DE102014114389A1

DE102014114389A1 - Method for operating an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component

Info

Publication number: DE102014114389A1
Application number: DE102014114389.2A
Authority: DE
Inventors: Michael HIRMER; Maria Liebl
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2014-10-02
Filing date: 2014-10-02
Publication date: 2016-04-07

Abstract

Ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bestimmen eines Messwerts einer physikalischen Messgröße, zum Bestimmen eines von dem Messwert abhängigen Stromwerts und zum Einstellen einer Stromstärke eines in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden Stroms auf den Stromwert.A method for operating an optoelectronic semiconductor chip comprises steps for determining a measured value of a physical measured quantity, for determining a current value dependent on the measured value and for setting a current intensity of a current flowing in the optoelectronic semiconductor chip to the current value.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips gemäß Patentanspruch 1 sowie ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 14.The present invention relates to a method for operating an optoelectronic semiconductor chip according to patent claim 1 and to an optoelectronic component according to patent claim 14.

Es ist bekannt, dass bei optoelektronischen Halbleiterchips, beispielsweise bei Leuchtdiodenchips und Laserchips, eine Peakwellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung von der Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips abhängig ist. Kommt es im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips zu einer Temperaturänderung, so hat dies eine Verschiebung der Peakwellenlänge zur Folge. Dies ist für viele Anwendungszwecke unerwünscht. Es ist daher bekannt, die Betriebstemperatur optoelektronischer Halbleiterchips mittels aktiver Kühlung oder Erwärmung möglichst konstant zu halten.It is known that in the case of optoelectronic semiconductor chips, for example in the case of light-emitting diode chips and laser chips, a peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip is dependent on the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip. If a temperature change occurs during operation of the optoelectronic semiconductor chip, this results in a shift of the peak wavelength. This is undesirable for many applications. It is therefore known to keep the operating temperature of optoelectronic semiconductor chips as constant as possible by means of active cooling or heating.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 14 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the present invention is to specify a method for operating an optoelectronic semiconductor chip. This object is achieved by a method having the features of claim 1. Another object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 14. In the dependent claims various developments are given.

Ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bestimmen eines Messwerts einer physikalischen Messgröße, zum Bestimmen eines von dem Messwert abhängigen Stromwerts und zum Einstellen einer Stromstärke eines in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden Stroms auf den Stromwert. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine Kompensation einer Verschiebung einer Peakwellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung über eine Anpassung der Stromstärke des in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden elektrischen Stroms. Die Anpassung der Stromstärke erfolgt dabei in Abhängigkeit von einem gemessenen Wert einer physikalischen Messgröße, die als Indikator für eine Verschiebung der Peakwellenlänge dient. Vorteilhafterweise ermöglicht es das Verfahren, die Peakwellenlänge der durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung innerhalb eines festgelegten Intervalls zu halten, ohne dass hierbei eine externe Kühlung und/oder Erwärmung des optoelektronischen Halbleiterchips erforderlich ist. Dadurch ermöglicht es das Verfahren, den optoelektronischen Halbleiterchip mit geringem Aufwand und mit geringem Energiebedarf zu betreiben.A method for operating an optoelectronic semiconductor chip comprises steps for determining a measured value of a physical measured quantity, for determining a current value dependent on the measured value and for setting a current intensity of a current flowing in the optoelectronic semiconductor chip to the current value. Advantageously, this method makes it possible to compensate for a shift in a peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip via an adaptation of the current intensity of the electrical current flowing into the optoelectronic semiconductor chip. The adjustment of the current intensity takes place as a function of a measured value of a physical measured variable, which serves as an indicator for a shift of the peak wavelength. Advantageously, the method makes it possible to keep the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip within a specified interval, without requiring external cooling and / or heating of the optoelectronic semiconductor chip. As a result, the method makes it possible to operate the optoelectronic semiconductor chip with little effort and with low energy consumption.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Stromwert so bestimmt, dass eine Peakwellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung innerhalb eines festgelegten Abweichungsbereichs um eine Basis-Peakwellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung liegt, die von dem optoelektronischen Halbleiterchip bei einer festgelegten Basistemperatur und bei einer festgelegten Basisstromstärke des in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden Stroms emittiert wird. Vorteilhafterweise erfordert das Verfahren dabei keine externe Regelung der Temperatur des optoelektronischen Halbleiterchips, insbesondere keine aktive Kühlung oder Erwärmung des optoelektronischen Halbleiterchips.In one embodiment of the method, the current value is determined such that a peak wavelength of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip is within a predetermined deviation range about a base peak wavelength of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip at a predetermined base temperature and base current of the current flowing in the optoelectronic semiconductor chip is emitted. Advantageously, the method requires no external regulation of the temperature of the optoelectronic semiconductor chip, in particular no active cooling or heating of the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erstreckt sich der festgelegte Abweichungsbereich um ±0,5 nm um die Basis-Peakwellenlänge. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine für viele Anwendungszwecke ausreichende Stabilität der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung.In one embodiment of the method, the specified deviation range extends ± 0.5 nm about the base peak wavelength. Advantageously, the method thereby enables a sufficient stability of the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip for many applications.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der von dem Messwert abhängige Stromwert einer Wertetabelle entnommen. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch besonders einfach und kostengünstig durchführbar. Die in der Wertetabelle enthaltenen Werte können beispielsweise empirisch, analytisch oder mittels einer Simulation ermittelt worden sein.In one embodiment of the method, the current value dependent on the measured value is taken from a value table. Advantageously, the method is thereby particularly simple and inexpensive to carry out. The values contained in the value table can be determined, for example, empirically, analytically or by means of a simulation.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der von dem Messwert abhängige Stromwert berechnet. Diese Möglichkeit besteht insbesondere dann, wenn sich die Abhängigkeit zwischen dem Messwert und dem Stromwert durch eine mathematische Funktion approximieren lässt. Vorteilhafterweise ist das Verfahren auch in diesem Fall einfach und kostengünstig durchführbar.In one embodiment of the method, the current value dependent on the measured value is calculated. This possibility exists in particular if the dependence between the measured value and the current value can be approximated by a mathematical function. Advantageously, the method is easy and inexpensive to carry out in this case.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bestimmen des Messwerts ein Ermitteln einer Temperatur, insbesondere ein Ermitteln einer Umgebungstemperatur. Bekanntermaßen ist die Peakwellenlänge einer von einem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung von einer Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips abhängig. Das Bestimmen einer Temperatur ermöglicht dadurch einen direkten Rückschluss auf eine eventuelle Verschiebung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung. Falls die ermittelte Temperatur eine Umgebungstemperatur in der Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips ist, so kann aus der Umgebungstemperatur auf die Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips geschlossen werden. Hierbei kann ausgenutzt werden, dass sich im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips ein stationärer Zustand einstellen kann, in dem ein fester Zusammenhang zwischen der Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips und der Umgebungstemperatur besteht.In one embodiment of the method, determining the measured value comprises determining a temperature, in particular determining an ambient temperature. As is known, the peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by an optoelectronic semiconductor chip is dependent on a temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip. Determining a Temperature thus allows a direct inference to a possible shift in the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip. If the determined temperature is an ambient temperature in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip, the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip can be deduced from the ambient temperature. In this case, it can be exploited that a stationary state can occur during operation of the optoelectronic semiconductor chip, in which there is a fixed relationship between the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip and the ambient temperature.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Stromstärke bei steigender Temperatur erhöht. Die Erhöhung der Stromstärke kann dabei eine Verschiebung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu kleineren Werten bewirken. Dadurch kann eine durch eine Erhöhung der Temperatur bewirkte Verschiebung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu größeren Werten kompensiert werden.In one embodiment of the method, the current intensity is increased with increasing temperature. The increase in the current intensity can bring about a shift in the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip to smaller values. As a result, a displacement of the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip caused by an increase in the temperature can be compensated to larger values.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bestimmen des Messwerts ein Ermitteln einer über den optoelektronischen Halbleiterchip abfallenden elektrischen Spannung. Die über den optoelektronischen Halbleiterchip abfallende elektrische Spannung kann vorteilhafterweise ein Maß für eine Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips darstellen. Da die Peakwellenlänge einer von einem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung von einer Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips abhängig ist, erlaubt es der ermittelte Wert der über den optoelektronischen Halbleiterchip abfallenden elektrischen Spannung, auf eine eventuelle Verschiebung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu schließen.In one embodiment of the method, the determination of the measured value comprises determining a voltage drop across the optoelectronic semiconductor chip. The voltage drop across the optoelectronic semiconductor chip can advantageously represent a measure of a temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip. Since the peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by an optoelectronic semiconductor chip is dependent on a temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip, the determined value of the voltage drop across the optoelectronic semiconductor chip allows an eventual shift of the peak wavelength of the electromagnetic energy emitted by the optoelectronic semiconductor chip Close radiation.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bestimmen des Messwerts ein Bestimmen einer Temperatur aus der ermittelten Spannung. Da die über den optoelektronischen Halbleiterchip abfallende elektrische Spannung mit der Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips verknüpft ist, ermöglicht die Ermittlung des Werts der über den optoelektronischen Halbleiterchip abfallenden elektrischen Spannung eine zumindest näherungsweise Bestimmung der Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips. Aus der so ermittelten Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips kann wiederum auf eine eventuelle Verschiebung einer Peakwellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung geschlossen werden.In one embodiment of the method, determining the measured value comprises determining a temperature from the determined voltage. Since the voltage drop across the optoelectronic semiconductor chip is linked to the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip, the determination of the value of the voltage drop across the optoelectronic semiconductor chip makes it possible to determine at least approximately the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip. From the thus determined temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip, it is possible in turn to deduce a possible shift of a peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bestimmen des Messwerts ein Ermitteln einer Peakwellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung. Vorteilhafterweise lässt sich über eine Ermittlung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung eine Änderung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung besonders genau und zuverlässig erkennen.In one embodiment of the method, determining the measured value comprises determining a peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip. Advantageously, a change in the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip can be detected particularly accurately and reliably by determining the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird dieses in einer Regelschleife ausgeführt. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine langfristige Stabilisierung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung.In one embodiment of the method, this is carried out in a control loop. Advantageously, the method thereby enables long-term stabilization of the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Stromstärke auf einen Wert eingestellt, der unterhalb von 1,5 A pro Quadratmillimeter aktiver Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips liegt, bevorzugt unterhalb von 1 A pro Quadratmillimeter aktiver Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips. Es hat sich gezeigt, dass ein in einen optoelektronischen Halbleiterchip fließender Strom mit einer Stromstärke von weniger als 1,5 A pro Quadratmillimeter aktiver Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips noch nicht zu einer signifikanten Erwärmung der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips und dadurch auch nicht zu einer durch eine solche Erwärmung verursachten Vergrößerung der Peakwellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung führt. Vorteilhafterweise wird dadurch sichergestellt, dass eine Erhöhung der Stromstärke des in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden Stroms eine Verkleinerung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zur Folge hat.In one embodiment of the method, the current intensity is set to a value which is below 1.5 A per square millimeter of active area of the optoelectronic semiconductor chip, preferably below 1 A per square millimeter of active area of the optoelectronic semiconductor chip. It has been found that a current flowing into an optoelectronic semiconductor chip with a current intensity of less than 1.5 A per square millimeter of active area of the optoelectronic semiconductor chip does not yet result in significant heating of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip and thereby also not by one Such heating caused increase in the peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip. Advantageously, this ensures that an increase in the current intensity of the current flowing in the optoelectronic semiconductor chip results in a reduction in the peak wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Stromstärke auf einen Wert eingestellt, der kleiner als 200 mA ist. Vorteilhafterweise hat sich gezeigt, dass eine solche Stromstärke des in den optoelektronischen Halbleiterchip fließenden Stroms noch nicht zu einer signifikanten Erwärmung der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips führt, die eine Erhöhung der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zur Folge hätte.In one embodiment of the method, the current is set to a value that is less than 200 mA. Advantageously, it has been found that such a current intensity of the current flowing in the optoelectronic semiconductor chip does not yet lead to significant heating of the active layer of the Optoelectronic semiconductor chip leads, which would result in an increase of the peak wavelength of the emitted electromagnetic radiation from the optoelectronic semiconductor chip.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip und eine Ansteuerschaltung, die ausgebildet ist, ein Verfahren der oben genannten Art durchzuführen. Vorteilhafterweise ermöglicht es dieses optoelektronische Bauelement, eine Peakwellenlänge einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung, unabhängig von einer Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips, innerhalb eines festgelegten Abweichungsbereichs zu halten, ohne dass hierfür eine aktive Regulierung der Temperatur des optoelektronischen Halbleiterchips erforderlich ist. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders einfach, kompakt und kostengünstig ausgebildet sein.An optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip and a drive circuit which is designed to carry out a method of the type mentioned above. Advantageously, this optoelectronic component makes it possible to keep a peak wavelength of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip, regardless of a temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip, within a specified deviation range, without requiring an active regulation of the temperature of the optoelectronic semiconductor chip. As a result, the optoelectronic component can advantageously be made particularly simple, compact and inexpensive.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter DarstellungThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 ein Blockschaltbild eines optoelektronischen Bauelements; 1 a block diagram of an optoelectronic device;

2 ein Temperaturabhängigkeitsdiagramm eines optoelektronischen Halbleiterchips; 2 a temperature dependence diagram of an optoelectronic semiconductor chip;

3 ein Stromabhängigkeitsdiagramm eines optoelektronischen Halbleiterchips; und 3 a current dependence diagram of an optoelectronic semiconductor chip; and

4 ein Kompensationsdiagramm zur Illustration eines Verfahrens zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips. 4 a compensation diagram illustrating a method for operating an optoelectronic semiconductor chip.

1 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines optoelektronischen Bauelements 100, das einen optoelektronischen Halbleiterchip 110 und eine Ansteuerschaltung 120 umfasst. Neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 und der Ansteuerschaltung 120 kann das optoelektronische Bauelement 100 weitere Komponenten umfassen, die in 1 nicht dargestellt sind. 1 shows a schematic block diagram of an optoelectronic device 100 comprising an optoelectronic semiconductor chip 110 and a drive circuit 120 includes. In addition to the optoelectronic semiconductor chip 110 and the drive circuit 120 can the optoelectronic device 100 include other components that are in 1 are not shown.

Der optoelektronische Halbleiterchip 110 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 110 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) oder ein Laserchip sein. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 wird elektrischer Strom durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 geleitet. Dabei erfahren Elektronen in einer aktiven Schicht einer Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 einen Bandübergang, was mit einer Emission elektromagnetischer Strahlung einhergeht.The optoelectronic semiconductor chip 110 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light. The optoelectronic semiconductor chip 110 For example, it can be a light-emitting diode chip (LED chip) or a laser chip. During operation of the optoelectronic component 100 becomes electrical current through the optoelectronic semiconductor chip 110 directed. Here, electrons experience an active layer of a semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 a band transition, which is accompanied by emission of electromagnetic radiation.

Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 des optoelektronischen Bauelements 100 emittierte elektromagnetische Strahlung weist eine Wellenlängenverteilung mit einer Peakwellenlänge auf. Die Peakwellenlänge gibt dabei das Maximum der Strahlungsfunktion an. Die Peakwellenlänge ist die Wellenlänge, in der das Spektrum der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung die maximale Intensität aufweist. Die Peakwellenlänge hängt von einer Bandlücke der Bandstruktur der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 ab.From the optoelectronic semiconductor chip 110 of the optoelectronic component 100 emitted electromagnetic radiation has a wavelength distribution with a peak wavelength. The peak wavelength indicates the maximum of the radiation function. The peak wavelength is the wavelength in which the spectrum passes through the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation having the maximum intensity. The peak wavelength depends on a band gap of the band structure of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 from.

Es ist bekannt, dass die Bandlücke der Bandstruktur der Halbleiterstrukturen des optoelektronischen Halbleiterchips 110 temperaturabhängig ist. Dabei sind die Bandlücke und damit auch die Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung in erster Linie von der Temperatur der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 abhängig. Da der optoelektronische Halbleiterchip 110 im Wärmeaustausch mit seiner Umgebung steht, ist die Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung aber auch von der Umgebungstemperatur in der Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips 110 abhängig.It is known that the band gap of the band structure of the semiconductor structures of the optoelectronic semiconductor chip 110 is temperature dependent. In this case, the band gap and thus also the peak wavelength of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation primarily from the temperature of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 dependent. As the optoelectronic semiconductor chip 110 is in heat exchange with its surroundings, the peak wavelength is that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation but also from the ambient temperature in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip 110 dependent.

Außerdem ändert sich die Peakwellenlänge der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung mit der Größe einer an den optoelektronischen Halbleiterchip 110 angelegten externen elektrischen Spannung und damit auch mit der Stromstärke eines in Durchlassrichtung durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms.In addition, the peak wavelength changes through the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation having the size of a to the optoelectronic semiconductor chip 110 applied external electrical voltage and thus also with the current strength in the forward direction through the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electricity.

Die Ansteuerschaltung 120 des optoelektronischen Bauelements 100 ist dazu vorgesehen, den optoelektronischen Halbleiterchip 110 des optoelektronischen Bauelements 100 anzusteuern. Hierbei ist die Ansteuerschaltung 120 insbesondere dazu ausgebildet, einen elektrischen Strom mit einstellbarer Stromstärke durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 zu leiten. Dabei ist die Ansteuerschaltung 120 dazu ausgebildet, ein nachfolgend anhand von 4 erläutertes Verfahren durchzuführen.The drive circuit 120 of the optoelectronic component 100 is intended to the optoelectronic semiconductor chip 110 of the optoelectronic component 100 head for. Here is the drive circuit 120 in particular adapted to an electric current with adjustable current through the optoelectronic semiconductor chip 110 to lead. Here is the drive circuit 120 designed to be a subsequently by means of 4 to carry out the explained method.

2 zeigt ein exemplarisches schematisches Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 zur Illustration der Abhängigkeit der Peakwellenlänge der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung von einer Temperatur. Auf einer horizontalen Achse des Temperaturabhängigkeitsdiagramms 200 ist eine Temperatur 210 in der Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips 110 in Grad Celsius aufgetragen. Auf einer vertikalen Achse des Temperaturabhängigkeitsdiagramms 200 ist die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung in beliebigen Einheiten aufgetragen. Dabei nimmt die Peakwellenlänge 220 von unten nach oben zu. 2 shows an exemplary schematic temperature dependency diagram 200 to illustrate the dependence of the peak wavelength of the of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from a temperature. On a horizontal axis of the temperature dependency diagram 200 is a temperature 210 in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip 110 Plotted in degrees Celsius. On a vertical axis of the temperature dependency diagram 200 is the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation in arbitrary units. The peak wavelength decreases 220 from bottom to top.

Die in dem Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 der 2 exemplarisch dargestellte Abhängigkeit der Peakwellenlänge 220 von der Temperatur 210 ergibt sich bei einer exemplarischen Basisstromstärke 311 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden elektrischen Stroms von beispielsweise 5 mA (vgl. 3). Bei einer willkürlich festgelegten Basistemperatur 211 von beispielsweise 25 °C weist die von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierte elektromagnetische Strahlung eine Basis-Peakwellenlänge 221 auf.The in the temperature dependency diagram 200 of the 2 Exemplary illustrated dependence of the peak wavelength 220 from the temperature 210 results from an exemplary base current 311 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electric current of, for example, 5 mA (see. 3 ). At an arbitrary base temperature 211 for example, 25 ° C, that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation has a base peak wavelength 221 on.

In dem in 2 exemplarisch dargestellten Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 wächst die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung mit steigender Temperatur 210 an. Die absolute Erhöhung der Peakwellenlänge 220 kann dabei im Temperaturbereich von –40 °C bis 100 °C beispielsweise etwa 3 nm betragen. Es ist allerdings auch möglich, die Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 so auszubilden, dass die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung mit steigender Temperatur 210 absinkt.In the in 2 exemplified temperature dependence diagram 200 the peak wavelength grows 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation with increasing temperature 210 at. The absolute increase of the peak wavelength 220 may be in the temperature range of -40 ° C to 100 ° C, for example, about 3 nm. However, it is also possible to use the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 form so that the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation with increasing temperature 210 decreases.

3 zeigt ein exemplarisches schematisches Stromabhängigkeitsdiagramm 300 zur Illustration der Abhängigkeit der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung von der Stromstärke des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms. Auf einer horizontalen Achse des Stromabhängigkeitsdiagramms 300 ist eine Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden elektrischen Stroms in mA dargestellt. Auf einer vertikalen Achse des Stromabhängigkeitsdiagramms 300 ist die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung aufgetragen. 3 shows an exemplary schematic flow dependency diagram 300 to illustrate the dependence of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from the current of the in the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electricity. On a horizontal axis of the current dependency diagram 300 is a current 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electrical current shown in mA. On a vertical axis of the current dependency diagram 300 is the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation.

Die in dem Stromabhängigkeitsdiagramm 300 dargestellte Abhängigkeit der Peakwellenlänge 220 der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung von der Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms ergibt sich bei der beispielhaften Basistemperatur 211 von 25 °C. Bei der beispielhaften Basisstromstärke 311 von 25 mA ergibt sich die bereits im Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 der 2 dargestellte Basis-Peakwellenlänge 221 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung.The in the flow dependency chart 300 illustrated dependency of the peak wavelength 220 the through the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from the amperage 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing current results at the exemplary base temperature 211 from 25 ° C. In the exemplary base current level 311 25 mA results already in the temperature dependency diagram 200 of the 2 illustrated base peak wavelength 221 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation.

Bei steigender Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms sinkt die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung zunächst ab. Oberhalb einer Grenzstromstärke 312 von beispielsweise 200 mA des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms kommt es jedoch zu einer durch eine signifikante Erwärmung der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 bewirkten Erhöhung der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung. Die Grenzstromstärke 312 kann dabei beispielsweise etwa 1 A pro Quadratmillimeter aktiver Fläche der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips 110 betragen. Bei einer beispielhaften Größe der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips 110 von 300 µm × 300 µm ergibt sich für die Grenzstromstärke 312 der beispielhafte Wert von 200 mA.With increasing current 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing current, the peak wavelength decreases 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from first. Above a limiting current level 312 for example, 200 mA of the in the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing current, however, there is a significant heating of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 caused increase in the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation. The limit current strength 312 For example, it may be about 1 A per square millimeter of active area of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip 110 be. In an exemplary size of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip 110 of 300 .mu.m.times.300 .mu.m results for the limiting current intensity 312 the exemplary value of 200 mA.

Die im Stromabhängigkeitsdiagramm 300 der 3 dargestellte Abhängigkeit der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung von der Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms kann genutzt werden, um die im Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 der 2 dargestellte Abhängigkeit der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung von der Temperatur 210 zu kompensieren.The in the current dependency diagram 300 of the 3 illustrated dependency of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from the amperage 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electricity can be used in the temperature dependency diagram 200 of the 2 illustrated dependency of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation from the temperature 210 to compensate.

4 zeigt ein exemplarisches schematisches Kompensationsdiagramm 400 zur Illustration eines entsprechenden Verfahrens. Auf einer horizontalen Achse des Kompensationsdiagramms 400 ist die Temperatur 210 in Grad Celsius dargestellt. Auf einer vertikalen Achse des Kompensationsdiagramms 400 ist die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung aufgetragen. 4 shows an exemplary schematic compensation diagram 400 to illustrate a corresponding method. On a horizontal axis of the compensation diagram 400 is the temperature 210 shown in degrees Celsius. On a vertical axis of the compensation diagram 400 is the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation.

Der im Kompensationsdiagramm 400 beispielhaft dargestellte Verlauf der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung bei unterschiedlichen Werten der Temperatur 210 ergibt sich, wenn die Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden elektrischen Stroms bei unterschiedlichen Werten der Temperatur 210 auf unterschiedliche Werte eingestellt wird. Wird die Stromstärke 310 in dem anhand der 2 und 3 erläuterten Beispiel auf die in der nachfolgenden Tabelle angegebenen, von der Temperatur 210 abhängigen, Werte eingestellt, so ergibt sich der in dem Kompensationsdiagramm 400 der 4 dargestellte Verlauf der Peakwellenlänge 220. Temperatur Stromstärke –40 °C 2 mA –20 °C 2 mA 0 °C 2 mA 20 °C 5 mA 40 °C 5 mA 60 °C 10 mA 80 °C 10 mA 100 °C 20 mA The one in the compensation diagram 400 exemplified course of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation at different values of temperature 210 results when the current 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electrical current at different values of temperature 210 is set to different values. Will the current 310 in the basis of the 2 and 3 illustrated example, the temperature given in the table below 210 dependent, values are set, this results in the compensation diagram 400 of the 4 illustrated course of the peak wavelength 220 , temperature amperage -40 ° C 2 mA -20 ° C 2 mA 0 ° C 2 mA 20 ° C 5 mA 40 ° C 5 mA 60 ° C 10 mA 80 ° C 10 mA 100 ° C 20mA

In dem Kompensationsdiagramm 400 ist erkennbar, dass sich die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung über den gesamten dargestellten Bereich der Temperatur 210 innerhalb eines festgelegten Abweichungsbereichs 410 um die Basis-Peakwellenlänge 221 bewegt. Der festgelegte Abweichungsbereich 410 kann beispielsweise eine Größe von ±5 nm um die Basis-Peakwellenlänge 221 aufweisen. Durch eine feiner unterteilte Einstellung der Stromstärke 310 in Abhängigkeit von der Temperatur 210 kann die Größe des festgelegten Abweichungsbereichs 410 weiter reduziert werden.In the compensation diagram 400 it can be seen that the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation over the entire range of temperature shown 210 within a specified range of deviation 410 around the base peak wavelength 221 emotional. The specified deviation range 410 may be, for example, ± 5 nm in size around the base peak wavelength 221 exhibit. By a finer subdivided adjustment of the amperage 310 depending on the temperature 210 can be the size of the specified deviation range 410 be further reduced.

In dem in 4 gezeigten Kompensationsdiagramm 400 muss die Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms mit steigender Temperatur 210 erhöht werden, um den im Temperaturabhängigkeitsdiagramm 200 der 2 dargestellten Anstieg der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung mit steigender Temperatur 210 zu kompensieren. Würde die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung mit steigender Temperatur 210 sinken, so müsste, zur Kompensation dieses Absinkens der Peakwellenlänge 220, die Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden elektrischen Stroms mit steigender Temperatur 210 reduziert werden.In the in 4 shown compensation diagram 400 must be the current 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electricity with increasing temperature 210 be increased to that in the temperature dependency chart 200 of the 2 shown increase in the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation with increasing temperature 210 to compensate. Would the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation with increasing temperature 210 decrease, so would, to compensate for this decrease in the peak wavelength 220 , the current strength 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electric current with increasing temperature 210 be reduced.

Die Ansteuerschaltung 120 des optoelektronischen Bauelements 100 ist dazu ausgebildet, den optoelektronischen Halbleiterchip 110 so anzusteuern, dass die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung stets innerhalb des festgelegten Abweichungsbereichs 410 um die Basis-Peakwellenlänge 221 liegt. Die Basis-Peakwellenlänge 221 ist dabei die Peakwellenlänge der elektromagnetischen Strahlung, die der optoelektronische Halbleiterchip 110 bei der festgelegten Basistemperatur 211 und der festgelegten Basisstromstärke 311 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden elektrischen Stroms emittiert. Die Ansteuerschaltung 120 des optoelektronischen Bauelements 100 ist hierzu ausgebildet, periodisch ein Verfahren mit den nachfolgend erläuterten Schritten durchzuführen.The drive circuit 120 of the optoelectronic component 100 is designed to be the optoelectronic semiconductor chip 110 so to control that the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation always within the specified range of deviation 410 around the base peak wavelength 221 lies. The base peak wavelength 221 is the peak wavelength of the electromagnetic radiation, which is the optoelectronic semiconductor chip 110 at the specified base temperature 211 and the specified base current 311 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing electrical current emitted. The drive circuit 120 of the optoelectronic component 100 is designed to periodically perform a method with the steps explained below.

In einem ersten Verfahrensschritt bestimmt die Ansteuerschaltung 120 des optoelektronischen Bauelements 100 einen Messwert einer physikalischen Messgröße. In einem zweiten Verfahrensschritt bestimmt die Ansteuerschaltung 120 einen von dem Messwert abhängigen Stromwert. In einem dritten Verfahrensschritt stellt die Ansteuerschaltung 120 die Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 des optoelektronischen Bauelements 100 fließenden Stroms auf den im vorhergegangenen Verfahrensschritt ermittelten Stromwert ein.In a first method step, the drive circuit determines 120 of the optoelectronic component 100 a measured value of a physical measurand. In a second method step, the drive circuit determines 120 a current value dependent on the measured value. In a third method step, the drive circuit 120 the current strength 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 of optoelectronic component 100 flowing current on the determined in the previous process step current value.

Die physikalische Messgröße wird so gewählt, dass der im ersten Verfahrensschritt bestimmte Messwert der physikalischen Messgröße einen Hinweis auf eine temperaturbedingte Verschiebung der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung liefert. Die physikalische Messgröße kann beispielsweise die Temperatur der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 sein. In diesem Fall weist der ermittelte Messwert der physikalischen Messgröße unmittelbar auf eine temperaturbedingte Verschiebung der Peakwellenlänge 220 hin.The physical measured variable is selected such that the measured value of the physical measured variable determined in the first method step indicates the temperature-induced shift of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation. The physical measured variable can be, for example, the temperature of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 be. In this case, the determined measured value of the physical measured variable directly points to a temperature-dependent shift of the peak wavelength 220 out.

Die physikalische Messgröße kann aber beispielsweise auch eine Umgebungstemperatur in der Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips 110 sein. In vielen Betriebssituationen des optoelektronischen Bauelements 100 stellt sich ein stationärer Zustand ein, in dem zwischen der Umgebungstemperatur in der Umgebung des optoelektronischen Halbleiterchips 110 und der Temperatur der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 ein fester Zusammenhang besteht. In diesem Fall kann aus der ermittelten Umgebungstemperatur auf die Temperatur der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 geschlossen werden. Somit liefert auch die gemessene Umgebungstemperatur einen Hinweis auf eine eventuelle Verschiebung der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung.However, the physical measured variable can also be, for example, an ambient temperature in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip 110 be. In many operating situations of the optoelectronic component 100 a stationary state occurs in which between the ambient temperature in the vicinity of the optoelectronic semiconductor chip 110 and the temperature of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 a firm connection exists. In this case, from the determined ambient temperature to the temperature of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 getting closed. Thus, the measured ambient temperature also provides an indication of a possible shift of the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation.

Bei der physikalischen Messgröße, deren Wert im ersten Verfahrensschritt bestimmt wird, kann es sich auch um eine über den optoelektronischen Halbleiterchip 110 abfallende elektrische Spannung handeln. Die über den optoelektronischen Halbleiterchip 110 abfallende elektrische Spannung ist von der Temperatur der aktiven Schicht der Halbleiterstruktur des optoelektronischen Halbleiterchips 110 abhängig. Dadurch erlaubt eine Bestimmung der über den optoelektronischen Halbleiterchip 110 abfallenden elektrischen Spannung einen Rückschluss auf die Temperatur der aktiven Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips 110 und liefert damit einen Hinweis auf eine eventuelle Verschiebung der Peakwellenlänge 220 der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung.The physical measured variable, the value of which is determined in the first method step, may also be an over the optoelectronic semiconductor chip 110 Falling electrical voltage act. The via the optoelectronic semiconductor chip 110 decreasing electrical voltage is the temperature of the active layer of the semiconductor structure of the optoelectronic semiconductor chip 110 dependent. This allows a determination of the optoelectronic semiconductor chip 110 declining electrical voltage a conclusion on the temperature of the active layer of the optoelectronic semiconductor chip 110 and thus provides an indication of a possible shift of the peak wavelength 220 the through the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation.

Die physikalische Messgröße, deren Wert im ersten Verfahrensschritt bestimmt wird, kann auch die Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung sein. In diesem Fall wird die Peakwellenlänge 220 also direkt bestimmt. Das von der Ansteuerschaltung 120 durchgeführte Verfahren kann dann wahlweise in einer Regelschleife ausgeführt werden.The physical measurand, the value of which is determined in the first method step, can also be the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 be emitted electromagnetic radiation. In this case, the peak wavelength becomes 220 So directly determined. That of the drive circuit 120 then carried out process can optionally be carried out in a control loop.

In einer vereinfachten Ausführungsform ist es auch möglich, lediglich ein Überschreiten eines festgelegten Schwellenwerts der Peakwellenlänge 220 zu erkennen und in diesem Fall eine Anpassung der Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 des optoelektronischen Bauelements 100 fließenden Stroms vorzunehmen.In a simplified embodiment, it is also possible to merely exceed a predetermined threshold value of the peak wavelength 220 to recognize and in this case an adjustment of the amperage 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 of the optoelectronic component 100 to make flowing electricity.

Das im zweiten Verfahrensschritt durchgeführte Bestimmen des von dem Messwert abhängigen Stromwerts kann unter Verwendung einer Wertetabelle erfolgen, die wie die oben beispielhaft angegebene Tabelle aufgebaut ist. In der Wertetabelle sind möglichen Messwerten der physikalischen Messgröße jeweils Stromwerte zugeordnet. Stromwerte zu in der Wertetabelle nicht ausdrücklich enthaltenen Messwerten der physikalischen Messgröße können durch Interpolation bestimmt werden. Alternativ kann der Stromwert verwendet werden, der dem dem Messwert nächstgelegenen Wert der physikalischen Messgröße zugeordnet ist, der in der Wertetabelle enthalten ist.The determination of the current value dependent on the measured value in the second method step can be carried out by using a table of values which is constructed like the table exemplified above. In the value table, current values are assigned to possible measured values of the physical measured variable. Current values for measured values of the physical measurand not expressly contained in the value table can be determined by interpolation. Alternatively, it is possible to use the current value which is assigned to the value of the physical measured variable closest to the measured value which is contained in the value table.

Das im zweiten Verfahrensschritt erfolgende Bestimmen des von dem Messwert abhängigen Stromwerts kann auch durch eine Berechnung erfolgen. Beispielsweise kann der im Stromabhängigkeitsdiagramm 300 der 3 dargestellte Zusammenhang zwischen der Peakwellenlänge 220 der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten elektromagnetischen Strahlung und der Stromstärke 310 des in den optoelektronischen Halbleiterchip 110 fließenden Stroms durch eine Funktion approximiert werden. Der von dem Messwert abhängige Stromwert kann dann im zweiten Verfahrensschritt unter Verwendung dieser Funktion berechnet werden.The determination of the current value dependent on the measured value in the second method step can also be performed by a calculation. For example, in the flow dependency graph 300 of the 3 illustrated relationship between the peak wavelength 220 that of the optoelectronic semiconductor chip 110 emitted electromagnetic radiation and the current intensity 310 of the optoelectronic semiconductor chip 110 flowing current can be approximated by a function. The current value dependent on the measured value can then be calculated in the second method step using this function.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100: optoelektronisches Bauelement optoelectronic component
110110: optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
120120: Ansteuerschaltung drive circuit
200200: Temperaturabhängigkeitsdiagramm Temperature dependency graph
210210: Temperatur temperature
211211: Basistemperatur base temperature
220220: Peakwellenlänge Peak wavelength
221221: Basis-Peakwellenlänge Base peak wavelength
300300: Stromabhängigkeitsdiagramm Current dependency graph
310310: Stromstärke amperage
311311: Basisstromstärke Base current
312312: Grenzstromstärke Limiting current
400400: Kompensationsdiagramm compensation chart
410410: festgelegter Abweichungsbereich defined deviation range

Claims

Method for operating an optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) comprising the following steps: - determining a measured value of a physical measured variable; Determining a current value dependent on the measured value; - Setting a current ( 310 ) one in the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) flowing current to the current value.

Method according to claim 1, wherein the current value is determined so that a peak wavelength ( 220 ) one of the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) emitted electromagnetic radiation within a specified range of deviation ( 410 ) by one base-peak wavelength ( 221 ) of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) at a fixed base temperature ( 211 ) and at a fixed base current ( 311 ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) is emitted flowing current.

The method of claim 2, wherein the predetermined range of deviation is ± 0.5 nm about the base peak wavelength (FIG. 221 ).

Method according to one of the preceding claims, wherein the current value dependent on the measured value is taken from a value table.

Method according to one of claims 1 to 3, wherein the current value dependent on the measured value is calculated.

Method according to one of the preceding claims, wherein determining the measured value comprises determining a temperature ( 210 ), in particular determining an ambient temperature.

Method according to claim 6, wherein the current ( 310 ) with increasing temperature ( 210 ) is increased.

Method according to one of the preceding claims, wherein the determination of the measured value comprises determining a voltage across the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) includes falling voltage.

The method of claim 8, wherein determining the measurement comprises determining a temperature from the determined voltage.

Method according to one of claims 1 to 5, wherein determining the measured value comprises determining a peak wavelength ( 220 ) one of the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) comprises emitted electromagnetic radiation.

Method according to claims 2 and 10, wherein the method is carried out in a closed loop.

Method according to one of the preceding claims, wherein the current strength ( 310 ) is set to a value which is below 1.5 A per square millimeter of active area of the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ), preferably below 1 A per square millimeter of active area of the optoelectronic semiconductor chip ( 110 ).

Method according to one of the preceding claims, wherein the current strength ( 310 ) is set to a value smaller than 200 mA.

Optoelectronic component ( 100 ) with an optoelectronic semiconductor chip ( 110 ) and a drive circuit ( 120 ), which is designed to carry out a method according to one of the preceding claims.