DE102019203930A1 - Sensor device - Google Patents

Sensor device Download PDF

Info

Publication number
DE102019203930A1
DE102019203930A1 DE102019203930.8A DE102019203930A DE102019203930A1 DE 102019203930 A1 DE102019203930 A1 DE 102019203930A1 DE 102019203930 A DE102019203930 A DE 102019203930A DE 102019203930 A1 DE102019203930 A1 DE 102019203930A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser
crystal body
sensor device
optical axis
reflectors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102019203930.8A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102019203930B4 (en
Inventor
Andreas Brenneis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102019203930.8A priority Critical patent/DE102019203930B4/en
Publication of DE102019203930A1 publication Critical patent/DE102019203930A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102019203930B4 publication Critical patent/DE102019203930B4/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/1066Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a magneto-optical device
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/24Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/26Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using optical pumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/39Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers
    • G01N2021/391Intracavity sample
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/636Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited using an arrangement of pump beam and probe beam; using the measurement of optical non-linear properties
    • G01N2021/637Lasing effect used for analysis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643YAG

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Sensoreinrichtung (1) mit einem Kristallkörper (8), insbesondere einem Diamanten, mit einer Anzahl von Farbzentren, insbesondere von Stickstoff-Fehlstellen, einer eine optische Achse (A) definierenden Laser-Kavität (5) zum Erzeugen von Anregungslicht (20), einer Hochfrequenzeinrichtung (7) zum Bestrahlen des Kristallkörpers mit Mikrowellen, und einem oder mehreren Photodetektoren (3), die eingerichtet sind zum Detektieren von Fluoreszenzlicht (30), welches aufgrund der Bestrahlung des Kristallkörpers (8) durch das Anregungslicht (20) und die Mikrowellen erzeugt wird, wobei die Laser-Kavität (5) wenigstens zwei Reflektoren (3) und ein dazwischenliegendes Laser-Gain-Medium (9) aufweist, wobei der Kristallkörper (8) innerhalb der Laser-Kavität (5) zwischen den wenigstens zwei Reflektoren (3) angeordnet ist.The invention relates to a sensor device (1) with a crystal body (8), in particular a diamond, with a number of color centers, in particular nitrogen defects, a laser cavity (5) defining an optical axis (A) for generating excitation light ( 20), a high-frequency device (7) for irradiating the crystal body with microwaves, and one or more photodetectors (3) which are set up to detect fluorescent light (30) which occurs due to the irradiation of the crystal body (8) by the excitation light (20) and the microwaves are generated, the laser cavity (5) having at least two reflectors (3) and an intermediate laser gain medium (9), wherein the crystal body (8) within the laser cavity (5) between the at least two reflectors (3) is arranged.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Sensoreinrichtung.The present invention relates to a sensor device.

Stand der TechnikState of the art

Farbzentren, wie etwa die negativ geladenen Stickstoff-Fehlstellen-Zentren in einem Kristallkörper, insbesondere einem Diamantgitter, auch als NV-Zentren (NV steht hierbei für „Nitrogen Vacancy“) bezeichnet, können beispielsweise auf dem Gebiet der Sensorik angewandt werden. Durch Anregung derartiger NV-Zentren mit Licht und Mikrowellenstrahlung kann eine magnetfeldabhängige Fluoreszenz beobachtet werden. Diese Fluoreszenz wird mittels einer Sensoreinrichtung erfasst und ausgewertet. Als weiteres Beispiel derartiger Farbzentren sei auf Defektzentren in SiC, aber auch auf SiV in Diamant, verwiesen.Color centers, such as the negatively charged nitrogen vacancy centers in a crystal body, in particular a diamond lattice, also referred to as NV centers (NV stands for “Nitrogen Vacancy”), can be used, for example, in the field of sensor technology. By exciting such NV centers with light and microwave radiation, a magnetic field-dependent fluorescence can be observed. This fluorescence is recorded and evaluated by means of a sensor device. As a further example of such color centers, reference is made to defect centers in SiC, but also to SiV in diamond.

Das negativ geladene NV-Zentrum in Diamant kann insbesondere zur hochempfindlichen Messung von Magnetfeldern, elektrischen Feldern, mechanischen Spannungen und Temperaturen genutzt werden. Derartige Quantentechnologien bieten gegenüber klassischen Sensorprinzipien entscheidende Vorteile, die das disruptive Potential der Quantentechnologie unterstreichen. Bei den NV Zentren bestehen konkret folgende Vorteile: (i) ultrahohe Empfindlichkeiten, (ii) Vektormagnetometrie (Richtungsbestimmung des Magnetfelds), (iii) hoher dynamischer Messbereich (> 1 Tesla), (iv) Linearität (Zeemaneffekt), (v) keine Degradation, da die Messung auf quantenmechanischen Zuständen beruht. Um einen auf NV Zentren basierten Sensor auszulesen, wird die magnetische Resonanz des Spintriplets des Grundzustands optisch detektiert (ODMR, optically detected magnetic resonance). Gegenüber dem anregenden Licht rot-verschobenes Fluoreszenzlicht zeigt dabei einen charakteristischen Dip bei der energetischen Lage der Elektronenspinresonanz. Die Lage ist auf Grund des Zeemaneffekts linear abhängig vom magnetischen Feld. Damit lässt sich ein hochempfindlicher Magnetfeldsensor konstruieren.The negatively charged NV center in diamond can be used in particular for the highly sensitive measurement of magnetic fields, electrical fields, mechanical stresses and temperatures. Such quantum technologies offer decisive advantages over classic sensor principles, which underline the disruptive potential of quantum technology. The NV centers have the following advantages: (i) ultra-high sensitivities, (ii) vector magnetometry (determination of the direction of the magnetic field), (iii) high dynamic measuring range (> 1 Tesla), (iv) linearity (Zeeman effect), (v) no degradation , since the measurement is based on quantum mechanical states. In order to read a sensor based on NV centers, the magnetic resonance of the spin triplet of the ground state is detected optically (ODMR, optically detected magnetic resonance). Fluorescent light which is red-shifted compared to the stimulating light shows a characteristic dip in the energetic position of the electron spin resonance. Due to the Zeeman effect, the position is linearly dependent on the magnetic field. This enables a highly sensitive magnetic field sensor to be constructed.

NV-Zentren in Diamant besitzen eine derart hohe Magnetfeldempfindlichkeit, dass dies dazu genutzt werden kann um vielfältige bestehende Produkte zu verbessern (z.B. Suchgeräte für elektrische Leitungen in Wänden oder Strommessung von Fahrzeugbatterien) oder auch um neue Produkte zu realisieren, wie zum Beispiel eine kontaktlose Mensch-Maschine-Schnittstelle, die Ströme bzw. Steuersignale aus dem Gehirn nachweist und auswertet.NV centers in Diamant are so sensitive to magnetic fields that they can be used to improve a wide range of existing products (e.g. search devices for electrical lines in walls or current measurement of vehicle batteries) or to implement new products, such as a contactless person -Machine interface that detects and evaluates currents or control signals from the brain.

Als besonders vorteilhaft hat sich die Messung von Magnetfeldern über eine kombinierte Anregung derartiger Farbzentren mit Licht und Mikrowellen erwiesen. Insbesondere die hier eingesetzte Anregung mit Licht führt allerdings zu relativ komplexen und groß bauenden Sensoreinrichtungen.The measurement of magnetic fields via a combined excitation of such color centers with light and microwaves has proven to be particularly advantageous. In particular, the excitation with light used here leads to relatively complex and large-sized sensor devices.

Die DE 37 42 878 A1 beschreibt beispielsweise einen optischen Magnetfeldsensor, in dem ein Kristall als magnetempfindliches optisches Bauteil verwendet wird. Da nur ein Teil des Anregungslichtes an den Farbzentren absorbiert wird, ist die Effizienz derartiger Sensoreinrichtungen und damit ihre Genauigkeit nicht optimal.The DE 37 42 878 A1 describes, for example, an optical magnetic field sensor in which a crystal is used as a magnetically sensitive optical component. Since only part of the excitation light is absorbed at the color centers, the efficiency of such sensor devices and thus their accuracy is not optimal.

Laser sind aus dem Stand der Technik bekannt. Ein Laser besteht prinzipiell aus drei Bestandteilen:

  • Ein erster Bestandteil ist ein aktives Medium, auch als Laser-Gain-Medium oder Lasermedium bezeichnet. Im aktiven Medium entstehen durch einen durch Photonen verursachten optischen Übergang angeregter Atome oder Moleküle in einen energetisch günstigeren Zustand weitere Photonen. Die auslösenden und die erzeugten Photonen sind hierbei kohärent. Dieser Effekt wird als stimulierte Emission bezeichnet. Wesentliche Voraussetzung für ein wirksames Lasermedium ist, dass sich eine Besetzungsinversion herstellen lässt. Das bedeutet, dass der obere Zustand des optischen Übergangs mit einer höheren Wahrscheinlichkeit besetzt ist, als der untere. Ein solches Medium muss mindestens über drei Niveaus verfügen und kann gasförmig (z. B. HeNe oder CO2), flüssig (z. B. Farbstofflösungen) oder fest sein. Als Beispiele fester Laser-Gain-Medien seien neodymdotiertes Yttriumaluminiumgranat (Nd:YAG), Rubinkristall und Halbleitermaterial genannt.
Lasers are known from the prior art. A laser basically consists of three components:
  • A first component is an active medium, also referred to as a laser gain medium or laser medium. In the active medium, an optical transition of excited atoms or molecules into an energetically more favorable state is generated by photons. The triggering and the generated photons are coherent. This effect is known as stimulated emission. An essential prerequisite for an effective laser medium is that a population inversion can be produced. This means that the upper state of the optical transition is more likely to be occupied than the lower. Such a medium must have at least three levels and can be gaseous (e.g. HeNe or CO 2 ), liquid (e.g. dye solutions) or solid. Examples of solid laser gain media include neodymium-doped yttrium aluminum garnet (Nd: YAG), ruby crystal and semiconductor material.

Ein zweiter Bestandteil ist eine Pumpe. Um eine wie oben beschriebene Besetzungsinversion herbeizuführen, muss Energie in das Lasermedium eingebracht bzw. hineingepumpt (engl. pumping) werden. Damit dieser Pumpprozess nicht mit der stimulierten Emission konkurriert, muss dieser auf einem anderen quantenmechanischen Übergang basieren. Das Pumpen kann insbesondere optisch (Einstrahlung von Licht) oder elektrisch (durch Gasentladung oder in Form von elektrischem Strom bei Laserdioden) die Atome oder Moleküle des Laser-Gain-Mediums in angeregte Zustände bringen.A second component is a pump. In order to bring about a population inversion as described above, energy must be introduced or pumped into the laser medium. So that this pumping process does not compete with the stimulated emission, it must be based on a different quantum mechanical transition. Pumping can bring the atoms or molecules of the laser gain medium into excited states in particular optically (irradiation of light) or electrically (by gas discharge or in the form of electrical current in the case of laser diodes).

Ein dritter Bestandteil ist ein Resonator. Ein Resonator besteht im einfachsten Fall aus zwei parallelen Spiegeln bzw. Reflektoren, zwischen welchen sich das aktive Lasermedium befindet. Photonen, deren Propagation senkrecht zu den Spiegeln verläuft, verbleiben im Resonator und können daher die Emission weiterer Photonen im aktiven Medium auslösen (stimulieren). Ein auf diese Weise entstehendes Photon entspricht in allen Quantenzahlen dem auslösenden Photon. Die Photonen sind also, wie oben erwähnt, kohärent. Photonen, die den Resonator verlassen, stimulieren dementsprechend keine Emissionen. Diese Selektion des Resonators führt zur schmalbandigen Emission bzw. der hohen Kohärenzlänge von Laserstrahlung.A third component is a resonator. In the simplest case, a resonator consists of two parallel mirrors or reflectors, between which the active laser medium is located. Photons whose propagation is perpendicular to the mirrors remain in the resonator and can therefore trigger (stimulate) the emission of further photons in the active medium. A photon produced in this way corresponds in all quantum numbers to the triggering photon. So, as mentioned above, the photons are coherent. Photons that the Leave the resonator, accordingly do not stimulate any emissions. This selection of the resonator leads to narrow-band emission or the high coherence length of laser radiation.

US 2014/0072008 A1 offenbart einen Laser, der als Laser-Gain-Medium einen Diamanten beinhaltet, der Farbzentren aufweist. Beeinflusst durch Mikrowellenstrahlen und optische Anregung entstehen Fluoreszenzstrahlen. Die Intensität der Fluoreszenzstrahlung ist hierbei abhängig von einem angelegten Magnetfeld. Durch Variation des Magnetfeldes lässt sich somit die Ausgangsleistung des Lasers beeinflussen. US 2014/0072008 A1 discloses a laser that includes a diamond as a laser gain medium that has color centers. Influenced by microwave rays and optical excitation, fluorescence rays are created. The intensity of the fluorescence radiation is dependent on an applied magnetic field. The output power of the laser can thus be influenced by varying the magnetic field.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Miniaturisierung von Magnetfeld-Sensoreinrichtungen und eine Verbesserung der Energieeffizienz.One object of the present invention is to miniaturize magnetic field sensor devices and improve energy efficiency.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Erfindungsgemäß wird eine Sensoreinrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs vorgeschlagen. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der nachfolgenden Beschreibung.According to the invention, a sensor device with the features of the independent patent claim is proposed. Advantageous configurations are the subject of the subclaims and the description below.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Erfindungsgemäß wird eine Sensoreinrichtung mit einer eine optische Achse definierenden Laser-Anordnung zum Erzeugen von Anregungslicht vorgeschlagen, wobei die Laser-Anordnung wenigstens zwei Reflektoren, ein dazwischenliegendes Laser-Gain-Medium, sowie eine Pumpe zum Herbeiführen einer Besetzungsinversion aufweist. Die Sensoreinrichtung weist ferner einen Kristallkörper, insbesondere einen Diamanten, mit einer Anzahl von Farbzentren, insbesondere von Stickstoff-Fehlstellen auf, wobei der Kristallkörper innerhalb der Laser-Anordnung zwischen den wenigstens zwei Reflektoren angeordnet ist, sowie einer Hochfrequenzeinrichtung zum Bestrahlen des Kristallkörpers mit Mikrowellen, und einen oder mehrere Photodetektoren, die eingerichtet sind zum Detektieren von Fluoreszenzlicht, welches aufgrund der Bestrahlung des Kristallkörpers durch das Anregungslicht und die Mikrowellen erzeugt wird. Hierbei ist wenigstens ein Photodetektor radial beabstandet zu der optischen Achse der Laser-Anordnung angeordnet.According to the invention, a sensor device is proposed with a laser arrangement defining an optical axis for generating excitation light, the laser arrangement having at least two reflectors, an intermediate laser gain medium and a pump for bringing about a population inversion. The sensor device also has a crystal body, in particular a diamond, with a number of color centers, in particular nitrogen defects, the crystal body being arranged within the laser arrangement between the at least two reflectors, and a high-frequency device for irradiating the crystal body with microwaves, and one or more photodetectors that are configured to detect fluorescent light that is generated due to the irradiation of the crystal body by the excitation light and the microwaves. In this case, at least one photodetector is arranged at a radial distance from the optical axis of the laser arrangement.

Kern der Erfindung ist es, wenigstens einen Photodetektor radial beabstandet zu der optischen Achse der Laser-Anordnung anzuordnen. Dadurch ist eine Auskopplung des in dem Kristallkörper erzeugten Fluoreszenzlichtes durch einen Reflektor der Laser-Anordnung nicht mehr notwendig und bevorzugt auch nicht vorgesehen. Laserlicht auszukoppeln wäre von Nachteil, da dadurch die zur Verfügung stehende Intensität verringert werden würde. Innerhalb der Laser-Anordnung und damit auch innerhalb der Kristallkörpers lässt sich eine hohe optische Intensität erreichen, die für das Wirkprinzip der Farbzentren notwendig ist. The essence of the invention is to arrange at least one photodetector at a radial distance from the optical axis of the laser arrangement. As a result, coupling out of the fluorescent light generated in the crystal body by a reflector of the laser arrangement is no longer necessary and is preferably also not provided. Coupling out laser light would be a disadvantage, since this would reduce the available intensity. A high optical intensity, which is necessary for the working principle of the color centers, can be achieved within the laser arrangement and thus also within the crystal body.

Der Photodetektor oder die Photodetektoren können die optische Achse der Laser-Anordnung vollständig radial (z.B. zylinderförmig) umgeben oder z.B. auch nur auf einer oder zwei oder drei Seiten.The photodetector or photodetectors can surround the optical axis of the laser assembly completely radially (e.g. cylindrical) or e.g. even only on one or two or three sides.

Insbesondere ist zwischen wenigstens einem, insbesondere jedem Photodetektor und der optischen Achse der Laser-Anordnung je ein Farbfilter angeordnet, der das Fluoreszenzlicht transmittiert und das Anregungslicht reflektiert. Damit wird sowohl einer Übersteuerung der Photodetektoren durch Anregungslicht vorgebeugt, als auch das Anregungslicht für weitere Anregungen innerhalb des Kristallkörpers genutzt.In particular, a color filter which transmits the fluorescent light and reflects the excitation light is arranged between at least one, in particular each photodetector and the optical axis of the laser arrangement. This both prevents overdriving of the photodetectors by excitation light and uses the excitation light for further excitations within the crystal body.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform, für die gesondert um Schutz nachgesucht wird, weist bzw. weisen wenigstens einer der Reflektoren, bevorzugt beide Reflektoren, einen Reflexionskoeffizienten von größer als 95%, 96%, 97%, 98% oder 99%, bevorzugter von größer als 99,5%, noch bevorzugter von größer als 100% auf. Auf diese Weise wird weder Anregungslicht noch Fluoreszenzlicht durch einen Reflektor aus der Laser-Anordnung ausgekoppelt. Die Detektion des Fluoreszenzlichtes kann also an anderer Stelle, insbesondere radial versetzt von der optischen Achse der Laser-Anordnung erfolgen. Damit lässt sich ein kleinerer Aufbau und eine effizientere Anordnung realisieren.According to a particularly preferred embodiment, for which protection is sought separately, at least one of the reflectors, preferably both reflectors, has a reflection coefficient of greater than 95%, 96%, 97%, 98% or 99%, more preferably greater than 99.5%, more preferably greater than 100%. In this way, neither excitation light nor fluorescent light is coupled out of the laser arrangement by a reflector. The detection of the fluorescent light can thus take place at another point, in particular radially offset from the optical axis of the laser arrangement. This allows a smaller structure and a more efficient arrangement to be implemented.

Bevorzugt ist an wenigstens einer Position radial versetzt zu der optischen Achse der Laser-Anordnung eine reflektierende Seitenfläche angeordnet, um das Fluoreszenzlicht zu einem der Photodetektoren zu leiten. Eine solche reflektierende Seitenfläche kann die optische Achse insbesondere in jeder Richtung zylinderförmig umgeben, in der kein Photodetektor angeordnet ist. Auf diese Weise kann das Fluoreszenzlicht in effektiver Weise zum Photodetektor geleitet und dort nachgewiesen werden. Damit lässt sich eine besonders effiziente Detektion der Fluoreszenzstrahlung realisieren, was die Energieeffizienz und die Sensitivität des Sensors weiter steigert.A reflective side surface is preferably arranged at at least one position, radially offset from the optical axis of the laser arrangement, in order to guide the fluorescent light to one of the photodetectors. Such a reflective side surface can, in particular, surround the optical axis in a cylindrical shape in any direction in which no photodetector is arranged. In this way, the fluorescent light can be effectively directed to the photodetector and detected there. This enables particularly efficient detection of the fluorescence radiation, which further increases the energy efficiency and the sensitivity of the sensor.

Bevorzugt sind das Laser-Gain-Medium und der Kristallkörper zwei getrennte Medien. Dies ist vorteilhaft, da auf diese Weise eine größere Intensität des Anregungslichtes erreichen lässt. Als Laser-Gain-Meium ist ein Neodym-dotierter Yttriumaluminiumganat denkbar, der optisch bei 808 nm gepumpt wird und mit einem frequenzverdoppelnden Lithiumtriboratkristall kombiniert wird oder auch ein Halbleiterlaser, der elektrisch gepumpt wird. Insbesondere ist der Kristallkörper in Richtung der optischen Achse axial benachbart zu dem Laser-Gain-Medium angeordnet.The laser gain medium and the crystal body are preferably two separate media. This is advantageous because in this way a greater intensity of the excitation light can be achieved. A neodymium-doped yttrium aluminum organate, which is optically pumped at 808 nm and combined with a frequency-doubling lithium triborate crystal or a semiconductor laser that is electrically pumped, is conceivable as a laser gain medium. In particular, the crystal body is in the direction of the optical axis arranged axially adjacent to the laser gain medium.

Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung und der beiliegenden Zeichnung.Further advantages and configurations of the invention emerge from the description and the accompanying drawing.

Die Erfindung ist anhand eines Ausführungsbeispiels in der Zeichnung schematisch dargestellt und wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.The invention is shown schematically in the drawing using an exemplary embodiment and is described below with reference to the drawing.

FigurenlisteFigure list

  • 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung 1 shows a schematic cross-sectional view of a preferred embodiment of a sensor device according to the invention

Ausführungsform der ErfindungEmbodiment of the invention

In 1 ist schematisch eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung dargestellt und insgesamt mit 1 bezeichnet.In 1 is shown schematically a cross-sectional view of a preferred embodiment of a sensor device according to the invention and designated as a whole with 1.

Die Sensoreinrichtung 1 weist eine eine optische Achse A definierende Laser-Anordnung 5 zum Erzeugen von Anregungslicht 20 auf. Die Laser-Anordnung 5 weist zwei einen Resonator 41 bildende Reflektoren 40, ein dazwischenliegendes Laser-Gain-Medium 9, sowie eine schematisch dargestellte Pumpe 91 zum Herbeiführen einer Besetzungsinversion im Laser-Gain-Medium 9 auf.The sensor device 1 has a laser arrangement defining an optical axis A. 5 for generating excitation light 20th on. The laser arrangement 5 has two a resonator 41 forming reflectors 40 , an intermediate laser gain medium 9 , as well as a schematically shown pump 91 to bring about a population inversion in the laser gain medium 9 on.

Weiterhin ist ein Kristallkörper 8, insbesondere ein Diamant, mit einer Anzahl von Farbzentren, insbesondere von Stickstoff-Fehlstellen, innerhalb der Laser-Anordnung 5 zwischen den wenigstens zwei Reflektoren 40 angeordnet. Der Kristallkörper 8 ist in dieser Ausführungsform in Richtung der optischen Achse A axial benachbart zu dem Laser-Gain-Medium 9 angeordnet.Furthermore is a crystal body 8th , in particular a diamond, with a number of color centers, in particular nitrogen voids, within the laser arrangement 5 between the at least two reflectors 40 arranged. The crystal body 8th is in this embodiment in the direction of the optical axis A axially adjacent to the laser gain medium 9 arranged.

Bevorzugt wird als Laser-Gain-Meium ist ein Neodym-dotierter Yttriumaluminiumgranat verwendet, der optisch bei 808 nm gepumpt wird und mit einem frequenzverdoppelnden Lithiumtriboratkristall kombiniert wird oder auch ein Halbleiterlaser, der elektrisch gepumpt wird. Bei Verwendung des Nedodym-dotierten Yttriumaluminiumgranats ist es denkbar, zusätzlich einen Lithiumboratkristal zwischen dem Laser-Gain-Medium und dem Diamant anzuordnen und einen Spiegel transparent für die Pumpwellenlänge von 808 nm zu gestalten, damit das Pumplicht in den Resonator eingekoppelt werden kann. Durch Rekombination bzw. stimulierende Emission im Laser-Gain-Medium 9 wird kohärentes Laserlicht als Anregungslicht 20 erzeugt. Das Laser-Gain-Medium 9 ist bevorzugt so gewählt, dass grünes Anregungslicht 20 erzeugt wird. Das grüne Anregungslicht 20 wird von den Reflektoren 40 im Resonator 41 hin-und her reflektiert. Wenn der Abstand der Reflektoren 40 die Resonanzbedingung erfüllt, wird das Anregungslicht 20 im Resonator 41 verstärkt. Dadurch entsteht eine hohe Intensität des Anregungslichtes 20 im Bereich des Kristallkörpers 8, der, wie erwähnt, insbesondere als Diamant mit Stickstofffehlstellen ausgebildet ist.A neodymium-doped yttrium aluminum garnet, which is optically pumped at 808 nm and combined with a frequency-doubling lithium triborate crystal or a semiconductor laser which is electrically pumped, is preferably used as the laser gain meium. When using the nedodymium-doped yttrium aluminum garnet, it is conceivable to additionally arrange a lithium borate crystal between the laser gain medium and the diamond and to make a mirror transparent for the pump wavelength of 808 nm so that the pump light can be coupled into the resonator. By recombination or stimulating emission in the laser gain medium 9 becomes coherent laser light as excitation light 20th generated. The laser gain medium 9 is preferably chosen so that green excitation light 20th is produced. The green excitation light 20th is from the reflectors 40 in the resonator 41 reflected back and forth. When the distance of the reflectors 40 satisfies the resonance condition, the excitation light becomes 20th in the resonator 41 reinforced. This creates a high intensity of the excitation light 20th in the area of the crystal body 8th which, as mentioned, is designed in particular as a diamond with nitrogen vacancies.

Zusätzlich ist eine Hochfrequenzeinrichtung 7 zum Bestrahlen des Kristallkörpers 8 mit Mikrowellen 27 vorgesehen. Die gleichzeitige Bestrahlung des Kristallkörpers 8 mit Mikrowellen 27 und grünem Anregungslicht 20 bewirkt eine von den Farbzentren im Kristallkörper 8 verursachte Fluoreszenz. Im Falle von grünem Anregungslicht entsteht typischer weise rotes Fluoreszenzlicht 30. Dieses Fluoreszenzlicht 30 wird von den Farbzentren nach ihrer optischen Anregung nahezu isotrop ausgestrahlt.In addition, there is a high frequency device 7th for irradiating the crystal body 8th with microwaves 27 intended. The simultaneous irradiation of the crystal body 8th with microwaves 27 and green excitation light 20th causes one of the color centers in the crystal body 8th caused fluorescence. In the case of green excitation light, red fluorescent light is typically produced 30th . This fluorescent light 30th is emitted almost isotropically from the color centers after their optical excitation.

Die Sensoreinrichtung weist in dieser Ausführungsform wenigstens einen Photodetektor 3 auf, der zum Detektieren des Fluoreszenzlichtes 30 eingerichtet ist. Dieser ist radial beabstandet zu der optischen Achse A der Laser-Anordnung 5 angeordnet. Weiterhin ist zwischen dem Photodetektor 3 und der optischen Achse A der Laseranordnung 5 ein Farbfilter 6 angeordnet, der das Fluoreszenzlicht 30 transmittiert und das Anregungslicht 20 reflektiert. Damit wird einer Übersteuerung des Photodetektors 3 durch Anregungslicht 20 vorgebeugt. Weiterhin kann am Farbfilter 6 reflektiertes Anregungslicht 20 für weitere Anregungen von Farbzentren bzw. Stickstofffehlstellen innerhalb des Kristallkörpers 8 genutzt werden.In this embodiment, the sensor device has at least one photodetector 3 on, the one for detecting the fluorescent light 30th is set up. This is radially spaced from the optical axis A of the laser arrangement 5 arranged. Furthermore is between the photodetector 3 and the optical axis A of the laser assembly 5 a color filter 6th arranged that the fluorescent light 30th transmitted and the excitation light 20th reflected. This causes overdrive of the photodetector 3 by excitation light 20th prevented. You can also use the color filter 6th reflected excitation light 20th for further stimulation of color centers or nitrogen vacancies within the crystal body 8th be used.

An mehreren Positionen radial versetzt zu der optischen Achse A der Laser-Anordnung ist jeweils eine reflektierende Seitenfläche 4 angeordnet. Diese leitet das Fluoreszenzlicht 30 zu dem Photodetektor 3. Stellverstretend für mehrere reflektierende Seitenflächen 4 ist in der 1 eine reflektierende Seitenfläche 4 in radialer Richtung gegenüber von dem Photodetektor 3 dargestellt.A reflective side surface is in each case at several positions offset radially to the optical axis A of the laser arrangement 4th arranged. This guides the fluorescent light 30th to the photodetector 3 . Dependent on several reflective side surfaces 4th is in the 1 a reflective side surface 4th in the radial direction opposite the photodetector 3 shown.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant was generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 3742878 A1 [0006]DE 3742878 A1 [0006]
  • US 2014/0072008 A1 [0010]US 2014/0072008 A1 [0010]

Claims (6)

Sensoreinrichtung (1) mit einer eine optische Achse (A) definierenden Laser-Anordnung (5) zum Erzeugen von Anregungslicht (20), wobei die Laser-Anordnung (5) wenigstens zwei Reflektoren (40), ein dazwischenliegendes Laser-Gain-Medium (9), sowie eine Pumpe (91) zum Herbeiführen einer Besetzungsinversion in dem Laser-Gain-Medium (9) aufweist, einem Kristallkörper (8), insbesondere einem Diamanten, mit einer Anzahl von Farbzentren, insbesondere von Stickstoff-Fehlstellen, wobei der Kristallkörper (8) innerhalb der Laser-Anordnung (5) zwischen den wenigstens zwei Reflektoren (40) angeordnet ist, einer Hochfrequenzeinrichtung (7) zum Bestrahlen des Kristallkörpers mit Mikrowellen, gekennzeichnet durch einen oder mehrere Photodetektoren (3), die eingerichtet sind zum Detektieren von Fluoreszenzlicht (30), welches aufgrund der Bestrahlung des Kristallkörpers (8) durch das Anregungslicht (20) und die Mikrowellen (27) erzeugt wird, wobei wenigstens ein Photodetektor (3) radial beabstandet zu der optischen Achse (A) der Laser-Anordnung (5) angeordnet ist.Sensor device (1) with a laser arrangement (5) defining an optical axis (A) for generating excitation light (20), the laser arrangement (5) having at least two reflectors (40), an intermediate laser gain medium ( 9), as well as a pump (91) for bringing about a population inversion in the laser gain medium (9), a crystal body (8), in particular a diamond, with a number of color centers, in particular nitrogen defects, the crystal body (8) is arranged within the laser arrangement (5) between the at least two reflectors (40), a high-frequency device (7) for irradiating the crystal body with microwaves, characterized by one or more photodetectors (3) which are set up to detect Fluorescent light (30) which is generated due to the irradiation of the crystal body (8) by the excitation light (20) and the microwaves (27), at least one photodetector (3) being radially spaced from the r optical axis (A) of the laser arrangement (5) is arranged. Sensoreinrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei zwischen wenigstens einem Photodetektor (3) und der optischen Achse (A) der Laser-Anordnung (5) ein Farbfilter (6) angeordnet ist, der das Fluoreszenzlicht (30) transmittiert und das Anregungslicht (20) reflektiert.Sensor device (1) Claim 1 wherein a color filter (6) which transmits the fluorescent light (30) and reflects the excitation light (20) is arranged between at least one photodetector (3) and the optical axis (A) of the laser arrangement (5). Sensoreinrichtung (1), insbesondere nach dem Oberbegriff des Anspruches 1, wobei wenigstens einer der Reflektoren (40), bevorzugt beide Reflektoren (40), einen Reflexionskoeffizienten von größer als 95%, 96%, 97%, 98% oder, bevorzugter von größer als 99,5%, noch bevorzugter von 100 % aufweist bzw. aufweisen.Sensor device (1), in particular according to the preamble of Claim 1 wherein at least one of the reflectors (40), preferably both reflectors (40), has a reflection coefficient of greater than 95%, 96%, 97%, 98% or, more preferably greater than 99.5%, even more preferably 100% or have. Sensoreinrichtung (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei an wenigstens einer Position radial versetzt zur optischen Achse (A) der Laser-Anordnung (5) eine reflektierende Seitenfläche (4) angeordnet ist, um das Fluoreszenzlicht (30) auf einen der Photodetektoren (3) zu reflektieren.Sensor device (1) according to one of the preceding claims, wherein a reflective side surface (4) is arranged at at least one position offset radially to the optical axis (A) of the laser arrangement (5) in order to direct the fluorescent light (30) onto one of the photodetectors ( 3) reflect. Sensoreinrichtung (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Laser-Gain-Medium (9) und der Kristallkörper (8) als getrennte Komponenten ausgebildet sind.Sensor device (1) according to one of the preceding claims, wherein the laser gain medium (9) and the crystal body (8) are designed as separate components. Sensoreinrichtung (1) nach Anspruch 5, wobei der Kristallkörper (8) in Richtung der optischen Achse (A) axial benachbart zu dem Laser-Gain-Medium (9) angeordnet ist.Sensor device (1) Claim 5 wherein the crystal body (8) is arranged axially adjacent to the laser gain medium (9) in the direction of the optical axis (A).
DE102019203930.8A 2019-03-22 2019-03-22 Sensor device Active DE102019203930B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019203930.8A DE102019203930B4 (en) 2019-03-22 2019-03-22 Sensor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019203930.8A DE102019203930B4 (en) 2019-03-22 2019-03-22 Sensor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102019203930A1 true DE102019203930A1 (en) 2020-09-24
DE102019203930B4 DE102019203930B4 (en) 2024-01-11

Family

ID=72333769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019203930.8A Active DE102019203930B4 (en) 2019-03-22 2019-03-22 Sensor device

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102019203930B4 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113176238A (en) * 2021-04-22 2021-07-27 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 Magnetic imaging device based on diamond film
US11531073B2 (en) 2020-12-31 2022-12-20 X Development Llc Fiber-coupled spin defect magnetometry
US11733321B2 (en) 2019-10-02 2023-08-22 X Development Llc Magnetometry based on electron spin defects
US11774384B2 (en) 2021-01-15 2023-10-03 X Development Llc Spin defect magnetometry pixel array
US11774526B2 (en) 2020-09-10 2023-10-03 X Development Llc Magnetometry based on electron spin defects

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050163169A1 (en) * 2003-10-22 2005-07-28 Spectra Systems Corporation Solid state diamond Raman laser
CN103557855A (en) * 2013-11-13 2014-02-05 北京航空航天大学 Diamond gyroscope with color core
US10082545B2 (en) * 2015-07-28 2018-09-25 Rmit University Laser-based sensor for measuring an external magnetic field
US10126377B2 (en) * 2016-05-31 2018-11-13 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical defect center magnetometer
WO2019002576A1 (en) * 2017-06-29 2019-01-03 Danmarks Tekniske Universitet A magnetometer using optically active defects in a solid state material
EP3480614A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-08 Danmarks Tekniske Universitet Absorption detected magnetic resonance (admr)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3742878A1 (en) 1987-08-07 1989-07-06 Siemens Ag Optical magnetic field sensor
US20140072008A1 (en) 2012-09-13 2014-03-13 Andrei Faraon Color centers affected by magnetic fields to produce light based on lasing

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050163169A1 (en) * 2003-10-22 2005-07-28 Spectra Systems Corporation Solid state diamond Raman laser
CN103557855A (en) * 2013-11-13 2014-02-05 北京航空航天大学 Diamond gyroscope with color core
US10082545B2 (en) * 2015-07-28 2018-09-25 Rmit University Laser-based sensor for measuring an external magnetic field
US10126377B2 (en) * 2016-05-31 2018-11-13 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical defect center magnetometer
WO2019002576A1 (en) * 2017-06-29 2019-01-03 Danmarks Tekniske Universitet A magnetometer using optically active defects in a solid state material
EP3480614A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-08 Danmarks Tekniske Universitet Absorption detected magnetic resonance (admr)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11733321B2 (en) 2019-10-02 2023-08-22 X Development Llc Magnetometry based on electron spin defects
US11774526B2 (en) 2020-09-10 2023-10-03 X Development Llc Magnetometry based on electron spin defects
US11531073B2 (en) 2020-12-31 2022-12-20 X Development Llc Fiber-coupled spin defect magnetometry
US11774384B2 (en) 2021-01-15 2023-10-03 X Development Llc Spin defect magnetometry pixel array
CN113176238A (en) * 2021-04-22 2021-07-27 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 Magnetic imaging device based on diamond film
CN113176238B (en) * 2021-04-22 2023-10-31 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 Magnetic imaging device based on diamond film

Also Published As

Publication number Publication date
DE102019203930B4 (en) 2024-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019203930B4 (en) Sensor device
Plakhotnik et al. Nonlinear spectroscopy on a single quantum system: two-photon absorption of a single molecule
EP1733209B1 (en) Method to transfer a sample from a first state into a second state using an optical signal
WO2021009203A1 (en) Devices and methods for magnetic field-dependent optical detection
DE2144201B2 (en) Ram laser
DE19941836A1 (en) Up-conversion fibre laser device, has laser diode chip, optical fibre and two resonators for generating light at two wavelengths
AT512216A1 (en) MULTIFUNCTIONAL LASER SYSTEM
DE2456913A1 (en) DYE LASER
DE202021105216U1 (en) Laser device based on aluminum nitride nanowires
WO2021078684A1 (en) Processes, apparatuses and system for measuring a measured variable
DE602004009202T2 (en) Boost boost with synchronized multi-wavelength pumps in a solid-state laser
DE102019220353A1 (en) Method for producing a crystal body for a sensor device and sensor device
DE102012113029A1 (en) Short-pulse laser system
DE102017120540B4 (en) SELECTIVE AMPLIFIER
Erdmann et al. Lifetime measurements with a tunable flashlamp pumped dye laser
DE1514411C3 (en) Optical transmitter
DE4041131C2 (en)
DE102005010695B3 (en) Saturable absorber mirror for regenerating or modulating optical signals, has quantum wells arranged in cavity between front and rear mirrors in respective ranges of maxima of electric field strength of stationary wave field
DE19954109C2 (en) Device for generating short laser pulses with passive mode coupling through 2-photon absorption
DE4444435A1 (en) Optically pumped solid-state laser
US7110111B2 (en) Controlled wide spectrum compact ultrabrief laser source
Schafer et al. 3C3-geometrical model and experimental verification of two-photon absorption in organic dye solutions
DE4110113A1 (en) MULTIMODE RAMAN LASER
DE1589930C (en) Optical transmitter or amplifier with an organic stimulable medium
DE10009309B4 (en) Saturable semiconductor absorber

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division