DE102013205093A1 - New substituted tetraheterocyclic compounds useful in optoelectronic or electronic components, preferably e.g. organic light-emitting diodes, organic solar cells, dye-sensitized solar cells, batteries and accumulators, and organic diodes - Google Patents

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Abstract

Substituted tetraheterocyclic compounds (I) are new. Substituted tetraheterocyclic compounds of formula (I) are new. Y1, Y2 : =NCN-, =C(CN) 2-, =C(CF 3)R-, =C(C 6F 5) 2-, =C(heteroaryl) 2-, =C(CF 3) 2-, =C(CN)R- or =C(CN)(CF 3)-; R : H, halo, CN, NO 2, nitroso, sulfamide, carboxy, 1-20C carbo-alkoxy, 1-20C sulfo-alkyl, sulfo-halo-, sulfonic acid, electron deficient (hetero)aromatic group, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidine-formyl, 1-6C alkylsulfanyl, 1-20C alkylsulfonyl or optionally saturated or aromatic 1-20C hydrocarbyl (all optionally substituted by at least one R) or hydrocarbyl moiety of formula (II); Xa-Xe : N or C (substituted by R21); R21 : R; X1-X4, X7-X14 : N or C (substituted by R1-R4 or R7-R14); R1-R4, R7-R14 : H, halo, CN, NO 2, nitroso, sulfamide carboxy, 1-20C carbo-alkoxy, 1-20C sulfo-alkyl, =O, sulfo-halo, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidine-formyl, 1-6C alkylsulfanyl, 1-20C alkylsulfonyl or optionally saturated or aromatic 1-20C hydrocarbyl (all optionally substituted by R1-R4 or R7-R14); X5 : C (substituted by R5 or R6), N or C=Y3 (IIa); X6 : C (substituted by R5 or R6), N or C=Y4 (IIb); R5, R6 : R1-R4 or R7-R14; and Y3, Y4 : Y1, Y2. Provided that when X5 is (IIa) and X6 is (IIb), then groups X11-X14 or groups X5, X6 and X11-X14 are not present in (I). [Image].

Description

Die Erfindung betrifft neue organische chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate sowie deren Herstellung und Verwendung, insbesondere als Dotanden für organische halbleitende Matrixmaterialen. The invention relates to novel organic quinoid N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives and their preparation and use, in particular as dopants for organic semiconducting matrix materials.

In den letzten Jahrzehnten ist bekannt geworden, dass man organische Halbleiter durch Dotierung hinsichtlich ihrer elektrischen Leitfähigkeit stark beeinflussen kann. Solche organischen halbleitenden Matrixmaterialien können entweder aus Verbindungen mit guten Elektronendonator-Eigenschaften oder aus Verbindungen mit guten Elektronenakzeptor-Eigenschaften aufgebaut werden. Zum Dotieren von Elektronendonator-Materialien (HTM) sind neben anorganischen Lewis-Säuren auch starke organische Elektronen-Akzeptoren wie Tetracyanochinondimethan (TCNQ) oder 2,3,5,6-Tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzochinondimethan (F4TCNQ) bekannt geworden [ M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202–3204 (1998) und J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (6), 729–731 (1998) ]. Diese erzeugen durch Elektronentransferprozesse in elektronenreichen Basismaterialien (Löchertransportmaterialien) so genannte Löcher, durch deren Anzahl und Beweglichkeit sich die Leitfähigkeit des Basismaterials mehr oder weniger signifikant verändert. Als Matrixmaterialien mit Löchertransporteigenschaften sind beispielsweise N,N’-perarylierte Benzidine (TPD) oder N,N’,N’’-perarylierte Starburstverbindungen, wie die Substanz TDATA, verbrückte Triarylamine, elektronenreiche Spiroverbindungen, Thiophene (vorzugsweise oligo-Thiophene), Aminothiophene oder aber auch bestimmte Metallphthalocyanine, wie insbesondere Zinkphthalocyanin ZnPc bekannt. In recent decades, it has become known that one can greatly influence organic semiconductors by doping in terms of their electrical conductivity. Such organic semiconductive matrix materials can be constructed from either compounds with good electron donating properties or from compounds having good electron acceptor properties. In addition to inorganic Lewis acids, doping of electron donor materials (HTM) has also been reported to include strong organic electron acceptors such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinone dimethyne (F4TCNQ) [ M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202-3204 (1998) and J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73 (6), 729-731 (1998) ]. These generate so-called holes by electron transfer processes in electron-rich base materials (hole transport materials), whose number and mobility changes the conductivity of the base material more or less significantly. Suitable matrix materials with hole transport properties are, for example, N, N'-perarylated benzidines (TPD) or N, N ', N "perarylated starburst compounds, such as the substance TDATA, bridged triarylamines, electron-rich spiro compounds, thiophenes (preferably oligo-thiophenes), aminothiophenes or but also certain metal phthalocyanines, in particular zinc phthalocyanine ZnPc.

Weiterhin bekannt sind bisher auch chinoide Bisimidazole und deren Derivate, die als Dotanden für organische halbleitende Matrixmaterialen Verwendung finden ( EP 1 990 847 A1 ). Ebenso offenbart das US-Patent US 6,908,783 B1 Dotanden für organische halbleitende Matrixmaterialen, welche auf Chinonen und deren Derivaten sowie auf 1,2,3-Dioxaborinen bzw. deren Derivaten basieren. Weitere, auf spezifischen Chinonen beruhende, Dotanden werden beispielsweise von Gao et al. in Chem. Commun., 2008, 117–119 dargestellt. Also known to date are also quinoid bisimidazoles and their derivatives, which are used as dopants for organic semiconductive matrix materials ( EP 1 990 847 A1 ). Similarly, the US patent US 6,908,783 B1 Dotands for organic semiconducting matrix materials based on quinones and their derivatives as well as on 1,2,3-dioxaborines or their derivatives. Further dopants based on specific quinones are used, for example, by Gao et al. in Chem. Commun., 2008, 117-119 shown.

Die bisher beschriebenen Verbindungen haben jedoch für eine technische Anwendung Nachteile in der Produktion dotierter halbleitender organischer Schichten oder von entsprechenden elektronischen Bauteilen mit derartigen dotierten Schichten, da die Fertigungsprozesse in großtechnischen Produktionsanlagen oder solchen im Technikumsmaßstab nicht immer ausreichend präzise gesteuert werden können. Dies führt zu hohem Steuerungs- und Regelaufwand innerhalb der Prozesse, um eine gewünschte Produktqualität zu erzielen, oder zu unerwünschten Toleranzen der Produkte. Ferner bestehen Nachteile bei der Verwendung bisher bekannter organischer Donatoren bezüglich der elektronischen Bauelementstrukturen wie Leuchtdioden (OLEDs), organische Feldeffekttransistor (OFET) oder Solarzellen selber, da die genannten Produktionsschwierigkeiten bei der Handhabung der Dotanden zu unerwünschten Ungleichmäßigkeiten in den elektronischen Bauteilen oder unerwünschten Alterungseffekten der elektronischen Bauteile führen können. Gleichzeitig ist jedoch zu beachten, dass die zu verwendenden Dotanden extrem hohe Elektronenaffinitäten (Reduktionspotentiale) und andere für den Anwendungsfall geeignete Eigenschaften aufweisen, da beispielsweise die Dotanden unter gegebenen Bedingungen auch die Leitfähigkeit oder andere elektrische Eigenschaften der organisch halbleitenden Schicht mit bestimmen. Normalerweise sind für den Dotiereffekt die energetischen Lagen des HOMO des Matrixmateriales und des LUMO des Dotanden entscheidend, welche sich in den bisher bekannten Verbindungen als verbesserungswürdig erwiesen haben. Außerdem gibt es Dotiereffekte die sich mit dem jetzigen Wissen nicht erklären lassen. Sicherlich haben auch Molekül- und Schichtstrukturen und damit verbundene Entfernungen zwischen den Zentren der Elektronen-Donor- und Akzeptor-Moleküle eine Bedeutung für den elektrischen Dotiereffekt, der sich aber kaum voraussagen lässt. However, the compounds described so far have disadvantages in the production of doped semiconductive organic layers or of corresponding electronic components with such doped layers for a technical application, since the manufacturing processes in large-scale production plants or those on a pilot plant scale can not always be controlled with sufficient precision. This leads to high control and regulation costs within the processes in order to achieve a desired product quality or to undesired tolerances of the products. Furthermore, there are disadvantages in the use of previously known organic donors with respect to the electronic component structures such as light-emitting diodes (OLEDs), organic field effect transistor (OFET) or solar cells themselves, since the mentioned production difficulties in handling the dopants to unwanted irregularities in the electronic components or unwanted aging effects of the electronic Can lead components. At the same time, however, it should be noted that the dopants to be used have extremely high electron affinities (reduction potentials) and other properties suitable for the application, since, for example, the dopants also determine the conductivity or other electrical properties of the organic semiconductive layer under given conditions. Normally, the energetic layers of the HOMO of the matrix material and the LUMO of the dopant are crucial for the doping effect, which have proven to be in the hitherto known compounds in need of improvement. There are also doping effects that can not be explained with the current knowledge. Certainly, molecular and layer structures and the associated distances between the centers of the electron-donor and acceptor molecules are also important for the electrical doping effect, which can hardly be predicted.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung neuer Substanzen, welche als Dotanden für organische halbleitende Matrixmaterialen eingesetzt werden können. Diese sollten im Produktionsprozess leichter handhabbar sein und zu elektronischen Bauteilen führen, deren organische halbleitende Materialien reproduzierbarer herstellbar sind. The object of the present invention was the provision of new substances which can be used as dopants for organic semiconductive matrix materials. These should be easier to handle in the production process and lead to electronic components whose organic semiconducting materials can be produced more reproducibly.

Die Aufgabe wird gelöst durch chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1–8 und durch die Verwendung gemäß den Ansprüchen 9 und 10. Weitere bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen. The object is achieved by quinoid N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1-8 and by the use according to claims 9 and 10. Further preferred embodiments will be apparent from the dependent claims.

In anderen Worten wird die Aufgabe gelöst durch chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate der allgemeinen Formel I,

Figure 00040001
wobei
Y1 und Y2 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander für einen =NCN, =C(CN)2, =C6H4=C(CN)2, =C6F4=C(CN)2, =C5H3N=C(CN)2, =C6F2(CN)2=C(CN)2, =C5H2N2=C(CN)2 =C(CF3)R, =C(CF3)2,=C(C6F5)2, =C(Heteroaryl)2, =C(CN)R oder =C(CN)(CF3)-Rest, wobei die Reste
R ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff, Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, Sulfohalogen-, Sulfonsäure-Gruppe (-SO3H), elektronenarmen Aromaten oder Heteroaromaten, insbesondere halogenierten oder/und cyanierten Aromaten und Heteroaromaten, wie Pentafluorophenyl, Cyanoperfluorophenyl, Dicyanoperfluorophenylen, Perfluorobiphenyl, Perfluoropyridin, Perchloropyridin, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl- und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff, vorzugsweise ein vollständig oder unvollständig halogenierter C2-C20-Alkylrest, besonders bevorzugt ein perfluorierter C2-C20-Alkylrest ist,
oder für eine Gruppe der allgemeinen Formel II stehen,
Figure 00050001
wobei
Xa–Xe gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome Reste Ra–e tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander aus der gleichen Gruppe wie R ausgewählt sind und wobei
X1–X4 und X7–X14 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind,
wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X4 und X7–X14 Reste R1–R4 und R7–R14 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff, Halogen-, vorzugsweise Fluor, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl- und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist
und
wobei
X5 und X6 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind,
wobei die Kohlenstoffatome Reste R5, R6 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14,
oder
X5, X6 jeweils für einen C=Y3-Rest (X5), C=Y4-Rest (X6) stehen, wobei Y3, 4 jeweils unabhängig aus der gleichen Gruppen wie Y1, 2 ausgewählt sind, und in diesem Fall X11–X14 entfallen
oder
X11 entfällt
oder
X5, X6 und X11–X14 entfallen. In other words, the object is achieved by quinoid N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives of general formula I,
Figure 00040001
in which
Y1 and Y2 are the same or different and each independently represent a = NCN, = C (CN) 2, = C 6 H 4 = C (CN) 2, = C6F4 = C (CN) 2, = C5H3N = C (CN ) 2, = C 6 F 2 (CN) 2 = C (CN) 2, = C 5 H 2 N 2 = C (CN) 2 = C (CF 3 ) R, = C (CF 3 ) 2 , = C (C 6 F 5 ) 2 , = C (heteroaryl) 2 , = C (CN) R or = C (CN) (CF 3 ) radical, where the radicals
R are selected from the group of hydrogen, halogen, cyano, nitro, nitroso, sulfamide-carboxy, C 1 -C 20 -carbalkoxy, C 1 -C 20 -alkylsulfo, sulfo-halo, sulfonic acid (-SO 3 H), electron-poor aromatic or heteroaromatic, in particular halogenated and / or cyanated aromatics and heteroaromatics, such as pentafluorophenyl, Cyanoperfluorophenyl, Dicyanoperfluorophenylen, perfluorobiphenyl, perfluoropyridine, perchloropyridine, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, Amidinformyl-, C1-C6-alkylsulfanyl- and C 1 -C 20 -alkylsulfonyl radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the abovementioned radicals and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon, preferably a complete one or C.sub.2-C.sub.20-alkyl radical which is not completely halogenated, particularly preferably a perfluorinated C.sub.2-C.sub.20-alkyl radical,
or represents a group of the general formula II,
Figure 00050001
in which
Xa-Xe are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms carry radicals Ra-e which are the same or different and are each independently selected from the same group as R and wherein
X1-X4 and X7-X14 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom,
wherein the carbon atoms in X1-X4 and X7-X14 carry radicals R1-R4 and R7-R14 which are identical or different and are each independently selected from the group of hydrogen, halogen, preferably fluorine, cyano, nitro, Nitroso, sulfamide carboxy, C1-C20 carbalkoxy, C1-C20 alkyl sulfo, = O, sulfohalo, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidinoformyl, C1-C6 alkylsulfanyl and C1-C20 Alkylsulfonyl radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all of the carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the abovementioned radicals and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon
and
in which
X5 and X6 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom,
wherein the carbon atoms carry radicals R5, R6 which are identical or different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14,
or
X5, X6 are each a C = Y 3 radical (X5), C = Y 4 radical (X 6), where Y 3 , 4 are each independently selected from the same groups as Y 1, 2, and in this case X 11- X14 omitted
or
X11 is omitted
or
X5, X6 and X11-X14 are eliminated.

Derartige chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate der allgemeinen Formel I sind bisher unbekannt. Insbesondere sind auch planare N-heterozyklische Chinonderivate als sehr instabil und kaum synthetisierbar beschrieben. Such quinoid N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives of general formula I are unknown. In particular, planar N-heterocyclic quinone derivatives are described as very unstable and hardly synthesizable.

Überraschenderweise hat es sich gezeigt, dass in den erfindungsgemäßen Verbindungen die Lage des LUMO so niedrig ist, dass weitere technisch interessante HT-Materialen jetzt erst effizient dotiert werden können. Durch die außergewöhnlich niedrige LUMO-Lage und damit verbundenen hohen Reduktionspotential der chinoiden Phenanthrenderivate und der N-heterozyklischer Chinonderivate können auch Leistungseffizienzen von Solarzellen wesentlich verbessert werden. Zusätzlich sind diese Verbindungen auf Grund ihrer Größe und hohen Polarität außergewöhnlich diffussionsstabil in organischen Schichten. Auch die Konzentration an Dotand und damit einhergehende Effizienz-mindernde Eigenabsorption kann deutlich verbessert werden. Surprisingly, it has been shown that in the compounds according to the invention the position of the LUMO is so low that further technically interesting HT materials can now be efficiently doped only now. Due to the exceptionally low LUMO position and the associated high reduction potential of the quinoid phenanthrene derivatives and the N-heterocyclic quinone derivatives, performance efficiencies of solar cells can be significantly improved. Additionally, due to their size and high polarity, these compounds are exceptionally diffusional in organic layers. The concentration of dopant and concomitant efficiency-reducing self-absorption can be significantly improved.

Im Falle von Halogen als Reste R1–R4 und R7–R14 sind insbesondere Fluor und Chlor bevorzugt. Sulfamide als Reste R1–R4 und R7–R14 sind unsubstituiert oder substituiert, vorzugsweise substituiert mit C1-C20 mono- oder di-Alkyl-Gruppen. Sulfohalogen oder Halogencarbonyl als Reste R1–R4 und R7–R14 weisen insbesondere Fluor oder Chlor als Halogen auf. Carbamoyl-Reste sind unsubstituiert oder substituiert, insbesondere N-C1-C6-monoalkylsubstituiert oder gleich oder unabhängig voneinander N-C1-C20-dialkylsubstituiert. C1-C20-Kohlenwasserstoffe sind vorzugsweise C1-C20-Kohlenwasserstoffe, welche unsubstituiert oder substituiert sind, wobei eines oder mehrere oder sämtliche der Kohlenstoffatome der Gruppe mit einem oder mehreren oben genannten Resten weiter substituiert sein kann/können, wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungestättigt oder ein aromatischen Kohlenwasserstoff ist. Die Kohlenwasserstoffgruppen sind insbesondere perhalogniert, vorzugsweise perchloriert oder perfluoriert, mehr bevorzugt perfluoriert (insbesondere Trifluormethyl). Die Kohlenwasserstoffgruppen sind linear oder verzweigt oder cyclisch und /oder fluoriert, beispielsweise Cyclohexyl/C6F11 oder Cyclopentyl/C5F9. Ein oder mehrere Kohlenstoffatome können jeweils durch Heteroatome, insbesondere N, O, S, -(O)S(O)- oder P(R) (R = Perfluoroalkyl, Alkyl, Aryl, Heteroaryl) ersetzt sein. Die (Hetero-)Kohlenwasserstoffreste können untereinander oder mit einem chinoiden oder anderem Ring, beispielsweise einem (Hetero-)Arylring zyklisch verknüpft sein. In the case of halogen as radicals R1-R4 and R7-R14, in particular fluorine and chlorine are preferred. Sulfamides as radicals R1-R4 and R7-R14 are unsubstituted or substituted, preferably substituted by C1-C20 mono- or di-alkyl groups. Sulfohalogen or halocarbonyl radicals R1-R4 and R7-R14 have in particular fluorine or chlorine as halogen. Carbamoyl radicals are unsubstituted or substituted, in particular N-C 1 -C 6 -monoalkyl-substituted or identical or independently of one another N-C 1 -C 20 -dialkyl-substituted. C1-C20 hydrocarbons are preferably C1-C20 hydrocarbons which are unsubstituted or substituted, wherein one or more or all of the carbon atoms of the group may be further substituted with one or more of the above radicals, wherein the hydrocarbon is saturated, unsubstituted or is an aromatic hydrocarbon. The hydrocarbon groups are in particular perhalogenated, preferably perchlorinated or perfluorinated, more preferably perfluorinated (in particular trifluoromethyl). The hydrocarbon groups are linear or branched or cyclic and / or fluorinated, for example cyclohexyl / C6F11 or cyclopentyl / C5F9. One or more carbon atoms may each be replaced by heteroatoms, in particular N, O, S, - (O) S (O) - or P (R) (R = perfluoroalkyl, alkyl, aryl, heteroaryl). The (hetero) hydrocarbon radicals may be cyclically linked to one another or to a quinoid or other ring, for example a (hetero) aryl ring.

Insbesondere sind die Reste R1–R4 und R7–R14 ausgewählt aus der Gruppe von Acetyl-, Trifluoracetyl-, Benzoyl-, Pentafluorbenzoyl-, Naphthoyl-, Alkoxycarbonyl-Gruppe, wobei der Alkylrest ein Alkyl mit einem bis sechs, insbesondere einem bis vier, unverzweigt oder verzweigt miteinander verbundenen C-Atomen ist, sowie Trialkylphosphoryl-Gruppe mit Alkylresten, die ebenfalls aus einer Kette mit 1 bis 20 unverzweigt oder verzweigt oder zyklisch miteinander verknüpfte Kohlenstoffatomen bestehen, vorzugsweise 6 bis 14 C-Atomen, besonders bevorzugt 6 bis 8 C-Atomen. In particular, the radicals R1-R4 and R7-R14 are selected from the group of acetyl, trifluoroacetyl, benzoyl, pentafluorobenzoyl, naphthoyl, alkoxycarbonyl group, where the alkyl radical is an alkyl having one to six, in particular one to four, straight-chain or branched C atoms, as well as trialkylphosphoryl group with alkyl radicals which likewise consist of a chain having 1 to 20 unbranched or branched or cyclically linked carbon atoms, preferably 6 to 14 C atoms, particularly preferably 6 to 8 C -atoms.

Weiterhin können die Reste R1–R4 und R7–R14, die gleich oder untereinander verschieden sind, entweder Arylreste oder heterocyclische Reste sein. Diese sind vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe von Phenyl, Naphthyl, Anthranyl, Pyridyl, Chinoxalyl, Pyrazolyl, Oxazolyl, 1,3,2-Dioxaborinyl und 1,3,4 Oxdiazolyl, die entweder durch Wasserstoff, oder weitere Substituenten aus der Gruppe von funktioneller Gruppe, Halogen oder einem niederen Alkyl- oder Halogenalkyl-Rest mit einem bis 20 gesättigten Kohlenstoffatomen, die unverzweigt oder verzweigt oder zyklisch miteinander verbunden vorliegen, substituiert sind. Furthermore, the radicals R 1 -R 4 and R 7 -R 14, which may be identical or different, may be either aryl radicals or heterocyclic radicals. These are preferably selected from the group of phenyl, naphthyl, anthranyl, pyridyl, quinoxalyl, pyrazolyl, oxazolyl, 1,3,2-dioxaborinyl and 1,3,4-oxadiazolyl, which are either hydrogen or further substituents from the group of functional Group, halogen or a lower alkyl or haloalkyl radical having one to 20 saturated carbon atoms which are unbranched or branched or cyclically bonded together, are substituted.

Aus der letzt genannten Gruppe der weiteren Substituenten werden Halogene oder Halogenalkyle bevorzugt, dabei vor allen Fluor oder Chlor, Trichlormethyl, Perfluoralkyl mit einem bis zu sechs Kohlenstoffatomen, dabei insbesonders Trifluormethyl, aber auch funktionelle Gruppen wie Cyano, Nitro, Nitroso, Sulfo, Carboxy, Carbalkoxy, Halogencarbonyl, Carbamoyl, Formyl, Amidinformyl, Alkylsulfanyl und Alkylsulfonyl, wobei die Alkylreste hier wiederum aus einer Kette mit ein bis acht, vorzugsweise 1 bis 6, mehr bevorzugt 1 bis 5, unverzweigten oder verzweigten oder zyklisch miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen, sowie Trialkylphosphoryl-Reste mit Alkylresten, die ebenfalls aus einer Kette mit ein bis zwanzig, vorzugsweise ein bis 6, mehr bevorzugt 1 bis 5, unverzweigten oder verzweigten miteinander verknüpften Kohlenstoffatomen bestehen. From the latter group of further substituents halogens or haloalkyls are preferred, above all fluorine or chlorine, trichloromethyl, perfluoroalkyl having one to six carbon atoms, in particular trifluoromethyl, but also functional groups such as cyano, nitro, nitroso, sulfo, carboxy, Carbalkoxy, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidinoformyl, alkylsulfanyl and alkylsulfonyl, wherein the alkyl radicals here again consist of a chain having one to eight, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 5, unbranched or branched or cyclically linked carbon atoms, and trialkylphosphoryl Radicals having alkyl radicals, which likewise consist of a chain having one to twenty, preferably one to 6, more preferably 1 to 5, unbranched or branched, linked together carbon atoms.

Bevorzugte Vertreter der allgemeinen Struktur I sind N-heterozyklische oder reine Phenanthrenchinone der allgemeinen Formel Ia,

Figure 00090001
wobei
Y1, 2 und Y3, 4 die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung von Y1, 2 haben und Y3 und Y4 können zusätzlich noch eine Carboxy-(=O)-Gruppe darstellen und wobei
X1–X4 und X7–X10 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist. Hinsichtlich der Reste R1–R10 gelten dieselben Vorzugsvarianten wie bei R1–R4 und R7–R14 der allgemeinen Formel I. Preferred representatives of the general structure I are N-heterocyclic or pure phenanthrenequinones of the general formula Ia,
Figure 00090001
in which
Y1, 2 and Y3, 4 have the meaning of Y1, 2 mentioned for the general formula I and Y3 and Y4 can additionally represent a carboxy (= O) group and wherein
X1-X4 and X7-X10 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms in X1-X10 bear radicals R1-10, which are the same or different and are each independently selected from the group of Hydrogen halo, cyano, nitro, nitroso, sulfamide carboxy, C1-C20 carbalkoxy, C1-C20 alkyl sulfo, = O, sulfohalogen, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidine formyl, C 1 -C 6 -alkylsulfanyl and C 1 -C 20 -alkylsulfonyl radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all of the carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the radicals mentioned above and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or is an aromatic hydrocarbon. With regard to the radicals R 1 -R 10, the same preferred variants apply as in R 1 -R 4 and R 7 -R 14 of the general formula I.

Bei den Vertretern der allgemeinen Formel Ia ist das Vorhandensein von zwei Stickstoffatomen favorisiert, welche sich vorzugsweise an den Positionen X1 und X10 oder X4 und X7 befinden, wobei die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff stehen. The representatives of the general formula Ia favor the presence of two nitrogen atoms which are preferably located at the positions X1 and X10 or X4 and X7, the remaining X groups in each case being carbon.

Bevorzugte Strukturen 1a

Figure 00100001
Preferred Structures 1a
Figure 00100001

Figure 00110001
Figure 00110001

Figure 00120001
Figure 00120001

Figure 00130001
Figure 00130001

Figure 00140001
Figure 00140001

Figure 00150001
Figure 00150001

Figure 00160001
Figure 00160001

Figure 00170001
Figure 00170001

Figure 00180001
Figure 00180001

Figure 00190001
Figure 00190001

Weitere bevorzugte Vertreter der allgemeinen Struktur I sind Verbindungen der allgemeinen Formel Ib

Figure 00190002
wobei
Y1, 2 die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung haben und
wobei entweder X1–4 und X7–10 (sechs Stickstoffatome) oder X2, X4, X9 und X7 (vier Stickstoffatome) oder X5 und X6 (zwei Stickstoffatome) oder X1–10 (acht Stickstoffatome) oder X4 und X7 (zwei Stickstoffatome) oder X2 und X9 (zwei Stickstoffatome) Stickstoffatome sind, oder mindestens ein X ein Stickstoffatom ist und eine unsymmetrische Substitution durch Stickstoffatome an X-Positionen vorliegt,
wobei alle verbleibenden X-Gruppen Kohlenstoffatome sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist. Hinsichtlich der Reste R1–R10 gelten dieselben Vorzugsvarianten wie bei R1–R4 und R7–R14 der allgemeinen Formel I. Further preferred representatives of the general structure I are compounds of the general formula Ib
Figure 00190002
in which
Y1, 2 have the meaning given to general formula I and
where either X1-4 and X7-10 (six nitrogen atoms) or X2, X4, X9 and X7 (four nitrogen atoms) or X5 and X6 (two nitrogen atoms) or X1-10 (eight nitrogen atoms) or X4 and X7 (two nitrogen atoms) or X2 and X9 (two nitrogen atoms) are nitrogen atoms, or at least one X is a nitrogen atom and there is an asymmetric substitution by nitrogen atoms at X positions,
wherein all remaining X groups are carbon atoms, the carbon atoms in X1-X10 bear radicals R1-10 which are identical or different and are each independently selected from the group of hydrogen, halogen, cyano, nitro, nitroso, Sulfamide-carboxy, C1-C20-carbalkoxy, C1-C20-alkylsulfo, = O, sulfohalogen, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidinoformyl, C1-C6-alkylsulfanyl and C1-C20-alkylsulfonyl A radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the abovementioned radicals and where the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon. With regard to the radicals R 1 -R 10, the same preferred variants apply as in R 1 -R 4 and R 7 -R 14 of the general formula I.

Wenn in der Formel 1b X1, X4, X7 und X10 (vier Stickstoffatome) oder X1 und X10 (zwei Stickstoffatome) oder kein Stickstoffatom vorhanden sind, können nur folgende Endgruppen Y1 und/oder Y2 gleich =C(CN)2, =C(CN)CF3, =N(CN) =C6H4=C(CN)2, =C6F4=C(CN)2, =C5H3N=C(CN)2 verwendet werden. When X1, X4, X7 and X10 (four nitrogen atoms) or X1 and X10 (two nitrogen atoms) or no nitrogen atom are present in the formula 1b, only the following end groups Y1 and / or Y2 may be the same as C (CN) 2 , = C ( CN) CF 3, = N (CN) = C 6 H 4 = C (CN) 2, = C 6 F 4 = C (CN) 2, = C 5 H 3 N = C (CN) 2 was used.

Unter einer „unsymmetrischen Substitution durch Stickstoffatome an X-Positionen“ ist zu verstehen, dass keine Symmetrie in Bezug auf die senkrecht zwischen X5 und X6 sowie zwischen X1 und X10 verlaufende Spiegelebene gegeben ist. By "asymmetric substitution by nitrogen atoms at X positions" is meant that there is no symmetry with respect to the mirror plane perpendicular to X5 and X6 and between X1 and X10.

Bevorzugte Strukturen 1b

Figure 00210001
Preferred Structures 1b
Figure 00210001

Figure 00220001
Figure 00220001

Figure 00230001
Figure 00230001

Figure 00240001
Figure 00240001

Figure 00250001
Figure 00250001

Figure 00260001
Figure 00260001

Figure 00270001
Figure 00270001

Bevorzugte Vertreter der allgemeinen Struktur I sind ebenso ortho-kondensierte chinoide N-heterozyklische Verbindungen der allgemeinen Formel Ic,

Figure 00270002
wobei
Y1 und Y2 die für die allgemeine Formel I genannte Bedeutung haben und wobei
X1–X14 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind,
wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X14 Reste R1–R14 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14 zur allgemeinen Formel I. Hinsichtlich der Reste R1–R14 gelten dieselben Vorzugsvarianten wie bei R1–R4 und R7–R14 der allgemeinen Formel I. Preferred representatives of the general structure I are likewise ortho-fused quinoid N-heterocyclic compounds of the general formula Ic,
Figure 00270002
in which
Y1 and Y2 have the meaning given for the general formula I and wherein
X1-X14 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom,
wherein the carbon atoms in X1-X14 carry radicals R1-R14 which are identical or different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14 to general formula I. With regard to the radicals R1-R14, the same preferred variants apply as in R1-R4 and R7-R14 of general formula I.

Bei diesen Vertretern der allgemeinen Formel Ic ist die Gegenwart von zwei, vier oder sechs Stickstoffatomen bevorzugt, wobei sich zwei Stickstoffatome vorzugsweise an den Positionen X1 und X10 oder X11 und X14 oder X4 und X7 finden. Im Falle von vier Stickstoffatome befinden sich diese vorzugsweise an den Positionen X1, X4, X7 und X10, oder X1, X10, X11 und X14, oder X4, X7, X11 und X14. Die Konstellation mit sechs Stickstoffatomen basiert bevorzugt auf deren Positionierung an X1, X4, X7, X10, X11 und X14. Bei allen Varianten sind die verbleibenden X-Gruppen jeweils Kohlenstoff. In these representatives of general formula Ic, the presence of two, four or six nitrogen atoms is preferred, with two nitrogen atoms preferably being found at positions X1 and X10 or X11 and X14 or X4 and X7. In the case of four nitrogen atoms, these are preferably located at the positions X1, X4, X7 and X10, or X1, X10, X11 and X14, or X4, X7, X11 and X14. The six nitrogen atom constellation is preferably based on their positioning on X1, X4, X7, X10, X11 and X14. In all variants, the remaining X groups are each carbon.

Im Falle von zwei Stickstoffatomen an den Positionen X11 und X13 in der allgemeinen Formel Ic ist es besonders bevorzugt, dass die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff stehen, wobei X12 und X13 jeweils -C≡N-Reste sind. In the case of two nitrogen atoms at the positions X11 and X13 in the general formula Ic, it is particularly preferred that the remaining X groups are each carbon, wherein X12 and X13 are each -C≡N radicals.

Bevorzugte Strukturen 1c

Figure 00280001
Preferred Structures 1c
Figure 00280001

Figure 00290001
Figure 00290001

Figure 00300001
Figure 00300001

Weitere bevorzugte Vertreter der allgemeinen Formel I sind chinoide Bipyridyl-, Bipyrimidin- oder Bitriazinderivate der allgemeinen Formel Id,

Figure 00310001
wobei
Y1, 2 die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung haben und wobei
X1–X10 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind,
wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–R10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14 zur allgemeinen Formel I. Hinsichtlich der Reste R1–R10 gelten dieselben Vorzugsvarianten wie bei R1–R4 und R7–R14 der allgemeinen Formel I. In dieser allgemeinen Formel Id stellen bevorzugt zwei, vier oder sechs X-Gruppen Stickstoff dar, wobei bei zwei Stickstoffatomen deren Präsenz an den Positionen X1 und X10 bevorzugt ist und bei vier Stickstoffatomen diese sich bevorzugt an den Positionen X1, X4, X7 und X10 finden. Bei diesen beiden Varianten stehen die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff. Im Falle von sechs Stickstoffatomen sind alle X (1, 2, 4, 7, 9, 10) Stickstoff. Further preferred representatives of the general formula I are quinoid bipyridyl, bipyrimidine or bitriazine derivatives of the general formula Id,
Figure 00310001
in which
Y1, 2 have the meaning given to general formula I and wherein
X1-X10 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom,
where the carbon atoms in X1-X10 carry radicals R1-R10 which are identical or different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14 to general formula I. With regard to the radicals R1-R10, the same preferred variants apply as in the case of R 1 -R 4 and R 7 -R 14 of the general formula I. In this general formula Id, two, four or six X groups preferably represent nitrogen, with two nitrogen atoms whose presence at the positions X 1 and X 10 being preferred and four nitrogen atoms being preferred these are preferably located at the positions X1, X4, X7 and X10. In both of these variants, the remaining X groups are each carbon. In the case of six nitrogen atoms, all X (1, 2, 4, 7, 9, 10) are nitrogen.

Bevorzugte Strukturen 1d

Figure 00320001
Preferred structures 1d
Figure 00320001

Figure 00330001
Figure 00330001

Figure 00340001
Figure 00340001

Figure 00350001
Figure 00350001

Figure 00360001
Figure 00360001

Die Verbindungen der allgemeinen Formel I und insbesondere die Verbindungen gemäß Ia–Id weisen ein höheres Reduktionspotential und /oder bessere thermische Stabilität und/oder Diffussionsstabilität auf. Durch die höhere Verdampfungstemperatur bzw. geringere Flüchigkeit unter gleichen Bedingungen können die Produktionsprozesse besser kontrolliert und damit mit geringerem Aufwand und reproduzierbarer durchgeführt werden, wobei durch die Bereitstellung von dieser Verbindungen als Dotanden diese in den jeweiligen Bauteilen bei geringen Diffusionskoeffizienten, die zeitlich gleichbleibende Bauelementstrukturen gewährleisten, eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit der organischen halbleitenden Matrix bei günstiger Elektronenaffinität der Dotanden ermöglichen. Ferner kann durch die Dotanden die Ladungsträgerinjektion von Kontakten in die dotierte Schicht verbessert werden. Das dotierte organische Halbleitermaterial bzw. das resultierende elektronische Bauteil weist aufgrund der erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen eine verbesserte Langzeitstabilität auf. Dies betrifft beispielsweise eine Verringerung der Dotandenkonzentration mit der Zeit. Ferner betrifft dies die Stabilität der dotierten Schicht, die benachbart zu undotierten Schichten eines elektrooptischen Bauteils angeordnet ist, so dass elektrooptische Bauteile mit erhöhter Langzeitstabilität der elektrooptischen Eigenschaften wie Lichtausbeute bei einer vorgegebenen Wellenlänge, Wirksamkeit einer Solarzelle oder dergleichen resultieren. The compounds of general formula I and in particular the compounds according to Ia-Id have a higher reduction potential and / or better thermal stability and / or diffusion stability. Due to the higher evaporation temperature or less volatiles under the same conditions, the production processes can be better controlled and carried out with less effort and reproducible, with the provision of these compounds as dopants these ensure in the respective components with low diffusion coefficients, the same time constant component structures, allow a sufficient electrical conductivity of the organic semiconducting matrix with favorable electron affinity of the dopants. Furthermore, the dopants can be used to improve the charge carrier injection of contacts into the doped layer. The doped organic semiconductor material or the resulting electronic component has improved long-term stability due to the compounds used according to the invention. This concerns, for example, a reduction of the dopant concentration with time. Further this relates to the stability of the doped layer, which is arranged adjacent to undoped layers of an electro-optical component, so that electro-optical components with increased long-term stability of the electro-optical properties such as luminous efficacy at a given wavelength, efficiency of a solar cell or the like result.

Die Bedampfungsrate des Substrats mit den erfindungsgemäßen Verbindungen kann beispielsweise unter Verwendung eines Quarzdickenmonitors bestimmt wird, wie er beispielsweise bei der Herstellung von OLEDs üblicherweise eingesetzt wird. Insbesondere kann das Verhältnis der Bedampfungsraten von Matrixmaterialien und Dotanden durch unabhängige Messungen derselben unter Verwendung von zwei getrennten Quarzdickenmonitoren gemessen werden, um das Dotierungsverhältnis einzustellen. The vapor deposition rate of the substrate with the compounds according to the invention can be determined, for example, using a quartz thickness monitor, as is commonly used, for example, in the production of OLEDs. In particular, the ratio of vapor deposition rates of matrix materials and dopants may be measured by independent measurements thereof using two separate quartz thickness monitors to adjust the doping ratio.

Es versteht sich, dass die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen vorzugsweise derart beschaffen sind, dass sie mehr oder weniger oder praktisch unzersetzt verdampfen. It is understood that the compounds used in the invention are preferably such that they evaporate more or less or virtually undecomposed.

Zielgerichtete Precursor sind als Dotandenquelle ebenfalls einsetzbar, welche die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen freisetzen, wie Säureadditionssalze, beispielsweise einer flüchtigen oder nichtflüchtigen anorganischen oder organischen Säure, oder Charge-Transfer-Komplexe derselben, wobei die Säuren bzw. Elektronen-Donatoren vorzugsweise nicht oder nur gering flüchtig sind oder der Charge-Transfer-Komplex selber als Dotand wirkt. Targeted precursors are also usable as a dopant source, which release the compounds used according to the invention, such as acid addition salts, for example a volatile or nonvolatile inorganic or organic acid, or charge transfer complexes thereof, wherein the acids or electron donors preferably not or only slightly volatile or the charge transfer complex itself acts as a dopant.

Unbeachtlich, ob der Dotand ein chinoider N-Heterozyklus, chinoider N-Heteropolyzyklus oder ein chinoides Phenanthrenderivat ist, ist er vorzugsweise derart ausgewählt, dass er unter sonst gleichen Bedingungen wie insbesondere Dotierungskonzentration (Molverhältnis Dotand: Matrix, Schichtdicke, Stromstärke) bei gegebenem Matrixmaterial (beispielsweise Zinkphtalocyanin oder einem anderen weiter unten genannten Matrixmaterial) eine genau so hohe oder vorzugsweise eine höhere Leitfähigkeit erzeugt als F4TCNQ, beispielsweise eine Leitfähigkeit (S/cm) von größer/gleich dem 1,1-fachen, 1,2-fachen oder größer/gleich dem 1,5-fachen oder zweifachen derjenigen von F4TCNQ als Dotand. Irrespective of whether the dopant is a quinoidal N-heterocycle, quinoidal N-heteropolycycle or a quinoidal phenanthrene derivative, it is preferably selected such that it can be used under given conditions such as, in particular, doping concentration (molar ratio of dopant: matrix, layer thickness, current intensity) for a given matrix material ( For example, zinc phthalocyanine or another matrix material mentioned below) generates as high or preferably a higher conductivity than F4TCNQ, for example, a conductivity (S / cm) greater than or equal to 1.1 times, 1.2 times or greater / equal to 1.5 times or twice that of F4TCNQ as dopant.

Vorzugsweise ist der erfindungsgemäß verwendete Dotand derart ausgewählt, dass das mit diesem dotierte halbleitende organische Matrixmaterial nach einer Temperaturänderung von 100°C auf Raumtemperatur (20°C) noch ≥ 20%, vorzugsweise ≥ 30%, besonders bevorzugt ≥ 50% oder 60% der Leitfähigkeit (S/cm) des Wertes bei 100°C aufweist. Preferably, the dopant used in the invention is selected such that the doped with this semiconducting organic matrix material after a change in temperature of 100 ° C to room temperature (20 ° C) still ≥ 20%, preferably ≥ 30%, more preferably ≥ 50% or 60% of Conductivity (S / cm) of the value at 100 ° C.

Die Synthese der erfindungsgemäßen chinoiden N-Heterozyklen, chinoiden N-Heteropolyzyklen und chinoiden Phenanthrenderivate der allgemeinen Formel I kann auf verschiedenen Wegen erfolgen, wovon eine nachfolgend exemplarisch in Schema 1 dargestellt ist.

Figure 00390001
The synthesis of the inventive quinoid N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives of general formula I can be done in various ways, one of which is exemplified in Scheme 1 below.
Figure 00390001

Das neue erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von chinoiden N-Heterozyklen, chinoiden N-Heteropolyzyklen und chinoiden Phenanthrenderivaten der allgemeinen Formel I,

Figure 00400001
wobei die X-Reste und die Reste Y1 und Y2 die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung haben, basiert auf der Umsetzung von Verbindungen der allgemeinen Formel V,
Figure 00400002
wobei die X-Reste die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung haben und mindestens zwei der X-Reste Stickstoff bedeuten, zu N-Oxiden und anschließende Umsetzung mit einer Verbindung der Formel (CF3)2C=Y1,2, wobei Y1 oder Y2 die zur allgemeinen Formel I genannte Bedeutung haben. Die Umsetzung zum N-Oxid erfolgt vorzugsweise mit HOF und Acetonitril. The novel process according to the invention for the preparation of quinoid N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives of the general formula I
Figure 00400001
where the X radicals and the radicals Y1 and Y2 have the meaning given to general formula I, is based on the reaction of compounds of general formula V,
Figure 00400002
wherein the X radicals have the meaning given to general formula I and at least two of the X radicals represent nitrogen, to N-oxides and subsequent reaction with a compound of formula (CF 3 ) 2 C = Y 1.2 , wherein Y1 or Y2 have the meaning given to general formula I. The conversion to the N-oxide is preferably carried out with HOF and acetonitrile.

Das neue Synthesevariante ist exemplarisch in Schema 2 gezeigt, wobei die Synthese an sich nicht auf die dort gezeigten Substituenten begrenzt ist. The new synthesis variant is shown by way of example in Scheme 2, wherein the synthesis per se is not limited to the substituents shown there.

Figure 00410001
Schema 2
Figure 00410001
Scheme 2

Hochleitfähige CT-Komplexe lassen sich aus Elektronenreichen Verbindungen, Metallsalzen, wie Aminen, insbesondere aus aromatischen und heteroaromatischen Aminen, Pyridinen oder Tetrathiofulvalenen und den erfindungsgemäßen Chinonderivaten herstellen, wie es nachfolgend exemplarisch in Schema 4 gezeigt ist.

Figure 00410002
Schema 3 Highly conductive CT complexes can be prepared from electron-rich compounds, metal salts, such as amines, in particular from aromatic and heteroaromatic amines, pyridines or tetrathiofulvalenes and the quinone derivatives according to the invention, as shown by way of example in Scheme 4 below.
Figure 00410002
Scheme 3

Die chinoiden N-Heterozyklen, chinoiden N-Heteropolyzyklen oder chinoiden Phenanthrenderivate oder anionischen Radikalsalze oder CT-Komplexe gemäß finden Verwendung als organischer Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben. Ebenso finden Sie Verwendung als Blockerschicht, als Ladungsinjektionsschicht oder als organischer Halbleiter. Weitere Verwendungen sind die als Elektrodenmaterial bzw. elektrischer n-Leiter in OLED’s, Solarzellen, Feldeffekttransistoren, Datenspeichern, Batterien, Brennstoffzellen, Magneten oder in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen. Eine andere Anwendung betrifft die als Elektrolyt in Batterien, in Farbstoff sensibilisierten Solarzellen (DSSC) oder in Kondensatoren. Weiterhin umfasst ist die Verwendung als Schalter und Speicher, sowie die Verwendung in organischen Magneten. The quinonoid N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles, or quinoid phenanthrene derivatives, or anionic radical salts or CT complexes, according to the invention, find use as organic dopants for doping an organic semiconductive matrix material to alter its electrical properties. They are also used as blocking layer, as charge injection layer or as organic semiconductor. Further uses are as electrode material or electric n-conductors in OLEDs, solar cells, field effect transistors, data storage, batteries, fuel cells, magnets or in electronic and optoelectronic components. Another application relates to the electrolyte in batteries, in dye-sensitized solar cells (DSSC) or in capacitors. Also included is use as a switch and memory, as well as use in organic magnets.

Matrixmaterialien matrix materials

In der vorliegenden Erfindung werden geeignete Dotanden für organische halbleitende Materialien wie Lochtransportmaterialen HTM beschrieben, die üblicherweise in OLEDs oder organischen Solarzellen verwendet werden. Diese halbleitenden Materialien sind vorzugsweise intrinsisch lochleitend. Für erfindungsgemäße Dotanden kann das Folgende gelten. The present invention describes suitable dopants for organic semiconductive materials such as hole transport materials HTM, which are commonly used in OLEDs or organic solar cells. These semiconductive materials are preferably intrinsically hole-conducting. For dopants according to the invention, the following may apply.

Das Matrixmaterial kann teilweise (> 50 oder > 75 Gew.-%) oder im Wesentlichen (> 90 Gew.-% oder > 95 Gew.-%)) oder vollständig bestehen aus einem Metallphtalocyanin-Komplex, einem Porphyrin-Komplex, insbesondere Metallporphyrinkomplex, einer Oligothiophen-, Oligophenyl-, Oligophenylenvinylen oder Oligofluoren-Verbindung, wobei das Oligomere vorzugsweise 2–500 oder mehr, vorzugsweise 2–100 oder 2–50 oder 2–10 monomere Einheiten umfasst. Gegebenenfalls kann das Oligomer auch > 4, > 6 oder > 10 oder mehr monomere Einheiten umfassen, insbesondere auch für die oben angegebenen Bereiche, also beispielsweise 4 oder 6–10 monomere Einheiten, 6 oder 10–100 monomere Einheiten oder 10–500 monomere Einheiten. Die Monomere bzw. Oligomere können substituiert oder unsubstituiert sein, wobei auch Block- oder Mischpolymerisate aus den genannten Oligomeren vorliegen können, einer Verbindung mit einer Triarylamin-Einheit oder eine Spiro-Bifluoren-Verbindung. Die genannten Matrixmaterialien können auch in Kombination miteinander vorliegen, gegebenenfalls auch in Kombination mit anderen Matrixmaterialien. Die Matrixmaterialien können elektronenschiebende Substituenten wie Alkyl- oder Alkoxy-Reste aufweisen, die eine verminderte Ionisierungsenergie aufweisen oder die Ionisierungsenergie des Matrixmaterials vermindern. The matrix material may be partially (> 50 or> 75 wt%) or substantially (> 90 wt% or> 95 wt%) or entirely composed of a metal phthalocyanine complex, a porphyrin complex, especially a metal porphyrin complex , an oligothiophene, oligophenyl, oligophenylenevinylene or oligofluorene compound, wherein the oligomer preferably comprises 2-500 or more, preferably 2-100 or 2-50 or 2-10 monomeric units. Optionally, the oligomer may also comprise> 4,> 6 or> 10 or more monomeric units, in particular also for the ranges indicated above, ie for example 4 or 6-10 monomeric units, 6 or 10-100 monomeric units or 10-500 monomeric units , The monomers or oligomers may be substituted or unsubstituted, wherein block or copolymers may be present from said oligomers, a compound having a triarylamine unit or a spiro-bifluorene compound. The matrix materials mentioned can also be present in combination with one another, if appropriate also in combination with other matrix materials. The matrix materials may have electron donating substituents such as alkyl or alkoxy moieties which have reduced ionization energy or reduce the ionization energy of the matrix material.

Die als Matrixmaterial eingesetzten Metallphtalocyaninkomplexe oder Porphyrinkomplexe können ein Hauptgruppenmetallatom oder Nebengruppenmetallatom aufweisen. Das Metallatom kann jeweils 4-, 5- oder 6-fach koordiniert sein, beispielsweise in Form von Oxo- (Me=O), Dioxo- (O=Me=O), Imin-, Diimin-, Hydroxo-, Dihydroxo-, Amino- oder Diaminokomplexen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Der Phtalocyaninkomplex oder Porphyrinkomplex kann jeweils teilweise hydriert sein, wobei jedoch vorzugsweise das mesomere Ringsystem nicht gestört wird. Die Phtalocyaninkomplexe können als Zentralatom beispielsweise Magnesium, Zink, Zinn, Silizium, Eisen, Nickel, Kobalt, Magnesium, Kupfer, Titanyl oder Vanadyl (= VO) enthalten. Die gleichen oder andere Metallatome bzw. Oxometallatome können im Falle von Porphyrinkomplexen vorliegen. The metal phthalocyanine complexes or porphyrin complexes used as the matrix material may have a main group metal atom or a subgroup metal atom. The metal atom may each be 4-, 5- or 6-fold coordinated, for example in the form of oxo (Me = O), dioxo (O = Me = O), imine, diimine, hydroxo, dihydroxo, Amino or diamino complexes, without being limited thereto. The phthalocyanine complex or porphyrin complex may each be partially hydrogenated, but preferably the mesomeric ring system is not disturbed. The phthalocyanine complexes may contain as central atom, for example, magnesium, zinc, tin, silicon, iron, nickel, cobalt, magnesium, copper, titanyl or vanadyl (= VO). The same or different metal atoms or oxometal atoms may be present in the case of porphyrin complexes.

Insbesondere können solche dotierbaren Lochtransportmaterialen HTM arylierte Benzidine, beispielsweise N,N’-perarylierte Benzidine oder andere Diamine wie des Typs TPD (wobei eine, mehrere oder sämtliche der Arylgruppen aromatische Heteroatome aufweisen können), geeignete arylierte Starburst-Verbindungen wie N,N’,N’’-perarylierte Starburstverbindungen, wie die Verbindung TDATA (wobei eine, mehrere oder sämtliche der Arylgruppen aromatische Heteroatome aufweisen können), sein. Die Arylreste können insbesondere für jede der oben genannten Verbindungen Phenyl, Naphtyl, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Peridazin, Pyrimidin, Pyrazin, Pyrazol, Imidazol, Oxazol, Furan, Pyrrol, Indol oder dergleichen umfassen. Die Phenylgruppen der jeweiligen Verbindungen können durch Thiophengruppen teilweise oder vollständig ersetzt sein. In particular, such dopable hole transport materials may include HTM arylated benzidines, for example N, N'-perarylated benzidines or other diamines such as TPD (where one, several or all of the aryl groups may have aromatic heteroatoms), suitable arylated starburst compounds such as N, N ', N "- perarylated starburst compounds, such as the compound TDATA (wherein one, several or all of the aryl groups may have aromatic heteroatoms). The aryl groups may specifically include phenyl, naphthyl, pyridine, quinoline, isoquinoline, peridazine, pyrimidine, pyrazine, pyrazole, imidazole, oxazole, furan, pyrrole, indole, or the like, for each of the above-mentioned compounds. The phenyl groups of the respective compounds may be partially or completely replaced by thiophene groups.

Vorzugsweise besteht das verwendete Matrixmaterial vollständig aus einem Metallphtalocyanin-Komplex, einem Porphyrin-Komplex, einer Verbindung mit Triarylamin-Einheiten, einer Spiro-Bifluoren-Verbindung oder oligo-Thiophenen und oligo-Selenophenen. Preferably, the matrix material used consists entirely of a metal phthalocyanine complex, a porphyrin complex, a compound with triarylamine units, a spiro-bifluorene compound or oligo-thiophenes and oligo-selenophenes.

Es versteht sich, dass auch geeignete andere organische Matrixmaterialien, insbesondere lochleitende Materialien verwendet werden können, die halbleitende Eigenschaften aufweisen. It is understood that suitable other organic matrix materials, in particular hole-conducting materials can be used which have semiconducting properties.

Dotierung endowment

Die Dotierung kann insbesondere derart erfolgen, dass das molare Verhältnis von Matrixmolekül zu Dotand oder im Falle von oligomeren Matrixmaterialien das Verhältnis von Matrixmonome-renanzahl zu Dotand 1:100000, vorzugsweise 1:1 bis 1:10000, besonders bevorzugt 1:5 bis 1:1000 beispielsweise 1:10 bis 1:100, beispielsweise ca. 1:50 bis 1:100 oder auch 1:25 bis 1:50 beträgt. The doping may in particular be such that the molar ratio of matrix molecule to dopant or, in the case of oligomeric matrix materials, the ratio of matrix monomer number to dopant 1: 100000, preferably 1: 1 to 1: 10000, particularly preferably 1: 5 to 1: 1000, for example 1:10 to 1: 100, for example, about 1:50 to 1: 100 or even 1:25 to 1:50.

Verdampfung der Dotanden Evaporation of the dopants

Die Dotierung des jeweiligen Matrixmaterials (hier vorzugsweise angegeben als löcherleitendes Matrixmaterial HTM) mit den erfindungsgemäß zu verwendenden Dotanden kann durch eines oder eine Kombination der folgenden Verfahren hergestellt werden:

  • a) Mischverdampfung im Vakuum mit einer Quelle für HTM und einer für den p-Dotand
  • b) Sequentielles Deponieren von HTM und p-Dotand mit anschliessender Eindiffusion des Dotanden durch thermische Behandlung
  • c) Dotierung einer HTM-Schicht durch eine Lösung von Dotanden mit anschliessendem Verdampfen des Lösungsmittels durch thermische Behandlung
  • d) Oberflächendotierung einer HTM-Schicht durch eine oberflächlich aufgebrachte Schicht von Dotanden
The doping of the respective matrix material (here preferably indicated as hole-conducting matrix material HTM) with the dopants to be used according to the invention can be produced by one or a combination of the following processes:
  • a) Mixed evaporation in vacuo with a source of HTM and one for the p-dopant
  • b) Sequential deposition of HTM and p-dopant with subsequent diffusion of the dopant by thermal treatment
  • c) doping of an HTM layer by a solution of dopants with subsequent evaporation of the solvent by thermal treatment
  • d) Surface doping of an HTM layer by a superficially applied layer of dopants

Weitere gängige Methoden eine dotierte Schicht zu erhalten sind das Spin-Coating, Injection Printing oder organic vapour phase deposition (OVPD) oder Verdampfen in einem Rolle zu Rolle Prozess. Other common methods to obtain a doped layer are spin-coating, injection printing or organic vapor phase deposition (OVPD) or evaporation in a roll to roll process.

Die Dotierung kann derart erfolgen, dass der Dotand aus einer Precursor-Verbindung heraus verdampft wird, die beim Erhitzen und/oder Bestrahlung den Dotanden freisetzt. Die Bestrahlung kann mittels elektromagnetischer Strahlung, insbesondere sichtbarem Licht, UV-Licht oder IR-Licht erfolgen, beispielsweise jeweils Laserlicht, oder auch durch andere Strahlungsarten. Durch die Bestrahlung kann im wesentlichen die zur Verdampfung notwendige Wärme bereitgestellt werden, es kann auch gezielt in bestimmte Banden der zu verdampfenden Verbindungen bzw. Precursor oder Verbindungskomplexe wie Charge-Transfer-Komplexe eingestrahlt werden, um beispielsweise durch Überführung in angeregte Zustände die Verdampfung der Verbindungen durch Dissoziation der Komplexe zu erleichtern. Es versteht sich, dass die nachfolgend beschriebenen Verdampfungsbedingungen sich auf solche ohne Bestrahlung richten und für Vergleichszwecke einheitliche Verdampfungsbedingungen heranzuziehen sind. The doping can be carried out in such a way that the dopant is evaporated out of a precursor compound which releases the dopant on heating and / or irradiation. The irradiation can be effected by means of electromagnetic radiation, in particular visible light, UV light or IR light, for example, in each case laser light, or else by other types of radiation. The irradiation can essentially provide the heat necessary for the evaporation, it can also be irradiated deliberately into specific bands of the compounds or precursors or compound complexes to be vaporized, such as charge-transfer complexes, in order to evaporate the compounds, for example by converting them into excited states to facilitate by dissociation of the complexes. It is understood that the evaporation conditions described below are directed to those without irradiation and for comparison purposes uniform evaporation conditions are used.

Als Precursorverbindungen könne beispielsweise zum Einsatz kommen:

  • a) Gemische oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindungen aus dem Dotand und einer inerten, nichtflüchtigen Substanz, z.B. einem Polymer, Molsieb, Aluminiumoxid, Kieselgel, Oligomeren oder einer anderen organischen oder anorganischen Substanz mit hoher Verdampfungstemperatur, wobei der Dotand vorwiegend durch van-der-Waals Kräfte und/oder Wasserstoffbrückenbindung an dieser Substanz gebunden ist.
  • b) Gemisch oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindung aus dem Dotand und einer mehr oder weniger Elektronendonor-artigen, nicht flüchtigen Verbindung, wobei ein mehr oder weniger vollständiger Ladungstransfer zwischen dem Dotanden und der Verbindung auftritt, wie in Charge-Transfer-Komplexen mit mehr oder weniger elektronenreichen Polyaromaten oder Heteroaromaten oder einer anderen organischen oder anorganischen Substanz mit hoher Verdampfungstemperatur.
  • c) Gemisch oder stöchiometrische oder mischkristalline Verbindung aus dem Dotand und einer Substanz, welche zusammen mit dem Dotand verdampft und eine gleiche oder höhere Ionisierungsenergie aufweist wie die zu dotierende Substanz HT, so dass die Substanz in dem organischen Matrixmaterial keine Haftstelle für Löcher bildet. Hierbei kann die Substanz erfindungsgemäß auch mit dem Matrixmaterial identisch sein, beispielsweise ein Metallphtalocyanin oder Benzidin-Derivat darstellen. Weitere geeignete flüchtige Co-Substanzen, wie Hydrochinone, 1,4-Phenylendiamine oder 1-Amino-4-hydroxybenze oder sonstige Verbindungen bilden Chinhydrone oder andere Charge-Transfer-Komplexe.
As precursor compounds can be used, for example:
  • a) mixtures or stoichiometric or mixed crystalline compounds of the dopant and an inert, non-volatile substance, such as a polymer, molecular sieve, alumina, silica gel, oligomers or other organic or inorganic substance having a high evaporation temperature, wherein the dopant predominantly by van der Waals Forces and / or hydrogen bonding is bound to this substance.
  • b) Mixture or stoichiometric or mixed crystalline compound of the dopant and a more or less electron donor-like, non-volatile compound, wherein a more or less complete charge transfer between the dopant and the compound occurs, as in charge-transfer complexes with more or less electron-rich polyaromatic or heteroaromatic or other organic or inorganic substance with high evaporation temperature.
  • c) mixture or stoichiometric or mixed crystalline compound of the dopant and a substance which evaporates together with the dopant and has an ionization energy equal to or higher than the substance to be doped HT, so that the substance in the organic matrix material does not form a trap for holes. In this case, the substance according to the invention may also be identical to the matrix material, for example a metal phthalocyanine or benzidine derivative. Other suitable volatile co-substances, such as hydroquinones, 1,4-phenylenediamines or 1-amino-4-hydroxybenze or other compounds form quinhydrones or other charge-transfer complexes.

Elektronische Bauelemente Electronic Components

Unter Verwendung der erfindungsgemäßen organischen Verbindungen zur Herstellung dotierter organischer halbleitender Materialien, die insbesondere in Form von Schichten oder elektrischen Leitungspfaden angeordnet sein können, können eine Vielzahl elektronischer Bauelemente oder diese enthaltende Einrichtungen hergestellt werden. Insbesondere können die erfindungsgemäßen Dotanden zur Herstellung von organischen lichtemitierenden Dioden (OLED), organischen Solarzellen (OSC), dye sensitized Solarzellen (DSSC’s), organischen Dioden, insbesondere solchen mit hohem Gleichrichtungsverhältnis wie 103–107, vorzugsweise 104–107 oder 105–107 oder organischen Feldeffekttransistoren (OFET’s and emitting OFET’s), Batterien, Sensoren, Brennstoffzellen, Datenspeichern, als organischen Leiter, als Elektrodenmaterialien oder in Kondensatoren verwendet werden. Durch die erfindungsgemäßen elektrischen Dotanden kann die Leitfähigkeit der dotierten Schichten und/oder die Verbesserung der Ladungsträgerinjektion von Kontakten in die dotierte Schicht verbessert werden. Insbesondere bei OLEDs kann das Bauelement eine pin-Struktur oder eine inverse Struktur aufweisen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Die Verwendung der erfindungsgemäßen Dotanden ist jedoch auf die oben genannten vorteilhaften Ausführungsvarianten nicht beschränkt. Using the organic compounds according to the invention for producing doped organic semiconducting materials, which may be arranged in particular in the form of layers or electrical conduction paths, a multiplicity of electronic components or devices containing them can be produced. In particular, the dopants of the invention may be used to make organic light emitting diodes (OLED), organic solar cells (OSC), dye sensitized solar cells (DSSC's), organic diodes, especially those having a high r.f. ratio, such as 10 3 -10 7 , preferably 10 4 -10 7 or 10 5 -10 7 or OFET's), batteries, sensors, fuel cells, data memories, as organic conductors, as electrode materials or in capacitors. The electrical dopants according to the invention can be used to improve the conductivity of the doped layers and / or to improve the charge carrier injection of contacts into the doped layer. Particularly in the case of OLEDs, the component may have a pin structure or an inverse structure, without being limited thereto. However, the use of the dopants according to the invention is not limited to the abovementioned advantageous variants.

Nachfolgend soll die Erfindung an einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. The invention will be explained in more detail in some embodiments.

Beispiele 1 Examples 1

Darstellung von 5,5‘-Bis(dicyanomethyl)2,2‘-bipyridyl Preparation of 5,5'-bis (dicyanomethyl) 2,2'-bipyridyl

0,01 mol in THF geöstes Malodinitril wird unter Schutzgas und Eiskühlung langsam zu einer Suspension von 0,012 mol NaH und 100ml THF zugetropft und nach Beendigung noch 20 min bei Raumtemperatur gerührt. Anschließend werden 0,005 mol 5,5‘-Dibrom-2,2‘-bipyridyl, 0,001 mol PdCl2 und 0,001 mol Phosphortriphenyl zugegeben und 12 h unter Rückfluss erhitzt. Nach entsprechender Aufarbeitung wurden 94% Rohprodukt erhalten. 0.01 mol of malononitrile dissolved in THF is slowly added dropwise under protective gas and ice cooling to a suspension of 0.012 mol of NaH and 100 ml of THF and stirred for a further 20 min at room temperature after completion. Subsequently, 0.005 mol of 5,5'-dibromo-2,2'-bipyridyl, 0.001 mol of PdCl 2 and 0.001 mol of phosphorous triphenyl are added and heated under reflux for 12 h. After appropriate workup 94% crude product was obtained.

Darstellung von Tetracyano-2,2‘-bipyridyl-5,5‘-quinonedimethane Preparation of tetracyano-2,2'-bipyridyl-5,5'-quinonedimethanes

1 mmol 5,5‘-Bis(dicyanomethyl)2,2‘-bipyridyl werden in wässriger Lösung mit Bromwasser versetzt, abgesaugt in einem geeigneten Lösungsmittel, wie z.B. Methylenchlorid mit MgSO4 getrocknet, eingeengt und abgesaugt. Ausbeute: 70% 1 mmol of 5,5'-bis (dicyanomethyl) 2,2'-bipyridyl are mixed in aqueous solution with bromine water, filtered off with suction in a suitable solvent, such as methylene chloride dried with MgSO 4 , concentrated and filtered with suction. Yield: 70%

Beispiel 2 Example 2

Darstellung von 3,8-Dibromopyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile Preparation of 3,8-dibromopyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitriles

Ein Gemisch aus 200ml 1-Chlorbutan, 5g Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile, 12,3g Schwefelmonochlorid, 7,1g Pyridin und 14g Brom wird 12h am Rückfluss erhitzt. Nach dem Abkühlen wird der entstandene Feststoff in verdünnter überschüssiger Natronlauge und 100ml Chloroform aufgenommen. Die organische Phase wird abgetrennt und über eine kurze Silica-Gel-Säule separiert. Die Ausbeute beträgt 65%. A mixture of 200 ml of 1-chlorobutane, 5 g of pyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitrile, 12.3 g of sulfur monochloride, 7.1 g of pyridine and 14 g of bromine is heated at reflux for 12 h. After cooling, the resulting solid is taken up in dilute excess sodium hydroxide solution and 100 ml of chloroform. The organic phase is separated and separated on a short silica gel column. The yield is 65%.

Darstellung von 3,8-Bis(dicyanomethyl)- Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile Preparation of 3,8-bis (dicyanomethyl) pyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitriles

11 mmol Malodinitril in 100ml THF werden unter Kühlung und Inertgas mit 12mmol NaH langsam versetzt. Nach Beendigung der Gasentwicklung wird noch 30 min bei Raumtemperatur gerührt. Zu dieser Suspension wird 5 mmol 3,8-Dibromopyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile sowie 0.14 mmol P(Ph)3 und 0.14 mmol PdCl2 gegeben und 8 h am Rückfluß erhitzt. Nach saurer Aufarbeitung mittels verdünnter Salzsäure wurden 82% Produkt erhalten. 11 mmol of malononitrile in 100 ml of THF are slowly added under cooling and inert gas with 12 mmol of NaH. After completion of the gas evolution is stirred for a further 30 min at room temperature. 5 mmol of 3,8-dibromopyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitrile and 0.14 mmol of P (Ph) 3 and 0.14 mmol of PdCl 2 are added to this suspension and the mixture is refluxed for 8 hours , After acidic work-up by means of dilute hydrochloric acid 82% product were obtained.

Darstellung von Tetracyano-pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-3,8-quinonedimethane-2,3-dicarbonitrile Preparation of tetracyano-pyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-3,8-quinonedimethanes-2,3-dicarbonitriles

Zu einer schwach sauren wässrigen Suspension von 3,8-Bis(dicyanomethyl) Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile (1,3g in 100ml) wird soviel Bromwasser zugegeben bis die rote Farbe des Radikalanions verschwindet und ein gelb/brauner Feststoff entstanden ist, der schnell abgesaugt und in Methylenchlorid aufgenommen wird. Die Lösung wird mit MgSO4 getrocknet, filtriert und eingeengt. Die Ausbeute der ausgefallenen Kristalle beträgt 78%. To a weakly acidic aqueous suspension of 3,8-bis (dicyanomethyl) pyrazino [2,3-f] [1,10] phenanthroline-2,3-dicarbonitrile (1.3 g in 100 ml) is added as much bromine water to the red color of the radical anion disappears and a yellow / brown solid has formed, which is rapidly sucked off and taken up in methylene chloride. The solution is dried with MgSO 4 , filtered and concentrated. The yield of the precipitated crystals is 78%.

Beispiel 3 Example 3

Darstellung von 3,8-Bis(dicyanomethyl)1,10-phenanthrolin Preparation of 3,8-bis (dicyanomethyl) 1,10-phenanthroline

0,01 mol in THF geöstes Malodinitril wird unter Schutzgas und Eiskühlung langsam zu einer Suspension von 0,012 mol NaH und 100ml THF zugetropft und nach Beendigung noch 20 min bei Raumtemperatur gerührt. Anschließend werden 0,005 mol 3,8-Dibrom-1,10-phenanthrolin, 0,001 mol PdCl2 und 0,001 mol Phosphortriphenyl sowie 0,001 mol NaH zugegeben und 12 h unter Rückfluss erhitzt. Nach entsprechender wässriger Aufarbeitung wurden 90% Produkt erhalten. 0.01 mol of malononitrile dissolved in THF is slowly added dropwise under protective gas and ice cooling to a suspension of 0.012 mol of NaH and 100 ml of THF and stirred for a further 20 min at room temperature after completion. Subsequently, 0.005 mol of 3,8-dibromo-1,10-phenanthroline, 0.001 mol of PdCl 2 and 0.001 mol of phosphorotriphenyl and 0.001 mol of NaH are added and the mixture is heated under reflux for 12 h. After appropriate aqueous work-up, 90% of product was obtained.

Darstellung von Tetracyano-1,10-phenanthrolinquinone-3,8-imethane Preparation of tetracyano-1,10-phenanthrolinquinone-3,8-imethanes

1 mmol 3,8-Bis(dicyanomethyl)-1,10-phenanthrolin werden in wässriger Lösung wenige Minuten mit Bromwasser versetzt, abgesaugt, mit Wasser gewaschen und im Vakuum getrocknet. Nach der Sublimation wurden 78% reines Produkt erhalten. 1 mmol of 3,8-bis (dicyanomethyl) -1,10-phenanthroline are treated in aqueous solution with bromine water for a few minutes, filtered off, washed with water and dried in vacuo. After sublimation, 78% pure product was obtained.

Beispiel 4 Example 4

3,8-Bis(pentafluorophenyl)-1,10-phenanthrolin 3,8-bis (pentafluorophenyl) -1,10-phenanthroline

0,5 mmol 3,8-Dibrom-1,10-phenanthrolin, 212mg (1,0 mmol Pentafluorophenylboronsäureester, 81,5 mg (0,08 mmol) Tetrakis(triphenyl)palladium, 460 mg (2,0 mmol) Ag2O, 1,7g K3PO4 werden unter Schutzgas in 10 ml DMF bei 90°C 6h lang intensiv gerührt. Die Reaktionsmischung wird nach dem Abkühlen in Wasswer gegossen und mit Methylenchlorid extrahiert, über MgSO4 getrocknet und zur Trockene im Vakuum eingeengt und aus einem geeignetem Lösungsmittel umkristallisiert. Die Ausbeute lag bei 81%. 0.5 mmol 3,8-dibromo-1,10-phenanthroline, 212 mg (1.0 mmol pentafluorophenyl boronic acid ester, 81.5 mg (0.08 mmol) tetrakis (triphenyl) palladium, 460 mg (2.0 mmol) Ag 2 O, 1.7 g of K3PO4 are intensively stirred under protective gas in 10 ml of DMF at 90 ° C. for 6 hours After cooling, the reaction mixture is poured into Wasswer and extracted with methylene chloride, dried over MgSO4 and concentrated to dryness in vacuo and recrystallized from a suitable solvent. The yield was 81%.

4‘,4‘‘-Dicyanomethyl-3,8-bis(pentafluorophenyl)-1,10-phenanthrolin 4 ', 4' '- dicyanomethyl-3,8-bis (pentafluorophenyl) -1,10-phenanthroline

0,01 mol in THF geöstes Malodinitril wird unter Schutzgas und Eiskühlung langsam zu einer Suspension von 0,012 mol NaH und 100ml THF zugetropft und nach Beendigung noch 20 min bei Raumtemperatur gerührt. Anschließend werden 0,005 mol 3,8-Bis(pentafluorophenyl)-1,10-phenanthrolin zugeben, intensiv gerührt und 8h am Rückfluss erhitzt. Nach dem Abkühlen wird das Gemisch im Vakuum eingeengt, abgekühlt, abgesaugt und umkristallisiert. Das weiße kristalline Produkt wurde in einer Ausbeute von 98% erhalten. 0.01 mol of malononitrile dissolved in THF is slowly added dropwise under protective gas and ice cooling to a suspension of 0.012 mol of NaH and 100 ml of THF and stirred for a further 20 min at room temperature after completion. Then add 0.005 mol of 3,8-bis (pentafluorophenyl) -1,10-phenanthroline, stirred vigorously and heated at reflux for 8 h. After cooling, the mixture is concentrated in vacuo, cooled, filtered off and recrystallized. The white crystalline product was obtained in 98% yield.

Tetracyano-bis(tetrafluorophenyl)-1,10-phenanthrolin-3,8-chinone-7‘,7‘‘-dimethane Tetracyano-bis (tetrafluorophenyl) -1,10-phenanthroline-3,8-quinones 7 ', 7' '- dimethanes

1 mmol 4‘,4‘‘-Dicyanomethyl-3,8-bis(pentafluorophenyl)-1,10-phenanthrolin wird in 10 ml einer Mischung aus 40%-iger Schwefelsäure und Chrom(IV)oxid 10 min bei Raumtemperatur gerührt, in Wasser gegeben und abgesaugt. Das Produkt wurde im Vakuum getrocknet und sublimiert. Ausbeute: 63% 1 mmol of 4 ', 4' '- dicyanomethyl-3,8-bis (pentafluorophenyl) -1,10-phenanthroline is stirred in 10 ml of a mixture of 40% sulfuric acid and chromium (IV) oxide for 10 min at room temperature, in Water is added and sucked off. The product was dried in vacuo and sublimed. Yield: 63%

Die erfindungsgemäß zu verwendenden Verbindungen, insbesondere die vorstehend beispielhaft angebenden Verbindungen aus der vorstehend beschriebenen Stoffklasse der chinoiden N-Heterozyklen, chinoiden N-Heteropolyzyklen und chinoiden Phenanthrenderivate werden in nachstehend beschriebener Weise als Dotanden für verschiedene Lochleiter verwendet, die ihrerseits zum Aufbau bestimmter mikroelektronischer oder optoelektronischer Bauelemente, wie z.B. einer OLED, benutzt werden. Hierbei können die Dotanden gleichzeitig nebeneinander mit dem Lochtransportmaterialien der Matrix im Hochvakuum (ca. 2 × 10–4Pa) bei erhöhten Temperaturen verdampft werden. Eine typische Substratbedampfungsrate für das Matrixmaterial ist 0,2 nm/s (Dichte ca. 1,5 g/cm3). Die Bedampfungsraten für die Dotanden können variieren zwischen 0.001 und 0.5 nm/s bei gleicher angenommener Dichte, jeweils entsprechend dem gewünschten Dotierungsverhältnis. The compounds to be used according to the invention, in particular the compounds of the above-described class of the quinoid N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives are used in the manner described below as dopants for various hole conductors, which in turn for the construction of certain microelectronic or optoelectronic Components, such as an OLED used. In this case, the dopants can be simultaneously evaporated side by side with the hole transport materials of the matrix under high vacuum (about 2 × 10 -4 Pa) at elevated temperatures. A typical substrate evaporation rate for the matrix material is 0.2 nm / s (density about 1.5 g / cm 3 ). The evaporation rates for the dopants can vary between 0.001 and 0.5 nm / s with the same assumed density, in each case corresponding to the desired doping ratio.

Strommessungen wurden über einen 1 mm langen und ca. 0,5 mm breiten Strompfad aus dem dotierten HT-Material bei 1V durchgeführt. Unter diesen Bedingungen leitet ZnPc praktisch keinen elektrischen Strom. Current measurements were carried out over a 1 mm long and about 0.5 mm wide current path of the doped HT material at 1V. Under these conditions, ZnPc conducts virtually no electric current.

Leitfähigkeitsmessungen conductivity measurements

ZnPc/Tetracyano-2,2‘-bipyridyl-4,4‘-quinonedimethane 5% Dotand: 10–3S/cm ZnPc / tetracyano-2,2'-bipyridyl-4,4'-quinonedimethane 5% dopant: 10 -3 S / cm

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Claims (12)

Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate der allgemeinen Formel I
Figure 00530001
wobei Y1 und Y2 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander für einen =NCN-, =C(CN)2-, =C(CF3)R-, =C(C6F5)2-, =C(Heteroaryl)2-, =C(CF3)2-, =C(CN)R-Rest oder =C(CN)(CF3)-Rest, wobei die Reste R ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff, Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, Sulfohalogen-, Sulfonsäure-Gruppe, elektronenarmen Aromaten oder Heteroaromaten, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist, oder für eine Gruppe der allgemeinen Formel II stehen,
Figure 00540001
wobei Xa–Xe gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome Reste Ra–e tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander aus der gleichen Gruppe wie R ausgewählt sind und wobei X1–X4 und X7–X14 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X4 und X7–X14 Reste R1–R4 und R7–R14 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff, Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist und wobei X5 und X6 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome Reste R5, R6 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14, oder X5, X6 jeweils für einen C=Y3-Rest (X5), C=Y4-Rest (X6) stehen, wobei Y3, 4 jeweils unabhängig aus der gleichen Gruppen wie Y1, 2 ausgewählt sind, und in diesem Fall X11–X14 entfallen oder X5, X6 und X11–X14 entfallen.
Chinoids N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives of general formula I.
Figure 00530001
wherein Y1 and Y2 are the same or different and are each independently C for a = NCN, = (CN) 2 -, = C (CF 3) R, = C (C 6 F 5) 2 -, = C (heteroaryl ) 2 -, = C (CF 3 ) 2 -, = C (CN) R-radical or = C (CN) (CF 3 ) radical, wherein the radicals R are selected from the group of hydrogen, halogen, cyano , Nitro, nitroso, sulfamide, carboxy, C1-C20-carbalkoxy, C1-C20-alkylsulfo, sulfohalogen, sulfonic acid, electron-poor aromatic or heteroaromatic, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidine-formyl C 1 -C 6 -alkylsulfanyl and C 1 -C 20 -alkylsulfonyl radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all of the carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the radicals mentioned above, and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or is an aromatic hydrocarbon, or represents a group of the general formula II,
Figure 00540001
wherein Xa-Xe are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms carry radicals Ra-e which are the same or different and are each independently selected from the same group as R and wherein X1-X4 and X7-X14 are the same or different and each independently is a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms in X1-X4 and X7-X14 bear R1-R4 and R7-R14 which are the same or different and are each independently selected are selected from the group of hydrogen, halogen, cyano, nitro, nitroso, sulfamide, carboxy, C1-C20-carbalkoxy, C1-C20-alkylsulfo, = O, sulfohalogen, halocarbonyl, carbamoyl, Formyl, amidinoformyl, C 1 -C 6 alkylsulfanyl and C 1 -C 20 alkylsulfonyl radicals and C 1 -C 20 hydrocarbons, wherein one or more or all of the carbon atoms are optionally substituted with one or more of the above g and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon and wherein X5 and X6 are the same or different and are each independently a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms carry radicals R5, R6, which are identical or are different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14, or X5, X6 are each a C = Y 3 radical (X5), C = Y 4 radical (X6), wherein Y3, 4 are each independently selected from the same groups as Y1, 2, and in this case X11-X14 is omitted or X5, X6 and X11-X14 are eliminated.
Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um N-heterozyklische oder reine Phenanthrenchinone der allgemeinen Formel Ia handelt,
Figure 00550001
wobei Y1, 2 und Y3, 4 die in Anspruch 1 genannte Bedeutung von Y1, 2 haben und Y3 sowie Y3 zusätzlich noch einen =O-Rest darstellen wobei X1–X10 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist.
Chinoids N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1, characterized in that they are N-heterocyclic or pure phenanthrenequinones of the general formula Ia,
Figure 00550001
where Y 1, 2 and Y 3, 4 have the meaning of Y 1, 2 mentioned in claim 1 and Y 3 and Y 3 additionally additionally represent an = O radical where X 1 -X 10 are the same or different and are each independently a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms in X1-X10 carry radicals R1-10, which are identical or different and are each independently selected from the group of hydrogen, halogen, cyano, nitro, nitroso, sulfamide, carboxy, C1-C20- Carbalkoxy, C1-C20 alkyl sulfo, = O, sulfohalogen, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidinoformyl, C1-C6 alkylsulfanyl and C1-C20 alkylsulfonyl radical and C1-C20 hydrocarbon, wherein one or more or all of the carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the abovementioned radicals, and wherein the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon.
Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um N-heterozyklische der allgemeinen Formel Ib handelt,
Figure 00560001
wobei Y1, 2 die in Anspruch 1 genannte Bedeutung haben und wobei X1–4 und X7–10, oder X4 und x6, oder X4 und X7 oder X2 und X9 Stickstoffatome sind oder mindestens ein X Stickstoff ist und eine unsymmetrische Substitution durch Stickstoffatome vorliegt, wobei die verbleibenden X-Gruppen Kohlenstoffatome sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe von Wasserstoff Halogen-, Cyano-, Nitro-, Nitroso-, Sulfamid- Carboxy-, C1-C20-Carbalkoxy-, C1-C20-Alkylsulfo-, =O, Sulfohalogen-, Halogencarbonyl-, Carbamoyl-, Formyl-, Amidinformyl-, C1-C6-Alkylsulfanyl-und C1-C20-Alkylsulfonyl-Rest und C1-C20-Kohlenwasserstoff, wobei eines oder mehrere oder alle Kohlenstoffatome gegebenenfalls mit einem oder mehreren der oben genannten Reste weiter substituiert ist/sind und wobei der Kohlenwasserstoff gesättigt, ungesättigt oder ein aromatischer Kohlenwasserstoff ist.
Chinoids N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1, characterized in that they are N-heterocyclic of the general formula Ib,
Figure 00560001
wherein Y1, 2 have the meaning given in claim 1 and wherein X1-4 and X7-10, or X4 and X6, or X4 and X7 or X2 and X9 are nitrogen atoms or at least one X is nitrogen and there is an unsymmetrical substitution by nitrogen atoms, wherein the remaining X groups are carbon atoms, the carbon atoms in X1-X10 bear radicals R1-10 which are identical or different and are each independently selected from the group of hydrogen, halogen, cyano, nitro, nitroso, Sulfamide-carboxy, C1-C20-carbalkoxy, C1-C20-alkylsulfo, = O, sulfohalogen, halocarbonyl, carbamoyl, formyl, amidinoformyl, C1-C6-alkylsulfanyl and C1-C20-alkylsulfonyl A radical and C 1 -C 20 -hydrocarbon wherein one or more or all carbon atoms are optionally further substituted by one or more of the abovementioned radicals and where the hydrocarbon is saturated, unsaturated or an aromatic hydrocarbon.
Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um ortho-kondensierte chinoide N-heterozyklische Verbindungen der allgemeinen Formel Ic handelt,
Figure 00570001
wobei Y1 und Y2 die in Anspruch 1 genannte Bedeutung haben und wobei X1–X14 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X14 Reste R1–R14 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14 in Anspruch 1.
Chinoids N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1, characterized in that they are ortho-fused quinoid N-heterocyclic compounds of general formula Ic,
Figure 00570001
wherein Y1 and Y2 have the meaning given in claim 1 and wherein X1-X14 are identical or different and are each independently a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms in X1-X14 carry radicals R1-R14 which are identical or different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14 in claim 1.
Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass in der allgemeinen Formel Ic X1 und X10 oder X11 und X14 oder X4 und X7 oder X1, X4, X7 und X10, oder X1, X10, X11 und X14, oder X4, X7, X11 und X14, oder X1, X4, X7, X10, X11 und X14 Stickstoff bedeuten, wobei die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff stehen. Chinoids N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1 or 4, characterized in that in the general formula Ic X1 and X10 or X11 and X14 or X4 and X7 or X1, X4, X7 and X10, or X1, X10, X11 and X14, or X4, X7, X11 and X14, or X1, X4, X7, X10, X11 and X14 denote nitrogen, wherein the remaining X groups are each carbon. Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß einem der Ansprüche 1, 4 oder 5, wobei X11 und X14 Stickstoff bedeuten und die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff stehen, wobei X12 und X13 jeweils -C≡N-Reste sind. Chinoids N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives according to any one of claims 1, 4 or 5, wherein X11 and X14 are nitrogen and the remaining X groups are each carbon, wherein X12 and X13 are each -C≡N radicals are. Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um chinoide Bipyridyl-, Bipyrimidin- oder Bitriazinderivate der allgemeinen Formel Id handelt,
Figure 00590001
wobei Y1, 2 die in Anspruch 1 genannte Bedeutung haben und wobei X1–X10 gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ein Stickstoffatom oder ein Kohlenstoffatom sind, wobei die Kohlenstoffatome bei X1–X10 Reste R1–R10 tragen, welche gleich oder verschieden sind und jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der gleichen Gruppe wie R1–R4 und R7–R14 in Anspruch 1.
Chinoids N-heterocycles, quinoid N-Heteropolyzyklen and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1, characterized in that they are quinoid bipyridyl, bipyrimidine or bitriazine derivatives of the general formula Id,
Figure 00590001
wherein Y1, Z2 have the meaning given in claim 1 and wherein X1-X10 are the same or different and are each independently a nitrogen atom or a carbon atom, wherein the carbon atoms in X1-X10 radicals R1-R10 carry, which are identical or different and are each independently selected from the same group as R1-R4 and R7-R14 in claim 1.
Chinoide N-Heterozyklen, chinoide N-Heteropolyzyklen und chinoide Phenanthrenderivate gemäß Anspruch 1 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass in der allgemeinen Formel Id X1 und X10 oder X1, X4, X7 und X10 oder alle X (1, 2, 4, 7, 9, 10) Stickstoff bedeuten, wobei die verbleibenden X-Gruppen jeweils für Kohlenstoff stehen. Chinoids N-heterocycles, quinoid N-heteropolycycles and quinoid phenanthrene derivatives according to claim 1 or 6, characterized in that in the general formula Id X1 and X10 or X1, X4, X7 and X10 or all X (1, 2, 4, 7, 9, 10) nitrogen, wherein the remaining X groups are each carbon. Verwendung erfindungsgemäßer, reiner, chinoider N-Heterozyklen, reiner sowie chinoider N-Heteropolyzyklen und reiner sowie chinoider Phenanthrenderivate oder als beliebiges Gemisch mit irgendwelchen anderen Stoffen in optoelektronischen oder elektronischen Bauteilen, insbesondere in Organischen Leuchtdioden, (OLED`s), in organischen Dioden, in Organischen Feldeffekttransistoren (OFET’s) in Brennstoffzellen, in Kondensatoren (sogenannten Super Kondensatoren,) in elektrochromen Displays, in organischen Solarzellen (OSC, DSSC), in Batterien und Akkus, in Energiespeichersystemen, in elektronischen bzw. optoelektronischen oder magnetischen Datenspeicherelementen, in Magneten, in Bauelementen zur photokatalytischen Wasserspaltung vorzugsweise als elektrische p-Dotanden, in organischen CMOS (Hybrid-CMOS), RFID’s (Radio Frequency Identification Device), in Sensoren, als Elektronentransportmaterial, als Löcherblocker, als Ladungsinjektionsschicht, als Hostmaterial für Emitter, als Elektrodenmaterial, als Elektrolyt, als Absorber, als Emitter selbst. Use of inventive, pure, quinoidal N-heterocycles, pure and quinoidal N-Heteropolyzyklen and pure and quinoidal phenanthrene derivatives or as any mixture with any other substances in optoelectronic or electronic components, in particular in organic light emitting diodes (OLED`s), in organic diodes, in organic field effect transistors (OFETs) in fuel cells, in capacitors (so-called super capacitors,) in electrochromic displays, in organic solar cells (OSC, DSSC), in batteries and accumulators, in energy storage systems, in electronic or optoelectronic or magnetic data storage elements, in magnets, in components for photocatalytic water splitting preferably as electrical p-dopants, in organic CMOS (hybrid CMOS), RFID's (Radio Frequency Identification Device), in sensors, as an electron transport material, as a hole blocker, as a charge injection layer, as a host material for emitters, as an electrode material, as an electrolyte, as an absorber, as an emitter itself. Verwendung eines erfindungsgemäßen, reinen, chinoiden N-Heterozyklus oder als beliebiges Gemisch mit irgendeinem anderen Stoff in elektronischen bzw. optoelektronischen Bauelementen vorzugsweise in OLED’s, OSC’s, DSSC’s, Batterien oder Akku’s sowie Kondensatoren als p-Dotand, organische Halbleitermaterialien (ETM), Elektrodenmaterialien, Ladungsinjektionsschichten oder Löcherblockerschichten, in organischen CMOS (Hybrid-CMOS), RFID’s (Radio Frequency Identification Device), in Sensoren. Use of a pure, quinoid N-heterocycle according to the invention or as any desired mixture with any other substance in electronic or optoelectronic components, preferably in OLEDs, OSCs, DSSCs, batteries or accumulators as well as capacitors as p-dopant, organic semiconductor materials (ETM), electrode materials, Charge injection layers or hole blocker layers, in organic CMOS (Hybrid CMOS), RFID's (Radio Frequency Identification Device), in sensors. Verwendung eines erfindungsgemäßen, reinen, chinoiden N-Heteropolyzyklen oder als beliebiges Gemisch mit irgendeinem anderen Stoff in elektronischen bzw. optoelektronischen Bauelementen vorzugsweise in OLED’s, OSC’s, DSSC’s, Batterien oder Akku’s sowie Kondensatoren als p-Dotand, organische Halbleitermaterialien (ETM), Elektrodenmaterialien, Ladungsinjektionsschichten oder Löcherblockerschichten, in organischen CMOS (Hybrid-CMOS), RFID’s (Radio Frequency Identification Device), in Sensoren. Use of a pure, quinoid N-heteropolycycles according to the invention or as an arbitrary mixture with any other substance in electronic or optoelectronic components, preferably in OLEDs, OSCs, DSSCs, batteries or rechargeable batteries as well as capacitors as p-dopant, organic semiconductor materials (ETM), electrode materials, Charge injection layers or hole blocker layers, in organic CMOS (Hybrid CMOS), RFID's (Radio Frequency Identification Device), in sensors. Verwendung eines erfindungsgemäßen, reinen, chinoiden Phenanthrenderivatse oder als beliebiges Gemisch mit irgendeinem anderen Stoff in elektronischen bzw. optoelektronischen Bauelementen vorzugsweise in OLED’s, OSC’s, DSSC’s, Batterien oder Akku’s sowie Kondensatoren als p-Dotand, organische Halbleitermaterialien (ETM), Elektrodenmaterialien, Ladungsinjektionsschichten oder Löcherblockerschichten in organischen CMOS (Hybrid-CMOS), RFID’s (Radio Frequency Identification Device), in Sensoren. Use of a pure, quinoid Phenanthrenderivatse invention or as any mixture with any other substance in electronic or optoelectronic devices preferably in OLEDs, OSC's, DSSC's, batteries or rechargeable batteries and capacitors as p-dopant, organic semiconductor materials (ETM), electrode materials, charge injection layers or Hole blocker layers in organic CMOS (Hybrid CMOS), RFID's (Radio Frequency Identification Device), in sensors.
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