DE102017130764A1 - Vorrichtung mit Halbleiterchips auf einem Primärträger - Google Patents

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Abstract

Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Primärträger (3), einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet und auf dem Primärträger angeordnet sind, angegeben, wobei- auf den Halbleiterchips und dem Primärträger zumindest stellenweise ein Strahlungskonversionsmaterial (6) angeordnet ist, das von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umwandelt;- der Primärträger zumindest im Bereich der Halbleiterchips für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet ist;- die Vorrichtung einen Sekundärträger (4) aufweist, an dem der Primärträger befestigt ist;- auf einer dem Primärträger zugewandten Vorderseite (40) des Sekundärträgers ein Streukörper (5) angeordnet ist, wobei der Streukörper die Halbleiterchips überdeckt; und- im Betrieb der Vorrichtung zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger abgewandte Vorderseite (50) des Streukörpers und durch eine dem Primärträger abgewandte Rückseite (41) des Sekundärträgers austritt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung angegeben.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung betrifft eine insbesondere Strahlung emittierende Vorrichtung auf einem Primärträger und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung.
  • Konventionelle Glühbirnen werden inzwischen vermehrt durch Lichtquellen auf der Basis von Leuchtdioden ersetzt. Insbesondere finden LED-Filamente Anwendung, bei denen mehrere LEDs auf einem streifenförmigen Substrat angeordnet und von einer Silikonmatrix umschlossen sind. Diese LED-Filamente bilden den Glühfaden einer konventionellen Glühbirne nach und bewirken eine omnidirektionale Abstrahlung. Derartige Filamente können in einen Glaskolben eingebaut werden, der identisch zu den Gaskolben von Glühlampen ist. Die Herstellung solcher LED-Filamente unterscheidet sich jedoch stark von der Herstellung anderer LED-basierter Bauelemente, beispielsweise oberflächenmontierbarer Bauelemente. Dies erfordert typischerweise eine gesonderte Fertigungslinie für die LED-Filamente. Zudem ist die Herstellung kostenintensiv, da die Umhüllung mit der Silikonmatrix aufwendig ist und vergleichsweise viel Material benötigt.
  • Eine Aufgabe ist es, eine Vorrichtung anzugeben, die einfach und zuverlässig herstellbar ist und sich durch gute Abstrahlungseigenschaften auszeichnet. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem eine derartige Vorrichtung einfach und effizient hergestellt werden kann.
  • Diese Aufgaben werden unter anderem durch eine Vorrichtung beziehungsweise ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Es wird eine Vorrichtung angegeben, die insbesondere zur Erzeugung von Strahlung, etwa im sichtbaren Spektralbereich vorgesehen ist. Die Vorrichtung weist insbesondere eine Haupterstreckungsrichtung auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind. Beispielsweise sind die Halbleiterchips als Lumineszenzdiodenchips, insbesondere als Leuchtdiodenchips, ausgebildet. Die zu erzeugende Strahlung liegt beispielsweise im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich. Zum Beispiel weist die Vorrichtung mindestens fünf oder mindestens zehn Halbleiterchips auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung einen Primärträger auf. Der Primärträger ist mechanisch zumindest so stabil, dass er sein Eigengewicht tragen kann.
  • Zum Beispiel ist die Ausdehnung des Primärträgers entlang der Haupterstreckungsrichtung mindestens fünfmal so groß wie in einer senkrecht dazu verlaufenden Querrichtung. Insbesondere sind alle Halbleiterchips der Vorrichtung auf dem Primärträger angeordnet. Beispielsweise beträgt die Länge des Primärträgers, also die Ausdehnung entlang der Haupterstreckungsrichtung der Vorrichtung, mindestens 70 % oder mindestens 90 % der Ausdehnung der gesamten Vorrichtung entlang dieser Richtung.
  • Die Halbleiterchips sind beispielsweise auf dem Primärträger angeordnet und insbesondere an dem Primärträger befestigt. Zum Beispiel sind die Halbleiterchips entlang der Haupterstreckungsrichtung nebeneinander auf dem Primärträger angeordnet, insbesondere in genau einer Reihe.
  • In vertikaler Richtung gesehen befindet sich zwischen der Vorderseite des Primärträgers und den Halbleiterchips nur eine erste Verbindungsschicht, etwa eine Klebeschicht zur Befestigung der Halbleiterchips an dem Primärträger.
  • Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die senkrecht zur Vorderseite des Primärträgers verläuft.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung ein Strahlungskonversionsmaterial auf. Das Strahlungskonversionsmaterial ist dafür vorgesehen, von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln. Insbesondere ist das Strahlungskonversionsmaterial zumindest stellenweise auf den Halbleiterchips und dem Primärträger angeordnet. Beispielsweise wandelt das Strahlungskonversionsmaterial Primärstrahlung im blauen oder ultravioletten Spektralbereich teilweise in Sekundärstrahlung mit einer von der Primärstrahlung verschiedenen Peak-Wellenlänge, beispielsweise im gelben und/oder roten Spektralbereich, um, sodass die Vorrichtung insgesamt eine Mischstrahlung abstrahlt, die beispielsweise für das menschliche Auge weiß erscheint. Alternativ kann die Primärstrahlung, etwa im blauen oder ultravioletten Spektralbereich, auch vollständig in Sekundärstrahlung umgewandelt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist der Primärträger zumindest im Bereich der Halbleiterchips für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet. „Reflektierend ausgebildet“ bedeutet allgemein, dass zumindest ein Teil der auf den Primärträger auftreffenden Strahlung am Primärträger gerichtet und/oder diffus reflektiert wird. Beispielsweise werden mindestens 40% oder mindestens 60% oder mindestens 80% der auf den Primärträger auftreffenden Strahlung am Primärträger gerichtet und/oder diffus reflektiert. Mit anderen Worten ist der Primärträger beispielsweise für die Primärstrahlung teildurchlässig oder vollständig undurchlässig ausgebildet. Ein teildurchlässiger Primärträger ist beispielsweise so stark streuend ausgebildet, dass die von den Halbleiterchips auf den Primärträger abgestrahlte Strahlung nicht oder zumindest zu einem geringen Anteil, beispielsweise von höchstens 10 %, direkt in vertikaler Richtung durch den Primärträger hindurch tritt. „Direkt hindurch tritt“ bedeutet, dass die hindurch tretende Strahlung beim Durchtritt keinerlei Streuung erfährt.
  • Zum Beispiel ist der Primärträger aus einem reflektierenden Material gebildet. Alternativ oder ergänzend ist der Primärträger mit einem reflektierenden Material beschichtet. Zum Beispiel enthält der Primärträger eine diffus streuende Keramik oder besteht aus einem solchen Material. Zum Beispiel enthält die Keramik Aluminiumoxid.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung einen Sekundärträger auf. Der Primärträger ist insbesondere an dem Sekundärträger befestigt, etwa mittels einer zweiten Verbindungsschicht. In vertikaler Richtung gesehen erstreckt sich der Sekundärträger zwischen einer dem Primärträger zugewandten Vorderseite und einer vom Primärträger abgewandten Rückseite des Sekundärträgers. Die Rückseite bildet insbesondere eine Außenfläche der Vorrichtung. Der Sekundärträger ist insbesondere für die in den Halbleiterchips und/oder in dem Strahlungskonversionsmaterial erzeugte Strahlung durchlässig, insbesondere transparent ausgebildet. Beispielsweise werden bei einem vertikalen Strahlungsdurchtritt durch den Sekundärträger höchstens 5 % der Strahlung absorbiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung einen Streukörper auf. Der Streukörper überdeckt die Halbleiterchips zum Beispiel vollständig. Der Streukörper kann sich durchgängig über mehrere oder auch über alle Halbleiterchips der Vorrichtung erstrecken. Der Streukörper ist beispielsweise auf der Vorderseite des Sekundärträgers, insbesondere nur auf der Vorderseite des Sekundärträgers angeordnet. Die Seitenflächen des Sekundärträgers und/oder die Rückseite des Sekundärträgers sind zumindest stellenweise, insbesondere vollständig, frei von dem Streukörper.
  • Der Streukörper ist beispielsweise an das Strahlungskonversionsmaterial, den Primärträger, insbesondere an eine Seitenfläche des Primärträgers, und/oder den Sekundärträger, insbesondere an die Vorderseite des Sekundärträgers, angeformt und grenzt gegebenenfalls unmittelbar an eines oder mehrere dieser Elemente an.
  • Insbesondere grenzt der Streukörper an keiner Stelle direkt an die Halbleiterchips an. Zum Beispiel befindet sich an jeder Stelle zwischen den Halbleiterchips und dem Streukörper das Strahlungskonversionsmaterial.
  • Der Streukörper ist zweckmäßigerweise elektrisch isolierend ausgebildet. Beispielsweise enthält der Streukörper einen Kunststoff. Zum Beispiel ist der Kunststoff durch ein Formverfahren verarbeitbar.
  • Unter einem Formverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Formverfahren“ Gießen (molding), folienunterstützes Spritzpressen (film assisted transfer molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding), Spritzpressen mit flüssigem Ausgangsmaterial (liquid transfer molding) und Formpressen (compression molding).
  • Ein Querschnitt des Streukörpers verringert sich beispielsweise senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der Vorrichtung mit zunehmendem Abstand von der Haupterstreckungsrichtung. Beispielsweise ist ein Querschnitt des Streukörpers stellenweise gekrümmt, insbesondere an der Vorderseite des Streukörpers.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung tritt im Betrieb der Vorrichtung zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger abgewandte Vorderseite des Streukörpers und durch eine dem Primärträger abgewandte Rückseite des Sekundärträgers aus. Der Streukörper und der Sekundärträger bilden also jeweils Außenflächen der Vorrichtung, an denen die Strahlung austritt.
  • In mindestens einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung einen Primärträger und eine Mehrzahl von Halbleiterchips, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet und auf dem Primärträger angeordnet sind, auf, wobei auf den Halbleiterchips und dem Primärträger zumindest stellenweise ein Strahlungskonversionsmaterial angeordnet ist, das von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umwandelt. Der Primärträger ist zumindest im Bereich der Halbleiterchips für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet. Die Vorrichtung weist einen Sekundärträger auf, an dem der Primärträger befestigt ist. Auf einer dem Primärträger zugewandten Vorderseite des Sekundärträgers ist ein Streukörper angeordnet, wobei der Streukörper die Halbleiterchips überdeckt. Im Betrieb der Vorrichtung tritt zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger abgewandte Vorderseite des Streukörpers und durch eine dem Primärträger abgewandte Rückseite des Sekundärträgers aus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung schließen eine Seitenfläche des Primärträgers und das Strahlungskonversionsmaterial bündig ab. Das Strahlungskonversionsmaterial erstreckt sich also in lateraler Richtung zumindest stellenweise bis zu einem Rand des Primärträgers und endet dort.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weisen die Seitenfläche des Primärträgers und das Strahlungskonversionsmaterial Spuren eines Materialabtrags auf. Die Spuren sind beispielsweise Spuren eines mechanischen Materialabtrags, etwa durch Sägen, eines chemischen Materialabtrags, etwa durch Ätzen, oder eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung, etwa durch ein Lasertrennverfahren. Der Materialabtrag entsteht bei der Herstellung insbesondere während eines Vereinzelungsschritts, in dem die Primärträger aus einem Verbund vereinzelt werden. Insbesondere kann der Primärträger zumindest an zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen oder auch an vier Seitenflächen jeweils solche Spuren aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung treten mindestens 30 % und höchstens 60 % der insgesamt abgestrahlten Strahlung durch den Sekundärträger aus der Vorrichtung aus. Der übrige Anteil tritt insbesondere durch den Streukörper aus der Vorrichtung aus. Der Streukörper ist beispielsweise so ausgebildet, dass die Vorrichtung in einem Schnitt senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung in alle Winkel abstrahlt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung enthält der Streukörper zu einem Anteil von mindestens 5 Gew.-% und höchstens 30 Gew.-% Diffusoren. Es hat sich gezeigt, dass ein Diffusor-Anteil in diesem Bereich eine effiziente Rückstreuung in Richtung des Sekundärträgers bewirkt, ohne zu große Einbußen in der Gesamteffizienz hinnehmen zu müssen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist eine Querausdehnung des Streukörpers entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung und parallel zur Vorderseite des Sekundärträgers verlaufenden Richtung zwischen einschließlich doppelt so groß und einschließlich zehnmal so groß wie eine Querausdehnung des Primärträgers entlang dieser Richtung, insbesondere zwischen einschließlich dreimal so groß und einschließlich siebenmal so groß. Eine effiziente Rückstreuung in Richtung des Sekundärträgers ist so bei einer gleichzeitig vergleichsweise geringen lateralen Ausdehnung des Streukörpers erzielbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist die Vorrichtung entlang der Haupterstreckungsrichtung an gegenüberliegenden Enden jeweils einen Endkontakt auf. Beispielsweise sind die Endkontakte auf dem Sekundärträger angeordnet. Die Endkontakte bilden jeweils eine von außen für die externe elektrische Kontaktierung der Vorrichtung zugängliche Kontaktfläche, sodass durch Anlegen einer elektrischen Spannung im Betrieb der Vorrichtung zwischen den zwei Endkontakten ein Strom durch die Vorrichtung fließt und Strahlung erzeugt wird.
  • Die Endkontakte können weiterhin für eine Befestigung der Vorrichtung vorgesehen sein. Beispielsweise sind die Endkontakte der Vorrichtung so ausgebildet, dass sie punktschweißbar sind. Zum Beispiel enthalten die Endkontakte ein Metall, etwa Stahl.
  • Insbesondere sind die Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbunden, so dass alle Halbleiterchips über die genau zwei Endkontakte elektrisch betreibbar sind. Beispielsweise befinden sich alle Halbleiterchips der Vorrichtung in einer elektrischen Serienverschaltung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung weist der Primärträger entlang der Haupterstreckungsrichtung an gegenüberliegenden Enden jeweils eine Anschlussfläche auf. Die Anschlussflächen sind beispielsweise jeweils über eine Verbindungsleitung mit dem der jeweiligen Anschlussfläche am nächsten gelegenen Halbleiterchip verbunden. Zum Beispiel sind die Endkontakte jeweils mit einer der Anschlussflächen über einen Verbinder elektrisch leitend verbunden. Der Verbinder ist beispielsweise eine Verbindungsleitung wie eine Drahtbond-Verbindung oder ein Verbindungsmittel, etwa ein elektrisch leitfähiger Klebstoff oder ein Lot.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Vorrichtung ist die Vorrichtung ein LED-Filament. Für die externe elektrische Kontaktierung der Vorrichtung in einem Glaskolben ist das LED-Filament insbesondere punktschweißbar ausgebildet.
  • Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Vorrichtungen angegeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Primärträgerverbund mit einer Mehrzahl von Primärträgerbereichen bereitgestellt wird. Die Primärträgerbereiche sind beispielsweise entlang einer Richtung oder entlang zweier senkrecht zueinander verlaufenden Richtungen nebeneinander angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung eingerichteten Halbleiterchips auf dem Primärträgerverbund angeordnet und insbesondere befestigt wird, etwa mittels einer ersten Verbindungsschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Halbleiterchips der jeweiligen Primärträgerbereiche hergestellt wird. Insbesondere werden alle Halbleiterchips eines Primärträgerbereichs zueinander elektrisch in Serie verschaltet. Die jeweils den Enden der Primärträgerbereiche am nächsten liegenden Halbleiterchips werden beispielsweise mit Anschlussflächen auf dem Primärträgerbereich elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise werden benachbarte Halbleiterchips jeweils über Verbindungsleitungen, etwa Drahtbond-Verbindungen miteinander elektrisch leitend verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Strahlungskonversionsmaterial auf dem Primärträgerverbund mit den Halbleiterchips aufgebracht wird. Der Primärträgerverbund kann vollflächig oder im Wesentlichen vollflächig mit dem Strahlungskonversionsmaterial beschichtet werden, etwa zu einem Flächenanteil von mindestens 90 %. Insbesondere werden auch die Seitenflächen der Halbleiterchips vollständig mit Strahlungskonversionsmaterial bedeckt. Insbesondere wird das gesamte Strahlungskonversionsmaterial, das in der herzustellenden Vorrichtung enthalten ist, in einem einzigen Schritt und insbesondere nur auf einer Seite des Primärträgerverbunds aufgebracht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem der Primärträgerverbund in eine Mehrzahl von Primärträgern vereinzelt wird, insbesondere zwischen benachbarten Primärträgerbereichen. Beim Vereinzeln entstehen die Seitenflächen des Primärträgers, insbesondere nach dem Aufbringen des Strahlungskonversionsmaterials. Die Seitenflächen sind frei von dem Strahlungskonversionsmaterial.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem der Primärträger auf einem Sekundärträger angeordnet und insbesondere befestigt wird, etwa mit einer zweiten Verbindungsschicht. Der Sekundärträger kann bereits vorgefertigt vorliegen oder sich noch in einem Verbund befinden, der zu einem späteren Zeitpunkt durchtrennt wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Streukörper auf dem Sekundärträger mit dem Primärträger ausgebildet wird, insbesondere mittels eines Formverfahrens. Der Streukörper wird insbesondere an das Strahlungskonversionsmaterial und den Sekundärträger angeformt. Beispielsweise wird zumindest ein Primärträger auf dem zugehörigen Sekundärträger für das Ausbilden des Streukörpers in eine Gießform eingebracht. Der Begriff „Gießform“ bezeichnet allgemein die für das Formverfahren verwendete Form und impliziert keine Einschränkung auf ein bestimmtes Formverfahren.
  • Zum Zeitpunkt des Aufbringens des Streukörpers kann der Sekundärträger bereits Endkontakte für die externe elektrische Kontaktierung der Vorrichtung aufweisen. Zumindest ein Teil der Endkontakte bleibt frei vom Streukörper, so dass die Endkontakte extern für die elektrische Kontaktierung zugänglich sind.
  • In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Primärträgerverbund mit einer Mehrzahl von Primärträgerbereichen bereitgestellt. Einer Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung eingerichteten Halbleiterchips wird auf dem Primärträgerverbund angeordnet. Eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Halbleiterchips der jeweiligen Primärträgerbereiche wird hergestellt. Ein Strahlungskonversionsmaterial wird auf dem Primärträgerverbund mit den Halbleiterchips aufgebracht. Der Primärträgerverbund wird zwischen benachbarten Primärträgerbereichen in eine Mehrzahl von Primärträgern vereinzelt. Einer der Primärträger wird auf einem Sekundärträger angeordnet. Ein Streukörper wird auf dem Sekundärträger mit dem Primärträger ausgebildet.
  • Das Verfahren wird vorzugsweise in der angegebenen Reihenfolge der obigen Aufzählung durchgeführt. Insbesondere ist das Vereinzeln der letzte Bearbeitungsschritt für den Primärträger, sodass alle vorhergehenden Herstellungsschritte in einem Verbund durchgeführt werden können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Strahlungskonversionsmaterial durch ein Sprühverfahren aufgebracht. Aufgrund der vergleichsweise dichten Anordnung der Halbleiterchips auf dem Primärträgerverbund kann das Strahlungskonversionsmaterial mit vergleichsweise geringem Materialbedarf effizient erfolgen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Sekundärträger beim Anordnen des Primärträgers in einem Sekundärträgerverbund bereitgestellt und der Sekundärträgerverbund wird nach dem Ausbilden des Streukörpers vereinzelt. Insbesondere können auf dem Sekundärträgerverbund mehrere Streukörper gleichzeitig ausgebildet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Strahlungskonversionsmaterial beim Vereinzeln des Primärträgerverbunds durchtrennt. Strahlungskonversionsmaterial und Material des Primärträgerverbunds können also in einem gemeinsamen Schritt bearbeitet werden, etwa durch Sägen oder ein anderes vorstehend genanntes Vereinzelungsverfahren.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weisen die vereinzelten Primärträger jeweils zwei Anschlussflächen, die mit den Halbleiterchips auf dem Primärträger elektrisch leitend verbunden sind, auf, wobei der Sekundärträger Endkontakte für die externe elektrische Kontaktierung der Vorrichtung aufweist und wobei die Endkontakte vor dem Ausbilden des Streukörpers jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden. Dies kann zusammen mit der Befestigung des Primärträgers am Sekundärträger oder nach der Befestigung des Primärträgers am Sekundärträger erfolgen.
  • Das beschriebene Verfahren eignet sich besonders für die Herstellung einer vorstehend beschriebenen Vorrichtung. Im Zusammenhang mit der Vorrichtung beschriebene Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
  • Mit der Vorrichtung beziehungsweise dem Verfahren können insbesondere die folgenden Effekte erzielt werden.
  • Die Vorrichtungen sind mit einem ähnlichen Prozessablauf herstellbar wie andere Bauelemente, die einen Leiterrahmen aufweisen, beispielsweise oberflächenmontierbare Bauelemente. Insbesondere können die Halbleiterchips auf dem Primärträgerverbund angeordnet werden, noch bevor der Primärträger vereinzelt wird. Es ist also nicht erforderlich, bereits vereinzelte Träger wie beispielsweise Glasstreifen mit einzelnen Halbleiterchips zu bestücken.
  • Auf dem Primärträger kann weiterhin das Strahlungskonversionsmaterial aufgebracht werden, beispielsweise durch eine Sprühbeschichtung. Da die Querausdehnung der Primärträger klein gegenüber der Querausdehnung der Sekundärträger ist, kann die Beschichtung des Primärträgers bei einer hohen Packungsdichte der Halbleiterchips erfolgen, was zu geringem Materialverbrauch und damit zu hohen Kosteneinsparungen führt.
  • Weiterhin ist eine einseitige Beschichtung des Primärträgers ausreichend, insbesondere da der Primärträger strahlungsundurchlässig ausgebildet ist und somit die Halbleiterchips nur durch das Strahlungskonversionsmaterial auf der Vorderseite des Primärträgers hindurch abstrahlen können. In konventionellen LED-Filamenten ist im Unterschied hierzu typischerweise eine beidseitige Konverterschicht erforderlich.
  • Insgesamt ist das Volumen des Strahlungskonversionsmaterials auf ein Minimum reduziert. Dadurch ergibt sich für die Vorrichtung ein filigranes Erscheinungsbild. Gängige LED-Filamente wirken im Unterschied hierzu oft dick und klobig.
  • Der Primärträger mit den Halbleiterchips und dem Strahlungskonversionsmaterial stellt nach der Vereinzelung einen „leuchtenden Streifen“ dar, welcher nachfolgend auf einen Sekundärträger aufgebracht werden kann. Dieser Sekundärträger kann die mechanische Stabilität der Vorrichtung erhöhen und zugleich als Wärmesenke dienen. Für den Sekundärträger kann ein kostengünstiges Material gewählt werden, beispielsweise ein Glas.
  • Der „leuchtende Streifen“ würde für sich genommen nicht in Richtung der Rückseite des Primärträgers abstrahlen und folglich eine stark asymmetrische Lichtverteilung bewirken. Mittels des Streukörpers kann jedoch die Abstrahlcharakteristik der Vorrichtung gesteuert werden.
  • Insbesondere kann eine effiziente Umlenkung eines Teils der abgestrahlten Strahlung erzielt werden, so dass die Vorrichtung senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung in alle Winkel abstrahlt. Eine näherungsweise omnidirektionale Lichtverteilung kann so erreicht werden.
  • Insgesamt kann durch die Kombination eines reflektierenden, beispielsweise eines strahlungsundurchlässigen oder stark streuenden, Primärträgers mit einem strahlungsdurchlässigen Sekundärträger, insbesondere in Verbindung mit dem einseitigen Strahlungskonversionsmaterial und dem Streukörper auf besonders kostengünstige Weise eine Vorrichtung erzielt werden, welche eine näherungsweise omnidirektionale Abstrahlung und ein filigranes Erscheinungsbild vereint.
  • Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
  • Es zeigen:
    • Die 1A, 1B und 1C ein Ausführungsbeispiel für eine Vorrichtung anhand einer schematischen Draufsicht (1B), einer zugehörigen Schnittansicht entlang der Linie AA' in 1A und eines Simulationsergebnisses der räumlichen Abstrahlung in 1C; und
    • die 2A, 2B, 2C, 2D, 2E und 2F ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • In den 1A und 1B ist ein Ausführungsbeispiel für eine Vorrichtung 1 gezeigt. Die Vorrichtung 1 weist einen Primärträger 3 auf, auf dem eine Mehrzahl von Halbleiterchips 2, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind, angeordnet sind. Die Halbleiterchips 2 sind mittels einer ersten Verbindungsschicht 71 an dem Primärträger 3 befestigt.
  • Die Beschreibung erfolgt exemplarisch anhand einer Vorrichtung 1, die als ein LED-Filament ausgebildet ist. Grundsätzlich eignet sich die Ausgestaltung der Vorrichtung 1 jedoch auch für alle anderen Arten von Vorrichtungen, bei denen insbesondere eine omnidirektionale Abstrahlung gewünscht ist.
  • Der Primärträger 3 erstreckt sich in vertikaler Richtung zwischen einer den Halbleiterchips 2 zugewandten Vorderseite 30 und einer von den Halbleiterchips 2 abgewandten Rückseite 31.
  • Die Vorrichtung 1 umfasst weiterhin ein Strahlungskonversionsmaterial 6. Das Strahlungskonversionsmaterial 6 ist dafür vorgesehen, von den Halbleiterchips 2 erzeugte Primärstrahlung vollständig oder zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln, sodass die Vorrichtung 1 beispielsweise für das menschliche Auge weiß erscheinendes Licht abstrahlt. Das Strahlungskonversionsmaterial 6 grenzt an die Halbleiterchips 2 und eine Vorderseite 30 des Primärträgers 3 an.
  • Der Primärträger 3 ist für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet. Beispielsweise ist der Primärträger 3 für die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung strahlungsundurchlässig ausgebildet. Die Strahlung kann also nicht vom Halbleiterchip 2 direkt in vertikaler Richtung durch den Primärträger 3 hindurch abgestrahlt werden.
  • Das Strahlungskonversionsmaterial 6 überdeckt die Halbleiterchips 2, insbesondere auch die Seitenflächen der Halbleiterchips, vollständig, sodass aus den Halbleiterchips 2 keine Strahlung austreten kann, ohne das Strahlungskonversionsmaterial 6 zu passieren.
  • Davon abweichend kann der Primärträger 3 auch für die Primärstrahlung teildurchlässig, insbesondere stark streuend, ausgebildet sein. Auch wenn in diesem Fall ein überhöhter Anteil an unkonvertierter Primärstrahlung durch den Primärträger hindurch tritt, kann durch eine hinreichend starke Streuung im Primärträger eine ausreichend hohe Farbhomogenität erzielt werden.
  • Die Vorrichtung 1 umfasst weiterhin einen Sekundärträger 4. Der Sekundärträger 4 erstreckt sich in vertikaler Richtung zwischen einer dem Primärträger 3 zugewandten Vorderseite 40 und einer vom Primärträger 3 abgewandten Rückseite 41.
  • Auf der Vorderseite 40 des Sekundärträgers 4 ist ein Streukörper 5 der Vorrichtung 1 angeordnet. Der Streukörper 5 grenzt insbesondere unmittelbar an das Strahlungskonversionsmaterial 6 und an den Sekundärträger 4, insbesondere an die Vorderseite 40 des Sekundärträgers, an. Der Streukörper ist insbesondere an das Strahlungskonversionsmaterial 6 und den Sekundärträger 4 angeformt, so dass keine Verbindungsschicht wie eine Klebeschicht für die Befestigung des Streukörpers erforderlich ist.
  • Der Streukörper 5 ist dafür vorgesehen, von den Halbleiterchips 2 und dem Strahlungskonversionsmaterial 6 abgestrahlte Strahlung zu streuen und insbesondere zum Teil in Richtung des Sekundärträgers 4 umzulenken, sodass im Betrieb der Vorrichtung 1 auch durch die Rückseite 41 des Sekundärträgers 4 Strahlung austreten kann. Im Betrieb der Vorrichtung 1 tritt zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger 4 abgewandte Vorderseite 50 des Streukörpers 5 und durch die Rückseite 41 des Sekundärträgers 4 aus. Insbesondere tritt die gesamte aus der Vorrichtung 1 austretende Strahlung entweder durch den Streukörper 5 oder durch den Sekundärträger 4 aus.
  • Der Primärträger 3 mit den Halbleiterchips 2 und dem Strahlungskonversionsmaterial 6 bildet einen „leuchtenden Streifen“, wobei dieser leuchtende Streifen bei der Herstellung der Vorrichtung in einem Verbund gefertigt werden kann. Dies wird im Zusammenhang mit den 2A bis 2F näher erläutert. Das Strahlungskonversionsmaterial 6 und der Primärträger 3 schließen an einer Seitenfläche 35 des Primärträgers 3 bündig ab. Die Seitenflächen des Primärträgers und das Strahlungskonversionsmaterial weisen Spuren 351 eines Materialabtrags auf. Diese Spuren 351 entstehen bei der Vereinzelung des Primärträgers aus dem Verbund. Zur vereinfachten Darstellung sind die Spuren 351 lediglich in einem Teilbereich in 1B eingezeichnet. Die Spuren 351 können sich über die gesamte Seitenfläche 35 des Primärträgers 3 erstrecken und insbesondere auf zumindest zwei Seitenflächen 35 oder allen Seitenflächen des Primärträgers 3 vorhanden sein.
  • Die Vorrichtung 1 weist eine Haupterstreckungsrichtung 10 auf. Entlang dieser Haupterstreckungsrichtung 10 ist die Ausdehnung der Vorrichtung 1 groß im Vergleich zu einer Querausdehnung senkrecht dazu, beispielsweise mindestens fünfmal so groß oder mindestens zehnmal so groß.
  • Die Halbleiterchips 2 sind entlang der Haupterstreckungsrichtung 10 nebeneinander in einer Reihe, insbesondere in genau einer Reihe, angeordnet und mittels Verbindungsleitungen 89, etwa Drahtbondverbindungen, elektrisch leitend miteinander verbunden. Beispielsweise weisen die Halbleiterchips 2 jeweils zwei für die elektrische Kontaktierung vorgesehene Kontakte auf, welche auf einer den Primärträger 3 abgewandten Vorderseite der Halbleiterchips 2 für eine Kontaktierung über die Verbindungsleitungen 89 zur Verfügung stehen. Diese Kontakte sind zur vereinfachten Darstellung in den Figuren nicht explizit gezeigt.
  • Entlang der Haupterstreckungsrichtung gesehen weist die Vorrichtung 1 an gegenüberliegenden Enden der Vorrichtung 1 jeweils einen Endkontakt 81 auf. Durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung zwischen den Endkontakten 81 können alle Halbleiterchips 2 der Vorrichtung 1 bestromt werden, sodass die Halbleiterchips 2 Strahlung emittieren. Die Endkontakte 81 sind beispielsweise auf den Sekundärträger 4 angeordnet. Zum Beispiel sind die Endkontakte 81 punktschweißbar. Dadurch können die Endkontakte 81 sowohl der elektrischen Kontaktierung als auch der mechanischen Befestigung der Vorrichtung 1 dienen, beispielsweise in einem Glaskolben.
  • Der Primärträger 3 weist entlang der Haupterstreckungsrichtung 10 gesehen an gegenüberliegenden Enden jeweils eine Anschlussfläche 39 auf. Die Anschlussflächen 39 sind jeweils mit dem der Anschlussfläche am nächsten gelegenen Halbleiterchip 2 elektrisch leitend verbunden, etwa über eine Verbindungsleitung. Die Anschlussflächen 39 sind jeweils mit einem Endkontakt 81 der Vorrichtung 1 elektrisch leitend verbunden, etwa über einen Verbinder 85. Beispielsweise ist der Verbinder 85 ebenfalls eine Verbindungsleitung, etwa eine Drahtbondverbindung, oder ein Verbindungsmittel, wie beispielsweise ein elektrisch leitfähiger Klebstoff oder ein Lot.
  • Über den Streukörper 5 kann die räumliche Abstrahlcharakteristik der Vorrichtung 1 gezielt beeinflusst werden. Beispielsweise enthält der Streukörper 5 Diffusoren zu einem Anteil von mindestens 5 Gew.-% und höchstens 30 Gew.-%. Durch einen Diffusoranteil in diesem Bereich kann erzielt werden, dass ein hinreichend großer Anteil der insgesamt abgestrahlten Strahlung durch den Sekundärträger 4 austritt, obwohl eine direkte Strahlungseinkopplung in vertikaler Richtung unterhalb des Halbleiterchips 2 aufgrund des strahlungsundurchlässigen Primärträgers 3 nicht erfolgt.
  • Beispielsweise treten mindestens 30 % und höchstens 60 % der insgesamt abgestrahlten Strahlung durch den Sekundärträger 4 aus der Vorrichtung 1 aus. In 1C sind Simulationsergebnisse der Winkelverteilung der Abstrahlung senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung gezeigt.
  • Die Simulationen belegen, dass auch durch die Rückseite des Sekundärträgers 4 ein hinreichend großer Strahlungsanteil für eine zumindest näherungsweise gleichmäßige omnidirektionale Abstrahlung austritt.
  • Eine Querausdehnung 57 senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung 10 und parallel zur Vorderseite 40 des Sekundärträgers 4 ist insbesondere zwischen einschließlich doppelt so groß und einschließlich zehnmal so groß, beispielsweise zwischen einschließlich dreimal so groß und einschließlich siebenmal so groß wie eine Querausdehnung 37 des Primärträgers 3 entlang dieser Richtung.
  • Dadurch kann seitlich des Primärträgers 3 genügend Strahlung vom Streukörper 5 in den Sekundärträger 4 eingekoppelt werden, ohne eine übermäßig große Querausdehnung des Sekundärträgers 4 zu benötigen.
  • Der Sekundärträger 4 weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 300 µm und 1000 µm, etwa 700 µm, auf. Eine Querausdehnung des Sekundärträgers, also eine Ausdehnung zwischen den Seitenflächen 45 des Sekundärträgers, beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 1000 µm und einschließlich 3000 µm, etwa 2000 µm. Für den Sekundärträger 4 kann ein vergleichsweise kostengünstiges transparentes Material Anwendung finden, beispielsweise Glas. Neben seiner Funktion als mechanischer Träger kann der Sekundärträger 4 weiterhin die Funktion einer Wärmesenke erfüllen. Glas weist beispielsweise eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 1 W/(m·K) auf. Für eine weitergehende Steigerung der Wärmeabfuhr kann auch ein Material für den Sekundärträger Anwendung finden, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist, beispielsweise Saphir mit einer Wärmeleitfähigkeit von 30 W/(m·K).
  • Für den Primärträger 3 eignet sich beispielsweise eine Keramik, die stark streuend wirkt, etwa eine Aluminiumoxid enthaltende Keramik. Alternativ oder ergänzend kann der Primärträger 3 auch mittels einer reflektierenden Beschichtung an der Vorderseite 30 des Primärträgers reflektierend, beispielsweise strahlungsundurchlässig oder teildurchlässig, ausgebildet sein.
  • Im Unterschied zu einem konventionellen LED-Filament ist die Außenfläche der Vorrichtung 1 nicht durch ein Material gebildet, in das ein Strahlungskonversionsmaterial eingebettet ist. Dadurch ergibt sich für die Vorrichtung ein besonders filigraner optischer Eindruck.
  • Ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung ist in den 2A bis 2F schematisch anhand von Zwischenschritten dargestellt. Die Beschreibung erfolgt exemplarisch anhand einer Vorrichtung, die wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschrieben ausgebildet ist.
  • Ein Primärträgerverbund 300 mit einer Mehrzahl von Primärträgerbereichen 301 wird bereitgestellt. Zur vereinfachten Darstellung sind in 2A lediglich drei Primärträgerbereiche 301 gezeigt. Auf dem Primärträgerverbund 300 wird eine Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung eingerichteten Halbleiterchips 2 angeordnet und auf dem Primärträgerverbund befestigt, etwa mittels einer ersten Verbindungsschicht 71.
  • Zwischen den Halbleiterchips 2 eines Primärträgerbereichs 301 wird jeweils eine elektrisch leitende Verbindung dargestellt, etwa über Verbindungsleitungen, wie sie in 1B gezeigt sind. In der Schnittansicht der 2A sind diese Verbindungsleitungen nicht zu sehen.
  • Nachfolgend wird ein Strahlungskonversionsmaterial 6 auf die Halbleiterchips 2 aufgebracht (vergleiche 2B). Hierfür eignet sich insbesondere ein Sprühverfahren. Während dieses Herstellungsschritts sind die Halbleiterchips 2 in einer hohen Packungsdichte auf dem Primärträgerverbund 300 angeordnet, sodass ein Sprühverfahren keinen hohen Materialbedarf erfordert und dadurch kostengünstig durchgeführt werden kann. Nachfolgend wird der Primärträgerverbund 300, wie in 2C dargestellt, entlang von Vereinzelungslinien 91 zwischen benachbarten Primärträgerbereichen 301 vereinzelt.
  • Beim Vereinzeln wird auch das Strahlungskonversionsmaterial 6 durchtrennt, sodass das Strahlungskonversionsmaterial 6 bündig mit den beim Vereinzeln entstehenden Seitenflächen der einzelnen Primärträger abschließt. Durch dieses Vereinzeln entstehen „leuchtende Streifen“, die nachfolgend auf jeweils einen Sekundärträger gesetzt werden können.
  • Wie in 2D gezeigt, können die Primärträger 3 mit den darauf angeordneten Halbleiterchips auf einem Sekundärträgerverbund 400 angeordnet und mittels einer zweiten Verbindungsschicht 72 an dem Sekundärträgerverbund befestigt werden.
  • Für die erste Verbindungsschicht 71 und/oder die zweite Verbindungsschicht 72 eignet sich beispielsweise ein Klebstoff, insbesondere ein strahlungsdurchlässiger Klebstoff.
  • Nachfolgend wird auf den Sekundärträgerverbund 400 mit den Primärträgern 3 ein Streukörper 5 ausgebildet, beispielsweise mittels eines Formverfahrens (2E). Hierfür eignet sich beispielsweise Spritzgießen oder Spritzpressen oder ein anderes der im allgemeinen Teil genannten Formverfahren.
  • Zum Zeitpunkt des Ausbildens des Streukörpers 5 kann der Sekundärträger 4 bereits Endkontakte 81 aufweisen (vergleiche 1B), über die die herzustellende Vorrichtung 1 extern elektrisch kontaktierbar ist. Vorzugsweise werden die Anschlussflächen 39 auf dem Primärträger 3 vor dem Ausbilden des Streukörpers 5 elektrisch leitend miteinander verbunden, etwa mit einem Verbinder 85 (vergleiche 1B).
  • Der Sekundärträgerverbund 400 kann nachfolgend, wie in 2F gezeigt, entlang von weiteren Vereinzelungslinien 92 vereinzelt werden, sodass einzelne Vorrichtungen 1 entstehen.
  • Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend können die Sekundärträger 4 bei dem in 2D dargestellten Verfahrensschritt bereits in vereinzelter Form vorliegen, sodass ein abschließendes Vereinzeln des Sekundärträgerverbunds in Sekundärträger 4, wie in 2F dargestellt, nicht erforderlich ist.
  • Mit den beschriebenen Verfahren können die Halbleiterchips 2 noch im Verbund, also im Primärträgerverbund, befestigt, elektrisch kontaktiert und mit Strahlungskonversionsmaterial versehen werden. Die so entstehenden „leuchtenden Streifen“ können nachfolgend auf einen weiteren Träger, also den Sekundärträger, gesetzt werden. Das Strahlungskonversionsmaterial 6 kann einfach und kostengünstig durch ein Sprüh-Verfahren ausgebildet werden. Insbesondere reicht eine einseitige Beschichtung des Primärträgers 3. Dies führt zu erheblichen Materialeinsparungen und damit verbundenen Kostensenkungen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Vorrichtung
    10
    Haupterstreckungsrichtung
    2
    Halbleiterchip
    3
    Primärträger
    30
    Vorderseite des Primärträgers
    300
    Primärträgerverbund
    301
    Primärträgerbereich
    31
    Rückseite des Primärträgers
    35
    Seitenfläche des Sekundärträgers
    351
    Spuren
    37
    Querausdehnung
    39
    Anschlussfläche
    4
    Sekundärträger
    400
    Sekundärträgerverbund
    40
    Vorderseite des Sekundärträgers
    41
    Rückseite des Sekundärträgers
    45
    Seitenfläche des Sekundärträgers
    5
    Streukörper
    50
    Vorderseite
    55
    Diffusoren
    57
    Querausdehnung
    6
    Strahlungskonversionsmaterial
    71
    erste Verbindungsschicht
    72
    zweite Verbindungsschicht
    81
    Endkontakt
    85
    Verbinder
    89
    Verbindungsleitung
    91
    Vereinzelungslinie
    92
    weitere Vereinzelungslinie

Claims (16)

  1. Vorrichtung (1) mit einem Primärträger (3), einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet und auf dem Primärträger angeordnet sind, wobei - auf den Halbleiterchips und dem Primärträger zumindest stellenweise ein Strahlungskonversionsmaterial (6) angeordnet ist, das von den Halbleiterchips im Betrieb erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umwandelt; - der Primärträger zumindest im Bereich der Halbleiterchips für die Primärstrahlung reflektierend ausgebildet ist; - die Vorrichtung einen Sekundärträger (4) aufweist, an dem der Primärträger befestigt ist; - auf einer dem Primärträger zugewandten Vorderseite (40) des Sekundärträgers ein Streukörper (5) angeordnet ist, wobei der Streukörper die Halbleiterchips überdeckt; und - im Betrieb der Vorrichtung zumindest die Sekundärstrahlung durch eine dem Sekundärträger abgewandte Vorderseite (50) des Streukörpers und durch eine dem Primärträger abgewandte Rückseite (41) des Sekundärträgers austritt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Seitenfläche (35) des Primärträgers und das Strahlungskonversionsmaterial bündig abschließen.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Seitenfläche des Primärträgers und das Strahlungskonversionsmaterial Spuren (351) eines Materialabtrags aufweisen.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens 30 % und höchstens 60 % der insgesamt abgestrahlten Strahlung durch den Sekundärträger aus der Vorrichtung austreten.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Streukörper zu einem Anteil von mindestens 5 Gew.-% und höchstens 30 Gew.-% Diffusoren enthält.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterchips entlang einer Haupterstreckungsrichtung (10) der Vorrichtung nebeneinander angeordnet sind.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Querausdehnung (57) des Streukörpers entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung und parallel zur Vorderseite des Sekundärträgers verlaufenden Richtung zwischen einschließlich doppelt so groß und einschließlich zehnmal so groß ist wie eine Querausdehnung (37) des Primärträgers entlang dieser Richtung.
  8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorrichtung entlang der Haupterstreckungsrichtung an gegenüberliegenden Enden jeweils einen Endkontakt (81) aufweist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Primärträger entlang der Haupterstreckungsrichtung an gegenüberliegenden Enden jeweils eine Anschlussfläche (39) aufweist, die über eine Verbindungsleitung (89) mit dem der jeweiligen Anschlussfläche am nächsten gelegenen Halbleiterchip verbunden ist, wobei die Endkontakte auf dem Sekundärträger angeordnet und jeweils mit einer der Anschlussflächen über einen Verbinder (85) elektrisch leitend verbunden sind.
  10. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Vorrichtung ein LED-Filament ist.
  11. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Primärträgerverbunds (300) mit einer Mehrzahl von Primärträgerbereichen (301); b) Anordnen einer Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung eingerichteten Halbleiterchips auf dem Primärträgerverbund; c) Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Halbleiterchips der jeweiligen Primärträgerbereiche; d) Ausbilden eines Strahlungskonversionsmaterials (6) auf dem Primärträgerverbund mit den Halbleiterchips; e) Vereinzeln des Primärträgerverbunds zwischen benachbarten Primärträgerbereichen in eine Mehrzahl von Primärträgern; f) Anordnen eines der Primärträger auf einem Sekundärträger (4); und g) Ausbilden eines Streukörpers (5) auf dem Sekundärträger mit dem Primärträger.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Strahlungskonversionsmaterial in Schritt d) durch ein Sprühverfahren aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Sekundärträger in Schritt f) in einem Sekundärträgerverbund (400) bereitgestellt wird und der Sekundärträgerverbund nach Schritt g) vereinzelt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem das Strahlungskonversionsmaterial in Schritt c) durchtrennt wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, bei dem die vereinzelten Primärträger jeweils zwei Anschlussflächen (39), die mit den Halbleiterchips auf dem Primärträger elektrisch leitend verbunden sind, aufweisen, wobei der Sekundärträger Endkontakte (81) für die externe elektrische Kontaktierung der Vorrichtung aufweist und wobei die Endkontakte vor Schritt g) jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, bei dem eine Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt wird.
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