DE102014019354A1 - QUIDART: quantum interference element at room temperature - Google Patents

QUIDART: quantum interference element at room temperature Download PDF

Info

Publication number
DE102014019354A1
DE102014019354A1 DE102014019354.3A DE102014019354A DE102014019354A1 DE 102014019354 A1 DE102014019354 A1 DE 102014019354A1 DE 102014019354 A DE102014019354 A DE 102014019354A DE 102014019354 A1 DE102014019354 A1 DE 102014019354A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quantum interference
interference element
element according
room temperature
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102014019354.3A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102014019354B4 (en
DE102014019354B8 (en
Inventor
Anmelder Gleich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Burchard Bernd Dr De
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE102014019354.3A priority Critical patent/DE102014019354B8/en
Publication of DE102014019354A1 publication Critical patent/DE102014019354A1/en
Publication of DE102014019354B4 publication Critical patent/DE102014019354B4/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102014019354B8 publication Critical patent/DE102014019354B8/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
    • G01R33/0354—SQUIDS

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

Es ist ein Messgerät zum Nachweis von Magnetfeldern, das aus Kristallen in einer isolierenden Matrix auf einem Isolator hergestellt wird, das bei Raumtemperatur ein Bose-Einstein Kondensat aus Elektronen und Löchern besitzt. Bosonen, die aus aus einem Elektron und einem Loch mit parallelem Spin gebildet werden und so 2 Bohr'sche Magnetonen besitzen. Das Bauelement ist ein Ring mit Messanschlüssen (1) und (3) mit zwei schwachen Koppelübergängen (2), und ist ähnlich einem supraleitenden SQUID ausgeführt, und wirkt mit Hilfe der Stromversorgung (4, 5) als Detektor für ein den Ring durchsetzendes Magnetfeld (6), das gemessen werden soll, z. B. im NMR-Scanner in einem Krankenhaus, oder bei der Tiefenexploration von Ölvorkommen, und bei der Konstruktion von Q-Bit-Rechnern, die bei Raumtemperatur arbeiten.It is a magnetic field detection device made of crystals in an insulating matrix on an insulator that has a Bose-Einstein condensate of electrons and holes at room temperature. Bosons formed of an electron and a hole with parallel spin, thus possessing 2 Bohr magnetons. The device is a ring with measuring terminals (1) and (3) with two weak coupling junctions (2), and is designed similar to a superconducting SQUID, and acts by means of the power supply (4, 5) as a detector for a magnetic field passing through the ring ( 6) to be measured, e.g. In the NMR scanner in a hospital, or in the depth exploration of oil deposits, and in the design of Q-bit computers operating at room temperature.

Description

QUIDART ist ein Quanten-Interferenz-Bauelement, das wie ein Josephson Interferometer (SQUID – Supraleitendes Quanten-Interferenz-Bauelement) gebaut ist. Die Anwendung und Verwendungsmöglichkeiten der elektronischen Bauelemente mit zwei Supraleitern und das Verfahren zur Verwendung der Vorrichtung als Verstärker, Magnetometer, Multiplikator und Q-Bit-Rechner sind in Patentschrift 1243292 des Deutschen Patentamtes vom 4.2.1965 durch Robert C. Jaklevic, John J. Lambe, James E. Mercereau und Arnold H. Silver, alle aus Michigan USA, mit der beanspruchten Priorität vom 17. Februar 1964 beschrieben und sind somit bekannt.QUIDART is a quantum interference device built like a Josephson Interferometer (SQUID - Superconducting Quantum Interference Device). The application and uses of the electronic devices with two superconductors and the method of using the device as amplifiers, magnetometers, multipliers and Q-bit computers are shown in FIG Patent 1243292 of the German Patent Office from 4.2.1965 by Robert C. Jaklevic, John J. Lambe, James E. Mercereau and Arnold H. Silver, all from Michigan USA, with the claimed priority of Feb. 17, 1964 and thus are known.

QUIDART wird unter Verwendung der fokussierten Elektronenstrahl-induzierten Abscheidung und organometallischen Präkursoren unter Anwendung sehr hoher Elektronen-Dosen als Koops-GranMat®, (Koops-GranMat® – EU Namensschutz durch HaWilKo GmbH Nr: 012719217 v. 16.04.2014 www.oami.europa.eu) gebaut, welches als nanogranulares Material eingebettet in eine isolierende Matrix (Pt/C, Au/C oder anderem nanogranularem Material mit Nanokristallen in einer isolierender Matrix) erzeugt wird. Bei Zimmertemperatur entstehen in den Materialien exzitonische elektronische Zustände der Oberflächenorbitale der Kristalle, die sich mit denen der Nachbarkristalle überlappen. Diese sich überlappenden Eigenzustände erstrecken sich durch das gesamte Material. Sie bilden nach Bose und Einstein die Voraussetzung, die Bildung eines Kondensats zu ermöglichen, in welchem Elektronen und Löcher Parallel-Spin tragen und Bosonen bilden können. Alle diese Bosonen, die ich Koops-Paare nenne, befinden sich in einem gemeinsamen Energieniveau. Dies fuhrt aufgrund des zu messenden Magnetfelds zu hohen induzierten Strömen, die in der Schleife über die zwei Schwachstellen laufen. Das so erhaltene Signal wird dann gemessen.QUIDART, using the focused electron beam-induced deposition and organometallic precursors using very high electron doses than Koops-GranMat ® (Koops-GranMat ® - EU name protection by HaWilKo GmbH No: v 012 719 217 04/16/2014 www.oami.europa. .eu), which is produced as a nanogranular material embedded in an insulating matrix (Pt / C, Au / C or other nanogranular material with nanocrystals in an insulating matrix). At room temperature, the materials produce excitonic electronic states of the surface orbitals of the crystals, which overlap with those of the neighboring crystals. These overlapping eigenstates extend through the entire material. According to Bose and Einstein, they are the prerequisite for the formation of a condensate in which electrons and holes carry parallel spin and can form bosons. All these bosons, which I call Koops pairs, are in a common energy level. Due to the magnetic field to be measured, this leads to high induced currents which run in the loop over the two weak points. The signal thus obtained is then measured.

In Experimenten mit Feldemitter-Emissionen aus solchen Drähten wurden sehr hohe Stromdichten gemessen (> 50 MA/cm2 in Drähten, und > 1 GA/cm2 in der Spitze eines einzelnen Feldemitters), was dem anomal hohem Stromfluss von bis zu > 1 mA von einem angespitzten Draht von 50 nm Durchmesser entsprach!). H. W. P. Koops, et al. ME 23 (1994) 477–481 , H. W. P. Koops et al. Microelectronic Engineering 57–58 (2001) 1009–1016 , H. W. P. Koops, A. Kaya, M. Weber J. Vac. Sci. Technol. B 13(6) Nov/Dez (1995) 2400–2403 .In experiments with field emitter emissions from such wires, very high current densities were measured (> 50 MA / cm 2 in wires, and> 1 GA / cm 2 in the peak of a single field emitter), indicating the abnormally high current flow of up to> 1 mA from a sharpened wire of 50 nm diameter!). HWP Koops, et al. ME 23 (1994) 477-481 . HWP Koops et al. Microelectronic Engineering 57-58 (2001) 1009-1016 . HWP Koops, A. Kaya, M. Weber J. Vac. Sci. Technol. B13 (6) Nov / Dec (1995) 2400-2403 ,

Diese Materialien können alle Supraleiter ersetzen und übertreffen, die heute verwendet werden. Sie werden in elektrischen Anwendungen wie Drähten, Magneten, und Quanten-Interferenz-Bauelementen wie SQUIDS-Supraleitenden Quanten Interferenz Bauelementen-, und Quanten-BITs-Rechnern als auch in Photo-Detektoren, die eine Empfindlichkeit so niedrig wie 60 meV (Au/C) oder 125 meV (Pt/C) besitzen, verwendet. Im Vergleich dazu haben Silizium Sonnenzellen einen Bandabstand von 1,2 eV.These materials can replace and surpass any superconductors used today. They are used in electrical applications such as wires, magnets, and quantum interference devices such as SQUIDS superconducting quantum interference devices, and quantum BITs computers as well as in photo detectors that have a sensitivity as low as 60 meV (Au / C ) or 125 meV (Pt / C). In comparison, silicon solar cells have a band gap of 1.2 eV.

Die kleinen Durchmesser der Metallkristalle im Koops-GranMat® (Pt/C: 1,8 bis 2,1 nm, Au/C: 4 nm) erlauben nur Phononen mit sehr niedriger Energie in den Kristallen, die eine Energie von 1 meV besitzen, was 23 K entspricht. Vergleiche: Michael R. Geller, et. al. ”Theory of electron-phonon dynamics in insulating nanoparticles” Physica B 316–317 (2002) 430–433 . Diese geometrische Zusammensetzung des Materials aus Nanokristallen in einer Kohlenstoff-Matrix entbehrt der Bedingung, das Material zu kühlen, was bei Supraleitern zwingend erforderlich ist.The small diameter of the metal crystals in Koops-GranMat ® (Pt / C: 1.8 to 2.1 nm, an Au / C: 4 nm) allow only phonons having a very low energy in the crystals, which have an energy of 1 MeV, which corresponds to 23K. comparisons: Michael R. Geller, et. al. "Theory of electron-phonon dynamics in insulating nanoparticles" Physica B 316-317 (2002) 430-433 , This geometric composition of the nanocrystal material in a carbon matrix lacks the condition of cooling the material, which is imperative for superconductors.

Das neuartige Material, das Koops-GranMat® verwendet, besitzt eine Leitfähigkeit durch Bosonen, die in einem Bose-Einstein Kondensat bei Raumtemperatur erzeugt werden. Dieses Kondensat wird ermöglicht durch langsame, fokussierte Elektronenstrahl-induzierte Prozessierung (FEBIP), die das Koops-GranMat® aus Pt-Cyclopentadienyl-Trimethyl oder aus Tri-Methyl-tri-Fluoro-Gold-Acetyl-Acetonat herstellt. Bei sehr hohen Dosen im Abscheidungsprozess wachsen kleine Metall-Kristalle mit 2 nm oder 4 nm Durchmesser auf, welche durch eine Kohlenstoff-haltige Fulleren-artige Matrix getrennt sind, und sich daher nicht direkt berühren. Aufgrund der Tatsache, dass das Platin eine größere Austrittsarbeit besitzt als Kohlenstoff, bilden die Platin-Phase und die Kohlenstoff-Phase ein gemeinsames Fermi-Niveau, welches die Platin-Phase negativ auflädt, während die Kohlenstoff-Phase positiv geladen bleibt. Aufgrund der kleinen Metall-Kristall-Durchmesser existieren angeregte Oberflächen Orbital-Zustände, die sich mit denen der benachbarten Kristalle überlappen. Diese überlappenden Elektronenzustände geben die von Bose und Einstein geforderte und hier existierende Voraussetzung für die Bildung eines Kondensats. Im Koops-GranMat® wird das Boson im Kondensat aus einem Elektron und einem Loch gebildet, aber mit der Nebenbedingung, dass sich die beiden Teilchen durch einen gleich gerichteten Spin abstoßen. Deshalb besitzt das Boson die Ladung 0 und den Spin 1. Da diese Bosonen im Vergleich zu denjenigen der Cooper-Paare nur entgegengesetzte Vorzeichen der Kräfte besitzen, besitzt das Koops-Paar auch ein Dipolfeld von 600 nm Durchmesser, aber mit 2 Bohr'schen Magnetonen als magnetischem Moment, die dann mit dem elektromagnetischen Feld wechselwirken.The novel material Koops-GranMat ® used, has a conductivity by bosons produced in a Bose-Einstein condensate at room temperature. This condensate is possible by slow, focused electron beam-induced processing (FEBIP) that produces the Koops-GranMat ® from Pt-cyclopentadienyl trimethyl or tri-methyl-tri-Fluoro-Gold-acetyl-acetonate. At very high doses in the deposition process, small metal crystals of 2 nm or 4 nm in diameter grow, which are separated by a carbon-containing fullerene-like matrix and therefore do not touch directly. Due to the fact that the platinum has a larger work function than carbon, the platinum phase and the carbon phase form a common Fermi level which negatively charges the platinum phase while the carbon phase remains positively charged. Due to the small metal crystal diameters, excited surfaces have orbital states that overlap those of the neighboring crystals. These overlapping electron states give the prerequisite required by Bose and Einstein for the formation of a condensate. In the Koops-GranMat ® , the boson in the condensate is formed of an electron and a hole, but with the constraint that the two particles repel each other by a spin directed in the same direction. Therefore, the boson has the charge 0 and the spin 1. Since these bosons have only opposite signs of the forces compared to those of the Cooper pairs, the pair of coops also has a dipole field of 600 nm diameter, but with 2 Bohr magnetons as a magnetic moment, which then interact with the electromagnetic field.

Diese Bosonen können in und durch eine isolierenden Schicht tunneln, die als schwache Bindung (weak link), die sich zwischen den beiden Kondensat-Materialschichten bildet, angeordnet ist, und dieses Tunneln kann als Tunnelstrom durch die beiden Hälften nachgewiesen werden. Diese schwache Verbindung wird mit einem fokussiertem Elektronenstrahl in der FEBIP Lithographie hergestellt aus TEOS (Tetra Ethyl Ortho-Silazan) oder Aluminium-Präkursoren enthaltenden Verbindungen in der Gegenwart von zusätzlichem Wasser im FEBIP System. (Wasser-Schichten sind im Hochvakuum immer vorhanden).These bosons can tunnel into and through an insulating layer, which is arranged as a weak link that forms between the two layers of condensate material, and this Tunnels can be detected as tunneling current through the two halves. This weak link is made with a focused electron beam in FEBIP lithography made from TEOS (Tetra Ethyl Ortho-Silazane) or aluminum precursor-containing compounds in the presence of additional water in the FEBIP system. (Water layers are always present in a high vacuum).

QUIDART ist ein Detektor für Infrarot (IR) und elektromagnetische Strahlung und arbeitet bei Zimmertemperatur mit Koops-Paar BEC Bosonen. Da BCS(Bardeen-Cooper-Schrieffer)Bosonen mit Supraleitfähigkeit bei tiefen Temperaturen und BEC(Bose-Einstein-Kondensat)-Bosonen bei Raumtemperatur dieselbe Größe besitzen, jedoch bei verschiedenen Temperaturen existieren, können die Strukturierungs-Geometrien kopiert und dann verwendet werden. ( Hans W. P. Koops, H. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 02B108 (2015) http://dx.doi.org/10.1116/1.4904732 ).QUIDART is a detector for infrared (IR) and electromagnetic radiation and works at room temperature with co-op pair BEC bosons. Since BCS (Bardeen-Cooper-Schrieffer) bosons with low temperature superconductivity and BEC (Bose-Einstein condensate) bosons are the same size at room temperature but exist at different temperatures, the patterning geometries can be copied and then used. ( Hans WP Koops, H. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 02B108 (2015) http://dx.doi.org/10.1116/1.4904732 ).

Eine 4-Punkt Verbindungs-Anordnung wird verwendet, um den Strom durch das QUIDART-Bauelement zu senden und um einen Wechselstrom zu detektieren, der aufgrund des magnetischen Feldes entsteht (20 bis 24). Der Durchmesser der Kreisstruktur kann < 1 Mikrometer oder bis zu 1 × 1 cm groß sein.A 4-point connection arrangement is used to send the current through the QUIDART device and to detect an alternating current arising due to the magnetic field (20 to 24). The diameter of the circular structure may be <1 micrometer or up to 1 × 1 cm.

Das μSQUID Kraft Mikroskop ist ein einzigartiges Instrument, um lokale magnetische Flüsse mit einem Sensor von 1 μm Durchmesser mit sehr hoher Empfindlichkeit zu detektieren. Zu diesem Zweck muss es auf 70 K gekühlt werden (Empfindlichkeit 2 mG/Hz 1/2 in einer Fläche von 1 Mikrometer Durchmesser; CNRS: C. Veauvy et al., RSI 73, 3825(2002) ).The μSQUID Force Microscope is a unique instrument to detect local magnetic flux with a 1 μm diameter sensor with very high sensitivity. For this purpose, it must be cooled to 70 K (sensitivity 2 mG / Hz 1/2 in an area of 1 micron diameter; CNRS: C. Veauvy et al., RSI 73, 3825 (2002) ).

Wird Koops-GranMat® für diesen Aufbau verwendet, so können die Messungen bei Zimmertemperatur und zu viel geringeren Kosten durchgeführt werden.Will Koops-GranMat ® used for this construction, the measurements can be performed at room temperature and at much lower cost.

Weitere Anwendungen sind: Miniaturisierte Infrarot bis Röntgen-Strahlungs-Detektoren für medizinische, hochauflösende Bildgebung, und andere NMR(Kern-Magnetische Resonanz-)Anwendungen, sowie hochgradig empfindliche Magnetfeld-Sensoren für geologische Ölsuche und militärische Anwendungen, Quanten-Rechner, die bei Raumtemperatur arbeiten können. Die besonderen Eigenschaften von QBITS ermöglichen es, dass Quanten-Rechner Millionen von Rechenoperationen gleichzeitig einsetzen, Patent: GB 00 IBM0000 1505524A , wohingegen Desktop PC's typischerweise nur in geringem Umfang parallele Rechenoperationen ausführen können. Solche Arbeiten könnten bei Raumtemperatur durchgeführt werden, falls Koops-GranMat® verwendet wird, und deshalb kann das Testen und Herstellen von derart leistungsfähigen Quanten-Bit-Rechnern und Speichern bei Raumtemperatur und ohne zusätzliche Kühlung erfolgen.Other applications include: Miniaturized infrared to X-ray radiation detectors for medical, high-resolution imaging, and other NMR (nuclear magnetic resonance) applications, as well as highly sensitive magnetic field sensors for geological oil exploration and military applications, quantum computers operating at room temperature can work. The special features of QBITS enable quantum computers to use millions of arithmetic operations simultaneously. Patent: GB 00 IBM0000 1505524A whereas desktop PCs typically can perform only a small amount of parallel arithmetic operations. Such work could be carried out at room temperature if Koops-GranMat ® is used, and therefore, the testing and manufacture of such a high-performance quantum-bit machines and storing may be carried out at room temperature and without additional cooling.

Figuren und ihre Beschreibung:Figures and their description:

1: Schematische Darstellung eines SQUID, das im magnetischen Feld abgeordnet ist. Alle Materialien sind kälter als die kritische Temperatur der Sprung-auf-Null-Resistivität. 1 : Schematic representation of a SQUID, which is seconded in the magnetic field. All materials are colder than the critical temperature of the jump-to-zero resistivity.

2: Schematische Darstellung eines QUIDART in einem Magnetfeld. Alle Materialien haben Raumtemperatur. 2 : Schematic representation of a QUIDART in a magnetic field. All materials have room temperature.

3: Kritischer Mess-Strom, ic, Φa als Funktion des angewandten magnetischen Feldes. (Nach J. Bland Thesis M. Phys (Hons), 'A Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool, 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf) . 3 : Critical measurement current, ic, Φa as a function of the applied magnetic field. (To J. Bland Thesis M. Phys (Hons), 'A Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool, 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf) ,

4: RT Mess-Schaltkreis mit ”Weak-Link”-Schaltung, hergestellt aus Koops-GranMat®. 4 : RT measurement circuit with "weak-link" circuit made of Koops-GranMat ®.

5: Schematische Darstellung eines QUIDART aus Koops-GranMat® für die Messung eines Magnetfeldes hier, mit je einem Weak-Link in den Kreis-Hälften erzeugt durch den Herstellungsprozess. Nach dem Aufbau des linken Halbkreises wir eine dünne Isolator-schicht z. B. TEOS, auf die gerade Abschluss-Kante der linken Halbkreis-Struktur abgeschieden. Überlappend zu der Isolator-Struktur wird dann die ergänzende Halbkreisstruktur unter Verwendung des Koops-GranMat® bis zu den Messanschlüssen 46 und 48 aufgebracht. Die beiden isolierten Spalte werden mit den Koops-GranMat®-Strukturen definiert, siehe auch die Seitenansicht unter der Aufsicht unten. 42 und 48 dienen dem Stromfluss, 40 und 46 ermöglichen es, das Wechselstromsignal zu messen, das von dem Magnetfeld 50 erzeugt wird, das im zentralen Bereich 50 zu messen ist. Alle Materialien sind bei diesem Experiment auf Zimmertemperatur. 5 : Schematic representation of a QUIDART from Koops-GranMat ® for measuring a magnetic field here, each with a weak link in the halves of the circle generated by the manufacturing process. After the construction of the left semicircle we have a thin insulator layer z. B. TEOS, deposited on the straight end edge of the left semicircle structure. Cascade to the insulator structure is then the complementary semi-circular structure using the Koops-GranMat ® to the measuring ports 46 and 48 applied. The two isolated columns are defined with the Koops-GranMat ® structures, see also the side view under the supervision below. 42 and 48 serve the flow of electricity, 40 and 46 make it possible to measure the AC signal coming from the magnetic field 50 is generated in the central area 50 to measure. All materials are at room temperature in this experiment.

6: Supraleitender Quanten Interferenz Schaltkreis (SQUID), ein einfaches Magnetometer, hier mit je einem Weak-Link in den Kreis-Hälften erzeugt durch eine starke Geometrie-Änderung durch Verringerung des Ring-Material-Querschnittes. (Entnommen aus: J. Bland Thesis M. Phys (Hons). 'A. Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf .
On-line: http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002 ). 6 : Superconducting quantum interference circuit (SQUID), a simple magnetometer, here each with a weak link in the halves of the circle generated by a strong geometry change by reducing the ring-material cross-section. (Taken from: J. Bland Thesis M. Phys (Hons). 'A. Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides. ' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf ,
On-line: http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002 ).

Detaillierte Beschreibung: Detailed description:

Das Bohr Magneton ist definiert in SI-Einheiten durch μB = (eh/2π)/(2me), wobei e die Elementarladung ist, h die reduzierte Planck'sche Konstante ist, me die Elektronen Ruhe-Masse ist.The Bohr magneton is defined in SI units / μ by B = (eh / 2π) (2m e), where e is the elementary charge, h is the reduced Planck's constant, m e is the electron rest mass.

SQUID: wurde entwickelt von Samuel Maguire-Boyle, Andrew R. Barron, nachdem Josephson den Josephson-Effekt beschrieb. Josephson sagte voraus, dass ein supraleitender Strom in dem kreisförmigen Bereich aufrecht erhalten werden kann, selbst wenn er durch eine isolierende Barriere oder gar ein normales Metall unterbrochen ist. Das SQUID hat 2 derartige Barrieren, genannt ”Josephson junctions”. Beide Schwachstellen führen dieselbe Phasendifferenz ein, wenn der magnetische Fluss im Kreisleiter 0, Φ0, 2Φ0, oder Vielfache davon beträgt. Das erzeugt eine konstruktive Interferenz. Die Schwachstellen fügen entgegengesetzte Phasendifferenzen ein, wenn der Fluss Φ0/2, 3Φ0/2, und so weiter ist, was zu destruktiver Interferenz führt. Diese Interferenz veranlasst den kritischen Strom dazu, sich zu verändern. Der kritische Strom ist der maximale Strom, den der Messaufbau ohne Verlust tragen kann. Typischerweise können Hoch-TC Supraleiter weniger als 1 MA/cm2 tragen. Der kritische Strom ist empfindlich auf den magnetischen Fluss durch die supraleitende Schleife, so dass selbst kleinste magnetische Momente gemessen werden können. Der kritische Strom wird üblicherweise erhalten, indem der Spannungsabfall über die Josephson-Verbindung als Funktion des Gesamtstroms durch den Schaltkreis gemessen wird. Kommerzielle SQUIDS wandeln die Modulation des kritischen Stromes in eine Spannungsvariation um, die einfacher zu messen ist.SQUID: was developed by Samuel Maguire-Boyle and Andrew R. Barron after Josephson described the Josephson effect. Josephson predicted that a superconducting current can be maintained in the circular area even if it is interrupted by an insulating barrier or even a normal metal. The SQUID has 2 such barriers called "Josephson junctions". Both weak points introduce the same phase difference when the magnetic flux in the circular conductor is 0 , Φ 0 , 2Φ 0 , or multiples thereof. This creates a constructive interference. The vulnerability insert opposite phase differences when the flow Φ 0/2, 3Φ 0/2, and so forth, resulting in destructive interference. This interference causes the critical current to change. The critical current is the maximum current that the measurement setup can carry without loss. Typically, high-TC superconductors can carry less than 1 MA / cm 2 . The critical current is sensitive to the magnetic flux through the superconducting loop so that even the smallest magnetic moments can be measured. The critical current is typically obtained by measuring the voltage drop across the Josephson junction as a function of the total current through the circuit. Commercial SQUIDS convert the modulation of the critical current into a voltage variation that is easier to measure.

Bei der Verwendung von Koops-GranMat® können viel höhere Signale erwartet werden, da das Material in der Lage ist, viel höhere Ströme einer Stromdichte bis zu 50 MA/cm2 zu tragen, wenn nicht gar bis zu > GA/cm2, wie es bei einem Strom gemessen wurde, der von einer Feldemitter-Spitzenkathode mit einer Emissionsfläche < 10 nm im Durchmesser emittiert wurde. Diese Werte sind viel höher als 1 MA/cm2, was die kritische Stromdichte der Hoch-TC-Supraleiter ist, die bei höheren Dichten durch das innere Magnetfeld zerstört werden. Deshalb wird von QUIDART Bauelementen ein viel größerer Anwendungsbereich erwartet, als dieser für Hoch-TC supraleitende SQUIDS besteht.When using Koops-GranMat ® much higher signals can be expected because the material is able to carry much higher currents a current density up to 50 MA / cm 2, if not up to> GA / cm 2, as it was measured at a current emitted from a field emitter tip cathode having an emission area <10 nm in diameter. These values are much higher than 1 MA / cm 2 , which is the critical current density of the high TC superconductors which are destroyed by the internal magnetic field at higher densities. Therefore, QUIDART devices are expected to have a much wider range of applications than high-TC superconducting SQUIDS.

Ein angewandtes magnetisches Feld erzeugt eine Phasenschiebung um einen Ring herum, der in diesem Fall gleich ΔΦ(B) = 2π(Φa/Φ0) ist. Der kritische Mess-Strom ist Ic = 2iccosπ(Φa/Φ0).An applied magnetic field produces a phase shift around a ring, which in this case is equal to ΔΦ (B) = 2π (Φ a / Φ 0 ). The critical measurement current is I c = 2 i c cosπ (Φ a / Φ 0 ).

Im Fall der BEC, bei der das Boson im Kondensat von einem Elektron und einem Loch gebildet wird, die beide die gleiche Spin-Richtung tragen, fließt kein Strom, denn die Summe der Ladungen ist 0, bewirkt jedoch ein starkes Dipol-Moment, das durch einen Feldgradienten bewegt wird. Das Boson trägt jedoch 2 Magnetonen, das heißt ein starker magnetischer Fluss liegt vor.In the case of the BEC, where the boson in the condensate is formed by an electron and a hole, both of which carry the same spin direction, no current flows because the sum of the charges is 0, but causes a strong dipole moment is moved by a field gradient. However, the boson carries 2 magnetons, that is a strong magnetic flux exists.

3 zeigt den kritischen Mess-Strom als Funktion des angewandten magnetischen Feldes. 3 shows the critical measurement current as a function of the applied magnetic field.

Die hohe Empfindlichkeit erlaubt den Nachweis der lokalen Magnetisierung in künstlichen Nanostrukturen, in Supraleitern, Ferromagneten, und elektronischen Schaltkreisen. Mit den gewonnenen Bildern kann man den Mechanismus der Bildung erklären, die aus magnetischen Mustern gewonnen werden. Dies wird mitunter zu Supraleitern mit höheren kritischen Strömen, weniger Vortex-Bewegungen mit gut kontrollierten Domänenstrukturen, und optimierten Detektoren führen.The high sensitivity allows the detection of local magnetization in artificial nanostructures, in superconductors, ferromagnets, and electronic circuits. With the obtained pictures one can explain the mechanism of the education, which are won from magnetic patterns. This will sometimes lead to superconductors with higher critical currents, fewer vortex movements with well-controlled domain structures, and optimized detectors.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Mess-Signal ein, supraleitendMeasuring signal on, superconducting
22
Josephson-Verbindung (weak link), IsolatorJosephson junction (weak link), insulator
33
Mess-Signal aus, supraleitendMeasuring signal off, superconducting
44
Versorgungs-Strom – einSupply current - on
55
Versorgungs-Strom ausSupply current off
66
Magnetisches Feld, das gemessen werden sollMagnetic field to be measured
77
Mess-Signal ein, aus KoopsGranMat® @RTMeasuring signal on, from KoopsGranMat ® @RT
88th
Koops-Paar Junction-(weak link)Oxid oder anderer IsolatorCoops pair Junction (weak link) oxide or other insulator
99
Mess-Signal aus, aus Koops-GranMat® @RTMeasuring signal from Koops-GranMat ® @RT
1010
Versorgungsstrom einSupply current
1111
Versorgungsstrom ausSupply current off
1212
Zu messendes magnetisches FeldMagnetic field to be measured
2020
Mess-Signal a, Versorgungs-Strom einMeasuring signal a, supply current on
2222
Koops-Paar-Verbindung, als Luftspalt oder aus festem Isolator hergestelltCoops-pair connection, manufactured as an air gap or a solid insulator
2424
Mess-Signal, Koops-GranMat®, Versorgungstrom ausMeasuring signal-Koops GranMat ®, supply current from
3030
Ein magnetisches Feld, das gemessen werden sollA magnetic field to be measured
4040
Mess-Signal ein, KoopsGranMat® A measurement signal, KoopsGranMat ®
4242
Versorgungsstrom einSupply current
4444
Abscheidung der Isolator-Schicht (TEOS-TetraethylOrthoSiloxan) auf dem BEC Material 40, 42 und dem linken Halbkreis. Anschließend Abscheidung des rechten Musters 46 und 48 Deposition of the insulator layer (TEOS tetraethyl orthosiloxane) on the BEC material 40 . 42 and the left semicircle. Then deposition of the right pattern 46 and 48
4646
Mess-Signal aus, Koops-GranMat® Measuring signal, Koops-GranMat ®
4848
Versorgungsstrom- ausSupply current off
5050
Zu messendes MagnetfeldMagnetic field to be measured
6161
Stromzufuhr und Anschluss (Strom-Messgerät)Power supply and connection (current measuring device)
6262
Spannungsversorgungpower supply
6363
Zu messendes MagnetfeldMagnetic field to be measured
6464
je ½ des eingespeisten Mess-Stromeseach ½ of the injected measuring current
6565
Vom Magnetfeldsignal induzierter StromCurrent induced by the magnetic field signal
66 66
„Weak Link”-Schwachstelle"Weak link" vulnerability
6767
„Weak Link”-Schwachstelle"Weak link" vulnerability
6868
SpannungsmesspunktVoltage measurement point
6969
SpannungsmesspunktVoltage measurement point

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 1243292 [0001] DE 1243292 [0001]
  • GB 1505524 A [0012] GB 1505524 A [0012]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • H. W. P. Koops, et al. ME 23 (1994) 477–481 [0003] HWP Koops, et al. ME 23 (1994) 477-481 [0003]
  • H. W. P. Koops et al. Microelectronic Engineering 57–58 (2001) 1009–1016 [0003] HWP Koops et al. Microelectronic Engineering 57-58 (2001) 1009-1016 [0003]
  • H. W. P. Koops, A. Kaya, M. Weber J. Vac. Sci. Technol. B 13(6) Nov/Dez (1995) 2400–2403 [0003] HWP Koops, A. Kaya, M. Weber J. Vac. Sci. Technol. B13 (6) Nov / Dec (1995) 2400-2403 [0003]
  • Michael R. Geller, et. al. ”Theory of electron-phonon dynamics in insulating nanoparticles” Physica B 316–317 (2002) 430–433 [0005] Michael R. Geller, et. al. "Theory of electron-phonon dynamics in insulating nanoparticles" Physica B 316-317 (2002) 430-433 [0005]
  • Hans W. P. Koops, H. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 02B108 (2015) http://dx.doi.org/10.1116/1.4904732 [0008] Hans WP Koops, H. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 02B108 (2015) http://dx.doi.org/10.1116/1.4904732 [0008]
  • CNRS: C. Veauvy et al., RSI 73, 3825(2002) [0010] CNRS: C. Veauvy et al., RSI 73, 3825 (2002) [0010]
  • J. Bland Thesis M. Phys (Hons), 'A Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool, 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf) [0015] J. Bland Thesis M. Phys (Hons), 'A Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool, 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf) [0015]
  • J. Bland Thesis M. Phys (Hons). 'A. Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf [0018] J. Bland Thesis M. Phys (Hons). 'A. Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides. ' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf [0018]
  • http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002 [0018] http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002 [0018]

Claims (8)

Quanten-Interferenz-Element (2), bei dem ein Leiter aufgeteilt wird, um eine Öffnung für eine zu messende Strahlung zu bilden, die in zwei Zweige (7, 9) aufgeteilt ist und jeder Zweig eine Phasendifferenz-einführende Schwachstelle (8) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiter aus nanogranularem Material besteht, wobei metallhaltigen Kristalle einer Größe von weniger als 6 nm Durchmesser in eine isolierende Matrix eingebettet sind, und so ein Bose-Einstein-Kondensat bei Raumtemperatur bilden.Quantum interference element ( 2 ), in which a conductor is split to form an opening for a radiation to be measured, which is divided into two branches ( 7 . 9 ) and each branch has a phase difference-introducing vulnerability ( 8th ), characterized in that the conductor consists of nanogranular material, wherein metal-containing crystals of a size of less than 6 nm in diameter are embedded in an insulating matrix, and thus form a Bose-Einstein condensate at room temperature. Quanten-Interferenz-Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Phasendifferenz-einführende Schwachstelle von einem Isolator gebildet ist (5, 44).Quantum interference element according to claim 1, characterized in that a phase difference-introducing weak point is formed by an insulator ( 5 . 44 ). Quanten-Interferenz-Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Phasendifferenz-Einführungs-Schwachstelle von einem Metall gebildet ist (4, 22).Quantum interference element according to claim 1, characterized in that a phase difference insertion vulnerability is formed by a metal ( 4 . 22 ). Quanten-Interferenz-Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Phasendifferenz-Einführungs-Schwachstelle durch eine Verringerung des Querschnitts des Leiters gebildet ist (6, 66, 67).Quantum interference element according to claim 1, characterized in that a phase difference insertion weak point is formed by a reduction of the cross section of the conductor ( 6 . 66 . 67 ). Quanten-Interferenz-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltigen Kristalle aus Platin gebildet sind.Quantum interference element according to one of claims 1 to 2, characterized in that the metal-containing crystals are formed from platinum. Quanten-Interferenz-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltigen Kristalle aus Gold gebildet sind.Quantum interference element according to one of claims 1 to 2, characterized in that the metal-containing crystals are formed of gold. Quanten-Interferenz-Element nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltigen Kristalle aus Aluminium-Titan-Nitrid gebildet sind.Quantum interference element according to one of claims 1 to 2, characterized in that the metal-containing crystals are formed of aluminum-titanium nitride. Verfahren zur Herstellung eines Quanten-Interferenz-Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mit Hilfe eines rechnergesteuerten Elektronenstrahl-Abscheidungsverfahrens auf ein Substrat folgende Schichten aufgebracht werden, zunächst die auf der einen Seite der Schwachstelle vorgesehenen Teile des Leiters, dann im Bereich der Schwachstelle das die Schwachstelle bildende Material, und danach die anderen Teile des Leiters, wobei sich die nacheinander aufgebrachten Schichten überlappen.Method for producing a quantum interference element according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the following layers are applied to a substrate by means of a computer-controlled electron beam deposition method, first the parts of the conductor provided on one side of the weak point, then in the area of the weak point, the material forming the weak point, and then the other parts of the ladder, where the successively applied layers overlap.
DE102014019354.3A 2014-12-22 2014-12-22 QUIDART: quantum interference element at room temperature and process for its production Expired - Fee Related DE102014019354B8 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014019354.3A DE102014019354B8 (en) 2014-12-22 2014-12-22 QUIDART: quantum interference element at room temperature and process for its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014019354.3A DE102014019354B8 (en) 2014-12-22 2014-12-22 QUIDART: quantum interference element at room temperature and process for its production

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE102014019354A1 true DE102014019354A1 (en) 2016-06-23
DE102014019354B4 DE102014019354B4 (en) 2019-11-28
DE102014019354B8 DE102014019354B8 (en) 2020-01-30

Family

ID=56099743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014019354.3A Expired - Fee Related DE102014019354B8 (en) 2014-12-22 2014-12-22 QUIDART: quantum interference element at room temperature and process for its production

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102014019354B8 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021101578A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Use of an optical device with NV centers in an area of ionizing radiation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1243292B (en) 1964-02-17 1967-06-29 Ford Werke Ag Arrangement using an electronic component with two superconductors and a method for using the arrangement as an amplifier, magnetometer and multiplier
GB1505524A (en) 1974-06-07 1978-03-30 Ibm Josephson junction devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1243292B (en) 1964-02-17 1967-06-29 Ford Werke Ag Arrangement using an electronic component with two superconductors and a method for using the arrangement as an amplifier, magnetometer and multiplier
GB1505524A (en) 1974-06-07 1978-03-30 Ibm Josephson junction devices

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CNRS: C. Veauvy et al., RSI 73, 3825(2002)
H. W. P. Koops et al. Microelectronic Engineering 57–58 (2001) 1009–1016
H. W. P. Koops, A. Kaya, M. Weber J. Vac. Sci. Technol. B 13(6) Nov/Dez (1995) 2400–2403
Hans W. P. Koops, H. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 02B108 (2015) http://dx.doi.org/10.1116/1.4904732
http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002
J. Bland Thesis M. Phys (Hons), 'A Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool, 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf)
J. Bland Thesis M. Phys (Hons). 'A. Mössbauer spectroscopy and magnetometry study of magnetic multilayers and oxides.' Oliver Lodge Labs, Dept. Physics, University of Liverpool 2002. http://hep.ph.liv.ac.uk/~jbland/JBland-Thesis-2002.pdf
Michael R. Geller, et. al. "Theory of electron-phonon dynamics in insulating nanoparticles" Physica B 316–317 (2002) 430–433

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021101578A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Use of an optical device with NV centers in an area of ionizing radiation
DE102021101573A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Process for the production of an optical system with NV centers by means of glass frit structures
WO2021151429A2 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Nv center-based microwave-free galvanically isolated magnetometer
DE102021101568A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se NV center based, microwave-free and galvanically isolated sensor module
DE102021101579A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Direct contact sensor system with NV centers for measurements on abrasive fluids
DE102021101581A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Vehicle with a sensor element with NV centers
DE102021101565A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with a circuit board made of glass
DE102021101571A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Power monitoring device with NV center based current sensors
DE102021101583A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Recipients with NV centers
DE102021101582A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Quantum system with NV centers with temporally asymmetrical pump intensity
DE102021101567A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with HD NV diamonds
DE102021101566A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with quantum point measurement over a sensor element surface
DE102021101570A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Energy supply device with NV center based current sensor
DE102021101580A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Sensor element with spatial density modulation of the NV center density
DE102021101576A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Process for the production of an optical system with NV centers by means of laminated optically transparent film structures
DE102021101569A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se NV center based current sensor
DE102021101572A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Quantum optical system with NV centers and transparent circuit carriers
DE102021101577A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Optical system with NV centers and optically transparent film structures
DE102021101575A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Elmos Semiconductor Se Process for the production of an optical system with NV centers by means of optically transparent film structures
US12092709B2 (en) 2020-01-30 2024-09-17 Elmos Semiconductor Se NV center-based microwave-free galvanically isolated magnetometer

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014019354B4 (en) 2019-11-28
DE102014019354B8 (en) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cheung et al. Persistent currents in small one-dimensional metal rings
Kaneko et al. A review of the quantum current standard
Chernodub et al. Electromagnetically superconducting phase of the vacuum in a strong magnetic field:<? format?> Structure of superconductor and superfluid vortex lattices in the ground state
DE102017205099A1 (en) Sensor device, sensor device unit, system and method for detecting a measured variable and method for producing a sensor device
Trabaldo et al. Transport and noise properties of YBCO nanowire based nanoSQUIDs
WO2019239137A1 (en) Magnetometer and method of detecting a magnetic field
Gautam et al. Magnetic field effect spectroscopy of C60-based films and devices
DE102014118917A1 (en) Detectors made of high-purity germanium
DE102014019354A1 (en) QUIDART: quantum interference element at room temperature
Al-Qurainy et al. Large artificial ferromagnetic dot arrays for the critical current enhancement in superconducting YBa2Cu3O thin films
Honold et al. Magnetic breakdown in the organic conductor α−(B E D T− T T F) 2 KHg (SCN) 4 in magnetic fields of up to 60 T
DE112018005423B4 (en) MAGNETIC FIELD MEASUREMENT ELEMENT, MAGNETIC FIELD MEASUREMENT DEVICE AND MAGNETIC FIELD MEASUREMENT SYSTEM
DE202017007025U1 (en) Ionization radiation sensor based on the zone-floating silicon with N-type conductivity
Ishiyama et al. Electronic structures of carbon nanotubes with monovacancy under an electric field
Huang et al. High‐Performance Single‐Crystal Diamond Detector for Accurate Pulse Shape Discrimination Based on Self‐Organizing Map Neural Networks
Caspers et al. Opto-spintronics in InP using ferromagnetic tunnel spin filters
Anisimov et al. Evolution of thermoelectric properties in EuxYb1− xB6 family
Bose et al. Low-noise diamond-based DC nano-SQUIDs
Salvato et al. Superconductive niobium films coating carbon nanotube fibers
Williams et al. Signatures of Majorana fermions in hybrid superconductor-topological insulator devices
Beach et al. Asymmetric Fraunhofer spectra in a topological insulator-based Josephson junction
Barzola-Quiquia et al. Fabrication and electrical transport properties of embedded graphite microwires in a diamond matrix
Ariskina Local magnetic identification and characterization of superconducting graphite interfaces at room temperature
Li et al. Phase slip from weak links formed in artificially-stacked NbSe2
이유진 Magnetic properties of van der Waals antiferromagnet probed by X-ray photoemission electron microscopy

Legal Events

Date Code Title Description
R086 Non-binding declaration of licensing interest
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R006 Appeal filed
R008 Case pending at federal patent court
R130 Divisional application to

Ref document number: 102014019864

Country of ref document: DE

R009 Remittal by federal patent court to dpma for new decision or registration
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: BURCHARD, BERND, DR., DE

Free format text: FORMER OWNER: KOOPS, HANS WILFRIED PETER, DR., 64372 OBER-RAMSTADT, DE

Owner name: KOOPS, HANS WILFRIED PETER, DR., DE

Free format text: FORMER OWNER: KOOPS, HANS WILFRIED PETER, DR., 64372 OBER-RAMSTADT, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: BURCHARD, BERND, DR., DE

Free format text: FORMER OWNERS: BURCHARD, BERND, DR., 45276 ESSEN, DE; KOOPS, HANS WILFRIED PETER, DR., 64372 OBER-RAMSTADT, DE

R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee