DE102016117701A1 - Array substrate, display panel and display device - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Arraysubstrat bereit. Das Arraysubstrat weist mehrere Dünnschichttransistoren, die in einer Arrayanordnung ausgebildet sind, mehrere gemeinsame Elektroden, mehrere voneinander isolierte Pixelelektroden, die mit den gemeinsamen Elektroden gekoppelt sind, und mehrere Metallkontaktstellen auf, die mit den gemeinsamen Elektroden gekoppelt und in einer anderen Schicht als die gemeinsamen Elektroden bzw. die Pixelelektroden ausgebildet sind. Die Metallkontaktstellen sind mit Drain-Elektroden der Dünnschichttransistoren und Pixelelektroden elektrisch verbunden. Eine orthogonale Projektion einer Metallkontaktstelle auf das Arraysubstrat überlappt sich mit zumindest einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion einer entsprechenden gemeinsamen Elektrode auf das Arraysubstrat.The present disclosure provides an array substrate. The array substrate includes a plurality of thin film transistors formed in an array, a plurality of common electrodes, a plurality of mutually isolated pixel electrodes coupled to the common electrodes, and a plurality of metal pads coupled to the common electrodes and in a layer other than the common electrodes or the pixel electrodes are formed. The metal pads are electrically connected to drains of the thin film transistors and pixel electrodes. An orthogonal projection of a metal pad onto the array substrate overlaps at least a portion of an orthogonal projection of a corresponding common electrode on the array substrate.

Description

GEBIET DER OFFENBARUNG AREA OF REVELATION

Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein die Flüssigkristallanzeigetechnologie, und insbesondere betrifft sie ein Arraysubstrat, ein Anzeigefeld, in dem das Arraysubstrat aufgenommen ist, und eine Anzeigevorrichtung, in der das Anzeigefeld aufgenommen ist.  The present disclosure relates generally to liquid crystal display technology, and more particularly relates to an array substrate, a display panel in which the array substrate is housed, and a display device in which the display panel is accommodated.

HINTERGRUND BACKGROUND

Mit den Fortschritten in den Anzeigetechnologien sind die Auflösungen bei den Flüssigkristallanzeigen stetig besser geworden, und Flüssigkristallanzeigefelder sind in immer größerem Maße weitverbreitet.  With advances in display technologies, resolutions in liquid crystal displays have steadily improved and liquid crystal display panels are becoming more widely used.

Ein Flüssigkristallanzeigefeld kann mehrere Pixel im Anzeigebereich aufweisen. Jedes Pixel kann eine Pixelelektrode, einen Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode verbunden ist, und eine gemeinsame Elektrode aufweisen. Die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode sind zwei Elektroden eines Pixelspeicherkondensators. Die elektrische Ladung, die ein Speicherkondensator speichern kann, ist proportional zu den Flächen der beiden Elektroden und umgekehrt proportional zum Abstand zwischen den beiden Elektroden.  A liquid crystal display panel may have a plurality of pixels in the display area. Each pixel may include a pixel electrode, a thin film transistor connected to the pixel electrode, and a common electrode. The pixel electrode and the common electrode are two electrodes of a pixel storage capacitor. The electrical charge that a storage capacitor can store is proportional to the areas of the two electrodes and inversely proportional to the distance between the two electrodes.

Jedoch nimmt mit der durch die Marktnachfrage bedingten, zunehmenden Auflösung von Anzeigefeldern die Größe von Pixeln ab. Um zu vermeiden, dass dies sich auf die Öffnung auswirkt, werden Elektrodenflächen von Pixelspeicherkondensatoren oft verkleinert, was eine Verringerung der Pixelspeicherkapazität bewirkt.  However, with the increasing demand for display fields due to market demand, the size of pixels decreases. To avoid this affecting the aperture, electrode areas of pixel memory capacitors are often downsized, causing a reduction in pixel memory capacity.

Das offenbarte Arraysubstrat, das offenbarte Anzeigefeld und die offenbarte Anzeigevorrichtung sind auf die Lösung eines oder mehrere Probleme auf diesem technischen Gebiet gerichtet.  The disclosed array substrate, the disclosed display panel, and the disclosed display device are directed to solving one or more problems in this technical field.

KURZFASSUNG DER OFFENBARUNG BRIEF SUMMARY OF THE REVELATION

Die vorliegende Offenbarung ist auf die Lösung eines oder mehrerer oben dargelegter Probleme und weiterer Probleme auf diesem technischen Gebiet gerichtet und stellt daher ein Arraysubstrat, ein Anzeigefeld und eine Anzeigevorrichtung bereit.  The present disclosure is directed to solving one or more of the problems set forth above and other problems in the art, and therefore provides an array substrate, a display panel, and a display device.

Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein Arraysubstrat auf. Das Arraysubstrat weist mehrere Dünnschichttransistoren, die in einer Arrayanordnung ausgebildet sind, mehrere gemeinsame Elektroden, mehrere voneinander isolierte Pixelelektroden, die mit den gemeinsamen Elektroden gekoppelt sind, und mehrere Metallkontaktstellen auf, die mit den gemeinsamen Elektroden gekoppelt und in einer anderen Schicht als die gemeinsamen Elektroden bzw. die Pixelelektroden ausgebildet sind. Die Metallkontaktstellen sind mit Drain-Elektroden der Dünnschichttransistoren und Pixelelektroden elektrisch verbunden. Eine orthogonale Projektion einer Metallkontaktstelle auf das Arraysubstrat überlappt sich mit zumindest einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion einer entsprechenden gemeinsamen Elektrode auf das Arraysubstrat.  One aspect of the present disclosure includes an array substrate. The array substrate includes a plurality of thin film transistors formed in an array, a plurality of common electrodes, a plurality of mutually isolated pixel electrodes coupled to the common electrodes, and a plurality of metal pads coupled to the common electrodes and in a layer other than the common electrodes or the pixel electrodes are formed. The metal pads are electrically connected to drains of the thin film transistors and pixel electrodes. An orthogonal projection of a metal pad onto the array substrate overlaps at least a portion of an orthogonal projection of a corresponding common electrode on the array substrate.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein Anzeigefeld auf. Das Anzeigefeld weist ein offenbartes Arraysubstrat, ein Farbfiltersubstrat, das dem Arraysubstrat zugewandt ausgebildet ist, und eine Anzeigefunktionsschicht auf, die zwischen dem Arraysubstrat und dem Farbfiltersubstrat ausgebildet ist.  Another aspect of the present disclosure includes a display panel. The display panel includes a disclosed array substrate, a color filter substrate formed facing the array substrate, and a display functional layer formed between the array substrate and the color filter substrate.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung auf. Die Anzeigevorrichtung weist das offenbarte Anzeigefeld auf.  Another aspect of the present disclosure includes a display device. The display device has the disclosed display panel.

Weitere Aspekte der vorliegenden Offenbarung sind für den Fachmann im Lichte der Beschreibung, der Ansprüche und der Zeichnungen der vorliegenden Offenbarung verständlich.  Other aspects of the present disclosure will be understood by those skilled in the art in light of the description, claims, and drawings of the present disclosure.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Die folgenden Zeichnungen sind lediglich Beispiele zu veranschaulichenden Zwecken gemäß verschiedenen offenbarten Ausführungsformen und sollen den Umfang der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken.  The following drawings are merely examples for illustrative purposes in accordance with various disclosed embodiments and are not intended to limit the scope of the present disclosure.

1 stellt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 1 FIG. 12 illustrates a perspective view of an exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

2 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 2 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of an exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

3 stellt eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 2 längs der Richtung A-A dar, 3 FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of the array substrate in FIG 2 along the direction AA,

4 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 4 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of another exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

5 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 5 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of another exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

6 stellt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 6 FIG. 12 illustrates a perspective view of an exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

7 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 7 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of an exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

8 stellt eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 7 längs der Richtung B-B dar, 8th FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of the array substrate in FIG 7 along the direction BB,

9 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 9 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of another exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

10 stellt eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 9 längs der Richtung C-C dar, 10 FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of the array substrate in FIG 9 along the direction CC,

11 stellt eine Querschnittsansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 11 FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of another exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments. FIG.

12 stellt eine Querschnittsansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, in der Positionsverhältnisse der Schichten gezeigt sind, 12 FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of another exemplary array substrate in accordance with the disclosed embodiments, showing positional relationships of the layers; FIG.

13 stellt eine schematische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 13 FIG. 12 illustrates a schematic view of an exemplary display panel according to the disclosed embodiments. FIG.

14 stellt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, 14 FIG. 4 illustrates a perspective view of an exemplary display panel according to the disclosed embodiments. FIG.

15 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar, und 15 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of an exemplary display panel according to the disclosed embodiments; and FIG

16 stellt eine schematische Ansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung gemäß den offenbarten Ausführungsformen dar. 16 FIG. 12 illustrates a schematic view of an exemplary display device according to the disclosed embodiments. FIG.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DETAILED DESCRIPTION

Es wird nun im Einzelnen auf beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung Bezug genommen, die in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Soweit möglich, werden in den Zeichnungen durchgehend die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf die gleichen oder ähnliche Teile zu verweisen. Es sollte klar sein, dass die hierin beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen die vorliegende Erfindung nur veranschaulichen und erläutern sollen und die vorliegende Erfindung nicht einschränken sollen.  Reference will now be made in detail to exemplary embodiments of the disclosure, which are illustrated in the accompanying drawings. Wherever possible, the same reference numbers will be used throughout the drawings to refer to the same or like parts. It should be understood that the exemplary embodiments described herein are merely illustrative and illustrative of the present invention, and are not intended to limit the present invention.

1 stellt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats gemäß der vorliegenden Offenbarung dar. 2 stellt eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats gemäß der vorliegenden Offenbarung dar, d.h. eine vergrößerte Ansicht eines gestrichelt eingerahmten Bereichs 100 aus 1. 3 stellt eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 2 längs der Richtung A-A dar. 1 FIG. 12 illustrates a perspective view of an exemplary array substrate according to the present disclosure. FIG. 2 FIG. 12 illustrates a partial perspective view of an exemplary array substrate in accordance with the present disclosure, ie, an enlarged view of a dashed framed area. FIG 100 out 1 , 3 FIG. 12 illustrates a cross-sectional view of the array substrate in FIG 2 along the direction AA.

Mit Bezug auf die 1 bis 2 kann das Arraysubstrat mehrere Dünnschichttransistoren (TFTs) (thin film transistors) 110, die in einem Array angeordnet sind, mehrere gemeinsame Elektroden 120, mehrere voneinander isolierte Pixelelektroden 130 und mehrere Metallkontaktstellen 140 aufweisen. With reference to the 1 to 2 For example, the array substrate may include a plurality of thin film transistors (TFTs). 110 arranged in an array, a plurality of common electrodes 120 , several mutually isolated pixel electrodes 130 and several metal pads 140 exhibit.

Die Metallkontaktstellen können in einer anderen Schicht mit den gemeinsamen Elektroden 120 bzw. den Pixelelektroden 130 ausgebildet sein. Mit Bezug auf 3 können die Metallkontaktstellen 140 ferner mit einer Drain-Elektrode 111 des Dünnschichttransistors 110 und der Pixelelektrode 130 elektrisch verbunden sein. The metal pads may be in another layer with the common electrodes 120 or the pixel electrodes 130 be educated. Regarding 3 can the metal contact points 140 further with a drain electrode 111 of the thin film transistor 110 and the pixel electrode 130 be electrically connected.

Mit Bezug auf 1 kann das Arraysubstrat ferner auch mehrere Datenleitungen 150 und mehrere Abtastleitungen 160 aufweisen. Benachbarte Datenleitungen 150 und benachbarte Abtastleitungen 160 können einander schneiden und ein Pixel definieren. Jede Datenleitung 150 kann mit Source-Elektroden von Dünnschichttransistoren 110 aus einer selben Spalte elektrisch verbunden sein. Jede Abtastleitung 160 kann mit Gate-Elektroden von Dünnschichttransistoren aus einer selben Reihe elektrisch verbunden sein. Regarding 1 Further, the array substrate may also have a plurality of data lines 150 and a plurality of scanning lines 160 exhibit. Neighboring data lines 150 and adjacent scan lines 160 can intersect each other and define a pixel. Every data line 150 can with source electrodes of thin film transistors 110 be electrically connected from a same column. Each scan line 160 may be electrically connected to gate electrodes of thin film transistors from a same row.

Indem Abtastsignale an Abtastleitungen 160 angelegt werden, können die Dünnschichttransistoren 110, die durch eine selbe Abtastleitung 160 verbunden sind, durchgeschaltet werden. Datenspannungen können an Datenleitungen 150 angelegt werden, um Pixelelektroden 130 über die Dünnschichttransistoren 110 im leitenden Zustand aufzuladen, um elektrische Felder zwischen den entsprechenden Pixelelektroden 130 und den gemeinsamen Elektroden 120 zu bilden. Die elektrischen Felder können Flüssigkristalle so ansteuern, dass diese sich drehen, um eine Bildanzeige durch Pixel zu erzielen. Gleichzeitig können die überlappten Abschnitte der Pixelelektroden 130 und der gemeinsamen Elektroden 120 Pixelspeicherkondensatoren bilden. Mit Bezug auf 2 kann eine orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich mit zumindest einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion der gemeinsamen Elektrode 120 auf das Arraysubstrat überlappen. By scanning signals on scanning lines 160 can be applied, the thin-film transistors 110 passing through a same scan line 160 are connected through. Data voltages can be connected to data lines 150 be applied to pixel electrodes 130 over the thin-film transistors 110 in the conducting state to charge electric fields between the corresponding pixel electrodes 130 and the common electrodes 120 to build. The electric fields can drive liquid crystals to rotate to provide pixel image display. At the same time, the overlapped portions of the pixel electrodes 130 and the common electrodes 120 Form pixel storage capacitors. Regarding 2 may be an orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate aligns with at least a portion of an orthogonal projection of the common electrode 120 overlap on the array substrate.

Bei einer Ausführungsform können in einem Pixel die Pixelelektrode 130 und die Metallkontaktstelle 140 elektrisch so verbunden sein, dass die Pixelelektrode 130 und die Metallkontaktstelle 140 eine gleiche Spannung haben können. Da die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich mit zumindest einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der gemeinsamen Elektrode 120 auf das Arraysubstrat überlappen kann, kann die der gemeinsamen Elektrode 120 zugewandte Wirkfläche der Elektrode in einem einzelnen Pixelspeicherkondensator vergrößert werden. Somit kann die Kapazität eines einzelnen Pixelspeicherkondensators erhöht werden. In one embodiment, in one pixel, the pixel electrode may 130 and the metal pad 140 be electrically connected so that the pixel electrode 130 and the metal pad 140 can have the same voltage. Because the orthogonal projection of the metal pad 140 to the array substrate with at least a portion of the orthogonal projection of the common electrode 120 can overlap on the array substrate, that of the common electrode 120 facing active surface of the electrode can be increased in a single pixel storage capacitor. Thus, the capacity of a single pixel storage capacitor can be increased.

Insbesondere kann, nachdem das Laden einer Pixelelektrode 130 abgeschlossen ist, der Dünnschichttransistor 110 gesperrt werden. Die elektrische Ladung, die in dem Speicherkondensator zwischen der Pixelelektrode 130 und der gemeinsamen Elektrode 120 gespeichert ist, kann abnehmen. Wenn die Speicherkondensatoren keine ausreichende Kapazität aufweisen, wird das von den Pixeln angezeigte Bild möglicherweise nicht ausreichend lange aufrechterhalten, bis das Bild im nächsten Anzeigezyklus aufgefrischt wird. Infolgedessen flimmert das angezeigte Bild möglicherweise. In particular, after charging a pixel electrode 130 is completed, the thin-film transistor 110 be locked. The electrical charge in the storage capacitor between the pixel electrode 130 and the common electrode 120 saved, may decrease. If the storage capacitors do not have sufficient capacity, the image displayed by the pixels may not be sustained until the image is refreshed in the next display cycle. As a result, the displayed image may flicker.

Das Arraysubstrat gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Speicherkapazität für jedes einzelne Pixel erhöhen, so dass jedes einzelne Pixel das angezeigte Bild lange genug aufrechterhalten kann, bis das Bild im nächsten Zyklus aufgefrischt wird. Das offenbarte Arraysubstrat kann das Problem des Bildflimmerns bei Anzeigefeldern mit hoher PPI-Anzahl (Pixel pro Zoll) oder hoher Auflösung minimieren, wodurch die Bildanzeigequalität verbessert ist.  The array substrate according to the present disclosure can increase the storage capacity for each individual pixel so that each individual pixel can maintain the displayed image long enough for the image to be refreshed in the next cycle. The disclosed array substrate can minimize the problem of image flicker in high PPI (pixel per inch) or high resolution display panels, thereby improving image display quality.

Das Arraysubstrat gemäß der vorliegenden Offenbarung schränkt die Form und die Fläche der Metallkontaktstellen 140 nicht ein. Bei einer Ausführungsform kann, wie in 2 gezeigt, die Metallkontaktstelle 140 eine rechteckförmige Struktur sein und kann so angeordnet sein, dass sie ein Durchgangsloch umgibt, das die Pixelelektrode 130 und den Dünnschichttransistor 110 verbindet. Bei anderen Ausführungsformen können die Metallkontaktstellen 140 andere Formen aufweisen und noch größere Flächen haben. The array substrate according to the present disclosure restricts the shape and area of the metal pads 140 not a. In one embodiment, as in FIG 2 shown the metal contact point 140 may be a rectangular structure and may be arranged so as to surround a through-hole which is the pixel electrode 130 and the thin film transistor 110 combines. In other embodiments, the metal pads 140 have other shapes and have even larger areas.

In 4 ist eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 4 kann das Arraysubstrat mehrere Datenleitungen 150 aufweisen. Im Unterschied zum Arraysubstrat in 2 kann das Arraysubstrat, außer dass es so ausgebildet ist, dass es das Durchgangsloch umgibt, das die Pixelelektrode 130 und den Dünnschichttransistor 110 verbindet, weiter verlängert sein, und eine orthogonale Projektion auf das Arraysubstrat kann sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der Datenleitung 150 auf das Arraysubstrat überlappen. Des Weiteren kann der überlappte Abschnitt zwischen der orthogonalen Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat und der orthogonalen Projektion der Datenleitung 150 auf das Arraysubstrat sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der gemeinsamen Elektrode 120 auf das Arraysubstrat überlappen. In 4 FIG. 12 is a partial perspective view of another exemplary array substrate in accordance with the present disclosure. FIG. Regarding 4 The array substrate may have multiple data lines 150 exhibit. Unlike the array substrate in 2 For example, except that the array substrate is formed to surround the through hole, the array substrate may be the pixel electrode 130 and the thin film transistor 110 connects, be further extended, and an orthogonal projection onto the array substrate may coincide with a portion of the orthogonal projection of the data line 150 overlap on the array substrate. Furthermore, the overlapped portion may be between the orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate and the orthogonal projection of the data line 150 on the array substrate with a portion of the orthogonal projection of the common electrode 120 overlap on the array substrate.

Bei einer Ausführungsform kann, damit der Überlappungsbereich zwischen der Metallkontaktstelle 140 und der gemeinsamen Elektrode 120 weiter vergrößert wird, die Metallkontaktstelle 140 in solcher Weise ausgeführt sein, dass die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der Datenleitung 150 auf das Arraysubstrat überlappt. Somit kann die der gemeinsamen Elektrode 120 zugewandte Fläche der Elektrode in dem Speicherkondensator jedes einzelnen Pixels vergrößert werden und die Kapazität des Speicherkondensators in jedem einzelnen Pixel erhöht werden, um ein Flimmern bei Anzeigen mit hoher PPI-Anzahl oder hoher Auflösung zu minimieren und die Bildanzeigequalität zu verbessern. In one embodiment, so that the overlap area between the metal pad 140 and the common electrode 120 is further increased, the metal contact point 140 be executed in such a way that the orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate with a portion of the orthogonal projection of the data line 150 overlaps on the array substrate. Thus, that of the common electrode 120 surface of the electrode in the storage capacitor of each individual pixel can be increased and the capacity of the storage capacitor can be increased in each individual pixel to minimize flicker in high PPI or high resolution displays and to improve image display quality.

Ferner kann mit Bezug auf 4 die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich mit der orthogonalen Projektion des Dünnschichttransistors 110 auf das Arraysubstrat überlappen, um den Überlappungsbereich zwischen der Metallkontaktstelle 140 und der gemeinsamen Elektrode 120 weiter zu vergrößern und die Kapazität des Speicherkondensators in jedem einzelnen Pixel weiter zu erhöhen. Furthermore, with reference to 4 the orthogonal projection of the metal contact point 140 on the array substrate with the orthogonal projection of the thin film transistor 110 overlap on the array substrate to the overlap area between the metal pad 140 and the common electrode 120 to further increase and further increase the capacity of the storage capacitor in each individual pixel.

In 5 ist eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 5 kann das Arraysubstrat ferner mehrere Abtastleitungen 160 aufweisen. Die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat kann sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der Abtastleitung 160 auf das Arraysubstrat überlappen. Außerdem kann der Überlappungsabschnitt zwischen der Metallkontaktstelle 140 und der Abtastleitung 160 sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der gemeinsamen Elektrode 120 auf das Arraysubstrat überlappen. In 5 FIG. 12 is a partial perspective view of another exemplary array substrate in accordance with the present disclosure. FIG. Regarding 5 For example, the array substrate may also have a plurality of scan lines 160 exhibit. The orthogonal projection of the metal contact point 140 on the array substrate may coincide with a portion of the orthogonal projection of the scan line 160 overlap on the array substrate. In addition, the overlapping portion between the metal pad 140 and the scanning line 160 with a section of the orthogonal projection of the common electrode 120 overlap on the array substrate.

Bei einer Ausführungsform kann, damit der Überlappungsbereich zwischen der Metallkontaktstelle 140 und der gemeinsamen Elektrode 120 weiter vergrößert wird, die Metallkontaktstelle 140 in solcher Weise ausgeführt sein, dass die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der Abtastleitung 160 auf das Arraysubstrat überlappt. Somit kann die der gemeinsamen Elektrode 120 zugewandte Fläche der Elektrode in dem Speicherkondensator jedes einzelnen Pixels vergrößert werden und die Kapazität des Speicherkondensators in jedem einzelnen Pixel erhöht werden, um ein Flimmern bei Anzeigen mit hoher PPI-Anzahl oder hoher Auflösung zu minimieren und die Bildanzeigequalität zu verbessern. In one embodiment, so that the overlap area between the metal pad 140 and the common electrode 120 is further increased, the metal contact point 140 be executed in such a way that the orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate with a portion of the orthogonal projection of the scan line 160 overlaps on the array substrate. Thus, that of the common electrode 120 surface of the electrode in the storage capacitor of each individual pixel can be increased and the capacitance of the storage capacitor in each individual pixel can be increased to prevent flicker in high PPI displays. Minimize the number or high resolution and improve the image display quality.

In 6 ist eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 6 kann das Arraysubstrat mehrere Berührungssteuerelektroden 190 und mehrere Berührungssteuersignalleitungen 170 aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann jede Berührungssteuerelektrode 190 mit wenigstens einer entsprechenden Berührungssteuersignalleitung 170 verbunden sein. In 6 13 is a perspective view of an exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the present disclosure. Regarding 6 For example, the array substrate may include a plurality of touch control electrodes 190 and a plurality of touch control signal lines 170 exhibit. In one embodiment, each touch control electrode 190 with at least one corresponding touch control signal line 170 be connected.

Bei einer Ausführungsform können die Metallkontaktstellen 140 in einer selben Schicht mit den mehreren Berührungssteuersignalleitungen 170 ausgebildet sein. Bei einer weiteren Ausführungsform können die Metallkontaktstellen 140 in einer anderen Schicht als die mehreren Berührungssteuersignalleitungen 170 ausgebildet sein. In one embodiment, the metal pads 140 in a same layer with the plurality of touch control signal lines 170 be educated. In another embodiment, the metal pads 140 in a different layer than the plurality of touch control signal lines 170 be educated.

In 7 ist eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. 7 kann eine teilweise vergrößerte Ansicht des gestrichelt eingerahmten Bereichs 200 in 6 sein. In 8 ist eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 7 längs des Schnitts B-B dargestellt. In 7 FIG. 12 is a partial perspective view of an exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the present disclosure. FIG. 7 may be a partially enlarged view of the dashed framed area 200 in 6 be. In 8th FIG. 12 is a cross-sectional view of the array substrate in FIG 7 along the section BB shown.

Mit Bezug auf die 7 bis 8 kann bei einer Ausführungsform dann, wenn die Metallkontaktstelle 140 in einer von der Berührungssteuersignalleitung 170 verschiedenen Schicht in dem Anzeigefeld mit Berührungssteuerung ausgebildet ist, wo die Berührungssteuerelektroden 190 und die Berührungssteuersignalleitungen 170 im Inneren des Anzeigefeldes (in-cell) (in der Zelle) gelegen sind, die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat sich teilweise mit der orthogonalen Projektion der Datenleitung 150 und der des Dünnschichttransistors 110 auf das Arraysubstrat überlappen, um sicherzustellen, dass die Metallkontaktstelle 140 einen größeren Abdeckbereich hat und jedes einzelne Pixel eine größere Speicherkapazität hat. With reference to the 7 to 8th in one embodiment, if the metal pad 140 in one of the touch control signal line 170 layer is formed in the touch-control display panel where the touch-control electrodes 190 and the touch control signal lines 170 inside the display panel (in-cell) (in the cell), the orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate partially with the orthogonal projection of the data line 150 and the thin-film transistor 110 overlap on the array substrate to ensure that the metal pad 140 has a larger coverage area and each pixel has a larger storage capacity.

In 9 ist eine teilweise perspektivische Ansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats mit Berührungssteuerleitungen gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. In 10 ist eine Querschnittsansicht des Arraysubstrats in 9 längs der Richtung C-C dargestellt. Mit Bezug auf die 9 bis 10 können bei einer Ausführungsform dann, wenn die Metallkontaktstelle 140 in einer selben Schicht mit der Berührungssteuersignalleitung 170 ausgeführt ist, die Metallkontaktstelle 140 und die Berührungssteuersignalleitung 170 mit einem selben Material in einem selben Schritt des Herstellungsprozesses so gebildet sein, dass Herstellungskosten eingespart werden können, der Herstellungsprozess rationalisiert werden kann und der Produktionsausstoß erhöht werden kann. In 9 FIG. 12 is a partial perspective view of another exemplary array substrate with touch control lines in accordance with the present disclosure. FIG. In 10 FIG. 12 is a cross-sectional view of the array substrate in FIG 9 along the direction CC shown. With reference to the 9 to 10 In one embodiment, if the metal pad 140 in a same layer with the touch control signal line 170 is executed, the metal contact point 140 and the touch control signal line 170 be formed with a same material in a same step of the manufacturing process so that manufacturing costs can be saved, the manufacturing process can be rationalized and the production output can be increased.

Bei einer Ausführungsform kann jede Berührungssteuerelektrode mit einer entsprechenden Berührungssteuersignalleitung elektrisch verbunden sein. Bei anderen Ausführungsformen kann jede Berührungssteuerelektrode mit mehreren Berührungssteuersignalleitungen elektrisch verbunden sein, um jegliche durch einen Bruch einer einzelnen Berührungssteuersignalleitung bedingte Funktionsstörung zu verhindern.  In one embodiment, each touch control electrode may be electrically connected to a corresponding touch control signal line. In other embodiments, each touch control electrode may be electrically connected to a plurality of touch control signal lines to prevent any malfunction caused by breakage of a single touch control signal line.

Ferner können die Berührungssteuerelektroden ausschließlich als Elektroden zur Berührungssteuerung ausgeführt sein oder können als Berührungssteuerelektroden zur Berührungssteuerung und als gemeinsame Elektroden zur Anzeige gemultiplext sein. Wie in den 6 bis 10 gezeigt ist, kann das Arraysubstrat Elektroden aufweisen, die als Berührungssteuerelektroden und gemeinsame Elektroden gemultiplext sind. Further, the touch-control electrodes may be exclusively implemented as electrodes for touch-control, or may be multiplexed as touch-control electrodes for touch-control and as common electrodes for display. As in the 6 to 10 As shown, the array substrate may include electrodes that are multiplexed as touch control electrodes and common electrodes.

Wenn das Anzeigefeld mit Berührungssteuerung im Anzeigemodus läuft, können die gemeinsamen Elektroden eine gemeinsame Spannung liefern. Wenn das Anzeigefeld mit Berührungssteuerung im Berührungssteuermodus läuft, können die gemeinsamen Elektroden als Berührungssteuerelektroden wirken, um durch Berührung steuernde Ansteuersignale zu liefern. Werden die Berührungssteuerelektroden und die gemeinsamen Elektroden gemultiplext, so kann dadurch die Dicke von Anzeigefeldern mit Berührungssteuerung verringert werden. Gemultiplexte Berührungssteuerelektroden und gemeinsame Elektroden können in einer einzigen Ätzung des Herstellungsvorgangs ohne eigene Masken für Berührungssteuerelektroden und gemeinsame Elektroden gebildet werden. Auf diese Weise lassen sich Herstellungskosten einsparen und lässt sich die Anzahl der Ätzschritte im Herstellungsprozess verringern und der Produktionsausstoß erhöhen.  When the touch-control display panel is in the display mode, the common electrodes can supply a common voltage. When the touch-control display panel is in the touch-control mode, the common electrodes may act as touch-control electrodes to provide touch-controlling drive signals. By multiplexing the touch-control electrodes and the common electrodes, the thickness of touch-control display panels can thereby be reduced. Multiplexed touch control electrodes and common electrodes can be formed in a single etch of the manufacturing process without separate masks for touch control electrodes and common electrodes. In this way, manufacturing costs can be saved and can reduce the number of etching steps in the manufacturing process and increase production output.

Mit Bezug auf 10 kann ferner die aktive Schicht 112 des Dünnschichttransistors 110 aus Polysilicium oder amorphem Silicium bestehen. Insbesondere kann die Beweglichkeit von amorphem Silicium geringer als die von Polysilicium sein. Dünnschichttransistoren mit amorphem Silicium nehmen bei der Herstellung möglicherweise mehr Platz ein als Dünnschichttransistoren mit Polysilicium. Somit ist es eventuell weniger wahrscheinlich, dass amorphes Silicium zur Herstellung von Anzeigen mit hoher PPI-Anzahl bzw. hoher Auflösung verwendet wird. Regarding 10 Further, the active layer 112 of the thin film transistor 110 made of polysilicon or amorphous silicon. In particular, the mobility of amorphous silicon may be less than that of polysilicon. Thin-film transistors with amorphous silicon may take up more space in manufacturing than thin-film transistors with polysilicon. Thus, amorphous silicon may be less likely to be used to make high PPI or high resolution displays.

Bei einer Ausführungsform kann in jedem Pixel eines Anzeigeprodukts mit amorphem Silicium eine Metallkontaktstelle 140 hinzugefügt sein, um die der gemeinsamen Elektrode 120 zugewandte Fläche der Elektrode zu vergrößern. Die vergrößerte Elektrodenfläche kann die Speicherkapazität bei jedem einzelnen Pixel des Anzeigeprodukts mit amorphem Silicium erhöhen. Die erhöhte Speicherkapazität kann die PPI-Anzahl bzw. die Auflösung des Anzeigeprodukts mit amorphem Silicium erhöhen und kann die Bildanzeigequalität verbessern. In one embodiment, a metal pad may be formed in each pixel of an amorphous silicon display product 140 be added to that of the common electrode 120 facing surface to increase the size of the electrode. The increased electrode area may increase the storage capacity at each individual pixel of the amorphous silicon display product. The increased storage capacity can increase the PPI count or resolution of the amorphous silicon display product and can improve image display quality.

Bei einer weiteren Ausführungsform kann in jedem Pixel eines Anzeigeprodukts mit Polysilicium eine Metallkontaktstelle 140 hinzugefügt sein, um die der gemeinsamen Elektrode 120 zugewandte Fläche der Elektrode zu vergrößern. Die vergrößerte Elektrodenfläche kann die Speicherkapazität bei jedem einzelnen Pixel des Anzeigeprodukts mit Polysilicium erhöhen. Die erhöhte Speicherkapazität kann ein auf Leckstrom zurückzuführendes Flimmern minimieren. In another embodiment, a metal pad may be formed in each pixel of a polysilicon display product 140 be added to that of the common electrode 120 to increase facing surface of the electrode. The increased electrode area may increase the storage capacity at each individual pixel of the polysilicon display product. The increased storage capacity can minimize leakage due to leakage.

Mit Bezug auf 10 kann ferner die Gate-Elektrode 113 des Dünnschichttransistors 110 auf der der Pixelelektrode 130 zugewandten Seite der aktiven Schicht 112 gelegen sein. Das Arraysubstrat kann auch eine Planarisierungsschicht 180 aufweisen, die auf dem Dünnschichttransistor 110 gebildet ist. Die Metallkontaktstelle 140 kann auf der vom Dünnschichttransistor 110 abgewandten Seite der Planarisierungsschicht 180 gebildet sein. Zwischen der Metallkontaktstelle 140 und der Abtastleitung 160 und anderen Metallschichten kann eine parasitäre Kapazität entstehen. Ist die Metallkontaktstelle 140 auf der Planarisierungsschicht 180 gebildet, so kann hierdurch die parasitäre Kapazität verringert werden und kann vermieden werden, dass die Ansteuerlast der Abtastleitung 160 und anderer Metallschichten bedeutend ansteigt, nachdem die Metallkontaktstelle 140 hinzugefügt wird. Regarding 10 may further be the gate electrode 113 of the thin film transistor 110 on the pixel electrode 130 facing side of the active layer 112 be located. The array substrate may also include a planarization layer 180 have on the thin film transistor 110 is formed. The metal contact point 140 can on the from the thin film transistor 110 opposite side of the planarization layer 180 be formed. Between the metal contact point 140 and the scanning line 160 and other metal layers can create a parasitic capacitance. Is the metal contact point 140 on the planarization layer 180 As a result, the parasitic capacitance can be reduced and it can be avoided that the driving load of the scanning line 160 and other metal layers increases significantly after the metal pad 140 will be added.

Bei einer Ausführungsform kann die Gate-Elektrode 113 des Dünnschichttransistors 110 auf der der Pixelelektrode 130 zugewandten Seite der aktiven Schicht 112 gelegen sein. Bei anderen Ausführungsformen kann der Dünnschichttransistor andere Strukturen aufweisen. In one embodiment, the gate electrode 113 of the thin film transistor 110 on the pixel electrode 130 facing side of the active layer 112 be located. In other embodiments, the thin film transistor may have other structures.

In 11 ist eine Querschnittsansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 11 kann die Gate-Elektrode 113 des Dünnschichttransistors 110 auf der von der Pixelelektrode 130 abgewandten Seite der aktiven Schicht 112 gelegen sein. In 11 FIG. 12 is a cross-sectional view of another exemplary array substrate in accordance with the present disclosure. FIG. Regarding 11 can be the gate electrode 113 of the thin film transistor 110 on the from the pixel electrode 130 opposite side of the active layer 112 be located.

Ferner kann bei bestimmten Ausführungsformen, wie in den 1 bis 10 gezeigt, die Schicht mit der gemeinsamen Elektrode 120 zwischen der Schicht mit der Metallkontaktstelle 140 und der Schicht mit der Pixelelektrode 130 gelegen sein. Bei anderen Ausführungsformen können bei dem Arraysubstrat die Positionsverhältnisse von Elektrodenschichten anders sein. Furthermore, in certain embodiments, as in FIGS 1 to 10 shown the layer with the common electrode 120 between the layer with the metal pad 140 and the layer with the pixel electrode 130 be located. In other embodiments, in the array substrate, the positional relationships of electrode layers may be different.

Mit Bezug auf 11 kann bei einer Ausführungsform die Schicht mit der Metallkontaktstelle 140 zwischen der Schicht mit der gemeinsamen Elektrode 120 und der Schicht mit der Pixelelektrode 130 gelegen sein. In 12 ist eine Querschnittsansicht eines weiteren beispielhaften Arraysubstrats dargestellt, in der ein Positionsverhältnis der Schichten gemäß der vorliegenden Offenbarung gezeigt ist. Bei einer weiteren Ausführungsform kann mit Bezug auf 12 die Schicht mit der Pixelelektrode 130 zwischen der Schicht mit der gemeinsamen Elektrode 120 und der Schicht mit der Metallkontaktstelle 140 gelegen sein. Regarding 11 In one embodiment, the layer may include the metal pad 140 between the layer with the common electrode 120 and the layer with the pixel electrode 130 be located. In 12 FIG. 12 is a cross-sectional view of another exemplary array substrate showing a positional relationship of the layers according to the present disclosure. FIG. In another embodiment, with reference to 12 the layer with the pixel electrode 130 between the layer with the common electrode 120 and the metal pad layer 140 be located.

Es wird darauf hingewiesen, dass die in den 1 bis 12 gezeigten Arraysubstrate ähnlich sein können. Soweit ähnliche Strukturen vorliegen, können solche Strukturen gleich bezeichnet sein. Die ähnlichen Strukturen werden manchmal nicht wiederholt beschrieben. It should be noted that in the 1 to 12 may be similar to shown array substrates. As far as similar structures are present, such structures can be identically named. The similar structures are sometimes not described repeatedly.

Die vorliegende Erfindung schafft auch ein Anzeigefeld. In 13 ist eine schematische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 13 kann das Anzeigefeld ein zuvor offenbartes Arraysubstrat 210, ein Farbfiltersubstrat 220, das dem Arraysubstrat zugewandt ausgebildet ist, und eine Anzeigefunktionsschicht 230 aufweisen, die zwischen dem Arraysubstrat 210 und dem Farbfiltersubstrat 220 gelegen ist. The present invention also provides a display panel. In 13 FIG. 12 is a schematic view of an exemplary display panel according to the present disclosure. FIG. Regarding 13 For example, the display panel may be a previously disclosed array substrate 210 , a color filter substrate 220 , which is formed facing the array substrate, and a display functional layer 230 have, between the array substrate 210 and the color filter substrate 220 is located.

In 14 ist eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 14 kann das Farbfiltersubstrat mit einer Black Matrix 211 ausgebildet sein. In 15 ist eine teilweise perspektivische Ansicht eines beispielhaften Anzeigefeldes gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. 15 zeigt eine vergrößerte Ansicht des gestrichelt eingerahmten Bereichs 300 in 14. In 14 FIG. 4 is a perspective view of an exemplary display panel according to the present disclosure. FIG. Regarding 14 For example, the color filter substrate may be black matrixed 211 be educated. In 15 FIG. 12 is a partial perspective view of an exemplary display panel according to the present disclosure. FIG. 15 shows an enlarged view of the dashed framed area 300 in 14 ,

Mit Bezug auf die 14 bis 15 kann die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle 140 auf das Arraysubstrat innerhalb der orthogonalen Projektion der Black Matrix 211 des Farbfiltersubstrats auf das Arraysubstrat gelegen sein. Ist die Metallkontaktstelle 140 innerhalb der Projektion der Black Matrix 211 angeordnet, so kann das Problem vermieden werden, dass Metallkontaktstellen 140 sichtbar sind, und es kann auch sichergestellt sein, dass die Hinzufügung der Metallkontaktstellen 140 sich in der Folge nicht auf die Pixelöffnung auswirkt. With reference to the 14 to 15 can be the orthogonal projection of the metal pad 140 on the array substrate within the orthogonal projection of the black matrix 211 of the color filter substrate may be located on the array substrate. Is the metal contact point 140 within the projection of the Black Matrix 211 arranged, so the problem can be avoided, that metal contact points 140 are visible, and it can also be ensured that the addition of metal pads 140 does not affect the pixel aperture in the sequence.

Durch Hinzufügen von Metallkontaktstellen im Arraysubstrat kann das Anzeigefeld gemäß der vorliegenden Offenbarung die Speicherkapazität jedes einzelnen Pixels erhöhen, um das Flimmern von Anzeigen mit hoher PPI-Anzahl bzw. hoher Auflösung zu minimieren und die Bildanzeigequalität zu verbessern.  By adding metal pads in the array substrate, the display panel according to the present disclosure can increase the storage capacity of each individual pixel to minimize the flicker of high PPI and high resolution displays and to improve the image display quality.

Die vorliegende Erfindung schafft auch eine Anzeigevorrichtung. In 16 ist eine schematische Ansicht einer beispielhaften Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt. Mit Bezug auf 16 kann die Anzeigevorrichtung 310 ein zuvor offenbartes Anzeigefeld 311 aufweisen. The present invention also provides a display device. In 16 FIG. 12 is a schematic view of an exemplary display device according to the present disclosure. FIG. Regarding 16 can the display device 310 a previously disclosed display panel 311 exhibit.

Die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann auch weitere Schaltungen und Komponenten zur Unterstützung des Betriebs der Anzeigevorrichtung aufweisen. Zu der Anzeigevorrichtung können Mobiltelefone, Tablet-Computer, elektronisches Papier und elektronische Bilderrahmen zählen.  The display device according to the present disclosure may also include other circuitry and components to assist in the operation of the display device. The display device may include mobile phones, tablet computers, electronic paper and electronic picture frames.

Durch Hinzufügen von Metallkontaktstellen im Arraysubstrat kann die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung die Speicherkapazität jedes einzelnen Pixels erhöhen, um das Flimmern von Anzeigen mit hoher PPI-Anzahl bzw. hoher Auflösung zu minimieren und um die Bildanzeigequalität zu verbessern.  By adding metal pads in the array substrate, the display device according to the present disclosure can increase the storage capacity of each individual pixel to minimize the flicker of high PPI display and high resolution displays and to improve image display quality.

Zur Veranschaulichung der Funktionsprinzipien und beispielhaften Ausführungen sind verschiedene Ausführungsformen beschrieben worden. Die hierin offenbarten Ausführungsformen sind lediglich beispielhaft. Für den Fachmann sind andere Anwendungen, Vorteile, Abänderungen, Modifikationen bzw. Äquivalente der offenbarten Ausführungsformen offensichtlich und sollen im Umfang der vorliegenden Offenbarung enthalten sein.  To illustrate the principles of operation and exemplary embodiments, various embodiments have been described. The embodiments disclosed herein are exemplary only. Other applications, advantages, alterations, modifications or equivalents of the disclosed embodiments will be apparent to those skilled in the art and are intended to be within the scope of the present disclosure.

Claims (15)

Arraysubstrat (210), mit: mehreren Dünnschichttransistoren (110), die in einer Arrayanordnung ausgebildet sind, mehreren gemeinsamen Elektroden (120), mehreren voneinander isolierten Pixelelektroden (130), die mit den gemeinsamen Elektroden (120) gekoppelt sind, und mehreren Metallkontaktstellen (140), die mit den gemeinsamen Elektroden (120) gekoppelt und in einer anderen Schicht als die gemeinsamen Elektroden (120) bzw. die Pixelelektroden (130) ausgebildet sind, wobei die Metallkontaktstellen (140) mit Drain-Elektroden (111) der Dünnschichttransistoren (110) und den Pixelelektroden (130) elektrisch verbunden sind und eine orthogonale Projektion einer Metallkontaktstelle (140) auf das Arraysubstrat (210) sich mit zumindest einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion einer entsprechenden gemeinsamen Elektrode (120) auf das Arraysubstrat (210) überlappt. Array substrate ( 210 ), comprising: a plurality of thin-film transistors ( 110 ) formed in an array arrangement, a plurality of common electrodes ( 120 ), a plurality of isolated pixel electrodes ( 130 ) connected to the common electrodes ( 120 ) and a plurality of metal pads ( 140 ) connected to the common electrodes ( 120 ) and in a layer other than the common electrodes ( 120 ) or the pixel electrodes ( 130 ), wherein the metal contact points ( 140 ) with drain electrodes ( 111 ) of the thin-film transistors ( 110 ) and the pixel electrodes ( 130 ) are electrically connected and an orthogonal projection of a metal pad ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) with at least a portion of an orthogonal projection of a corresponding common electrode ( 120 ) on the array substrate ( 210 ) overlaps. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 1, wobei: die mehreren gemeinsamen Elektroden (120) zur Bildung einer einzelnen Ebene der gemeinsamen Elektrode (120) miteinander verbunden sind. Array substrate ( 210 ) according to claim 1, wherein: the plurality of common electrodes ( 120 ) for forming a single plane of the common electrode ( 120 ) are interconnected. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 1, ferner mit mehreren Datenleitungen (150), wobei: die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle (140) auf das Arraysubstrat (210) sich mit einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion einer entsprechenden Datenleitung (150) auf das Arraysubstrat (210) überlappt und der überlappte Abschnitt zwischen der orthogonalen Projektion der Metallkontaktstelle (140) auf das Arraysubstrat (210) und der orthogonalen Projektion der Datenleitung (150) auf das Arraysubstrat (210) sich mit einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion der entsprechenden gemeinsamen Elektrode (120) auf das Arraysubstrat (210) überlappt. Array substrate ( 210 ) according to claim 1, further comprising a plurality of data lines ( 150 ), wherein: the orthogonal projection of the metal pad ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) with a portion of an orthogonal projection of a corresponding data line ( 150 ) on the array substrate ( 210 ) overlaps and the overlapped portion between the orthogonal projection of the metal pad ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) and the orthogonal projection of the data line ( 150 ) on the array substrate ( 210 ) with a portion of an orthogonal projection of the corresponding common electrode ( 120 ) on the array substrate ( 210 ) overlaps. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 1, ferner mit mehreren Berührungssteuerelektroden (190) und Berührungssteuersignalleitungen (170), wobei: jede Berührungssteuerelektrode (190) mit wenigstens einer entsprechenden Berührungssteuersignalleitung (170) elektrisch verbunden ist. Array substrate ( 210 ) according to claim 1, further comprising a plurality of touch control electrodes ( 190 ) and touch control signal lines ( 170 ), wherein: each touch control electrode ( 190 ) with at least one corresponding touch control signal line ( 170 ) is electrically connected. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 4, wobei: die Berührungssteuerelektroden (190) als gemeinsame Elektroden (120) gemultiplext sind. Array substrate ( 210 ) according to claim 4, wherein: the touch control electrodes ( 190 ) as common electrodes ( 120 ) are multiplexed. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 4, wobei: die Metallkontaktstellen (140) in einer selben Schicht mit den Berührungssteuersignalleitungen (170) ausgebildet sind. Array substrate ( 210 ) according to claim 4, wherein: the metal pads ( 140 ) in a same layer with the touch control signal lines ( 170 ) are formed. Arraysubstrat (210) nach Anspruch 4, wobei: die Metallkontaktstellen (140) und die Berührungssteuersignalleitungen (170) mit einem selben Material in einem selben Schritt eines Herstellungsprozesses gebildet sind. Array substrate ( 210 ) according to claim 4, wherein: the metal pads ( 140 ) and the touch control signal lines ( 170 ) are formed with a same material in a same step of a manufacturing process. Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei: eine aktive Schicht (112) jedes Dünnschichttransistors (110) aus Polysilicium oder amorphem Silicium besteht. Array substrate ( 210 ) according to any one of claims 1 to 7, wherein: an active layer ( 112 ) of each thin-film transistor ( 110 ) consists of polysilicon or amorphous silicon. Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei: eine Gate-Elektrode (113) des Dünnschichttransistors (110) auf der der Pixelelektrode (130) zugewandten Seite der aktiven Schicht (112) des Dünnschichttransistors (110) gelegen ist. Array substrate ( 210 ) according to one of claims 1 to 7, wherein: a gate electrode ( 113 ) of the thin film transistor ( 110 ) on the pixel electrode ( 130 ) facing side of the active layer ( 112 ) of the thin film transistor ( 110 ) is located. Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner mit einer Planarisierungsschicht (180), die zum Abdecken der Dünnschichttransistoren (110) ausgebildet ist, wobei: die Metallkontaktstellen (140) auf einer von den Dünnschichttransistoren (110) abgewandten Seite der Planarisierungsschicht (180) ausgebildet sind. Array substrate ( 210 ) according to one of claims 1 to 7, further comprising a planarization layer ( 180 ) used to cover the thin-film transistors ( 110 ), wherein: the metal contact points ( 140 ) on one of the thin-film transistors ( 110 ) facing away from the planarization layer ( 180 ) are formed. Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner mit mehreren Abtastleitungen (160), wobei: die orthogonale Projektion der Metallkontaktstelle (140) auf das Arraysubstrat (210) sich mit einem Abschnitt einer orthogonalen Projektion einer entsprechenden Abtastleitung (160) auf das Arraysubstrat (210) überlappt und der überlappte Abschnitt zwischen der orthogonalen Projektion der Metallkontaktstelle (140) auf das Arraysubstrat (210) und der orthogonalen Projektion der Abtastleitung (160) auf das Arraysubstrat (210) sich mit einem Abschnitt der orthogonalen Projektion der entsprechenden gemeinsamen Elektrode (120) auf das Arraysubstrat (210) überlappt. Array substrate ( 210 ) according to one of claims 1 to 7, further comprising a plurality of scanning lines ( 160 ), wherein: the orthogonal projection of the metal pad ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) with a portion of an orthogonal projection of a corresponding scan line ( 160 ) on the array substrate ( 210 ) overlaps and the overlapped portion between the orthogonal projection of the metal pad ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) and the orthogonal projection of the scanning line ( 160 ) on the array substrate ( 210 ) with a portion of the orthogonal projection of the corresponding common electrode ( 120 ) on the array substrate ( 210 ) overlaps. Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei: eine Schicht mit gemeinsamen Elektroden (120) zwischen einer Schicht mit Metallkontaktstellen (140) und einer Schicht mit Pixelelektroden (130) gelegen ist oder die Schicht mit Metallkontaktstellen (140) zwischen der Schicht mit gemeinsamen Elektroden (120) und der Schicht mit Pixelelektroden (130) gelegen ist oder die Pixelelektrodenschicht (130) zwischen der Schicht mit gemeinsamen Elektroden (120) und der Schicht mit Metallkontaktstellen (140) gelegen ist. Array substrate ( 210 ) according to one of claims 1 to 7, wherein: a layer with common electrodes ( 120 ) between a layer of metal pads ( 140 ) and a layer of pixel electrodes ( 130 ) or the layer with metal contact points ( 140 ) between the layer with common electrodes ( 120 ) and the layer with pixel electrodes ( 130 ) or the pixel electrode layer ( 130 ) between the layer with common electrodes ( 120 ) and the metal contact layer ( 140 ) is located. Anzeigefeld (311) mit: einem Arraysubstrat (210) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, einem Farbfiltersubstrat (220), das dem Arraysubstrat (210) zugewandt ausgebildet ist, und einer Anzeigefunktionsschicht (230), die zwischen dem Arraysubstrat (210) und dem Farbfiltersubstrat (220) ausgebildet ist. Display field ( 311 ) comprising: an array substrate ( 210 ) according to one of claims 1 to 12, a color filter substrate ( 220 ), which corresponds to the array substrate ( 210 ) and a display function layer ( 230 ) between the array substrate ( 210 ) and the color filter substrate ( 220 ) is trained. Anzeigefeld (311) nach Anspruch 13, wobei: eine Black Matrix (211) auf dem Farbfiltersubstrat (220) ausgebildet ist und orthogonale Projektionen der Metallkontaktstellen (140) auf das Arraysubstrat (210) innerhalb einer orthogonalen Projektion der Black Matrix (211) des Farbfiltersubstrats (220) auf das Arraysubstrat (210) gelegen sind. Display field ( 311 ) according to claim 13, wherein: a black matrix ( 211 ) on the color filter substrate ( 220 ) and orthogonal projections of the metal pads ( 140 ) on the array substrate ( 210 ) within an orthogonal projection of the Black Matrix ( 211 ) of the color filter substrate ( 220 ) on the array substrate ( 210 ) are located. Anzeigevorrichtung (310) mit einem Anzeigefeld (311) nach Anspruch 13 oder Anspruch 14. Display device ( 310 ) with a display field ( 311 ) according to claim 13 or claim 14.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130300968A1 (en) * 2011-01-27 2013-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US20140054592A1 (en) * 2012-07-25 2014-02-27 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Tft-lcd array substrate
US20140175445A1 (en) * 2012-12-24 2014-06-26 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate
US20150055038A1 (en) * 2010-10-05 2015-02-26 Japan Display Inc. Liquid Crystal Display Device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150055038A1 (en) * 2010-10-05 2015-02-26 Japan Display Inc. Liquid Crystal Display Device
US20130300968A1 (en) * 2011-01-27 2013-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US20140054592A1 (en) * 2012-07-25 2014-02-27 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Tft-lcd array substrate
US20140175445A1 (en) * 2012-12-24 2014-06-26 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate

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