DE102016111827B4

DE102016111827B4 - Multiferroic antenna with surface acoustic wave

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Publication number: DE102016111827B4
Application number: DE102016111827.3A
Authority: DE
Inventors: Scott Macklin Keller; Paul Killian Nordeen; Kyle Wetzlar; Michael F. Moon; Gregory Paul Carman; Scott Richard Burnside
Original assignee: Northrop Grumman Systems Corp
Current assignee: Northrop Grumman Systems Corp
Priority date: 2015-06-29
Filing date: 2016-06-28
Publication date: 2019-10-24
Anticipated expiration: 2036-06-29
Also published as: GB2540477B; GB2540477A; JP2017017699A; JP6216837B2; DE102016111827A1; GB201611209D0; US20160380357A1; US9660349B2

Abstract

Multiferroisches Antennenelement, umfassend:eine Resonatoreinheit, die einen magnetoelastischen Resonator umfasst, der eine elektromagnetische Welle in mechanische Schwingungen, die der Frequenz der elektromagnetischen Welle entsprechen, umformt;ein elektroelastisches Substrat, das betriebsfähig mit dem magnetoelastischen Resonator gekoppelt wird, um die mechanischen Schwingungen in ein elektrisches Ausgangssignal umzuformen; undeine Elektrodeneinheit, die betriebsfähig mit dem elektrostatischen Substrat verbunden ist, um eine Überwachung des elektrischen Ausgangssignals zu erlauben.A multiferroic antenna element comprising: a resonator unit comprising a magnetoelastic resonator that transforms an electromagnetic wave into mechanical vibrations corresponding to the frequency of the electromagnetic wave; an electroelastic substrate operatively coupled to the magnetoelastic resonator to sense the mechanical vibrations in to transform an electrical output signal; andan electrode unit operatively connected to the electrostatic substrate to permit monitoring of the electrical output signal.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Beispielhafte Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen drahtlose Kommunikationstechnik und betreffen spezieller ein Entwurfs- und Herstellungsverfahren für eine Antenne mit reduzierter Größe im Verhältnis zu dem durch die Antenne erzielbaren Frequenzgang.Exemplary embodiments generally relate to wireless communication technology, and more particularly to a design and manufacturing method for a reduced size antenna relative to the frequency response achievable by the antenna.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Antennen werden in einer breiten Vielfalt von Anwendungen und Techniken für Nachrichtenübertragung und Radar verwendet. Der häufigste Antennentyp, die Dipolantenne, bildet die Grundlage für viele andere Entwurfsvariationen. Diese Antennen auf Dipolbasis und andere herkömmliche Antennenentwürfe werden allgemein mit Größen hergestellt, die direkt auf Frequenzbereiche bezogen sind, in denen solche Antennen arbeiten sollen. Zum Beispiel sind herkömmliche Antennen mit Größen ausgelegt, die Elementlängen einschließen, die ½ oder ¼ so lang sind wie die Wellenlänge von elektromagnetischen Ausstrahlungen, die durch die Antennen gesendet oder empfangen werden sollen.Antennas are used in a wide variety of communications and radar applications and techniques. The most common type of antenna, the dipole antenna, forms the basis for many other design variations. These dipole-based antennas and other conventional antenna designs are generally manufactured with sizes directly related to frequency ranges in which such antennas should operate. For example, conventional antennas are designed with sizes that include element lengths that are ½ or ¼ as long as the wavelength of electromagnetic emissions that are to be transmitted or received by the antennas.

Die direkte Beziehung zwischen Antennenlänge und Frequenz, die so oft gilt, vorausgesetzt, kann richtig eingeschätzt werden, dass so wie die zu realisierende Frequenz abnimmt, die Antennenlänge im Allgemeinen entsprechend zunehmen muss. Dieses Phänomen bedeutet, dass relativ große Antennengrößen benötigt würden, um Nachrichtenübertragung mit niedrigeren Frequenzen zu gewährleisten. Für einige Anwendungen, wie zum Beispiel tragbare Geräte oder eingebaute Plattformen, können Größen- und/oder Gewichtsbeschränkungen die Verwendung von großen Antennen ausschließen. Diese großen Antennen können Auswirkungen auf den Radarquerschnitt oder aerodynamische Auswirkungen erzeugen, die für bestimmte Anwendungen inakzeptabel sind, oder können einfach zu viele andere vorzunehmende Entwurfskompromisse erfordern, damit solche Antennen in bestimmten Umgebungen realisiert werden können.The direct relationship between antenna length and frequency, which is so often given, can be correctly estimated that as the frequency to be realized decreases, the antenna length generally must increase accordingly. This phenomenon means that relatively large antenna sizes would be needed to ensure lower frequency communication. For some applications, such as portable devices or built-in platforms, size and / or weight limitations may preclude the use of large antennas. These large antennas can produce radar cross-sectional effects or aerodynamic effects that are unacceptable for certain applications, or can simply require too many other design compromises to make in order for such antennas to be realized in certain environments.

Folglich kann es wünschenswert sein, eine Technik zu entwickeln, die einen Wechsel von den oben beschriebenen Beschränkungen zulässt. Durch Bereitstellung einer Technik, die es erlaubt, Antennen vom Typ mit langem Dipol zu entfernen und durch kleinere, vielleicht konforme Antennen zu ersetzen, kann Erfahrung mit bedeutenden Verbesserungen im Bereich der drahtlosen Kommunikation gemacht werden. Zum Beispiel können Anwendungen im Hochfrequenzbereich (HF) von 3 MHz bis 30 MHz, für HF SIGINT, im Flugzeug und Nachrichtenübertragung für Fahrzeuge, Flugzeug und tragbare Funkgeräte bedeutend verbessert werden. Ebenso können beliebige andere Anwendungen, bei denen Größen- oder Gewichtseinschränkungen die Unterstützung bestimmter Frequenzbereiche im Zusammenhang mit einer Nachrichtenübertragung ausgeschlossen haben, ebenfalls durch eine solche Technik stark gefördert werden.Consequently, it may be desirable to develop a technique that allows a change from the limitations described above. By providing a technique that allows long dipole type antennas to be removed and replaced by smaller, perhaps compliant antennas, experience can be made with significant improvements in wireless communication. For example, high frequency (HF) applications from 3 MHz to 30 MHz, for HF SIGINT, in aircraft, and communications for vehicles, aircraft, and portable radios can be significantly improved. Likewise, any other applications in which size or weight limitations have precluded the support of particular frequency ranges associated with message transmission can also be strongly promoted by such technique.

KURZE ZUSAMMENFASSUNG EINIGER BEISPIELEBRIEF SUMMARY OF SOME EXAMPLES

Daher können einige beispielhafte Ausführungsformen ein Entwurfs- und Herstellungsverfahren für eine multiferroische Antenne mit akustischer Oberflächenwelle mit einer reduzierten Größe im Verhältnis zu dem durch die Antenne erzielbaren Frequenzgang bereitstellen. In dieser Hinsicht können in einigen beispielhaften Ausführungsformen magnetoelastische Werkstoffe mit einem elektroelastischen Substrat eingesetzt werden, um die Antennengröße drastisch zu verringern.Therefore, some example embodiments may provide a design and fabrication method for a surface acoustic wave multiferroic antenna having a reduced size in proportion to the frequency response achievable by the antenna. In this regard, in some example embodiments, magnetoelastic materials having an electroelastic substrate may be employed to drastically reduce antenna size.

Nach einer beispielhaften Ausführungsform wird ein multiferroisches Antennenelement bereitgestellt. Das multiferroische Antennenelement kann einen Resonator oder eine Resonatoreinheit, ein elektroelastisches Substrat und eine Elektrode oder eine Elektrodeneinheit mit einer ineinandergreifenden Elektrode umfassen. Die Resonatoreinheit kann einen einzelnen Resonator oder eine Vielzahl von magnetoelastischen Resonatoren enthalten, die einzelnen und konstruktiv eine elektromagnetische Welle in mechanische Schwingungen, die der Frequenz der elektromagnetischen Welle entsprechen, umwandeln. Das elektrostatische Substrat kann mit den Resonatoren betriebsfähig verbunden werden, die mechanische Schwingungen in eine Schallwelle transformieren. Die Elektrode oder Elektrodeneinheit kann mit dem elektroelastischen Substrat betriebsfähig verbunden werden, um die Schallwelle in ein elektrisches Signal umzuformen, das mit der Frequenz der elektromagnetischen Welle verbundene Informationen bewahrt. Eine ineinander greifende Elektrode ist eine Ausführungsform einer Elektrodeneinheit zum Lesen des elektrischen Signals.According to an exemplary embodiment, a multiferroic antenna element is provided. The multiferroic antenna element may comprise a resonator or a resonator unit, an electroelastic substrate and an electrode or an electrode unit with an interdigitated electrode. The resonator unit may include a single resonator or a plurality of magnetoelastic resonators that individually and constructively convert an electromagnetic wave into mechanical vibrations corresponding to the frequency of the electromagnetic wave. The electrostatic substrate can be operably connected to the resonators, which transform mechanical vibrations into a sound wave. The electrode or electrode unit may be operatively connected to the electro-elastic substrate to transform the sound wave into an electrical signal that preserves information associated with the frequency of the electromagnetic wave. An interdigitated electrode is an embodiment of an electrode unit for reading the electrical signal.

Entsprechend einer anderen beispielhaften Ausführungsform wird ein Verfahren zum Herstellen eines multiferroischen Antennenelements bereitgestellt. Das Verfahren kann die Bereitstellung eines elektroelastischen Substrats zur Umwandlung von mechanischen Schwingungen in eine Schallwelle umfassen, indem eine Resonatoreinheit auf einer Oberfläche des elektroelastischen Substrats vorgesehen ist, wobei die Resonatoreinheit eine Vielzahl von magnetoelastischen Resonatoren enthält, die eine elektromagnetische Welle in mechanische Schwingungen umwandelt, die der Frequenz der elektromagnetischen Welle entsprechen, und in dem eine ineinander greifende Elektrodeneinheit an einem Abschnitt des elektroelastischen Substrats vorgesehen ist, um die Schallwelle in ein elektrisches Signal umzuformen, das Informationen bewahrt, die mit der Frequenz der elektromagnetischen Welle verbunden sind.In accordance with another exemplary embodiment, a method of making a multiferroic antenna element is provided. The method may include providing an electroelastic substrate for converting mechanical vibrations into a sound wave by providing a resonator unit on a surface of the electroelastic substrate, the resonator unit including a plurality of magnetoelastic resonators that convert an electromagnetic wave into mechanical vibrations correspond to the frequency of the electromagnetic wave, and in which an interlocking electrode unit a portion of the electro-elastic substrate is provided to transform the sound wave into an electrical signal that preserves information associated with the frequency of the electromagnetic wave.

Figurenlistelist of figures

Nachdem somit einige beispielhafte Ausführungsformen in allgemeinen Begriffen beschrieben wurden, wird jetzt Bezug auf die begleitenden Zeichnungen genommen, die nicht unbedingt maßstäblich gezeichnet sind, und in denen:

1 stellt ein schematisches Blockdiagramm eines multiferroischen Antennenelements nach einer beispielhaften Ausführungsform dar;
2 veranschaulicht eine grafische Darstellung von Strukturen, die mit dem multiferroischen Antennenelement nach einer beispielhaften Ausführungsform verbunden sind;
3 stellt ein Diagramm dar, das die Multiphysikanalyse für ein dreistufiges Modell zeigt, das den Prozessen von 1 in Verbindung mit den in 2 gezeigten Strukturen nach einer beispielhaften Ausführungsform entspricht;
4 veranschaulicht ein Viertelsymmetriemodell zur Modellierung eines Resonators oder einer Matrix von Resonatoren. Das gezeigte Layout ist ein repräsentatives Modell für eine quasiinfinite Matrix von Ni-Resonatoren auf einem LiNbO3-Substrat entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform;
5 stellt ein zweites geometrisches Layout dar, das eine Ausdehnung des LiNbO3 Substrats, IDEs, eine abschließende PML (perfekt angepasste Schicht) und das Schaltkreismodell entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform vorsieht;
6 veranschaulicht eine Tabelle, die verschiedene Parameter im PSO-Raum entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform zeigt. λ ist die Wellenlänge der vorherrschenden Schallwelle im Werkstoff des Antennensystems;
7 stellt ein optisches Bild von Ni-Resonatorstrukturen auf einem LiNbO3-Substrat entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform dar;
8 stellt das Blockdiagramm eines ersten lithografischen Arbeitsgangs dar, der mit der Herstellung des multiferroischen Antennenelements nach einer beispielhaften Ausführungsform verbunden ist;
9 stellt das Blockdiagramm eines zweiten lithografischen Arbeitsgangs dar, der mit der Herstellung des multiferroisches Antennenelements nach einer beispielhaften Ausführungsform verbunden ist;
10 veranschaulicht eine Tabelle von Aufdampfungsparametern einer Metallschichtung entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform;
11 ist das optische Bild eines strukturierten Fotolacks entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform;
12 ist das optische Bild von strukturierten Wandlerelektroden nach dem Entfernen von aufgedampftem Gold über einer Fotomaske entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform;
13 ist das optische Bild einer fertiggestellten Probe eines multiferroisches Antennenelements entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform;
14 stellt ein Layout eines multiferroischen Antennenelements entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform dar; und
15 ist ein Blockdiagramm von bedeutenden Elementen und ihrer Zusammenschaltung in einer multiferroischen Antenne entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform.

Having thus described a few exemplary embodiments in general terms, reference will now be made to the accompanying drawings, which are not necessarily drawn to scale, and in which:

1 FIG. 12 illustrates a schematic block diagram of a multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment; FIG.
2 Fig. 12 illustrates a graphical representation of structures associated with the multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment;
3 represents a diagram showing the multiphysics analysis for a three-stage model that supports the processes of 1 in conjunction with the in 2 shown structures according to an exemplary embodiment corresponds;
4 illustrates a quarter-balance model for modeling a resonator or matrix of resonators. The layout shown is a representative model for a quasi-infinite matrix of Ni resonators on a LiNbO3 substrate according to an exemplary embodiment;
5 FIG. 12 illustrates a second geometric layout that provides expansion of the LiNbO3 substrate, IDE's, a final PML (perfectly matched layer), and the circuit model according to an exemplary embodiment;
6 FIG. 12 illustrates a table showing various parameters in PSO space according to an example embodiment. λ is the wavelength of the predominant sound wave in the material of the antenna system;
7 Fig. 12 illustrates an optical image of Ni resonator structures on a LiNbO3 substrate according to an exemplary embodiment;
8th FIG. 4 illustrates the block diagram of a first lithographic operation associated with the manufacture of the multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment; FIG.
9 FIG. 12 illustrates the block diagram of a second lithographic operation associated with the manufacture of the multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment; FIG.
10 FIG. 12 illustrates a table of vapor deposition parameters of a metal lamination according to an exemplary embodiment; FIG.
11 FIG. 13 is the optical image of a patterned photoresist according to an exemplary embodiment; FIG.
12 FIG. 13 is the optical image of patterned transducer electrodes after removal of evaporated gold over a photomask according to an exemplary embodiment; FIG.
13 Figure 4 is the optical image of a completed sample of a multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment;
14 FIG. 12 illustrates a layout of a multiferroic antenna element according to an exemplary embodiment; FIG. and
15 Figure 4 is a block diagram of significant elements and their interconnection in a multiferroic antenna according to an exemplary embodiment.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

Wie oben erörtert, können in einigen beispielhaften Ausführungsformen magnetoelastische oder magnetorestriktive Werkstoffe eingesetzt werden (von nun an als magnetoelastisch bezeichnet, was einen magnetisch und mechanisch gekoppelten Werkstoff bedeutet) mit einem elektroelastischen, elektroelastischen oder piezoelektrischen Substrat (von nun als elektroelastisch bezeichnet, was elektrisch oder mechanisch gekoppelte Werkstoffe bedeutete, um die Antennengröße drastisch zu verringern. In dieser Hinsicht kann zum Beispiel eine Lage von magnetoelastischen Resonatoren auf ein elektroelastisches Substrat zwischen einem Paar von ineinandergreifenden Elektroden (IDEs) aufgebracht werden. Wenn eine Komponente des Magnetfelds einer Funkwelle auf die Resonatoren auftrifft, beginnen die Resonatoren mit der gleichen Frequenz wie die Funkwelle an zu schwingen. Aufgrund der Bindung zwischen dem Resonator (den Resonatoren) und dem Substrat erzeugen diese Schwingungen vorherrschende Schallwellen in dem Substrat. Vorherrschende Schallwelle bezieht sich auf die gekoppelte elektromagnetische Welle, die in dem Substrat wandert, d. h., sie zeigt sowohl eine Verschiebung als auch ein elektrisches Feld. Verweis auf eine „Schallwelle“ in einem elektroelastischen Werkstoff bezieht sich auf die gekoppelte vorherrschende Schallwelle. Die Schallwellen breiten sich quer durch die Oberfläche des Substrats aus. Die Phasengeschwindigkeit der Schallwellen ist etwa fünf Größenordnungen langsamer als die auftreffende elektromagnetische Welle, und so verhält sich die entsprechende Spitze zur höchsten Wellenlänge im elektroelastischen Werkstoff. Die Spitzen und Talpunkte der Schallwelle entsprechen Druck- und Zugspannungen in dem Substrat und entsprechen daher einem im elektroelastischen Substrat verteilten, positiven und negativen Spannungspotenzial, welches anschließend mit geeignet bemessenen und beanstandeten IDEs detektiert werden kann. Mit der ursprünglichen Funkwelle verbundene Informationen können vom Spannungssignal, das von einer Elektrode oder Elektroden auf dem elektroelastischen Werkstoff oder in dessen Nähe erlangt wird, entkoppelt werden. Folglich können die mit der Funkwelle verbundenen Informationen auch wiederhergestellt werden, ohne ein großes Antennenelement zu benötigen.As discussed above, in some example embodiments, magnetoelastic or magnetorestrictive materials may be employed (henceforth referred to as magnetoelastic, meaning a magnetically and mechanically coupled material) having an electroelastic, electroelastic or piezoelectric substrate (hereafter referred to as electroelastic, which may be electrical or magnetic) In this regard, for example, a layer of magnetoelastic resonators may be applied to an electroelastic substrate between a pair of interdigitated electrodes (IDEs) when a component of the magnetic field of a radio wave impinges on the resonators Because of the bond between the resonator (s) and the substrate, these oscillations produce predominant sound waves in the substrate. Prevailing sound wave refers to the coupled electromagnetic wave traveling in the substrate, that is, showing both a displacement and an electric field. Reference to a "sound wave" in an electroelastic material refers to the coupled predominant sound wave. The sound waves propagate across the surface of the substrate. The The phase velocity of the sound waves is about five orders of magnitude slower than the incident electromagnetic wave, and so the corresponding peak behaves at the highest wavelength in the electro-elastic material. The peaks and valleys of the sound wave correspond to compressive and tensile stresses in the substrate and therefore correspond to a positive and negative voltage potential distributed in the electro-elastic substrate, which can subsequently be detected with suitably sized and objectionable IDEs. Information associated with the original radio wave may be decoupled from the voltage signal obtained from or adjacent to an electrode or electrodes on the electro-elastic material. Consequently, the information associated with the radio wave can also be recovered without requiring a large antenna element.

Für Resonator(en) und Elektrode(n) können zahlreiche geometrische Anordnungen vorhanden sein. Es können auch zahlreiche elektroelastische und magnetoelastische Werkstoffe verwendet werden, um die oben erörterte Umwandlung zu erfüllen. Eine, die hier beschriebenen erfinderischen Konzepte einsetzende Antenne kann Größenordnungen kleiner sein als herkömmliche Antennen für die gleiche Frequenz. Einige beispielhafte Ausführungsformen werden hier beschrieben.For resonator (s) and electrode (s) numerous geometrical arrangements may be present. Many electroelastic and magnetoelastic materials can also be used to accomplish the above discussed transformation. An antenna employing the inventive concepts described herein may be orders of magnitude smaller than conventional antennas for the same frequency. Some example embodiments are described herein.

1 stellt ein begriffliches Blockdiagramm der Strukturen und Energieumwandlungen dar, die mit der Verwirklichung einer beispielhaften Ausführungsform verbunden sind. 2 veranschaulicht eine grafische Darstellung eines multiferroischen Antennenelements gemäß einer beispielhaften Ausführungsform. 3 stellt die Entwurfs- und Modellierungskonzepte dar, die beim Realisieren einer beispielhaften Ausführungsform einbezogen sind. Eine beispielhafte Ausführungsform wird nachstehend mit Bezug auf die 1 bis 3 beschrieben. 1 FIG. 12 illustrates a conceptual block diagram of the structures and energy transformations associated with the implementation of an exemplary embodiment. 2 FIG. 12 illustrates a graphical representation of a multiferroic antenna element according to an example embodiment. FIG. 3 illustrates the design and modeling concepts involved in implementing an example embodiment. An exemplary embodiment will be described below with reference to FIGS 1 to 3 described.

Ein multiferroischer Werkstoff ist ein Werkstoff oder eine Struktur, die mehrfache ferroische, geordnete Zustände kombinieren. Die zwei hauptsächlichen ferroischen geordneten Zustände, die wir bei Herstellung unserer multiferroischen Kompositstruktur berücksichtigen, sind Elektroelastizität und Magnetelastizität. In dieser Formulierung erzeugen schwingende Magnetfelder eine mechanische Reaktion in dem magnetoelastischen Werkstoff, die auf das elektroelastische Substrat über Spannungskopplung übertragen wird.A multiferroic material is a material or structure that combines multiple ferroic ordered states. The two main ferroic ordered states that we consider in making our multiferroic composite structure are electroelasticity and magnet elasticity. In this formulation, vibrating magnetic fields produce a mechanical reaction in the magnetoelastic material which is transferred to the electro-elastic substrate via voltage coupling.

Elektroelastische Werkstoffe erzeugen ein Spannungspotenzial, wenn sie mechanisch beansprucht werden, und magnetoelastische Werkstoffe erzeugen mechanische Spannung bei Vorhandensein eines äußeren Magnetfeldes. Ebenso wenig ist die Wirkung linear, jedoch kann bei Betrieb mit einem strategisch ausgewählten Vorspannungspunkt eine kleine Änderung im äußeren Magnetfeld zu einer verhältnismäßig großen linearen Änderung bei der induzierten Spannung führen, die durch Piezomagnetismus eng approximiert werden kann. Ebenso kann die durch den elektroelastischen Werkstoff beobachtete Spannungsgröße eine große Änderung der elektrischen Polarisierung erzeugen, die sich noch im linearen Regime befindet und folglich piezoelektrisch approximiert wird. Das Zusammenfügen dieser zwei Werkstofftypen kann daher zu einem Bauelement führen, das als eine multiferroische Struktur wirksam ist, die wie hier beschrieben in einem multiferroischen Antennenelement verwendet werden kann.Electro-elastic materials generate a voltage potential when mechanically stressed, and magnetoelastic materials generate mechanical stress in the presence of an external magnetic field. Neither is the effect linear, but when operated with a strategically selected bias point, a small change in the external magnetic field can result in a relatively large linear change in the induced voltage, which can be closely approximated by piezomagnetism. Similarly, the voltage magnitude observed by the electro-elastic material can produce a large change in the electrical polarization that is still in the linear regime and thus approximated piezoelectrically. The assembly of these two types of materials can therefore result in a device that acts as a multiferroic structure that can be used in a multiferroic antenna element as described herein.

2 veranschaulicht das Blockdiagramm eines multiferroischen Antennenelements 10 nach einer beispielhaften Ausführungsform. Insbesondere veranschaulicht 1 ein Blockdiagramm zur Durchführung eines dreistufigen Umwandlungsprozesses, der mit dem Entwurf des multiferroischen Antennenelements 10 entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform verbunden ist. Wie es in 1 gezeigt ist, kann ein ankommendes Signal in Form einer elektromagnetischen Welle 100 in einer Resonatoreinheit 110 empfangen werden. In dieser Hinsicht kann sich die elektromagnetische Welle 100 bei einer gegebenen Frequenz f ausbreiten und kann auf die Resonatoreinheit 110 auftreffen. Alle Wellen gehorchen der Beziehung v = f λ, in der v die Geschwindigkeit der Welle, λ die Wellenlänge und f die Frequenz ist. Als ein Beispiel kann die Wellenlänge (λ_EM ) der elektromagnetischen Welle 100 etwa 16,67 m sein, wenn die Frequenz der elektromagnetischen Welle 100 18 MHz beträgt. 2 illustrates the block diagram of a multiferroic antenna element 10 according to an exemplary embodiment. In particular, illustrated 1 a block diagram for performing a three-stage conversion process, with the design of the multiferroic antenna element 10 connected according to an exemplary embodiment. As it is in 1 can be shown, an incoming signal in the form of an electromagnetic wave 100 in a resonator unit 110 be received. In this regard, the electromagnetic wave can 100 at a given frequency f and can propagate to the resonator unit 110 incident. All waves obey the relation v = f λ, where v is the velocity of the wave, λ the wavelength and f is the frequency. As an example, the wavelength ( λ _EM ) of the electromagnetic wave 100 be about 16.67 m when the frequency of the electromagnetic wave 100 18 MHz.

Die Resonatoreinheit 110 kann die elektromagnetische Welle 100 in mechanische Schwingungen 120 umwandeln. Die Resonatoreinheit 110 kann betriebsfähig mit einem elektroelastischen Substrat 130 verbunden werden. Das elektroelastische Substrat 130 kann die mechanischen Schwingungen 120 in eine Schallwelle 140 umwandeln. Obwohl es nicht erforderlich ist, kann in einigen Ausführungsformen Lithiumniobat als das elektroelastische Substrat 130 verwendet werden, wobei die gewünschte elektroelastische Kopplung mit einer breiten Vielfalt von elektroelastischen Werkstoffen (d. h. AIN, PZT, PMN-PT, Quarz, usw.) erzielt werden kann. Wie oben erwähnt, kann sich die Schallwelle 140 etwa fünf Größenordnungen langsamer als die elektromagnetische Welle 100 ausbreiten. Die Schallwelle 140 kann sich durch das elektroelastische Substrat 130 zur Elektrodeneinheit 150 ausbreiten, die von ineinandergreifender Ausführung abhängig von Wellenausbreitungsparametern sein kann, die ebenfalls betriebsfähig mit dem elektroelastischen Substrat 130 verbunden ist. Die Elektrodeneinheit 150, die aus Gold (Au) sein kann, jedoch durch jedes beliebige, geeignet leitfähige Metall oder Halbleiter ausgeführt sein könnte, kann dann die elektroakustische Welle 140 in ein elektrisches Signal 160 umwandeln, das die Informationen der ursprünglichen elektromagnetischen Welle 100 bewahrt.The resonator unit 110 can the electromagnetic wave 100 in mechanical vibrations 120 convert. The resonator unit 110 Can be operable with an electro-elastic substrate 130 get connected. The electroelastic substrate 130 can the mechanical vibrations 120 in a sound wave 140 convert. Although not required, in some embodiments, lithium niobate may be used as the electroelastic substrate 130 The desired electroelastic coupling can be achieved with a wide variety of electroelastic materials (ie, AlN, PZT, PMN-PT, quartz, etc.). As mentioned above, the sound wave can 140 about five orders of magnitude slower than the electromagnetic wave 100 spread. The sound wave 140 can get through the electro-elastic substrate 130 to the electrode unit 150 which may be of interlocking design depending on wave propagation parameters also operable with the electro-elastic substrate 130 connected is. The electrode unit 150 which may be gold (Au), but could be implemented by any suitably conductive metal or semiconductor, then can the electro-acoustic wave 140 in an electrical signal 160 transform the information of the original electromagnetic wave 100 preserved.

Wie in 2 gezeigt ist, kann die Resonatoreinheit 110 aus einer Vielzahl von magnetoelastischen Resonatoren 112 gebildet werden. In einigen Ausführungsformen können die magnetoelastischen Resonatoren 112 aus Ni bestehen, könnten jedoch aus anderen geeigneten magnetoelastische Werkstoffen wie etwa Permalloy, Terfenol-D, YiG, CoFeB, FeGaB, NiMgZnO₃, metallischem Glas, usw. bestehen. Magnetoelastische Werkstoffe sind typischerweise weichmagnetische Werkstoffe, die eine merkliche Magnetostriktion zeigen. Magnetoelastische Werkstoffe können zur Umwandlung von elektromagnetischer Energie in mechanische Energie verwendet werden. Wenn die elektromagnetische Welle 100 auf die magnetoelastischen Resonatoren 112 der Resonatoreinheit 110 trifft, können die magnetoelastischen Resonatoren 112 folglich mit der Frequenz (f) der elektromagnetischen Welle 100 mechanisch schwingen. Diese mechanische Schwingung wird betriebsfähig von den magnetoelastischen Resonatoren 112 auf das elektroelastische Substrat 130 gekoppelt, welches die mechanischen Schwingungen 120 (siehe 1) in die Schallwelle 140 umwandelt.As in 2 is shown, the resonator unit 110 from a variety of magnetoelastic resonators 112 be formed. In some embodiments, the magnetoelastic resonators 112 Ni may, however, consist of other suitable magnetoelastic materials such as permalloy, terfenol-D, YiG, CoFeB, FeGaB, NiMgZnO ₃ , metallic glass, etc. Magnetoelastic materials are typically soft magnetic materials that exhibit significant magnetostriction. Magnetoelastic materials can be used to convert electromagnetic energy into mechanical energy. When the electromagnetic wave 100 on the magnetoelastic resonators 112 the resonator unit 110 meets, the magnetoelastic resonators 112 consequently with the frequency (f) of the electromagnetic wave 100 vibrate mechanically. This mechanical vibration becomes operable by the magnetoelastic resonators 112 on the electro-elastic substrate 130 coupled, which is the mechanical vibrations 120 (please refer 1 ) in the sound wave 140 transforms.

Die Schallwelle 140 breitet sich durch das elektroelastische Substrat 130 viel langsamer aus, als die EM-Welle sich durch Luft oder freien Raum bewegt, jedoch immer noch mit der Frequenz (f) der elektromagnetischen Welle 100 (z. B. 5 Größenordnungen langsamer). Die Schallwelle 140 (so wie die akustischen Oberflächenwellen [SAW], jedoch nicht darauf beschränkt) können ein elektrisches Energiepotenzial besitzen, das den entsprechenden Spitzen und Talpunkten der mechanischen Welle zugeordnet ist. Die gekoppelte elektromechanische Welle kann über die Elektrodeneinheit 150 detektiert werden, um die Schallwelle 140 in das elektrische Signal 160 umzuformen, welches die Informationen der ursprünglichen elektromagnetischen Welle bewahrt. Die Elektrodeneinheit 150 einer beispielhaften Ausführungsform kann IDEs, wie in 2 gezeigt, einschließen.The sound wave 140 spreads through the electro-elastic substrate 130 much slower than the EM wave moves through air or free space, but still with the frequency (f) of the electromagnetic wave 100 (eg 5 orders of magnitude slower). The sound wave 140 (such as, but not limited to, surface acoustic waves [SAW]) may have an electrical energy potential associated with the corresponding peaks and valleys of the mechanical wave. The coupled electromechanical shaft can via the electrode unit 150 be detected to the sound wave 140 in the electrical signal 160 to transform that preserves the information of the original electromagnetic wave. The electrode unit 150 In an exemplary embodiment, IDEs, as in FIG 2 shown included.

Wie oben erwähnt, sind die Umwandlungsprozesse, die in Verbindung mit der Ausführung einer beispielhaften Ausführungsform eingesetzt werden, nicht linear. Durch strategische Auswahl eines Vorspannungspunktes kann jedoch der oben beschriebene dreistufige Umwandlungsprozess in Bezug auf lineare Bildungsgesetze optimiert werden. Das Optimierungsverfahren kann entweder auf den gesamten Transduktionsprozess oder auf einzelne Umwandlungsschritte aufeinanderfolgend angewandt werden.As mentioned above, the conversion processes used in connection with the implementation of an exemplary embodiment are not linear. However, by strategically selecting a bias point, the three-step conversion process described above can be optimized with respect to linear formation laws. The optimization method can be applied either to the entire transduction process or to individual conversion steps consecutively.

3 veranschaulicht ein Diagramm, das die Multiphysikanalyse für ein dreistufiges Modell entsprechend den Prozessen von 1 in Verbindung mit den in 2 dargestellten Strukturen entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform zeigt. In der ersten Entwurfsoperation wird ein numerischer Analyseprozess zum Lösen von Maxwellschen Gleichungen und zum Quantifizieren der Wechselwirkungen sowie der in den magnetoelastischen Resonatoren 112 (z. B. den Ni-Elementen) erzeugten lokalen Magnetfelder verwendet. Hier ist die Finite-Element-Methode (FEM) gezeigt, jedoch könnte eine Vielfalt von Verfahren wie etwa FEM, Time-Domain-Differenzverfahren oder Momentverfahren als typische Beispiele verwendet werden. Die erste Entwurfsoperation kann eine Erzeugung eines Modells für ein Elektromagnetisches Wellenlösungsmodul 200 (EMW) ermöglichen, welches die harmonische Antwort der ankommenden EM-Welle unter Verwendung der Maxwellschen Gleichungen berechnet. Aus der im ersten Entwurfsschritt erhaltenen EMW-Lösung wird eine harmonische Magnetfeldlösung, die eine Funktion der Frequenz ist, bestimmt. Diese Daten können in ein Mechanik-/Magnetoelastisches Modell bei einer zweiten Entwurfsoperation eingegeben werden, um eine harmonische, elektroelastische Antwort zu erzeugen, die, wenn COMSOL-Multiphysik verwendet wird, über das piezoelektrische Bauelementmodul 210 (PZD) gelöst wird. Die zweite Entwurfsoperation kann das eingegebene elektromagnetische Modell in eine elektromagnetische Schwingung umwandeln. Ein Modell mit reduzierter Komplexität, zum Beispiel ein Viertelsymmetriemodell auf einem einzelnen magnetoelastischen Element, das an ein elektroelastisches Substrat gekoppelt ist, kann verwendet werden, um die Berechnung einer Bauelementleistung zu erleichtern. Es können periodische Grenzbedingungen genutzt werden, so dass ein einzelnes Element eine repräsentative Antwort der gesamten Matrix zur Verfügung stellt. Das durch die zweite Entwurfsoperation erzeugte mechanische Modell (d. h. der PZD-Modul 210) kann Grenzbedingungen auf einem Substrat ausgeben, welches eine Schallwelle (z. B. Schallwelle 140) in ein eine Elektrode (Elektroden) auf dem elektroelastischen Substrat einschließendes Fernfeldmodell umwandelt. In einem Fertigmodell (d. h. einem elektrischen Schaltkreismodul 220 (Cir), das einer dritten Entwurfsoperation zugeordnet ist, kann sowohl der Elektrodenabstand als auch die Signalstärke (d. h. Spannungsausgang) aus simulierten Lastschaltkreisverbindungen bestimmt werden. Der gesamte dreistufige Modellierungsprozess kann im Zusammenhang mit einem Multidisziplinären Optimierungsprozessalgorithmus (MDO) geführt werden, um die Ausgangsleistung für eine gegebene Eingangsfeldstärke mit Geometrie- und Abstandsparametern als die Entwurfsvariablen zu maximieren. 3 Figure 12 illustrates a diagram illustrating the multiphysics analysis for a three-level model according to the processes of 1 in conjunction with the in 2 illustrated structures according to an exemplary embodiment. In the first design operation, a numerical analysis process is used to solve Maxwell's equations and to quantify the interactions as well as those in the magnetoelastic resonators 112 used (eg, the Ni elements) generated local magnetic fields. Here, the finite element method (FEM) is shown, however, a variety of methods such as FEM, time-domain difference method or moment method could be used as typical examples. The first design operation may be a generation of a model for a electromagnetic wave solution module 200 (EMW), which calculates the harmonic response of the incoming EM wave using Maxwell's equations. From the EMW solution obtained in the first design step, a harmonic magnetic field solution which is a function of the frequency is determined. These data may be input to a mechanical / magnetoelastic model in a second design operation to produce a harmonic, electro-elastic response that, when COMSOL multiphysics is used, passes over the piezoelectric device module 210 (PZD) is solved. The second design operation may convert the input electromagnetic model into an electromagnetic vibration. A reduced complexity model, for example a quarter-symmetry model on a single magnetoelastic element coupled to an electroelastic substrate, may be used to facilitate computation of device performance. Periodic boundary conditions can be used so that a single element provides a representative response of the entire matrix. The mechanical model generated by the second design operation (ie, the PZD module 210 ) can output boundary conditions on a substrate containing a sound wave (eg sound wave 140 ) converts to a far field model including an electrode (electrodes) on the electroelastic substrate. In a finished model (ie an electrical circuit module 220 (Cir) associated with a third design operation, both electrode spacing and signal strength (ie, voltage output) from simulated load circuit connections can be determined. The entire three-step modeling process can be run in conjunction with a Multidisciplinary Optimization Process Algorithm (MDO) to maximize output power for a given input field strength with geometry and distance parameters as the design variables.

Der Herstellungsprozess für das multiferroische Antennenelement 10 kann Herstellen einer Vielzahl von magnetoelastischen Resonatormustern und Elektroden auf verschiedenen elektroelastischen Substraten umfassen. Geometrie und Kantenabschlussprofile können mit eingesetzten unterschiedlichen Werkstoffen variieren. So kann der Herstellungsprozess eine Herstellung von Wiederholungen einschließen, wobei während diesen verschiedene Prozessverbesserungen festgelegt werden können, um sowohl die Herstellungsfähigkeit und Zuverlässigkeit zu erhöhen als auch Leistungseigenschaften des Bauelements wie Verstärkung und Bandbreite für spezielle Frequenzen zu optimieren und um interessierende Fälle zu nutzen. An sich kann das Prüfen verschiedener Strukturen zum Zweck von Validierung geführt werden. In einigen Fällen können vor dem Prüfen der Funkfrequenz Proben in einem magnetooptischen Kerr-Effekt (MOKE) oder anderen magnetischen Kennzeichnungssystem geprüft werden, um das statische magnetische Verhalten der magnetoelastischen Resonatoren zu messen. The manufacturing process for the multiferroic antenna element 10 may comprise forming a plurality of magnetoelastic resonator patterns and electrodes on different electroelastic substrates. Geometry and edge termination profiles can vary with different materials used. Thus, the manufacturing process may include producing repetitions, during which various process improvements may be established to increase both manufacturability and reliability, as well as to optimize device performance characteristics such as gain and bandwidth for particular frequencies, and to take advantage of cases of interest. As such, validation of various structures may be conducted for purposes of validation. In some cases, before testing the radio frequency, samples may be tested in a magneto-optic Kerr (MOKE) effect or other magnetic identification system to measure the static magnetic behavior of the magnetoelastic resonators.

In einigen Ausführungsformen kann der Entwurf des multiferroischen Antennenelements 10 erleichtert werden, indem ein numerisches Verfahren wie FEM (z. B. in COMSOL Multiphysik) oder ein anderes geeignetes Verfahren verwendet wird. Das FEM kann dann optimiert werden, indem ein Optimierungsalgorithmus wie etwa das Teilchenschwarmoptimierungsschema (PSO) (z. B. in (MATLAB) oder anderes geeignetes Verfahren einbezogen wird. Analytische Modellierung/Entwurf des multiferroischen Antennenelements 10 können außerdem, wie oben erwähnt, das Ablaufen lassen eines Optimierungsalgorithmus einschließen, der auf dem gesamten dreistufigen Prozess arbeitet.In some embodiments, the design of the multiferroic antenna element 10 be facilitated by using a numerical method such as FEM (eg in COMSOL Multiphysics) or another suitable method. The FEM can then be optimized by incorporating an optimization algorithm such as the Particle Swarm Optimization (PSO) scheme (e.g., in (MATLAB) or other suitable method.) Analytical modeling / design of the multiferroic antenna element 10 In addition, as mentioned above, may include running an optimization algorithm that operates on the entire three-stage process.

Wie die meisten numerischen Formulierungen, müssten bestimmte Annahmen gemacht werden, um ein System von Lösungen zu erzeugen, die stabil, konvergent und in einer angemessenen Zeitgröße lösbar sind. Um dies zu realisieren, kann eine anfängliche Approximation des elektroelastischen und magnetoelastischen Verhaltens als linear piezoelektrisch und piezomagnetisch für verschiedene zu verwendende Werkstoffe angenommen werden (z. B. für Lithiumniobat [LiNbO3] bzw. Ni). Das magnetoelastische Ni kann als polykristallin und multi-domän mit einem isotropen Sättigungsmagnetostriktionskoeffizienten bei -32 ppm, einer relativen Permeabilität von 20 und allen anderen festgelegten Eigenschaften behandelt werden (z. B. durch Verwendung von eingebauten Werkstoffkoeffizienten des COMSOL). Das LiNbO3 kann mit einem Dreifachtensor linearen Ranges behandelt werden, um die elektroelastischen Koeffizienten der trigonalen Kristallsymmetrie zu beschreiben. Spannungsbeaufschlagung, Spannungsbeaufschlagung oder andere, an sich normalerweise verwendete wesentliche Formen können für die Analyse genutzt werden. Werte von wesentlichen Formkoeffizienten der Spannungsbeaufschlagung werden bereitgestellt in Weis R. S., Gaylord T. K., „Lithiumniobat: Zusammenfassung physikalischer Eigenschaften und Kristallstruktur“, Angew. Physik A 37, 191-203 (1985) . Die umgebende Luft, Gold (Au)-IDEs und SiO2 Isolationsschicht können wie vollständig isotrope Medien behandelt werden, und alle ihre Koeffizienten können durch die COMSOL-Materialbibliothek definiert werden. Nachdem die Werkstoffe definiert sind, können die einbezogenen Physikpakete geeignet festgelegt werden.Like most numerical formulations, certain assumptions would have to be made to create a system of solutions that are stable, convergent, and solvable in a timely manner. To realize this, an initial approximation of the electro-elastic and magnetoelastic behavior can be assumed to be linear piezoelectric and piezomagnetic for various materials to be used (eg for lithium niobate [LiNbO3] or Ni). The magnetoelastic Ni can be treated as polycrystalline and multi-domain with an isotropic saturation magnetostriction coefficient at -32 ppm, a relative permeability of 20, and all other specified properties (eg, by using built-in material coefficients of the COMSOL). The LiNbO3 can be treated with a triple tensor of linear rank to describe the electroelastic coefficients of trigonal crystal symmetry. Voltage application, voltage application or other essential forms normally used can be used for the analysis. Values of significant strain-forming coefficients are provided in Weis RS, Gaylord TK, "Lithium Niobate: Summary of Physical Properties and Crystal Structure," Angew. Physics A 37, 191-203 (1985) , The surrounding air, gold (Au) IDs and SiO2 isolation layer can be treated as fully isotropic media, and all their coefficients can be defined by the COMSOL material library. Once the materials have been defined, the included physics packages can be appropriately determined.

Die drei oben eingeführten Module (d. h. EMW-Modul 200, PZD-Modul 210 und Cir. Modul 220) können im Grunde so funktionieren, dass eine ankommende elektromagnetische Welle in eine multiferroische Struktur gekoppelt wird und ein ausgehendes elektrisches Signal über Ausgangselektroden erzeugt wird. Der EMW-Modul 210 kann den vollen Satz Maxwellscher Gleichungen entweder im Frequenzbereich oder Zeitbereich definieren, und kann verwendet werden, um die ankommende elektromagnetische Welle 100 (oder EM-Welle) als eine Planwelle einzurichten. Diese Approximation ist aufgrund der Tatsache gültig, dass die magnetoelastischen Resonatoren etwa fünf Größenordnungen kleiner sind als die Wellenlänge der elektromagnetischen Welle 100 in Luft oder im freien Raum, und folglich die Phase der elektromagnetischen Welle 100 über eine Öffnung, die alle Resonatorelemente umgibt, nahezu konstant ist. Zum etwaigen Prüfen wurde die elektromagnetische Welle 100 durch einen Oberflächenstrom der Größenordnung von 1 A/m erzeugt, der an der oberen Z-Grenzschicht der umgebenden Luft eingerichtet ist, und durch perfekte elektrische Leiter (PEC) und perfekte magnetische Leiter (PMC), die auf der kurzen bzw. langen Achse des Ni-Resonators angeordnet sind, erzwungen wurde. Die untere Z-Grenzschicht ist ebenfalls mit einem mit ihr kongruenten PEC definiert, die als eine Horizontalebene in dem PZD-Modul 210 und Cir. Modul 220 definiert ist.The three modules introduced above (ie EMW module 200 , PZD module 210 and Cir. module 220 ) can basically work by coupling an incoming electromagnetic wave into a multiferroic structure and generating an outgoing electrical signal via output electrodes. The EMW module 210 can define the full set of Maxwell's equations in either the frequency domain or time domain, and can be used to calculate the incoming electromagnetic wave 100 (or EM wave) as a plane wave. This approximation is valid due to the fact that the magnetoelastic resonators are about five orders of magnitude smaller than the wavelength of the electromagnetic wave 100 in air or in free space, and thus the phase of the electromagnetic wave 100 via an opening which surrounds all resonator elements, is almost constant. The electromagnetic wave was tested for possible testing 100 generated by a surface current of the order of 1 A / m, which is arranged at the upper Z-boundary layer of the surrounding air, and by perfect electric conductors (PEC) and perfect magnetic conductors (PMC) on the short and long axis of the Ni resonator are arranged, has been forced. The lower Z-boundary layer is also defined with a congruent PEC, which is a horizontal plane in the PZD module 210 and Cir. module 220 is defined.

Das PZD Physikpaket (d. h. der PZD-Modul 210) kann zum genauen Bestimmen der magnetoelastischen und der sich ergebenden elektroelastischen Wirkungen in zwei getrennten Geometrien genutzt werden. Die erste Geometrie schließt die Transduktion der elektromagnetischen Welle 100 zu der Resonatoreinheit 110 ein. Das Ni-Element und eine isolierende SiO2-Schicht können beide als lineare, elastische und elektrische Werkstoffe in der Ausführungsform der Simulation mit COMSOL-FEM festgelegt werden. In dem linearen elastischen Teilmodul kann eine Anfangsspannung für Ni als Funktion des aus dem EMW-Modul 200 herausgezogenen Magnetfeldes definiert werden, um die magnetoelastische Kopplung zu bewirken. LiNbO3 ist definiert als ein elektroelastischer Werkstoff in einer völlig anisotropen Spannungsbeanspruchungsform. Die negative Z-Grenzschicht kann, basierend auf den Beschränkungen der vorgeschlagenen Prüfapparatur, als fixiert und geerdet definiert werden; und allen Grenzschichten in der XY-Ebene werden Bedingungen von Symmetrie und Nullbeanspruchung gegeben, um näherungsweise eine unbegrenzte Matrix von Elementen darzustellen. Eine allgemeine Extrusionsabbildungsfunktion kann auf einen Bereich von einem Viertel des X-Abstandsparameters von der positiven X-Symmetriegrenzschicht angewandt werden. Diese Ausgabe eines Zwischenmodells kann verwendet werden, um Verschiebung- und Spannungspotenziale von jedem Knoten der ersten geometrischen Komponente zu der zweiten einzugeben. Die zweite Geometrie enthält ein erweitertes LiNbO3-Element und Au-Leiterbahnen, die die IDEs bilden.The PZD physics package (ie the PZD module 210 ) can be used to accurately determine the magnetoelastic and resultant electroelastic effects in two separate geometries. The first geometry completes the transduction of the electromagnetic wave 100 to the resonator unit 110 one. The Ni element and an insulating SiO 2 layer can both be defined as linear, elastic and electrical materials in the embodiment of the simulation with COMSOL-FEM. In the linear elastic submodule, an initial voltage for Ni as a function of that from the EMW module 200 be pulled out magnetic field to cause the magnetoelastic coupling. LiNbO3 is defined as an electro-elastic material in one completely anisotropic voltage stress form. The Z negative boundary layer can be defined as fixed and grounded based on the limitations of the proposed test equipment; and all boundary layers in the XY plane are given conditions of symmetry and zero stress to represent approximately an infinite array of elements. A general extrusion mapping function may be applied to a quarter of the X pitch parameter from the positive X symmetry boundary layer. This intermediate model output may be used to input shift and voltage potentials from each node of the first geometric component to the second one. The second geometry contains an extended LiNbO3 element and Au tracks that make up the IDEs.

In dem der zweiten Geometrie entsprechenden zweiten PZD-Physikmodul kann die negative X-Fläche mit dem ersten Entwurf gekoppelt werden, indem vorgeschriebene Verschiebung- und Spannungsbedingungen auf der „ankommenden Fläche“ angewandt werden, die von der allgemeinen Extrusion zugeführt werden. Ungerade IDEs sind als Anschluss 1 und gerade als Anschluss 2 definiert und werden nach vorn gedrückt in den Schaltkreismodul 220 mit einem zwischen diesen angeordneten Widerstand von 1000 Ohm zum Messen der ausgehenden Spannung. Den positiven und negativen Y-Flächen sind Bedingungen von Symmetrie und Nullbeanspruchung gegeben, um näherungsweise ihre quasiinfinite Beschaffenheit darzustellen, und die Grundfläche ist geerdet und fixiert, so dass sie den Bedingungen der ersten Geometrie angepasst ist. Schließlich wird die positive X-Richtung mit einer perfekt angepassten Schicht (PML) abgeschlossen, um jegliche Reflexion der elektromagnetischen Welle von der positiven X-Grenzschicht weg zu verhindern, die sich mit der ankommenden Welle stören würde. Weil der Wafer, der in dem physikalischen Prototyp verwendet werden soll, längenmäßig mehrere Wellenlängen größer ist als Matrix und IDE-System, macht eine näherungsweise Darstellung der Austrittsfläche sowohl vom Standpunkt elastischer Dynamik als auch vom rechnerischen Standpunkt aus Sinn.In the second PZD physics module corresponding to the second geometry, the negative X-surface may be coupled to the first design by applying prescribed displacement and stress conditions on the "incoming surface" supplied by the general extrusion. Odd IDEs are as connection 1 and just as a connection 2 are defined and pushed forward into the circuit module 220 with a 1000 ohm resistor between them to measure the outgoing voltage. The positive and negative Y Surfaces are given conditions of symmetry and zero stress to approximate their quasi-infinite nature, and the ground plane is grounded and fixed to match the conditions of the first geometry. Finally, the positive X-direction is terminated with a perfectly matched layer (PML) to prevent any reflection of the electromagnetic wave away from the positive X-junction, which would interfere with the incoming wave. Because the wafer to be used in the physical prototype is several wavelengths in length over the matrix and IDE system, approximate appearance of the exit surface makes sense both from the standpoint of elastic dynamics and the computational point of view.

4 und 5 zeigen die geometrische Anordnung des Systems. Die Geometrie wurde in zwei getrennte Modelle und drei unterschiedliche Entwürfe zur numerischen Stabilität zerlegt. Die erste Geometrie ist in 4 gezeigt, die ein Viertelsymmetriemodell eines repräsentativen Ni-Elements für eine quasiinfinite Matrix von Ni-Resonatoren 300 auf einem LiNbO3-Substrat 310 darstellt. Die in 5 gezeigte zweite Geometrie bewirkt die Ausdehnung von LiNbO3-Substrat 310, IDEs 320 und abschließender PML 330. Die EMW-Lösung kann am Anfang für die erste Geometrie berechnet werden, indem ein numerisches Verfahren für bikonjugierte Gradienten genutzt wird, um das Magnetfeld zu liefern und es in den Frequenzbereich weiterzuleiten. Mit dem berechneten Magnetfeld kann seine Lösung einem zweiten Entwurf für die erste Geometrie zugeführt werden, mit dem die gekoppelte magnetoelastische-elektroelastische Physik gelöst wird. Die sich ergebenden Verschiebungen und elektroelastische Spannung werden dann in einen dritten Entwurf vorgeschoben, mit dem das kombinierte elektroelastische Schaltkreismodell für die zweite Geometrie gelöst wird und den Spannungsausgang von dem Schaltkreismodell bewirkt. 4 and 5 show the geometric arrangement of the system. The geometry was broken down into two separate models and three different designs for numerical stability. The first geometry is in 4 shown a quarter-symmetry model of a representative Ni element for a quasi-infinite matrix of Ni resonators 300 on a LiNbO3 substrate 310 represents. In the 5 shown second geometry causes the expansion of LiNbO3 substrate 310 , IDEs 320 and final PML 330 , The EMW solution can be calculated initially for the first geometry by using a numerical method for biconjugated gradients to provide the magnetic field and pass it to the frequency domain. With the calculated magnetic field, his solution can be fed to a second design for the first geometry, which solves the coupled magnetoelastic-electroelastic physics. The resulting displacements and electro-elastic stress are then advanced into a third design that solves the combined second-order electro-elastic circuit model and effects the voltage output from the circuit model.

Mit dem FEM-Modell an der Verwendungsstelle kann das PSO-Schema entwickelt werden (z. B. in MATLAB). PSO ist ein meta-heuristischer Algorithmus, der jeden beliebigen n-dimensionalen Raum, der eine definierte Skalarausgabe aufweist, suchen kann. In dem vorliegenden Beispiel kann die Spannung über den IDEs als Optimierungsfunktion verwendet werden. Der Algorithmus kann einer Formulierung durch Robinson und Rahmat-Samii zugrunde gelegt werden (z. B. in Jacob Robinson und Yahya Rahmat-Samii, „Partikelschwarmoptimierung in Elektromagnetik“, IEEE Veröffentlichungen zu Antennen und Ausbreitung, 52(2), 2004), indem ihre empfohlenen Bewertungsfaktoren und eine modifizierte unsichtbare Randwertbedingung genutzt werden, wobei, anstatt einfach keine objektiven Funktionen außerhalb des definierten Parameterraums zu berechnen, die persönliche Geschwindigkeitskomponente auf Null gesetzt wird, so dass die soziale Geschwindigkeitskomponente Ursachen schneller zurück in Grenzen ziehen kann. Es können drei Abschlussbedingungen festgelegt werden, die umfassen: einen globalen Restfehler von 0,1 %, einen lokalen Restfehler von 0,01 % und eine Iterationsgrenze von 100. Es können viele Optimierungsabläufe durchgeführt werden, während in dem idealen Parameterraum gesperrt wird, weil Fertigungseinschränkungen berücksichtigt werden, und für solche Läufe, und eine raumerläuternde Tabelle 400, wie in 6 dargestellt, kann anwendbar sein.The PSO scheme can be developed using the FEM model at the point of use (eg in MATLAB). PSO is a meta-heuristic algorithm that can search any n-dimensional space that has a defined scalar output. In the present example, the voltage across the IDEs can be used as the optimization function. The algorithm can be based on a formulation by Robinson and Rahmat-Samii (eg, in Jacob Robinson and Yahya Rahmat-Samii, "Particle Swarm Optimization in Electromagnetics", IEEE Publications on Antennas and Propagation, 52 (2), 2004) their recommended weighting factors and a modified invisible boundary condition are used, and instead of simply calculating no objective functions outside of the defined parameter space, the personal speed component is set to zero, so that the social speed component can reduce causes more quickly. Three completion conditions can be set, including: a 0.1% residual global error, a 0.01% residual local error, and an iteration limit of 100. Many optimization operations can be performed while locking in the ideal parameter space because of manufacturing constraints and for such runs, and a room explanatory table 400, as in 6 shown, may be applicable.

7 veranschaulicht ein optisches Bild von Nickel-Resonatorstrukturen 410 auf einem Lithiumniobat-Substrat 420 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform. Die Matrix der in 7 gezeigten Nickel-Resonatorstrukturen 410 kann auf geschnittenen Lithiumniobat-Wafer, XY 128°, von 10,16 cm (4 Zoll) Durchmesser hergestellt werden. Der Fertigungsprozess wird mit Bezug auf 8 und 9 beschrieben, die Blockdiagramme sind, die einen mit der Fertigung verbundenen Prozessablauf darstellen. Die Wafer können auf beiden Seiten optisch zu einer Enddicke von 500 µm poliert worden sein. Die XY-Ebene des Lithiumniobat-Kristalls kann senkrecht zu der Fläche des Wafer ausgerichtet werden. Die Wafer können während des Wachstumsprozesses senkrecht zur Ausbreitungsrichtung gepolt sein. 7 illustrates an optical image of nickel resonator structures 410 on a lithium niobate substrate 420 according to an exemplary embodiment. The matrix of in 7 shown nickel resonator structures 410 can be made on 10.16 cm (4 inch) diameter cut lithium niobate wafers, XY 128 °. The manufacturing process is related to 8th and 9 which are block diagrams illustrating a process flow associated with manufacturing. The wafers may have been optically polished to a final thickness of 500 μm on both sides. The XY Plane of the lithium niobate crystal can be aligned perpendicular to the surface of the wafer. The wafers may be poled perpendicular to the propagation direction during the growth process.

Die Fertigung kann mit Waferbeschriftung beginnen, indem ein Diamantritzwerkzeug auf der Rückseite jedes Wafers zur Identifizierung während einer Verarbeitung im Arbeitsgang 500 verwendet wird. Im Arbeitsgang 505 kann eine dielektrische und metallische Schichtung auf der Oberfläche des Wafer mittels Elektronenstrahlaufdampfsystem aufgedampft werden. Dieses mehrschichtige System von Werkstoffen kann als Kristallkeimschicht für einen Schritt galvanischer Abscheidung von Nickel wirksam sein und um die Nickel-Resonatorstrukturen 410 elektrisch von dem Lithiumniobat-Substrat 420 zu isolieren. Die Schichtung kann vier Lagen aufweisen, die in der Reihenfolge, in der sie aufgebracht werden, in der Tabelle 600 von 10 aufgelistet sind. Tabelle 600 von 10 stellt außerdem die Abscheidungsrate und eine kurze Beschreibung jeder Lage dar. Fabrication may begin with wafer marking using a diamond trimming tool on the back of each wafer for identification during processing in the process 500 is used. In the work process 505 For example, a dielectric and metallic layer may be vapor-deposited on the surface of the wafer by means of an electron beam evaporation system. This multi-layered system of materials can act as a seed layer for one step of electrodeposition of nickel and around the nickel resonator structures 410 electrically from the lithium niobate substrate 420 to isolate. The lamination can have four layers, in the order in which they are applied, in the table 600 from 10 are listed. table 600 from 10 also shows the deposition rate and a brief description of each situation.

Nach Aufdampfung kann im Arbeitsgang 505 ein Negativfotolack (z. B. KMPR 1005) auf die Wafer aufgeschleudert werden. Dieser Fotolithographie-Schritt kann eine Durchkontaktierungs-Maskenmatrize festlegen, die beim Wachstum der Nickelelemente verwendet wird. 11 veranschaulicht das optische Bild eines strukturierten Fotolacks entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform. Die Abmessungen der Nickel-Resonatorstrukturen 410 (die, wie in 9 gezeigt, im Wesentlichen rechtwinklig in der Form sein können) eine Länge von etwa 372 µm und eine Breite von etwa 131 µm einschließen können, wobei etwa 82 µm zwischen Längsenden vorgesehen sind und 148 µm zwischen Querkanten benachbarter Strukturen vorgesehen sind, um eine strukturierte Fotomaske zur Verfügung zu stellen. Die rechtwinkligen Flächen 610 sind Öffnungen zu einer darunter liegenden Titan-Verknappungsschicht. Auf dem Bild sind Abmessungen der Resonatorstruktur bezeichnet. Der Fotolack kann auf eine Filmdicke von ungefähr 7 µm aufgeschleudert werden, um eine Entwurfshöhe des Resonators von 6,4 µm unterzubringen, ohne dass an der Oberseite des Nickelelements seitliches Ausdehnen des Bondhügels auftritt.After evaporation can in the work process 505 a negative resist (eg KMPR 1005 ) are spun onto the wafers. This photolithography step may define a via mask mask used in the growth of the nickel elements. 11 illustrates the optical image of a patterned photoresist according to an exemplary embodiment. The dimensions of the nickel resonator structures 410 (which, as in 9 may be substantially rectangular in shape) may include a length of about 372 microns and a width of about 131 microns, with about 82 microns provided between longitudinal ends and 148 microns between transverse edges of adjacent structures to form a patterned photomask To make available. The rectangular areas 610 are openings to an underlying titanium scarp layer. The picture shows dimensions of the resonator structure. The photoresist may be spin-coated to a film thickness of about 7 μm to accommodate a 6.4 μm design height of the resonator without causing lateral expansion of the bump at the top of the nickel element.

Anschließend an eine Resiststrukturierung kann der Wafer zum Elektroplattieren bereitgemacht sein. Zum Freilegen eines darunter liegenden Kupferplattierungskristallkeims muss die Titan-Verknappungsschicht im Arbeitsgang 515 von der Kristallkeimschichtung entfernt werden. Die Entfernung von Titan kann in einer 1%igen Flusssäure-Ätzlösung vorgenommen werden. Eine Bestätigung der Fertigstellung der Ätzung kann visuell vorgenommen werden, bevor im Schritt 520 eine Nickel-Metallisierung durchgeführt wird. Die Metallisierungslösung kann zum Beispiel ein handelsüblich erhältliches, verwendungsbereites Nickel-Metallisierungsbad mit einer Zusammensetzung nach Watt sein. Das Bad kann mit einer Heizplatte und einem Thermoelement vor Ort auf 55°C gehalten werden. Eine Konstantstrom-Stromversorgung kann während der Auftragung bei einer Stromdichte von etwa 5 mA/cm² gehalten werden. Die gesamte Auftragungszeit zur Erzielung von 6,4 µm kann bei etwa 64 Minuten für eine Abscheiderate von etwa 100 nm/min mit der ausgewählten Stromdichte liegen.Subsequent to resist patterning, the wafer may be ready for electroplating. To expose an underlying copper clad crystal nucleus, the titanium shunt layer must be in the process 515 be removed from the Kristallkeimschichtung. The removal of titanium can be done in a 1% hydrofluoric acid etching solution. Confirmation of the completion of the etching may be made visually before the step 520 a nickel metallization is performed. The metallization solution may be, for example, a commercially available ready-to-use nickel plating bath having a Watt composition. The bath can be kept at 55 ° C with a hotplate and a thermocouple on site. A constant current power supply can be maintained during application at a current density of about 5 mA / cm ² . The total deposition time to achieve 6.4 microns may be about 64 minutes for a deposition rate of about 100 nm / min at the selected current density.

Dann kann eine Bestimmung vorgenommen werden, ob beim Arbeitsgang 525 Übermetallisierung stattgefunden hat. Im Fall von Übermetallisierung und seitlichem Ausdehnen des Bondhügels von der Oberseite der Metallisierungsmatrize kann die überschüssige Filmdicke mit einem chemisch-mechanischen Poliersystem (CMP) im Arbeitsgang 530 abgeschliffen werden. Im Allgemeinen erfordern bearbeitete Wafer kein Polieren, jedoch sind die CPM-Parameter vom vorhergehenden Prüfen: 1 psi Druck von Probe zu Platte, Plattenumdrehung 30 U/min und 100 nm aufgeschlämmte Tonerdemasse. Dies führt zu einer Materialentfernungsrate von 1 µm/min für den elektroplattierten Nickel-Film.Then, a determination can be made whether at the operation 525 Over metallization has taken place. In the case of over-metallization and lateral expansion of the bump from the top of the metallization die, the excess film thickness can be used with a chemical mechanical polishing (CMP) system 530 be sanded off. In general, machined wafers do not require polishing, but the CPM parameters from previous testing are: 1 psi sample to plate pressure, plate rotation 30 Rpm and 100 nm slurried toner mass. This results in a material removal rate of 1 μm / min for the electroplated nickel film.

Die Metallisierungsmatrize kann mit einem handelsüblichen Fotolack-Lösungsmittel (z.B. AZ 300T) 30 Minuten lang bei 80°C entfernt werden. Dies legt die darunter liegende Kristallkeimschicht frei, die den Rest des Wafer bedeckt. Diese restliche Kristallkeimschicht kann im Arbeitsgang 535 mit einem verdünnten Flusssäureätzmittel entfernt werden, um die obere Titan-Verkappungsschicht zu entfernen, dem sich eine Kupferätzung mit APS 100 für die Kupferkristallkeimschicht und eine weitere Ätzung mit Flusssäure anschließt, um die Titan-Haftendschicht und Siliziumdioxidisolationsschicht zu entfernen. Die fertiggestellten Nickel-Resonatorstrukturen 410 können, nachdem die Kristallkeimschichtung von der Oberfläche des Lithiumniobats entfernt wurden, ähnlich dem Bild in 7 aussehen. Danach kann beim Arbeitsgang 540 in einem zweiten Lithographie-Arbeitsgang IDE-Strukturlithographie durchgeführt werden, was nachstehend in Bezug auf 9 beschrieben wird.The metallization template can be removed with a commercially available photoresist solvent (eg AZ 300T) for 30 minutes at 80 ° C. This exposes the underlying seed layer which covers the remainder of the wafer. This remaining seed layer can in the work process 535 with a dilute hydrofluoric acid etchant to remove the top titanium capping layer which has been subjected to copper etching with APS 100 for the copper seed layer and further etching with hydrofluoric acid to remove the titanium adhesive layer and silicon dioxide insulating layer. The finished nickel resonator structures 410 After the crystal seed layer has been removed from the surface of the lithium niobate, it may be similar to the image in FIG 7 appearance. Afterwards, during the operation 540 In a second lithographic operation, IDE structure lithography will be performed, which will be described below with reference to FIG 9 is described.

Ein zweiter Lithographie-Schritt (z. B. mittels KMPR 1005) kann ausgeführt werden, um die zur Messung des Bauelements verwendeten Interdigitalwandlerstrukturen (IDE) zu definieren. Der Negativfotolack kann als eine Abhebeschicht genutzt werden, durch die beim Arbeitsgang 550 leitfähiges Material auf die Oberfläche des Lithiumniobat an strukturierten Öffnungen in dem Film aufgedampft werden. Die Metallisierung der IDT-Strukturen kann im Arbeitsgang 555 durch Elektronenstrahlaufdampfung von Titan und Gold mit 20 nm bzw. 100 nm fertiggestellt werden. Ein optisches Bild der fertiggestellten Elektrodenmuster ist in 12 zusammen mit Abmessungen für IDE-Rasterabstand und Fingerbreite gezeigt. Fotolack und unerwünschtes Metall können unter Verwendung eines kommerziell erhältlichen, etwa 12 Stunden lang auf 80 °C erhitzten Fotolack-Lösungsmittels, im Arbeitsgang 560 entfernt werden. 13 zeigt ein optisches Bild eines fertig gestellten Prüfbauelements sowohl mit Gold-IDE 650 als auch mit Nickel-Resonatormustern 660, die auf die Oberfläche eines Lithiumniobat-Wafer 670 aufgetragen wurden.A second lithography step (eg, using KMPR 1005) may be performed to define the interdigital transducer structures (IDE) used to measure the device. The negative resist can be used as a lift-off layer through the operation 550 conductive material is vapor-deposited on the surface of the lithium niobate at structured openings in the film. The metallization of the IDT structures can be done in the process 555 by electron beam evaporation of titanium and gold at 20 nm and 100 nm, respectively. An optical image of the finished electrode pattern is in 12 shown together with dimensions for IDE pitch and finger width. Photoresist and unwanted metal can be processed using a commercially available photoresist solvent heated at 80 ° C for about 12 hours 560 be removed. 13 shows an optical image of a completed test device with both Gold IDE 650 as well as with nickel resonator patterns 660 pointing to the surface of a lithium niobate wafer 670 were applied.

Fertiggestellte Vier-Zoll-Wafer können zu Platten von 40 x 70 mm geschnitten werden, die die zwei Anordnungen ineinandergreifender (IDT) Wandlermuster und Nickel-Resonatormuster enthalten. Die Probenmatrizen werden an auf Substraten gedruckten Träger gebondet, indem einkomponentiges Epoxidharz verwendet wird. Zum Bonden kann ein nachgiebiger, lösbarer Klebstoff gewählt werden, um übermäßige Spannung an der Bodenfläche der Matrize beim Aushärten zu verhindern und eine leichte Entfernung der Matrize zuzulassen. Es können zwei Layouts von Trägern verwendet werden, welche die IDE-Muster mit unterschiedlichen Prüfsystemen verbinden.Finished four inch wafers can be cut into 40 x 70 mm plates containing the two arrays of interdigitated (IDT) transducer patterns and nickel resonator patterns. The sample arrays are bonded to substrates printed on substrates by using one-component epoxy resin. For bonding, a compliant, releasable adhesive can be selected to prevent excessive stress on the bottom surface of the die upon curing and allow for easy removal of the die. Two layouts of carriers connecting the IDE patterns to different test systems can be used.

Ein Direktverbindungslayout ist ein Beispiel eines Prüfbauelements, das mit einem Netzwerkanalysator verwendet werden kann. Dieses Verbindungsverfahren kann kantenmontierte SMA-Stecker verwenden, die an CPW-Übertragungsleitungen angelötet sind. Diese Übertragungsleitungen können durch Drahtbonden mit den IDE-Kontaktstellen in einer einendigen Anordnung (G-S) verbunden werden. Eine der IDEs kann direkt mit einem Oberflächen montierten SMA-Stecker über eine CPW-Übertragungsleitung verbunden werden. Die gegenüberliegende IDE kann mit einem HF-Differentialverstärker verbunden werden. Der Ausgang des Verstärkers kann in eine einseitige Operation umgewandelt werden und mit der auf eine Voreinstellung von 100 kHz eingestellten Niedrigpass-Grenzfrequenz in einen HF-Leistungsgleichrichter hindurch geleitet werden. Der Ausgang des Leistungsgleichrichters kann mit einem kantenmontierten SMA-Stecker verbunden werden. Ein 5-Volt-Linearspannungsregler kann dem Verstärker und HF-Detektor Leistung liefern.A direct connection layout is an example of a test device that can be used with a network analyzer. This connection method can use edge-mounted SMA connectors soldered to CPW transmission lines. These transmission lines can be wire-bonded to the IDE pads in a single ended array (G-S). One of the IDEs can be directly connected to a surface mounted SMA connector via a CPW transmission line. The opposite IDE can be connected to an RF differential amplifier. The output of the amplifier can be converted into a one-sided operation and passed through the low-pass cut-off frequency set to a default of 100 kHz into an RF power rectifier. The output of the power rectifier can be connected to a edge mounted SMA connector. A 5 volt linear voltage regulator can provide power to the amplifier and RF detector.

Es können verschiedene Prüfverfahren genutzt werden, um sowohl die Spektren von IDE zu IDE-Übertragung des Antennenbauelements als auch eine IDE-Freiraum-Kopplung zu kennzeichnen. Ein Vektornetzwerkanalysator kann verwendet werden, um die S21-Übertragungsantwort durch Verbindungsteile 1 und 2 mit den IEEE-Mustern auf jeder Matrize zu messen. Dies erlaubt die Messung eines vollen Satzes von Streuparametern. Die Frequenz kann über einen Bereich von 10 bis 50 MHz mittels Leistung eines gekoppelten Ports von -5 dBm gemessen werden. Ein zweites Lock-in-Verfahren kann genutzt werden, indem die Ausgangsantwort an einer Empfänger-IDE in eine Gleichstromdarstellung der HF-RMS-Leistung des Signals umgewandelt und die Leistungsantwort mit einem Lock-in-Verstärker demoduliert wird. Diese Technik kann zu extrem hochempfindlichen Messungen bis runter zum Bereich von 10 bis 12 V in der genauen Prüfumgebung führen. Eine Anregungs-IDE kann direkt an eine SG382-HF-Quelle des Stanford Research Systems angeschlossen werden. Die Quellenfrequenz kann von 10 bis 50 MHz bei einer Portleistung von -5 dBm abgetastet werden. Diese Quelle kann außerdem ein 10kHz-Modulationssignal für die Lock-in-Frequenz liefern, indem eine hundertprozentige Amplitudenmodulation des HF-Ausgangs genutzt wird. Der Ausgang des HF-Gleichrichters kann beim Empfang mit einem 7220 DSP-Lock-in-Verstärker von EG&G verbunden werden. Der Lock-in-Vorverstärker kann 20 dB Verstärkung für eine Vollbereichs-Empfindlichkeit von 5 mV. Die Zeitkonstante des internen Filters kann auf 50 ms festgelegt werden. Die Zeitablenkfrequenz kann in 800 Punkte geteilt werden, wobei eine Lock-in-Größenmessung an jedem Punkt durchgeführt wird.Various test methods can be used to characterize both the spectra of IDE to IDE transmission of the antenna device and IDE free-space coupling. A vector network analyzer can be used to transmit the S21 transmission response through links 1 and 2 to measure with the IEEE patterns on each die. This allows the measurement of a full set of scatter parameters. The frequency can be measured over a range of 10 to 50 MHz using coupled-port power of -5 dBm. A second lock-in technique can be used by converting the output response at a receiver IDE to a DC representation of the RF-RMS power of the signal and demodulating the power response with a lock-in amplifier. This technique can lead to extremely high sensitivity measurements down to the 10 to 12 V range in the exact test environment. An excitation IDE can be connected directly to a SG382 RF source from the Stanford Research System. The source frequency can be sampled from 10 to 50 MHz at a -5 dBm port power. This source can also provide a 10kHz lock-in frequency modulation signal by taking advantage of 100% amplitude modulation of the RF output. The output of the RF rectifier can be connected to an EG & G 7220 DSP lock-in amplifier when received. The lock-in preamp can provide 20 dB gain for a full-range sensitivity of 5 mV. The time constant of the internal filter can be set to 50 ms. The time-of-flight frequency can be divided into 800 points, with a lock-in size measurement being made at each point.

Hier beschriebene Verfahren, die das Prüfen nutzen, und andere Verfahren zeigen, dass der hier beschriebene Antennenentwurf funktioniert und eine ausreichende Bandbreite aufweist, um zum Einsatz in einer Anzahl von nutzbaren Anwendungen praktisch anwendbar zu sein. Eine Erörterung jeweils des Prüfverfahrens und von Ergebnissen daraus geht weiter als der Umfang dieser Offenlegung. Jedoch bewerten Messungen des Frequenzgangs von einer multiferroischen Heterostruktur die Fähigkeit des multiferroischen Antennenelements 10 von 1, um die dreistufige Umwandlung vorzunehmen und Informationen zu bewahren, die mit der ursprünglichen elektromagnetischen Welle verbunden sind. Durch Einsatz der hier beschriebenen Modelle, Einsatz von Optimierungsverfahren und Fertigungsverfahren, die ebenfalls hier beschrieben sind, können verschiedene Faktoren und dem Resonator zugeordnete Werkstoffe kann der Entwurf von IDE und Substrat modifiziert werden, um die physikalische Größe von Öffnung und Bandbreite, die zur Anwendung beispielhafter Ausführungsformen bei Radar, Kommunikation und anderer Ausrüstung benötigt werden, zu erreichen.Methods described herein that utilize testing and other methods demonstrate that the antenna design described herein functions and has sufficient bandwidth to be practical for use in a number of useful applications. A discussion of the test procedure and results thereof goes beyond the scope of this disclosure. However, measurements of the frequency response of a multiferroic heterostructure evaluate the ability of the multiferroic antenna element 10 from 1 to perform the three-stage conversion and preserve information associated with the original electromagnetic wave. By employing the models described herein, employing optimization techniques and fabrication techniques also described herein, various factors and materials associated with the resonator may be used to modify the design of the IDE and substrate to provide the physical size of the aperture and bandwidth required for application of the present invention Embodiments in radar, communications and other equipment are needed to achieve.

In einigen Fällen kann das fertig gestellte multiferroische Antennenelement 10 so ausgeführt sein, dass es eine verhältnismäßig kleine Größe aufweist (z. B. mit einer Länge und Breite von weniger als etwa 1 mm). 14 veranschaulicht eine beispielhafte Struktur. Wie in 14 gezeigt ist, können Resonatoren 700 über die Oberfläche eines Wafers 710 (z. B. eines elektroelastischen Lithiumniobat-Substrats) verteilt sein. Abgeglichene IDEs 720 können dann an gegenüberliegenden Enden des Wafer 710 verteilt sein. In einigen Fällen können auch Bondinseln 730 vorgesehen sein, um das Bauelement auf einer anderen Struktur zu bonden.In some cases, the finished multiferroic antenna element 10 be designed to have a relatively small size (eg, having a length and width of less than about 1 mm). 14 illustrates an example structure. As in 14 Shown are resonators 700 over the surface of a wafer 710 (eg, an electroelastic lithium niobate substrate). Matched IDEs 720 can then be on opposite ends of the wafer 710 be distributed. In some cases, Bond Islands can also 730 be provided to bond the device to another structure.

15 veranschaulicht ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines multiferroischen Antennenelements nach einer beispielhaften Ausführungsform. Das Verfahren kann im Arbeitsgang 800 Bereitstellen eines elektroelastischen Substrats zum Umformen von mechanischen Schwingungen in eine Schallwelle umfassen. Im Arbeitsgang 810 kann das Verfahren des Weiteren Bereitstellen einer Resonatoreinheit auf einer Oberfläche des elektroelastischen Substrats umfassen, wobei die Resonatoreinheit eine Vielzahl von magnetoelastischen Resonatoren enthält, die eine elektromagnetische Welle in mechanische Schwingungen, die einer Frequenz der elektromagnetischen Welle entsprechen, umwandeln. Das Verfahren kann des Weiteren Bereitstellen einer ineinander greifenden Elektrodeneinheit an einem Abschnitt des elektroelastischen Substrats umfassen, um die Schallwelle im Arbeitsgang 820 in ein elektrisches Signal umzuformen, das mit der Frequenz der elektromagnetischen Welle verbundene Informationen bewahrt. 15 FIG. 12 illustrates a block diagram of a method of fabricating a multiferroic antenna element according to an example embodiment. The process can be done in the work process 800 Providing an electro-elastic substrate for transforming mechanical vibrations into a sound wave. In the work process 810 The method may further comprise providing a resonator unit on a surface of the electroelastic substrate, wherein the resonator unit includes a plurality of magnetoelastic resonators that convert an electromagnetic wave into mechanical vibrations corresponding to a frequency of the electromagnetic wave. The method may further comprise providing an interdigitated electrode unit at a portion of the electroelastic substrate to move the sound wave in the process 820 to transform into an electrical signal that preserves information associated with the frequency of the electromagnetic wave.

In einigen Fällen können die Arbeitsgänge 800 bis 820 auch modifiziert, gesteigert oder verstärkt werden. Zum Beispiel kann in einigen Ausführungsformen das elektroelastische Substrat einen Lithiumniobat-Wafer einschließen. In einer beispielhaften Ausführungsform kann Bereitstellen der Resonatoreinheit Aufdampfen einer dielektrischen und metallischen Schichtung auf einer Oberfläche des Wafer, Aufschleudern eines Negativfotolacks auf den Wafer, Entfernen einer Titanverkappungsschicht von der metallischen Schichtung, Durchführen von Vernickelung und Entfernen von Fotolack und entsprechender Kristallkeimschicht zum Fertigstellen von Resonatoren auf Nickelbasis umfassen.In some cases, the operations can 800 to 820 also modified, enhanced or reinforced. For example, in some embodiments, the electroelastic substrate may include a lithium niobate wafer. In an exemplary embodiment, providing the resonator unit may include vapor deposition of a dielectric and metallic lamination on a surface of the wafer, spin coating a negative photoresist onto the wafer, removing a titanium cap layer from the metallic lamination, performing nickel plating, and removing photoresist and corresponding seed layer to complete resonators Include nickel base.

In einigen Ausführungsformen kann Bereitstellen der ineinandergreifenden Elektrodeneinheit das Einsetzen einer Fotomaske zum Aufdampfen von leitfähigem Material auf die Oberfläche des Wafer durch strukturierte Öffnungen, das Aufdampfen von Titan und Gold durch Elektronenstrahl auf den Wafer zum Bilden von ineinandergreifenden Elektroden, und das Entfernen von Fotolack und unerwünschtem Metall durch ein Lösungsmittel umfassen. In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Bereitstellung des elektroelastischen Substrats, Bereitstellung der Resonatoreinheit und Bereitstellung der ineinandergreifenden Elektrodeneinheit jeweils basierend auf der Erzeugung und Optimierung eines Finite-Elemente-Modells relativ zu einer Optimierungsvariablen durchgeführt werden. In einigen Fällen kann das Finite-Elemente-Modell Physikmodule umfassen, einschließlich eines Elektromagnetischen Wellenfrequenzbereichmoduls (EMW) zum Modellieren der Resonatoreinheit, ein Elektroelastisches-Geräte-Modul (PZD) zum Modellieren des elektroelastischen Substrats und ein Elektrische-Schaltkreise-Modul (Cir) zum Modellieren der ineinandergreifenden Elektrodeneinheit. In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Optimierungsvariable Spannung über ineinandergreifenden Elektroden der ineinandergreifenden Elektrodeneinheit sein. In einigen Fällen kann Partikelschwarmoptimierung eingesetzt werden, um das Finite-Elemente-Modell relativ zur Optimierungsvariablen zu optimieren. In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Resonatoreinheit über der Oberfläche des elektroelastischen Substrats verteilt sein, und Elektroden der ineinandergreifenden Elektrodeneinheit können auf gegenüberliegenden Seiten des elektroelastischen Substrats angeordnet sein. In einer beispielhaften Ausführungsform sind Länge und Breite des multiferroischen Antennenelements kleiner als 1 mm.In some embodiments, providing the interdigitated electrode assembly may include inserting a photomask for vapor deposition of conductive material onto the surface of the wafer through patterned openings, vapor depositing titanium and gold on the wafer to form interdigitated electrodes, and removing photoresist and unwanted photons Include metal by a solvent. In an exemplary embodiment, the provision of the electroelastic substrate, provision of the resonator unit, and provision of the interdigitated electrode unit may each be performed based on generation and optimization of a finite element model relative to an optimization variable. In some cases, the finite element model may include physics modules, including an electromagnetic wave frequency domain module (EMW) for modeling the resonator unit, an electro-elastic device module (PZD) for modeling the electro-elastic substrate, and an electrical circuit module (Cir) Modeling the interdigitated electrode unit. In an exemplary embodiment, the optimization variable may be voltage across interdigitated electrodes of the interdigitated electrode unit. In some cases, Particle Swarm Optimization can be used to optimize the finite element model relative to the optimization variable. In an exemplary embodiment, the resonator unit may be distributed over the surface of the electroelastic substrate, and electrodes of the interdigitated electrode unit may be disposed on opposite sides of the electroelastic substrate. In an exemplary embodiment, the length and width of the multiferroic antenna element are less than 1 mm.

Claims

Multiferroic antenna element comprising: a resonator unit including a magnetoelastic resonator that transforms an electromagnetic wave into mechanical vibrations corresponding to the frequency of the electromagnetic wave; an electroelastic substrate operably coupled to the magnetoelastic resonator to convert the mechanical vibrations into an electrical output signal; and an electrode unit operatively connected to the electrostatic substrate to allow monitoring of the electrical output signal.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 wherein the magnetoelastic resonator is a matrix of elements that produce a sound wave in the electroelastic substrate.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 wherein the electrode unit comprises an interdigitated electrode unit.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 , wherein the electrical signal preserves information associated with the frequency of the electromagnetic wave.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 , wherein the electrical output corresponds to a reshaped sound wave.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 wherein the electroelastic substrate comprises a substrate of lithium niobate, quartz, AINi, PZT, ZnO, LiTaO or PMN-PT and the magnetoelastic resonators nickel or a nickel alloy, Terfenol-D, FeGaGaFeB, FeGaGaFe, YIG, CoFe, CoFeB, metallic glass, NiZnFeO, MnZnFeO, MnNiZnFe or FeCoSiB.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 wherein the resonator unit associated physical structures, the electro-elastic substrate and the electrode unit are manufactured based on corresponding models that are generated for each structure before manufacturing.

Multiferroic antenna element according to Claim 7 where the corresponding models are generated and optimized in relation to an optimization variable or variables.

Multiferroic antenna element according to Claim 8 wherein the optimization variable comprises the voltage across the electrode or the electrode unit.

Multiferroic antenna element according to Claim 7 Each of the corresponding models is a finite element method model or a finite difference time domain model or a torque-method model or a comparable numerical calculation method and is coupled to a simulation program with integrated circuit center point model or a comparable circuit simulation method can be.

Multiferroic antenna element according to Claim 8 wherein the finite element model comprises physics modules including an electromagnetic wave (EMW) module for modeling the resonator unit, a piezoelectric device module (PZD) for modeling the electroelastic substrate, and an electrical circuit module (Cir) for modeling the electrode unit includes.

Multiferroic antenna element according to Claim 1 wherein the resonator unit is distributed over a surface of the electrostatic substrate, and electrodes of the electrode unit are deposited on opposite sides of the electroelastic substrate.

Multiferroic antenna elements after Claim 1 wherein the length and width of the multiferroic antenna element are less than 1/10 of a wavelength of the electromagnetic wave.

A method of making a multiferroic antenna element, the method comprising: Providing an electro-elastic substrate for transforming mechanical vibrations into an electrical output signal; Providing a resonator unit on a surface of the electroelastic substrate, the resonator unit comprising a magnetoelastic resonator that transforms an electromagnetic wave into mechanical oscillations corresponding to a frequency of the electromagnetic wave; and Providing an electrode unit at a portion of the electroelastic substrate for monitoring the electrical output signal and transmitting the electrical output signal into an electrical signal.

Method according to Claim 14 wherein providing the resonator unit comprises: applying a resist layer that is chemically sensitive to electromagnetic radiation or energetic particles to a wafer of material corresponding to the electroelastic substrate; lithographically patterning the resist layer by selective exposure or by using a photomask to form the exposure areas; Removing exposed photoresist by immersing the wafer in a developing solution or removing unexposed photoresist by immersing the wafer in a developing solution; Edge sharpness of the magnetoelastic material by etching an existing layer or by applying material; and removing the resist from the wafer.

Method according to Claim 14 wherein providing the electrode unit comprises: applying a resist layer that is chemically sensitive to electromagnetic radiation or energetic particles to a wafer of material corresponding to the electroelastic substrate; lithographically patterning the resist layer by selective exposure or by using a photomask to form the exposure areas; Removing exposed photoresist by immersing the wafer in a developing solution or removing unexposed photoresist by immersing the wafer in a developing solution; Edge sharpening of the electrode material by etching an existing layer or by applying material; and removing the resist from the wafer.

Method according to Claim 14 wherein the provision of the electroelastic substrate, the provision of the resonator unit and the provision of the electrode unit is based on corresponding models produced for each structure prior to fabrication.

Method according to Claim 17 where the corresponding models are generated and optimized in relation to an optimization variable or variables.

Method according to Claim 17 wherein the optimization variable includes voltage across electrodes of the electrode unit.

Method according to Claim 17 where each of the corresponding models is a finite element model.