DE102013211086A1 - Method for polishing substrate with foamed polishing cloth, involves providing polishing cloth with blind holes whose positions correspond with outlet openings such that polishing agent passes through polishing cloth - Google Patents

Method for polishing substrate with foamed polishing cloth, involves providing polishing cloth with blind holes whose positions correspond with outlet openings such that polishing agent passes through polishing cloth Download PDF

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Abstract

The method involves providing a foamed polishing cloth (1) that occupies outlet openings (3a) of a polishing plate (4). A polishing agent is applied on a side through the outlet openings. The cloth is formed with a porous structure having multiple pores (2), which are partially connected with one another by micro holes (6) that are pierced at a front side. The cloth is provided with blind holes (7) that are not pierced at a cloth front side and reach at a rear side in the cloth, where positions of the blind holes correspond with the outlet openings such that the agent passes through the cloth.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheibe, Wafer) mit einem geschäumten Poliertuch.The invention relates to a method for polishing at least one wafer of semiconductor material (semiconductor wafer, wafer) with a foamed polishing cloth.

Scheiben aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheiben, Wafer) als Substrate für besonders anspruchsvolle Bauelemente wie beispielsweise mit ≤ 22 nm minimaler Strukturlänge, also 22 nm Design Rule nach ITRS („International Technology Roadmap for Semiconductors“), müssen besonders eben sein.Disks of semiconductor material (semiconductor wafers, wafers) as substrates for particularly demanding components such as, for example, ≤ 22 nm minimum structure length, ie 22 nm design rule according to ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors), must be particularly flat.

Gemäß dem Stand der Technik erfolgt die Planarisierung der aus einem Einkristall aus Halbleitermaterial gesägten Scheiben in verschiedenen Arbeitsschritten.

  • – mechanische Scheibenbearbeitung (Läppen, Schleifen),
  • – chemische Scheibenbearbeitung (alkalische oder saure Ätze)
  • – chemo-mechanische Scheibenbearbeitung: Einseitenpolitur (SSP), Doppelseitenpolitur (DSP), einseitige Schleierfrei- bzw. Glanzpolitur mit weichem Poliertuch.
According to the prior art, the planarization of the cut from a single crystal of semiconductor material slices in different steps.
  • - mechanical disc processing (lapping, grinding),
  • - chemical disc processing (alkaline or acid etching)
  • - chemo-mechanical disc processing: single-side polishing (SSP), double-side polishing (DSP), one-sided fog-free or gloss polishing with a soft polishing cloth.

Die chemisch-mechanische Politur (CMP) dient der endgültigen Glättung der Oberflächen der Halbleiterscheibe und kann als Einseiten- oder Doppelseitenprozess ausgeführt werden.The chemical-mechanical polish (CMP) serves for the final smoothing of the surfaces of the semiconductor wafer and can be carried out as a single-sided or double-sided process.

Beim Einseitenpolieren („single-side polishing“ oder kurz SSP) werden Halbleiterscheiben während der Bearbeitung rückseitig auf einer Trägerplatte mit Kitt, durch Vakuum oder mittels Adhäsion gehalten und auf der anderen Seite einer Politur unterzogen.In single-side polishing (SSP), semiconductor wafers are held back on a backing plate with cement, by vacuum or by adhesion during processing, and are polished on the other side.

Eine geeignete Einseitenpoliermaschine ist beispielsweise in der Schrift US 6,116,997 A offenbart.A suitable Einseitenpoliermaschine is for example in the Scriptures US 6,116,997 A disclosed.

Bei der klassischen Doppelseitenpolitur (DSP) werden Halbleiterscheiben lose in geeignet dimensionierte Aussparungen einer dünnen Läuferscheibe (carrier plate) eingelegt und vorder- und rückseitig simultan „frei schwimmend“ zwischen einem oberen und einem unteren, jeweils mit einem Poliertuch belegten Polierteller poliert. In classical double-side polishing (DSP), semiconductor wafers are loosely inserted into suitably dimensioned recesses of a thin carrier plate and polished simultaneously "free-floating" between an upper and a lower polishing plate, each occupied with a polishing cloth.

Eine geeignete Doppelseitenpoliermaschine ist beispielsweis in der Anmeldung DE 100 07 390 A1 offenbart.A suitable double-side polishing machine is for example in the application DE 100 07 390 A1 disclosed.

DSP-Verfahren sind beispielsweise in der US 3,691,694 sowie der EP 208315 B1 beschrieben. DSP methods are for example in the US 3,691,694 as well as the EP 208315 B1 described.

Bei der Politur einer Scheibe aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheibe, Wafer) wird zwischen die zu polierende Fläche der Halbleiterscheibe und dem Poliertuch ein flüssiges Poliermittel gebracht, das den chemisch-mechanischen Materialabtrag unterstützt.When polishing a slice of semiconductor material (semiconductor wafer, wafer) a liquid polishing agent is brought between the surface of the semiconductor wafer to be polished and the polishing cloth, which supports the chemical-mechanical material removal.

Als Poliermittel für die Politur von Scheiben aus Halbleitermaterial werden entweder alkalische Lösungen, die frei von Feststoffen sind, oder alkalische Suspensionen, die fein verteilte Feststoffe, wie beispielsweise SiO2-Partikel (Kieselsäure, Kieselsol), die als Abrasive wirken, enthalten, verwendet.As polishing agents for polishing semiconductor wafer sheets, either alkaline solutions free of solids or alkaline suspensions containing finely divided solids such as SiO 2 particles (silica, silica sol) which act as abrasives are used.

Die Politur der Scheibe aus Halbleitermaterial erfolgt durch Relativbewegung zwischen der Scheibe aus Halbleitermaterial und dem Poliertuch unter Druck und Zuführung eines Poliermittels.The polishing of the wafer of semiconductor material is carried out by relative movement between the disc of semiconductor material and the polishing cloth under pressure and feeding a polishing agent.

In Abhängigkeit vom durchzuführenden Polierprozess und dem jeweils gewünschten Materialabtrag können verschiedene Poliertücher eingesetzt werden, die jeweils spezifische Eigenschaften aufweisen.Depending on the polishing process to be performed and the material removal desired in each case, different polishing cloths can be used, each of which has specific properties.

Poliertücher können aus einem thermoplastischen oder hitze-härtbaren Polymer bestehen. Als Material für diese als geschäumte Poliertücher (foamed pads) bezeichneten Tücher kommt eine Vielzahl an Werkstoffen in Betracht, z.B. Polyurethane, Polycarbonat, Polyamid, Polyacrylat, Polyester. Geschäumte Poliertücher werden beispielsweise in der US 2008/0102741 A1 oder in der DE 10004578 C1 offenbart.Polishing cloths may consist of a thermoplastic or heat-curable polymer. As a material for these foamed pads (foamed pads) called towels comes a variety of materials into consideration, for example, polyurethanes, polycarbonate, polyamide, polyacrylate, polyester. Foamed polishing cloths are used for example in the US 2008/0102741 A1 or in the DE 10004578 C1 disclosed.

Poliertücher können aber auch aus verschäumten Platten oder Filz- oder Fasersubstraten, die mit Polymeren imprägniert sind, bestehen (Vliesstoff-Tuch, non-woven pad). Ein solches Tuch ist beispielsweise in US 5,510,175 A beschrieben.However, polishing cloths can also consist of foamed sheets or felt or fiber substrates which are impregnated with polymers (nonwoven cloth, non-woven pad). Such a cloth is for example in US 5,510,175 A described.

Der Vorteil von geschäumten Poliertüchern gegenüber Tüchern aus Filz- oder Fasersubstraten ist ihr höheres Potential zur Erzeugung optimaler Oberflächengeometrien, insbesondere im Randbereich der Scheiben aus Halbleitermaterial.The advantage of foamed polishing cloths compared to cloths made of felt or fiber substrates is their higher potential for producing optimum surface geometries, in particular in the edge region of the disks of semiconductor material.

Da die Scheiben aus Halbleitermaterial während der Politur mit geschäumten Poliertüchern weniger stark in das Poliertuch einsinken als bei der Politur mit Poliertüchern aus Filz- oder Fasersubstraten, wird bei der Politur mit geschäumten Poliertüchern eine bessere Scheibengeometrie erzielt. Insbesondere die unerwünschte Kantenverrundung (edge roll-off) kann deutlich verringert bis komplett vermieden werden.Since the discs of semiconductor material during polishing with foamed polishing cloths less sink into the polishing cloth than the polishing with polishing pads made of felt or fibrous substrates, the polishing with foamed polishing cloths a better wheel geometry is achieved. In particular, the unwanted edge rounding (edge roll-off) can be significantly reduced to completely avoided.

Die Zuführung des Poliermittels zwischen die zu polierende Oberfläche einer Scheibe aus Halbleitermaterial und die Arbeitsfläche (Oberfläche) des Poliertuches kann gemäß dem Stand der Technik über seitliche Düsen und oder durch Bohrungen, die durch den mit dem Poliertuch belegten Polierteller und das Poliertuch hindurchführen, erfolgen.The supply of the polishing agent between the surface to be polished of a wafer of semiconductor material and the working surface (surface) of the polishing cloth can according to the prior art via lateral nozzles and or through holes, the pass through the polishing pad covered with the polishing pad and the polishing cloth.

Die gleichmäßige Verteilung des Poliermittels zwischen der zu polierenden Oberfläche und der mit der Oberfläche in Kontakt kommenden Arbeitsfläche des Poliertuches ist entscheidend für das Ergebnis des jeweiligen Polierprozesses.The uniform distribution of the polishing agent between the surface to be polished and the working surface of the polishing cloth which comes into contact with the surface is decisive for the result of the respective polishing process.

Die Verteilung des Poliermittels auf der Poliertuchoberfläche wird dabei im Wesentlichen von zwei Faktoren bestimmt. Zum einen von den Eigenschaften des jeweiligen Poliertuches und zum anderen von der Art der Poliermittelzuführung am Ort des Geschehens (Point Of Use, POU).The distribution of the polishing agent on the polishing cloth surface is determined essentially by two factors. On the one hand by the properties of the respective polishing cloth and on the other by the type of polishing agent supply at the point of use (POU).

Poliertücher aus Filz- oder Fasersubstraten können Poliermittel aufnehmen, wodurch während des Polierprozesses eine gleichmäßigere Verteilung des Poliermittels zwischen Subtratoberfläche und Poliertuch gewährleistet wird. Polishing wipes made of felt or fibrous substrates can pick up polishing agents, thereby ensuring a more even distribution of the polishing agent between the substrate surface and the polishing cloth during the polishing process.

Poliertücher aus Filz- oder Fasersubstraten sind kompressibel und verformen sich unter Einwirkung von Druck. Dies führt im Rahmen der Politur zu einer unerwünschten Verformung der Poliertücher und damit zu einer ungleichmäßigen Politur der Scheiben aus Halbleitermaterial. Insbesondere der Randbereich der Scheiben wird dabei übermäßig verrundet (edge roll off).Polishing wipes made of felt or fibrous substrates are compressible and deform under the influence of pressure. As a result of the polishing, this leads to an undesired deformation of the polishing cloths and thus to an uneven polishing of the disks made of semiconductor material. In particular, the edge region of the discs is excessively rounded (edge roll off).

Daher ist in vielen Fällen der Einsatz von geschäumten Poliertüchern bevorzugt. Allerdings wird die Oberfläche eines geschäumten Poliertuches, in Abhängigkeit der Porosität, nur gering bis gar nicht durchfeuchtet. Das Poliermittel benetzt die Oberfläche des Poliertuches ungleichmäßig. Dadurch kann es bei der Politur einer Scheibe aus Halbleitermaterial mit einem geschäumten Poliertuch zu einer inhomogenen Verteilung des Poliermittels zwischen der zu polierenden Oberfläche der Scheibe aus Halbleitermaterial und der Oberfläche des Poliertuches kommen. Dies wirkt sich ungünstig auf die Homogenität der polierten Scheibenoberfläche hinsichtlich Geometrie, Defektdichten (Streulichtdefekte, Kratzer) und Rauheit (kurzwellige und langwellige Rauheit) aus. Therefore, the use of foamed polishing cloths is preferred in many cases. However, the surface of a foamed polishing cloth, depending on the porosity, only slightly or not at all moistened. The polishing agent wets the surface of the polishing cloth unevenly. This may result in the polishing of a wafer of semiconductor material with a foamed polishing cloth to an inhomogeneous distribution of the polishing agent between the surface to be polished of the disc of semiconductor material and the surface of the polishing cloth. This has an unfavorable effect on the homogeneity of the polished disk surface in terms of geometry, defect densities (scattered light defects, scratches) and roughness (short-wave and long-wave roughness).

Zusätzlich hat eine inhomogene Poliermittelverteilung negative Auswirkungen auf die Tuchbelegung, also die Anreicherung der Tuchoberfläche mit Abrieb. Dieses führt neben den oben erwähnten Qualitätseinbußen zudem zu einer deutlich verringerten Tuchlebensdauer aufgrund von Auskristallisations- und Verglasungseffekten.In addition, an inhomogeneous polishing agent distribution has a negative impact on the wetting of the fabric, ie the accumulation of the cloth surface with abrasion. This results in addition to the above-mentioned quality losses also to a significantly reduced cloth life due to crystallization and glazing effects.

Eine bessere Verteilung des Poliermittels kann durch eine geeignete Struktur in der Tuchoberfläche, z.B. Kanäle (Grooves), unterstützt werden.A better distribution of the polishing agent can be achieved by a suitable structure in the cloth surface, e.g. Channels (Grooves), are supported.

Die DE 100 04 578 C1 offenbart ein Poliertuch aus homogenem, porösem Polymerschaum für einen DSP-Prozess, bei dem das am oberen Polierteller haftende Poliertuch mit einem Netzwerk an Kanälen durchsetzt ist und das am unteren Polierteller haftende Poliertuch eine glatte Oberfläche ohne eine derartige Textur aufweist. Diese Maßnahme soll einerseits während der Politur eine homogene Verteilung des eingesetzten Poliermittels gewährleisten und andererseits beim Anheben des oberen Poliertellers nach beendeter Politur ein Anhaften der Halbleiterscheibe am oberen Poliertuch vermeiden.The DE 100 04 578 C1 discloses a polishing pad made of homogeneous, porous polymer foam for a DSP process in which the polishing cloth adhering to the upper polishing plate is interspersed with a network of channels and the polishing cloth adhering to the lower polishing plate has a smooth surface without such a texture. This measure should, on the one hand, ensure a homogeneous distribution of the polishing agent used during the polishing and, on the other hand, prevent the semiconductor wafer from adhering to the upper polishing cloth when the upper polishing plate is raised after the polish has ended.

Geschäumte Poliertücher mit einer Oberflächenstruktur wirken sich nachteilig auf die Nanotopologie aus, da sich die Strukturen der Tuchoberfläche auf der polierten Scheibenoberfläche zum Teil abbilden. Foamed polishing cloths with a surface structure have a disadvantageous effect on the nanotopology, since the structures of the cloth surface partially reproduce on the polished disk surface.

Die amerikanische Patentanmeldung US 2008/0146129 A1 offenbart ein geschäumtes Poliertuch mit kleinen Poren im Tuch, das durch eine Vielzahl von Bohrungen die verbesserte Aufnahme von Poliermittel ermöglichen soll. Nachteilig bei dem Poliertuch gemäß der amerikanischen Patentanmeldung US 2008/0146129 A1 ist, dass die relativ großen Bohrungen, die eine ausreichende Benetzung der Tuchoberfläche gewährleisten sollen, an ihren Austrittsöffnungen an der Tuchoberfläche zu einer strukturellen Abbildung auf der polierten Scheibenoberfläche führen (ähnlich wie bei Poliermittelkanälen an der Tuchoberfläche (Grooves).The American patent application US 2008/0146129 A1 discloses a foamed polishing cloth with small pores in the cloth, which should allow through a variety of holes for improved uptake of polishing agent. A disadvantage of the polishing cloth according to the American patent application US 2008/0146129 A1 is that the relatively large holes, which are to ensure sufficient wetting of the cloth surface, at their outlet openings on the cloth surface to a structural image on the polished disc surface (similar to polishing agent channels on the cloth surface (grooves).

Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, ein besseres Verfahren zur Politur von Halbleiterscheiben mit geschäumten Poliertüchern bereitzustellen, das eine dosierbare Poliermittelbeaufschlagung mit einer optimierten Benetzung der Poliertuchoberfläche und damit eine optimale Poliermittelverteilung am Point Of Use gewährleistet.The object of the invention was to provide a better process for the polishing of semiconductor wafers with foamed polishing cloths, which ensures a metered polishing agent application with an optimized wetting of the polishing cloth surface and thus an optimum polishing agent distribution at the point of use.

Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zum Polieren mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial mit einem geschäumten Poliertuch 1 der Dicke D, das eine zur Scheibe weisende Vorderseite und eine zum Polierteller 4 weisende Rückseite hat, der Polierteller 4 Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel auf der Seite hat, die mit dem Poliertuch 1 belegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Poliertuch 1 eine poröse Struktur mit einer Vielzahl von Poren 2 hat, die Poren 2 durch Mikrolöcher 6 teilweise miteinander verbunden sind, die Mikrolöcher 6 die Vorderseite aber nicht die Rückseite durchstoßen und das Poliertuch 1 auf der Rückseite in das Tuch reichende, die Tuchvorderseite nicht durchstoßende Sacklöcher 7 hat, deren Position mit den Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel korrespondieren und das das Poliermittel durch das Poliertuch 1 hindurchtritt. The object of the invention is achieved by a method for polishing at least one slice of semiconductor material with a foamed polishing cloth 1 the thickness D, the one facing the disc front and one to the polishing plate 4 has pointing back, the polishing plate 4 outlet openings 3a for the polish on the side that has with the polishing cloth 1 is occupied, characterized in that the polishing cloth 1 a porous structure with a multitude of pores 2 has, the pores 2 through microholes 6 partially interconnected, the microholes 6 the front but not the back pierced and the polishing cloth 1 on the back in the cloth reaching, the cloth front side not piercing blind holes 7 has, whose position with the outlet openings 3a for the polishing agent and that the polishing agent through the polishing cloth 1 passes.

Im Folgenden wird das zur Lösung der Aufgabe verwendete erfindungsgemäße Verfahren detailliert beschrieben. Die genannten Ausführungsformen dienen der Erläuterung, ohne den Umfang des Verfahrens auf diese Ausführungsformen zu beschränken. In the following, the method according to the invention used to achieve the object will be described in detail. The above embodiments are illustrative, without limiting the scope of the method to these embodiments.

1a zeigt ein geschäumtes Poliertuch 1 gemäß dem Stand der Technik mit Poren 2 und einer Bohrung 3b für die Poliermitteldurchleitung zur Oberfläche des Poliertuches. Das Poliertuch 1 ist mit einer drucksensitiven Klebeschicht 5 an einem Polierteller 4 fixiert, durch den eine Poliermittelzuführung 3a bis zur Bohrung 3b führt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde auf eine korrekte technische Zeichnung in Form einer Seitenansicht verzichtet und die Bohrungen 6 und Poren 2 ohne hintere Grenzflächen dargestellt. 1a shows a foamed polishing cloth 1 according to the prior art with pores 2 and a hole 3b for the polishing agent passage to the surface of the polishing cloth. The polishing cloth 1 is with a pressure-sensitive adhesive layer 5 on a polishing plate 4 fixed by a polishing agent supply 3a to the hole 3b leads. For the sake of clarity, a correct technical drawing in the form of a side view was omitted and the holes 6 and pores 2 shown without rear interfaces.

1b zeigt ein im erfindungsgemäßen Verfahren eingesetztes geschäumtes Poliertuch 1 mit Mikrolöchern 6 und Sacklöchern 7, die sich auf der Rückseite des Poliertuches 1 befinden. Das Poliertuch 1 ist mit einer drucksensitiven Klebeschicht 5 an einem Polierteller 4 fixiert, durch den mehrere Poliermittelzuführungen mit jeweils einer Austrittsöffnung 3a für das Poliermittel bis zu den Sacklöchern 7 führen. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde auf eine korrekte technische Zeichnung in Form einer Seitenansicht verzichtet und die Bohrungen 6 und Poren 2 ohne hintere Grenzflächen dargestellt. 1b shows a foamed polishing cloth used in the method according to the invention 1 with microholes 6 and blind holes 7 , located on the back of the polishing cloth 1 are located. The polishing cloth 1 is with a pressure-sensitive adhesive layer 5 on a polishing plate 4 fixed by the multiple polishing agent supply, each with an outlet opening 3a for the polishing agent up to the blind holes 7 to lead. For the sake of clarity, a correct technical drawing in the form of a side view was omitted and the holes 6 and pores 2 shown without rear interfaces.

Die Erfindung bezieht sich auf die Politur mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial (Wafer, Halbleiterscheibe), wobei Halbleitermaterialien Verbindungshalbleiter wie beispielsweise Gallium-Arsenid oder Elementhalbleiter wie hauptsächlich Silicium und gelegentlich Germanium oder auch Schichtstrukturen wie beispielsweise Silicium-Germanium (SiGe) oder Siliciumcarbid (SiC)oder Galliumnitrid (GaN) sind.The invention relates to the polishing of at least one slice of semiconductor material (wafer, semiconductor wafer), wherein semiconductor materials are compound semiconductors such as gallium arsenide or elemental semiconductors such as mainly silicon and occasionally germanium or even layer structures such as silicon germanium (SiGe) or silicon carbide (SiC). or gallium nitride (GaN).

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Politur mindestens einer Halbleiterscheibe mit Poliertüchern aus einem geschäumten Polymer eignet sich für alle Scheibendurchmesser und sowohl für die Einseitenpolitur (SSP) als auch für die gleichzeitig beidseitige Politur (Doppelseitenpolitur, DSP).The inventive method for polishing at least one semiconductor wafer with polishing cloths made of a foamed polymer is suitable for all wheel diameters and both for the one-side polishing (SSP) and for the simultaneous double-sided polishing (double-side polishing, DSP).

Bevorzugt eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren für die gleichzeitig beidseitige Politur mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial und wird daher, ohne den Umfang der Erfindung zu beschränken, am Beispiel einer Doppelseitenpolitur beschrieben.The method according to the invention is preferably suitable for the simultaneous double-sided polishing of at least one slice of semiconductor material and is therefore described, without limiting the scope of the invention, using the example of a double-side polishing.

Weitere Polierschritte oder andere Prozesse zur Bearbeitung der Oberflächen der mindestens einen Scheibe aus Halbleitermaterial können dem erfindungsgemäße Verfahren vorangegangen sein oder sich an dieses anschließen.Further polishing steps or other processes for processing the surfaces of the at least one slice of semiconductor material may be preceded or followed by the method according to the invention.

Für das erfindungsgemäße Verfahren werden der obere und der untere Polierteller 4 einer Doppelseitenpoliermaschine mit geschäumten Poliertüchern 1 (foamed pads) belegt, die eine poröse Struktur, die Tuchoberfläche durchstoßende Mikrolöcher 6 und auf der Rückseite Sacklöcher 7 aufweisen, die die Tuchoberfläche nicht durchstoßen (1b).For the method according to the invention, the upper and lower polishing plates 4 a double-side polishing machine with foamed polishing cloths 1 (foamed pads), which occupy a porous structure, the cloth surface piercing microholes 6 and on the back blind holes 7 that do not pierce the cloth surface ( 1b ).

Die geschäumten Poliertücher 1 bestehen bevorzugt aus einem thermoplastischen oder hitze-härtbaren Polymer, beispielsweise Polyurethan, Polycarbonat, Polyamid, Polyacrylat oder Polyester.The foamed polishing cloths 1 are preferably made of a thermoplastic or heat-curable polymer, for example polyurethane, polycarbonate, polyamide, polyacrylate or polyester.

Sie haben eine Vorderseite, die mit der zu polierenden Oberfläche der Scheibe aus Halbleitermaterial in Kontakt kommt und eine Rückseite, die über eine drucksensitive Klebeschicht (PSA) 5 mit dem Polierteller 4 verbunden ist. They have a front surface which comes into contact with the surface of the wafer of semiconductor material to be polished and a backside which comes into contact via a pressure-sensitive adhesive layer (PSA). 5 with the polishing plate 4 connected is.

Das im erfindungsgemäßen Verfahren verwendete geschäumte Poliertuch 1 hat eine poröse Struktur, die durch eine Vielzahl von Poren 2, die untereinander verbunden sein können, definiert ist.The foamed polishing cloth used in the method according to the invention 1 has a porous structure that passes through a variety of pores 2 that can be interconnected.

Die Porengröße beträgt bevorzugt 0,1 mm bis 2,5 mm, besonders bevorzugt 1 mm bis 2 mm. Die bevorzugte Porengröße kann bei der Herstellung des Tuches durch geeignete Verfahren und oder Zusätze eingestellt werden.The pore size is preferably 0.1 mm to 2.5 mm, particularly preferably 1 mm to 2 mm. The preferred pore size can be adjusted in the manufacture of the wipe by suitable methods and or additives.

In das Poliertuch werden von der Vorderseite Mikrolöcher 6, beispielsweise mittels eines Lasers oder einer Nagelwalze, eingebracht. Entsprechende Verfahren sind beispielsweise in US 2008/0146129 A1 genannt.In the polishing cloth microholes are from the front 6 , For example, by means of a laser or a nail roller introduced. Corresponding methods are for example in US 2008/0146129 A1 called.

Die Mikrolöcher 6 haben bevorzugt einen Durchmesser von 0,1 mm bis 2 mm, besonders bevorzugt von 0,5 mm bis 1 mm. Bei diesem Durchmesser der Mikrolöcher kommt es nicht strukturellen Abbildungen der Tuchoberfläche auf der polierten Scheibenoberfläche.The microholes 6 preferably have a diameter of 0.1 mm to 2 mm, more preferably from 0.5 mm to 1 mm. At this diameter of the microholes, there are not structural images of the cloth surface on the polished disk surface.

Die Tiefe der Mikrolöcher 6 kann unterschiedlich sein, wobei die Mikrolöcher 6 von der Tuchoberfläche bis maximal bis in die rückseitigen Sacklöcher 7 reichen und die Tuchrückseite nicht durchstoßen (1b). The depth of the microholes 6 may be different, with the microholes 6 from the surface of the cloth to a maximum of the back blind holes 7 and do not pierce the cloth back ( 1b ).

Die Anzahl und Verteilung der Mikrolöcher 6 in der Tuchoberfläche ist prinzipiell nicht beschränkt aber letztendlich abhängig von dem Durchmesser der Mikrolöcher. Die Verteilung der Mikrolöcher 6 in der Tuchoberfläche kann gleichverteilt oder in Bezug auf eine Flächeneinheit unterschiedlich sein. Beispielsweise kann die Anzahl der Mikrolöcher 6 in der Tuchmitte höher sein als am Tuchrand. Der Durchmesser der Mikrolöcher 6 im Tuch 1 kann gleich oder unterschiedlich sein.The number and distribution of microholes 6 in the cloth surface is not limited in principle but ultimately depending on the diameter of the microholes. The distribution of microholes 6 in the cloth surface may be equally distributed or different with respect to a unit area. For example, the number of microholes 6 be higher in the middle of the cloth than at the edge of the cloth. The diameter the microholes 6 in the towel 1 can be the same or different.

Die Mikrolöcher 6 können senkrecht zur Tuchoberfläche und oder schräg zur Tuchoberfläche in das Poliertuch hineinragen. Mikrolöcher 6, die in einem Winkel α schräg zur Tuchoberfläche in das Poliertuch 1 hineinragen weisen eine maximale Tiefe auf, so dass ein seitliches Austreten eines Mikroloches 6 aus dem Poliertuch 1 vermieden wird. The microholes 6 can protrude perpendicular to the fabric surface and or obliquely to the fabric surface in the polishing cloth. microholes 6 at an angle α oblique to the cloth surface in the polishing cloth 1 protrude have a maximum depth, so that a lateral emergence of a micro-hole 6 from the polishing cloth 1 is avoided.

Die geschäumten Poliertücher 1 besitzen an ihrer Rückseite an den Poliermitteldurchlässen 3a des Poliertellers 4 Sacklöcher 7. Diese reichen von der zum Polierteller 4 weisenden Rückseite in das Poliertuch 1 hinein, ohne es bis zu seiner Oberfläche zu durchdringen.The foamed polishing cloths 1 own at their back at the polish ports 3a of the polishing plate 4 blind holes 7 , These range from the to the polishing plate 4 pointing back into the polishing cloth 1 into it without penetrating it to its surface.

Ein Sackloch 7 im Sinne dieser Erfindung ist eine in der Regel runde, aber auch in einer beliebigen anderen Form ausgebildete Aushöhlung in der Poliertuchrückseite. Sacklöcher 7 können beispielsweise durch Laser oder durch mechanisches Herausschneiden in die Tuchrückseite eingebracht werden. Im Bereich eines Sackloches ist die drucksensitive Klebeschicht (PSA) 5 offen, wobei die Öffnung bevorzugt in Form und Größe der Form und Fläche des Sackloches in der Rückseite des Poliertuches entspricht. A blind hole 7 For the purposes of this invention is a generally round, but also formed in any other form cavity in the polishing cloth back. blind holes 7 can be introduced, for example, by laser or by mechanical cutting in the cloth back. In the area of a blind hole is the pressure-sensitive adhesive layer (PSA) 5 open, wherein the opening preferably corresponds in shape and size of the shape and area of the blind hole in the back of the polishing cloth.

Die Anzahl und die Positionen der Sacklöcher 7 in der Tuchrückseite werden so gewählt, dass ein Sackloch 7 über einer Austrittsöffnung 3a für das Poliermittel des Poliertellers 4 liegt.The number and positions of the blind holes 7 in the cloth back are chosen so that a blind hole 7 over an exit opening 3a for the polishing agent of the polishing plate 4 lies.

Durch die Austrittsöffnung 3a wird Poliermittel aus einer Poliermittelzuführung in das Sackloch 7 gefördert.Through the outlet 3a Polishing agent from a polishing agent supply in the blind hole 7 promoted.

Ein Polierteller 4 im erfindungsgemäßen Verfahren hat mindestens eine Austrittsöffnung 3a für das Poliermittel in der Auflagefläche für das Poliertuch 1. Besonders bevorzugt weist der Polierteller mindestens 50 Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel, ganz besonders bevorzugt mindestens 80 Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel auf. A polishing plate 4 in the method according to the invention has at least one outlet opening 3a for the polishing agent in the surface for the polishing cloth 1 , Particularly preferably, the polishing plate at least 50 outlet openings 3a for the polishing agent, most preferably at least 80 outlet openings 3a for the polish on.

Die flächenbezogene Verteilung der Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel kann gleichverteilt oder in Bezug auf eine Flächeneinheit unterschiedlich sein. Die aus den Austrittsöffnungen 3a pro Zeit- und Flächeneinheit austretenden Mengen an Poliermittel können gleich oder unterschiedlich sein. Sowohl durch die flächenbezogene Verteilung der Austrittsöffnungen 3a als auch die durch den Polierteller pro Zeit- und Flächeneinheit geförderten Mengen an Poliermittel kann der Poliermitteleintrag in das Poliertuch 1 und damit die aus der Poliertuchoberfläche austretende Poliermittelmenge gezielt beeinflusst werden. The area-related distribution of the outlet openings 3a for the polishing agent may be equally distributed or different with respect to a surface unit. The out of the outlet openings 3a amounts of polishing agent exiting per unit time and area may be the same or different. Both by the area-related distribution of the outlet openings 3a as well as the quantities of polishing agent conveyed through the polishing plate per unit of time and area can be the polishing agent entry into the polishing cloth 1 and thus the amount of polish emerging from the surface of the polishing cloth is purposefully influenced.

Poliermaschinen bei denen das erfindungsgemäße Verfahren zum Einsatz kommt, weisen bevorzugt Polierteller mit Durchmessern in einem Bereich von 1000 mm bis 2500 mm auf, besonders bevorzugt 1500 mm bis 2000 mmm. Polishing machines in which the inventive method is used, preferably have polishing plate with diameters in a range of 1000 mm to 2500 mm, more preferably 1500 mm to 2000 mmm.

Durch die Verbindung der Mikrolöcher 6 mit den Poren und oder Sacklöchern 7 wird ein Austrocknen der Mikrolöcher 6 und damit ein erhöhtes Risiko von Antrocknungen bzw. Auskristallisation von Poliermittel an den Rändern der Mikrolöcher auf der Tuchvorderseite und damit ein erhöhtes Risiko von Partikelgenerierung, welche sich dann letztendlich wiederum in einem erhöhten Auftreten von dadurch induzierten Polierkratzern auf der Si-Oberfläche auswirken kann, vermieden. By connecting the microholes 6 with the pores and or blind holes 7 will dry out the microholes 6 and thus an increased risk of drying or crystallization of polishing agent at the edges of the microholes on the front of the cloth and thus an increased risk of particle generation, which in turn can then ultimately in an increased occurrence of thereby induced polishing scratches on the Si surface, avoided ,

Der maximale Durchmesser eines Sackloches 7 wird durch die Anzahl der Sacklöcher 7 in der Tuchrückseite begrenzt, da eine ausreichende Fläche für ein sicheres Haften des Poliertuches 1 am Polierteller 4 notwendig ist. The maximum diameter of a blind hole 7 is determined by the number of blind holes 7 limited in the cloth back, as a sufficient surface for a secure adherence of the polishing cloth 1 on the polishing plate 4 necessary is.

Bevorzugt entspricht die Größe bzw. der Durchmesser eines Sackloches 7 der Größe der korrespondierenden Austrittsöffnung 3a für das Poliermittel im Polierteller 4 (1b).Preferably, the size or the diameter of a blind hole corresponds 7 the size of the corresponding outlet opening 3a for the polish in the polishing plate 4 ( 1b ).

Bevorzugt haben die Poliermitteldurchlässe im Polierteller 4 und die korrespondierenden Austrittsöffnungen 3a einen Durchmesser im Bereich von 5 mm bis 30 mm, besonders bevorzugt 10 mm bis 20 mm.Preferably, the polishing agent passages in the polishing plate 4 and the corresponding exit openings 3a a diameter in the range of 5 mm to 30 mm, more preferably 10 mm to 20 mm.

Ebenfalls bevorzugt ist die Größe bzw. der Durchmesser eines Sackloches 7 größer als die Austrittsöffnung 3a für das Poliermittel. Bei dieser Ausführungsform muss ein ständiger Kontakt des Poliermittels mit der metallischen Oberfläche des Poliertellers 4 vermieden werden, um eine Kontamination der zu polierenden mindestens einen Scheibe aus Halbleitermaterial mit Metallen zu vermeiden.Also preferred is the size or the diameter of a blind hole 7 larger than the exit opening 3a for the polish. In this embodiment, a continuous contact of the polishing agent with the metallic surface of the polishing plate 4 be avoided in order to avoid contamination of the polishing at least one disc of semiconductor material with metals.

Ein Kontakt zwischen Poliermittel und der Oberfläche des Poliertellers 4 wird bevorzugt dadurch vermieden, dass auf den jeweiligen Teilflächen der Poliertelleroberfläche, in denen sich die Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel befinden, eine Abklebung mit einer für das Poliermittel undurchlässigen Dünnschichtfolie erfolgt. Die Dünnschichtfolie ist nur an den Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel unterbrochen.A contact between the polishing agent and the surface of the polishing plate 4 is preferably avoided by the fact that on the respective partial surfaces of the polishing plate surface in which the outlet openings 3a for the polishing agent, a bonding with a polisher impermeable thin-layer film takes place. The thin film is only at the outlet openings 3a interrupted for the polishing agent.

Besonders bevorzugt ist die komplette metallische Poliertelleroberfläche mit einer für das Poliermittel undurchlässigen und resistenten Beschichtung – die als Schutzschicht dient – überzogen. Die Beschichtung ist nur an den Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel unterbrochen.Particularly preferably, the complete metallic polishing plate surface is coated with a coating impermeable to the polishing agent and resistant - which serves as a protective layer. The coating is only at the outlet openings 3a interrupted for the polishing agent.

Als Material für die Dünnschichtfolien bzw. für die Beschichtung eignet sich beispielsweise Polyurethan, wie es auch für die Beschichtung von Läuferscheiben verwendet wird. For example, polyurethane is suitable as the material for the thin-film films or for the coating, as is also used for the coating of carrier disks.

Die Sacklöcher 7 dienen, neben dem Poliertuch 1 selber, als zusätzliches Poliermittelreservoir. Dieses Poliermittelreservoir gewährleistet eine gleichmäßige Versorgung des Poliertuches 1 und damit der Tuchoberfläche mit Poliermittel.The blind holes 7 serve, next to the polishing cloth 1 itself, as an additional polish reservoir. This polishing agent reservoir ensures a uniform supply of the polishing cloth 1 and thus the cloth surface with polish.

Das Volumen eines Sackloches 7 ergibt sich aus der jeweiligen Form, der jeweiligen Tiefe und dem Durchmesser bzw. der Größe der jeweiligen Öffnung in der Tuchrückseite. The volume of a blind hole 7 results from the respective shape, the respective depth and the diameter or the size of the respective opening in the cloth back.

Bezüglich der Form der Sacklöcher 7 gibt es keine Beschränkungen. Ein Sackloch 7 kann beispielsweise lochförmig ausgebildet sein, d.h. die Form und Größe der Öffnung setzen sich im Tuch fort. Ein Sackloch 7 kann aber beispielsweise im Tuch auch eine größere räumliche Ausdehnung und andere Form haben, z.B. durch eine grobporige, miteinander verbundene Porenstruktur, als es der Größe der eigentlichen Öffnung in der Rückseite des Poliertuches 1 entspricht. Darüber hinaus kann ein Sackloch 7 beispielsweise auch pyramidenförmig oder einer anderen geometrischen Form ausgebildet sein.Regarding the shape of the blind holes 7 there are no restrictions. A blind hole 7 may for example be formed hole-shaped, ie the shape and size of the opening continue in the cloth. A blind hole 7 However, for example, in the cloth may also have a greater spatial extent and other shape, for example by a coarsely porous, interconnected pore structure, as it is the size of the actual opening in the back of the polishing cloth 1 equivalent. In addition, a blind hole 7 For example, be formed pyramidal or another geometric shape.

Die Tiefe eines Sackloches 7 ist durch die Tuchdicke D beschränkt, da das Sackloch 7 nicht die Poliertuchoberfläche durchstößt. The depth of a blind hole 7 is limited by the cloth thickness D, since the blind hole 7 do not pierce the polishing cloth surface.

Bei einem Poliertuch 1 mit einer Gesamtdicke D beträgt die Tiefe der Sacklöcher vorzugsweise 15% bis 75%, besonders bevorzugt 25% bis 50% der Tuchdicke D.With a polishing cloth 1 with a total thickness D, the depth of the blind holes is preferably 15% to 75%, more preferably 25% to 50% of the thickness D.

Durch die Reservoirwirkung des Poliertuches 1 im erfindungsgemäßen Verfahren kann die Zufuhr an Poliermittel durch das Tuch sowohl kontinuierlich als auch diskontinuierlich erfolgen.Due to the reservoir effect of the polishing cloth 1 In the method according to the invention, the supply of polishing agent through the cloth can take place both continuously and discontinuously.

Durch die gezielte Variation eines oder mehrerer Aspekte des Poliertuches 1 (Größe der Sacklöcher 7, deren Anzahl, deren Position, dem Durchmesser der Mikrolöcher 6, Größe der Poren 2), kann gezielt eine lokal unterschiedliche Poliermittelverteilung im Tuch realisiert werden. So können beispielsweise in der Mitte des Poliertuches mehr Mikrolöcher 6 und volumenmäßig größere Sacklöcher 7 eine höhere Poliermittelmenge im Zentrum des Point of Use bewirken, wohingegen im Randbereich des Tuches 1 weniger Mikrolöcher 6 und volumenmäßig kleinere Sacklöcher eine geringere Poliermittelmenge am Point of Use bewirken.By the targeted variation of one or more aspects of the polishing cloth 1 (Size of blind holes 7 , their number, their position, the diameter of the microholes 6 , Size of the pores 2 ), a locally different polish distribution in the cloth can be realized specifically. For example, in the middle of the polishing cloth more micro holes 6 and in volume larger blind holes 7 cause a higher amount of polish in the center of the point of use, whereas in the edge area of the cloth 1 less microholes 6 and volume smaller blind holes cause a lower amount of polish at the point of use.

Die Steuerung der Poliermittelmenge am Point of Use kann zusätzlich durch pro Zeit- und Flächeneinheit unterschiedliche Mengen an durch den Polierteller geförderten Poliermittelmengen erfolgen.The control of the amount of polish at the point of use can also be done by per time and area unit different amounts of promoted by the polishing plate amounts of polishing agent.

Da die Mikrolöcher 6 sowohl die Tuchoberfläche als auch einen Teil des Tuches durchstoßen, bilden sie Verbindungen zwischen den sich im Tuch befindlichen Poren 2 und den Sacklöchern 7 auf der Rückseite, durch die das Poliermittel von den Sacklöchern bis zur Tuchoberfläche transportiert wird. Der Transportvorgang wird zusätzlich durch das Walken der Poliertücher während des Polierprozesses gefördert, da auf die Tuchoberfläche immer nur partiell und für einen kurzen Zeitraum Druck durch den Kontakt mit der Waferoberfläche ausgeübt wird.Because the microholes 6 piercing both the cloth surface and a part of the cloth, they form connections between the pores in the cloth 2 and the blind holes 7 on the back, through which the polish is transported from the blind holes to the cloth surface. The transport process is additionally promoted by the polishing of the polishing cloths during the polishing process, since pressure is always exerted on the cloth surface only partially and for a short period by contact with the wafer surface.

Der Transportvorgang wird ebenfalls durch die Saugwirkung des Tuches und durch das aus den Austrittsöffnungen 3a nachfließende Poliermittel unterstützt.The transport process is also due to the suction of the cloth and through the outlets 3a Subsequent polishing aids supported.

Im erfindungsgemäßen Verfahren weist das Poliertuch eine glatte Oberfläche auf, die, abgesehen von einer mikroporösen Struktur und den Mikrolöchern, keine anderen Oberflächenstrukturen besitzt. Poliertücher mit einer glatten Oberfläche sind vorteilhaft hinsichtlich einer guten Nanotopologie der polierten Halbleiterscheiben, neigen aber zum Anhaften der polierten Scheibe.In the method according to the invention, the polishing cloth has a smooth surface which, apart from a microporous structure and the microholes, has no other surface structures. Polishing cloths with a smooth surface are advantageous in terms of good nanotopology of the polished semiconductor wafers, but tend to adhere to the polished wafer.

Zum Ablösen der polierten Scheibe von den glatten Poliertuchoberflächen ist die Durchleitung, insbesondere von gereinigter Luft oder sonstigen geeigneten hochreinen gasförmigen Stoffen wie beispielsweise Stickstoff, durch das Poliertuch bevorzugt. Ebenfalls bevorzugt ist die Durchleitung von flüssigen Medien, beispielsweise Wasser in einer für die Halbleiterherstellung geeigneten Reinheit (DIW) durch das Poliertuch 1.To detach the polished disc from the smooth polishing cloth surfaces, the passage, in particular of purified air or other suitable high-purity gaseous substances such as nitrogen, through the polishing cloth is preferred. Likewise preferred is the passage of liquid media, for example water, in a purity (DIW) suitable for semiconductor production through the polishing cloth 1 ,

Für die Durchleitung eines gasförmigen oder flüssigen Mediums wird die Durchlässigkeit der porösen Struktur des Poliertuches 1 genutzt, um durch einen entsprechenden Druck anhaftende Scheibe aus Halbleitermaterial von der Poliertuchoberfläche zu lösen.For the passage of a gaseous or liquid medium, the permeability of the porous structure of the polishing cloth 1 used to solve by a corresponding pressure-adherent disc of semiconductor material from the polishing cloth surface.

Erfindungswesentlich für die gleichzeitig beidseitige Politur mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial ist die beidseitige Poliermittelzuführung durch beide Polierteller, d.h. sowohl der obere als auch der untere Polierteller besitzen Bohrungen, durch die das Poliermittel zugeführt wird. Essential to the invention for the simultaneous double-sided polishing of at least one slice of semiconductor material is the two-sided polishing agent feed through both polishing plates, i. both the upper and lower polishing plates have holes through which the polishing agent is supplied.

Die beidseitige Poliermittelzuführung durch die Polierteller ist notwendig, da im erfindungsgemäßen Verfahren weniger Poliermittel, welches durch die porösen Tücher durchgeleitet wird, auf der Oberfläche der Poliertücher zur Verfügung steht als in einem Doppelseitenpolierverfahren gemäß dem Stand der Technik, bei dem Poliermittel im Überschuss und ungleichmäßig auf den Poliertuchoberflächen verteilt wird. Durch das Durchleiten des Poliermittels durch die poröse Struktur des Poliertuches ist eine homogene Poliermittelverteilung auf den Tuchoberflächen sichergestellt. Darüber hinaus entfällt bei der gleichzeitig beidseitigen Politur im erfindungsgemäßen Verfahren die Notwendigkeit, Läuferscheiben mit Poliermitteldurchlässen einzusetzen. Dadurch erhöht sich die Stabilität der Läuferscheiben, was wiederum den Einsatz dünnerer Läuferscheiben ermöglicht.The two-sided polishing agent supply through the polishing plates is necessary because in the method according to the invention less polishing agent, which is passed through the porous cloths, on the surface of the polishing cloths available as in a double-side polishing method according to the prior art, in the polishing agent in excess and is distributed unevenly on the polishing cloth surfaces. By passing the polishing agent through the porous structure of the polishing cloth a homogeneous polishing agent distribution is ensured on the cloth surfaces. Moreover, in the case of simultaneous two-sided polishing in the method according to the invention, there is no need to use carriers with polishing agent passages. This increases the stability of the carriers, which in turn allows the use of thinner carriers.

Bei der gleichzeitig beidseitigen Politur mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sind die Struktur und die Oberfläche des Poliertuches hinsichtlich der Mikrolöcher 6 bei dem oberen und bei dem unteren Poliertuch bevorzugt gleich, wodurch ein gleichmäßigerer Polierabtrag auf der Vorderseite und der Rückseite der Scheibe erzielt wird, als bei Verwendung eines glatten (unten) und eines strukturierten (oben) Poliertuches gemäß dem Stand der Technik.In the simultaneous double-sided polishing of at least one slice of semiconductor material with the method according to the invention, the structure and the surface of the polishing cloth are with regard to the microholes 6 is preferably the same for the upper and lower polishing cloths, thereby providing a more uniform polishing removal on the front and back of the disk than when using a smooth (bottom) and textured (top) polishing cloth of the prior art.

Sowohl für einen einseitigen als auch für einen beidseitigen Polierprozess ist das erfindungsgemäße Verfahren mit einer Zuführung des Poliermittels durch das Poliertuch geeignet. Both for a one-sided and for a two-sided polishing process, the method according to the invention is suitable with a supply of the polishing agent through the polishing cloth.

Die einseitige oder beidseitige Poliermittelzuführung durch den oberen bzw. oberen und unteren Polierteller erfolgt bevorzugt so, dass die Anzahl der Sacklöcher 7 eine maximale Ausnutzung aller verfügbaren Poliermittelzuführungen ermöglicht. Dadurch werden die Poliertuchoberflächen homogen mit Poliermittel benetzt. Gleichzeitig werden Abströmungen an den Poliertuchoberflächen, die bei einem Überschuss an Poliermittel auftreten können, vermieden.The one-sided or two-sided polishing agent supply through the upper or upper and lower polishing plate is preferably carried out so that the number of blind holes 7 allows maximum utilization of all available polishing agent feeds. As a result, the polishing cloth surfaces are homogeneously wetted with polishing agent. At the same time, effluents on the polishing cloth surfaces, which can occur with an excess of polishing agent, are avoided.

Das Poliermittel tritt an der Tuchoberfläche aus den Poren 2 und den Mikrolöchern 6 relativ homogen aus, so dass keine Strömungen auf den Tuchoberflächen generiert werden und für die Poliermittelverteilung kein Poliermittelfluss an den Poliertuchoberflächen notwendig ist. The polishing agent exits the pores on the cloth surface 2 and the microholes 6 relatively homogeneous, so that no flows are generated on the cloth surfaces and for the polishing agent distribution no polishing agent flow to the polishing cloth surfaces is necessary.

Dadurch entfällt auch die Notwendigkeit, in die Poliertuchoberflächen (Mikro-)Kanäle, sogenannte Grooves, einzubringen um dort einen besseren Poliermittelfluss zu ermöglichen. This eliminates the need to introduce in the polishing cloth surfaces (micro) channels, so-called grooves, there to allow a better polishing flux.

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Claims (6)

Verfahren zum Polieren mindestens einer Scheibe aus Halbleitermaterial mit einem geschäumten Poliertuch 1 der Dicke D, das eine zur Scheibe weisende Vorderseite und eine zum Polierteller 4 weisende Rückseite hat, der Polierteller 4 Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel auf der Seite hat, die mit dem Poliertuch 1 belegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Poliertuch 1 eine poröse Struktur mit einer Vielzahl von Poren 2 hat, die Poren 2 durch Mikrolöcher 6 teilweise miteinander verbunden sind, die Mikrolöcher 6 die Vorderseite aber nicht die Rückseite durchstoßen und das Poliertuch 1 auf der Rückseite in das Tuch reichende, die Tuchvorderseite nicht durchstoßende Sacklöcher 7 hat, deren Position mit den Austrittsöffnungen 3a für das Poliermittel korrespondieren und dass das Poliermittel durch das Poliertuch 1 hindurchtritt. A method of polishing at least one wafer of semiconductor material with a foamed polishing cloth 1 the thickness D, the one facing the disc front and one to the polishing plate 4 has pointing back, the polishing plate 4 outlet openings 3a for the polish on the side that has with the polishing cloth 1 is occupied, characterized in that the polishing cloth 1 a porous structure with a multitude of pores 2 has, the pores 2 through microholes 6 partially interconnected, the microholes 6 the front but not the back pierced and the polishing cloth 1 on the back in the cloth reaching, the cloth front side not piercing blind holes 7 has, whose position with the outlet openings 3a for the polishing agent correspond and that the polishing agent through the polishing cloth 1 passes. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl, die Lage oder der Durchmesser der Mikrolöcher 6 im Tuch unterschiedlich sein kann.A method according to claim 1, characterized in that the number, the position or the diameter of the microholes 6 may be different in the cloth. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der Vorderseite des Poliertuches 1 austretende Poliermittelmenge bezogen auf eine Flächeneinheit unterschiedlich sein kann.Method according to one of claims 1 or 2, characterized in that on the front of the polishing cloth 1 emanating amount of polish can be different based on a unit area. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrolöcher 6 einen Durchmesser von 0,1 mm bis 1 mm haben.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the microholes 6 have a diameter of 0.1 mm to 1 mm. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Sacklöcher 7 eine Tiefe haben, die nicht größer als 75% der Dicke D des Poliertuches 1 ist. Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the blind holes 7 have a depth no greater than 75% of the thickness D of the polishing cloth 1 is. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Poliermittelzufuhr kontinuierlich oder diskontinuierlich erfolgen kann.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that the polishing agent can be fed continuously or discontinuously.
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