DE102016106117A1 - Capacitive pressure sensor - Google Patents
Capacitive pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- DE102016106117A1 DE102016106117A1 DE102016106117.4A DE102016106117A DE102016106117A1 DE 102016106117 A1 DE102016106117 A1 DE 102016106117A1 DE 102016106117 A DE102016106117 A DE 102016106117A DE 102016106117 A1 DE102016106117 A1 DE 102016106117A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- membrane
- layer
- measuring
- electrode
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Es ist ein kostengünstig in großen Stückzahlen herstellbarer und elektrisch durch Drahtbonden anschließbarer kapazitiver Drucksensor mit einem ersten zwei elektrisch leitfähige Schichten (11, 13) und eine zwischen den beiden Schichten (11, 13) angeordneten Isolationsschicht (15) aufweisenden Grundkörper (1), einer unter Einschluss einer Druckkammer (9) mit dem ersten Grundkörper (1, 3) verbundenen, mit einem Druck beaufschlagbaren, elektrisch leitfähigen Messmembran (5), einer durch einen von der Messmembran (5) beabstandeten Teilbereich der membran-zugewandten Schicht (11) gebildeten, außenseitlich allseitig von einem mit der Messmembran (5) verbundenen, vom Teilbereich beabstandeten, äußeren Rand der membran-zugewandten Schicht umgebenen Elektrode (17), die zusammen mit der Messmembran (5) einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran (5) einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bildet, einem Elektrodenanschluss (25), der über eine durch die membran-abgewandte Schicht (13) und die Isolationsschicht (15) führende, einen Teilbereich der Elektrode (17) frei legende Öffnung (29) hindurch führenden elektrisch leitfähige Verbindung (27) mit der Elektrode (17) verbunden ist, und einem Membrananschluss (31), beschrieben, der sich dadurch auszeichnet, dass der Elektrodenanschluss (25) auf einer senkrecht zur Messmembran (5) verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht (11) angeordnet ist.It is a cost-effective producible in large quantities and electrically connectable by wire bonding capacitive pressure sensor with a first two electrically conductive layers (11, 13) and between the two layers (11, 13) arranged insulating layer (15) having base body (1) including a pressure chamber (9) connected to the first base body (1, 3), acted upon by a pressure, electrically conductive measuring membrane (5), one by a from the measuring membrane (5) spaced portion of the membrane-facing layer (11) , externally on all sides by an electrode (17) connected to the measuring diaphragm (5) and spaced from the partial area, surrounding the outer edge of the membrane-facing layer, which together with the measuring diaphragm (5) has a capacitor with a capacitor acting on the measuring diaphragm (5) Pressure-dependent capacity forms, an electrode connection (25), which has a through the membrane-facing Schi (13) and the insulating layer (15) leading, a partial region of the electrode (17) exposed opening (29) passing through electrically conductive connection (27) to the electrode (17) is connected, and a membrane connection (31), described characterized in that the electrode connection (25) is arranged on an outer surface of the membrane-facing layer (11) running perpendicular to the measuring membrane (5).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen kapazitiven Drucksensor, mit einem ersten zwei elektrisch leitfähige Schichten und eine zwischen den beiden Schichten angeordnete Isolationsschicht aufweisenden Grundkörper, einer unter Einschluss einer Druckkammer mit dem ersten Grundkörper verbundenen, mit einem Druck beaufschlagbaren, elektrisch leitfähigen Messmembran, einer durch einen von der Messmembran beabstandeten Teilbereich der membran-zugewandten Schicht gebildeten, außenseitlich allseitig von einem mit der Messmembran verbundenen, vom Teilbereich beabstandeten äußeren Rand der membran-zugewandten Schicht umgebenen Elektrode, die zusammen mit der Messmembran einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bildet, einem Elektrodenanschluss, der über eine durch die membran-abgewandte Schicht und die Isolationsschicht führende, einen Teilbereich der Elektrode frei legende Öffnung hindurch führenden elektrisch leitfähige Verbindung mit der Elektrode verbunden ist, und einem Membrananschluss.The present invention relates to a capacitive pressure sensor, comprising a first two electrically conductive layers and an insulator layer arranged between the two layers, an electrically conductive measuring membrane, which is connected to the first main body and encloses a pressure chamber, by means of one of the measuring diaphragm spaced portion of the membrane-facing layer formed on the outside on all sides of a connected to the measuring membrane, spaced from the portion outer edge of the membrane-facing layer electrode, which together with the measuring membrane a capacitor with a force acting on the measuring membrane pressure capacitance forms, an electrode connection, which leads through an opening leading through the membrane-remote layer and the insulating layer, a portion of the electrode exposing opening leading electrically conductive Verbindu ng connected to the electrode, and a membrane connection.
Kapazitive Drucksensoren können als Absolut-, Relativ- oder Differenzdrucksensoren ausgebildet sein und werden in der industriellen Messtechnik zur Messung von Drücken eingesetzt. Sie umfassen häufig als Halbleitersensoren oder Sensor-Chips bezeichnete Drucksensoren, die unter Verwendung von aus der Halbleitertechnologie bekannten Prozessen im Waferverband hergestellt werden können.Capacitive pressure sensors can be designed as absolute, relative or differential pressure sensors and are used in industrial measurement technology for measuring pressures. They often include pressure sensors, referred to as semiconductor sensors or sensor chips, which can be fabricated using wafer-assembly processes known in semiconductor technology.
Kapazitive Differenzdrucksensoren weisen regelmäßig zwei Grundkörper auf, zwischen denen eine Messmembran angeordnet ist. Dabei ist in jedem der beiden Grundkörper jeweils eine unter der Messmembran eingeschlossene Druckkammer vorgesehen. Im Messbetrieb wird eine Seite der Messmembran über eine Ausnehmung in einem der beiden Grundkörper mit einem ersten Druck und die andere Seite der Messmembran über eine Ausnehmung im zweiten Grundkörper mit einem zweiten Druck beaufschlagt. Hierzu werden Differenzdrucksensoren in der Regel zwischen zwei mechanisch stabilen Stützkörpern angeordnet, die jeweils mit einer Druckübertragungsleitung ausgestattet sind, deren eines Ende über die Ausnehmung im an den jeweiligen Stützkörper angrenzenden Grundkörper mit der darin eingeschlossenen Druckkammer verbunden ist und deren anderes Ende über eine daran angeschlossene Druckzufuhr, z.B. einen der Druckübertragungsleitung vorgeschalteten Druckmittler, mit einem der beiden Drücke beaufschlagt wird.Capacitive differential pressure sensors regularly have two main bodies, between which a measuring diaphragm is arranged. In each case one enclosed under the measuring diaphragm pressure chamber is provided in each of the two main body. In measuring operation, one side of the measuring diaphragm is acted upon by a recess in one of the two base bodies with a first pressure and the other side of the measuring diaphragm is acted on by a recess in the second base body with a second pressure. For this purpose, differential pressure sensors are usually arranged between two mechanically stable support bodies, which are each equipped with a pressure transmission line, one end of which is connected via the recess in the body adjacent to the respective support body with the pressure chamber enclosed therein and the other end via a pressure supply connected thereto , eg one of the pressure transmission line upstream diaphragm seal, is acted upon with one of the two pressures.
Kapazitive Halbleitersensoren weisen regelmäßig eine leitfähige Messmembran auf, die zusammen mit einer in einem der Grundkörper integrierten Elektrode einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bilden, die mittels einer an den Kondensator anzuschließenden Messeinrichtung bestimmt werden kann.Capacitive semiconductor sensors regularly have a conductive measuring diaphragm which, together with an electrode integrated in one of the basic bodies, forms a capacitor with a capacitance which depends on the pressure acting on the measuring diaphragm and which can be determined by means of a measuring device to be connected to the capacitor.
Ein solcher Differenzdrucksensor ist z.B. in der
- – einen ersten zwei elektrisch leitfähige Schichten und eine zwischen den beiden Schichten angeordnete Isolationsschicht aufweisenden Grundkörper,
- – eine unter Einschluss einer Druckkammer mit dem ersten Grundkörper verbundene, mit einem Druck beaufschlagbare, elektrisch leitfähige Messmembran,
- – eine durch einen von der Messmembran beabstandeten Teilbereich der membran-zugewandten Schicht gebildeten, außenseitlich allseitig von einem mit der Messmembran verbundenen, vom Teilbereich beabstandeten, äußeren Rand der membran-zugewandten Schicht umgebene Elektrode, die zusammen mit der Messmembran einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bildet,
- – einen Elektrodenanschluss, der über eine durch die membran-abgewandte Schicht und die Isolationsschicht führende, einen Teilbereich der Elektrode frei legende Öffnung hindurch führenden elektrisch leitfähige Verbindung mit der Elektrode verbunden ist, und
- – einen Membrananschluss.
- A first two electrically conductive layers and an insulator layer arranged between the two layers,
- A pressurized, electrically conductive measuring membrane connected to the first base body, including a pressure chamber,
- - Formed by a spaced from the measuring membrane portion of the membrane-facing layer, outside on all sides of a connected to the measuring membrane, spaced from the portion, outer edge of the membrane-facing layer surrounded electrode, which together with the measuring diaphragm a capacitor with a on the measuring membrane acting pressure forms dependent capacity,
- An electrode connection which is connected to the electrode via a conductor which leads through the opening facing away from the membrane and the insulating layer and leads to a portion of the electrode, and
- - a membrane connection.
Bei diesem Drucksensor ist für jede Elektrode eine Metallisierung auf dem Drucksensor vorgesehen, die sich von dem freiliegenden Teilbereich der Elektrode über eine Mantelfläche der Öffnung bis zu dem auf der membran-abgewandten Stirnseite des jeweiligen Grundkörpers vorgesehenen Elektrodenanschluss erstreckt.In this pressure sensor, a metallization on the pressure sensor is provided for each electrode, which extends from the exposed portion of the electrode over a lateral surface of the opening to the provided on the membrane-remote end side of the respective body electrode connection.
Der elektrische Anschluss der Messmembran erfolgt über eine auf die Außenseiten des Drucksensors aufgebrachte metallische Beschichtung, die sich über die Außenflächen der Messmembran, des Randes der membran-zugewandten Schicht und der membran-abgewandten Schichten erstreckt und die zur elektrischen Abschirmung der Elektroden gegenüber der Umgebung des Differenzdrucksensors an ein Bezugspotential angeschlossen wird. Eine Beschichtung von Außenseiten von im Waferverband hergestellten Drucksensoren ist jedoch nur nachträglich, nach dem Vereinzeln der Drucksensoren möglich. Das Beschichten jedes einzelnen Drucksensors ist aufwendig und im Vergleich zu kostengünstiger im Waferverband ausführbaren Prozessen weniger präzise. Darüber hinaus müssen bei einer Anordnung dieses Differenzdrucksensors zwischen zwei mit Druckübertragungsleitungen ausgestatteten Stützkörpern besondere Vorkehrungen getroffen werden, um die Kontaktierung der auf den gegenüberliegenden Stirnseiten des Sensors vorgesehenen Elektrodenanschlüsse zu ermöglichen.The electrical connection of the measuring diaphragm takes place via a metallic coating which is applied to the outer sides of the pressure sensor and which extends over the outer surfaces of the measuring diaphragm, the edge of the membrane-facing layer and the layers facing away from the membrane and which serves to electrically shield the electrodes from the surroundings of the diaphragm Differential pressure sensor is connected to a reference potential. However, a coating of outsides of pressure sensors produced in the wafer assembly is only possible later, after the separation of the pressure sensors. The coating of each individual pressure sensor is complicated and less precise compared to cost-effective executable in wafer assembly processes. In addition, in an arrangement of this differential pressure sensor between two with pressure transmission lines equipped support bodies special precautions are taken to allow the contacting of the provided on the opposite end faces of the sensor electrode terminals.
Ein insoweit besser geeigneter Differenzdrucksensor mit einer zwischen zwei jeweils zwei durch eine Isolationsschicht gegeneinander isolierte leitfähige Schichten umfassenden Grundkörpern angeordneten leitfähigen Messmembran ist in der am 30.10.2014 eingereichten noch unveröffentlichen deutschen Patentanmeldung der Anmelderin mit dem Aktenzeichen
Um eine Kontaktierung der auf den Außenseiten der membran-abgewandten Schichten der Grundkörper angeordneten Elektrodenanschlüsse mittels Drahtbondens zu ermöglichen, werden zur Herstellung der Aussparungen anisotrope Ätzverfahren, wie das Reaktive Ionentiefenätzen (DRIE), eingesetzt, mit denen Aussparungen mit senkrecht zur Messmembran verlaufenden Seitenwänden erzeugt werden. Auf diesen Seitenwänden vorgesehene Anschlussflächen weisen somit eine für das Drahtbonden optimale räumliche Ausrichtung auf. Im Vergleich dazu sind auf geneigten Oberflächen, wie z.B. Mantelflächen von sich konisch verjüngenden KOH-Ätzgruben, vorgesehene Anschlüsse deutlich weniger gut für eine Kontaktierung mittels Drahtbondens geeignet. Das Drahtbonden bietet gegenüber anderen aus dem Stand der Technik bekannten Kontaktierungsverfahren, wie z.B. dem Löten oder dem Leitkleben, den Vorteil, dass Drahtbonds zuverlässig erzeugt werden können, eine hohe Langzeitstabilität aufweisen und deutlich unempfindlicher gegenüber Feuchtigkeit sind, als beispielsweise Leitklebungen.In order to enable contacting of the electrode terminals arranged on the outer sides of the membrane-remote layers of the base body by means of wire bonding, anisotropic etching methods, such as reactive ion degeneration (DRIE), are used to produce the recesses, with which recesses with side walls running perpendicular to the measuring membrane are produced , On this side walls provided pads thus have an optimal for wire bonding spatial alignment. By comparison, on sloped surfaces, such as, e.g. Mantle surfaces of conically tapered KOH etching pits, provided connections much less suitable for contacting by wire bonding. Wire bonding offers over other contacting methods known in the art, e.g. soldering or conductive bonding, the advantage that wire bonds can be generated reliably, have a high long-term stability and are significantly less sensitive to moisture than, for example, conductive bonds.
Für das Drahtbonden ist es vorteilhaft, wenn die Anschlussflächen der Elektrodenanschlüsse möglichst groß sind. Die hierfür zur Verfügung stehenden Anschlussflächen lassen sich durch eine Vergrößerung der Schichtdicke der membran-abgewandten Schichten jedoch nur innerhalb gewisser Grenzen vergrößern, da sich hierdurch zwangläufig auch die Tiefe der die Elektroden frei legenden Öffnungen erhöht. Da auch diese Öffnungen senkrecht zur Messmembran verlaufende Seitenwände aufweisen, ist es bei der Herstellung der Öffnungen umso schwieriger die die Elektroden frei legenden Teilbereiche der Isolationsschicht zu entfernen, je größer das durch das mit steigender Schichtdicke der membran-abgewandten Schichten ansteigende Aspektverhältnis der Öffnungen ist. Genauso ist es umso schwieriger Metallisierungen aufzubringen, die sich über die Mantelflächen der Öffnungen bis zu dem durch die jeweilige Öffnung freigelegten Teilbereich der jeweiligen Elektrode erstrecken, je größer das Aspektverhältnis der Öffnungen ist.For wire bonding, it is advantageous if the connection surfaces of the electrode connections are as large as possible. However, the connection surfaces available for this purpose can only be increased within certain limits by increasing the layer thickness of the layers facing away from the membrane, since this inevitably increases the depth of the openings exposing the electrodes. Since these openings also have side walls running perpendicularly to the measuring diaphragm, the greater the extent of the openings, the greater the proportion of the openings increasing as the layer thickness of the layers facing away from the membrane increases, making it more difficult to remove the portions of the insulating layer which expose the electrodes. In the same way, the greater the aspect ratio of the openings, the more difficult it is to apply metallizations that extend over the lateral surfaces of the openings as far as the partial area of the respective electrode exposed through the respective opening.
Im Hinblick auf eine möglichst fehlerfreie Kontaktierung großer Stückzahlen dieser Drucksensoren mittels Drahtbonden wäre es wünschenswert, die Anschlussflächen der Elektrodenanschlüsse zu vergrößern, ohne dass sich hierdurch der für die Erzeugung der elektrisch leitfähigen Verbindungen zwischen den Elektrodenanschlüssen und den zugehörigen Elektroden erforderliche Fertigungsaufwand erhöht.With regard to a possible error-free contacting large numbers of these pressure sensors by means of wire bonding, it would be desirable to increase the contact surfaces of the electrode terminals, without thereby increasing the production costs required for the production of electrically conductive connections between the electrode terminals and the associated electrodes.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung einen kostengünstig in großen Stückzahlen herstellbaren und elektrisch durch Drahtbonden anschließbaren Drucksensor anzugeben.It is an object of the present invention to provide a cost-effectively producible in large quantities and electrically connectable by wire bonding pressure sensor.
Hierzu umfasst die Erfindung einen kapazitiven Drucksensor, mit
- – einem ersten zwei elektrisch leitfähige Schichten und eine zwischen den beiden Schichten angeordneten Isolationsschicht aufweisenden Grundkörper,
- – einer unter Einschluss einer ersten Druckkammer mit dem ersten Grundkörper verbundenen, mit einem Druck beaufschlagbaren, elektrisch leitfähigen Messmembran,
- – einer durch einen von der Messmembran beabstandeten Teilbereich der membran-zugewandten Schicht gebildeten, außenseitlich allseitig von einem mit der Messmembran verbundenen, vom Teilbereich beabstandeten äußeren Rand der membran-zugewandten Schicht umgebenen Elektrode, die zusammen mit der Messmembran einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bildet,
- – einem Elektrodenanschluss, der über eine durch die membran-abgewandte Schicht und die Isolationsschicht führende, einen Teilbereich der Elektrode frei legende Öffnung hindurch führenden elektrisch leitfähige Verbindung mit der Elektrode verbunden ist, und
- – einem Membrananschluss, der sich dadurch auszeichnet, dass
- – der Elektrodenanschluss auf einer senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht angeordnet ist.
- A first two electrically conductive layers and an insulator layer arranged between the two layers,
- An electrically conductive measuring membrane connected to the first base body, including a first pressure chamber, which can be charged with a pressure,
- - Formed by a spaced from the measuring membrane portion of the membrane-facing layer, outside on all sides of a connected to the measuring membrane, spaced from the portion outer edge of the membrane-facing layer electrode, which together with the measuring diaphragm a capacitor with a on the Measuring diaphragm acting pressure forms dependent capacity,
- An electrode connection which is connected to the electrode via a conductor which leads through the opening facing away from the membrane and the insulating layer and which leads to a portion of the electrode, and
- - A membrane connection, which is characterized in that
- - The electrode terminal is arranged on a perpendicular to the measuring membrane extending outer surface of the membrane-facing layer.
Eine erste Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass
- – der Drucksensor einen unter Einschluss einer zweiten Druckkammer mit der Messmembran verbundenen zweiten Grundkörper umfasst,
- – der zweite Grundkörper zwei elektrisch leitfähige Schichten und eine zwischen den beiden Schichten angeordneten Isolationsschicht aufweist,
- – der zweite Grundkörper eine durch einen von der Messmembran beabstandeten Teilbereich der membran-zugewandten Schicht gebildeten, außenseitlich allseitig von einem mit der Messmembran verbundenen, vom Teilbereich beabstandeten äußeren Rand der membran-zugewandten Schicht umgebene Elektrode umfasst, die zusammen mit der Messmembran einen Kondensator mit einer vom auf die Messmembran einwirkenden Druck abhängigen Kapazität bildet, und
- – auf dem zweiten Grundkörper ein Elektrodenanschluss vorgesehen ist,
- – der über eine durch die membran-abgewandte Schicht und die Isolationsschicht führende, einen Teilbereich der im zweiten Grundkörper integrierten Elektrode frei legende Öffnung hindurch führende elektrisch leitfähige Verbindung mit der Elektrode verbunden ist, und
- – der auf einer senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht des zweiten Grundkörpers angeordnet ist.
- The pressure sensor comprises a second main body connected to the measuring diaphragm, including a second pressure chamber,
- The second basic body has two electrically conductive layers and an insulating layer arranged between the two layers,
- - The second base body formed by a spaced from the measuring membrane portion of the membrane-facing layer, outside on all sides of a connected to the measuring membrane, spaced from the portion outer edge of the membrane-facing layer electrode comprises, which together with the measuring diaphragm with a capacitor forms a dependent of the force acting on the diaphragm pressure dependent capacity, and
- An electrode connection is provided on the second base body,
- - Is connected via a leading through the membrane-remote layer and the insulating layer, a portion of the integrated electrode in the second body bare opening leading electrically conductive connection with the electrode, and
- - Which is arranged on a perpendicular to the measuring membrane extending outer surface of the membrane-facing layer of the second base body.
Eine Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass der erste oder der erste und der zweite Grundkörper jeweils unmittelbar oder über eine zwischen dem Grundkörper und der Messmembran angeordnete Isolationsschicht, insb. eine einen Teilbereich der Druckkammer bildende Ausnehmung aufweisende Isolationsschicht, mit der Messmembran verbunden ist.A further development of the invention or of the first development is characterized in that the first or the first and the second basic body each with directly or via an insulating layer arranged between the base body and the measuring membrane, esp. With an insulating layer having a portion of the pressure chamber the measuring membrane is connected.
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass der erste oder der erste und der zweite Grundkörper jeweils eine in der in dem Grundkörper eingeschlossenen Druckkammer mündende Ausnehmung, insb. eine die Öffnung als Teilbereich umfassende Ausnehmung, umfasst, über die die Druckkammer mit einem Druck beaufschlagbar ist.A further development of the invention or of the first development is characterized in that the first or the first and the second base body each comprise a recess opening into the pressure chamber enclosed in the base body, in particular a recess comprising the opening as a partial area, via which the pressure chamber can be acted upon by a pressure.
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass jeder Elektrodenanschluss und die damit verbundene leitfähige Verbindung jeweils als miteinander verbundene Teilbereiche einer auf den Drucksensor aufgebrachten Metallisierung ausgebildet sind, die auf einer die Metallisierung gegenüber der membran-zugewandten und der membran-abgewandten Schicht isolierenden Isolationsschicht verläuft.A further development of the invention or of the first development is characterized in that each electrode connection and the conductive connection connected thereto are in each case formed as interconnected partial regions of a metallization applied to the pressure sensor, the metallization opposite the membrane-facing and the membrane -away layer of insulating insulating layer runs.
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass die membran-zugewandte Schicht des ersten oder des ersten und des zweiten Grundkörpers jeweils eine Schichtdicke von größer gleich 500 µm aufweist.A further development of the invention or the first development is characterized in that the membrane-facing layer of the first or of the first and of the second base body in each case has a layer thickness of greater than or equal to 500 μm.
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass die membran-abgewandte Schicht des ersten oder des ersten und des zweiten Grundkörpers jeweils eine Schichtdicke in einem Schichtdickenbereich von 200 µm bis 500 µm aufweist.A further development of the invention or of the first development is characterized in that the membrane-remote layer of the first or the first and the second base body in each case has a layer thickness in a layer thickness range of 200 .mu.m to 500 .mu.m.
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass der durch die membran-abgewandte Schicht verlaufende Teilbereich der im ersten Grundkörper oder der im ersten und der im zweiten Grundkörper vorgesehenen Öffnung jeweils eine sich in Richtung der Isolationsschicht verjüngende Grundfläche aufweist, wobei der jeweilige Teilbereich insb. als mittels eines mit Kaliumhydroxid (KOH) ausgeführtem Ätzverfahren erzeugte, geneigte Seitenwände aufweisende KOH-Grube ausgebildet ist.A further development of the invention or of the first development is characterized in that the partial region extending through the membrane-remote layer of the opening provided in the first base body or the opening provided in the first and the second base body has in each case a base surface tapering in the direction of the insulation layer, wherein the respective subregion is in particular formed as a KOH pit having inclined sidewalls and produced by means of an etching process carried out with potassium hydroxide (KOH).
Eine weitere Weiterbildung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der Membrananschluss ein auf einer senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht des ersten Grundkörpers angeordneter Membrananschluss, insb. ein als Teilbereich einer sich von der senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht bis zur Messmembran erstreckenden Metallisierung, insb. einer einen sich über eine Mantelfläche der membran-abgewandten Schicht erstreckenden Metallisierungsbereich umfassenden Metallisierung, ausgebildeter Membrananschluss, ist.A further development of the invention is characterized in that the membrane connection is a membrane connection arranged on an outer surface of the diaphragm-facing layer of the first base body, in particular a partial region of an outer surface of the diaphragm facing the measuring diaphragm Layer up to the measuring membrane extending metallization, esp. Of a comprehensive over a lateral surface of the membrane-remote layer extending metallization comprehensive metallization, formed membrane terminal is.
Eine weitere Weiterbildung der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass auf einer senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht des zweiten Grundkörpers ein Membrananschluss, insb. ein als Teilbereich einer sich von der senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht des zweiten Grundkörpers bis zur Messmembran erstreckenden Metallisierung, insb. einer einen sich über eine Mantelfläche der membran-abgewandten Schicht erstreckenden Metallisierungsbereich umfassenden Metallisierung, ausgebildeter Membrananschluss, angeordnet, ist.A further development of the first development is characterized in that on a perpendicular to the measuring membrane extending outer surface of the membrane-facing layer of the second base body, a membrane connection, esp. As a partial region extending from the perpendicular to the measuring membrane outer surface of the membrane-facing layer of the second main body to the measuring membrane extending metallization, esp. A one extending over a lateral surface of the membrane-remote layer extending metallization Metallization, trained membrane connection, arranged is.
Eine zweite Weiterbildung der Erfindung oder der ersten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass der Drucksensor eine Außenseite umfasst, auf der für den auf dem ersten oder den auf dem ersten und den auf dem zweiten Grundkörper vorgesehenen Elektrodenanschluss und den auf dem ersten oder den auf dem ersten und einen auf dem zweiten Grundkörper vorgesehenen Membrananschluss jeweils eine zu der Außenseite und einer der Stirnseiten des Drucksensors hin geöffnete, durch die membran-abgewandte Schicht, die Isolationsschicht und die membran-zugewandte Schicht des jeweiligen Grundkörpers verlaufende Aussparung in dem jeweiligen Grundkörper vorgesehen ist, in der der jeweilige Anschluss auf der die jeweilige Aussparung begrenzenden, senkrecht zur Messmembran verlaufenden Außenfläche der membran-zugewandten Schicht des jeweiligen Grundkörpers angeordnet ist.A second development of the invention or of the first development is characterized in that the pressure sensor comprises an outer side on which the electrode connection provided on the first or on the first and on the second base body and on the first or on the first and one provided on the second base body membrane connection each one open to the outside and one of the end sides of the pressure sensor through the membrane-remote layer, the insulating layer and the membrane-facing layer of the respective body extending recess is provided in the respective body, in which the respective connection is arranged on the outer surface of the membrane-facing layer of the respective basic body delimiting the respective recess and perpendicular to the measuring diaphragm.
Eine Weiterbildung der zweiten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass
- – der erste und/oder der zweite Grundkörper zwei Aussparungen, nämlich die für den Elektrodenanschluss vorgesehene Aussparung und die für den Membrananschluss vorgesehene Aussparung umfasst, und
- – die beiden im gleichen Grundkörper vorgesehenen Aussparungen durch einen zwischen den beiden Aussparungen vorgesehenen Vorsprung voneinander getrennt.
- - The first and / or the second base body comprises two recesses, namely the opening provided for the electrode connection and the recess provided for the membrane connection, and
- - The two provided in the same body recesses separated by a projection provided between the two recesses.
Eine Weiterbildung der zweiten Weiterbildung zeichnet sich dadurch aus, dass durch die membran-abgewandte Schicht des ersten oder des ersten und des zweiten Grundkörpers verlaufende Teilbereiche der Aussparungen und der Öffnung mittels eines mit Kaliumhydroxid (KOH) ausgeführtem Ätzverfahren erzeugte KOH Gruben sind.A refinement of the second development is characterized in that partial regions of the recesses and the opening extending through the membrane-remote layer of the first or of the first and second main body are KOH pits produced by means of an etching process carried out with potassium hydroxide (KOH).
Weiter umfasst die Erfindung einen Druckmesseinrichtung mit einem als Differenzdrucksensor ausgebildeten Drucksensor gemäß der ersten Weiterbildung, die sich dadurch auszeichnet, dass
- – der Drucksensor zwischen zwei Stützkörpern, insb. zwei aus Glas oder aus Keramik bestehenden Stützkörpern, insb. mit dem Drucksensor jeweils über eine Fügung, insb. eine Klebung oder eine Glaslötung, verbundenen Stützkörpern, angeordnet ist,
- – der auf dem ersten oder der auf dem ersten und der auf dem zweiten Grundkörper vorgesehene Elektrodenanschluss und der auf dem ersten oder der auf dem ersten und ein auf dem zweiten Grundkörper vorgesehener Membrananschluss jeweils über eine Drahtbondung an einen Anschluss, insb. einen Anschluss eines auf dem zu dem jeweiligen Grundkörper benachbarten Stützkörper vorgesehenen Elements, insb. einer Leiterplatte oder einer Messeinrichtung, insb. einer Vorortelektronik, angeschlossen ist.
- The pressure sensor is arranged between two support bodies, in particular two support bodies consisting of glass or ceramic, in particular with the pressure sensor in each case via a joint, in particular an adhesion or a glass soldering, connected support bodies,
- - The provided on the first or on the first and on the second body electrode terminal and provided on the first or on the first and on the second base membrane terminal in each case via a wire bond to a terminal, esp the element provided for the respective base body, in particular a printed circuit board or a measuring device, esp. A local electronics, is connected.
Weiter umfasst die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung erfindungsgemäßer Drucksensoren, bei dem
- – aus einem ersten eine Trägerschicht, eine Isolationsschicht und eine Deckschicht umfassenden ersten SOI-Wafer erste Grundkörper gefertigt werden, indem
- – aus der Trägerschicht die membran-abgewandten Schichten erzeugt werden, insb. mittels eines mit Kaliumhydroxid (KOH) ausgeführten Ätzverfahren erzeugt werden,
- – aus der Isolationsschicht die Isolationsschichten erzeugt werden, insb. mittels reaktivem Ionenätzen (RIE), erzeugt werden,
- – auf der Ober- und Unterseite des Wafers unter Aussparung der für die elektrisch leitfähigen Verbindungen zwischen den Membrananschlüssen und den Schichten benötigten Oberflächen und den durch die Öffnungen freigelegten Teilbereichen der membran-zugewandten Schichten eine Isolationsschicht aufgebracht wird, insb. mittels eines Feuchtoxidationsverfahren aufgebracht wird,
- – die auf die Deckschicht aufgebrachte Isolationsschicht bis auf zwischen den Rändern der membran-zugewandten Schichten und den Messmembranen angeordnete, Teilbereiche der zwischen den Grundkörpern und den Messmembranen angeordneten Isolationsschichten bildende Bereiche entfernt wird, insb. mittels eines Trockenätzverfahrens entfernt wird, und
- – aus der Deckschicht die membran-zugewandten Schichten erzeugt werden, insb. mittels reaktivem Ionentiefenätzen (DRIE), erzeugt werden,
- – ein zweiter eine die Messmembranen bildende Deckschicht umfassender SOI Wafer mit dem ersten Wafer verbunden wird,
- – auf die Außenseiten der Ränder der membran-zugwandten Schichten der für die Elektrodenanschlüsse vorgesehenen Aussparungen und die über diese Aussparungen frei gelegten Bereiche der Messmembranen Isolationsschichten aufgebracht werden, insb. mittels eines Trockenoxidationsverfahren aufgebracht werden,
- – der zweite SOI Wafer bis auf dessen Deckschicht entfernt wird, und
- – die Elektrodenanschlüsse und deren elektrisch leitfähige Verbindungen zur jeweiligen Elektrode und die Membrananschlüsse und deren elektrisch leitfähige Verbindungen zur jeweiligen Messmembran als Metallisierungen aufgebracht, insb. aufgesputtert, werden.
- Are made of a first carrier layer, an insulating layer and a cover layer comprising first SOI wafer first base body by
- The membrane-remote layers are produced from the carrier layer, in particular by means of an etching process carried out with potassium hydroxide (KOH),
- The insulation layers are produced from the insulation layer, in particular by means of reactive ion etching (RIE),
- An insulating layer is applied on the upper and lower side of the wafer, with the recessing of the surfaces required for the electrically conductive connections between the membrane connections and the layers and the partial regions of the membrane-facing layers which are exposed through the openings, in particular being applied by means of a wet oxidation process,
- The insulation layer applied to the cover layer is removed, in particular by means of a dry etching process, down to the regions of the insulating layers which are arranged between the edges of the membrane-facing layers and the measuring membranes and which are located between the base bodies and the measuring membranes
- The membrane-facing layers are produced from the cover layer, in particular by means of reactive ion etching (DRIE),
- A second SOI wafer comprising the measuring membranes is connected to the first wafer,
- Insulation layers are applied to the outer sides of the edges of the membrane-covered layers of the recesses provided for the electrode connections and the regions of the measuring membranes exposed via these recesses, in particular by means of a dry oxidation process,
- - The second SOI wafer is removed to its top layer, and
- - The electrode terminals and their electrically conductive connections to the respective electrode and the membrane terminals and their electrically conductive compounds applied to the respective measuring membrane as metallizations, esp. Sputtered, are.
Erfindungsgemäße Drucksensoren bieten den Vorteil, dass die Anschlussflächen der Elektrodenanschlüsse auf senkrecht zur Messmembran verlaufenden und damit optimal für eine Kontaktierung mittels Drahtbonden geeigneten – Außenseiten der membran-zugewandten Schichten angeordnet sind. Die Positionierung der Anschlüsse auf den membran-zugewandten Schichten bietet den Vorteil, dass die Anschlussflächen der Anschlüsse durch eine entsprechende Dimensionierung der Schichtdicke der membran-zugewandten Schicht erhöht werden kann, ohne dass dies Auswirkungen auf die Schichtdicke der membran-abgewandten Schichten und damit auf die Tiefe der die Elektroden frei legenden Öffnung hat. Das bietet den Vorteil, dass die Schichtdicke der membran-abgewandten Schicht derart vorgegeben werden kann, dass auch bei der Herstellung sehr großer Stückzahlen durch die Öffnungen in den Grundkörpern hindurch hochwertige leitfähige Verbindungen zu den Elektroden in gleichbleibend hoher Qualität mit vergleichsweise geringem Fertigungsaufwand erzeugt werden können.Pressure sensors according to the invention offer the advantage that the connection surfaces of the Electrode terminals are arranged on perpendicular to the measuring diaphragm and thus optimally suitable for contacting by wire bonding - outer sides of the membrane-facing layers. The positioning of the connections on the membrane-facing layers has the advantage that the connection surfaces of the connections can be increased by a corresponding dimensioning of the layer thickness of the membrane-facing layer, without affecting the layer thickness of the membrane-facing layers and thus on the Depth of the electrode exposing opening has. This offers the advantage that the layer thickness of the layer facing away from the membrane can be predetermined in such a way that high-quality conductive connections to the electrodes of consistently high quality can be produced with comparatively low production costs even in the production of very large numbers through the openings in the basic bodies ,
Die Erfindung und deren Vorteile werden nun anhand der Figuren der Zeichnung, in denen ein Ausführungsbeispiel dargestellt ist, näher erläutert. Gleiche Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Um Komponenten sehr unterschiedlicher Abmessungen darstellen zu können wurde in den Figuren eine nicht maßstabsgetreue Darstellung gewählt.The invention and its advantages will now be explained in more detail with reference to the figures of the drawing, in which an embodiment is shown. Identical elements are provided in the figures with the same reference numerals. In order to represent components of very different dimensions, a representation not to scale has been selected in the figures.
Die
Der Drucksensor umfasst eine zwischen einem ersten und einem zweiten Grundkörper
Der erste Grundkörper
Dabei können die beiden Grundkörper
Zusätzlich umfasst der Drucksensor für jede Elektrode
Der Elektrodenanschluss
Erfindungsgemäß ist der Elektrodenanschluss
Erfindungsgemäße Drucksensoren ermöglichen es somit über eine entsprechende Wahl der Schichtdicke der membran-zugewandten Schicht
Dabei ist der Elektrodenanschluss
Demgegenüber wird die Schichtdicke der membran-abgewandten Schicht
Dabei liegt die Schichtdicke der membran-abgewandten Schicht
Bei als Differenzdrucksensor ausgebildeten Drucksensoren genügt bereits ein einziger Kondensator mit einer vom zu messenden Druck abhängigen Kapazität. Vorzugsweise ist jedoch auch im zweiten Grundkörper
Zusätzlich weist der Drucksensor einen Membrananschluss
Diese Metallisierung wird vorzugsweise ohne Zwischenfügung einer Isolationsschicht unmittelbar auf die Außenfläche der membran-zugewandten Schicht
Bei Differenzdrucksensoren genügt es einen der beiden Grundkörper
Erfindungsgemäße Drucksensoren werden vorzugsweise in größeren Stückzahlen parallel im Waferverbund hergestellt und anschließend durch Sägen entlang der Sensoraußenseiten vereinzelt. Dabei können die für die Erzeugung der Membran- und Elektrodenanschlüsse
Vorzugsweise werden erfindungsgemäße Drucksensoren jedoch derart ausgebildet, dass sie eine Außenseite umfassen, auf der für jeden Elektrodenanschluss
Die für die Elektrodenanschlüsse
Dabei weisen die durch die membran-zugewandten Schichten
Da die Membran- und Elektrodenanschlüsse
Der in
Jeder Stützkörper
Die Erfindung kann völlig analog in Verbindung mit Abwandlungen der hier dargestellten Ausführungsbeispiele eingesetzt werden. Beispiele hierfür sind Differenzdrucksensoren, bei denen nur einer der beiden Grundkörper mit einer Elektrode und/oder einem Membrananschluss ausgestattet ist. Ein weiteres Beispiel sind Relativdrucksensoren, die sich von den beschriebenen Differenzdrucksensoren dadurch unterscheiden, dass der zweite Grundkörper entfällt und die Außenseite der Messmembran mit dem zu messenden Druck beaufschlagt wird während an deren Innenseite ein der Druckkammer über die Ausnehmung im Grundkörper zugeführter Referenzdruck anliegt. Ein weiteres Beispiel sind Absolutdrucksensoren, die sich von den zuvor genannten Relativdrucksensoren, dadurch unterscheiden, dass die unter der Messmembran eingeschlossene Druckkammer evakuiert ist.The invention can be used completely analogously in connection with modifications of the embodiments shown here. Examples include differential pressure sensors, in which only one of the two main body is equipped with an electrode and / or a membrane connection. Another example is relative pressure sensors, which differ from the differential pressure sensors described in that the second base body is omitted and the outside of the measuring diaphragm is acted upon by the pressure to be measured while on the inside of a pressure chamber via the recess in the base body supplied reference pressure is applied. Another example is absolute pressure sensors, which differ from the aforementioned relative pressure sensors in that the pressure chamber enclosed under the measuring diaphragm is evacuated.
Die erfindungsgemäßen Drucksensoren sind auf einfache und kostengünstige Weise im Waferverbund herstellbar.
Zunächst werden aus einem ersten SOI-Wafer im Waferverband erste Grundkörper
In einem ersten Verfahrensschritt a) werden hierzu in der Trägerschicht T die in den membran-abgewandten Schichten
Im darauffolgenden Verfahrensschritt b) werden die in den Isolationsschichten
Im nachfolgenden Verfahrensschritt c) wird auf der Ober- und Unterseite des Wafers unter Aussparung der für die elektrisch leitfähigen Verbindungen zwischen den Membrananschlüssen
Nachfolgend wird in Verfahrensschritt d) die auf die Deckschicht D aufgebrachte Isolationsschicht
Nachfolgend werden in Verfahrensschritt e) aus der Deckschicht D die membran-zugewandten Schichten
Nachfolgend wird in Verfahrensschritt f) ein zweiter SOI Wafer mit dem gemäß den Verfahrensschritten a)–e) bearbeiteten ersten Wafer derart verbunden, dass die Teilbereiche
Danach werden in Verfahrensschritt g) in den für die Elektrodenanschlüsse
Anschließend werden in Verfahrensschritt h) die Trägerschicht T und die Isolationsschicht I des zweiten SOI Wafers entfernt. Zum Entfernen der Trägerschicht T eignen sich Ätzverfahren, wie z.B. das reaktive Ionentiefenätzen (DRIE). Zum Entfernen der Isolationsschicht I eignen sich zum Beispiel Trockenätzverfahren.Subsequently, in method step h), the carrier layer T and the insulating layer I of the second SOI wafer are removed. For removing the carrier layer T, etching methods such as e.g. Reactive Ion Depletion (DRIE). For removing the insulating layer I, for example, dry etching methods are suitable.
Parallel zur Herstellung der ersten Grundkörper
Wie in Verfahrensschritt i) gezeigt, werden die auf diese Weise bearbeiteten dritten SOI-Wafer anschließend, z.B. durch Bonden, derart mit dem am Ende von Verfahrensschritt h) zur Verfügung stehenden Verbund verbunden, dass sich die in den ersten und zweiten Grundkörpern
Abschließend werden in Verfahrensschritt j) die die Elektrodenanschlüsse
Auf analoge Weise können natürlich auch Relativ- oder Absolutdrucksensoren hergestellt werden. Dabei entfallen die Verfahrensschritte h) und i) und es werden nur die ersten Grundkörper
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- erster Grundkörper first basic body
- 33
- zweiter Grundkörper second basic body
- 55
- Messmembran measuring membrane
- 77
- Ausnehmung recess
- 99
- Druckkammer pressure chamber
- 1111
- membran-zugewandte leitfähige Schicht membrane-facing conductive layer
- 1313
- membran-abgewandte leitfähige Schicht Membrane-facing conductive layer
- 1515
- Isolationsschicht insulation layer
- 1717
- Elektrode electrode
- 1919
- Rand edge
- 2121
- Graben dig
- 2323
- Isolationsschicht insulation layer
- 2525
- Elektrodenanschluss electrode connection
- 2727
- leitfähige Verbindung conductive connection
- 2929
- Öffnung opening
- 3030
- Isolationsschicht insulation layer
- 3131
- Membrananschluss diaphragm connection
- 3333
- Metallisierungsbereich metallization
- 3535
- Aussparung für einen Elektrodenanschluss Recess for an electrode connection
- 3737
- Aussparung für einen Membrananschluss Recess for a membrane connection
- 3838
- Vorsprung head Start
- 3939
- Stützkörper support body
- 4141
- Fügung coincidence
- 4343
- Gehäuse casing
- 4545
- Druckübertragungsleitung Pressure transmission line
- 4747
- Druckmittler Diaphragm Seals
- 4949
- Trennmembran separating membrane
- 5151
- Drahtbondung wire bonding
- 5353
- Element element
- 5555
- Messelektronik measuring electronics
- 5757
- Isolationsschicht insulation layer
- 5959
- Isolationsschicht insulation layer
- 6161
- Teilbereich der Isolationsschicht Part of the insulation layer
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 10393943 B3 [0005] DE 10393943 B3 [0005]
- DE 102014115803 [0008, 0047] DE 102014115803 [0008, 0047]
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016106117.4A DE102016106117A1 (en) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | Capacitive pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016106117.4A DE102016106117A1 (en) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | Capacitive pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016106117A1 true DE102016106117A1 (en) | 2017-10-05 |
Family
ID=59885340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016106117.4A Withdrawn DE102016106117A1 (en) | 2016-04-04 | 2016-04-04 | Capacitive pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102016106117A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019154594A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Differential pressure sensor |
DE102018211330A1 (en) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19927358A1 (en) * | 1999-06-16 | 2000-12-21 | Heinrich Acker | Capacitor sensor with an integrated circuit and electrodes manufactured as a monolithic semiconductor unit for use in measuring position, angle, acceleration, angle, etc. can be economically mass produced and customized in final steps |
DE10393943B3 (en) | 2002-12-19 | 2012-06-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differential Pressure Sensor |
DE102014115802A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Capacitive pressure sensor and method for its manufacture |
DE102014115803A1 (en) | 2014-10-30 | 2016-05-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS sensor, in particular differential pressure sensor |
DE102015103485A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS sensor, esp. Pressure sensor |
-
2016
- 2016-04-04 DE DE102016106117.4A patent/DE102016106117A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19927358A1 (en) * | 1999-06-16 | 2000-12-21 | Heinrich Acker | Capacitor sensor with an integrated circuit and electrodes manufactured as a monolithic semiconductor unit for use in measuring position, angle, acceleration, angle, etc. can be economically mass produced and customized in final steps |
DE10393943B3 (en) | 2002-12-19 | 2012-06-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differential Pressure Sensor |
DE102014115802A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Capacitive pressure sensor and method for its manufacture |
DE102014115803A1 (en) | 2014-10-30 | 2016-05-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS sensor, in particular differential pressure sensor |
DE102015103485A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS sensor, esp. Pressure sensor |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019154594A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Differential pressure sensor |
DE102018211330A1 (en) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method |
US11788912B2 (en) | 2018-07-10 | 2023-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical pressure sensor device including a diaphragm system and corresponding manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012206854B4 (en) | Hybrid integrated component and process for its manufacture | |
DE102014115802A1 (en) | Capacitive pressure sensor and method for its manufacture | |
EP3158305B1 (en) | Capacitive differential pressure sensor and method for the production thereof | |
DE102014200500A1 (en) | Micromechanical pressure sensor device and corresponding manufacturing method | |
DE19537814A1 (en) | Sensor, esp. acceleration sensor | |
DE3505926A1 (en) | CAPACITIVE PRESSURE GAUGE FOR ABSOLUTE PRESSURE | |
EP3374744B1 (en) | Capacitive pressure sensor and method for the production thereof | |
EP0628160B1 (en) | Procedure for batch production of pressure difference sensors | |
DE102016219807A1 (en) | Micromechanical sensor | |
DE10313738A1 (en) | Capacitive micro-mechanical sensor for detecting pressure, has separately processed components with semiconductor material, electrodes and a steel membrane | |
DE102016106117A1 (en) | Capacitive pressure sensor | |
DE102009000403A1 (en) | Micro-mechanical capacitive pressure sensor and method for producing a micromechanical capacitive pressure sensor | |
DE102016111303A1 (en) | MEMS pressure sensor | |
DE102014217152A1 (en) | MEMS component | |
DE102014115803A1 (en) | MEMS sensor, in particular differential pressure sensor | |
DE102017109971A1 (en) | pressure sensor | |
DE102017206777B4 (en) | MEMS microphone and manufacturing process | |
EP1475623B1 (en) | Pressure measuring device with feedthrough connection and procedure for making the connection | |
DE102014118850A1 (en) | Pressure sensor for measuring a differential pressure and a system pressure | |
DE102018211280A1 (en) | MEMS sensor and method for manufacturing a MEMS sensor | |
DE102018102918A1 (en) | Differential Pressure Sensor | |
DE102009045158A1 (en) | Sensor arrangement and method for producing a sensor arrangement | |
DE102016112352A1 (en) | Differential pressure sensor for determining a pressure measuring signal | |
DE102012219616B4 (en) | Micromechanical component with bond connection | |
DE102015120074A1 (en) | Capacitive differential pressure sensor and method for its production |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ENDRESS+HAUSER SE+CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: ENDRESS + HAUSER GMBH + CO. KG, 79689 MAULBURG, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HAHN, CHRISTIAN, DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT., DE Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DIPL.-PHYS., DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DIPL.-PHYS., DE |
|
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |