DE102014224004A1 - Electronic component with intermediate layer between n- and p-doped semiconductor layer - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910018089 Al Ka Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- -1 compounds cadmium acetate Chemical class 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)stannyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Sn](N(C)C)(N(C)C)N(C)C WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0326—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising AIBIICIVDVI kesterite compounds, e.g. Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnS4
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- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil, insbesondere Solarzelle, mit einer Absorberschicht aus intrisischem oder dotiertem Halbleitermaterial (2), die zusätzlich ein Bindermaterial (3) enthalten kann einer Kontaktschicht aus dotiertem Halbleitermaterial (5), wobei die Schichten (2, 3, 5) 2sich elektrisch zwischen einem elektrischen Kontakt (1) und einem elektrischen Kontakt (6) angeordnet sind, die sich auf gegenüberliegenden Seiten der Anordnung, aber auch bei geschlossener Schicht (3) auch nebeneinander auf nur einer Seite der Anordnung befinden können, dadurch gekennzeichnet, dass eine Zwischenschicht (4) im Übergangsbereich zwischen den Schichten (2) und (5) aus Halbleitermaterial vorgesehen ist, die eine Barriere für die Majoritätsladungsträger der Absorberschicht (2) bzw. für die Minoritätsladungsträger der Kontaktschicht 5 bildet.The invention relates to an electronic component, in particular a solar cell, having an absorber layer of intrinsic or doped semiconductor material (2), which may additionally contain a binder material (3) of a contact layer of doped semiconductor material (5), wherein the layers (2, 3, 5) 2 are electrically arranged between an electrical contact (1) and an electrical contact (6), which may be located on opposite sides of the arrangement, but also in the closed layer (3) also side by side on only one side of the arrangement, characterized an intermediate layer (4) is provided in the transition region between the layers (2) and (5) of semiconductor material, which forms a barrier for the majority charge carriers of the absorber layer (2) or for the minority charge carriers of the contact layer 5.
Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement und zwar insbesondere eine Solarzelle.The invention relates to an electronic component, in particular a solar cell.
In einer Solarzelle entstehen durch Absorption von Licht frei bewegliche Elektronen und Defektelektronen, auch Löcher genannt. Die frei beweglichen Elektronen und Löcher werden an selektiven Kontakten, wie sie z. B. durch eine an gleichrichtenden Kontakten entstehende Bandverbiegung (ein elektrisches Feld) gebildet werden, räumlich voneinander getrennt. Die getrennten Ladungsträger werden über elektrische Kontakte einem elektrischen Verbraucher zugeführt.In a solar cell, the absorption of light causes freely moving electrons and holes, also called holes. The freely moving electrons and holes are connected to selective contacts, as z. B. formed by rectifying contacts band bending (an electric field), spatially separated from each other. The separate charge carriers are supplied via electrical contacts to an electrical load.
Damit eine Bandverbiegung, also ein internes elektrisches Feld, vorhanden ist, umfasst eine Solarzelle üblicherweise einen pn Kontakt zwischen einer p- und einer n-dotierten Schicht aus Halbleitermaterial. In einem p-dotierten Halbleiter überwiegen die frei beweglichen positiven Ladungsträger, also die Löcher bzw. Defektelektronen, die dann Majoritätsladungsträger genannt werden. Bei einer n-Dotierung überwiegen die frei beweglichen Elektronen, die hier dann die Majoritätsladungsträger bilden.In order for a band bending, that is to say an internal electric field, to be present, a solar cell usually comprises a pn contact between a p-type and an n-doped layer of semiconductor material. In a p-doped semiconductor, the freely movable positive charge carriers, ie the holes or defect electrons, which are then called majority charge carriers, predominate. In the case of n-doping, the freely mobile electrons predominate, which then form the majority charge carriers here.
Bei Solarzellen wird zwischen Solarzellen vom p-Typ und n-Typ unterschieden. Beim p-Typ ist die relativ dicke, aus Halbleitermaterial bestehende Absorptionsschicht der Solarzelle p-dotiert. Die dann dünne n-dotierte Schicht wird als Emitter bezeichnet. Der Emitter sammelt die durch das elektrische Feld beschleunigten Minoritätsladungsträger, die in der Absorptionsschicht durch Lichtabsorption frei geworden sind. Solarzellen vom n-Typ weisen eine relativ dicke Schicht aus n-dotiertem Material auf. Die grundsätzlich deutlich dünnere Emitterschicht ist dann p-dotiert.In solar cells, a distinction is made between solar cells of the p-type and n-type. When p-type, the relatively thick, consisting of semiconductor material absorption layer of the solar cell is p-doped. The then thin n-doped layer is referred to as emitter. The emitter collects the minority charge carriers accelerated by the electric field, which have become free in the absorption layer by light absorption. N-type solar cells have a relatively thick layer of n-doped material. The essentially significantly thinner emitter layer is then p-doped.
Die Druckschrift
Gemäß Druckschrift
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein leistungsfähiges elektronisches Bauteil bereitzustellen.It is an object of the invention to provide a powerful electronic component.
Die Aufgabe wird durch elektronisches Bauteil, insbesondere eine Solarzelle, mit den Merkmalen der Ansprüche 1 oder 2 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.The object is achieved by electronic component, in particular a solar cell, with the features of
Zur Lösung der Aufgabe umfasst ein elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 einen elektrischen Kontakt zur Ableitung der Majoritätsladungsträger, eine Schicht mit p- oder n-dotiertem Halbleitermaterial, eine Schicht mit entgegengesetzt (also n- bzw. p-)dotiertem Halbleitermaterial und einen elektrischen Kontakt für die Majoritätsladungsträger dieser entgegengesetzt dotierten Schicht. Eine Zwischenschicht ist im Kontaktbereich von p-dotiertem Halbleitermaterial und der Schicht mit n-dotiertem Halbleitermaterial vorgesehen. Die Zwischenschicht wirkt als zusätzliche Barriere für die Majoritätsladungsträger der Absorberschicht.To achieve the object, an electronic component according to
Zur Lösung der Aufgabe umfasst ein elektronisches Bauteil nach Anspruch 2 einen elektrischen Rückkontakt, eine Schicht mit p-dotiertem Halbleitermaterial, eine Schicht mit n-dotiertem Halbleitermaterial und einen elektrischen Frontkontakt. Eine Zwischenschicht ist zwischen der Schicht mit p-dotiertem Halbleitermaterial und der Schicht mit n-dotiertem Halbleitermaterial vorgesehen. Die Zwischenschicht wirkt als zusätzliche Barriere für Majoritätsladungsträger. Die Zwischenschicht muss nicht genau an der Grenzfläche eingebaut sein, sie muss sich nur innerhalb der Bandverbiegung, also im elektrischen Feld, befinden. Zusätzlich kann zwischen den beiden dotierten Schichten eine Schicht aus intrinsischem Halbleitermaterial vorgesehen sein.To achieve the object, an electronic component according to
Das elektronische Bauteil ist insbesondere eine Solarzelle und zwar vorzugsweise vom p-Typ. Werden beispielsweise in der relativ dicken, p-dotierten Absorptionsschicht der Solarzelle durch Lichtabsorption frei bewegliche Elektronen erzeugt, so werden diese aufgrund der am Emitter entstandenen Bandverbiegung (dem elektrischen Feld) in den n-dotierten selektiven Kontakt fließen. Die Löcher, also die Majoritätsladungsträger, werden durch die Bandverbiegung zurückgehalten und aufgrund des elektrischen Feldes in die entgegengesetzte Richtung beschleunigt.The electronic component is in particular a solar cell, preferably of the p-type. If, for example, freely movable electrons are generated in the relatively thick, p-doped absorption layer of the solar cell by light absorption, these will flow into the n-doped selective contact due to the band bending (the electric field) produced at the emitter. The holes, so the majority charge carriers are retained by the band bending and accelerated due to the electric field in the opposite direction.
Obwohl das elektrische Feld eine Kraft auf die Majoritätsladungsträger ausübt, die in die gewünschte Richtung gerichtet ist, hat es sich überraschend als leistungssteigernd herausgestellt, eine zusätzliche Barriere, also ein Hindernis, für die Majoritätsladungsträger im Übergangsbereich zwischen der p- und n-dotierten Schicht anzuordnen. Diese zusätzliche Barriere für die Majoritätsladungsträger verringert deutlich die Zahl der durch thermische Anregung die Barriere erklimmenden (entgegen dem elektrischen Feld wandernden) Ladungsträger. Solche thermisch angeregt von beiden Seiten (der n- und der p-dotierten Seite) in den Übergangsbereich eindringenden Majoritätsladungsträger rekombinieren nämlich im Kontaktbereich und setzen die Leistungsfähigkeit der Solarzelle herab. Although the electric field exerts a force on the majority charge carriers, which is directed in the desired direction, it has surprisingly been found to be performance enhancing to arrange an additional barrier, ie an obstacle, for the majority charge carriers in the transition region between the p- and n-doped layers , This additional barrier for the majority carriers significantly reduces the number of charge carriers traveling through the barrier by thermal excitation (traveling against the electric field). Namely, such majority excited carriers penetrating into the transition region thermally excited from both sides (the n- and the p-doped side) recombine in the contact region and reduce the efficiency of the solar cell.
Solche im Kontaktbereich rekombinierenden Ladungsträger verringern auch das Sperrverhalten von Dioden und Transistoren, die Photonen-Ausbeute von Leuchtdioden und Halbleiterlasern sowie die Empfindlichkeit von Photodioden. In all diesen Fällen lässt sich durch Einbau von energetischen Barrieren für die Majoritätsladungsträger auf der jeweiligen Seite eines pn-Überganges eine deutliche Verbesserung des Verhaltens erreichen. Die Erfindung verbessert also die Leistungsfähigkeit einer Vielzahl von elektronischen Bauteilen.Such carriers recombining in the contact region also reduce the blocking behavior of diodes and transistors, the photon yield of light-emitting diodes and semiconductor lasers and the sensitivity of photodiodes. In all these cases, by incorporating energetic barriers for the majority charge carriers on the respective side of a pn junction, a significant improvement in behavior can be achieved. Thus, the invention improves the performance of a variety of electronic components.
Grundsätzlich hat sich eine als Barriere für Majoritätsladungsträger wirkende Zwischenschicht innerhalb eines Übergangs als vorteilhaft erwiesen. Dies gilt für alle elektronische Bauteilen mit pn-Übergang, einem Halbleiter/Metall-Übergang (Schottky-Kontakt) oder einem Übergang zwischen einem intrinsischen Halbleiter und einem p- oder n-dotierten Halbleiter, bei denen Ladungsträger an einem Übergang hindurch zu einem elektrischen Kontakt rekombinieren können. Im Fall eines Übergangs zwischen einem intrinsischen Halbleiter und einem n-dotierten Halbleiter befindet sich die Zwischenschicht also im Übergangsbereich zwischen dem intrinsischen Halbleiter und dem n-dotierten Halbleiter und wirkt als Barriere für Löcher. Im Fall eines Übergangs zwischen einem intrinsischen Halbleiter einem p-dotierten Halbleiter wirkt die Zwischenschicht als Barriere für Elektronen im Leitungsband.In principle, an intermediate layer acting as a barrier for majority charge carriers has proved to be advantageous within a transition. This applies to all electronic components with pn junction, a semiconductor / metal junction (Schottky contact) or a transition between an intrinsic semiconductor and a p- or n-doped semiconductor, in which charge carriers at a transition through to an electrical contact can recombine. In the case of a transition between an intrinsic semiconductor and an n-doped semiconductor, the intermediate layer is thus in the transition region between the intrinsic semiconductor and the n-doped semiconductor and acts as a barrier for holes. In the case of a transition between an intrinsic semiconductor and a p-doped semiconductor, the intermediate layer acts as a barrier for electrons in the conduction band.
Bei dem elektronischen Bauteil kann es sich um Solarzellen vom p-Typ handeln. Die Zwischenschicht ist dann eine Barriere für Löcher.The electronic component may be p-type solar cells. The interlayer is then a barrier to holes.
Solche Barrieren entstehen durch Bandverbiegungen oder energetische Sprünge in den jeweiligen Bandkanten. Metalloxide eignen sich als Barriere für Löcher. Zinnoxid und/oder Zinkoxid haben sich als ein Material herausgestellt, welches regelmäßig gut geeignet dafür ist und leistungssteigernd als Barriere für Löcher bzw. Defektelektronen zu wirken vermag. Sie eignen sich darüberhinaus nach hoher Dotierung auch als transparente leitfähige Oxide (transparent conductive Oxide, TCO) zur elektronenleitenden Kontaktierung. Hier wird jedoch eine zusätzliche dünne Zwischenschicht im pn-Übergang eingeführt, der sich im Falle heutiger (z. B. CdTe-, CuS-, SnS, Cu(InGa)Se2-(CIGS-) oder Kesterit-)Solarzellen am Übergang zwischen dem genannten p-Halbleiter, einer n-CdS Puffer-Schicht und dem hochdotierten n-TCO ausbildet. Hier wirkt sich eine zusätzliche dünne oxydische Zwischenschicht in der Nähe des pn-Überganges, z. B. zwischen p-Halbleiter und n-Puffer durch Bildung einer Löcher-Barriere im Valenzband vorteilhaft aus.Such barriers are caused by band bending or energetic jumps in the respective band edges. Metal oxides are suitable as a barrier for holes. Tin oxide and / or zinc oxide have been found to be a material which is generally well suited for this purpose and is capable of enhancing performance as a barrier to holes or holes. Moreover, they are also suitable, after high doping, as transparent conductive oxides (transparent conductive oxides, TCO) for electron-conducting contact. Here, however, an additional thin intermediate layer is introduced in the pn junction, which in the case of today's (eg CdTe, CuS, SnS, Cu (InGa) Se 2 - (CIGS) or kesterite) solar cells at the transition between the said p-type semiconductor, an n-CdS buffer layer and the highly doped n-TCO. Here, an additional thin oxidic intermediate layer near the pn-junction, z. B. between p-type semiconductor and n-buffer by forming a hole barrier in the valence band advantageous.
Die Zwischenschicht ist vorzugsweise sehr dünn, um ein besonders leistungsfähiges elektronisches Bauteil bereitzustellen. Die Zwischenschicht ist in einer Ausgestaltung dünner als 100 nm, vorzugsweise dünner als 50 nm, besonders bevorzugt dünner als 10 nm, um ein besonders leistungsfähiges Bauteil bereitzustellen.The intermediate layer is preferably very thin to provide a particularly efficient electronic component. In one embodiment, the intermediate layer is thinner than 100 nm, preferably thinner than 50 nm, particularly preferably thinner than 10 nm, in order to provide a particularly high-performance component.
Zumindest eine der Schichten mit dotiertem Halbleitermaterial ist regelmäßig um ein Vielfaches dicker als die Zwischenschicht. Diese Schicht kann wenigstens um ein Fünffaches, vorzugsweise wenigstens um ein Fünfzigfaches, besonders bevorzugt wenigstens um ein Hundertfaches dicker sein als die Zwischenschicht. Insbesondere handelt es sich bei der um ein Vielfaches dickeren Schicht um die Absorptionsschicht einer Solarzelle. Diese Schicht ist dann grundsätzlich auch um ein Vielfaches dicker als die andere Schicht mit dotiertem Halbleitermaterial. Im Fall der Solarzelle ist die andere Schicht mit dotiertem Halbleitermaterial die Emitterschicht.At least one of the layers with doped semiconductor material is regularly thicker by a multiple than the intermediate layer. This layer may be at least five times, preferably at least fifty times, more preferably at least one hundred times thicker than the intermediate layer, at least five times. In particular, the layer thicker by a multiple is the absorption layer of a solar cell. In principle, this layer is also thicker by a multiple than the other layer with doped semiconductor material. In the case of the solar cell, the other layer of doped semiconductor material is the emitter layer.
Da es sich im Fall von Solarzellen meistens um eine Solarzelle vom p-Typ handelt, umfasst die um ein Vielfaches dickere Schicht in der Regel p-dotiertes Halbleitermaterial.Since, in the case of solar cells, it is usually a p-type solar cell, the layer thicker by a multiple generally comprises p-doped semiconductor material.
Zumindest eine der Schichten mit dotiertem Halbleitermaterial ist in einer Ausgestaltung mehr als 500 nm dick, vorzugsweise mehr als 1 μm dick und zwar insbesondere für die Schaffung einer Solarzelle mit geeignet dicker Absorptionsschicht. Vorteilhaft ist die Absorptionsschicht nicht dicker als 200 μm, besonders bevorzugt nicht dicker als 100 μm, um den Materialaufwand im Verhältnis zum Nutzen gering zu halten. Vorzugsweise wird eine Monokornmembran als Absorptionsschicht eingesetzt, um technisch einfach herstellen zu können. In one embodiment, at least one of the layers with doped semiconductor material is more than 500 nm thick, preferably more than 1 μm thick, specifically for the creation of a solar cell with a suitably thick absorption layer. Advantageously, the absorption layer is not thicker than 200 microns, more preferably not thicker than 100 microns, to keep the cost of materials in relation to the benefit low. Preferably, a monocrystal membrane is used as the absorption layer in order to produce a technically simple manner.
Zumindest eine der Schichten mit dotiertem Halbleitermaterial ist vorteilhaft dünner als 100 nm, vorzugsweise dünner als 50 nm. Diese Schicht bildet im Fall einer Solarzelle im Regelfall die Emitterschicht. Die Emitterschicht ist vorzugsweise wenigstens 1 nm dick.At least one of the layers with doped semiconductor material is advantageously thinner than 100 nm, preferably thinner than 50 nm. In the case of a solar cell, this layer generally forms the emitter layer. The emitter layer is preferably at least 1 nm thick.
Eine der Schichten mit dotiertem Halbleitermaterial umfasst vorzugsweise Cu2ZnxSn1-x(SySe1-y)4 mit x, y = 0–1 wie zum Beispiel Cu2ZnSnS4 (x = 0,5, y = 1), Cu2ZnSnSe4 (x = 0,5, y = 0) als Halbleitermaterial, um ein besonders umweltfreundliches elektronisches Bauteil bereitzustellen. CZTSSe (x = 0,5, y = 0,8) ist ein weiteres Beispiel als besonders gut geeignetes Material für die Absorptionsschicht.One of the layers of doped semiconductor material preferably comprises Cu 2 Zn x Sn 1 -x (S y Se 1-y ) 4 with x, y = 0-1 such as Cu 2 ZnSnS 4 (x = 0.5, y = 1) ), Cu 2 ZnSnSe 4 (x = 0.5, y = 0) as a semiconductor material to provide a particularly environmentally friendly electronic device. CZTSSe (x = 0.5, y = 0.8) is another example of a particularly suitable material for the absorption layer.
Eine der Schichten mit dotiertem Halbleitermaterial umfasst in einer Ausführungsform ein Sulfid oder Oxy-sulfid, häufig Cadmiumsulfid und/oder Zinksulfid und zwar insbesondere im Fall einer Solarzelle.In one embodiment, one of the layers comprising doped semiconductor material comprises a sulfide or oxy-sulfide, frequently cadmium sulfide and / or zinc sulfide, in particular in the case of a solar cell.
Als Material für die elektrischen Kontakte sind transparentes Aluminium-dotiertes Zinkoxid oder Indium-dotiertes Zinnoxid (ITO) sowie Graphit geeignet und zwar insbesondere auch im Fall einer Solarzelle, bei der ein elektrischer Kontakt grundsätzlich transparent sein sollte. Vorzugsweise ist das Zink- oder Zinnoxid hoch dotiert (> 1017 cm–3).As a material for the electrical contacts transparent aluminum-doped zinc oxide or indium-doped tin oxide (ITO) and graphite are suitable and in particular in the case of a solar cell, in which an electrical contact should be transparent in principle. Preferably, the zinc or tin oxide is highly doped (> 10 17 cm -3 ).
Insbesondere eignet sich die Erfindung zur Schaffung einer CZTS-Solarzelle oder einer CIGS- oder CdTe-Solarzelle. Diese sind vorzugsweise 1,5 μm bis 2,5 μm dick.In particular, the invention is suitable for creating a CZTS solar cell or a CIGS or CdTe solar cell. These are preferably 1.5 μm to 2.5 μm thick.
Es können organische oder anorganische Halbleitermaterialien eingesetzt sein.It can be used organic or inorganic semiconductor materials.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail by way of examples.
Es zeigen:Show it:
Die
Folgende Versuche wurden durchgeführt.The following experiments were carried out.
Eine Monokornschicht bzw. Monokornmembran wurde aus Cu2ZnSnS4 Kristallen mit einem mittleren Durchmesser von 60 μm wie in der
Die ALD-Bedingungen für die Abscheidung der ultra-dünnen (2 nm) Zinnoxid-Schicht sind in der nachfolgenden Tabelle angeführt.
Eine thermische Nachbehandlung (”Glühen” oder ”Annealing”) der Zwischenschicht nach der ALD wurde bei den hier beschriebenen Beispielen nicht durchgeführt, hat sich aber in anderen Versuchen als nützlich erwiesen.Thermal post-treatment ("annealing") of the interlayer after ALD was not performed in the examples described herein, but has been found to be useful in other experiments.
Nach dem Auftragen der Zinnoxid-Zwischenschicht wird eine Standard-Pufferschicht, bzw. Emitterschicht, durch Chemische Badabscheidung (chemical bath deposition, CBD, siehe „
Als Puffermaterialien wurden das Standard-Material Cadmiumsulfid und zum Vergleich auch das bisher weniger verwendete Zinksulfid eingesetzt. Dieser Vergleich hat demonstriert, dass die durch Zinnoxid erreichte Verbesserung unabhängig von der Art des verwendeten Puffer-Materials ist. Die CBD-Bedingungen ergeben sich aus der nachfolgenden Tabelle.The buffer materials used were the standard material cadmium sulfide and, for comparison, the hitherto less widely used zinc sulfide. This comparison has demonstrated that the improvement achieved by tin oxide is independent of the type of buffer material used. The CBD conditions are shown in the table below.
Nach dem Aufbringen der Puffer-Schicht wurde als Fensterelektrode bzw. transparenter Frontkontakt in einer Standard-Anlage der Firma AJA International, Inc., N. Scituate, MA, USA (AJA-ATC1800) Aluminium-dotiertes Zinkoxid aufgesputtert.After applying the buffer layer, aluminum-doped zinc oxide was sputtered on as a window electrode or transparent front contact in a standard system from AJA International, Inc., N. Scituate, MA, USA (AJA-ATC1800).
Die Rückseite der Monokornmembran wurde entsprechend
Die nachfolgende Tabelle fast die Ergebnisse zusammen. Aus den Strom-Spannungskurven der Solarzellen ermittelte Parameter der Solarzellen:
Die Leerlaufspannung Voc der Referenzzelle von 666 mV entspricht der üblicherweise erhaltenen Leerlaufspannung von CZTS-Solarzellen. Diese wird in allen mit einer Zinnoxid-Zwischenschicht hergestellten Solarzellen deutlich übertroffen. Es wurde wiederholt beobachtet, dass eine 5 nm dicke ZnS-Schicht eine höhere Zellspannung und einen höheren Wirkungsgrad ergibt als eine 10 nm dicke Puffer-Schicht. Die Verwendung von CdS ergab eine noch höhere Zellspannung. Der Wirkungsgrad ist aber wegen des bei CdS etwas geringeren Kurzschlussstromes nicht weiter angestiegen.The open-circuit voltage V oc of the reference cell of 666 mV corresponds to the normally-obtained no-load voltage of CZTS solar cells. This is clearly exceeded in all solar cells produced with a tin oxide intermediate layer. It has been repeatedly observed that a 5 nm thick ZnS layer gives higher cell voltage and higher efficiency than a 10 nm thick buffer layer. The use of CdS gave even higher cell voltage. However, the efficiency has not increased further because of the slightly lower short-circuit current at CdS.
Gemäß einem zweiten Beispiel wurden Standard Monokorn-Membran-Solarzellen hergestellt wie in der
Eine genaue Untersuchung der Oberfläche wurde mit Hilfe von Raster-Elektronenmikroskopie durchgeführt (Zeiss HR SEM ULTRA 55 mit Winkelselektivem Rückstreu-Elektronen-Detektor (SEM-AsB) und Energiedispersiver Spectroscopy (EDX)), von Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie (XPS, in einem Kratos Analytical AXIS ULTRA DLD Spektrometer mit monochromatischer Al Ka Röntgen-Quelle und achromatischer Mg Ka/Al Ka Zweifach-Anoden-Röntgen-Quelle der Firma Shimadzu, Tokyo, Japan).A detailed examination of the surface was carried out by scanning electron microscopy (Zeiss
Die XPS-Untersuchungen (siehe
Für den Wirkungsgrad der verschiedenen Solarzellen wichtiger war aber der Einfluss der Zwischenschichten auf die erzielten Photospannungen..However, the influence of the intermediate layers on the achieved photovoltage was more important for the efficiency of the different solar cells.
Aus den Strom-Spannungskennlinien lassen sich die Solarzellenparameter durch Fitten der Kurven und unter Anahme eines Ersatzschaltbild basierend auf dem klassischen Diodenmodell mit Parallel- und Serienwiderstand ermittlen. Die nachfolgende Tabelle enthält die Werte für ein Solarzelle mit ungeätztem (Referenz) und geätztem Absorbermaterial Die geätzten und daher eine Zinnoxid Zwischenschicht enthaltenden Solarzellen zeigen höhere Wirkungsgrade wegen erhöhter Photospannungen (Voc). Parameter von Solarzellen, die ohne (Referenzzelle) und mit verschiedenen Ätzverfahren verbessert worden sind:
Da in diesem Falle die sich bildende Zinnoxid-Zwischenschicht nur als Nebenreaktion des einer Entfernung von auf der Oberfläche der CZTS-Pulver abgeschiedenen Fremdverbindungen dienenden Ätzens der Oberfläche entstand, konnte die Schichtdicke nicht kontrolliert werden. Dennoch zeigte sich eine klare Verbesserung der Solarzellen gegenüber der nicht geätzten Referenzzelle.In this case, since the forming tin oxide intermediate layer was formed only as a side reaction of etching the surface to remove foreign compounds deposited on the surface of the CZTS powder, the film thickness could not be controlled. Nevertheless, there was a clear improvement of the solar cells compared to the non-etched reference cell.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- WO 2010/000581 A2 [0005, 0033, 0039, 0042] WO 2010/000581 A2 [0005, 0033, 0039, 0042]
- US 5899704 [0006] US 5899704 [0006]
Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature
- David B. Mitzi: Solution processing of inorganic materials. Wiley-Interscience, 2009, ISBN 978-0470406656, S. 200 [0036] David B. Mitzi: Solution processing of inorganic materials. Wiley-Interscience, 2009, ISBN 978-0470406656, p. 200 [0036]
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Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE102014224004A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3392913A1 (en) * | 2017-04-21 | 2018-10-24 | AIT Austrian Institute of Technology GmbH | Optoelectronic component |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5899704A (en) | 1995-03-10 | 1999-05-04 | Siemens Aolar Gmbh | Solar cell with a back-surface field method of production |
DE10010177A1 (en) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Thin film solar cell has a p-type light absorption layer and a cadmium-free n-type layer of larger bandgap and similar electron affinity or of a specified zinc oxide-based semiconductor |
DE202008009492U1 (en) * | 2008-07-15 | 2009-11-26 | Tallinn University Of Technology | Semiconductor material and its use as absorption material for solar cells |
WO2010000581A2 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Crystalsol Og | Method for the production of a monograin membrane for a solar cell, monograin membrane, and solar cell |
US20110232760A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and solar cell |
-
2014
- 2014-11-25 DE DE102014224004.2A patent/DE102014224004A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5899704A (en) | 1995-03-10 | 1999-05-04 | Siemens Aolar Gmbh | Solar cell with a back-surface field method of production |
DE10010177A1 (en) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Thin film solar cell has a p-type light absorption layer and a cadmium-free n-type layer of larger bandgap and similar electron affinity or of a specified zinc oxide-based semiconductor |
WO2010000581A2 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Crystalsol Og | Method for the production of a monograin membrane for a solar cell, monograin membrane, and solar cell |
DE202008009492U1 (en) * | 2008-07-15 | 2009-11-26 | Tallinn University Of Technology | Semiconductor material and its use as absorption material for solar cells |
US20110232760A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and solar cell |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
David B. Mitzi: Solution processing of inorganic materials. Wiley-Interscience, 2009, ISBN 978-0470406656, S. 200 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3392913A1 (en) * | 2017-04-21 | 2018-10-24 | AIT Austrian Institute of Technology GmbH | Optoelectronic component |
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