ändern, kann die ungleichmäßige Verteilung der von der optischen Komponente reflektierten optischen Intensität beseitigt werden oder zumindest deutlich verringert werden.Defects in a reflective optical component for the EUV wavelength range typically manifest themselves in an uneven distribution of the reflected optical intensity. There may be areas of the optical component from which more or less light is reflected than intended by the design. By using the EUV photon beam to locally change the reflectivity of the optical component, the uneven distribution of the optical intensity reflected by the optical component can be eliminated or at least significantly reduced.

Das lokale Verändern der optischen Komponente kann ein lokales Entfernen von Material von der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl umfassen.Locally modifying the optical component may include locally removing material from the optical component with the photon beam.

Das Material wird von der optischen Komponente mit Hilfe des Photonenstrahls durch Verdampfen entfernt. Zum Verdampfen von Material muss dieses zum einen auf die materialspezifische Verdampfungstemperatur aufgeheizt werden, hierfür ist eine von der Dichte und der Wärmekapazität des Materials abhängige Energiemenge notwendig. Zum anderen muss die ebenfalls Material-spezifische Verdampfungswärme dem Material bereitgestellt werden. Ein fokussierter EUV-Photonenstrahl kann lokal diese spezifischen Energiedichten, d.h. Energie pro Volumen, aufbringen. Dies beruht im Wesentlichen auf zwei Eigenschaften eines EUV-Photonenstrahls. Dieser kann zum einen auf eine sehr kleine beugungsbegrenzte Fläche fokussiert werden und zum anderen können Pulse von EUV-Photonenstrahlen im Sub-Femtosekundenbereich erzeugt werden, die eine sehr große Leistungsdichte aufweisen.The material is removed from the optical component by evaporation using the photon beam. To evaporate material, it must first be heated to the material-specific evaporation temperature, which requires an amount of energy that depends on the density and heat capacity of the material. Secondly, the evaporation heat, which is also material-specific, must be made available to the material. A focused EUV photon beam can locally apply these specific energy densities, i.e. energy per volume. This is essentially based on two properties of an EUV photon beam. On the one hand, it can be focused on a very small diffraction-limited area, and on the other hand, pulses of EUV photon beams can be generated in the sub-femtosecond range, which have a very high power density.

Eine optische Komponente kann eine photolithographische Maske für den EUV-Wellenlängenbereich oder einen Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich umfassen.An optical component may include a photolithographic mask for the EUV wavelength range or a mirror for the EUV wavelength range.

Das lokale Entfernen von Material kann zumindest ein Element aus der Gruppe umfassen: Entfernen von überschüssigem Material zumindest eines Elements eines Absorber-Patterns einer photolithographischen Maske, Entfernen von Material der Mehrschichtstruktur der optischen Komponente, und Entfernen zumindest eines Partikels von der optischen Komponente.The local removal of material may comprise at least one element from the group: removing excess material from at least one element of an absorber pattern of a photolithographic mask, removing material from the multilayer structure of the optical component, and removing at least one particle from the optical component.

Die Lichtquelle einer erfindungsgemäßen Vorrichtung ermöglicht sowohl das Reparieren oder Korrigieren von Defekten überschüssigen Materials als auch von Defekten fehlenden Materials. Ein Defekt fehlenden Absorber-Materials eines oder mehrerer Pattern-Elemente einer photolithographischen Maske wird durch ein lokales Entfernen eines Teils der Mehrschichtstruktur kompensiert. Dadurch werden aus dem bearbeiteten Teil der photolithographischen Maske im Wesentlichen keine Photonen mehr reflektiert und in einem Luftbild oder in einem Bild in einem Photolack ist die reparierte Stelle nicht von einer defektfreien Stelle zu unterscheiden.The light source of a device according to the invention enables both the repair or correction of defects in excess material and defects in missing material. A defect in missing absorber material of one or more pattern elements of a photolithographic mask is compensated by locally removing part of the multilayer structure. As a result, essentially no more photons are reflected from the processed part of the photolithographic mask and in an aerial photograph or in an image in a photoresist, the repaired area cannot be distinguished from a defect-free area.

Nach dem gleichen Prinzip kann eine ungleichmäßige Reflexion eines EUV-Spiegels repariert werden. Zudem kann ein auf der optischen Komponente vorhandenes Partikel, der in einem Luftbild der optischen Komponente sichtbar ist, durch Verdampfen mittels eines fokussierten EUV-Photonenstrahls von einer Oberfläche der optischen Komponente entfernt werden.Using the same principle, an uneven reflection of an EUV mirror can be repaired. In addition, a particle present on the optical component, which is visible in an aerial image of the optical component, can be removed from a surface of the optical component by evaporation using a focused EUV photon beam.

Der Ausdruck „im Wesentlichen“ bedeutet hier, wie auch an anderen Stellen der vorliegenden Anmeldung, eine Messung einer physikalischen Größe innerhalb ihrer Fehlergrenzen, wenn Messgeräte gemäß dem Stand der Technik für die Messung verwendet werden.The term “substantially” here, as elsewhere in the present application, means a measurement of a physical quantity within its error limits when measuring instruments according to the state of the art are used for the measurement.

Die zumindest eine Lichtquelle kann ferner ausgebildet sein, eine Energiedichte des Photonenstrahls zum Reparieren des zumindest einen Defekts der optischen Komponente einzustellen.The at least one light source may further be configured to adjust an energy density of the photon beam for repairing the at least one defect of the optical component.

Die Energiedichte des Photonenstrahls durch zumindest zwei Parameter eingestellt werden. Zum einen kann die Fokusbedingung und dadurch die Fleckgröße eingestellt werden, mit der der Photonenstrahl der Lichtquelle auf den Defekt bzw. die optische Komponente auftrifft. Zum anderen kann die mittlere Leistung und damit auch die Pulsleistung des Photonenstrahls variiert werden.The energy density of the photon beam can be adjusted using at least two parameters. Firstly, the focus condition and thus the spot size with which the photon beam of the light source hits the defect or the optical component can be adjusted. Secondly, the average power and thus also the pulse power of the photon beam can be varied.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner einen Energiesensor zum Nachweisen von der optischen Komponente und/oder von dem zumindest einen Defekt während einer Reparatur reflektierten Photonen zum Überwachen der Reparatur.The device according to the invention can further comprise an energy sensor for detecting photons reflected from the optical component and/or from the at least one defect during a repair for monitoring the repair.

Falls die Vorrichtung einen Detektor aufweist, kann dieser vor, während und nach einem Reparaturvorgang eines Defekts eingesetzt werden, um die Auswirkung des Defekts oder eines verbliebenen Defektteils zu untersuchen. Insbesondere kann der Detektor in Kombination mit dem Photonenstrahl zum Überprüfen des Erfolgs einer Defektreparatur benutzt werden.If the device has a detector, this can be used before, during and after a defect repair process to examine the effect of the defect or a remaining defect part. In particular, the detector can be used in combination with the photon beam to check the success of a defect repair.

Ein Energiesensor kann eingesetzt werden, um von der reparierten Stelle während eines Reparaturvorgangs reflektierte Photonen zu detektieren und dadurch eine Änderung der Photonenflussdichte, insbesondere eine Abnahme der Photonenflussdichte während des Reparaturprozesses zu bestimmen.An energy sensor can be used to detect photons reflected from the repaired site during a repair process and thereby determine a change in the photon flux density, in particular a decrease in the photon flux density during the repair process.

Der Detektor kann eine CCD- (Charge Coupled Device) Kamera für den EUV-Wellenlängenbereich umfassen. Der Energiesensor kann ein Detektorelement einer CCD-Kamera sein.The detector may comprise a CCD (charge coupled device) camera for the EUV wavelength range. The energy sensor may be a detector element of a CCD camera.

Ferner kann die erfindungsgemäße Vorrichtung einen energiedispersiven Röntgenstrahldetektor umfassen. Der energiedispersive Röntgenstrahldetektor kann von der optischen Komponente und/oder dem Defekt der optischen Komponente als Folge der Bestrahlung mit dem Photonenstrahl erzeugte Photonen nachweisen. Dadurch wird es möglich, eine Materialzusammensetzung des Materials, das der Photonenstrahl bearbeitet, zu bestimmen.Furthermore, the device according to the invention can comprise an energy-dispersive X-ray detector. The energy-dispersive X-ray detector can detect photons generated by the optical component and/or the defect in the optical component as a result of irradiation with the photon beam. This makes it possible to determine a material composition of the material that the photon beam processes.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ausgebildet sein, die zumindest eine Lichtquelle und den Energiesensor in einer geschlossenen Rückkopplungsschleife zu betreiben.The device according to the invention can be designed to operate the at least one light source and the energy sensor in a closed feedback loop.

Dadurch wird es möglich, einen Reparaturprozess in Echtzeit zu überwachen. Die Wahrscheinlichkeit für das Fehlschlagen eines Reparaturvorgangs kann deutlich verringert werden. Insbesondere kann das Beschädigen der optischen Komponente weitgehend verhindert werden, kann doch in Realzeit festgestellt werden, ob Material eines Defekts oder der optischen Komponente abgetragen wird.This makes it possible to monitor a repair process in real time. The probability of a repair process failing can be significantly reduced. In particular, damage to the optical component can be largely prevented, as it can be determined in real time whether material from a defect or the optical component is being removed.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner zumindest einen ersten Spiegel zum Scannen des Photonenstrahls über den zumindest einen Defekt der optischen Komponente aufweisen, und kann zumindest einen zweiten Spiegel zum Richten des Photonenstrahls auf einen Bereich der optischen Komponente, der den zumindest einen Defekt umfasst, aufweisen.The device according to the invention can further comprise at least one first mirror for scanning the photon beam over the at least one defect of the optical component, and can comprise at least one second mirror for directing the photon beam to a region of the optical component comprising the at least one defect.

Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit zwei Spiegeln erleichtert ein Umschalten der Vorrichtung von einem Untersuchungsmodus der optischen Komponente bzw. des Defekts der optischen Komponente in einen Reparaturmodus zum Reparieren des Defekts und umgekehrt.An embodiment of the device according to the invention with two mirrors facilitates switching of the device from an examination mode of the optical component or the defect of the optical component to a repair mode for repairing the defect and vice versa.

Der zumindest eine erste Spiegel kann ausgebildet sein, den Photonenstrahl auf den zumindest einen Defekt der optischen Komponente zu fokussieren. Ferner kann der zumindest eine erste Spiegel ausgebildet sein, den fokussierten Photonenstrahl über die optische Komponente und/oder den zumindest einen Defekt der optischen Komponente zu rastern.The at least one first mirror can be designed to focus the photon beam on the at least one defect of the optical component. Furthermore, the at least one first mirror can be designed to scan the focused photon beam over the optical component and/or the at least one defect of the optical component.

Die zumindest eine Lichtquelle kann ausgebildet sein, einen kohärenten Photonenstrahl im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung zu erzeugen.The at least one light source can be designed to generate a coherent photon beam in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays.

Die zumindest eine Lichtquelle kann einen High Harmonic Generation (HHG)-Laser umfassen. Das Spektrum hoher Harmonischer eines fokussierten Femtosekunden-Lasersystems reicht bis in den EUV-Wellenlängenbereich und teilweise darüber hinaus in den noch kurzwelligeren Spektralbereich. Ein HHG-Laser erzeugt ultrakurze EUV- bzw. Röntgenpulse mit einer kleinen Strahldivergenz.The at least one light source can comprise a high harmonic generation (HHG) laser. The spectrum of high harmonics of a focused femtosecond laser system extends into the EUV wavelength range and partially beyond that into the even shorter wavelength spectral range. An HHG laser generates ultrashort EUV or X-ray pulses with a small beam divergence.

Ein Photonenstrahl kann einen Fleckdurchmesser von 0,5 nm bis 200 nm, bevorzugt 1 nm bis 100 nm, mehr bevorzugt 1 nm bis 50 nm, und am meisten bevorzugt 1 nm bis 20 nm aufweisen. Der Fleckdurchmesser bezeichnet die FWHM- (Full Width Half Maximum) Halbwertsbreite des Photonenstrahls.A photon beam may have a spot diameter of 0.5 nm to 200 nm, preferably 1 nm to 100 nm, more preferably 1 nm to 50 nm, and most preferably 1 nm to 20 nm. The spot diameter refers to the FWHM (Full Width Half Maximum) half-width of the photon beam.

Ein Photonenstrahl kann Pulse mit einer Pulslänge im Bereich von 0,5 fs bis 200 fs, bevorzugt 1 fs bis 100 fs, mehr bevorzugt 2 fs bis 50 fs und am meisten bevorzugt von 3 fs bis 30 fs umfassen. Die Abkürzung „fs“ steht für Femtosekunde.A photon beam may comprise pulses with a pulse length in the range of 0.5 fs to 200 fs, preferably 1 fs to 100 fs, more preferably 2 fs to 50 fs, and most preferably 3 fs to 30 fs. The abbreviation "fs" stands for femtosecond.

Die Pulse des Photonenstrahls können eine Pulsleistung im Bereich von 0,5 nW bis 2 nW, bevorzugt 0,2 nW bis 5 nW, mehr bevorzugt 0,1 nW bis 10 nW, und am meisten bevorzugt 0,05 nW bis 20 nW aufweisen.The pulses of the photon beam may have a pulse power in the range of 0.5 nW to 2 nW, preferably 0.2 nW to 5 nW, more preferably 0.1 nW to 10 nW, and most preferably 0.05 nW to 20 nW.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner eine Steuereinrichtung aufweisen, die ausgebildet ist, den zumindest einen ersten Spiegel und/oder den zumindest einen zweiten Spiegel über eine makroskopische Distanz zu bewegen.The device according to the invention can further comprise a control device which is designed to move the at least one first mirror and/or the at least one second mirror over a macroscopic distance.

Indem der zumindest eine erste oder der zumindest eine zweite Spiegel in den Photonenstrahl der zumindest einen Lichtquelle gebracht wird, kann zwischen dem Reparatur- und dem Untersuchungsmodus hin und her geschaltet werden, ohne die optische Komponente zu bewegen.By bringing the at least one first or the at least one second mirror into the photon beam of the at least one light source, it is possible to switch back and forth between the repair mode and the examination mode without moving the optical component.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann eine Fresnel-Zonenplatte umfassen, und/oder die Steuereinrichtung kann ausgebildet sein, die Fresnel-Zonenplatte in den Photonenstrahl hinaus und aus dem Photonenstrahl heraus zu bewegen.The device according to the invention can comprise a Fresnel zone plate, and/or the control device can be designed to move the Fresnel zone plate into and out of the photon beam.

In einer zweiten Ausführungsform weist die oben definierte Vorrichtung eine Fresnel-Zonenplatte auf, die es ermöglicht, zwischen einer Reparaturbetriebsart und einer Untersuchungsbetriebsart zu wechseln.In a second embodiment, the device defined above comprises a Fresnel zone plate which makes it possible to switch between a repair mode and an inspection mode.

Die Steuereinrichtung kann ferner ausgebildet sein, die Vorrichtung für einen Untersuchungsmodus mit dem Photonenstrahl zu konfigurieren, und/oder die Steuereinrichtung kann zudem ausgebildet sein, die Vorrichtung zwischen dem Untersuchungsmodus und einem Reparaturmodus zu schalten.The control device can further be designed to configure the device for an examination mode with the photon beam, and/or the control device can also be designed to switch the device between the examination mode and a repair mode.

Es ist ein entscheidender Vorteil einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, dass diese einerseits ein Untersuchen der optischen Komponente bzw. eines Defekts der optischen Komponente ermöglicht und andererseits das Reparieren des Defekts erlaubt, ohne dass die optische Komponente vom Reparatur-Tool zu einem Review-Tool bewegt und damit neu ausgerichtet werden muss. Überdies bedingt der Transport der optischen Komponente von einem ersten Tool zu einem zweiten Tool typischerweise ein Brechen des Vakuums, was den Prozessablauf zusätzlich verlangsamt. Aus den genannten Gründen beschleunigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung einen Reparaturprozess gegenüber dem Stand der Technik drastisch.A crucial advantage of a device according to the invention is that it enables the optical component or a defect in the optical component to be examined on the one hand and, on the other hand, allows the defect to be repaired without the optical component having to be moved from the repair tool to a review tool and thus realigned. In addition, transporting the optical component from a first tool to a second tool typically causes the vacuum to be broken, which further slows down the process. For the reasons mentioned, a device according to the invention drastically speeds up a repair process compared to the prior art.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner einen Probenhalter zum Fixieren der optischen Komponente aufweisen, der ausgebildet ist, die optische Komponente um zumindest eine Achse zu rotieren, und/oder der Probenhalter kann ferner ausgebildet sein, die optische Komponente in zumindest einer lateralen Richtung zu verschieben, um einen im Wesentlichen defektfreien Bereich der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl zu untersuchen.The device according to the invention can further comprise a sample holder for fixing the optical component, which is designed to rotate the optical component about at least one axis, and/or the sample holder can further be designed to displace the optical component in at least one lateral direction in order to examine a substantially defect-free region of the optical component with the photon beam.

Das Reparieren eines Defekts kann durch einen im Wesentlichen senkrechten Einfall des Photonenstrahls auf die optische Komponente ausgeführt werden. Zum Untersuchen der optischen Komponente, etwa zum Überprüfen des Erfolgs des Reparaturprozesses ist es notwendig, dass der Photonenstrahl unter dem Winkel gegenüber der Normalenrichtung auf der optischen Komponente auftrifft, der vom Design hierfür vorgesehen ist. Durch das Rotieren der optischen Komponente kann diese Bedingung hergestellt werden. Dadurch kann im Untersuchungsmodus ein bestmögliches Luftbild des reparierten Bereichs der optischen Komponente erhalten werden.Repairing a defect can be carried out by a substantially perpendicular incidence of the photon beam on the optical component. To examine the optical component, for example to check the success of the repair process, it is necessary that the photon beam hits the optical component at the angle to the normal direction that is intended for this purpose by the design. This condition can be created by rotating the optical component. This allows the best possible aerial image of the repaired area of the optical component to be obtained in the examination mode.

In einem alternativen Ausführungsbeispiel der zweiten Ausführungsform wird anstelle der optischen Komponente zumindest ein Spiegel der Vorrichtung bewegt, um die Bragg-Bedingung für die optische Komponente zu erfüllen.In an alternative embodiment of the second embodiment, instead of the optical component, at least one mirror of the device is moved to satisfy the Bragg condition for the optical component.

Die zumindest eine Lichtquelle kann eine erste Lichtquelle umfassen, die ausgebildet ist, einen fokussierten Photonenstrahl über den zumindest einen Defekt zu rastern zum Reparieren des zumindest einen Defekts, und kann eine zweite Lichtquelle umfassen, die ausgebildet ist, einen Photonenstrahl auf den Bereich der optischen Komponente zu richten, der zumindest den zumindest einen Defekt umfasst.The at least one light source may comprise a first light source configured to scan a focused photon beam across the at least one defect to repair the at least one defect, and may comprise a second light source configured to direct a photon beam at the region of the optical component comprising at least the at least one defect.

In einer dritten Ausführungsform umfasst eine erfindungsgemäße Vorrichtung zwei getrennte Lichtquellen, die für Ihre jeweilige Aufgabe optimiert sind. Die Anordnung der beiden Lichtquellen kann so gewählt werden, dass zum Umschalten zwischen einem Reparaturmodus und einem Untersuchungsmodus keine Teile über makroskopische Entfernungen bewegt werden müssen.In a third embodiment, a device according to the invention comprises two separate light sources that are optimized for their respective tasks. The arrangement of the two light sources can be selected such that no parts have to be moved over macroscopic distances to switch between a repair mode and an examination mode.

Die erste und die zweite Lichtquelle können einen Photonenstrahl im aktinischen Wellenlängenbereich der optischen Komponente erzeugen. Die erste Lichtquelle kann einen Photonenstrahl außerhalb des aktinischen Wellenlängenbereichs generieren und die zweite Lichtquelle kann einen Photonenstrahl innerhalb des aktinischen Wellenlängenbereichs erzeugen.The first and second light sources may generate a photon beam in the actinic wavelength range of the optical component. The first light source may generate a photon beam outside the actinic wavelength range and the second light source may generate a photon beam within the actinic wavelength range.

Die optische Komponente kann während der Reparatur und/oder während einer Untersuchung ein Pellikel umfassen, das der Photonenstrahl durchstrahlt.The optical component may comprise a pellicle through which the photon beam passes during repair and/or during an examination.

Es ist ein Vorteil einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, dass diese sowohl einen Reparaturprozess als auch einen Untersuchungsprozess der optischen Komponente ausführen kann, bei der die optische Komponente ein Pellikel aufweist. Dadurch wird ein Defekt so untersucht, wie er sich im Betrieb der optischen Komponente manifestiert. Ferner wird der Reparaturprozess unter einsatznahen Bedingungen der optischen Komponente ausgeführt. Es ist ein weiterer Vorteil, dass Reparaturen durch ein Pellikel hindurch ausgeführt werden können, wobei das Pellikel nach Beendigung des Reparaturprozesses voll funktionsfähig bleibt und deshalb nicht gewechselt werden muss. Überdies verhindert ein auf einer optischen Komponente montiertes Pellikel, dass sich das von der optischen Komponente entfernte Material in der Vorrichtung oder an entfernten Stellen der optischen Komponente niederschlägt und diese dadurch verunreinigt.It is an advantage of a device according to the invention that it can carry out both a repair process and an inspection process of the optical component, in which the optical component has a pellicle. This allows a defect to be examined as it manifests itself in the operation of the optical component. Furthermore, the repair process is carried out under conditions similar to those in which the optical component is used. It is a further advantage that repairs can be carried out through a pellicle, whereby the pellicle remains fully functional after the repair process has been completed and therefore does not have to be replaced. Moreover, a pellicle mounted on an optical component prevents the material removed from the optical component from accumulating in the device or at remote locations on the optical component and thereby contaminates it.

Ein Verfahren zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich, wobei die optische Komponente ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Mehrschichtstruktur umfasst, weist die Schritte auf: (a) Erzeugen eines Photonenstrahls im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung; (b) Einstellen des Photonenstrahls, so dass durch ein lokales Verändern der optischen Komponente der zumindest eine Defekt repariert wird; und (c) Detektieren von von der optischen Komponente reflektierten Photonen durch einen Detektor.A method for repairing at least one defect of an optical component for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component comprises a substrate and a multilayer structure arranged on the substrate, comprises the steps of: (a) generating a photon beam in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays; (b) adjusting the photon beam so that the at least one defect is repaired by locally changing the optical component; and (c) detecting photons reflected from the optical component by a detector.

Das Einstellen des Photonenstrahls kann zumindest ein Element aus der Gruppe umfassen: Fokussieren des Photonenstrahls, Ändern einer Pulsleistung des Photonenstrahls, Ändern einer Polarisation des Photonenstrahls, und Ändern eines Einfallswinkes des Photonenstrahls bezüglich einer Normalenrichtung der optischen Komponente.Adjusting the photon beam may include at least one element from the group: focusing the photon beam, changing a pulse power of the photon beam, changing a polarization of the photon beam, and changing an angle of incidence of the photon beam with respect to a normal direction of the optical component.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner den Schritt aufweisen: Umschalten zwischen einem Reparieren des zumindest einen Defekts der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl und einem Untersuchen der optischen Komponente und/oder des zumindest einen Defekts der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl.The method according to the invention can further comprise the step of switching between repairing the at least one defect of the optical component with the photon beam and examining the optical component and/or the at least one defect of the optical component with the photon beam.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner zumindest einen der Schritte aufweisen:

(a) Untersuchen des zumindest einen Defekts mit dem Photonenstrahl und/oder Untersuchen einer im Wesentlichen defektfreien Referenzposition mit dem Photonenstrahl; (b) Bestimmen einer Reparaturform für den zumindest einen untersuchten Defekt, falls der zumindest eine untersuchte Defekt eine vorgegebene Schwelle übersteigt;
(c) Reparieren des zumindest einen Defekts mit dem Photonenstrahl; (d) Untersuchen einer reparierten Stelle der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl; und (e) Wiederholen der Schritte a. und b., falls ein verbleibender Rest des zumindest einen Defekts die vorgegebene Schwelle übersteigt.

The method according to the invention may further comprise at least one of the following steps:

(a) examining the at least one defect with the photon beam and/or examining a substantially defect-free reference position with the photon beam; (b) determining a repair shape for the at least one examined defect if the at least one examined defect exceeds a predetermined threshold;
(c) repairing the at least one defect with the photon beam; (d) examining a repaired location of the optical component with the photon beam; and (e) repeating steps a. and b. if a remaining residue of the at least one defect exceeds the predetermined threshold.

Die Vorrichtung nach einem der oben beschriebenen Aspekte kann ausgebildet sein, die Verfahrensschritte eines der oben angegebenen Verfahren auszuführen.The device according to one of the aspects described above can be designed to carry out the method steps of one of the methods specified above.

Schließlich umfasst ein Computerprogramm Anweisungen, die, wenn sie von einem Computersystem ausgeführt werden, das Computersystem veranlassen, die Verfahrensschritte der oben beschriebenen Aspekte auszuführen.Finally, a computer program comprises instructions which, when executed by a computer system, cause the computer system to perform the method steps of the aspects described above.

4. Beschreibung der Zeichnungen4. Description of the drawings

In der folgenden detaillierten Beschreibung werden derzeit bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, wobei

1 im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seitenansicht einer Maske für den extrem ultravioletten Wellenlängenbereich (EUV) zeigt, mit einem Pattern-Element, das einen Defekt in Form überschüssigen Absorber-Materials aufweist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Seitenansicht des oberen Teilbildes wiedergibt;
2 schematisch die Änderung der normierten Intensität während der Reparatur des Defekts überschüssigen Absorber-Materials der EUV-Maske der 1 veranschaulicht;
3 im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seitenansicht einer EUV-Maske darstellt, mit einem Pattern-Element, das einen Defekt in Form fehlenden Absorber-Materials aufweist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Seitenansicht des oberen Teilbildes präsentiert;
4 schematisch die Änderung der normierten Intensität während der Reparatur des Defekts fehlenden Absorber-Materials der EUV-Maske der 3 veranschaulicht;
5 im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seitenansicht einer EUV-Maske zeigt, die einen Defekt in Form eines Partikels aufweist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Seitenansicht des oberen Teilbildes wiedergibt;
6 schematisch einen Schnitt durch eine EUV-Maske mit einem Defekt und ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Reparatur des Defekts präsentiert, wobei die Vorrichtung im Reparaturmodus arbeitet;
Fig. ₇ die 6 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmodus arbeitet;
8 die EUV-Maske der 6 mit einem zweiten Aufführungsbeispiel der Vorrichtung zur Reparatur des Defekts darstellt, wobei die Vorrichtung im Reparaturmodus arbeitet;
9 die 8 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmodus betrieben wird;
10 die EUV-Maske der 6 mit einem dritten Aufführungsbeispiel der Vorrichtung zur Reparatur des Defekts wiedergibt, wobei die Vorrichtung im Reparaturmodus arbeitet;
11 die 10 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmodus arbeitet;
12 die Vorrichtung der 10 und 11 wiedergibt, wobei die Vorrichtung gleichzeitig im Reparaturmodus und im Untersuchungsmodus arbeitet;
13 die Konfiguration der 6 zeigt, wobei während des Reparaturprozesses ein Pellikel auf die EUV-Maske montiert ist;
14 im linken Teilbild eine Streifenstruktur einer EUV-Maske mit einem Defekt und rechten Teilbild eine defektfreie Referenz-Streifenstruktur präsentiert, wobei beide Teilbilder mit EUV-AIMS™ aufgenommen wurden;
15 in den oberen Teilbildern die Streifenstrukturen der EUV-Maske der Teilbilder der 14 darstellt, wie diese in Bildern erscheinen, die eine Reparaturvorrichtung im Untersuchungsmodus erzeugt, das untere linke Teilbild das obere linke Teilbild nach Abschluss des Defektreparaturprozesses präsentiert und das untere rechte Teilbild die Referenz-Streifenstruktur des oberen rechten Teilbildes reproduziert;
16 die Bilder der 14 nach der Defektreparatur wiedergibt;
17 ein Flussdiagramm einen Reparaturprozess einer optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich zeigt; und
18 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren eines Defekts einer optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich darstellt.

In the following detailed description, presently preferred embodiments of the invention are described with reference to the drawings, wherein

1 in the upper part of the image schematically shows a section of a side view of a mask for the extreme ultraviolet wavelength range (EUV), with a pattern element which has a defect in the form of excess absorber material, and in the lower part of the image shows a plan view of the side view of the upper part of the image;
2 schematically the change of the normalized intensity during the repair of the defect of excess absorber material of the EUV mask of the 1 illustrated;
3 in the upper part of the image schematically shows a section of a side view of an EUV mask, with a pattern element having a defect in the form of missing absorber material, and in the lower part of the image presents a top view of the side view of the upper part of the image;
4 schematically the change of the normalized intensity during the repair of the defect of missing absorber material of the EUV mask of the 3 illustrated;
5 in the upper part of the image schematically shows a section of a side view of an EUV mask having a defect in the form of a particle, and in the lower part of the image shows a plan view of the side view of the upper part of the image;
6 schematically presents a section through an EUV mask with a defect and a first embodiment of a device for repairing the defect, wherein the device operates in repair mode;
Fig. ₇ the 6 reproduced, but the device operates in examination mode;
8th the EUV mask of the 6 with a second embodiment of the device for repairing the defect, wherein the device operates in repair mode;
9 the 8th reproduced, but the device is operated in examination mode;
10 the EUV mask of the 6 with a third embodiment of the device for Repair of the defect, with the device operating in repair mode;
11 the 10 reproduced, but the device operates in examination mode;
12 the device of 10 and 11 reproduces, the device operating simultaneously in repair mode and in examination mode;
13 the configuration of the 6 shows a pellicle mounted on the EUV mask during the repair process;
14 The left part of the image presents a stripe structure of an EUV mask with a defect and the right part of the image presents a defect-free reference stripe structure, both images were taken with EUV-AIMS™;
15 in the upper parts of the image the stripe structures of the EUV mask of the parts of the 14 represents how they appear in images generated by a repair device in inspection mode, the lower left panel presents the upper left panel after completion of the defect repair process, and the lower right panel reproduces the reference stripe structure of the upper right panel;
16 the pictures of the 14 after the defect has been repaired;
17 a flow chart shows a repair process of an optical component for the EUV wavelength range; and
18 a flow chart of a method according to the invention for repairing a defect of an optical component for the EUV wavelength range.

5. Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele5. Detailed description of preferred embodiments

Im Folgenden werden derzeit bevorzugte Ausführungsformen einer erfindungsgemäßen Vorrichtung sowie eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren eines oder mehrerer Defekte einer photolthographischen Maske für den extrem ultravioletten(EUV)-Wellenlängenbereich genauer erläutert. Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren sind jedoch nicht auf die im Folgenden diskutierten Beispiele beschränkt. Vielmehr können diese allgemein zum Reparieren von Defekten optischer Komponenten für den extrem ultravioletten (EUV)-Wellenlängenbereich benutzt werden. Beispiele für optische Komponenten für den EUV-Wellenlängenbereich sind neben EUV-Photomasken auch EUV-Spiegel, d.h. Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich.In the following, currently preferred embodiments of a device according to the invention and of a method according to the invention for repairing one or more defects in a photolithographic mask for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range are explained in more detail. However, the device according to the invention and the method according to the invention are not limited to the examples discussed below. Rather, they can be used generally for repairing defects in optical components for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range. In addition to EUV photomasks, examples of optical components for the EUV wavelength range are also EUV mirrors, i.e. mirrors for the EUV wavelength range.

Die 1 präsentiert schematisch im oberen Teilbild 105 eine Seitenansicht auf einen Ausschnitt einer photolithographischen Maske 100 für den EUV-Wellenlängenbereich. Eine photolithographische Maske 100 für den EUV-Wellenlängenbereich wird im Folgenden auch EUV-Maske 100 oder EUV-Photomaske 100 genannt. Die beispielhafte EUV-Maske 100 der 1 ist für eine Belichtungswellenlänge im Bereich von 13,5 nm ausgelegt. Die EUV-Maske 100 weist ein Substrat 110 aus einem Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, wie beispielsweise Quarz. Andere Dielektrika, Glasmaterialien oder halbleitende Materialien können ebenfalls als Substrate für EUV-Masken eingesetzt werden, wie etwa ZERODUR^®, ULE^® oder CLEARCERAM^®. Die Rückseite bzw. die rückseitige Oberfläche des Substrats 110 der EUV-Maske 100 dient zum Halten des Substrats 110 während der Herstellung der EUV-Maske 100 und während ihres Betriebs in einer EUV-Photolithographievorrichtung. Auf der Rückseite des Substrats 110 ist vorzugsweise eine dünne elektrisch leitfähige Schicht zum Halten des Substrats auf einer elektrostatischen Ansaugvorrichtung (englisch: electrostatic chuck (ESC)) aufgebracht (in der 1 nicht dargestellt). In einer alternativen Ausführungsform weist die EUV-Maske 100 keine elektrisch leitfähige Schicht auf der Rückseite des Maskensubstrats 110 auf und die EUV-Maske 100 wird mit Hilfe einer Unterdruck-Ansaugvorrichtung (englisch: vacuum chuck (VC)) während ihres Betriebs in einer EUV-Photolithographievorrichtung fixiert.The 1 presents schematically in the upper part of image 105 a side view of a section of a photolithographic mask 100 for the EUV wavelength range. A photolithographic mask 100 for the EUV wavelength range is also referred to below as EUV mask 100 or EUV photomask 100. The exemplary EUV mask 100 of the 1 is designed for an exposure wavelength in the range of 13.5 nm. The EUV mask 100 has a substrate 110 made of a material with a low thermal expansion coefficient, such as quartz. Other dielectrics, glass materials or semiconducting materials can also be used as substrates for EUV masks, such as ZERODUR ^® , ULE ^® or CLEARCERAM ^® . The back or the back surface of the substrate 110 of the EUV mask 100 serves to hold the substrate 110 during the manufacture of the EUV mask 100 and during its operation in an EUV photolithography device. A thin electrically conductive layer for holding the substrate on an electrostatic chuck (ESC) is preferably applied to the back of the substrate 110 (in the 1 not shown). In an alternative embodiment, the EUV mask 100 has no electrically conductive layer on the back of the mask substrate 110 and the EUV mask 100 is fixed by means of a vacuum chuck (VC) during its operation in an EUV photolithography device.

Auf die Vorderseite des Substrats 110 wird ein Mehrschichtfilm oder eine Mehrschichtstruktur 120 abgeschieden, die 20 bis 80 Paare alternierender Molybdän- (Mo) und Silizium- (Si) Schichten umfasst, die im Folgenden auch als MoSi-Schichten bezeichnet werden. Die Dicke der Mo-Schichten beträgt 4,15 nm und die Si-Schichten weisen eine Dicke von 2,80 nm auf. Um die Mehrschichtstruktur 120 zu schützen, wird eine Deckschicht 130, beispielsweise aus Siliziumdioxid, typischerweise mit einer Dicke von etwa 7 nm auf der obersten Silizium-Schicht aufgebracht. Andere Materialien wie beispielsweise Ruthenium (Ru) können ebenfalls zum Bilden einer Deckschicht 130 eingesetzt werden. Anstelle von Molybdän können für die MoSi-Schichten auch Schichten aus anderen Elementen mit hoher Nukleonenzahl, wie etwa Kobalt (Co), Nickel (Ni), Wolfram (W), Rhenium (Re), Zirconium (Zn) oder Iridium (Ir) verwendet werden. Das Abscheiden der Mehrschichtstruktur 120 kann beispielsweise durch Ionenstrahl-Abscheiden (IBD, Ion Beam Deposition) erfolgen.A multilayer film or structure 120 is deposited on the front side of the substrate 110, which comprises 20 to 80 pairs of alternating molybdenum (Mo) and silicon (Si) layers, which are also referred to below as MoSi layers. The thickness of the Mo layers is 4.15 nm and the Si layers have a thickness of 2.80 nm. To protect the multilayer structure 120, a cover layer 130, for example made of silicon dioxide, is typically applied to the top silicon layer with a thickness of about 7 nm. Other materials such as ruthenium (Ru) can also be used to form a cover layer 130. Instead of molybdenum, layers of other elements with a high nucleon number, such as cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), rhenium (Re), zirconium (Zn) or iridium (Ir), can also be used for the MoSi layers. The deposition of the multilayer structure 120 can be carried out, for example, by ion beam deposition (IBD).

Auf die Deckschicht 130 der EUV-Maske 100 wird eine Absorptionsschicht abgeschieden. Für die Absorptionsschicht 150 geeignete Materialien sind unter anderem Cr, Titannitrid (TiN) und/oder Tantalnitrid (TaN). Auf die Absorptionsschicht kann eine Antireflexionsschicht aufgebracht werden, beispielsweise aus Tantaloxynitrid (TaON) (in der 1 nicht dargestellt). Die Absorptionsschicht wird beispielsweise mit Hilfe eines Elektronenstrahls oder eines Laserstrahls strukturiert, so dass aus der ganzflächigen Absorptionsschicht eine Struktur aus absorbierenden Pattern-Elementen erzeugt wird. In dem Ausschnitt der 1 ist ein Pattern-Element 140 dargestellt, das breiter ist als vom Design vorgesehen. Das überschüssige Material 150 ist einen Defekt 150 der EUV-Maske 100.. Aufgrund des Defekts 100 werden aus dem Bereich überschüssigen Materials 150 keine oder zumindest sehr viel weniger EUV-Photonen reflektiert als vom Design vorgesehen.An absorption layer is deposited on the cover layer 130 of the EUV mask 100. Suitable materials for the absorption layer 150 include Cr, titanium nitride (TiN) and/or tantalum nitride (TaN). An anti-reflection layer can be applied to the absorption layer, for example made of tantalum oxynitride (TaON) (in the 1 not shown). The absorption layer is structured, for example, with the help of an electron beam or a laser beam, so that a structure of absorbing pattern elements is created from the full-surface absorption layer. In the section of the 1 a pattern element 140 is shown that is wider than intended by the design. The excess material 150 is a defect 150 of the EUV mask 100. Due to the defect 100, no or at least much fewer EUV photons are reflected from the area of excess material 150 than intended by the design.

Der Defekt 150 überschüssigen Absorber-Materials kann mit Hilfe eines EUV-Laserstrahls 160 oder eines EUV-Photonenstrahls 160 entfernt. Ein EUV-Photonenstrahl kann beispielsweise erzeugt werden, indem ultrakurze Pulse eines Pumplasers fokussiert werden und im Fokus bzw. in der Nähe des Fokus einem Gasstrom ausgesetzt werden. Als Pumplaser kann zum Beispiel ein Titan:Saphir-Laser eingesetzt werden, der vorzugsweise Femtosekunden-Lichtpulse bei einer Wellenlänge von 800 nm emittiert. Als Gase zum Erzeugen von EUV-Photonenstrahlen 160 werden derzeit bevorzugt Edelgase, wie etwa Krypton oder Xenon, eingesetzt. Ab einer zweidimensionalen Leistungsdichte von etwa 10¹⁴ W/cm² oder einer Photonenflussdichte von etwa 10¹⁴ J/(cm²·s) des Pumplaser-Strahls werden in dem Gasstrom hohe Harmonische erzeugt. Die Erzeugung hoher Harmonischer wird im Fachgebiet als High Harmonic Generation (HHG) bezeichnet. Bei den oben angegebenen extrem hohen Intensitäten erreicht das elektrische Feld des Pumpstrahls eine Feldstärke, die vergleichbar dem elektrischen Feld in einzelnen Atomen ist. Das inneratomare elektrische Feld wird durch das elektrische Feld im Fokus des Pumplaser-Strahls so deformiert oder gestört, dass Elektronen die Bindung an das Atom überwinden können und ins Kontinuum tunneln können. Die freien Elektronen werden dann im Laserfeld durch Absorption von mehreren oder vielen (bis zu mehreren Hundert) Photonen beschleunigt. Beim Vorzeichenwechsel des elektrischen Laser-Feldes wird ein Teil der Elektronen im elektrischen Feld des Atoms, von dem das Elektron stammt, gebremst und gibt seine Energie in Form eines hochenergetischen oder einiger weniger hochenergetischer Photonen ab. Die höchste mit diesem Prinzip erzeugbare Photonenenergie ist durch die maximale Anzahl der von einem Elektron in der Beschleunigungsphase aufgenommen Photonen begrenzt. Während einer Schwingungsdauer des Pumplaser-Lichts werden zwei kohärente ultrakurze Sub-Femtosekundenpulse mit einer kleinen Strahldivergenz erzeugt.The defect 150 of excess absorber material can be removed with the aid of an EUV laser beam 160 or an EUV photon beam 160. An EUV photon beam can be generated, for example, by focusing ultrashort pulses of a pump laser and exposing them to a gas flow in the focus or in the vicinity of the focus. A titanium:sapphire laser, for example, can be used as a pump laser, which preferably emits femtosecond light pulses at a wavelength of 800 nm. Noble gases such as krypton or xenon are currently preferred as gases for generating EUV photon beams 160. From a two-dimensional power density of approximately 10 ¹⁴ W/cm ² or a photon flux density of approximately 10 ¹⁴ J/(cm ² ·s) of the pump laser beam, high harmonics are generated in the gas flow. The generation of high harmonics is known in the field as high harmonic generation (HHG). At the extremely high intensities specified above, the electric field of the pump beam reaches a field strength that is comparable to the electric field in individual atoms. The intraatomic electric field is deformed or disturbed by the electric field in the focus of the pump laser beam in such a way that electrons can overcome the bond to the atom and tunnel into the continuum. The free electrons are then accelerated in the laser field by absorbing several or many (up to several hundred) photons. When the electric laser field changes sign, some of the electrons are slowed down in the electric field of the atom from which the electron originates and release their energy in the form of one high-energy photon or a few high-energy photons. The highest photon energy that can be generated using this principle is limited by the maximum number of photons absorbed by an electron in the acceleration phase. During one oscillation period of the pump laser light, two coherent ultrashort sub-femtosecond pulses with a small beam divergence are generated.

Aus der Vielzahl der erzeugten Harmonischen kann mit Hilfe eines EUV-Spektrometers eine Harmonische ausgewählt werden, die im Bereich der aktinischen Wellenlänge liegt oder dem Bereich der aktinischen Wellenlänge am nächsten kommt. Derzeit erreichen HHG-Lasersysteme in aktinischen Wellenlängenbereich eine mittlere Leistung etwa 1 µW, dies entspricht bei einer angenommenen Photonenenergie von 100 eV pro Photon einem Photonenstrom von etwa 7·10¹⁰ Photonen/s.From the multitude of harmonics generated, a harmonic can be selected using an EUV spectrometer that is in the range of the actinic wavelength or is closest to the range of the actinic wavelength. Currently, HHG laser systems in the actinic wavelength range achieve an average power of about 1 µW, which corresponds to a photon flux of about 7·10 ¹⁰ photons/s, assuming a photon energy of 100 eV per photon.

Es wird nun angenommen, dass 10% der EUV-Photonen in einen Fleckdurchmesser von 100 nm konzentriert werden können. Dies entspricht einer Photonenflussdichte von ungefähr 7·10⁶ Photonen/(nm²·s). Dies entspricht einer Energieflussdichte von etwa 10³ J/cm² und ist damit sehr deutlich über der Schwellenenergiedichte für Femtosekunden-Laserpulse. Wie bereits oben ausgeführt, tragen zwei sich verstärkende Faktoren zu der enormen Energieflussdichte eines Photonenstrahls eines EUV-Lasers, beispielsweise eines HHG-Lasersystem bei. Zum einem können die EUV-Photonen aufgrund ihrer sehr kurzen Wellenlänge auf kleine Flächen fokussiert werden. Zum anderen trägt ein einzelnes EUV-Photon verglichen mit einem Photon aus dem sichtbaren Spektralbereich eine große Energiemenge.It is now assumed that 10% of the EUV photons can be concentrated into a spot diameter of 100 nm. This corresponds to a photon flux density of approximately 7·10 ⁶ photons/(nm ² ·s). This corresponds to an energy flux density of about 10 ³ J/cm ² and is thus well above the threshold energy density for femtosecond laser pulses. As already explained above, two reinforcing factors contribute to the enormous energy flux density of a photon beam from an EUV laser, for example a HHG laser system. Firstly, the EUV photons can be focused onto small areas due to their very short wavelength. Secondly, a single EUV photon carries a large amount of energy compared to a photon from the visible spectral range.

Die Autoren K.H. Leitz et al. untersuchen in dem Artikel „Metal Ablation with Short and Ultrashort Laser Pulses“, Physics Procedia, Vol. 12, 2011, S. 230-238 ), den Materialabtrag mit Hilfe von Mikrosekunden-, Nanosekunden-, Pikosekunden- und Femtosekunden-Laserpulsen. Für Femtosekunden-Laserpulse geben die Autoren eine Schwellenergiedichte von 1,25 J/cm² für Laser-Strahlung in der Nähe des sichtbaren Spektralbereichs an. The authors KH Leitz et al. investigate in the article “Metal Ablation with Short and Ultrashort Laser Pulses”, Physics Procedia, Vol. 12, 2011, pp. 230-238 ), material removal using microsecond, nanosecond, picosecond and femtosecond laser pulses. For femtosecond laser pulses, the authors specify a threshold energy density of 1.25 J/cm ² for laser radiation in the vicinity of the visible spectral range.

Die Wechselwirkungszone des EUV-Photonenstrahls 160 ist in der 1 durch das Bezugszeichen 170 illustriert. Die Wechselwirkung der Photonen von Femtosekunden-Pulsen mit Materie kann nicht mehr durch das klassische Ablationsmodell beschrieben werden, das die Prozesse Wärmeleitung, Schmelzen, Verdampfen und Plasmabildung berücksichtigt. Das nicht-klassische Ablationsmodell, das die ultraschnelle Wechselwirkung zwischen einem Photonenstrahl und Materie beschreibt, basiert auf der Annahme, dass beim Einwirken ultrakurzer Laserpulse auf Materie die Elektronen, bzw. in einem Metall das Elektronengas nicht mehr im thermischen Gleichgewicht mit den Atomrümpfen sind. Auf einer Femtosekunden-Zeitskala kann das Elektronengas seine Energie nicht instantan an das Gitter aus Atomrümpfen abgeben. Unter der Einwirkung von Femtosekunden-Laserpulsen entstehen lokal sehr hohe Drücke, Dichten und Temperaturen, die das ionisierte Material des Defekts 150 auf hohe Geschwindigkeiten beschleunigen. Wegen der kurzen Wechselwirkungszeit kann das Material des Defekts 150 nicht kontinuierlich verdampfen, sondern wird in den Zustand einer überhitzen Flüssigkeit überführt. Diese verschmilzt in ein Hochdruckgemisch aus Flüssigkeitströpfchen und Dampf, das sich schnell ausbreitet. Die Flüssigkeitströpfchen sind in der 1 durch das Bezugszeichen 180 veranschaulicht.The interaction zone of the EUV photon beam 160 is in the 1 illustrated by the reference number 170. The interaction of the photons of femtosecond pulses with matter can no longer be described by the classical ablation model, which takes into account the processes of heat conduction, melting, evaporation and plasma formation. The non-classical ablation model, which describes the ultrafast interaction between a photon beam and matter, is based on the assumption that when ultrashort laser pulses act on matter, the electrons, or in a metal the electron gas, are no longer in thermal equilibrium with the atomic cores. On a femtosecond time scale, the electron gas cannot transfer its energy to the lattice of atomic cores instantly. Under the influence of femtosecond laser pulses, very high pressures, densities and temperatures arise locally, which accelerate the ionized material of defect 150 to high speeds. Due to the short During the interaction time, the material of the defect 150 cannot evaporate continuously, but is converted into a superheated liquid. This melts into a high-pressure mixture of liquid droplets and steam, which spreads quickly. The liquid droplets are in the 1 illustrated by the reference numeral 180.

Die ultrakurzen Pulse des EUV-Photonenstrahls 160 werden über den Defekt 150 gerastert. Dabei können ein, mehrere oder viele, beispielsweise mehrere Hundert Pulse auf die gleiche Stelle des Defekts 150 gerichtet werden, bevor der Photonenstrahl 160 auf eine neue Position des Defekts 150 fokussiert wird. Um den Defekt 150 besser bearbeiten zu können, kann der Photonenstrahl 160 und/oder die EUV-Maske 100 bei Bedarf aus der Normalenrichtung gekippt werden.The ultrashort pulses of the EUV photon beam 160 are scanned over the defect 150. One, several or many, for example several hundred pulses can be directed at the same location of the defect 150 before the photon beam 160 is focused on a new position of the defect 150. In order to be able to process the defect 150 better, the photon beam 160 and/or the EUV mask 100 can be tilted from the normal direction if necessary.

Die 2 zeigt schematisch das Anwachsen der aus dem Bereich des Defekts 150 der EUV-Maske 100 reflektierten EUV-Photonen. Als Referenz wird eine Stelle der EUV-Maske 100 betrachtet, die eine identische Anordnung von Pattern-Elementen 140 aufweist, ohne jedoch eine defekte Stelle 150 oder eine defekte Position 150 zu haben. Auf diese Referenzposition wird der defektbehaftete Bereich der EUV-Maske 100 bezogen. Indem das überschüssige Absorber-Material des Defekts 150 mit Hilfe des EUV-Photonenstrahls 160 von der Deckschicht 130 der EUV-Maske entfernt wird, steigt lokal die von der EUV-Maske reflektierte optische Intensität an. Nachdem die aus dem Bereich des Defekts 150 reflektierte Strahlung, das Niveau des Referenzbereichs erreicht, wird der Reparaturprozess gestoppt, indem der EUV-Photonenstrahl 160 ausgeschaltet bzw. unterbrochen wird.The 2 shows schematically the increase in the EUV photons reflected from the area of the defect 150 of the EUV mask 100. A point on the EUV mask 100 is considered as a reference, which has an identical arrangement of pattern elements 140, but without a defective point 150 or a defective position 150. The defective area of the EUV mask 100 is related to this reference position. By removing the excess absorber material of the defect 150 from the cover layer 130 of the EUV mask with the aid of the EUV photon beam 160, the optical intensity reflected by the EUV mask increases locally. After the radiation reflected from the area of the defect 150 reaches the level of the reference area, the repair process is stopped by switching off or interrupting the EUV photon beam 160.

Das Überwachen des Reparaturprozesses kann auf mehrere Arten erfolgen. Zum einen kann mittels eines Energiesensors während des Reparaturvorgangs permanent die aus dem defektbehafteten Bereich reflektierte optische Intensität im EUV-Wellenlängenbereich gemessen werden. Dies ist in der 2 veranschaulicht. Es ist aber auch möglich, den Reparaturprozess von Zeit zu Zeit zu unterbrechen und mit Hilfe eines großflächigen EUV-Photonenstrahls und einem Detektor die optische Reflexion aus dem Bereich des Defekts 150 zu kontrollieren. Schließlich ist es auch möglich, einen energiedispersiven Röntgenstrahl-Detektor einzusetzen, um die während des Reparaturprozesses von dem Defekt 150 erzeugten Röntgen-Photonen energieselektiv zu analysieren. Dadurch kann die Materialzusammensetzung des Defekts 150 analysiert werden und festgestellt werden, wenn der EUV-Photonenstrahl 160 die Deckschicht 130 der EUV-Maske erreicht.The repair process can be monitored in several ways. Firstly, the optical intensity reflected from the defective area in the EUV wavelength range can be measured continuously during the repair process using an energy sensor. This is possible in the 2 illustrated. However, it is also possible to interrupt the repair process from time to time and to use a large-area EUV photon beam and a detector to control the optical reflection from the area of the defect 150. Finally, it is also possible to use an energy-dispersive X-ray detector to energy-selectively analyze the X-ray photons generated by the defect 150 during the repair process. This allows the material composition of the defect 150 to be analyzed and determined when the EUV photon beam 160 reaches the cover layer 130 of the EUV mask.

Das obere Teilbild 305 der 3 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnitts einer EUV-Maske 300, die einen Defekt 350 fehlenden Absorber-Material eines Pattern-Elements 340 aufweist. Die untere Teilbild 355 präsentiert die dazugehörige Aufsicht. Der Defekt 350 zeichnet sich dadurch aus, dass aus einem Bereich der EUV-Maske 300 EUV-Photonen reflektiert werden, der dunkel erscheinen sollte. Der Defekt 350 fehlenden Absorber-Materials kann auf verschiedene Arten repariert werden. Zum einen kann die Mehrschichtstruktur 120 unterhalb des defekten Bereiches 350 mit einem fokussierten EUV-Photonenstrahl 360 abgetragen werden. Dadurch wird sichergestellt, dass aus dem Bereich des Defekts 350 keine EUV-Photonen mehr reflektiert werden können. Das Bezugszeichen 370 illustriert die lokale Wechselwirkungszone des EUV-Photonenstrahls 360 mit dem Material der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 300.The upper part of image 305 of the 3 shows a side view of a section of an EUV mask 300 that has a defect 350 of missing absorber material of a pattern element 340. The lower partial image 355 presents the associated top view. The defect 350 is characterized by the fact that EUV photons are reflected from an area of the EUV mask 300 that should appear dark. The defect 350 of missing absorber material can be repaired in various ways. Firstly, the multilayer structure 120 below the defective area 350 can be removed with a focused EUV photon beam 360. This ensures that no more EUV photons can be reflected from the area of the defect 350. The reference number 370 illustrates the local interaction zone of the EUV photon beam 360 with the material of the multilayer structure 120 of the EUV mask 300.

Zur Reparatur des Defekts 350 kann es auch ausreichend sein, nur einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 im Bereich des Defekts 350 zu entfernen. Typischerweise tragen die obersten Schichten einer Mehrschichtstruktur 120 den Großteil zur Reflexion von EUV-Photonen bei. Ferner kann es, insbesondere für kleinflächige Defekte 350 fehlenden Absorber-Materials bereits ausreichend sein, die Oberfläche der Mehrsichtstruktur 120 im Bereich des Defekts lokal aufzuschmelzen, so dass die Ebenheit der Deckschicht 130 und ggf. der obersten Schichten der Mehrschichtstruktur 120 lokal gestört bzw. zerstört sind.To repair the defect 350, it may also be sufficient to remove only a part of the multilayer structure 120 in the area of the defect 350. Typically, the uppermost layers of a multilayer structure 120 contribute the majority to the reflection of EUV photons. Furthermore, it may already be sufficient, especially for small-area defects 350 where absorber material is missing, to locally melt the surface of the multilayer structure 120 in the area of the defect, so that the flatness of the cover layer 130 and possibly the uppermost layers of the multilayer structure 120 are locally disturbed or destroyed.

Der anhand der 3 erläuterte Reparaturprozess kann auch zum Reparieren eines lokalen Überschusses optischer Intensität eines Spiegels für den EUV-Wellenlängenbereich eingesetzt werden (in der 3 nicht dargestellt). Eine lokale erhöhte Reflexion eines EUV-Spiegels kann durch einen Defekt der Mehrschichtstruktur 120 und/oder des Substrats 110 bewirkt werden.The 3 The repair process described can also be used to repair a local excess of optical intensity of a mirror for the EUV wavelength range (in the 3 not shown). A locally increased reflection of an EUV mirror can be caused by a defect in the multilayer structure 120 and/or the substrate 110.

Die 4 veranschaulicht schematisch die Änderung der lokal reflektierten optischen Intensität der EUV-Maske 300 als Folge des Ausführens des in der 3 beschriebenen Reparaturprozesses. Die aus dem Bereich des Defekts 350 reflektierte Intensität ist, ähnlich wie in der 2, auf einen defektfreien Bereich der EUV-Maske 300 mit identischem Pattern normiert. Aufgrund des Defekts 350 fehlenden Absorber-Materials werden aus einem Bereich der EUV-Maske 300 EUV-Photonen reflektiert, der eigentlich dunkel sein sollte. Dadurch führt der Defekt 350 zu einer lokal erhöhten Reflektivität der EUV-Maske 300. Das Reparieren des Defekts 350 mit dem EUV-Photonenstrahl 360 verringert den lokalen Überschuss an optischer Intensität. Sobald die aus dem Bereich des Defekts reflektierte Strahlung das Referenzniveau erreicht, wird der Reparaturprozess der EUV-Maske 300 beendet.The 4 schematically illustrates the change in the locally reflected optical intensity of the EUV mask 300 as a result of executing the 3 described repair process. The intensity reflected from the area of the defect 350 is, similar to the 2 , normalized to a defect-free area of the EUV mask 300 with an identical pattern. Due to the defect 350 of missing absorber material, EUV photons are reflected from an area of the EUV mask 300 that should actually be dark. As a result, the defect 350 leads to a locally increased reflectivity of the EUV mask 300. Repairing the defect 350 with the EUV photon beam 360 reduces the local excess of optical intensity. As soon as the beam reflected from the area of the defect reaches the reference level, the repair process of the EUV mask 300 is terminated.

Das obere Teilbild 505 der 5 präsentiert eine Seitenansicht eines Schnitts eines Ausschnitts einer EUV-Maske 500, die einen Partikel 550 auf der Deckschicht 130 der Mehrschichtstruktur 120 aufweist. Die untere Teilbild 555 gibt wiederum die dazugehörige Aufsicht wieder. Das Partikel 550 schattet einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 für einfallende EUV-Photonen ab, was dazu führt, dass die EUV-Maske 500 aus dem Bereich des Defekts 550, d.h. des Partikels 550, weniger Photonen reflektiert als aus einem defektfreien Referenzbereich. Das Partikel 550 kann mittels des fokussierten Photonenstrahls 560 von der Deckschicht 130 der EUV-Maske 500 abgetragen werden. Das Bezugszeichen 570 veranschaulicht wiederum die Wechselwirkungszone des EUV-Photonenstrahls 560 mit dem Partikel 550.The upper part of image 505 of the 5 presents a side view of a section of a portion of an EUV mask 500 that has a particle 550 on the cover layer 130 of the multilayer structure 120. The lower partial image 555 in turn shows the corresponding top view. The particle 550 shades a part of the multilayer structure 120 for incident EUV photons, which means that the EUV mask 500 reflects fewer photons from the area of the defect 550, i.e. the particle 550, than from a defect-free reference area. The particle 550 can be removed from the cover layer 130 of the EUV mask 500 by means of the focused photon beam 560. The reference number 570 in turn illustrates the interaction zone of the EUV photon beam 560 with the particle 550.

Beim Entfernen eines Partikels 550 ist es günstig, während des Ablationsprozesses einen energiedispersiven Röntgenstrahlungs-Detektor einzusetzen, um die Materialzusammensetzung des Partikels 550 in situ zu analysieren (in der 5 nicht dargestellt). Dadurch kann das Ende des Ablationsprozesses für das Partikel 550 überwacht werden. Zudem kann aus der Materialzusammensetzung des Partikels 550 oftmals dessen Quelle erschlossen werden. Falls dies gelingt, kann die Quelle der Verunreinigung beseitigt oder zumindest drastisch reduziert werden, so dass zukünftige Reparaturvorgänge vermieden werden können.When removing a particle 550, it is advantageous to use an energy dispersive X-ray detector during the ablation process to analyze the material composition of the particle 550 in situ (in the 5 not shown). This allows the end of the ablation process for the particle 550 to be monitored. In addition, the material composition of the particle 550 can often be used to determine its source. If this is successful, the source of the contamination can be eliminated or at least drastically reduced so that future repair processes can be avoided.

Das Diagramm 695 der 6 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnittes einer EUV-Maske 600. Die EUV-Maske 600 kann eine der defektbehafteten EUV-Masken 100, 300 oder 500 sein. D.h. der Defekt 650 der Maske 600 kann einer der Defekte 150, 350 oder 550 sein und das Absorber-Pattern 640 kann eines der Pattern-Elemente 140, 340, 540 der EUV-Masken 100, 300 oder 500 umfassen. Ferner kann die Wechselwirkungszone 670 eine der Wechselwirkungszonen 170, 370, 570 sein. Darüber hinaus veranschaulicht die 6 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts 650 und zum Untersuchen der EUV-Maske 600 oder allgemein einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den EUV-Wellenlängenbereich.Diagram 695 of the 6 shows a side view of a section of an EUV mask 600. The EUV mask 600 can be one of the defect-affected EUV masks 100, 300 or 500. That is, the defect 650 of the mask 600 can be one of the defects 150, 350 or 550 and the absorber pattern 640 can comprise one of the pattern elements 140, 340, 540 of the EUV masks 100, 300 or 500. Furthermore, the interaction zone 670 can be one of the interaction zones 170, 370, 570. In addition, the 6 a first embodiment of a device 700 for repairing the defect 650 and for examining the EUV mask 600 or generally an optical component 100, 300, 500 for the EUV wavelength range.

Die 6 illustriert schematisch den Teilprozess des Reparierens des Defekts 650. Die Vorrichtung 700 umfasst eine Lichtquelle 610 für den EUV-Wellenlängenbereich, die einen kollimierten EUV-Photonenstrahl 605 erzeugt. Ferner weist die Vorrichtung 700 eine Steuervorrichtung 750 auf, die über die Verbindung 710 mit der EUV-Lichtquelle 610 verbunden ist. Der von der EUV-Lichtquelle 610 generierte EUV-Photonenstrahl 605 wird von einem ersten abbildendenden EUV-Spiegel 620 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600 fokussiert. Der erste abbildende EUV-Spiegel 620 ist über die Verbindung 730 mit der Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 verbunden.The 6 schematically illustrates the sub-process of repairing the defect 650. The device 700 comprises a light source 610 for the EUV wavelength range, which generates a collimated EUV photon beam 605. The device 700 further comprises a control device 750, which is connected to the EUV light source 610 via the connection 710. The EUV photon beam 605 generated by the EUV light source 610 is focused by a first imaging EUV mirror 620 onto the defect 650 of the EUV mask 600. The first imaging EUV mirror 620 is connected to the control device 750 of the device 700 via the connection 730.

Der Energiesensor 690 detektiert, die aus dem Bereich des Defekts 650 reflektierten EUV-Photonen 680 während der fokussierte EUV-Photonenstrahl 630 von der Steuervorrichtung 750 über den Defekt 650 gerastert wird. Der Energiesensor 690 ist über die Verbindung 720 ebenfalls mit der Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 verbunden. Mit Hilfe des Energiesensors 690 kann die Steuervorrichtung 750 das EUV-Lasersystem 610 oder die EUV-Lichtquelle 610 in einer geschlossenen Rückkopplungsschleife betreiben. Wie in den 2 und 4 schematisch dargestellt, kann auf der Basis der von dem Energiesensor 690 als Funktion der Zeit detektierten Änderung der reflektierten optischen Intensität auf den Fortschritt der Defektbeseitigung geschlossen werden.The energy sensor 690 detects the EUV photons 680 reflected from the area of the defect 650 while the focused EUV photon beam 630 is scanned by the control device 750 over the defect 650. The energy sensor 690 is also connected to the control device 750 of the device 700 via the connection 720. With the help of the energy sensor 690, the control device 750 can operate the EUV laser system 610 or the EUV light source 610 in a closed feedback loop. As in the 2 and 4 As shown schematically, the progress of defect removal can be determined on the basis of the change in the reflected optical intensity detected by the energy sensor 690 as a function of time.

Die 7 zeigt schematisch das Ausführen des Teilprozesses des Untersuchens der EUV-Maske 600 für das in der 6 dargestellte erste Ausführungsbeispiel durch die Vorrichtung 700. Zum Untersuchen des defekten Bereichs 650 der EUV-Maske 600 bewegt die Steuereinrichtung 750 der Vorrichtung 700 den ersten abbildenden EUV-Spiegel 620 aus dem kollimierten EUV-Photonenstrahl 605 der EUV-Lichtquelle 610. Dadurch kann der EUV-Photonenstrahl 605 auf den zweiten abbildenden EUV-Spiegel 660 auftreffen. Der zweite abbildende EUV-Spiegel 660 richtet den EUV-Photonenstrahl 605 als aufgeweiteten Photonenstrahl 750 auf einen Bereich der EUV-Maske 600, der den Bereich umfasst, der den Defekt 650 enthält. In dem in den 6 und 7 dargestellten beispielhaften Ausführungsbeispiel umfasst der Defekt 650 das Partikel 550. Die Mehrschichtstruktur 120 EUV-Maske 600 reflektiert einen Teil der auftreffenden EUV-Photonen des Strahls 750 in Richtung des Detektors 780. In dem in der 7 dargestellten beispielhaften Ausführungsform umfasst der Detektor 780 eine CCD-Kamera.The 7 shows schematically the execution of the sub-process of examining the EUV mask 600 for the 6 illustrated first embodiment by the device 700. To examine the defective area 650 of the EUV mask 600, the control device 750 of the device 700 moves the first imaging EUV mirror 620 out of the collimated EUV photon beam 605 of the EUV light source 610. This allows the EUV photon beam 605 to impinge on the second imaging EUV mirror 660. The second imaging EUV mirror 660 directs the EUV photon beam 605 as an expanded photon beam 750 onto an area of the EUV mask 600 that includes the area that contains the defect 650. In the 6 and 7 In the exemplary embodiment shown, the defect 650 comprises the particle 550. The multilayer structure 120 EUV mask 600 reflects a portion of the incident EUV photons of the beam 750 toward the detector 780. In the exemplary embodiment shown in the 7 In the exemplary embodiment shown, the detector 780 comprises a CCD camera.

Die 8 präsentiert ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 700. Das zweite Ausführungsbeispiel wird am Beispiel des Reparierens einer der Defekte 650 der EUV-Maske 600 erläutert. Die Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts 650 umfasst die EUV-Lichtquelle 610 des ersten Aufführungsbeispiels. Diese ist wiederum über die Verbindung 710 mit der Steuervorrichtung 750 verbunden. Die Steuervorrichtung 750 ist ferner über die Verbindung 810 mit einem nicht abbildenden EUV-Spiegel 820, über die Verbindung 855 mit einer Fresnel-Zonenplatte 850 und über die Verbindung 865 mit einem Energiesensor 680 verbinden. Der von der EUV-Lichtquelle erzeugte EUV-Photonenstrahl 605 wird von dem EUV-Spiegel 820 als EUV-Photonenstrahl 830 auf die Fresnel-Zonenplatte 850 gerichtet. Die Fresnel-Zonenplatte 850 fokussiert den durch sie hindurchtretenden EUV-Photonenstrahl 840 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600. Das während der Reparatur von dem defekten Bereich 650 der EUV-Maske 600 reflektierte EUV-Licht 860 wird von dem Energiesensor 680 detektiert. Auf der Basis der von dem Energiesensor detektierten EUV-Strahlung 860 kann die Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 die EUV-Lichtquelle 610, ähnlich wie im ersten Ausführungsbeispiel, in einer geschlossenen Rückkopplungsschleife betreiben (in der 8 nicht dargestellt).The 8th presents a second embodiment of a device 700 according to the invention. The second embodiment is explained using the example of repairing one of the defects 650 of the EUV mask 600. The device 700 for repairing the defect 650 comprises the EUV light source 610 of the first embodiment. This is in turn connected to the control device 750 via the connection 710. The control device 750 is also connected to a non-imaging EUV mirror 820 via the connection 810, to a Fresnel zone plate 850 via the connection 855 and to an energy sensor via the connection 865. 680. The EUV photon beam 605 generated by the EUV light source is directed by the EUV mirror 820 as an EUV photon beam 830 onto the Fresnel zone plate 850. The Fresnel zone plate 850 focuses the EUV photon beam 840 passing through it onto the defect 650 of the EUV mask 600. The EUV light 860 reflected from the defective area 650 of the EUV mask 600 during the repair is detected by the energy sensor 680. Based on the EUV radiation 860 detected by the energy sensor, the control device 750 of the device 700 can operate the EUV light source 610 in a closed feedback loop, similar to the first embodiment (in the 8th not shown).

Die 9 zeigt den zweiten Teilprozess des zweiten Ausführungsbeispiels, nämlich das Untersuchen der EUV-Maske 600 mit dem EUV-Photonenstrahl 605 der EUV-Lichtquelle 610. Zum Untersuchen der EUV-Maske 600 fährt die Steuervorrichtung 600 die Fresnel-Zonenplatte 850 aus dem Strahlengang des EUV-Photonenstrahls 920. Der nicht länger fokussierte Photonenstrahl 830 trifft im Bereich des Defekts 650 die Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 600. Damit der auftreffende EUV-Photonenstrahl 830 die Bragg-Reflexionsbedingung der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 600 bestmöglich erfüllt, veranlasst die Steuervorrichtung 750 eine Rotation des Probenhalters, auf dem die EUV-Maske 600 angeordnet ist. Die Rotation der EUV-Maske 600 ist in der 9 durch das Bezugszeichen 910 veranschaulicht. Der Probenhalter (englisch: stage) ist in der 9 nicht dargestellt.The 9 shows the second sub-process of the second embodiment, namely the examination of the EUV mask 600 with the EUV photon beam 605 of the EUV light source 610. To examine the EUV mask 600, the control device 600 moves the Fresnel zone plate 850 out of the beam path of the EUV photon beam 920. The no longer focused photon beam 830 hits the multilayer structure 120 of the EUV mask 600 in the area of the defect 650. In order for the incident EUV photon beam 830 to best meet the Bragg reflection condition of the multilayer structure 120 of the EUV mask 600, the control device 750 causes a rotation of the sample holder on which the EUV mask 600 is arranged. The rotation of the EUV mask 600 is in the 9 illustrated by the reference number 910. The sample holder (English: stage) is in the 9 not shown.

Falls - wie in der 9 durch einen verbliebene Defektrest 650 symbolisiert - ein weiterer Reparaturschritt notwendig ist, dreht die Steuervorrichtung 750 die EUV-Maske 600 wieder in ihre Ausgangsposition zurück und führt die Fresnel-Zonenplatte 850 wieder in den Strahlengang der EUV-Photonen 830 ein, so dass die Reparatur des verbliebenen Defektrestes 650 fortgesetzt werden kann.If - as in the 9 symbolized by a remaining defect residue 650 - a further repair step is necessary, the control device 750 rotates the EUV mask 600 back to its starting position and reinserts the Fresnel zone plate 850 into the beam path of the EUV photons 830 so that the repair of the remaining defect residue 650 can be continued.

Das Diagramm 1000 der 10 stellt ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung 700 dar. Das dritte Ausführungsbeispiel der 10 umfasst eine erste EUV-Lichtquelle 1010 und eine zweite EUV-Lichtquelle 1020, die beide über die Verbindungen 1015 und 1025 mit der Steuervorrichtung 750 verbunden sind. Ferner ist die Steuervorrichtung 750 mit dem Detektor 690 über die Verbindung 695 verbunden. Das dritte Ausführungsbeispiel wir ebenfalls anhand des Reparierens der Defekte 650 der EUV-Maske 600 erläutert.The diagram 1000 of 10 represents a third embodiment of the device 700 according to the invention. The third embodiment of the 10 comprises a first EUV light source 1010 and a second EUV light source 1020, both of which are connected to the control device 750 via the connections 1015 and 1025. Furthermore, the control device 750 is connected to the detector 690 via the connection 695. The third embodiment is also explained based on the repair of the defects 650 of the EUV mask 600.

In der 10 ist schematisch der Reparaturteil des dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung 700 wiedergegeben. Zum Reparieren des Defekts 650 strahlt die zweite EUV-Lichtquelle 1020 einen fokussierten Photonenstrahl 1030 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600 bzw. rastert den fokussierten Photonenstrahl 1030 über den Defekt 600.In the 10 the repair part of the third embodiment of the device 700 according to the invention is shown schematically. To repair the defect 650, the second EUV light source 1020 radiates a focused photon beam 1030 onto the defect 650 of the EUV mask 600 or scans the focused photon beam 1030 over the defect 600.

Nach einer vorgegebenen Zeit wird der Reparaturvorgang unterbrochen und die behandelte oder repartierte Stelle 650 der EUV-Maske 600 wird untersucht. Hierzu wird - wie in der 11 schematisch dargestellt - der fokussierte Photonenstrahl 1030 der zweiten EUV-Lichtquelle gestoppt. Danach wird die erste EUV-Lichtquelle 1010 eingeschaltet, die einen kollimierten EUV-Photonenstrahl 1130 auf den Bereich der EUV-Maske 600 richtet, der den Defekt 650 enthält. Dabei wird die Fläche des Strahlfleckes so groß gewählt, dass die Schwellendichte für das Aufschmelzen der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 600 nicht erreicht wird. Nach der oben angegebenen Abschätzung erfordert dies einen Fleckdurchmesser von etwa 5 µm oder mehr.After a predetermined time, the repair process is interrupted and the treated or repaired area 650 of the EUV mask 600 is examined. For this purpose, as in the 11 schematically shown - the focused photon beam 1030 of the second EUV light source is stopped. Then the first EUV light source 1010 is switched on, which directs a collimated EUV photon beam 1130 onto the area of the EUV mask 600 that contains the defect 650. The area of the beam spot is chosen to be large enough that the threshold density for melting the multilayer structure 120 of the EUV mask 600 is not reached. According to the estimate given above, this requires a spot diameter of about 5 µm or more.

In den 10, 11 sowie der nachfolgenden 12 sind die erste EUV-Lichtquelle 1010 und der Detektor 690 so bezüglich der Normalenrichtung der EUV-Maske 600 angeordnet, dass die Bragg-Reflexionsbedingung für den aktinischen Wellenlängenbereich der EUV-Maske 600 bestmöglich erfüllt ist. Die dritte Ausführungsform weist den besonderen Vorteil auf, dass zum Umschalten zwischen dem Reparaturmodus und dem Untersuchungsmodus der Vorrichtung 700 keine Teile der Vorrichtung 700 über makroskopische Entfernungen bewegt werden müssen. Die erste EUV-Lichtquelle 1010 und die zweite EUV-Lichtquelle können so ausgebildet werden, dass eine einzige EUV-Lichtquelle sowohl den fokussierten EUV-Photonenstrahl 1030 als auch den EUV-Photonenstrahl 1130 erzeugt. In dieser Ausführungsform stellen die erste 1010 und die zweite EUV-Lichtquelle 1020 lediglich eine Strahlformungsvorrichtung und/oder eine Strahlführungsvorrichtung bereit.In the 10 , 11 and the following 12 the first EUV light source 1010 and the detector 690 are arranged with respect to the normal direction of the EUV mask 600 such that the Bragg reflection condition for the actinic wavelength range of the EUV mask 600 is met as best as possible. The third embodiment has the particular advantage that no parts of the device 700 have to be moved over macroscopic distances to switch between the repair mode and the examination mode of the device 700. The first EUV light source 1010 and the second EUV light source can be designed such that a single EUV light source generates both the focused EUV photon beam 1030 and the EUV photon beam 1130. In this embodiment, the first 1010 and the second EUV light source 1020 merely provide a beam shaping device and/or a beam guiding device.

Die 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 700, bei der beide Lichtquellen 1010 und 1020 gleichzeitig Photonen 1030 und 1130 auf den Defekt 650 bzw. in einem Bereich um den Defekt 650 einstrahlen. In diesem Ausführungsbeispiel ist es günstig, wenn die erste EUV-Lichtquelle 1010 einen EUV-Photonenstrahl 1130 im Bereich der aktinischen Wellenlänge auf die EUV-Maske 600 einstrahlt und die zweite EUV-Lichtquelle 1020 Photonen außerhalb des aktinischen Wellenlängenbereichs der EUV-Maske 600 erzeugt. Dadurch wird sichergestellt, dass im Wesentlichen keine EUV-Photonen der zweiten EUV-Lichtquelle 1020 auf den Detektor 690 gelangen können. Dies verhindert ein Verfälschen der von dem Detektor 690 nachgewiesenen lokalen reflektierten optischen Intensität.The 12 shows an embodiment of the device 700, in which both light sources 1010 and 1020 simultaneously radiate photons 1030 and 1130 onto the defect 650 or in an area around the defect 650. In this embodiment, it is advantageous if the first EUV light source 1010 radiates an EUV photon beam 1130 in the range of the actinic wavelength onto the EUV mask 600 and the second EUV light source 1020 generates photons outside the actinic wavelength range of the EUV mask 600. This ensures that essentially no EUV photons from the second EUV light source 1020 can reach the detector 690. This prevents falsification of the light from the detector 690 detected local reflected optical intensity.

Die 13 reproduziert die 6 mit dem Unterschied, dass auf der EUV-Maske 600 ein Pellikel 1310 angebracht ist. Der Abstand des EUV-Pellikel 1310 von der Decksicht 130 der EUV-Maske liegt im Bereich von 2 bis 3 mm. Sowohl der Reparaturprozess als auch der Untersuchungsprozess der EUV-Maske 600 erfolgt durch das Pellikel 1310 hindurch. Dadurch ist es möglich, die Auswirkung eines Defekts 650 der EUV-Maske 600 unten den Bedingungen zu untersuchen, die im realen Betrieb der EUV-Maske 600 vorherrschen. Ferner kann die Demontage des Pellikels 1310 zur Defektkorrektur sowie die erneute Montage des Pellikels 1310 nach der Defektreparatur und eine damit einhergehende mögliche Beschädigung der Maske 600 vermieden werden.The 13 reproduces the 6 with the difference that a pellicle 1310 is attached to the EUV mask 600. The distance of the EUV pellicle 1310 from the cover layer 130 of the EUV mask is in the range of 2 to 3 mm. Both the repair process and the inspection process of the EUV mask 600 take place through the pellicle 1310. This makes it possible to examine the effect of a defect 650 of the EUV mask 600 under the conditions that prevail in the actual operation of the EUV mask 600. Furthermore, the disassembly of the pellicle 1310 for defect correction and the reassembly of the pellicle 1310 after the defect repair and any associated possible damage to the mask 600 can be avoided.

Die anhand der 8 bis 12 beschriebenen Reparaturprozesse und/oder Untersuchungsprozesse der EUV-Maske 600 können ebenfalls mit einem auf der EUV-Maske montierten Pellikel 1310 ausgeführt werden.The 8 to 12 The repair processes and/or inspection processes of the EUV mask 600 described can also be carried out with a pellicle 1310 mounted on the EUV mask.

Anhand der 14 bis 16 wird nachfolgend die Einbettung eines mit der Vorrichtung 700 ausgeführten Reparaturprozess in den Arbeitsablauf der Defektanalyse und Defektkorrektur von EUV-Masken 100, 300, 500 erläutert. Bevor ein Defekt 150, 350, 550 repariert werden kann, muss dieser zunächst identifiziert und anschließend analysiert werden. Zur Analyse eines Defekts 150,350,550 kann beispielsweise ein EUV-AIMS™ (Aerial Image Measurement System) eingesetzt werden. Die 14 zeigt im linken Teilbild 1410 eine Aufsicht auf einen Ausschnitt einer Streifenstruktur 1420, die einen Defekt 1450 aufweist. Das rechte Teilbild 1415 der 14 präsentiert eine Aufsicht eines Ausschnittes auf eine defektfreie Referenz-Streifenstruktur 1425. Beide Bilder wurden mit einem EUV-AIMS™ aufgenommen. Aus dem linken Teilbild kann der Defekt 1450 im Detail analysiert werden. Die Analyse des Defekts 1450 kann ein Vergleichen der defektbehafteten Streifenstruktur 1420 mit der defektfreien Referenz-Streifenstruktur 1425 umfassen. Aus der detaillierten Analyse des Defekts 1450 wird eine Reparaturform für den Defekt 1450 erstellt. Die Reparaturform bestimmt beispielsweise die Art des Defekts, die Größe des Defekts, die Lage des Defekts bezüglich eines oder mehrerer Pattern-Elemente, den Pattern-Typ der EUV-Maske, und die Belichtungseinstellung des Scanners während des Betriebs der Maske. Die für den Defekt 1450 bestimmte Reparaturform wird an die Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts übergeben.Based on 14 to 16 The embedding of a repair process carried out with the device 700 in the workflow of defect analysis and defect correction of EUV masks 100, 300, 500 is explained below. Before a defect 150, 350, 550 can be repaired, it must first be identified and then analyzed. For example, an EUV-AIMS™ (Aerial Image Measurement System) can be used to analyze a defect 150, 350, 550. The 14 shows in the left partial image 1410 a top view of a section of a strip structure 1420 which has a defect 1450. The right partial image 1415 of the 14 presents a top view of a section of a defect-free reference stripe structure 1425. Both images were taken with an EUV-AIMS™. From the left partial image, the defect 1450 can be analyzed in detail. The analysis of the defect 1450 can include comparing the defective stripe structure 1420 with the defect-free reference stripe structure 1425. From the detailed analysis of the defect 1450, a repair shape is created for the defect 1450. The repair shape determines, for example, the type of defect, the size of the defect, the position of the defect with respect to one or more pattern elements, the pattern type of the EUV mask, and the exposure setting of the scanner during operation of the mask. The repair shape determined for the defect 1450 is passed on to the device 700 for repairing the defect.

Die 15 präsentiert schematisch das Reparieren des Defekts 1450 der 14 durch eine Ausführungsform der Vorrichtung 700. Das linke obere Teilbild 1510 der 15 zeigt im Wesentlichen den Ausschnitt des linken Teilbildes der 14 wie er von dem EUV-Photonenstrahl 750, 830, 1130 der Vorrichtung 700 im Untersuchungsmodus abgebildet wird. Die Vorrichtung 700 „sieht“ im Untersuchungs- oder Abbildungsmodus den Defekt 1450 der 14. Das linke obere Teilbild 1515 zeigt die Referenz-Streifenstruktur 1525 der 14, ausgenommen mit dem EUV-Photonenstrahl 750, 830, 1130 der Vorrichtung 700.The 15 schematically presents the repair of defect 1450 of the 14 by an embodiment of the device 700. The upper left part of the image 1510 of the 15 essentially shows the section of the left part of the 14 as imaged by the EUV photon beam 750, 830, 1130 of the device 700 in the examination mode. The device 700 “sees” the defect 1450 of the 14 . The upper left part of image 1515 shows the reference stripe structure 1525 of the 14 , except with the EUV photon beam 750, 830, 1130 of the device 700.

Durch den Pfeil 1580 ist in der 15 der Reparaturprozess des Defekts 1450 durch den EUV-Photonenstrahl 630, 840, 1030 der Vorrichtung symbolisiert. Die Vorrichtung 700 erhält, wie oben bereits ausgeführt, von dem Defekt-Review-Tool, beispielsweise einem EUV-AIMS™ eine Reparaturform für den Defekt 1450. Zur Reparatur des Defekts 1450 wird der EUV-Photonenstrahl 630, 840, 1030, wie von der Reparaturform vorgegeben, über den Defekt 150, 350, 550, 1450 gescannt.The arrow 1580 indicates in the 15 the repair process of the defect 1450 is symbolized by the EUV photon beam 630, 840, 1030 of the device. The device 700 receives, as already explained above, a repair form for the defect 1450 from the defect review tool, for example an EUV-AIMS™. To repair the defect 1450, the EUV photon beam 630, 840, 1030 is scanned over the defect 150, 350, 550, 1450, as specified by the repair form.

Die Reparatur des Defekts 1450 kann von Zeit zu Zeit unterbrochen werden, um den verbliebenen Defektrest zu analysieren. Das Unterbrechen der Reparatur kann periodisch erfolgen oder kann durch die Reparaturform vorgegeben werden.The repair of defect 1450 may be interrupted from time to time to analyze the remaining defect residue. The interruption of the repair may be periodic or may be specified by the repair form.

Das untere linke Teilbild 1550 der 15 zeigt den Ausschnitt der Streifenstruktur 1530 des oberen linken Teilbildes 1510 nach Abschluss der Defektreparatur. Die reparierte Stelle ist in der Streifenstruktur 1530 des Teilbildes 1550 durch das Bezugszeichen 1560 illustriert. Das rechte untere Teilbild 1555 reproduziert nochmals die Referenz-Streifenstruktur 1525 des oberen rechten Teilbildes 1515.The lower left part of image 1550 of the 15 shows the section of the strip structure 1530 of the upper left partial image 1510 after completion of the defect repair. The repaired area is illustrated in the strip structure 1530 of the partial image 1550 by the reference symbol 1560. The lower right partial image 1555 again reproduces the reference strip structure 1525 of the upper right partial image 1515.

Die 16 zeigt den reparierten Ausschnitt 1530 des linken unteren Teilbildes 1550 der 15 aufgenommen mit dem EUV-AIMS™. Die reparierte Stelle 1560, die repartierte Position 1560 oder der reparierte Bereich 1560 ist in dem Teilbild 1610 gekennzeichnet. Zu Vergleichszwecken gibt das rechte Teilbild 1615 die Referenz-Streifenstruktur 1425 des Teilbildes 1415 wieder. Der Zusammenschau der 16 ist zu entnehmen, dass die Vorrichtung 700 den Defekt 1450 so weit repariert hat, dass dieser in einem Luftbild eines EUV-AIMS™ nicht mehr sichtbar ist.The 16 shows the repaired section 1530 of the lower left part 1550 of the 15 recorded with the EUV-AIMS™. The repaired location 1560, the repaired position 1560 or the repaired area 1560 is marked in the partial image 1610. For comparison purposes, the right partial image 1615 shows the reference stripe structure 1425 of the partial image 1415. The overview of the 16 It can be seen that the device 700 has repaired the defect 1450 to such an extent that it is no longer visible in an aerial image of an EUV-AIMS™.

Die 17 gibt ein Flussdiagramm 1700 eines Gesamtablaufs einer Defektreparatur einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den EUV-Wellenlängenbereich wieder. Das Verfahren beginnt bei Block 1705. Im ersten Schritt 1710 wird ein Bild eines Defekts 150, 350, 550, 1450 oder einer defekten Position 150, 350, 550, 1450 der optischen EUV-Komponente 100, 300, 500 aufgenommen. Dieser Schritt wird typischerweise mit einem Review-Tool, wie etwa einem EUV-AIMS^TM, ausgeführt. Sodann wird bei Schritt 1715 ein Referenzbild einer defektfreien Referenzposition ebenfalls mit einem Review-Tool aufgenommen. Der Schritt 1715 ist ein optionaler Schritt. Dies ist in der 17 durch die gestrichelte Umrandung symbolisiert.The 17 shows a flow chart 1700 of an overall process of defect repair of an optical component 100, 300, 500 for the EUV wavelength range. The method begins at block 1705. In the first step 1710, an image of a defect 150, 350, 550, 1450 or a defective position 150, 350, 550, 1450 of the optical EUV component 100, 300, 500 is taken. This Step is typically performed with a review tool, such as an EUV-AIMS ^TM . Then, in step 1715, a reference image of a defect-free reference position is also taken with a review tool. Step 1715 is an optional step. This is in the 17 symbolized by the dashed border.

Bei Entscheidungsblock 1720 wird dann auf der Basis des bestimmten Bildes des Defekts 150, 350, 550, 1450 ggf. unter Zuhilfenahme eines Referenzbildes bestimmt, ob eine Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 notwendig ist oder nicht. Falls eine Reparatur nicht notwendig ist, springt das Verfahren zu Block 1775, bei dem entschieden wird, ob die EUV-Maske 100, 300, 500 weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 aufweist. Falls dies nicht der Fall ist, endet das Verfahren bei Block 1780 und die optische EUV-Komponente 100, 300, 500 ist einsatzbereit. Falls die optische EUV-Komponente 100, 300, 500 eine EUV-Maske 100, 300, 500 umfasst, ist diese zum Verwenden in einem Scanner bereit. Falls weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 auf der EUV-Maske 100, 300, 500 vorhanden sind, springt das Verfahren zu Block 1710, bei dem ein Bild des nächsten Defekts 150, 350, 550, 1450 mit einem EUV-AIMS™ aufgenommen wird.At decision block 1720, it is then determined on the basis of the determined image of the defect 150, 350, 550, 1450, possibly with the aid of a reference image, whether a repair of the defect 150, 350, 550, 1450 is necessary or not. If a repair is not necessary, the method jumps to block 1775, where it is decided whether the EUV mask 100, 300, 500 has further defects 150, 350, 550, 1450. If this is not the case, the method ends at block 1780 and the optical EUV component 100, 300, 500 is ready for use. If the EUV optical component 100, 300, 500 includes an EUV mask 100, 300, 500, it is ready for use in a scanner. If there are additional defects 150, 350, 550, 1450 on the EUV mask 100, 300, 500, the method jumps to block 1710 where an image of the next defect 150, 350, 550, 1450 is captured with an EUV AIMS™.

Falls eine Reparatur der defekten Position 150, 350, 550, 1450 notwendig ist, schreitet das Verfahren zu Block 1725 fort, bei dem mit der Vorrichtung 700 oder der Reparaturvorrichtung 700 ein Bild der defekten Position 150, 350, 550, 1450 bzw. des Defekts 150, 350, 550, 1450 im Untersuchungsmodus aufgenommen wird. Sodann wird bei Block 1730 eine Reparaturform für die defekte Position 150, 350, 550, 1450 ermittelt. Die Reparaturform für den Defekt 150, 350, 550, 1450 kann mit dem bei Schritt 1710 mit einem Review-Tool aufgenommenen Bild ggf. in Kombination mit dem Referenzbild bestimmt werden. Alternativ kann die Reparaturform aus dem oder den mit der Vorrichtung 700 oder Reparaturvorrichtung 700 im Untersuchungsmodus aufgenommenen Bild bzw. Bildern ermittelt werden. Alternativ ist es auch möglich, die Reparaturform für den Defekt 150, 350, 550, 1450 aus der kombinierten Betrachtung der bei Schritt 1710 und 1725 gemessenen Bildern der defekten Position 150, 350, 550, 1450 zu bestimmen.If a repair of the defective position 150, 350, 550, 1450 is necessary, the method proceeds to block 1725, in which an image of the defective position 150, 350, 550, 1450 or of the defect 150, 350, 550, 1450 is taken in examination mode using the device 700 or the repair device 700. A repair shape for the defective position 150, 350, 550, 1450 is then determined in block 1730. The repair shape for the defect 150, 350, 550, 1450 can be determined using the image taken in step 1710 with a review tool, possibly in combination with the reference image. Alternatively, the repair shape can be determined from the image or images taken with the device 700 or repair device 700 in the examination mode. Alternatively, it is also possible to determine the repair shape for the defect 150, 350, 550, 1450 from the combined observation of the images of the defect position 150, 350, 550, 1450 measured at steps 1710 and 1725.

Bei Entscheidungsblock 1735 wird entschieden, ob die Bearbeitung oder Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 zu einer der lokalen Zunahme 1740 oder einer lokalen Abnahme 1755 der Reflektivität der EUV-Maske 100, 300, 500 führen soll. Falls der Defekt 150, 350 550, 1450 ein Defekt 150, 550 überschüssigen Materials ist, wird bei Block 1750 mit dem Photonenstrahl 630, 840, 1030 überschüssiges Absorber-Material eines oder mehrerer Pattern-Elemente 140 oder das überschüssige Material des Partikels 550 durch Ablation von der EUV-Maske 100, 500 entfernt.At decision block 1735, a decision is made as to whether the processing or repair of the defect 150, 350, 550, 1450 should lead to a local increase 1740 or a local decrease 1755 in the reflectivity of the EUV mask 100, 300, 500. If the defect 150, 350, 550, 1450 is a defect 150, 550 of excess material, at block 1750, excess absorber material of one or more pattern elements 140 or the excess material of the particle 550 is removed from the EUV mask 100, 500 by ablation using the photon beam 630, 840, 1030.

Falls die beabsichtigte Änderung der Defektreparatur eine lokale Abnahme der reflektierten optischen Intensität ist, wird bei Block 1755 die Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 300 mit dem Photonenstrahl 630, 840, 1030 bearbeitet, um einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 100, 300, 500 abzutragen oder zumindest den Planarität zu verringern.If the intended change in the defect repair is a local decrease in the reflected optical intensity, at block 1755 the multilayer structure 120 of the EUV mask 300 is processed with the photon beam 630, 840, 1030 to remove a portion of the multilayer structure 120 of the EUV mask 100, 300, 500 or at least to reduce the planarity.

Beide Bearbeitungsprozesse 1750 und 1755 leiten das Verfahren zu Block 1765 weiter, bei dem ein Bild der reparierten Position 150, 350, 550, 1450 der EUV-Maske 100, 300, 500 mit dem Untersuchungsmodus der Vorrichtung 700 aufgenommen wird. Bei Entscheidungsblock 1770 wird entschieden, ob die Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 abgeschlossen ist. Falls dies nicht der Fall ist, springt das Verfahren zu Block 1725, bei dem mit der Reparaturvorrichtung 700 im Untersuchungsmodus ein Bild des verbliebenen Defektrestes aufgenommen wird. Wenn bei Entscheidungsblock 1770 bestimmt wird, dass die Reparatur des Defektes 150, 350, 550, 1450 abgeschlossen ist, schreitet das Verfahren zu Entscheidungsblock 1775 fort. Bei Entscheidungsblock 1775 wird festgestellt, ob die EUV-Maske 100, 300, 500 weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 aufweist. Falls dies der Fall ist, springt das Verfahren zu Block 1710 und misst ein Bild des nächsten Defekts. Falls keine weiteren Defekte 150, 350, 550, 1450 auf der Maske 100, 300, 500 vorhanden sind, endet das Verfahren bei Block 1780.Both processing processes 1750 and 1755 direct the method to block 1765 where an image of the repaired position 150, 350, 550, 1450 of the EUV mask 100, 300, 500 is taken using the inspection mode of the device 700. At decision block 1770, a decision is made as to whether the repair of the defect 150, 350, 550, 1450 is complete. If not, the method jumps to block 1725 where an image of the remaining defect residue is taken using the repair device 700 in inspection mode. If it is determined at decision block 1770 that the repair of the defect 150, 350, 550, 1450 is complete, the method proceeds to decision block 1775. At decision block 1775, it is determined whether the EUV mask 100, 300, 500 has any more defects 150, 350, 550, 1450. If so, the method jumps to block 1710 and measures an image of the next defect. If there are no more defects 150, 350, 550, 1450 on the mask 100, 300, 500, the method ends at block 1780.

Schließlich zeigt das Flussdiagramm 1800 der 18 wesentliche Schritte eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren zumindest eines Defekts 150, 350, 550, 1450 einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den extrem ultravioletten Wellenlängenbereich, die ein Substrat 110 und eine Mehrschichtstruktur 120 aufweist. Das Verfahren beginnt bei Schritt 1810. Im ersten Schritt 1820 wird ein Photonenstrahl 610, 1010, 1020 im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung erzeugt. Bei Block 1830 wird der Photonenstrahl 610, 1030, 1130 eingestellt, so dass durch ein lokales Verändern der optischen Komponente 100, 300, 500 der zumindest eine Defekt 150, 350, 550, 1450 repariert wird. Schließlich endet das Verfahren bei Block 1840.Finally, the flow chart 1800 shows the 18 essential steps of a method according to the invention for repairing at least one defect 150, 350, 550, 1450 of an optical component 100, 300, 500 for the extreme ultraviolet wavelength range, which has a substrate 110 and a multilayer structure 120. The method begins at step 1810. In the first step 1820, a photon beam 610, 1010, 1020 is generated in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays. In block 1830, the photon beam 610, 1030, 1130 is adjusted so that the at least one defect 150, 350, 550, 1450 is repaired by locally changing the optical component 100, 300, 500. Finally, the method ends at block 1840.

Claims

Device (700) for repairing at least one defect (150, 350, 550, 1450) of an optical component (100, 300, 500) for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component (100, 300, 500) comprises a substrate (110) and a multilayer structure (120) arranged on the substrate (110), comprising: a. at least one light source (610, 1010, 1020) which is designed to generate a photon beam (605, 1030, 1130) in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays; b. a control device (750) which is designed to adjust the photon beam (605, 1030, 1130) in order to repair the at least one defect (150, 350, 550, 1450) by locally changing the optical component (100, 300, 500); and c. a detector (690, 780) which is designed to detect photons reflected from the optical component (100, 300, 500).

Device (700) according to the preceding claim, wherein the local change of the optical component (100, 300, 500) comprises a local change of a reflectivity of the optical component (100, 300, 500) in the range of an actinic wavelength.

Apparatus (700) according to any one of the preceding claims, wherein locally altering the optical component (100, 300, 500) comprises locally removing material from the optical component (100, 300, 500) with the photon beam (630, 840, 1030).

Device (700) according to the preceding claim, wherein the local removal of material comprises at least one element from the group: removal of excess material of at least one element of an absorber pattern (140) of a photolithographic mask (100), removal of material of the multilayer structure (120) of the optical component (300), and removal of at least one particle (550) from the optical component (500).

Device (700) according to one of the preceding claims, wherein the at least one light source (610, 1010, 1020) is further configured to adjust an energy density of the photon beam (605, 1030, 1130) for repairing the at least one defect (150, 350, 550, 1450) of the optical component (100, 300, 500).

Device (700) according to one of the preceding claims, further comprising an energy sensor (690) for detecting photons reflected from the optical component (100, 300, 500) and/or from the at least one defect (150, 350, 550, 1450) during a repair for monitoring the repair.

Device (700) according to the preceding claim, wherein the device (700) is designed to operate the at least one light source (610, 1010, 1020) and the energy sensor (690) in a closed feedback loop.

Apparatus (700) according to any one of the preceding claims, further comprising at least one first mirror (620) for scanning the photon beam (630) across the at least one defect (150, 350, 550, 1450) of the optical component (100, 300, 500), and at least one second mirror (660) for directing the photon beam (750) to a region of the optical component (100, 300, 500) comprising the at least one defect (150, 350, 500, 1450).

Device (700) according to one of the preceding claims, further comprising a control device (750) which is designed to move the at least one first mirror (620) and/or the at least one second mirror (660) over a macroscopic distance.

Device (700) according to one of the preceding claims, wherein the device (700) comprises a Fresnel zone plate (850) and/or wherein the control device (750) is designed to move the Fresnel zone plate (850) into and out of the photon beam (830).

Device (700) according to the preceding claim, wherein the control device (750) is further designed to configure the device (700) for an examination mode with the photon beam (750, 830, 1130), and/or wherein the control device (750) is further designed to switch the device (700) between the examination mode and a repair mode.

Device (700) according to one of the preceding claims, further comprising a sample holder for fixing the optical component (100, 300, 500), which is designed to rotate the optical component (100, 300, 500) about at least one axis, and/or wherein the sample holder is further designed to displace the optical component (100, 300, 500) in at least one lateral direction for examining a defect-free region of the optical component (100, 300, 500) with the photon beam (750, 830, 1130).

Device (700) according to one of the preceding claims, wherein the at least one light source (610, 1010, 1020) comprises a first light source (1020) configured to scan a focused photon beam (1030) over the at least one defect (150, 350, 550, 1450) for repairing the at least one defect (150, 350, 550, 1450), and a second light source (1020) configured to scan the photon beam (1130) onto the region of the optical component (100, 300, 500) comprising at least the at least one defect (150, 350, 550, 1450).

Device (700) according to one of the preceding claims, wherein the optical component comprises a pellicle (1310) through which the photon beam (630, 750, 830, 841030, 1130) passes during the repair and/or during an examination.

Method (1800) for repairing at least one defect (150, 350, 550, 1450) of an optical component (100, 300, 500) for the extreme ultraviolet (EUV) wavelength range, wherein the optical component (100, 300, 500) comprises a substrate (110) and a multilayer structure (120) arranged on the substrate (110), the method comprising the steps of: a. generating a photon beam (605, 1030, 1130) in the EUV wavelength range and/or in the wavelength range of soft X-rays; b. Adjusting the photon beam (605, 1030, 1130) such that the at least one defect (100, 300, 500) is repaired by locally changing the optical component (100, 300, 500); and c. Detecting photons reflected from the optical component (100, 300, 500) by a detector (780).

Method (1800) according to the preceding claim, wherein adjusting the photon beam (605, 1030, 1130) comprises at least one element from the group: focusing the photon beam (605, 1030, 1130), changing a pulse power of the photon beam (605, 1030, 1130), changing a polarization of the photon beam (605, 1030, 1130), and changing an angle of incidence of the photon beam (605, 1030, 1130) with respect to a normal direction of the optical component (100, 300, 500).

Procedure (1800) according to Claim 15 or 16 , further comprising the step of: switching between repairing the at least one defect (150, 350, 550, 1450) of the optical component (100, 300, 500) with the photon beam (630, 840, 1030) and examining the optical component (100, 300, 500) and/or the at least one defect (150,350,550,1450) of the optical component (100, 300, 500) with the photon beam (750, 830, 1130).

Method (1800) according to one of the Claims 15 - 17 , further comprising at least one of the steps: a. examining the at least one defect (150, 350, 550, 1450) with the photon beam (750, 830, 1130) and/or examining a defect-free reference position with the photon beam (750, 830, 1130); b. determining a repair form for the at least one examined defect (150, 350, 550, 1450) if the at least one examined defect (150, 350, 550, 1450) exceeds a predetermined threshold; c. repairing the at least one defect (150, 350, 550, 1450) with the photon beam (630, 840, 1030); d. Examining a repaired location of the optical component (100, 300, 500) with the photon beam (750, 830, 1130); and e. Repeating steps a. and b. if a remaining residue of the at least one defect (150, 350, 550, 1450) exceeds the predetermined threshold.

Method (1800) according to one of the Claims 15 - 18 , wherein the device (700) according to one of the Claims 1 until 14 is trained to carry out the process steps of one of the Claims 15 until 18 to execute.

Computer program comprising instructions which, when executed by a computer system, cause the computer system to perform the method steps of Claims 15 until 19 to execute.