DE102014018510A1

DE102014018510A1 - Arrangement and method for characterizing photolithographic masks

Info

Publication number: DE102014018510A1
Application number: DE102014018510.9A
Authority: DE
Inventors: Holger Seitz; Thomas Thaler; Ute Buttgereit; Thomas Scherübl; Thomas Frank
Original assignee: Carl Zeiss SMS GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2013-12-13
Filing date: 2014-12-12
Publication date: 2015-06-18

Abstract

Die vorliegenden Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken, wobei die zu charakterisierende Maske (1, 1a) in einer Abbildungsvorrichtung (20) mit einer optischen Achse zur Abbildung von an der zu charakterisierenden Maske vorhandenen Strukturen angeordnet und abgebildet wird, wobei aus einer oder mehreren Abbildungen der zu charakterisierenden Maske die Fokuspositionen der zu charakterisierenden Maske in Richtung der optischen Achse der Abbildungsvorrichtung örtlich verteilt über der zu charakterisierenden Maske zur Ermittlung der Durchbiegung der Maske ermittelt werden. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Verwendung von Photolithographie-Masken sowie zur Herstellung von Photolithographie-Masken und ein Softwareprogrammprodukt, welches das Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken implementiert. Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung eine entsprechende Anordnung zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken.The present invention relates to a method for characterizing photolithographic masks, wherein the mask (1, 1a) to be characterized is arranged and imaged in an imaging device (20) with an optical axis for imaging structures present on the mask to be characterized, wherein one or more images of the mask to be characterized the focal positions of the mask to be characterized in the direction of the optical axis of the imaging device are determined locally distributed over the mask to be characterized for determining the deflection of the mask. Furthermore, the invention relates to a method of using photolithographic masks and to the production of photolithographic masks, and to a software program product implementing the method of characterizing photolithographic masks. Furthermore, the subject of the present invention is a corresponding arrangement for characterizing photolithographic masks.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die folgende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken sowie eine Anordnung hierzu. Außerdem ist der Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Photolithographie-Masken und ein Verfahren zur Verwendung von Photolithographie-Masken, bei denen das Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken eingesetzt wird.The following invention relates to a method for characterizing photolithographic masks and an arrangement therefor. In addition, the subject of the present invention is a method of making photolithographic masks and a method of using photolithographic masks which utilize the method of characterizing photolithographic masks.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Bei photolithographischen Verfahren, wie beispielsweise der Mikrolithographie zur Herstellung von mikro- und nanostrukturierten Bauteilen der Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik werden photolithographische Masken eingesetzt, welche auch als Retikel bezeichnet werden und die die zu erzeugenden Strukturen aufweisen, welche in der photolithographischen Abbildungsvorrichtung verkleinert auf entsprechende Substrate, wie Wafer, abgebildet werden. Derartige photolithographische Masken können bei Verwendung von Licht in der Lithographieeinrichtung mit Wellenlängen von beispielsweise größer oder gleich 193 nm in Transmission genutzt werden, wobei die Maske auf einer sogenannten Stage oder Halterung in horizontaler Ausrichtung gelagert werden kann. Üblicherweise weist eine entsprechende Halterung drei Auflagepunkte auf, auf denen die Maske aufliegt. Durch die horizontale Anordnung wirkt auf die Maske die Schwerkraft, so dass es zu einer Durchbiegung der Maske, dem sogenannten ”Mask Sacking”, kommt. Durch die Durchbiegung der Maske gibt es jedoch bei der Transmission in der Richtung der optischen Achse unterschiedliche Fokuspositionen örtlich verteilt über der Maske bzw. die lithographisch relevante Oberfläche oder Topographie kann in Z-Richtung, also in Richtung der optischen Achse bei der Abbildung, Abweichungen von einer Soll-Position aufweisen. Dies kann zu Problemen bei der Beleuchtung und beim Abbilden der Maske führen.In photolithographic processes, such as microlithography for the production of micro- and nanostructured components of electrical engineering or microsystem technology, photolithographic masks are used, which are also referred to as reticles and having the structures to be produced, which in the photolithographic imaging device reduced to corresponding substrates, such as Wafer, be imaged. Such photolithographic masks can be used in the use of light in the lithographic device with wavelengths of, for example, greater than or equal to 193 nm in transmission, wherein the mask can be stored on a so-called stage or holder in a horizontal orientation. Usually, a corresponding holder on three support points on which the mask rests. Due to the horizontal arrangement, gravity acts on the mask so that the mask, the so-called "mask sacking", deflects. Due to the deflection of the mask, however, there are different focus positions distributed locally over the mask in the transmission in the direction of the optical axis, or the lithographically relevant surface or topography can deviate from Z in the direction of the optical axis in the imaging have a desired position. This can lead to lighting problems and mask imaging.

Da die Durchbiegung der Maske bzw. die Abweichung der lithographisch relevanten Topographie in Z-Richtung von einer Soll-Position in Abhängigkeit von dem Material der Maske und der Gestaltung der Maske in gewissem Umfang unvermeidbar ist, wird die Maskendurchbiegung oder Abweichung in bestimmten Grenzen akzeptiert und die Abbildungseinstellungen werden entsprechend angepasst.Since the deflection of the mask or the deviation of the lithographically relevant topography in the Z direction from a desired position depending on the material of the mask and the design of the mask is unavoidable to some extent, the mask deflection or deviation is accepted within certain limits and the image settings will be adjusted accordingly.

Hierzu ist es vorteilhaft, wenn die Photolithographie-Masken möglichst einheitlich und reproduzierbar ausgebildet sind, so dass keine unterschiedlichen Bedingungen bei der Abbildung der Photolithographie-Masken auf das Substrat auftreten. Entsprechend ist es allgemein von Interesse, Photolithographie-Masken in einer definierten Art und Weise herstellen zu können, um definierte Bedingungen für die Abbildung der Strukturen der Photolithographie-Masken zu schaffen.For this purpose, it is advantageous if the photolithographic masks are formed as uniformly as possible and reproducible, so that no different conditions occur in the imaging of the photolithographic masks on the substrate. Accordingly, it is generally of interest to be able to produce photolithographic masks in a defined manner in order to create defined conditions for imaging the structures of the photolithographic masks.

Folglich ist es aus dem Stand der Technik auch bekannt, Photolithographie-Masken zu charakterisieren, um so einen definierten Herstellungsprozess und die spezifizierten Eigenschaften der Photolithographie-Maske gewährleisten zu können. Obwohl hierzu bereits verschiedene technische Lösungen vorgeschlagen sind, wie zum Beispiel die so genannte PROVE-Methode (siehe DE 10 2008 005 355 ), kapazitive Messtechnik oder Messung mit schräg einfallendem Licht mit 4 Quadrantensensor, etc. besteht weiterhin Bedarf, die Charakterisierung von Photolithographie-Masken und somit deren Herstellung sowie Einsatz zu verbessern.Consequently, it is also known from the prior art to characterize photolithographic masks in order to be able to ensure a defined production process and the specified properties of the photolithographic mask. Although various technical solutions have already been proposed, such as the so-called PROVE method (see DE 10 2008 005 355 ), capacitive measurement or obliquely incident light measurement with a 4-quadrant sensor, etc., there is still a need to improve the characterization of photolithographic masks and thus their manufacture and use.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION

Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Anordnung zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken bereitzustellen, welches eine verbesserte Herstellung und einen definierteren Einsatz von Photolithographie-Masken ermöglicht. Gleichzeitig soll das Verfahren einfach durchführbar und eine entsprechende Anordnung einfach aufgebaut sein.It is therefore an object of the present invention to provide a method and an arrangement for characterizing photolithographic masks, which enables an improved production and a more defined use of photolithographic masks. At the same time, the method should be easy to carry out and a corresponding arrangement should be simple.

TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken mit den Merkmalen des Anspruchs 1, ein Verfahren zur Verwendung von Photolithographie-Masken mit den Merkmalen des Anspruchs 9 sowie ein Verfahren zur Herstellung von Photolithographie-Masken mit den Merkmalen des Anspruchs 11. Außerdem schlägt die Erfindung ein Softwareprogrammprodukt zur Durchführung der Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 12 sowie eine Anordnung zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken mit den Merkmalen des Anspruchs 13 vor. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved by a method for characterizing photolithographic masks having the features of claim 1, a method for using photolithographic masks having the features of claim 9 and a method for producing photolithographic masks having the features of claim 11. In addition, the invention proposes a software program product for carrying out the methods with the features of claim 12 and an arrangement for characterizing photolithographic masks having the features of claim 13. Advantageous embodiments are the subject of the dependent claims.

Die Erfindung geht aus von der Erkenntnis, dass die Durchbiegung einer horizontal angeordneten Photolithographie-Maske aufgrund der Schwerkraft oder aufgrund eines mechanischen Spannungszustands zur Charakterisierung der Photolithographie-Maske eingesetzt werden kann, da bestimmte Maskeneigenschaften die schwerkraftbedingte oder spannungsbedingte Durchbiegung beeinflussen und zudem Kenntnisse über die schwerkraftbedingte oder spannungsbedingte Durchbiegung der Maske zur Verbesserung der Maskenherstellung und des Einsatzes der Maske verwendet werden können. So beeinflussen beispielsweise die Maskendicke, die Maskenebenheit, das Maskenmaterial, die Maskenbeschichtungen, die Strukturierung der Maskenbeschichtungen, ein eventuelles Pellicle und dergleichen als inhärente Parameter der Maske die schwerkraftbedingte oder spannungsbedingte Maskendurchbiegung bzw. Abweichung der Z-Position der lithographisch relevanten Oberfläche. Zusätzlich spielen auch externe Faktoren, wie das Zusammenspiel mit der Lagerung der Maske, beispielsweise hinsichtlich der Anordnung auf den Maskenauflagepunkten, für die Maskendurchbiegung aufgrund der Schwerkraft eine Rolle und beeinflussen somit den Einsatz der entsprechenden Maske.The invention is based on the recognition that the deflection of a horizontally arranged photolithographic mask due to gravity or due to a mechanical stress state can be used to characterize the photolithography mask, as certain mask properties affect the gravitational or stress-induced deflection and In addition, knowledge about the gravitational or stress-induced deflection of the mask can be used to improve the mask production and the use of the mask. For example, the mask thickness, the mask flatness, the mask material, the mask coatings, the patterning of the mask coatings, any pellicle, and the like, as inherent parameters of the mask, influence the gravitational or stress-induced mask deflection of the lithographic-relevant surface Z-position. In addition, external factors, such as the interaction with the mounting of the mask, for example with regard to the arrangement on the mask support points, also play a role in the sagging of the mask due to gravity and thus influence the use of the corresponding mask.

Entsprechend wird ein Verfahren zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken vorgeschlagen, bei dem die zu charakterisierende Maske in einer Abbildungsvorrichtung angeordnet wird und die Strukturen der zu charakterisierenden Maske in der Abbildungsvorrichtung abgebildet werden.Accordingly, a method for characterizing photolithographic masks is proposed in which the mask to be characterized is arranged in an imaging device and the structures of the mask to be characterized are imaged in the imaging device.

Aus der Abbildung der zu charakterisierenden Maske lässt sich die Fokusposition der zu charakterisierenden Maske ermitteln und damit auch die Durchbiegung der Maske ermitteln. Insbesondere können beispielsweise aus mehreren Abbildungen der zu charakterisierenden Maske die Fokuspositionen örtlich verteilt über der zu charakterisierenden Maske ermittelt werden, so dass eine Verteilung der Fokuspositionen über der zu charakterisierenden Maske erstellt werden kann und somit auch die Positionsabweichung bzw. Durchbiegung der Maske von einer idealisierten, theoretischen Maskenanordnung gewonnen werden kann. Damit kann beispielsweise bereits bei einer Verwendung der Photolithographie-Maske die photolithographische Einrichtung, beispielsweise eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, in geeigneter Weise auf die ermittelte Durchbiegung der Maske eingestellt werden.From the image of the mask to be characterized, the focus position of the mask to be characterized can be determined and thus also the deflection of the mask can be determined. In particular, the focus positions can be determined locally distributed over the mask to be characterized, for example, from a plurality of images of the mask to be characterized, so that a distribution of the focus positions can be created over the mask to be characterized, and thus also the position deviation or deflection of the mask from an idealized, theoretical mask arrangement can be obtained. Thus, for example, even when using the photolithographic mask, the photolithographic device, for example a projection exposure apparatus for microlithography, can be adjusted in a suitable manner to the determined deflection of the mask.

Darüber hinaus ist es möglich, die Verteilung der Fokuspositionen bzw. die Änderung der Fokusposition über der Maske mit anderen Masken zu vergleichen, um beispielsweise beim Herstellungsverfahren Tendenzen von Prozessveränderungen oder Materialveränderungen erkennen zu können.In addition, it is possible to compare the distribution of the focus positions or the change of the focus position over the mask with other masks, for example, to be able to detect tendencies of process changes or material changes in the production process.

Hierzu kann die ermittelte Fokuspositionsverteilung über der Maske mit einer Referenzmaske oder einer Modellmaske verglichen werden.For this purpose, the determined focus position distribution over the mask can be compared with a reference mask or a model mask.

Bei der Referenzmaske kann es sich um eine speziell hergestellte Maske oder um eine Zufallsauswahl aus der Vielzahl der hergestellten Masken handeln. Für die Referenzmaske können in gleicher Weise wie oben beschrieben durch eine oder mehrere Abbildungen die Fokuspositionen der Referenzmaske in Richtung der optischen Achse der verwendeten Abbildungsvorrichtung örtlich verteilt über der Referenzmaske ermittelt werden, um so eine Referenzverteilung der Fokusposition der Referenzmaske zu erhalten, die mit der ermittelten Verteilung der Fokuspositionen der zu charakterisierenden Masken verglichen werden kann.The reference mask may be a specially prepared mask or a random selection of the plurality of masks produced. In the same way as described above, the focus positions of the reference mask in the direction of the optical axis of the imaging device used can be determined spatially distributed over the reference mask in the same way as described above, so as to obtain a reference distribution of the focus position of the reference mask that matches the one determined Distribution of the focus positions of the masks to be characterized can be compared.

Entsprechend kann eine photolithographische Abbildungsvorrichtung auf die Referenzmaske eingestellt werden und eine Anpassung kann für die konkret eingesetzten Masken relativ in Bezug auf die Referenzmaske auf Basis der vorgenommenen Charakterisierung der eingesetzten Masken bezüglich der Referenzmaske erfolgen.Accordingly, a photolithographic imaging device can be set to the reference mask and an adjustment can be made for the actual masks relative to the reference mask based on the characterization of the masks used relative to the reference mask.

Beim Einsatz des Charakterisierungsverfahrens in einem Herstellungsprozess können der Herstellungsprozess oder einzelne Schritte davon entsprechend angepasst werden, um eine Maske zu erzeugen, die entsprechend ihrer Charakterisierung mit ihren Eigenschaften möglichst der Referenzmaske entspricht.When using the characterization method in a manufacturing process, the manufacturing process or individual steps thereof can be adapted accordingly to produce a mask which, according to its characterization, corresponds as far as possible to the reference mask with its properties.

Die Referenzmaske kann gleichmäßig über eine nutzbare Fläche der Maske verteilt Strukturen aufweisen, die insbesondere selbst gleichmäßig sein können, wie beispielsweise bei einem mathematischen Gitter. Damit ist eine besonders exakte Ermittlung der Verteilung der Fokuspositionen über der Referenzmaske möglich.The reference mask can have uniformly distributed structures over a usable area of the mask, which in particular can be uniform in itself, as for example in the case of a mathematical grid. This makes possible a particularly exact determination of the distribution of the focus positions over the reference mask.

Als weiterer Vergleichsstandard kann eine fiktive Modellmaske definiert werden, deren örtliche Verteilung der Fokusposition für eine fiktive Anordnung in der entsprechenden Abbildungsvorrichtung simuliert bzw. berechnet wird, so dass die Abweichung der zu charakterisierenden Maske gegenüber einer idealisierten Modellmaske festgestellt werden kann. Die Berechnung der Verteilung der Fokuspositionen örtlich verteilt über der Modellmaske erfolgt dabei so, dass die angenommenen Parameter der fiktiven Modellmaske denjenigen beim Einsatz der zu charakterisierenden Maske entsprechen.As a further comparison standard, a fictitious model mask can be defined, whose spatial distribution of the focus position for a fictitious arrangement in the corresponding imaging device is simulated or calculated, so that the deviation of the mask to be characterized from an idealized model mask can be determined. The calculation of the distribution of the focus positions distributed locally over the model mask takes place in such a way that the assumed parameters of the fictitious model mask correspond to those when using the mask to be characterized.

Bei der Charakterisierung können zusätzlich zur Fokusposition weitere Maskenparameter der Referenzmaske oder der zu charakterisierenden Maske ermittelt oder bei der Modellmaske definiert werden. Als Maskenparameter kommen dabei, ohne abschließend zu sein, folgende Parameter in Betracht: maximale oder minimale Maskendicke, durchschnittliche Maskendicke, Dickenverteilung über der Maske, Maskenposition in der Abbildungsvorrichtung, Maskenmaterial, Homogenität des Maskenmaterials, Form der Masken, Strukturen usw. Alle diesen Maskenparameter, seien sie inhärent durch die Maske alleine definiert oder extern durch die Anordnung der Maske in der Abbildungsvorrichtung gegeben, beeinflussen die Durchbiegung der Maske aufgrund der Schwerkraft, so dass dadurch auch die entsprechenden Fokuspositionen in Richtung der optischen Achse örtlich verteilt über der Maske beeinflusst werden. Durch eine Ermittlung eines oder mehrerer Maskenparameter bei der Referenzmaske oder der zu charakterisierenden Maske können derartige Einflüsse berücksichtigt bzw. ausgeschlossen werden, so dass eine genauere Charakterisierung der Maske in Bezug auf andere Parameter und somit eine Identifizierung von Fehlerquellen im Herstellungsprozess oder eine Kompensation bei der Anwendung der Maske einfacher möglich sind.During the characterization, further mask parameters of the reference mask or of the mask to be characterized can be determined in addition to the focus position or defined in the model mask. The mask parameters include, but are not limited to, the following parameters: maximum or minimum mask thickness, average mask thickness, thickness distribution over the mask, mask position in the imaging device, mask material, homogeneity of the mask material, shape of the masks, structures, etc. All these mask parameters, they are inherently defined by the mask alone or externally by the arrangement of Given mask in the imaging device, affect the deflection of the mask due to gravity, thereby affecting the corresponding focus positions in the direction of the optical axis locally distributed over the mask. By determining one or more mask parameters in the reference mask or the mask to be characterized such influences can be taken into account or excluded so that a more accurate characterization of the mask with respect to other parameters and thus identification of sources of error in the manufacturing process or compensation in the application the mask are easier.

So kann beispielsweise die Maskenpositionierung in der Abbildungsvorrichtung ermittelt werden, also beispielsweise die Anordnung der Maske bezüglich der Maskenauflagepunkte in Bezug auf zwei unabhängige Raumrichtungen innerhalb der durch die Maskenauflagepunkte definierten Ebene bzw. die Ausrichtung der Maske um eine Drehachse bezüglich der Auflagepunkte. Mit Kenntnis dieser Parameter kann deren Einfluss berücksichtigt werden und die Ursache von gegenseitigen Abweichungen von zu charakterisierenden Masken untereinander bzw. von Abweichungen gegenüber der Referenzmaske oder einer Modellmaske können auf andere Parameter zurückgeführt werden, die dann entsprechend beeinflusst werden können.Thus, for example, the mask positioning can be determined in the imaging device, so for example the arrangement of the mask with respect to the mask support points with respect to two independent spatial directions within the plane defined by the mask support points or the orientation of the mask about an axis of rotation with respect to the support points. With knowledge of these parameters, their influence can be taken into account and the cause of mutual deviations of masks to be characterized from each other or deviations from the reference mask or a model mask can be attributed to other parameters, which can then be influenced accordingly.

Mit der ermittelten örtlichen Verteilung der Fokuspositionen der zu charakterisierenden Maske über der Maske, insbesondere mit der Berücksichtigung zusätzlicher Maskenparameter, wie sie vorher genannt worden sind, kann ein schwereloser Zustand der zu charakterisierenden Maske simuliert werden, der es wiederum erlaubt, die Verwendung der charakterisierten Maske in anderen, zu der für die Charakterisierung verwendeten Abbildungsvorrichtung unterschiedlichen Abbildungsvorrichtungen durch Simulationen der dort zu erwartenden schwerkraftbedingten Durchbiegung zu ermöglichen.With the determined spatial distribution of the focus positions of the mask to be characterized over the mask, in particular with the consideration of additional mask parameters, as previously mentioned, a weightless state of the mask to be characterized can be simulated, which in turn allows the use of the characterized mask in other, to the imaging device used for the characterization different imaging devices by simulations of the expected gravitational deflection allow.

Das Verfahren kann insbesondere hinsichtlich der Ermittlung der Fokuspositionen einer Maske, beispielsweise durch Vermessung abgebildeter Strukturen, und der entsprechenden Auswertung durch Vergleich mit anderen Masken sowie der Simulation und Berechnung von Modellmasken oder Simulationszuständen durch eine Datenverarbeitungsanlage durchgeführt werden, so dass auch ein entsprechendes Softwareprogrammprodukt Gegenstand dieser Erfindung ist.The method can be carried out in particular with regard to the determination of the focus positions of a mask, for example by measuring mapped structures, and the corresponding evaluation by comparison with other masks and the simulation and calculation of model masks or simulation states by a data processing system, so that a corresponding software program product subject of this Invention is.

Des Weiteren wird eine Anordnung zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken gemäß dem vorgestellten Verfahren beansprucht, welche eine Abbildungseinrichtung zur Abbildung der an der zu charakterisierenden Maske angeordneten Strukturen sowie eine Auswerteeinheit zur Ermittlung der örtlichen Verteilung der Fokuspositionen über der zu charakterisierenden Maske aufweist. Die Abbildungseinrichtung kann insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bzw. ein Gerät zur optischen Photomaskenmetrologie, wie beispielsweise AIMS (Aerial Image Measurement System) oder WLCD(Wafer – level critical dimension)-System, oder ein UV(ultraviolett)-Mikroskop sein.Furthermore, an arrangement for characterizing photolithographic masks according to the presented method is claimed, which has an imaging device for imaging the structures arranged on the mask to be characterized, and an evaluation unit for determining the local distribution of the focus positions over the mask to be characterized. The imaging device may in particular be a projection exposure apparatus for microlithography or an apparatus for optical photomask metrology, such as AIMS (Aerial Image Measurement System) or WLCD (wafer level critical dimension) system, or a UV (ultraviolet) microscope.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise inThe accompanying drawings show in a purely schematic manner in FIG

1 eine Draufsicht auf eine Photolithographie-Maske; 1 a plan view of a photolithography mask;

1a eine Draufsicht auf eine rechteckige Photolithographie-Maske; 1a a plan view of a rectangular photolithography mask;

2 eine Schnittansicht durch die Photolithographie-Maske aus 1; 2 a sectional view through the photolithography mask 1 ;

3 eine Schnittansicht einer Photolithographie-Maske ohne schwerkraftbedingte Durchbiegung; 3 a sectional view of a photolithography mask without gravity-induced deflection;

4 eine Darstellung der Fokuspositionen der Photolithographie-Maske örtlich verteilt über der Photolithographie-Maske; und in 4 a representation of the focal positions of the photolithography mask locally distributed over the photolithography mask; and in

5 eine Darstellung einer Anordnung zur Charakterisierung von Photolithographie-Masken. 5 a representation of an arrangement for characterizing photolithographic masks.

AUSFÜHRUNGSBEISPIELEEMBODIMENTS

Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung anhand von Ausführungsbeispielen deutlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.Further advantages, characteristics and features of the present invention will become apparent in the following detailed description based on exemplary embodiments. However, the invention is not limited to these embodiments.

Die 1 und 1a zeigen in einer Draufsicht eine Photolithographie-Maske, wie sie beispielsweise im Einsatz in einer photolithographischen Abbildungseinrichtung gelagert sind. Der Einfachheit halber ist in 1 eine kreisrunde Maske gezeigt, eine quadratische Maske 1a ist in 1a gezeigt. Allerdings kann die Maske andere Formen aufweisen und insbesondere quadratisch oder rechteckig ausgebildet sein.The 1 and 1a show in a plan view of a photolithography mask, as they are stored for example in use in a photolithographic imaging device. For the sake of simplicity, is in 1 a circular mask shown, a square mask 1a is in 1a shown. However, the mask may have other shapes and in particular be square or rectangular.

In 1 und 1a sind drei Lager 2, 3, 4 gezeigt, auf denen die photolithographische Maske 1, 1a gelagert ist. Die Maskenlagerung kann bezüglich der Positionierung der photolithographischen Maske 1, 1a gegenüber den Lagern 2, 3, 4 in gewissen Grenzen variieren, da die photolithographische Maske 1, 1a bezüglich der Lager 2, 3, 4 innerhalb bestimmter Grenzen in X-Y-Richtung in der Maskenebene verschoben sein kann und bezüglich der Ausrichtung zu einem Mittelpunkt verdreht sein kann. Im Falle der runden Maske ist der Mittelpunkt 5 in 1 eingezeichnet.In 1 and 1a are three camps 2 . 3 . 4 shown on which the photolithographic mask 1 . 1a is stored. The mask storage may be related to the positioning of the photolithographic mask 1 . 1a opposite the camps 2 . 3 . 4 vary within certain limits because the photolithographic mask 1 . 1a concerning the bearings 2 . 3 . 4 within certain limits may be shifted in the XY direction in the mask plane and may be rotated with respect to the alignment to a center point. In the case of the round mask is the center 5 in 1 located.

Aufgrund der Schwerkraft erfährt die Maske 1, 1a eine Durchbiegung, wie sie für die runde Maske 1 schematisch in 2 dargestellt ist. Die 2 zeigt einen Schnitt entlang der Schnittlinie 6 der 1, wobei in gestrichelten Linien der schwerelose Zustand 1' der Maske 1 dargestellt ist. Durch eine unterschiedliche Positionierung der Maske 1, 1a bezüglich der Lager 2, 3, 4 hinsichtlich einer translatorischen Verschiebung in X- bzw. Y-Richtung oder einer Verdrehung um die Drehachse 5 senkrecht zur X-Y-Ebene kann die Art und Weise der Durchbiegung unterschiedlich sein. Darüber hinaus können auch unterschiedliche Eigenschaften und Gestaltungen der einzelnen photolithographischen Maske 1, 1a dazu führen, dass die Durchbiegung der photolithographischen Maske 1 beeinflusst wird. So ist beispielsweise in 3 eine Schnittansicht durch eine photolithographische Maske 1, 1a ebenfalls im schwerelosen Zustand gezeigt, wobei mögliche Ursachen der Abweichungen der Durchbiegung gezeigt sind. So kann beispielsweise die Oberfläche 11 der Maske 1, 1a uneben sein, sodass sich über der Maske unterschiedliche Dicken D der Maske ergeben.Due to gravity, the mask experiences 1 . 1a a deflection, as for the round mask 1 schematically in 2 is shown. The 2 shows a section along the section line 6 of the 1 , wherein in dashed lines the weightless state 1' the mask 1 is shown. By a different positioning of the mask 1 . 1a concerning the bearings 2 . 3 . 4 in terms of a translational displacement in the X or Y direction or a rotation about the axis of rotation 5 perpendicular to the XY plane, the manner of deflection may be different. In addition, also different properties and designs of the individual photolithographic mask 1 . 1a cause the sag of the photolithographic mask 1 being affected. For example, in 3 a sectional view through a photolithographic mask 1 . 1a also shown in the weightless state, with possible causes of the deviations of the deflection are shown. For example, the surface 11 the mask 1 . 1a be uneven, so that arise over the mask different thicknesses D of the mask.

Darüber hinaus kann sich die mechanische Stabilität der Maske und somit ihre Neigung zur Durchbiegung auch durch Inhomogenitäten im Maskenmaterial, wie durch die schematische Materialveränderung 12 in 3 dargestellt, ergeben.In addition, the mechanical stability of the mask and thus its tendency to sag can also be due to inhomogeneities in the mask material, as by the schematic material change 12 in 3 shown.

Darüber hinaus können Spannungen verursacht von Maskenbeschichtungen und die Strukturierung der Maskenbeschichtungen, sowie das Aufbringen eines Pellicles die Durchbiegung der Maske beeinflussen.In addition, tensions caused by mask coatings and the patterning of the mask coatings, as well as the application of a pellicle can affect the deflection of the mask.

Durch die schwerkraftbedingte oder spannungsbedingte Maskendurchbiegung (siehe 2) kommt es zu einer Veränderung der Fokusposition über der durchstrahlten Maske 1, 1a in Z-Richtung, welche die Richtung der optischen Achse bei der Durchstrahlungsmaske 1 in 2 angibt.Due to gravitational or stress-induced mask deflection (see 2 ) there is a change in the focus position over the irradiated mask 1 . 1a in the Z direction, which is the direction of the optical axis in the transmission mask 1 in 2 indicates.

Bei einer kreisförmigen Maske 1, wie in den 1 und 2 dargestellt, kommt es alleine durch die Schwerkraft bei ansonsten idealen Bedingungen hinsichtlich der Lagerung und Ausgestaltung der Maske 1 selbst zu einer maximalen Fokusverschiebung in der Mitte der Maske, während am Rand im Bereich der Lager 2, 3, keine Verschiebung der Fokusposition bzw. Durchbiegung der Maske 1 festzustellen ist. Eine derartige idealisierte Situation ist in einem Verteilungsdiagramm 7 der Fokusposition in 4 dargestellt, bei der die konzentrischen Kreise 8, 9, 10 unterschiedliche Fokuspositionen repräsentieren. Bei dieser Darstellung ist die Randdurchbiegung zwischen den Lagern 2, 3, 4 nicht berücksichtigt.For a circular mask 1 as in the 1 and 2 shown, it comes alone by gravity under otherwise ideal conditions with respect to the storage and design of the mask 1 even to a maximum focus shift in the center of the mask, while at the edge in the area of the bearing 2 . 3 , no shift of the focus position or deflection of the mask 1 determine is. Such an idealized situation is in a distribution diagram 7 the focus position in 4 shown at the concentric circles 8th . 9 . 10 represent different focus positions. In this illustration, the edge deflection between the bearings 2 . 3 . 4 not considered.

Zur Charakterisierung wird eine entsprechende Photolithographie-Maske in einer Abbildungsvorrichtung, beispielsweise einem Maskeninspektionsmikroskop oder einer Positionsmessvorrichtung, angeordnet und die Strukturen, die an der zu charakterisierenden Maske vorhanden sind, werden abgebildet. Insbesondere können mehrere Abbildungen mit unterschiedlicher Fokuslage bezüglich der zu charakterisierenden Maske vorgenommen werden, sodass die Fokuspositionen örtlich verteilt über der zu charakterisierenden Maske ermittelt werden können. Unter Fokusposition ist hierbei die Position des Fokus in Richtung der optischen Achse, also entsprechend der 2 in Z-Richtung, gemeint. Gleichzeitig werden bei en Messungen mit der Abbildungsvorrichtung auch die Positionen der gemessenen Strukturen auf der Maske (die X,Y-Koordinaten) ermittelt. Damit kann ein Verteilungsdiagramm 7 gemäß 4 ermittelt werden und die Durchbiegung der Maske kann ermittelt werden. Gleichzeitig kann das Verteilungsdiagramm der Fokuspositionen bzw. die örtliche Durchbiegung der Maske zum Vergleich verschiedener Masken herangezogen werden, wodurch Unterschiede bei der Qualität des Maskenrohlings und den Prozessschritten bei der Maskenherstellung ermittelt werden können.For characterization, a corresponding photolithography mask is arranged in an imaging device, for example a mask inspection microscope or a position measuring device, and the structures present on the mask to be characterized are imaged. In particular, a plurality of images with different focal positions with respect to the mask to be characterized can be made so that the focal positions can be determined locally distributed over the mask to be characterized. Under focus position here is the position of the focus in the direction of the optical axis, that is according to the 2 in Z direction, meant. At the same time, during measurements with the imaging device, the positions of the measured structures on the mask (the X, Y coordinates) are also determined. This can be a distribution diagram 7 according to 4 can be determined and the deflection of the mask can be determined. At the same time, the distribution diagram of the focus positions or the local deflection of the mask can be used to compare different masks, whereby differences in the quality of the mask blank and the process steps in the mask production can be determined.

Die 5 zeigt ein Beispiel einer Abbildungsvorrichtung 20 in Form einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem 21 und einem Projektionsobjektiv 22, zwischen denen die Photolithographie-Maske 1, welche auch als Retikel bezeichnet wird, angeordnet ist. Unterhalb des Projektionsobjektivs 22 ist im Bereich der Bildebene eine Auswerteeinheit 23 angeordnet, die Sensor- und/oder Messeinrichtungen sowie eine Datenverarbeitungseinheit umfasst, mittels der die Erstellung eines Verteilungsdiagramms der Fokuspositionen gemäß der 4 automatisiert unter Verwendung einer geeigneten Software hergestellt werden kann.The 5 shows an example of an imaging device 20 in the form of a projection exposure apparatus with a lighting system 21 and a projection lens 22 between which the photolithography mask 1 , which is also referred to as reticle, is arranged. Below the projection lens 22 is an evaluation unit in the area of the image plane 23 arranged, the sensor and / or measuring means and a data processing unit comprises, by means of which the preparation of a distribution diagram of the focus positions according to 4 automated using suitable software.

Statt der dargestellten Projektionsbelichtungsanlage können auch andere Einrichtungen zur optischen Photomaskenmetrologie oder UV-Mikroskope eingesetzt werden, wie beispielsweise ein Maskeninspektionsmikroskop oder einer Positionsmessvorrichtung.Instead of the projection exposure apparatus shown, other devices for optical photomask metrology or UV microscopes can be used, such as a mask inspection microscope or a position measuring device.

Als Vergleichsmaske kann auch eine definiert hergestellt oder zufällig ausgewählte Referenzmaske verwendet werden, bei der ebenfalls durch ein oder mehrere Abbildungen die Fokuspositionen in Richtung der optischen Achse der Abbildungsvorrichtung örtlich verteilt über der Referenzmaske ermittelt werden, um eine Referenzverteilung der Fokuspositionen über der Referenzmaske zu erhalten, die für einen definierten Vergleich mit andere Masken verwendet werden kann. Beispielsweise lässt sich die Abbildungsvorrichtung entsprechend der festgestellten Verteilung der Fokuspositionen der Referenzenmasken einstellen und bei Verwendung einer anderen Maske können die Veränderungen der Einstellung der Abbildungsvorrichtung auf Basis des Vergleichsergebnisses der Charakterisierung der einzusetzenden Marke bezüglich der Referenzmaske vorgenommen werden.It is also possible to use a reference mask produced in a defined fashion or randomly selected as a comparison mask, in which the focus positions in the direction of the optical axis of the imaging device are also determined spatially distributed over the reference mask by one or more images to obtain a reference distribution of the focus positions above the reference mask that can be used for a defined comparison with other masks. For example, the imaging device can be adjusted according to the determined distribution of the focus positions of the reference masks, and when using another mask, the changes in the adjustment of the imaging device can be made on the basis of the comparison result of the characterization of the mark to be used with respect to the reference mask.

Darüber hinaus ist es auch möglich, eine Modellmaske, also eine idealisierte Maske zu definieren und die ermittelte örtliche Verteilung der Fokuspositionen über der zu charakterisierenden bzw. einzusetzenden Maske mit einer simulierten Verteilung der Fokuspositionen über der Modellmaske zu vergleichen. Damit lassen sich ebenfalls Aussagen über die Qualität der zu charakterisierenden Maske in Bezug auf die ideale Maske und somit auf Änderungen des Maskenrohlings und/oder Abweichungen des Herstellungsprozesses von den spezifizierten Werten ermitteln. Dies kann wiederum bei der Herstellung von Masken zur entsprechenden Korrektur eingesetzt werden.Moreover, it is also possible to define a model mask, ie an idealized mask, and to compare the determined local distribution of the focus positions over the mask to be characterized or used with a simulated distribution of the focus positions over the model mask. Thus, statements about the quality of the mask to be characterized in relation to the ideal mask and thus changes of the mask blank and / or deviations of the production process from the specified values can also be determined. This can in turn be used in the production of masks for the corresponding correction.

Beim Vergleich der zu charakterisierenden Maske mit der Referenzmaske und/oder einer Modellmaske können weitere Maskenparameter herangezogen werden, wie beispielsweise die minimale, maximale oder durchschnittliche Maskendicke, die Dickenverteilung über der Maske, die Maskenposition in der Abbildungsvorrichtung, das Maskenmaterial, die Homogenität des Maskenmaterials sowie die Form der Maskenstruktur. Insbesondere lässt sich aus der ermittelten, örtlichen Verteilung der Fokuspositionen der zu charakterisierenden Maske und der zusätzlichen Maskenparameter, wie der Maskenposition und der Maskendicke, ein schwereloser Zustand der zu charakterisierenden Maske simulieren, der insbesondere bei der Simulation des Einsatzes einer Maske in einer anderen Abbildungsvorrichtung, die sich von derjenigen Abbildungsvorrichtung unterscheidet, bezüglich der die örtliche Verteilung der Fokuspositionen über der Maske ermittelt worden ist, eingesetzt werden kann. Dadurch lassen sich nicht simulierte Parameter der Maske für die prognostizierten Eigenschaften der Maske in einer anderen Abbildungsvorrichtung berücksichtigen, da diese Eigenschaften bei der Ermittlung der Fokuspositionen der Maske berücksichtigt wurden.When comparing the mask to be characterized with the reference mask and / or a model mask, further mask parameters can be used, such as the minimum, maximum or average mask thickness, the thickness distribution over the mask, the mask position in the imaging device, the mask material, the homogeneity of the mask material and the shape of the mask structure. In particular, from the determined, local distribution of the focus positions of the mask to be characterized and the additional mask parameters, such as the mask position and the mask thickness, a weightless state of the mask to be characterized can be simulated, which is particularly useful when simulating the use of a mask in another imaging device, which differs from the imaging device with respect to which the local distribution of the focus positions over the mask has been determined. As a result, non-simulated parameters of the mask can be taken into account for the predicted properties of the mask in another imaging device, since these properties were taken into account when determining the focus positions of the mask.

In einer Variante des Verfahrens werden als zu vermessende Strukturen Teststrukturen verwendet, die im Nutzbereich der Maske (Active Area) angeordnet sind. Diese sind in einem Raster oder statistisch über die gesamte Fläche verteilt. Als Teststrukturen können auch Teile bzw. Merkmale von Nutzstrukturen verwendet werden. Die Teststrukturen sind vorzugsweise identische oder sehr ähnliche Strukturen. Die Fokusposition einer Struktur auf der Maske kann von der abzubildenden Struktur abhängen. Dies wird unter anderem durch die Topografie des Absorbermaterials auf der Maske, d. h. beispielsweise dessen Dicke, bedingt. Diese Abhängigkeit wird auch als 3D-Fokus-Effekt bezeichnet. Weiter kann die Fokusposition auch durch Proximity-Effekte beeinflusst werden.In a variant of the method, test structures which are arranged in the useful area of the mask (active area) are used as structures to be measured. These are distributed in a grid or statistically over the entire area. As test structures also parts or features of Nutzstrukturen can be used. The test structures are preferably identical or very similar structures. The focus position of a structure on the mask may depend on the structure being imaged. This is partly due to the topography of the absorber material on the mask, d. H. for example, its thickness, conditional. This dependency is also referred to as a 3D focus effect. Furthermore, the focus position can also be influenced by proximity effects.

Bevorzugt werden deshalb isoliert auf der Maske angeordnete Strukturen als Teststrukturen verwendet, um Abbildungsfehler vermeiden. Bevorzugt werden sogenannte „kritische Strukturen” als Teststrukturen verwendet. Dies sind Strukturen, welche die kleinsten Strukturen umfassen, die als Teil der Nutzstruktur der Maske auf dem Wafer abzubilden sind.Therefore, structures arranged in isolation on the mask are preferably used as test structures in order to avoid aberrations. Preferably, so-called "critical structures" are used as test structures. These are structures that include the smallest structures that are to be imaged on the wafer as part of the payload structure of the mask.

Durch die Auswahl der Teststrukturen wird sichergestellt, dass die Fokuspositionen über die gesamte Fläche unter gleichen Bedingungen gemessen werden. Damit wird die Topografie der Maske mit hoher Genauigkeit ermittelt.The selection of the test structures ensures that the focus positions are measured over the entire area under the same conditions. This determines the topography of the mask with high accuracy.

Um die Topografie der Photolithographie-Maske an Position zu ermitteln, an welchen keine Teststruktur gemessen wurde, wird zwischen den nächstliegenden gemessenen Werten interpoliert.In order to determine the topography of the photolithography mask at position at which no test structure was measured, interpolation is performed between the nearest measured values.

Die so erhaltene Topografie wird eingesetzt, um das Abbildungsverhalten der Maske in einem Maskeninspektionsmikroskop mit erhöhter Genauigkeit zu simulieren. Bei der Belichtung eines Wafers mit der Struktur einer Maske in einem Scanner wird zunächst, wie oben beschrieben, durch Messung der Fokuspositionen der Teststrukturen die Topografie der Maske ermittelt. Während der Belichtung des Wafers wird im Scanner die Fokusposition dann gemäß der Topografie eingestellt. Durch die erwähnten strukturbedingten Änderungen der Fokuspositionen werden bei derartigen Abbildungen nicht alle Strukturen bzw. alle Teilstrukturen im besten Fokus abgebildet. Bisher war es nicht möglich, derartige Abbildungsfehler bei Abbildung durch ein Maskeninspektionsmikroskop zu erfassen.The topography thus obtained is used to simulate the imaging behavior of the mask in a mask inspection microscope with increased accuracy. When exposing a wafer having the structure of a mask in a scanner, the topography of the mask is first determined as described above by measuring the focus positions of the test structures. During exposure of the wafer, the focus position is then adjusted in the scanner according to the topography. Due to the mentioned structural changes in the focus positions, not all structures or all partial structures in the best focus are imaged in such images. So far, it has not been possible to detect such aberrations when imaged by a mask inspection microscope.

In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die zu untersuchende Struktur einer Maske in das Bildfeld des Maskeninspektionsmikroskops gebracht und die Fokusposition gemäß der ermittelten Topografie eingestellt. Dann wird ein Luftbild aufgenommen. Sofern die so abgebildete Struktur eine strukturbedingte Änderung der Fokusposition hervorruft, wird diese nun sichtbar. Somit erfolgt die Aufnahme des Luftbildes unter den gleichen Bedingungen wie im Scanner und ermöglicht eine Vorhersage der Fokusabweichung der Maske im Scanner.In the method according to the invention, the structure of a mask to be examined is brought into the image field of the mask inspection microscope and the focus position is set in accordance with the determined topography. Then an aerial photo is taken. If the structure shown in this way causes a structural change in the focus position, it will now become visible. Thus, the taking of the aerial image under the same conditions as in the scanner and allows a prediction of the focus deviation of the mask in the scanner.

Mit dem vorgestellten Verfahren und den entsprechenden Vorrichtungen ist es möglich, in einfacher und effizienter Weise eine Charakterisierung von Photolithographie-Masken vorzunehmen, um mittels der Charakterisierung Einfluss auf den Herstellungsprozess und/oder den Einsatz der Photolithographie-Masken zu nehmen. With the presented method and the corresponding devices, it is possible to carry out a characterization of photolithographic masks in a simple and efficient manner in order to influence the manufacturing process and / or the use of the photolithographic masks by means of the characterization.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Die Offenbarung der vorliegende Erfindung schließt sämtliche Kombinationen der vorgestellten Einzelmerkmale mit ein, auch wenn sie nicht explizit beschrieben sind.Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, it will be understood by those skilled in the art that the invention is not limited to these embodiments, but rather modifications are possible in the manner that individual features omitted or other combinations of features can be realized without departing from the scope of the appended claims. The disclosure of the present invention includes all combinations of the featured individual features, although not explicitly described.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102008005355 [0005]

Claims

Method for characterizing photolithographic masks, characterized in that the mask to be characterized ( 1 . 1a ) in an imaging device ( 20 ) is arranged and imaged with an optical axis for imaging structures present on the mask to be characterized, wherein from one or more images of the mask to be characterized, the focus positions of the mask to be characterized in the direction of the optical axis of the imaging device ( 20 ) distributed locally over the mask to be characterized ( 1 . 1a ) for determining the deflection of the mask ( 1 . 1a ) be determined.

A method according to claim 1, characterized in that a reference mask is produced and / or a model mask is defined, that the reference mask is arranged and imaged in the imaging device with the optical axis for imaging of structures present on the reference mask, wherein one or more images of the Focus positions in the direction of the optical axis of the imaging device are determined locally distributed over the reference mask or that the focus positions of the model mask are calculated in a fictitious arrangement in the imaging device in the direction of the optical axis of the imaging device distributed over the model mask, and that the local distributions of the focus positions of the to be characterized mask ( 1 . 1a ) and the reference mask and / or the model mask over the respective mask.

A method according to claim 2, characterized in that the reference mask uniformly over a usable area of the mask ( 1 . 1a ) has distributed structures.

A method according to claim 2 or 3, characterized in that the reference mask has structures according to a mathematical grid.

Method according to one of the preceding claims, characterized in that mask parameters of the reference mask or of the mask to be characterized ( 1 . 1a ) or mask parameters of the model mask are defined, which are used for characterization.

A method according to claim 5, characterized in that as mask parameter at least one of the elements is selected from the group, the minimum, maximum and average mask thickness, the thickness distribution over the mask, the mask position in the imaging device ( 20 ), the mask material, the homogeneity of the mask material and the shape of the mask structures.

Method according to one of claims 1, 5 or 6, characterized in that from the determined, local distribution of the focus positions of the mask to be characterized ( 1 . 1a ) and in particular additional mask parameters, a weightless state of the mask to be characterized is simulated.

Method according to one of the preceding claims, characterized in that the mask ( 1 . 1a ) comprises a pellicle.

Method for using photolithographic masks, in which the method for characterizing the photolithographic masks ( 1 . 1a ) is used according to one of the preceding claims.

Method according to claim 9, characterized in that on the basis of the characterization of the mask ( 1 . 1a ), in particular on the basis of the simulated weightless state of the characterized mask, properties of the mask in an imaging device, in particular in relation to the imaging device ( 20 ), which has been used for characterization of different imaging device, can be predicted.

A method for producing photolithographic masks, wherein the method of characterizing the photolithographic masks according to any one of claims 1 to 8 is used.

Software program product, which executes a method according to one of claims 1 to 11 when executed on a data processing system.

Arrangement for characterizing photolithographic masks according to the method according to one of claims 1 to 8 with an imaging device for imaging the structures arranged on the mask to be characterized and an evaluation unit for determining the local distribution of the focus position over the mask to be characterized.

Arrangement according to claim 13, characterized in that the imaging device is a mask inspection microscope.