DE102020115032A1 - Chip, leadframe, method of forming a chip, and method of forming a leadframe - Google Patents

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Julia Katharina Kraus
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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Chip (200) bereitgestellt, der ein Substrat (102), ein Anschlusspad (106), mindestens ein zusätzliches Anschlusspad (110) neben dem Anschlusspad (106) und einen Abstandshalter (220) aufweist, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad (110) angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads (110) mit einem Träger-Anschlusspad (122) eines Trägers, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad (122) elektrisch leitend verbunden ist.In various exemplary embodiments, a chip (200) is provided which has a substrate (102), a connection pad (106), at least one additional connection pad (110) next to the connection pad (106) and a spacer (220) which is at least partially next to the additional connection pad (110) is arranged to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad (110) with a carrier connection pad (122) of a carrier when the connection pad is electrically conductively connected to the carrier connection pad (122).

Description

Die Erfindung betrifft einen Chip, einen Systemträger, ein Verfahren zum Bilden eines Chips und ein Verfahren zum Bilden eines Systemträgers.The invention relates to a chip, a system carrier, a method for forming a chip and a method for forming a system carrier.

1A zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips 100 für eine Flip-Chip-Montage, der gemäß einem der bisher gängigen Technologieknoten hergestellt wurde. 1A shows a schematic perspective illustration of a chip 100 for a flip-chip assembly, which was produced according to one of the previously common technology nodes.

Die Ansicht in 1A zeigt eine Aktive Seite des Chips 100, welche für die Montage auf Träger-Anschlusspads vorgesehen ist.The view in 1A shows an active side of the chip 100 , which is intended for mounting on carrier connection pads.

Die Aktive Seite des Chips 100 ist beinahe vollflächig auf einem Substrat 102 mit einer Passivierungsschicht 104 versehen. Lediglich Kontaktstrukturen 106C, welche zum Erzeugen eines elektrisch leitenden Kontakts zwischen einem Anschlusspad 106 des Chips und des Träger-Anschlusspads dienen sollen, ragen aus der isolierenden Schicht 104 hervor.The active side of the chip 100 is almost completely on a substrate 102 with a passivation layer 104 Mistake. Only contact structures 106C , which are used to create an electrically conductive contact between a connection pad 106 of the chip and the carrier connection pad are intended to protrude from the insulating layer 104 emerged.

1B zeigt oben eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips 101 für eine Flip-Chip-Montage, der gemäß einem jüngeren Technologieknoten (z.B. 28 nm) hergestellt wurde. 1B shows a schematic perspective illustration of a chip at the top 101 for a flip-chip assembly manufactured according to a more recent technology node (e.g. 28 nm).

Die Ansicht in 1B zeigt eine Aktive Seite des Chips 101, welche für die Montage auf einem Träger-Anschlusspad 122 vorgesehen ist. In der Mitte ist veranschaulicht, wie die Montage erfolgt, und wie das Träger-Anschlusspad 122 dabei verändert wird. Das ist auch in der untersten Darstellung der 1B in einer Querschnittsansicht gezeigt.The view in 1B shows an active side of the chip 101 , which are designed for mounting on a carrier connection pad 122 is provided. In the middle it shows how the assembly is done and how the carrier connection pad is used 122 is changed in the process. This is also in the bottom representation of the 1B shown in a cross-sectional view.

Bei Chips 101, die gemäß einem solchen Technologieknoten gefertigt sind, kann es nötig sein, die Passivierungsschicht 104 so zu gestalten, dass mehrere (z.B. sämtliche) Anschlusspads 106, 110 des Chips 101 freigelegt sind, obwohl für eine vorgesehene Anwendung beispielsweise lediglich zwei Anschlusspads 106 (LA/LB) zum Anschließen einer Antenne (welche das Träger-Anschlusspad 122 bilden kann) benötigt werden.With chips 101 that are manufactured according to such a technology node, it may be necessary to use the passivation layer 104 to be designed in such a way that several (e.g. all) connection pads 106 , 110 of the chip 101 are exposed, although for an intended application only two connection pads, for example 106 (LA / LB) for connecting an antenna (which is the carrier connection pad 122 can form) are required.

Ein Grund dafür kann ein Testkonzept sein, welches beispielsweise den elektrischen Test unter Verwendung aller geöffneten Pads vorsieht, und/oder allgemeine Kostengründe.One reason for this can be a test concept which, for example, provides for the electrical test using all open pads, and / or general reasons for costs.

Die freiliegenden ungenutzten Anschlusspads 110 des Chips 101 können allerdings aus den folgenden Gründen zu Problemen führen:

  • Die gezeigte Flip-Chip-Montage wird regelmäßig zum Montieren des Chips 101 auf einer (z.B. Aluminium-)Antenne genutzt, beispielsweise für Smartcard-Anwendungen für Ausweisfunktionen, Transport und/oder Bankgeschäfte.
The exposed unused connector pads 110 of the chip 101 however, can cause problems for the following reasons:
  • The flip-chip assembly shown is used regularly for assembling the chip 101 used on an (e.g. aluminum) antenna, for example for smart card applications for ID functions, transport and / or banking.

Für die Montage wird typischerweise ein anisotrop leitfähiger Kleber 124 (z.B. als Paste (ACP) oder als Folie (ACF)) zwischen dem Chip 101 und dem Träger-Anschlusspad 122 (bzw. einem Träger 120, auf welchem sie aufgebracht ist) angeordnet und der Chip 101 angedrückt, um einen mechanischen Kontakt und einen elektrisch leitenden Kontakt zwischen der (über die Passivierungsschicht hervorstehenden) Kontaktstruktur 106C und dem Träger-Anschlusspad 122 zu erzeugen. Typischerweise wird der Kleber 124 unter mechanischem Druck und Temperatur ausgehärtet.An anisotropically conductive adhesive is typically used for assembly 124 (e.g. as a paste (ACP) or as a film (ACF)) between the chip 101 and the carrier connection pad 122 (or a carrier 120 on which it is applied) and the chip 101 pressed to a mechanical contact and an electrically conductive contact between the (protruding over the passivation layer) contact structure 106C and the carrier connection pad 122 to create. Typically the glue 124 cured under mechanical pressure and temperature.

Alternativ oder zusätzlich zur direkt über dem Anschlusspad 106 angeordneten Kontaktstruktur 106C kann eine (beispielsweise mittels einer Umverdrahtungsebene) verlagerte Kontaktstruktur 108 bereitgestellt sein.Alternatively or in addition to directly above the connection pad 106 arranged contact structure 106C can be a relocated contact structure (for example by means of a rewiring level) 108 be provided.

Zum Erzeugen der elektrisch leitenden Verbindung sind im anisotropen leitfähigen Kleber 124 kleine elektrisch leitfähige Partikel (Metallpartikel, metallisch beschichtete Kunststoffpartikel) enthalten, welche beim Zusammenpressen von Chip 101 und Träger-Anschlusspad 122 insbesondere zwischen den in Kraftrichtung am nächsten benachbarten Strukturen eine leitende Verbindung bilden.Anisotropic conductive adhesive is used to create the electrically conductive connection 124 Contain small electrically conductive particles (metal particles, metallically coated plastic particles), which when the chip 101 and carrier connection pad 122 in particular form a conductive connection between the structures closest in the direction of force.

Allerdings wird wegen des dafür benötigten Anpressdrucks das Träger-Anschlusspad 122 verformt: Vertiefungen 106/108P werden darin gebildet. Das ist in 1B in der Mitte veranschaulicht. Links ist das Träger-Anschlusspad 122 (beispielsweise zwei Antennenanschlüsse) auf einem Träger 120 gezeigt, in der Mitte der Träger 120 mit dem Träger-Anschlusspad 122 und dem darauf Flip-Chip-montierten Chip 101, und rechts der Träger 120 mit dem Träger-Anschlusspad 122 und Vertiefungen 106/108P, welche beim Anpressen des Chips 101 auf die Träger-Anschlusspads 122 in diesen erzeugt wurden.However, because of the contact pressure required for this, the carrier connection pad 122 deformed: depressions 106 / 108P are formed in it. Is in 1B illustrated in the middle. On the left is the carrier connection pad 122 (for example two antenna connections) on a carrier 120 shown in the middle of the straps 120 with the carrier connection pad 122 and the chip flip-chip mounted thereon 101 , and on the right the carrier 120 with the carrier connection pad 122 and depressions 106 / 108P which when pressing the chip 101 onto the carrier connection pads 122 were generated in these.

In der Querschnittsansicht unten in 1B ist der Träger 120 mit den verformten Träger-Anschlusspads 122, in welchen die Vertiefung 106/108P gebildet ist, und dem Flip-Chip-montierten Chip 101 dargestellt.In the cross-sectional view below in 1B is the carrier 120 with the deformed carrier connection pads 122 in which the recess 106 / 108P and the flip-chip-mounted chip 101 shown.

Die Verformung des Träger-Anschlusspads 122 führt dazu, dass eine Oberfläche des Chips 101 und insbesondere eine Oberfläche der ungenutzten Anschlusspads 110 dem Träger-Anschlusspad 122 sehr nahekommt, beispielsweise nur den geringen Abstand D aufweist. Das ist in 1C veranschaulicht, die eine schematische Draufsicht auf den auf dem Träger-Anschlusspad 122 montierten Chip 101, einen schematischen Querschnitt durch den Chip 101, das Träger-Anschlusspad 122 und den Träger 120 und eine Ausschnittsvergrößerung des Querschnitts zeigt.The deformation of the carrier connection pad 122 leads to a surface of the chip 101 and in particular a surface of the unused connection pads 110 the carrier connection pad 122 comes very close, for example only has the small distance D. Is in 1C Figure 3 illustrates a schematic top view of the on the carrier connection pad 122 mounted chip 101 , a schematic cross section through the chip 101 , the carrier connection pad 122 and the carrier 120 and shows an enlarged detail of the cross section.

Das kann möglicherweise zu einem elektrisch leitenden Kontakt 124C, z.B. einem Kurzschluss, zwischen dem ungenutzten Anschlusspad 110 und dem Träger-Anschlusspad 122 führen. Denn die elektrisch leitenden (z.B. Metall-)Partikel können in dem anisotropen leitfähigen Kleber 124 statistisch verteilt sein. Je geringer ein Abstand zwischen aufeinandergepressten Strukturen mit dazwischen angeordnetem anisotropem leitfähigem Kleber 124 ist, desto wahrscheinlicher kann das Bilden der nicht gewollten elektrisch leitfähigen Verbindung sein. Bei einer ungünstigen Verteilung (z.B. bei einer Ansammlung von z.B. verklumpten Partikeln) kann es aufgrund des geringen Abstands D zwischen dem ungenutzten Anschlusspad 110 und dem Träger-Anschlusspad 122 kommen.This could possibly lead to an electrically conductive contact 124C e.g. a short circuit between the unused connection pad 110 and the carrier connection pad 122 to lead. Because the electrically conductive (e.g. metal) particles can be in the anisotropic conductive adhesive 124 be statistically distributed. The smaller the distance between structures pressed onto one another with anisotropic conductive adhesive arranged in between 124 the more likely it is that the undesired electrically conductive connection will be formed. In the case of an unfavorable distribution (for example in the case of an accumulation of, for example, clumped particles), it can be due to the small distance D between the unused connection pad 110 and the carrier connection pad 122 come.

Ein Ausbilden des Träger-Anschlusspads 122 nur in dem Bereich, der für die Kontaktierung mittels der Kontaktstruktur 106C benötigt wird, wäre nutzlos, weil die Positionierungstoleranzen zu groß sind, um ein zuverlässiges Erzeugen des Kontakts zu gewährleisten.Forming the carrier connection pad 122 only in the area that is used for contacting by means of the contact structure 106C is required, would be useless because the positioning tolerances are too large to ensure reliable production of the contact.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Chip (und eine entsprechende Flip-Chip-Anordnung) bereitgestellt, der eine zuverlässige Kontaktierung eines Träger-Anschlusspads ermöglicht und dabei einen Kurzschluss zwischen weiteren ungenutzten Anschlusspads und dem Träger-Anschlusspad vermeidet. Der Chip kann der 28 nm-Chipgeneration (oder jünger) angehören. Das Träger-Anschlusspad 122 kann beispielsweise Teil einer Antenne einer Chipkarte sein.In various exemplary embodiments, a chip (and a corresponding flip-chip arrangement) is provided which enables reliable contact to be made with a carrier connection pad and thereby avoids a short circuit between further unused connection pads and the carrier connection pad. The chip can belong to the 28 nm chip generation (or more recent). The carrier connection pad 122 can for example be part of an antenna of a chip card.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der Chip mit mindestens einem Abstandshalter nahe dem mindestens einen ungenutzten Anschlusspad bereitgestellt.In various exemplary embodiments, the chip is provided with at least one spacer near the at least one unused connection pad.

Der Abstandshalter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen so gestaltet sein, beispielsweise hinsichtlich seiner Form und Positionierung, dass beim Gegeneinanderpressen von Chip und Träger-Anschlusspad (bzw. Träger des Träger-Anschlusspads) ein Bereich nahe dem Abstandshalter, welcher dem ungenutzten Anschlusspad gegenüberliegt, mit niedergedrückt wird.The spacer can be designed in various embodiments, for example with regard to its shape and positioning, that when the chip and carrier connection pad (or carrier of the carrier connection pad) are pressed against one another, an area near the spacer, which is opposite the unused connection pad, is also depressed .

Der Abstandshalter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als Teil der Umverdrahtungsebene gebildet sein oder werden, z.B. gleichzeitig mit der Kontaktstruktur 106C.In various exemplary embodiments, the spacer can be formed as part of the redistribution wiring plane, for example at the same time as the contact structure 106C .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels des Abstandshalters ein (z.B. vertikaler) Abstand zwischen dem mindestens einen ungenutzten Anschlusspad und dem Träger-Anschlusspad vergrößert sein bzw. werden.In various exemplary embodiments, a (e.g. vertical) distance between the at least one unused connection pad and the carrier connection pad can be increased by means of the spacer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der Abstandshalter nahe bzw. um die freiliegenden ungenutzten Anschlusspads genutzt, um Vertiefungen im Träger-Anschlusspad zu erzeugen, was einen zusätzlichen (vertikalen) Abstand zwischen dem mindestens einen ungenutzten Anschlusspad und dem Träger-Anschlusspad schafft. Der zusätzliche Abstand kann durch eine Höhe (bzw. Dicke) des Abstandshalters vorgegeben sein.In various exemplary embodiments, the spacer is used near or around the exposed unused connection pads in order to create depressions in the carrier connection pad, which creates an additional (vertical) distance between the at least one unused connection pad and the carrier connection pad. The additional distance can be predetermined by a height (or thickness) of the spacer.

Mittels des zusätzlichen Abstands zwischen dem ungenutzten Anschlusspad und dem Träger-Anschlusspad kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Wahrscheinlichkeit eines Kurzschlusses durch die elektrisch leitfähigen Partikel im anisotropen leitfähigen Kleber erheblich gesenkt werden.By means of the additional distance between the unused connection pad and the carrier connection pad, a probability of a short circuit through the electrically conductive particles in the anisotropic conductive adhesive can be reduced considerably in various exemplary embodiments.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Chip mit mindestens einem Abstandshalter ausgestattet, um zur Vermeidung von Kurzschlüssen einen (z.B. vertikalen) Abstand zwischen einem Träger-Anschlusspad (z.B. einer Antenne) und einem freigelegten ungenutzten Anschlusspad zu vergrößern.In various exemplary embodiments, a chip is equipped with at least one spacer in order to increase a (e.g. vertical) distance between a carrier connection pad (e.g. an antenna) and an exposed, unused connection pad in order to avoid short circuits.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are shown in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen

  • 1A eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips gemäß einem Stand der Technik;
  • 1B eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips gemäß einem Stand der Technik, eine Veranschaulichung von Auswirkungen einer Montage des Chips und einen Querschnitt durch den montierten Chip;
  • 1C eine schematische Darstellung des auf dem Träger-Anschlusspad montierten Chips, einen schematischen Querschnitt durch den Chip, das Träger-Anschlusspad und den Träger und eine Ausschnittvergrößerung des Querschnitts;
  • 2A und 2B jeweils eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
  • 2C eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen und eine Veranschaulichung von Auswirkungen einer Montage des Chips;
  • 2D eine schematische Darstellung des auf dem Träger-Anschlusspad montierten Chips aus 2C, einen schematischen Querschnitt durch den Chip, das Träger-Anschlusspad 122 und den Träger 120 und eine Ausschnittvergrößerung des Querschnitts;
  • 3 eine Draufsicht auf einen Systemträger gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
  • 4 ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Bilden eines Chips gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und
  • 5 ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Bilden eines Systemträgers gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Show it
  • 1A a schematic perspective illustration of a chip according to a prior art;
  • 1B a schematic perspective illustration of a chip according to a prior art, an illustration of effects of an assembly of the chip and a cross section through the assembled chip;
  • 1C a schematic representation of the chip mounted on the carrier connection pad, a schematic cross section through the chip, the carrier connection pad and the carrier and an enlarged detail of the cross section;
  • 2A and 2 B each a schematic perspective illustration of a chip in accordance with various exemplary embodiments;
  • 2C a schematic perspective illustration of a chip in accordance with various exemplary embodiments and an illustration of the effects of mounting the chip;
  • 2D a schematic representation of the chip mounted on the carrier connection pad 2C , a schematic cross section through the chip, the carrier connection pad 122 and the carrier 120 and an enlarged detail of the cross section;
  • 3 a plan view of a system carrier according to various embodiments;
  • 4th a flowchart of a method for forming a chip according to various embodiments; and
  • 5 a flowchart of a method for forming a system carrier according to various exemplary embodiments.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof, and in which there is shown, for purposes of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as “up”, “down”, “front”, “back”, “front”, “back”, etc. is used with reference to the orientation of the character (s) being described. Because components of embodiments can be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is used for purposes of illustration and is in no way limiting. It goes without saying that other embodiments can be used and structural or logical changes can be made without departing from the scope of protection of the present invention. It goes without saying that the features of the various exemplary embodiments described herein can be combined with one another, unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.In the context of this description, the terms “connected”, “connected” and “coupled” are used to describe both a direct and an indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference symbols, insofar as this is appropriate.

2A und 2B zeigen jeweils eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Auch 2C zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Chips 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, und zusätzlich eine Veranschaulichung von Auswirkungen einer Montage des Chips 200. 2D zeigt eine schematische Darstellung des auf einem Träger-Anschlusspad 122 montierten Chips 200 aus 2C, einen schematischen Querschnitt durch den Chip 200, das Träger-Anschlusspad 122 und den Träger 120 und eine Ausschnittvergrößerung des Querschnitts. 2A and 2 B each show a schematic perspective illustration of a chip 200 according to various embodiments. Also 2C shows a schematic perspective illustration of a chip 200 according to various exemplary embodiments, and additionally an illustration of the effects of mounting the chip 200 . 2D shows a schematic representation of the on a carrier connection pad 122 mounted chips 200 out 2C , a schematic cross section through the chip 200 , the carrier connection pad 122 and the carrier 120 and an enlarged section of the cross-section.

Der Chip 200 weist in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Substrat 102 auf, beispielsweise ein Halbleitersubstrat, beispielsweise Silizium. Der Chip 200 kann beispielsweise als Teil eines Halbleiterwafers gebildet worden sein und einen Schaltkreis oder ein Schaltkreiselement aufweisen.The chip 200 has a substrate in various exemplary embodiments 102 on, for example a semiconductor substrate, for example silicon. The chip 200 may, for example, have been formed as part of a semiconductor wafer and include a circuit or circuit element.

Auf dem Substrat 102 kann eine Passivierungsschicht 104 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht kann das Substrat 102 elektrisch gegenüber seiner Umgebung isolieren. Die Passivierungsschicht kann beispielsweise ein Polyimid (PI) oder Polybenzoxazol (PBO) aufweisen und/oder als Schichtenstapel gebildet sein.On the substrate 102 can be a passivation layer 104 be arranged. The passivation layer can be the substrate 102 electrically isolate from its surroundings. The passivation layer can, for example, comprise a polyimide (PI) or polybenzoxazole (PBO) and / or be formed as a layer stack.

Der Chip 200 kann ferner, beispielsweise als Öffnung in der Passivierungsschicht 104, mindestens ein Anschlusspad 106 aufweisen. Das mindestens eine Anschlusspad 106 kann eingerichtet sein, den Chip 200 an das Träger-Anschlusspad 122 anzuschließen.The chip 200 can also, for example, as an opening in the passivation layer 104 , at least one connection pad 106 exhibit. The at least one connection pad 106 can be set up the chip 200 to the carrier connection pad 122 to connect.

Beispielsweise kann das Träger-Anschlusspad 122 (bzw. ggf. eine Mehrzahl von Träger-Anschlusspads 122) eine Antenne aufweisen, die auf einem Träger 120 gebildet ist, und das mindestens eine Anschlusspad 106 kann zwei Anschlusspads 106 (z.B. LA und LB) aufweisen, die eingerichtet sein können, an dem Träger-Anschlusspad 122 (z.B. der Antenne, die beispielsweise zwei Träger-Anschlusspads 122 aufweisen kann, wie in 2C, 2D und 3 dargestellt) angeschlossen zu werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Träger-Anschlusspad 122 (und dementsprechend der Träger 120) ein beliebiges Träger-Anschlusspad 122 sein, welches für eine Flip-Chip-Montage des Chips 200 eingerichtet ist. Eine Kombination aus dem Träger 120 und dem Träger-Anschlusspad (und ggf. weiteren Strukturen) kann als Systemträger 201 bezeichnet werden.For example, the carrier connection pad 122 (or possibly a plurality of carrier connection pads 122 ) have an antenna on a carrier 120 is formed, and the at least one connection pad 106 can have two connection pads 106 (eg LA and LB) which can be set up on the carrier connection pad 122 (e.g. the antenna, for example, two carrier connection pads 122 may have, as in 2C , 2D and 3 shown) to be connected. In various exemplary embodiments, the carrier connection pad 122 (and accordingly the carrier 120 ) any carrier connection pad 122 be the one for a flip-chip mounting of the chip 200 is set up. A combination of the carrier 120 and the carrier connection pad (and possibly further structures) can be used as a system carrier 201 are designated.

Das Träger-Anschlusspad 122 kann beispielsweise Aluminium oder Kupfer aufweisen, beispielsweise eine geätzte Aluminium-Antenne. Der Träger 120 kann beispielsweise ein Antennenträger 120 sein, der beispielsweise Polyethylenterephthalat (PET) aufweisen oder daraus gebildet sein kann (ein für Antennenträger übliches Material), oder aus einem anderen Trägermaterial, beispielsweise einem anderen Kunststoffmaterial, Keramik, einem laminierten Träger, oder ähnlichem, beispielsweise für eine Flip-Chip-on-Substrate- (FCOS®-)Anordnung, bzw. ein entsprechendes Package.The carrier connection pad 122 can for example comprise aluminum or copper, for example an etched aluminum antenna. The carrier 120 can, for example, be an antenna support 120 be, for example, polyethylene terephthalate (PET) or can be formed from it (a material common for antenna supports), or from another carrier material, for example another plastic material, ceramic, a laminated carrier, or the like, for example for a flip chip-on -Substrate- (FCOS®-) arrangement or a corresponding package.

Zum Anschließen an das Träger-Anschlusspad 122 kann beispielsweise eine Kontaktstruktur 106C auf dem bzw. um das Anschlusspad 106 herum aufweisen, welche mit dem Anschlusspad 106 in elektrisch leitendem Kontakt ist. Alternativ oder zusätzlich kann, beispielsweise als Teil einer Umverdrahtungsebene (auch als Umverdrahtungsschicht oder RDL (für Englisch: Re-Distribution Layer) bezeichnet), eine verlagerte Kontaktstruktur 108 bereitgestellt sein, beispielsweise an einer für die Kontaktierung geeigneteren Stelle.For connecting to the carrier connection pad 122 can for example be a contact structure 106C on or around the connection pad 106 have around which with the connection pad 106 is in electrically conductive contact. Alternatively or additionally, for example, as part of a Redistribution layer (also known as redistribution layer or RDL), a relocated contact structure 108 be provided, for example at a more suitable point for contacting.

Die Kontaktstruktur 106C und ggf. die verlagerte Kontaktstruktur 108 können beispielsweise während eines Prozesses auf Waferlevel auf das Substrat 102 aufgebracht werden bzw. sein, beispielsweise als Umverdrahtungsebene. Typischerweise kann die Kontaktstruktur 106C und ggf. die verlagerte Kontaktstruktur 108 aus einer Kupfer (Cu) aufweisenden oder daraus bestehenden Basisschicht gebildet sein, die beispielsweise zwischen etwa 2 µm und 30 µm dick sein kann und mit einer Deckschicht versehen sein kann, die Nickel (Ni) aufweisen oder aus Nickel bestehen kann. Die Deckschicht kann beispielsweise zwischen etwa 0,5 µm und 5 µm dick sein. Die (Nickel-)Deckschicht kann, abhängig von einem Herstellungsprozess, Seitenwände und eine Oberfläche der (Kupfer-)Basisschicht vollständig bedecken (z.B. bei galvanischer Herstellung), oder alternativ nur die Oberfläche bedecken (stromlose Herstellung oder schichtweise Abscheidung der Kupfer- und Nickelschicht in derselben Plating Maske).The contact structure 106C and possibly the relocated contact structure 108 can, for example, be applied to the substrate during a process at wafer level 102 be applied or be, for example as a rewiring level. Typically the contact structure 106C and possibly the relocated contact structure 108 be formed from a copper (Cu) having or consisting of a base layer, which can for example be between about 2 microns and 30 microns thick and can be provided with a cover layer, which can have nickel (Ni) or consist of nickel. The cover layer can, for example, be between approximately 0.5 μm and 5 μm thick. Depending on a manufacturing process, the (nickel) cover layer can completely cover side walls and a surface of the (copper) base layer (e.g. in the case of galvanic production), or alternatively only cover the surface (electroless production or layer-by-layer deposition of the copper and nickel layer in same plating mask).

Bei Bedarf können zusätzliche oder andere Materialien für die Kontaktstruktur 106C (bzw. die verlagerte Kontaktstruktur 108) genutzt werden, z.B. Palladium (Pd) oder Gold (Au).If necessary, additional or different materials can be used for the contact structure 106C (or the relocated contact structure 108 ) can be used, e.g. palladium (Pd) or gold (Au).

Der Chip 200 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mittels eines anisotropen leitfähigen Klebers 124 auf dem Träger-Anschlusspad 122 angebracht sein, beispielsweise im Wesentlichen oder vollständig wie oben im Zusammenhang mit 1A bis 1C beschrieben.The chip 200 can in various embodiments by means of an anisotropic conductive adhesive 124 on the carrier connection pad 122 be appropriate, for example substantially or entirely as above in connection with 1A until 1C described.

Der Chip 200 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mindestens ein zusätzliches Anschlusspad 110 neben dem Anschlusspad 106 aufweisen. Das zusätzliche Anschlusspad 110 kann als Öffnung in der Passivierungsschicht 104 gebildet sein.The chip 200 can in various exemplary embodiments at least one additional connection pad 110 next to the connection pad 106 exhibit. The additional connection pad 110 can be used as an opening in the passivation layer 104 be educated.

Das zusätzliche Anschlusspad 110 muss von dem Träger-Anschlusspad 122 elektrisch isoliert bleiben, denn das zusätzliche Anschlusspad 110 liegt nur aus einem der oben beschriebenen Gründe frei und hat für einen Regelbetrieb des Chips 200 keine Funktion. Eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zusätzlichen Anschlusspad 110 und dem Träger-Anschlusspad 122 würde funktionelle Elemente des Chips 200 kurzschließen und den montierten Chip 200 unbrauchbar machen.The additional connection pad 110 must be from the carrier connection pad 122 remain electrically isolated, because the additional connection pad 110 is only exposed for one of the reasons described above and has for regular operation of the chip 200 no function. An electrically conductive connection between the additional connection pad 110 and the carrier connection pad 122 would be functional elements of the chip 200 short circuit and the mounted chip 200 to make something useless.

Der Chip 200 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen einen Abstandshalter 220 aufweisen, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad 110 angeordnet sein kann zum Vermeiden des elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads 110 mit dem Träger-Anschlusspad 122 des Trägers 120, wenn das Anschlusspad 106 mit dem Träger-Anschlusspad 122 elektrisch leitend verbunden ist, beispielsweise mittels der Kontaktstruktur 106C oder mittels der verlagerten Kontaktstruktur 108. Der Abstandshalter 220 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen dieselben Materialien aufweisen oder daraus bestehen wie die Kontaktstruktur 106C (und/oder ggf. wie die verlagerte Kontaktstruktur 108), beispielsweise Kupfer, Nickel und ggf. Palladium und/oder Gold.The chip 200 can be a spacer in various embodiments 220 have, at least partially next to the additional connection pad 110 can be arranged to avoid the electrically conductive contact of the additional connection pad 110 with the carrier connection pad 122 of the wearer 120 when the connection pad 106 with the carrier connection pad 122 is electrically connected, for example by means of the contact structure 106C or by means of the relocated contact structure 108 . The spacer 220 can have the same materials or consist of the same materials as the contact structure in different exemplary embodiments 106C (and / or possibly like the relocated contact structure 108 ), for example copper, nickel and possibly palladium and / or gold.

„Neben“ dem zusätzlichen Anschlusspad 110 kann so zu verstehen sein, dass der Abstandshalter 220 in verschiedenen Ausführungsbeispielen so gestaltet ist, beispielsweise hinsichtlich seiner Form und Positionierung, dass beim Gegeneinanderpressen von Chip 200 und Träger-Anschlusspad 122 (bzw. Träger 120 des Träger-Anschlusspads 122) ein Bereich nahe dem Abstandshalter 220, welcher dem ungenutzten Anschlusspad 110 gegenüberliegt, mit niedergedrückt wird."Next to" the additional connection pad 110 can be understood to mean that the spacer 220 is designed in various exemplary embodiments, for example with regard to its shape and positioning, that when the chip is pressed against one another 200 and carrier connection pad 122 (or carrier 120 of the carrier connection pad 122 ) an area near the spacer 220 , which corresponds to the unused connection pad 110 opposite, with being depressed.

Das Bedeutet, dass eine Position und/oder Form des Abstandshalters 220 so gewählt sein kann, dass in einem Bereich, in welchem sich das ungenutzte Anschlusspad 110 befindet, das Träger-Anschlusspad 122 vom ungenutzten Anschlusspad 110 weggedrückt wird, so dass sich ein Abstand zwischen dem Träger-Anschlusspad 122 und dem ungenutzten Anschlusspad vergrößert.That means a position and / or shape of the spacer 220 can be chosen so that in an area in which the unused connection pad 110 is located, the carrier connection pad 122 from the unused connection pad 110 is pushed away, so that there is a distance between the carrier connection pad 122 and the unused connection pad enlarged.

Das ist insbesondere in der vergrößerten Querschnittsansicht aus 2D veranschaulicht: Mittels des Abstandshalters 220 ist ein Abstand zwischen einer Oberfläche des ungenutzten Anschlusspads 110 und einer Oberfläche des Träger-Anschlusspads 112 um eine Dicke H des Abstandshalters 220 vergrößert zu D+H gegenüber dem Abstand D (siehe 1C) ohne den Abstandshalter 220.This is particularly evident in the enlarged cross-sectional view 2D Illustrates: By means of the spacer 220 is a distance between a surface of the unused terminal pad 110 and a surface of the carrier connection pad 112 by a thickness H of the spacer 220 increased to D + H compared to the distance D (see 1C ) without the spacer 220 .

Das bedeutet, dass eine Wahrscheinlichkeit verringert ist, dass ein anisotroper leitfähiger Kleber 124 das ungenutzte Anschlusspad 110 mit dem Träger-Anschlusspad 122 kurzschließt.This means that a chance is reduced that an anisotropic conductive adhesive 124 the unused connection pad 110 with the carrier connection pad 122 shorts.

Um das zu erreichen, kann eine Vielzahl möglicher Gestaltungsmöglichkeiten für den Chip 200 genutzt werden, von denen nur drei beispielhaft in 2A bis 2C dargestellt sind.To achieve this, there are a number of possible design options for the chip 200 can be used, of which only three are exemplified in 2A until 2C are shown.

Beispielsweise kann der Abstandshalter 220 in einer Draufsicht an das zusätzliche Anschlusspad 110 direkt angrenzen. Dabei kann die elektrische Isolierung zwischen dem Abstandshalter 220 und dem zusätzlichen Anschlusspad 110 dadurch sichergestellt sein, dass die beiden in vertikaler Richtung voneinander getrennt sind, beispielsweise durch die Passivierungsschicht 104, auf welcher der Abstandshalter 220 gebildet sein kann.For example, the spacer 220 in a plan view of the additional connection pad 110 directly adjoin. The electrical insulation between the spacers 220 and the additional connection pad 110 be ensured that the two are separated from each other in the vertical direction, for example by the Passivation layer 104 on which the spacer 220 can be formed.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Abstandshalter 220 als lineare Struktur (I-förmig) oder als Paar linearer Strukturen, zwischen welchen das zusätzliche Anschlusspad 110 angeordnet ist, gebildet sein.In various exemplary embodiments, the spacer 220 as a linear structure (I-shaped) or as a pair of linear structures, between which the additional connection pad 110 is arranged to be formed.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Abstandshalter 220 das zusätzliche Anschlusspad 110 auf mindestens einem Viertel eines Umfangs des zusätzlichen Anschlusspads 110 umgeben, beispielsweise auf mindestens einem Drittel oder mindestens einer Hälfte, beispielsweise L-förmig auf zwei Seiten des zusätzlichen Anschlusspads 110, C-förmig auf drei Seiten des zusätzlichen Anschlusspads 110 (an beiden Enden jeweils nur entlang eines Teils des zusätzlichen Anschlusspads 110), U-förmig auf drei Seiten des zusätzlichen Anschlusspads 110 (an beiden Enden vollständig entlang des zusätzlichen Anschlusspads 110), G-förmig auf vier Seiten des zusätzlichen Anschlusspads 110 (mit einer Öffnung an einer der Seiten), als unterbrochener Ring oder als geschlossener Ring (wobei der Ring als in sich geschlossene Struktur zu verstehen ist, die ansonsten eine im Wesentlichen beliebige Form aufweisen kann, beispielsweise, kreisförmig, elliptisch, quadratisch, rechteckig oder mit einer anderen Polygonform, oder in einer anderen zweckdienlichen Gestaltung.In various exemplary embodiments, the spacer 220 the additional connection pad 110 on at least a quarter of a circumference of the additional connection pad 110 surrounded, for example on at least one third or at least one half, for example L-shaped on two sides of the additional connection pad 110 , C-shaped on three sides of the additional connection pad 110 (at both ends only along part of the additional connection pad 110 ), U-shaped on three sides of the additional connection pad 110 (at both ends completely along the additional connection pad 110 ), G-shaped on four sides of the additional connection pad 110 (with an opening on one of the sides), as an interrupted ring or as a closed ring (whereby the ring is to be understood as a self-contained structure that can otherwise have essentially any shape, for example, circular, elliptical, square, rectangular or with a different polygon shape, or in another suitable design.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Kontaktstruktur 106C und der Abstandshalter 220 die gleiche Dicke H aufweisen. Der Abstandshalter 220 (und ggf. die Kontaktstruktur 106C und ggf. die verlagerte Kontaktstruktur 108) kann (bzw. können) eine Dicke in einem Bereich von 2 µm bis 30 µm aufweisen, beispielsweise zwischen 5 µm und 20 µm, beispielsweise zwischen 7 µm und 15 µm.In various exemplary embodiments, the contact structure 106C and the spacer 220 have the same thickness H. The spacer 220 (and, if applicable, the contact structure 106C and possibly the relocated contact structure 108 ) can (or can) have a thickness in a range from 2 μm to 30 μm, for example between 5 μm and 20 μm, for example between 7 μm and 15 μm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) und der Abstandshalter 220 voneinander elektrisch isoliert sein.In various exemplary embodiments, the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) and the spacer 220 be electrically isolated from each other.

Das heißt, die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) können auf im Wesentlichen herkömmliche Weise gebildet sein, z.B. als LA/LB-RDL-Verbindung mit einer separaten Durchkontaktierung zum Verbinden des Anschlusspads 106 mit der Umverdrahtungsebene, so dass die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) sich an der im Wesentlichen bekannten Stelle befindet. Der Abstandhalter 220 (bzw. ggf. eine Mehrzahl von Abstandhaltern 220) kann als zusätzliche Struktur, beispielsweise als Teil der Umverdrahtungsebene, gebildet sein. Entsprechende Ausführungsbeispiele sind in 2A und 2B dargestellt.That is, the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) can be formed in an essentially conventional manner, for example as a LA / LB-RDL connection with a separate plated-through hole for connecting the connection pad 106 with the rewiring level so that the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) is located at the essentially known location. The spacer 220 (or possibly a plurality of spacers 220 ) can be formed as an additional structure, for example as part of the redistribution wiring level. Corresponding exemplary embodiments are shown in 2A and 2 B shown.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) und der Abstandshalter 220 elektrisch leitend verbunden sein.In various exemplary embodiments, the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) and the spacer 220 be electrically connected.

Das bedeutet, dass die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) möglicherweise auf bekannte oder im Wesentlichen bekannte Weise gebildet werden, eine Strukturierung allerdings so erfolgt, dass sich eine durchgehende Struktur ergibt, zu welcher auch der Abstandhalter 220 gehört. Beispielsweise können die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) und der mindestens eine Abstandhalter 220 eine gemeinsame Struktur, beispielsweise als Teil der Umverdrahtungsebene, bilden. Sofern beispielsweise zwei oder mehr Kontaktstrukturen 106C vorliegen, welche voneinander elektrisch isoliert sind und (auf der Umverdrahtungsebene) nicht kurzgeschlossen werden dürfen, wie es beispielsweise für die beiden Antennenanschlüsse LA/LB der Fall ist, welche mit entgegengesetzten Enden einer Antenne zu verbinden sind (und damit über die Antenne elektrisch leitend verbunden sind), jedoch nicht am oder nahe dem Chip 200 verbunden werden dürfen, können zwei oder mehr solcher gemeinsamer Strukturen gebildet sein bzw. werden. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel ist in 2C dargestellt.That means the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) may be formed in a known or essentially known manner, but structuring is carried out in such a way that a continuous structure results, to which the spacer also forms 220 heard. For example, the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) and the at least one spacer 220 form a common structure, for example as part of the redistribution wiring level. Provided, for example, two or more contact structures 106C which are electrically isolated from each other and must not be short-circuited (on the rewiring level), as is the case, for example, for the two antenna connections LA / LB, which are to be connected to opposite ends of an antenna (and thus electrically conductively connected via the antenna are), but not on or near the chip 200 may be connected, two or more such common structures can be formed or will be. A corresponding embodiment is shown in 2C shown.

Eine solche Gestaltung kann dahingehend vorteilhaft sein, dass die gesamte gemeinsame Struktur als Kontaktstruktur wirkt.Such a design can be advantageous in that the entire common structure acts as a contact structure.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die gemeinsamen Strukturen und einzelne Abstandhalter 220 kombiniert sein. Auch das ist in 2C dargestellt.In various exemplary embodiments, the common structures and individual spacers 220 be combined. That is also in 2C shown.

Als ein „kleinster lateraler Abstand“ kann der laterale Abstand zwischen benachbarten Randbereichen des zusätzlichen Anschlusspads 110 und des Abstandshalters 220 an einer Stelle, wo sich das zusätzliche Anschlusspad 110 und der Abstandshalter 220 am nächsten sind, bezeichnet werden.The lateral distance between adjacent edge regions of the additional connection pad can be used as a “smallest lateral distance” 110 and the spacer 220 at a point where the additional connection pad is 110 and the spacer 220 are closest to be designated.

Der kleinste laterale Abstand kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen so gewählt sein, dass auch unter Einbeziehung von Positionierungstoleranzen sichergestellt ist, dass die Positionierung des Abstandshalters 220 außerhalb einer Fläche des zusätzlichen Anschlusspads 110 erfolgt.In various exemplary embodiments, the smallest lateral distance can be selected in such a way that, even taking into account positioning tolerances, it is ensured that the positioning of the spacer 220 outside an area of the additional connection pad 110 he follows.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der kleinste laterale Abstand maximal 250 µm betragen, beispielsweise maximal 120 µm, beispielsweise maximal 100 µm, beispielsweise maximal 50 µm, beispielsweise maximal 10 µm. Der kleinste laterale Abstand kann so gewählt sein, dass eine Vergrößerung des Abstands zwischen dem zusätzlichen Anschlusspad 110 und dem Träger-Anschlusspad 122 für eine gesamte Fläche des zusätzlichen Anschlusspads 110 erzielt wird.In various exemplary embodiments, the smallest lateral distance can be a maximum of 250 μm, for example a maximum of 120 μm, for example a maximum of 100 μm, for example a maximum of 50 μm, for example a maximum of 10 μm. The smallest lateral distance can be selected so that an increase in the distance between the additional connection pad 110 and the carrier connection pad 122 for an entire area of the additional connection pad 110 is achieved.

Das bedeutet, dass für den kleinsten lateralen Abstand zusätzlich einbezogen werden kann, ob sich an einem weiteren Randbereich des zusätzlichen Anschlusspads 110, beispielsweise einem dem Randbereich mit dem kleinsten Abstand gegenüberliegenden Randbereich, ein weiterer Abstandshalter 220 oder ein weiterer Teilbereich des Abstandshalters 220 befindet.This means that for the smallest lateral distance it can also be included whether there is a further edge area of the additional connection pad 110 , for example an edge area opposite the edge area with the smallest distance, another spacer 220 or another part of the spacer 220 is located.

Abstandshalter 220, welche sich um eines der zusätzlichen Anschlusspads 110 herum, teilweise herum oder entlang gegenüberliegender Ränder erstrecken, können ggf. mit einem größeren kleinsten lateralen Abstand angeordnet werden als einzelne Anschlusspads 110, die sich lediglich entlang eines Randes (das ist zu verstehen als: auf einer Seite des Anschlusspads 110) erstrecken.Spacers 220 , which is one of the additional connection pads 110 extending around, partially around or along opposite edges, can optionally be arranged with a larger smallest lateral distance than individual connection pads 110 that are only along one edge (this is to be understood as: on one side of the connection pad 110 ) extend.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Kontaktstruktur 106C (ggf. auch die verlagerte Kontaktstruktur 108) und der Abstandshalter 220 Teil einer gemeinsamen Umverdrahtungsebene sein. Das kann dahingehend vorteilhaft sein, dass sie gemeinsam (d.h. gleichzeitig, während eines einzigen Prozesses) gebildet werden können. Das bedeutet, dass zum Bilden des Abstandshalters 220 kein zusätzlicher Prozess nötig ist, sondern lediglich eine Strukturierung der Umverdrahtungsebene geändert zu werden braucht, beispielsweise indem eine Maskenkonfiguration angepasst wird.In various exemplary embodiments, the contact structure 106C (possibly also the relocated contact structure 108 ) and the spacer 220 Be part of a common redistribution level. This can be advantageous in that they can be formed together (ie simultaneously, during a single process). That means that to form the spacer 220 no additional process is necessary, but only a structuring of the rewiring level needs to be changed, for example by adapting a mask configuration.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das mindestens eine zusätzliche Anschlusspad eine Mehrzahl von zusätzlichen Anschlusspads 110 aufweisen. In den Ausführungsbeispielen in 2A bis 2C sind beispielsweise jeweils fünf zusätzliche Anschlusspads 110 vorhanden.In various exemplary embodiments, the at least one additional connection pad can have a plurality of additional connection pads 110 exhibit. In the embodiments in 2A until 2C are, for example, five additional connection pads each 110 present.

Neben jedem der zusätzlichen Anschlusspads 110 kann sich zumindest ein Teil des Abstandshalters 220 oder mindestens eines weiteren Abstandshalters 220 befindet.Next to each of the additional connection pads 110 can be at least part of the spacer 220 or at least one further spacer 220 is located.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Breite und/oder Struktur eines einzelnen Abstandshalters 220 und/oder eine Breite und/oder Struktur und/oder räumliche Verteilung einer Mehrzahl von Abstandshaltern 220 so gewählt sein, dass eine Beschädigung des Chips 200 während eines Anpressens auf das Träger-Anschlusspad 122 infolge zu schmaler Strukturen vermieden wird.In various exemplary embodiments, a width and / or structure of a single spacer 220 and / or a width and / or structure and / or spatial distribution of a plurality of spacers 220 be chosen so that damage to the chip 200 during pressing on the carrier connection pad 122 as a result of too narrow structures is avoided.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Chip 200 ferner eine Kippschutzstruktur 222 aufweisen, die so angeordnet sein kann, dass ein Verkippen des Chips 200 gegenüber dem Träger 120 während des Montierens des Chips 200 auf dem Träger 120 vermieden wird. Die Kippschutzstruktur 222 kann abseits der Kontaktstruktur 106C und ggf. abseits des zusätzlichen Anschlusspads 110 angeordnet sein.In various exemplary embodiments, the chip 200 also an anti-tip structure 222 have, which can be arranged so that tilting of the chip 200 towards the carrier 120 while mounting the chip 200 on the carrier 120 is avoided. The anti-tip structure 222 can apart from the contact structure 106C and possibly away from the additional connection pad 110 be arranged.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kippschutzstruktur 222 von der Kontaktstruktur 106C elektrisch isoliert sein oder mit der Kontaktstruktur 106C elektrisch leitend verbunden sein.In various exemplary embodiments, the anti-tip structure 222 from the contact structure 106C be electrically isolated or with the contact structure 106C be electrically connected.

3 zeigt eine Draufsicht auf einen Systemträger 201 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 3 shows a plan view of a leadframe 201 according to various embodiments.

Der Systemträger 201 kann einen Chip 200 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, beispielsweise wie oben beschrieben, und einen Träger 120 mit mindestens einem Träger-Anschlusspad 122 aufweisen. Das mindestens eine Anschlusspad 106 des Chips 200 kann mit dem Träger-Anschlusspad 122 elektrisch leitend verbunden sein, beispielsweise mittels eines anisotropen elektrisch leitfähigen Klebers 124, beispielsweise derart, dass der Chip 200 auf dem Träger-Anschlusspad 122 als Flip-Chip montiert ist.The system carrier 201 can have a chip 200 according to various exemplary embodiments, for example as described above, and a carrier 120 with at least one carrier connection pad 122 exhibit. The at least one connection pad 106 of the chip 200 can with the carrier connection pad 122 be connected in an electrically conductive manner, for example by means of an anisotropic electrically conductive adhesive 124 , for example such that the chip 200 on the carrier connection pad 122 is mounted as a flip chip.

Der Systemträger 201 kann beispielsweise ein Chipkartenmodul oder eine Chipkarte sein. Das Ausführungsbeispiel in 3 zeigt als Systemträger 201 ein Antennen-Inlay zur Verwendung in einer Chipkarte, die das Träger-Anschlusspad 122 (bzw. zwei davon) aufweist.The system carrier 201 can for example be a chip card module or a chip card. The embodiment in 3 shows as a system carrier 201 an antenna inlay for use in a chip card, which is the carrier connection pad 122 (or two of them).

4 zeigt ein Flussdiagramm 400 eines Verfahrens zum Bilden eines Chips gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 4th shows a flow chart 400 of a method for forming a chip in accordance with various exemplary embodiments.

Das Verfahren weist ein Bilden eines Anschlusspads und mindestens eines zusätzlichen Anschlusspads neben dem Anschlusspad auf einem Substrat (in 410) und ein Bilden eines Abstandshalters, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads mit einem Träger-Anschlusspad eines Trägers auf, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist (in 420).The method includes forming a connection pad and at least one additional connection pad next to the connection pad on a substrate (in 410 ) and the formation of a spacer which is at least partially arranged next to the additional connection pad to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad with a carrier connection pad of a carrier when the connection pad is electrically conductively connected to the carrier connection pad (in 420 ).

5 zeigt ein Flussdiagramm 500 eines Verfahrens zum Bilden eines Systemträgers gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 5 shows a flow chart 500 of a method for forming a system carrier according to various exemplary embodiments.

Das Verfahren weist ein Verfahren zum Bilden eines Chips gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen auf, beispielsweise wie oben geschrieben (in 510), und ein elektrisch leitendes Verbinden eines Träger-Anschlusspads mit dem Anschlusspad (in 520) .The method has a method for forming a chip in accordance with various exemplary embodiments, for example as written above (in 510 ), and an electrically conductive connection of a carrier connection pad to the connection pad (in 520 ).

Im Folgenden werden zusammenfassend einige Ausführungsbeispiele angegeben.Some exemplary embodiments are summarized below.

Ausführungsbeispiel 1 ist ein Chip, der ein Substrat, ein Anschlusspad, mindestens ein zusätzliches Anschlusspad neben dem Anschlusspad und einen Abstandshalter aufweist, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads mit einem Träger-Anschlusspad eines Trägers, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist.Embodiment 1 is a chip that has a substrate, a connection pad, at least one additional connection pad next to the connection pad and a spacer which is at least partially arranged next to the additional connection pad to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad with a carrier connection pad of a carrier when the connection pad is electrically conductively connected to the carrier connection pad.

Ausführungsbeispiel 2 ist ein Chip gemäß Ausführungsbeispiel 1, wobei das Anschlusspad ein Antennen-Anschlusspad ist.Embodiment 2 is a chip according to embodiment 1, the connection pad being an antenna connection pad.

Ausführungsbeispiel 3 ist ein Chip gemäß Ausführungsbeispiel 1 oder 2, welcher ferner eine Kontaktstruktur aufweist, welche mit dem Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter die gleiche Dicke aufweisen.Embodiment 3 is a chip according to embodiment 1 or 2, which furthermore has a contact structure which is connected to the connection pad in an electrically conductive manner, the contact structure and the spacer having the same thickness.

Ausführungsbeispiel 4 ist ein Chip gemäß Ausführungsbeispiel 3, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter elektrisch leitend verbunden sind.Exemplary embodiment 4 is a chip in accordance with exemplary embodiment 3, the contact structure and the spacer being connected in an electrically conductive manner.

Ausführungsbeispiel 5 ist ein Chip gemäß Ausführungsbeispiel 4, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter elektrisch voneinander isoliert sind.Embodiment 5 is a chip according to embodiment 4, the contact structure and the spacer being electrically isolated from one another.

Ausführungsbeispiel 6 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 3 bis 5, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter Teil einer gemeinsamen Umverdrahtungsebene sind.Embodiment 6 is a chip in accordance with one of the embodiments 3 to 5, the contact structure and the spacer being part of a common redistribution wiring plane.

Ausführungsbeispiel 7 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 6, wobei der Abstandshalter in einer Draufsicht an das zusätzliche Anschlusspad angrenzt und in vertikaler Richtung vom zusätzlichen Anschlusspad elektrisch isoliert ist.Exemplary embodiment 7 is a chip in accordance with one of exemplary embodiments 1 to 6, the spacer adjoining the additional connection pad in a plan view and being electrically isolated from the additional connection pad in the vertical direction.

Ausführungsbeispiel 8 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 7, wobei der Abstandshalter das zusätzliche Anschlusspad auf mindestens einem Viertel eines Umfangs des zusätzlichen Anschlusspads umgibt. Embodiment 8 is a chip in accordance with one of the embodiments 1 to 7, the spacer surrounding the additional connection pad on at least a quarter of a circumference of the additional connection pad.

Ausführungsbeispiel 9 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 8, wobei der Abstandshalter das zusätzliche Anschlusspad als geschlossener oder unterbrochener Ring umgibt.Embodiment 9 is a chip according to one of the embodiments 1 to 8, the spacer surrounding the additional connection pad as a closed or interrupted ring.

Ausführungsbeispiel 10 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 9, wobei der Abstandshalter eine Dicke in einem Bereich von 2 µm bis 30 µm aufweist.Exemplary embodiment 10 is a chip according to one of the exemplary embodiments 1 to 9, the spacer having a thickness in a range from 2 μm to 30 μm.

Ausführungsbeispiel 11 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 10, wobei ein kleinster lateraler Abstand ein lateraler Abstand zwischen benachbarten Randbereichen des zusätzlichen Anschlusspads und des Abstandshalters ist, an einer Stelle, wo sich das zusätzliche Anschlusspad und der Abstandshalter am nächsten sind, und wobei der kleinste laterale Abstand maximal 250 µm beträgt.Embodiment 11 is a chip according to one of the embodiments 1 to 10, wherein a smallest lateral distance is a lateral distance between adjacent edge regions of the additional connection pad and the spacer, at a point where the additional connection pad and the spacer are closest, and where the smallest lateral distance is a maximum of 250 µm.

Ausführungsbeispiel 12 ist ein Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 11, wobei das mindestens eine zusätzliche Anschlusspad eine Mehrzahl von zusätzlichen Anschlusspads aufweist, und wobei sich neben jedem der zusätzlichen Anschlusspads zumindest ein Teil des Abstandshalters oder mindestens eines weiteren Abstandshalters befindet.Embodiment 12 is a chip in accordance with one of the embodiments 1 to 11, wherein the at least one additional connection pad has a plurality of additional connection pads, and at least part of the spacer or at least one further spacer is located next to each of the additional connection pads.

Ausführungsbeispiel 13 ist ein Systemträger, welcher einen Chip gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 12 und einen Träger mit mindestens einem Träger-Anschlusspad aufweist, wobei das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist.Embodiment 13 is a system carrier which has a chip according to one of the embodiments 1 to 12 and a carrier with at least one carrier connection pad, the connection pad being electrically conductively connected to the carrier connection pad.

Ausführungsbeispiel 14 ist ein Systemträger gemäß Ausführungsbeispiel 13, wobei das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad mittels eines anisotropen elektrisch leitfähigen Klebers elektrisch leitend verbunden ist. Embodiment 14 is a system carrier according to embodiment 13, the connection pad being connected in an electrically conductive manner to the carrier connection pad by means of an anisotropic, electrically conductive adhesive.

Ausführungsbeispiel 15 ist ein Systemträger gemäß Ausführungsbeispiel 13 oder 14, wobei der Chip als Flip-Chip montiert ist.Embodiment 15 is a system carrier according to embodiment 13 or 14, the chip being mounted as a flip chip.

Ausführungsbeispiel 16 ist ein Systemträger gemäß einem der Ausführungsbeispiele 13 bis 15, wobei der Systemträger ein Chipkartenmodul oder eine Chipkarte ist.Embodiment 16 is a system carrier according to one of the embodiments 13 to 15, the system carrier being a chip card module or a chip card.

Ausführungsbeispiel 17 ist ein Verfahren zum Bilden eines Chips. Das Verfahren weist ein Bilden eines Anschlusspads und mindestens eines zusätzlichen Anschlusspads neben dem Anschlusspad auf einem Substrat und ein Bilden eines Abstandshalters, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads mit einem Träger-Anschlusspad eines Trägers auf, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist.Embodiment 17 is a method of forming a chip. The method includes forming a connection pad and at least one additional connection pad next to the connection pad on a substrate and forming a spacer which is at least partially arranged next to the additional connection pad to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad with a carrier connection pad of a carrier when the connection pad is electrically conductively connected to the carrier connection pad.

Ausführungsbeispiel 18 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 17, wobei das Anschlusspad ein Antennen-Anschlusspad ist.Embodiment 18 is a method according to embodiment 17, wherein the connection pad is an antenna connection pad.

Ausführungsbeispiel 19 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 17 oder 18, welches ferner ein Bilden einer Kontaktstruktur, welche mit dem Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist, aufweist, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter die gleiche Dicke aufweisen.Embodiment 19 is a method in accordance with embodiment 17 or 18, which further comprises forming a contact structure which is electrically conductively connected to the connection pad, the contact structure and the spacer having the same thickness.

Ausführungsbeispiel 20 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 19, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter elektrisch leitend verbunden sind.Exemplary embodiment 20 is a method in accordance with exemplary embodiment 19, the contact structure and the spacer being connected in an electrically conductive manner.

Ausführungsbeispiel 21 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 20, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter elektrisch voneinander isoliert sind. Embodiment 21 is a method according to embodiment 20, wherein the contact structure and the spacer are electrically isolated from one another.

Ausführungsbeispiel 22 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 19 bis 21, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter Teil einer gemeinsamen Umverdrahtungsebene sind.Embodiment 22 is a method in accordance with one of the embodiments 19 to 21, wherein the contact structure and the spacer are part of a common redistribution wiring plane.

Ausführungsbeispiel 23 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 19 bis 22, wobei das Bilden der Kontaktstruktur und das Bilden des Abstandshalter gleichzeitig erfolgen, beispielsweise mittels Galvanisierens.Embodiment 23 is a method in accordance with one of the embodiments 19 to 22, the formation of the contact structure and the formation of the spacer taking place simultaneously, for example by means of electroplating.

Ausführungsbeispiel 24 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 23, wobei der Abstandshalter in einer Draufsicht an das zusätzliche Anschlusspad angrenzt und in vertikaler Richtung vom zusätzlichen Anschlusspad elektrisch isoliert ist.Exemplary embodiment 24 is a method in accordance with one of exemplary embodiments 17 to 23, the spacer adjoining the additional connection pad in a plan view and being electrically isolated from the additional connection pad in the vertical direction.

Ausführungsbeispiel 25 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 23, wobei der Abstandshalter das zusätzliche Anschlusspad auf mindestens einem Viertel eines Umfangs des zusätzlichen Anschlusspads umgibt.Embodiment 25 is a method according to one of the embodiments 17 to 23, wherein the spacer surrounds the additional connection pad on at least a quarter of a circumference of the additional connection pad.

Ausführungsbeispiel 26 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 25, wobei der Abstandshalter das zusätzliche Anschlusspad als geschlossener oder unterbrochener Ring umgibt.Embodiment 26 is a method according to one of the embodiments 17 to 25, the spacer surrounding the additional connection pad as a closed or interrupted ring.

Ausführungsbeispiel 27 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 26, wobei der Abstandshalter eine Dicke in einem Bereich von 2 µm bis 30 µm aufweist.Exemplary embodiment 27 is a method according to one of exemplary embodiments 17 to 26, the spacer having a thickness in a range from 2 μm to 30 μm.

Ausführungsbeispiel 28 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 27, wobei ein kleinster lateraler Abstand ein lateraler Abstand zwischen benachbarten Randbereichen des zusätzlichen Anschlusspads und des Abstandshalters ist, an einer Stelle, wo sich das zusätzliche Anschlusspad und der Abstandshalter am nächsten sind; und wobei der kleinste laterale Abstand maximal 250 µm beträgt. Embodiment 28 is a method according to one of the embodiments 17 to 27, wherein a smallest lateral distance is a lateral distance between adjacent edge regions of the additional connection pad and the spacer, at a location where the additional connection pad and the spacer are closest to one another; and where the smallest lateral distance is a maximum of 250 µm.

Ausführungsbeispiel 29 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 28, wobei das mindestens eine zusätzliche Anschlusspad eine Mehrzahl von zusätzlichen Anschlusspads aufweist, und wobei sich neben jedem der zusätzlichen Anschlusspads zumindest ein Teil des Abstandshalters oder mindestens eines weiteren Abstandshalters befindet.Embodiment 29 is a method according to one of the embodiments 17 to 28, wherein the at least one additional connection pad has a plurality of additional connection pads, and wherein at least part of the spacer or at least one further spacer is located next to each of the additional connection pads.

Ausführungsbeispiel 30 ist ein Verfahren zum Bilden eines Systemträgers, welches ein Verfahren zum Bilden eines Chips gemäß einem der Ausführungsbeispiele 17 bis 29 aufweist, und ein elektrisch leitendes Verbinden eines Träger-Anschlusspads mit dem Anschlusspad.Embodiment 30 is a method for forming a system carrier, which has a method for forming a chip in accordance with one of the embodiments 17 to 29, and an electrically conductive connection of a carrier connection pad to the connection pad.

Ausführungsbeispiel 31 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 30, wobei das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad mittels eines anisotropen elektrisch leitfähigen Klebers elektrisch leitend verbunden ist.Exemplary embodiment 31 is a method according to exemplary embodiment 30, the connection pad being connected in an electrically conductive manner to the carrier connection pad by means of an anisotropic, electrically conductive adhesive.

Ausführungsbeispiel 32 ist ein Verfahren gemäß Ausführungsbeispiel 30 oder 31, wobei der Chip als Flip-Chip montiert ist.Embodiment 32 is a method according to embodiment 30 or 31, wherein the chip is mounted as a flip chip.

Ausführungsbeispiel 33 ist ein Verfahren gemäß einem der Ausführungsbeispiele 30 bis 32, wobei der Systemträger ein Chipkartenmodul oder eine Chipkarte ist.Embodiment 33 is a method according to one of the embodiments 30 to 32, the system carrier being a chip card module or a chip card.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Vorrichtung ergeben sich aus der Beschreibung des Verfahrens und umgekehrt.Further advantageous configurations of the device emerge from the description of the method and vice versa.

Claims (20)

Chip (200), aufweisend • ein Substrat (102); • ein Anschlusspad (106); und · mindestens ein zusätzliches Anschlusspad (110) neben dem Anschlusspad (106); • einen Abstandshalter (220), der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad (110) angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads (110) mit einem Träger-Anschlusspad (122) des Trägers, wenn das Anschlusspad (106) mit dem Träger-Anschlusspad (122) elektrisch leitend verbunden ist.Chip (200), having • a substrate (102); • a connection pad (106); and · At least one additional connection pad (110) next to the connection pad (106); • a spacer (220) which is at least partially arranged next to the additional connection pad (110) to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad (110) with a carrier connection pad (122) of the carrier when the connection pad (106) with the Carrier connection pad (122) is connected in an electrically conductive manner. Chip (200) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: • eine Kontaktstruktur (106C), welche mit dem Anschlusspad (106) elektrisch leitend verbunden ist, • wobei die Kontaktstruktur (106C) und der Abstandshalter (220) die gleiche Dicke (H) aufweisen.Chip (200) according to Claim 1 , further comprising: • a contact structure (106C) which is electrically conductively connected to the connection pad (106), • wherein the contact structure (106C) and the spacer (220) have the same thickness (H). Chip (200) gemäß Anspruch 2, wobei die Kontaktstruktur (106C) und der Abstandshalter (220) elektrisch leitend verbunden sind.Chip (200) according to Claim 2 , wherein the contact structure (106C) and the spacer (220) are connected in an electrically conductive manner. Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 2 oder 3, wobei die Kontaktstruktur (106C) und der Abstandshalter (220) Teil einer gemeinsamen Umverdrahtungsebene sind.Chip (200) according to one of the Claims 2 or 3 , wherein the contact structure (106C) and the spacer (220) are part of a common redistribution wiring level. Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Abstandshalter (220) in einer Draufsicht an das zusätzliche Anschlusspad (110) angrenzt und in vertikaler Richtung vom zusätzlichen Anschlusspad (110) elektrisch isoliert ist.Chip (200) according to one of the Claims 1 until 4th wherein the spacer (220) adjoins the additional connection pad (110) in a plan view and is electrically isolated from the additional connection pad (110) in the vertical direction. Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Abstandshalter (220) das zusätzliche Anschlusspad (110) auf mindestens einem Viertel eines Umfangs des zusätzlichen Anschlusspads (110) umgibt.Chip (200) according to one of the Claims 1 until 5 wherein the spacer (220) surrounds the additional connection pad (110) on at least a quarter of a circumference of the additional connection pad (110). Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Abstandshalter (220) das zusätzliche Anschlusspad (110) als geschlossener oder unterbrochener Ring umgibt.Chip (200) according to one of the Claims 1 until 6th , wherein the spacer (220) surrounds the additional connection pad (110) as a closed or interrupted ring. Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, • wobei ein kleinster lateraler Abstand ein lateraler Abstand zwischen benachbarten Randbereichen des zusätzlichen Anschlusspads (110) und des Abstandshalters (220) ist, an einer Stelle, wo sich das zusätzliche Anschlusspad (110) und der Abstandshalter (220) am nächsten sind; und • wobei der kleinste laterale Abstand maximal 250 µm beträgt.Chip (200) according to one of the Claims 1 until 7th Wherein a smallest lateral distance is a lateral distance between adjacent edge regions of the additional connection pad (110) and the spacer (220) at a point where the additional connection pad (110) and the spacer (220) are closest; and • where the smallest lateral distance is a maximum of 250 µm. Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, • wobei das mindestens eine zusätzliche Anschlusspad (110) eine Mehrzahl von zusätzlichen Anschlusspads (110) aufweist, und • wobei sich neben jedem der zusätzlichen Anschlusspads (110) zumindest ein Teil des Abstandshalters (220) oder mindestens eines weiteren Abstandshalters (220) befindet.Chip (200) according to one of the Claims 1 until 8th , • wherein the at least one additional connection pad (110) has a plurality of additional connection pads (110), and • wherein at least part of the spacer (220) or at least one further spacer (220) is located next to each of the additional connection pads (110) . Systemträger, aufweisend: • einen Chip (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9; und • einen Träger mit mindestens einem Träger-Anschlusspad (122) ; • wobei das Anschlusspad (106) mit dem Träger-Anschlusspad (122) elektrisch leitend verbunden ist.A system carrier, comprising: a chip (200) according to one of the Claims 1 until 9 ; and • a carrier with at least one carrier connection pad (122); • wherein the connection pad (106) is electrically conductively connected to the carrier connection pad (122). Systemträger (201) gemäß Anspruch 10, wobei das Anschlusspad (106) mit dem Träger-Anschlusspad (122) mittels eines anisotropen elektrisch leitfähigen Klebers elektrisch leitend verbunden ist.System carrier (201) according to Claim 10 wherein the connection pad (106) is electrically conductively connected to the carrier connection pad (122) by means of an anisotropic, electrically conductive adhesive. Systemträger (201) gemäß Anspruch 10 oder 11, wobei der Chip (200) als Flip-Chip montiert ist.System carrier (201) according to Claim 10 or 11th , wherein the chip (200) is mounted as a flip chip. Systemträger (201) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Systemträger eine Chipkarte oder ein Chipkartenmodul ist.System carrier (201) according to one of the Claims 10 until 12th , wherein the system carrier is a chip card or a chip card module. Verfahren zum Bilden eines Chips, aufweisend • Bilden eines Anschlusspads und mindestens eines zusätzlichen Anschlusspads neben dem Anschlusspad auf einem Substrat (410); • Bilden eines Abstandshalters, der zumindest teilweise neben dem zusätzlichen Anschlusspad angeordnet ist zum Vermeiden eines elektrisch leitenden Kontakts des zusätzlichen Anschlusspads mit einem Träger-Anschlusspad eines Trägers, wenn das Anschlusspad mit dem Träger-Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist (420).A method of forming a chip, comprising • Forming a connection pad and at least one additional connection pad next to the connection pad on a substrate (410); • Forming a spacer which is at least partially arranged next to the additional connection pad to avoid electrically conductive contact of the additional connection pad with a carrier connection pad of a carrier when the connection pad is electrically conductively connected to the carrier connection pad (420). Verfahren gemäß Anspruch 14, ferner aufweisend: • Bilden einer Kontaktstruktur, welche mit dem Anschlusspad elektrisch leitend verbunden ist, • wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter die gleiche Dicke aufweisen.Procedure according to Claim 14 , further comprising: • forming a contact structure which is electrically conductively connected to the connection pad, • wherein the contact structure and the spacer have the same thickness. Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei die Kontaktstruktur und der Abstandshalter elektrisch leitend verbunden sind.Procedure according to Claim 15 , wherein the contact structure and the spacer are connected in an electrically conductive manner. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Bilden der Kontaktstruktur und das Bilden des Abstandshalter gleichzeitig erfolgen, beispielsweise mittels Galvanisierens.Method according to one of the Claims 14 until 16 , the formation of the contact structure and the formation of the spacer taking place simultaneously, for example by means of electroplating. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei der Abstandshalter in einer Draufsicht an das zusätzliche Anschlusspad angrenzt und in vertikaler Richtung vom zusätzlichen Anschlusspad elektrisch isoliert ist.Method according to one of the Claims 14 until 17th wherein the spacer adjoins the additional connection pad in a plan view and is electrically isolated from the additional connection pad in the vertical direction. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 18, • wobei ein kleinster lateraler Abstand ein lateraler Abstand zwischen benachbarten Randbereichen des zusätzlichen Anschlusspads und des Abstandshalters ist, an einer Stelle, wo sich das zusätzliche Anschlusspad und der Abstandshalter am nächsten sind; und • wobei der kleinste laterale Abstand maximal 250 µm beträgt.Method according to one of the Claims 14 until 18th Wherein a smallest lateral distance is a lateral distance between adjacent edge regions of the additional connection pad and the spacer, at a point where the additional connection pad and the spacer are closest to one another; and • where the smallest lateral distance is a maximum of 250 µm. Verfahren zum Bilden eines Systemträgers, aufweisend: • Bilden eines Chips gemäß einem der Ansprüche 14 bis 19 (510); und • elektrisch leitendes Verbinden eines Träger-Anschlusspads mit dem Anschlusspad (520).A method for forming a system carrier, comprising: forming a chip according to one of the Claims 14 until 19th (510); and • electrically conductive connection of a carrier connection pad to the connection pad (520).
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