DE102016106734A1 - Support for an optoelectronic component, method for producing a support for an optoelectronic component, wafers and soldering methods - Google Patents

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Christoph Walter
Roland Enzmann
Markus Horn
Jan Seidenfaden
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: – einen Grundkörper, – wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst, – wobei auf einer ersten Seite des Grundkörpers eine erste Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper angeordnet ist, – wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren einen Wafer und ein Lötverfahren.The invention relates to a support for an optoelectronic component, comprising: a base body, the base body comprising a first electrically conductive heating layer arrangement, a first soldering layer being arranged on a first side of the base body for soldering an optoelectronic component to the base body, wherein the first electrically conductive heating layer assembly is electrically insulated from the first solder layer and thermally connected to the first solder layer. The invention further relates to a method for producing a support for an optoelectronic component. The invention further relates to a wafer and a soldering method.

Description

Die Erfindung betrifft einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren einen Wafer. Die Erfindung betrifft ferner ein Lötverfahren.The invention relates to a support for an optoelectronic component. The invention further relates to a method for producing a support for an optoelectronic component. The invention further relates to a wafer. The invention further relates to a soldering method.

Optoelektronische Bauelemente werden üblicherweise auf einen Träger gelötet. Üblicherweise weist das Bauelement respektive der Träger eine Lötschicht auf, die zwecks Verlöten erhitzt werden muss. Die hierfür notwendige thermische Energie wird zum Beispiel über ein Greifwerkzeug oder eine Heizplatte bereitgestellt.Optoelectronic devices are usually soldered to a carrier. Usually, the component or the carrier has a solder layer, which must be heated for the purpose of soldering. The thermal energy required for this purpose is provided, for example, via a gripping tool or a heating plate.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist darin zu sehen, ein effizientes Konzept bereitzustellen, welches ein effizientes Löten eines optoelektronischen Bauelements auf einen Grundkörper eines Trägers ermöglicht.The object on which the invention is based is to provide an efficient concept which enables an efficient soldering of an optoelectronic component to a main body of a carrier.

Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.This object is achieved by means of the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments of the invention are the subject of each dependent subclaims.

Nach einem Aspekt wird ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, umfassend:

  • – einen Grundkörper,
  • – wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst,
  • – wobei auf einer ersten Seite des Grundkörpers eine erste Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper angeordnet ist,
  • – wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist.
In one aspect, there is provided a support for an optoelectronic device comprising:
  • A basic body,
  • Wherein the base body comprises a first electrically conductive heating layer arrangement,
  • Wherein a first soldering layer for soldering an optoelectronic component to the base body is arranged on a first side of the base body,
  • - Wherein the first electrically conductive heating layer arrangement of the first solder layer is electrically insulated and thermally connected to the first solder layer.

Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:

  • – Bereitstellen eines Grundkörpers, wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst,
  • – Bilden einer elektrischen Isolierung, einer thermischen Verbindung und einer ersten Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper auf einer ersten Seite des Grundkörpers derart, dass
  • – die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist.
According to a further aspect, a method for producing a support for an optoelectronic component is provided, comprising the following steps:
  • Providing a base body, wherein the base body comprises a first electrically conductive heating layer arrangement,
  • - Forming an electrical insulation, a thermal connection and a first solder layer for soldering an optoelectronic component to the base body on a first side of the base body such that
  • - The first electrically conductive heating layer assembly of the first solder layer is electrically insulated and thermally connected to the first solder layer.

Nach einem weiteren Aspekt wird ein Wafer bereitgestellt, der mehrere Träger umfasst.In another aspect, a wafer is provided that includes a plurality of carriers.

Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Lötverfahren unter Verwendung des Trägers und/oder des Wafers bereitgestellt, wobei ein optoelektronisches Bauelement mittels der ersten Lötschicht an den Grundkörper gelötet wird, indem die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung mit einer elektrischen Spannung oder einem elektrischen Strom beaufschlagt wird, so dass sich die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung erwärmt, um die erste Lötschicht zu schmelzen. According to a further aspect, a soldering method using the carrier and / or the wafer is provided, wherein an optoelectronic component is soldered to the base body by means of the first solder layer by applying an electric voltage or an electric current to the first electrically conductive heating layer arrangement in that the first electrically conductive heating layer arrangement heats up in order to melt the first soldering layer.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die obige Aufgabe dadurch gelöst werden kann, dass jeder Träger mit seiner eigenen elektrisch leitfähigen Heizschichtanordnung versehen ist. Die elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung wirkt als eine elektrische Widerstandsheizung und stellt die für das Verlöten benötigte thermische Energie bereit. Aufgrund der thermischen Verbindung zwischen der ersten Lötschicht und der ersten Heizschichtanordnung wird somit in vorteilhafter Weise bewirkt, dass die thermische Energie, die mittels der ersten Heizschichtanordnung erzeugt wird, effizient zur ersten Lötschicht geleitet werden kann. Dadurch wird sich also die erste Lötschicht in vorteilhafter Weise erwärmen und letztlich bei entsprechender Temperatur schmelzen, so dass ein Verlöten des optoelektronischen Bauelements mit dem Grundkörper effizient bewirkt werden kann.The invention is based on the realization that the above object can be achieved by providing each carrier with its own electrically conductive heating layer arrangement. The electrically conductive heating layer assembly acts as an electrical resistance heater and provides the thermal energy needed for soldering. Due to the thermal connection between the first solder layer and the first heating layer arrangement, it is thus advantageously effected that the thermal energy which is generated by means of the first heating layer arrangement can be efficiently conducted to the first solder layer. As a result, therefore, the first solder layer will heat up in an advantageous manner and ultimately melt at an appropriate temperature, so that soldering of the optoelectronic component to the base body can be effected efficiently.

Dadurch also, dass der Grundkörper eine eigene elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst, muss die für das Löten benötigte thermische Energie nicht mehr über ein Greifwerkzeug oder eine Heizplatte bereitgestellt werden. Somit kann zum Beispiel auf ein solches Greifwerkzeug oder eine solche Heizplatte verzichtet werden. Dadurch können zum Beispiel Kosten eingespart werden. Insbesondere kann dadurch ein Materialaufwand reduziert werden.By virtue of the fact that the base body comprises its own electrically conductive heating layer arrangement, the thermal energy required for the brazing no longer has to be provided via a gripping tool or a heating plate. Thus, for example, can be dispensed with such a gripping tool or such a heating plate. As a result, for example, costs can be saved. In particular, this can be a material cost can be reduced.

Insbesondere ist es ermöglicht, dass die thermische Energie mit einer höheren Ortsgenauigkeit der ersten Lötschicht bereitgestellt werden kann, insofern die thermische Energie mittels der Heizschichtanordnung erzeugt wird, die vom Grundkörper umfasst ist, sich also in einem geringeren Abstand zur ersten Lötschicht befindet als eine Heizplatte, auf welcher der Grundkörper zwecks Verlöten normalerweise gemäß dem Stand der Technik aufgelegt ist.In particular, it is possible that the thermal energy can be provided with a higher spatial accuracy of the first solder layer, insofar as the thermal energy is generated by means of the heating layer arrangement, which is encompassed by the main body, ie at a smaller distance from the first solder layer than a heating plate, on which the main body is usually placed according to the prior art for soldering.

Dadurch kann also in vorteilhafter Weise eine erhöhte Prozesssicherheit bewirkt werden aufgrund eines Einbringens von thermischer Energie direkt oder näher am Lotinterface.As a result, an increased process reliability can be effected in an advantageous manner due to the introduction of thermal energy directly or closer to the solder interface.

Da somit in der Regel ein thermischer Weg für die erzeugte thermische Energie zur ersten Lotschicht kleiner ist als im bekannten Stand der Technik, wird ein Verlötungsprozess in der Regel kürzer dauern. Dadurch können zum Beispiel in vorteilhafter Weise temperaturgetriebene Schäden an den einzelnen Elementen, insbesondere am optoelektronischen Bauelement, vermieden werden. Since, as a rule, a thermal path for the generated thermal energy to the first solder layer is smaller than in the known prior art, a soldering process will generally take less time. As a result, for example, temperature-driven damage to the individual elements, in particular the optoelectronic component, can advantageously be avoided.

Insbesondere ist in vorteilhafter Weise eine effiziente Temperaturmessung über die elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung ermöglicht und gemäß einer Ausführungsform vorgesehen. Dies insbesondere dadurch, dass zum Beispiel eine elektrische Kennlinie vorgegeben ist, die zum Beispiel im Vorfeld einmal gemessen wurde. Eine solche Kennlinie gibt zum Beispiel den Zusammenhang oder die Abhängigkeit von einer an die Heizschichtanordnung angelegte elektrische Spannung und einer Temperatur der Heizschichtanordnung an. Insbesondere gibt die Kennlinie einen Zusammenhang oder eine Abhängigkeit von einem elektrischen Strom, der durch die erste Heizschichtanordnung fließt, und einer Temperatur der Heizschichtanordnung an.In particular, an efficient temperature measurement via the electrically conductive heating layer arrangement is advantageously made possible and provided according to an embodiment. This in particular by the fact that, for example, an electrical characteristic is predetermined, which has been measured once in advance, for example. Such a characteristic indicates, for example, the relationship or the dependence on an electrical voltage applied to the heating layer arrangement and a temperature of the heating layer arrangement. In particular, the characteristic indicates a relationship or dependence on an electric current flowing through the first heater layer assembly and a temperature of the heater layer assembly.

Das heißt, dass verschiedene Spannungen an die Heizschichtanordnung angelegt werden, wobei für jede der angelegten Spannungen zum Beispiel der elektrische Strom und/oder zum Beispiel die Temperatur der Heizschichtanordnung gemessen werden. Entsprechend kann dann eine Kennlinie ermittelt werden.This means that different voltages are applied to the heating layer arrangement, wherein for each of the applied voltages, for example, the electrical current and / or, for example, the temperature of the heating layer arrangement are measured. Accordingly, then a characteristic can be determined.

Insbesondere wenn die mehreren Träger von einem Wafer umfasst sind, sich also in einem Waferverbund befinden, ist es in vorteilhafter Weise ermöglicht, dass zum Beispiel gezielt nur eine erste Lötschicht eines einzelnen Trägers erhitzt wird, ohne dass hierbei die benachbarten Träger miterhitzt werden.In particular, if the plurality of carriers are encompassed by a wafer, that is to say are located in a wafer composite, it is advantageously made possible, for example, to selectively heat only a first solder layer of a single carrier, without the neighboring carriers also being heated in the process.

Die Formulierungen „thermisch verbunden“ und „thermische Verbindung“ definieren insbesondere eine Verbindung, die eine Wärmeleitfähigkeit von mindestens 1 W/(m·K), beispielsweise · von mindestens 2 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 4 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 8 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 16 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 100 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 200 W/(m·K), beispielsweise von mindestens 300 W/(m·K), aufweist.The terms "thermally bonded" and "thermal compound" in particular define a compound having a thermal conductivity of at least 1 W / (m · K), for example · at least 2 W / (m · K), for example at least 4 W / ( m · K), for example of at least 8 W / (m · K), for example of at least 16 W / (m · K), for example of at least 100 W / (m · K), for example of at least 200 W / (m · K). K), for example of at least 300 W / (m · K).

Zum Beispiel weist der Grundkörper eine Wärmeleitfähigkeit auf, wie sie vorstehend im Zusammenhang mit den Formulierungen „thermisch verbunden“ und „thermische Verbindung“ aufgeführt sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Verlustwärme im Betrieb des auf den Grundkörper gelöteten optoelektronischen Bauelements effizient abgeführt werden kann. For example, the body has a thermal conductivity as listed above in the context of the formulations "thermally bonded" and "thermal compound". As a result, the technical advantage in particular that heat loss during operation of the soldered to the body optoelectronic device can be efficiently dissipated.

Die Formulierung „elektrisch verbunden“ bedeutet insbesondere „elektrisch leitfähig verbunden“.The term "electrically connected" in particular means "electrically connected".

Nach einer Ausführungsform ist das optoelektronische Bauelement ein Element aus der folgenden Gruppe von optoelektronischen Bauelementen: lichtemittierende Diode (LED, "Light Emitting Diode"), insbesondere organische oder anorganische lichtemittierende Diode, Laserdiode, Diodenchip, LED-Chip, Laserdiodenchip, Laserbarren.According to one embodiment, the optoelectronic component is an element from the following group of optoelectronic components: light-emitting diode (LED, "light emitting diode"), in particular organic or inorganic light-emitting diode, laser diode, diode chip, LED chip, laser diode chip, laser bar.

Nach einer Ausführungsform ist der Grundkörper als ein Submount ausgebildet und kann als ein solcher bezeichnet werden.According to one embodiment, the main body is designed as a submount and can be referred to as such.

Nach einer Ausführungsform ist der Träger aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet respektive umfasst ein oder mehrere der folgenden Materialien: AlN, SiC, Si.In one embodiment, the support is formed of one or more of the following materials, or comprises one or more of the following materials: AlN, SiC, Si.

Nach einer Ausführungsform umfasst die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung eine oder mehrere Schichten. Das heißt, dass die Heizschichtanordnung zum Beispiel aus mehreren Schichten gebildet ist.According to one embodiment, the first electrically conductive heating layer arrangement comprises one or more layers. That is, the heater layer assembly is formed of, for example, multiple layers.

Zum Beispiel umfasst die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung eine Titanschicht. Zum Beispiel umfasst die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung eine Platinschicht. Zum Beispiel umfasst die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung eine Goldschicht. Zum Beispiel umfasst die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung einen Schichtenstapel gebildet aus einer Titanschicht, einer Platinschicht und einer Goldschicht.For example, the first electrically conductive heating layer arrangement comprises a titanium layer. For example, the first electrically conductive heating layer arrangement comprises a platinum layer. For example, the first electrically conductive heating layer arrangement comprises a gold layer. For example, the first electrically conductive heating layer arrangement comprises a layer stack formed from a titanium layer, a platinum layer and a gold layer.

Zum Beispiel ist nach einer Ausführungsform vorgesehen, dass die Titanschicht als erste Schicht auf der ersten Seite des Grundkörpers angeordnet ist. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass als zweite Schicht des Schichtenstapels die Platinschicht auf der Titanschicht aufgebracht oder angeordnet ist. For example, according to one embodiment, it is provided that the titanium layer is arranged as a first layer on the first side of the main body. For example, it is provided that the platinum layer is applied or arranged on the titanium layer as the second layer of the layer stack.

Zum Beispiel ist vorgesehen, dass als dritte Schicht des Schichtenstapels die Goldschicht auf der zweiten Schicht, also der Platinschicht, angeordnet ist.For example, it is provided that the gold layer is arranged on the second layer, ie the platinum layer, as the third layer of the layer stack.

Eine Dicke der ersten elektrisch leitfähigen Heizschichtanordnung beträgt zum Beispiel zwischen 15 nm und 200 nm.A thickness of the first electrically conductive heating layer arrangement is, for example, between 15 nm and 200 nm.

Das Vorsehen einer Titanschicht bewirkt in vorteilhafter Weise, dass die darauffolgende Platinschicht effizient am Grundkörper, also auf der ersten Seite des Grundkörpers, haftet. Das Vorsehen der Platinschicht bewirkt in vorteilhafter Weise, dass ein Diffundieren von Goldatomen aus der Goldschicht in den Grundkörper effizient verhindert werden kann.The provision of a titanium layer advantageously has the effect that the subsequent platinum layer adheres efficiently to the base body, that is to say on the first side of the base body. The provision of the platinum layer advantageously effects that diffusion of gold atoms from the gold layer into the main body can be effectively prevented.

Nach einer Ausführungsform ist die erste Seite des Grundkörpers als eine Oberseite des Grundkörpers ausgebildet. Das heißt, dass die erste Seite des Grundkörpers zum Beispiel die Oberseite des Grundkörpers ist. According to one embodiment, the first side of the basic body is designed as an upper side of the basic body. That is, the first side of the main body is, for example, the top of the main body.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger ein optoelektronisches Bauelement umfasst, wobei das optoelektronische Bauelement mittels der ersten Lötschicht am Grundkörper angelötet oder mit dem Grundkörper verlötet ist.According to one embodiment, it is provided that the carrier comprises an optoelectronic component, wherein the optoelectronic component is soldered to the base body or soldered to the base body by means of the first solder layer.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die erste Heizschichtanordnung mittels einer ersten elektrisch isolierenden Passivierungsschicht von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert ist, indem die erste Passivierungsschicht zumindest teilweise auf der ersten Heizschichtanordnung angeordnet ist, wobei die erste Lötschicht zumindest mittelbar auf der ersten Passivierungsschicht angeordnet ist.According to one embodiment, it is provided that the first heating layer arrangement is electrically insulated from the first soldering layer by means of a first electrically insulating passivation layer, wherein the first passivation layer is arranged at least partially on the first heating layer arrangement, wherein the first soldering layer is arranged at least indirectly on the first passivation layer.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Isolierung hergestellt werden kann. Dies insbesondere deshalb, da Passivierungsschichten mit an sich bekannten Prozessen effizient hergestellt und auf die erste Seite des Grundkörpers aufgebracht werden können.As a result, in particular the technical advantage is achieved that an efficient electrical insulation can be produced. This is particularly because passivation layers can be efficiently produced by processes known per se and applied to the first side of the base body.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die erste Passivierungsschicht eine Dicke zwischen 10 nm und 200 nm aufweist.According to one embodiment, it is provided that the first passivation layer has a thickness between 10 nm and 200 nm.

Die Formulierung, dass die erste Lötschicht zumindest mittelbar auf der ersten Passivierungsschicht angeordnet ist, bedeutet zum Beispiel, dass die erste Lötschicht nicht direkt, also unmittelbar, sondern indirekt auf der ersten Passivierungsschicht, also mittelbar, angeordnet ist. Das heißt, dass bei der mittelbaren Anordnung noch zumindest eine weitere Schicht zwischen der ersten Lötschicht und der Passivierungsschicht vorgesehen ist. Zum Beispiel ist zwischen der ersten Lötschicht und der ersten Passivierungsschicht ein Schichtenstapel vorgesehen, der aus einer Titanschicht, einer Platinschicht und einer Goldschicht gebildet ist. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass unmittelbar auf der ersten Passivierungsschicht eine Titanschicht aufgebracht oder angeordnet ist. Auf der Titanschicht ist zum Beispiel eine Platinschicht angeordnet oder aufgebracht. Auf der Platinschicht ist zum Beispiel eine Goldschicht angeordnet oder aufgebracht. Auf der Goldschicht ist zum Beispiel die erste Lötschicht angeordnet oder aufgebracht. Eine Dicke dieses Schichtenstapels beträgt zum Beispiel zwischen 500 nm und 600 nm.The formulation that the first solder layer is arranged at least indirectly on the first passivation layer means, for example, that the first solder layer is not arranged directly, ie directly, but indirectly on the first passivation layer, ie indirectly. This means that at least one further layer is provided between the first solder layer and the passivation layer in the indirect arrangement. For example, between the first solder layer and the first passivation layer, there is provided a layer stack formed of a titanium layer, a platinum layer, and a gold layer. For example, it is provided that a titanium layer is applied or arranged directly on the first passivation layer. For example, a platinum layer is disposed or deposited on the titanium layer. For example, a gold layer is disposed or deposited on the platinum layer. For example, the first solder layer is disposed or deposited on the gold layer. A thickness of this layer stack is, for example, between 500 nm and 600 nm.

Nach einer Ausführungsform ist die erste Lötschicht eine AuSn-Schicht. Das heißt, dass die erste Lötschicht zum Beispiel aus AuSn gebildet ist.In one embodiment, the first solder layer is an AuSn layer. That is, the first solder layer is formed of AuSn, for example.

Eine Dicke der ersten Lötschicht beträgt zum Beispiel zwischen 0,5 µm und 3,5 µm.A thickness of the first solder layer is, for example, between 0.5 μm and 3.5 μm.

Die technischen Wirkungen und Vorteile für denjenigen Schichtenstapel, der sich zwischen der ersten Lötschicht und der Passivierungsschicht befindet, sind insbesondere analog zu den technischen Vorteilen des Titan-/Platin-/Gold-Schichtenstapels der ersten elektrisch leitfähigen Heizschichtanordnung zu sehen. So wird zum Beispiel mittels der Titanschicht eine effiziente Anhaftung der Lötschicht ermöglicht. Somit wird zum Beispiel mittels der Platinschicht verhindert, dass Gold aus der ersten Lötschicht in die Passivierungsschicht diffundiert. Die Goldschicht bewirkt in vorteilhafter Weise ebenfalls eine effiziente Anhaftung der ersten Lötschicht.The technical effects and advantages for the layer stack that is located between the first solder layer and the passivation layer are particularly analogous to the technical advantages of the titanium / platinum / gold layer stack of the first electrically conductive heating layer arrangement. For example, an efficient adhesion of the solder layer is made possible by means of the titanium layer. Thus, for example, by means of the platinum layer, gold is prevented from diffusing from the first solder layer into the passivation layer. The gold layer also advantageously effects an efficient adhesion of the first solder layer.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine von einer der ersten Seite des Grundkörpers abgewandten Oberseite der ersten Passivierungsschicht durch die erste Passivierungsschicht bis zur ersten Heizschichtanordnung verlaufende elektrische Leitung zur elektrischen Kontaktierung der ersten Heizschichtanordnung gebildet ist.According to one embodiment, it is provided that an electrical line extending from one of the first side of the main body facing away from the upper side of the first passivation layer through the first passivation layer to the first heating layer arrangement is formed for electrical contacting of the first heating layer arrangement.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Kontaktierung der ersten Heizschichtanordnung bewirkt werden kann.As a result, in particular the technical advantage is brought about that an efficient electrical contacting of the first heating layer arrangement can be effected.

Nach einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Leitung mittels der ersten Heizschichtanordnung ausgebildet ist.According to another embodiment, it is provided that the electrical line is formed by means of the first heating layer arrangement.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die elektrische Leitung effizient hergestellt werden kann. Denn zum Beispiel ist vorgesehen, dass die erste Heizschichtanordnung bereits derart ausgebildet wird, dass diese einen Abschnitt umfasst, der, nach dem Bilden der Passivierungsschicht, durch diese verläuft. Das heißt also, dass die erste Heizschichtanordnung zum Beispiel derart strukturiert ist respektive wird, dass nach einem Aufbringen der Passivierungsschicht die elektrische Leitung durch die Passivierungsschicht, wie vorstehend beschrieben, verläuft.As a result, the technical advantage, in particular, is achieved that the electrical line can be produced efficiently. For example, it is provided that the first heating layer arrangement is already formed such that it comprises a section which, after the formation of the passivation layer, extends through the latter. That is to say, the first heating layer arrangement is, for example, structured in such a way that, after application of the passivation layer, the electrical conduction passes through the passivation layer as described above.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die erste Heizschichtanordnung einen ersten elektrischen Kontaktierungsabschnitt, einen zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt und einen zwischen der ersten Lötschicht und der ersten Seite verlaufenden Heizabschnitt aufweist, wobei der Heizabschnitt der ersten Heizschichtanordnung mittels der zwei elektrischen Kontaktierungsabschnitte der ersten Heizschichtanordnung elektrisch kontaktiert ist.According to one embodiment, it is provided that the first heating layer arrangement has a first electrical contacting section, a second electrical contacting section and a heating section extending between the first soldering layer and the first side, wherein the heating section of the first heating layer arrangement is electrically contacted by the two electrical contacting sections of the first heating layer arrangement ,

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die erste Lötschicht effizient erwärmt werden kann. Denn dadurch, dass sich der Heizabschnitt zwischen der Lötschicht und der ersten Seite des Grundkörpers befindet, kann eine effiziente lokale Erwärmung der Lötschicht bewirkt werden.As a result, in particular, the technical advantage is achieved that the first solder layer can be heated efficiently. Because by the fact that the Heating section is located between the solder layer and the first side of the base body, an efficient local heating of the solder layer can be effected.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Heizabschnitt der ersten Heizschichtanordnung eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist.According to one embodiment, it is provided that the heating section of the first heating layer arrangement has a strip shape or a two-dimensional helical structure.

Durch das Vorsehen einer Streifenform wird in vorteilhafter Weise bewirkt, dass der Heizabschnitt effizient und einfach hergestellt werden kann.By providing a strip shape, it is advantageously effected that the heating section can be manufactured efficiently and easily.

Durch das Vorsehen einer zweidimensionalen Wendelstruktur für den Heizabschnitt wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Stromleitung bewirkt werden kann, insofern seitliche Querleitwiderstände kleiner sind verglichen zu einer Streifenform.By providing a two-dimensional helical structure for the heating section, the technical advantage, in particular, is brought about that efficient electric power conduction can be effected insofar as lateral shunt resistances are smaller compared to a strip shape.

Die Formulierung „zweidimensional“ im Zusammenhang mit der Wendelstruktur bedeutet insbesondere, dass der entsprechende Heizabschnitt flächig in einer Ebene verläuft. The wording "two-dimensional" in connection with the spiral structure means, in particular, that the corresponding heating section extends in a flat plane.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die erste Heizschichtanordnung einen frei liegenden Abschnitt aufweist, auf welchen geschmolzenes Lot der ersten Lötschicht fließen kann, um einen elektrischen Widerstand der ersten Heizschichtanordnung zu reduzieren.According to one embodiment, it is provided that the first heating layer arrangement has an exposed section, on which molten solder of the first solder layer can flow, in order to reduce an electrical resistance of the first heating layer arrangement.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein selbstregulierender Lötprozess ermöglicht ist. Denn so wird das Lot, wenn es schmilzt, auf dem freiliegenden Abschnitt laufen und dadurch, also aufgrund des dann entstehenden elektrischen Kontaktes, einen elektrischen Widerstand der ersten Heizschichtanordnung reduzieren. Ein Reduzieren des elektrischen Widerstands der ersten Heizschichtanordnung bewirkt dann in vorteilhafter Weise, dass eine elektrische Verlustwärme kleiner wird, so dass hierüber die Temperatur abfällt oder kleiner wird. Somit wird in vorteilhafter Weise vermieden, dass die Temperatur des Lots über eine für das optoelektronische Bauelement kritische Temperatur ansteigt. As a result, in particular the technical advantage is effected that a self-regulating soldering process is made possible. Because then the solder, when it melts, run on the exposed portion and thereby, so due to the then resulting electrical contact, reduce an electrical resistance of the first heating layer arrangement. Reducing the electrical resistance of the first heating layer arrangement then advantageously causes a loss of electrical heat to be smaller, so that the temperature drops or becomes smaller over this. Thus, it is advantageously avoided that the temperature of the solder rises above a critical temperature for the optoelectronic component.

Ferner wird dadurch zum Beispiel der technische Effekt bewirkt, dass die Schmelztemperatur des Lots nur solange aufrecht erhalten bleibt, bis das Lot auf den freiliegenden Abschnitt geflossen ist. Das heißt, dass das optoelektronische Bauelement nur diesen Zeitraum der Schmelztemperatur ausgesetzt ist. Dadurch kann zum Beispiel eine Hitzebeschädigung am Bauelement vermieden werden. Furthermore, this causes, for example, the technical effect that the melting temperature of the solder is maintained only until the solder has flowed onto the exposed portion. This means that the optoelectronic component is exposed to the melting temperature only during this period. As a result, for example, heat damage to the component can be avoided.

Das heißt also, dass zum Beispiel effizient vermieden werden kann, dass die erste Lötschicht zu stark erhitzt wird. Zu stark bedeutet hier insbesondere, dass eine Temperatur erreicht wird, die um mehr als 20 % oberhalb der Schmelztemperatur der Lötschicht liegt.This means that, for example, it can be efficiently avoided that the first solder layer is heated too much. Too much here means in particular that a temperature is reached which is more than 20% above the melting temperature of the solder layer.

Dadurch können also in vorteilhafter Weise Hitzeschäden an den einzelnen Elementen des Trägers und insbesondere an dem Bauelement vermieden werden.As a result, heat damage to the individual elements of the carrier and in particular to the component can be avoided in an advantageous manner.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine zweite elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung auf einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Grundkörpers angeordnet ist, wobei die zweite Heizanordnung von einer auf der zweiten Seite angeordneten zweiten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der zweiten Lötschicht thermisch verbunden ist.According to one embodiment, it is provided that a second electrically conductive heating layer arrangement is arranged on a second side of the base body opposite the first side, the second heating arrangement being electrically insulated from a second soldering layer arranged on the second side and being thermally connected to the second soldering layer.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Träger selbst zum Beispiel auf einen zweiten oder weiteren Träger gelötet oder verlötet werden kann.As a result, in particular, the technical advantage is achieved that the carrier itself can be soldered or soldered, for example, to a second or further carrier.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Grundkörper mittels der zweiten Lötschicht auf einen weiteren Träger gelötet wird, indem die zweite elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung mit einer elektrischen Spannung oder einem elektrischen Strom beaufschlagt wird, so dass sich die zweite elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung erwärmt, um die zweite Lötschicht zu schmelzen. Der weitere Träger kann auch als ein Tragbauteil bezeichnet werden. In one embodiment, it is provided that the main body is soldered by means of the second solder layer to another support by the electric current or voltage is applied to the second electrically conductive Heizschichtanordnung so that the second electrically conductive heating layer assembly heats to the second To melt soldering layer. The further carrier can also be referred to as a carrying component.

Nach einer Ausführungsform ist die zweite Seite des Grundkörpers als eine Unterseite des Grundkörpers ausgebildet. Das heißt, dass zum Beispiel die zweite Seite des Grundkörpers die Unterseite des Grundkörpers ist.According to one embodiment, the second side of the main body is formed as an underside of the main body. That is, for example, the second side of the main body is the underside of the main body.

Technische Merkmale und technische Eigenschaften der zweiten Heizschichtanordnung ergeben sich zum Beispiel analog zu technischen Eigenschaften und technischen Merkmalen der ersten Heizschichtanordnung. Das heißt, dass die Ausführungen, die im Zusammenhang mit der ersten Heizschichtanordnung gemacht sind, analog für die zweite Heizschichtanordnung gelten und umgekehrt. Auf die entsprechend gemachten Ausführungen wird daher zwecks Vermeidung von Wiederholungen verwiesen.Technical features and technical properties of the second Heizschichtanordnung arise, for example, analogous to technical properties and technical features of the first Heizschichtanordnung. This means that the statements made in connection with the first heating layer arrangement apply analogously to the second heating layer arrangement and vice versa. Reference is therefore made to the statements made in order to avoid repetition.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die zweite Heizschichtanordnung mittels einer zweiten elektrisch isolierenden Passivierungsschicht von der zweiten Lötschicht elektrisch isoliert ist, indem die zweite Passivierungsschicht zumindest teilweise auf der zweiten Heizschichtanordnung angeordnet ist, wobei die zweite Lötschicht zumindest mittelbar auf der zweiten Passivierungsschicht angeordnet ist.According to one embodiment, it is provided that the second heating layer arrangement is electrically insulated from the second soldering layer by means of a second electrically insulating passivation layer in that the second passivation layer is arranged at least partially on the second heating layer arrangement, wherein the second soldering layer is at least is arranged indirectly on the second passivation layer.

Die technischen Vorteile, die sich aus der Ausführungsform umfassend die zweite Passivierungsschicht ergeben, sind analog zu den technischen Vorteilen zu sehen, wie sie sich im Zusammenhang mit Ausführungsformen umfassend die erste Passivierungsschicht ergeben. Auf die entsprechend gemachten Ausführungen wird zur Vermeidung von Wiederholungen verwiesen.The technical advantages which result from the embodiment comprising the second passivation layer are analogous to the technical advantages which result in connection with embodiments comprising the first passivation layer. Reference is made to the statements made in order to avoid repetition.

Technische Merkmale und technische Eigenschaften der zweiten Passivierungsschicht ergeben sich analog aus technischen Merkmalen und technischen Eigenschaften der ersten Passivierungsschicht. Das heißt also, dass die zweite Passivierungsschicht Eigenschaften und technische Merkmale aufweisen kann, wie sie im Zusammenhang mit der ersten Passivierungsschicht beschrieben sind.Technical features and technical properties of the second passivation layer result analogously from technical features and technical properties of the first passivation layer. This means that the second passivation layer can have properties and technical features as described in connection with the first passivation layer.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine von einer der zweiten Seite des Grundkörpers abgewandten Oberseite der zweiten Passivierungsschicht durch die zweite Passivierungsschicht bis zur zweiten Heizschichtanordnung verlaufende elektrische Leitung zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Heizschichtanordnung gebildet ist.According to one embodiment, it is provided that an upper side of the second passivation layer facing away from one of the second side of the base body is formed by the second passivation layer extending to the second Heizschichtanordnung electrical line for electrically contacting the second Heizschichtanordnung.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die zweite Heizschichtanordnung effizient elektrisch kontaktiert werden kann.As a result, in particular, the technical advantage is achieved that the second heating layer arrangement can be contacted electrically in an efficient manner.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Leitung mittels der zweiten Heizschichtanordnung ausgebildet ist.According to one embodiment, it is provided that the electrical line is formed by means of the second heating layer arrangement.

Die sich daraus ergebenden technischen Vorteile sind analog zu den technischen Vorteilen zu sehen, wie sie sich im Zusammenhang mit der Ausführungsform, in welcher die elektrische Leitung mittels der ersten Heizschichtanordnung ausgebildet ist, ergeben haben. Auf die entsprechend gemachten Ausführungen wird zur Vermeidung von Wiederholungen verwiesen.The resulting technical advantages are analogous to the technical advantages seen in connection with the embodiment in which the electrical line is formed by means of the first heating layer arrangement have resulted. Reference is made to the statements made in order to avoid repetition.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die zweite Heizschichtanordnung einen ersten elektrischen Kontaktierungsabschnitt, einen zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt und einen zwischen der zweiten Lötschicht und der zweiten Seite verlaufenden Heizabschnitt aufweist, wobei der Heizabschnitt der zweiten Heizschichtanordnung mittels der zwei elektrischen Kontaktierungsabschnitte der zweiten Heizschichtanordnung elektrisch kontaktiert ist.According to one embodiment, it is provided that the second heating layer arrangement has a first electrical contacting section, a second electrical contacting section and a heating section extending between the second soldering layer and the second side, wherein the heating section of the second heating layer arrangement is electrically contacted by the two electrical contacting sections of the second heating layer arrangement ,

Auch hier sind die technischen Vorteile analog zu den vorstehend genannten technischen Vorteilen zu sehen, wie sie sich im Zusammenhang mit der ersten Heizschichtanordnung umfassend den ersten und den zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt und den ersten und zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt und dem Heizabschnitt ergeben haben.Again, the technical advantages are analogous to the technical advantages mentioned above, as they have resulted in connection with the first heating layer assembly comprising the first and the second electrical contacting portion and the first and second electrical contacting portion and the heating section.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Heizabschnitt der zweiten Heizschichtanordnung eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist.According to one embodiment, it is provided that the heating section of the second heating layer arrangement has a strip shape or a two-dimensional helical structure.

Die entsprechenden Vorteile ergeben sich analog zu den Vorteilen der Ausführungsform, gemäß welcher der Heizabschnitt der ersten Heizschichtanordnung eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist.The corresponding advantages result analogously to the advantages of the embodiment according to which the heating section of the first heating layer arrangement has a strip shape or a two-dimensional helical structure.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die zweite Heizschichtanordnung mittels einer von der ersten Seite zur zweiten Seite des Grundkörpers verlaufenden elektrischen Durchkontaktierung elektrisch kontaktiert ist.According to one embodiment, it is provided that the second heating layer arrangement is electrically contacted by means of an electrical through-connection running from the first side to the second side of the main body.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die zweite Heizschichtanordnung effizient elektrisch kontaktiert werden kann. Das heißt also, dass die zweite Heizschichtanordnung zum Beispiel von der ersten Seite her, also zum Beispiel von der Oberseite des Grundkörpers, elektrisch kontaktiert wird respektive ist.As a result, in particular, the technical advantage is achieved that the second heating layer arrangement can be contacted electrically in an efficient manner. This means that the second heating layer arrangement is, for example, electrically contacted from the first side, that is, for example, from the upper side of the base body, respectively.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger mittels des Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement hergestellt ist respektive wird.According to one embodiment, provision is made for the carrier to be produced or to be produced by means of the method for producing a carrier for an optoelectronic component.

Nach einer Ausführungsform wird mittels des Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement der erfindungsgemäße Träger hergestellt.According to one embodiment, the carrier according to the invention is produced by means of the method for producing a carrier for an optoelectronic component.

Technische Funktionalitäten des Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement ergeben sich analog aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und umgekehrt. Das heißt also, dass sich Verfahrensmerkmale des Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement aus entsprechenden Vorrichtungsmerkmalen des Trägers für ein optoelektronisches Bauelement ergeben und umgekehrt.Technical functionalities of the method for producing a carrier for an optoelectronic component arise analogously from corresponding technical functionalities of the carrier for an optoelectronic component and vice versa. That is to say, method features of the method for producing a carrier for an optoelectronic component result from corresponding device characteristics of the carrier for an optoelectronic component and vice versa.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung, also insbesondere die erste respektive zweite Heizschichtanordnung, mittels eines Aufdampfprozesses respektive galvanischen Prozesses hergestellt ist respektive wird.According to one embodiment, it is provided that the electrically conductive heating layer arrangement, that is to say in particular the first or second heating layer arrangement, is or are produced by means of a vapor deposition process or galvanic process.

Das heißt also, dass Schichten im Sinne der vorliegenden Erfindung, also zum Beispiel Schichten der Heizschichtanordnung, erste respektive zweite Lötschicht, erste respektive zweite Passivierungsschicht, aufgedampfte Schichten respektive galvanisch aufgebrachte oder galvanisch abgeschiedene Schichten sind. This means that layers in the sense of the present invention, ie for example layers of the heating layer arrangement, are first or second solder layer, first respectively second passivation layer, vapor deposited layers respectively galvanically deposited or electrodeposited layers.

Die Formulierung "respektive" umfasst insbesondere die Formulierung "und/oder".The wording "respectively" includes in particular the wording "and / or".

Durch das Vorsehen von Aufdampfprozessen und galvanischen Abscheideprozessen wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass mit an sich bekannten Prozessverfahren die einzelnen Schichten effizient hergestellt werden können.The provision of vapor deposition processes and galvanic deposition processes has the technical advantage in particular that the individual layers can be produced efficiently by means of process methods known per se.

Nach einer Ausführungsform ist respektive sind die erste respektive zweite Heizschichtanordnung im Grundkörper integriert. According to one embodiment, respectively the first and second heating layer arrangement are integrated in the main body.

In einer Ausführungsform ist der Grundkörper als ein Submount ausgebildet respektive ist ein Submount. Ein Submount dient in vorteilhafter Weise zur effizienten Handhabung und/oder als effizienter Wärmeleiter und/oder zur effizienten Wärmespreizung und/oder zur effizienten Kompensation unterschiedlicher thermischer Ausdehnungen. Das heißt also insbesondere, dass ein Submount insbesondere für eine Handhabung und/oder für eine Wärmeleitung und/oder für eine Wärmespreizung und/oder für eine Kompensation unterschiedlicher thermischer Ausdehnungen ausgebildet ist. In one embodiment, the base body is formed as a submount, respectively, is a submount. A submount is used advantageously for efficient handling and / or as an efficient heat conductor and / or for efficient heat spreading and / or for efficient compensation of different thermal expansions. This therefore means, in particular, that a submount is designed in particular for handling and / or for heat conduction and / or for heat spreading and / or for compensation of different thermal expansions.

Das heißt also insbesondere, dass der Grundkörper respektive der Submount zum Beispiel als Wärmeleiter ausgebildet ist. Insbesondere ist der Grundkörper respektive der Submount ausgebildet, unterschiedliche thermische Ausdehnungen zu kompensieren. This means in particular that the base body or the submount, for example, is designed as a heat conductor. In particular, the base body or the submount is designed to compensate for different thermal expansions.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobeiThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments which will be described in connection with the drawings

1 einen ersten Träger für ein optoelektronisches Bauelement, 1 a first carrier for an optoelectronic component,

2 einen Heizabschnitt aufweisend eine Streifenform, 2 a heating section having a strip shape,

3 einen Heizabschnitt aufweisend eine zweidimensionale Wendelstruktur, 3 a heating section having a two-dimensional helical structure,

4 und 5 jeweils eine unterschiedliche Ansicht eines zweiten Trägers für ein optoelektronisches Bauelement vor einem Schmelzen der Lötschicht, 4 and 5 in each case a different view of a second carrier for an optoelectronic component before melting of the solder layer,

6 den Träger gemäß den 4 und 5 nach einem Schmelzen der Lötschicht, 6 the carrier according to the 4 and 5 after melting the solder layer,

7 einen dritten Träger für ein optoelektronisches Bauelement, 7 a third carrier for an optoelectronic component,

8 einen vierten Träger für ein optoelektronisches Bauelement, 8th a fourth support for an optoelectronic component,

9 einen Wafer umfassend mehrere Träger für ein optoelektronisches Bauelement, 9 a wafer comprising a plurality of carriers for an optoelectronic component,

10 einen Wafer umfassend mehrere andere Träger für ein optoelektronisches Bauelement, 10 a wafer comprising a plurality of other carriers for an optoelectronic device,

11 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und 11 a flowchart of a method for producing a support for an optoelectronic device and

12 ein Ablaufdiagramm eines Lötverfahrens zeigen. 12 show a flow diagram of a soldering process.

Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet werden. Des Weiteren kann zwecks Übersichtlichkeit vorgesehen sein, dass nicht in sämtlichen Zeichnungen sämtliche Elemente stets ein Bezugszeichen aufweisen.Hereinafter, like reference numerals may be used for like features. Furthermore, it can be provided for the sake of clarity that not all drawings have all the elements always a reference numeral.

1 zeigt einen Träger 101 für ein optoelektronisches Bauelement in einer Frontansicht. 1 shows a carrier 101 for an optoelectronic component in a front view.

Ein optoelektronisches Bauelement ist der Übersicht halber nicht gezeigt.An optoelectronic component is not shown for the sake of clarity.

Der Träger 101 umfasst einen Grundkörper 103. Der Grundkörper 103 ist zum Beispiel als ein Submount ausgebildet. Zum Beispiel ist der Grundkörper 103 aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet respektive umfasst ein oder mehrere der folgenden Materialien: AlN, SiC, Si.The carrier 101 includes a main body 103 , The main body 103 is designed as a submount, for example. For example, the main body 103 formed from one or more of the following materials, respectively, comprises one or more of the following materials: AlN, SiC, Si.

Der Grundkörper 103 weist eine erste Seite 105 auf. Die erste Seite 105 ist zum Beispiel die Oberseite des Grundkörpers 103.The main body 103 has a first page 105 on. The first page 105 is, for example, the top of the main body 103 ,

Auf der ersten Seite 105 ist eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung 107 aufgebracht oder angeordnet. Zum Beispiel ist die erste Heizschichtanordnung 107 mittels eines galvanischen Abscheideverfahrens auf die erste Seite 105 abgeschieden worden. Zum Beispiel ist die erste Heizschichtanordnung 107 mittels eines Aufdampfverfahrens auf die erste Seite 105 aufgedampft worden.On the first page 105 is a first electrically conductive heating layer arrangement 107 applied or arranged. For example, the first heating layer arrangement 107 by means of a galvanic deposition on the first page 105 been separated. For example, the first heating layer arrangement 107 by means of a vapor deposition on the first page 105 evaporated.

Der Grundkörper 103 umfasst des Weiteren eine erste Passivierungsschicht 113, die sowohl auf einer Oberseite 127 der ersten Heizschichtanordnung 107 als auch auf der ersten Seite 105 des Grundkörpers 103 aufgebracht ist. Die Passivierungsschicht 113 ist zum Beispiel mittels eines galvanischen Abscheideverfahrens auf die erste Seite 105 und auf die Oberseite 127 abgeschieden worden. Zum Beispiel ist die Passivierungsschicht 113 aufgedampft worden.The main body 103 further comprises a first passivation layer 113 that both on a top 127 the first heating layer arrangement 107 as well as on the first page 105 of the basic body 103 is applied. The passivation layer 113 is for example by means of a galvanic deposition on the first page 105 and on top 127 been separated. For example, the passivation layer 113 evaporated.

Die erste Heizschichtanordnung 107 ist derart strukturiert, dass diese einen Heizabschnitt 109 sowie zwei elektrische Kontaktierungsabschnitte aufweist. Da die 1 eine Frontansicht des Trägers 101 zeigt, ist lediglich der erste Kontaktierungsabschnitt dargestellt, wobei der erste elektrische Kontaktierungsabschnitt mittels einer geschweiften Klammer mit dem Bezugszeichen 111 gekennzeichnet ist.The first heating layer arrangement 107 is structured such that it has a heating section 109 and two electrical contacting sections. Because the 1 a front view of the carrier 101 shows, only the first contacting portion is shown, wherein the first electrical contacting portion by means of a brace with the reference numeral 111 is marked.

Der erste elektrische Kontaktierungsabschnitt 111 kontaktiert somit den Heizabschnitt 109.The first electrical contacting section 111 thus contacts the heating section 109 ,

Ferner ist eine elektrische Leitung 117 vorgesehen, die von einer Oberseite 115 der ersten Passivierungsschicht 113 bis zu dem ersten Kontaktierungsabschnitt 111 verläuft. Somit kann also der erste Kontaktierungsabschnitt 111 über die elektrische Leitung 117 von der Oberseite 115 der Passivierungsschicht 113 elektrisch kontaktiert werden.Further, an electric wire 117 provided by a top 115 the first passivation layer 113 to the first contacting section 111 runs. Thus, therefore, the first contacting section 111 over the electrical line 117 from the top 115 the passivation layer 113 be contacted electrically.

Die elektrische Leitung 117 ist zum Beispiel mittels der ersten Heizschichtanordnung 107 ausgebildet. Das heißt also, dass die erste Heizschichtanordnung 107 derart strukturiert ist, dass diese die elektrische Leitung 117 aufweist. Somit kann nach dem Bilden der ersten Heizschichtanordnung 107 die Passivierungsschicht 113 aufgedampft oder abgeschieden werden, so dass sich automatisch eine Passivierungsschicht bildet, durch welche die elektrische Leitung 117 von der Oberseite der Passivierungsschicht 113 zu dem ersten Kontaktierungsabschnitt 111 der ersten Heizschichtanordnung 107 verläuft.The electrical line 117 is for example by means of the first heating layer arrangement 107 educated. This means that the first heating layer arrangement 107 is structured such that this is the electrical line 117 having. Thus, after forming the first heating layer assembly 107 the passivation layer 113 vapor deposited or deposited, so that automatically forms a passivation layer through which the electrical line 117 from the top of the passivation layer 113 to the first contacting section 111 the first heating layer arrangement 107 runs.

Die erste Heizschichtanordnung 107 ist zum Beispiel als ein Schichtenstapel ausgebildet. Der Schichtenstapel umfasst zum Beispiel die folgenden drei Schichten: Titanschicht, Platinschicht, Goldschicht. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass vom Grundkörper 103 aus gesehen zuerst die Titanschicht auf der ersten Seite 105 angeordnet ist. Auf der Titanschicht ist die Platinschicht angeordnet. Auf der Platinschicht ist die Goldschicht angeordnet.The first heating layer arrangement 107 is formed, for example, as a layer stack. The layer stack comprises, for example, the following three layers: titanium layer, platinum layer, gold layer. For example, it is envisaged that from the main body 103 first seen the titanium layer on the first page 105 is arranged. On the titanium layer, the platinum layer is arranged. On the platinum layer, the gold layer is arranged.

Die Passivierungsschicht umfasst zum Beispiel einen oder mehrere der folgenden Materialien respektive ist aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet:
Auf der Oberseite 115 der ersten Passivierungsschicht 113 ist eine weitere Schichtanordnung 119 angeordnet. Die weitere Schichtanordnung 119 ist zum Beispiel aufgedampft oder abgeschieden. Die weitere Schichtanordnung 119 umfasst zum Beispiel eine Titanschicht, eine Platinschicht und eine Goldschicht. Zum Beispiel ist die Titanschicht der weiteren Schichtanordnung 119 als erste Schicht auf die Oberseite 115 der ersten Passivierungsschicht 113 angeordnet worden. Als zweite Schicht folgt zum Beispiel die Platinschicht und als dritte Schicht folgt zum Beispiel die Goldschicht.The passivation layer comprises, for example, one or more of the following materials, respectively, formed from one or more of the following materials:
On the top 115 the first passivation layer 113 is another layer arrangement 119 arranged. The further layer arrangement 119 is vapor-deposited or deposited, for example. The further layer arrangement 119 For example, it includes a titanium layer, a platinum layer, and a gold layer. For example, the titanium layer is the further layer arrangement 119 as the first layer on top 115 the first passivation layer 113 been arranged. The second layer is followed, for example, by the platinum layer, and the third layer is followed, for example, by the gold layer.

Auf einer Oberseite 121 der weiteren Schichtanordnung 119 ist eine erste Lötschicht 123 angeordnet. Die erste Lötschicht 123 ist zum Beispiel aufgedampft oder abgeschieden worden. Die erste Lötschicht 123 weist eine Oberseite 125 auf. Auf die Oberseite 125 der ersten Lötschicht 123 wird nach einer Ausführungsform ein optoelektronisches Bauelement angeordnet, um das optoelektronische Bauelement am Grundkörper 103, also auf die erste Seite 105, zu verlöten.On a top 121 the further layer arrangement 119 is a first solder layer 123 arranged. The first solder layer 123 has been vapor-deposited or deposited, for example. The first solder layer 123 has a top 125 on. On the top 125 the first solder layer 123 According to one embodiment, an optoelectronic component is arranged to the optoelectronic component on the main body 103 So on the first page 105 to solder.

Die Lötschicht 123 ist zum Beispiel als eine AuSn-Schicht gebildet.The solder layer 123 is formed, for example, as an AuSn layer.

Der Heizabschnitte 109 ist also zwischen der ersten 105 Seite des Grundkörpers 103 und der Lötschicht 123 angeordnet.The heating sections 109 is between the first 105 Side of the main body 103 and the solder layer 123 arranged.

Um die Lötschicht 123 zu schmelzen, muss der ersten Lötschicht 123 thermische Energie zugeführt werden. Hierfür ist die erste Heizschichtanordnung 107 vorgesehen. Diese wird über ihre beiden Kontaktierungsabschnitte elektrisch kontaktiert, so dass durch die erste Heizschichtanordnung 107 ein elektrischer Strom fließt. Da die erste Heizschichtanordnung 107 einen ohmschen Widerstand aufweist, wirkt die erste Heizschichtanordnung 107 als eine ohmsche Widerstandsheizung und erzeugt somit thermische Energie.Around the solder layer 123 Melt must be the first solder layer 123 thermal energy to be supplied. This is the first Heizschichtanordnung 107 intended. This is electrically contacted via its two contacting sections, so that through the first heating layer arrangement 107 an electric current flows. As the first heating layer arrangement 107 has an ohmic resistance, the first Heizschichtanordnung acts 107 as an ohmic resistance heating and thus generates thermal energy.

Aufgrund der verwendeten Materialien für die einzelnen Schichten ist zum einen eine thermische Verbindung zwischen der ersten Heizschichtanordnung 107 und der ersten Lötschicht 123 gebildet. Über diese thermische Verbindung kann der ersten Lötschicht 123 effizient thermische Energie zugeführt werden, die mittels der ersten Heizschichtanordnung 107 erzeugt wird.On the one hand, due to the materials used for the individual layers, there is a thermal connection between the first heating layer arrangement 107 and the first solder layer 123 educated. About this thermal connection, the first solder layer 123 be efficiently supplied thermal energy, by means of the first Heizschichtanordnung 107 is produced.

Aufgrund der Passivierungsschicht 113 ist die erste Heizschichtanordnung 107 von der ersten Lötschicht 123 elektrisch isoliert. Die Passivierungsschicht 113 isoliert die erste Heizschichtanordnung 107 auch von der weiteren Schichtanordnung 119. Allgemein ist die erste Heizschichtanordnung 107 insbesondere elektrisch isoliert zu weiteren Metallisierungen des Grundkörpers 103.Due to the passivation layer 113 is the first heating layer arrangement 107 from the first solder layer 123 electrically isolated. The passivation layer 113 isolates the first heating layer arrangement 107 also from the further layer arrangement 119 , Generally, the first heating layer arrangement 107 in particular electrically isolated to further metallizations of the body 103 ,

Der Heizabschnitt 109 weist zum Beispiel eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur auf. The heating section 109 has, for example, a stripe shape or a two-dimensional helical structure.

2 zeigt den Träger 101 gemäß 1 in einer Ansicht von oben auf die erste Seite 105, wobei gemäß einer Ausführungsform der Heizabschnitt 109 der ersten Heizschichtanordnung 107 eine Streifenform aufweist. 2 shows the wearer 101 according to 1 in a view from above on the first page 105 wherein, according to one embodiment, the heating section 109 the first heating layer arrangement 107 has a strip shape.

In der Ansicht von oben ist nun auch der zweite elektrische Kontaktierungsabschnitt 203 zu erkennen sowie eine elektrische Leitung 201, die analog zur elektrischen Leitung 117 von der Oberseite 115 der Passivierungsschicht 113 zu dem zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt 203 verläuft. Die im Zusammenhang mit der elektrischen Leitung 117 gemachten Ausführungen gelten analog für die elektrische Leitung 201.In the view from above is now also the second electrical contacting section 203 to recognize as well as an electrical line 201 , which is analogous to the electrical line 117 from the top 115 the passivation layer 113 to the second electrical contacting portion 203 runs. The in connection with the electric wire 117 Made statements apply analogously to the electrical line 201 ,

3 zeigt eine Ansicht von oben auf den Träger 101 der 1, wobei gemäß einer weiteren Ausführungsform der Heizabschnitt 109 eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist. Die Wendelstruktur umfasst mehrere Abschnitte 205, 207. Die Abschnitte 205 sind bezogen auf eine Längsachse des Grundkörpers 103 seitlich zueinander versetzt, wobei die seitlich zueinander versetzten Abschnitte 205 mittels eines Verbindungsabschnitts 207 jeweils miteinander verbunden sind. 3 shows a view from above of the carrier 101 of the 1 wherein, according to another embodiment, the heating section 109 has a two-dimensional helical structure. The helical structure comprises several sections 205 . 207 , The sections 205 are related to a longitudinal axis of the body 103 laterally offset from each other, wherein the laterally offset portions 205 by means of a connection section 207 each interconnected.

4 zeigt eine Frontansicht eines zweiten Trägers 401 für ein optoelektronisches Bauelement. 4 shows a front view of a second carrier 401 for an optoelectronic component.

Der zweite Träger 401 ist im Wesentlichen analog zum ersten Träger 101 ausgebildet. Auf die entsprechenden Ausführungen wird verwiesen. Einen Unterschied zeigt die 5, die eine Seitenansicht des zweiten Trägers 401 gemäß 4 zeigt.The second carrier 401 is essentially analogous to the first carrier 101 educated. Reference is made to the corresponding statements. A difference shows the 5 showing a side view of the second carrier 401 according to 4 shows.

Die erste Heizschichtanordnung 107 weist zwei gegenüberliegende frei liegende Abschnitte 501 auf, die am Rand der ersten Seite 105 vorgesehen sind. Das heißt, dass die Passivierungsschicht 113 nicht die komplette Fläche der ersten Heizschichtanordnung 107 bedeckt, sondern noch die zweiten Abschnitte 501 freilässt. Somit ist also eine offene Stufenstruktur geschaffen, die freiliegenden Abschnitte 501.The first heating layer arrangement 107 has two opposite exposed sections 501 on the edge of the first page 105 are provided. That is, the passivation layer 113 not the complete area of the first heating layer arrangement 107 covered, but still the second sections 501 leaves free. Thus, therefore, an open step structure is created, the exposed sections 501 ,

Wenn die Lötschicht 123 schmilzt, so wird geschmolzenes Lot auf die frei liegenden Abschnitte 501 der ersten Heizschichtanordnung 107 fließen. Das geschmolzene Lot wird also eine elektrische Verbindung mit der ersten Heizschichtanordnung 107, zum Beispiel mit der Goldschicht, eingehen. Dadurch wird der technische Effekt erzielt, dass ein elektrischer Widerstand der ersten Heizschichtanordnung 107 reduziert wird, so dass hierüber ein Wärmeeintrag in die erste Heizschichtanordnung 107 dementsprechend reduziert wird. Dadurch wird in vorteilhafter Weise ein selbstregulierender Lötprozess ermöglicht.When the solder layer 123 melts, then molten solder on the exposed sections 501 the first heating layer arrangement 107 flow. The molten solder thus becomes an electrical connection with the first heating layer arrangement 107 , for example with the gold layer. This achieves the technical effect that an electrical resistance of the first heating layer arrangement 107 is reduced, so that this heat input into the first Heizschichtanordnung 107 is reduced accordingly. As a result, a self-regulating soldering process is made possible in an advantageous manner.

In den 1 bis 6 sind Träger dargestellt, die lediglich auf der ersten Seite 105 eine erste Heizschichtanordnung aufweisen. Somit weisen die Träger eine einseitige Struktur auf. Diese Träger können zum Beispiel als einseitig strukturierte Träger bezeichnet werden.In the 1 to 6 Carriers are shown that are only on the first page 105 have a first Heizschichtanordnung. Thus, the carriers have a one-sided structure. These carriers may for example be referred to as unilaterally structured carriers.

Demgegenüber zeigen die 7 und 8 eine zweiseitige Struktur eines Trägers, also zweiseitig strukturierte Träger, insofern dort eine zweite Heizschichtanordnung auf einer zweiten Seite des Grundkörpers angeordnet ist, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Dies wird nachfolgend näher erläutert.In contrast, the show 7 and 8th a two-sided structure of a carrier, so two-sided structured carrier, insofar as there is a second Heizschichtanordnung arranged on a second side of the base body, wherein the second side of the first side opposite. This will be explained in more detail below.

7 zeigt einen dritten Träger 701 in einer Frontansicht. 7 shows a third carrier 701 in a front view.

Die erste Seite 105 des Grundkörpers 103 ist analog zum Träger 101 gemäß 1 strukturiert. Auf die entsprechend gemachten Ausführungen wird verwiesen.The first page 105 of the basic body 103 is analogous to the carrier 101 according to 1 structured. Reference is made to the statements made accordingly.

Eine zweite Seite 703 des Grundkörpers 103 ist ebenfalls strukturiert, wobei die zweite Seite 703 der ersten Seite 105 gegenüberliegt. Strukturiert bedeutet allgemein, dass auf die entsprechende Seite eine Schichtstruktur aufgebracht ist.A second page 703 of the basic body 103 is also structured, with the second page 703 the first page 105 opposite. Structured generally means that a layer structure has been applied to the corresponding side.

Die zweite Seite 703 ist mit einer zweiten elektrisch leitfähigen Heizschichtanordnung 705 versehen. Ausführungen, die im Zusammenhang mit der ersten Heizschichtanordnung 107 gemacht sind, gelten insbesondere analog für die zweite Heizschichtanordnung 705. Entsprechend weist die zweite Heizschichtanordnung 705 einen Heizabschnitt 707 auf sowie einen ersten Kontaktierungsabschnitt 709 und einen zweiten Kontaktierungsabschnitt, der aufgrund der Frontansicht nicht zu sehen ist. Der zweite Kontaktierungsabschnitt wird analog zum ersten Kontaktierungsabschnitt 709 mittels einer zur Leitung 711 analog gebildeten Leitung elektrisch kontaktiert.The second page 703 is with a second electrically conductive heating layer arrangement 705 Mistake. Embodiments related to the first Heizschichtanordnung 107 are made, in particular apply analogously for the second Heizschichtanordnung 705 , Accordingly, the second heating layer arrangement 705 a heating section 707 and a first contacting section 709 and a second contacting portion, which is not visible due to the front view. The second contacting section becomes analogous to the first contacting section 709 by means of a line 711 analogously formed line electrically contacted.

Die beiden Heizabschnitte 109 und 707 liegen jeweils zwischen der ersten respektive zweiten Seite des Grundkörpers 103 und der entsprechenden Lötschicht.The two heating sections 109 and 707 lie respectively between the first and second side of the body 103 and the corresponding solder layer.

Entsprechend ist eine elektrische Leitung 711 vorgesehen, die von einer Oberseite 715 einer zweiten Passivierungsschicht 713 bis zum ersten Kontaktierungsabschnitt 709 der zweiten Heizschichtanordnung 705 verläuft.Accordingly, an electrical line 711 provided by a top 715 a second passivation layer 713 to the first contacting section 709 the second heating layer arrangement 705 runs.

Analog zu der ersten Seite 105 ist auch für die zweite Seite 703 vorgesehen, dass eine zweite weitere Schichtanordnung 717 und eine zweite Lötschicht 721 vorgesehen sind. Die zweite weitere Schichtanordnung 717 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 713 zumindest teilweise aufgebracht. Auf zweiten dieser weiteren Schichtanordnung 717 ist die zweite Lötschicht 721 angeordnet, nämlich auf eine Oberseite 719 der weiteren Schichtanordnung 717. Analogous to the first page 105 is also for the second page 703 provided that a second further layer arrangement 717 and a second solder layer 721 are provided. The second additional layer arrangement 717 is on the second passivation layer 713 at least partially applied. On the second of this further layer arrangement 717 is the second solder layer 721 arranged, namely on an upper side 719 the further layer arrangement 717 ,

Ausführungen, die im Zusammenhang mit der ersten Lötschicht 123 respektive mit der weiteren Schichtanordnung 119 gemacht sind, gelten analog nach weiteren Ausführungsformen für die weitere Schichtanordnung 717 und für die zweite Lötschicht 721. Insofern kann die zweite weitere Schichtanordnung 717 der Einfachheit halber auch als weitere Schichtanordnung bezeichnet werden.Designs related to the first solder layer 123 respectively with the further layer arrangement 119 are made, apply analogously to further embodiments for the further layer arrangement 717 and for the second solder layer 721 , In this respect, the second additional layer arrangement 717 for the sake of simplicity, also be referred to as a further layer arrangement.

Die zweite Passivierungsschicht 713 weist einen Abschnitt auf, der mittels einer geschweiften Klammer mit dem Bezugszeichen 725 gekennzeichnet ist, der die weitere Schichtanordnung 717 und die zweite Lötschicht 721 von der elektrischen Leitung 711 elektrisch isoliert. Die Oberseite 715 des Abschnitt 725 der zweiten Passivierungsschicht 713 und eine Oberseite 723 der zweiten Lötschicht 721 sowie eine Oberseite der elektrischen Leitung 711 verlaufen bündig zueinander.The second passivation layer 713 has a portion which by means of a curly bracket with the reference numeral 725 which is the further layer arrangement 717 and the second solder layer 721 from the electric wire 711 electrically isolated. The top 715 of the section 725 the second passivation layer 713 and a top 723 the second solder layer 721 as well as a top of the electrical wire 711 are flush with each other.

Es ist ein Tragbauteil 727 vorgesehen, welches eine Montagefläche 729 aufweist. Auf der Montagefläche 729 sind zwei elektrische Kontaktierungsflächen 731, 733 beabstandet voneinander und elektrisch isoliert voneinander angeordnet. Der Abstand zwischen den beiden Kontaktierungsflächen 731 und 733 entspricht im Wesentlichen einer Breite des Abschnitts 725, also einem Abstand zwischen der zweiten Lötschicht 721 und der elektrischen Leitung 711. Auf der Montagefläche 729 ist noch eine dritte elektrische Kontaktierungsfläche angeordnet, die aufgrund der Frontansicht nicht sichtbar ist. Die dritte elektrische Kontaktierungsfläche ist beabstandet und elektrisch isoliert zu den zwei elektrischen Kontaktierungsflächen 731, 733 auf der Montagefläche 729 angeordnet. It is a carrying component 727 provided, which is a mounting surface 729 having. On the mounting surface 729 are two electrical contact surfaces 731 . 733 spaced apart from each other and electrically isolated from each other. The distance between the two contacting surfaces 731 and 733 essentially corresponds to a width of the section 725 , ie a distance between the second solder layer 721 and the electric wire 711 , On the mounting surface 729 is still a third electrical contact surface arranged, which is not visible due to the front view. The third electrical contacting surface is spaced and electrically insulated from the two electrical contacting surfaces 731 . 733 on the mounting surface 729 arranged.

Der Träger 701, genauer der Grundkörper 703, wird mit der zweiten Seite 703, die zum Beispiel als die Unterseite des Grundkörpers 103 gebildet ist, auf die Montagefläche 729 angeordnet. Dies wird derart durchgeführt, dass die elektrische Kontaktierungsfläche 731 die zweite Lötschicht 721 kontaktiert. Die elektrische Kontaktierungsfläche 733 kontaktiert die elektrische Leitung 711. Die dritte, nicht sichtbare, elektrische Kontaktierungsfläche kontaktiert den zweiten Kontaktierungsabschnitt (ebenfalls nicht sichtbar) der zweiten Heizschichtanordnung 705.The carrier 701 , more precisely, the basic body 703 , comes with the second page 703 For example, as the bottom of the main body 103 is formed on the mounting surface 729 arranged. This is performed such that the electrical contacting surface 731 the second solder layer 721 contacted. The electrical contact surface 733 contacts the electrical line 711 , The third, not visible, electrical contacting surface contacts the second contacting section (also not visible) of the second heating layer arrangement 705 ,

Somit ist eine Stromzuführung über die elektrische Kontaktierungsflächen 731 zur zweiten Lötschicht 721 ermöglicht. Somit ist eine Stromzuführung zu der Leitung 711 und zur Leitung, die den zweiten Kontaktierungsabschnitt kontaktiert, über die elektrische Kontaktierungsfläche 733 und über die dritte elektrische Kontaktierungsfläche ermöglicht.Thus, a power supply via the electrical contact surfaces 731 to the second solder layer 721 allows. Thus, there is a power supply to the line 711 and to the lead contacting the second contacting portion via the electrical contacting surface 733 and on the third electrical contact surface allows.

Die zweite Heizschichtanordnung 705 erzeugt analog zur ersten Heizschichtanordnung 107 thermische Energie, um diese der zweiten Lötschicht 721 zuzuführen, um diese zu schmelzen.The second heating layer arrangement 705 generated analogously to the first heating layer arrangement 107 thermal energy to this the second solder layer 721 feed to melt them.

8 zeigt einen vierten Träger 801 in einer Frontansicht. 8th shows a fourth carrier 801 in a front view.

Auch beim vierten Träger 801 für ein optoelektronisches Bauelement ist eine zweiseitige Struktur vorgesehen. Das heißt, dass auch die zweite Seite 703 des Grundkörpers 103 mit einer Schichtstruktur versehen ist.Also with the fourth carrier 801 for an optoelectronic component, a two-sided structure is provided. That means that also the second page 703 of the basic body 103 is provided with a layer structure.

Gemäß dem in 8 gezeigten Ausführungsbeispiel bedeckt die Passivierungsschicht 713 die zweite Heizschichtanordnung 705 komplett. Auf der Oberseite 715 der zweiten Passivierungsschicht 713 ist die weitere Schichtanordnung 717 aufgebracht, wobei dann auf der Oberseite 719 der weiteren Schichtanordnung 717 die zweite Lötschicht 721 aufgebracht ist.According to the in 8th The embodiment shown covers the passivation layer 713 the second heating layer arrangement 705 completely. On the top 715 the second passivation layer 713 is the further layer arrangement 717 applied, then being on the top 719 the further layer arrangement 717 the second solder layer 721 is applied.

Eine elektrische Kontaktierung der zweiten Heizschichtanordnung 705 wird über zwei Durchkontaktierungen gebildet, wobei aufgrund der Frontansicht nur eine der beiden Durchkontaktierungen zu sehen ist. Diese eine elektrische Durchkontaktierung ist mit dem Bezugszeichen 805 versehen.An electrical contacting of the second heating layer arrangement 705 is formed via two vias, with only one of the two vias can be seen due to the front view. This one electrical feedthrough is denoted by the reference numeral 805 Mistake.

Die elektrische Durchkontaktierung 805 verläuft von der ersten Seite 105 durch den Grundkörper 103 bis zur zweiten Seite 703 des Grundkörpers 103. Das heißt, dass die zweite Heizschichtanordnung 705 von der ersten Seite 105 des Grundkörpers 103 kontaktiert wird.The electrical feedthrough 805 runs from the first page 105 through the main body 103 to the second page 703 of the basic body 103 , That is, the second heating layer arrangement 705 from the first page 105 of the basic body 103 will be contacted.

Somit entfallen die elektrischen Kontaktierungsflächen der Montagefläche 729 des Tragbauteils 727 für eine elektrische Kontaktierung der entsprechenden Kontaktierungsabschnitte der zweiten Heizschichtanordnung 705 von der zweiten Seite 703 des Grundkörpers 103 aus gesehen, wie es noch im Ausführungsbeispiel gemäß 7 vorgesehen war.Thus eliminates the electrical contact surfaces of the mounting surface 729 of the supporting component 727 for an electrical contacting of the corresponding contacting sections of the second heating layer arrangement 705 from the second page 703 of the basic body 103 seen from, as it still in the embodiment according to 7 was provided.

Somit ist die Montagefläche 729 des Tragbauteils 727 lediglich mit einer einzigen elektrischen Kontaktierungsfläche 803 versehen. Thus, the mounting surface 729 of the supporting component 727 only with a single electrical contact surface 803 Mistake.

Mittels der zweiseitig strukturierten Träger 701, 801 gemäß 7 respektive 8 ist es somit in vorteilhafter Weise ermöglicht, dass sowohl auf die erste Lötschicht 123 ein optoelektronisches Bauelement verlötet werden kann als auch der Grundkörper 103 mit seiner zweiten Seite 703 selbst auf ein weiteres Bauelement, hier dem Tragbauteil 727, gelötet werden kann. Das Tragbauteil 727 trägt somit den entsprechenden Träger 701, 801.By means of the two-sided structured carrier 701 . 801 according to 7 respectively 8th It is thus possible in an advantageous manner that both on the first solder layer 123 an optoelectronic component can be soldered as well as the main body 103 with his second page 703 even on another component, here the supporting component 727 , can be soldered. The supporting component 727 thus carries the corresponding carrier 701 . 801 ,

9 zeigt einen Wafer 901 in einer Ansicht von oben. Der Wafer 901 umfasst mehrere Träger 101, die gemäß dem Träger 101 der 3 ausgebildet sind. 9 shows a wafer 901 in a view from above. The wafer 901 includes several carriers 101 that according to the carrier 101 of the 3 are formed.

Einer der Träger 101 ist mit einem optoelektronischen Bauelement 903 versehen. Das heißt, dass das optoelektronische Bauelement 903 auf der Oberseite 125 der ersten Lötschicht 123 angeordnet ist. Wenn die entsprechenden elektrischen Kontaktierungsabschnitte 111, 203 der ersten Heizschichtanordnung 107 mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt werden, so wird nur die erste Lötschicht 123 erwärmt. Es findet also eine lokale Erwärmung statt. Die benachbarten Träger 101 werden nicht erwärmt oder zumindest werden sie nur bis unterhalb einer Schmelztemperatur ihrer entsprechenden Lötschicht erwärmt. Das heißt, dass die benachbarten Träger 101 unterhalb der Löttemperatur bleiben, wenn der Träger 101 mit dem optoelektronischen Bauelement 903 erwärmt wird.One of the carriers 101 is with an optoelectronic device 903 Mistake. That is, the optoelectronic device 903 on the top 125 the first solder layer 123 is arranged. When the corresponding electrical contacting sections 111 . 203 the first heating layer arrangement 107 be subjected to an electrical voltage, so only the first solder layer 123 heated. So there is a local warming. The neighboring carriers 101 are not heated or at least they are heated to below a melting temperature of their respective solder layer. That is, the neighboring carriers 101 stay below the brazing temperature when the wearer 101 with the optoelectronic component 903 is heated.

10 zeigt einen Wafer umfassend mehrere Träger 401 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 bis 6 in einer Seitenansicht, wobei auch hier jeweils ein optoelektronisches Bauelement 903 auf der Oberseite 125 der entsprechenden ersten Lötschicht 123 angeordnet ist. 10 shows a wafer comprising a plurality of carriers 401 according to the embodiment of the 4 to 6 in a side view, in which case in each case an optoelectronic component 903 on the top 125 the corresponding first solder layer 123 is arranged.

Die Darstellung gemäß 10 zeigt den Wafer 901 noch vor einem Verlöten, also vor einem Schmelzen der ersten Lötschicht 123.The representation according to 10 shows the wafer 901 even before soldering, ie before melting the first solder layer 123 ,

Das optoelektronische Bauelement 903 ragt über die jeweilige erste Seite 105 des Grundkörpers 103 hinaus, so dass eine Kante 1001 des Bauelements 903 über den Grundkörper 103 hinausragt. Dies bewirkt in vorteilhafter Weise, dass zum Beispiel bei einer Lichtemission des Bauelements 903 das Licht, welches üblicherweise insbesondere im Bereich der Kante 1001 emittiert wird, nicht von dem strukturierten Grundkörper 103 abgeschattet wird.The optoelectronic component 903 sticks out over the respective first page 105 of the basic body 103 out, leaving an edge 1001 of the component 903 over the main body 103 protrudes. This advantageously causes, for example, a light emission of the component 903 the light, which is usually in particular in the area of the edge 1001 is emitted, not from the structured body 103 is shadowed.

11 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. 11 shows a flowchart of a method for producing a support for an optoelectronic device.

Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

  • – Bereitstellen 1101 eines Grundkörpers, wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst,
  • – Bilden 1103 einer elektrischen Isolierung, einer thermischen Verbindung und einer ersten Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper auf einer ersten Seite des Grundkörpers derart, dass
  • – die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist.
The method comprises the following steps:
  • - Provide 1101 a base body, wherein the base body comprises a first electrically conductive heating layer arrangement,
  • - Form 1103 an electrical insulation, a thermal connection and a first solder layer for soldering an optoelectronic component to the base body on a first side of the base body such that
  • - The first electrically conductive heating layer assembly of the first solder layer is electrically insulated and thermally connected to the first solder layer.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein oder mehrere der Schichten, wie sie vorstehend beschrieben sind, galvanisch abgeschieden respektive aufgedampft sind respektive werden.According to one embodiment, it is provided that one or more of the layers, as described above, are galvanically deposited or vapor-deposited respectively.

12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Lötverfahrens unter Verwendung eines Trägers oder eines Wafers, wie sie vorstehend oder nachstehend beschrieben sind, um ein optoelektronisches Bauelement mittels der ersten Lötschicht an den Grundkörper zu löten. 12 FIG. 12 shows a flow chart of a soldering process using a carrier or a wafer, as described above or below, for soldering an optoelectronic component to the base body by means of the first soldering layer.

Es ist gemäß einem Schritt 1201 vorgesehen, dass die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung mit einer elektrischen Spannung oder einem elektrischen Strom beaufschlagt wird, so dass sich die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung erwärmt, um die erste Lötschicht zu schmelzen. Bei Erreichen der Schmelztemperatur der ersten Lötschicht, wird die erste Lötschicht schmelzen, so dass das optoelektronische Bauelement mittels der geschmolzenen Lötschicht an den Grundkörper gemäß einem Schritt 1203 gelötet wird. It's like a step 1201 provided that an electrical voltage or an electric current is applied to the first electrically conductive heating layer arrangement so that the first electrically conductive heating layer arrangement heats up in order to melt the first soldering layer. Upon reaching the melting temperature of the first solder layer, the first solder layer will melt, so that the optoelectronic device by means of the molten solder layer to the body according to a step 1203 is soldered.

Zusammenfassend wird ein effizientes technisches Konzept bereitgestellt, welches den erfindungsgemäßen Gedanken umfasst, dass ein Grundkörper eines Trägers eine elektrisch leitende Struktur aufweist, die zum Beispiel auf einer ersten respektive zweiten Seite des Grundkörpers respektive im Grundkörper selbst, gebildet ist. Diese elektrisch leitende Struktur ist hier als die erste respektive zweite Heizschichtanordnung bezeichnet. Diese elektrisch leitende Struktur ist von der Lötschicht elektrisch isoliert, aber mit dieser thermisch verbunden. Die elektrisch leitende Struktur wirkt als eine elektrische Widerstandsheizung und erzeugt die für das Löten notwendige thermische Energie. Somit wird also ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, welches über eine eigene Heizung verfügt, um die Lötschicht oder die Lötschichten zu schmelzen.In summary, an efficient technical concept is provided, which includes the inventive concept that a base body of a carrier has an electrically conductive structure, which is formed, for example, on a first or second side of the base body or in the main body itself. This electrically conductive structure is referred to here as the first or second heating layer arrangement. This electrically conductive structure is electrically isolated from the solder layer but thermally connected thereto. The electrically conductive structure acts as an electrical resistance heater and generates the thermal energy necessary for the soldering. Thus, therefore, a support for an optoelectronic device is provided, which has its own heating to melt the solder layer or the solder layers.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.While the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

101101
Träger carrier
103103
Grundkörper body
105105
erste Seite des Grundkörpers first side of the main body
107107
erste Heizschichtanordnung first heating layer arrangement
109109
Heizabschnitt der ersten Heizschichtanordnung Heating section of the first heating layer arrangement
111111
erster Kontaktierungsabschnitt der ersten Heizschichtanordnung first contacting section of the first heating layer arrangement
113113
erste Passivierungsschicht first passivation layer
115115
Oberseite der ersten Passivierungsschicht Top of the first passivation layer
117117
elektrische Leitung electrical line
119119
weitere Schichtanordnung further layer arrangement
121121
Oberseite der weiteren Schichtanordnung Top of the further layer arrangement
123123
erste Lötschicht first solder layer
125125
Oberseite der ersten Lötschicht Top of the first solder layer
127127
Oberseite der ersten Heizschichtanordnung Top of the first Heizschichtanordnung
201201
elektrische Leitung electrical line
203203
zweiter elektrischer Kontaktierungsabschnitt der ersten Heizschichtanordnung second electrical contacting portion of the first heating layer assembly
205205
Abschnitt der zweidimensionalen Wendelstruktur Section of the two-dimensional spiral structure
207207
Verbindungsabschnitt der zweidimensionalen Wendelstruktur Connecting portion of the two-dimensional coil structure
401401
Träger carrier
501501
freiliegender Abschnitt der ersten Heizschichtanordnung exposed portion of the first Heizschichtanordnung
701701
Träger carrier
703703
zweite Seite des Grundkörpers second side of the body
705705
zweite Heizschichtanordnung second heating layer arrangement
707707
Heizabschnitt der zweiten Heizschichtanordnung Heating section of the second Heizschichtanordnung
709709
erster Kontaktierungsabschnitt der zweiten Heizschichtanordnung first contacting section of the second heating layer arrangement
711711
elektrische Leitung electrical line
713713
zweite Passivierungsschicht second passivation layer
715715
Oberseite der zweiten Passivierungsschicht Top of the second passivation layer
717717
weitere Schichtanordnung further layer arrangement
719719
Oberseite der weiteren Schichtanordnung Top of the further layer arrangement
721721
zweite Lötschicht second solder layer
723723
Oberseite der zweiten Lötschicht Top of the second solder layer
725725
Abschnitt der zweiten Passivierungsschicht Section of the second passivation layer
727727
Tragbauteil support member
729729
Montagefläche mounting surface
731731
elektrische Kontaktierungsfläche electrical contact surface
733733
elektrische Kontaktierungsfläche electrical contact surface
801801
Träger carrier
803803
elektrische Kontaktierungsfläche electrical contact surface
805805
elektrische Durchkontaktierung electrical via
901901
Wafer wafer
903903
optoelektronisches Bauelement optoelectronic component
10011001
Kante edge
11011101
Bereitstellen Provide
11031103
Bilden Form
12011201
Beaufschlagen apply
12031203
Löten soldering

Claims (17)

Träger (101, 401, 701, 801) für ein optoelektronisches Bauelement (903), umfassend: – einen Grundkörper (103), – wobei der Grundkörper (103) eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) umfasst, – wobei auf einer ersten Seite (105) des Grundkörpers (103) eine erste Lötschicht (123) zum Löten eines optoelektronischen Bauelements (903) an den Grundkörper (103) angeordnet ist, – wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) von der ersten Lötschicht (123) elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht (123) thermisch verbunden ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) for an optoelectronic component ( 903 ), comprising: - a basic body ( 103 ), - where the basic body ( 103 ) a first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ), on a first page ( 105 ) of the basic body ( 103 ) a first solder layer ( 123 ) for soldering an optoelectronic component ( 903 ) to the main body ( 103 ), - wherein the first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ) of the first solder layer ( 123 ) and with the first solder layer ( 123 ) is thermally connected. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 1, wobei die erste Heizschichtanordnung (107) mittels einer ersten elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (113) von der ersten Lötschicht (123) elektrisch isoliert ist, indem die erste Passivierungsschicht (113) zumindest teilweise auf der ersten Heizschichtanordnung (107) angeordnet ist, wobei die erste Lötschicht (123) zumindest mittelbar auf der ersten Passivierungsschicht (113) angeordnet ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 1, wherein the first heating layer arrangement ( 107 ) by means of a first electrically insulating passivation layer ( 113 ) of the first solder layer ( 123 ) is electrically isolated by the first passivation layer ( 113 ) at least partially on the first heating layer arrangement ( 107 ), wherein the first solder layer ( 123 ) at least indirectly on the first passivation layer ( 113 ) is arranged. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 2, wobei eine von einer der ersten Seite (105) des Grundkörpers (103) abgewandten Oberseite (115) der ersten Passivierungsschicht (113) durch die erste Passivierungsschicht (113) bis zur ersten Heizschichtanordnung (107) verlaufende elektrische Leitung (117) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Heizschichtanordnung (107) gebildet ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 2, wherein one of a first side ( 105 ) of the basic body ( 103 ) facing away from the top ( 115 ) of the first passivation layer ( 113 ) through the first passivation layer ( 113 ) to the first heating layer arrangement ( 107 ) extending electrical line ( 117 ) for electrically contacting the first heating layer arrangement ( 107 ) is formed. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 3, wobei die elektrische Leitung (117) mittels der ersten Heizschichtanordnung (107) ausgebildet ist. Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 3, wherein the electrical line ( 117 ) by means of the first heating layer arrangement ( 107 ) is trained. Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Heizschichtanordnung (107) einen ersten elektrischen Kontaktierungsabschnitt (111), einen zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt (203) und einen zwischen der ersten Lötschicht (123) und der ersten Seite (105) verlaufenden Heizabschnitt (109) aufweist, wobei der Heizabschnitt (109) der ersten Heizschichtanordnung (107) mittels der zwei elektrischen Kontaktierungsabschnitte (111, 203) der ersten Heizschichtanordnung (107) elektrisch kontaktiert ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of the preceding claims, wherein the first heating layer arrangement ( 107 ) a first electrical contacting portion ( 111 ), a second electrical contacting section ( 203 ) and one between the first solder layer ( 123 ) and the first page ( 105 ) extending heating section ( 109 ), wherein the heating section ( 109 ) of the first heating layer arrangement ( 107 ) by means of the two electrical contacting sections ( 111 . 203 ) of the first heating layer arrangement ( 107 ) is electrically contacted. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 5, wobei der Heizabschnitt (109) der ersten Heizschichtanordnung (107) eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist. Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 5, wherein the heating section ( 109 ) of the first heating layer arrangement ( 107 ) has a stripe shape or a two-dimensional helical structure. Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Heizschichtanordnung (107) einen frei liegenden Abschnitt (501) aufweist, auf welchen geschmolzenes Lot der ersten Lötschicht (123) fließen kann, um einen elektrischen Widerstand der ersten Heizschichtanordnung (107) zu reduzieren.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of the preceding claims, wherein the first heating layer arrangement ( 107 ) an exposed section ( 501 ), on which molten solder of the first solder layer ( 123 ) can flow to an electrical resistance of the first heating layer arrangement ( 107 ) to reduce. Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine zweite elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (705) auf einer der ersten Seite (105) gegenüberliegenden zweiten Seite (703) des Grundkörpers (103) angeordnet ist, wobei die zweite Heizanordnung von einer auf der zweiten Seite (703) angeordneten zweiten Lötschicht (721) elektrisch isoliert und mit der zweiten Lötschicht (721) thermisch verbunden ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of the preceding claims, wherein a second electrically conductive heating layer arrangement ( 705 ) on one of the first page ( 105 ) opposite second side ( 703 ) of the basic body ( 103 ), the second heating arrangement being arranged from one to the second side ( 703 ) arranged second solder layer ( 721 ) and with the second solder layer ( 721 ) is thermally connected. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 8, wobei die zweite Heizschichtanordnung (705) mittels einer zweiten elektrisch isolierenden Passivierungsschicht (713) von der zweiten Lötschicht (721) elektrisch isoliert ist, indem die zweite Passivierungsschicht (713) zumindest teilweise auf der zweiten Heizschichtanordnung (705) angeordnet ist, wobei die zweite Lötschicht (721) zumindest mittelbar auf der zweiten Passivierungsschicht (713) angeordnet ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 8, wherein the second heating layer arrangement ( 705 ) by means of a second electrically insulating passivation layer ( 713 ) of the second solder layer ( 721 ) is electrically isolated by the second passivation layer ( 713 ) at least partially on the second heating layer arrangement ( 705 ), wherein the second solder layer ( 721 ) at least indirectly on the second passivation layer ( 713 ) is arranged. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 9, wobei eine von einer der zweiten Seite (703) des Grundkörpers (103) abgewandten Oberseite (715) der zweiten Passivierungsschicht (713) durch die zweite Passivierungsschicht (713) bis zur zweiten Heizschichtanordnung (705) verlaufende elektrische Leitung (711) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Heizschichtanordnung (705) gebildet ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 9, wherein one of a second side ( 703 ) of the basic body ( 103 ) facing away from the top ( 715 ) of the second passivation layer ( 713 ) through the second passivation layer ( 713 ) to the second heating layer arrangement ( 705 ) extending electrical line ( 711 ) for electrically contacting the second heating layer arrangement ( 705 ) is formed. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 10, wobei die elektrische Leitung (711) mittels der zweiten Heizschichtanordnung (705) ausgebildet ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 10, wherein the electrical line ( 711 ) by means of the second heating layer arrangement ( 705 ) is trained. Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die zweite Heizschichtanordnung (705) einen ersten elektrischen Kontaktierungsabschnitt (709), einen zweiten elektrischen Kontaktierungsabschnitt und einen zwischen der zweiten Lötschicht (721) und der zweiten Seite (703) verlaufenden Heizabschnitt (707) aufweist, wobei der Heizabschnitt (707) der zweiten Heizschichtanordnung (705) mittels der zwei elektrischen Kontaktierungsabschnitte (709) der zweiten Heizschichtanordnung (705) elektrisch kontaktiert ist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of claims 8 to 11, wherein the second heating layer arrangement ( 705 ) a first electrical contacting portion ( 709 ), a second electrical contacting portion and an intermediate between the second solder layer ( 721 ) and the second page ( 703 ) extending heating section ( 707 ), wherein the heating section ( 707 ) of the second heating layer arrangement ( 705 ) by means of the two electrical contacting sections ( 709 ) of the second heating layer arrangement ( 705 ) is electrically contacted. Träger (101, 401, 701, 801) nach Anspruch 12, wobei der Heizabschnitt (707) der zweiten Heizschichtanordnung (705) eine Streifenform oder eine zweidimensionale Wendelstruktur aufweist.Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to claim 12, wherein the heating section ( 707 ) of the second heating layer arrangement ( 705 ) has a stripe shape or a two-dimensional helical structure. Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die zweite Heizschichtanordnung (705) mittels einer von der ersten Seite (105) zur zweiten Seite (703) des Grundkörpers (103) verlaufenden elektrischen Durchkontaktierung (805) elektrisch kontaktiert ist. Carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of claims 8 to 13, wherein the second heating layer arrangement ( 705 ) by means of one of the first page ( 105 ) to the second page ( 703 ) of the basic body ( 103 ) extending electrical via ( 805 ) is electrically contacted. Verfahren zum Herstellen eines Trägers (101, 401, 701, 801) für ein optoelektronisches Bauelement (903), umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen (1101) eines Grundkörpers (103), wobei der Grundkörper (103) eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) umfasst, – Bilden (1103) einer elektrischen Isolierung, einer thermischen Verbindung und einer ersten Lötschicht (123) zum Löten eines optoelektronischen Bauelements (903) an den Grundkörper (103) auf einer ersten Seite (105) des Grundkörpers (103) derart, dass – die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) von der ersten Lötschicht (123) elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht (123) thermisch verbunden ist.Method for producing a carrier ( 101 . 401 . 701 . 801 ) for an optoelectronic component ( 903 ), comprising the following steps: - providing ( 1101 ) of a basic body ( 103 ), where the basic body ( 103 ) a first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ), - forming ( 1103 ) an electrical insulation, a thermal connection and a first solder layer ( 123 ) for soldering an optoelectronic component ( 903 ) to the main body ( 103 ) on a first page ( 105 ) of the basic body ( 103 ) such that - the first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ) of the first solder layer ( 123 ) and with the first solder layer ( 123 ) is thermally connected. Wafer (901), umfassend mehrere Träger (101, 401, 701, 801) nach einem der Ansprüche 1 bis 14.Wafer ( 901 ), comprising several carriers ( 101 . 401 . 701 . 801 ) according to one of claims 1 to 14. Lötverfahren unter Verwendung eines Trägers nach einem der Ansprüche 1 bis 14 und/oder des Wafers nach Anspruch 16, wobei ein optoelektronisches Bauelement (903) mittels der ersten Lötschicht (123) an den Grundkörper (103) gelötet (1203) wird, indem die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) mit einer elektrischen Spannung oder einem elektrischen Strom beaufschlagt (1201) wird, so dass sich die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung (107) erwärmt, um die erste Lötschicht (123) zu schmelzen. Soldering method using a carrier according to one of claims 1 to 14 and / or the wafer according to claim 16, wherein an optoelectronic component ( 903 ) by means of the first solder layer ( 123 ) to the main body ( 103 ) ( 1203 ) by the first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ) is subjected to an electrical voltage or current ( 1201 ), so that the first electrically conductive heating layer arrangement ( 107 ) heated to the first solder layer ( 123 ) to melt.
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