DE102016101726A1 - Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte, mit Leistungshalbleiterschaltern, mit elektrisch leitenden Federelementen, mit einem eine Ausnehmung aufweisenden Gehäuse und mit im Gehäuse angeordneten Kontaktbereichen, wobei in der Ausnehmung ein an dem Gehäuse befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung an seiner von einer Gehäuseaußenseite des Gehäuses zugänglichen Außenseite elektrisch leitende Kontaktelemente aufweist, wobei die Federelemente gegen die Kontaktbereiche drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen ausbildet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer diesbezüglichen Leistungshalbleitereinrichtung. Die Erfindung schafft eine rationell herstellbare zuverlässige Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung.The invention relates to a power semiconductor device having a base plate, with power semiconductor switches, with electrically conductive spring elements, with a housing having a recess and arranged in the housing contact areas, wherein in the recess a fixed to the housing designed as a plug or socket connector part is arranged, the electrical connection of the power semiconductor device has at its accessible from a housing outside of the housing outside electrically conductive contact elements, wherein the spring elements press against the contact areas, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements and the contact areas is formed. Furthermore, the invention relates to a method for producing a related power semiconductor device. The invention provides a rationally producible reliable power semiconductor device and a method for the production thereof.

Description

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung. The invention relates to a power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device.

Aus der DE 10 2011 076 324 A1 ist eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte, mit Leistungshalbleiterschaltern und mit einem am Gehäuse der Leistungshalbleitereinrichtung, zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung, befestigten Stecker. Zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung wird techniküblich das Gehäuse in Richtung auf die Grundplatte zu bewegt. Bei diesem Herstellungsschritt muss auch der Stecker über eine Kabelverbindung mit an der Grundplatte direkt oder indirekt befestigten elektrischen Schaltungen elektrisch leitend verbunden werden, was fehleranfällig und zeitaufwendig ist und somit einer rationellen Herstellung einer zuverlässigen Leistungshalbleitereinrichtung entgegensteht. From the DE 10 2011 076 324 A1 is a power semiconductor device with a base plate, with power semiconductor switches and with a housing attached to the power semiconductor device, for electrical connection of the power semiconductor device, mounted plug. For the production of the power semiconductor device, the housing is moved in the direction of the base plate, as is usual in the art. In this production step, the plug must also be electrically conductively connected via a cable connection to the base plate directly or indirectly fixed electrical circuits, which is prone to error and time consuming and thus precludes a rational production of a reliable power semiconductor device.

Es ist Aufgabe der Erfindung eine rationell herstellbare zuverlässige Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung zu schaffen. It is an object of the invention to provide a rationally producible reliable power semiconductor device and a method for their production.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte, mit Leistungshalbleiterschaltern, mit einem eine Ausnehmung aufweisenden Gehäuse und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse angeordneten, an der Grundplatte direkt oder indirekt befestigten, elektrisch leitende Kontaktbereiche aufweisenden ersten Leiterplatte, wobei in der Ausnehmung ein an dem Gehäuse befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung an seiner von einer Gehäuseaußenseite des Gehäuses zugänglichen Außenseite elektrisch leitende Kontaktelemente aufweist und an seiner, seiner Außenseite abgewandten Innenseite, im Inneren des Gehäuses angeordnete, mit den Kontaktelementen elektrisch leitend verbundene Federelemente aufweist, wobei die Federelemente und die erste Leiterplatte derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente gegen die Kontaktbereiche der ersten Leiterplatte drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen der ersten Leiterplatte ausbildet ist. This object is achieved by a power semiconductor device having a base plate, having power semiconductor switches, having a recess having a housing and electrically conductively connected to the power semiconductor switches, arranged in the housing, on the base plate directly or indirectly fixed, electrically conductive contact areas having first circuit board, said in the recess a fixed to the housing designed as a plug or socket connector part is arranged, which has electrically accessible contact elements for electrical connection of the power semiconductor device on its outside accessible from a housing outside of the housing electrically conductive contact elements and arranged on its, the outside facing away from inside, inside the housing , having the contact elements electrically conductively connected spring elements, wherein the spring elements and the first circuit board are arranged to each other such that the Fe press the elements against the contact areas of the first circuit board, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements and the contact areas of the first circuit board is formed.

Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte, mit Leistungshalbleiterschaltern, mit einem eine Ausnehmung aufweisenden Gehäuse und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse angeordneten, an der Grundplatte direkt oder indirekt befestigten, elektrisch leitende Kontaktbereiche aufweisenden ersten Leiterplatte, wobei in der Ausnehmung ein an dem Gehäuse befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung an seiner von einer Gehäuseaußenseite des Gehäuses zugänglichen Außenseite elektrisch leitende Kontaktelemente aufweist, die elektrisch leitend mit einer direkt oder indirekt am Gehäuse befestigten, im Inneren des Gehäuses angeordneten zweiten Leiterplatte verbunden ist, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung elektrisch leitendende, mit der zweiten Leiterplatte stoffschlüssig verbundene Federelemente aufweist, die elektrisch leitend mit den Kontaktelementen verbunden sind, wobei die Federelemente und die erste Leiterplatte derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente gegen die Kontaktbereiche der ersten Leiterplatte drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen der ersten Leiterplatte ausbildet ist. Furthermore, this object is achieved by a power semiconductor device having a base plate, with power semiconductor switches, with a recess having a housing and electrically conductively connected to the power semiconductor switches, arranged in the housing, on the base plate directly or indirectly fixed, electrically conductive contact areas having first circuit board, wherein in the recess a fixed to the housing as plug or socket formed plug connection part is arranged, which has electrically conductive contact elements for electrically connecting the power semiconductor device at its accessible from a housing outside of the housing outside electrically conductive contact elements which are directly or indirectly attached to the housing, in the interior of the housing arranged second printed circuit board is connected, wherein the power semiconductor device electrically conductive, with the second printed circuit board material key ig has connected spring elements which are electrically conductively connected to the contact elements, wherein the spring elements and the first circuit board are arranged to each other such that the spring elements press against the contact areas of the first circuit board, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements and the contact areas of the first PCB is formed.

Weiterhin wird diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, wobei zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung das Gehäuse in Richtung auf die Grundplatte zu bewegt wird, wobei dabei die Federelemente gegen die Kontaktbereiche der ersten Leiterplatte gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen der ersten Leiterplatte ausgebildet wird. Furthermore, this object is achieved by a method for producing a power semiconductor device according to the invention, wherein the housing is moved in the direction of the base plate for producing the power semiconductor device, wherein the spring elements are pressed against the contact areas of the first circuit board, whereby an electrically conductive Pressure contact between the spring elements and the contact areas of the first circuit board is formed.

Weiterhin wird diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte, mit Leistungshalbleiterschaltern, mit einem eine Ausnehmung aufweisenden Gehäuse, und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse angeordneten, an der Grundplatte direkt oder indirekt befestigten ersten Leiterplatte, wobei in der Ausnehmung ein an dem Gehäuse befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung an seiner von einer Gehäuseaußenseite des Gehäuses zugänglichen Außenseite elektrisch leitende Kontaktelemente aufweist, die elektrisch leitend mit einer direkt oder indirekt am Gehäuse befestigten, im Inneren des Gehäuses angeordneten, elektrisch leitende Kontaktbereiche aufweisenden, zweiten Leiterplatte verbunden ist, wobei die Kontaktbereiche der zweiten Leiterplatte mit den Kontaktelementen elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung elektrisch leitendende, mit der ersten Leiterplatte stoffschlüssig verbundene Federelemente aufweist, wobei die Federelemente und die zweite Leiterplatte derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente gegen die Kontaktbereiche der zweiten Leiterplatte drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen der zweiten Leiterplatte ausbildet ist. Furthermore, this object is achieved by a power semiconductor device having a base plate, with power semiconductor switches, with a recess having a housing, and arranged with a power semiconductor switches electrically connected, arranged in the housing, directly or indirectly attached to the base plate first circuit board, wherein in the Recess a fixed to the housing designed as a plug or socket connector part is arranged, which has electrically conductive contact elements for electrically connecting the power semiconductor device on its accessible from a housing outside of the housing outside electrically conductive contact elements with a directly or indirectly attached to the housing, inside the Housing arranged, electrically conductive contact areas having, second circuit board is connected, wherein the contact areas of the second circuit board with the contact elements electrically conductively verbun are, wherein the power semiconductor device comprises electrically conductive, cohesively connected to the first circuit board spring elements, wherein the spring elements and the second circuit board are arranged such that the spring elements press against the contact areas of the second circuit board, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements and the contact areas of the second circuit board is formed.

Weiterhin wird diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, wobei zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung das Gehäuse in Richtung auf die Grundplatte zu bewegt wird, wobei dabei die Federelemente gegen die Kontaktbereiche der zweiten Leiterplatte gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen und den Kontaktbereichen der zweiten Leiterplatte ausgebildet wird. Furthermore, this object is achieved by a method for producing a power semiconductor device according to the invention, wherein the housing is moved in the direction of the base plate for producing the power semiconductor device, wherein the spring elements are pressed against the contact areas of the second printed circuit board, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements and the contact regions of the second circuit board is formed.

Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen der Leistungshalbleitereinrichtung und umgekehrt. Advantageous embodiments of the method result analogously to advantageous embodiments of the power semiconductor device and vice versa.

Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Advantageous embodiments of the invention will become apparent from the dependent claims.

Es erweist sich als vorteilhaft, wenn die zweite Leiterplatte indirekt am Gehäuse befestigt ist, indem die zweite Leiterplatte mit dem Steckverbindungsteil verbunden ist. Hierdurch ist konstruktiv auf einfache Art und Weise die zweite Leiterplatte mit dem Gehäuse verbunden. It proves to be advantageous if the second circuit board is indirectly attached to the housing by the second circuit board is connected to the connector part. As a result, the second circuit board is structurally connected to the housing in a simple manner.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Federelemente in Richtung senkrecht zur Normalenrichtung der zweiten Leiterplatte seitlich versetzt zu den Kontaktelementen angeordnet sind. Hierdurch werden größere Freiheitsgrade hinsichtlich der räumlichen Anordnung der Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung ermöglicht. Furthermore, it proves to be advantageous if the spring elements are arranged laterally offset in the direction perpendicular to the normal direction of the second circuit board to the contact elements. This allows greater degrees of freedom with respect to the spatial arrangement of the elements of the power semiconductor device.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Kontaktbereiche der ersten Leiterplatte, insbesondere in Normalenrichtung der Grundplatte, eine längliche Form aufweisen. Hierdurch werden die zulässigen Bauteile und- Montagetoleranzen in der Richtung in der sich die längliche Form der Kontaktbereiche erstreckt, erhöht. Furthermore, it proves to be advantageous if the contact regions of the first printed circuit board, in particular in the normal direction of the base plate, have an elongated shape. This increases the allowable components and assembly tolerances in the direction in which the elongate shape of the contact regions extends.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn auf der ersten Leiterplatte Ansteuerschaltungen zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterschalter angeordnet sind, da dann die Ansteuerschaltungen zuverlässig elektrisch leitend verbunden sind bzw. bei der Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung schnell mit dem Steckverbindungsteil elektrisch leitend verbindbar sind. Furthermore, it proves to be advantageous if drive circuits for controlling the power semiconductor switches are arranged on the first circuit board, since then the drive circuits are reliably electrically conductively connected or can be electrically conductively connected to the plug connection part in the production of the power semiconductor device.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn zwischen dem Steckverbindungsteil und dem Gehäuse eine Dichtung angeordnet ist. Hierdurch wird das Eindringen von Schmutz in das Gehäuse über einen eventuell zwischen der Ausnehmung und dem Steckverbindungsteil vorhandenen Spalt verhindert. Furthermore, it proves to be advantageous if a seal is arranged between the connector part and the housing. As a result, the ingress of dirt into the housing is prevented by any existing between the recess and the connector part gap.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Kontaktbereiche der zweiten Leiterplatte in Richtung senkrecht zur Normalenrichtung der zweiten Leiterplatte seitlich versetzt zu den Kontaktelementen angeordnet sind. Hierdurch werden größere Freiheitsgrade hinsichtlich der räumlichen Anordnung der Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung ermöglicht. Furthermore, it proves to be advantageous if the contact regions of the second printed circuit board in the direction perpendicular to the normal direction of the second printed circuit board are arranged laterally offset from the contact elements. This allows greater degrees of freedom with respect to the spatial arrangement of the elements of the power semiconductor device.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Kontaktbereiche der zweiten Leiterplatte, insbesondere in Normalenrichtung der Grundplatte, eine längliche Form aufweisen. Hierdurch werden die zulässigen Bauteile und- Montagetoleranzen in der Richtung in der sich die längliche Form der Kontaktbereiche erstreckt, erhöht. Furthermore, it proves to be advantageous if the contact regions of the second printed circuit board, in particular in the normal direction of the base plate, have an elongated shape. This increases the allowable components and assembly tolerances in the direction in which the elongate shape of the contact regions extends.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die unten stehenden Figuren erläutert. Dabei zeigen: Embodiments of the invention will be explained below with reference to the figures below. Showing:

1 eine erste Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, 1 A first embodiment of a power semiconductor device according to the invention,

2 eine Detailansicht von 1, 2 a detailed view of 1 .

3 eine Seitenansicht von 2, 3 a side view of 2 .

4 ein in der ersten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung verwendetes Steckverbindungsteil, 4 a connector used in the first embodiment of the power semiconductor device according to the invention,

5 eine zweite Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, 5 a second embodiment of a power semiconductor device according to the invention,

6 eine Detailansicht von 5, 6 a detailed view of 5 .

7 eine Seitenansicht von 6, 7 a side view of 6 .

8 ein Steckverbindungsteil, Federelemente und eine erste und eine zweite Leiterplatte gemäß der zweiten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, 8th a plug connection part, spring elements and a first and a second printed circuit board according to the second embodiment of the power semiconductor device according to the invention,

9 eine Seitenansicht von 8 und mit der ersten Leiterplatte elektrisch leitend verbundene Leistungshalbleiterschalter und 9 a side view of 8th and electrically connected to the first circuit board power semiconductor switches and

10 ein Steckverbindungsteil, Federelemente und eine erste und eine zweite Leiterplatte gemäß einer Variante der zweiten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung. 10 a plug connection part, spring elements and a first and a second circuit board according to a variant of the second embodiment of the power semiconductor device according to the invention.

Gleiche Elemente sind in Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Identical elements are provided with the same reference numerals in figures.

In den 1 bis 4 ist eine erste Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 und Detailansichten von Komponenten der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 dargestellt. In the 1 to 4 is a first embodiment of a power semiconductor device according to the invention 1 and detailed views of Components of the power semiconductor device according to the invention 1 shown.

Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist eine Grundplatte 2, Leistungshalbleiterschalter 22 (siehe 9), elektrisch leitende Federelemente 10 und ein eine Ausnehmung 3 aufweisendes Gehäuse 8 auf. Die Leistungshalbleiterschalter 22 liegen im Allgemeinen in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) oder in Form von Thyristoren vor. Die Leistungshalbleiterschalter 22 sind vom Gehäuse 8 abgedeckt. Die Leistungshalbleiterschalter 22 sind vorzugsweise auf einem Substrat 21, dass z.B. wie beim Ausführungsbeispiel in Form eines DCB-Substrats (Direct Copper Bonded) oder z.B. in Form eines Insulated Metal Substrats vorliegen kann, angeordnet und mit den Leiterbahnen des Substrats direkt und z.B. über in 9 nicht dargestellte Bonddrahtverbindungen oder Folienverbundverbindungen verbunden. Das Substrat 21 ist vorzugsweise auf der Grundplatte 2 angeordnet. Das Gehäuse 8 ist vorzugsweise becherförmig ausgebildet. Das Gehäuse 8 besteht vorzugsweise aus einem Kunststoff und kann einstückig oder mehrstückig ausgebildet sein. Das Gehäuse 8 ist auf der Grundplatte 2 angeordnet, wobei vorzugsweise zwischen Gehäuse 8 auf der Grundplatte 2 eine Dichtung angeordnet ist. Das Gehäuse 8 ist vorzugsweise mittels Schraubverbindungen (in den Figuren nicht dargestellt) mit der Grundplatte 2 verbunden. Die Grundplatte 2 ist vorzugsweise auf einer Kühlkörpergrundplatte 14 eines Kühlköpers 13 angeordnet. Von der Kühlkörpergrundplatte 14 aus, erstrecken sich vorzugsweise Kühlfinnen 15 oder Kühlpins des Kühlköpers 13. Es sei angemerkt, dass die Grundplatte 2 auch als Kühlkörpergrundplatte eines Kühlköpers ausgebildet sein kann und solchermaßen das Gehäuse 8 auch auf der Kühlkörpergrundplatte eines Kühlköpers angeordnet sein kann. Der Kühlkörper kann als Luftkühlkörper oder als Flüssigkeitskühlkörper, insbesondere als Wasserkühlkörper ausgebildet sein. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist die Grundplatte 2 mit der Kühlkörpergrundplatte 14 des Kühlköpers 13 vorzugsweise mittels Schraubverbindungen (in den Figuren nicht dargestellt) verbunden. The power semiconductor device 1 has a base plate 2 , Power semiconductor switch 22 (please refer 9 ), electrically conductive spring elements 10 and a recess 3 having housing 8th on. The power semiconductor switches 22 are generally in the form of transistors, such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) or MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) or in the form of thyristors. The power semiconductor switches 22 are from the housing 8th covered. The power semiconductor switches 22 are preferably on a substrate 21 in that, for example, as in the exemplary embodiment, in the form of a DCB substrate (direct copper bonded) or, for example, in the form of an insulated metal substrate, can be arranged and connected directly to the printed conductors of the substrate and, for example, via 9 Not shown bonding wire connections or composite film connections connected. The substrate 21 is preferably on the base plate 2 arranged. The housing 8th is preferably cup-shaped. The housing 8th preferably consists of a plastic and may be formed in one piece or several pieces. The housing 8th is on the base plate 2 arranged, preferably between housing 8th on the base plate 2 a seal is arranged. The housing 8th is preferably by means of screw (not shown in the figures) with the base plate 2 connected. The base plate 2 is preferably on a heat sink base plate 14 a cooling body 13 arranged. From the heat sink base plate 14 preferably, cooling fins extend 15 or cooling pins of the cooling body 13 , It should be noted that the base plate 2 may also be formed as a heat sink base plate of a Kühlköpers and thus the housing 8th can also be arranged on the heat sink base plate of a cooling body. The cooling body can be designed as an air cooling body or as a liquid cooling body, in particular as a water cooling body. In the context of the embodiment, the base plate 2 with the heat sink base plate 14 of the cooling body 13 preferably by means of screw connections (not shown in the figures) connected.

Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist weiterhin eine mit den Leistungshalbleiterschaltern 22 elektrisch leitend verbundene, im Gehäuse 8 angeordnete, an der Grundplatte 2 direkt oder indirekt befestigte, elektrisch leitende Kontaktbereiche 5 aufweisende erste Leiterplatte 4 auf. Die erste Leiterplatte 4 ist über z.B. als Federelemente ausgebildete elektrisch leitende Verbindungelemente 20 mit dem Substrat 21 und infolge mit den Leistungshalbleiterschaltern 22 elektrisch leitend verbunden Die erste Leiterplatte 4 weist mindestens eine, an einer elektrisch nicht leitenden Schicht, die z.B. aus einem faserverstärkten Kunststoff besteht, angeordnete strukturierte elektrisch leitende Schicht auf, die infolge ihrer Struktur die Kontaktbereiche 5 ausbildet. Auf der ersten Leiterplatte sind vorzugsweise Ansteuerschaltungen 19 (siehe 9) zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterschalter 22 angeordnet. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels weist die erste Leiterplatte 4 eine der Ausnehmung 3 zugewandte strukturierte elektrisch leitende erste Schicht und eine der Ausnehmung 3 abgewandte strukturierte elektrisch leitende zweite Schicht auf, wobei zwischen der ersten und zweiten Schicht eine elektrisch nicht leitenden Schicht angeordnet ist. Die erste Schicht bildet infolge ihrer Struktur die Kontaktbereiche 5 aus. Die erste Schicht ist über Durchkontaktierungen mit der zweiten Schicht elektrisch leitend verbunden. Die erste Leiterplatte 4 kann direkt an der Grundplatte 3 befestigt sein oder indirekt, d.h. über eine oder mehrere mechanisch zwischen der ersten Leiterplatte 4 und der Grundplatte 3 geschaltete Elemente an der Grundplatte 3 befestigt sein. Die erste Leiterplatte 4 ist nicht an dem Gehäuse 8 befestigt. Das Gehäuse 8 kann somit von der Grundplatte 3 abgenommen werden, wobei die erste Leiterplatte 4 an der Grundplatte 3 befestigt verbleibt. The power semiconductor device 1 also has one with the power semiconductor switches 22 electrically conductive, in the housing 8th arranged on the base plate 2 directly or indirectly fixed, electrically conductive contact areas 5 having first printed circuit board 4 on. The first circuit board 4 is about trained as spring elements electrically conductive connection elements 20 with the substrate 21 and due to the power semiconductor switches 22 electrically connected The first circuit board 4 has at least one, on an electrically non-conductive layer, which consists for example of a fiber-reinforced plastic, arranged structured electrically conductive layer, due to their structure, the contact areas 5 formed. On the first circuit board are preferably driving circuits 19 (please refer 9 ) for driving the power semiconductor switch 22 arranged. In the context of the embodiment, the first circuit board 4 one of the recess 3 facing structured electrically conductive first layer and one of the recess 3 remote structured electrically conductive second layer, wherein between the first and second layer, an electrically non-conductive layer is arranged. Due to their structure, the first layer forms the contact areas 5 out. The first layer is electrically conductively connected via plated-through holes to the second layer. The first circuit board 4 can be directly on the base plate 3 be attached or indirectly, ie one or more mechanically between the first circuit board 4 and the base plate 3 switched elements on the base plate 3 be attached. The first circuit board 4 is not on the case 8th attached. The housing 8th can thus from the base plate 3 be removed, with the first circuit board 4 at the base plate 3 remains attached.

Es sei allgemein angemerkt, dass die der Übersichtlichkeit halber die nur in 9 beispielhaft dargestellte Anordnung, bestehend aus Substrat 21, den Leistungshalbleiterschalter 22 und die mit der ersten Leiterplatte und dem Substrat 21 verbunden Verbindungselemente 20 vorzugsweise bei allen Ausführungsbeispielen vorhanden ist. It should be noted in general that the sake of clarity, the only in 9 exemplified arrangement consisting of substrate 21 , the power semiconductor switch 22 and those with the first circuit board and the substrate 21 connected fasteners 20 is preferably present in all embodiments.

In der Ausnehmung 3 ist ein an dem Gehäuse 8 befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil 6 angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 mit einer externen Komponente, wie z.B. einer Steuereinrichtung, an seiner von einer Gehäuseaußenseite 16 des Gehäuses 8 zugänglichen Außenseite 7 elektrisch leitende Kontaktelemente 9 aufweist und an seiner, seiner Außenseite 7 abgewandten Innenseite 11, im Inneren des Gehäuses 8 angeordnete, mit den Kontaktelementen 9 elektrisch leitend verbundene Federelemente 10 aufweist. Der Stecker liegt in Form eines Einbausteckers vor. Die Federelemente 10 können mit den Kontaktelementen 9 einstückig ausgebildet sein. Die Federelemente 10 und die erste Leiterplatte 4 sind derart zueinander angeordnet, dass die Federelemente 10 gegen die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen 10 und den Kontaktbereichen 5 der ersten Leiterplatte 4 ausbildet ist. Die den Kontaktbereichen 5 zugewandten Enden der Federelemente 10 werden mit den von den Federelementen 10 erzeugten Federkräften gegen die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 gedrückt. In the recess 3 is one on the case 8th attached as a plug or socket formed connector part 6 which is arranged for the electrical connection of the power semiconductor device 1 with an external component, such as a control device, at its from a housing outside 16 of the housing 8th accessible outside 7 electrically conductive contact elements 9 and at its, its outside 7 facing away from inside 11 , inside the case 8th arranged, with the contact elements 9 electrically conductive spring elements 10 having. The plug is in the form of a built-in connector. The spring elements 10 can with the contact elements 9 be formed integrally. The spring elements 10 and the first circuit board 4 are arranged to each other such that the spring elements 10 against the contact areas 5 the first circuit board 4 Press, creating an electrically conductive pressure contact between the spring elements 10 and the contact areas 5 the first circuit board 4 is formed. The contact areas 5 facing ends of the spring elements 10 be with those of the spring elements 10 generated spring forces against the contact areas 5 the first circuit board 4 pressed.

Zwischen dem Steckverbindungsteil 6 und dem Gehäuse 8 kann (nur in 4 dargestellt) eine Dichtung 23 angeordnet sein, die das Steckverbindungsteil 6 gegen das Gehäuse 8 abdichtet. Between the connector part 6 and the housing 8th can (only in 4 represented) a seal 23 be arranged, which is the connector part 6 against the case 8th seals.

Zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 wird das Gehäuse 8 (und damit auch das Steckverbindungsteil 6) in Richtung Z, die vorzugsweise der Normalenrichtung N der Grundplatte 2 entspricht, auf die Grundplatte 2 zu bewegt, wobei dabei die Federelemente 10 gegen die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen 10 und den Kontaktbereichen 5 der ersten Leiterplatte 4 ausgebildet wird. Anschließend wird das Gehäuse 8, z.B. mittels Schraubverbindungen, mit der Grundplatte 2 verbunden. For the production of the power semiconductor device 1 becomes the case 8th (and thus also the connector part 6 ) in the direction Z, preferably the normal direction N of the base plate 2 corresponds to the base plate 2 to move, while the spring elements 10 against the contact areas 5 the first circuit board 4 are pressed, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements 10 and the contact areas 5 the first circuit board 4 is trained. Subsequently, the housing 8th , eg by means of screw connections, with the base plate 2 connected.

Durch die Druckkontaktierung mittels der Federelemente 10 können Bauteile- und Montagetoleranzen, insbesondere in Normalenrichtung N der Grundplatte 2 und in Druckrichtung X der Federelemente 10, zwischen der vormontierten Einheit von Gehäuse 8 und Steckverbindungsteil 6 und der vormontierten Einheit von Grundplatte 2 und der ersten Leiterplatte 4 ausgeglichen werden. Es muss somit zur Herstellung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1, wenn das Gehäuse 8 in Richtung Z auf die Grundplatte 2 zu bewegt wird, nicht mehr wie techniküblich bei diesem Herstellungsschritt der Leistungshalbleitereinrichtung 1 das am Gehäuse 8 befestigte Steckverbindungsteil 6 über eine Kabelverbindung mit der ersten Leiterplatte 4 elektrisch leitend verbunden werden, was handwerkliches Geschick erfordert und somit fehleranfällig und relativ zeitaufwändig ist, sondern die elektrisch leitende Verbindung zwischen Steckverbindungsteil 6 und ersten Leiterplatte 4 wird, wenn das Gehäuse 8 in Richtung Z auf die Grundplatte 2 zu bewegt wird, automatisch hergestellt bzw. realisiert, so dass die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1 mit hoher Zuverlässigkeit schnell und einfach und somit rationell hergestellt werden kann. By the pressure contact by means of the spring elements 10 can component and mounting tolerances, especially in the normal direction N of the base plate 2 and in the printing direction X of the spring elements 10 , between the preassembled unit of housing 8th and connector part 6 and the preassembled unit of base plate 2 and the first circuit board 4 be compensated. It therefore has to be used to produce the power semiconductor device according to the invention 1 if the case 8th in direction Z on the base plate 2 is moved to, no longer as is usual in this manufacturing step of the power semiconductor device 1 that on the case 8th fastened connector part 6 via a cable connection to the first circuit board 4 be electrically connected, which requires manual skill and thus prone to error and is relatively time consuming, but the electrically conductive connection between connector part 6 and first circuit board 4 will if the case 8th in direction Z on the base plate 2 is moved to automatically produced or realized, so that the power semiconductor device according to the invention 1 can be produced with high reliability quickly and easily and thus efficiently.

Die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 weisen, insbesondere in Normalenrichtung N der Grundplatte 2, eine längliche Form auf. Hierdurch werden die zulässigen Bauteile- und Montagetoleranzen in der Richtung in der sich die längliche Form der Kontaktbereiche 5 erstreckt, d.h. beim Ausfügungsbeispiel in Normalenrichtung N der Grundplatte 2, erhöht. The contact areas 5 the first circuit board 4 have, in particular in the normal direction N of the base plate 2 , an oblong shape. As a result, the allowable component and assembly tolerances in the direction in which the elongated shape of the contact areas 5 extends, ie in the exemplary embodiment in the normal direction N of the base plate 2 , elevated.

In den 5 bis 8 ist eine zweite Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ und Detailansichten von Komponenten der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ dargestellt. Die Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ stimmt dabei einschließlich vorteilhafter Ausbildungen und ihres Herstellungsverfahrens mit der Leistungshalbleitereinrichtung 1 bis auf das bei der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ Vorhandenseins einer direkt oder indirekt am Gehäuse 8 befestigten, im Inneren des Gehäuses 8 angeordneten zweiten Leiterplatte 17 überein, so dass um Wiederholungen zu vermeiden, hinsichtlich einer Beschreibung der konstruktiven Ausführung und der Funktionsweise der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘, auf die entsprechende Beschreibung zu der Leistungshalbleitereinrichtung 1 verwiesen wird und in nachfolgender Beschreibung im Wesentlichen nur die Unterschiede von Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ zur Leistungshalbleitereinrichtung 1 beschrieben werden. In the 5 to 8th is a second embodiment of a power semiconductor device according to the invention 1' and detailed views of components of the power semiconductor device according to the invention 1' shown. The power semiconductor device 1' agrees with including advantageous embodiments and their manufacturing process with the power semiconductor device 1 except for that in the power semiconductor device 1' Presence of a directly or indirectly on the housing 8th fastened, inside the case 8th arranged second circuit board 17 match, so as to avoid repetition, with respect to a description of the structural design and operation of the power semiconductor device 1' , to the corresponding description of the power semiconductor device 1 is referred to and in the following description essentially only the differences of power semiconductor device 1' to the power semiconductor device 1 to be discribed.

Die zweite Leiterplatte 17 ist vorzugsweise in analoger Weise wie die erste Leiterplatte 4 ausgebildet. Die zweite Leiterplatte 17 ist vorzugsweise indirekt am Gehäuse 8 befestigt, indem die zweite Leiterplatte 17 mit dem Steckverbindungsteil 6 verbunden ist. Das Steckverbindungsteil 8 weist vorzugsweise an seiner, seiner Außenseite 3 abgewandten Innenseite 7, aus seiner Innenseite 7 herausragende elektrisch leitende, im Inneren des Gehäuses 8 angeordnete, mit den elektrisch leitenden Federelementen 10 über Leiterbahnen der zweiten Leiterplatte 17 elektrisch leitend verbundene elektrisch leitende Kontaktpins 18 auf. Die Kontaktpins 18 sind vorzugsweise stoffschlüssig, z.B. mittels einer Lötverbindung mit der zweiten Leiterplatte 17 verbunden. Die Kontaktpins 18 sind elektrisch leitend mit den Kontaktelementen 9 verbunden. Die Kontaktpins 18 sind vorzugsweise mit den Kontaktelementen 9 einstückig ausgebildet. The second circuit board 17 is preferably in an analogous manner as the first circuit board 4 educated. The second circuit board 17 is preferably indirectly on the housing 8th fastened by the second circuit board 17 with the connector part 6 connected is. The connector part 8th preferably at its, its outside 3 facing away from inside 7 , from his inside 7 outstanding electrically conductive, inside the case 8th arranged, with the electrically conductive spring elements 10 via conductor tracks of the second printed circuit board 17 electrically conductive electrically conductive contact pins 18 on. The contact pins 18 are preferably cohesively, for example by means of a solder connection to the second circuit board 17 connected. The contact pins 18 are electrically conductive with the contact elements 9 connected. The contact pins 18 are preferably with the contact elements 9 integrally formed.

Die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ weist elektrisch leitende, mit der zweiten Leiterplatte 17 stoffschlüssig, mittels z.B. einer Löt-, Sinter- oder Schweißverbindung, verbundene Federelemente 10 auf, die z.B. wie oben beschrieben elektrisch leitend mit den Kontaktelementen 9 verbunden sind. The power semiconductor device according to the invention 1' has electrically conductive, with the second circuit board 17 cohesively, by means of, for example, a soldering, sintering or welding connection, connected spring elements 10 on, for example, as described above electrically conductive with the contact elements 9 are connected.

Die Federelemente 10 und die erste Leiterplatte 4 sind derart zueinander angeordnet, dass die Federelemente 10 gegen die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen 10 und den Kontaktbereichen 5 der ersten Leiterplatte 4 ausbildet ist. Die den Kontaktbereichen 5 zugewandten Enden der Federelemente 10 werden mit den von den Federelementen 10 erzeugten Federkräften gegen die Kontaktbereiche 5 der ersten Leiterplatte 4 gedrückt. The spring elements 10 and the first circuit board 4 are arranged to each other such that the spring elements 10 against the contact areas 5 the first circuit board 4 Press, creating an electrically conductive pressure contact between the spring elements 10 and the contact areas 5 the first circuit board 4 is formed. The contact areas 5 facing ends of the spring elements 10 be with those of the spring elements 10 generated spring forces against the contact areas 5 the first circuit board 4 pressed.

Die Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ weist gegenüber der Leistungshalbleitereinrichtung 1 den Vorteil auf, dass als Steckverbindungsteil 6 ein handelsübliches Steckverbindungsteil verwendet werden kann und dass, wie beim Ausführungsbeispiel, die Federelemente 10 in Richtung senkrecht zur Normalenrichtung N‘ der zweiten Leiterplatte 17, mittels der zweiten Leiterplatte 17, auch erheblich seitlich versetzt zu den Kontaktelementen 9 angeordnet sein können, was größere Freiheitsgrade hinsichtlich der räumlichen Anordnung der Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ verglichen mit der Leistungshalbleitereinrichtung 1 ermöglicht. The power semiconductor device 1' points opposite to the power semiconductor device 1 the advantage that as a connector part 6 a commercially available connector part can be used and that, as in the embodiment, the spring elements 10 in the direction perpendicular to Normal direction N 'of the second circuit board 17 , by means of the second circuit board 17 , also significantly laterally offset to the contact elements 9 can be arranged, resulting in greater degrees of freedom with respect to the spatial arrangement of the elements of the power semiconductor device 1' compared with the power semiconductor device 1 allows.

In 10 ist beispielhaft das Steckverbindungsteil 6, die Federelemente 10 und eine erste und eine zweite Leiterplatte 4 und 17 gemäß einer Variante der zweiten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ dargestellt. Die Variante der zweiten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ stimmt dabei einschließlich vorteilhafter Ausbildungen mit der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ bis auf das Merkmal überein, dass bei der Variante der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ nicht die ersten Leiterplatte 4 die Kontaktbereiche 5, sondern die zweite Leiterplatte 17 die Kontaktbereiche 5‘ aufweist und dass die Federelemente 10 nicht stoffschlüssig mit der erste Leiterplatte 4 verbunden sind, sondern stoffschlüssig mit der zweiten Leiterplatte 4 verbunden sind. Bei der Variante der zweiten Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ sind die elektrisch leitenden Kontaktbereiche 5‘ elektrisch leitend mit den Kontaktelementen 9 verbunden, wobei die Realisierung der elektrisch leitenden Verbindung der Kontaktbereiche 5‘ mit den Kontaktelementen 9 vorzugsweise auf die gleiche Weise wie oben bei der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ bezüglich der Realisierung der elektrisch leitenden Verbindung der Federelemente 10 mit den Kontaktelementen 9 beschrieben, realisiert ist. In 10 is an example of the connector part 6 , the spring elements 10 and a first and a second circuit board 4 and 17 according to a variant of the second embodiment of the power semiconductor device according to the invention 1' shown. The variant of the second embodiment of the power semiconductor device according to the invention 1' This is true including advantageous embodiments with the power semiconductor device 1' except for the feature that in the variant of the power semiconductor device 1' not the first circuit board 4 the contact areas 5 but the second circuit board 17 the contact areas 5 ' and that the spring elements 10 not cohesively with the first circuit board 4 are connected, but cohesively with the second circuit board 4 are connected. In the variant of the second embodiment of the power semiconductor device according to the invention 1' are the electrically conductive contact areas 5 ' electrically conductive with the contact elements 9 connected, wherein the realization of the electrically conductive connection of the contact areas 5 ' with the contact elements 9 preferably in the same manner as above in the power semiconductor device 1' with regard to the realization of the electrically conductive connection of the spring elements 10 with the contact elements 9 described, is realized.

Zur Herstellung der Variante der Leistungshalbleitereinrichtung 1‘ wird das Gehäuse 8 in Richtung Z, die vorzugsweise der Normalenrichtung N der Grundplatte 2 entspricht, auf die Grundplatte 2 zu bewegt, wobei dabei die Federelemente 10 gegen die Kontaktbereiche 5‘ der zweiten Leiterplatte 17 gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen 10 und den Kontaktbereichen 5‘ der zweiten Leiterplatte 17 ausgebildet wird. Anschließend wird das Gehäuse 8, z.B. mittels Schraubverbindungen, mit der Grundplatte 2 verbunden. For producing the variant of the power semiconductor device 1' becomes the case 8th in the direction Z, preferably the normal direction N of the base plate 2 corresponds to the base plate 2 to move, while the spring elements 10 against the contact areas 5 ' the second circuit board 17 are pressed, whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements 10 and the contact areas 5 ' the second circuit board 17 is trained. Subsequently, the housing 8th , eg by means of screw connections, with the base plate 2 connected.

Es sei ganz allgemein bezüglich aller Ausführungsbeispiele angemerkt, dass das Steckverbindungsteil 6 bzw. die zweite Leiterplatte 17 und die erste Leiterplatte 4 in jeder belieben Orientierung zueinander angeordnet sein können. In 10 sind z.B. das Steckverbindungsteil 6 bzw. die zweite Leiterplatte 17 und die erste Leiterplatte 4 senkrecht zueinander angeordnet während sie in den anderen Figuren parallel zueinander angeordnet sind. It is quite generally noted with respect to all embodiments that the connector part 6 or the second circuit board 17 and the first circuit board 4 can be arranged in any orientation to each other. In 10 are for example the connector part 6 or the second circuit board 17 and the first circuit board 4 arranged perpendicular to each other while they are arranged parallel to each other in the other figures.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können. It should be noted at this point that, of course, features of different embodiments of the invention, as long as the features are not mutually exclusive, can be combined as desired.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102011076324 A1 [0002] DE 102011076324 A1 [0002]

Claims (15)

Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte (2), mit Leistungshalbleiterschaltern (22), mit einem eine Ausnehmung (3) aufweisenden Gehäuse (8) und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern (22) elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse (8) angeordneten, an der Grundplatte (2) direkt oder indirekt befestigten, elektrisch leitende Kontaktbereiche (5) aufweisenden ersten Leiterplatte (4), wobei in der Ausnehmung (3) ein an dem Gehäuse (8) befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil (6) angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung (1) an seiner von einer Gehäuseaußenseite (16) des Gehäuses (8) zugänglichen Außenseite (7) elektrisch leitende Kontaktelemente (9) aufweist und an seiner, seiner Außenseite (7) abgewandten Innenseite (11), im Inneren des Gehäuses (8) angeordnete, mit den Kontaktelementen (9) elektrisch leitend verbundene Federelemente (10) aufweist, wobei die Federelemente (10) und die erste Leiterplatte (4) derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente (10) gegen die Kontaktbereiche (5) der ersten Leiterplatte (4) drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen (10) und den Kontaktbereichen (5) der ersten Leiterplatte (4) ausbildet ist. Power semiconductor device with a base plate ( 2 ), with power semiconductor switches ( 22 ), with a recess ( 3 ) housing ( 8th ) and one with the power semiconductor switches ( 22 ) electrically conductively connected, in the housing ( 8th ), on the base plate ( 2 ) directly or indirectly fixed, electrically conductive contact areas ( 5 ) having first printed circuit board ( 4 ), wherein in the recess ( 3 ) on the housing ( 8th ) fastened as a plug or socket connector ( 6 ) arranged for the electrical connection of the power semiconductor device ( 1 ) at its from a housing outside ( 16 ) of the housing ( 8th ) accessible outside ( 7 ) electrically conductive contact elements ( 9 ) and at its, its outer side ( 7 ) facing away from the inside ( 11 ), inside the case ( 8th ), with the contact elements ( 9 ) electrically conductive spring elements ( 10 ), wherein the spring elements ( 10 ) and the first circuit board ( 4 ) are arranged to each other such that the spring elements ( 10 ) against the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ), whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements ( 10 ) and the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ) is formed. Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte (2), mit Leistungshalbleiterschaltern (22), mit einem eine Ausnehmung (3) aufweisenden Gehäuse (8) und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern (22) elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse (8) angeordneten, an der Grundplatte (2) direkt oder indirekt befestigten, elektrisch leitende Kontaktbereiche (5) aufweisenden ersten Leiterplatte (4), wobei in der Ausnehmung (3) ein an dem Gehäuse (8) befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil (6) angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung (1‘) an seiner von einer Gehäuseaußenseite (16) des Gehäuses (8) zugänglichen Außenseite (16) elektrisch leitende Kontaktelemente (9) aufweist, die elektrisch leitend mit einer direkt oder indirekt am Gehäuse (8) befestigten, im Inneren des Gehäuses (8) angeordneten zweiten Leiterplatte (17) verbunden ist, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung (1‘) elektrisch leitendende, mit der zweiten Leiterplatte (17) stoffschlüssig verbundene Federelemente (10) aufweist, die elektrisch leitend mit den Kontaktelementen (9) verbunden sind, wobei die Federelemente (10) und die erste Leiterplatte (4) derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente (4) gegen die Kontaktbereiche (5) der ersten Leiterplatte (4) drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen (10) und den Kontaktbereichen (5) der ersten Leiterplatte (4) ausbildet ist. Power semiconductor device with a base plate ( 2 ), with power semiconductor switches ( 22 ), with a recess ( 3 ) housing ( 8th ) and one with the power semiconductor switches ( 22 ) electrically conductively connected, in the housing ( 8th ), on the base plate ( 2 ) directly or indirectly fixed, electrically conductive contact areas ( 5 ) having first printed circuit board ( 4 ), wherein in the recess ( 3 ) on the housing ( 8th ) fastened as a plug or socket connector ( 6 ) arranged for the electrical connection of the power semiconductor device ( 1' ) at its from a housing outside ( 16 ) of the housing ( 8th ) accessible outside ( 16 ) electrically conductive contact elements ( 9 ), which is electrically conductive with a directly or indirectly on the housing ( 8th ), inside the case ( 8th ) arranged second circuit board ( 17 ), wherein the power semiconductor device ( 1' ) electrically conductive, with the second circuit board ( 17 ) cohesively connected spring elements ( 10 ), which are electrically conductive with the contact elements ( 9 ), wherein the spring elements ( 10 ) and the first circuit board ( 4 ) are arranged to each other such that the spring elements ( 4 ) against the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ), whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements ( 10 ) and the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ) is formed. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Leiterplatte (17) indirekt am Gehäuse (8) befestigt ist, indem die zweite Leiterplatte (8) mit dem Steckverbindungsteil (6) verbunden ist. Power semiconductor device according to claim 2, characterized in that the second printed circuit board ( 17 ) indirectly on the housing ( 8th ) is attached by the second circuit board ( 8th ) with the connector part ( 6 ) connected is. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Federelemente (10) in Richtung senkrecht zur Normalenrichtung (N‘) der zweiten Leiterplatte (17) seitlich versetzt zu den Kontaktelementen (9) angeordnet sind. Power semiconductor device according to claim 2 or 3, characterized in that the spring elements ( 10 ) in the direction perpendicular to the normal direction (N ') of the second printed circuit board ( 17 ) laterally offset to the contact elements ( 9 ) are arranged. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktbereiche (5) der ersten Leiterplatte (4), insbesondere in Normalenrichtung (N) der Grundplatte (2), eine längliche Form aufweisen. Power semiconductor device according to one of the preceding claims, characterized in that the contact regions ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ), in particular in the normal direction (N) of the base plate ( 2 ), have an elongated shape. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Leiterplatte (4) Ansteuerschaltungen (19) zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterschalter (22) angeordnet sind. Power semiconductor device according to one of the preceding claims, characterized in that on the first printed circuit board ( 4 ) Drive circuits ( 19 ) for controlling the power semiconductor switches ( 22 ) are arranged. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Steckverbindungsteil (6) und dem Gehäuse (8) eine Dichtung (23) angeordnet ist. Power semiconductor device according to one of the preceding claims, characterized in that between the plug connection part ( 6 ) and the housing ( 8th ) a seal ( 23 ) is arranged. Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung (1, 1‘) nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung (1, 1‘) das Gehäuse (8) in Richtung (Z) auf die Grundplatte (2) zu bewegt wird, wobei dabei die Federelemente (10) gegen die Kontaktbereiche (5) der ersten Leiterplatte (4) gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen (10) und den Kontaktbereichen (5) der ersten Leiterplatte (4) ausgebildet wird. Method for producing a power semiconductor device ( 1 . 1' ) according to one of the preceding claims, characterized in that for the production of the power semiconductor device ( 1 . 1' ) the housing ( 8th ) in the direction (Z) on the base plate ( 2 ) is moved, wherein thereby the spring elements ( 10 ) against the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ), whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements ( 10 ) and the contact areas ( 5 ) of the first circuit board ( 4 ) is formed. Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Grundplatte (2), mit Leistungshalbleiterschaltern (22), mit einem eine Ausnehmung (3) aufweisenden Gehäuse (8), und mit einer mit den Leistungshalbleiterschaltern (22) elektrisch leitend verbundenen, im Gehäuse (8) angeordneten, an der Grundplatte (2) direkt oder indirekt befestigten ersten Leiterplatte (4), wobei in der Ausnehmung (3) ein an dem Gehäuse (8) befestigtes als Stecker oder Buchse ausgebildetes Steckverbindungsteil (6) angeordnet ist, das zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleitereinrichtung (1, 1‘) an seiner von einer Gehäuseaußenseite (16) des Gehäuses (8) zugänglichen Außenseite (7) elektrisch leitende Kontaktelemente (9) aufweist, die elektrisch leitend mit einer direkt oder indirekt am Gehäuse (8) befestigten, im Inneren des Gehäuses (8) angeordneten, elektrisch leitende Kontaktbereiche (5‘) aufweisenden, zweiten Leiterplatte (17) verbunden ist, wobei die Kontaktbereiche (5‘) der zweiten Leiterplatte (17) mit den Kontaktelementen (9) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleitereinrichtung (1‘) elektrisch leitendende, mit der ersten Leiterplatte (2) stoffschlüssig verbundene Federelemente (10) aufweist, wobei die Federelemente (10) und die zweite Leiterplatte (17) derart zueinander angeordnet sind, dass die Federelemente (10) gegen die Kontaktbereiche (5‘) der zweiten Leiterplatte (17) drücken, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen (10) und den Kontaktbereichen (5‘) der zweiten Leiterplatte (10) ausbildet ist. Power semiconductor device with a base plate ( 2 ), with power semiconductor switches ( 22 ), with a recess ( 3 ) housing ( 8th ), and one with the power semiconductor switches ( 22 ) electrically conductively connected, in the housing ( 8th ), on the base plate ( 2 ) directly or indirectly attached first circuit board ( 4 ), wherein in the recess ( 3 ) on the housing ( 8th ) fastened as a plug or socket connector ( 6 ) arranged for the electrical connection of the power semiconductor device ( 1 . 1' ) at its from a housing outside ( 16 ) of the housing ( 8th ) accessible outside ( 7 ) electrically conductive contact elements ( 9 ), which is electrically conductive with a directly or indirectly on the housing ( 8th ), inside the case ( 8th ), electrically conductive Contact areas ( 5 ' ), second circuit board ( 17 ), the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ) with the contact elements ( 9 ) are electrically conductively connected, wherein the power semiconductor device ( 1' ) electrically conductive, with the first circuit board ( 2 ) cohesively connected spring elements ( 10 ), wherein the spring elements ( 10 ) and the second circuit board ( 17 ) are arranged to each other such that the spring elements ( 10 ) against the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ), whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements ( 10 ) and the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 10 ) is formed. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Leiterplatte (10) indirekt am Gehäuse (8) befestigt ist, indem die zweite Leiterplatte (17) mit dem Steckverbindungsteil (6) verbunden ist. Power semiconductor device according to claim 9, characterized in that the second printed circuit board ( 10 ) indirectly on the housing ( 8th ) is attached by the second circuit board ( 17 ) with the connector part ( 6 ) connected is. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktbereiche (5‘) der zweiten Leiterplatte (17) in Richtung senkrecht zur Normalenrichtung (N‘) der zweiten Leiterplatte (17) seitlich versetzt zu den Kontaktelementen (9) angeordnet sind. Power semiconductor device according to claim 9 or 10, characterized in that the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ) in the direction perpendicular to the normal direction (N ') of the second printed circuit board ( 17 ) laterally offset to the contact elements ( 9 ) are arranged. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktbereiche (5‘) der zweiten Leiterplatte (17), insbesondere in Normalenrichtung (N) der Grundplatte (2), eine längliche Form aufweisen. Power semiconductor device according to one of claims 9 to 11, characterized in that the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ), in particular in the normal direction (N) of the base plate ( 2 ), have an elongated shape. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Leiterplatte (4) Ansteuerschaltungen (19) zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterschalter (22) angeordnet sind. Power semiconductor device according to one of claims 9 to 12, characterized in that on the first circuit board ( 4 ) Drive circuits ( 19 ) for controlling the power semiconductor switches ( 22 ) are arranged. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Steckverbindungsteil (6) und dem Gehäuse (8) eine Dichtung (23) angeordnet ist. Power semiconductor device according to one of claims 9 to 13, characterized in that between the plug connection part ( 6 ) and the housing ( 8th ) a seal ( 23 ) is arranged. Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung (1‘) das Gehäuse (8) in Richtung (Z) auf die Grundplatte (2) zu bewegt wird, wobei dabei die Federelemente (10) gegen die Kontaktbereiche (5‘) der zweiten Leiterplatte (17) gedrückt werden, wodurch ein elektrisch leitender Druckkontakt zwischen den Federelementen (10) und den Kontaktbereichen (5‘) der zweiten Leiterplatte (17) ausgebildet wird. Method for producing a power semiconductor device according to one of claims 9 to 14, characterized in that for the production of the power semiconductor device ( 1' ) the housing ( 8th ) in the direction (Z) on the base plate ( 2 ) is moved, wherein thereby the spring elements ( 10 ) against the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ), whereby an electrically conductive pressure contact between the spring elements ( 10 ) and the contact areas ( 5 ' ) of the second circuit board ( 17 ) is formed.
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