DE102017012256B3 - A cavity structure device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung (10) mit einer Substratanordnung (13) mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (11) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung (13) integriert ist. Ferner weist die Vorrichtung (10) eine zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (11, 12) angeordnete Hohlraumstruktur (14) auf, die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. Die vorliegende Offenbarung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Vorrichtung (10).The present disclosure relates to a device (10) having a substrate arrangement (13) with a first circuit arrangement (11), which heats up during operation, and a second circuit arrangement (12) which is integrated in a substrate material of the substrate arrangement (13). Furthermore, the device (10) has a cavity structure (14) which is arranged between the first and the second circuit arrangement (11, 12) and is formed in the substrate material and has a lower pressure than ambient atmospheric pressure. The present disclosure also relates to a method for producing such a device (10).
Description
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung mit einer Hohlraumstruktur sowie ein Verfahren zum Herstellen selbiger, und insbesondere eine Struktur und ein Verfahren für einen integrierten IR-Emitter, Filter und ASIC mit verringertem Energieverbrauch und verringertem Volumen.The present disclosure relates to an apparatus having a cavity structure and a method of manufacturing the same, and more particularly to a structure and method for an integrated IR emitter, filter and ASIC with reduced power consumption and reduced volume.
Bei integrierten Schaltkreisen, wie z.B. bei MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), spielen die Größe und die Höhe sowie die Verlustleistung eine große Rolle, insbesondere wenn der Chip in Mobilgeräten, wie z.B. in Smartphones, implementiert werden soll. Darüber hinaus sind die Kosten bei MEMS-Lösungen wichtig zu beachten.With integrated circuits, such as MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), the size and height as well as the power loss play a major role, especially if the chip is to be implemented in mobile devices such as smartphones. In addition, the costs of MEMS solutions are important to consider.
In der vorliegenden Offenbarung sollen beispielsweise eine integrierte Schaltungsanordnung und eine sich im Betrieb erwärmende Schaltungsanordnung in einem gemeinsamen Package implementiert werden, und zwar mit möglichst geringer Größe bzw. Höhe und geringen Kosten, sodass dieses Package beispielsweise in einem Mobilgerät eingesetzt werden kann.In the present disclosure, for example, an integrated circuit arrangement and a circuit arrangement that heats up during operation are to be implemented in a common package, specifically with the smallest possible size or height and low cost, so that this package can be used in a mobile device, for example.
Bevor auf die Konzepte der vorliegenden Offenbarung näher eingegangen wird, werden zuerst einige bisherige Lösungen kurz vorgestellt.Before the concepts of the present disclosure are discussed in more detail, some previous solutions are first briefly presented.
In der
In der
In der
Die
Die
Die
Bisher bekannte Lösungen sind jedoch zu groß. Außerdem weisen sie eine sehr ho he Verlustleistung und somit eine große Wärmeabgabe auf. Sie sind deshalb nicht für die Anwendung in Mobilgeräten geeignet.However, previously known solutions are too large. In addition, they have a very high power loss and thus a large amount of heat dissipation. They are therefore not suitable for use in mobile devices.
Es wäre daher wünschenswert, eine Lösung zur Minimierung der Größe eines Packages bei gleichzeitiger Reduzierung der Kosten, und gleichzeitiger Senkung der Verlustleistung im Anwendungsfall bereitzustellen.It would therefore be desirable to provide a solution for minimizing the size of a package while at the same time reducing costs and at the same time reducing the power dissipation in the application.
Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung betrifft eine Vorrichtung mit einer Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung und einer zweiten Schaltungsanordnung, die in einem Substratmaterial der Substratanordnung integriert ist, und einer zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung angeordneten Hohlraumstruktur, die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist.One aspect of the present disclosure relates to a device with a substrate arrangement with a first circuit arrangement which heats up during operation and a second circuit arrangement which is integrated in a substrate material of the substrate arrangement and a cavity structure which is arranged between the first and the second circuit arrangement and which is in the substrate material is formed, and has a pressure lower than an ambient atmospheric pressure.
Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung betrifft ein Verfahren, bei dem eine Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung und einer zweiten Schaltungsanordnung, die in einem Substratmaterial der Substratanordnung integriert ist, bereitgestellt werden. Außerdem wird gemäß diesem Verfahren eine zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung angeordnete Hohlraumstruktur in dem Substratmaterial ausgebildet, wobei die Hohlraumstruktur einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist.A further aspect of the present disclosure relates to a method in which a substrate arrangement is provided with a first circuit arrangement, which heats up during operation, and a second circuit arrangement which is integrated in a substrate material of the substrate arrangement. In addition, according to this method, a cavity structure arranged between the first and the second circuit arrangement is formed in the substrate material, the cavity structure having a pressure that is lower than an ambient atmospheric pressure.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung sind in der Zeichnung dargestellt und werden nachstehend erläutert. Es zeigen:
-
1 eine seitliche Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
2A eine seitliche Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
2B eine seitliche Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
2C eine seitliche Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
2D eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3A einen ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß dieser Offenbarung, -
3B einen zweiten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3C einen dritten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3D einen vierten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3E einen fünften Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3F einen sechsten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3G einen siebten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3H einen achten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
31 einen neunten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3J einen zehnten Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3K einen elften Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
3L einen zwölften Schritt dieses Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, -
4 ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels für ein Verfahren gemäß der vorliegenden Offenbarung, und -
5 ein schematisches Blockdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispiels für ein Verfahren gemäß der vorliegenden Offenbarung.
-
1 a side sectional view of an embodiment of a device according to the present disclosure, -
2A a side sectional view of a further embodiment of a device according to the present disclosure, -
2 B a side sectional view of a further embodiment of a device according to the present disclosure, -
2C a side sectional view of a further embodiment of a device according to the present disclosure, -
2D a plan view of an embodiment of a device according to the present disclosure, -
3A a first step of an embodiment of a method for producing a device according to this disclosure, -
3B a second step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3C a third step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3D a fourth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3E a fifth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3F a sixth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3G a seventh step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3H an eighth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
31 a ninth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3Y a tenth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3K an eleventh step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
3L a twelfth step of this method for manufacturing a device according to the present disclosure, -
4th a schematic block diagram of an embodiment of a method according to the present disclosure, and -
5 a schematic block diagram of a further exemplary embodiment of a method according to the present disclosure.
Im Folgenden werden einige Ausführungsbeispiele mit Bezug auf die Figuren näher beschrieben, wobei Elemente mit derselben oder ähnlichen Funktion mit denselben Bezugszeichen versehen sind.Some exemplary embodiments are described in more detail below with reference to the figures, elements with the same or similar function being provided with the same reference symbols.
Die Substratanordnung
Die erste Schaltungsanordnung
Die Vorrichtung
Beispielsweise kann in der Hohlraumstruktur
Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann der Druck in der Hohlraumstruktur weniger als 10% oder weniger als 1% des Umgebungsatmosphärendrucks betragen. In der Hohlraumstruktur
Sinkt der Druck in der Hohlraumstruktur
Die
Beispielsweise zeigt
Diese Projektion P soll mit Bezug auf
Wie eingangs erwähnt, erstreckt sich die Hohlraumstruktur
Wie ferner zu erkennen ist, können hier die erste Schaltungsanordnung
In
In
Die
In
Auf der in
Auf den beiden Schichten
Wie in
Das Heizelement
Wie in
Die erste, sich im Betrieb erwärmende, Schaltungsanordnung
Die von der ersten Schaltungsanordnung
Dabei kann die Polysiliziumschicht
Die Heizelemente
Die über dem Wärmeverteilelement
Mit den bisher beschriebenen optionalen Schritten kann man also eine Substratanordnung
In
Auf der IR-Filterschicht
Wie in
Zum Bonden der beiden Wafer-Substrate
Somit erhält man eine aus zwei Substraten
Wie in
Wie in
In der Kavität
Es ist denkbar, dass die Reflektionsanordnung
Wie in
Das die zweite Schaltungsanordnung
An ebendieser Seite
Das Ergebnis des Bondens des ersten Wafer-Substrats
In
Mit den bisher beschriebenen, teils optionalen, Schritten kann man also eine Vorrichtung
Die Substratanordnung
Die in
Die Vorrichtung
Wie zuvor bereits erwähnt wurde, ist die Hohlraumstruktur
Wie bereits zuvor mit Bezug auf
Die von der ersten Schaltungsanordnung
Die von der ersten Schaltungsanordnung
Die in der Nebenabstrahlrichtung
Wie bereits zuvor mit Bezug auf
Das optische Filter
Gemäß einem Ausführungsbeispiel beträgt der in der zweiten Hohlraumstruktur
Das optische Filter
Gemäß dem in
Die dritte Teilsubstratanordnung
Wie in
Kontaktflächen
Die Kontaktflächen
Die
Der elektrische Anschluss
Hierfür kann beispielsweise eine solche TSV-Durchkontaktierung
Gemäß denkbarer Ausführungsbeispiele kann die Vorrichtung
Hierbei können die mehreren TSV-Durchkontaktierungen
Die oben beschriebenen Prozessschritte können an einem einzelnen Chip oder, zur Einsparung von Kosten, auf Wafer-Level ausgeführt werden. Im Letzteren Fall liegt am Ende ein Waferstack mit einer Vielzahl von den bisher beschriebenen Vorrichtungen
Dieser Waferstack kann, wie in
Optional kann vor dem Vereinzeln der Packages
In
Wie oben beschrieben wurde, kann die Vorrichtung
In Block
In Block
In Block
In Block
In Block
In Block
In Block
Nachdem die strukturellen Merkmale beschrieben wurden, soll die Funktionsweise unter Bezugnahme auf
Die hier offenbarte Vorrichtung
Das Heizelement
Dies wird in der Vorrichtung
Eine in der Hohlraumstruktur
Das Heizelement
Der IR-Emitter
Das Resultat ist, dass bei einer Vorrichtung
Auch die mit thermisch leitfähigem Material gefüllten TSV-Durchkontaktierungen
Je mehr TSV-Durchkontaktierungen
Nachfolgend soll der Gedanke dieser Offenbarung nochmals in anderen Worten zusammengefasst werden.The idea of this disclosure is to be summarized again in other words below.
Bei integrierten Schaltkreisen, wie z.B. bei MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), spielen die Größe und die Höhe sowie die Verlustleistung eine große Rolle, insbesondere wenn der Chip in Mobilgeräten, wie z.B. in Smartphones, implementiert werden soll. Darüber hinaus sind die Kosten bei MEMS-Lösungen wichtig zu beachten.With integrated circuits, such as MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), the size and height as well as the power loss play a major role, especially if the chip is to be implemented in mobile devices such as smartphones. In addition, the costs of MEMS solutions are important to consider.
In einem Beispiel der vorliegenden Offenbarung sollen beispielsweise ein IR-Emitter und ein IR-Filter in einem einzigen Package
Bekannte Lösungen hierfür sind jedoch zu groß und deshalb nicht für die Anwendung in Mobilgeräten geeignet.However, known solutions for this are too large and therefore not suitable for use in mobile devices.
Die vorliegende Offenbarung bietet eine Lösung zur Minimierung des kompletten IR-Emitter/Filter/ASIC Systems bei gleichzeitiger Reduzierung der Kosten. Außerdem wird gleichzeitig auch die Verlustleistung im Anwendungsfall gesenkt.The present disclosure offers a solution for minimizing the complete IR emitter / filter / ASIC system while at the same time reducing costs. In addition, the power loss in the application is reduced at the same time.
Bei bestehenden Konzepten sind der IR-Emitter, der Filter und der ASIC als separate Bauteile ausgebildet, die einzeln in einem gemeinsamen Gehäuse untergebracht werden müssen. In einigen speziellen Lösungen ist der Filter direkt auf dem Emitter angeordnet, was typischerweise Chip-on-Chip bewerkstelligt wird.In existing concepts, the IR emitter, the filter and the ASIC are designed as separate components that have to be housed individually in a common housing. In some special solutions, the filter is arranged directly on the emitter, which is typically done chip-on-chip.
Bestehende Lösungen für z.B. einen photoakustischen Gassensor sehen beispielsweise vor, dass der IR-Chip mit einer dünnen Heizmembran, einer Kavität im Siliziumsubstrat und optional einem Belüftungsloch ausgebildet werden. Um eine zu große Aufheizung des Filterchips zu vermeiden, wird ein aus SU8 (Polymer) bestehender Abstandshalter (standoff layer) zwischen den beiden Chips angeordnet, was Chip by Chip auf Chip-Level ausgeführt wird.Existing solutions for a photoacoustic gas sensor, for example, provide for the IR chip to be designed with a thin heating membrane, a cavity in the silicon substrate and, optionally, a ventilation hole. In order to avoid excessive heating of the filter chip, a standoff layer made of SU8 (polymer) is arranged between the two chips, which is done chip by chip at chip level.
Bei dieser Realisierung wird jedoch die Höhe der gesamten Anordnung aus Emitter und Filter sehr groß und kann sogar zu groß werden und/oder zu viel Hitze und Leistung abgeben um in mobilen Anwendungen Einsatz zu finden. In all diesen bekannten Anwendungen wird jedoch der ASIC separat unterhalb des Emitters angeordnet.With this implementation, however, the height of the entire arrangement of emitter and filter becomes very large and can even become too large and / or emit too much heat and power to be used in mobile applications. In all of these known applications, however, the ASIC is arranged separately below the emitter.
Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung hingegen sieht vor, die Vorrichtung
Konkret können Ausführungsbeispiele vorsehen, dass eine Kavität
Zu einem späteren Zeitpunkt in diesem Prozess kann dieser so gebildete Waferstack hermetisch mit dem ASIC-Wafer
Aufgrund des Vakuums in dieser Kavität
Aufgrund des Vakuums zwischen dem Emitter-Wafer
In diesem Beispiel sollten der ASIC-Chip
Einzelne Schritte eines möglichen Ausführungsbeispiels für ein Verfahren gemäß der vorliegenden Offenbarung sollen nachfolgend nochmals kurz und knapp, unter Bezugnahme auf die
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
Eine optional vorstellbare Lösung könnte vorsehen, den Filter
Zusammenfassend bieten die Vorrichtung bzw. das Verfahren gemäß der vorliegenden Offenbarung folgende Vorteile:
- • Strahlung im Vakuum reduziert Wärmeleitung
- • ein Aufheizen des ASICs
12 durch den Emitter 33 ,34 ,35 wird reduziert aufgrund des Vakuums zwischen den beiden Wafern (Emitter-Wafer 31 und ASIC-Wafer44 ) - • Reduzierung des gesamten Systemvolumens bezüglich Höhe und Fläche
- •
Integration von Filter 39 ,Heizsystem 33 ,34 ,35 und ASIC 12 auf Wafer-Level reduziert Kosten - •
der Chipstapel 10 kann mittels Microbumps62 und Micropillars auf einem PCB oder ähnlichem Substrat61 unterhalb von weiteren Chips, wie z.B. einem MEMS-Mikrofon, angeordnet werden - • mit wärmeleitfähigem Material (z.B. Kupfer)
gefüllte TSVs 55 könnenvom Emitter 33 ,34 ,35 abgegebene Wärme andem ASIC 12 vorbei und z.B. indas PCB 61 oder ein ähnliches Substrat ableiten.
- • Radiation in a vacuum reduces heat conduction
- • a heating up of the ASIC
12th through theemitter 33 ,34 ,35 is reduced due to the vacuum between the two wafers (emitter wafer 31 and ASIC wafers44 ) - • Reduction of the total system volume in terms of height and area
- • Integration of
filters 39 ,Heating system 33 ,34 ,35 and ASIC12th reduces costs at wafer level - • the stack of
chips 10 can by means ofmicrobumps 62 and micropillars on a PCB orsimilar substrate 61 be arranged below other chips, such as a MEMS microphone - • TSVs filled with thermally conductive material (eg copper)
55 can from theemitter 33 ,34 ,35 dissipated heat at the ASIC12th over and e.g. in thePCB 61 or derive a similar substrate.
Die vorliegende Offenbarung kann die folgenden Aspekte aufweisen:
- 1. Vorrichtung (
10 ) mit einer Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (11 ) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12 ), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung integriert ist, und einer zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (11 ,12 ) angeordneten Hohlraumstruktur (14 ), die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. - 2. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei der Druck in der Hohlraumstruktur (14 ) wenigerals 10% oder weniger als 1% des Umgebungsatmosphärendrucks beträgt. - 3. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei sich die Hohlraumstruktur (14 ) zwischen den beiden Schaltungsanordnungen (11 ,12 ) in einer lateralen Richtung (X1 , Y1) erstreckt und zumindest die erste Schaltungsanordnung (11 ) oder die zweite Schaltungsanordnung (12 ) vollständig innerhalb einer Projektion der Hohlraumstruktur (14 ) senkrecht zu dieser lateralen Erstreckungsrichtung (X1, Y1) angeordnet ist. - 4. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei die Substratanordnung zwei übereinander gestapelte Teilsubstratanordnungen (S1 ,S2 ) aufweist, wobei eine erste Teilsubstratanordnung (S1 ) die erste Schaltungsanordnung (11 ) und eine zweite Teilsubstratanordnung (S2 ) die zweite Schaltungsanordnung (12 ) aufweist, und die Hohlraumstruktur (14 ) als eine verschlossene Ausnehmung in zumindest einer der beiden Teilsubstratanordnungen (S1 ,S2 ) ausgebildet ist. - 5. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei die Vorrichtung (10 ) ein mit der ersten Schaltungsanordnung (11 ) gekoppeltes Wärmeverteilelement (33 ) aufweist, das ausgebildet ist, um die von der ersten Schaltungsanordnung (11 ) erzeugte Wärme etwa gleichmäßig über die gesamte Oberfläche des Wärmeverteilelements (33 ) zu verteilen. - 6. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei die erste Schaltungsanordnung (11 ) einen IR-Emitter (33 ,35 ) aufweist. - 7. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei die Vorrichtung (10 ) eine Reflektionsanordnung (43 ) zum Reflektieren einer von der ersten Schaltungsanordnung (11 ) abgegebenen Wärmestrahlung aufweist, wobei die Reflektionsanordnung (43 ) innerhalb der Hohlraumstruktur (14 ) an einem der ersten Schaltungsanordnung (11 ) zugewandten Oberflächenbereich der Hohlraumstruktur (14 ) angeordnet ist. - 8. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt1 , wobei die Vorrichtung (10 ) ein optisches Filter (39 ) aufweist, das ausgebildet ist, um eine von der ersten Schaltungsanordnung (11 ) ausgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu filtern, wobei das optische Filter (39 ) in einer Hauptabstrahlrichtung (47 ) der elektromagnetischen Strahlung nach der ersten Schaltungsanordnung (11 ) angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten Schaltungsanordnung (11 ) und dem Filter (39 ) eine zweite Hohlraumstruktur (41 ) ausgebildet ist, die einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. - 9. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt8 , wobei der Druck in der zweiten Hohlraumstruktur (41 ) wenigerals 10% oder weniger als 1% des Umgebungsatmosphärendrucks beträgt. - 10. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt8 , wobei das optische Filter (39 ) monolithisch mit der Substratanordnung ausgebildet ist. - 11. Vorrichtung (
10 ) nach Aspekt8 , wobei das optische Filter (39 ) an einer dritten Teilsubstratanordnung (S3 ) angeordnet ist, und diese dritte Teilsubstratanordnung (S3 ) mit der Substratanordnung verbunden ist. - 12. Vorrichtung (
10 ) Aspekt1 , wobei die Substratanordnung zumindest einen elektrischen Anschluss (51 ) zum Kontaktieren der ersten Schaltungsanordnung (11 ) und zumindest einen elektrischen Anschluss (52 ) zum Kontaktieren der zweiten Schaltungsanordnung (12 ) aufweist, wobei Kontaktflächen (53 ) der elektrischen Anschlüsse (51 ,52 ) an einem die zweite Schaltungsanordnung (12 ) aufweisenden Abschnitt der Substratanordnung angeordnet sind. - 13. Vorrichtung (
10 )nach Aspekt 12 , wobei durch die Substratanordnung hindurch eine Durchkontaktierung (55 ) ausgebildet ist, die eine Kontaktfläche (53 ) des zumindest einen elektrischen Anschluss (51 ) zum Kontaktieren der ersten Schaltungsanordnung (11 ) elektrisch leitend mit der ersten integrierten Schaltungsanordnung (11 ) verbindet, wobei diese Durchkontaktierung (55 ) mit einem thermisch und elektrisch leitfähigen Material gefüllt ist. - 14. Vorrichtung (
10 )nach Aspekt 13 , wobei die Vorrichtung (10 ) eine Vielzahl von lateral um die Hohlraumstruktur (14 ) herum angeordneten, mit einem thermisch und elektrisch leitfähigen Material gefüllten, Durchkontaktierungen (55 ) aufweist. - 15. Vorrichtung (
10 )nach Aspekt 13 , wobei ein Abstand (D1 ) zwischen der Durchkontaktierung (55 ) und der Hohlraumstruktur (14 ) geringer ist als ein Abstand (D2 ) zwischen der Durchkontaktierung (55 ) und einer Außenseite der Substratanordnung. - 16. Waferstack mit einer Vielzahl an Vorrichtungen (
10 ) gemäß Aspekt1 . - 17. Verfahren mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen einer Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (
11 ) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12 ), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung integriert ist, und - Ausbilden einer zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (
11 ,12 ) angeordneten Hohlraumstruktur (14 ) in dem Substratmaterial, wobei die Hohlraumstruktur (14 ) einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist.
- Bereitstellen einer Substratanordnung mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (
- 18. Verfahren nach Aspekt
17 , wobei der Schritt des Ausbildens der Hohlraumstruktur (14 ) beinhaltet, dass der Druck in der Hohlraumstruktur (14 ) wenigerals 10% oder weniger als 1% des Umgebungsatmosphärendrucks beträgt. - 19. Verfahren nach Aspekt
17 , wobei der Schritt des Bereitstellens der Substratanordnung beinhaltet, dass zwei Teilsubstratanordnungen (S1 ,S2 ) übereinander gestapelt werden, wobei eine erste Teilsubstratanordnung (S1 ) die erste Schaltungsanordnung (11 ) aufweist und eine zweite Teilsubstratanordnung (S2 ) die zweite Schaltungsanordnung (12 ) aufweist, und wobei der Schritt des Ausbildens der Hohlraumstruktur (14 ) beinhaltet, dass die Hohlraumstruktur (14 ) als eine verschlossene Ausnehmung (42 ) in zumindest einer der beiden Teilsubstratanordnungen (S1 ,S2 ) ausgebildet wird. - 20. Verfahren nach Aspekt
19 , wobei die erste Teilsubstratanordnung (S1 ) und die zweite Teilsubstratanordnung (S2 ) unter Anwendung eines Vakuum-BondVerfahrens miteinander verbunden werden. - 21. Verfahren nach Aspekt
17 , wobei eine Reflektionsanordnung (43 ) zum Reflektieren einer von der ersten Schaltungsanordnung (11 ) abgegebenen Wärmestrahlung bereitgestellt wird, wobei die Reflektionsanordnung (43 ) innerhalb der Hohlraumstruktur (14 ) an einem der ersten Schaltungsanordnung (11 ) zugewandten Oberflächenbereich der Hohlraumstruktur (14 ) angeordnet wird. - 22. Verfahren nach Aspekt
17 , aufweisend ein Bereitstellen eines optischen Filters (39 ), das ausgebildet ist, um eine von der ersten Schaltungsanordnung (11 ) ausgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu filtern, wobei das optische Filter (39 ) in einer Hauptabstrahlrichtung (47 ) der elektromagnetischen Strahlung nach der ersten Schaltungsanordnung (11 ) angeordnet wird, und Ausbilden einer zweiten Hohlraumstruktur (41 ) zwischen der ersten Schaltungsanordnung (11 ) und dem Filter (39 ), wobei die zweite Hohlraumstruktur (41 ) einen gegenüber dem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. - 23. Verfahren nach Aspekt
22 , wobei der Schritt des Ausbildens der zweiten Hohlraumstruktur (41 ) beinhaltet, dass der Druck in der zweiten Hohlraumstruktur (41 ) wenigerals 10% oder weniger als 1% des Umgebungsatmosphärendrucks beträgt. - 24. Verfahren nach Aspekt
22 , wobei das optische Filter (39 ) monolithisch mit der Substratanordnung ausgebildet wird. - 25. Verfahren nach Aspekt
22 , wobei das optische Filter (39 ) an einer dritten Teilsubstratanordnung (S3 ) angeordnet wird, und diese dritte Teilsubstratanordnung (S3 ) mit der Substratanordnung verbunden wird. - 26. Verfahren nach Aspekt
17 , aufweisend ein Bereitstellen von zumindest einem elektrischen Anschluss (51 ) zum Kontaktieren der ersten Schaltungsanordnung (11 ) und zumindest einem elektrischen Anschluss (52 ) zum Kontaktieren der zweiten Schaltungsanordnung (12 ), wobei Kontaktflächen (53 ) der elektrischen Anschlüsse (51 ,52 ) an einem die zweite Schaltungsanordnung (12 ) aufweisenden Abschnitt der Substratanordnung angeordnet werden. - 27. Verfahren nach Aspekt
26 , aufweisend ein Ausbilden von zumindest einer sich durch die Substratanordnung hindurch erstreckenden Durchkontaktierung (55 ), die eine Kontaktfläche (53 ) des zumindest einen elektrischen Anschlusses (51 ) zum Kontaktieren der ersten Schaltungsanordnung (11 ) elektrisch leitend mit der ersten Schaltungsanordnung (11 ) verbindet, und Füllen dieser Durchkontaktierung (55 ) mit einem elektrisch und thermisch leitfähigen Material. - 28. Verfahren nach Aspekt
27 , ferner aufweisend ein Ausbilden einer Vielzahl von lateral um die Hohlraumstruktur (14 ) herum angeordneten, mit elektrisch und thermisch leitfähigem Material gefüllten, Durchkontaktierungen (55 ). - 29. Verfahren nach Aspekt
27 , wobei der Schritt des Ausbildens von zumindest einer Durchkontaktierung (55 ) beinhaltet, dass die zumindest eine Durchkontaktierung (55 ) derart gegenüber dem Hohlraum (14 ) angeordnet wird, dass ein Abstand (D1 ) zwischen der Durchkontaktierung (55 ) und der Hohlraumstruktur (14 ) geringer ist als ein Abstand (D2 ) zwischen der Durchkontaktierung (55 ) und einer Außenseite der Substratanordnung. - 30. Verfahren mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines ersten Wafersubstrats (
31 ) mit einer ersten Seite (30A) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (30B) , wobei auf der ersten Seite (30A) eine Wärmeverteilschicht (33 ) angeordnet ist, - Strukturieren eines Heizelements (
35 ) auf der Wärmeverteilschicht (33 ), - Ätzen einer Kavität (
14 ) in die zweite Seite (30B) des ersten Wafersubstrats (31 ) und Anordnen einer Wärmereflektionsschicht (43 ) am Grund der Kavität (14 ), - Bereitstellen eines zweiten Wafersubstrats (
44 ) mit einer integrierten Schaltung (12 ), und - Bonden des ersten und des zweiten Wafersubstrats (
31 ,44 ), wobei die Kavität (14 ) einen geschlossenen Hohlraum bildet, der zwischen der integrierten Schaltung (12 ) und der Wärmeverteilschicht (33 ) angeordnet ist und einen gegenüber dem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist.
- Bereitstellen eines ersten Wafersubstrats (
- 1. Device (
10 ) with a substrate arrangement with a first circuit arrangement which heats up during operation (11 ) and a second circuit arrangement (12th ), which is integrated in a substrate material of the substrate arrangement, and one between the first and the second circuit arrangement (11 ,12th ) arranged cavity structure (14th ), which is formed in the substrate material, and has a lower pressure compared to an ambient atmospheric pressure. - 2nd device (
10 ) by aspect1 , where the pressure in the cavity structure (14th ) is less than 10% or less than 1% of ambient atmospheric pressure. - 3rd device (
10 ) by aspect1 , where the cavity structure (14th ) between the two circuit arrangements (11 ,12th ) in a lateral direction (X 1 , Y 1 ) and at least the first circuit arrangement (11 ) or the second circuit arrangement (12th ) completely within a projection of the cavity structure (14th ) perpendicular to this lateral extension direction (X 1, Y 1 ) is arranged. - 4. Device (
10 ) by aspect1 , wherein the substrate arrangement is two sub-substrate arrangements stacked one on top of the other (S 1 ,S 2 ), wherein a first sub-substrate arrangement (S 1 ) the first circuit arrangement (11 ) and a second sub-substrate arrangement (S 2 ) the second circuit arrangement (12th ), and the cavity structure (14th ) as a closed recess in at least one of the two partial substrate arrangements (S 1 ,S 2 ) is trained. - 5th device (
10 ) by aspect1 , where the device (10 ) one with the first circuit arrangement (11 ) coupled heat distribution element (33 ), which is designed to be used by the first circuit arrangement (11 ) generated heat approximately evenly over the entire surface of the heat distribution element (33 ) to distribute. - 6. Device (
10 ) by aspect1 , where the first circuit arrangement (11 ) an IR emitter (33 ,35 ) having. - 7. Device (
10 ) by aspect1 , where the device (10 ) a reflection arrangement (43 ) to reflect one of the first circuit arrangement (11 ) emitted heat radiation, wherein the reflection arrangement (43 ) within the cavity structure (14th ) on one of the first circuit arrangement (11 ) facing surface area of the cavity structure (14th ) is arranged. - 8. Device (
10 ) by aspect1 , where the device (10 ) an optical filter (39 ), which is designed to provide one of the first circuit arrangement (11 ) to filter emitted electromagnetic radiation, whereby the optical filter (39 ) in a main radiation direction (47 ) the electromagnetic radiation after the first circuit arrangement (11 ) is arranged, and wherein between the first circuit arrangement (11 ) and the filter (39 ) a second cavity structure (41 ) is formed, which has a lower pressure compared to an ambient atmospheric pressure. - 9. Device (
10 ) by aspect8th , where the pressure in the second cavity structure (41 ) is less than 10% or less than 1% of ambient atmospheric pressure. - 10. Device (
10 ) by aspect8th , where the optical filter (39 ) is formed monolithically with the substrate arrangement. - 11. Device (
10 ) by aspect8th , where the optical filter (39 ) on a third sub-substrate arrangement (S 3 ) is arranged, and this third sub-substrate arrangement (S 3 ) is connected to the substrate arrangement. - 12. Device (
10 ) Aspect1 , wherein the substrate arrangement has at least one electrical connection (51 ) for contacting the first circuit arrangement (11 ) and at least one electrical connection (52 ) for contacting the second circuit arrangement (12th ), where contact surfaces (53 ) the electrical connections (51 ,52 ) on one the second circuit arrangement (12th ) having section of the substrate arrangement are arranged. - 13. Device (
10 ) by aspect12th , whereby a through-hole (55 ) is formed, which has a contact surface (53 ) of at least one electrical connection (51 ) for contacting the first circuit arrangement (11 ) electrically conductive with the first integrated circuit arrangement (11 ) connects, whereby this via (55 ) is filled with a thermally and electrically conductive material. - 14. Device (
10 ) by aspect13th , where the device (10 ) a multitude of laterally around the cavity structure (14th ) arranged around, filled with a thermally and electrically conductive material, vias (55 ) having. - 15. Device (
10 ) by aspect13th , where a distance (D 1 ) between the via (55 ) and the cavity structure (14th ) is less than a distance (D 2 ) between the via (55 ) and an outside of the substrate arrangement. - 16. Wafer stack with a variety of devices (
10 ) according to aspect1 . - 17. Procedure with the following steps:
- Providing a substrate arrangement with a first circuit arrangement which heats up during operation (
11 ) and a second circuit arrangement (12th ), which is integrated in a substrate material of the substrate arrangement, and - Forming a between the first and the second circuit arrangement (
11 ,12th ) arranged cavity structure (14th ) in the substrate material, the cavity structure (14th ) has a lower pressure compared to an ambient atmospheric pressure.
- Providing a substrate arrangement with a first circuit arrangement which heats up during operation (
- 18. Procedure by aspect
17th , wherein the step of forming the cavity structure (14th ) implies that the pressure in the cavity structure (14th ) is less than 10% or less than 1% of ambient atmospheric pressure. - 19. Procedure by aspect
17th , wherein the step of providing the substrate arrangement includes that two sub-substrate arrangements (S 1 ,S 2 ) are stacked on top of each other, with a first partial substrate arrangement (S 1 ) the first circuit arrangement (11 ) and a second sub-substrate arrangement (S 2 ) the second circuit arrangement (12th ), and wherein the step of forming the cavity structure (14th ) implies that the cavity structure (14th ) as a closed recess (42 ) in at least one of the two partial substrate arrangements (S 1 ,S 2 ) is trained. - 20. Procedure by aspect
19th , wherein the first sub-substrate arrangement (S 1 ) and the second sub-substrate arrangement (S 2 ) are connected to one another using a vacuum bonding process. - 21. Procedure by aspect
17th , where a reflection arrangement (43 ) to reflect one of the first circuit arrangement (11 ) emitted heat radiation is provided, wherein the reflection arrangement (43 ) within the cavity structure (14th ) on one of the first circuit arrangement (11 ) facing surface area of the cavity structure (14th ) is arranged. - 22. Procedure by Aspect
17th , comprising providing an optical filter (39 ), which is designed to provide one of the first circuit arrangement (11 ) to filter emitted electromagnetic radiation, whereby the optical filter (39 ) in a main radiation direction (47 ) the electromagnetic radiation after the first circuit arrangement (11 ) is arranged, and forming a second cavity structure (41 ) between the first circuit arrangement (11 ) and the filter (39 ), where the second cavity structure (41 ) has a lower pressure than the ambient atmospheric pressure. - 23. Procedure by aspect
22nd , wherein the step of forming the second cavity structure (41 ) implies that the pressure in the second cavity structure (41 ) is less than 10% or less than 1% of ambient atmospheric pressure. - 24. Procedure by aspect
22nd , where the optical filter (39 ) is formed monolithically with the substrate arrangement. - 25. Procedure by aspect
22nd , where the optical filter (39 ) on a third sub-substrate arrangement (S 3 ) is arranged, and this third sub-substrate arrangement (S 3 ) is connected to the substrate arrangement. - 26. Procedure by Aspect
17th , having a provision of at least one electrical connection (51 ) for contacting the first circuit arrangement (11 ) and at least one electrical connection (52 ) for contacting the second circuit arrangement (12th ), where contact areas (53 ) the electrical connections (51 ,52 ) on one the second circuit arrangement (12th ) having portion of the substrate arrangement are arranged. - 27. Procedure by aspect
26th , comprising the formation of at least one via extending through the substrate arrangement (55 ) that have a contact surface (53 ) of the at least one electrical connection (51 ) for contacting the first circuit arrangement (11 ) electrically conductive with the first circuit arrangement (11 ) connects, and filling this via (55 ) with an electrically and thermally conductive material. - 28. Procedure by aspect
27 , further comprising forming a plurality of laterally around the cavity structure (14th ) arranged around, filled with electrically and thermally conductive material, vias (55 ). - 29. Procedure by Aspect
27 , wherein the step of forming at least one via (55 ) includes that the at least one via (55 ) so opposite to the cavity (14th ) is arranged that a distance (D 1 ) between the via (55 ) and the cavity structure (14th ) is less than a distance (D 2 ) between the via (55 ) and an outside of the substrate arrangement. - 30. Procedure with the following steps:
- Providing a first wafer substrate (
31 ) with a first page (30A) and an opposite second side (30B) , where on the first page (30A) a heat distribution layer (33 ) is arranged, - Structuring a heating element (
35 ) on the heat distribution layer (33 ), - Etching a cavity (
14th ) in the second page (30B) of the first wafer substrate (31 ) and arranging a heat reflective layer (43 ) at the bottom of the cavity (14th ), - Providing a second wafer substrate (
44 ) with an integrated circuit (12th ), and - Bonding the first and second wafer substrates (
31 ,44 ), where the cavity (14th ) forms a closed cavity between the integrated circuit (12th ) and the heat distribution layer (33 ) is arranged and has a lower pressure compared to the ambient atmospheric pressure.
- Providing a first wafer substrate (
Obwohl manche Aspekte im Zusammenhang mit einer Vorrichtung beschrieben wurden, versteht es sich, dass diese Aspekte auch eine Beschreibung des entsprechenden Verfahrens darstellen, sodass ein Block oder ein Bauelement einer Vorrichtung auch als ein entsprechender Verfahrensschritt oder als ein Merkmal eines Verfahrensschrittes zu verstehen ist. Analog dazu stellen Aspekte, die im Zusammenhang mit einem oder als ein Verfahrensschritt beschrieben wurden, auch eine Beschreibung eines entsprechenden Blocks oder Details oder Merkmals einer entsprechenden Vorrichtung dar. Einige oder alle der Verfahrensschritte können durch einen Hardware-Apparat (oder unter Verwendung eines Hardware-Apparats), wie zum Beispiel einen Mikroprozessor, einen programmierbaren Computer oder einer elektronischen Schaltung durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsbeispielen können einige oder mehrere der wichtigsten Verfahrensschritte durch einen solchen Apparat ausgeführt werden.Although some aspects have been described in connection with a device, it goes without saying that these aspects also represent a description of the corresponding method, so that a block or a component of a device is also to be understood as a corresponding method step or as a feature of a method step. Analogously, aspects that have been described in connection with or as a method step also represent a description of a corresponding block or details or features of a corresponding device. Some or all of the method steps can be carried out by a hardware device (or using a hardware device). Apparatus), such as a microprocessor, a programmable computer or an electronic circuit. In some embodiments, some or more of the most important process steps can be performed by such an apparatus.
Je nach bestimmten Implementierungsanforderungen können Ausführungsbeispiele der Erfindung in Hardware oder in Software oder zumindest teilweise in Hardware oder zumindest teilweise in Software implementiert sein. Die Implementierung kann unter Verwendung eines digitalen Speichermediums, beispielsweise einer Floppy-Disk, einer DVD, einer BluRay Disc, einer CD, eines ROM, eines PROM, eines EPROM, eines EEPROM oder eines FLASH-Speichers, einer Festplatte oder eines anderen magnetischen oder optischen Speichers durchgeführt werden, auf dem elektronisch lesbare Steuersignale gespeichert sind, die mit einem programmierbaren Computersystem derart zusammenwirken können oder zusammenwirken, dass das jeweilige Verfahren durchgeführt wird. Deshalb kann das digitale Speichermedium computerlesbar sein.Depending on specific implementation requirements, exemplary embodiments of the invention can be implemented in hardware or in software or at least partially in hardware or at least partially in software. The implementation can be carried out using a digital storage medium, for example a floppy disk, a DVD, a BluRay disk, a CD, a ROM, a PROM, an EPROM, an EEPROM or a FLASH memory, a hard disk or any other magnetic or optical memory Memory are carried out on the electronically readable control signals are stored, which can interact with a programmable computer system or cooperate in such a way that the respective method is carried out. Therefore, the digital storage medium can be computer readable.
Manche Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung umfassen also einen Datenträger, der elektronisch lesbare Steuersignale aufweist, die in der Lage sind, mit einem programmierbaren Computersystem derart zusammenzuwirken, dass eines der hierin beschriebenen Verfahren durchgeführt wird.Some exemplary embodiments according to the invention thus include a data carrier which has electronically readable control signals which are capable of interacting with a programmable computer system in such a way that one of the methods described herein is carried out.
Allgemein können Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung als Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode implementiert sein, wobei der Programmcode dahin gehend wirksam ist, eines der Verfahren durchzuführen, wenn das Computerprogrammprodukt auf einem Computer abläuft.In general, exemplary embodiments of the present invention can be implemented as a computer program product with a program code, the program code being effective to carry out one of the methods when the computer program product runs on a computer.
Der Programmcode kann beispielsweise auch auf einem maschinenlesbaren Träger gespeichert sein.The program code can, for example, also be stored on a machine-readable carrier.
Andere Ausführungsbeispiele umfassen das Computerprogramm zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren, wobei das Computerprogramm auf einem maschinen-lesbaren Träger gespeichert ist. Mit anderen Worten ist ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens somit ein Computerprogramm, das einen Programmcode zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren aufweist, wenn das Computerprogramm auf einem Computer abläuft.Other exemplary embodiments include the computer program for performing one of the methods described herein, the computer program being stored on a machine-readable carrier. In other words, an exemplary embodiment of the method according to the invention is thus a computer program which has a program code for performing one of the methods described herein when the computer program runs on a computer.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Verfahren ist somit ein Datenträger (oder ein digitales Speichermedium oder ein computerlesbares Medium), auf dem das Computerprogramm zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren aufgezeichnet ist. Der Datenträger oder das digitale Speichermedium oder das computerlesbare Medium sind typischerweise greifbar und/oder nicht flüchtig.A further exemplary embodiment of the method according to the invention is thus a data carrier (or a digital storage medium or a computer-readable medium) on which the computer program for performing one of the methods described herein is recorded. The data carrier or the digital storage medium or the computer-readable medium are typically tangible and / or non-transitory.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist somit ein Datenstrom oder eine Sequenz von Signalen, der bzw. die das Computerprogramm zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren darstellt bzw. darstellen. Der Datenstrom oder die Sequenz von Signalen kann bzw. können beispielsweise dahin gehend konfiguriert sein, über eine Datenkommunikationsverbindung, beispielsweise über das Internet, transferiert zu werden.A further exemplary embodiment of the method according to the invention is thus a data stream or a sequence of signals which represents or represents the computer program for performing one of the methods described herein. The data stream or the sequence of signals can, for example, be configured to be transferred via a data communication connection, for example via the Internet.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel umfasst eine Verarbeitungseinrichtung, beispielsweise einen Computer oder ein programmierbares Logikbauelement, die dahin gehend konfiguriert oder angepasst ist, eines der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen.Another exemplary embodiment comprises a processing device, for example a computer or a programmable logic component, which is configured or adapted to carry out one of the methods described herein.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel umfasst einen Computer, auf dem das Computerprogramm zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren installiert ist.Another exemplary embodiment comprises a computer on which the computer program for performing one of the methods described herein is installed.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung umfasst eine Vorrichtung oder ein System, die bzw. das ausgelegt ist, um ein Computerprogramm zur Durchführung zumindest eines der hierin beschriebenen Verfahren zu einem Empfänger zu übertragen. Die Übertragung kann beispielsweise elektronisch oder optisch erfolgen. Der Empfänger kann beispielsweise ein Computer, ein Mobilgerät, ein Speichergerät oder eine ähnliche Vorrichtung sein. Die Vorrichtung oder das System kann beispielsweise einen Datei-Server zur Übertragung des Computerprogramms zu dem Empfänger umfassen.Another exemplary embodiment according to the invention comprises a device or a system which is designed to transmit a computer program for performing at least one of the methods described herein to a receiver. The transmission can take place electronically or optically, for example. The receiver can be, for example, a computer, a mobile device, a storage device or a similar device. The device or the system can, for example, comprise a file server for transmitting the computer program to the recipient.
Bei manchen Ausführungsbeispielen kann ein programmierbares Logikbauelement (beispielsweise ein feldprogrammierbares Gatterarray, ein FPGA) dazu verwendet werden, manche oder alle Funktionalitäten der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen. Bei manchen Ausführungsbeispielen kann ein feldprogrammierbares Gatterarray mit einem Mikroprozessor zusammenwirken, um eines der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen. Allgemein werden die Verfahren bei einigen Ausführungsbeispielen seitens einer beliebigen Hardwarevorrichtung durchgeführt. Diese kann eine universell einsetzbare Hardware wie ein Computerprozessor (CPU) sein oder für das Verfahren spezifische Hardware, wie beispielsweise ein ASIC.In some exemplary embodiments, a programmable logic component (for example a field-programmable gate array, an FPGA) can be used to carry out some or all of the functionalities of the methods described herein. In some exemplary embodiments, a field-programmable gate array can interact with a microprocessor in order to carry out one of the methods described herein. In general, in some exemplary embodiments, the methods are performed by any hardware device. This can be hardware that can be used universally, such as a computer processor (CPU), or hardware specific to the method, such as an ASIC, for example.
Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele stellen lediglich eine Veranschaulichung der Prinzipien der vorliegenden Erfindung dar. Es versteht sich, dass Modifikationen und Variationen der hierin beschriebenen Anordnungen und Einzelheiten anderen Fachleuten einleuchten werden. Deshalb ist beabsichtigt, dass die Erfindung lediglich durch den Schutzumfang der nachstehenden Patentansprüche und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die anhand der Beschreibung und der Erläuterung der Ausführungsbeispiele hierin präsentiert wurden, beschränkt sei.The embodiments described above are merely illustrative of the principles of the present invention. It is to be understood that modifications and variations of the arrangements and details described herein will be apparent to other skilled persons. It is therefore intended that the invention be limited only by the scope of protection of the following patent claims and not by the specific details presented herein with reference to the description and explanation of the exemplary embodiments.
Claims (28)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017012256.3A DE102017012256B3 (en) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | A cavity structure device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017012256.3A DE102017012256B3 (en) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | A cavity structure device and method of manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=75683663
Family Applications (1)
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DE102017012256.3A Active DE102017012256B3 (en) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | A cavity structure device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
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- 2017-03-22 DE DE102017012256.3A patent/DE102017012256B3/en active Active
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