DE102018219659B4 - POWER AMPLIFIER, METHOD AND SYSTEM COMPRISING SUCH A POWER AMPLIFIER - Google Patents
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Abstract
Leistungsverstärker, umfassend:ein erstes Differenzpaar von Injektionstransistoren, umfassend einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor zum Empfangen eines Transformatorsignals;eine erste Substratgatespannungsleitung, die zur Bereitstellung einer ersten Substratgatespannung an einem Substratgateknoten des ersten Transistors ausgebildet ist;eine zweite Substratgatespannungsleitung, die zur Bereitstellung einer zweiten Substratgatespannung an dem zweiten Transistor bereitgestellt ist;ein zweites Differenzpaar von Oszillatorkerntransistoren, umfassend einen dritten Transistor und einen vierten Transistor und das mit dem ersten Differenzpaar betriebsfähig gekoppelt ist, wobei der dritte Transistor und der vierte Transistor über Kreuz verbunden sind;eine dritte Substratgatespannungsleitung, die zur Bereitstellung einer dritten Substratgatespannung an dem dritten Transistor bereitgestellt ist;eine vierte Substratgatespannungsleitung, die zur Bereitstellung einer vierten Substratgatespannung an dem vierten Transistor bereitgestellt ist;eine erste Substratgatespannungsquelle, die mit der ersten Substratgatespannungsleitung betriebsfähig verbunden und ausgebildet ist, um die erste Substratgatespannung bereitzustellen;eine zweite Substratgatespannungsquelle, die mit der zweiten Substratgatespannungsleitung betriebsfähig verbunden und ausgebildet ist, um die zweite Substratgatespannungsspannung bereitzustellen;eine dritte Substratgatespannungsquelle, die mit der dritten Substratgatespannungsleitung betriebsfähig verbunden und ausgebildet ist, um die dritte Substratgatespannung bereitzustellen; undeine vierte Substratgatespannungsquelle, die mit der vierten Substratgatespannungsleitung betriebsfähig verbunden und ausgebildet ist, um die vierte Substratgatespannungsspannung bereitzustellen,wobei die erste Substratgatespannung, die zweite Substratgatespannung, die dritte Substratgatespannung und die vierte Substratgatespannung jeweils einstellbar sind, und wobei wenigstens eines aus:- die erste Substratgatespannungsquelle und die zweite Substratgatespannungsquelle ausgebildet sind, um ein Erhöhen der ersten Substratgatespannung und der zweiten Substratgatespannung zur Verringerung einer Lock-in-Zeit des ersten Differenzpaars und/oder ein Verringern der ersten Substratgatespannung und der zweiten Substratgatespannung zur Verringerung des Energieverbrauchs durchzuführen; und- die dritte Substratgatespannungsquelle und vierte Substratgatespannungsquelle ausgebildet sind, um ein Erhöhen der dritten Substratgatespannung und der vierten Substratgatespannung zur Erhöhung der Ausgangsleistung und/oder ein Einstellen der dritten Substratgatespannung und der vierten Substratgatespannung zum Kompensieren von Stromfluktuationen durchzuführen.A power amplifier comprising:a first differential pair of injection transistors comprising a first transistor and a second transistor for receiving a transformer signal;a first substrate gate voltage line configured to provide a first substrate gate voltage at a substrate gate node of the first transistor;a second substrate gate voltage line configured to provide a second substrate gate voltage is provided on the second transistor;a second differential pair of oscillator core transistors comprising a third transistor and a fourth transistor and operably coupled to the first differential pair, the third transistor and the fourth transistor being cross-connected;a third substrate gate voltage line, which is provided for providing a third substrate gate voltage on the third transistor;a fourth substrate gate voltage line that is provided for providing a fourth substrate gate voltage on the fourth transistor;a first substrate gate voltage source operably connected to the first substrate gate voltage line and configured to provide the first substrate gate voltage ;a second substrate gate voltage source operably connected to the second substrate gate voltage line and configured to provide the second substrate gate voltage; a third substrate gate voltage source operably connected to the third substrate gate voltage line and configured to provide the third substrate gate voltage; anda fourth substrate gate voltage source operably connected to the fourth substrate gate voltage line and configured to provide the fourth substrate gate voltage, wherein the first substrate gate voltage, the second substrate gate voltage, the third substrate gate voltage and the fourth substrate gate voltage are each adjustable, and wherein at least one of: - the first The substrate gate voltage source and the second substrate gate voltage source are configured to increase the first substrate gate voltage and the second substrate gate voltage to reduce a lock-in time of the first differential pair and/or reduce the first substrate gate voltage and the second substrate gate voltage to reduce energy consumption; and - the third substrate gate voltage source and fourth substrate gate voltage source are designed to increase the third substrate gate voltage and the fourth substrate gate voltage to increase the output power and / or adjust the third substrate gate voltage and the fourth substrate gate voltage to compensate for current fluctuations.
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein fortschrittliche Halbleitervorrichtungen und genauer Leistungsverstärker für Millimeterwellenvorrichtungen, Verfahren und Systeme mit solchen Leistungsverstärkern.The present invention relates generally to advanced semiconductor devices and, more particularly, to power amplifiers for millimeter wave devices, methods and systems including such power amplifiers.
BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIKDESCRIPTION OF THE PRIOR ART
Es gibt viele Fortschritte in Vorrichtungen, die Millimeterwellensignale (mm-Wellen-Signale) verwenden. Halbleitervorrichtungen, die mm-Wellen-Anwendungen betreffen, umfassen Vorrichtungen, die auf Basis des elektromagnetischen Spektrums von Radiobandfrequenzen im Bereich von ungefähr 30 Gigahertz (GHz) bis ungefähr 300 GHz betrieben werden. Die mm-Wellen-Radiowellen weisen eine Wellenlänge im Bereich von 1 Millimeter (mm) bis ungefähr 10 mm auf, was einer Radiofrequenz von 30 GHz bis ungefähr 300 GHz entspricht. Dieses Frequenzband wird manchmal als extrem-Hochfrequenz (EHF) -Frequenzbandbereich bezeichnet. Beispiele von Anwendungen von mm-Wellen-Geräten umfassen Radarvorrichtungen, Hochgeschwindigkeitskommunikationsvorrichtungen (z. B. drahtlose Gigabit (WiGig) - Vorrichtungen) usw. Radarvorrichtungen wurden in verschiedenen Geräten realisiert, wie z. B. in Fahrzeugsicherheitsgeräten und Fahrzeugautomatisierungsgeräten.There are many advances in devices that use millimeter wave (mm-wave) signals. Semiconductor devices relevant to mm-wave applications include devices that operate based on the electromagnetic spectrum of radio band frequencies in the range of about 30 gigahertz (GHz) to about 300 GHz. The mm-wave radio waves have a wavelength ranging from 1 millimeter (mm) to about 10 mm, which corresponds to a radio frequency of 30 GHz to about 300 GHz. This frequency band is sometimes referred to as the extremely high frequency (EHF) frequency band range. Examples of applications of mm-wave devices include radar devices, high-speed communication devices (e.g. wireless gigabit (WiGig) devices), etc. Radar devices have been realized in various devices such as: B. in vehicle safety devices and vehicle automation devices.
Die Realisierung von mm-Wellen-Geräten führt beim Entwerfen von Schaltungen für diese Geräte zu vielen Herausforderungen, so dass das Entwerfen von Leistungsverstärkern besondere Aufmerksamkeit erfordert. Ein Leistungsverstärker stellt im Wesentlichen in allen elektronischen Vorrichtungen eine Notwendigkeit dar, einschließlich mm-Wellen-Vorrichtungen. Angesichts der gegenwärtigen Bestrebungen zur Reduzierungen von Vorrichtungsgrö-ßen und/oder dem Leistungverbrauch haben bekannte Leistungsverstärker zur Verwendung in gegenwärtigen Geräten einen unerwünscht hohen Leistungverbrauch und sind unerwünscht groß. Diese Probleme sind für Millimeter-Wellen-Vorrichtungen besonders ausgeprägt, wie z. B. in Fahrzeugradarvorrichtungen, 5 G-Telekommunikationsvorrichtungen und dergleichen.The implementation of mmWave devices presents many challenges in designing circuits for these devices, so the design of power amplifiers requires special attention. A power amplifier is a necessity in essentially all electronic devices, including mmWave devices. Given current efforts to reduce device sizes and/or power consumption, known power amplifiers for use in current devices have undesirably high power consumption and are undesirably large. These problems are particularly pronounced for millimeterWave devices, such as in vehicle radar devices, 5G telecommunications devices, and the like.
Versuche zur Verbesserung von Leistungsverstärkern schließen verschiedene Injection-Locked-Leistungsverstärker ein. Designer haben Entwürfe für Injection-Locked in bekannten Vorrichtungen dadurch verfolgt, dass mehrere programmierbare Stromquellen realisiert werden, um den Injektionsstrom in diesen Umsetzungen einzustellen. Ferner wurden AC-Kopplungstechniken durch die Designer implementiert, um DC von der Induktivität eines Ausgangstransformers zu entkoppeln. Die Bereitstellung von mehreren programmierbaren Stromquellen verbraucht jedoch eine relativ große Menge an Energie und führt zu einer Hochkonvertierung von Rauschen, das durch die mehreren programmierbaren Stromquellen bereitgestellt wird. Die AC-Kopplung verringert die Leistungsverstärkung der Schaltung, wodurch eine grö-ßere Eingangsleistung erforderlich ist, um ein gewünschtes Ausgangsleistungsniveau zu erzeugen.Attempts to improve power amplifiers include various injection-locked power amplifiers. Designers have pursued designs for injection-locked in known devices by implementing multiple programmable current sources to adjust the injection current in these implementations. Further, AC coupling techniques were implemented by the designers to decouple DC from the inductance of an output transformer. However, providing multiple programmable power sources consumes a relatively large amount of energy and results in upconversion of noise provided by the multiple programmable power sources. AC coupling reduces the power gain of the circuit, requiring greater input power to produce a desired output power level.
Aus der Schrift
In der Schrift
Gemäß der Schrift
Es ist eine Aufgabe, einen Leistungsverstärker bereitzustellen, der eine verringerte Größe und/oder einen geringeren Leistungverbrauch und/oder eine erhöhte Betriebsfrequenz zulässt.It is an object to provide a power amplifier that allows for reduced size and/or lower power consumption and/or increased operating frequency.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Das Folgende stellt eine vereinfachte Zusammenfassung der Erfindung dar, um ein grundsätzliches Verständnis von einigen Aspekten der Erfindung bereitzustellen. Diese Zusammenfassung soll keinen vollständigen Überblick über die Erfindung darstellen, sondern nur die Lösungen der Aufgabe oben entsprechend den nachfolgend angegebenen Ausführungsformen angeben. Es ist nicht beabsichtigt, Schlüsselelemente oder kritische Elemente der Erfindung zu identifizieren oder das Wesen der Erfindung abzugrenzen. Der einzige Zweck besteht darin, einige Konzepte in einer vereinfachten Form als Lösung der Aufgabe oben vorab der detaillierteren Beschreibung unten vorzustellen.The following presents a simplified summary of the invention to provide a basic understanding of some aspects of the invention. This summary is not intended to be a complete overview of the invention, but rather merely to provide solutions to the problem above in accordance with the embodiments provided below. It is not intended to identify key or critical elements of the invention or to delineate the essence of the invention. The sole purpose is to introduce some concepts in a simplified form as a solution to the problem above, in advance of the more detailed description below.
In einer Ausführungsform stellt die vorliegende Erfindung einen Leistungsverstärker gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 bereit, während durch den unabhängigen Anspruch 3 ein Leistungsverstärker gemäß dem unabhängigen Anspruch 3 bereitgestellt wird. Vorteilhaftere Ausgestaltungen davon sind in den abhängigen Ansprüchen 2 und 4 bis 6 definiert.In one embodiment, the present invention provides a power amplifier according to independent claim 1, while independent claim 3 provides a power amplifier according to independent claim 3. More advantageous embodiments of this are defined in the dependent claims 2 and 4 to 6.
In einer weiteren Ausführungsform stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren gemäß dem unabhängigen Anspruch 7 bereit. Vorteilhaftere Ausgestaltungen davon sind in den abhängigen Ansprüchen 8 bis 10 definiert.In a further embodiment, the present invention provides a method according to independent claim 7. More advantageous embodiments of this are defined in the dependent claims 8 to 10.
In einer weiteren Ausführungsform stellt die vorliegende Erfindung ein System gemäß dem unabhängigen Anspruch 11 bereit. Vorteilhaftere Ausgestaltungen davon sind in den abhängigen Ansprüchen 12 bis 17 definiert.In a further embodiment, the present invention provides a system according to independent claim 11. More advantageous embodiments of this are defined in the
Ausführungsformen hierin können Leistungsverstärkerschaltungen mit geringerer Größe und/oder geringerem Energieverbrauch und/oder erhöhter Betriebsfrequenz bereitstellen.Embodiments herein may provide power amplifier circuits with smaller size and/or lower power consumption and/or increased operating frequency.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
Die Erfindung kann mit Bezug auf die folgende Beschreibung zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen verstanden werden, in denen ähnliche Bezugszeichen, ähnliche Elemente bezeichnen und in denen:
-
1 eine stilisierte Blockdiagrammdarstellung eines Radarsystems gemäß Ausführungsformen darstellt; -
2 eine stilisierte Blockdiagrammbeschreibung derSteuereinheit 140 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
3 eine stilisierte Blockdiagrammdarstellung der Radarfrontendeinheit aus1 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
4 ein stilisiertes Blockdiagramm der Transmittereinheit aus3 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
5 ein stilisiertes Blockdiagramm der Empfängereinheit von3 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
6 eine stilisierte Blockdiagrammdarstellung der Signalbearbeitungseinheit aus1 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
7 eine stilisierte Blockdiagrammansicht der Antenneneinheit aus1 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
8 eine stilisierte Blockdiagrammansicht eines beispielhaften Radargeräts des Systems aus1 gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
9 eine Leistungsverstärkerschaltung gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
10 einen Eingangstransformator gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
11 einen Ausgangstransformator gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; -
12 ein Verfahren gemäß Ausführungsformen hierin darstellt; und -
13 eine stilisierte Darstellung eines Systems zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen hierin darstellt.
-
1 illustrates a stylized block diagram representation of a radar system according to embodiments; -
2 illustrates a stylized block diagram description ofcontroller 140 according to embodiments herein; -
3 a stylized block diagram representation of the radar front end unit1 according to embodiments herein; -
4 a stylized block diagram of the transmitter unit3 according to embodiments herein; -
5 a stylized block diagram of the receiver unit from3 according to embodiments herein; -
6 a stylized block diagram representation of the signal processing unit1 according to embodiments herein; -
7 a stylized block diagram view of the antenna unit1 according to embodiments herein; -
8th is a stylized block diagram view of an exemplary radar device of the system1 according to embodiments herein; -
9 illustrates a power amplifier circuit according to embodiments herein; -
10 illustrates an input transformer according to embodiments herein; -
11 illustrates an output transformer according to embodiments herein; -
12 illustrates a method according to embodiments herein; and -
13 illustrates a stylized representation of a system for fabricating a semiconductor device in accordance with embodiments herein.
Während der hierin offenbarte Gegenstand auf verschiedene Weisen modifiziert und in alternativen Formen ausgebildet werden kann, sind spezielle Ausführungsformen davon in den Zeichnungen beispielhaft gezeigt und werden hierin im Detail beschrieben. Es ist jedoch zu verstehen, dass die Beschreibung der speziellen Ausführungsformen die Erfindung hierin nicht auf die speziellen offenbarten Formen beschränkend sein soll, sondern im Gegenteil sollen alle Modifizierungen, Äquivalente und Alternativen abgedeckt werden, die in den Rahmen und das Wesen der Erfindung fallen, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert wird. Darüber hinaus sind die stilisierten Darstellungen, die in den Zeichnungen veranschaulicht werden, nicht unbedingt maßstäblich.While the subject matter disclosed herein may be modified in various ways and formed into alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will be described in detail herein. It is to be understood, however, that the description of the specific embodiments herein is not intended to limit the invention to the specific forms disclosed, but on the contrary is intended to cover all modifications, equivalents and alternatives that fall within the scope and spirit of the invention, such as it is defined by the appended claims. In addition, the stylized representations illustrated in the drawings are not necessarily to scale.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION
Verschiedene anschauliche Ausführungsformen der Erfindung werden unten beschrieben. Aus Klarheitsgründen sind nicht alle Merkmale einer tatsächlichen Realisierung in dieser Beschreibung beschrieben. In der Entwicklung einer solchen tatsächlichen Ausführungsform müssen eine Vielzahl von implementierungsspezifischen Entscheidungen getroffen werden, um die speziellen Ziele der Entwickler zu erreichen, wie z. B. das Einhalten von systembezogenen und geschäftsbezogenen Bedingungen, die von einer Implementierung zur anderen variieren. Darüber hinaus ist anzuerkennen, dass solch eine Entwicklungsbemühung komplex und zeitaufwendig sein kann, für den Fachmann angesichts dieser Beschreibung jedoch ein Routineunternehmen darstellt.Various illustrative embodiments of the invention are described below. For reasons of clarity, not all features of an actual implementation are described in this description. In developing such an actual embodiment, a variety of implementation-specific decisions must be made to achieve the developers' specific goals, such as: B. Compliance with system-related and business-related conditions that vary from one implementation to another. Furthermore, it should be recognized that such a development effort may be complex and time-consuming, but for those skilled in the art given this description, it represents a routine undertaking.
Der vorliegende Gegenstand wird nun mit Bezug auf die beiliegenden Figuren beschrieben. Verschiedene Strukturen, Systeme und Vorrichtungen sind in den Zeichnungen zur Erläuterungszwecken lediglich schematisch dargestellt und sollen die Erfindung nicht mit Details überfrachten, die dem Fachmann bekannt sind. Die beiliegenden Zeichnungen sind beigefügt, um anschauliche Beispiele der Erfindung zu beschreiben und zu erläutern. Die Wörter und Sätze, die hierin verwendet werden, sollten verstanden und interpretiert werden, so dass sie eine Bedeutung haben, die mit dem Verständnis dieser Wörter und Sätze durch den Fachmann konsistent ist. Es ist keine spezielle Definition eines Begriffs oder eines Satzes, insbesondere eine Definition, die sich von der gewöhnlichen geläufigen Meinung unterscheidet, wie sie durch den Fachmann verstanden wird, durch die konsistente Verwendung des Begriffs oder Satzes hierin impliziert. Bis dahin, wo der Ausdruck oder Satz eine spezielle Bedeutung hat, insbesondere eine Bedeutung, die sich von dem Verständnis des Fachmanns unterscheidet, wird eine solche spezielle Definition in der Beschreibung in einer definierenden Weise explizit dargelegt, die direkt und unmissverständlich die spezielle Definition für den Begriff oder Satz bereitstellt.The present subject matter will now be described with reference to the accompanying figures. Various structures, systems and devices are shown schematically in the drawings for purposes of explanation only and are not intended to overburden the invention with details known to those skilled in the art. The accompanying drawings are included to describe and explain illustrative examples of the invention. The words and phrases used herein should be understood and interpreted to have a meaning consistent with the understanding of those words and phrases by those skilled in the art. No specific definition of a term or phrase, particularly a definition that differs from ordinary conventional wisdom as understood by those skilled in the art, is implied by the consistent use of the term or phrase herein. Until such time as the term or phrase has a specific meaning, particularly a meaning that differs from the understanding of those skilled in the art, such specific definition will be made explicit in the specification in a defining manner that directly and unambiguously defines the specific definition for the term or phrase term or sentence provides.
Ausführungsformen hierin stellen Millimeter-Wellen (mm-Wellen) -Leistungsverstärker von geringerer Größe und/oder niedrigerem Energieverbrauch und/oder mit einer verbesserten Symmetrie der Ausgabe bereit. Ausführungsformen hierin sehen eine Verwendung einer Substratgatevorspannung von wenigstens einem Transistor vor, um das Leistungsvermögen von mm-Wellen-Leistungsverstärkern zu verbessern. Ausführungsformen hierin verlangen nach einer Verwendung einer Substratgatevorspannung zum Einstellen eines Injektionsstroms, sowie eines Oszillatorkernstroms, wobei diese Einstellungen in einer unabhängigen Weise durchgeführt werden.Embodiments herein provide millimeter-wave (mm-wave) power amplifiers of smaller size and/or lower power consumption and/or with improved output symmetry. Embodiments herein provide for use of substrate gate biasing of at least one transistor to improve the performance of mm-wave power amplifiers. Embodiments herein call for using a substrate gate bias to adjust an injection current, as well as an oscillator core current, with these adjustments being made in an independent manner.
Ferner können beide Abschnitte von Differenzpaarverstärkern in Ausführungsformen hierin durch ein Steuern der Substratgatespannungen dieser Abschnitte unabhängig eingestellt werden. In dieser Weise können kleinere Vorrichtungen zur Durchführung einer Leistungsverstärkung, Reduzierung einer Eingangslast und dadurch einer Verringerung des Leistungverbrauchs verwendet werden und höhere Betriebsfrequenzen erlauben, was Merkmale darstellen, die für mm-Wellen-Geräte nützlich sind. Die Substratgatevorspannung gemäß Ausführungsformen hierin kann in Halbleitervorrichtungen variierender Technologie implementiert werden, die eine Substratgatevorspannung von Transistoren zulässt, wie beispielsweise von vollständig verarmten Silizium-auf-Isolator (FDSOI) -Vorrichtungen.Further, in embodiments herein, both sections of differential pair amplifiers may be independently adjusted by controlling the substrate gate voltages of these sections. In this way, smaller devices can be used to perform power amplification, reduce input load and thereby reduce power consumption, and allow higher operating frequencies, which are features useful for mm-wave devices. The substrate gate biasing according to embodiments herein may be implemented in semiconductor devices of varying technology that allow substrate gate biasing of transistors, such as fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) devices.
Zur leichteren Veranschaulichung sind Ausführungsformen hierin im Zusammenhang mit einer Radarvorrichtung gezeigt, jedoch würde der Fachmann verstehen, dass die hierin offenbarten Konzepte in anderen Arten von Vorrichtungen implementiert sein können, wie z. B. in Hochgeschwindigkeitskommunikationsvorrichtungen, Netzwerkvorrichtungen, high-definition Video-Vorrichtungen usw. Mit Bezug auf
Ein System 100 kann eine mm-Wellen-Vorrichtung 110, eine Datenbank 170 und eine Motorsteuerung 180 umfassen. Die mm-Wellen-Vorrichtung 110 kann eine Radarvorrichtung, eine drahtlose Kommunikationsvorrichtung, eine Datennetzwerkvorrichtung, eine Videovorrichtung oder dergleichen sein. Zur Veranschaulichung und aus Klarheitsgründen und aufgrund einer leichten Beschreibung wird die mm-Wellen-Vorrichtung 110 im Zusammenhang mit einer Radaranwendung beschrieben; als solches kann die mm-Wellen-Vorrichtung 10 auch unten als eine Radarvorrichtung 110 bezeichnet werden. Der Fachmann wird jedoch angesichts der Beschreibung anerkennen, dass die hierin beschriebenen Konzepte auf eine Vielzahl von Typen von mm-Wellen-Geräte anwendbar sind, einschließlich Fahrzeuganwendungen, die Radarsignale verwenden, drahtlose Netzwerkgeräte, Datennetzwerkgeräte, Video- und Audiogeräte usw.A
Die Radarvorrichtung 110 kann ein Radarsignal übertragen, ein reflektiertes Signal empfangen, das sich aus der Reflexion des Radarsignals ergibt, das reflektierte Signal bearbeiten und Statusdaten und/oder Reaktionsdaten zur Durchführung von wenigstens einer Aktion basierend auf dem reflektierten Signal bereitstellen. In einer Ausführungsform können die Statusdaten einen Status des Ziels umfassen, von dem die Reflexion empfangen wurde. Ferner kann eine Motorsteuerung 180 Operationen von wenigstens einem Motor steuern. Beispiele von Motoren können Vorrichtungen umfassen, die Bremsfunktionen, Steuerfunktionen, Gangschaltungsfunktionen, Beschleunigungsfunktionen, Warnfunktionen und/oder andere Aktionen durchführen, die den Betrieb eines Straßenfahrzeugs, Luftfahrzeugs und/oder eines Wasserkraftfahrzeugs betreffen. Die Motorsteuerung 180 kann die Reaktionsdaten und/oder die Statusdaten verwenden, um diese Steuerfunktionen durchzuführen. Die Motorsteuerung 180 kann wenigstens eine Steuerung umfassen, die eine Mehrzahl von Vorrichtungen steuern kann, die die verschiedenen Operationen eines Straßenfahrzeugs, Luftkraftfahrzeugs und/oder Wasserkraftfahrzeugs darstellen.The
Die Radarvorrichtung 110 kann eine Radarfrontendeinheit 120, eine Antenneneinheit 130, eine Steuereinheit 140 und eine Signalverarbeitungseinheit 150 umfassen. Die Radarfrontendeinheit 120 kann eine Mehrzahl von Komponenten, eine Schaltung und/oder Modulen umfassen und kann Radarsignale senden, empfangen, verarbeiten und darauf reagieren. In einer Ausführungsform kann die Radarvorrichtung 110 von einem einzelnen integrierten Schaltungs (IC) -Chip umfasst werden. In einigen Ausführungsformen kann die Radarvorrichtung 110 auf einer Mehrzahl von integrierten Schaltungen gebildet werden, die auf einem einzelnen IC-Chip angeordnet sind. In anderen Ausführungsformen kann die Radarvorrichtung 110 auf einer einzelnen integrierten Schaltung gebildet sein, die in keinem IC-Chip steckt.The
Die Radarfrontendeinheit 120 kann ein Radarsignal bereitstellen. In einer Ausführungsform kann der Frequenzbereich der Radarsignale, die durch die Radarvorrichtung 110 verarbeitet werden, im Bereich von ungefähr 10 GHz bis ungefähr 90 GHz liegen. Die Radarfrontendeinheit 120 kann ein Radarsignal in einem vorbestimmten Frequenzbereich erzeugen und das Radarsignal auf einen vorbestimmten Zielbereich richten. Die Radarfrontendeinheit 120 kann auch reflektiert Signale basierend auf der Reflexion eines Radarsignals empfangen und das reflektierte Signal zur Bestimmung einer Mehrzahl von Eigenschaften verarbeiten, wie z. B. der Richtung eines Ziels, der Geschwindigkeit eines Ziels, dem relativen Abstand eines Ziels und/oder dergleichen. Eine detailliertere Beschreibung der Radarfrontendeinheit 120 wird in
In einer alternativen Ausführungsform kann die 120 eine Netzwerkkommunikationsfrontendeinheit anstelle einer Radarfrontendeinheit sein. In dieser Ausführungsform kann die Vorrichtung 110 anstelle eines Empfangens, Übertragens und/oder Verarbeitens von Radarsignalen Netzwerkkommunikationen für verschiedene Typen von Kommunikationsgeräten verarbeiten, wie z. B. Paketdatennetzwerkkommunikationen, drahtlose (z. B. Handykommunikation, IEEE 802.1 1A/D-Wandler WiGig Technology usw.), Datenkommunikationen usw. Die hierin im Zusammenhang mit Radaranwendungen beschriebenen Konzepte können auch für andere Typen von Anwendungen verwendet werden, wie z. B. Netzwerkkommunikation, drahtlose Kommunikation, high-definition Video usw.In an alternative embodiment, the 120 may be a network communications front end unit instead of a radar front end unit. In this embodiment, instead of receiving, transmitting and/or processing radar signals, the
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Die Steuereinheit 140 kann auch eine Logikeinheit 220 umfassen. Die Logikeinheit 220 kann eine Schaltung umfassen, die verschiedene Logikoperationen durchführen kann, Daten empfangen kann und/oder Schnittstellenfunktionen mit Bezug auf Eingangsdaten (data_in) und Ausgangsdaten (data_out) durchführen kann. Das Signal data_in kann Daten darstellen, die von einer Bearbeitung und Analyse des reflektierten Signals abgeleitet werden. Das Signal data_out kann Daten darstellen, die zur Durchführung von wenigstens einer Aufgabe als ein Ergebnis der Radarsignalübertragung und des reflektierten Signals erzeugt werden. Zum Beispiel kann das data_out-Signal verwendet werden, um eine Aktion basierend auf der Radarsignalübertragung und des Empfangs des reflektierten Signals durchzuführen.The
Die Steuereinheit 140 kann auch eine Speichereinheit 210 umfassen. Die Speichereinheit 210 kann einen nicht-flüchtigen Speicher 214 und einen RAM 212 umfassen. Der nichtflüchtige Speicher 214 kann einen FLASH-Speicher und/oder programmierbare Nur-Lese-(PROM) -Vorrichtungen umfassen. Die Speichereinheit 210 kann Speicheroperationsparameter zur Steuerung von Operationen der Radarvorrichtung 110 speichern. Ferner kann die Speichereinheit 210 die oben beschriebenen Statusdaten und die Reaktionsdaten speichern. Die Speichereinheit 210 kann auch Daten speichern, die zur Programmierung einer FPGA-Vorrichtung in der Radarvorrichtung 110 verwendet werden. Als solche kann die Speichereinheit 210 in einen Programmdatenspeicher, Statusdatenspeicher und einen Reaktionsdatenspeicher unterteilt werden. Diese Unterteilung kann logisch oder physikalisch erfolgen.The
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Der A/D-Konverter 620 kann das gefilterte und/oder verstärkte Analogsignal in ein digitales Signal umwandeln. Der A/D-Konverter 620 kann mit einer vorbestimmten Genauigkeit oder mit einer sich ändernden Genauigkeit umwandeln. Zum Beispiel kann der A/D-Konverter 620 eine Genauigkeit von 12 Bit, 24 Bit, 36 Bit, 48 Bit, 64 Bit, 96 Bit, 128 Bit, 256 Bit, 512 Bit, 1024 Bit oder eine höhere Genauigkeit aufweisen. Das konvertierte digitale mm-Wellen-Signal wird für die DSP-Einheit 630 bereitgestellt.The A/
Die DSP-Einheit 630 kann eine Vielzahl von DSP-Operationen an dem digitalen mm-Wellen-Signal durchführen. Zum Beispiel kann eine digitale Filterung der digitalen mm-Welle durch die DSP-Einheit 630 durchgeführt werden. Als ein Ergebnis können einzelne Komponenten außerhalb eines vorbestimmten Frequenzbereichs, z. B. 70 GHz bis ungefähr 85 GHz gefiltert werden, so dass sie eine geringe Amplitude aufweisen. In anderen Fällen können mathematische Funktionen, wie z. B. eine schnelle Fourier-Transformation (FFT), an dem mm-Wellen-Signal durchgeführt werden. Die verarbeitete digitale Ausgabe von der DSP-Einheit 630 kann zur Analyse zu der Steuerungseinheit 140 gesendet werden. In anderen Fällen kann die digitale Ausgabe in einem Speicher 640 gepuffert oder gespeichert werden. In einigen Fällen kann der Speicher 640 ein Erst-Ein-Erst-Aus (FIFO) -Speicher sein. In anderen Fällen kann die verarbeitete digitale Ausgabe von der DSP-Einheit 630 in der Speichereinheit 210 der Steuereinheit 140 gespeichert werden.The
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Durch die Empfängerantenne 720 können Millimeter-Wellen-Signale, die zu empfangen sind (z. B. Radarsignale, Netzwerkdatensignal, drahtlose Kommunikationssignale, usw.), empfangen werden. Die Empfängerantenne 720 stellt die empfangenen mm-Wellen-Signale für die Empfängereinheit 330 (
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Die Signalerzeugungseinheit 310 erzeugt ein Signal (z. B. ein Radarsignal), das zu einem Zielbereich zu übertragen und darauf zu richten ist, z. B. zu dem Bereich vor einem Fahrzeug. Ein Generator 810 für eine frequenzmodulierte kontinuierliche Welle (FMCW) stellt ein mm-Wellen-Signal im Bereich von ungefähr 20 GHz bereit. Der FMCW-Generator 810 kann konfiguriert sein, um ein Niedriggeschwindigkeitsrampen (LSR) -Signal oder ein Hochgeschwindigkeitsrampen (HSR) -Signal bereitzustellen. In einer alternativen Ausführungsform kann der FMCW-Generator 810 durch einen Puls-Train-Generator zur Anwendung eines Puls-Doppler-Radar-Systems ersetzt werden.The
Weiterhin wird ein Referenzsignal durch einen Referenzsignalgenerator 812 bereitgestellt. Das mm-Wellen-Signal von dem FMCW-Generator 810 und das Referenzsignal werden beide zu einer digitalen Phasenregelschleife (DPLL) 820 gesendet. Die DPLL 820 sperrt die Phase des mm-Wellen-Signals von dem FMCW-Generator 810 mit der Phase des Referenzsignals. Die Ausgabe der DPLL 820 wird zu einem digital gesteuerten Oszillator (DCO) 825 gesendet. Die Ausgabe des DCO wird zu dem DPLL zurückgeführt. Demzufolge kann der DCO 825 ein stabiles DCO-Signal bereitstellen. Das DCO-Signal beträgt in einer Ausführungsform ungefähr 20 GHz.Furthermore, a reference signal is provided by a reference signal generator 812. The mm-wave signal from the FMCW generator 810 and the reference signal are both sent to a digital phase locked loop (DPLL) 820. The DPLL 820 locks the phase of the mm-wave signal from the FMCW generator 810 with the phase of the reference signal. The output of the DPLL 820 is sent to a digital controlled oscillator (DCO) 825. The output of the DCO is fed back to the DPLL. As a result, the DCO 825 can provide a stable DCO signal. The DCO signal is approximately 20 GHz in one embodiment.
Eine Mehrzahl von Low-Dropout (LDO) -Reglern 827, die eine Referenzspannung, einen Fehlerverstärker, einen Rückkopplungsspannungsteiler und eine Mehrzahl von Durchlasselementen, beispielsweise Transistoren, umfassen können. Die LDO-Regler 827 sind ausgebildet, um eine geregelte Spannungsquelle für die verschiedenen Abschnitte der Schaltung aus
In einigen Ausführungsformen ist es erwünscht, ein 80 GHz-Signal zu übertragen, beispielsweise in einer Fahrzeugradaranwendung. Der DCO 825 stellt ein 20 GHz-Signal bereit, demzufolge können zwei Frequenzverdoppler verwendet werden, um das 20 GHz-Signal zu multiplizieren, um 40 GHz bereitzustellen, und dann das 40 GHz-Signal zu multiplizieren, um ein 80 GHz-Signal zur Übertragung bereitzustellen. Entsprechend wird ein erster Frequenzmultiplikator 830 verwendet, um das 20 GHz-Signal zu verdoppeln, so dass sich ein 40 GHz-Signal ergibt. Es wird ein zweiter Frequenzmultiplikator 832 verwendet, um das 40 GHz-Signal zu verdoppeln, so dass sich ein 80 GHz-Signal ergibt. Die Ausgabe des zweiten Frequenzmultiplikators 832 wird für einen Leistungsverstärker 840 bereitgestellt. Die Ausgabe des Leistungsverstärkers 840 kann der Antenne zur Übertragung bereitgestellt werden. Ein Leistungsdetektor 842 kann die Leistung der Ausgabe des Leistungsverstärkers 840 erfassen und kann eine Rückkopplungseinstellung veranlassen, um ein vorbestimmtes Leistungsniveau des übertragenen Signals aufrechtzuerhalten.In some embodiments, it is desirable to transmit an 80 GHz signal, for example in a vehicle radar application. The DCO 825 provides a 20 GHz signal, therefore two frequency doublers can be used to multiply the 20 GHz signal to provide 40 GHz and then multiply the 40 GHz signal to provide an 80 GHz signal for transmission to provide. Accordingly, a first frequency multiplier 830 is used to double the 20 GHz signal, resulting in a 40 GHz signal. A second frequency multiplier 832 is used to double the 40 GHz signal, resulting in an 80 GHz signal. The output of the second frequency multiplier 832 is provided to a power amplifier 840. The output of the power amplifier 840 may be provided to the antenna for transmission. A power detector 842 may detect the power of the output of the power amplifier 840 and may cause feedback adjustment to maintain a predetermined power level of the transmitted signal.
Durch die in
Der Mischer 860 kann das empfangene Signal von dem Vorverstärker 852 mit einem Ausgangssignal von einem dritten Frequenzmultiplikator 835 kombinieren. Die Ausgabe des dritten Frequenzmultiplikators 835 ist das Doppelte des 40 GHz-Signals von dem ersten Frequenzmultiplikator. Das heißt, die Ausgabe des dritten Frequenzmultiplikators 835 ist ein 80 GHz-Referenzsignal. Der Mischer 860 empfängt das 80 GHz-Referenzsignal und multipliziert es in einer Ausführungsform mit dem empfangenen Signal, welches ein reflektiertes oder Echosignal darstellt, das sich aus der Reflexion von dem übertragenen Signal ergibt. Die Ausgabe des Mischers kann verwendet werden, um verschiedene Charakteristiken hinsichtlich von wenigstens einem Objekt zu bestimmen, von dem das übertragene Signal reflektiert wurde, einschließlich einer Richtung, eines Orts, einer Trajektorie und/oder einer Geschwindigkeit des Objekts.The mixer 860 may combine the received signal from the preamplifier 852 with an output signal from a third frequency multiplier 835. The output of the third frequency multiplier 835 is twice the 40 GHz signal from the first frequency multiplier. That is, the output of the third frequency multiplier 835 is an 80 GHz reference signal. The mixer 860 receives the 80 GHz reference signal and, in one embodiment, multiplies it by the received signal, which represents a reflected or echo signal resulting from reflection from the transmitted signal. The output of the mixer may be used to determine various characteristics regarding at least one object from which the transmitted signal was reflected, including a direction, location, trajectory, and/or speed of the object.
Jeder von dem ersten, zweiten und dritten Frequenzmultiplikator 830, 832, 835 kann ein vollständiger differenzieller Push-Push-Frequenzdoppler sein. Der durch die Frequenzmultiplikatoren 830, 832, 935 eingesetzte Frequenzdoppler wird unten ausführlicher beschrieben.Each of the first, second and third frequency multipliers 830, 832, 835 may be a full differential push-push frequency doubler. The frequency doubler employed by the frequency multipliers 830, 832, 935 is described in more detail below.
Die Ausgabe des Mischers 860 wird für eine
Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst auch ein erstes Differenzpaar 920 aus Injektionstransistoren mit einem ersten Transistor 921 und einem zweiten Transistor 922. Gemäß der Darstellung steuert ein Ende (+ oder „P“) des Differenzsignals, das durch den Eingangstransformator 910 oder 1010 bereitgestellt wird, das Gate des ersten Transistors 921 und das andere Ende (- oder „M“) des Differenzsignals, das durch den Eingangstransformator 910 oder 1010 bereitgestellt wird, steuert das Gate des zweiten Transistors 922.The
Der erste Transistor 921 und der zweite Transistor 922 können beliebige Feldeffekttransistoren sein (FETs), wie z. B. Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistoren (MOSFETs), wenn die Architektur der ersten und zweiten Transistoren 921, 922 ein Substratgate umfasst. In einer Ausführungsform kann der erste Transistor 921 ein vollständig verarmter silicon-on-insulator (FDSOI) -Transistor sein. Alternativ oder zusätzlich kann der zweite Transistor 922 ein FDSOI-Transistor sein. In einer anderen Ausführungsform kann der erste Transistor 921, der zweite Transistor 922 oder können beide einen Transistor mit tiefer n-Wanne darstellen.The
Gemäß der Darstellung können der erste Transistor 921 und der zweite Transistor 922 NMOS-Transistoren sein, obwohl in anderen Ausführungsformen (nicht dargestellt), der erste Transistor 921 und der zweite Transistor 922 PMOS-Transistoren sein können. Die ersten und zweiten Transistoren 921, 922 umfassen jeweils einen Substratgateknoten, der verwendet werden kann, um eine Substratgatevorspannung der Transistoren 921, 922 durchzuführen.As shown, the
Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst auch eine erste Substratgatespannungsquelle 926, die ausgebildet ist, um eine erste Substratgatespannung an ein Substratgate 951 des ersten Transistor 921 anzulegen. Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst zusätzlich eine zweite Substratgatespannungsquelle 927, die ausgebildet ist, um eine zweite Substratgatespannung an ein Substratgate 952 des zweiten Transistors 922 anzulegen. In einigen Ausführungsformen (nicht dargestellt) kann eine einzelne Spannungsquelle als die erste Substratgatespannungsquelle 926 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 dienen.The
In einer Ausführungsform sind die erste Substratgatespannungsquelle 926 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 jeweils dazu in der Lage, einen Bereich von Spannungen an die Substratgates des ersten Transistors 921 und des zweiten Transistors 922 anzulegen. Diese Spannungen können in einer vorbestimmten Weise festgelegt oder alternativ programmiert oder dynamisch geändert werden. Zum Beispiel können die erste Substratgatespannungsquelle 926 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 geändert werden, um den Injektionsstrom zu ändern, der durch das erste Differenzpaar 920 der Injektionstransistoren bereitbestellt wird. (In anderen Ausführungsformen kann der Injektionsstrom, der durch das erste Differenzpaar 920 von Injektionstransistoren bereitgestellt wird, durch Modifizieren der Spannung VGB_IL geändert werden, wie dem Fachmann bekannt ist.) Alternativ oder zusätzlich können die erste Substratgatespannungsquelle 926 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 geändert werden, um den Lock-in-Bereich des ersten Differenzpaares 920 von Injektionstransistoren zu ändern. An oder nahe dem Lock-in können die erste Substratgatespannungsquelle 926 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 reduziert werden, um den Energieverbrauch der Leistungsverstärkerschaltung 900 zu minimieren.In one embodiment, the first substrate
Die erste Substratgatespannungsquelle 927 und die zweite Substratgatespannungsquelle 927 können für die Substratgates der beiden Transistoren 921 und 922 entsprechend die gleiche Spannung bereitstellen oder sie können für die Substratgates der Transistoren 921 und 922 entsprechend verschiedene Spannungen bereitstellen. In Ausführungsformen, in denen für die Substratgates des ersten Transistors und des zweiten Transistors unterschiedliche Spannungen bereitgestellt werden, können die Spannungen eingestellt werden, um die Amplituden der zwei Enden der Differenzausgabe auszugleichen.The first substrate
Das Gate des ersten Transistors 921 kann durch das P-Ende des Differenzsignals von dem Eingangstransformator 910 oder 1010 gesteuert werden und kann ein P-Ende des Differenzsignals zu anderen Komponenten der Leistungsverstärkerschaltung 900 bereitstellen. Das Gate des zweiten Transistors 922 kann durch das M-Ende des Differenzsignals von dem Eingangstransformator 910 oder 1010 gesteuert werden und kann ein M-Ende des Differenzsignals für andere Komponenten der Leistungsverstärkerschaltung 900 bereitstellen.The gate of the
Die Leistungsverstärkerschaltung 900, die in
Der dritte Transistor 933 und der vierte Transistor 934 können herkömmliche FETs sein, z. B. MOSFETs, sofern die Architektur der dritten und vierten Transistoren 933, 934 ein Substratgate umfasst. In einer Ausführungsform können der dritte Transistor 933 und der vierte Transistor 934 jeweils ein FDSOI-Transistor sein. In einer anderen Ausführungsform können der dritte Transistor 933, der vierte Transistor 934 oder beide einen Transistor mit tiefer n-Wanne darstellen.The
Gemäß der Darstellung können der dritte Transistor 933 und der vierte Transistor 934 NMOS-Transistoren sein, obwohl der dritte Transistor 933 und der vierte Transistor 934 in anderen Ausführungsformen (nicht dargestellt) PMOS-Transistoren darstellen können.As shown, the
Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst eine dritte Substratgatespannungsquelle 938, die zur Bereitstellung einer dritten Substratgatespannung für den dritten Transistor 933 ausgebildet ist, und auch eine vierte Substratgatespannungsquelle 939, die zur Bereitstellung einer vierten Substratgatespannung für den vierten Transistor 934 ausgebildet ist. In einigen Ausführungsformen (nicht dargestellt) kann eine einzelne Spannungsquelle sowohl als dritte Substratgatespannungsquelle 938 und vierte Substratgatespannungsquelle 939 dienen.The
In einer Ausführungsform können die dritte Substratgatespannungsquelle 938 und die vierte Substratgatespannungsquelle 939 jeweils einen Bereich von Spannungen für die Substratgates des dritten Transistors 933 und des vierten Transistors 934 bereitstellen. Zum Beispiel können die dritte Substratgatespannungsquelle 938 und die vierte Substratgatespannungsquelle 939 verwendet werden, um den Strom des zweiten Differenzpaars 930 zu erhöhen und demgemäß die ausgegebene Leistung der Leistungsverstärkerschaltung 900 vergrö-ßern. Alternativ oder zusätzlich können die dritte Substratgatespannungsquelle 938 und die vierte Substratgatespannungsquelle 939 eingestellt werden, um Stromfluktuationen durch das zweite Differenzpaar 930 zu kompensieren, die durch Fertigungsvariationen in wenigstens einer Komponente der Leistungsverstärkerschaltung 900, die Betriebstemperatur oder andere Quellen von Stromfluktuationen auftreten können, die dem Fachmann bekannt sind.In one embodiment, the third substrate
Die dritte Substratgatespannungsquelle 938 und die vierte Substratgatespannungsquelle 939 können für die Substratgates der Transistoren 933 und 934 entsprechend die gleiche Spannung bereitstellen. Die dritte Substratgatespannungsquelle 938 und die vierte Substratgatespannungsquelle 939 können für die Substratgates der Transistoren 933 und 934 entsprechend unterschiedliche Spannungen bereitstellen. In Ausführungsformen, in denen unterschiedliche Spannungen für die Substratgates des dritten Transistors 933 und des vierten Transistors 934 bereitgestellt werden, können die Spannungen eingestellt werden, um die Amplituden der zwei Enden der Differenzausgabe einzustellen.The third substrate
Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst ferner eine Substratgatespannungssteuereinheit 925. Die Substratgatespannungssteuereinheit 925 umfasst eine Schaltung, wodurch die Spannung, die durch jede Substratgatespannungsquelle 926, 927, 938 und 939 für das Substratgate der ersten bis vierten Transistoren 921, 922, 933, 934 bereitgestellt wird, entsprechend einer Eingabe durch einen Betreiber oder die Ausgabe eines Algorithmuses z. B. ein Algorithmus, der durch das Flussdiagramm in
In einigen Ausführungsformen können die Substratgatespannungsquellen 926, 927, 938 und 939 nahe der Schaltung 900 angeordnet sein. Die Substratgatspannungsquellen 926, 927, 938 und 939 können mit den ersten bis vierten Transistoren 921, 922, 933, 934 entsprechend den Substratgatespannungsleitungen elektrisch gekoppelt sein, wie in
Die Leistungsverstärkerschaltung 900 umfasst auch einen Ausgangstransformator 940. Gemäß der Darstellung in
Ob differentiell oder Single-Ended, der Ausgangstransformator 940 oder 1140 stellt für die nachfolgende Stufe einer Vorrichtung ein Ausgangssignal bereit, umfassend die Leistungsverstärkerschaltung 900. Eine solche Vorrichtung kann eine Millimeter-Wellen-Radarvorrichtung, eine 5G-Telekommunikationsvorrichtung, eine high-definition Video-Vorrichtung oder dergleichen sein, wie oben angemerkt ist.Whether differential or single-ended, the
In einer Ausführungsform, in der der Ausgangstransformator 940 eine Differenzausgabe bereitstellt, kann die Leistungsverstärkerschaltung 900 einen Leistungsdetektor 960 umfassen. Der Leistungsdetektor 960 kann ausgebildet sein, um die Leistung an jedem Ende der Differenzausgabe zu erfassen, die durch den Ausgangstransformator 940 bereitgestellt wird. Alternativ oder zusätzlich kann der Leistungsdetektor 960 ausgebildet sein, um den Unterschied zwischen den Leistungen an jedem Ende der Differenzausgabe zu messen oder zu bestimmen, die durch den Ausgangstransformator 940 bereitgestellt wird. Der Leistungsdetektor 960 kann ausgebildet sein, um lediglich einen Verlust zu erfassen oder er weist nicht unbedingt eine direkte physikalische Verbindung zu den Leitungen auf, die RFOUTP und RFOUTM von dem Ausgangstransformator 940 tragen. In einigen Ausführungsformen kann wenigsten eine Einstellung basierend auf einem Signal von dem Leistungsdetektor 960 in Betrieb der Schaltung 900 gemacht werden, z. B. eine Einstellung der Spannung, die an wenigstens ein Substratgate angelegt wird, wie oben beschrieben ist.In an embodiment in which the
In einer Ausführungsform kann der Leistungsverstärker den Leistungsverstärker 900 darstellen, der in
Obwohl der Unterschied durch Messen der absoluten Leistung der ersten und zweiten Komponenten des Ausgangs und eines Abziehens voneinander bestimmt werden kann (bei 1210), kann die Leistungsbestimmung in Ausführungsformen relativ sein, was bedeutet, dass lediglich der Unterschied zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung direkt bestimmt wird und die erste Leistung und die zweite Leistung an sich nicht bestimmt werden.Although the difference can be determined by measuring the absolute power of the first and second components of the output and subtracting Otherwise, the power determination may be relative in embodiments, meaning that only the difference between the first power and the second power is determined directly and the first power and the second power per se are not determined.
Gemäß der Darstellung bestimmt das Verfahren 1200 dann (bei 1220), ob sich die erste Leistung und die zweite Leistung um wenigstens einen ersten Schwellwert unterscheiden. In einer Ausführungsform beträgt der erste Schwellwert 0,1 dB. Wenn sich die erste Leistung und die zweite Leistung nicht um höchsten den ersten Schwellwert unterscheiden, wird das Verfahren 1200 beendet (bei 1299). Zur leichteren Beschreibung wird das Wort „Unterschied“ hierin anstelle der mathematisch präziseren Formulierung von „der Absolutwert des Unterschieds“ verwendet. Es ist jedoch der letztere Ausdruck gemeint.As shown,
Wenn sich die erste Leistung und die zweite Leistung andererseits um mindestens den ersten Schwellwert unterscheiden, umfasst das Verfahren 1200 ein Einstellen (bei 1230) einer Substratgatespannung eines ersten Oszillatorkerntransistors.On the other hand, if the first power and the second power differ by at least the first threshold, the
Das Verfahren 1200 kann ferner ein Bestimmen (bei 1240) umfassen, wenn die geänderte Substratgatespannung gleich einem maximalen Wert ist. Wenn die geänderte Maximal-Gatespannung kleiner ist als der maximale Wert, kehrt der Verlauf zum Bestimmen (bei 1210) zurück.The
Wenn jedoch die geänderte Substratgatespannung gleich dem maximalen Wert ist, kann das Verfahren 1200 zusätzlich ein Festlegen (bei 1250) der Substratgatespannung auf einen vorgegebenen Wert umfassen. Der vorgegebene Wert kann entsprechend der beabsichtigten Verwendung einer Vorrichtung umfassend den Leistungsverstärker ausgewählt werden. Das Verfahren 1200 kann auch ein erneutes Bestimmen (bei 1260) eines Unterschieds zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung umfassen. Das Verfahren 1200 kann dann ein Bestimmen (bei 1270) umfassen, ob der erneut bestimmte Unterschied zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung größer oder gleich einer zweiten Schwelle ist. In einer Ausführungsform beträgt die zweite Schwelle 0,1 dB. In Ausführungsformen kann das erneute Bestimmen des Leistungsunterschieds relativ sein, was lediglich bedeutet, dass der Unterschied zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung erneut bestimmt wird und nicht die erste Leistung und die zweite Leistung bedeutet.However, if the changed substrate gate voltage is equal to the maximum value, the
Wenn der erneut bestimmte Unterschied zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung kleiner ist als der zweite Schwellwert, wird das Verfahren 1200 beendet (bei 1299).If the redetermined difference between the first power and the second power is less than the second threshold, the
Wenn stattdessen der erneut bestimmte Unterschied zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung größer oder gleich der zweiten Schwelle ist, kann das Verfahren 1200 ferner ein Ändern (bei 1280) der Substratgatespannung eines zweiten Transistors des Oszillatorkerns umfassen. Der Verlauf kann dann zum erneuten Bestimmen (bei 1260) zurückkehren.Instead, if the redetermined difference between the first power and the second power is greater than or equal to the second threshold, the
Unter Durchführung des Verfahrens 1200 können Ungleichheiten in der Leistung einer Differenzialausgabe der Leistungsverstärkerschaltung 900 korrigiert werden und/oder eine ausgegebene Leistung der Leistungsverstärkerschaltung 900 kann vergrößert werden. Diese Korrekturen können dynamisch oder automatisch (z.B. ohne menschliche Einwirkung und unter Taten, Zeitabläufen und Effizienz, die nicht durch einen Menschen möglich ist, sondern lediglich durch einen Computer) durchgeführt werden.By performing the
Das Verfahren 1200 kann durch wenigstens eine Logikschaltung durchgeführt werden, z.B. eine Substratgatespannungssteuereinheit 925 der Leistungsverstärkerschaltung 900.The
Das Verfahren 1200 kann beim Betrieb der Vorrichtung mit beliebiger Anzahl durchgeführt werden. In einer Ausführungsform wird das Verfahren 1200 vor jedem Betrieb der Vorrichtung durchgeführt, für den eine Ungleichgewichtskorrektur von Differenzausgangssignalen erwünscht ist. Wenn die Vorrichtung beispielsweise eine Millimeterwellenradarvorrichtung ist, wie z.B. die Vorrichtung 100, kann das Verfahren 1200 vor jeder Leistungsrampenoperation durchgeführt werden.The
Mit Bezug nun auf
Das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 kann verschiedene Verarbeitungsstationen umfassen, z.B. Ätzprozessstationen, Fotolitograhieprozessstationen, CMP-Prozessstationen usw. Jede der Verarbeitungsstationen kann wenigstens ein Bearbeitungswerkzeug 1314 und/oder Messwerkzeug 1316 umfassen. Eine Rückkopplung basierend auf Daten von den Messwerkzeugen 1316 kann verwendet werden, um wenigstens einen Prozessparameter zu modifizieren, der von dem Bearbeitungswerkzeugen 1314 zur Durchführung von Prozessschritten verwendet wird.The semiconductor
Das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 kann eine Schnittstelle 1312 umfassen, die eine Kommunikation zwischen den Bearbeitungswerkzeugen 1314, den Messwerkzeugen 1316 und einer Steuerung bereitstellen kann, z.B. die Prozesssteuerung 1320. Wenigstens einer der Prozessschritte, die durch das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 werden, können durch die Prozesssteuerung 1320 gesteuert werden. Die Prozesssteuerung 1320 kann ein Computer, ein Desktopcomputer, ein Laptopcomputer, ein Tabletcomputer oder eine andere Art von Computervorrichtung sein, welche wenigstens ein Softwareprodukt umfasst, das Prozesse steuern kann, Prozessrückkopplungen empfängt, Testresultatdaten empfängt, Lernzykluseinstellungen durchführt, Prozesseinstellungen durchführt usw.The semiconductor
Das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 kann integrierte Schaltungen auf einem Medium erzeugen, wie z.B. einem Silizium-Wafer. Genauer kann das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 integrierte Schaltungen erzeugen, die eine Leistungsverstärkerschaltung umfasst, z.B. die Leistungsverstärkerschaltung 900, die in
Die Fertigung von integrierten Schaltungen durch das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 kann auf den Schaltungsentwürfen basieren, die durch die integrierte Schaltungsdesigneinheit 1340 bereitgestellt werden. Das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 kann verarbeitete integrierte Schaltungen/Vorrichtungen 1315 auf einem Transportmechanismus 1350 bereitstellen, z.B. einem Bandsystem. In einigen Ausführungsformen kann das Bandsystem ein fortschrittliches Reinraumtransportsystem sein, das Halbleiterwafer transportieren kann. In einer Ausführungsform kann das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 eine Mehrzahl von Prozessschritte realisieren, z.B. die Schritte des Verfahrens 1200, das oben beschrieben und in
In einigen Ausführungsformen können die Gegenstände, die durch „1315“ bezeichnet sind, einzelne Wafer darstellen und in anderen Ausführungsformen können die Gegenstände 1315 eine Gruppe von Halbleiterwafern darstellen, z.B. ein „Los“ von Halbleiterwafern. Die integrierte Schaltung oder Vorrichtung 1315 kann ein Transistor, ein Kondensator, ein Widerstand, eine Speicherzelle, ein Prozessor und/oder dergleichen umfassen.In some embodiments, the items designated by “1315” may represent individual wafers, and in other embodiments, the
Die integrierte Schaltungsdesigneinheit 1340 des Systems 1300 kann ein Schaltungsdesign bereitstellen, das durch das Halbleitervorrichtungsverarbeitungssystem 1310 gefertigt wird. Dies kann eine Information umfassen, dahingehend, ob ein Eingangstransformator ein Ende aufweist oder differenziell ist; ob ein Ausgangstransformator en Ende aufweist oder differenziell ist; ob ein Paar von Injektionstransistoren und eine Substratgatespannung von der gleichen Quelle oder von unterschiedlichen Quellen empfangen; ob ein Paar von Oszillatorkerntransistoren eine Substratgatespannung von der gleichen Quelle oder von unterschiedlichen Quellen empfangen; usw.The integrated
Die integrierte Schaltungsdesigneinheit 1340 kann die Anzahl von Vorrichtungen (z.B. Prozessoren, Speichervorrichtungen usw.) bestimmen, die in einem Vorrichtungsgehäuse anzuordnen sind. Basierend auf solchen Details der Vorrichtungen können die integrierte Schaltungsdesigneinheit 1340 Spezifizierungen der Vorrichtungen bestimmen, die herzustellen sind. Basierend auf diesen Spezifizierungen kann die integrierte Schaltungsdesigneinheit 1340 Daten zur Herstellung eines Halbleitervorrichtungsgehäuses bereitstellen, das hierin beschrieben ist.The integrated
Das System 1300 kann eine Analyse und die Herstellung von verschiedenen Produkten einschließlich verschiedener Technologien durchführen. Z.B. kann das System 1300 Design- und Produktionsdaten zur Herstellung von Vorrichtungen einer CMOS-Technologie, Flash-Technologie, BiCMOS-Technologie, Leistungsvorrichtungen, Speicervorrichtungen (beispielsweise GRAM-Vorrichtungen), NAND-Speichervorrichtugnen und/oder andre Halbleitertechnologien umfassen. Diese Daten können durch das System 1300 zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet werden, die hierin beschrieben sind.The
Die speziellen Ausführungsformen, die oben offenbart sind, sind lediglich anschaulich, da die Erfindung in verschiedenen, jedoch äquivalenten Weisen modifiziert und praktiziert werden können, die dem Fachmann angesichts der Lehre hierin ersichtlich sind. Die Prozessschritte, die oben dargelegt sind, können in einer unterschiedlichen Reihenfolge durchgeführt werden. Weiterhin sind keine Beschränkungen auf die Details des Aufbaus oder Designs, die hierin gezeigt sind, beabsichtigt, anders als die wie in den Ansprüchen beschrieben sind. Es ist demzufolge ersichtlich, dass die speziellen Ausführungsformen, die oben offenbart sind, geändert oder modifiziert werden können und alle diese Variationen als in den Rahmen und als in das Wesen der Erfindung fallend angesehen werden. Entsprechend ist der hierin verfolgte Schutz wie in den Ansprüchen unten dargelegt wird.The specific embodiments disclosed above are merely illustrative, as the invention may be modified and practiced in various, but equivalent, ways that will be apparent to those skilled in the art in light of the teachings herein. The process steps set out above can be carried out in a different order. Furthermore, no limitations are intended on the details of construction or design shown herein other than as described in the claims. Accordingly, it will be appreciated that the specific embodiments disclosed above may be changed or modified, and all such variations are considered within the scope and spirit of the Invention can be viewed as falling. Accordingly, the protection pursued herein is as set forth in the claims below.
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