DE102018119314A1 - Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component - Google Patents

Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component Download PDF

Info

Publication number
DE102018119314A1
DE102018119314A1 DE102018119314.9A DE102018119314A DE102018119314A1 DE 102018119314 A1 DE102018119314 A1 DE 102018119314A1 DE 102018119314 A DE102018119314 A DE 102018119314A DE 102018119314 A1 DE102018119314 A1 DE 102018119314A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
siloxane
siloxane layer
coupling
carrier film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102018119314.9A
Other languages
German (de)
Inventor
Kathy Schmidtke
Norwin von Malm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102018119314.9A priority Critical patent/DE102018119314A1/en
Publication of DE102018119314A1 publication Critical patent/DE102018119314A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/04—Prisms
    • G02B5/045—Prism arrays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
    • B29D11/00278—Lenticular sheets
    • B29D11/00307—Producing lens wafers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen (100) mit den folgenden Verfahrensschritten:a) Bereitstellen einer Trägerfolie (200) mit einer Negativstruktur (250);b) Ausbilden einer optischen Schicht (110) mit Auskoppelstrukturen (115), wobei- flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie (200) aufgebracht wird, und- mittels der Negativstruktur (250) die Form der Auskoppelstrukturen (115) vorgegeben wird;c) Aushärten der optischen Schicht (110);d) Ablösen der optischen Schicht (110) von der Trägerfolie (200) und Vereinzeln der optischen Schicht (110) in Auskoppelelemente (100).Method for producing coupling elements (100) with the following method steps: a) providing a carrier film (200) with a negative structure (250); b) forming an optical layer (110) with coupling structures (115), with liquid polysiloxane on the carrier film (200) is applied, and - by means of the negative structure (250) the shape of the coupling-out structures (115) is predetermined; c) curing of the optical layer (110); d) detachment of the optical layer (110) from the carrier film (200) and Separating the optical layer (110) into coupling elements (100).

Description

Es wird ein Auskoppelelement angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen angegeben. Ferner wird ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil angegeben.A decoupling element is specified. In addition, a method for producing coupling elements is specified. A light-emitting semiconductor component is also specified.

Eine zu lösende Aufgabe besteht unter anderem darin, ein Auskoppelelement anzugeben, welches verbesserte optische Eigenschaften aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von solchen Auskoppelelementen anzugeben. Ferner besteht eine Aufgabe darin ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil mit verbesserten Emissionseigenschaften anzugeben.One of the tasks to be solved is to provide a decoupling element which has improved optical properties. Another problem to be solved is to provide a method for producing such decoupling elements. Another object is to provide a light-emitting semiconductor component with improved emission properties.

Bei den Auskoppelelementen handelt es sich beispielsweise um optische Elemente, die dazu vorgesehen sind einem lichtemittierenden Halbleiterchip in Abstrahlrichtung nachgeordnet zu werden. Beispielsweise sind die Auskoppelelemente dazu vorgesehen, dass elektromagnetische Strahlung diese durchläuft und an Grenzflächen der Auskoppelelemente gebrochen wird. Insbesondere sind die Auskoppelelemente dazu Vorgesehen die Auskoppelung des von dem lichtemittierenden Halbleiterchip emittierten Lichts zu verbessern, das heißt, die Wahrscheinlichkeit für den Lichtaustritt zu erhöhen.The outcoupling elements are, for example, optical elements which are intended to be arranged downstream of a light-emitting semiconductor chip in the radiation direction. For example, the outcoupling elements are provided so that electromagnetic radiation passes through them and is broken at interfaces of the outcoupling elements. In particular, the outcoupling elements are intended to improve the outcoupling of the light emitted by the light-emitting semiconductor chip, that is to say to increase the probability of the light emerging.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen einen Verfahrensschritt a) bei welchem eine Trägerfolie mit einer Negativstruktur bereitgestellt wird. Bei der Trägerfolie handelt es sich beispielsweise um eine mit Polytetrafluorethylen (PFTE) gebildete, insbesondere daraus bestehende, Folie. Die Trägerfolie kann flexibel oder starr ausgebildet sein.According to one embodiment, the method for producing outcoupling elements comprises a method step a) in which a carrier film with a negative structure is provided. The carrier film is, for example, a film formed with polytetrafluoroethylene (PFTE), in particular consisting of it. The carrier film can be flexible or rigid.

Bei der Negativstruktur handelt es um eine Formgebung der Trägerfolie, bei der die Folie Vertiefungen und/oder Erhebungen aufweist, die sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Trägerfolie erstrecken. Die Negativstruktur kann an lediglich einer Fläche der Trägerfolie ausgebildet sein. Alternativ können beide einander gegenüberliegenden Flächen der Trägerfolie die Negativstruktur aufweisen. Insbesondere ist die Negativstruktur nicht nur eine Oberflächenstrukturierung der Folie, sondern vielmehr ist die gesamte Folie mit der Negativstruktur ausgebildet, sodass die Erhebungen an einer ersten Fläche als Vertiefungen an einer gegenüberliegenden Fläche ausgebildet sind.The negative structure is a shape of the carrier film, in which the film has depressions and / or elevations which extend perpendicular to the main plane of extension of the carrier film. The negative structure can be formed on only one surface of the carrier film. Alternatively, both opposite surfaces of the carrier film can have the negative structure. In particular, the negative structure is not only a surface structuring of the film, but rather the entire film is formed with the negative structure, so that the elevations on a first surface are formed as depressions on an opposite surface.

Beispielsweise umfasst die Negativstruktur eine Vielzahl von Erhebungen oder Vertiefungen die entlang der Oberfläche der Folie periodisch angeordnet sein können. Die Erhebungen oder Vertiefungen können beispielsweise kuppelförmig, kegelförmig oder pyramidenförmig ausgestaltet sein und entlang den Knotenpunkten eines imaginären regelmäßigen Rechteckgitters oder eines regelmäßigen imaginären Sechseckgitters angeordnet sein. Auch eine zufällige oder quasizufällige Verteilung der Vielzahl von Erhebungen und/oder Vertiefungen entlang der Oberfläche der Folie ist möglich.For example, the negative structure comprises a multiplicity of elevations or depressions which can be arranged periodically along the surface of the film. The elevations or depressions can, for example, be dome-shaped, conical or pyramid-shaped and can be arranged along the nodes of an imaginary regular rectangular grid or a regular imaginary hexagonal grid. A random or quasi-random distribution of the plurality of elevations and / or depressions along the surface of the film is also possible.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen einen Verfahrensschritt b) bei dem eine optischen Schicht mit Auskoppelstrukturen ausgebildet wird, wobei flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie aufgebracht wird, und mittels der Negativstruktur die Form der Auskoppelstrukturen vorgegeben wird. Bei der optischen Schicht handelt es sich beispielsweise um eine im sichtbaren Wellenlängenbereich für elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise transparente Schicht. Beispielsweise wird zum Herstellen der optischen Schicht teilkondensiertes oder unkondensiertes Polysiloxan aufgetragen. Insbesondere wird Poly-Methoxy-Siloxan, Poly-Ethoxy-Siloxan, Propyl-Siloxan, iPrO-Siloxan, n-BuO-Siloxan, t-BuO-Siloxan, MeO-Me-Siloxan, MeO-Et-Siloxan, MeO-Ph-Siloxan oder eine Mischung daraus aufgetragen.According to one embodiment, the method for producing outcoupling elements comprises a method step b) in which an optical layer with outcoupling structures is formed, liquid polysiloxane being applied to the carrier film and the shape of the outcoupling structures being predetermined by means of the negative structure. The optical layer is, for example, a layer which is at least partially transparent to electromagnetic radiation in the visible wavelength range. For example, partially condensed or uncondensed polysiloxane is applied to produce the optical layer. In particular, poly-methoxy-siloxane, poly-ethoxy-siloxane, propyl-siloxane, iPrO-siloxane, n-BuO-siloxane, t-BuO-siloxane, MeO-Me-siloxane, MeO-Et-siloxane, MeO-Ph- Siloxane or a mixture of them applied.

Die optische Schicht ist zusammenhängend, insbesondere einfach zusammenhängend, ausgebildet. An einer der Trägerfolie zugewandten Seite der optischen Schicht werden die Auskoppelstrukturen ausgebildet, indem die Negativstruktur von dem Polysiloxan vollständig überdeckt wird. Beispielsweise sind die Auskoppelstrukturen an einer ersten Hauptfläche ausgebildet und an einer von der Trägerfolie abgewandten Seite der optischen Schicht wird eine zweite Hauptfläche ausgebildet. Die Geometrie der Auskoppelstrukturen wird beispielsweise mittels der Erhebungen und/oder der Vertiefungen der Negativstruktur vorgegeben. Die Auskoppelstrukturen können die Form von Linsen, Mikrolinsen, Fresnel-Linsen, Pyramiden oder Prismen aufweisen. Insbesondere weisen die Auskoppelstrukturen entlang der Haupterstreckungsebene der optischen Schicht eine Größe von zumindest 2 µm, insbesondere zumindest 10 µm, auf.The optical layer is coherent, in particular simply coherent. The outcoupling structures are formed on one side of the optical layer facing the carrier film by completely covering the negative structure with the polysiloxane. For example, the coupling-out structures are formed on a first main surface and a second main surface is formed on a side of the optical layer facing away from the carrier film. The geometry of the decoupling structures is specified, for example, by means of the elevations and / or the depressions of the negative structure. The coupling-out structures can have the form of lenses, microlenses, Fresnel lenses, pyramids or prisms. In particular, the decoupling structures along the main extension plane of the optical layer have a size of at least 2 μm, in particular at least 10 μm.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen einen Verfahrensschritt c) bei dem die optische Schicht ausgehärtet wird. Beispielsweise wird die optische Schicht mittels Polykondensation oder Polyaddition ausgehärtet.According to one embodiment, the method for producing coupling elements comprises a method step c) in which the optical layer is cured. For example, the optical layer is cured by means of polycondensation or polyaddition.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen wird die optische Schicht in einem Verfahrensschritt d) von der Trägerfolie abgelöst und in Auskoppelelemente vereinzelt. Beispielsweise wird eine Transferfolie auf einer der Trägerfolie abgewandten Seite der optischen Schicht aufgebracht und die Trägerfolie wird von der optischen Schicht als Ganzes abgezogen. Insbesondere wird die optische Schicht mittels eines Sägeverfahrens oder mittels eines Lasertrennverfahrens vereinzelt. Die optische Schicht kann entlang den Linien eines imaginären periodischen, insbesondere regelmäßigen, Gitters vereinzelt werden. Nach dem Vereinzeln können die Auskoppelelemente mittels der Transferfolie mechanisch miteinander verbunden sein.According to one embodiment of the method for producing outcoupling elements, the optical layer is detached from the carrier film in a method step d) and separated into outcoupling elements. For example, a transfer film is applied to a side of the optical layer facing away from the carrier film and the carrier film is pulled off from the optical layer as a whole. In particular, the optical layer is separated by means of a sawing process or by means of a laser separation process. The optical layer can be separated along the lines of an imaginary periodic, in particular regular, grating. After separation, the decoupling elements can be mechanically connected to one another by means of the transfer film.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen die folgenden Verfahrensschritte:

  1. a) Bereitstellen einer Trägerfolie mit einer Negativstruktur;
  2. b) Ausbilden einer optischen Schicht mit Auskoppelstrukturen, wobei
    • - flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie aufgebracht wird, und
    • - mittels der Negativstruktur die Form der Auskoppelstrukturen vorgegeben wird;
  3. c) Aushärten der optischen Schicht;
  4. d) Ablösen der optischen Schicht von der Trägerfolie und Vereinzeln der optischen Schicht in Auskoppelelemente.
According to one embodiment, the method for producing coupling elements comprises the following method steps:
  1. a) providing a carrier film with a negative structure;
  2. b) forming an optical layer with coupling-out structures, wherein
    • - Liquid polysiloxane is applied to the carrier film, and
    • - The shape of the decoupling structures is specified by means of the negative structure;
  3. c) curing the optical layer;
  4. d) detaching the optical layer from the carrier film and separating the optical layer into coupling elements.

Einem hier beschriebenen Verfahren liegen unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde. Bei herkömmlichen Auskoppelelementen wird die Auskopplung mittels streuender Partikel beeinflusst und nachgeordnete optische Elemente, wie beispielsweise Linsen, werden zur Strahlformung der ausgekoppelten Strahlung angesetzt.A method described here is based among other things on the following considerations. In the case of conventional outcoupling elements, the outcoupling is influenced by means of scattering particles, and downstream optical elements, such as lenses, are used for beam shaping of the outcoupled radiation.

Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen macht nun unter anderem von der Idee Gebrauch, die zuvor nachgeordneten optischen Elemente mittels der Auskoppelstrukturen in die Auskoppelelemente zu integrieren. Vorteilhafterweise sind derartige Auskoppelelemente mit dem hier beschriebenen Herstellungsverfahren besonders einfach herstellbar und ermöglichen eine besonders kompakte Bauform.The method described here for producing outcoupling elements now makes use of the idea, inter alia, of integrating the optical elements which were previously arranged downstream into the outcoupling elements by means of the outcoupling structures. Such decoupling elements are advantageously particularly easy to manufacture using the manufacturing method described here and enable a particularly compact design.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen wird in einem Verfahrensschritt a0), welcher vor dem Verfahrensschritt a) durchgeführt wird, ein Spannwerkzeug mit einer strukturierten Befestigungsfläche bereitgestellt, die Trägerfolie an der strukturierten Befestigungsfläche mittels Unterdruck befestigt, und mittels der strukturierten Befestigungsfläche die Negativstruktur der Folie vorgegeben. Bei dem Spannwerkzeug handelt es sich beispielsweise um einen Vakuumchuck. Insbesondere weist das Spannwerkzeug Kanäle auf, in denen ein Unterdruck erzeugt werden kann, sodass an der Befestigungsfläche mittels Ansaugens die Trägerfolie befestigbar ist.According to one embodiment of the method for producing outcoupling elements, in a method step a0), which is carried out before method step a), a tensioning tool is provided with a structured fastening surface, the carrier film is fastened to the structured fastening surface by means of negative pressure, and the negative structure by means of the structured fastening surface given the slide. The clamping tool is, for example, a vacuum chuck. In particular, the clamping tool has channels in which a negative pressure can be generated, so that the carrier film can be fastened to the fastening surface by suction.

Beispielsweise wird die Trägerfolie mittels des Befestigens verformt, sodass die Geometrie der strukturierten Befestigungsfläche im Wesentlichen auf die Trägerfolie übertragen wird, sodass die Trägerfolie die Negativstruktur aufweist.For example, the carrier film is deformed by means of fastening, so that the geometry of the structured fastening surface is essentially transferred to the carrier film, so that the carrier film has the negative structure.

Insbesondere weist die Trägerfolie vor dem Befestigen an der Befestigungsfläche keine Negativstruktur auf, sondern ist plan ausgebildet. Vorteilhafterweise ist mittels des Spannwerkzeugs die Geometrie der Auskoppelstrukturen der Auskoppelelemente vorgebbar und es kann eine plane Trägerfolie zur Herstellung der Auskoppelelemente verwendet werden. Dies ermöglicht eine besonders kostengünstige Herstellung von Auskoppelelementen.In particular, the carrier film does not have a negative structure before being fastened to the fastening surface, but is of flat design. Advantageously, the geometry of the decoupling structures of the decoupling elements can be predetermined by means of the clamping tool and a flat carrier film can be used to produce the decoupling elements. This enables a particularly cost-effective production of decoupling elements.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen wird im Verfahrensschritt b) die optische Schicht mit einer ersten und einer zweiten Siloxan-Schicht gebildet. Dabei wird die erste Siloxan-Schicht auf die Trägerfolie aufgebracht, die erste Siloxan-Schicht wird angehärtet, und die zweite Siloxan-Schicht wird auf die erste Siloxan-Schicht aufgebracht. Beispielsweise ist die erste Hauptfläche der optischen Schicht mit der ersten Siloxan-Schicht gebildet und die der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche der optischen Schicht ist mit der zweiten Siloxan-Schicht gebildet.According to one embodiment of the method for producing coupling-out elements, the optical layer is formed with a first and a second siloxane layer in method step b). The first siloxane layer is applied to the carrier film, the first siloxane layer is hardened, and the second siloxane layer is applied to the first siloxane layer. For example, the first main surface of the optical layer is formed with the first siloxane layer and the second main surface of the optical layer opposite the first main surface is formed with the second siloxane layer.

Beispielsweise werden die erste und die zweite Siloxan-Schicht nacheinander unmittelbar aufeinander aufgebracht und sind direkt stoffschlüssig miteinander verbunden. Insbesondere werden die erste und die zweite Siloxan-Schicht mittels identischer Verfahren auf der Trägerfolie angeordnet. Insbesondere können die erste und die zweite Siloxan-Schicht unterschiedliche mechanische, optische oder thermische Eigenschaften aufweisen. Vorteilhafterweise ermöglicht das Bilden der optischen Schicht mit der ersten und der zweiten Siloxan-Schicht die Herstellung eines besonders effizienten Auskoppelelements.For example, the first and second siloxane layers are successively applied directly to one another and are directly bonded to one another. In particular, the first and second siloxane layers are arranged on the carrier film using identical methods. In particular, the first and second siloxane layers can have different mechanical, optical or thermal properties. The formation of the optical layer with the first and the second siloxane layer advantageously enables the production of a particularly efficient decoupling element.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen wird die zweite Siloxan-Schicht maximal 10 Sekunden nach der ersten Siloxan-Schicht aufgebracht. Insbesondere ist die erste Siloxan-Schicht beim Aufbringen der zweiten Siloxan-Schicht nicht vollständig ausgehärtet, sondern nur angehärtet. Beispielsweise ist das Anhärten der ersten Siloxan-Schicht mittels Veränderung der Luftfeuchtigkeit der umgebenden Luft einstellbar. Insbesondere beträgt die Dauer zum Anhärten der ersten Siloxan-Schicht bei einer Luftfeuchtigkeit von 55 % maximal 5 Sekunden, sodass die zweite Siloxan-Schicht 5 Sekunden nach dem Aufbringen der ersten Siloxan-Schicht auf die erste Siloxan-Schicht aufgebracht wird. Vorteilhafterweise ermöglicht das Anhärten eine besonders geringe Durchmischung der ersten und der zweiten Siloxan-Schicht, wobei zusätzlich ein geringer zeitlicher Abstand zwischen dem Aufbringen der ersten und der zweiten Siloxan-Schicht zu einer besonders hohen Stabilität der mechanischen Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Siloxan-Schicht führt.According to one embodiment of the method for producing outcoupling elements, the second siloxane layer is applied a maximum of 10 seconds after the first siloxane layer. In particular, the first siloxane layer is not fully cured when the second siloxane layer is applied, but is only cured. For example, the hardening of the first siloxane layer can be adjusted by changing the air humidity in the surrounding air. In particular, the duration for the hardening of the first siloxane layer at a humidity of 55% is a maximum of 5 seconds, so that the second siloxane layer is applied to the first siloxane layer 5 seconds after the application of the first siloxane layer. Advantageously, the hardening enables a particularly little mixing of the first and second siloxane layers, a short time interval between the application of the first and second siloxane layers leading to a particularly high stability of the mechanical connection between the first and second siloxane layers.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen wird die erste und/oder die zweite Siloxan-Schicht mittels Rakeln oder Sprühen aufgebracht. Insbesondere werden die erste und die zweite Siloxan-Schicht mittels desselben Verfahrens aufgebracht. Beispielsweise wird mittels der ersten Siloxan-Schicht die Negativstruktur vollständig befüllt. Insbesondere ist eine von der Trägerfolie abgewandte Seite der ersten Siloxan-Schicht einfach zusammenhängend und plan ausgebildet. Die zweite Siloxan-Schicht wird auf die von der Trägerfolie abgewandte Seite der ersten Siloxan-Schicht aufgebracht. Insbesondere ist die zweite Siloxan-Schicht vollständig von der ersten Siloxan-Schicht überdeckt. Die Auskoppelstrukturen, welche mittels der Negativstruktur ausgebildet werden, sind beispielsweise ausschließlich mit der ersten Siloxan-Schicht gebildet. Die zweite Siloxan-Schicht kann frei von den Auskoppelstrukturen sein.According to one embodiment of the method for producing outcoupling elements, the first and / or the second siloxane layer is applied by means of doctor blades or spraying. In particular, the first and second siloxane layers are applied using the same method. For example, the negative structure is completely filled using the first siloxane layer. In particular, a side of the first siloxane layer facing away from the carrier film is simply coherent and flat. The second siloxane layer is applied to the side of the first siloxane layer facing away from the carrier film. In particular, the second siloxane layer is completely covered by the first siloxane layer. The outcoupling structures, which are formed by means of the negative structure, are formed, for example, exclusively with the first siloxane layer. The second siloxane layer can be free of the coupling-out structures.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen umfasst die optische Schicht ein Konversionsmaterial und/oder Nanopartikel, wobei mittels der Nanopartikel der Brechungsindex der optischen Schicht zumindest Abschnittsweise verändert ist. Das Konversionsmaterial ist dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Dabei ist der zweite Wellenlängenbereich langwelliger als der erste Wellenlängenbereich. Insbesondere umfasst die erste oder die zweite Siloxan-Schicht, bevorzugt ausschließlich die zweite Siloxan-Schicht, das Konversionsmaterial. Beispielsweise ist das Konversionsmaterial gleichmäßig in der ersten und/oder zweiten Siloxan-Schicht verteilt, sodass die Wahrscheinlichkeit für das Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung entlang der Haupterstreckungsebene der optischen Schicht konstant ist.According to one embodiment of the method for producing coupling-out elements, the optical layer comprises a conversion material and / or nanoparticles, the refractive index of the optical layer being changed at least in sections by means of the nanoparticles. The conversion material is intended to convert electromagnetic radiation of a first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range. The second wavelength range is longer than the first wavelength range. In particular, the first or the second siloxane layer, preferably exclusively the second siloxane layer, comprises the conversion material. For example, the conversion material is evenly distributed in the first and / or second siloxane layer, so that the probability of converting electromagnetic radiation along the main plane of extent of the optical layer is constant.

Alternativ kann die Konzentration des Konversionsmaterials einen Gradienten senkrecht zur Haupterstreckungsebene aufweisen. In Richtung der ersten Siloxanschicht nimmt beispielsweise die Konzentration des Konversionsmaterials in der zweiten Siloxanschicht ab. Somit ist die Konzentration des Konversionsmaterials in der zweiten Siloxanschicht an einer der der ersten Siloxanschicht zugewandten Seite größer als an einer der ersten Siloxanschicht abgewandten Seite.Alternatively, the concentration of the conversion material can have a gradient perpendicular to the main extension plane. For example, the concentration of the conversion material in the second siloxane layer decreases in the direction of the first siloxane layer. Thus, the concentration of the conversion material in the second siloxane layer is greater on a side facing the first siloxane layer than on a side facing away from the first siloxane layer.

Die Nanopartikel weisen beispielsweise im Mittel eine Größe von weniger als 100 nm, bevorzugt weniger als 50 nm, auf. Beispielsweise haben die Nanopartikel zumindest eine mittlere Größe von 10 nm. Insbesondere sind die Nanopartikel für elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich zumindest teilweise transparent. Die Nanopartikel weisen beispielsweise einen Brechungsindex auf, welcher sich von dem die Nanopartikel umgebenden Siloxan der optischen Schicht um zumindest 0,1, bevorzugt zumindest um 0,3, unterscheidet. Insbesondere sind die Nanopartikel nicht dazu vorgesehen streuend zu wirken. Beispielsweise sind die Nanopartikel mit Zirkoniumdioxid (ZrO2), Aluminiumoxid (Al2O3) , Titanoxid (TiO2), Zinkoxid (ZnO), Bariumsulfat (BaSo4) und/oder Siliziumoxid (SiO2) gebildet. Beispielsweise umfasst die zweite Siloxan-Schicht das Konversionsmaterial und die erste Siloxan-Schicht umfasst Nanopartikel. Vorteilhafterweise sind mittels der Nanopartikel und dem Konversionsmaterial optische Eigenschaften der optischen Schicht anpassbar.The average size of the nanoparticles is, for example, less than 100 nm, preferably less than 50 nm. For example, the nanoparticles have an average size of at least 10 nm. In particular, the nanoparticles are at least partially transparent to electromagnetic radiation in the visible wavelength range. The nanoparticles have, for example, a refractive index which differs from the siloxane of the optical layer surrounding the nanoparticles by at least 0.1, preferably at least 0.3. In particular, the nanoparticles are not intended to have a scattering effect. For example, the nanoparticles are formed with zirconium dioxide (ZrO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), barium sulfate (BaSo 4 ) and / or silicon oxide (SiO 2 ). For example, the second siloxane layer comprises the conversion material and the first siloxane layer comprises nanoparticles. Advantageously, the optical properties of the optical layer can be adapted by means of the nanoparticles and the conversion material.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen umfasst die zweite Siloxan-Schicht ein Konversionsmaterial und die erste Siloxan-Schicht ist klarsichtig. Beispielsweise umfasst die zweite Siloxan-Schicht ein im roten Wellenlängebereich emittierendes Konversionsmaterial. In der ersten Siloxan-Schicht können Nanopartikel angeordnet sein, mittels denen der mittlere Brechungsindex der ersten Siloxan-Schicht angepasst ist. Vorteilhafterweise erfüllen die erste und die zweite Siloxan-Schicht im bestimmungsgemäßen Betrieb unterschiedliche Funktionen, an welche diese jeweils separat voneinander anpassbar sind.According to one embodiment of the method for producing coupling-out elements, the second siloxane layer comprises a conversion material and the first siloxane layer is clear-sighted. For example, the second siloxane layer comprises a conversion material emitting in the red wavelength range. Nanoparticles can be arranged in the first siloxane layer, by means of which the average refractive index of the first siloxane layer is adapted. Advantageously, the first and second siloxane layers perform different functions in the intended operation, to which they can each be adapted separately.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen umfasst die erste Siloxan-Schicht ein im gelben und/oder grünen Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial, und die zweite Siloxan-Schicht umfasst ein im roten Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial. Bevorzugt sind Konversionsmaterialien, welche im bestimmungsgemäßen Betrieb besonders stark Wärme entwickeln, in der zweiten Siloxan-Schicht angeordnet. Beispielsweise sind Konversionsmaterialien umso näher an der zweiten Hauptfläche der optischen Schicht angeordnet, je langwelliger der Wellenlängenbereich ist, in welchem das jeweilige Konversionsmaterial elektromagnetische Strahlung emittiert. Vorteilhafterweise ist in derartig hergestellten Auskoppelelementen entstehende Wärme besonderes effizient ableitbar.According to one embodiment of the method for producing coupling-out elements, the first siloxane layer comprises a conversion material emitting in the yellow and / or green wavelength range, and the second siloxane layer comprises a conversion material emitting in the red wavelength range. Conversion materials, which generate a particularly large amount of heat during normal operation, are preferably arranged in the second siloxane layer. For example, conversion materials are arranged the closer to the second main surface of the optical layer, the longer the wavelength range in which the respective conversion material emits electromagnetic radiation. Advantageously, heat generated in the coupling elements produced in this way can be dissipated particularly efficiently.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen wird im Verfahrensschritt c) die optische Schicht auf maximal 100°C erwärmt. Insbesondere wird die optische Schicht im Verfahrensschritt c) auf maximal 70°C erwärmt. Vorteilhafterweise ermöglicht die moderate Temperatur die Verwendung von temperatursensitiven Konversionsmaterialien.According to one embodiment of the method for producing coupling elements, the optical layer is heated to a maximum of 100 ° C. in method step c). In particular, the optical layer in process step c) is at a maximum of 70 ° C. heated. The moderate temperature advantageously enables the use of temperature-sensitive conversion materials.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Spannwerkzeug eine Heizvorrichtung, wobei im Verfahrensschritt c) die Temperatur der optischen Schicht mittels der Heizvorrichtung eingestellt wird. Beispielsweise handelt es sich bei der Heizvorrichtung um eine Widerstandsheizung oder ein Peltierelement. According to one embodiment of the method, the clamping tool comprises a heating device, the temperature of the optical layer being set in method step c) by means of the heating device. For example, the heating device is a resistance heater or a Peltier element.

Vorteilhafterweise ist mittels der Heizvorrichtung die Temperatur der optischen Schicht besonders präzise anpassbar.The temperature of the optical layer can advantageously be adjusted particularly precisely by means of the heating device.

Es wird des Weiteren ein Auskoppelelement angegeben. Das Auskoppelelement kann insbesondere mit einem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Auskoppelelement offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.A decoupling element is also specified. The decoupling element can in particular be produced using a method for producing decoupling elements described here. This means that all of the features disclosed for the decoupling element are also disclosed for the method and vice versa.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Auskoppelelement eine erste Hauptfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche, wobei das Auskoppelelement mit Polysiloxan gebildet ist. Die erste Hauptfläche weist eine Auskoppelstruktur auf und die zweite Hauptfläche ist eben ausgebildet. Seitenflächen, welche die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche miteinander verbinden, weisen Spuren eines Vereinzelungsprozesses auf. Bei den Spuren des Vereinzelungsprozesses handelt es sich beispielsweise um Spuren eines Sägeprozesses, eines Ätzprozesses, eines Stanzprozesses oder eines Lasertrennverfahrens.According to one embodiment, the coupling-out element comprises a first main surface and an opposite second main surface, the coupling-out element being formed with polysiloxane. The first main surface has a coupling-out structure and the second main surface is flat. Side surfaces, which connect the first main surface and the second main surface to one another, show traces of a separation process. The traces of the separation process are, for example, traces of a sawing process, an etching process, a punching process or a laser cutting process.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Auskoppelelement eine erste und eine zweite Siloxan-Schicht, wobei die erste Hauptfläche mit der ersten Siloxan-Schicht gebildet ist, die zweite Hauptfläche mit der zweiten Siloxan-Schicht gebildet ist, und die erste und die zweite Siloxan-Schicht sich durch eine optische Eigenschaft voneinander unterscheiden. Beispielsweise unterscheiden sich die erste und die zweite Siloxan-Schicht in ihrer Transparenz voneinander. Die erste und die zweite Siloxan-Schicht können jeweils verschiedene Konversionsmaterialien umfassen, die dazu eingerichtet sind, Licht in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen zu emittieren.According to one embodiment, the coupling-out element comprises a first and a second siloxane layer, the first main surface being formed with the first siloxane layer, the second main surface being formed with the second siloxane layer, and the first and the second siloxane layer differ from each other by an optical property. For example, the transparency of the first and second siloxane layers differ from one another. The first and the second siloxane layer can each comprise different conversion materials which are set up to emit light in different wavelength ranges.

Gemäß einer Ausführungsform sind die erste und die zweite Siloxan-Schicht klarsichtig, und die optische Eigenschaft in der sich die erste und zweite Siloxan-Schicht unterscheiden, ist der Brechungsindex. Beispielsweise ist der Brechungsindex der ersten und/oder der zweiten Siloxan-Schicht mittels Nanopartikeln verändert. Alternativ kann der Brechungsindex mittels organischen Gruppen, bevorzugt Phenylgruppen, an Si-Atomen des Materials der ersten und/oder zweiten Siloxanschicht verändert sein. Insbesondere unterscheidet sich der Brechungsindex der ersten und der zweiten Siloxan-Schicht um zumindest 0,2, bevorzugt zumindest 0,3, voneinander. Bevorzugt ist der Brechungsindex der ersten Siloxan-Schicht geringer als der Brechungsindex der zweiten Siloxan-Schicht. Vorteilhafterweise wird ein besonders geringer Anteil von elektromagnetische Strahlung, welche das Auskoppelelement durchläuft, an der ersten oder zweiten Hauptfläche des Auskoppelelements oder an der Grenzfläche der ersten und zweiten Siloxan-Schicht reflektiert.In one embodiment, the first and second siloxane layers are clear-sighted, and the optical property in which the first and second siloxane layers differ is the refractive index. For example, the refractive index of the first and / or the second siloxane layer is changed by means of nanoparticles. Alternatively, the refractive index can be changed by means of organic groups, preferably phenyl groups, on Si atoms of the material of the first and / or second siloxane layer. In particular, the refractive index of the first and second siloxane layers differs from one another by at least 0.2, preferably at least 0.3. The refractive index of the first siloxane layer is preferably lower than the refractive index of the second siloxane layer. A particularly small proportion of electromagnetic radiation which passes through the coupling-out element is advantageously reflected on the first or second main surface of the coupling-out element or on the interface of the first and second siloxane layers.

Gemäß einer Ausführungsform weisen die Auskoppelstrukturen die Form von Linsen, Mikrolinsen, Fresnel-Linsen, Pyramiden, Prismen oder sonstigen Auskoppelstrukturen auf. Insbesondere sind die Auskoppelstrukturen dazu vorgesehen elektromagnetische Strahlung so zu brechen, dass ein vorgegebenes Strahlprofil der elektromagnetischen Strahlung erzielt wird.According to one embodiment, the outcoupling structures have the shape of lenses, microlenses, Fresnel lenses, pyramids, prisms or other outcoupling structures. In particular, the decoupling structures are intended to refract electromagnetic radiation in such a way that a predetermined beam profile of the electromagnetic radiation is achieved.

Es wird des Weiteren ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil angegeben. Das lichtemittierende Halbleiterbauteil umfasst insbesondere ein hier beschriebenes Auskoppelelement, welches mit dem hier beschriebenen Verfahren hergestellt sein kann. Das heißt, sämtliche für das lichtemittierende Halbleiterbauteil offenbarten Merkmale sind auch für das Auskoppelelement offenbart und umgekehrt.A light-emitting semiconductor component is also specified. The light-emitting semiconductor component in particular comprises a coupling element described here, which can be produced using the method described here. This means that all of the features disclosed for the light-emitting semiconductor component are also disclosed for the decoupling element and vice versa.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das lichtemittierende Halbleiterbauteil einen Halbleiterchip und ein Auskoppelelement, wobei der Halbleiterchip dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche zu emittieren, das Auskoppelelement mit der zweiten Hauptfläche auf der Abstrahlfläche angeordnet ist, und zumindest ein Großteil der von dem lichtemittierenden Chip emittierten Strahlung das Auskoppelelement durchläuft.According to one embodiment, the light-emitting semiconductor component comprises a semiconductor chip and a coupling-out element, the semiconductor chip being set up to emit electromagnetic radiation through a radiation surface, the coupling-out element with the second main surface being arranged on the radiation surface, and at least a large part of those emitted by the light-emitting chip Radiation passes through the coupling element.

Gemäß einer Ausführungsform weist die von dem Halbleiterbauteil emittierte elektromagnetische Strahlung einen vorgegebenen Farbort im CIE-Normfarbsystem auf, wobei der X-Wert und/oder der Y-Wert in Abhängigkeit vom Austrittswinkel der elektromagnetischen Strahlung aus dem Auskoppelelement um maximal 0,01 schwankt. Bevorzugt schwankt der X- und/oder Y-Wert in Abhängigkeit vom Austrittswinkel der elektromagnetischen Strahlung um maximal 0,001.According to one embodiment, the electromagnetic radiation emitted by the semiconductor component has a predefined color location in the CIE standard color system, the X value and / or the Y value fluctuating by a maximum of 0.01 as a function of the angle of emergence of the electromagnetic radiation from the decoupling element. The X and / or Y value preferably fluctuates as a function of the exit angle of the electromagnetic radiation by a maximum of 0.001.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens zum Herstellen eines Auskoppelelements, des Auskoppelelements und des lichtemittierenden Bauteils ergeben sich aus den folgenden, in Zusammenhang mit den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen.Further advantages and advantageous refinements and developments of the method for producing a decoupling element, the decoupling element and the light-emitting component result from the following exemplary embodiments illustrated in connection with the figures.

Es zeigen die 1, 2, 3 und 4 in schematischen Schnittansichten Stadien des Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen gemäß eines Ausführungsbeispiels. They show 1 . 2 . 3 and 4 in schematic sectional views stages of the method for producing coupling elements according to an embodiment.

Es zeigen die 5, 6, 7, 8 und 9 in schematischen Schnittansichten Stadien eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen gemäß eines Ausführungsbeispiels.They show 5 . 6 . 7 . 8th and 9 in schematic sectional views stages of a method described here for producing decoupling elements according to an embodiment.

Es zeigt die 10 eine schematische Schnittansicht eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils mit einem hier beschriebenen Auskoppelelement gemäß eines Ausführungsbeispiels.It shows the 10 is a schematic sectional view of a light-emitting semiconductor component described here with a coupling element described here according to an embodiment.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.Identical, similar or identically acting elements are provided with the same reference symbols in the figures. The figures and the proportions of the elements shown in the figures among one another are not to be considered to scale. Rather, individual elements can be shown in an exaggerated size for better representation and / or for better comprehensibility.

Die 1 zeigt in einer Schnittansicht ein Ausführungsbeispiel einer Trägerfolie 200, welche bei einem Verfahrensschritt a) des Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen bereitgestellt wird. Die Trägerfolie 200 weist eine Negativstruktur 250 auf. Die Negativstruktur umfasst eine Vielzahl von Vertiefungen 252 und Erhebungen 251. Die Erhebungen 251 sind in Draufsicht auf die Trägerfolie 250 kreisförmig ausgebildet, sodass die Vertiefungen 252 jeweils die Form eines Kegelstumpfes aufweisen. Alternativ können die Vertiefungen 252 auch die Form eines Pyramidenstumpfes oder einer konvex oder konkav gekrümmten Linse aufweisen. Insbesondere können mehrere Vertiefungen als Negativabdruck einer Fresnel-Linse ausgebildet sein. Beispielsweise ist die Trägerfolie mit PFTE gebildet oder besteht aus PFTE. Die Negativstruktur 250 kann beispielsweise mittels eines Heißprägeverfahrens oder mittels eines Tiefziehverfahrens hergestellt sein.The 1 shows a sectional view of an embodiment of a carrier film 200 , which is provided in a step a) of the method for producing coupling elements. The carrier film 200 has a negative structure 250 on. The negative structure comprises a large number of depressions 252 and surveys 251 , The surveys 251 are in top view of the carrier film 250 circular, so that the depressions 252 each have the shape of a truncated cone. Alternatively, the wells 252 also have the shape of a truncated pyramid or a convex or concave curved lens. In particular, a plurality of depressions can be designed as a negative impression of a Fresnel lens. For example, the carrier film is formed with PFTE or consists of PFTE. The negative structure 250 can be produced, for example, by means of a hot stamping process or by means of a deep-drawing process.

Die 2 und 3 zeigen in schematische Schnittansichten eines Ausführungsbeispiels Stadien des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen beim Verfahrensschritt b). Im Verfahrensschritt b) wird eine optische Schicht 110 mit Auskoppelstrukturen 115 ausgebildet. Insbesondere werden die Auskoppelstrukturen 115 in den Vertiefungen 252 der Trägerfolie 250 ausgebildet.The 2 and 3 show in schematic sectional views of an embodiment stages of the method for producing decoupling elements in method step b). In process step b), an optical layer 110 with decoupling structures 115 educated. In particular, the decoupling structures 115 in the wells 252 the carrier film 250 educated.

Zunächst wird eine erste Siloxan-Schicht 111 auf die Trägerfolie 200 aufgebracht, sodass die Negativstruktur 250 vollständig von der ersten Siloxan-Schicht 111 überdeckt ist. Die erste Siloxan-Schicht 111 füllt die Vertiefungen 252 vollständig aus. Die erste Siloxan-Schicht 111 wird beispielsweise in Form von unkondensiertem oder teilkondensiertem Polymethoxysiloxan mittels Rakeln, Tape-Casting oder Sprühen auf die Trägerfolie 200 aufgebracht.First, a first siloxane layer 111 on the carrier film 200 applied so that the negative structure 250 completely from the first siloxane layer 111 is covered. The first siloxane layer 111 fills the wells 252 completely out. The first siloxane layer 111 is for example in the form of uncondensed or partially condensed polymethoxysiloxane by means of doctor blades, tape casting or spraying onto the carrier film 200 applied.

Anschließend wird die erste Siloxan-Schicht 111 angehärtet. Das Anhärten der ersten Siloxan-Schicht 111 wird mittels der Luftfeuchtigkeit der die erste Siloxan-Schicht 111 umgebenden Luft gesteuert. Auf die erste Siloxan-Schicht 111 wird eine zweite Siloxan-Schicht 112 auf eine der Trägerfolie 200 abgewandte Seite der ersten Siloxan-Schicht 111 aufgebracht. Die zweite Siloxan-Schicht wird als teilkondensiertes oder unkondensiertes Siloxan mittels Rakeln, Tape-Casting oder Sprühen auf der ersten Siloxan-schicht 111 aufgebracht. Maximal 10 Sekunden, bevorzugt maximal 5 Sekunden, nach dem Aufbringen der ersten Siloxan-Schicht 111 wird die zweite Siloxan-Schicht aufgebracht, wobei die Luftfeuchtigkeit der umgebenden Luft zumindest 55 % beträgt. Die zweite Siloxan-Schicht bildet an einer von der Trägerfolie 200 abgewandten Seite eine zweite Hauptfläche 100b.Then the first siloxane layer 111 partially cured. The hardening of the first siloxane layer 111 is the first siloxane layer by means of the air humidity 111 controlled surrounding air. On the first siloxane layer 111 becomes a second siloxane layer 112 on one of the carrier foils 200 opposite side of the first siloxane layer 111 applied. The second siloxane layer is applied as a partially condensed or uncondensed siloxane by means of doctor blades, tape casting or spraying on the first siloxane layer 111 applied. Maximum 10 Seconds, preferably a maximum of 5 seconds, after the application of the first siloxane layer 111 the second siloxane layer is applied, the atmospheric humidity of the surrounding air being at least 55%. The second siloxane layer forms on one of the carrier films 200 facing away from a second main surface 100b ,

Mittels der Negativstruktur 250, insbesondere mittels der Vertiefungen 252, wird die Form der Auskoppelstrukturen 115 in der ersten Siloxan-Schicht 111 vorgegeben. Die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 bilden zusammen eine optische Schicht 110. Die optische Schicht 110 umfasst ein Konversionsmaterial 118 und/oder Nanopartikel 119, wobei mittels der Nanopartikel 119 der Brechungsindex der optischen Schicht 110 zumindest abschnittsweise verändert ist. Beispielsweise umfasst die erste 111 und/oder die zweite 112 Siloxan-Schicht Nanopartikel 119, welche den Brechungsindex der ersten Siloxan-Schicht 111 erhöhen. Insbesondere weisen die Nanopartikeln einen höheren Brechungsindex als das Polysiloxan der ersten Siloxan-Schicht 111 und/oder der zweiten Siloxan-Schicht 112 auf. Insbesondere sind die Nanopartikel mit Zirkoniumdioxid gebildet und weisen einen maximalen Durchmesser von 100 nm auf.By means of the negative structure 250 , especially by means of the wells 252 , the shape of the decoupling structures 115 in the first siloxane layer 111 specified. The first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 together form an optical layer 110 , The optical layer 110 includes a conversion material 118 and / or nanoparticles 119 , by means of the nanoparticles 119 the refractive index of the optical layer 110 is changed at least in sections. For example, the first includes 111 and / or the second 112 Siloxane layer nanoparticles 119 , which is the refractive index of the first siloxane layer 111 increase. In particular, the nanoparticles have a higher refractive index than the polysiloxane of the first siloxane layer 111 and / or the second siloxane layer 112 on. In particular, the nanoparticles are formed with zirconium dioxide and have a maximum diameter of 100 nm.

Die zweite Siloxan-Schicht 112 weist das Konversionsmaterial 118 auf, welches dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu konvertieren. Dabei ist der zweite Wellenlängenbereich langwelliger als der erste Wellenlängenbereich. Die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 stehen in direktem Kontakt miteinander und sind stoffschlüssig miteinander verbunden.The second siloxane layer 112 indicates the conversion material 118 , which is set up to convert electromagnetic radiation of a first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range. The second wavelength range is longer than the first wavelength range. The first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 are in direct contact with one another and are firmly bonded to one another.

In einem folgenden Verfahrensschritt c) wird die optische Schicht 110 ausgehärtet. Beim Aushärten wird die optische Schicht 110 maximal auf 100 °C erwärmt.In a subsequent process step c), the optical layer 110 hardened. When hardening the optical layer 110 heated to a maximum of 100 ° C.

Die 4 zeigt in einer Schnittansicht ein Stadium eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen 100 bei einem Verfahrensschritt d). Im Verfahrensschritt d) wurde die optische Schicht von der Trägerfolie 200 abgelöst. Die optische Schicht 110 weist eine erste Hauptfläche 100a auf, von welcher die Trägerfolie 200 abgelöst wurde. An der ersten Hauptfläche 100a sind die Auskoppelstrukturen 115 ausgebildet. Die Auskoppelstrukturen 115 weisen beispielsweise die Form von Kegeln, Pyramiden, Kegelstümpfen, Pyramidenstümpfen oder Fresnel-Linsen auf. The 4 shows in a sectional view a stage of an embodiment of the method for producing coupling elements 100 in a process step d). In process step d) the optical layer was removed from the carrier film 200 replaced. The optical layer 110 has a first major surface 100a on which the carrier film 200 was replaced. On the first main area 100a are the decoupling structures 115 educated. The decoupling structures 115 have, for example, the shape of cones, pyramids, truncated cones, truncated pyramids or Fresnel lenses.

In der 4 sind imaginäre Trennlinien 90 dargestellt, entlang denen die optische Schicht 110 in Auskoppelelemente 100 vereinzelt wird. Beispielsweise wird die optische Schicht 110 mittels eines Sägeprozesses oder mittels eines Lasertrennprozesses vereinzelt. Nach dem Vereinzeln umfasst jedes vereinzelte Auskoppelelement 100 zumindest eine der Auskoppelstrukturen 115.In the 4 are imaginary dividing lines 90 shown along which the optical layer 110 in decoupling elements 100 is isolated. For example, the optical layer 110 isolated by means of a sawing process or by means of a laser cutting process. After separation, each isolated decoupling element comprises 100 at least one of the decoupling structures 115 ,

Die 5 und 6 zeigen in schematischen Schnittansichten ein Stadium eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelementen bei einem Verfahrensschritt a0). Der Verfahrensschritt a0) wird vor dem Verfahrensschritt a) durchgeführt. Dabei wird ein Spannwerkzeug 300 bereitgestellt, welches eine strukturierte Befestigungsfläche 300a aufweist. In das Spannwerkzeug 300 sind Kanäle 310 integriert, die zum Einsaugen von Luft vorgesehen sind, um in den Kanälen einen Unterdruck zu erzeugen. Ferner wird eine Trägerfolie 200 bereitgestellt, welche plan ausgebildet ist.The 5 and 6 show in schematic sectional views a stage of an embodiment of the method for producing coupling elements in a method step a0). Process step a0) is carried out before process step a). This is a clamping tool 300 provided which has a structured mounting surface 300a having. In the clamping tool 300 are channels 310. integrated, which are intended for sucking in air to create a negative pressure in the channels. Furthermore, a carrier film 200 provided, which is formed plan.

Die Trägerfolie 200 wird mittels Unterdruck an der strukturierten Befestigungsfläche 300a befestigt.The carrier film 200 is by means of negative pressure on the structured mounting surface 300a attached.

Wie in der 6 dargestellt, wird die Trägerfolie 200 an dem Spannwerkzeug 300 befestigt. Mittels eines Unterdrucks in den Kanälen 310 wird die Trägerfolie 200 an der strukturierten Befestigungsfläche 300a befestigt, sodass die Geometrie der strukturierten Befestigungsfläche 300a auf die Trägerfolie 200 übertragen wird und somit die Negativstruktur 250 ausgebildet wird.Like in the 6 shown, the carrier film 200 on the clamping tool 300 attached. By means of a vacuum in the channels 310. becomes the carrier film 200 on the structured mounting surface 300a attached so that the geometry of the structured mounting surface 300a on the carrier film 200 is transferred and thus the negative structure 250 is trained.

Das Spannwerkzeug 300 weist eine Heizvorrichtung 301 auf, mittels der die Temperatur des Spannwerkzeugs 300 veränderbar ist. Insbesondere wird die Trägerfolie 200 erhitzt, wodurch besonders vereinfacht die Negativstruktur 250 in der Trägerfolie 200 ausgebildet wird.The clamping tool 300 has a heater 301 on, by means of which the temperature of the clamping tool 300 is changeable. In particular, the carrier film 200 heated, which particularly simplifies the negative structure 250 in the carrier film 200 is trained.

Die 7 und die 8 zeigen in schematischen Schnittansichten Ausführungsbeispiele von Stadien des Verfahrens zur Herstellung von Auskoppelelementen 100, bei den Verfahrensschritten b) und c).The 7 and the 8th show in schematic sectional views embodiments of stages of the method for producing coupling elements 100 , in process steps b) and c).

Wie in 7 dargestellt, wurde im Verfahrensschritt b) eine erste Siloxan-Schicht 111 mit Auskoppelstrukturen 115 ausgebildet, wobei flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie 200 aufgebracht wurde, und mittels der Negativstruktur 250 die Form der Auskoppelstrukturen 115 vorgegeben wurde. Die Auskoppelstruktur 115 ist linsenförmig ausgebildet. Wie in 8 dargestellt, wird zum Bilden der optischen Schicht 110 auf die erste Siloxan-Schicht 111 die zweite Siloxan-Schicht 112 aufgebracht. Die erste 111 und die zweite 112 Siloxan-Schicht sind beispielsweise mittels Sprühen oder mittels Rakeln aufgebracht.As in 7 was shown, a first siloxane layer was in process step b) 111 with decoupling structures 115 formed, liquid polysiloxane on the carrier film 200 was applied, and by means of the negative structure 250 the shape of the decoupling structures 115 was specified. The decoupling structure 115 is lenticular. As in 8th is used to form the optical layer 110 on the first siloxane layer 111 the second siloxane layer 112 applied. The first 111 and the second 112 Siloxane layers are applied, for example, by spraying or by knife coating.

Die erste Siloxan-Schicht 111 umfasst ein im gelben oder grünen Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial 118b, und die zweite Siloxan-Schicht 112 umfasst ein im roten Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial 118a.The first siloxane layer 111 comprises a conversion material emitting in the yellow or green wavelength range 118b , and the second siloxane layer 112 comprises a conversion material emitting in the red wavelength range 118a ,

In einem Verfahrensschritt c) wird die optische Schicht 110 ausgehärtet. Dabei wird die optische Schicht 110 mittels der Heizvorrichtung 301 auf maximal 100 °C, bevorzugt maximal 70°C erwärmt.In a process step c) the optical layer 110 hardened. The optical layer 110 by means of the heater 301 heated to a maximum of 100 ° C, preferably a maximum of 70 ° C.

Die 9 zeigt in einer schematischen Schnittansicht ein Stadium eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen von Auskoppelelementen 100 nachdem im Verfahrensschritt c) die optische Schicht 110 ausgehärtet wurde. In einem Verfahrensschritt d), nach dem Verfahrensschritt c), wurde die optische Schicht 110 von der Trägerfolie 200 abgelöst. Durch das Ablösen der Trägerfolie 200 von der optischen Schicht 110 wird die erste Hauptfläche 100a freigelegt. An der ersten Hauptfläche 100a der optischen Schicht 110 sind die Auskoppelstrukturen 115 ausgebildet. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Auskoppelstrukturen 115 linsenförmig ausgestaltet. Die optische Schicht 110 wird entlang der imaginären Trennlinien 90 in Auskoppelelemente 100 vereinzelt. Nach dem Vereinzeln umfasst jedes Auskoppelelement 100 zumindest eine Auskoppelstruktur 115.The 9 shows a schematic sectional view of a stage of an embodiment of the method for producing coupling elements 100 after in step c) the optical layer 110 has been cured. In a process step d), after process step c), the optical layer 110 from the carrier film 200 replaced. By peeling off the carrier film 200 from the optical layer 110 becomes the first main area 100a exposed. On the first main area 100a the optical layer 110 are the decoupling structures 115 educated. In this exemplary embodiment, the decoupling structures are 115 Lenticular. The optical layer 110 is along the imaginary dividing lines 90 in decoupling elements 100 sporadically. After separation, each decoupling element comprises 100 at least one decoupling structure 115 ,

Die 10 zeigt eine schematische Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels eines Auskoppelelements 100 und eines lichtemittierenden Halbleiterbauteils 1. Das Auskoppelelement 100 umfasst die erste Hauptfläche 100a und die gegenüberliegende zweite Hauptfläche 100b. Das Auskoppelelement 100 ist mit Polysiloxan gebildet und die erste Hauptfläche 100a weist die Auskoppelstruktur 115 auf. Die zweite Hauptfläche 100b ist eben ausgebildet und Seitenflächen 110, welche die erste Hauptfläche 100a und die zweite Hauptfläche 100b miteinander verbinden, weisen Spuren eines Vereinzelungsprozesses auf. Bei den Spuren des Vereinzelungsprozesses handelt es sich beispielsweise um Spuren eines Sägeprozesses oder eines Lasertrennprozesses.The 10 shows a schematic sectional view of an embodiment of a decoupling element 100 and a light emitting semiconductor device 1 , The decoupling element 100 includes the first major surface 100a and the opposite second major surface 100b , The decoupling element 100 is formed with polysiloxane and is the first major surface 100a has the decoupling structure 115 on. The second main area 100b is flat and has side surfaces 110 which is the first major area 100a and the second major area 100b connecting with each other shows traces of a separation process. The traces of the separation process are, for example, traces of a sawing process or a laser cutting process.

Das Auskoppelelement 100 ist mit der ersten Siloxan-Schicht 111 und der zweiten Siloxan-Schicht 112 gebildet. Die erste Hauptfläche 100a ist mit der ersten Siloxan-Schicht 111 gebildet, und die zweite Hauptfläche 100b ist mit der zweiten Siloxan-Schicht 112 gebildet. Die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 unterscheiden sich durch eine optische Eigenschaft K voneinander. Ferner sind die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 klarsichtig, und die optische Eigenschaft K, in der sich die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 unterscheiden, ist der Brechungsindex. Beispielsweise unterscheiden sich die erste Siloxan-Schicht 111 und die zweite Siloxan-Schicht 112 zumindest um 0,3 in ihrem Brechungsindex.The decoupling element 100 is with the first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 educated. The first main area 100a is with the first siloxane layer 111 formed, and the second major surface 100b is with the second siloxane layer 112 educated. The first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 differ by an optical property K from each other. Furthermore, the first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 clear-sighted, and the optical property K , in which the first siloxane layer 111 and the second siloxane layer 112 distinguish is the refractive index. For example, the first siloxane layer differs 111 and the second siloxane layer 112 at least by 0.3 in their refractive index.

Bei der Auskoppelstruktur 115 weist die Form von einer Linse auf. Alternativ kann die Auskoppelstruktur die Form einer Vielzahl von Linsen, Mikrolinsen, Fresnel-Linsen, Pyramiden, Prismen oder sonstiger Auskoppelstrukturen aufweisen.With the decoupling structure 115 has the shape of a lens. Alternatively, the outcoupling structure can have the form of a multiplicity of lenses, microlenses, Fresnel lenses, pyramids, prisms or other outcoupling structures.

Das lichtemittierende Halbleiterbauteil 1 umfasst einen Halbleiterchip 400 und das Auskoppelelement 100, wobei der Halbleiterchip 400 dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung L durch eine Abstrahlfläche 400a zu emittieren. Das Auskoppelelement 100 ist mit der zweiten Hauptfläche 100b auf der Abstrahlfläche 400a angeordnet, und zumindest ein Großteil der von dem Halbleiterchip 400 emittierten Strahlung L durchläuft das Auskoppelelement 100. Der Halbleiterchip 400 ist auf einem Träger 410 angeordnet und mittels eines Bonddrahtes 420 elektrisch leitend mit einem Bondpad 430 verbunden.The light emitting semiconductor device 1 comprises a semiconductor chip 400 and the decoupling element 100 , the semiconductor chip 400 is set up to electromagnetic radiation L through a radiation surface 400a to emit. The decoupling element 100 is with the second major surface 100b on the radiation surface 400a arranged, and at least a large part of that of the semiconductor chip 400 emitted radiation L passes through the decoupling element 100 , The semiconductor chip 400 is on a support 410 arranged and by means of a bond wire 420 electrically conductive with a bond pad 430 connected.

Von dem Halbleiterbauteil 1 emittierte elektromagnetische Strahlung L weist einen vorgegebenen Farbort in CIE-Normfarbsystem auf, wobei der x-Wert und/oder der y-Wert in Abhängigkeit der elektromagnetischen Strahlung L aus dem Auskoppelelement 100 um maximal 0,001 schwankt. Vorteilhafterweise weist das lichtemittierende Halbleiterbauteil 1 besonders vorteilhafte Abstrahleigenschaften auf, da der Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung L in Abhängigkeit vom Abstrahlwinkel W eine besonders geringe Schwankung aufweist.From the semiconductor device 1 emitted electromagnetic radiation L has a predefined color location in the CIE standard color system, the x value and / or the y value depending on the electromagnetic radiation L from the decoupling element 100 fluctuates by a maximum of 0.001. The light-emitting semiconductor component advantageously has 1 particularly advantageous radiation properties because the color location of the emitted electromagnetic radiation L depending on the beam angle W has a particularly small fluctuation.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not restricted to the exemplary embodiments by the description based on these. Rather, the invention encompasses every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the patent claims or exemplary embodiments.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Lichtemittierendes HalbleiterbauteilSemiconductor light emitting device
9090
Trennlinieparting line
100100
Auskoppelelementoutcoupling
100a100a
erste Hauptflächefirst main area
100b100b
zweite Hauptflächesecond main area
111111
erste Siloxan-Schichtfirst siloxane layer
112112
zweite Siloxan-Schichtsecond siloxane layer
115115
Auskoppelstrukturoutcoupling
118118
Konversionsmaterialconversion material
118a118a
rot emittierende Konversionsmaterialred emitting conversion material
118b118b
gelb konvertierendes Konversionsmaterialyellow conversion material
119119
Nanopartikelnanoparticles
200200
Trägerfoliesupport film
250250
Negativstrukturnegative structure
300300
Spannwerkzeugclamping tool
300a300a
Befestigungsflächemounting surface
301301
HeitzvorrichtungHeitz device
310310
Kanalchannel
400400
HalbleiterchipSemiconductor chip
410410
Trägercarrier
420420
Bonddrahtbonding wire
430430
Bondpadbonding pad
400a400a
Abstrahlflächeradiating
LL
elektromagnetische Strahlungelectromagnetic radiation
WW
Austrittswinkelexit angle

Claims (16)

Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen (100) mit den folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Trägerfolie (200) mit einer Negativstruktur (250); b) Ausbilden einer optischen Schicht (110) mit Auskoppelstrukturen (115), wobei - flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie (200) aufgebracht wird, und - mittels der Negativstruktur (250) die Form der Auskoppelstrukturen (115) vorgegeben wird; c) Aushärten der optischen Schicht (110); d) Ablösen der optischen Schicht (110) von der Trägerfolie (200) und Vereinzeln der optischen Schicht (110) in Auskoppelelemente (100).Method for producing coupling elements (100) with the following method steps: a) providing a carrier film (200) with a negative structure (250); b) forming an optical layer (110) with coupling-out structures (115), wherein - Liquid polysiloxane is applied to the carrier film (200), and - The shape of the coupling-out structures (115) is specified by means of the negative structure (250); c) curing the optical layer (110); d) detaching the optical layer (110) from the carrier film (200) and separating the optical layer (110) into coupling elements (100). Verfahren gemäß dem Anspruch 1, wobei in einem Verfahrensschritt a0), welcher vor dem Verfahrensschritt a) durchgeführt wird, - ein Spannwerkzeug (300) mit einer strukturierten Befestigungsfläche (300a) bereitgestellt wird, - die Trägerfolie (200) an der strukturierten Befestigungsfläche (300a) mittels Unterdruck befestigt wird, und - mittels der strukturierten Befestigungsfläche (300a) die Negativstruktur (250) der Trägerfolie (200) vorgegeben wird. Procedure according to the Claim 1 , wherein in a method step a0), which is carried out before method step a), - a tensioning tool (300) with a structured fastening surface (300a) is provided, - the carrier film (200) is fastened to the structured fastening surface (300a) by means of negative pressure , and - by means of the structured fastening surface (300a), the negative structure (250) of the carrier film (200) is predetermined. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Verfahrensschritt b) - die optische Schicht (110) mit einer ersten (111) und einer zweiten (112) Siloxan-Schicht gebildet wird, wobei - die erste Siloxan-Schicht (111) auf die Trägerfolie (200) aufgebracht wird, - die erste Siloxan-Schicht (111) angehärtet wird, und - eine zweite Siloxan-Schicht (112) auf die erste Siloxan-Schicht (111) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, wherein in method step b) - The optical layer (110) is formed with a first (111) and a second (112) siloxane layer, wherein - The first siloxane layer (111) is applied to the carrier film (200), - The first siloxane layer (111) is hardened, and - A second siloxane layer (112) is applied to the first siloxane layer (111). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die zweite Siloxan-Schicht (112) maximal 10 Sekunden nach der ersten Siloxan-Schicht (111) aufgebracht wird.Method according to the preceding claim, wherein the second siloxane layer (112) is applied at most 10 seconds after the first siloxane layer (111). Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die erste (111) und/oder die zweite (112) Siloxan-Schicht mittels Rakeln oder Sprühen aufgebracht wird.Procedure according to one of the Claims 3 or 4 , wherein the first (111) and / or the second (112) siloxane layer is applied by means of doctor blades or spraying. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die optische Schicht (110) ein Konversionsmaterial (118) und/oder Nanopartikel (119) umfasst, wobei mittels der Nanopartikel (119) der Brechungsindex der optischen Schicht (110) zumindest Abschnittsweise verändert ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the optical layer (110) comprises a conversion material (118) and / or nanoparticles (119), the refractive index of the optical layer (110) being changed at least in sections by means of the nanoparticles (119). Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Siloxan-Schicht (111) ein Konversionsmaterial (118) umfasst und die erste Siloxan-Schicht (112) klarsichtig ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the second siloxane layer (111) comprises a conversion material (118) and the first siloxane layer (112) is transparent. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei - die erste Siloxan-Schicht (111) ein im gelben und/oder grünen Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial (118b) umfasst, und - die zweite Siloxan-Schicht (112) ein im roten Wellenlängenbereich emittierendes Konversionsmaterial (118a) umfasst.Method according to one of the preceding claims, wherein - The first siloxane layer (111) comprises a conversion material (118b) emitting in the yellow and / or green wavelength range, and - The second siloxane layer (112) comprises a conversion material (118a) emitting in the red wavelength range. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei in Verfahrensschritt c) die optische Schicht (110) auf maximal 100°C erwärmt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein in method step c) the optical layer (110) is heated to a maximum of 100 ° C. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei - das Spannwerkzeug (300) eine Heitzvorrichtung (301) umfasst, und - im Verfahrensschritt c) die Temperatur der optischen Schicht (110) mittels der Heitzvorrichtung (301) eingestellt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein - The clamping tool (300) comprises a heating device (301), and - In method step c) the temperature of the optical layer (110) is set by means of the heating device (301). Auskoppelelement (100) mit einer ersten Hauptfläche (100a) und einer gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (100b), bei dem - das Auskoppelelement (100) mit Polysiloxan gebildet ist, - die erste Hauptfläche (100a) eine Auskoppelstruktur (115) aufweist, - die zweite Hauptfläche (100b) eben ausgebildet ist, und - Seitenflächen (100c), welche die erste Hauptfläche (100a) und die zweite Hauptfläche (100b) miteinander verbinden, Spuren eines Vereinzelungsprozesses aufweisen.Coupling element (100) with a first main surface (100a) and an opposite second main surface (100b), in which - The coupling element (100) is formed with polysiloxane, - the first main surface (100a) has a coupling-out structure (115), - The second main surface (100b) is flat, and - Side surfaces (100c) which connect the first main surface (100a) and the second main surface (100b) to one another have traces of a separation process. Auskoppelelement (100) gemäß dem vorherigen Anspruch mit einer ersten (111) und einer zweiten (112) Siloxan-Schicht, bei dem - die erste Hauptfläche (100a) mit der ersten Siloxan-Schicht (111) gebildet ist, - die zweite Hauptfläche (100b) mit der zweiten Siloxan-Schicht (112) gebildet ist, und - die erste (111) und die zweite (112) Siloxan-Schicht sich durch eine optische Eigenschaft (K) voneinander unterscheiden.Coupling element (100) according to the preceding claim with a first (111) and a second (112) siloxane layer, in which the first main surface (100a) is formed with the first siloxane layer (111), - The second main surface (100b) is formed with the second siloxane layer (112), and - The first (111) and the second (112) siloxane layer differ from one another by an optical property (K). Auskoppelelement (100) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - die erste (111) und die zweite (112) Siloxan-Schicht klarsichtig sind, und - die optische Eigenschaft (K), in der sich die erste (111) und zweite (112) Siloxan-Schicht sich unterscheiden, der Brechungsindex ist.Decoupling element (100) according to one of the preceding claims, in which - the first (111) and the second (112) siloxane layer are transparent, and - The optical property (K), in which the first (111) and second (112) siloxane layers differ, is the refractive index. Auskoppelelement (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Auskoppelstruktur (115) die Form von Linsen, Mikrolinsen, Fresnel-Linsen, Pyramiden, Prismen oder sonstigen Auskoppelstrukturen aufweisen.Outcoupling element (100) according to one of the preceding claims, wherein the outcoupling structure (115) has the shape of lenses, microlenses, Fresnel lenses, pyramids, prisms or other outcoupling structures. Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (1) umfassend einen Halbleiterchip (400) und ein Auskoppelelement (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - der Halbleiterchip (400) dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (L) durch eine Abstrahlfläche (400a) zu emittieren, - das Auskoppelelement (100) mit der zweiten Hauptfläche (100b) auf der Abstrahlfläche (400a) angeordnet ist, - zumindest ein Großteil der von dem Halbleiterchip (400) emittierten Strahlung (L) das Auskoppelelement (100) durchläuft.Light-emitting semiconductor component (1) comprising a semiconductor chip (400) and a coupling-out element (100) according to one of the preceding claims, in which - The semiconductor chip (400) is set up to emit electromagnetic radiation (L) through a radiation surface (400a), the coupling element (100) with the second main surface (100b) is arranged on the radiation surface (400a), - At least a large part of the radiation (L) emitted by the semiconductor chip (400) passes through the coupling-out element (100). Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem von dem Halbleiterbauteil (1) emittierte elektromagnetische Strahlung (L) einen vorgegebenen Farbort im CIE-Normfarbsystem aufweist, wobei der X-Wert und/oder der Y-Wert in Abhängigkeit von dem Austrittswinkel (W) der elektromagnetischen Strahlung (L) aus dem Auskoppelelement (100) um maximal 0,01 schwankt. Light-emitting semiconductor component (1) according to the preceding claim, in which electromagnetic radiation (L) emitted by the semiconductor component (1) has a predetermined color location in the CIE standard color system, the X value and / or the Y value depending on the exit angle (W) of the electromagnetic radiation (L) from the decoupling element (100) fluctuates by a maximum of 0.01.
DE102018119314.9A 2018-08-08 2018-08-08 Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component Withdrawn DE102018119314A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018119314.9A DE102018119314A1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018119314.9A DE102018119314A1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102018119314A1 true DE102018119314A1 (en) 2020-02-13

Family

ID=69186319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018119314.9A Withdrawn DE102018119314A1 (en) 2018-08-08 2018-08-08 Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102018119314A1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69833226T2 (en) * 1997-12-11 2006-09-14 Essilor International Compagnie Générale d'Optique METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL LENS WITH SURFACE MICROSTRUCTURE AND LENSES MADE THEREFOR
US20080079182A1 (en) * 2006-08-17 2008-04-03 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
DE60319721T2 (en) * 2002-07-01 2009-04-09 Essilor International Compagnie Générale d'Optique METHOD FOR PRODUCING A FORM PART WITH A CROPPED MAIN AREA CARRIED ON A UTILITY MICROSTRUCTURE
DE102011102350A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical element, optoelectronic component and method for the production of these
DE102012020363A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Rodenstock Gmbh Production of microstructured molds or stamps

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69833226T2 (en) * 1997-12-11 2006-09-14 Essilor International Compagnie Générale d'Optique METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL LENS WITH SURFACE MICROSTRUCTURE AND LENSES MADE THEREFOR
DE60319721T2 (en) * 2002-07-01 2009-04-09 Essilor International Compagnie Générale d'Optique METHOD FOR PRODUCING A FORM PART WITH A CROPPED MAIN AREA CARRIED ON A UTILITY MICROSTRUCTURE
US20080079182A1 (en) * 2006-08-17 2008-04-03 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
DE102011102350A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical element, optoelectronic component and method for the production of these
DE102012020363A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Rodenstock Gmbh Production of microstructured molds or stamps

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016150837A1 (en) Optoelectronic lighting device and method for the production of an optoelectronic lighting device
DE102012212963B4 (en) Process for producing an optoelectronic semiconductor component
WO2017037010A1 (en) Method for producing light-emitting diode filaments, and light-emitting diode filament
WO2012160107A2 (en) Optical element, optoelectronic component, and method for producing same
DE102012002605B9 (en) Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
WO2001080322A2 (en) High-radiance led chip and a method for producing the same
EP2474203B1 (en) Conversion agent body, optoelectronic semiconductor chip, and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
DE102012200973A1 (en) LIGHT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT
WO2015010997A1 (en) Surface-mountable optoelectronic semiconductor component and method for producing at least one surface-mountable optoelectronic semiconductor component
DE102013202906A1 (en) Method for producing an optoelectronic component
EP2989666B1 (en) Optoelectronic component and method for the production thereof
DE102015103571A1 (en) Method for producing a multiplicity of conversion elements, conversion element and optoelectronic component
DE102015102460A1 (en) Method for producing a light-emitting component and light-emitting component
DE102010043378A1 (en) Optoelectronic component for use as headlight in vehicle, has transparent plate e.g. glass plate, applied on conversion layer, where thermal expansion coefficients of transparent plate and semiconductor chip lie in same order of magnitude
DE10229231B4 (en) A method of manufacturing a radiation emitting and / or receiving semiconductor chip having a radiation input and / or output microstructure
DE102016100563B4 (en) Method for producing an optoelectronic lighting device and optoelectronic lighting device
WO2020094442A1 (en) Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component
EP2308105B1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102013206225A1 (en) Optoelectronic component and method for its production
WO2014019988A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing it
DE102018104382A1 (en) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD
DE102011013369A1 (en) A method of manufacturing a plurality of semiconductor devices
DE102018119314A1 (en) Process for the production of decoupling elements, decoupling element and light-emitting semiconductor component
WO2018234103A1 (en) Method for producing an optoelectronic component, and optoelectronic component
DE112017005653B4 (en) Lead frame, optoelectronic component with a lead frame and method for producing an optoelectronic component

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee