DE102015219939A1 - Apparatus for generating a cleaning gas, projection exposure apparatus and method for cleaning an optical surface - Google Patents

Apparatus for generating a cleaning gas, projection exposure apparatus and method for cleaning an optical surface Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zur Erzeugung eines Reinigungsgases (2), umfassend: ein Gehäuse (3), eine in dem Gehäuse (3) gebildete Kammer (4) mit einem Gaseinlass (5) zur Zuführung eines Gases (7) und mit einem Gasauslass (6) zum Austritt des Reinigungsgases (2), sowie mindestens ein Heizelement (8) zur Erzeugung des Reinigungsgases (2) durch Erhitzen des durch den Gaseinlass (5) einem Innenraum (4a) der Kammer (4) zugeführten Gases (7). Das Heizelement (8) ist außerhalb des Innenraums (4a) der Kammer (4) angeordnet. Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Vorrichtung (1) sowie ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche mittels einer solchen Vorrichtung (1).The invention relates to a device (1) for generating a cleaning gas (2), comprising: a housing (3), a chamber (4) formed in the housing (3) with a gas inlet (5) for supplying a gas (7) and with a gas outlet (6) for discharging the cleaning gas (2), and at least one heating element (8) for generating the cleaning gas (2) by heating the gas supplied through the gas inlet (5) to an interior space (4a) of the chamber (4). 7). The heating element (8) is arranged outside the interior (4a) of the chamber (4). The invention also relates to a projection exposure apparatus with such a device (1) and to a method for cleaning an optical surface by means of such a device (1).

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Reinigungsgases, umfassend: ein Gehäuse, eine in dem Gehäuse gebildete Kammer mit einem Gaseinlass zur Zuführung eines Gases und mit einem Gasauslass zum Austritt des Reinigungsgases, sowie ein Heizelement zur Erzeugung des Reinigungsgases durch Erhitzen eines durch den Gaseinlass einem Innenraum der Kammer zugeführten Gases. Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einer solchen Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche.The invention relates to a device for generating a cleaning gas, comprising: a housing, a chamber formed in the housing with a gas inlet for supplying a gas and a gas outlet for the exit of the cleaning gas, and a heating element for generating the cleaning gas by heating one through the gas inlet an interior of the chamber supplied gas. The invention also relates to a projection exposure apparatus with at least one such device and to a method for cleaning an optical surface.

Eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Reinigungsgases in Form eines Reinigungskopfs ist beispielsweise aus der WO 2009/059614 A1 bekannt geworden. In der dort beschriebenen Vorrichtung wird ein Heizelement in Form eines Heizdrahts (Filaments) erhitzt, um ein der Vorrichtung zugeführtes Gas zu aktivieren und dabei das Reinigungsgas zu erzeugen. Bei dem zugeführten Gas handelt es sich typischer Weise um molekularen Wasserstoff, der zumindest teilweise in ein Reinigungsgas in Form von atomarem Wasserstoff umgewandelt wird. Das Reinigungsgas, genauer gesagt ein Reinigungsgasstrom, wird auf eine kontaminierende Schicht an einer optischen Oberfläche eines reflektierenden optischen Elements ausgerichtet, welches in einer EUV-Lithographieanlage angeordnet ist, um die kontaminierende Schicht zumindest teilweise zu entfernen.A device for generating a cleaning gas in the form of a cleaning head is for example from the WO 2009/059614 A1 known. In the apparatus described there, a heating element in the form of a filament is heated to activate a gas supplied to the device and thereby to generate the cleaning gas. The gas supplied is typically molecular hydrogen, which is at least partially converted to a cleaning gas in the form of atomic hydrogen. The purge gas, more specifically a purge gas stream, is aligned with a contaminating layer on an optical surface of a reflective optical element disposed in an EUV lithography system to at least partially remove the contaminating layer.

Ähnliche Vorrichtungen zur Erzeugung von Wasserstoff-Radikalen bzw. von atomarem Wasserstoff sind beispielsweise aus der US 7,414,700 B2 , der US 2012/0006258 A1 und der US 2013/0114059 A1 bekannt geworden.Similar devices for generating hydrogen radicals or atomic hydrogen, for example, from US 7,414,700 B2 , of the US 2012/0006258 A1 and the US 2013/0114059 A1 known.

Bei der Verwendung eines metallischen Heizdrahts bzw. Filaments zur Aktivierung von Wasserstoff besteht das Problem, dass der metallische oder ggf. mit einem Metall beschichtete Heizdraht ggf. ganz oder teilweise an seiner Oberfläche oxidiert, wenn dieser mit Luft, Wasser, Sauerstoff etc. in Berührung kommt, sodass dieser an seiner Oberfläche eine Metalloxid-Schicht aufweist. Aufgrund der hohen Temperaturen zwischen 1200°C und bis zu 2500°C, auf die der Filament zur Aktivierung des Wasserstoffs aufgeheizt wird, kann die Metalloxid-Schicht ggf. ganz oder teilweise verdampfen und gemeinsam mit den Wasserstoff-Radikalen aus der Vorrichtung austreten. Das Metalloxid oder ggf. das Metall selbst kann sich hierbei an der zu reinigenden optischen Oberfläche oder an anderen Oberflächen als Kontamination anlagern.When using a metallic filament or filament to activate hydrogen, there is the problem that the metallic or possibly coated with a metal heating wire may be oxidized wholly or partially on its surface, if this with air, water, oxygen, etc. in contact comes so that it has on its surface a metal oxide layer. Due to the high temperatures between 1200 ° C and up to 2500 ° C, to which the filament is heated to activate the hydrogen, the metal oxide layer may possibly completely or partially vaporize and escape together with the hydrogen radicals from the device. The metal oxide or, if appropriate, the metal itself can be deposited here as contamination on the optical surface to be cleaned or on other surfaces.

In der US 2012/0006258 A1 wird zur Vermeidung dieses Problems vorgeschlagen, den Filament zumindest zeitweise auf eine Reduktions-Temperatur abzukühlen, die kleiner ist als die zur Erzeugung von atomarem Wassersoff benötigte Temperatur. Bei der Reduktions-Temperatur wird das Metalloxid durch über den Filament geführten molekularen Wasserstoff reduziert, d.h. das Metall wird in seine reine Form umgewandelt.In the US 2012/0006258 A1 In order to avoid this problem, it is proposed to cool the filament, at least temporarily, to a reduction temperature which is less than the temperature required to produce atomic water. At the reduction temperature, the metal oxide is reduced by molecular hydrogen carried over the filament, ie, the metal is converted to its pure form.

In der US 2013/0114059 A1 wird vorgeschlagen, an einer Oberfläche einer metallischen Komponente, insbesondere einem Heizdraht, eine Behandlung vorzunehmen, welche die Bildung eines Metalloxids verhindert. Bei der Behandlung kann es sich um eine Beschichtung der metallischen Komponente mit einem Material handeln, das bei den beim Betrieb der Komponente auftretenden Temperaturen ein nicht-volatiles Oxid bildet.In the US 2013/0114059 A1 It is proposed to carry out a treatment on a surface of a metallic component, in particular a heating wire, which prevents the formation of a metal oxide. The treatment may be a coating of the metallic component with a material which forms a non-volatile oxide at the temperatures encountered during operation of the component.

Aus der US 8,279,397 B2 ist ein Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen auf optischen Oberflächen bekannt geworden, welches folgende Schritte umfasst: Erzeugen einer molekularen Wasserstoff und zumindest ein Inertgas enthaltenden Restgasatmosphäre in der Vakuum-Umgebung, Erzeugen von Inertgas-Ionen durch Ionisieren des Inertgases, sowie Erzeugen von atomarem Wasserstoff durch Beschleunigen der Inertgas-Ionen in der Restgasatmosphäre.From the US 8,279,397 B2 has disclosed a method for removing contaminants on optical surfaces, comprising the steps of: generating a molecular hydrogen and at least one inert gas-containing residual gas atmosphere in the vacuum environment, generating inert gas ions by ionizing the inert gas, and generating atomic hydrogen Accelerating the inert gas ions in the residual gas atmosphere.

In der WO 2008/034582 A2 ist eine optische Anordnung beschrieben, bei der in einem Innenraum eines Gehäuses ein Vakuumgehäuse angeordnet ist, in dem mindestens ein optisches Element mit einer optischen Oberfläche untergebracht ist. Dem Vakuumgehäuse ist eine Kontaminationsreduzierungseinheit zugeordnet, die den Partialdruck von kontaminierenden Stoffen zumindest in unmittelbarer Nähe der optischen Oberfläche gegenüber dem Partialdruck der kontaminierenden Stoffe in dem Innenraum des Gehäuses verringert.In the WO 2008/034582 A2 an optical arrangement is described in which in an interior of a housing, a vacuum housing is arranged, in which at least one optical element is accommodated with an optical surface. The vacuum housing is associated with a contamination reduction unit, which reduces the partial pressure of contaminating substances at least in the immediate vicinity of the optical surface against the partial pressure of the contaminants in the interior of the housing.

Aufgabe der ErfindungObject of the invention

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art zur Erzeugung eines Reinigungsgases, eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einer solchen Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche bereitzustellen, bei denen das Kontaminationsrisiko bei der Reinigung von optischen Oberflächen reduziert ist.The object of the invention is to provide a device of the aforementioned type for generating a cleaning gas, a projection exposure apparatus with at least one such device and a method for cleaning an optical surface, in which the risk of contamination in the cleaning of optical surfaces is reduced.

Gegenstand der ErfindungSubject of the invention

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung der eingangs genannten Art, bei der das Heizelement außerhalb des Innenraums der Kammer angeordnet ist. Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es für die Erzeugung des Reinigungsgases nicht zwingend erforderlich ist, dass das der Kammer zugeführte, mit Hilfe des Heizelements erhitzte Gas direkt mit dem Heizelement in Kontakt kommt bzw. dass das Heizelement in der Kammer angeordnet wird. Es ist vielmehr ausreichend, wenn eine Wärmeübertragung zwischen dem Heizelement, das außerhalb der Kammer, genauer gesagt außerhalb des Innenraums der Kammer, angeordnet ist und dem der Kammer zugeführten Gas erfolgt, ohne dass zu diesem Zweck das Heizelement zwingend direkt mit dem in den Innenraum der Kammer zugeführten Gas in Kontakt gebracht wird. Die Wärmeübertragung zwischen dem Heizelement und dem Gas kann durch eine oder ggf. durch mehrere Arten von Wärmeübertragung erfolgen, die ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend: Wärmeleitung (Konduktion), Wärmestrahlung und Wärmeströmung (Konvektion).This object is achieved by a device of the type mentioned, in which the heating element is arranged outside the interior of the chamber. According to the invention, it was recognized that it is not absolutely necessary for the production of the cleaning gas that the gas supplied to the chamber, heated by means of the heating element, comes into direct contact with the heating element or that the heating element is arranged in the chamber. Rather, it is sufficient if a heat transfer between the heating element, which is outside the chamber, more precisely outside the interior of the chamber, is arranged and the gas supplied to the chamber, without necessarily for this purpose the heating element directly with the in the interior of the Chamber supplied gas is brought into contact. The heat transfer between the heating element and the gas can be carried out by one or possibly by several types of heat transfer, which are selected from the group comprising: heat conduction (conduction), heat radiation and heat flow (convection).

Bei einer Ausführungsform ist das Heizelement durch eine Abschirmung von dem Innenraum der Kammer getrennt. Die Abschirmung weist typischer Weise eine erste, dem Heizelement zugewandte Seite und eine zweite, dem Innenraum der Kammer zugewandte Seite auf. Die zweite, dem Innenraum der Kammer zugewandte Seite der Abschirmung kann insbesondere eine Innenseite der Kammer bzw. der Kammerwand bilden. Durch die Abschirmung soll ein Gasfluss von dem Innenraum der Kammer zum Heizelement unterbunden bzw. möglichst minimiert werden, so dass das Heizelement nicht mit dem der Kammer zugeführten Gas bzw. mit dem Reinigungsgas, beispielsweise mit aktiviertem Wasserstoff bzw. mit Wasserstoff-Radikalen, in Kontakt kommt. Die Abschirmung kann ggf. eine oder mehrere Öffnungen aufweisen, durch die ein Gasfluss zwischen dem Heizelement und dem Innenraum der Kammer erfolgen kann. Dies ist insbesondere für den Fall günstig, dass eine Wärmeübertragung in Form von Konvektion, d.h. in Form einer Gasströmung, von dem Heizelement in den Innenraum erfolgt, wobei das Gas, z.B. in Form eines (inerten) Trägergases (s.u.), durch die Öffnung(en) in den Innenraum der Kammer eintreten kann.In one embodiment, the heating element is separated from the interior of the chamber by a shield. The shield typically has a first side facing the heating element and a second side facing the interior of the chamber. The second, the interior of the chamber facing side of the shield may in particular form an inside of the chamber or the chamber wall. The shielding is intended to prevent or, if possible, minimize gas flow from the interior of the chamber to the heating element, so that the heating element does not come into contact with the gas supplied to the chamber or with the cleaning gas, for example with activated hydrogen or with hydrogen radicals comes. The shield may optionally have one or more openings through which a gas flow between the heating element and the interior of the chamber can take place. This is particularly beneficial in the case where convection heat transfer, i. E. in the form of a gas flow from the heating element into the interior, the gas, e.g. in the form of an (inert) carrier gas (s.u.) Through which opening (s) can enter into the interior of the chamber.

Bei einer Weiterbildung trennt die Abschirmung das Heizelement gasdicht von dem Innenraum der Kammer. In diesem Fall ist das Heizelement vollständig von dem Innenraum getrennt, d.h. das Heizelement steht nicht mit dem Innenraum und dem dort vorhandenen Gas in Kontakt. Bei der Abschirmung handelt es sich typischer Weise um ein selbsttragendes Bauelement, d.h. die Abschirmung bildet typischer Weise keine Beschichtung.In a further development, the shield separates the heating element gas-tight from the interior of the chamber. In this case, the heating element is completely separated from the interior, i. the heating element is not in contact with the interior and the gas present there. The shield is typically a self-supporting device, i. the shield typically does not form a coating.

Die Abschirmung kann beispielsweise aus einem für Heizstrahlung des Heizelements z.B. im infraroten Wellenlängenbereich transparenten Material gebildet sein, um Wärmestrahlung von dem Heizelement in den Innenraum der Kammer eintreten zu lassen, ohne dass ein zu großer Anteil der Wärmestrahlung von der Abschirmung absorbiert wird. In diesem Fall steht das Heizelement in der Regel nicht direkt mit der Abschirmung in Kontakt. Es ist alternativ aber auch möglich, dass das Heizelement direkt an der Abschirmung anliegt bzw. mit der Abschirmung in Kontakt steht, um durch Konduktion Wärme an die Abschirmung und von dort in den Innenraum der Kammer abzugeben. Die Abschirmung ist aus einem Material gebildet, welches einerseits eine ausreichende Wärmeleitung ermöglicht und andererseits den hohen Temperaturen von ggf. bis zu 1800°C oder mehr während des Betriebs der Vorrichtung standhalten kann. Die Abschirmung ist typischer Weise aus einem nicht metallischen Material bzw. aus einem mit Wasserstoff, insbesondere mit Wasserstoff-Radikalen, nur minimal reagierenden Material gebildet. Das Material der Abschirmung sollte insbesondere eine niedrige Gas-Permeabilität aufweisen, um das Heizelement von dem Gas in dem Innenraum der Kammer zu isolieren.The shield may be made, for example, from a heating radiation of the heating element, e.g. transparent material may be formed in the infrared wavelength range to allow heat radiation from the heating element to enter the interior of the chamber without absorbing too much of the heat radiation from the shield. In this case, the heating element is usually not directly in contact with the shield. Alternatively, however, it is also possible for the heating element to lie directly against the shield or to be in contact with the shield in order to transmit heat to the shield by conduction and from there into the interior of the chamber. The shield is formed of a material which on the one hand enables sufficient heat conduction and on the other hand can withstand the high temperatures of possibly up to 1800 ° C or more during operation of the device. The shield is typically formed from a non-metallic material or from a hydrogen, in particular hydrogen radicals, only minimally reactive material. The material of the shield should in particular have a low gas permeability in order to isolate the heating element from the gas in the interior of the chamber.

Bei einer weiteren Weiterbildung enthält die Abschirmung mindestens ein nicht metallisches Material, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Quarzglas, Silizium, Silikate, insbesondere in Form von Schichtsilikaten bzw. Glimmer, Carbide, Graphit, Metalloxide, insbesondere Aluminiumoxid, Keramik. Die Abschirmung weist zumindest an ihrer dem Innenraum der Kammer zugewandten Oberfläche ein Material auf oder besteht aus einem Material, welches bei einer Gas-Temperatur, die beispielsweise bei mehr als 1200°C oder ggf. bei mehr als 1800°C liegen kann, keine volatilen Oxide bildet. Dies ist bei der weiter oben beschriebenen Gruppe von Materialien der Fall. Es versteht sich, das lediglich solche Metalloxide (bzw. Silikate) als Material für die Abschirmung verwendet werden sollten, welche diese Anforderung erfüllen, wie dies beispielsweise bei Aluminiumoxid der Fall ist, welches einen Schmelzpunkt von mehr als 2000°C und einen Siedepunkt von ca. 3000°C aufweist. Das Material der Abschirmung kann kristallin sein oder in amorpher Form vorliegen. Die Abschirmung ist typischer Weise permanent und hält idealer Weise auch Temperaturen stand, die für ein Ausheizen der Kammer verwendet werden, um dort vorhandene Kontaminationen zu entfernen, sofern diese Temperatur über der beim Betrieb der Vorrichtung zur Erhitzung des Gases verwendeten Temperatur liegt.In a further development, the shield contains at least one non-metallic material which is selected from the group comprising: quartz glass, silicon, silicates, in particular in the form of sheet silicates or mica, carbides, graphite, metal oxides, in particular aluminum oxide, ceramics. At least on its surface facing the interior of the chamber, the shield has a material or consists of a material which is not volatile at a gas temperature which may be, for example, more than 1200.degree. C. or possibly more than 1800.degree Oxides forms. This is the case with the group of materials described above. It is understood that only such metal oxides (or silicates) should be used as the material for the shield, which meet this requirement, as is the case for example with alumina, which has a melting point of more than 2000 ° C and a boiling point of approx 3000 ° C. The material of the shield may be crystalline or in amorphous form. The shield is typically permanent and ideally withstands temperatures used to heat the chamber to remove contaminants present there, as long as that temperature is above the temperature used in operation of the gas heating apparatus.

Bei dem Reinigungsgas, welches in der Vorrichtung erzeugt wird und welches durch den Gasauslass austritt, kann es sich insbesondere um ein Reinigungsgas handeln, das auf organische Kontaminationen, insbesondere auf Kohlenstoff-Kontaminationen, eine reinigende Wirkung aufweist. Bei dem Reinigungsgas kann es sich beispielsweise um atomaren Stickstoff, atomaren Sauerstoff oder um atomare bzw. ionisierte Edelgase bzw. um Edelgas-Radikale handeln, beispielsweise um Argon-Radikale, um Helium-Radikale, um Neon-Radikale oder um Krypton-Radikale.The cleaning gas which is produced in the device and which exits through the gas outlet can be, in particular, a cleaning gas which has a cleaning effect on organic contaminants, in particular on carbon contaminations. The cleaning gas can be, for example, atomic nitrogen, atomic oxygen or atomic or ionized noble gases or inert gas. Radicals, for example, argon radicals, helium radicals, neon radicals or krypton radicals.

Bei einer vorteilhaften Ausführungsform enthält das durch den Gaseinlass zugeführte Gas molekularen Wasserstoff oder das durch den Gaseinlass zugeführte Gas ist molekularer Wasserstoff. Wie weiter oben beschrieben wurde, kann molekularer Wasserstoff bei hohen Temperaturen von beispielsweise mehr als ca. 1200°C oder ggf. 1800°C aktiviert und in atomaren Wasserstoff umgewandelt werden. Unter atomarem Wasserstoff werden im Sinne dieser Anmeldung nicht nur Wasserstoff-Radikale H• sondern auch Wasserstoff-Ionen, d.h. H+ oder H2 +, sowie Wasserstoff H* in einem angeregten Elektronenzustand verstanden.In an advantageous embodiment, the gas supplied through the gas inlet contains molecular hydrogen or the gas supplied through the gas inlet is molecular hydrogen. As described above, molecular hydrogen can be activated at high temperatures of, for example, more than about 1200 ° C. or optionally 1800 ° C. and converted into atomic hydrogen. For the purposes of this application, atomic hydrogen means not only hydrogen radicals H but also hydrogen ions, ie H + or H 2 + , and hydrogen H * in an excited electronic state.

Bei den in der Einleitung beschriebenen Vorrichtungen zur Erzeugung von atomarem Wasserstoff wird der Kammer typischer Weise molekularer Wasserstoff zugeführt und lediglich ein Teil des molekularen Wasserstoffs wird von dem in der Kammer angeordneten Filament in atomaren Wasserstoff umgewandelt. Der nicht umgewandelte molekulare Wasserstoff tritt gemeinsam mit dem atomaren Wasserstoff durch den Gasauslass und verlässt die Vorrichtung typischer Weise in Richtung auf eine zu reinigende optische Oberfläche. Nicht nur der atomare, sondern auch der molekulare Wasserstoff kann ggf. mit Kohlenstoff auf Komponenten, die in der Umgebung der zu reinigenden optischen Oberfläche angeordnet sind und/oder in einem nicht bestrahlten Bereich des optischen Elements, welcher die optische Oberfläche umgibt, zu Kohlenwasserstoffen reagieren. Dies kann zu einer Veränderung des Emissionsgrads der Oberflächen dieser Komponenten führen (z.B. von 0,1 bis 0,2 auf 0,7 bis 0,8), wodurch sich der strahlungsbedingte Wärmetransport ungewollt verändert, was zu einem lokalen Hitzestau sowie zu ungewollten Deformationen führen kann. Dies ist insbesondere der Fall, wenn die zur reinigende(n) Oberfläche(n) in einem Beleuchtungssystem einer Projektionsbelichtungsanlage angeordnet sind, bei dem aufgrund der dort vorhandenen hohen Strahlungsleistungen in der Regel hohe Temperaturen herrschen. Wenn sich über einen längeren Zeitraum Kohlenwasserstoffe an diesen nicht optisch genutzten Oberflächen ansammeln, können diese in Form von kontaminierenden Partikeln von den nicht optisch genutzten Oberflächen abblättern und ggf. die Umgebung der optischen Oberflächen bzw. diese selbst kontaminieren.In the atomic hydrogen generation apparatus described in the introduction, molecular hydrogen is typically supplied to the chamber and only a portion of the molecular hydrogen is converted to atomic hydrogen by the filament disposed in the chamber. The unconverted molecular hydrogen, along with the atomic hydrogen, passes through the gas outlet and typically exits the device toward an optical surface to be cleaned. Not only the atomic but also the molecular hydrogen may optionally react with carbon on components disposed in the vicinity of the optical surface to be cleaned and / or in an unirradiated region of the optical element surrounding the optical surface to hydrocarbons , This can lead to a change in the emissivity of the surfaces of these components (eg from 0.1 to 0.2 to 0.7 to 0.8), which changes the radiation-induced heat transfer unintentionally, resulting in a local heat accumulation and unwanted deformations can. This is the case, in particular, when the surface (s) to be cleaned are arranged in an illumination system of a projection exposure apparatus in which high temperatures generally prevail due to the high radiation powers present there. If hydrocarbons accumulate on these non-optically used surfaces over an extended period of time, they may flake off the non-optically used surfaces in the form of contaminating particles and possibly contaminate the surroundings of the optical surfaces or these themselves.

Um das Problem einer erneuten Kontamination (Re-Kontamination) zu vermeiden bzw. um dieses Problem abzumildern, ist es vorteilhaft, ein inertes oder zumindest teilweise inertes bzw. nicht-reaktives Trägergas (oder ein Gasgemisch) zu verwenden, dass dem Gas, welches in der Kammer aktiviert werden soll, und/oder dem aus dem Gasauslass austretenden Reinigungsgas beigemischt wird. Beispielsweise kann molekularem Wasserstoff, welcher über den Gaseinlass in die Kammer eintritt, ein Trägergas beigemischt werden und/oder ein Trägergas kann dem Reinigungsgas nach dem Austritt aus dem Gasauslass beigemischt werden. Gegebenenfalls kann das Trägergas der Vorrichtung bzw. der Kammer über einen weiteren Gaseinlass zugeführt werden. In letzterem Fall kann das Trägergas ggf. an dem Heizelement vorbei geführt werden und über eine oder ggf. mehrere Öffnungen in der Abschirmung in die Kammer eintreten, um auf diese Weise eine zusätzliche Wärmeübertragung durch Konvektion an das in der Kammer vorhandene Gas zu ermöglichen.In order to avoid the problem of recontamination or to alleviate this problem, it is advantageous to use an inert or at least partially inert or non-reactive carrier gas (or a gas mixture), which is the gas which in the chamber is to be activated, and / or mixed with the emerging from the gas outlet cleaning gas. For example, molecular hydrogen, which enters the chamber via the gas inlet, a carrier gas can be admixed and / or a carrier gas can be added to the cleaning gas after exiting the gas outlet. If appropriate, the carrier gas can be supplied to the device or the chamber via a further gas inlet. In the latter case, the carrier gas may optionally be guided past the heating element and enter the chamber via one or possibly a plurality of openings in the shield, in order in this way to allow additional heat transfer by convection to the gas present in the chamber.

Bei einer Ausführungsform enthält das der Kammer durch den Gaseinlass zugeführte Gas ein Trägergas, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Stickstoff und Edelgase, beispielsweise Argon oder Helium. Das Trägergas behält beim Erhitzen durch das Heizelement typischer Weise seine molekulare Struktur bei, d.h. dieses wird selbst nicht aktiviert. Das Trägergas tritt gemeinsam mit dem Reinigungsgas, das beispielsweise in Form von atomarem Wasserstoff vorliegt, aus der Vorrichtung aus und wird zu der zu reinigenden optischen Oberfläche transportiert. Dies ermöglicht es, eine geringere Flussrate von Wasserstoff im System bzw. in der Umgebung des optischen Elements zu erzeugen, wobei potentiell derselbe oder ggf. ein größerer Reinigungseffekt auftreten kann, weil mehr atomarer Wasserstoff bzw. mehr Wasserstoff-Radikale mit der optischen Oberfläche interagieren.In one embodiment, the gas supplied to the chamber through the gas inlet contains a carrier gas selected from the group comprising: nitrogen and noble gases, for example, argon or helium. The carrier gas typically retains its molecular structure when heated by the heating element, i. this will not be activated. The carrier gas exits the device together with the cleaning gas, which is in the form of atomic hydrogen for example, and is transported to the optical surface to be cleaned. This makes it possible to produce a lower flow rate of hydrogen in the system or in the vicinity of the optical element, which can potentially have the same or possibly a greater cleaning effect, because more atomic hydrogen or more hydrogen radicals interact with the optical surface.

Bei einer Ausführungsform ist die Vorrichtung ausgebildet, dem Reinigungsgas nach dem Gasauslass ein Trägergas zuzuführen. Auch das Zuführen von (weiterem) Trägergas, z.B. in Form von Stickstoff oder von Edelgasen, kann ggf. sinnvoll sein, um den molekularen Wasserstoff, der in der Kammer nicht in atomaren Wasserstoff umgewandelt wurde, zu verdünnen und auf diese Weise die Wahrscheinlichkeit für die Reaktion des molekularen Wasserstoffs mit in der Umgebung der zu reinigenden optischen Oberfläche vorhandenen Komponenten zu verringern.In one embodiment, the device is designed to supply a carrier gas to the cleaning gas after the gas outlet. Also, supplying (further) carrier gas, e.g. in the form of nitrogen or noble gases, may be useful to dilute the molecular hydrogen that has not been converted into atomic hydrogen in the chamber and in this way the likelihood of the reaction of the molecular hydrogen with in the environment of cleaning optical surface existing components to reduce.

Bei dem Heizelement, welches außerhalb des Innenraums der Kammer angeordnet ist, handelt es sich typischer Weise um ein Widerstands-Heizelement, d.h. um ein Heizelement, das aufgeheizt wird, indem durch das Material des Heizelements ein elektrischer Strom fließt. Bei dem Heizelement kann es sich beispielsweise um einen Glühdraht bzw. um ein Filament handeln, welcher auf Temperaturen von mehr als 1300°C, ggf. auf Temperaturen von ca. 1800°C oder mehr aufgeheizt wird.The heating element, which is located outside the interior of the chamber, is typically a resistance heating element, i. around a heating element which is heated by an electric current flowing through the material of the heating element. The heating element may be, for example, a filament or a filament, which is heated to temperatures of more than 1300 ° C, possibly to temperatures of about 1800 ° C or more.

Typischer Weise enthält das Heizelement mindestens ein Material oder besteht aus mindestens einem Material, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Metalle, bevorzugt Wolfram, Tantal, oder Molybdän, oder Halbleiter, bevorzugt Siliziumcarbid oder dotiertes Silizium. Metallische Materialien, insbesondere Wolfram, sind typische Materialien, die zur Herstellung von Filamenten verwendet werden. Halbleiter können in reiner oder in dotierter Form als Heizelemente verwendet werden. Halbleiter weisen ggf. bei hohen Temperaturen von 1300°C bessere Eigenschaften als metallische Materialien auf, vgl. beispielsweise den Artikel „High-temperature MEMS Heater Platforms: Long-term Performance of Metal and Semiconductor Heater Materials“, J. Spannhake et al., Sensors 2006, 6, Seiten 405–419 . Bei dem Widerstands-Heizelement kann es sich insbesondere um einen Silizium-Stab handeln, der beispielsweise mit Bor dotiert ist (Si:B) und der Temperaturen bis 1300 °C oder mehr standhalten kann, um einen Streifen eines (dotierten) Silizium-Wafers oder um ein Filament aus Silizium. Ein Widerstands-Heizelement aus Siliziumcarbid (SiC) hält typischer Weise deutlich höheren Temperaturen von ca. 1800°C oder darüber stand, da dieses Material einen Schmelzpunkt von ca. 2730°C aufweist. Die Auslegung des Heizelements (Flächeninhalt, Durchmesser, Dotierungseigenschaften, etc.) kann an den für das Erhitzen des Gases erforderlichen elektrischen Widerstand angepasst werden. Im Sinne dieser Anmeldung werden unter Heizelementen auch Heizstäbe („cartridge heater“ oder „tubular heater“) verstanden, welche eine von einem Strom durchflossene Heizspule aufweisen, die von einer Isolation umgeben ist, auf der eine metallische Hülle, z.B. aus Edelstahl, aufgebracht ist. Auch ein Heizelement in Form eines derartigen Heizstabs wird nicht in dem Innenraum der Kammer angeordnet bzw. dieses ist durch eine Abschirmung vom Innenraum der Kammer getrennt.Typically, the heating element contains at least one material or consists of at least a material which is selected from the group comprising: metals, preferably tungsten, tantalum, or molybdenum, or semiconductors, preferably silicon carbide or doped silicon. Metallic materials, especially tungsten, are typical materials used to make filaments. Semiconductors can be used in pure or doped form as heating elements. Semiconductors may have better properties than metallic materials at high temperatures of 1300 ° C., cf. for example the "High-temperature MEMS Heater Platforms: Long-term Performance of Metal and Semiconductor Heater Materials," J. Spannhake et al., Sensors 2006, 6, pp. 405-419 , In particular, the resistance heating element may be a silicon rod doped, for example, with boron (Si: B) and capable of withstanding temperatures of up to 1300 ° C. or more to form a strip of (doped) silicon wafer or around a filament of silicon. A resistance heating element of silicon carbide (SiC) typically holds significantly higher temperatures of about 1800 ° C or above, since this material has a melting point of about 2730 ° C. The design of the heating element (surface area, diameter, doping properties, etc.) can be adapted to the required for the heating of the gas electrical resistance. For the purposes of this application heating elements are also understood to mean heating elements ("cartridge heater" or "tubular heater") which have a heating coil through which a current flows, which is surrounded by an insulation on which a metallic shell, for example of stainless steel, is applied , Also, a heating element in the form of such a heating element is not disposed in the interior of the chamber or this is separated by a shield from the interior of the chamber.

Bei einer weiteren Ausführungsform weist das Gehäuse einen ersten Gehäuseabschnitt und einen zweiten, typischer Weise benachbarten Gehäuseabschnitt auf, wobei das Heizelement nur in dem ersten Gehäuseabschnitt, aber nicht in dem zweiten Gehäuseabschnitt angeordnet ist und die Kammer, genauer gesagt den Querschnitt der Kammer, zumindest teilweise, insbesondere vollständig umgibt. Die Kammer kann bei dieser Ausführungsform quer zur einer Verbindungslinie zwischen dem Gaseinlass und dem Gasauslass einen z.B. runden oder rechteckigen Querschnitt aufweisen, der von dem Heizelement zumindest teilweise, insbesondere vollständig umgeben wird. Bei dem ersten Gehäuseabschnitt kann es sich um einen (radial) inneren Gehäuseabschnitt handeln. In diesem Fall handelt es sich bei dem zweiten Gehäuseabschnitt typischer Weise um einen (radial) äußeren Gehäuseabschnitt. Es ist aber auch möglich, dass der erste Gehäuseabschnitt einen axialen, dem Gaseinlass benachbarten Gehäuseabschnitt bildet, während der zweite Gehäuseabschnitt einen axialen, dem Gasauslass benachbarten Gehäuseabschnitt bildet. In letzterem Fall wirkt das Heizelement nicht über die gesamte Länge der Kammer auf das durch den Gaseinlass eintretende Gas ein, um dem zugeführten Gas bzw. dem Reinigungsgas zu ermöglichen, sich nach dem Aufheizen durch das Heizelement abzukühlen.In a further embodiment, the housing has a first housing portion and a second, typically adjacent housing portion, wherein the heating element is arranged only in the first housing portion, but not in the second housing portion and the chamber, more precisely the cross-section of the chamber, at least partially , in particular completely surrounds. In this embodiment, the chamber may have a cross-section, for a connection line between the gas inlet and the gas outlet, of e.g. have round or rectangular cross section, which is at least partially, in particular completely surrounded by the heating element. The first housing section may be a (radially) inner housing section. In this case, the second housing section is typically a (radially) outer housing section. But it is also possible that the first housing portion forms an axial, the gas inlet adjacent housing portion, while the second housing portion forms an axial, the gas outlet adjacent housing portion. In the latter case, the heating element does not act on the gas entering through the gas inlet over the entire length of the chamber in order to allow the supplied gas or the cleaning gas to cool after being heated by the heating element.

Bei einer Weiterbildung weist der zweite Gehäuseabschnitt ein Kühlelement auf, welches die Kammer zumindest teilweise umgibt. Das Kühlelement kann zur Wärmeabschirmung des Heizelements gegenüber der Umgebung der Vorrichtung sowie zur Kühlung des Reinigungsgases dienen. Bevorzugt handelt es sich bei dem Kühlelement um ein aktives Kühlelement, genauer gesagt um einen Fluid-Kühler, bei dem in einem Kühlkörper Kühlkanäle gebildet sind, die von einem Fluid, d.h. von einer Flüssigkeit, einem Gas oder einer Kombination aus beidem, durchströmt werden, um die Wärme von dem Kühlkörper an das Fluid zu übertragen, welches die aufgenommene Wärme an anderer Stelle wieder abgibt, und zwar typischer Weise außerhalb einer optischen Anordnung bzw. der Vorrichtung. Bei dem Kühlelement kann es sich auch um ein passives Kühlelement z.B. in Form eines Kühlkörpers (Wärmesenke) handeln, welcher die Wärme aus dem Innenraum der Kammer durch Konduktion an die Umgebung der Vorrichung oder ggf. des Gehäuses der Vorrichtung abgibt.In a development, the second housing section has a cooling element which at least partially surrounds the chamber. The cooling element can serve to heat-shield the heating element from the environment of the device and to cool the cleaning gas. The cooling element is preferably an active cooling element, more specifically a fluid cooler in which cooling channels are formed in a cooling body, which are formed by a fluid, i. flow through a liquid, a gas or a combination of both, in order to transfer the heat from the heat sink to the fluid, which releases the heat absorbed elsewhere, typically outside of an optical arrangement or the device. The cooling element may also be a passive cooling element, e.g. act in the form of a heat sink (heat sink), which emits the heat from the interior of the chamber by conduction to the environment of Vorrichung or possibly the housing of the device.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Fotolithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, umfassend: Mindestens ein Vakuum-Gehäuse, in dem mindestens ein optisches Element mit einer optischen Oberfläche angeordnet ist, eine Vorrichtung wie weiter oben beschrieben zur Erzeugung eines Reinigungsgases zur Reinigung der optischen Oberfläche des optischen Elements, sowie eine Absaugeinrichtung zur Absaugung des Reinigungsgases aus dem Vakuum-Gehäuse. Eine Projektionsbelichtungsanlage weist mehrere optische Elemente auf, die je nach optischer Funktion in unterschiedlichen Gehäusen, bei EUV-Lithographieanlagen typischer Weise in unterschiedlichen Vakuum-Gehäusen, untergebracht sind. Typischer Weise weist eine EUV-Lithographieanlage ein Strahlerzeugungssystem, ein Beleuchtungssystem sowie ein Projektionssystem mit jeweils einem eigenen Vakuum-Gehäuse auf, in dem in der Regel mehrere optische Elemente angeordnet sind. Es ist auch möglich, dass eines oder mehrere optische Elemente in einem Vakuum-Gehäuse angeordnet sind, welches selbst in einem der drei Vakuum-Gehäuse des Strahlerzeugungssystems, des Beleuchtungssystems oder des Projektionssystems untergebracht ist, wie dies beispielsweise in der eingangs zitierten WO 2008/034582 A2 beschrieben ist.Another aspect of the invention relates to a projection exposure apparatus for photolithography, in particular for EUV lithography, comprising: at least one vacuum housing, in which at least one optical element is arranged with an optical surface, a device as described above for generating a cleaning gas for cleaning the optical surface of the optical element, and a suction device for extracting the cleaning gas from the vacuum housing. A projection exposure apparatus has a plurality of optical elements which, depending on the optical function, are accommodated in different housings, in EUV lithography systems typically in different vacuum housings. Typically, an EUV lithography system has a beam generation system, an illumination system and a projection system, each with its own vacuum housing, in which a plurality of optical elements are usually arranged. It is also possible for one or more optical elements to be arranged in a vacuum housing which itself is accommodated in one of the three vacuum housings of the beam generation system, the illumination system or the projection system, as described, for example, in the cited document WO 2008/034582 A2 is described.

Der Gasauslass der Vorrichtung steht mit dem Innenraum des Vakuum-Gehäuses in Verbindung, sodass das Reinigungsgas in das Vakuum-Gehäuse ausströmen kann, um die optische Oberfläche mindestens eines optischen Elements zu reinigen. Die Absaugeinrichtung saugt das Reinigungsgas sowie ggf. bei der Reinigung von der optischen Oberfläche abgelöste Kontaminationen, beispielsweise in Form von Kohlenstoff oder von Kohlenwasserstoffen, aus dem Innenraum des Vakuum-Gehäuses ab. Zusätzlich kann auch das ggf. vorhandene Trägergas sowie ein ggf. vorhandenes Schutzgas (s.u.) von der Absaugeinrichtung abgesaugt werden. Der Gaseinlass der Vorrichtung und eine Absaugöffnung der Absaugeinrichtung können grundsätzlich an beliebiger Stelle in dem Gehäuse angeordnet sein. Der bzw. die Gasauslässe der Vorrichtung sowie der bzw. die Gaseinlässe der Absaugeinrichtung sind vorteilhafter Weise in der Nähe der zu reinigenden optischen Oberfläche angeordnet, um zu verhindern, dass das Reinigungsgas zusammen mit den Kontaminationen in der Projektionsbelichtungsanlage über größere Strecken transportiert wird und z.B. von den Vakuum-Pumpen aufgenommen wird. Die lokale Rückführung bzw. Absaugung des Reinigungsgases in der Nähe der zu reinigenden Oberfläche ermöglicht es, die Wegstrecke zu minimieren, die das Reinigungsgas in der Projektionsbelichtungsanlage zurücklegt, wodurch ggf. durch das Reinigungsgas erzeugte Kontaminationen sowie Kontaminationen minimiert werden, die ggf. durch eine erneute Ablagerung von mit dem Reinigungsgas mitgeführten kontaminierenden Stoffen an anderen Komponenten erzeugt werden. Insbesondere, wenn es sich bei dem Reinigungsgas um äußerst reaktiven atomaren Wasserstoff handelt, der mit nahezu jedem beliebigen Material reagiert, ist dessen schnellstmögliche Entfernung aus dem Gehäuse bzw. aus der Umgebung der optischen Oberfläche erwünscht, um Schäden in der Umgebung der optischen Oberfläche angeordneten Komponenten zu minimieren.The gas outlet of the device communicates with the interior of the vacuum housing Connection, so that the cleaning gas can flow into the vacuum housing to clean the optical surface of at least one optical element. The suction device sucks the cleaning gas and any contaminants, for example in the form of carbon or hydrocarbons, which have been removed from the optical surface during cleaning, from the interior of the vacuum housing. In addition, the possibly present carrier gas as well as any protective gas (see below) can be sucked off the suction device. The gas inlet of the device and a suction opening of the suction device can in principle be arranged at any point in the housing. The gas outlet (s) of the device and the gas inlet or inlets of the suction device are advantageously arranged in the vicinity of the optical surface to be cleaned in order to prevent the cleaning gas from being transported together with the contaminants in the projection exposure apparatus over greater distances and eg from the vacuum pumps is added. The local recirculation or suction of the cleaning gas in the vicinity of the surface to be cleaned makes it possible to minimize the distance covered by the cleaning gas in the projection exposure system, whereby any contaminations and contaminations generated by the cleaning gas are minimized, possibly by a renewed Deposition of entrained with the cleaning gas contaminants are produced on other components. In particular, where the purge gas is highly reactive atomic hydrogen that reacts with virtually any material, its fastest possible removal from the housing or environment of the optical surface is desired to minimize damage to the environment surrounding the optical surface to minimize.

Unter einer optischen Oberfläche wird im Sinne dieser Anmeldung derjenige Bereich eines optischen Elements verstanden, der im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet ist. Bei reflektiven optischen Elementen, beispielsweise in Form von Spiegeln, ist in diesem Bereich typischer Weise eine Beschichtung aufgebracht, die bei der Nutz-Wellenlänge der in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Nutz-Strahlung ein Reflexionsmaximum aufweist.For the purposes of this application, an optical surface is understood to be that region of an optical element which is arranged in the beam path of the projection exposure apparatus. In the case of reflective optical elements, for example in the form of mirrors, a coating is typically applied in this region, which has a reflection maximum at the useful wavelength of the useful radiation used in the projection exposure apparatus.

Bevorzugt ist der Gasauslass der Vorrichtung auf die optische Oberfläche ausgerichtet, um die optische Oberfläche mit dem Reinigungsgas zu überströmen. Es hat sich als günstig erwiesen, wenn das Reinigungsgas in Form eines Gasstroms in Richtung auf die optische Oberfläche aus dem Gasauslass ausströmt. In Kombination mit der Absaugeinrichtung kann in diesem Fall die Wahrscheinlichkeit verringert werden, dass das Reinigungsgas, insbesondere in Form von atomarem Wasserstoff, mit Komponenten in dem Vakuum-Gehäuse in Berührung kommt, die nicht mit dem Reinigungsgas in Kontakt kommen sollen. Der Gasauslass ist auf die optische Oberfläche ausgerichtet, wenn zwischen dem Gasauslass bzw. der (Mitte der) Öffnung des Gasauslasses und der optischen Oberfläche eine Sichtlinie bzw. eine Sichtverbindung besteht.Preferably, the gas outlet of the device is aligned with the optical surface to overflow the optical surface with the cleaning gas. It has proved to be advantageous if the cleaning gas flows out of the gas outlet in the form of a gas flow in the direction of the optical surface. In this case, in combination with the suction device, it is possible to reduce the likelihood that the cleaning gas, in particular in the form of atomic hydrogen, will come into contact with components in the vacuum housing which should not come into contact with the cleaning gas. The gas outlet is aligned with the optical surface when there is a line of sight or line of sight between the gas outlet and the (center of) orifice of the gas outlet and the optical surface.

Bei einer Weiterbildung ist der Gasauslass auf das Zentrum der optischen Oberfläche oder auf den Rand der optischen Oberfläche ausgerichtet. Im ersten Fall trifft das Reinigungsgas im Zentrum auf die optische Oberfläche auf und überströmt die optische Oberfläche vom Zentrum zum Rand hin. Im zweiten Fall überströmt das Reinigungsgas die optische Oberfläche typischer Weise vom Rand zum Zentrum der optischen Oberfläche bzw. zur gegenüber liegenden Seite des Randes der optischen Oberfläche hin. In beiden Fällen kann der Gasauslass, genauer gesagt eine Normalen-Richtung des Gasauslasses, unter einem Winkel zur Normalen-Richtung der optischen Oberfläche ausgerichtet sein, d.h. es ist nicht erforderlich, dass das Reinigungsgas senkrecht auf die optische Oberfläche auftrifft. Die Ausrichtung unter einem Winkel zur optischen Oberfläche ist typischer Weise günstig, um die Vorrichtung außerhalb des Strahlengangs der EUV-Lithographieanlage anordnen zu können. Es ist ggf. auch möglich, die Vorrichtung in der Vakuum-Kammer zu bewegen, beispielsweise in den Strahlengang zu verschieben, um die Reinigung während einer Betriebspause der Projektionsbelichtungsanlage durchführen zu können.In a further development, the gas outlet is aligned with the center of the optical surface or on the edge of the optical surface. In the first case, the cleaning gas impinges in the center on the optical surface and flows over the optical surface from the center to the edge. In the second case, the cleaning gas typically flows over the optical surface from the edge to the center of the optical surface or to the opposite side of the edge of the optical surface. In either case, the gas outlet, more specifically a normal direction of the gas outlet, may be oriented at an angle to the normal direction of the optical surface, i. it is not necessary that the cleaning gas impinge perpendicular to the optical surface. The orientation at an angle to the optical surface is typically favorable in order to be able to arrange the device outside the beam path of the EUV lithography system. It may also be possible to move the device in the vacuum chamber, for example to move it into the beam path, in order to be able to carry out the cleaning during a break in operation of the projection exposure apparatus.

Bei einer weiteren Weiterbildung ist das Heizelement außerhalb einer Sichtlinie zwischen dem Gasauslass und der optischen Oberfläche angeordnet. Aus thermischen Gründen ist es ggf. günstig, wenn keine direkte Sichtlinie zwischen dem Heizelement und der zu reinigenden optischen Oberfläche besteht, da auf diese Weise der Wärmetransport durch Wärmestrahlung des Heizelements zur optischen Oberfläche reduziert werden kann und eine Schädigung des optischen Elements, insbesondere einer dort aufgebrachten reflektierenden Beschichtung, und/oder thermisch bedingte Deformationen des optischen Elements verhindert werden können. Zur Vermeidung einer direkten Sichtlinie zwischen dem Heizelement und der optischen Oberfläche kann die weiter oben beschriebene Abschirmung verwendet werden. Gegebenenfalls kann auch eine zusätzliche Abschirmung in der Kammer angeordnet werden, welche das Heizelement von der optischen Oberfläche abschirmt, beispielsweise wenn die Abschirmung für das Heizelement eine oder mehrere Öffnungen aufweist. Es versteht sich, dass auch durch eine geeignete Auslegung des Gehäuses, d.h. durch eine geeignete relative Lage des Gasauslasses und des Heizelements relativ zueinander bzw. zum Gehäuse verhindert werden kann, dass das Heizelement in einer Sichtlinie zur optischen Oberfläche angeordnet ist.In a further development, the heating element is arranged outside a line of sight between the gas outlet and the optical surface. For thermal reasons, it may be favorable if there is no direct line of sight between the heating element and the optical surface to be cleaned, since in this way the heat transfer can be reduced by thermal radiation of the heating element to the optical surface and damage to the optical element, in particular one there applied reflective coating, and / or thermally induced deformations of the optical element can be prevented. To avoid a direct line of sight between the heating element and the optical surface, the shield described above can be used. Optionally, an additional shield may also be disposed in the chamber which shields the heating element from the optical surface, for example when the heater shield has one or more openings. It is understood that by a suitable design of the housing, ie by a suitable relative position of the gas outlet and the heating element relative to each other or the housing can be prevented that the heating element is arranged in a line of sight to the optical surface.

Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst die Projektionsbelichtungsanlage eine Schutzgaszuführungseinrichtung mit mindestens einem Gasauslass zur Zuführung eines Schutzgases in das Vakuum-Gehäuse. Bei dem Schutzgas handelt es sich typischer Weise um ein inertes Gas, beispielsweise um Stickstoff oder um Edelgase, z.B. Argon, Helium, oder Mischungen derselben, d.h. um dieselben Gasarten wie bei dem Trägergas. Das Schutzgas wird in das Gehäuse zugeführt, um das Reinigungsgas bzw. den Reinigungsgasstrom von anderen Komponenten in dem Vakuum-Gehäuse zu isolieren. Das Schutzgas erfüllt daher eine ähnliche Funktion wie beim Schutzgasschweißen, beispielsweise beim Metall-Inertgasschweißen oder beim Wolfram-Inertgasschweißen.In a further embodiment, the projection exposure apparatus comprises a protective gas supply device with at least one gas outlet for supplying a protective gas into the vacuum housing. The shielding gas is typically an inert gas, for example nitrogen or noble gases, e.g. Argon, helium, or mixtures thereof, i. around the same types of gas as the carrier gas. The shielding gas is supplied into the housing to isolate the purge gas and the purge gas stream from other components in the vacuum housing. The shielding gas therefore performs a similar function to inert gas welding, for example in metal inert gas welding or in tungsten inert gas welding.

Die Absaugeinrichtung, genauer gesagt die Öffnungen von Gaseinlässen der Absaugeinrichtung, sind in der Regel in der Nähe der optischen Oberfläche angeordnet. Auch die Gasauslässe der Schutzgaszuführungseinrichtung sind in der Regel in der Nähe der optischen Oberfläche sowie in der Regel in der Nähe der Gaseinlässe der Absaugeinrichtung angeordnet.The suction device, more specifically the openings of gas inlets of the suction device, are usually arranged in the vicinity of the optical surface. The gas outlets of the protective gas supply device are usually arranged in the vicinity of the optical surface and usually in the vicinity of the gas inlets of the suction device.

Bei einer Weiterbildung ist die Schutzgaszuführungseinrichtung zum Austritt von Schutzgas aus dem mindestens einen Gasauslass ausgebildet, das aus dem Gasauslass der Vorrichtung austretende Reinigungsgas, genauer gesagt dessen Querschnitt, zumindest teilweise, insbesondere vollständig (d.h. um 360°) umgibt bzw. umhüllt. Auf diese Weise kann durch das Schutzgas der Bereich, in dem das Reinigungsgas auf Komponenten in der Vakuum-Kammer auftrifft, begrenzt werden. Insbesondere kann durch eine geeignet ausgebildete Schutzgaszuführungseinrichtung bzw. durch das Schutzgas verhindert werden, dass das Reinigungsgas auch nicht optisch wirksame Oberflächen überströmt. Um dies zu erreichen ist es günstig, aber nicht zwingend erforderlich, wenn das Schutzgas das Reinigungsgas entlang der gesamten Strecke zwischen dem Gasauslass der Vorrichtung und der optischen Oberfläche insbesondere ringförmig umgibt. Es kann vielmehr ausreichend sein, wenn das Schutzgas nur in der Nähe der optischen Oberfläche das Reinigungsgas bzw. den Reinigungsgasstrom umgibt bzw. umhüllt. Wie weiter oben beschrieben wurde, kann das Schutzgas gemeinsam mit dem Reinigungsgas sowie ggf. mit von diesem mitgeführten Kontaminationen durch die Absaugeinrichtung aus dem Gehäuse abgesaugt werden.In a further development, the inert gas supply device is designed to discharge inert gas from the at least one gas outlet, which surrounds or wraps, at least partially, in particular completely, (i.e., 360 °) the cleaning gas exiting from the gas outlet of the device. In this way, can be limited by the shielding gas, the area in which the cleaning gas impinges on components in the vacuum chamber. In particular, it can be prevented by a suitably designed protective gas supply device or by the protective gas, that the cleaning gas does not overflow also optically effective surfaces. In order to achieve this, it is favorable, but not absolutely necessary, for the protective gas to surround the cleaning gas in particular annularly along the entire distance between the gas outlet of the device and the optical surface. Rather, it may be sufficient if the protective gas surrounds or encloses the cleaning gas or the cleaning gas stream only in the vicinity of the optical surface. As has been described above, the protective gas can be sucked out of the housing together with the cleaning gas and, if appropriate, with contaminants carried by it through the suction device.

Bei einer Weiterbildung ist die Schutzgaszuführungseinrichtung ausgebildet, einen Auftreffbereich des Reinigungsgases in dem Gehäuse auf die optische Oberfläche zu begrenzen. Unter dem Auftreffbereich wird derjenige Bereich in dem Gehäuse verstanden, in dem das Reinigungsgas auf in dem Gehäuse vorhandene Komponenten auftrifft. Durch das Spülgas kann dieser Auftreffbereich auf die optische Oberfläche begrenzt werden. Das Spülgas kann das Reinigungsgas hierbei insbesondere auf eine solche Weise umhüllen, dass auch ein Bereich an der Oberfläche des optischen Elements, der benachbart zu der optischen Oberfläche angeordnet ist und der diese typischer Weise ringförmig umgibt, nicht zum Auftreffbereich gehört und somit nicht mit dem Reinigungsgas in Kontakt kommt.In a development, the protective gas supply device is designed to limit an impact area of the cleaning gas in the housing to the optical surface. The impingement region is understood to mean that region in the housing in which the cleaning gas impinges on components present in the housing. The flushing gas can limit this impact area to the optical surface. The purge gas may in particular envelop the purge gas in such a way that a region on the surface of the optical element which is adjacent to the optical surface and which typically surrounds it annularly does not belong to the impingement region and thus not with the purge gas comes into contact.

Durch die Begrenzung des Volumenbereichs in dem Vakuum-Gehäuse, welches von dem Reinigungsgas durchströmt wird und insbesondere durch eine vollständige Isolierung des von dem Reinigungsgas durchströmten Volumens vom Rest des Innenraums des Vakuum-Gehäuses mit Hilfe des Spülgases kann auch die Wahrscheinlichkeit von Knallgas-Explosionen deutlich reduziert werden, die ggf. auftreten können, wenn das Reinigungsgas, insbesondere in Form von atomarem Wasserstoff, mit in das Vakuum-Gehäuse ungewollt, z.B. über ein Leck, einströmendem Sauerstoff reagiert. Eine solche Reaktion wird durch die im Bereich des Heizelements auftretenden hohen Temperaturen begünstigt und die Wahrscheinlichkeit einer solchen Reaktion kann insbesondere auch durch die Verwendung eines Trägergases reduziert werden.By limiting the volume range in the vacuum housing, which is flowed through by the cleaning gas and in particular by a complete isolation of the volume flowed through by the cleaning gas from the rest of the interior of the vacuum housing by means of the purge gas and the probability of explosive gas explosions clearly be reduced, which may possibly occur when the cleaning gas, in particular in the form of atomic hydrogen, with in the vacuum housing unintentionally, eg responds via a leak, incoming oxygen. Such a reaction is favored by the high temperatures occurring in the region of the heating element and the probability of such a reaction can be reduced in particular also by the use of a carrier gas.

Durch die Zuführung des Schutzgases und/oder die Verwendung eines Trägergases können daher Gesundheits- und Sicherheitsrisiken durch den in der Projektionsbelichtungsanlage vorhandenen Wasserstoff verringert werden. Zudem kann ggf. durch die Verwendung eines (inerten) Trägergases und/oder einer lokalen Absaugung nach dem Reinigen ein Spülen eines Teils oder der gesamten Projektionsbelichtungsanlage erfolgen, was die Geschwindigkeit bei der Rückkehr zur Betriebstemperatur und zu den üblichen Umgebungsbedingungen in der Projektionsbelichtungsanlage nach der Reinigung erhöht.By supplying the protective gas and / or the use of a carrier gas, therefore, health and safety risks can be reduced by the hydrogen present in the projection exposure apparatus. In addition, if necessary, the use of an (inert) carrier gas and / or a local exhaust after cleaning can rinse a part or the entire projection exposure apparatus, which means the speed at the return to the operating temperature and the usual ambient conditions in the projection exposure apparatus after cleaning elevated.

Zusätzlich oder alternativ zur Verwendung eines Kühlelements in der weiter oben beschriebenen Vorrichtung kann es günstig sein, eines oder mehrere Kühlelemente in dem Vakuum-Gehäuse anzuordnen, um das Reinigungsgas bzw. dessen Umgebung abzukühlen und auf diese Weise die Wahrscheinlichkeit für eine Knallgas-Explosion zu reduzieren. Als Kühlelemente können Kühlkörper verwendet werden, die von einem Fluid (einer Flüssigkeit, einem Gas, oder einer Kombination aus beiden) durchströmt werden. Auch kann ein kühlendes Fluid verwendet werden, um direkt das Reinigungsgas bzw. die Umgebung des Reinigungsgases zu kühlen. Beispielsweise kann das Spülgas der Spülgaszuführungseinrichtung und/oder ein Trägergas, welches dem Reinigungsgas am Gasauslass der Kammer zugeführt wird, vorgekühlt werden und auf diese Weise die Temperatur des Reinigungsgases senken. Insgesamt ist es günstig, aufgrund der weiter oben beschriebenen Problematik den Fluss des Reinigungsgases in der Projektionsbelichtungsanlage möglichst zu minimieren.In addition or alternatively to the use of a cooling element in the device described above, it may be beneficial to arrange one or more cooling elements in the vacuum housing to cool the cleaning gas or its environment and thus reduce the likelihood of a detonating gas explosion , As cooling elements, heat sinks can be used which are flowed through by a fluid (a liquid, a gas, or a combination of both). Also, a cooling fluid may be used to directly cool the cleaning gas or the environment of the cleaning gas. For example, the purge gas of the Purging gas supply means and / or a carrier gas which is supplied to the cleaning gas at the gas outlet of the chamber, are pre-cooled and lower in this way the temperature of the cleaning gas. Overall, it is favorable to minimize the flow of the cleaning gas in the projection exposure system as far as possible on account of the problem described above.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche eines optischen Elements einer Projektionsbelichtungsanlage, welche wie weiter oben beschrieben ausgebildet ist, umfassend: Erzeugen von Reinigungsgas mittels einer Vorrichtung, welche wie weiter oben beschrieben ausgebildet ist, Überströmen der optischen Oberfläche mit dem Reinigungsgas, sowie Absaugen des Reinigungsgases durch die Absaugeinrichtung. Es versteht sich, dass das Überströmen der Oberfläche und das Absaugen des Reinigungsgases zeitlich parallel erfolgen können, um zu verhindern, dass das Reinigungsgas ungewollt mit in dem Vakuum-Gehäuse angeordneten Oberflächen in Kontakt kommt.The invention also relates to a method for cleaning an optical surface of an optical element of a projection exposure apparatus, which is designed as described above, comprising: generating cleaning gas by means of a device which is designed as described above, overflowing the optical surface with the cleaning gas, and suction of the cleaning gas through the suction device. It is understood that the overflow of the surface and the suction of the cleaning gas can be carried out in parallel in time to prevent the cleaning gas unintentionally comes into contact with arranged in the vacuum housing surfaces.

Bei einer vorteilhaften Variante wird vor dem Überströmen der optischen Oberfläche mit dem Reinigungsgas die Schutzgaszuführungseinrichtung zum Austritt des Schutzgases aktiviert. Wie weiter oben beschrieben wurde, kann auf diese Weise die Umgebung der optischen Oberfläche von dem Reinigungsgas isoliert werden, so dass durch das Reinigen ggf. hervorgerufene Kontaminationen verhindert werden können.In an advantageous variant, before the overflow of the optical surface with the cleaning gas, the inert gas supply device is activated to exit the protective gas. As described above, in this way, the environment of the optical surface can be isolated from the cleaning gas, so that any contamination caused by the cleaning can be prevented.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.Further features and advantages of the invention will become apparent from the following description of embodiments of the invention, with reference to the figures of the drawing, which show details essential to the invention, and from the claims. The individual features can be realized individually for themselves or for several in any combination in a variant of the invention.

Zeichnungdrawing

Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigtEmbodiments are illustrated in the schematic drawing and will be explained in the following description. It shows

1a, b schematische Darstellungen einer Vorrichtung zur Erzeugung eines Reinigungsgases mit einer Kammer und mit einem Heizelement, das durch eine Abschirmung von einem Innenraum der Kammer getrennt ist, 1a , b schematic representations of a device for generating a cleaning gas with a chamber and with a heating element which is separated by a shield from an interior of the chamber,

2a–c schematische Darstellungen von Heizelementen, die an der Außenseite der Kammer angebracht sind, 2a -C schematic representations of heating elements mounted on the outside of the chamber,

3 eine schematische Darstellung eines Vakuum-Gehäuses mit einem optischen Element und mit einer Vorrichtung gemäß 1a zur Reinigung einer optischen Oberfläche des optischen Elements, 3 a schematic representation of a vacuum housing with an optical element and with a device according to 1a for cleaning an optical surface of the optical element,

4 eine schematische Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie 4 a schematic representation of a projection exposure system for EUV lithography, as well

5a, b zwei schematische Darstellungen einer Vorrichtung gemäß 1a sowie einer Schutzgaszuführungseinrichtung zur Zuführung von Schutzgas, welches das aus der Vorrichtung austretende Reinigungsgas umgibt bzw. einhüllt. 5a , b two schematic representations of a device according to 1a and a protective gas supply device for supplying protective gas, which surrounds or envelops the cleaning gas emerging from the device.

In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen werden für gleiche bzw. funktionsgleiche Bauteile identische Bezugszeichen verwendet.In the following description of the drawings, identical reference numerals are used for identical or functionally identical components.

In 1a ist schematisch ein Schnitt durch eine Vorrichtung 1 in Form eines Reinigungskopfs gezeigt, die zur Erzeugung eines Reinigungsgases 2 ausgebildet ist. Die Vorrichtung 1 weist ein Gehäuse 3 auf, in dem eine (kreis-)zylindrische Kammer 4 mit einem Innenraum 4a gebildet ist, die einen Gaseinlass 5 und einen Gasauslass 6 aufweist. Im Folgenden wird unter der Kammer 4 die Kammerwand, genauer gesagt die dem Innenraum 4a zugewandte Innenwand verstanden. Über den Gaseinlass 5 wird der Kammer 4, genauer gesagt dem Innenraum 4a der Kammer 4, ein Gas 7 zugeführt, bei dem es sich im gezeigten Beispiel um molekularen Wasserstoff handelt. Das der Kammer 4 zugeführte Gas 7 strömt in der Kammer 4 vom Gaseinlass 5 zum Gasauslass 6 und wird hierbei aktiviert, d.h. in ein Reinigungsgas 7 umgewandelt, bei dem es sich im gezeigten Beispiel um atomarem Wasserstoff H• handelt. Zur Erzeugung des Reinigungsgases 2 in Form von atomarem Wasserstoff H• bzw. zur Umwandlung des der Kammer 4 in Form von molekularem Wasserstoff zugeführten Gases 7 wird dieses mit Hilfe von Heizelementen 8 auf eine Temperatur von mehr als 1300°C, ggf. auf eine Temperatur von mehr als 1800°C erhitzt.In 1a is a schematic section through a device 1 shown in the form of a cleaning head, which is used to generate a cleaning gas 2 is trained. The device 1 has a housing 3 in which a (circular) cylindrical chamber 4 with an interior 4a is formed, which has a gas inlet 5 and a gas outlet 6 having. The following will be under the chamber 4 the chamber wall, more precisely, the interior 4a facing inner wall understood. About the gas inlet 5 becomes the chamber 4 more precisely, the interior 4a the chamber 4 , a gas 7 fed, which is in the example shown to molecular hydrogen. The chamber 4 supplied gas 7 flows in the chamber 4 from the gas inlet 5 to the gas outlet 6 and is activated in this case, ie in a cleaning gas 7 which, in the example shown, is atomic hydrogen H •. For generating the cleaning gas 2 in the form of atomic hydrogen H • or for the conversion of the chamber 4 in the form of molecular hydrogen supplied gas 7 This is done with the help of heating elements 8th heated to a temperature of more than 1300 ° C, optionally to a temperature of more than 1800 ° C.

Bei dem in 1a gezeigten Beispiel weist das Gehäuse 3 der Vorrichtung 1 entlang einer Zylinderachse 9 der Kammer 4 einen ersten axialen Gehäuseabschnitt 3a und einen zweiten axialen Gehäuseabschnitt 3b auf. Der erste Gehäuseabschnitt 3a ist benachbart zum Gaseinlass 5 und der zweite Gehäuseabschnitt 3b ist benachbart zum Gasauslass 6 angeordnet. Die Heizelemente 8 erstrecken sich nur entlang des ersten axialen Gehäuseabschnitts 3a.At the in 1a The example shown has the housing 3 the device 1 along a cylinder axis 9 the chamber 4 a first axial housing portion 3a and a second axial housing portion 3b on. The first housing section 3a is adjacent to the gas inlet 5 and the second housing section 3b is adjacent to the gas outlet 6 arranged. The heating elements 8th extend only along the first axial housing portion 3a ,

Im gezeigten Beispiel sind die Heizelemente 8 als Heizstäbe ausgebildet, welche entlang des Umfangs der zylindrischen Kammer 4 angeordnet sind und welche die Kammer 4 jeweils nur teilweise, d.h. in einem jeweiligen Winkelbereich in Umfangsrichtung, umgeben. Die Gesamtheit der Heizelemente 8 umgibt die Kammer 4 in dem ersten Gehäuseabschnitt 3a jedoch im Wesentlichen vollständig und ermöglicht es, das der Kammer 4 bzw. dem Innenraum 4a zugeführte Gas 7 so stark zu erhitzen, dass die Umwandlung in das Reinigungsgas 2 erfolgen kann.In the example shown, the heating elements 8th formed as heating rods, which along the circumference of the cylindrical chamber 4 are arranged and which the chamber 4 each only partially, ie in a respective angular range in the circumferential direction, surrounded. The entirety of the heating elements 8th surround the chamber 4 in the first housing section 3a however, essentially completely and allows that of the chamber 4 or the interior 4a supplied gas 7 to heat so much that the conversion into the cleaning gas 2 can be done.

Bei dem in 1a gezeigten Beispiel sind die Heizelemente 8 außerhalb des zylindrischen Innenraums 4a der Kammer 4 angeordnet und durch eine Abschirmung 10 gasdicht von dem Innenraum 4a der Kammer 4 getrennt. Auf diese Weise kommen die Heizelemente 8 nicht mit dem der Kammer 4 zugeführten Gas 7 bzw. dem in der Kammer 4 gebildeten Reinigungsgas 2 in Kontakt, sodass keine Reaktion der typischer Weise metallischen äußeren Oberfläche der Heizelemente 8 mit dem Gas 7 bzw. mit dem Reinigungsgas 2 erfolgen kann.At the in 1a example shown are the heating elements 8th outside the cylindrical interior 4a the chamber 4 arranged and through a shield 10 gas-tight from the interior 4a the chamber 4 separated. In this way, the heating elements come 8th not with the chamber 4 supplied gas 7 or in the chamber 4 formed cleaning gas 2 in contact, so no reaction of the typical way metallic outer surface of the heating elements 8th with the gas 7 or with the cleaning gas 2 can be done.

Die Abschirmung 10 ist typischer Weise aus einem nichtmetallischen Material gebildet oder weist zumindest an ihrer dem Innenraum 4a der Kammer 4 zugewandten Seite ein nichtmetallisches Material auf. Bei dem nichtmetallischen Material handelt es sich im gezeigten Beispiel um Quarzglas (SiO2). Die Abschirmung 10 kann aber auch aus einem anderen nicht metallischen Material gebildet sein bzw. ein anderes nichtmetallisches Material enthalten, welches insbesondere ausgewählt sein kann aus der Gruppe umfassend: Silizium, Silikate, Glimmer, Carbide, Graphit, Metalloxide, Aluminiumoxid und Keramik.The shield 10 is typically formed of a non-metallic material or has at least at its the interior 4a the chamber 4 facing side on a non-metallic material. The non-metallic material in the example shown is quartz glass (SiO 2 ). The shield 10 but may also be formed from another non-metallic material or contain another non-metallic material, which may in particular be selected from the group comprising: silicon, silicates, mica, carbides, graphite, metal oxides, alumina and ceramics.

Die Abschirmung 10 ist selbsttragend und umgibt im gezeigten Beispiel den Innenraum 4a der Kammer 4 entlang der Zylinderachse 9 sowohl in dem ersten Gehäuseabschnitt 3a als auch in dem zweiten Gehäuseabschnitt 3b vollständig ringförmig. Im gezeigten Beispiel wird der Innenraum 4a der Kammer 4 von der Innenseite der Abschirmung 10 begrenzt bzw. die Kammer 4 wird durch die Abschirmung 10 bzw. durch die Innenwand der Abschirmung 10 gebildet. Die Abschirmung 10 weist am Übergang zwischen dem ersten axialen Gehäuseabschnitt 3a und dem zweiten axialen Gehäuseabschnitt 3b einen in radialer Richtung nach außen überstehenden Kragen auf. Die Abschirmung 10 grenzt an ihrer Außenseite an den radial außen liegenden zweiten axialen Gehäuseabschnitt 3b an bzw. ist mit diesem verbunden. Es ist aber ggf. ebenfalls möglich, die Abschirmung 10 auf den ersten axialen Gehäuseabschnitt 3a zu begrenzen, so dass die Kammer 4 in dem zweiten axialen Gehäuseabschnitt 3b vom Gehäuse 3 selbst, genauer gesagt von dessen Innenseite gebildet wird. Das Gehäuse 3 ist in der Regel aus einem metallischen Material, beispielsweise aus Edelstahl, gebildet. Daher kann das Gehäuse 3 in dem zweiten axialen Gehäuseabschnitt 3b an seiner Innenseite mit einer nichtmetallischen Beschichtung versehen sein, welche gegenüber Reaktionen mit dem Reinigungsgas 2 inert oder quasi-inert ist. Typischer Weise ist es jedoch günstiger, die gesamte Kammer 4 mit der Abschirmung 10 aus einem nicht metallischen Material zu umgeben bzw. die Kammer 4 als Ganzes durch die Innenwand der Abschirmung 10 zu bilden.The shield 10 is self-supporting and surrounds the interior in the example shown 4a the chamber 4 along the cylinder axis 9 both in the first housing section 3a as well as in the second housing section 3b completely ring-shaped. In the example shown, the interior 4a the chamber 4 from the inside of the shield 10 limited or the chamber 4 is through the shield 10 or through the inner wall of the shield 10 educated. The shield 10 indicates at the transition between the first axial housing portion 3a and the second axial housing portion 3b a radially outwardly projecting collar on. The shield 10 on its outer side adjoins the radially outer second axial housing section 3b on or is connected to this. But it is also possible, if necessary, the shield 10 on the first axial housing section 3a limit, so the chamber 4 in the second axial housing section 3b from the case 3 itself, more precisely from its inside is formed. The housing 3 is usually formed of a metallic material, such as stainless steel. Therefore, the housing can 3 in the second axial housing section 3b be provided on its inside with a non-metallic coating, which against reactions with the cleaning gas 2 inert or quasi-inert. Typically, however, it is more convenient to use the entire chamber 4 with the shield 10 surrounded by a non-metallic material or the chamber 4 as a whole through the inner wall of the shield 10 to build.

In dem zweiten Gehäuseabschnitt 3b des Gehäuses 3 ist ein Kühlelement 11 in Form von mit einem Kühlfluid, d.h. einer Flüssigkeit, einem Gas oder einer Mischung derselben, durchströmten Kühlkanälen gebildet, um die von dem Kühlfluid aufgenommene Wärme von der Vorrichtung 1 abzutransportieren. Das Kühlelement 11 dient dazu, den Innenraum 4a der Kammer 4 in dem zweiten Gehäuseabschnitt 3b zu kühlen und auf diese Weise die Temperatur des aus dem Gasauslass 6 austretenden Reinigungsgases 2 zu reduzieren. Das Gehäuse 3, welches in dem ersten axialen Gehäuseabschnitt 3a außen an die Heizelemente 8 angrenzt, dient im gezeigten Beispiel als Wärmeabschirmung, da an dessen Außenseite typischer Weise eine geringere Temperatur herrscht als an der den Heizelementen 8 zugewandten Innenseite des Gehäuses 3.In the second housing section 3b of the housing 3 is a cooling element 11 in the form of with a cooling fluid, that is, a liquid, a gas or a mixture thereof, flowed through cooling channels to the heat absorbed by the cooling fluid from the device 1 evacuate. The cooling element 11 serves the interior 4a the chamber 4 in the second housing section 3b to cool and in this way the temperature of the gas outlet 6 exiting cleaning gas 2 to reduce. The housing 3 which is in the first axial housing section 3a outside to the heating elements 8th adjacent, serves in the example shown as a heat shield, since on the outside typically a lower temperature prevails than at the heating elements 8th facing inside of the housing 3 ,

Im gezeigten Beispiel handelt es sich bei einem jeweiligen Heizelement 8 um ein stabförmiges Widerstands-Heizelement, welches einen von einem Strom durchflossenen Heizdraht aufweist, der von einer Isolation umgeben ist, auf der eine metallische Hülse, z.B. aus Edelstahl, aufgebracht ist. Die Oberfläche der metallischen Hülse steht mit der Außenseite der Abschirmung 10 in Kontakt, um durch Konduktion Wärme an die Abschirmung 10 zu übertagen. Bei dem Material des Heizelements 8, welches vom Strom durchflossen wird, handelt es sich im gezeigten Beispiel um ein metallisches Material, das hohen Temperaturen standhält, beispielsweise um Wolfram, Tantal, oder Molybdän. Bei dem Heizelement 8 kann es sich um einen Filament (d.h. um einen (dünnen) Heizdraht) handeln, der ggf. in Form einer Spule ausgebildet (d.h. gewickelt) sein kann. Bei dem Heizelement 8 kann es sich aber auch um einen (zylindrischen) Stab oder um einen (rechteckigen bzw. quaderförmigen) Streifen handeln. Das Heizelement 8 kann aber auch eine kompliziertere Geometrie aufweisen.In the example shown, it is a respective heating element 8th a rod-shaped resistance heating element, which has a current flowing through a heating wire, which is surrounded by an insulation, on which a metallic sleeve, for example made of stainless steel, is applied. The surface of the metallic sleeve is in contact with the outside of the shield 10 in contact to heat by conduction to the shield 10 to transmit. In the material of the heating element 8th , which is traversed by the current, it is in the example shown, a metallic material that can withstand high temperatures, such as tungsten, tantalum, or molybdenum. At the heating element 8th it may be a filament (ie, a (thin) heating wire), which may be formed (ie, wound) in the form of a coil. At the heating element 8th but it can also be a (cylindrical) rod or a (rectangular or cuboid) strip. The heating element 8th but may also have a more complicated geometry.

Neben metallsichen Materialien können zur Herstellung des Heizelements 8 auch Halbleiter verwendet werden, beispielsweise (ggf. dotiertes) Silizium oder andere Halbleiter-Materialien, beispielsweise Siliziumcarbid, welches einen besonders hohen Schmelzpunkt aufweist. Ein aus einem Halbleiter-Material gebildetes Heizelement 8 in Form einer Spule ist typischer Weise schwierig herzustellen, so dass ein solches Heizelement 8 häufig in Form eines Streifens oder eines Stabes oder ggf. als (in der Regel nicht gewickelter) Draht ausgebildet ist. Bei dem Heizelement 8 aus dem Halbleiter-Material kann es sich beispielsweise um einen Streifen eines (dotierten) Silizium-Wafers oder um einen mit Bor dotierten Siliziumstab handeln.In addition to metallic materials may be used to make the heating element 8th Semiconductors are also used, for example (possibly doped) silicon or other semiconductor materials, for example silicon carbide, which has a particularly high melting point. A heating element formed of a semiconductor material 8th in the form of a coil is typically difficult to manufacture, so that such a heating element 8th often in the form of a strip or a bar or possibly as (usually not wound) wire is formed. At the heating element 8th the semiconductor material may be, for example, a strip of a (doped) silicon wafer or a boron-doped silicon rod.

Zusätzlich oder alternativ zu einer Wärmeübertragung durch direkten Kontakt zwischen dem Heizelement 8 und der Abschirmung 10 kann eine Wärmeübertragung auf die Abschirmung 10 bzw. auf das Gas 7 auch durch Wärmestrahlung erfolgen. In diesem Fall dient das Heizelement 8, welches beispielsweise als Filament ausgebildet ist und nicht mit der Abschirmung 10 in Kontakt steht, zur Abgabe von infraroter Strahlung (Wärmestrahlung). In diesem Fall ist es günstig, wenn die Abschirmung 10 aus einem für die von dem Heizelement 8 abgegebene Strahlung transparenten Material gebildet ist, beispielsweise aus Quarzglas. Additionally or alternatively, a heat transfer by direct contact between the heating element 8th and the shield 10 can transfer heat to the shield 10 or on the gas 7 also done by heat radiation. In this case, the heating element serves 8th , which is formed for example as a filament and not with the shield 10 in contact, for the delivery of infrared radiation (heat radiation). In this case it is favorable if the shielding 10 from one for the one from the heating element 8th emitted radiation is formed transparent material, such as quartz glass.

Weist die Abschirmung 10 anders als in 1a gezeigt ist Öffnungen auf, so dass das Heizelement 8 nicht gasdicht von dem Innenraum 4a der Kammer 4 getrennt ist, kann der Wärmetransport ggf. auch mittels eines inerten (Träger-)gases erfolgen, welches über einen zusätzlichen Gaseinlass in die Vorrichtung 1 eingeleitet wird und welches an dem Heizelement 8 entlang geführt wird, bevor dieses durch die Öffnungen in der Abschirmung 10 in den Innenraum 4a der Kammer 4 eintritt.Indicates the shielding 10 unlike in 1a shown is openings on, leaving the heating element 8th not gas-tight from the interior 4a the chamber 4 is separated, the heat transport may possibly also be effected by means of an inert (carrier) gases, which via an additional gas inlet into the device 1 is introduced and which on the heating element 8th passed along before this through the openings in the shield 10 in the interior 4a the chamber 4 entry.

Die Zuführung eines inerten Trägergases 12, bei dem es sich typischer Weise um Stickstoff oder um ein Edelgas, z.B. um Argon oder um Helium, handelt, kann auch vor dem Eintritt des Gases 7 in die Kammer 4 erfolgen. Zu diesem Zweck kann das Trägergas 12 dem zu aktivierenden Gas 7 in einer Trägergas-Zuführungseinrichtung 13a beigemischt werden, welche dem Gaseinlass 4 vorgeschaltet ist, wie dies in 1b dargestellt ist. Die Trägergas-Zuführungseinrichtung 13a weist eine Leitung zur Zuführung des Trägergases 12 auf, die in einer weiteren Leitung mündet, durch die das zu aktivierende Gas 7 der Kammer 4 zugeführt wird. Eine entsprechend ausgebildete zweite Trägergas-Zuführungseinrichtung 13b ist dem Gasauslass 6 der Kammer 4 nachgeschaltet und dient zur Beimischung von weiterem Trägergas 12 zu dem Reinigungsgas 2. Es versteht sich, dass für die Zuführung des Trägergases 12 ggf. eine der beiden Trägergas-Zuführungseinrichtungen 13a, 13b ausreichend ist.The supply of an inert carrier gas 12 , which is typically nitrogen or a noble gas, eg, argon or helium, may also be present prior to entry of the gas 7 in the chamber 4 respectively. For this purpose, the carrier gas 12 the gas to be activated 7 in a carrier gas supply device 13a admixed to the gas inlet 4 is upstream, as in 1b is shown. The carrier gas supply device 13a has a conduit for supplying the carrier gas 12 on, which opens in another line through which the gas to be activated 7 the chamber 4 is supplied. A correspondingly formed second carrier gas supply device 13b is the gas outlet 6 the chamber 4 downstream and serves to admix further carrier gas 12 to the cleaning gas 2 , It is understood that for the supply of the carrier gas 12 optionally one of the two carrier gas supply devices 13a . 13b is sufficient.

Bei dem in 1b gezeigten Beispiel weist das Gehäuse 3 einen ersten, inneren Gehäuseabschnitt 3a auf, der vollständig von einem zweiten, radial sowie axial äußeren Gehäuseabschnitt 3b umgeben ist. Der zweite Gehäuseabschnitt 3b besteht aus einem metallischen Material, z.B. aus Edelstahl, in das ein Kühlelement 11 mit von einem Fluid durchflossenen Kühlkanälen eingebettet ist. In dem ersten Gehäuseabschnitt 3a sind die Heizelemente 8 angeordnet, welche außerhalb der im gezeigten Beispiel quaderförmig ausgebildeten Kammer 4 angeordnet sind und welche sich in Richtung der Längsachse 9 der Kammer 4 erstrecken. Die Kammer 4 wird auch in diesem Beispiel durch die Innenwand einer selbsttragenden Abschirmung 10 gebildet, welche den Innenraum 4a der Kammer 4 vollständig umgibt. Durch den zweiten Gehäuseabschnitt 3b mit dem Kühlelement 11 wird verhindert, dass die Vorrichtung 1 über die Heizelemente 8 Wärme an die Umgebung abgibt.At the in 1b The example shown has the housing 3 a first, inner housing portion 3a completely on a second, radially and axially outer housing portion 3b is surrounded. The second housing section 3b consists of a metallic material, such as stainless steel, in which a cooling element 11 is embedded with traversed by a fluid cooling channels. In the first housing section 3a are the heating elements 8th arranged, which outside of the cuboid in the example shown chamber 4 are arranged and which are in the direction of the longitudinal axis 9 the chamber 4 extend. The chamber 4 is also in this example through the inner wall of a self-supporting shield 10 formed the interior 4a the chamber 4 completely surrounds. Through the second housing section 3b with the cooling element 11 will prevent the device 1 over the heating elements 8th Gives off heat to the environment.

Für die Anordnung der Heizelemente 8 außerhalb des Innenraums 4a der Kammer 4 bestehen verschiedene Möglichkeiten, von denen beispielhaft in 2a–c drei Möglichkeiten dargestellt sind: In 2a sind zwei Heizelemente 8 hintereinander in Längsrichtung entlang der röhrenförmigen Kammer 4 bzw. der Abschirmung 10 angeordnet. In Umfangsrichtung der Kammer 4 sind fünf weitere Paare von Heizelementen 8 verteilt, die in 2a nicht bildlich dargestellt sind. Bei der in 2a gezeigten Darstellung sind die Heizelemente 8 jeweils einzeln mit einer Spannungsquelle verbunden, so dass der Stromfluss und damit die Temperatur jedes Heizelements 8 individuell eingestellt werden kann. Auf diese Weise kann ggf. ein Temperaturgradient zwischen unterschiedlichen Abschnitten in Längsrichtung der Kammer 4 erzeugt werden.For the arrangement of the heating elements 8th outside the interior 4a the chamber 4 exist various possibilities, of which exemplarily in 2a -C three possibilities are shown: In 2a are two heating elements 8th in a row longitudinally along the tubular chamber 4 or the shield 10 arranged. In the circumferential direction of the chamber 4 are five more pairs of heating elements 8th distributed in 2a not depicted. At the in 2a shown illustration are the heating elements 8th each individually connected to a voltage source, so that the current flow and thus the temperature of each heating element 8th can be adjusted individually. In this way, if necessary, a temperature gradient between different sections in the longitudinal direction of the chamber 4 be generated.

Bei der in 2b gezeigten Anordnung verlaufen die Heizelemente 8 entlang der gesamten Längsseite der rechteckigen Kammer 4. Bei der in 2b gezeigten Anordnung kann daher typischer Weise lediglich der Stromfluss der Heizelemente 8 an unterschiedlichen Seiten der Kammer 4 individuell eingestellt werden. Bei der in 2c dargestellten Anordnung verlaufen die einzelnen Heizelemente 8 bzw. Heizdrähte hingegen in Umfangsrichtung entlang der röhrenförmigen Kammer 4 und werden individuell elektrisch kontaktiert, so dass deren Temperatur ebenfalls individuell einstellbar ist. Bei den in 2a–c gezeigten Beispielen wirkt sich günstig aus, dass die Kammer 4 bzw. die Abschirmung 10 aus einem nichtmetallischen Material besteht, sodass die Heizelemente 8 direkt mit der Abschirmung 10 in Kontakt gebracht werden können.At the in 2 B As shown, the heating elements run 8th along the entire longitudinal side of the rectangular chamber 4 , At the in 2 B shown arrangement may therefore typically only the current flow of the heating elements 8th on different sides of the chamber 4 be set individually. At the in 2c The arrangement shown, the individual heating elements run 8th Heated wires, however, in the circumferential direction along the tubular chamber 4 and are contacted individually electrically, so that their temperature is also adjustable individually. At the in 2a -C examples shown favorably affects the chamber 4 or the shield 10 made of a non-metallic material so that the heating elements 8th directly with the shield 10 can be brought into contact.

3 zeigt die Vorrichtung 1 von 1a im Reinigungsbetrieb zur Reinigung einer optischen Oberfläche 20a, die an einem reflektierenden optischen Element 20 in Form eines Spiegels gebildet ist. Das reflektierende optische Element 20 ist in einem Gehäuse 22 angeordnet bzw. ist an einem (nicht gezeigten) Halter in dem Gehäuse 22 befestigt. Bei dem Gehäuse 22 handelt es sich im gezeigten Beispiel um ein Vakuum-Gehäuse einer Projektionsbelichtungsanlage 101 für die EUV-Lithographie, welche weiter unten im Detail beschrieben wird. 3 shows the device 1 from 1a in cleaning mode for cleaning an optical surface 20a attached to a reflective optical element 20 is formed in the form of a mirror. The reflective optical element 20 is in a housing 22 is disposed on a (not shown) holder in the housing 22 attached. In the case 22 In the example shown, this is a vacuum housing of a projection exposure apparatus 101 for EUV lithography, which is described in detail below.

Das in dem Gehäuse 22 angeordnete reflektierende optische Element 20 weist ein Substrat 21 aus einem so genannten Nullausdehnungs-Material, beispielsweise aus Zerodur® oder aus ULE®, auf. Auf das Substrat 21 ist eine reflektierende Mehrlagen-Beschichtung 23 aufgebracht. Die Mehrlagen-Beschichtung 23 weist alternierend aufgebrachte Lagen eines Materials 24a mit höherem Realteil des Brechungsindex bei der Arbeitswellenlänge λB und eines Materials 24b mit niedrigerem Realteil des Brechungsindex bei der Arbeitswellenlänge λB von EUV-Strahlung auf, die entlang eines in 3 gestrichelt dargestellten EUV-Strahlengangs 25 auf die optische Oberfläche 20a auftrifft, welche im gezeigten Beispiel an der Oberseite der reflektierenden Mehrlagen-Beschichtung 23 gebildet ist. Die reflektierende Mehrlagen-Beschichtung 23 kann auch zusätzliche Lagen beispielsweise als Diffusionsbarrieren zwischen den beiden Materialien 24a, 24b oder eine Deckschicht zum Schutz vor in der Umgebung vorhandenen kontaminierenden Stoffen aufweisen.That in the case 22 arranged reflective optical element 20 has a substrate 21 from a so-called zero-expansion material such as Zerodur ® or ULE ® on. On the substrate 21 is a reflective multilayer coating 23 applied. The multilayer coating 23 has alternately applied layers of a material 24a with a higher real part of the refractive index at the working wavelength λ B and a material 24b with a lower real part of the refractive index at the working wavelength λ B of EUV radiation traveling along an in 3 dashed line shown EUV beam path 25 on the optical surface 20a impinges, which in the example shown at the top of the reflective multilayer coating 23 is formed. The reflective multi-layer coating 23 may also contain additional layers, for example, as diffusion barriers between the two materials 24a . 24b or a cover layer for protection against contaminants present in the environment.

Im vorliegenden Beispiel, bei dem das optische Element 20 für eine Arbeitswellenlänge λB von 13,5 nm optimiert wurde, d.h. bei einem optischen Element 21, welches bei im Wesentlichen normalem Strahlungseinfall bei einer Wellenlänge von 13,5 nm die maximale Reflektivität aufweist, weisen die Stapel der Mehrlagen-Beschichtung 23 alternierende Silizium- und Molybdänlagen auf. Dabei entsprechen die Siliziumlagen den Lagen 24a mit höherem Realteil des Brechungsindex bei 13,5 nm und die Molybdänlagen den Lagen 24b mit niedrigerem Realteil des Brechungsindex bei 13,5 nm. Andere Materialkombinationen wie z.B. Molybdän und Beryllium, Ruthenium und Beryllium oder Lanthan und B4C sind abhängig von der Arbeitswellenlänge λB ebenfalls möglich.In the present example, where the optical element 20 was optimized for an operating wavelength λ B of 13.5 nm, ie an optical element 21 , which has the maximum reflectivity at substantially normal radiation incidence at a wavelength of 13.5 nm, have the stacks of multilayer coating 23 alternating silicon and molybdenum layers. The silicon layers correspond to the layers 24a with higher real part of the refractive index at 13.5 nm and the molybdenum layers the layers 24b With lower real part of the refractive index at 13.5 nm. Other material combinations such as molybdenum and beryllium, ruthenium and beryllium or lanthanum and B 4 C are also possible depending on the operating wavelength λ B.

Bei dem in 3 gezeigten Beispiel sind an der optischen Oberfläche 20a des reflektierenden optischen Elements 20 Kohlenstoff-Kontaminationen 26 vorhanden, die mit Hilfe der Vorrichtung 1 bzw. mit Hilfe des Reinigungsgases 2 von der optischen Oberfläche 20a entfernt werden. Zu diesem Zweck ist die Vorrichtung 1, genauer gesagt der Gasauslass 6 der Vorrichtung 1 auf die optische Oberfläche 20a ausgerichtet, um die optische Oberfläche 20a mit dem Reinigungsgas 2 zu überströmen. Der Gasauslass 6 ist hierbei in einer Sichtlinie zur optischen Oberfläche 20a angeordnet, d.h. die optische Oberfläche 20a befindet sich in der Verlängerung der Zylinderachse 9 der Kammer 4 der Vorrichtung 1. Im gezeigten Beispiel ist die Vorrichtung 1 bzw. der Gasauslass 6 auf einen seitlichen Rand 27 der optischen Oberfläche 20a bzw. der reflektierenden Beschichtung 23 ausgerichtet. In diesem Fall überströmt das Reinigungsgas 2 die optische Oberfläche vom Rand 27 zum Zentrum 28 der im gezeigten Beispiel kreisförmig ausgebildeten optischen Oberfläche 20a. Das Reinigungsgas 2 verlässt die optische Oberfläche 20a an der gegenüber liegenden Seite des Randes 27 und wird mit Hilfe einer Absaugeinrichtung 29 durch eine Absaugöffnung 30 aus dem Gehäuse 22 abgesaugt. Das bzw. die Heizelemente 8 sind bei dem in 3 gezeigten Beispiel nicht entlang der Sichtlinie 9 zwischen dem Gasauslass 6 und der optischen Oberfläche 20a angeordnet, um zu verhindern, dass Wärmestrahlung von dem Heizelement 8 auf direktem Weg zu der optischen Oberfläche 20a gelangen kann.At the in 3 shown example are on the optical surface 20a of the reflective optical element 20 Carbon contamination 26 present, with the help of the device 1 or with the help of the cleaning gas 2 from the optical surface 20a be removed. For this purpose, the device 1 , more precisely, the gas outlet 6 the device 1 on the optical surface 20a aligned to the optical surface 20a with the cleaning gas 2 to overflow. The gas outlet 6 is here in a line of sight to the optical surface 20a arranged, ie the optical surface 20a is located in the extension of the cylinder axis 9 the chamber 4 the device 1 , In the example shown, the device 1 or the gas outlet 6 on a side edge 27 the optical surface 20a or the reflective coating 23 aligned. In this case, the purge gas overflows 2 the optical surface of the edge 27 to the center 28 in the example shown circular optical surface 20a , The cleaning gas 2 leaves the optical surface 20a on the opposite side of the edge 27 and is using a suction device 29 through a suction opening 30 out of the case 22 aspirated. The heating element (s) 8th are at the in 3 not shown along the line of sight 9 between the gas outlet 6 and the optical surface 20a arranged to prevent heat radiation from the heating element 8th on the direct way to the optical surface 20a can get.

Wie weiter oben beschrieben wurde, kann es sich bei dem in 3 gezeigten Gehäuse 22 um ein Vakuum-Gehäuse einer Projektionsbelichtungsanlage 101 für die EUV-Lithographie handeln, welche nachfolgend anhand von 4 näher beschrieben wird. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 weist ein Strahlformungssystem 102, ein Beleuchtungssystem 103 und ein Projektionssystem 104 auf, die in separaten Vakuum-Gehäusen 102a, 103a, 104a untergebracht und aufeinander folgend in einem von einer EUV-Lichtquelle 105 des Strahlformungssystems 102 ausgehenden Strahlengang 106 angeordnet sind. Als EUV-Lichtquelle 105 kann beispielsweise eine Plasmaquelle oder ein Synchrotron dienen. Die austretende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen ca. 5 nm und ca. 20 nm wird zunächst in einem Kollimator 107 gebündelt. Mit Hilfe eines nachfolgenden Monochromators 108 wird durch Variation des Einfallswinkels, wie durch einen Doppelpfeil angedeutet, die gewünschte Betriebswellenlänge herausgefiltert. Im genannten Wellenlängenbereich sind der Kollimator 107 und der Monochromator 108 üblicherweise als reflektive optische Elemente ausgebildet, wobei zumindest der Monochromator 108 an seiner optischen Oberfläche keine Mehrlagen-Beschichtung aufweist, um einen möglichst breitbandigen Wellenlängenbereich zu reflektieren.As described above, the in 3 shown housing 22 around a vacuum housing of a projection exposure machine 101 act for EUV lithography, which is described below with reference to 4 will be described in more detail. The projection exposure machine 101 has a beam-forming system 102 , a lighting system 103 and a projection system 104 on that in separate vacuum enclosures 102 . 103a . 104a housed and consecutively in one of an EUV light source 105 of the beam-forming system 102 outgoing beam path 106 are arranged. As an EUV light source 105 For example, a plasma source or a synchrotron can serve. The emerging radiation in the wavelength range between about 5 nm and about 20 nm is first in a collimator 107 bundled. With the help of a subsequent monochromator 108 is filtered out by varying the angle of incidence, as indicated by a double arrow, the desired operating wavelength. In the aforementioned wavelength range are the collimator 107 and the monochromator 108 Usually designed as reflective optical elements, wherein at least the monochromator 108 has no multi-layer coating on its optical surface in order to reflect the broadest possible wavelength range.

Die im Strahlformungssystem 102 im Hinblick auf Wellenlänge und räumliche Verteilung behandelte Strahlung wird in das Beleuchtungssystem 103 eingeführt, welches ein erstes und zweites reflektives optisches Element 109, 110 aufweist. Die beiden reflektiven optischen Elemente 109, 110 leiten die Strahlung auf eine Photomaske 111 als weiterem reflektiven optischen Element, welche eine Struktur aufweist, die mittels des Projektionssystems 104 in verkleinertem Maßstab auf einen Wafer 112 abgebildet wird. Hierzu sind im Projektionssystem 104 ein drittes und viertes reflektives optisches Element 113, 114 vorgesehen.The in the beam-forming system 102 radiation treated in terms of wavelength and spatial distribution is introduced into the lighting system 103 introduced, which a first and second reflective optical element 109 . 110 having. The two reflective optical elements 109 . 110 direct the radiation onto a photomask 111 as another reflective optical element having a structure formed by the projection system 104 on a smaller scale on a wafer 112 is shown. These are in the projection system 104 a third and fourth reflective optical element 113 . 114 intended.

Die reflektiven optischen Elemente 108, 109, 111, 112, 113, 114 weisen jeweils eine optische Oberfläche 108a, 109a, 111a, 112a, 113a, 114a auf, die im Strahlengang 106 der Projektionsbelichtungsanlage 101 angeordnet sind. In den einzelnen Gehäusen 102a, 103a, 104a wird mit Hilfe von (nicht gezeigten) Vakuum-Pumpen eine Vakuum-Umgebung erzeugt. Der Gesamt-Druck in der Vakuum-Umgebung des Strahlformungssystems 102, des Beleuchtungssystems 103 und des Projektionssystems 104 kann unterschiedlich sein. Der Gesamt-Druck liegt typischer Weise im Bereich zwischen ca. 10–9 mbar und ca. 10–1 mbar.The reflective optical elements 108 . 109 . 111 . 112 . 113 . 114 each have an optical surface 108a . 109a . 111 . 112a . 113a . 114a on, in the beam path 106 the projection exposure system 101 are arranged. In the individual cases 102 . 103a . 104a A vacuum environment is created by means of vacuum pumps (not shown). The total pressure in the vacuum environment of the beam-forming system 102 , the lighting system 103 and the projection system 104 can be different. The total pressure is typically in the range between about 10 -9 mbar and about 10 -1 mbar.

Bei dem in 3 gezeigten optischen Element 20 kann es sich um jedes der in 4 dargestellten optischen Elemente 108, 109, 110, 113, 114 der Projektionsbelichtungsanlage 101 handeln, deren optische Oberflächen 108a, 109a, 110a, 113a, 114a auf die weiter oben beschriebene Weise gereinigt werden. Entsprechend handelt es sich bei dem in 3 gezeigten Vakuum-Gehäuse um das Vakuum-Gehäuse 102a des Strahlformungssystems 102, um das Vakuum-Gehäuse 103a des Beleuchtungssystems 103 oder um das Vakuum-Gehäuse 104a des Projektionssystems 104. Falls in den Vakuum-Gehäusen 102a, 103a, 104a der Projektionsbelichtungsanlage 101 weitere Vakuum-Gehäuse angeordnet sind, um einzelne der optischen Elemente 108, 109, 110, 113, 114 bzw. den gesamten EUV-Strahlengang 106 zu kapseln, wie dies beispielsweise in der eingangs zitierten WO 2008/034582 A2 beschrieben ist, welche durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird, kann es sich bei dem in 3 dargestellten Vakuum-Gehäuse 22 auch um ein solches im Innenraum eines jeweiligen Gehäuses 102a, 103a, 104a angeordnetes Vakuum-Gehäuse handeln. At the in 3 shown optical element 20 it can be any of the in 4 illustrated optical elements 108 . 109 . 110 . 113 . 114 the projection exposure system 101 act whose optical surfaces 108a . 109a . 110a . 113a . 114a be cleaned in the manner described above. Accordingly, it is in the in 3 shown vacuum housing to the vacuum housing 102 of the beam-forming system 102 to the vacuum housing 103a of the lighting system 103 or around the vacuum housing 104a of the projection system 104 , If in the vacuum enclosures 102 . 103a . 104a the projection exposure system 101 further vacuum housings are arranged to separate one of the optical elements 108 . 109 . 110 . 113 . 114 or the entire EUV beam path 106 to encapsulate, as for example in the cited above WO 2008/034582 A2 which is incorporated by reference in its entirety to the content of this application, it may be in the 3 illustrated vacuum housing 22 also in the interior of a respective housing 102 . 103a . 104a arranged to act vacuum housing.

5a, b zeigen die Vorrichtung 1 von 1a zur Erzeugung von Reinigungsgas 2 bei der Reinigung eines optischen Elements 20, das wie im Zusammenhang mit 3 beschrieben ausgebildet und das in einem Gehäuse 22 der Projektionsbelichtungsanlage 101 von 4 angeordnet ist, von dem in 5a, b nur ein Ausschnitt dargestellt ist. Bei dem in 5a, b gezeigten Beispiel wird das Reinigungsgas 2 im Unterschied zu dem in 3 gezeigten Beispiel auf das Zentrum 28 der optischen Oberfläche 20a ausgerichtet und überspült die optische Oberfläche 20a vom Zentrum 28 zum Rand 27 hin, d.h. das Reinigungsgas 2 verläuft ausgehend vom Zentrum 28 radial nach außen. 5a , b show the device 1 from 1a for generating cleaning gas 2 when cleaning an optical element 20 that is related to 3 described trained and in a housing 22 the projection exposure system 101 from 4 is arranged by the in 5a , b only a section is shown. At the in 5a , b shown example, the cleaning gas 2 unlike in 3 shown example on the center 28 the optical surface 20a aligned and flushes the optical surface 20a from the center 28 to the edge 27 towards, ie the cleaning gas 2 runs from the center 28 radially outward.

Bei der in 5a, b gezeigten Vorrichtung ist ebenfalls eine Absaugeinrichtung 29 vorhanden, welche die Vorrichtung 1 ringförmig sowie symmetrisch zu deren Zylinderachse 9 umgibt und welche eine kreisringförmige Absaugöffnung 30 aufweist, um das Reinigungsgas 2 sowie ggf. von der optischen Oberfläche 20a abgelöste Kontaminationen 26 aus dem Gehäuse 22 abzusaugen. Um das Volumen in dem Gehäuse 22, welches dem Reinigungsgas 2 in Form von atomarem Wasserstoff H• ausgesetzt ist, möglichst klein zu halten, ist eine Schutzgaszuführungseinrichtung 31 in dem Gehäuse 22 angeordnet, welche einen ebenfalls kreisringförmigen Gasauslass 32 zur Zuführung eines Schutzgases 33 in das Gehäuse 22 aufweist. Bei dem Schutzgas 33 kann es sich beispielsweise um Stickstoff oder um ein Edelgas handeln, z.B. um Argon oder um Helium. Die Schutzgaszuführungseinrichtung 31 weist im gezeigten Beispiel einen ringförmigen, konisch verlaufenden Strömungskanal auf, durch den das Schutzgas 33 fließt und über den Gasauslass 32 auf die optische Oberfläche 20a ausgerichtet wird.At the in 5a , b device is also a suction device 29 present the device 1 annular and symmetrical to the cylinder axis 9 surrounds and which an annular suction 30 has to the cleaning gas 2 and optionally of the optical surface 20a detached contaminations 26 out of the case 22 suck. To the volume in the case 22 which is the cleaning gas 2 In the form of atomic hydrogen H • is exposed to keep as small as possible, is a protective gas supply device 31 in the case 22 arranged, which has a likewise annular gas outlet 32 for supplying a protective gas 33 in the case 22 having. In the protective gas 33 it may, for example, be nitrogen or a noble gas, for example argon or helium. The inert gas supply device 31 has in the example shown an annular, conically extending flow channel, through which the protective gas 33 flows and over the gas outlet 32 on the optical surface 20a is aligned.

Bei dem in 5a gezeigten Beispiel ist der Gasauslass 32 der Spülgaszuführungseinrichtung 31 radial außen liegend zu der ringförmigen Absaugöffnung 30 der Absaugeinrichtung 29 angeordnet, während in 5b die Anordnung der Spülgaszuführungseinrichtung 31 und der Absaugeinrichtung 29 vertauscht ist, so dass die Absaugöffnung 30 radial außen liegt und der Gasauslass 32 der Spülgaszuführungseinrichtung 31 bezüglich der Zylinderachse 9 radial innen angeordnet ist.At the in 5a example shown is the gas outlet 32 the purge gas supply device 31 radially outward lying to the annular suction opening 30 the suction device 29 arranged while in 5b the arrangement of the purge gas supply device 31 and the suction device 29 is reversed, leaving the suction opening 30 radially outward and the gas outlet 32 the purge gas supply device 31 with respect to the cylinder axis 9 is arranged radially inward.

In beiden in 5a, b gezeigten Fällen umgibt das Spülgas 33 das aus dem Gasauslass 6 der Vorrichtung 1 austretende Reinigungsgas 2 ringförmig, so dass dieses gegenüber der Umgebung des optischen Elements 20 abgeschirmt wird. Auf diese Weise kann verhindert werden, dass das Reinigungsgas 2 auf in dem Gehäuse 22 angeordnete Komponenten auftrifft, die nicht gereinigt werden sollen. Bei den in 5a, b gezeigten Beispielen entspricht der Auftreffbereich des Reinigungsgases 2 dem Flächeninhalt der optischen Oberfläche 20a, d.h. das Reinigungsgas 2 trifft nur in dem von der reflektierenden Beschichtung 23 überdeckten Bereich auf das optische Element 20. Auf diese Weise kann verhindert werden, dass das Reinigungsgas 2 mit Materialien reagiert, die außerhalb des Randes 27 der optischen Oberfläche 20a an dem reflektierenden optischen Element 20 vorhanden sind, beispielsweise an der Oberseite des Substrats 21 benachbart zur optischen Oberfläche 20a.In both in 5a , Cases shown surrounds the purge gas 33 that from the gas outlet 6 the device 1 escaping cleaning gas 2 ring-shaped, so that this opposite the environment of the optical element 20 is shielded. In this way it can be prevented that the cleaning gas 2 on in the case 22 arranged components impinges, which should not be cleaned. At the in 5a , b shown examples corresponds to the impact area of the cleaning gas 2 the surface area of the optical surface 20a ie the cleaning gas 2 only applies in that of the reflective coating 23 covered area on the optical element 20 , In this way it can be prevented that the cleaning gas 2 reacts with materials that are outside the edge 27 the optical surface 20a on the reflective optical element 20 are present, for example at the top of the substrate 21 adjacent to the optical surface 20a ,

Bei der Reinigung des optischen Elements 20, genauer gesagt der optischen Oberfläche 20a, wird bei dem in 5a, b gezeigten Beispiel vor dem Überströmen der optischen Oberfläche 20a mittels des Reinigungsgases 2 zunächst die Schutzgaszuführungseinrichtung 31 aktiviert, um das Schutzgas 33 in die Umgebung des optischen Elements 20 zuzuführen. Danach wird die Vorrichtung 1 aktiviert, um das Reinigungsgas 2 zu erzeugen und die optische Oberfläche 20a zu reinigen. Gleichzeitig mit der Aktivierung der Vorrichtung 1 oder ggf. bereits vor dem Aktivieren der Vorrichtung 1 wird die Absaugeinrichtung 31 aktiviert, um das Reinigungsgas 2 aus dem Gehäuse 22 abzusaugen. Durch das Schutzgas 33 wird der Gasfluss des Reinigungsgases 2 in Form von atomarem Wasserstoff H• durch das Gehäuse 22 reduziert, wodurch die Gefahr einer Knallgas-Reaktion verringert wird, die z.B. durch ein Leck in das Gehäuse 22 eindringenden Sauerstoff ausgelöst werden kann. Zusätzlich zu dem Schutzgas 33 kann auch das weiter oben in Zusammenhang mit 1b beschriebene Trägergas 12 verwendet werden, um die Gefahr von Knallgas-Reaktionen in dem Gehäuse 22 zu verringern.When cleaning the optical element 20 more precisely the optical surface 20a , becomes in the in 5a Example shown before the overflowing of the optical surface 20a by means of the cleaning gas 2 first the protective gas supply device 31 activated to the inert gas 33 in the environment of the optical element 20 supply. After that, the device becomes 1 activated to the cleaning gas 2 to generate and the optical surface 20a to clean. Simultaneously with the activation of the device 1 or possibly already before activating the device 1 becomes the suction device 31 activated to the cleaning gas 2 out of the case 22 suck. By the protective gas 33 becomes the gas flow of the cleaning gas 2 in the form of atomic hydrogen H • through the housing 22 reduced, whereby the risk of a detonating gas reaction is reduced, for example by a leak in the housing 22 penetrating oxygen can be triggered. In addition to the protective gas 33 can also be related to the above 1b described carrier gas 12 used to reduce the risk of detonating gas reactions in the housing 22 to reduce.

Es versteht sich, dass die Schutzgaszuführungseinrichtung 31 ggf. auch bei einer Vorrichtung 1 vorteilhaft angewendet werden kann, bei welcher das bzw. die Heizelemente 8 nicht außerhalb des Innenraums 4a der Kammer 4 angeordnet ist/sind. Auch ist der Einsatzbereich der Vorrichtung 1 nicht auf Projektionsbelichtungsanlagen für die EUV-Lithographie beschränkt. Die Vorrichtung kann ggf. auch für die Reinigung von optischen Oberflächen von reflektierenden oder transmissiven optischen Elementen verwendet werden, wie sie beispielsweise in Projektionsbelichtungsanlagen für die VUV-Lithographie oder in anderen optischen Anordnungen eingesetzt werden. It is understood that the protective gas supply device 31 possibly also in a device 1 can be advantageously applied, in which the or the heating elements 8th not outside the interior 4a the chamber 4 is / are arranged. Also, the application of the device 1 not limited to projection exposure equipment for EUV lithography. If necessary, the device can also be used for the cleaning of optical surfaces of reflective or transmissive optical elements, as used for example in projection exposure apparatuses for VUV lithography or in other optical arrangements.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2009/059614 A1 [0002] WO 2009/059614 A1 [0002]
  • US 7414700 B2 [0003] US 7414700 B2 [0003]
  • US 2012/0006258 A1 [0003, 0005] US 2012/0006258 A1 [0003, 0005]
  • US 2013/0114059 A1 [0003, 0006] US 2013/0114059 A1 [0003, 0006]
  • US 8279397 B2 [0007] US 8279397 B2 [0007]
  • WO 2008/034582 A2 [0008, 0025, 0070] WO 2008/034582 A2 [0008, 0025, 0070]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • Artikel „High-temperature MEMS Heater Platforms: Long-term Performance of Metal and Semiconductor Heater Materials“, J. Spannhake et al., Sensors 2006, 6, Seiten 405–419 [0022] "High-temperature MEMS Heater Platforms: Long-Term Performance of Metal and Semiconductor Heater Materials," J. Spannhake et al., Sensors 2006, 6, pp. 405-419 [0022]

Claims (19)

Vorrichtung (1) zur Erzeugung eines Reinigungsgases (2), umfassend: ein Gehäuse (3), eine in dem Gehäuse (3) gebildete Kammer (4) mit einem Gaseinlass (5) zur Zuführung eines Gases (7) und mit einem Gasauslass (6) zum Austritt des Reinigungsgases (2), sowie mindestens ein Heizelement (8) zur Erzeugung des Reinigungsgases (2) durch Erhitzen des durch den Gaseinlass (5) einem Innenraum (4a) der Kammer (4) zugeführten Gases (7), dadurch gekennzeichnet, dass das Heizelement (8) außerhalb des Innenraums (4a) der Kammer (4) angeordnet ist.Contraption ( 1 ) for generating a cleaning gas ( 2 ) comprising: a housing ( 3 ), one in the housing ( 3 ) formed chamber ( 4 ) with a gas inlet ( 5 ) for supplying a gas ( 7 ) and with a gas outlet ( 6 ) to the outlet of the cleaning gas ( 2 ), and at least one heating element ( 8th ) for generating the cleaning gas ( 2 ) by heating the gas through the gas inlet ( 5 ) an interior ( 4a ) the chamber ( 4 ) supplied gas ( 7 ), characterized in that the heating element ( 8th ) outside the interior ( 4a ) the chamber ( 4 ) is arranged. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das Heizelement (8) durch eine Abschirmung (10) von dem Innenraum (4a) der Kammer (4) getrennt ist.Device according to claim 1, in which the heating element ( 8th ) by a shield ( 10 ) from the interior ( 4a ) the chamber ( 4 ) is disconnected. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Abschirmung (10) das Heizelement (8) gasdicht von dem Innenraum (4a) der Kammer (4) trennt.Device according to Claim 2, in which the shielding ( 10 ) the heating element ( 8th ) gas-tight from the interior ( 4a ) the chamber ( 4 ) separates. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, bei der die Abschirmung (10) mindestens ein nichtmetallisches Material enthält, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Quarzglas, Silizium, Silikate, Glimmer, Carbide, Graphit, Metalloxide, Aluminiumoxid, Keramik.Device according to one of claims 2 or 3, in which the shielding ( 10 ) contains at least one non-metallic material selected from the group comprising: quartz glass, silicon, silicates, mica, carbides, graphite, metal oxides, alumina, ceramics. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das durch den Gaseinlass (5) zugeführte Gas (7) molekularen Wasserstoff enthält oder bei der das durch den Gaseinlass (5) zugeführte Gas (7) molekularer Wasserstoff (H2) ist. Device according to one of the preceding claims, wherein the gas through the gas inlet ( 5 ) supplied gas ( 7 ) contains molecular hydrogen or by the gas inlet ( 5 ) supplied gas ( 7 ) is molecular hydrogen (H 2 ). Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das durch den Gaseinlass (5) zugeführte Gas (7) ein Trägergas (12) enthält, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Stickstoff und Edelgase.Device according to one of the preceding claims, wherein the gas through the gas inlet ( 5 ) supplied gas ( 7 ) a carrier gas ( 12 ) which is selected from the group comprising: nitrogen and noble gases. Vorrichtung nach Anspruch 6, welche ausgebildet ist, dem Reinigungsgas (2) nach dem Gasauslass (6) ein Trägergas (12) zuzuführen.Apparatus according to claim 6, which is formed, the cleaning gas ( 2 ) after the gas outlet ( 6 ) a carrier gas ( 12 ). Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher das Heizelement (8) mindestens ein Material enthält, welches ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Metalle, bevorzugt Wolfram, Tantal, oder Molybdän, oder Halbleiter, bevorzugt Siliziumcarbid oder dotiertes Silizium.Device according to one of the preceding claims, in which the heating element ( 8th ) contains at least one material which is selected from the group comprising: metals, preferably tungsten, tantalum, or molybdenum, or semiconductors, preferably silicon carbide or doped silicon. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher das Gehäuse (3) einen ersten Gehäuseabschnitt (3a) und einen zweiten Gehäuseabschnitt (3b) aufweist, wobei das Heizelement (8) in dem ersten Gehäuseabschnitt (3a) angeordnet ist und die Kammer (4) zumindest teilweise umgibt.Device according to one of the preceding claims, in which the housing ( 3 ) a first housing section ( 3a ) and a second housing section ( 3b ), wherein the heating element ( 8th ) in the first housing section ( 3a ) and the chamber ( 4 ) at least partially surrounds. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher der zweite Gehäuseabschnitt (3b) ein Kühlelement (11) aufweist, welches die Kammer (4) zumindest teilweise umgibt.Device according to Claim 9, in which the second housing section ( 3b ) a cooling element ( 11 ), which the chamber ( 4 ) at least partially surrounds. Projektionsbelichtungsanlage (101) für die Fotolithographie, umfassend: mindestens ein Vakuum-Gehäuse (22, 102a, 103a, 104a), in dem mindestens ein optisches Element (20, 108, 109, 110, 113, 114) mit einer optischen Oberfläche (20a, 108a, 109a, 110a, 113a, 114a) angeordnet ist, eine Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Erzeugung eines Reinigungsgases (2) zur Reinigung der optischen Oberfläche (20a, 102a, 103a, 104a) des optischen Elements (20, 108, 109, 110, 113, 114), sowie eine Absaugeinrichtung (29) zur Absaugung des Reinigungsgases (2) aus dem Vakuum-Gehäuse (22, 102a, 103a, 104a). Projection exposure apparatus ( 101 ) for photolithography, comprising: at least one vacuum housing ( 22 . 102 . 103a . 104a ), in which at least one optical element ( 20 . 108 . 109 . 110 . 113 . 114 ) with an optical surface ( 20a . 108a . 109a . 110a . 113a . 114a ), a device ( 1 ) according to one of the preceding claims for producing a cleaning gas ( 2 ) for cleaning the optical surface ( 20a . 102 . 103a . 104a ) of the optical element ( 20 . 108 . 109 . 110 . 113 . 114 ), as well as a suction device ( 29 ) for the extraction of the cleaning gas ( 2 ) from the vacuum housing ( 22 . 102 . 103a . 104a ). Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, bei welcher der Gasauslass (6) der Vorrichtung (1) auf die optische Oberfläche (20a) ausgerichtet ist, um die optische Oberfläche (20a) mit dem Reinigungsgas (2) zu überströmen.A projection exposure apparatus according to claim 11, wherein the gas outlet ( 6 ) of the device ( 1 ) on the optical surface ( 20a ) is aligned to the optical surface ( 20a ) with the cleaning gas ( 2 ) to overflow. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, bei welcher der Gasauslass (6) auf das Zentrum (28) der optischen Oberfläche (20a) oder auf den Rand (27) der optischen Oberfläche (20a) ausgerichtet ist.A projection exposure apparatus according to claim 12, wherein the gas outlet ( 6 ) on the center ( 28 ) of the optical surface ( 20a ) or on the edge ( 27 ) of the optical surface ( 20a ) is aligned. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12 oder 13, bei welcher das Heizelement (8) außerhalb einer Sichtlinie (9) zwischen dem Gasauslass (6) und der optischen Oberfläche (20a) angeordnet ist.A projection exposure apparatus according to claim 12 or 13, wherein the heating element ( 8th ) outside a line of sight ( 9 ) between the gas outlet ( 6 ) and the optical surface ( 20a ) is arranged. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 11 bis 14, weiter umfassend: eine Schutzgaszuführungseinrichtung (31) mit mindestens einem Gasauslass (32) zur Zuführung eines Schutzgases (33) in das Vakuum-Gehäuse (22).A projection exposure apparatus according to any one of claims 11 to 14, further comprising: an inert gas supply device ( 31 ) with at least one gas outlet ( 32 ) for supplying a protective gas ( 33 ) in the vacuum housing ( 22 ). Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15, bei der die Schutzgaszuführungseinrichtung (31) zum Austritt von Schutzgas (33) aus dem mindestens einen Gasauslass (32) ausgebildet ist, welches das aus dem Gasauslass (6) der Vorrichtung (1) austretende Reinigungsgas (2) zumindest teilweise umgibt.A projection exposure apparatus according to claim 15, wherein the inert gas supply device ( 31 ) for the escape of inert gas ( 33 ) from the at least one gas outlet ( 32 ) is formed, which from the gas outlet ( 6 ) of the device ( 1 ) exiting cleaning gas ( 2 ) at least partially surrounds. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 16, bei welcher die Schutzgaszuführungseinrichtung (31) ausgebildet ist, einen Auftreffbereich des Reinigungsgases (7) in dem Gehäuse (22) auf die optische Oberfläche (20a) zu begrenzen.A projection exposure apparatus according to claim 16, wherein the inert gas supply device ( 31 ) is formed, an impact area of the cleaning gas ( 7 ) in the housing ( 22 ) on the optical surface ( 20a ) to limit. Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche (20a, 108a, 109a, 110a, 113a, 114a) eines optischen Elements (20, 108, 109, 110, 113, 114) einer Projektionsbelichtungsanlage (101) nach einem der Ansprüche 11 bis 17, umfassend: Erzeugen von Reinigungsgas (7) mittels einer Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, Überströmen der optischen Oberfläche (20a) mit dem Reinigungsgas (2), sowie Absaugen des Reinigungsgases (2) durch die Absaugeinrichtung (29). Method for cleaning an optical surface ( 20a . 108a . 109a . 110a . 113a . 114a ) of an optical element ( 20 . 108 . 109 . 110 . 113 . 114 ) of a projection exposure apparatus ( 101 ) according to one of claims 11 to 17, comprising: generating cleaning gas ( 7 ) by means of a device ( 1 ) according to one of claims 1 to 10, overflowing the optical surface ( 20a ) with the cleaning gas ( 2 ), and suction of the cleaning gas ( 2 ) through the suction device ( 29 ). Verfahren nach Anspruch 18, bei dem vor dem Überströmen der optischen Oberfläche (20a) mit dem Reinigungsgas (2) die Schutzgaszuführungseinrichtung (31) zum Austritt des Schutzgases (33) aktiviert wird.Method according to Claim 18, in which prior to the overflowing of the optical surface ( 20a ) with the cleaning gas ( 2 ) the protective gas supply device ( 31 ) to the outlet of the protective gas ( 33 ) is activated.
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