DE102014106020A1 - Optoelectronic component and method for its production - Google Patents

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit einer an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität. Die Kavität weist eine umlaufende Wandung auf. Die Wandung weist einen Rampenabschnitt auf. Der Rampenabschnitt weist eine geringere Neigung auf als die übrigen Abschnitte der Wandung.An optoelectronic component comprises a housing with a cavity formed on an upper side of the housing. The cavity has a circumferential wall. The wall has a ramp section. The ramp section has a lower inclination than the remaining sections of the wall.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 13.The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 13.

Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, bekannt, die ein Gehäuse mit eingebetteten Leiterrahmenabschnitten aufweisen. Solche Gehäuse weisen eine Kavität auf, in der ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet und elektrisch leitend mit den Leiterrahmenabschnitten verbunden ist. Die Kavität ist mit einem Vergussmaterial verfüllt, in das der optoelektronische Halbleiterchip eingebettet ist. Das Einbringen des Vergussmaterials erfolgt in der Regel durch Nadeldosieren. Dieses muss wegen der beengten Platzverhältnisse häufig langsam und in mehreren Teilschritten durchgeführt werden. Außerdem besteht dabei die Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts.In the prior art, optoelectronic components, for example light-emitting diode components, are known, which have a housing with embedded leadframe sections. Such housings have a cavity in which an optoelectronic semiconductor chip is arranged and electrically conductively connected to the leadframe sections. The cavity is filled with a potting material, in which the optoelectronic semiconductor chip is embedded. The introduction of the potting material is usually done by needle dosing. This often has to be carried out slowly and in several sub-steps because of the limited space available. In addition, there is the risk of damage to a running in the cavity bonding wire.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. A further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 13. In the dependent claims various developments are given.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit einer an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität. Die Kavität weist eine umlaufende Wandung auf. Die Wandung weist einen Rampenabschnitt auf. Der Rampenabschnitt weist eine geringere Neigung auf als die übrigen Abschnitte der Wandung. Vorteilhafterweise kann der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements eine Befüllung der Kavität mit einem Vergussmaterial erleichtern. Der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität kann dabei als Zuflussrampe für das Vergussmaterial dienen. Vergussmaterial kann so in die Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements eingefüllt werden, dass das Vergussmaterial über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität in die Kavität läuft. Dadurch ermöglicht der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität eine Steuerung der Fließrichtung des Vergussmaterials. Zum Einfüllen von Vergussmaterial in die Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung platziert werden. Dies wird durch die reduzierte Neigung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität unterstützt. Vorteilhafterweise kann dadurch verhindert werden, dass die Dosiernadel in unmittelbarer Nähe eines in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts platziert werden muss, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Halbleiterchips oder des Bonddrahts vorteilhafterweise reduziert wird.An optoelectronic component comprises a housing with a cavity formed on an upper side of the housing. The cavity has a circumferential wall. The wall has a ramp section. The ramp section has a lower inclination than the remaining sections of the wall. Advantageously, the ramp section of the wall of the cavity of the housing of this optoelectronic component can facilitate a filling of the cavity with a potting material. The ramp section of the wall of the cavity can serve as an inflow ramp for the potting material. Potting material can be filled into the cavity of the housing of the optoelectronic component such that the potting material runs over the ramp section of the wall of the cavity into the cavity. As a result, the ramp section of the wall of the cavity allows control of the flow direction of the potting material. For filling of potting material into the cavity of the housing of the optoelectronic component, for example, a dispensing needle can be placed over the ramp section of the wall. This is aided by the reduced inclination of the ramp portion of the wall of the cavity. Advantageously, this can prevent the dispensing needle from being placed in the immediate vicinity of an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity or a bonding wire extending in the cavity, whereby the risk of damage to the optoelectronic semiconductor chip or the bonding wire is advantageously reduced.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt. Vorteilhafterweise können die erste Kammer und die zweite Kammer der Kavität dadurch zur Herstellung einer Chipbondverbindung und zur Herstellung einer Drahtbondverbindung genutzt werden.In one embodiment of the optoelectronic component, the cavity is subdivided into a first chamber and a second chamber. Advantageously, the first chamber and the second chamber of the cavity can thereby be used for producing a die bond and for producing a wire bond connection.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer ein durch das Gehäuse gebildeter Damm. Vorteilhafterweise kann der Damm verhindern, dass Lot unbeabsichtigt von einer der Kammern der Kavität zur anderen Kammer der Kavität fließt, was einen Kurzschluss verursachen könnte.In one embodiment of the optoelectronic device, a dam formed by the housing extends between the first chamber and the second chamber. Advantageously, the dam can prevent solder from inadvertently flowing from one of the cavities of the cavity to the other chamber of the cavity, which could cause a short circuit.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms eine geringere Neigung auf als eine der zweiten Kammer zugewandte Seite des Damms. Vorteilhafterweise kann dadurch auch der Damm zur Befüllung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements mit Vergussmaterial genutzt werden. Dabei kann die der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms dazu dienen, Vergussmaterial in die erste Kammer der Kavität zu leiten. In one embodiment of the optoelectronic component, a side of the dam facing the first chamber has a smaller inclination than a side of the dam facing the second chamber. Advantageously, thereby the dam for filling the cavity of the housing of the optoelectronic device can be used with potting material. In this case, the side facing the first chamber of the dam can serve to direct potting material in the first chamber of the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements grenzt der Rampenabschnitt an ein Längsende des Damms an. Dies ermöglicht es vorteilhafterweise, zur Befüllung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements Vergussmaterial über den Rampenabschnitt und eine oder mehrere Seitenwände des Damms in eine oder mehrere Kammern der Kavität fließen zu lassen. Dabei fließt das Vergussmaterial von dem Rampenabschnitt über den Damm in die Kavität.In one embodiment of the optoelectronic component, the ramp section adjoins a longitudinal end of the dam. This advantageously makes it possible to pour potting material over the ramp section and one or more sidewalls of the dam into one or more chambers of the cavity for filling the cavity of the housing of the optoelectronic component. The potting material flows from the ramp section via the dam into the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Wandung in dem Rampenabschnitt in Richtung der ersten Kammer orientiert. Vorteilhafterweise ermöglicht der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements dadurch eine Befüllung der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements.In one embodiment of the optoelectronic component, the wall in the ramp section is oriented in the direction of the first chamber. Advantageously, the ramp section of the wall of the cavity of the housing of the optoelectronic component thereby enables a filling of the first chamber of the cavity of the housing of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der ersten Kammer ein in das Gehäuse eingebetteter erster Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhafterweise kann der am Grund der ersten Kammer der Kavität zugängliche erste Leiterrahmenabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen.In one embodiment of the optoelectronic component, a first embedded in the housing at the bottom of the first chamber Ladder frame section accessible. Advantageously, the first leadframe section accessible at the bottom of the first chamber of the cavity can provide an electrically conductive connection to an external contact surface of the optoelectronic device.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der zweiten Kammer ein in das Gehäuse eingebetteter zweiter Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhafterweise kann der am Grund der zweiten Kammer der Kavität des optoelektronischen Bauelements zugängliche zweite Leiterrahmenabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer von außen zugänglichen externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen.In one embodiment of the optoelectronic component, a second leadframe section embedded in the housing is accessible at the bottom of the second chamber. Advantageously, the second lead frame section accessible at the bottom of the second chamber of the cavity of the optoelectronic component can provide an electrically conductive connection to an externally accessible external contact surface of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der ersten Kammer der Kavität ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein.In one embodiment of the optoelectronic component, an optoelectronic semiconductor chip is arranged in the first chamber of the cavity. The optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip).

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich ein Bonddraht zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer. Dabei kann der Bonddraht vollständig innerhalb der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements verlaufen, wodurch der Bonddraht vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt ist.In one embodiment of the optoelectronic component, a bonding wire extends between the first chamber and the second chamber. In this case, the bonding wire can run completely within the cavity of the housing of the optoelectronic component, whereby the bonding wire is protected from damage by external influences.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Dabei können ein in der Kavität angeordneter optoelektronischer Halbleiterchip und ein in der Kavität verlaufender Bonddraht in das Vergussmaterial eingebettet sein. Dadurch sind der optoelektronische Halbleiterchip und der Bonddraht vorteilhafterweise vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. Vorteilhafterweise kann das Vergussmaterial unter Nutzung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität auch dann zuverlässig in die Kavität eingebracht werden, wenn die Kavität eine geringe Größe aufweist.In one embodiment of the optoelectronic component, a potting material is arranged in the cavity. In this case, an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity and a bonding wire extending in the cavity can be embedded in the potting material. As a result, the optoelectronic semiconductor chip and the bonding wire are advantageously protected against damage due to external influences. Advantageously, the potting material can be reliably introduced into the cavity using the ramp section of the wall of the cavity even if the cavity has a small size.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial Silikon auf. Dabei weist das Vergussmaterial außerdem eingebettete Partikel auf, die TiO2 aufweisen. Vorteilhafterweise bewirkt das Vergussmaterial dadurch einen Schutz eines in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Außerdem können die in das Vergussmaterial eingebetteten Partikel eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung diffus streuen, um eine gleichmäßige Abstrahlung von Licht zu bewirken.In one embodiment of the optoelectronic component, the potting material comprises silicone. In this case, the potting material also has embedded particles which have TiO 2 . Advantageously, the potting material thereby causes protection of an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity from damage due to external influences. In addition, the particles embedded in the potting material can diffusely scatter an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip in order to effect a uniform emission of light.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität, wobei die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt ist, wobei die Kavität eine umlaufende Wandung aufweist, wobei die Wandung einen Rampenabschnitt aufweist, wobei der Rampenabschnitt eine geringere Neigung aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung, zum Befüllen der zweiten Kammer mit Vergussmaterial und zum Befüllen der ersten Kammer mit Vergussmaterial. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache, schnelle und zuverlässige Befüllung der Kammern der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements. Dabei besteht nur eine geringe Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines sich in der Kavität erstreckenden Bonddrahts. Beim Befüllen der Kavität mit Vergussmaterial kann vorteilhafterweise der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses genutzt werden, um das Vergussmaterial in eine gewünschte Fließrichtung in die Kavität einfließen zu lassen. Hierdurch kann vorteilhafterweise eine zuverlässig und gleichmäßige Verteilung des Vergussmaterials in der Kavität erreicht werden.A method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a housing having a cavity formed on an upper side of the housing, wherein the cavity is subdivided into a first chamber and a second chamber, wherein the cavity has a circumferential wall, the wall forming a ramp section wherein the ramp portion has a lower inclination than the remaining portions of the wall, for filling the second chamber with potting material and for filling the first chamber with potting material. Advantageously, this method enables a simple, fast and reliable filling of the chambers of the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by the method. There is only a slight risk of damaging an optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity of the housing of the optoelectronic component or a bonding wire extending in the cavity. When filling the cavity with potting material, advantageously the ramp section of the wall of the cavity of the housing can be used to allow the potting material to flow into the cavity in a desired flow direction. In this way, advantageously, a reliable and uniform distribution of the potting material in the cavity can be achieved.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Befüllen der zweiten Kammer und der ersten Kammer mit Vergussmaterial durch Nadeldosieren. Vorteilhafterweise kann das Befüllen der Kammern der Kavität mit Vergussmaterial dabei mit einer geringen Anzahl einzelner Dosierschritte erfolgen.In one embodiment of the method, the filling of the second chamber and the first chamber with potting material takes place by needle dosing. Advantageously, the filling of the chambers of the cavity with potting material can take place with a small number of individual metering steps.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird zum Befüllen der ersten Kammer eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung angeordnet. Vorteilhafterweise kann das Vergussmaterial dann über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses in die erste Kammer der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren optoelektronischen Bauelements fließen. Dabei ist es nicht erforderlich, die Dosiernadel unmittelbar über der ersten Kammer der Kavität zu platzieren, wodurch das Risiko einer versehentlichen Beschädigung eines der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität des Gehäuses angeordneten Bonddrahts vorteilhafterweise verringert wird.In one embodiment of the method, a dispensing needle is arranged above the ramp section of the wall for filling the first chamber. Advantageously, the potting material then flow over the ramp portion of the wall of the cavity of the housing in the first chamber of the cavity of the housing of the optoelectronic device by the method. It is not necessary to place the dispensing needle directly above the first chamber of the cavity, whereby the risk of accidental damage to one of the first chamber of the cavity of the housing arranged optoelectronic semiconductor chips or arranged in the cavity of the housing bonding wire is advantageously reduced.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter DarstellungThe above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments which will be described in connection with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine Aufsicht auf eine Oberseite eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements; 1 a plan view of an upper side of a housing of an optoelectronic device;

2 eine perspektivische Darstellung eines Teils des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements; 2 a perspective view of a portion of the housing of the optoelectronic device;

3 eine geschnittene Seitenansicht eines Teils des Gehäuses; 3 a sectional side view of a portion of the housing;

4 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach einem Befüllen einer ersten Kammer einer Kavität mit Vergussmaterial; und 4 a top view of the housing after filling a first chamber of a cavity with potting material; and

5 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach einem Befüllen einer zweiten Kammer der Kavität mit Vergussmaterial. 5 a top view of the housing after filling a second chamber of the cavity with potting material.

1 zeigt eine leicht schematisierte Aufsicht auf ein Gehäuse 100 eines optoelektronischen Bauelements 10. 2 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Teils des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzustrahlen. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. 1 shows a slightly schematic plan view of a housing 100 an optoelectronic component 10 , 2 shows a perspective view of a part of the housing 100 of the optoelectronic component 10 , The optoelectronic component 10 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light. The optoelectronic component 10 For example, it may be a light-emitting diode component (LED component).

Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial, etwa ein Epoxidharz, aufweisen. Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden. Insbesondere kann das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding) hergestellt werden. Das Gehäuse 100 kann als Teil eines eine Vielzahl von Gehäusen 100 umfassenden, zusammenhängenden Gehäuseverbunds hergestellt werden. In diesem Fall wird das Gehäuse 100 erst nach Abschluss weiterer gemeinsamer Bearbeitungsschritte durch Zerteilen des Gehäuseverbunds vereinzelt.The housing 100 of the optoelectronic component 10 For example, may be a plastic material, such as an epoxy resin. The housing 100 of the optoelectronic component 10 can be produced for example by a molding process (molding process). In particular, the housing 100 of the optoelectronic component 10 For example, by transfer molding (transfer molding) or by injection molding (injection molding) are produced. The housing 100 Can be part of a variety of enclosures 100 comprehensive, cohesive housing assembly are made. In this case, the case becomes 100 only separated after completion of further common processing steps by dividing the housing assembly.

In das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 110 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 120 eingebettet. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind als Abschnitte eines im Wesentlichen flachen Bleches ausgebildet und lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind in dem Gehäuse 100 voneinander beabstandet und durch Abschnitte des Gehäuses 100 elektrisch gegeneinander isoliert.In the case 100 of the optoelectronic component 10 are a first ladder frame section 110 and a second lead frame section 120 embedded. The first ladder frame section 110 and the second lead frame section 120 are formed as sections of a substantially flat sheet and laterally arranged side by side in a common plane. The first ladder frame section 110 and the second lead frame section 120 each have an electrically conductive material, such as a metal. The first ladder frame section 110 and the second lead frame section 120 are in the case 100 spaced apart and through portions of the housing 100 electrically isolated from each other.

Bevorzugt werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 bereits während der Herstellung des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 eingebettet. Dabei können der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 beispielsweise in einem Formverfahren durch das Material des Gehäuses 100 umformt werden.The first leadframe section is preferred 110 and the second lead frame section 120 in the manufacture of the optoelectronic component 10 already during the manufacture of the housing 100 in the case 100 embedded. In this case, the first lead frame section 110 and the second lead frame section 120 for example, in a molding process by the material of the housing 100 be transformed.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 können als Abschnitte eines zusammenhängenden, größeren Leiterrahmens mit einer Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 110 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 120 bereitgestellt werden. In diesem Fall wird der Leiterrahmen in einen zusammenhängenden Gehäuseverbund eingebettet. Erst während des Vereinzelns des Gehäuses 100 durch Zerteilen des Gehäuseverbunds werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 von den übrigen Teilen des Leiterrahmens getrennt.The first ladder frame section 110 and the second lead frame section 120 may be used as sections of a contiguous, larger leadframe having a plurality of first leadframe sections 110 and second leadframe sections 120 to be provided. In this case, the leadframe is embedded in a coherent package of packages. Only during the separation of the housing 100 by dividing the housing assembly, the first lead frame section 110 and the second lead frame section 120 separated from the remaining parts of the leadframe.

Das Gehäuse 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. 1 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100. Auch in 2 ist die Oberseite 101 des Gehäuses 100 sichtbar.The housing 100 has a top 101 and one of the top 101 opposite bottom 102 on. 1 shows a top view 101 of the housing 100 , Also in 2 is the top 101 of the housing 100 visible, noticeable.

An der Oberseite 101 des Gehäuses 100 ist eine Kavität 200 ausgebildet. Die Kavität 200 erstreckt sich als Vertiefung von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 hinein. An einem Grund 201 der Kavität 200 liegen nicht durch das Material des Gehäuses 100 bedeckte Schnitte des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 frei. Die Kavität 200 ist in eine erste Kammer 210 und eine zweite Kammer 220 unterteilt. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 sind benachbart nebeneinander angeordnet. An einem Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 ist ein Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugänglich. An einem Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 liegt ein Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 frei.At the top 101 of the housing 100 is a cavity 200 educated. The cavity 200 extends as a depression from the top 101 of the housing 100 in the case 100 into it. On a reason 201 the cavity 200 do not lie through the material of the housing 100 covered sections of the first ladder frame section 110 and the second lead frame portion 120 free. The cavity 200 is in a first chamber 210 and a second chamber 220 divided. The first chamber 210 and the second chamber 220 are arranged adjacent to each other. On a reason 211 the first chamber 210 the cavity 200 is a part of the first ladder frame section 110 accessible. On a reason 221 the second chamber 220 the cavity 200 is a part of the second lead frame section 120 free.

Die erste Kammer 210 der Kavität 200 ist im in 1 und 2 dargestellten Beispiel größer ausgebildet als die zweite Kammer 220 der Kavität 200. Dies bedeutet, dass die erste Kammer 210 ein größeres Volumen aufweist als die zweite Kammer 220. Außerdem weist der am Grund 211 der ersten Kammer 210 freiliegende Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 eine größere Fläche auf als der am Grund 221 der zweiten Kammer 220 freiliegende Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120.The first chamber 210 the cavity 200 is in the 1 and 2 illustrated example designed larger than the second chamber 220 the cavity 200 , This means that the first chamber 210 has a larger volume than the second chamber 220 , In addition, the points at the bottom 211 the first chamber 210 exposed part of the first lead frame section 110 a larger area than the ground 221 the second chamber 220 exposed part of the second lead frame section 120 ,

Zwischen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstreckt sich ein durch das Material des Gehäuses 100 gebildeter Damm 250. Der Damm 250 ist über die am Grund 201, 211, 221 der Kammern 210, 220 der Kavität 200 freiliegenden Teile der Leiterrahmenabschnitte 110, 120 erhaben. Der Damm 250 ist jedoch niedriger als die Tiefe der Kavität 200 ausgebildet, sodass eine Oberseite des Damms 250 gegenüber der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zurückversetzt ist. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 der Kavität 200 sind somit über den Damm 250 hinweg zusammenhängend miteinander verbunden. Der Damm 250 ist als im Wesentlichen geradliniger Balkenabschnitt des Gehäuses 100 ausgebildet. Between the first chamber 210 the cavity 200 and the second chamber 220 the cavity 200 extends through the material of the housing 100 formed dam 250 , The dam 250 is over at the bottom 201 . 211 . 221 of the chambers 210 . 220 the cavity 200 exposed parts of the leadframe sections 110 . 120 sublime. The dam 250 However, it is lower than the depth of the cavity 200 designed so that a top of the dam 250 opposite the top 101 of the housing 100 is set back. The first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 are thus over the dam 250 connected together coherently. The dam 250 is as a substantially straight beam portion of the housing 100 educated.

Die Kavität 200 des Gehäuses 100 wird seitlich durch eine durch das Material des Gehäuses 100 gebildete umlaufende Wandung 230 begrenzt. Ein in Umfangsrichtung der Kavität 200 begrenzter Teil der umlaufenden Wandung 230 wird durch einen Rampenabschnitt 240 gebildet. Der Rampenabschnitt 240 ist in einem an ein Längsende 280 des Damms 250 angrenzenden Teil der umlaufenden Wandung 230 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 angeordnet. Der Rampenabschnitt 240 ist dabei gegenüber einer Längserstreckungsrichtung des Damms 250 geneigt und der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandt. Beispielsweise kann der Rampenabschnitt 240 gegenüber der Längserstreckungsrichtung des Damms 250 einen Winkel von etwa 45° aufweisen und somit auch unter einem Winkel von etwa 45° der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandt sein.The cavity 200 of the housing 100 is laterally through a through the material of the housing 100 formed circumferential wall 230 limited. One in the circumferential direction of the cavity 200 limited part of the surrounding wall 230 is through a ramp section 240 educated. The ramp section 240 is in one at a longitudinal end 280 of the dam 250 adjacent part of the perimeter wall 230 between the first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 arranged. The ramp section 240 is opposite to a longitudinal direction of the dam 250 inclined and the first chamber 210 the cavity 200 facing. For example, the ramp section 240 opposite the longitudinal direction of the dam 250 have an angle of about 45 ° and thus at an angle of about 45 ° of the first chamber 210 the cavity 200 to be facing.

Von dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 abgesehen, weist die umlaufende Wandung 230 entlang der Umfangsrichtung der Kavität 200 fast überall eine Neigung 231 auf. Die Neigung 231 gibt den Winkel an, unter dem sich die umlaufende Wandung 230 von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zum Grund 201 der Kavität 200 erstreckt. Die Neigung 231 kann beispielsweise einen rechten Winkel aufweisen. Die Neigung 231 kann allerdings auch einen kleineren als einen rechten Winkel aufweisen. In diesem Fall weitet sich die Kavität 200 von ihrem Grund 201 in Richtung der Oberseite 101 des Gehäuses 100 konisch auf.From the ramp section 240 the surrounding wall 230 Apart, the peripheral wall points 230 along the circumferential direction of the cavity 200 a tendency almost everywhere 231 on. The inclination 231 indicates the angle under which the circumferential wall 230 from the top 101 of the housing 100 to the bottom 201 the cavity 200 extends. The inclination 231 may for example have a right angle. The inclination 231 However, it can also have a smaller than a right angle. In this case, the cavity expands 200 from their reason 201 towards the top 101 of the housing 100 conical.

Der Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 weist eine Neigung 241 auf. Die Neigung 241 ist geringer bzw. flacher als die Neigung 231 der meisten übrigen Abschnitte der umlaufenden Wandung 230. Beispielsweise kann die Neigung 241 des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 etwa 45° betragen.The ramp section 240 the surrounding wall 230 has a slope 241 on. The inclination 241 is lower or flatter than the slope 231 most of the remaining sections of the perimeter wall 230 , For example, the inclination 241 of the ramp section 240 the surrounding wall 230 about 45 °.

3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10. Die Schnittebene verläuft dabei senkrecht zur Längserstreckungsrichtung des zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 verlaufenden Damms 250 durch den Damm 250. 3 shows a schematic sectional side view of a portion of the housing 100 of the optoelectronic component 10 , The sectional plane is perpendicular to the longitudinal direction of the extending between the first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 of the housing 100 running dam 250 through the dam 250 ,

Der Damm 250 weist eine der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandte erste Seite 260 und eine der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 zugewandte zweite Seite 270 auf. Die erste Seite 260 des Damms 250 weist eine Neigung 261 auf. Die zweite Seite 270 des Damms 250 weist eine Neigung 271 auf. Die Neigung 261 der ersten Seite 260 ist geringer als die Neigung 271 der zweiten Seite 270 des Damms 250. Somit ist der Damm 250 an seiner ersten Seite 260 flacher ausgebildet als an seiner zweiten Seite 270.The dam 250 has one of the first chambers 210 the cavity 200 facing first page 260 and one of the second chamber 220 the cavity 200 facing second side 270 on. The first page 260 of the dam 250 has a slope 261 on. The second page 270 of the dam 250 has a slope 271 on. The inclination 261 the first page 260 is less than the slope 271 the second page 270 of the dam 250 , Thus, the dam 250 on his first page 260 flatter than on its second side 270 ,

1 und 2 zeigen einen optoelektronischen Halbleiterchip 300 des optoelektronischen Bauelements 10. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise als Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) ausgebildet sein. 1 and 2 show an optoelectronic semiconductor chip 300 of the optoelectronic component 10 , The optoelectronic semiconductor chip 300 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light. The optoelectronic semiconductor chip 300 For example, it can be designed as a light-emitting diode chip (LED chip).

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite auf. Die Oberseite 301 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 wird durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strahlung an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 abgestrahlt. An der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann ein Konverterelement angeordnet sein, das dazu vorgesehen ist, eine Wellenlänge von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Das Konverterelement kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren.The optoelectronic semiconductor chip 300 has a top 301 and one of the top 301 opposite bottom on. The top 301 forms a radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 , During operation of the optoelectronic component 10 is through the optoelectronic semiconductor chip 300 generated electromagnetic radiation at the top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 radiated. At the top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 For example, a converter element may be arranged which is intended to have a wavelength of λ through the optoelectronic semiconductor chip 300 to convert generated electromagnetic radiation. The converter element may, for example, be designed to pass through the optoelectronic semiconductor chip 300 to convert generated electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist am Grund 211 der ersten Kammer 210 in der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet. Dabei ist die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 300 dem am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 freiliegenden Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugewandt und mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbunden. Die Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 kann beispielsweise als Lötverbindung, als Klebeverbindung oder als andere Chipbondverbindung ausgebildet sein. Der sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstreckende Damm 250 kann vorteilhafterweise sicherstellen, dass während der Ausbildung der Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 ein zur Herstellung der Chipbondverbindung verwendetes Verbindungsmaterial nicht versehentlich in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 gelangt.The optoelectronic semiconductor chip 300 is at the bottom 211 the first chamber 210 in the cavity 200 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 arranged. In this case, the underside of the optoelectronic semiconductor chip 300 at the bottom 211 the first chamber 210 the cavity 200 exposed part of the first lead frame section 110 facing and with the first lead frame section 110 connected. The connection between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first lead frame section 110 For example, it may be formed as a solder joint, as an adhesive bond or as another chip bond compound be. Which is between the first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 extending dam 250 can advantageously ensure that during the formation of the chip bond between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first lead frame section 110 at the bottom 211 the first chamber 210 the cavity 200 a bonding material used to make the die bond is not inadvertently introduced into the second chamber 220 the cavity 200 of the housing 100 arrives.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist an seiner Oberseite 301 eine obere elektrische Kontaktfläche 310 auf. Außerdem weist der optoelektronische Halbleiterchip 300 an seiner Unterseite eine untere elektrische Kontaktfläche auf. Die untere elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist über die Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbunden. Die an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnete obere elektrische Kontaktfläche 310 ist über einen Bonddraht 330 elektrisch leitend mit dem am Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 freiliegenden Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 verbunden. Der Bonddraht 330 erstreckt sich über den zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 verlaufenden Damm 250 hinweg. Bevorzugt verläuft der Bonddraht 330 vollständig innerhalb der Kavität 200.The optoelectronic semiconductor chip 300 points at its top 301 an upper electrical contact surface 310 on. In addition, the optoelectronic semiconductor chip 300 on its underside a lower electrical contact surface. The lower electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 is via the chip bond connection between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first lead frame section 110 electrically conductive with the first lead frame section 110 connected. The one on the top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged upper electrical contact surface 310 is over a bonding wire 330 electrically conductive with the ground 221 the second chamber 220 the cavity 200 exposed part of the second lead frame section 120 connected. The bonding wire 330 extends over the one between the first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 running dam 250 time. Preferably, the bonding wire runs 330 completely inside the cavity 200 ,

Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 weisen an einer Außenseite des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 zugängliche Kontaktbereiche auf, die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen sind. Diese Kontaktbereiche können beispielsweise an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 angeordnet sein. In diesem Fall kann das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein. Eine elektrische Anbindung des optoelektronischen Bauelements 10 kann in diesem Fall beispielsweise durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) erfolgen.The first ladder frame section 110 and the second lead frame section 120 point to an outside of the housing 100 of the optoelectronic component 10 accessible contact areas, for the electrical contacting of the optoelectronic component 10 are provided. These contact areas, for example, at the bottom 102 of the housing 100 be arranged. In this case, the optoelectronic component 10 For example, be provided as an SMT component for surface mounting. An electrical connection of the optoelectronic component 10 can be done in this case, for example, by reflow soldering (reflow soldering).

10 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ist ein Vergussmaterial 290 angeordnet worden. Das Vergussmaterial 290 weist bevorzugt ein optisch im Wesentlichen transparentes Material auf, beispielsweise ein Silikon. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 290 eingebettete Streupartikel aufweisen, beispielsweise Streupartikel, die TiO2 aufweisen. 10 shows a schematic plan view of the top 101 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 in one of the presentation of the 1 and 2 temporally subsequent processing status. In the second chamber 220 the cavity 200 of the housing 100 is a potting material 290 been arranged. The potting material 290 preferably has an optically substantially transparent material, for example a silicone. In addition, the potting material 290 have embedded scattering particles, such as scattering particles having TiO 2 .

Das Vergussmaterial 290 kann beispielsweise durch Nadeldosieren (Dispensing) in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht werden. Hierzu wird eine Dosiernadel über der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 platziert. Das Vergussmaterial 290 wird in fließfähiger Form in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht und härtet anschließend aus.The potting material 290 can for example by Nadeldosieren (Dispensing) in the second chamber 220 the cavity 200 be introduced. For this purpose, a dispensing needle over the second chamber 220 the cavity 200 placed. The potting material 290 is in flowable form in the second chamber 220 the cavity 200 introduced and then cured.

Das Vergussmaterial 290 erstreckt sich vom Grund 221 der zweiten Kammer 220 bis zu einem Niveau, das bevorzugt unterhalb der Oberkante des Damms 250 liegt. Der sich von der oberen elektrischen Kontaktfläche 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 zum zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 erstreckende Bonddraht 330 ist zumindest teilweise in das in der zweiten Kammer 220 angeordnete Vergussmaterial 290 eingebettet. Dies schützt die Verbindung zwischen dem Bonddraht 330 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen.The potting material 290 extends from the ground 221 the second chamber 220 to a level that is preferably below the top of the dam 250 lies. Deriving from the upper electrical contact surface 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 to the second lead frame section 120 extending bonding wire 330 is at least partially in the second chamber 220 arranged potting material 290 embedded. This protects the connection between the bonding wire 330 and the second lead frame section 120 from damage due to external influences.

5 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In einem zwischen den Darstellungen der 4 und 5 erfolgten Bearbeitungsschritt ist auch in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ein Vergussmaterial 290 eingefüllt worden. Das in die erste Kammer 210 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290 ist bevorzugt gleich ausgebildet wie das in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290. Es ist allerdings auch möglich, in die Kammern 210, 220 der Kavität 200 unterschiedliche Vergussmaterialien einzubringen. 5 shows a schematic plan view of the top 101 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 in one of the presentation of the 4 temporally subsequent processing status. In one between the representations of the 4 and 5 completed processing step is also in the first chamber 210 the cavity 200 of the housing 100 a potting material 290 been filled. That in the first chamber 210 the cavity 200 filled potting material 290 is preferably the same design as that in the second chamber 220 the cavity 200 filled potting material 290 , However, it is also possible to enter the chambers 210 . 220 the cavity 200 to introduce different potting materials.

Das Vergussmaterial 290 wird durch Nadeldosieren in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 eingebracht. Hierzu wird eine Dosiernadel in zur Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 senkrechte Richtung oberhalb des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 angeordnet. Das durch die Dosiernadel abgegebene Vergussmaterial 290 fließt entlang der Neigung 241 des Rampenabschnitts 240 in Richtung der ersten Kammer 210 der Kavität 200. Die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 wird dabei durch die der ersten Kammer 210 zugewandte Orientierung des Rampenabschnitts 240 vorgegeben. Ein Teil des den Rampenabschnitt 240 hinabfließenden Vergussmaterials 290 fließt über die der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandte erste Seite 260 des Damms 250 in die erste Kammer 210 der Kavität 200. Die flache Neigung 261 der der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandten ersten Seite 260 des Damms 250 gibt dabei die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 vor und bewirkt eine zuverlässige Einleitung des Vergussmaterials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200.The potting material 290 is by needle dosing into the first chamber 210 the cavity 200 of the housing 100 brought in. For this purpose, a dispensing needle is in to the top 101 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 vertical direction above the ramp section 240 the surrounding wall 230 the cavity 200 arranged. The dispensed through the dispensing needle potting material 290 flows along the slope 241 of the ramp section 240 in the direction of the first chamber 210 the cavity 200 , The flow direction of the potting material 290 is doing by the first chamber 210 facing orientation of the ramp section 240 specified. Part of the ramp section 240 downpouring potting material 290 flows over the first chamber 210 the cavity 200 facing first page 260 of the dam 250 in the first chamber 210 the cavity 200 , The flat inclination 261 the first chamber 210 the cavity 200 facing first page 260 of the dam 250 gives the flow direction of the potting material 290 before and causes a reliable introduction of the potting material 290 in the first chamber 210 the cavity 200 ,

Die Platzierung der für das Nadeldosieren verwendeten Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 hat den Vorteil, dass die erste Kammer 210 mit geringer Größe ausgebildet sein kann. Durch die Platzierung der Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 wird vorteilhafterweise die Gefahr einer versehentlichen Beschädigung des Bonddrahts 330 reduziert. Durch den durch die Neigung 241 des Rampenabschnitts 240 und die Neigung 261 der ersten Seite 260 des Damms 250 vorgegebenen Fluss des Vergussmaterials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200 wird eine gleichmäßige und vollständige Befüllung der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 unterstützt. Dies kann es ermöglichen, das Befüllen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 mit höherer Geschwindigkeit und in einer geringeren Zahl an Einzelschritten durchzuführen.The placement of the dispensing needle used for needle dosing over the ramp section 240 the surrounding wall 230 the cavity 200 has the advantage that the first chamber 210 can be formed with a small size. By placing the dispensing needle over the ramp section 240 is advantageously the risk of accidental damage to the bonding wire 330 reduced. By the one by the inclination 241 of the ramp section 240 and the inclination 261 the first page 260 of the dam 250 predetermined flow of potting material 290 in the first chamber 210 the cavity 200 will be a uniform and complete filling of the first chamber 210 the cavity 200 with the potting material 290 supported. This may allow filling the first chamber 210 the cavity 200 with the potting material 290 at a higher speed and in a smaller number of individual steps.

In dem in 5 schematisch dargestellten Bearbeitungsstand des optoelektronischen Bauelements 10 erstreckt sich das in der ersten Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnete Vergussmaterial 290 vom Grund 211 der ersten Kammer 210 bis zu einem Niveau, das unterhalb der Oberkante des sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstreckenden Damms 250 liegt. Die Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann, wie in der schematischen Darstellung der 5 gezeigt, durch das Vergussmaterial 290 bedeckt sein. Die Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann allerdings auch frei verbleiben und über die Oberseite des Vergussmaterials 290 erhaben sein oder bündig mit dem Vergussmaterial 290 abschließen.In the in 5 schematically illustrated processing status of the optoelectronic component 10 this extends in the first chamber 210 the cavity 200 of the housing 100 of the optoelectronic component 10 arranged potting material 290 from the ground 211 the first chamber 210 to a level below the top edge of itself between the first chamber 210 and the second chamber 220 the cavity 200 extending dam 250 lies. The top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 can, as in the schematic representation of 5 shown by the potting material 290 be covered. The top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 However, it can also remain free and over the top of the potting material 290 be raised or flush with the potting material 290 to lock.

Es ist möglich, das Befüllen der Kavität 200 nach dem in 5 dargestellten Bearbeitungsstand weiter fortzusetzen, bis die Kavität 200 vollständig mit dem Vergussmaterial 290 oder einem anderen Vergussmaterial gefüllt ist. Das Einfüllen des weiteren Vergussmaterials kann beispielsweise durch Nadeldosieren über den Rampenabschnitt 240 der um die Kavität 200 umlaufenden Wandung 230 erfolgen. Die Kavität 200 kann so vollständig befüllt werden, dass der Damm 250 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 vollständig in das Vergussmaterial eingebettet ist.It is possible to fill the cavity 200 after the in 5 continue processing shown until the cavity 200 completely with the potting material 290 or another potting material is filled. The filling of the further potting material, for example, by needle dosing over the ramp section 240 the one around the cavity 200 circumferential wall 230 respectively. The cavity 200 can be filled so completely that the dam 250 between the first chamber 210 and the second chamber 220 is completely embedded in the potting material.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
optoelektronisches Bauelement optoelectronic component
100100
Gehäuse casing
101101
Oberseite top
102102
Unterseite bottom
110110
erster Leiterrahmenabschnitt first ladder frame section
120120
zweiter Leiterrahmenabschnitt  second ladder frame section
200200
Kavität cavity
201201
Grund reason
210210
erste Kammer first chamber
211211
Grund reason
220220
zweite Kammer second chamber
221221
Grund reason
230230
umlaufende Wandung circumferential wall
231231
Neigung Tilt
240240
Rampenabschnitt ramp section
241241
Neigung  Tilt
250250
Damm dam
260260
erste Seite first page
261261
Neigung  Tilt
270270
zweite Seite second page
271271
Neigung Tilt
280280
Längsende  longitudinal end
290290
Vergussmaterial grout
300300
optoelektronischer Halbleiterchip  optoelectronic semiconductor chip
301301
Oberseite top
310310
obere elektrische Kontaktfläche upper electrical contact surface
330330
Bonddraht  bonding wire

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Gehäuse (100) mit einer an einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) ausgebildeten Kavität (200), wobei die Kavität (200) eine umlaufende Wandung (230) aufweist, wobei die Wandung (230) einen Rampenabschnitt (240) aufweist, wobei der Rampenabschnitt (240) eine geringere Neigung (241) aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung (230).Optoelectronic component ( 10 ) with a housing ( 100 ) with one on top ( 101 ) of the housing ( 100 ) formed cavity ( 200 ), wherein the cavity ( 200 ) a circumferential wall ( 230 ), wherein the wall ( 230 ) a ramp section ( 240 ), wherein the ramp section ( 240 ) a lower slope ( 241 ) than the remaining sections of the wall ( 230 ). Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Kavität (200) in eine erste Kammer (210) und eine zweite Kammer (220) unterteilt ist.Optoelectronic component ( 10 ) according to claim 1, wherein the cavity ( 200 ) into a first chamber ( 210 ) and a second chamber ( 220 ) is divided. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 2, wobei sich zwischen der ersten Kammer (210) und der zweiten Kammer (220) ein durch das Gehäuse (100) gebildeter Damm (250) erstreckt.Optoelectronic component ( 10 ) according to claim 2, wherein between the first chamber ( 210 ) and the second chamber ( 220 ) through the housing ( 100 ) formed dam ( 250 ). Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 3, wobei eine der ersten Kammer (210) zugewandte Seite (260) des Damms (250) eine geringere Neigung (261) aufweist als eine der zweiten Kammer (220) zugewandte Seite (270) des Damms (250).Optoelectronic component ( 10 ) according to claim 3, wherein one of the first chambers ( 210 ) facing side ( 260 ) of the dam ( 250 ) a lower one Tilt ( 261 ) as one of the second chamber ( 220 ) facing side ( 270 ) of the dam ( 250 ). Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 3 und 4, wobei der Rampenabschnitt (240) an ein Längsende (280) des Damms (250) angrenzt.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 3 and 4, wherein the ramp section ( 240 ) to a longitudinal end ( 280 ) of the dam ( 250 ) adjoins. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die Wandung (230) in dem Rampenabschnitt (240) in Richtung der ersten Kammer (210) orientiert ist. Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 2 to 5, wherein the wall ( 230 ) in the ramp section ( 240 ) in the direction of the first chamber ( 210 ) is oriented. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei am Grund der ersten Kammer (210) ein in das Gehäuse (100) eingebetteter erster Leiterrahmenabschnitt (110) zugänglich ist.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 2 to 6, wherein at the bottom of the first chamber ( 210 ) into the housing ( 100 ) embedded first ladder frame section ( 110 ) is accessible. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei am Grund der zweiten Kammer (220) ein in das Gehäuse (100) eingebetteter zweiter Leiterrahmenabschnitt (120) zugänglich ist.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 2 to 7, wherein at the bottom of the second chamber ( 220 ) into the housing ( 100 ) embedded second leadframe section ( 120 ) is accessible. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei in der ersten Kammer (210) der Kavität (200) ein optoelektronischer Halbleiterchip (300) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 2 to 8, wherein in the first chamber ( 210 ) of the cavity ( 200 ) an optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9, wobei sich ein Bonddraht (330) zwischen der ersten Kammer (210) und der zweiten Kammer (220) erstreckt.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of claims 2 to 9, wherein a bonding wire ( 330 ) between the first chamber ( 210 ) and the second chamber ( 220 ). Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in der Kavität (200) ein Vergussmaterial (290) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of the preceding claims, wherein in the cavity ( 200 ) a potting material ( 290 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 11, wobei das Vergussmaterial (290) Silikon aufweist, wobei das Vergussmaterial (290) eingebettete Partikel aufweist, die TiO2 aufweisen.Optoelectronic component ( 10 ) according to claim 11, wherein the potting material ( 290 ) Silicone, wherein the potting material ( 290 ) has embedded particles comprising TiO 2 . Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Gehäuses (100) mit einer an einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) ausgebildeten Kavität (200), wobei die Kavität (200) in eine erste Kammer (210) und eine zweite Kammer (220) unterteilt ist, wobei die Kavität (200) eine umlaufende Wandung (230) aufweist, wobei die Wandung (230) einen Rampenabschnitt (240) aufweist, wobei der Rampenabschnitt (240) eine geringere Neigung (241) aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung (230); – Befüllen der zweiten Kammer (220) mit Vergussmaterial (290); – Befüllen der ersten Kammer (210) mit Vergussmaterial (290).Method for producing an optoelectronic component ( 10 ) with the following steps: - providing a housing ( 100 ) with one on top ( 101 ) of the housing ( 100 ) formed cavity ( 200 ), wherein the cavity ( 200 ) into a first chamber ( 210 ) and a second chamber ( 220 ), wherein the cavity ( 200 ) a circumferential wall ( 230 ), wherein the wall ( 230 ) a ramp section ( 240 ), wherein the ramp section ( 240 ) a lower slope ( 241 ) than the remaining sections of the wall ( 230 ); - filling the second chamber ( 220 ) with potting material ( 290 ); - filling the first chamber ( 210 ) with potting material ( 290 ). Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Befüllen der zweiten Kammer (220) und der ersten Kammer (210) mit Vergussmaterial (290) durch Nadeldosieren erfolgt.Method according to claim 13, wherein the filling of the second chamber ( 220 ) and the first chamber ( 210 ) with potting material ( 290 ) by needle dosing. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei zum Befüllen der ersten Kammer (210) eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt (240) der Wandung (230) angeordnet wird.Method according to claim 14, wherein for filling the first chamber ( 210 ) a dispensing needle over the ramp section ( 240 ) of the wall ( 230 ) is arranged.
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