DE102013211269A1 - Illumination optics for illuminating structured object such as lithographic mask or wafer, mounted in metrology system, has an energy sensor designed for monitoring the lighting total light dose which hits on the facet mirrors - Google Patents

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Abstract

The illumination optics (3) has facet mirrors having several facets for reflection of partial beams (13) of illumination light (7), and an energy sensor (12) for detecting the energy of illumination light. The facets represent the coupling facets which are capable of coupling some of the reflected partial beams tilted with respect to the energy sensor. The energy sensor is designed for monitoring the illuminating light total dose which strikes the facet mirrors. The total-reflecting surface of the facet mirrors are distributed in the coupling facets. Independent claims are included for the following: (1) an optical system; (2) a metrology system; and (3) a projection exposure system.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines strukturierten Objektes, zum Beispiel einer Lithographiemaske oder eines Wafers, mit einem derartigen optischen System sowie eine Projektionsbelichtungsanlage zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Bauelemente, insbesondere Halbleiterbauelemente in Form von Microchips, beispielsweise Speicherchips oder ASICs, mit einem derartigen optischen System.The invention relates to an illumination optical system for illuminating a structured object that can be arranged in an object field. Furthermore, the invention relates to an optical system having such an illumination optical system, a metrology system for examining a structured object, for example a lithographic mask or a wafer, with such an optical system and a projection exposure apparatus for producing microstructured or nanostructured components, in particular semiconductor components in the form of microchips, such as memory chips or ASICs, with such an optical system.

Eine Beleuchtungsoptik sowie ein Metrologiesystem der eingangs genannten Art sind bekannt aus der DE 10 2011 081 914 A1 . Beleuchtungsoptiken der eingangs genannten Art sind zudem bekannt aus der WO 2004/031 854 A2 , der WO 2010/049 076 A2 , der WO 2010/079 133 A2 und der DE 10 2008 009 600 A1 . Aus der US 2008/0 151 221 A1 und der US 2003/0 146 391 A1 ist eine Anordnung zur Überwachung der Abstrahlungsenergie einer EUV-Strahlungsquelle bekannt. Ein Metrologiesystem ist vom Prinzip her bekannt aus der DE 102 20 815 A1 , der DE 102 20 816 A1 und der US 6,894,837 B2 .An illumination optics and a metrology system of the type mentioned are known from the DE 10 2011 081 914 A1 , Illumination optics of the type mentioned are also known from the WO 2004/031 854 A2 , of the WO 2010/049 076 A2 , of the WO 2010/079 133 A2 and the DE 10 2008 009 600 A1 , From the US 2008/01515221 A1 and the US 2003/0146391 A1 An arrangement for monitoring the radiation energy of an EUV radiation source is known. A metrology system is known from the principle of DE 102 20 815 A1 , of the DE 102 20 816 A1 and the US Pat. No. 6,894,837 B2 ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Überwachung einer Energieverteilung einer Beleuchtung, die durch die Beleuchtungsoptik geführt ist, und insbesondere eine Dosisüberwachung ausreichend genau und gleichzeitig mit möglichst geringem Aufwand sowie geringen Verlusten an Beleuchtungslicht bewerkstelligt werden kann.It is an object of the present invention to further develop an illumination optics of the type mentioned above such that monitoring of an energy distribution of illumination guided by the illumination optics and, in particular, dose monitoring is effected sufficiently accurately and at the same time with the least possible effort and low losses of illumination light can be.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.

Beim strukturierten Objekt, das mit der Beleuchtungsoptik beleuchtet werden kann, kann es sich insbesondere um eine Lithographie-Maske für die Projektionslithographie handeln. Die Auskoppel-Facetten und der genau eine Energiesensor ermöglichen eine energetische Überwachung des auf die Auskoppel-Facetten auftreffenden Beleuchtungslichts. Die mit dem genau einen Sensor gemessene Dosis kann aufgrund der Verteilung der Auskoppel-Facetten in erwünschtem Maße unempfindlich sein gegenüber einem Versatz des Strahlprofils bzw. gegenüber Änderungen innerhalb des Strahlprofils. Bei dem Beleuchtungslicht kann es sich um EUV-Beleuchtungslicht im Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm handeln. Je nach Auswahl und Größe der Auskoppel-Facetten kann ein vorgegebener Genauigkeitsgrad dieser energetischen Überwachung erreicht werden. Die energetische Überwachung ermöglicht den Einsatz der Beleuchtungsoptik beispielsweise im Zusammenhang mit einer Erkennung von Defekten des strukturierten Objektes. Es kann eine präzise Abbildung des beleuchteten Objektfeldes gewährleistet werden. Intensitäts- und Drifteffekte, die beispielsweise bei der Lichtquelle auftreten, können kompensiert werden. Dies führt dazu, dass Anforderungen an die Lichtquelle zur Erzeugung von Beleuchtungslicht, welches mit der Beleuchtungsoptik hin zum strukturierten Objekt geführt wird, reduziert werden können. Alternativ zu einem echten Energiesensor, dessen Messgröße direkt proportional zur einfallenden Energie ist, kann auch ein Energiesensor zum Einsatz kommen, der eine Energiedichte misst, also die insbesondere auf eine bestimmte Fläche pro Zeiteinheit auftreffende Energie, also die Intensität des auf den jeweiligen Energiesensor treffenden Teilbündels. Aus dem Stand der Technik sind dem Fachmann für diesen Zweck einsetzbare Energiesensortypen bzw. Detektortypen bekannt.The structured object which can be illuminated with the illumination optics can in particular be a lithography mask for projection lithography. The coupling-out facets and the exactly one energy sensor enable energetic monitoring of the illumination light incident on the coupling-out facets. Due to the distribution of the coupling-out facets, the dose measured with the exactly one sensor can be desirably insensitive to an offset of the beam profile or to changes within the beam profile. The illumination light may be EUV illumination light in the wavelength range between 5 nm and 30 nm. Depending on the selection and size of the decoupling facets, a predetermined degree of accuracy of this energetic monitoring can be achieved. The energetic monitoring allows the use of the illumination optics, for example, in connection with a detection of defects of the structured object. It can be ensured a precise image of the illuminated object field. Intensity and drift effects that occur, for example, with the light source can be compensated. As a result, requirements for the light source for generating illumination light, which is guided with the illumination optics toward the structured object, can be reduced. As an alternative to a real energy sensor whose measured value is directly proportional to the incident energy, it is also possible to use an energy sensor which measures an energy density, that is to say the energy incident in particular on a specific surface per unit of time, that is to say the intensity of the partial beam impinging on the respective energy sensor , From the state of the art, energy sensor types or types of detectors which can be used for this purpose are known to the person skilled in the art.

Verteilt angeordnete Auskoppel-Facetten nach Anspruch 2 ermöglichen einen präzisen Rückschluss auf die Energie- bzw. Intensitätsverteilung einer Beleuchtung auf dem Facettenspiegel und damit einen Rückschluss auf eine Energie- bzw. Intensitätsverteilung einer Objektbeleuchtung. Eine Verteilung über die Gesamt-Reflexionsfläche des Facettenspiegels bedeutet, dass die Auskoppel-Facetten nicht nur randseitig auf dieser Gesamt-Reflexionsfläche angeordnet sind, sondern dass auch einige der Auskoppel-Facetten im Zentralbereich der Gesamt-Reflexionsfläche angeordnet sind. Die Auskoppel-Facetten können über die Gesamt-Reflexionsfläche des Facettenspiegels möglichst gleichverteilt angeordnet sein. Die gewünschte Unempfindlichkeit des Messergebnisses des Energiesensors gegenüber einem Strahlprofil-Versatz bzw. gegenüber Änderungen im Strahlprofil des Beleuchtungslichts ist dann besonders gut erreicht, da diese Einflüsse über die verschiedenen, gleichverteilt angeordneten Auskoppel-Facetten in gleichem Maße mischen wie über die zur Führung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln hin zum Objektfeld genutzten Facetten des Facettenspiegels.Distributed decoupling facets arranged according to claim 2 allow a precise inference to the energy or intensity distribution of an illumination on the facet mirror and thus a conclusion to an energy or intensity distribution of an object illumination. A distribution over the total reflection surface of the facet mirror means that the decoupling facets are arranged not only on the edge side on this total reflection surface, but also that some of the decoupling facets are arranged in the central region of the total reflection surface. The coupling-out facets can be arranged as uniformly as possible over the total reflection surface of the facet mirror. The desired insensitivity of the measurement result of the energy sensor with respect to a beam profile offset or changes in the beam profile of the illumination light is then particularly well achieved, since these influences on the different, evenly distributed arranged Auskoppel facets mix to the same extent as on the for guiding Lichtlichtlicht- Sub-bundles towards the object field used facets of the facet mirror.

Bei der Anordnung nach Anspruch 3 werden die Zwischenräume zwischen benachbarten Beleuchtungs-Facetten zur Auskopplung genutzt. Alternativ ist es möglich, zumindest einige der Beleuchtungs-Facetten des Facettenspiegels selbst zu Auskoppel-Facetten umzufunktionieren.In the arrangement according to claim 3, the spaces between adjacent illumination facets are used for decoupling. Alternatively, it is possible to transform at least some of the illumination facets of the facet mirror itself into outcoupling facets.

Ein Versatz von Facetten oder Facettengruppen nach Anspruch 4 zum Erzeugen der Zwischenräume ermöglicht eine regelmäßige Belegung des Facettenspiegels mit Auskoppel-Facetten. Dieser Versatz kann zwischen monolithischen Beleuchtungs-Facetten oder zwischen zur Beleuchtung genutzten Einzelfacetten-Facettengruppen vorgesehen sein. Als Einzelfacetten-Facettengruppen können Mikrospiegel-Facettengruppen zum Einsatz kommen. Der Versatzweg kann klein gegenüber Dimensionen der Facetten oder der Facettengruppen längs den Versatzrichtungen sein. Soweit der Versatz in Zusammenhang mit einem Facettengruppen aus Einzelfacetten aufweisenden Facettenspiegeln vorliegt, kann der Versatzweg den Dimensionen der Einzelfacetten längs den Versatzrichtungen entsprechen. In diesem Fall können die Auskoppel-Facetten so groß ausgeführt sein wie die Einzelfacetten, sodass einheitliche Bauformen einerseits für die Auskoppel-Facetten und andererseits für die Einzelfacetten genutzt werden können. Dies bietet Fertigungsvorteile.An offset of facets or facet groups according to claim 4 for generating the gaps allows a regular occupation of the facet mirror with Auskoppel facets. This offset can be between monolithic illumination facets or between for illumination be used single facet facet groups provided. As single facet facet groups micromirror facet groups can be used. The offset path may be small relative to dimensions of the facets or facet groups along the offset directions. Insofar as the offset is associated with facet groups of facet mirrors having single facets, the offset path may correspond to the dimensions of the individual facets along the offset directions. In this case, the decoupling facets can be made as large as the individual facets, so that uniform designs can be used on the one hand for the decoupling facets and on the other hand for the individual facets. This offers manufacturing advantages.

Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 5, eines Metrologiesystems nach Anspruch 6 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 8 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Das Metrologiesystem erlaubt aufgrund der Energieüberwachung über die Auskoppel-Facetten eine exakte metrologische Untersuchung des beleuchteten Objektes. Die Projektionsbelichtungsanlage ermöglicht die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen mit hoher Strukturauflösung. Es lassen sich insbesondere Bauteile mit hohen Integrationsdichten realisieren.The advantages of an optical system according to claim 5, a metrology system according to claim 6 and a projection exposure apparatus according to claim 8 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optics according to the invention. Due to the energy monitoring via the decoupling facets, the metrology system allows an exact metrological examination of the illuminated object. The projection exposure apparatus enables the production of semiconductor devices with high structural resolution. In particular, components with high integration densities can be realized.

Ein Metrologiesystem nach Anspruch 7 ermöglicht eine Berücksichtigung einer jeweiligen Beleuchtungsdosis, die bei der Erzeugung eines Bildes eines zu untersuchenden Objektes zur Verfügung stand, und auf dieser Basis eine Optimierung einer Bildverarbeitung der Detektionseinrichtung.A metrology system according to claim 7 makes it possible to take into account a respective illumination dose that was available when generating an image of an object to be examined, and on this basis to optimize image processing of the detection device.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Metrologiesystem derart weiterzubilden, dass die Anforderungen an die Lichtquelle bei gegebenen Genauigkeitsanforderungen bei der Objektuntersuchung reduziert sind.A further object of the invention is to develop a metrology system in such a way that the requirements for the light source are reduced given given accuracy requirements in the object examination.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Metrologiesystem mit den im Anspruch 9 angegebenen Merkmalen. Über den mindestens einen Energiesensor dieses Metrologiesystems kann eine Dosismessung erfolgen, die wiederum für die Optimierung der Bildverarbeitung der Detektionseinrichtung berücksichtigt werden kann. Auf eine aufwendige Dosis-Regelung, wie beispielsweise in der US 2008/0 151 221 A1 beschrieben, kann dann verzichtet werden.This object is achieved by a metrology system with the features specified in claim 9. A dose measurement can be carried out via the at least one energy sensor of this metrology system, which in turn can be taken into account for optimizing the image processing of the detection device. On a complex dose control, such as in the US 2008/01515221 A1 described, can then be waived.

Beim Metrologiesystem beim Anspruch 9 kann der mindestens eine Energiesensor als ortsauflösender Sensor ausgeführt sein. Es kann eine Mehrzahl von Energiesensoren vorgesehen sein, wobei jeweils einer der Energiesensoren einer der Auskoppel-Facetten zugeordnet ist. Es kann eine Mehrzahl von Energiesensoren mit einer Auswerteeinrichtung in Signalverbindung stehen, wobei die Auswerteeinrichtung so ausgeführt ist, dass sie aus Energie-Messwerten der Energiesensoren eine interpolierte Energieverteilung einer Beleuchtung des Facettenspiegels mit dem Beleuchtungslicht ermittelt. Diese Auswerteeinrichtung kann in Signalverbindung mit dem Datenverarbeitungsmodul stehen oder Bestandteil von diesem sein. Auch die sonstigen Merkmale, die vorstehend im Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik bereits diskutiert wurden, können beim Metrologiesystem nach Anspruch 9 zum Einsatz kommen.In the metrology system in claim 9, the at least one energy sensor can be designed as a spatially resolving sensor. It can be provided a plurality of energy sensors, wherein each one of the energy sensors is assigned to one of the coupling-out facets. A plurality of energy sensors may be in signal communication with an evaluation device, wherein the evaluation device is designed such that it determines an interpolated energy distribution of an illumination of the facet mirror with the illumination light from energy measured values of the energy sensors. This evaluation device can be in signal connection with the data processing module or be part of it. The other features that have already been discussed above in connection with the illumination optics can be used in the metrology system according to claim 9.

Die Auskoppel-Facetten können derart angeordnet sein, dass eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts über den gesamten Facettenspiegel ermittelt werden kann.The coupling-out facets can be arranged such that an intensity distribution of the illumination light can be determined over the entire facet mirror.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention are explained below with reference to the drawings. In this show:

1 schematisch ein Metrologiesystem zur Analyse von Auswirkungen von Eigenschaften von Masken für die Mikrolithographie mit einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektes in Form einer in einem Objektfeld angeordneten Maske; 1 schematically a metrology system for analyzing effects of properties of masks for microlithography with an illumination optical system according to the invention for illuminating an object in the form of a mask arranged in an object field;

2 stark schematisch Komponenten der Beleuchtungsoptik in Form zweier Facettenspiegel sowie die Maske mit einigen durch Verbindungslinien schematisch angedeuteten Ausleuchtungskanälen; 2 very schematically components of the illumination optics in the form of two facet mirrors and the mask with some illumination lines schematically indicated by connecting lines;

3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung die Komponenten der Beleuchtungsoptik und die Maske, wobei Strahlengänge von Teilbündeln von Beleuchtungslicht angedeutet sind, welches über Auskoppel-Facetten eines der Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik hin auf jeweils einen von einem der Teilbündel beaufschlagten Energiesensor ausgekoppelt werden; 3 in one too 2 Similar representation of the components of the illumination optics and the mask, wherein beam paths of partial beams of illumination light are indicated, which are coupled via Auskoppel facets of one of the facet mirrors of the illumination optics towards one of each of the sub-beams acted upon energy sensor;

4 eine zu den 2 und 3 ähnliche Darstellung, bei der neben den Ausleuchtungskanälen nach 2 auch Auskoppel-Strahlengänge von Teilbündeln des Beleuchtungslichts dargestellt sind, die bei einer Auskoppel-Variante hin zu einem gemeinsamen Energiesensor ausgekoppelt werden; 4 one to the 2 and 3 similar representation, in addition to the illumination channels after 2 also decoupling beam paths of partial beams of the illumination light are shown, which are decoupled in a decoupling variant towards a common energy sensor;

5 in einer Aufsicht einen Ausschnitt eines Facettenspiegels mit Mikrospiegel-Facettengruppen, die gegeneinander in zwei Versatzrichtungen jeweils zur Bildung von Zwischenräumen um einen Versatzweg gegeneinander versetzt sind, wobei in den Zwischenräumen Auskoppel-Facetten zur Auskopplung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln auf Energiesensoren der Beleuchtungsoptik angeordnet sind; und 5 in a plan view a section of a facet mirror with micromirror facet groups, which are offset from one another in two offset directions each to form spaces by an offset path against each other, being arranged in the interstices Auskoppel facets for coupling illumination light sub-beams on energy sensors of the illumination optics; and

6 einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektions-Lithographie mit einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik. 6 a meridional section through a projection exposure system for EUV projection lithography with an illumination optical system according to the invention.

Zum Metrologiesystem 1 gehört eine Lichtquelle 2 sowie eine Beleuchtungsoptik 3 zur Ausleuchtung eines Objektes 4 in Form eines Retikels bzw. einer Maske innerhalb eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Beleuchtungslicht 7 der Lichtquelle 2, beleuchtet, geführt von der Beleuchtungsoptik 3, das Objekt 4 und wird an diesem unter einem Ausfallswinkel α reflektiert. Das Objektfeld 5 wird über eine abbildende Optik 8 in ein Bildfeld 9 in einer Bildebene 10 vergrößert abgebildet. Ein Vergrößerungsfaktor der abbildenden Optik 8 kann bei 500 liegen oder noch größer sein. Das Bildfeld 9 wird von einer ortsauflösenden Detektionseinrichtung 11 in Form eines CCD-Chips erfasst.To the metrology system 1 heard a light source 2 as well as a lighting optics 3 for illuminating an object 4 in the form of a reticle or a mask within an object field 5 in an object plane 6 , illumination light 7 the light source 2 , lit, led by the illumination optics 3 , the object 4 and is reflected at this at a Ausfallswinkel α. The object field 5 is about an imaging optics 8th in a picture field 9 in an image plane 10 shown enlarged. A magnification factor of the imaging optics 8th can be at 500 or even bigger. The image field 9 is from a spatially resolving detection device 11 detected in the form of a CCD chip.

Als Lichtquellen kommt die auch für Projektionsbelichtungsanlagen übliche EUV-Lichtquelle in Frage, also beispielsweise Laser-Plasma-Quellen (LPP; Laser Produced Plasma) oder auch Entladungsquellen (DPP; Discharge Produced Plasma), insbesondere Gasentladungsquellen.Suitable light sources are the EUV light sources which are also customary for projection exposure systems, for example laser plasma sources (LPP) or discharge sources (DPP), in particular gas discharge sources.

Zur Erfassung der Energie des Beleuchtungslichts 7 dient mindestens ein schematisch in der 1 dargestellter Energiesensor 12, auf den zumindest einige Teilbündel 13 des Beleuchtungslichts 7 von einem Gesamtbündel ausgekoppelt werden, das von der Lichtquelle 2 erzeugt wird.For detecting the energy of the illumination light 7 serves at least one schematic in the 1 illustrated energy sensor 12 on which at least some subbundles 13 of the illumination light 7 be decoupled from a total bundle coming from the light source 2 is produced.

Bei der Ausführung nach 1 kommt genau ein Energiesensor 12 zum Einsatz.In the execution after 1 comes exactly one energy sensor 12 for use.

Die Detektionseinrichtung 11 umfasst ein Bildverarbeitungsmodul 13a. Letzteres dient zur Bildauswertung eines Bildes, das mit der Detektionseinrichtung 11 im Bildfeld 9 erfasst wird. Mit dem Bildverarbeitungsmodul 13a kann mittels entsprechender Bildverarbeitungsalgorithmen beispielsweise eine Kontrasterhöhung bzw. eine sonstige Bilddaten-Nachverarbeitung herbeigeführt werden. Das Bildverarbeitungsmodul 13a steht über eine Signalleitung 13b mit dem Energiesensor 12 in Signalverbindung.The detection device 11 includes an image processing module 13a , The latter is used for image evaluation of an image, which with the detection device 11 in the image field 9 is detected. With the image processing module 13a can be brought about by means of appropriate image processing algorithms, for example, a contrast increase or other image data post-processing. The image processing module 13a is via a signal line 13b with the energy sensor 12 in signal connection.

Bei der Maskeninspektion berücksichtigt das Bildverarbeitungsmodul 13a einen mit dem Energiesensor 12 gemessenen Dosiswert der Lichtquelle 2, mit dem das zu untersuchende Objekt 4 beaufschlagt wird. Dies kann genutzt werden, um beispielsweise eine Ziel-Signalhöhe, bei der eine Bildauswertung optimiert werden soll, abhängig vom gemessenen Dosiswert anzupassen. Durch die Berücksichtigung des Dosiswertes wird die Bildauswertung also präziser.The image processing module takes into account the mask inspection 13a one with the energy sensor 12 measured dose value of the light source 2 with which the object to be examined 4 is charged. This can be used, for example, to adapt a target signal level at which image evaluation is to be optimized, depending on the measured dose value. By taking the dose value into consideration, the image evaluation becomes more precise.

2 zeigt Details der Beleuchtungsoptik 3. Zu dieser gehört ein Feldfacettenspiegel 14 mit einer Mehrzahl von Feldfacetten 15 zur Reflexion der Teilbündel 13 des auf die Feldfacetten 15 auftreffenden Beleuchtungslichts. Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang der Teilbündel 13 ab den Feldfacetten 15 für einige ausgewählte der Feldfacetten 15, die in der 2 schraffiert hervorgehoben sind. Durch jeweils eine der Feldfacetten 15 und eine Pupillenfacette 16 eines Pupillenfacettenspiegels 17 ist ein Ausleuchtungskanal 18 definiert, über den das Teilbündel 13 hin zum Objekt 4 zur Beleuchtung von diesem geführt wird. Zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 17 und dem Objekt 4 kann noch eine in der 2 nicht dargestellte Folgeoptik angeordnet sein. Die jeweilige Pupillenfacette 16 bildet zusammen mit dieser Folgeoptik die jeweilige Feldfacette 15 in das Objektfeld 5 ab. 2 shows details of the illumination optics 3 , This includes a field facet mirror 14 with a plurality of field facets 15 for reflection of the sub-bundles 13 of the on the field facets 15 incident illumination light. Shown in the 2 the beam path of the sub-beams 13 from the field facets 15 for some selected of the field facets 15 in the 2 are highlighted hatched. Through one of the field facets 15 and a pupil facet 16 a pupil facet mirror 17 is an illumination channel 18 defines over which the sub-bundle 13 towards the object 4 is led to the lighting of this. Between the pupil facet mirror 17 and the object 4 can one more in the 2 not shown sequential optics may be arranged. The respective pupil facet 16 forms together with this sequential optics the respective field facet 15 in the object field 5 from.

Strichpunktiert ist in der 2 eine Verbindungslinie zwischen einem Zentrum des Feldfacettenspiegels 14, einem Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 17 und einem Zentrum des Objektfelds 5 eingezeichnet.Dash-dot is in the 2 a connecting line between a center of the field facet mirror 14 , a center of the pupil facet mirror 17 and a center of the object field 5 located.

3 zeigt nochmals den gleichen Ausschnitt der Beleuchtungsoptik 3 mit dem Feldfacettenspiegel 14, dem Pupillenfacettenspiegel 17 und dem Objekt 4, wobei in der 3 Teilbündel 13 in Form von Auskoppel-Strahlen zur Erfassung einer Energieverteilung innerhalb eines gesamten, den Feldfacettenspiegel 14 ausleuchtenden Beleuchtungslicht-Bündels 19 dargestellt sind. Das gesamte Beleuchtungslicht-Bündel 19 hat einen Durchmesser, der größer ist als der Durchmesser des Feldfacettenspiegels 14. Eine Berandung eines Fernfeldes der Lichtquelle 2, also eine Berandung des gesamten Beleuchtungslicht-Bündels 19, ist bei 19a angedeutet. 3 shows again the same section of the illumination optics 3 with the field facet mirror 14 , the pupil facet mirror 17 and the object 4 , where in the 3 partial bundle 13 in the form of decoupling beams for detecting an energy distribution within a whole, the field facet mirror 14 Illuminating illumination light bundle 19 are shown. The entire illumination light bundle 19 has a diameter larger than the diameter of the field facet mirror 14 , A boundary of a far field of the light source 2 , So a boundary of the entire illumination light bundle 19 , is at 19a indicated.

Der Feldfacettenspiegel 14 hat bei der dargestellten Ausführung insgesamt sechzehn Auskoppel-Facetten 20, die zur Auskopplung von sechzehn der reflektierten Teilbündel 13 auf jeweils einen Energiesensor 12 verkippt sind. Bei der Beleuchtungsoptik 3 liegen also sechzehn Energiesensoren 12 vor. Die Anzahl der Auskoppel-Facetten 20 hängt von den Genauigkeitsanforderungen zur Bestimmung der Energieverteilung innerhalb des gesamten Beleuchtungslicht-Bündels 19 ab. Beispielsweise kann jede zehnte der Feldfacetten 15 eine Auskoppel-Facette 20 darstellen. Auch andere Verhältnisse zwischen der Zahl der Auskoppel-Facetten 20 und der Zahl der Feldfacetten 15 insgesamt sind möglich, beispielsweise 0,5%, 1%, 2%, 5% oder auch mehr als 10%.The field facet mirror 14 has in the illustrated embodiment a total of sixteen coupling-facets 20 which is used to extract sixteen of the reflected sub-beams 13 on each one energy sensor 12 are tilted. In the illumination optics 3 So there are sixteen energy sensors 12 in front. The number of coupling-out facets 20 depends on the accuracy requirements for determining the energy distribution within the entire illumination light beam 19 from. For example, every tenth of the field facets 15 a decoupling facet 20 represent. Other ratios between the number of Auskoppel facets 20 and the number of field facets 15 in total are possible, for example, 0.5%, 1%, 2%, 5% or even more than 10%.

Die Auskoppel-Feldfacetten 20 sind so verkippt, dass sie das Beleuchtungslicht 7 aus dem Strahlengang der Ausleuchtungskanäle 18 heraus ablenken.The decoupling field facets 20 are tilted so that they illuminate the lighting 7 from the beam path of the illumination channels 18 distracting out.

Die insgesamt sechzehn Energiesensoren 12 stehen in nicht dargestellter Weise mit einer Auswerteeinrichtung 21 der Beleuchtungsoptik 3 in Signalverbindung. Die Auswerteeinrichtung 21 ist so ausgeführt, dass sie aus Energie-Messwerten der Energiesensoren 12 eine interpolierte Energieverteilung einer Beleuchtung des Feldfacettenspiegels 14 ermittelt. Die Energiesensoren 12 können als Fotodioden oder als pyroelektrische Detektoren ausgeführt sein. The total of sixteen energy sensors 12 are in a manner not shown with an evaluation 21 the illumination optics 3 in signal connection. The evaluation device 21 is designed to take energy readings from energy sensors 12 an interpolated energy distribution of illumination of the field facet mirror 14 determined. The energy sensors 12 can be designed as photodiodes or as pyroelectric detectors.

Die Energiesensoren 12 können als integrierende Sensoren oder alternativ auch als ortsauflösende bzw. bildgebende Sensoren ausgeführt sein.The energy sensors 12 can be designed as integrating sensors or, alternatively, as a spatially resolving or imaging sensors.

Bei der Ausführung nach 1 dient der genau eine Energiesensor 12 zur Überwachung einer Beleuchtungslicht-Gesamtdosis, die auf den Facettenspiegel 14 trifft, und damit zur Überwachung einer von der Lichtquelle 2 zur Objektbeleuchtung zur Verfügung gestellten Dosis des Beleuchtungslichts 7.In the execution after 1 exactly one energy sensor is used 12 to monitor a total amount of illumination light on the facet mirror 14 meets, and thus to monitor one of the light source 2 Dose of the illumination light provided for object illumination 7 ,

Die Auskoppel-Facetten 20 sind nach Möglichkeit gleichverteilt über die gesamte Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 14 angeordnet. Auch eine statistische Verteilung, die beispielsweise über einen Zufallsgenerator gewonnen werden kann, ist möglich. Die Positionen der Auskoppel-Facetten 20 können zwischen verschiedenen Energieverteilungsmessungen auch variieren, sodass systematische Fehler bei der Energieverteilungsmessung weitgehend ausgeschlossen werden. Die Auskoppel-Facetten 20 sind bei der Verteilung nach 3 nicht nur randseitig, also am Rand der Nutz-Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 14, angeordnet. Einige der Auskoppel-Facetten, beispielsweise die Auskoppel-Facetten 20 1, 20 2, sind in einem Zentralbereich der Nutz-Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 14 angeordnet.The decoupling facets 20 are, if possible, evenly distributed over the entire reflection surface of the field facet mirror 14 arranged. Even a statistical distribution, which can be obtained for example via a random number generator, is possible. The positions of the coupling-out facets 20 can also vary between different energy distribution measurements, so that systematic errors in the energy distribution measurement are largely excluded. The decoupling facets 20 are after the distribution 3 not only at the edge, ie at the edge of the useful reflection surface of the field facet mirror 14 arranged. Some of the coupling-out facets, for example the coupling-out facets 20 1 , 20 2 , are in a central region of the useful reflection surface of the field facet mirror 14 arranged.

Bei den Auskoppel-Feldfacetten 20 kann es sich um überzählige Feldfacetten handeln, für die keine zugeordnete Pupillenfacette 16 zur Bildung eines Ausleuchtungskanals hin zum Objektfeld 5 zur Verfügung steht.In the decoupling field facets 20 they can be surplus field facets, for which there is no assigned pupil facet 16 to form an illumination channel towards the object field 5 is available.

4 zeigt eine Variante der Auskopplung zur Energiemessung bei der Beleuchtungsoptik 3 mit dem Feldfacettenspiegel 14 und denn Pupillenfacettenspiegel 17. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehen unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 2 und 3 bereits erläutert wurden, erhalten die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmal im Einzelnen diskutiert. 4 shows a variant of the coupling for energy measurement in the illumination optics 3 with the field facet mirror 14 and because pupil facet mirror 17 , Components and functions that correspond to those that arise with reference to the 1 to 3 and in particular with reference to 2 and 3 have already been explained, are given the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei der Auskoppel-Variante nach 4 werden die Teilbündel 13 von den Auskoppel-Facetten 20 auf ein und denselben Energiesensor 12 ausgekoppelt. Dieser dient dann zur Erfassung eines mit einer Gesamtenergie der Beleuchtung korrelierenden Messwertes.In the decoupling variant after 4 become the subbundles 13 from the decoupling facets 20 on one and the same energy sensor 12 decoupled. This then serves to detect a measured value correlating with a total energy of the illumination.

5 zeigt einen Ausschnitt einer Variante, der beispielsweise anstelle des Feldfacettenspiegels 14 bei einer Variante der Beleuchtungsoptik 3 zum Einsatz kommen kann. Der Feldfacettenspiegel 22 hat Facettengruppen 23, die als 4 × 19-Arrays von Einzelfacetten 24 in Form von Mikrospiegeln, also in Gruppen zu je 4 Zeilen und 19 Spalten der Einzelfacetten 24 aufgeteilt sind. Jede der rechteckigen Facettengruppen 23 kann über jeweils eine der Pupillenfacetten 16 des Pupillenfacettenspiegels 17 in das Objektfeld 5 abgebildet werden. An Versatzstellen zwischen gegeneinander in zwei Versatzrichtungen x, y jeweils um einen Versatzweg gegeneinander versetzten Facettengruppen 23 liegen Zwischenräume zwischen den Facettengruppen 23 vor. In diesen Zwischenräumen sind die Auskoppel-Facetten 20 des Feldfacettenspiegels 22 angeordnet, deren Funktion den Auskoppel-Facetten 20 bei den vorstehend beschriebenen Ausführungen des Feldfacettenspiegels 14 entspricht. Der jeweilige Versatzweg in x- und y-Richtung entspricht den Dimensionen der Einzelfacetten 24 in der x- bzw. in der y-Richtung. Die Auskoppel-Facetten 20 sind beim Feldfacettenspiegel 22 also so groß wie die Einzelfacetten 24. 5 shows a section of a variant, for example, instead of the field facet mirror 14 in a variant of the illumination optics 3 can be used. The field facet mirror 22 has facet groups 23 as 4 × 19 arrays of single facets 24 in the form of micromirrors, ie in groups of 4 lines and 19 columns of individual facets 24 are divided. Each of the rectangular facet groups 23 can each have one of the pupil facets 16 of the pupil facet mirror 17 in the object field 5 be imaged. At offset points between each other in two offset directions x, y each offset by an offset path facet groups 23 there are gaps between the facet groups 23 in front. In these spaces are the Auskoppel facets 20 of the field facet mirror 22 whose function is the coupling-out facets 20 in the embodiments of the field facet mirror described above 14 equivalent. The respective displacement path in the x and y direction corresponds to the dimensions of the individual facets 24 in the x and y directions respectively. The decoupling facets 20 are at the field facet mirror 22 So as big as the single facets 24 ,

Bei jeder Facettengruppe 23 kann genau eine Auskoppel-Facette 20 durch Erzeugung dieser Versatz-Zwischenräume erzeugt werden.For each facet group 23 can be exactly one decoupling facet 20 by generating these offset gaps.

Ein Lichtverlust durch die Auskopplung des Teilbündels 13 über die Auskoppel-Facetten 20 ist aufgrund des Größenverhältnisses zwischen den Auskoppel-Facetten 20 und den für die Objektbeleuchtung genutzten Facettengruppen 23 gering.A loss of light due to the decoupling of the sub-beam 13 via the decoupling facets 20 is due to the size ratio between the outcoupling facets 20 and the facet groups used for object lighting 23 low.

Anstelle einer aus den Einzelfacetten 24 aufgebauten Facettengruppe 23 kann auch eine monolithische Facette 23 ausgeführt sein, wobei es durch den beschriebenen Versatz bei der Anordnung nach 5 wiederum zu den Zwischenräumen für die Auskoppel-Facetten 20 kommt.Instead of one of the single facets 24 constructed facet group 23 can also be a monolithic facet 23 be executed, it by the described offset in the arrangement according to 5 turn to the spaces for the Auskoppel facets 20 comes.

Die Facettengruppe 23 kann auch andere Anzahlen von Einzelspiegeln 24 aufweisen beispielsweise 8 × 160 Einzelspiegel 24.The facet group 23 can also have other numbers of individual mirrors 24 have, for example, 8 × 160 individual mirrors 24 ,

Der Feldfacettenspiegel 14 bzw. 22 kann auch Bestandteil einer Projektionsbelichtungsanlage 25 für die EUV-Lithographie sein. Dies ist in der 6 dargestellt.The field facet mirror 14 respectively. 22 can also be part of a projection exposure system 25 for the EUV lithography. This is in the 6 shown.

Diese zeigt schematisch einen Meridionalschnitt der Projektionsbelichtungsanlage 25. Ein Beleuchtungssystem 26 der Projektionsbelichtungsanlage 25 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 27 eine Beleuchtungsoptik 28 zur Belichtung eines Objektfeldes 29 in einer Objektebene 30. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 30 angeordnetes und in der Zeichnung nicht dargestelltes Retikel, das von einem ebenfalls nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist. Eine Projektionsoptik 31 dient zur Abbildung des Objektfeldes 29 in ein Bildfeld 32 in einer Bildebene 33. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 32 in der Bildebene 33 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellt ist und von einem ebenfalls nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist. Durch Entwickeln der lichtempfindlichen Schicht kann dann ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement hergestellt werden.This shows schematically a meridional section of the projection exposure apparatus 25 , A lighting system 26 the projection exposure system 25 has next to a light or radiation source 27 an illumination optics 28 for the exposure of an object field 29 in an object plane 30 , exposed becomes one in the object field 30 arranged and not shown in the drawing reticle, which is held by a reticle holder, also not shown. A projection optics 31 serves to represent the object field 29 in a picture field 32 in an image plane 33 , A structure on the reticle is imaged onto a photosensitive layer in the area of the image field 32 in the picture plane 33 arranged wafer, which is also not shown in the drawing and is held by a wafer holder, also not shown. By developing the photosensitive layer, a microstructured or nanostructured device can then be produced.

Bei der Strahlungsquelle 27 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Strahlungsquelle 27 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus der US 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung 34, die von der Strahlungsquelle 27 ausgeht, wird von einem Kollektor 35 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 35 propagiert die EUV-Strahlung 34 durch eine Zwischenfokusebene 36, bevor sie auf den Feldfacettenspiegel 14 bzw. 22 trifft. Der Feldfacettenspiegel 14 bzw. 22 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 28 angeordnet, die zur Objektebene 30 optisch konjugiert ist.At the radiation source 27 it is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gas discharge-produced plasma) or an LPP Source (plasma generation by laser, laser produced plasma) act. Also, a radiation source based on a synchrotron is for the radiation source 27 used. Information about such a radiation source is the expert, for example from the US Pat. No. 6,859,515 B2 , EUV radiation 34 coming from the radiation source 27 emanating from a collector 35 bundled. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 35 propagates the EUV radiation 34 through an intermediate focus level 36 before moving to the field facet mirror 14 respectively. 22 meets. The field facet mirror 14 respectively. 22 is in a plane of illumination optics 28 arranged to the object level 30 is optically conjugated.

Die EUV-Strahlung 34 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.The EUV radiation 34 is hereinafter also referred to as illumination light or as imaging light.

Nach dem Feldfacettenspiegel 14 bzw. 22 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 37 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 37 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 28 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 31 optisch konjugiert ist. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 37 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Folge- bzw. Übertragungsoptik 38 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 39, 40 und 41 werden die Feldfacetten 15 des Feldfacettenspiegels 14 bzw. 22 in das Objektfeld 29 abgebildet. Der letzte Spiegel 41 der Übertragungsoptik 38 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel”).After the field facet mirror 14 respectively. 22 becomes the EUV radiation 10 from a pupil facet mirror 37 reflected. The pupil facet mirror 37 is in a pupil plane of the illumination optics 28 arranged to a pupil plane of the projection optics 31 is optically conjugated. With the help of the pupil facet mirror 37 and an imaging optical assembly in the form of tracking optics 38 with mirrors in the order of the beam path 39 . 40 and 41 become the field facets 15 of the field facet mirror 14 respectively. 22 in the object field 29 displayed. The last mirror 41 the transmission optics 38 is a grazing incidence mirror.

Schematisch sind in der 6 wiederum zwei Auskoppel-Strahlengänge von Teilbündel 13 hin zu zwei beispielhaft dargestellten Energiesensoren 12 gezeigt. Für den Aufbau und die Funktion der Auskoppel-Facetten und der Energiesensoren sowie für die Auswerteeinrichtung gilt in Bezug auf die Projektionsbelichtungsanlage 25 das, was vorstehend unter Bezugnahme auf das Metrologiesystem 1 mit der Beleuchtungsoptik 3 bereits erläutert wurde.Schematically are in the 6 again two decoupling beam paths of sub-beams 13 towards two energy sensors exemplified 12 shown. The design and function of the coupling-out facets and of the energy sensors and of the evaluation device apply with regard to the projection exposure apparatus 25 what's above with reference to the metrology system 1 with the illumination optics 3 has already been explained.

Die Auswerteeinrichtung 21 kann so ausgebildet sein, dass sie die Energieverteilung des Beleuchtungslicht-Bündels 19 in Echtzeit aufnimmt, sodass, beispielsweise durch Eingriff in eine Steuerung der Lichtquelle 2 oder durch Eingriff in eine aktiv nachregelbare Bündelführungskomponente der Beleuchtungsoptik 3, eine Hinführung der gemessenen Ist-Beleuchtungsverteilung des Feldfacettenspiegels 14 bzw. 22 hin zu einer vorgegebenen Soll-Beleuchtungsverteilung erreicht wird.The evaluation device 21 can be configured so that they the energy distribution of the illumination light bundle 19 in real time, so that, for example, by intervention in a control of the light source 2 or by engagement in an actively nachregelbare bundle guide component of the illumination optical system 3 , An introduction of the measured actual illumination distribution of the field facet mirror 14 respectively. 22 is reached to a predetermined target illumination distribution.

Mit der Auswerteeinrichtung 21 ist insbesondere eine Ermittlung einer interpolierten Energieverteilung einer Beleuchtung des Feldfacettenspiegels 14 bzw. 22 möglich.With the evaluation device 21 is in particular a determination of an interpolated energy distribution of an illumination of the field facet mirror 14 respectively. 22 possible.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102011081914 A1 [0002] DE 102011081914 A1 [0002]
  • WO 2004/031854 A2 [0002] WO 2004/031854 A2 [0002]
  • WO 2010/049076 A2 [0002] WO 2010/049076 A2 [0002]
  • WO 2010/079133 A2 [0002] WO 2010/079133 A2 [0002]
  • DE 102008009600 A1 [0002] DE 102008009600 A1 [0002]
  • US 2008/0151221 A1 [0002, 0012] US 2008/0151221 A1 [0002, 0012]
  • US 2003/0146391 A1 [0002] US 2003/0146391 A1 [0002]
  • DE 10220815 A1 [0002] DE 10220815 A1 [0002]
  • DE 10220816 A1 [0002] DE 10220816 A1 [0002]
  • US 6894837 B2 [0002] US 6894837 B2 [0002]
  • US 6859515 B2 [0047] US Pat. No. 685,951 B2 [0047]
  • EP 1225481 A [0047] EP 1225481 A [0047]

Claims (9)

Beleuchtungsoptik (3; 28) zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld (5; 29) anordenbaren, strukturierten Objektes (4) – mit einem Facettenspiegel (14; 22) mit einer Mehrzahl von Facetten (15; 20, 24) zur Reflexion von Teilbündeln (13) von Beleuchtungslicht (7; 34), – mit genau einem Energiesensor (12) zur Erfassung der Energie des auf den Energiesensor (12) auftreffenden Beleuchtungslichts, – wobei mindestens einige der Facetten (15; 20, 24) Auskoppel-Facetten (15; 20) darstellen, die zur Auskopplung von einigen der reflektierten Teilbündel (13) auf den Energiesensor (12) verkippt sind, – wobei der genau eine Energiesensor (12) zur Überwachung einer Beleuchtungslicht-Gesamtdosis ausgeführt ist, die auf den Facettenspiegel (14; 22) trifft.Illumination optics ( 3 ; 28 ) for illuminating one in an object field ( 5 ; 29 ) arranged, structured object ( 4 ) - with a facet mirror ( 14 ; 22 ) with a plurality of facets ( 15 ; 20 . 24 ) for reflection of partial bundles ( 13 ) of illumination light ( 7 ; 34 ), - with exactly one energy sensor ( 12 ) for detecting the energy of the energy sensor ( 12 ) incident illumination light, - wherein at least some of the facets ( 15 ; 20 . 24 ) Coupling-out facets ( 15 ; 20 ), which are used to decouple some of the reflected sub-beams ( 13 ) on the energy sensor ( 12 ), whereby the exactly one energy sensor ( 12 ) for monitoring a total illumination light dose, which is based on the facet mirror ( 14 ; 22 ) meets. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auskoppel-Facetten (15; 20) über eine Gesamt-Reflexionsfläche des Facettenspiegels (14; 22) verteilt angeordnet sind.Illumination optics according to claim 1, characterized in that the coupling-out facets ( 15 ; 20 ) over a total reflection surface of the facet mirror ( 14 ; 22 ) are arranged distributed. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Auskoppel-Facetten (20) in Zwischenräumen zwischen benachbarten Beleuchtungs-Facetten (15; 24) der Facetten (15; 20, 24) des Facettenspiegels (14; 22) angeordnet sind, die zur Beleuchtung des strukturierten Objektes (4) genutzt werden.Illumination optics according to one of claims 1 to 2, characterized in that the coupling-out facets ( 20 ) in spaces between adjacent illumination facets ( 15 ; 24 ) of facets ( 15 ; 20 . 24 ) of the facet mirror ( 14 ; 22 ) arranged to illuminate the structured object ( 4 ) be used. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenräume an Versatzstellen zwischen gegeneinander in zwei Versatzrichtungen (x, y) jeweils um einen Versatzweg gegeneinander versetzten Facetten oder Facettengruppen (23) ausgebildet sind, die zur Beleuchtung des gesamten Objektfeldes (5; 29) angeordnet sind, in dem das strukturierte Objekt (4) anordenbar ist.Illumination optics according to claim 3, characterized in that the intermediate spaces at offset points between facets or facet groups offset from each other in two offset directions (x, y) by an offset path ( 23 ), which are used to illuminate the entire object field ( 5 ; 29 ) in which the structured object ( 4 ) can be arranged. Optisches System – mit einer Beleuchtungsoptik (3; 28) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, – mit einer abbildenden Optik (8; 31) zur Abbildung des Objektfeldes (5; 29) in ein Bildfeld (9; 32).Optical system - with illumination optics ( 3 ; 28 ) according to one of claims 1 to 4, - with an imaging optic ( 8th ; 31 ) for mapping the object field ( 5 ; 29 ) in an image field ( 9 ; 32 ). Metrologiesystem (1) für die Untersuchung eines strukturierten Objektes (4) – mit einer Lichtquelle (2) zur Erzeugung von Beleuchtungslicht (7), – mit einem optischen System nach Anspruch 5, – mit einer das Bildfeld (9) erfassenden, ortsauflösenden Detektionseinrichtung (11).Metrology system ( 1 ) for the investigation of a structured object ( 4 ) - with a light source ( 2 ) for generating illumination light ( 7 ), - with an optical system according to claim 5, - with an image field ( 9 ), spatially resolving detection device ( 11 ). Metrologiesystem (1) nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch ein Bildverarbeitungsmodul (13a), das mit dem Energiesensor (12) in Signalverbindung (13b) steht.Metrology system ( 1 ) according to claim 6, characterized by an image processing module ( 13a ), which is connected to the energy sensor ( 12 ) in signal connection ( 13b ) stands. Projektionsbelichtungsanlage (25) – mit einer Lichtquelle (27) zur Erzeugung von Beleuchtungslicht (34), – mit einem optischen System nach Anspruch 5.Projection exposure apparatus ( 25 ) - with a light source ( 27 ) for generating illumination light ( 34 ), - with an optical system according to claim 5. Metrologiesystem (1) für die Untersuchung eines strukturierten Objektes (4) – mit einer Lichtquelle (2) zur Erzeugung von Beleuchtungslicht (7), – mit einer Beleuchtungsoptik (3; 28) – mit einem Facettenspiegel (14; 22) mit einer Mehrzahl von Facetten (15; 20, 24) zur Reflexion von Teilbündeln (13) des Beleuchtungslichts (7; 34), – mit mindestens einem Energiesensor (12) zur Erfassung der Energie des auf den Energiesensor (12) auftreffenden Beleuchtungslichts (13), – wobei mindestens einige der Facetten (15; 20, 24) Auskoppel-Facetten (15; 20) darstellen, die zur Auskopplung von einigen der reflektierten Teilbündel (13) auf den mindestens einen Energiesensor (12) verkippt sind, – mit einer abbildenden Optik (8; 31) zur Abbildung des Objektfeldes (5; 29) in ein Bildfeld (9; 32), – mit einer das Bildfeld (9) erfassenden, ortsauflösenden Detektionseinrichtung (11), – mit einem Bildverarbeitungsmodul (13a), das mit dem Energiesensor (12) in Signalverbindung (13b) steht.Metrology system ( 1 ) for the investigation of a structured object ( 4 ) - with a light source ( 2 ) for generating illumination light ( 7 ), - with an illumination optics ( 3 ; 28 ) - with a facet mirror ( 14 ; 22 ) with a plurality of facets ( 15 ; 20 . 24 ) for reflection of partial bundles ( 13 ) of the illumination light ( 7 ; 34 ), - with at least one energy sensor ( 12 ) for detecting the energy of the energy sensor ( 12 ) incident illumination light ( 13 ), At least some of the facets ( 15 ; 20 . 24 ) Coupling-out facets ( 15 ; 20 ), which are used to decouple some of the reflected sub-beams ( 13 ) on the at least one energy sensor ( 12 ) are tilted, - with an imaging optic ( 8th ; 31 ) for mapping the object field ( 5 ; 29 ) in an image field ( 9 ; 32 ), - with one the image field ( 9 ), spatially resolving detection device ( 11 ), - with an image processing module ( 13a ), which is connected to the energy sensor ( 12 ) in signal connection ( 13b ) stands.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021139904A1 (en) 2020-01-09 2021-07-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical system for euv projection lithography
DE102021113780B4 (en) 2021-05-27 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for characterizing a mask for microlithography

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
US20030146391A1 (en) 2002-02-05 2003-08-07 Xtreme Technologies Gmbh Arrangement for monitoring the energy radiated by an EUV radiation source
DE10220816A1 (en) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflective X-ray microscope for examining an object in an object plane illuminates the object with beam wavelengths less than 30 nm while scanning it into an image plane as an enlarged object
DE10220815A1 (en) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflective X-ray microscope e.g. for microlithography, includes additional subsystem arranged after first subsystem along beam path and containing third mirror
WO2004031854A2 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a wavelength = 193 nm, comprising sensors for determining the illumination
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
US6894837B2 (en) 2003-04-25 2005-05-17 Carl Zeiss Microelectric Systems Gmbh Imaging system for an extreme ultraviolet (EUV) beam-based microscope
US20080151221A1 (en) 2006-10-27 2008-06-26 Nikon Corporation Measurement of EUV intensity
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
WO2010049076A2 (en) 2008-10-20 2010-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Optical module for guiding a radiation beam
US20100110406A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
WO2010079133A2 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Individual mirror for constructing a faceted mirror, in particular for use in a projection exposure system for microlithography
DE102011081914A1 (en) 2011-08-31 2012-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for use in optical system of projection exposure system for illuminating e.g. lithography mask, for manufacturing memory chips, has facet mirror whose facets uncouple partial beam incident on energy sensor

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
US20030146391A1 (en) 2002-02-05 2003-08-07 Xtreme Technologies Gmbh Arrangement for monitoring the energy radiated by an EUV radiation source
DE10220816A1 (en) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflective X-ray microscope for examining an object in an object plane illuminates the object with beam wavelengths less than 30 nm while scanning it into an image plane as an enlarged object
DE10220815A1 (en) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflective X-ray microscope e.g. for microlithography, includes additional subsystem arranged after first subsystem along beam path and containing third mirror
WO2004031854A2 (en) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a wavelength = 193 nm, comprising sensors for determining the illumination
US6894837B2 (en) 2003-04-25 2005-05-17 Carl Zeiss Microelectric Systems Gmbh Imaging system for an extreme ultraviolet (EUV) beam-based microscope
US20080151221A1 (en) 2006-10-27 2008-06-26 Nikon Corporation Measurement of EUV intensity
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
WO2010049076A2 (en) 2008-10-20 2010-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Optical module for guiding a radiation beam
US20100110406A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
WO2010079133A2 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Individual mirror for constructing a faceted mirror, in particular for use in a projection exposure system for microlithography
DE102011081914A1 (en) 2011-08-31 2012-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for use in optical system of projection exposure system for illuminating e.g. lithography mask, for manufacturing memory chips, has facet mirror whose facets uncouple partial beam incident on energy sensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021139904A1 (en) 2020-01-09 2021-07-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical system for euv projection lithography
DE102020200158A1 (en) 2020-01-09 2021-07-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for EUV projection lithography
DE102021113780B4 (en) 2021-05-27 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for characterizing a mask for microlithography

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