DE102019214312A1 - Manufacturing process for thin films - Google Patents

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Hans Jürgen Maier
Malte Freiknecht
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten auf einem Träger, der eine Trennschicht aufweist, sowie die mit dem Verfahren erhältlichen Dünnschichten, die ohne den verwendeten Träger vorliegen bzw. freitragend sind. Die Dünnschicht kann ein Polymer, ein Dünnglas oder eine Keramik aufweisen oder daraus bestehen. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Trennschicht das Auftragen eines Materials für die Dünnschicht und nach dem Härten des Materials zur Dünnschicht ein einfaches Ablösen bzw. Trennen und Entfernen der Dünnschicht vom Träger erlaubt. Das Verfahren hat den Vorteil, dass es bei Temperaturen durchführbar ist, die innerhalb einer Anlage zur PVD oder CVD realisierbar sind, so dass das gesamte Verfahren innerhalb einer geschlossenen Anlage zur PVD oder CVD ablaufen kann.The invention relates to a method for producing thin layers on a carrier which has a separating layer, as well as the thin layers obtainable with the method which are present without the carrier used or are self-supporting. The thin layer can have or consist of a polymer, a thin glass or a ceramic. The method is characterized in that the separating layer allows the application of a material for the thin layer and, after the material has hardened to form the thin layer, a simple detachment or separation and removal of the thin layer from the carrier. The method has the advantage that it can be carried out at temperatures that can be achieved within a PVD or CVD system, so that the entire process can take place within a closed PVD or CVD system.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten auf einem Träger, der eine Trennschicht aufweist, sowie die mit dem Verfahren erhältlichen Dünnschichten, die ohne den verwendeten Träger vorliegen bzw. freitragend sind. Die Dünnschicht kann ein Polymer, ein Dünnglas oder eine Keramik aufweisen oder daraus bestehen. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Trennschicht das Auftragen eines Materials für die Dünnschicht und nach dem Härten des Materials zur Dünnschicht ein einfaches Ablösen bzw. Trennen und Entfernen der Dünnschicht vom Träger erlaubt. Das Verfahren hat den Vorteil, dass es bei Temperaturen durchführbar ist, die innerhalb einer Anlage zur PVD oder CVD realisierbar sind, so dass das gesamte Verfahren innerhalb einer geschlossenen Anlage zur PVD oder CVD ablaufen kann. Die Dünnschicht kann durch Auftragen eines Materials z.B. mittels Rakeln, Sprühen, Drucken, Schleuderbeschichten, Auflegen einer Schicht des Dünnschichtmaterials auf die Trennschicht, bevorzugt mit anschließendem Erwärmen, erfolgen. Das Material der Dünnschicht kann ein reaktives Vorläufermaterial sein.The invention relates to a method for producing thin layers on a carrier which has a separating layer, as well as the thin layers obtainable with the method which are present without the carrier used or are self-supporting. The thin layer can have or consist of a polymer, a thin glass or a ceramic. The method is characterized in that the separating layer allows the application of a material for the thin layer and, after the material has hardened to form the thin layer, a simple detachment or separation and removal of the thin layer from the carrier. The method has the advantage that it can be carried out at temperatures that can be achieved within a PVD or CVD system, so that the entire process can take place within a closed PVD or CVD system. The thin layer can be carried out by applying a material, e.g. by means of knife coating, spraying, printing, spin coating, placing a layer of the thin layer material on the separating layer, preferably with subsequent heating. The material of the thin film can be a reactive precursor material.

Die Dünnschicht kann, während sie auf dem Träger angeordnet ist, auf ihrer gegenüberliegenden Oberfläche mit einer Funktionsschicht versehen werden, z.B. durch Auftragen von Leiterbahnen, Isoliermaterial und/oder elektrisch und/oder optisch aktiven Stoffen, insbesondere durch Auftragen mittels PVD oder CVD. Optional kann gegenüber dem Träger eine weitere Schicht auf die Dünnschicht aufgetragen werden, z.B. aus Vorläufermaterial eines Polymers. Das einfache Ablösen der Dünnschicht vom Träger erlaubt die Herstellung flexibler Dünnschichten bevorzugt ohne mechanische Belastung der Dünnschichten bei deren Entfernen vom Träger, so dass die Dünnschichten die Form der Oberfläche des Trägers aufweisen. Der Träger kann ein Band sein, das z.B. abschnittsweise eben geführt ist, und das Verfahren kann kontinuierlich auf einem Abschnitt des Trägers durchgeführt werden, wobei der Träger bewegt wird, z.B. in einem Rolle-zu-Rolle-Verfahren oder mit einem umlaufenden Träger.The thin layer, while it is arranged on the carrier, can be provided with a functional layer on its opposite surface, e.g. by applying conductor tracks, insulating material and / or electrically and / or optically active substances, in particular by applying by means of PVD or CVD. Optionally, a further layer can be applied to the thin layer opposite the carrier, e.g. made of a polymer precursor material. The simple detachment of the thin layer from the carrier allows the production of flexible thin layers, preferably without mechanical loading of the thin layers when they are removed from the carrier, so that the thin layers have the shape of the surface of the carrier. The carrier can be a belt which, for example, is guided in sections in planar fashion, and the process can be carried out continuously on a section of the carrier, the carrier being moved, for example in a roll-to-roll process or with a rotating carrier.

Stand der TechnikState of the art

Die WO 00/59824 A1 beschreibt zur Herstellung freitragender Mikrostrukturen das einseitige Überdecken der Öffnung eines Trägerrahmens mit einer ablösbaren Hilfsschicht, z.B. Fotoresistfolie, Erzeugen der Mikrostrukturen auf der Hilfsschicht in der Ebene, in der die Hilfsschicht den Trägerrahmen überdeckt, mit anschließendem Entfernen der Hilfsschicht, z.B. durch Auflösen, so dass die Mikrostrukturen auf dem Trägerrahmen zu liegen kommen.The WO 00/59824 A1 describes for the production of self-supporting microstructures the one-sided covering of the opening of a carrier frame with a removable auxiliary layer, e.g. photoresist film, creation of the microstructures on the auxiliary layer in the plane in which the auxiliary layer covers the carrier frame, with subsequent removal of the auxiliary layer, e.g. by dissolving, so that the microstructures come to rest on the carrier frame.

Die DE 10 2015 110 107 A1 beschreibt die kontinuierliche Herstellung eines biegsamen Verbunds aus Glas von 5-400 µm Dicke auf Metallfolie durch Aufschmelzen einer Glaspulverpaste oder von Dünnglas auf das Metall, Trocken und Einbrennen mittels Bestrahlung bei einer Wellenlänge von 700-3000 nm, optional UV-Strahlung unter 400 nm, um eine schnelle Erwärmung z.B. in ca. 2 min auf 400 bis 1200 °C zu erreichen.The DE 10 2015 110 107 A1 describes the continuous production of a flexible composite of glass 5-400 µm thick on metal foil by melting a glass powder paste or thin glass onto the metal, drying and baking by means of irradiation at a wavelength of 700-3000 nm, optionally UV radiation below 400 nm, in order to achieve rapid heating, for example to 400 to 1200 ° C in approx. 2 minutes.

Die WO 2018/204944 A1 beschreibt das Auftragen von Molybdän in Mischung mit Cu, Ag oder Au mittels Sputtern auf 50µm Polyimidfolie oder auf Dünnglas, Metallfolie oder mineralischem Material zur Herstellung von Leiterbahnen mit höherem Dehnungsvermögen als reines Molybdän.The WO 2018/204944 A1 describes the application of molybdenum in a mixture with Cu, Ag or Au by means of sputtering on 50 µm polyimide foil or on thin glass, metal foil or mineral material for the production of conductor tracks with higher extensibility than pure molybdenum.

Von Golddrähten, die an Aluminium gebondet sind, ist als Alterungsprozess die Ausbildung einer brüchigen intermetallischen Phase, die sogenannte Purpurpest, bekannt.The aging process of gold wires bonded to aluminum is known to be the formation of a brittle intermetallic phase, the so-called purple plague.

Aufgabe der ErfindungObject of the invention

Der Erfindung stellt sich die Aufgabe, ein alternatives Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten bereitzustellen, mit dem auf einem Träger aus einem Vorläufermaterial eine Dünnschicht hergestellt wird, die einfach vom Träger abgelöst wird. Weiter bevorzugt soll das Verfahren bei Temperaturen und mit Schritten ablaufen können, die innerhalb einer geschlossenen PVD- oder CVD-Anlage durchführbar sind.The object of the invention is to provide an alternative method for producing thin layers with which a thin layer is produced from a precursor material on a carrier and is simply detached from the carrier. More preferably, the method should be able to run at temperatures and with steps that can be carried out within a closed PVD or CVD system.

Beschreibung der ErfindungDescription of the invention

Die Erfindung löst die Aufgabe mit den Merkmalen der Ansprüche, insbesondere durch ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht, das die Schritte

  1. a) Bereitstellen eines Trägers,
  2. b) Auftragen einer Trennschicht, die Aluminium und Gold aufweist oder daraus besteht, auf den Träger,
  3. c) Auftragen des Materials der Dünnschicht auf die Trennschicht, insbesondere direkt auf die Trennschicht, zur Herstellung einer Schicht aus dem Material der Dünnschicht auf der Trennschicht,
  4. d) optional Auftragen zumindest einer Funktionsschicht auf das Material der Dünnschicht,
  5. e) Erwärmen der Trennschicht, nach oder vor dem optionalen Auftragen einer Funktionsschicht auf das Material der Dünnschicht,
  6. f) Entfernen der Dünnschicht vom Träger, wobei die Trennschicht nach dem Erwärmen auf dem Träger zurückbleibt und einen mit der Trennschicht versehenen Träger bildet, zur Herstellung einer Dünnschicht, auf der optional zumindest eine Funktionsschicht angeordnet ist,
  7. g) optional anschließendes Entfernen der Trennschicht vom Träger und Bereitstellen des Trägers in Schritt a)
umfasst oder daraus besteht.The invention achieves the object with the features of the claims, in particular by a method for producing a thin film which has the following steps
  1. a) Providing a carrier,
  2. b) applying a separating layer, which comprises or consists of aluminum and gold, to the carrier,
  3. c) applying the material of the thin layer to the separating layer, in particular directly to the separating layer, to produce a layer from the material of the thin layer on the separating layer,
  4. d) optionally applying at least one functional layer to the material of the thin layer,
  5. e) heating the separating layer after or before the optional application of a functional layer to the material of the thin layer,
  6. f) removing the thin layer from the carrier, the separating layer remaining on the carrier after heating and one with the Forms a carrier provided with a separating layer, for the production of a thin layer on which at least one functional layer is optionally arranged
  7. g) optionally subsequent removal of the separating layer from the carrier and provision of the carrier in step a)
includes or consists of.

Es hat sich gezeigt, dass eine Trennschicht, die Gold und Aluminium aufweist oder daraus besteht, auf dem Träger nach dem Erwärmen ein einfaches Entfernen einer auf der Trennschicht aufgetragenen Dünnschicht erlaubt. Generell bevorzugt wird zumindest eine Schicht aus Gold und zumindest eine Schicht aus Aluminium auf den Träger aufgebracht optional abwechselnd Schichten aus Gold und Schichten aus Aluminium, z.B. eine Schicht aus Gold zwischen zwei Schichten aus Aluminium. Alternativ können das Gold und das Aluminium gleichzeitig bzw. als Mischung aufgetragen werden, z.B. von jeweils getrennten Targets aufgesputtert werden. Generell bevorzugt wird die Trennschicht zumindest auf den Bereich des Trägers vollflächig aufgetragen, auf den anschließend das Material der Dünnschicht aufgetragen wird. Nach dem Erwärmen der Trennschicht in Schritt e) bildet diese eine intermetallische Phase von Gold und Aluminium aus.It has been shown that a separating layer which comprises gold and aluminum or which consists of these, on the carrier, after heating, allows a thin layer applied to the separating layer to be easily removed. In general, at least one layer of gold and at least one layer of aluminum are applied to the carrier, optionally alternating layers of gold and layers of aluminum, e.g. a layer of gold between two layers of aluminum. Alternatively, the gold and aluminum can be applied simultaneously or as a mixture, e.g. sputtered on from separate targets. Generally preferred, the separating layer is applied over the entire surface at least to the area of the carrier to which the material of the thin layer is then applied. After the separation layer has been heated in step e), it forms an intermetallic phase of gold and aluminum.

Es hat sich gezeigt, dass diese Trennschicht zu einem einfachen Trennen und Ablösen der Dünnschicht vom Träger führt, so dass die Dünnschicht nur mit geringer oder ohne Haftkraft mit dem Träger verbunden ist und mit geringem oder ohne Aufwand zur Überwindung einer Anhaftung vom Träger entfernt werden kann.It has been shown that this separating layer leads to a simple separation and detachment of the thin layer from the carrier, so that the thin layer is connected to the carrier with little or no adhesive force and can be removed from the carrier with little or no effort to overcome adhesion .

Überraschender Weise hat sich gezeigt, dass eine Trennschicht aus oder mit zumindest jeweils einer Goldschicht und einer Aluminiumschicht oder eine Trennschicht aus oder mit Gold und Aluminium in Mischung nach dem Erwärmen zum Ablösen einer darauf aufgebrachten Dünnschicht führt, während die Trennschicht mit dem Träger verbunden bleibt.Surprisingly, it has been shown that a separating layer made of or with at least one gold layer and an aluminum layer or a separating layer made of or with gold and aluminum mixed after heating leads to the detachment of a thin layer applied thereon, while the separating layer remains connected to the carrier.

Bevorzugt wird die Anordnung des Trägers mit der Trennschicht darauf und der darauf aufgetragenen Schicht des Materials der Dünnschicht und optional darauf einer Funktionsschicht erwärmt, z.B. auf eine Temperatur von maximal 400 °C, bevorzugt maximal 350 °C, z.B. 120 bis 350 °C oder bis 300 °C oder bei 300 bis 350 °C. Generell bevorzugt erfolgt das Verfahren durchgehend im Vakuum oder in SchutzgasatmosphäreThe arrangement of the carrier with the separating layer on it and the layer of the material of the thin layer applied thereon and optionally a functional layer thereon is preferably heated, for example to a temperature of a maximum of 400 ° C., preferably a maximum of 350 ° C., for example 120 to 350 ° C. or up to 300 ° C or at 300 to 350 ° C. Generally preferred, the process is carried out continuously in a vacuum or in a protective gas atmosphere

Bevorzugt wird bei der Erwärmung ein Temperaturgradient über den Querschnitt von Träger, Trennschicht und Dünnschicht, optional zusätzlich der Funktionsschicht, erzeugt, z.B. durch Erwärmen nur in Richtung auf den Träger bzw. Erwärmen des Trägers von dessen Oberfläche gegenüber der Trennschicht, oder durch Erwärmen nur in Richtung auf das Material der Dünnschicht, bzw. Erwärmen der Dünnschicht von deren Oberfläche gegenüber dem Träger. Denn es hat sich gezeigt, dass das Erwärmen das Ablösen der Dünnschicht vom Träger, bevorzugt von der Trennschicht, beschleunigt. Das Erzeugen eines Temperaturgradienten über den Querschnitt von Träger, Trennschicht und Dünnschicht, optional zusätzlich der Funktionsschicht, führt zumindest bei unterschiedlichen Temperaturausdehnungskoeffizienten von Träger und Dünnschicht zu einem schnelleren Ablösen. Das Erwärmen, das bevorzugt nur in Richtung auf die Oberfläche des Trägers gegenüber der Dünnschicht oder nur in Richtung auf die Oberfläche der Dünnschicht gegenüber dem Träger erfolgt, kann durch Bestrahlen oder Kontaktieren mit einer beheizten Fläche erfolgen.When heating, a temperature gradient is preferably generated over the cross section of the carrier, separating layer and thin layer, optionally also the functional layer, e.g. by heating only in the direction of the carrier or heating the carrier from its surface opposite the separating layer, or by heating only in Direction towards the material of the thin layer, or heating of the thin layer from its surface in relation to the carrier. This is because it has been shown that the heating accelerates the detachment of the thin layer from the carrier, preferably from the separating layer. The generation of a temperature gradient across the cross section of the carrier, separating layer and thin layer, optionally also the functional layer, leads to faster detachment, at least if the temperature expansion coefficients of carrier and thin layer are different. The heating, which preferably only takes place in the direction of the surface of the carrier opposite the thin layer or only in the direction of the surface of the thin layer opposite the carrier, can take place by irradiation or contact with a heated surface.

Der Träger kann z.B. aus Metall, z.B. Edelstahl, aus Silicium, Keramik oder Glas bestehen.The carrier can for example consist of metal, e.g. stainless steel, silicon, ceramic or glass.

Die Trennschicht wird bevorzugt durch physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) oder chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf den Träger aufgetragen. Das Auftragen kann insbesondere durch Sputtern erfolgen, wobei Gold und Aluminium nacheinander aufgetragen werden können.The separating layer is preferably applied to the carrier by physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD). The application can in particular take place by sputtering, in which case gold and aluminum can be applied one after the other.

Es hat sich gezeigt, dass die Trennschicht zum überwiegenden Teil oder im Wesentlichen vollständig mit dem Träger verbunden bleibt, wenn die Dünnschicht entfernt ist. Nach Entfernen der Dünnschicht kann die Trennschicht vom Träger entfernt werden und auf den Träger kann erneut eine Trennschicht aufgebracht werden. Bevorzugt wird die vom Träger entfernte Trennschicht in Gold und Aluminium aufgetrennt und diese werden erneut zum Auftragen in Schritt b) eingesetzt.It has been shown that the separating layer remains largely or essentially completely connected to the carrier when the thin layer is removed. After removing the thin layer, the separating layer can be removed from the carrier and a separating layer can be applied again to the carrier. The separating layer removed from the carrier is preferably separated into gold and aluminum and these are used again for application in step b).

Die Trennschicht weist Gold und Aluminium z.B. in Mengenverhältnissen von AuAl und/oder AuAl2 und/oder Au4Al und/oder Au5Al2 auf, bevorzugt in Mengenverhältnissen von AuAl und/oder AuAl2. Bevorzugt weist die Trennschicht eine Schichtdicke von insgesamt 50 bis 500 nm, z.B. von 100 bis 400 nm auf. Die Trennschicht kann als separat aufgetragene Schicht aus Gold einer Dicke von 100 bis 200 nm und separat aufgetragene Schicht aus Aluminium einer Dicke von 100 bis 200 nm ausgebildet sein. Denn es hat sich gezeigt, dass die Trennwirkung, insbesondere nach einer Erwärmung, auch bei separatem Auftrag von Gold und Aluminium nacheinander auf den Träger erreicht wird. Dies wird gegenwärtig auf die Ausbildung von AuAl und/oder AuAl2 durch Diffusion innerhalb der Trennschicht zurückgeführt. Das Auftragen der Trennschicht auf den Träger, kann z.B. durch PVD, CVD, bevorzugt Sputtern, erfolgen. Optional erfolgt das Auftragen der Trennschicht vollflächig auf den Träger.The separating layer has gold and aluminum, for example, in proportions of AuAl and / or AuAl 2 and / or Au 4 Al and / or Au 5 Al 2 , preferably in proportions of AuAl and / or AuAl 2 . The separating layer preferably has a total layer thickness of 50 to 500 nm, for example 100 to 400 nm. The separating layer can be designed as a separately applied layer of gold with a thickness of 100 to 200 nm and a separately applied layer of aluminum with a thickness of 100 to 200 nm. This is because it has been shown that the separating effect, in particular after heating, is achieved one after the other even when gold and aluminum are applied separately to the carrier. This is currently attributed to the formation of AuAl and / or AuAl 2 by diffusion within the separating layer. The separation layer can be applied to the carrier, for example, by PVD, CVD, preferably sputtering. Optionally, the separation layer can be applied over the entire surface of the carrier.

Die Dünnschicht kann z.B. mittels PVD, CVD, Sprühen, Rakeln, Schleuderbeschichten, Drucken des Materials der Dünnschicht oder Auflegen einer vorgefertigten Schicht des Dünnschichtmaterials, z.B. Dünnglas, auf die Trennschicht aufgetragen werden. Die Dünnschicht kann ein Polymer, z.B. Polyimid, ein Metall, z.B. Edelstahl, eine Keramik oder ein Glas sein. Für eine Dünnschicht aus Glas kann als Material Glaspaste, Glasfritte und/oder Dünnglas auf die Trennschicht aufgebracht werden, das anschließend auf die Erweichungstemperatur oder auf die Schmelztemperatur erwärmt wird, z.B. durch Bestrahlung. Das Material der Dünnschicht kann z.B. eine Paste mit Glaspartikeln oder mit Keramikpartikeln oder ein Dünnglas sein, wobei z.B. das Material der Dünnschicht in Mischung mit darin eingebrachten Partikeln auf die Trennschicht aufgetragen wird. Das Erwärmen durch Bestrahlung, z.B. mittels Laserstrahlung, hat für alle Materialien der Dünnschicht den Vorteil, dass eine kurzzeitige Erwärmung ausreicht und der Träger und die Trennschicht nicht wesentlich beeinträchtigt werden. Dabei kann das auf den Träger aufgetragene Material der Dünnschicht durch direkte Bestrahlung auf seine Erweichungs- oder Schmelztemperatur erwärmt werden.The thin layer can be applied to the separating layer, for example by means of PVD, CVD, spraying, knife coating, spin coating, printing of the material of the thin layer or laying a prefabricated layer of the thin layer material, for example thin glass. The thin layer can be a polymer, for example polyimide, a metal, for example stainless steel, a ceramic or a glass. For a thin layer of glass, glass paste, glass frit and / or thin glass can be applied to the separating layer as material, which is then heated to the softening temperature or to the melting temperature, for example by irradiation. The material of the thin layer can be, for example, a paste with glass particles or with ceramic particles or a thin glass, for example the material of the thin layer being applied to the separating layer as a mixture with particles introduced therein. Heating by irradiation, for example by means of laser radiation, has the advantage for all materials of the thin layer that brief heating is sufficient and the carrier and the separating layer are not significantly impaired. The material of the thin layer applied to the carrier can be heated to its softening or melting temperature by direct irradiation.

Optional kann die Dünnschicht eingebrachte Partikel enthalten, z.B. Partikel aus Abrasivmaterial zur Verwendung der Dünnschicht als Schleifwerkzeug, Partikel aus magnetischen Materialien zur Verwendung der Dünnschicht als magnetisches Element. Die Dünnschicht kann eine beliebige Schichtdicke aufweisen.Optionally, the thin layer can contain introduced particles, for example particles of abrasive material for use of the thin layer as a grinding tool, particles of magnetic materials for use of the thin layer as a magnetic element. The thin layer can have any layer thickness.

Die Funktionsschicht kann z.B. aufgetragene Leiterbahnen, eine Fotoresistschicht, Spulensysteme und/oder Sensorschichten aufweisen. Die Funktionsschicht kann z.B. mittels PVD, CVD, Sprühen, Rakeln, Schleuderbeschichten, Drucken des Materials der Funktionsschicht oder Auflegen einer vorgefertigten Schicht des Funktionsschichtmaterials, z.B. Dünnglas, auf die Dünnschicht aufgetragen werden.The functional layer can, for example, have applied conductor tracks, a photoresist layer, coil systems and / or sensor layers. The functional layer can be applied to the thin layer e.g. by means of PVD, CVD, spraying, knife coating, spin coating, printing the material of the functional layer or laying a prefabricated layer of the functional layer material, e.g. thin glass.

Die im Verfahren verwendete Anordnung einer Trennschicht unmittelbar auf einem Träger, mit Material einer Dünnschicht unmittelbar auf der Trennschicht gegenüber dem Träger, und optional einer Funktionsschicht auf dem Material der Dünnschicht zeichnet sich dadurch aus, dass sie ein einfaches Entfernen der Dünnschicht, optional mit der darauf angeordneten Funktionsschicht, von der Trennschicht ermöglicht.The arrangement of a separating layer used in the method directly on a carrier, with material of a thin layer directly on the separating layer opposite the carrier, and optionally a functional layer on the material of the thin layer, is characterized in that it enables simple removal of the thin layer, optionally with the one on top arranged functional layer, made possible by the separating layer.

Nach dem Entfernen von der Trennschicht zeichnet sich die Dünnschicht mit der optional darauf angeordneten Funktionsschicht dadurch aus, dass sie durch den schonenden Trennschritt unbeschädigt und unbelastet, z.B. ohne innere Spannungen, vorliegt.After removal from the separating layer, the thin layer with the optionally arranged functional layer is characterized by the fact that it is undamaged and unencumbered, e.g. without internal stress, due to the gentle separating step.

Die Erfindung wird nun genauer anhand eines Beispiels und mit Bezug auf die Figuren beschrieben, die in

  • - 1 schematisch die durch das Verfahren erhältliche Anordnung und
  • - 2 mit dem Verfahren hergestellte Dünnschichten zeigen.
The invention will now be described in more detail by way of example and with reference to the figures shown in FIG
  • - 1 schematically the arrangement obtainable by the method and
  • - 2 show thin films produced by the process.

Die 1 zeigt einen Träger (Substrat) und eine darauf aufgetragene Trennschicht, die aus einer unmittelbar auf den Träger aufgetragenen Schicht aus Gold (Gold) und einer anschließend darauf aufgetragenen Schicht aus Aluminium (Aluminium) besteht. Auf diese Trennschicht ist anschließend Material einer Dünnschicht und Material einer Funktionsschicht (System) aufgetragen. Durch Diffusion, bevorzugt unterstützt durch Erwärmen, bilden sich in der Trennschicht intermetallische AuAI-Phasen sowie AuAl2, Au4Al und Au5Al2 (Diffusionsschicht) zwischen dem Träger und der Dünnschicht, und die Dünnschicht trennt sich von der Trennschicht, während die Trennschicht mit dem Träger verbunden bleibt.The 1 shows a carrier (substrate) and a separating layer applied thereon, which consists of a layer of gold (gold) applied directly to the carrier and a subsequently applied layer of aluminum (aluminum). The material of a thin layer and material of a functional layer (system) are then applied to this separating layer. By diffusion, preferably supported by heating, intermetallic AuAl phases as well as AuAl 2 , Au 4 Al and Au 5 Al 2 (diffusion layer) form between the carrier and the thin layer, and the thin layer separates from the separating layer, while the Separating layer remains connected to the carrier.

Beispiel 1: Herstellung von Dünnschichten aus Polyimid mit darin verteiltem AbrasivmaterialExample 1: Production of thin layers of polyimide with abrasive material distributed therein

Als Träger wurde ein planer Siliziumwafer in einer PVD-Anlage mit Gold zu einer Schichtdicke von 200 nm besputtert, dann wurde das Target zu Aluminium gewechselt und Aluminium zu einer Schichtdicke von 200 nm auf die Goldschicht gesputtert, um die Trennschicht auszubilden. Unmittelbar auf die Trennschicht wurde anschließend als Dünnschicht kreisförmig Material für Polyimid in Mischung mit Abrasivpartikeln z.B. Al2O3, SiC, cBN (Partikelgröße z.B. < 60 µm) durch Schleuderbeschichtung auf den rotierenden Träger aufgebracht. Die Anordnung aus dem Träger, der Trennschicht und der Mischung des Polyimids mit den Partikeln wurde auf 300 °C erwärmt. Dabei härtete das Polyimid aus und die Dünnschicht löste sich vom Träger, wobei die Trennschicht im Wesentlichen auf dem Träger zurückblieb. Die Schritte des Aushärtens und des Trennens konnten unter Vakuum gleichzeitig innerhalb einer Anlage durchgeführt werden, die geschlossen war und unter Vakuum stand, ohne den Träger aus der Anlage zu entnehmen oder weitere Schritte außerhalb der Anlage durchzuführen. Die Dünnschicht aus Polyimid mit den Partikeln darin konnte anschließend als Umfangsschleifwerkzeug verwendet werden.A planar silicon wafer was sputtered with gold to a layer thickness of 200 nm as a carrier in a PVD system, then the target was changed to aluminum and aluminum was sputtered to a layer thickness of 200 nm on the gold layer in order to form the separating layer. Directly on the separating layer, material for polyimide mixed with abrasive particles, eg Al 2 O 3 , SiC, cBN (particle size eg <60 μm) was then applied in a circular thin layer to the rotating support by spin coating. The arrangement of the carrier, the release layer and the mixture of the polyimide with the particles was heated to 300 ° C. The polyimide cured and the thin layer detached from the carrier, the separating layer essentially remaining on the carrier. The curing and separating steps could be performed simultaneously under vacuum within a facility that was closed and under vacuum without removing the carrier from the facility or performing further steps outside the facility. The thin layer of polyimide with the particles in it could then be used as a peripheral grinding tool.

Die 2 zeigt einen Träger 1, auf den nacheinander Aluminium und Gold aufgesputtert wurden, um eine Trennschicht 2 zu bilden. Auf den Träger 1 ist eine kreisförmige Scheibe 3 aus Polyimid durch Aufschleudern aufgebracht, dem Abrasivpartikel zugesetzt wurden, die sich von innen nach außen radial verbreiternde Bereiche 4 einnehmen. Die Polyimidschicht 3 haftete nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur nicht am Träger 1 und konnte kraftlos vom Träger 1 entfernt werden. Es wird angenommen, dass die Dünnschicht durch die bei der Erwärmung gegenüber dem Träger unterschiedliche Ausdehnung und durch die Ausbildung einer intermetallischen Trennschicht aus Gold und Aluminium sich ohne weiteres vom Träger bzw. von der Trennschicht gelöst hat. Die Trennschicht blieb mit dem Träger verbunden und konnte bevorzugt abgetragen und durch eine neue Trennschicht ersetzt werden, so dass nochmals eine Trennschicht aufgetragen und diese mit Material der Dünnschicht beschichtet werden kann, das sich nach neuerlichem Erwärmen ebenfalls von der Trennschicht löst.The 2 shows a carrier 1 on which aluminum and gold were sputtered one after the other to form a separating layer 2 to build. On the carrier 1 is a circular disc 3rd Made of polyimide applied by spin-coating, to which abrasive particles were added, which spread from the inside out radially widening areas 4th take in. The polyimide layer 3rd did not adhere to the support after cooling to room temperature 1 and could be powerless from the wearer 1 removed. It is assumed that the thin layer has easily detached itself from the carrier or from the separating layer due to the different expansion compared to the carrier during the heating and the formation of an intermetallic separating layer made of gold and aluminum. The separating layer remained connected to the carrier and could preferably be removed and replaced by a new separating layer, so that another separating layer can be applied and this can be coated with material of the thin layer that will also detach from the separating layer after renewed heating.

Beispiel 2: Herstellung von Dünnschichten aus Polyimid mit darauf aufgetragenem MetallleiterExample 2: Production of thin layers of polyimide with a metal conductor applied thereon

Als Träger wurde wie in Beispiel 1 in einer PVD-Anlage ein Siliziumwafer mit Gold und Aluminium besputtert. Auf die so hergestellte Trennschicht wurde anschließend Material für Polyimid aufgebracht und darauf anschließend als Funktionsschicht mittels PVD Kupfer in Form spulenförmiger Leiterbahnen aufgetragen. Nach Erwärmen auf 300 °C lag die Dünnschicht aus Polyimid mit den Leiterbahnen aus Kupfer darauf lose auf der Trennschicht. Die Dünnschicht und optional der Träger mit der darauf verbliebenen Trennschicht wurden aus der PVD-Anlage entnommen.As in Example 1, a silicon wafer was sputtered with gold and aluminum as the carrier in a PVD system. Material for polyimide was then applied to the separating layer produced in this way and then applied as a functional layer using PVD copper in the form of coil-shaped conductor tracks. After heating to 300 ° C., the thin layer of polyimide with the conductor tracks made of copper lay loosely on the separating layer. The thin layer and optionally the carrier with the separating layer remaining on it were removed from the PVD system.

Alternativ zum Material für Polyimid wurde Dünnglas (Dicke von ca. 150 µm oder 400 µm) als Dünnschicht auf die Trennschicht aufgelegt. Anschließend wurden Leiterbahnen durch Aufsputtern von Kupfer auf diese Dünnschicht aufgebracht. Das Dünnglas wurde optional vor dem Auftragen der Leiterbahnen durch direkte Bestrahlung erwärmt, z.B. auf 300 bis 320 °C. Das Dünnglas schmiegte sich an die Trennschicht. Alternativ wurde das Dünnglas erst nach Auftragen der Leiterbahn als Funktionsschicht, also gemeinsam mit der darauf aufgetragenen Leiterbahn, durch direkte Bestrahlung erwärmt.As an alternative to the material for polyimide, thin glass (thickness of approx. 150 µm or 400 µm) was placed as a thin layer on the separating layer. Conductor tracks were then applied to this thin layer by sputtering copper on. The thin glass was optionally heated by direct irradiation before the conductor tracks were applied, e.g. to 300 to 320 ° C. The thin glass clung to the separating layer. Alternatively, the thin glass was heated by direct irradiation only after the conductor track had been applied as a functional layer, i.e. together with the conductor track applied to it.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • WO 0059824 A1 [0003]WO 0059824 A1 [0003]
  • DE 102015110107 A1 [0004]DE 102015110107 A1 [0004]
  • WO 2018/204944 A1 [0005]WO 2018/204944 A1 [0005]

Claims (10)

Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht mit a) Bereitstellen eines Trägers, b) Auftragen einer Trennschicht, die Aluminium und Gold aufweist, auf den Träger, c) Auftragen des Materials der Dünnschicht auf die Trennschicht zur Herstellung einer Schicht aus dem Material der Dünnschicht auf der Trennschicht, d) optional Auftragen zumindest einer Funktionsschicht auf das Material der Dünnschicht, e) Erwärmen der Trennschicht und f) Entfernen der Dünnschicht von dem mit der Trennschicht versehenen Träger zur Herstellung der Dünnschicht.Process for the production of a thin film with a) Providing a carrier, b) applying a separating layer comprising aluminum and gold to the carrier, c) applying the material of the thin layer to the separating layer to produce a layer from the material of the thin layer on the separating layer, d) optionally applying at least one functional layer to the material of the thin layer, e) heating the separating layer and f) removing the thin layer from the carrier provided with the separating layer in order to produce the thin layer. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor Auftragen einer Funktionsschicht das Material der Dünnschicht auf seine Erweichungs- oder Schmelztemperatur erwärmt wird.Procedure according to Claim 1 , characterized in that before a functional layer is applied, the material of the thin layer is heated to its softening or melting temperature. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dünnschicht ein Polymer, Glas, Keramik oder Metall ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the thin layer is a polymer, glass, ceramic or metal. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt d) als Funktionsschicht zumindest eine Leiterbahn, Isoliermaterial und/oder zumindest ein elektrisch und/oder optisch aktiver Stoff auf die Dünnschicht aufgetragen wird und in Schritt f) auf der Dünnschicht zumindest eine Funktionsschicht angeordnet ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that in step d) at least one conductor track, insulating material and / or at least one electrically and / or optically active substance is applied to the thin layer as a functional layer and in step f) at least one functional layer is applied to the thin layer is arranged. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Erwärmen in Schritt e) auf maximal 350 °C erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the heating in step e) takes place to a maximum of 350 ° C. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend an Schritt f) die Trennschicht vom Träger entfernt wird und der Träger erneut in Schritt a) bereitgestellt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that following step f) the separating layer is removed from the carrier and the carrier is provided again in step a). Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt a) der Träger mit einer darauf angeordneter Trennschicht durch vollflächiges Besputtern des Trägers mit Gold und Aluminium, nacheinander oder gleichzeitig, bereitgestellt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that in step a) the carrier with a separating layer arranged thereon is provided by sputtering the carrier over the entire surface with gold and aluminum, one after the other or simultaneously. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt b) das Auftragen des Materials der Dünnschicht auf die Trennschicht mittels PVD, CVD, Sprühen, Rakeln, Schleuderbeschichten oder Drucken erfolgt, wobei das Verfahren vollständig in einer geschlossenen Anlage zur PVD oder CVD erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that in step b) the material of the thin layer is applied to the separating layer by means of PVD, CVD, spraying, knife coating, spin coating or printing, the process being carried out entirely in a closed system for PVD or CVD he follows. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger ein Wafer oder ein Band ist, das umläuft oder von einer Rolle zu einer weiteren Rolle bewegt wird, wobei das Verfahren kontinuierlich auf einem Abschnitt des Bandes durchgeführt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier is a wafer or a belt which revolves or is moved from one roller to another roller, the method being carried out continuously on a section of the belt. Anordnung zur Verwendung in einem Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, die eine unmittelbar auf einem Träger0 aufliegende Trennschicht, Material einer Dünnschicht unmittelbar auf der Trennschicht gegenüber dem Träger, und optional einer Funktionsschicht auf dem Material der Dünnschicht aufweist oder daraus besteht, wobei die Trennschicht Aluminium und Gold aufweist.Arrangement for use in a method according to one of the preceding claims, which has or consists of a separating layer lying directly on a carrier, material of a thin layer directly on the separating layer opposite the carrier, and optionally a functional layer on the material of the thin layer, the separating layer being aluminum and gold.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206186A (en) * 1990-10-26 1993-04-27 General Electric Company Method for forming semiconductor electrical contacts using metal foil and thermocompression bonding
US20140170792A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Forming thin film vertical light emitting diodes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206186A (en) * 1990-10-26 1993-04-27 General Electric Company Method for forming semiconductor electrical contacts using metal foil and thermocompression bonding
US20140170792A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Forming thin film vertical light emitting diodes

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