DE102020201295A1 - Process for the production of modular, embedded components for miniaturized systems - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Baugruppe integrierter Systeme mit in einer oder in mehreren Schichten angeordneten passiven Bauelementen, die zusammen mit weiteren optionalen elektronischen Komponenten und Zwischenschichten zu der Baugruppe integrierter Systeme zusammengefügt werden, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente und/oder ein oder mehrere Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme separat in einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen auf einem oder mehreren Trägersubstraten hergestellt werden.Method for producing an assembly of integrated systems with passive components arranged in one or more layers, which are joined together with further optional electronic components and intermediate layers to form the assembly of integrated systems, characterized in that one or more of the passive components and / or one or a plurality of units, which contain passive components in connection with one another, are produced separately in one or more thin-film processes on one or more carrier substrates before the assembly of integrated systems is assembled.

Description

Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von modularen, eingebetteten Bauelementen für miniaturisierte Systeme nach dem Anspruch 1.The application relates to a method for producing modular, embedded components for miniaturized systems according to claim 1.

Die Miniaturisierung elektronischer Komponenten und Baugruppen sowie die Verbesserung der Effizienz im Rahmen der Herstellungsprozesse ist eine zentrale Aufgabe in der Mikroelektronik. Insbesondere wird in diesem Zusammenhang der Trend zur Integration in sogenannten „System in Package“ (SiP) vorangetrieben, die komplette funktionale Einheiten in einer kompakten, in sich abgeschlossenen Baugruppe enthalten. Die Vorteile der SiP-Lösungen bestehen vor allem darin, dass mit ihnen auch bei kleinen und mittleren Stückzahlen kundenspezifische Lösungen wirtschaftlich verwirklicht werden können. Die hohe Flexibilität in Herstellung und Anwendung, die Möglichkeit der Integration nicht mit Halbleitertechniken gefertigter Komponenten und das damit verbundene geringe Entwicklungsrisiko von SiP sind in diesem Zusammenhang besonders hervorzuheben. Anwendung finden SiP beispielsweise in Systemen mit einer hohen Integrationsdichte wie Smartphones, da sehr dünne Aufbauten mit integrierten passiven Baulementen realisiert werden können. Andere Anwendungsmöglichkeiten sind beispielsweise in der Hochfrequenztechnik zu finden, da auf diese Art und Weise kurze Signalwege zwischen den Bauelementen erreicht werden können.The miniaturization of electronic components and assemblies as well as the improvement of the efficiency in the context of the manufacturing processes is a central task in microelectronics. In particular, the trend towards integration in so-called “System in Package” (SiP), which contains complete functional units in a compact, self-contained assembly, is being promoted in this context. The main advantages of SiP solutions are that they can be used to economically implement customer-specific solutions, even for small and medium-sized quantities. The high flexibility in production and application, the possibility of integrating components that are not manufactured using semiconductor technology and the associated low development risk of SiP are particularly noteworthy in this context. SiP are used, for example, in systems with a high integration density such as smartphones, since very thin structures can be implemented with integrated passive components. Other possible applications can be found, for example, in high-frequency technology, since short signal paths between the components can be achieved in this way.

Ein in der Halbleiterfertigung und der Herstellung von SiP häufig genutzter Fertigungsprozess ist der Dünnfilm-Prozess, der dem Fachmann auch als Dünnschicht-Prozess bekannt ist. Dabei werden Bauelemente durch sequenzielles Auftragen dünner Schichten verschiedener Materialien erzeugt. Als Materialien kommen unter anderem metallische, dielektrische und halbleitende Werkstoffe zum Einsatz, wobei die Dicke dieser Schichten typischerweise im Bereich weniger Nanometer bis weniger Mikrometer liegen kann. Insbesondere werden auch Polymere als Schichtmaterial eingesetzt. An vorgesehenen Trennstellen wird häufig eine Release-Schicht platziert, die eine besonders einfache Teilung eines Schichtenaufbaus, beispielsweise von einem Trägersubstrat ermöglicht.A manufacturing process that is frequently used in semiconductor manufacturing and the manufacture of SiP is the thin-film process, which is also known to those skilled in the art as the thin-film process. Components are created by sequentially applying thin layers of different materials. The materials used include metallic, dielectric and semiconducting materials, with the thickness of these layers typically being in the range from a few nanometers to a few micrometers. In particular, polymers are also used as the layer material. A release layer, which enables a particularly simple division of a layer structure, for example from a carrier substrate, is often placed at provided separation points.

Erzeugt werden diese Schichten beispielsweise durch physikalische oder chemische Gasphasenabscheidung, Aufschleuderprozesse oder auch galvanische Verfahren auf einem Substrat, d.h. einem Trägermaterial, beispielsweise Glas oder ein- oder polykristalline Halbleiter-Rohlinge. Oftmals sind diese Substrate in Scheibenform von etwa 0,2 bis 1mm Dicke ausgebildet und werden als Wafer bezeichnet. Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, durch mechanische oder chemische Verfahren die Schichten weiter zu strukturieren oder anderweitig, beispielsweise mit dem Fachmann bekannten Prozessen wie Tempern, Rekristallisieren oder Dotieren nachzubehandeln. Dünnfilm-Prozesse kommen in der mikroelektronischen Fertigung zur Herstellung von aktiven und passiven Bauelementen zur Anwendung. Aktive Bauelemente sind steuerbar und/oder verstärken die Leistung eines Nutzsignals. Ein Beispiel hierfür sind Transistoren. Passive Bauelemente zeigen keine Verstärkerwirkung und/oder sind nicht steuerbar. Beispiele hierfür sind Kondensatoren, Widerstände oder Spulen.These layers are produced, for example, by physical or chemical vapor deposition, spin-on processes or galvanic processes on a substrate, i.e. a carrier material, for example glass or monocrystalline or polycrystalline semiconductor blanks. Often these substrates are in the form of disks with a thickness of approximately 0.2 to 1 mm and are referred to as wafers. In addition, there is the possibility of further structuring the layers by mechanical or chemical processes or of post-treating them in some other way, for example with processes known to the person skilled in the art, such as annealing, recrystallization or doping. Thin-film processes are used in microelectronic manufacturing for the production of active and passive components. Active components can be controlled and / or amplify the power of a useful signal. An example of this are transistors. Passive components have no amplifier effect and / or are not controllable. Examples of this are capacitors, resistors or coils.

Die Technologie der Dünnfilm-Prozesse liegt auch dem offenbarten Verfahren zugrunde.The technology of the thin-film processes is also the basis of the disclosed method.

Verbesserungspotential besitzt die SiP-Technologie unter anderem bei der Integration passiver Bauelemente, wie beispielsweise Widerstände, Kondensatoren und Spulen, sowie ganzen Netzwerken aus diesen Bauelementen.SiP technology has potential for improvement in the integration of passive components, such as resistors, capacitors and coils, as well as entire networks made up of these components.

Die Integration passiver Bauelemente erfolgt aktuell beispielsweise in der Umverdrahtung auf Wafer-Ebene zeitlich nach der Fertigung aktiver Komponenten, beispielsweise Halbleiterbauelementen. Dabei ist darauf zu achten, dass die bereits gefertigten Halbleiterbauelemente und -strukturen durch weitere Verfahrensschritte, beispielsweise durch die Verwendung aggressiver Medien oder zu hoher Temperaturen nicht beschädigt werden. Prinzipiell muss mit Einbußen in der Ausbeute an funktionsfähigen SiP durch diese sequenzielle Vorgehensweise gerechnet werden. Die Alternative zur Integration passiver Bauelemente auf Wafer-Ebene, beispielsweise durch den Aufbau diskreter passiver Bauelemente in der Nähe eines SiP, verlangt im Allgemeinen zusätzlichen Platz, was prinzipiell ebenfalls nachteilig ist.The integration of passive components currently takes place, for example, in the rewiring at wafer level after the production of active components, for example semiconductor components. Care must be taken that the semiconductor components and structures that have already been manufactured are not damaged by further process steps, for example by using aggressive media or excessively high temperatures. In principle, losses in the yield of functional SiP must be expected as a result of this sequential procedure. The alternative to integrating passive components at the wafer level, for example by building discrete passive components in the vicinity of a SiP, generally requires additional space, which is also disadvantageous in principle.

Die Aufgabe für eine weitere Verbesserung der Effizienz bei der Herstellung von SiP, beispielsweise zur Erhöhung der Ausbeute, besteht deshalb darin, eine geeignete Integrationsmöglichkeit für passive Bauelemente in einem SiP, oder allgemein in einer Baugruppe integrierter Systeme zu finden.The task for a further improvement of the efficiency in the production of SiP, for example to increase the yield, is therefore to find a suitable integration option for passive components in a SiP, or generally in an assembly of integrated systems.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den auf den unabhängigen Anspruch zurück bezogenen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by a method according to the features of claim 1. Further advantageous embodiments of the invention are specified in the claims which refer back to the independent claim.

Offenbart wird ein Verfahren zur Herstellung einer Baugruppe integrierter Systeme mit in einer oder in mehreren Schichten angeordneten passiven Bauelementen, die zusammen mit weiteren optionalen elektronischen Komponenten und Zwischenschichten zu der Baugruppe integrierter Systeme zusammengefügt werden. Unter einer Baugruppe integrierter Systeme wird in diesem Zusammenhang eine Vereinigung von elektronischen Schaltungen verstanden, die innerhalb eines begrenzten Volumens, das im Allgemeinen von seiner Umgebung mit einem geeigneten Gehäuse abgetrennt ist. Teil der elektronischen Schaltungen können auch Signalquellen, wie beispielsweise Sensoren sein, die in physikalische Größen wie Druck, Temperatur, Beschleunigung, Magnetfeld, Licht in elektrische Größen wie Strom und/oder Spannung umsetzen. Die Vereinigung von elektronischen Schaltungen bildet innerhalb des Gehäuses, das häufig auch als Package bezeichnet wird, eine elektronisches Gesamtsystem. Ein Beispiel hierfür ist das SiP. Die elektronischen Schaltungen, die in eine Baugruppe integrierter Systeme eingebunden werden, sind häufig in mikroelektronischen Schaltkreisen, die auch als Chip bezeichnet werden, implementiert, so dass im Rahmen einer Baugruppe integrierter Systeme oftmals die Zusammenführung mehrerer Chips mit ihren jeweiligen Funktionalitäten zu einem Gesamtsystem mit der geforderten Gesamtfunktion erfolgt. Die Anordnung in Schichten beschreibt beispielsweise die Anordnung der Bauelemente, und optional auch zugehörige elektrische Verbindungen, im Wesentlichen in einer flächigen, räumlich ausgebildeten Struktur, die, in eine Achsrichtung eines jeweils lokalen orthogonalen dreidimensionalen Koordinatensystems weniger ausgedehnt ist als in den zwei dazu orthogonal angeordneten Achsrichtungen. Zwischenschichten trennen Schichten von Bauelementen oder anders angeordneten Bauelementen oder elektronischen Schaltungen. Zwischenschichten können in bestimmten Ausführungsformen auch der elektrischen Isolation dienen.A method is disclosed for producing an assembly of integrated systems with passive components which are arranged in one or more layers and which are assembled together with further optional electronic components and intermediate layers to form the assembly of integrated systems. In this context, an assembly of integrated systems is a combination of electronic circuits understood that within a limited volume, which is generally separated from its surroundings with a suitable housing. Part of the electronic circuits can also be signal sources such as sensors that convert physical quantities such as pressure, temperature, acceleration, magnetic field, and light into electrical quantities such as current and / or voltage. The combination of electronic circuits forms an overall electronic system within the housing, which is often also referred to as a package. One example of this is the SiP. The electronic circuits that are integrated into an assembly of integrated systems are often implemented in microelectronic circuits, which are also referred to as chips, so that in the context of an assembly of integrated systems it is often the combination of several chips with their respective functionalities to form an overall system with the required overall function takes place. The arrangement in layers describes, for example, the arrangement of the components, and optionally also associated electrical connections, essentially in a flat, three-dimensional structure that is less extended in one axial direction of a respective local orthogonal three-dimensional coordinate system than in the two orthogonal axis directions . Intermediate layers separate layers of components or differently arranged components or electronic circuits. In certain embodiments, intermediate layers can also be used for electrical insulation.

In dem offenbarten Verfahren werden ein oder mehrere der passiven Bauelemente und/oder ein oder mehrere Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme separat in einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen auf einem oder mehreren Trägersubstraten hergestellt. Die separate Herstellung der passiven Bauelemente oder der daraus aufgebauten Einheiten birgt den Vorteil, dass an die jeweiligen Bauelemente angepasste Prozesse verwendet werden können, was insbesondere im Hinblick auf die verwendeten Medien und Temperaturen vorteilhaft ist, da diese nicht kompatibel zu den vorher gefertigten oder später zu fertigenden weiteren Komponenten, beispielsweise aktiven Halbleiterbauelementen, der Baugruppe integrierter Systeme sein müssen. Darüber hinaus können die Herstellungsschritte für die passiven Bauelemente und die Herstellung für die anderen Komponenten der Baugruppe integrierter Systeme, gegebenenfalls auch massiv, parallelisiert werden. Es ist auf diese Weise auch möglich, die passiven Bauelemente auf den separaten Trägersubstraten zu vermessen und/oder zu trimmen. So erhält man die Information, ob ein passives Bauelement der Spezifikation genügt oder nicht und in diesem Sinne ein bekannt gutes Bauelement, auch bekannt als „Known-Good“ darstellt. Das heißt, Produktionsausschuss kann bereits in diesem Parallelprozess erkannt und aussortiert werden, noch vor der Zusammenführung zu einer Baugruppe integrierter Systeme. Damit kann insgesamt die Ausbeute an funktionstüchtigen Baugruppen integrierter Systeme gesteigert werden; die Fertigungskosten können gesenkt werden.In the disclosed method, one or more of the passive components and / or one or more units containing passive components that are connected to one another are manufactured separately in one or more thin-film processes on one or more carrier substrates before the assembly of integrated systems is assembled. The separate production of the passive components or the units built from them has the advantage that processes adapted to the respective components can be used, which is particularly advantageous with regard to the media and temperatures used, since these are not compatible with those previously produced or later Manufacturing further components, for example active semiconductor components, must be the assembly of integrated systems. In addition, the manufacturing steps for the passive components and the manufacturing for the other components of the assembly of integrated systems can be parallelized, possibly also massively. In this way, it is also possible to measure and / or trim the passive components on the separate carrier substrates. This provides information as to whether a passive component meets the specification or not and, in this sense, represents a known good component, also known as “known good”. This means that production scrap can already be recognized and sorted out in this parallel process, even before it is merged into an assembly of integrated systems. In this way, the overall yield of functional assemblies of integrated systems can be increased; the manufacturing cost can be reduced.

Eine Möglichkeit des offenbarten Verfahrens besteht darin, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente und/oder der Einheiten miteinander in Verbindung stehender passiver Bauelemente vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme zu funktionalen Einheiten vereinzelt werden können. Damit besteht die Möglichkeit, eine Vielzahl gleichartiger passiver Bauelemente oder Einheiten miteinander in Verbindung stehender passiver Bauelemente auf einem Trägersubstrat gleichzeitig herzustellen und für die Integration in eine Baugruppe integrierter Systeme nur die Anzahl zu nutzen, die tatsächlich für die Baugruppe integrierter Systeme benötigt wird. Diese Möglichkeit des offenbarten Verfahrens eröffnet in diesem Sinne einen Weg zur Modularisierung der Zusammensetzung von Baugruppen integrierter Systeme und damit zur Kostensenkung und gleichzeitigen Qualitätsverbesserung.One possibility of the disclosed method is that one or more of the passive components and / or the units of connected passive components can be separated into functional units before the assembly of integrated systems is assembled. This makes it possible to manufacture a large number of identical passive components or units of interconnected passive components on a carrier substrate at the same time and to use only the number that is actually required for the assembly of integrated systems for integration into an assembly of integrated systems. In this sense, this possibility of the disclosed method opens up a way to modularize the composition of assemblies of integrated systems and thus to reduce costs and at the same time improve quality.

Eine sinnvolle Erweiterung des offenbarten Verfahrens besteht in der Möglichkeit, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente und/oder der Einheiten miteinander in Verbindung stehender passiver Bauelemente vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme von den Trägersubstraten gelöst werden. Die mechanische Tragfunktion des Trägersubstrates kann beim Zusammenfügen zu der Baugruppe integrierter Systeme von der Baugruppe integrierter Systeme selbst übernommen werden. Das Trägersubstrat ist dann im Wesentlichen ohne weitere Funktion und kann somit in der Baugruppe integrierter Systeme entfallen, wodurch Volumen und Gewicht eingespart werden und gleichzeitig mehr Freiräume für die Verbindungsführung zwischen einzelnen Komponenten der Baugruppe integrierter Systeme zur Verfügung stehen.A useful extension of the disclosed method consists in the possibility that one or more of the passive components and / or the units of connected passive components are detached from the carrier substrates before the assembly of integrated systems is assembled. The mechanical support function of the carrier substrate can be taken over by the assembly of integrated systems itself when assembling to form the assembly of integrated systems. The carrier substrate is then essentially without any further function and can thus be omitted in the assembly of integrated systems, whereby volume and weight are saved and at the same time more free space is available for the connection between individual components of the assembly of integrated systems.

In Rahmen des offenbarten Verfahrens ist es möglich, dass die separate Herstellung eines oder mehrerer Kondensatoren auf einem oder mehreren der Trägersubstrate mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren erfolgt, das für jeden Kondensator die Teil-Verfahrensschritte

  • - Erzeugung einer Polymerschicht einschließlich einer Releaseschicht,
  • - Erzeugung eines Metallpads,
  • - Erzeugung und Strukturieren einer dielektrischen Schicht auf einem Teil des Metallpads,
  • - Erzeugung und Strukturierung einer Passivierungsschicht, die jeweils eine Öffnung zur dielektrischen Schicht und eine Öffnung zum Metallpad aufweist, wobei die Öffnungen voneinander räumlich getrennt sind und
  • - Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall und Erzeugung einer Metallschicht über den Öffnungen, so dass die Öffnungen so ausgebildet sind, dass jeweils ein durch die Passivierungsschicht hindurchführender elektrischer Kontakt zur dielektrischen Schicht und ein davon getrennter elektrischer Kontakt zum Metallpad entsteht
enthält. Der Kondensator wird durch die Metallpads und die dielektrische Schicht gebildet. Unter einem Metallpad wird eine räumlich begrenzte, im Wesentlichen ebene Metallschicht verstanden, beispielsweise ein Metallplättchen oder ein Metallblock. Die Passivierungsschicht dient im Rahmen dieses Aufbaus als dauerhafter Träger des Kondensators in der Baugruppe integrierter Systeme und die Releaseschicht ist dazu ausgebildet eine möglichst beschädigungsfreie und einfache Ablösung des Kondensators vom Trägersubstrat zu ermöglichen. Zur Erzeugung der Schichten können beispielsweise Abscheidungsverfahren genutzt werden. Insbesondere auch zum Aufbringen der metallischen Materialien können auch Semi-Additive-Prozesse (SAP) oder modified Semi-Additive-Prozesse (mSAP) verwendet werden. Damit stehen für die Fertigung von Kondensatoren standardisierte mikroelektronische Fertigungsprozesse zur Verfügung. Prinzipiell ist es denkbar, dass die Funktion der Polymerschicht durch eine anorganische Schicht und die Funktion des Metalls durch eine elektrisch leitende Schicht, wie beispielsweise hochdotiertes Silizium realisiert wird.In the context of the disclosed method, it is possible for the separate production of one or more capacitors on one or more of the carrier substrates with one or more thin-film processes to take place in a sub-method that includes the sub-method steps for each capacitor
  • - Production of a polymer layer including a release layer,
  • - creation of a metal pad,
  • - Generation and structuring of a dielectric layer on part of the metal pad,
  • - Production and structuring of a passivation layer, each of which has an opening to the dielectric layer and an opening to the metal pad, the openings being spatially separated from one another and
  • - Filling the aforementioned openings with metal and creating a metal layer over the openings, so that the openings are designed in such a way that an electrical contact through the passivation layer to the dielectric layer and a separate electrical contact to the metal pad are created
contains. The capacitor is formed by the metal pads and the dielectric layer. A metal pad is understood to be a spatially limited, essentially flat metal layer, for example a metal plate or a metal block. In the context of this structure, the passivation layer serves as a permanent carrier of the capacitor in the assembly of integrated systems and the release layer is designed to enable the capacitor to be detached from the carrier substrate as easily and as free of damage as possible. For example, deposition processes can be used to produce the layers. In particular, semi-additive processes (SAP) or modified semi-additive processes (mSAP) can also be used to apply the metallic materials. This means that standardized microelectronic manufacturing processes are available for the manufacture of capacitors. In principle it is conceivable that the function of the polymer layer is realized by an inorganic layer and the function of the metal by an electrically conductive layer, such as highly doped silicon.

Eine weitere Option des offenbarten Verfahrens besteht darin, dass die Herstellung einer oder mehrerer Spulen auf einem oder mehreren der Trägersubstrate mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren erfolgt, das für jede Spule die Teil-Verfahrensschritte

  • - Erzeugung einer ersten Polymerschicht einschließlich einer Releaseschicht,
  • - Erzeugung von Metallstrukturen in der ersten Polymerschicht,
  • - Erzeugung einer zweiten Polymerschicht,
  • - Erzeugung eines Ferritkerns in der zweiten Polymerschicht,
  • - Erzeugung einer dritten Polymerschicht,
  • - Erzeugung von Metallstrukturen in der dritten Polymerschicht und Erzeugung von Öffnungen zu den Metallstrukturen in der ersten Polymerschicht und Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall, so dass die mit Metall gefüllten Öffnungen so ausgebildet sind, dass jeweils ein elektrischer Kontakt zwischen der ersten und der dritten Polymerschicht entsteht,
  • - Erzeugung einer vierten Polymerschicht und Erzeugung von Öffnungen zu den Metallstrukturen in der dritten Polymerschicht und Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall, so dass die mit Metall gefüllten Öffnungen so ausgebildet sind, dass jeweils ein elektrischer Kontakt zwischen der dritten und der vierten Polymerschicht entsteht und
  • - Erzeugung einer Passivierungsschicht
enthält. Wie im Falle des Kondensators dient die erste Polymerschicht als dauerhaftes Trägersubstrat der Spule. Die Releaseschicht dient der möglichst beschädigungsfreien und einfachen Ablösung vom Trägersubstrat im Herstellungsprozess. Die Polymerschichten und auch die Releaseschicht können beispielsweise durch Abscheidung, Abschleuderverfahren oder Sprühverfahren aufgebracht werden. Die Erzeugung von Metallstrukturen in der ersten Polymerschicht kann beispielsweise mit einem Damasceneprozess mit einem Laser umgesetzt werden. Alternativ dazu sind aber auch Semi-Additive-Prozesse oder modified Semi-Additive-Prozesse oder auch ein Subtraktivprozess möglich. Im Rahmen des Damasceneprozesses werden die Strukturen in das Polymer abladiert und anschließend galvanisch metallisiert. Das überstehende Kupfer kann durch chemisch-mechanisches Polieren entfernt werden. Für die Erzeugung des Ferritkerns in der zweiten Polymerschicht kann ebenfalls ein Damasceneprozess eingesetzt werden, der die Kavitätserzeugung im Polymer und die Auffüllung mit ferritischem Material beinhaltet. Überstehende Materialen können durch chemisch-mechanisches Polieren, Grinden oder ähnliches entfernt werden.A further option of the disclosed method consists in the production of one or more coils on one or more of the carrier substrates using one or more thin-film processes in a sub-method that includes the sub-method steps for each coil
  • - Production of a first polymer layer including a release layer,
  • - Creation of metal structures in the first polymer layer,
  • - creation of a second polymer layer,
  • - Creation of a ferrite core in the second polymer layer,
  • - creation of a third polymer layer,
  • - Production of metal structures in the third polymer layer and production of openings to the metal structures in the first polymer layer and filling of the aforementioned openings with metal, so that the openings filled with metal are designed so that there is electrical contact between the first and third polymer layers arises,
  • - Creation of a fourth polymer layer and creation of openings to the metal structures in the third polymer layer and filling of the aforementioned openings with metal, so that the openings filled with metal are designed in such a way that an electrical contact is made between the third and fourth polymer layers and
  • - Creation of a passivation layer
contains. As in the case of the capacitor, the first polymer layer serves as a permanent carrier substrate for the coil. The release layer is used for the most damage-free and simple detachment from the carrier substrate in the manufacturing process. The polymer layers and also the release layer can be applied, for example, by deposition, spin-off processes or spray processes. The production of metal structures in the first polymer layer can be implemented with a laser using a damascene process, for example. Alternatively, semi-additive processes or modified semi-additive processes or a subtractive process are also possible. As part of the damascene process, the structures are ablated into the polymer and then galvanically metallized. The protruding copper can be removed by chemical-mechanical polishing. A damascene process can also be used to produce the ferrite core in the second polymer layer, which includes the creation of cavities in the polymer and the filling with ferritic material. Projecting material can be removed by chemical-mechanical polishing, grinding or the like.

Die dritte Polymerschicht kann ganzflächig aufgebracht und eine Strukturierung mit Hilfe Laserablation durchgeführt werden. Die Erzeugung der Metallschicht in der dritten Polymerschicht kann darüber hinaus durch ein Dualdamasceneverfahren realisiert werden. Der Anschluss an die untere Metallschicht kann mittels Laser gelegt werden. Gleichzeitig wird damit eine weitere Umverdrahtungsschicht generiert. Die vierte Polymerschicht kann ebenfalls ganzflächig aufgebracht werden. Die Strukturierung ist auch hier mit Hilfe von Laserablation möglich. Die Passivierungsschicht, die ebenfalls aus einem Polymer gebildet werden kann, kann mittels Lithographie oder Laser bearbeitet werden.The third polymer layer can be applied over the entire area and structuring can be carried out with the aid of laser ablation. The production of the metal layer in the third polymer layer can also be realized by a dual damascene process. The connection to the lower metal layer can be made using a laser. At the same time, a further redistribution layer is generated. The fourth polymer layer can also be applied over the entire area. The structuring is also possible here with the help of laser ablation. The passivation layer, which can also be formed from a polymer, can be processed by means of lithography or laser.

Mittels Wafer-zu-Wafer-Bondverfahren können Spulenbauteile auf den Trägersubstraten gestapelt werden, was die Induktivität der Bauteile weiter steigern kann. Dabei können zwei und mehr Schichten realisiert werden. Nach dem Stapeln auf Wafer-Ebene erfolgt die Abtrennung und Vereinzelung der Bauteile.Using wafer-to-wafer bonding processes, coil components can be stacked on the carrier substrates, which can further increase the inductance of the components. Two or more layers can be implemented here. After stacking on wafer The separation and separation of the components takes place on the 1st level.

Prinzipiell ist es denkbar, dass die Funktion einer oder mehrerer Polymerschichten durch jeweils eine oder mehrere anorganische Schichten und die Funktion des Metalls durch eine elektrisch leitende Schicht, wie beispielsweise hochdotiertes Silizium realisiert wird.In principle, it is conceivable that the function of one or more polymer layers is implemented by one or more inorganic layers and the function of the metal is implemented by an electrically conductive layer, such as highly doped silicon.

Das Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme kann ferner die Herstellung eines oder mehrerer Widerstände auf einem oder mehreren der Trägersubstrate mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren aufweisen, das für jeden Widerstand die Teil-Verfahrensschritte

  • - Erzeugung einer Polymerschicht einschließlich einer Releaseschicht,
  • - Erzeugung eines Metallpads auf der Polymerschicht,
  • - Erzeugung und Strukturierung einer Passivierungsschicht, die an mindestens zwei Stellen zum Metallpad geöffnet wird und
  • - Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall, so dass mindestens zwei voneinander getrennte elektrische Kontakte durch die Passivierungsschicht hindurch zum Metallpad entstehen
enthält. Die Erzeugung von Metallstrukturen in der ersten Polymerschicht kann beispielsweise mit einem Damasceneprozess mit einem Laser umgesetzt werden. Alternativ dazu sind aber auch Semi-Additive-Prozesse oder modified Semi-Additive-Prozesse oder auch ein Subtraktivprozess möglich. Im Rahmen des Damasceneprozesses werden die Strukturen in das Polymer abladiert und anschließend galvanisch metallisiert. Das überstehende Kupfer kann durch chemisch-mechanisches Polieren entfernt werden. Wie im Falle des Kondensators dient die erste Polymerschicht als dauerhaftes Trägersubstrat des Widerstands. Die Releaseschicht dient der möglichst beschädigungsfreien und einfachen Ablösung vom Trägersubstrat. Die Polymerschichten und auch die Releaseschicht können beispielsweise durch Abscheidung aufgebracht werden. Die Passivierungsschicht, die ebenfalls aus einem Polymer gebildet werden kann, kann mittels Lithographie oder Laser bearbeitet werden.The method for producing the assembly of integrated systems can furthermore include the production of one or more resistors on one or more of the carrier substrates with one or more thin-film processes in a sub-method that includes the sub-method steps for each resistor
  • - Production of a polymer layer including a release layer,
  • - Creation of a metal pad on the polymer layer,
  • - Generation and structuring of a passivation layer, which is opened in at least two places to the metal pad and
  • - Filling the aforementioned openings with metal, so that at least two separate electrical contacts are created through the passivation layer to the metal pad
contains. The production of metal structures in the first polymer layer can be implemented with a laser using a damascene process, for example. Alternatively, semi-additive processes or modified semi-additive processes or a subtractive process are also possible. As part of the damascene process, the structures are ablated into the polymer and then galvanically metallized. The protruding copper can be removed by chemical-mechanical polishing. As in the case of the capacitor, the first polymer layer serves as a permanent carrier substrate for the resistor. The release layer is used for the most damage-free and simple detachment from the carrier substrate. The polymer layers and also the release layer can be applied, for example, by deposition. The passivation layer, which can also be formed from a polymer, can be processed by means of lithography or laser.

Prinzipiell ist es denkbar, dass die Funktion der Polymerschicht durch eine anorganische Schicht und die Funktion des Metalls durch eine elektrisch leitende Schicht, wie beispielsweise hochdotiertes Silizium realisiert wird.In principle it is conceivable that the function of the polymer layer is realized by an inorganic layer and the function of the metal by an electrically conductive layer, such as highly doped silicon.

Im offenbarten Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme ist es denkbar, dass zwei oder mehrere der Schichten der passiven Bauelemente und/oder der Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, flächenparallel gestapelt werden, wobei die einzelnen Schichten mit elektrischen Kontaktflächen im jeweiligen Randbereich versehen werden, der Stapel mit einem Polymer vergossen wird und ein Ankontaktieren mit einer Erzeugung von Löchern durch Laserbohren oder Photolithografie und einem Metallisieren der Löcher erfolgt. Typische Polymere, die zum Vergießen verwendet werden können, sind Epoxidharz, Polyimide (PI), Benzocyclobuten (BCB) oder auch Polybenzoxazole (PBO), die auch Füllmaterialien enthalten können. Der Vorteil, der sich aus dieser Verfahrensmöglichkeit ergibt, besteht unter anderem in der Kompaktheit der Baugruppe, der hohen erzielbaren Dichte an Bauteilen und der hohen mechanischen Festigkeit. Dabei sind die Kontakte der einzelnen Bauelemente an den Rand versetzt um eine einfache Stapelung mit einem Versatz zu ermöglichen. Der Stapel wird auf einem temporären Trägersubstrat aufgebaut und zu einer Baugruppe vergossen. Anschließend erfolgt mittels Laserbohren und Metallisieren der Öffnungen das Ankontaktieren.In the disclosed method for producing the assembly of integrated systems, it is conceivable that two or more of the layers of the passive components and / or the units that contain passive components connected to one another are stacked parallel to each other, the individual layers with electrical contact surfaces in each case Edge area are provided, the stack is potted with a polymer and a contact with a production of holes by laser drilling or photolithography and a metallization of the holes takes place. Typical polymers that can be used for potting are epoxy resin, polyimides (PI), benzocyclobutene (BCB) or polybenzoxazoles (PBO), which can also contain filler materials. The advantage that results from this process option consists, among other things, in the compactness of the assembly, the high achievable density of components and the high mechanical strength. The contacts of the individual components are offset to the edge in order to enable simple stacking with an offset. The stack is built on a temporary carrier substrate and potted to form an assembly. The openings are then contacted by means of laser drilling and metallization.

Das Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme bietet die Möglichkeit, dass die passiven Bauelemente und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, in eine Umverdrahtungsschicht integriert werden. Die Integration kann mittels Die-Adhesive-Film erfolgen. Anschließend erfolgt eine Einbettung mittels Polymerschichten, die auf den Wafer aufgebracht werden. Der elektrische Anschluss erfolgt über die zunächst darüber aufgebaute Metallumverdrahtungsschicht.The method for producing the assembly of integrated systems offers the possibility of the passive components and / or the units containing passive components that are connected to one another being integrated into a rewiring layer. The integration can be done by means of die-adhesive film. This is followed by embedding by means of polymer layers that are applied to the wafer. The electrical connection is made via the metal redistribution layer initially built on top of it.

Mit dem beanspruchten Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme ist es möglich, dass die passiven Bauelemente in eine oder mehrere der Zwischenschichten mit einem Verbindungsverfahren integriert werden, wobei sowohl die passiven Bauelemente und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, als auch die Zwischenschichten Verbindungskontaktflächen aufweisen. Als Verbindungsverfahren eignen sich beispielsweise Löten, Bonden oder auch Hybridbonden. Die Nutzung der Zwischenschichten zur Anordnung von passiven Bauelementen wird beispielsweise möglich, weil die Bauelemente in vereinzelter Form optimal platziert werden können, beispielsweise um kurze Leitungswege oder eine hohe Bauteil-Packungsdichte erzielen zu können.With the claimed method for producing the assembly of integrated systems, it is possible for the passive components to be integrated into one or more of the intermediate layers using a connection method, with both the passive components and / or the units containing the passive components connected to one another, as well as the intermediate layers have connection contact surfaces. Soldering, bonding or hybrid bonding, for example, are suitable as connection methods. The use of the intermediate layers for the arrangement of passive components is possible, for example, because the components can be optimally placed in isolated form, for example in order to be able to achieve short conduction paths or a high component packing density.

Das offenbarte Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme ist auch dazu geeignet, die passiven Bauelemente und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, in eine Leiterplatte zu integrieren. Als Verbindungstechnik ist auch hier beispielsweise ein Lötprozess möglich, der die Kontakte der passiven Bauelemente und/oder der Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, mit den Kontakten der Leiterplatte elektrisch verbindet.The disclosed method for producing the assembly of integrated systems is also suitable for adding the passive components and / or the units which contain passive components that are connected to one another to a printed circuit board integrate. As a connection technique, a soldering process is also possible here, for example, which electrically connects the contacts of the passive components and / or of the units which contain passive components that are connected to one another to the contacts of the circuit board.

Ein möglicher Verfahrensbestandteil besteht auch darin, dass die passiven Bauelemente und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, auf dem jeweiligen Trägersubstrat vermessen werden. Damit ist es möglich, unmittelbar und vor Integration in die Baugruppe integrierter Systeme die Funktionsfähigkeit der Bauelemente und/oder Einheiten zu prüfen und insgesamt das Risiko fehlerhafter Baugruppen integrierter Systeme zu reduzieren.A possible method component also consists in measuring the passive components and / or the units which contain passive components connected to one another on the respective carrier substrate. This makes it possible to test the functionality of the components and / or units immediately and before integration into the assembly of integrated systems and to reduce the overall risk of faulty assemblies in integrated systems.

Ein weiterer möglicher Verfahrensbestandteil besteht darin, dass die passiven Bauelemente und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente enthalten, auf dem jeweiligen Trägersubstrat getrimmt werden. Mit dem Trimmen können die Bauelementstrukturen so justiert werden, dass die Bauteilwerte innerhalb der geforderten Toleranzbereiche liegen. Auf diese Weise kann zum einen die Ausschussrate der Baugruppen integrierter Systeme insgesamt gesenkt und zum anderen auch die Qualität der produzierten Baugruppen integrierter Systeme verbessert werden.Another possible method component is that the passive components and / or the units which contain passive components connected to one another are trimmed on the respective carrier substrate. With the trimming, the component structures can be adjusted so that the component values are within the required tolerance ranges. In this way, on the one hand, the scrap rate of the assemblies of integrated systems can be reduced overall and, on the other hand, the quality of the assemblies produced in integrated systems can be improved.

Im Folgenden werden anhand von Figuren Ausführungsbeispiele für das offenbarte Verfahren gezeigt und nachfolgend erläutert. Dabei zeigen die Ausführungsbeispiele jeweils nur eine Möglichkeit zur Umsetzung des Verfahrens. In bestimmten Ausführungsformen kann es beispielsweise sinnvoll sein, Verfahrensschritte bezüglich einer oder mehrerer beispielhaft aufgeführter Schichten wegzulassen, hinzuzufügen oder gegen andere Verfahrensschritte auszutauschen. Gezeigt werden die Verfahrensschritte anhand der Ergebnisse jedes Verfahrensschrittes. Das heißt, die Verfahrensschritte sind jeweils so ausgebildet, dass sie das für den jeweiligen Verfahrensschritt beschriebene Ergebnis erbringen. Die Reihenfolge der Verfahrensschritte entspricht jeweils der alphabetischen Abfolge der Teilfiguren.In the following, exemplary embodiments for the disclosed method are shown with reference to figures and explained below. The exemplary embodiments each show only one possibility for implementing the method. In certain embodiments, it can be useful, for example, to omit or add method steps with regard to one or more layers listed by way of example, or to replace them with other method steps. The process steps are shown based on the results of each process step. This means that the method steps are each designed in such a way that they produce the result described for the respective method step. The order of the process steps corresponds to the alphabetical order of the sub-figures.

Es zeigen:

  • 1: Verfahrensschritte zur Herstellung eines Kondensators;
  • 2: Verfahrensschritte zur Herstellung einer Spule;
  • 3: Verfahrensschritte zum Stapeln von passiven Bauelementen auf Wafer-Ebene am Beispiel einer Spule;
  • 4: Verfahrensschritte zur Herstellung eines Widerstandes;
  • 5: Verfahrensschritte zum Stapeln von passiven Bauelementen auf Wafer-Ebene mit Herausführen elektrischer Kontakte nach außen;
  • 6: Verfahrensschritte zur Integration von bekannt guten passiven Bauelementen in eine Umverdrahtung;
  • 7: Verfahrensschritte zur Fertigung eines flexiblen, für Hochfrequenzanwendungen geeigneten Interposers mit passiven Bauelementen in einer ersten Ausführungsform;
  • 8: Verfahrensschritte zur Fertigung eines flexiblen, für Hochfrequenzanwendungen geeigneten Interposers mit passiven Bauelementen in einer zweiten Ausführungsform;
  • 9: Verfahrensschritte zur Fertigung eines Polymer-Interposer-Stapels auf einem Halbleiter in einem Fan-Out-Aufbau;
  • 10: Verfahrensschritte zur Integration passiver Bauelemente in eine Leiterplatte.
Show it:
  • 1 : Process steps for manufacturing a capacitor;
  • 2 : Process steps for manufacturing a coil;
  • 3 : Process steps for stacking passive components on wafer level using the example of a coil;
  • 4th : Process steps for producing a resistor;
  • 5 : Process steps for stacking passive components on wafer level with electrical contacts leading out to the outside;
  • 6th : Process steps for the integration of known good passive components in a rewiring;
  • 7th : Method steps for manufacturing a flexible interposer suitable for high-frequency applications with passive components in a first embodiment;
  • 8th : Method steps for the production of a flexible interposer suitable for high-frequency applications with passive components in a second embodiment;
  • 9 : Process steps for the production of a polymer interposer stack on a semiconductor in a fan-out structure;
  • 10 : Process steps for the integration of passive components in a printed circuit board.

1 zeigt beispielhaft die Verfahrensschritte für die Herstellung eines Kondensators als Beispiel für ein passives Bauelement 110. Der Aufbau des Kondensators erfolgt schichtweise. In 1a wird dargestellt, wie die Polymerschicht 20 auf dem Trägersubstrat 10, das beispielsweise aus Glas bestehen kann, aufgebracht ist. Die Polymerschicht 20 kann beispielsweise an der Grenze zum Trägersubstrat 10 auch eine Releaseschicht 12 enthalten, die eine besonders einfache Abtrennung des Kondensators vom Träger 10 ermöglicht. Darüber hinaus zeigt 1a zwei an der Polymerschicht 20 aufgebrachte Metallpads 30, die beispielsweise aus Kupfer oder Aluminium bestehen können. Prinzipiell sind andere Metalle und sogar Nichtmetalle mit ähnlicher Leitfähigkeit, beispielsweise auf Kohlenstoffbasis, ebenfalls an dieser Stelle einsetzbar. Die Metallpads 80 können beispielsweise mit einem semi-additiven Prozess (SAP) aber auch durch einen Subtraktivprozess aufgebracht werden, die jeweils dem Fachmann bekannt sind. 1 shows an example of the method steps for the production of a capacitor as an example of a passive component 110 . The capacitor is built up in layers. In 1a is shown as the polymer layer 20th on the carrier substrate 10 , which can consist of glass, for example, is applied. The polymer layer 20th can for example at the border to the carrier substrate 10 also a release layer 12th contain which a particularly simple separation of the capacitor from the carrier 10 enables. In addition, shows 1a two on the polymer layer 20th applied metal pads 30th , which can consist of copper or aluminum, for example. In principle, other metals and even non-metals with similar conductivity, for example based on carbon, can also be used at this point. The metal pads 80 can for example be applied with a semi-additive process (SAP) but also with a subtractive process, each of which is known to the person skilled in the art.

1b zeigt eine Opferschicht 40, die sich an die Polymerschicht 20 und die daran angeordneten Metallpads 30 anschließt. Die Opferschicht 40 weist Öffnungen 41 im Bereich der Metallpads 30 auf, die im Rahmen eines dem Fachmann bekannten Liftoff-Prozesses zum Teil mit einem dielektrischen Material 50, dass beispielsweise eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweisen kann, gefüllt werden. Die Opferschicht 40 wird im Weiteren abgetragen, so dass das dielektrische Material 50 lediglich an den Stellen, an denen die Opferschicht 40 die Öffnungen 41 aufweist, zurückbleibt. Dieser Zustand ist in 1c dargestellt. 1b shows a sacrificial layer 40 that adhere to the polymer layer 20th and the metal pads arranged thereon 30th connects. The sacrificial layer 40 has openings 41 in the area of the metal pads 30th in part with a dielectric material as part of a lift-off process known to the person skilled in the art 50 that, for example, can have a high dielectric constant, be filled. The sacrificial layer 40 is subsequently removed so that the dielectric material 50 only in the places where the sacrificial layer 40 the openings 41 has, remains. This state is in 1c shown.

1d zeigt, wie der Aufbau aus 1c um eine weitere Schicht, die beispielsweise aus Polymer bestehen und die mit der Polymerschicht 20 eine Einheit bilden kann, ergänzt wird, und beispielsweise Öffnungen 21 aufweist, die einen Zugang zum dielektrischen Material 50 und zu den Metallpads 30 ermöglicht. Diese Schicht kann gleichzeitig als Passivierungsschicht genutzt werden, das heißt, eine Schicht, die aufgrund ihrer geringen chemischen Reaktionsfreudigkeit, andere Schichten schützt, beispielsweise vor chemischen Reaktionen mit Umgebungsstoffen. 1d shows how the build out 1c a further layer, which consists for example of polymer and the one with the polymer layer 20th one Can form a unit, is supplemented, and, for example, openings 21 having access to the dielectric material 50 and to the metal pads 30th enables. This layer can at the same time be used as a passivation layer, that is to say a layer which, due to its low chemical reactivity, protects other layers, for example from chemical reactions with surrounding substances.

1e zeigt, wie die Öffnungen 21 mit einer Metallschicht 35 aufgefüllt werden, die auch zumindest in der Nähe der Öffnungen 21 existiert und in engem Kontakt mit der Polymerschicht 20 steht und als Kontaktfläche für elektrische Verbindungen zu anderen Komponenten genutzt werden kann. Der Teil der Metallschicht 35, der mit der der dielektrischen Schicht 50 in Verbindung steht, ist elektrisch isoliert von dem Teil der Metallschicht 35, der mit dem Metallpad 30 elektrisch in Verbindung steht. 1e zeigt darüber hinaus die Trennstelle 60, an der auf Wafer-Ebene einzelne passive Bauelemente 110 vereinzelt werden können. 1e shows how the openings 21 with a metal layer 35 be filled, which also at least near the openings 21 exists and in close contact with the polymer layer 20th and can be used as a contact surface for electrical connections to other components. The part of the metal layer 35 that with that of the dielectric layer 50 is in communication is electrically isolated from the part of the metal layer 35 the one with the metal pad 30th is electrically connected. 1e also shows the separation point 60 , on which individual passive components at the wafer level 110 can be isolated.

1f zeigt, basierend auf 1e, dass das passive Bauelement 110 vom Trägersubstrat 10 gelöst werden kann. 1f shows based on 1e that the passive component 110 from the carrier substrate 10 can be solved.

In 2 werden beispielhaft die Verfahrensschritte für die Herstellung eines weiteren passiven Bauelements 110, das heißt einer Spule, gezeigt. Der Aufbau der Spule erfolgt schichtweise. In 2a wird dargestellt, wie eine erste Polymerschicht 20 auf dem Trägersubstrat 10, das beispielsweise aus Glas bestehen kann, aufgebracht ist. Die erste Polymerschicht 20 kann beispielsweise an der Grenze zum Trägersubstrat 10 auch eine Releaseschicht 12 enthalten, die eine besonders einfache Abtrennung der Spule vom Trägersubstrat 10 ermöglicht. 2a zeigt darüber hinaus strukturierte, in die Polymerschicht 20 eingebrachte Metallpads 30. Diese Metallpads 30 können beispielsweise mit einem dem Fachmann bekannten Damasceneprozess hergestellt werden, bei denen die Strukturen im Polymer durch Ablation erzeugt und im Anschluss galvanisch metallisiert werden. Durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess kann überstehendes Material im Anschluss entfernt werden.In 2 the method steps for the production of a further passive component are exemplified 110 , i.e. a coil, is shown. The coil is built up in layers. In 2a is shown as a first polymer layer 20th on the carrier substrate 10 , which can consist of glass, for example, is applied. The first polymer layer 20th can for example at the border to the carrier substrate 10 also a release layer 12th contain which a particularly simple separation of the coil from the carrier substrate 10 enables. 2a shows also structured, in the polymer layer 20th introduced metal pads 30th . These metal pads 30th can be produced, for example, with a damascene process known to the person skilled in the art, in which the structures in the polymer are produced by ablation and then galvanically metallized. Any protruding material can then be removed using a chemical-mechanical polishing process.

2b zeigt, basierend auf 2a eine zweite Polymerschicht 20, die beispielsweise durch Abscheidung aufgebracht werden kann. In diese zweite Polymerschicht 20 wird durch erneute Anwendung eines Damasceneprozesses optional ein Ferritmaterial 70 eingebracht, das den Kern der Spule bildet und die Induktivität der Spule beeinflusst. Überschüssiges Material mit einem chemisch-mechanischen Polierprozess entfernt werden. 2 B shows based on 2a a second polymer layer 20th which can be applied, for example, by deposition. In this second polymer layer 20th By applying a damascene process again, a ferrite material is optionally used 70 introduced, which forms the core of the coil and influences the inductance of the coil. Excess material can be removed with a chemical-mechanical polishing process.

2c zeigt, basierend auf 2b eine dritte Polymerschicht 20, die ebenfalls durch Abscheidung aufgebracht werden kann. In diese dritte Polymerschicht 20 sind strukturiert Metallpads 30 eingebracht, beispielsweise durch ein dem Fachmann bekanntes Dual-Damascene-Verfahren, bei dem die Strukturen im Polymer durch Ablation erzeugt und im Anschluss galvanisch metallisiert werden. Durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess kann überstehendes Material im Anschluss entfernt werden. Darüber hinaus werden mit Hilfe von Lasertechnik Verbindungen zu den Metallpads 30 in der ersten Polymerschicht 20 erzeugt und galvanisch metallisiert, so dass metallische Verbindungen 30 zwischen der dritten und der ersten Polymerschicht 20 entstehen. 2c shows based on 2 B a third polymer layer 20th which can also be applied by deposition. In this third polymer layer 20th are structured metal pads 30th introduced, for example by a dual damascene method known to the person skilled in the art, in which the structures in the polymer are produced by ablation and then galvanically metallized. Any protruding material can then be removed using a chemical-mechanical polishing process. In addition, connections to the metal pads are made with the help of laser technology 30th in the first polymer layer 20th generated and galvanically metallized, so that metallic connections 30th between the third and first polymer layers 20th develop.

Basierend auf 2c zeigt 2d eine vierte, ganzflächige Polymerschicht 20, durch die hindurch Kontakte zur dritten Polymerschicht 20 mit Hilfe von Laserablation und galvanischer Metallisierung erzeugt werden und mit der auch eine Passivierung der Spulenschichten möglich ist.Based on 2c shows 2d a fourth, all-over polymer layer 20th , through which contacts to the third polymer layer 20th can be generated with the help of laser ablation and galvanic metallization and with which a passivation of the coil layers is also possible.

Die 2e und 2f zeigen darüber hinaus die mögliche Lösung der Spule vom Trägersubstrat 10 und die mögliche Vereinzelung anhand der Trennstellen 60 zu einzelnen passiven Bauelementen 110.the 2e and 2f also show the possible detachment of the coil from the carrier substrate 10 and the possible separation based on the separation points 60 to individual passive components 110 .

3 zeigt beispielhaft die Verfahrensschritte zum Stapeln von passiven Bauelementen auf Wafer-Ebene am Beispiel einer Spule. 3a zeigt, wie mehrere Spulen mit einem Wafer-zu-Wafer-Bondverfahren auf Trägersubstraten gestapelt werden können, was die Induktivität der Gesamtanordnung der passiven Bauelemente 110 beeinflusst. Dabei können zwei und/oder mehr Schichten passiver Bauelemente 110 miteinander verbunden werden. 3b zeigt, dass nach dem Stapeln auf Wafer-Ebene die Abtrennung vom jeweiligen Trägersubstrat 10 erfolgt. Die Kontaktierung zwischen den einzelnen Bauelementen 110 kann beispielsweise mit Lötkugeln 80 erreicht werden, wobei für die Herstellung der elektrischen Verbindung ein Lötprozess erforderlich ist. 3 shows an example of the method steps for stacking passive components at the wafer level using the example of a coil. 3a shows how several coils can be stacked on carrier substrates using a wafer-to-wafer bonding process, which increases the inductance of the overall arrangement of the passive components 110 influenced. Two and / or more layers of passive components can be used here 110 be connected to each other. 3b shows that after the stacking at the wafer level, the separation from the respective carrier substrate 10 he follows. The contact between the individual components 110 can for example with solder balls 80 can be achieved, a soldering process is required for the establishment of the electrical connection.

4 stellt die Verfahrensschritte zur Herstellung eines Widerstandes als Beispiel für ein passives Bauelement 110 dar. Der Aufbau eines Widerstandes erfolgt schichtweise. In 4a wird dargestellt, wie die Polymerschicht 20 auf dem Trägersubstrat 10, das beispielsweise aus Glas bestehen kann, aufgebracht ist. Die Polymerschicht 20 kann beispielsweise an der Grenze zum Trägersubstrat 10 auch eine Releaseschicht 12 enthalten, die eine besonders einfache Abtrennung des Widerstandes vom Trägersubstrat 10 ermöglicht. Darüber hinaus zeigt 4a zwei an der Polymerschicht 20 aufgebrachte Metallpads 30, die beispielsweise aus Kupfer oder Aluminium bestehen können. Prinzipiell sind andere Metalle und sogar Nichtmetalle mit ähnlicher Leitfähigkeit, beispielsweise auf Kohlenstoffbasis, ebenfalls an dieser Stelle einsetzbar. Die Metallpads können beispielsweise mit einem semi-additiven Prozess (SAP-Prozess) aber auch durch einen Subtraktivprozess aufgebracht werden, die jeweils dem Fachmann bekannt sind. 4th represents the process steps for the production of a resistor as an example of a passive component 110 A resistor is built up in layers. In 4a is shown as the polymer layer 20th on the carrier substrate 10 , which can consist of glass, for example, is applied. The polymer layer 20th can for example at the border to the carrier substrate 10 also a release layer 12th contain which a particularly simple separation of the resistor from the carrier substrate 10 enables. In addition, shows 4a two on the polymer layer 20th applied metal pads 30th , which can consist of copper or aluminum, for example. In principle, other metals and even non-metals with similar conductivity, for example based on carbon, can also be used at this point. The metal pads can for example be applied with a semi-additive process (SAP process) but also with a subtractive process, each of which is known to the person skilled in the art.

4b zeigt, wie der Aufbau aus 4a um eine weitere Schicht, die beispielsweise aus Polymer bestehen und die mit der Polymerschicht 20 eine Einheit bilden kann, ergänzt wird, und beispielsweise Öffnungen 21 aufweist, die einen Zugang den Metallpads 30 ermöglicht. Diese Schicht kann gleichzeitig als Passivierungsschicht genutzt werden, d.h., eine Schicht, die aufgrund ihrer geringen chemischen Reaktionsfreudigkeit, andere Schichten schützt, beispielsweise vor chemischen Reaktionen mit Umgebungsstoffen. 4b shows how the build out 4a a further layer, which consists for example of polymer and the one with the polymer layer 20th can form a unit, is supplemented, and for example openings 21 having access to the metal pads 30th enables. This layer can at the same time be used as a passivation layer, that is to say a layer which, due to its low chemical reactivity, protects other layers, for example from chemical reactions with surrounding substances.

4c zeigt, wie die Öffnungen 21 mit einer weiteren Metallschicht 35 aufgefüllt werden, die auch zumindest in der Nähe der Öffnungen 21 existiert und in engem Kontakt mit der Polymerschicht 20 steht und als Kontaktfläche für die elektrische Verbindung zu anderen Komponenten genutzt werden kann. Die verschiedenen Teile der Metallschicht 35, die verschiedenen Öffnungen 21 zugeordnet sind, sind voneinander elektrisch isoliert. 4c zeigt darüber hinaus die Trennstelle 60, an der auf Wafer-Ebene einzelne passive Bauelemente vereinzelt werden können. 4c shows how the openings 21 with another metal layer 35 be filled, which also at least near the openings 21 exists and in close contact with the polymer layer 20th and can be used as a contact surface for the electrical connection to other components. The different parts of the metal layer 35 who have favourited different openings 21 are assigned are electrically isolated from each other. 4c also shows the separation point 60 , on which individual passive components can be separated at the wafer level.

4d zeigt, basierend auf 4c, dass das passive Bauelement 110 vom Trägersubstrat 10 gelöst werden kann. 4d shows based on 4c that the passive component 110 from the carrier substrate 10 can be solved.

5 zeigt die Verfahrensschritte zum Stapeln von passiven Bauelementen 110 auf Wafer-Ebene mit Herausführen elektrischer Kontakte nach außen. Vorteilhaft ist hierbei beispielsweise die hohe erzielbare Dichte der passiven Bauelemente 110. Die einzelnen Bauelemente 110 werden dazu jeweils durch eine weitere Trennschicht 14 voneinander getrennt und beim Stapeln versetzt angeordnet, wie in 5a dargestellt. Der Stapel selbst wird auf einem temporären Trägersubstrat 10, beispielsweise aus Glas, aufgebaut und mit einer Releaseschicht 12 vom Trägersubstrat 10 abgrenzt. Mit Hilfe der Releaseschicht 12 kann später eine möglichst beschädigungsfreie und einfache Ablösung des Stapels vom Trägersubstrat 10 erreicht werden. 5b stellt dar, dass der Stapel der passiven Bauelemente 110 und der Trägersubstrat 10 mit einem Polymer 90 vergossen werden, beispielsweise mit einem Epoxidharz, einem Polyimid, Benzocyclobuten oder auch einem Polybenzoxazole. Wie in 5c dargestellt, erfolgt schließlich eine Lösung des vergossenen Stapels passiver Bauelemente 110 vom Trägersubstrat 10. Mittels Laserbohren und Metallisieren der Öffnungen 21 erfolgt das Ankontaktieren der einzelnen passiven Bauelemente 110. 5 shows the process steps for stacking passive components 110 at wafer level with electrical contacts leading out to the outside. The high achievable density of the passive components is advantageous here, for example 110 . The individual components 110 are each through a further separating layer 14th separated from each other and staggered when stacking, as in 5a shown. The stack itself is on a temporary carrier substrate 10 , for example made of glass, built up and with a release layer 12th from the carrier substrate 10 delimits. With the help of the release layer 12th can later enable the stack to be detached from the carrier substrate as easily and without damage as possible 10 can be achieved. 5b represents the stack of passive components 110 and the carrier substrate 10 with a polymer 90 be potted, for example with an epoxy resin, a polyimide, benzocyclobutene or a polybenzoxazole. As in 5c Finally, the potted stack of passive components is resolved 110 from the carrier substrate 10 . Using laser drilling and metallizing the openings 21 the individual passive components are contacted 110 .

6 zeigt die Verfahrensschritte zur Integration von bekannt guten passiven Bauelementen 110 in eine Umverdrahtung. Die einzelnen passiven Bauelemente 110 können nach elektrischer Charakterisierung in der Umverdrahtung von CMOS-Bauteilen angeordnet werden. Die vorherige elektrische Charakterisierung sorgt dafür, dass nur bekannt gute passive Bauelemente 110, also „Known Good“ mit den für die Gesamtschaltung richtigen Eigenschaften verbaut werden. Dadurch kann die Produktqualität gesteigert und die Ausschussrate gesenkt werden. 6 zeigt, dass über dem Halbleiter 11 mehrere Schichten 20, beispielsweise aus Polymer aufgebracht und in diesen Schichten 20 passive Bauelemente 110 angeordneten werden. 6 zeigt beispielhaft eine Spule und einen Kondensator. Die Herstellung elektrischer Verbindungen zu den passiven Bauelementen 110 erfolgt schichtweise durch Öffnungen 21, die metallisiert werden. Der Halbleiter 11 selbst wird über eine Kontaktfläche 32 elektrisch kontaktiert. Die elektrischen Leitungen 31 dienen dem Energie- und Signaltransport, die Ankontaktierungen 34 dienen als elektrische Verbindungspunkte. Die passiven Bauelemente 110 können jeweils mit einer weiteren Zwischenschicht 14 versehen werden, die beispielsweise der Fixierung dient. 6th shows the process steps for the integration of known good passive components 110 in a rewiring. The individual passive components 110 can be arranged in the rewiring of CMOS components after electrical characterization. The previous electrical characterization ensures that only known good passive components 110 , ie "Known Good" with the correct properties for the overall circuit. As a result, the product quality can be increased and the reject rate can be reduced. 6th shows that above the semiconductor 11 multiple layers 20th , for example applied from polymer and in these layers 20th passive components 110 be arranged. 6th shows an example of a coil and a capacitor. Making electrical connections to the passive components 110 takes place in layers through openings 21 that are metallized. The semiconductor 11 itself will have a contact surface 32 electrically contacted. The electrical lines 31 serve to transport energy and signals, the contacts 34 serve as electrical connection points. The passive components 110 can each with a further intermediate layer 14th are provided, which is used, for example, the fixation.

7 zeigt die Verfahrensschritte zur Fertigung eines flexiblen, für Hochfrequenzanwendungen geeigneten Interposers 120 mit passiven Bauelementen 110 in einer ersten Ausführungsform. Interposer 120 dienen als Träger oder Zwischenstück, Zwischenschicht zwischen Schaltkreisen und können beispielsweise aus Polymeren, Silizium oder Glas gefertigt werden. Interposer 120 können auch dazu genutzt werden, elektrische Verbindungen zwischen den Schaltkreisen oder nach außen zu externen Anschlüssen zu beherbergen. 7a zeigt einen solchen Interposer 120, der auf einem Trägersubstrat 10, das beispielsweise aus Glas besteht, angeordnet ist. In diesem Ausführungsbeispiel weist der Interposer 120 Polymerschichten 20 auf, in die die passiven Bauelemente 110 angeordnet und darüber hinaus elektrische Verbindungen 31 platziert sind. Die elektrischen Verbindungen 31 stehen zudem bedarfsweise mit den passiven Bauelementen 110 in Kontakt. 7b zeigt aufbauend auf 7a die Anordnung von elektrischen Verbindungselementen 80, beispielsweise Lötkugeln, über die die elektrische Verbindung mit einem Lötprozess hergestellt wird. Prinzipiell sind auch andere Verbindungstechniken an dieser Stelle denkbar, wie beispielsweise das Hybridbonden. 7c zeigt, aufbauend auf 7b, die Entfernung des Trägersubstrats 10. Gegebenenfalls kann es notwendig sein, in diesem Verfahrensschritt temporären Klebstoff zu entfernen. Der so gefertigte flexible Interposer 120 kann, wie in 7d gezeigt, beispielsweise mit Lötkugeln 80 und den zugeordneten Metallkontaktflächen 32 an einen Halbleiter 11 und eine Leiterplatte 13 in einem Flipchip-Aufbau ankontaktiert werden, beispielsweise in einem dem Fachmann bekannten Bumpingprozess. Der flexible Interposer 120 ist somit nutzbar als eine zwischen dem Halbleiter 11 und der Leiterplatte 13 angeordnete flexible Umverdrahtungsschicht 31. 7th shows the process steps for manufacturing a flexible interposer suitable for high-frequency applications 120 with passive components 110 in a first embodiment. Interposer 120 serve as a carrier or intermediate piece, intermediate layer between circuits and can be made of polymers, silicon or glass, for example. Interposer 120 can also be used to house electrical connections between circuits or out to external connections. 7a shows such an interposer 120 on a carrier substrate 10 , which consists for example of glass, is arranged. In this embodiment, the interposer 120 Polymer layers 20th in which the passive components 110 arranged and also electrical connections 31 are placed. The electrical connections 31 are also available with the passive components as required 110 in contact. 7b shows building on 7a the arrangement of electrical connection elements 80 , for example solder balls, through which the electrical connection is made with a soldering process. In principle, other connection techniques are also conceivable at this point, such as hybrid bonding. 7c shows building on 7b , the removal of the carrier substrate 10 . It may be necessary to remove temporary adhesive in this process step. The flexible interposer made in this way 120 can, as in 7d shown, for example with solder balls 80 and the associated metal contact surfaces 32 to a semiconductor 11 and a circuit board 13th be contacted in a flipchip structure, for example in a bumping process known to the person skilled in the art. The flexible interposer 120 is thus usable as one between the semiconductor 11 and the circuit board 13th arranged flexible redistribution wiring layer 31 .

8 zeigt einen flexiblen, für Hochfrequenzanwendungen geeigneten Interposer 120 mit passiven Bauelementen 110 in einer zweiten Ausführungsform. Der Aufbau in 8a unterscheidet sich vom im 7a gezeigten Aufbau durch Öffnungen 24 im Interposer 120. Diese Öffnungen 24 können an ihren Rändern beispielsweise metallisiert sein, um beispielsweise in einem späteren Lötvorgang eine bessere Verbindung zu erreichen. Beim Assemblieren des Chips auf der Leiterplatte wird der Interposer 120 auf der Leiterplatte mitplatziert. Im Lötprozess des Chips auf der Leiterplatte wird der Interposer 120 gleichzeitig mit integriert, in dem die Lötkugeln 80 durch die Öffnungen 24 im Rahmen eines Lötprozesses eine elektrische Verbindung zwischen den Metallkontakten 32 des Halbleiters 11 und der Leiterplatte 13 herstellen. Der Interposer 120 kann in einem Aufbau gleichzeitig auch eine elektromagnetische Schirmfunktion übernehmen. 8th shows a flexible interposer suitable for high frequency applications 120 with passive components 110 in a second embodiment. The structure in 8a differs from the im 7a shown structure through openings 24 in the interposer 120 . These openings 24 can be metallized at their edges, for example, in order to achieve a better connection in a later soldering process, for example. When assembling the chip on the circuit board, the interposer 120 placed on the circuit board. In the process of soldering the chip onto the circuit board, the interposer 120 at the same time with integrated in which the solder balls 80 through the openings 24 an electrical connection between the metal contacts as part of a soldering process 32 of the semiconductor 11 and the circuit board 13th produce. The interposer 120 can also take on an electromagnetic shielding function in one structure.

9 zeigt die Verfahrensschritte zur Fertigung eines Polymer-Interposer-Stapels mit darin integrierten passiven Bauelementen 110 auf einem Halbleiter 11 in einem Fan-Out-Aufbau. In einem Fan-Out-Aufbau werden bereits vereinzelte Halbleiter 11 auf einem Trägersubstrat 10 positioniert und vergossen. Die Kontakte des Halbleiters 32 werden über eine Umverdrahtung 31 nach außen geführt. 9a zeigt die Positionierung des Halbleiters 11 auf einem Trägersubstrat 10. Dabei kann eine Releaseschicht 12 verwendet werden, die eine spätere Ablösung vom Trägersubstrat 10 erleichtert. 9b zeigt als zweiten Aufbauschritt die Positionierung eines Polymerinterposers 120 mit integrierten passiven Bauelementen 110 sowie einer Umverdrahtungsschicht 31. Die Ankontaktierung 34 der Umverdrahtung 31 kann in einen nicht belegten Bereich gelegt und zwar beispielsweise so, dass die Ankontaktierung 34 bereits im Randbereich positioniert wird, womit beispielsweise die Notwendigkeit eines nachträglichen Laserbohrens zum Zugänglichmachen der Ankontaktierung 34 entfallen kann. Um zu verhindern, dass der Interposer 120 bei einer weiteren Verarbeitung, beispielsweise einem Moldprozess verschoben wird, kann der Interposer 120 mit einer Klebstoff-Schicht auf dem Halbleiter 11 fixiert werden. 9 shows the process steps for manufacturing a polymer interposer stack with passive components integrated therein 110 on a semiconductor 11 in a fan-out setup. Isolated semiconductors are already used in a fan-out structure 11 on a carrier substrate 10 positioned and potted. The contacts of the semiconductor 32 are about a rewiring 31 outwards. 9a shows the positioning of the semiconductor 11 on a carrier substrate 10 . A release layer 12th are used, which later detach from the carrier substrate 10 relieved. 9b shows the positioning of a polymer interposer as the second construction step 120 with integrated passive components 110 as well as a redistribution layer 31 . The contact 34 the rewiring 31 can be placed in an unoccupied area, for example so that the contact 34 is already positioned in the edge area, which, for example, eliminates the need for subsequent laser drilling to make the contact accessible 34 can be omitted. To prevent the interposer 120 is postponed during further processing, for example a molding process, the interposer 120 with an adhesive layer on the semiconductor 11 be fixed.

9c zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, in dem der in 9b dargestellte Aufbau vergossen wird, beispielsweise mit einem Polymer 90 wie beispielsweise einem Epoxidharz, einem Polyimide, einem Benzocyclobuten oder einem Polybenzoxazol. In 9d wird ein weiterer Verfahrensschritt dargestellt, der die Ablösung des Trägersubstrats 10 beinhaltet, so dass ein Package 130 entsteht, dass sowohl Halbleiter 11, passive Bauelemente 110, die Umverdrahtung 31 und Ankontaktierung 34 sowie das Polymer 90 enthält. Die Ankontaktierung 34 wird in diesem Verfahrensschritt zugänglich und kann später zur Herstellung einer elektrischen Verbindung verwendet werden. 9e zeigt einen optionalen Verfahrensschritt, bei dem die Rückseite der Ankontaktierung 34 durch beispielsweise eine Öffnung 91, die mittels einer Laserbohrung erstellt werden kann, zugänglich gemacht wird. Über diese Öffnung 91 ist es beispielsweise möglich, so wie in 9f dargestellt mehrere Packages 130 miteinander elektrisch zu verbinden, in dem beispielsweise die Ankontaktierungen 34 zweier Packages 130 durch die Öffnung 91 mit Hilfe einer Lötkugel 80 in einem Lötprozess verbunden werden. 9c shows a further process step in which the in 9b The structure shown is potted, for example with a polymer 90 such as an epoxy resin, a polyimide, a benzocyclobutene or a polybenzoxazole. In 9d a further process step is shown, which is the detachment of the carrier substrate 10 includes, so a package 130 arises that both semiconductors 11 , passive components 110 who have favourited rewiring 31 and contacting 34 as well as the polymer 90 contains. The contact 34 becomes accessible in this process step and can later be used to establish an electrical connection. 9e shows an optional process step in which the back of the contact 34 through an opening, for example 91 , which can be created by means of a laser drilling, is made accessible. About this opening 91 is it possible, for example, as in 9f shown several packages 130 to be electrically connected to each other, in which, for example, the contacts 34 two packages 130 through the opening 91 with the help of a solder ball 80 be connected in a soldering process.

10 zeigt die Verfahrensschritte zur Integration passiver Bauelemente 110 in eine Leiterplatte 13. Hierbei ist es möglich, dass die passiven Bauelemente 110 sich im Inneren der Leiterplatte 13 oder im Randbereich der Leiterplatte 13 befinden. Um eine elektrische Verbindung der passiven Bauelemente 110 zu ermöglichen, kann beispielsweise durch Laserbohren eine Öffnung 21 erstellt und anschließend metallisiert werden. Auf der Leiterplatte 13 können die metallisierten Öffnungen 21 zur besseren elektrischen Anschlussfähigkeit der passiven Bauelemente 110 mit Metallkontakten 32 verbunden werden. Über diese Metallkontakte 32 und Lötkugeln 80 einschließlich Lötprozess ist eine Anbindung weiterer Bauelemente, beispielsweise Halbleiter 11 möglich. 10 shows the process steps for the integration of passive components 110 into a circuit board 13th . It is possible that the passive components 110 inside the circuit board 13th or in the edge area of the circuit board 13th are located. To establish an electrical connection between the passive components 110 to enable, for example, by laser drilling an opening 21 created and then metallized. On the circuit board 13th can use the metallized openings 21 for better electrical connectivity of the passive components 110 with metal contacts 32 get connected. About these metal contacts 32 and solder balls 80 including the soldering process is a connection of further components, for example semiconductors 11 possible.

Claims (12)

Verfahren zur Herstellung einer Baugruppe integrierter Systeme mit in einer oder in mehreren Schichten angeordneten passiven Bauelementen (110), die zusammen mit weiteren optionalen elektronischen Komponenten und Zwischenschichten zu der Baugruppe integrierter Systeme zusammengefügt werden, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente (110) und/oder ein oder mehrere Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme separat in einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen auf einem oder mehreren Trägersubstraten (10) hergestellt werden.Method for producing an assembly of integrated systems with passive components (110) arranged in one or more layers, which are joined together with further optional electronic components and intermediate layers to form the assembly of integrated systems, characterized in that one or more of the passive components (110 ) and / or one or more units which contain passive components (110) connected to one another are produced separately in one or more thin-film processes on one or more carrier substrates (10) before the assembly of integrated systems is assembled. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente (110) und/oder der Einheiten miteinander in Verbindung stehender passiver Bauelemente (110) vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme zu funktionalen Einheiten vereinzelt werden.Process for the production of the assembly of integrated systems according to Claim 1 , characterized in that one or more of the passive components (110) and / or the units of interconnected passive components (110) are separated into functional units before the assembly of integrated systems. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere der passiven Bauelemente (110) und/oder der Einheiten miteinander in Verbindung stehender passiver Bauelemente (110) vor dem Zusammenfügen der Baugruppe integrierter Systeme von den Trägersubstraten (10) gelöst werden.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that one or more of the passive components (110) and / or the units of interconnected passive components (110) are removed from the carrier substrates before the assembly of integrated systems is assembled (10) can be solved. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die separate Herstellung eines oder mehrerer Kondensatoren auf einem oder mehreren der Trägersubstrate (10) mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren erfolgt, das für jeden Kondensator die Teil-Verfahrensschritte - Erzeugung einer Polymerschicht (20) einschließlich einer Releaseschicht, - Erzeugung eines Metallpads (30), - Erzeugung und Strukturieren einer dielektrischen Schicht (50) auf einem Teil des Metallpads (30), - Erzeugung und Strukturierung einer Passivierungsschicht (20), die jeweils eine Öffnung (21) zur dielektrischen Schicht (50) und eine Öffnung (21) zum Metallpad (30) aufweist, wobei die Öffnungen (21) voneinander räumlich getrennt sind und - Füllung der vorgenannten Öffnungen (21) mit Metall und Erzeugung einer Metallschicht (35) über den Öffnungen (21), so dass die Öffnungen (21) so ausgebildet sind, dass jeweils ein durch die Passivierungsschicht (20) hindurchführender elektrischer Kontakt (35) zur dielektrischen Schicht (50) und ein davon getrennter elektrischer Kontakt zum Metallpad (30) entsteht enthält.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the separate production of one or more capacitors on one or more of the carrier substrates (10) with one or more thin-film processes takes place in a partial process that is performed for each Capacitor, the partial process steps - production of a polymer layer (20) including a release layer, - production of a metal pad (30), - production and structuring of a dielectric layer (50) on part of the metal pad (30), - production and structuring of a passivation layer ( 20), each having an opening (21) to the dielectric layer (50) and an opening (21) to the metal pad (30), the openings (21) being spatially separated from one another and filling of the aforementioned openings (21) with metal and producing a metal layer (35) over the openings (21), so that the openings (21) are formed such that a d The electrical contact (35) leading through the passivation layer (20) to the dielectric layer (50) and a separate electrical contact to the metal pad (30) is produced. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung einer oder mehrerer Spulen auf einem oder mehreren der Trägersubstrate (10) mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren erfolgt, das für jede Spule die Teil-Verfahrensschritte - Erzeugung einer ersten Polymerschicht (20) einschließlich einer Releaseschicht, - Erzeugung von Metallstrukturen (30) in der ersten Polymerschicht (20), - Erzeugung einer zweiten Polymerschicht (20), - Erzeugung eines Ferritkerns (70) in der zweiten Polymerschicht (20), - Erzeugung einer dritten Polymerschicht (20), - Erzeugung von Metallstrukturen (30) in der dritten Polymerschicht (20) und Erzeugung von Öffnungen zu den Metallstrukturen (30) in der ersten Polymerschicht (20) und Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall, so dass die mit Metall gefüllten Öffnungen so ausgebildet sind, dass jeweils ein elektrischer Kontakt (30) zwischen der ersten und der dritten Polymerschicht (20) entsteht, - Erzeugung einer vierten Polymerschicht (20) und Erzeugung von Öffnungen zu den Metallstrukturen (30) in der dritten Polymerschicht (20)und Füllung der vorgenannten Öffnungen mit Metall, so dass die mit Metall gefüllten Öffnungen so ausgebildet sind, dass jeweils ein elektrischer Kontakt (30) zwischen der dritten und der vierten Polymerschicht (20) entsteht und - Erzeugung einer Passivierungsschicht enthä lt.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the production of one or more coils on one or more of the carrier substrates (10) takes place with one or more thin-film processes in a partial process that is performed for each coil the partial process steps - production of a first polymer layer (20) including a release layer, - production of metal structures (30) in the first polymer layer (20), - production of a second polymer layer (20), - production of a ferrite core (70) in the second Polymer layer (20), - production of a third polymer layer (20), - production of metal structures (30) in the third polymer layer (20) and production of openings to the metal structures (30) in the first polymer layer (20) and filling of the aforementioned openings with metal, so that the openings filled with metal are designed in such a way that an electrical contact (30) between each of them Most and the third polymer layer (20) is created, - Creation of a fourth polymer layer (20) and creation of openings to the metal structures (30) in the third polymer layer (20) and filling of the aforementioned openings with metal, so that the openings filled with metal are designed in such a way that an electrical contact (30) is created between the third and fourth polymer layers (20) and contains the creation of a passivation layer. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung eines oder mehrerer Widerstände auf einem oder mehreren der Trägersubstrate (10) mit einem oder mehreren Dünnfilm-Prozessen in einem Teil-Verfahren erfolgt, das für jeden Widerstand die Teil-Verfahrensschritte - Erzeugung einer Polymerschicht (20) einschließlich einer Releaseschicht, - Erzeugung eines Metallpads (30) auf der Polymerschicht, - Erzeugung und Strukturierung einer Passivierungsschicht (20), die an mindestens zwei Stellen (21) zum Metallpad (30) geöffnet wird und - Füllung der vorgenannten Öffnungen (21) mit Metall, so dass mindestens zwei voneinander getrennte elektrische Kontakte (35) durch die Passivierungsschicht (20) hindurch zum Metallpad (30) entstehen enthä lt.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the production of one or more resistors on one or more of the carrier substrates (10) takes place with one or more thin-film processes in a partial process that is performed for each resistor the partial process steps - production of a polymer layer (20) including a release layer, - production of a metal pad (30) on the polymer layer, - production and structuring of a passivation layer (20) which opens at at least two points (21) to the metal pad (30) and - the aforementioned openings (21) are filled with metal so that at least two separate electrical contacts (35) are created through the passivation layer (20) to the metal pad (30). Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwei oder mehrere der Schichten der passiven Bauelemente (110) und/oder der Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, flächenparallel gestapelt werden, wobei die einzelnen Schichten mit elektrischen Kontaktflächen (35) im jeweiligen Randbereich versehen werden, der Stapel mit einem Polymer (90) vergossen wird und ein Ankontaktieren mit einer Erzeugung von Löchern (21) durch Laserbohren und einem Metallisieren der Löcher erfolgt.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that two or more of the layers of the passive components (110) and / or of the units which contain passive components (110) connected to one another are stacked parallel to one another, wherein the individual layers are provided with electrical contact surfaces (35) in the respective edge area, the stack is encapsulated with a polymer (90) and contact is made with the creation of holes (21) by laser drilling and metallization of the holes. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die passiven Bauelemente (110) und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, in eine Umverdrahtungsschicht integriert werden.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the passive components (110) and / or the units which contain passive components (110) connected to one another are integrated in a rewiring layer. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die passiven Bauelemente (110) in eine oder mehrere der Zwischenschichten (120) mit einem Verbindungsverfahren integriert werden, wobei sowohl die passiven Bauelemente (110) und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, als auch die Zwischenschichten (120) Verbindungskontaktflächen aufweisen.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the passive components (110) are integrated into one or more of the intermediate layers (120) with a connection method, wherein both the passive components (110) and / or the Units that are interconnected passive Contain components (110), as well as the intermediate layers (120) have connection contact surfaces. Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die passiven Bauelemente (110) und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, in eine Leiterplatte (13) integriert werden.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the passive components (110) and / or the units which contain passive components (110) connected to one another are integrated in a printed circuit board (13). Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die passiven Bauelemente (110) und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, auf dem jeweiligen Trägersubstrat (10) vermessen werden.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the passive components (110) and / or the units containing interconnected passive components (110) are measured on the respective carrier substrate (10) . Verfahren zur Herstellung der Baugruppe integrierter Systeme nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die passiven Bauelemente (110) und/oder die Einheiten, die miteinander in Verbindung stehende passive Bauelemente (110) enthalten, auf dem jeweiligen Trägersubstrat (10) getrimmt werden.Method for producing the assembly of integrated systems according to one of the preceding claims, characterized in that the passive components (110) and / or the units which contain passive components (110) connected to one another are trimmed on the respective carrier substrate (10) .
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