DE102013104111B4 - A method of forming a package-on-Package- (PoP) device having a carrier-discard control for the three-dimensionally integierte Circuit (3DIC)-stacking - Google Patents

A method of forming a package-on-Package- (PoP) device having a carrier-discard control for the three-dimensionally integierte Circuit (3DIC)-stacking

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DE102013104111B4
DE102013104111B4 DE201310104111 DE102013104111A DE102013104111B4 DE 102013104111 B4 DE102013104111 B4 DE 102013104111B4 DE 201310104111 DE201310104111 DE 201310104111 DE 102013104111 A DE102013104111 A DE 102013104111A DE 102013104111 B4 DE102013104111 B4 DE 102013104111B4
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Jing-Cheng Lin
Shih Ting Lin
Chen-Hua Yu
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) Ltd
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) Ltd
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    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip

Abstract

Verfahren zum Ausbilden einer Package-on-Package-(PoP)-Vorrichtung (10), die Folgendes umfasst: A method of forming a package-on-Package- (PoP) device (10), comprising:
vorläufiges Anbringen eines Substrats (16) an einem Träger (14); preliminary mounting a substrate (16) to a support (14);
Stapeln eines ersten Dies (22) auf dem Substrat, wobei mindestens der erste Die oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist; Stacking a first die (22) on the substrate, wherein at least the first die or the substrate having a difference of thermal expansion coefficient relative to the carrier;
Stapeln eines zweiten Dies (26) auf dem ersten Die; Stacking a second die (26) on the first die; und and
Ausführen eines Drucktemperns auf dem Substrat (16) mittels eines Drucktemperdeckels (20), bevor der erste und der zweite Die gestapelt werden. Executing a Drucktemperns on the substrate (16) by means of a Drucktemperdeckels (20) before the first and the second are stacked.

Description

  • HINTERGRUND BACKGROUND
  • Während die Nachfrage nach kleineren elektronischen Produkten steigt, suchen Hersteller und Andere in der Elektronikbranche fortlaufend nach Wegen, die Größe von integrierten Schaltkreisen, die in den elektronischen Produkten verwendet werden, zu verringern. While the demand for smaller electronic products is increasing, looking for manufacturers and others in the electronics industry continually looking for ways to reduce the size of integrated circuits that are used in electronic products. Hierfür wurden dreidimensionale integrierte Schaltkreis-Kapselungstechniken entwickelt und verwendet. For this three-dimensional integrated circuit packaging techniques have been developed and used.
  • Eine Kapselungstechnik, die entwickelt wurde, ist Package-on-Package, PoP, auch als Package-on-Package bezeichnet. An encapsulation technique that has been developed is package on package, PoP, also known as package on package. Wie der Name schon sagt, ist PoP eine Halbleiter-Kapselungsinnovation, bei der ein Package auf ein anderes Package gestapelt wird. As the name suggests, is a PoP semiconductor Kapselungsinnovation in which a package is stacked on another package. Eine PoP-Vorrichtung kann vertikal getrennte Speicher- und Logikgehäuse oder -packages kombinieren. A PoP device may combine vertically separate memory and logic housing or -packages.
  • Aus der From the US 2012/0181673 A1 US 2012/0181673 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bekannt, in dem zunächst ein Trägerstreifen aus Metall mit Kontaktpads vorläufig auf einem Träger befestigt wird. discloses a method for manufacturing a semiconductor device, in which firstly a carrier strip of metal is attached to contact pads on a provisional carrier. Anschließend werden Dies über dem Trägerstreifen gestapelt. This then be stacked on top of the carrier strip.
  • Aus der From the US 6452278 B1 US 6452278 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bekannt, in welchem Dies in einer Substratöffnung gestapelt werden. discloses a method for producing a semiconductor device in which this can be stacked in a substrate aperture.
  • Aus der From the US 2011/0287582 A1 US 2011/0287582 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Chipstapels bekannt, bei dem eine Platine mithilfe einer Vakuumadsorption auf einer Klebebühne fixiert und gehalten wird und ein Heizprozess ausgeführt wird, nachdem die Chips gestapelt wurden. discloses a method for producing a chip stack in which a circuit board is fixed using a vacuum adsorption on a bonding stage and held, and a heating process is performed after the chips were stacked.
  • Aus der From the WO 2008/129424 A2 WO 2008/129424 A2 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bekannt, bei dem eine dünne Beschichtung auf ein Fundament aufgebracht wird, das in einem späteren Prozessschritt entfernt wird. discloses a method for producing a semiconductor device in which a thin coating is applied onto a foundation, which is removed in a later process step.
  • Aus der From the US 2012/0032340 A1 US 2012/0032340 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses bekannt, bei dem ein Wafer auf einem Träger angebracht wird, der in einem späteren Prozessschritt entfernt wird. discloses a method for producing a housing in which a wafer is mounted on a support which is removed in a later process step.
  • Leider können herkömmliche Verfahren, die verwendet werden, um die PoP-Vorrichtungen herzustellen, es nicht ausreichend verhindern, dass sich die Gehäuse oder Packages verkrümmen oder verwerfen. Unfortunately, conventional methods can be used to prepare the PoP devices, it does not sufficiently prevent the casing or package warp or discard. Dies trifft besonders zu, wenn relativ dünne Dies, auch als Halbleiter-Plättchen oder Chips bezeichnet, oder integrierte Schaltkreise gestapelt werden. This is especially true when relatively thin this, also referred to as semiconductor chips or chips or integrated circuits are stacked.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Offenbarung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgende Beschreibung Bezug genommen, zusammen mit den beigefügten Zeichnungen, in denen: For a more complete understanding of the present disclosure and its advantages, reference is now made to the following description taken in conjunction with the accompanying drawings in which:
  • 1A 1A bis to 1I 1I insgesamt eine Ausführung eines Verfahrens zum Ausbilden einer PoP-Vorrichtung unter Verwendung eines Trägers darstellen, um Verwerfung in gestapelten Dies zu vermindern oder zu verhindern. representing a total of an embodiment of a method of forming a PoP device using a carrier in order to reduce distortion in the stacked or prevent this.
  • 2 2 stellt eine Schnittdarstellung einer Ausführung einer PoP-Vorrichtung dar, die mittels des Verfahrens der is a sectional view of an embodiment of a POP device by means of the method 1A 1A bis to 1I 1I ausgebildet wird; is formed;
  • 3 3 stellt eine Schnittdarstellung einer Ausführung einer PoP-Vorrichtung dar, die mittels des Verfahrens der is a sectional view of an embodiment of a POP device by means of the method 1A 1A bis to 1I 1I ohne jedes Füllmaterial ausgebildet wird; is formed without any filler material; und and
  • 4 4 stellt eine Schnittdarstellung einer Ausführung einer PoP-Vorrichtung dar, die mittels des Verfahrens der is a sectional view of an embodiment of a POP device by means of the method 1A 1A bis to 1I 1I ohne jede Verkleidung auf Seitenwänden des Substrats ausgebildet wird. is formed without any cladding on sidewalls of the substrate.
  • Entsprechende Bezugszeichen und Symbole in den verschiedenen Figuren beziehen sich im Allgemeinen auf entsprechende Teile, außer es ist anderweitig angezeigt. Corresponding numerals and symbols in the different figures generally refer to corresponding parts unless otherwise indicated. Die Figuren sind so gezeichnet, dass sie die relevanten Aspekte der Ausführungen klar darstellen, und sind nicht notwendigerweise im Maßstab gezeichnet. The figures are drawn to represent the relevant aspects of the precise wording, and are not necessarily drawn to scale.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEISPIELHAFTEN AUSFÜHRUNGEN DETAILED DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS
  • Die vorliegende Offenbarung wird mit Bezug auf die vorliegenden Ausführungen in einem spezifischen Kontext beschrieben, nämlich einer Package-on-Package-(PoP)-Halbleitervorrichtung. The present disclosure will be described with reference to the present embodiments in a specific context, namely a package-on-Package- (PoP) semiconductor device. Die Konzepte der Offenbarung können jedoch auch auf andere Halbleiterstrukturen oder -schaltkreise angewendet werden. However, the concepts of the disclosure may be applied to other semiconductor structures or -circuits.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1A 1A bis to 1I 1I , so wird eine Ausführung eines Verfahrens zum Ausbilden einer PoP-Vorrichtung , It is an embodiment of a method of forming a PoP device 10 10 ( ( 2 2 bis to 4 4 ) insgesamt dargestellt. ) Is shown as a whole. Wie in der Like in the 1A 1A gezeigt ist, wird Klebstoff As shown, adhesive is 12 12 oder ein anderes geeignetes Verbindungsmaterial auf einem Träger or other suitable bonding material on a support 14 14 abgelagert oder ausgebildet. deposited or formed. In einer Ausführung ist der Träger In one embodiment, the carrier is 14 14 aus Glas, Silizium, einem Material mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten oder einem anderen geeigneten Trägermaterial ausgebildet. formed of glass, silicon, a material having a low thermal expansion coefficient or other suitable carrier material. In der Tat ist der Träger In fact, the carrier is 14 14 im Allgemeinen ein Material mit hohem Elastizitätsmodul mit guter Steifigkeit. in general, a material with a high modulus of elasticity with good stiffness.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1B 1B , so ist ein Substrat So is a substrate 16 16 vorläufig auf dem Träger provisionally on the carrier 14 14 mittels des Klebstoffes by means of the adhesive 12 12 oder eines anderen geeigneten Verbindungsmaterials befestigt. fixed or other suitable bonding material. In einer Ausführung ist das Substrat In one embodiment, the substrate 16 16 ein organisches Substrat, ein Keramiksubstrat, ein Siliziumsubstrat, ein Glassubstrat oder ein Laminatsubstrat, das Metall-Verbindungen an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate or a laminate substrate, the metal compounds 18 18 oder Metallisierung aufweist oder trägt. or comprises or carries metallization. In einer Ausführung ist das Substrat In one embodiment, the substrate 16 16 aus einem Epoxid, einem Harz oder einem anderen Material ausgebildet. formed of an epoxy, resin or other material.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1C 1C , so wird erfindungsgemäß ein Drucktempern ausgeführt, nachdem das Substrat , A Drucktempern is carried out according to the invention, after the substrate 16 16 vorläufig auf dem Träger provisionally on the carrier 14 14 angebracht ist, wie in der is mounted, as in the 1B 1B gezeigt ist. is shown. Das Drucktempern verbiegt im Allgemeinen das Substrat The Drucktempern bends generally the substrate 16 16 hin zu dem Träger toward the carrier 14 14 . , Dies stellt sicher, dass das Substrat This ensures that the substrate 16 16 sicher, wenn auch vorläufig, an dem Träger safe, albeit tentatively, to the carrier 14 14 angebracht ist. is attached. Erfindungsgemäß wird das Drucktempern von According to the invention the Drucktempern of 1C 1C mittels eines Drucktemperdeckels by means of a Drucktemperdeckels 20 20 zusammen mit einer Erwärmung ausgeführt. performed together with heating. In einer Ausführung kann das Drucktempern später in dem Verfahren, das in den In one embodiment, the Drucktempern may later in the procedure in the 1A 1A bis to 1I 1I dargestellt ist, ausgeführt werden. is shown to be executed. Das Drucktempern kann beispielsweise auf einem Wafer, auf einer Platte, auf einer einzelnen Einheit oder auf mehreren Einheiten ausgeführt werden. The Drucktempern example, can be carried out on a wafer on a disc on a single unit or multiple units. Zusätzlich umfasst in einer Ausführung das Drucktempern nur erhöhten Druck ohne die Anwendung von Wärme. In addition, in one embodiment, the Drucktempern comprises only elevated pressure without the application of heat.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1D 1D , ist, nachdem der Drucktemperdeckel Is after the Drucktemperdeckel 20 20 von from 1C 1C entfernt wurde, ein erster Die was removed, a first die 22 22 an dem Substrat to the substrate 16 16 beispielsweise mittels Lötkugeln und entsprechenden Kontaktinseln angebracht. attached, for example by means of solder balls and corresponding contact pads. Der erste Die The first 22 22 kann Logikkomponenten (eine integrierte Logikschaltung, eine Analogschaltung etc.), eine Speicherkomponente usw. umfassen. can logic components (one logic integrated circuit, an analog circuit, etc.) include a memory component, etc.. Das Substrat the substrate 16 16 und/oder der Die and / or the 22 22 weisen im Allgemeinen einen Wärmeausdehnungskoeffizient auf, der von dem des Trägers generally have a coefficient of thermal expansion to that of the of the carrier 14 14 abweicht. differs. Wie unten ausführlicher erklärt ist, wird jede Verwerfung von beispielsweise Dies oder anderen Halbleiterstrukturen, die auf oder über dem Substrat As explained more fully below, any warp of this example or other semiconductor structures is on or above the substrate 16 16 gestapelt sind, verringert oder verhindert. are stacked, reduced or prevented.
  • Nach dem Anordnen des ersten Dies After placing the first die 22 22 kann ein Füllmaterial can a filler 24 24 zwischen dem ersten Die between the first die 22 22 und dem Substrat and the substrate 16 16 verteilt werden. are distributed. In einer Ausführung fehlt das Füllmaterial In one embodiment, the filling material is missing 24 24 zwischen dem ersten Die between the first die 22 22 und dem Substrat and the substrate 16 16 . ,
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1E 1E , so wird, nachdem der erste Die So, after the first, the 22 22 angebracht wurde, ein zweiter Die has been applied, a second The 26 26 über dem ersten Die on the first die 22 22 mittels beispielsweise Lötkugeln und entsprechenden Kontaktinseln angebracht. attached by means of, for example, solder balls and corresponding contact pads. Der zweite Die The second 26 26 kann Logikkomponenten (eine integrierte Logikschaltung, eine Analogschaltung etc.), eine Speicherkomponente usw. umfassen. can logic components (one logic integrated circuit, an analog circuit, etc.) include a memory component, etc.. Man beachte, dass das Stapeln des zweiten Dies Note that the stacking of the second die 26 26 auf dem ersten Die on the first die 22 22 im Allgemeinen die PoP-Vorrichtungen in general, the PoP devices 10 10 ausbildet. formed.
  • Nachdem der zweite Die After the second, the 26 26 angebracht wurde, wie in der has been applied, as in the 1E 1E gezeigt ist, kann ein Füllmaterial is shown, a filler material 24 24 zwischen dem zweiten Die between the second die 26 26 und dem ersten Die and the first die 22 22 verteilt werden. are distributed. In einer Ausführung fehlt das Füllmaterial In one embodiment, the filling material is missing 24 24 . , Wie unten ausführlicher erläutert wird, kann in einer Ausführung der zweite Die As will be explained in more detail below, may in an embodiment of the second die 26 26 gegenüber dem ersten Die relative to the first die 22 22 horizontal verschoben sein, so dass bei dem zweiten Die be moved horizontally so that when the second die 26 26 ein Überhang vorgesehen ist. an overhang is provided.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1F 1F , so wird, nachdem der zweite Die So, after the second die 26 26 angebracht wurde, eine Formmasse was attached to a molding composition 28 28 über beispielsweise freiliegenden Teilen des Substrats via, for example, exposed portions of the substrate 16 16 , des ersten Dies , The first die 22 22 und des zweiten Dies This and the second 26 26 ausgebildet. educated. In einer Ausführung ist die Formmasse In one embodiment, the molding compound 28 28 auch über dem Klebstoff also over the adhesive 12 12 , der auf dem Träger That on the carrier 14 14 und angrenzend an das Substrat and adjacent to the substrate 16 16 angeordnet ist, ausgebildet. Is arranged is formed. In einer Ausführung kapselt die Formmasse In one embodiment, the molding material encapsulates 28 28 im Allgemeinen den ersten und den zweiten Die in general the first and the second die 22 22 , . 26 26 . ,
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1G 1G , so wird, nachdem die Formmasse So, after the molding compound 28 28 über dem ersten und dem zweiten Die over the first and the second die 22 22 , . 26 26 ausgebildet wurde, ein Schleifverfahren ausgeführt, um einen oberen Teil der Formmasse a grinding process was formed, running around an upper part of the molding composition 28 28 zu entfernen. to remove. Wie gezeigt ist, kann das Schleifverfahren eine obere Fläche des zweiten Dies As shown, the grinding method, an upper surface of the second die 26 26 freilegen. uncover. In einer Ausführung kann das Schleifverfahren jedoch einen Teil oder eine dünne Schicht aus der Formmasse In one embodiment, however, the grinding process can be a part or a thin layer of the molding composition 28 28 über dem zweiten Die on the second die 26 26 stehen lassen. leave.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1H 1H , so wird, nachdem das Schleifverfahren ausgeführt wurde, die Baugruppe gewendet und ein Entbondungsverfahren ausgeführt, um den Träger So, after the grinding process has been performed, turning the module and executed a Entbondungsverfahren to the carrier 14 14 von dem Substrat of the substrate 16 16 zu entfernen. to remove. Zusätzlich wird ein Reinigungsverfahren ausgeführt, um den Klebstoff In addition, a cleaning process is performed to the adhesive 12 12 von dem Substrat of the substrate 16 16 und der Formmasse and the molding material 28 28 zu entfernen. to remove. Sobald das Entbondungs- und das Reinigungsverfahren ausgeführt wurden, sind Kontaktinseln von den Metallverbindungen Once the Entbondungs- and the cleaning procedures have been performed, contact islands are from the metal compounds 18 18 des Substrats of the substrate 16 16 freigelegt. exposed.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 1I 1I , so wird, nachdem das Entbondungs- und das Reinigungsverfahren ausgeführt wurden, ein Kugel-Befestigungsverfahren ausgeführt, um einen Array von Lötkugeln So, a ball mounting process is after the Entbondungs- and the purification process were carried out, carried out by an array of solder balls 30 30 auf den Kontaktinseln der Metallverbindungen on the contact pads of the metal compounds 18 18 des Substrats of the substrate 16 16 auszubilden. train. Zusätzlich wird ein Wafer-Zersägungsverfahren ausgeführt, um die PoP-Vorrichtungen In addition, a wafer Zersägungsverfahren is performed to the devices PoP 10 10 voneinander zu trennen. to separate. Wie in der Like in the 11 11 gezeigt ist, bedeckt nach dem Wafer-Zersägungsverfahren ein Anteil der Formmasse is shown covered by the wafer Zersägungsverfahren a portion of the molding composition 28 28 immer noch die Seitenwände still the side walls 32 32 des Substrats of the substrate 16 16 . , In einer Ausführung entfernt jedoch das Wafer-Zersägungsverfahren die Formmasse However, the wafer Zersägungsverfahren from the molding composition in an execution 28 28 von den Seitenwänden from the side walls 32 32 des Substrats of the substrate 16 16 . ,
  • Mit Bezug auf die Referring to the 2 2 ist eine Ausführung einer PoP-Vorrichtung is an embodiment of a device PoP 10 10 , die mittels einer Ausführung des Verfahrens ausgebildet wird, dargestellt. Which is formed by means of an embodiment of the method, is shown. Wie gezeigt ist, umfasst die PoP-Vorrichtung As is shown, the PoP device 10 10 einen ersten Die The first 22 22 , der auf das Substrat That on the substrate 16 16 gestapelt ist, und einen zweiten Die is stacked, and a second die 26 26 , der auf dem ersten Die That on the first die 22 22 gestapelt ist. is stacked. In einer Ausführung ist der zweite Die In one embodiment, the second die 26 26 bezogen auf den ersten Die relative to the first die 22 22 horizontal verschoben, so dass der zweite Die moved horizontally so that the second die 26 26 mit dem Überhang with the overhang 34 34 , der oben erwähnt wurde, vorgesehen ist. , Mentioned above, is provided.
  • In einer Ausführung ist das Füllmaterial In one embodiment, the filling material 24 24 sowohl zwischen dem Substrat both between the substrate 16 16 und dem ersten Die and the first die 22 22 als auch zwischen dem ersten Die as well as between the first die 22 22 und dem zweiten Die and the second die 26 26 angeordnet. arranged. In einer Ausführung ist das Füllmaterial In one embodiment, the filling material 24 24 nur zwischen dem Substrat only between the substrate 16 16 und dem ersten Die and the first die 22 22 angeordnet. arranged. In einer Ausführung ist das Füllmaterial In one embodiment, the filling material 24 24 nur zwischen dem ersten Die only between the first die 22 22 und dem zweiten Die and the second die 26 26 angeordnet. arranged. Zusätzlich wurde die Formmasse In addition, the molding compound was 28 28 der PoP-Vorrichtung the PoP device 10 10 um Teile des Substrats to portions of the substrate 16 16 , des ersten Dies , The first die 22 22 und des zweiten Dies This and the second 26 26 ausgebildet. educated. In einer Ausführung ist die Formmasse weggelassen. In one embodiment, the molding material is omitted.
  • Immer noch mit Bezug auf die Still referring to the 2 2 trägt das Substrat supporting the substrate 16 16 der PoP-Vorrichtung the PoP device 10 10 Metallverbindungen metal compounds 18 18 und/oder andere Verbindungsstrukturen (z. B. Unter-dem-Bondhügel-Metallisierung), die verwendet werden, um die Lötkugeln and / or other connecting structures (eg. B. Under-the bump metallization) which are used to solder balls 30 30 (dh das Kugel-Gitterarray) mit dem ersten Die (That is, the ball grid array) of the first die 22 22 elektrisch zu verbinden. be electrically connected. Die PoP-Vorrichtung The PoP device 10 10 kann auch andere Strukturen, Schichten oder Materialien umfassen, wie etwa Passivierungsschichten, Silizium-Durchkontaktierungen (Through Silicon Vias, TSVs), Aluminium-Kontaktstellen, Lötmittel usw. Other structures, layers, or materials may comprise, such as passivation layers, silicon vias (Through Silicon Vias, TSVs), aluminum pads, solder, etc.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 3 3 , so fehlt in einer Ausführung das Füllmaterial Lacking so in one embodiment, the filling material 24 24 der of the 2 2 in der PoP-Vorrichtung in the PoP device 10 10 ; ; es ist durch die Formmasse it is through the molding compound 28 28 ersetzt. replaced. Mit anderen Worten wirkt oder dient die Formmasse In other words, acts or serves the molding compound 28 28 in der Ausführung der PoP-Vorrichtung in the execution of the PoP device 10 10 von from 3 3 als ein Füllmaterial. as a filler.
  • Bezieht man sich jetzt auf die Referring now to the 4 4 , so ist in einer Ausführung die Formmasse , So in one embodiment, the molding composition 28 28 an den Seitenwänden on the side walls 32 32 des Substrats of the substrate 16 16 weggelassen oder entfernt. omitted or removed. Als ein Beispiel kann die Formmasse As an example, the molding compound 28 28 nicht auf den Seitenwänden not on the side walls 32 32 ausgebildet werden, wenn die Formmasse are formed when the molding material 28 28 während des Formverfahrens von during the molding process of 1F 1F abgelagert wird. is deposited. Mit anderen Worten wird verhindert, dass die Formmasse In other words, prevents the molding compound 28 28 auf den Seitenwänden on the side walls 32 32 ausgebildet wird. is formed. In einem anderen Beispiel kann die Formmasse In another example, the molding compound 28 28 von den Seitenwänden from the side walls 32 32 des Substrats of the substrate 16 16 mittels des Wafer-Zersägungsverfahrens von by means of the wafer of Zersägungsverfahrens 11 11 entfernt werden. be removed. Mit anderen Worten entfernt die Wafersäge die Formmasse In other words, the wafer saw from the molding compound 28 28 von den Seitenwänden from the side walls 32 32 . ,
  • Man sollte anerkennen, dass die Ausführungen der Verfahren und der PoP-Vorrichtung It should be appreciated that the embodiments of the method and apparatus of the PoP 10 10 viele Vorteile bieten. offer many advantages. In der Tat wird, indem der Träger In fact, by the carrier 14 14 während des Stapelns der Dies during the stacking of this 22 22 , . 26 26 verwendet wird, Verwerfung verringert oder verhindert, selbst wenn relativ dünne Dies gestapelt werden. is used, this stacking warp reduced or prevented even if relatively thin. Zusätzlich können mehrere Dies gestapelt werden, entweder mit oder ohne einen Überhang. In addition, more dies can be stacked, either with or without an overhang.
  • Eine Ausführung eines Verfahrens zum Ausbilden einer Package-on-Package-(PoP)-Vorrichtung umfasst das vorläufige Anbringen eines Substrats auf einem Träger, das Stapeln eines ersten Dies auf dem Substrat, wobei mindestens einer des Dies und des Substrats eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist, und das Stapeln eines zweiten Dies auf dem ersten Die. An embodiment of a method of forming a package-on-Package- (PoP) device comprises the preliminary mounting a substrate on a substrate, stacking a first die on the substrate, wherein at least one of the die and the substrate to a deviation of the coefficient of thermal expansion having the support, and stacking a second die on the first.
  • Eine Ausführung eines Verfahrens zum Ausbilden einer Package-on-Package-(PoP)-Vorrichtung umfasst das vorläufige Anbringen eines Substrats auf einem Träger, das Stapeln einer Mehrzahl von Dies über dem Substrat, wobei mindestens einer der Dies oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist, und das Entfernen des Trägers, nachdem die Mehrzahl von Dies gestapelt wurden. An embodiment of a method of forming a package-on-Package- (PoP) device comprises the preliminary mounting a substrate on a substrate, stacking a plurality of dies on the substrate, wherein at least one of the dies or the substrate is a deviation of the coefficient of thermal expansion having relative to the carrier, and removing the carrier after the majority were stacked from this.
  • Eine Ausführung eines Verfahrens zum Ausbilden einer Package-on-Package-(PoP)-Vorrichtung umfasst das vorläufige Anbringen eines Substrats an einem Träger, das Stapeln eines ersten Dies auf dem Substrat, wobei mindestens einer der Dies oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist, das Stapeln eines zweiten Dies auf dem ersten Die, wobei der zweite Die horizontal gegenüber dem ersten Die verschoben ist, so dass der zweite Die mit einem Überhang vorgesehen ist, und das Verteilen eines Füllmaterials zwischen dem ersten Die und dem Substrat und zwischen dem ersten Die und dem zweiten Die. An embodiment of a method of forming a package-on-Package- (PoP) device comprises the preliminary mounting a substrate on a support, the stacking of a first die on the substrate, wherein at least one of the dies or the substrate with respect to a deviation of the coefficient of thermal expansion having the support, the stacking of a second die on the first die, said second die horizontally towards the first die is moved so that the second die is provided with an overhang, and distributing a filler material between the first die and the substrate and between the first die and the second die.
  • Während diese Offenbarung mit Bezug auf beispielhafte Ausführungen beschrieben wurde, soll diese Beschreibung nicht in einem einschränkenden Sinn interpretiert werden. While this disclosure has been described with reference to exemplary embodiments, this description is not to be construed in a limiting sense. Verschiedene Änderungen und Kombinationen der beispielhaften Ausführungen sowie andere Ausführungen der Offenbarung werden dem Fachmann bei Bezugnahme auf die Beschreibung deutlich werden. Various modifications and combinations of the exemplary embodiments, as well as other embodiments of the disclosure, the skilled practitioner upon reference to the description will be apparent. Daher sollen die beigefügten Ansprüche alle solche Änderungen und Ausführungen umfassen. Therefore, the appended claims are intended to cover all such changes and modifications.

Claims (19)

  1. Verfahren zum Ausbilden einer Package-on-Package-(PoP)-Vorrichtung ( A method of forming a package-on-Package- (PoP) device ( 10 10 ), die Folgendes umfasst: vorläufiges Anbringen eines Substrats ( ), Comprising: attaching a temporary substrate ( 16 16 ) an einem Träger ( ) On a support ( 14 14 ); ); Stapeln eines ersten Dies ( Stacking a first die ( 22 22 ) auf dem Substrat, wobei mindestens der erste Die oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist; ) On the substrate, wherein at least the first die or the substrate having a difference of thermal expansion coefficient relative to the carrier; Stapeln eines zweiten Dies ( Stacking a second die ( 26 26 ) auf dem ersten Die; ) On the first die; und Ausführen eines Drucktemperns auf dem Substrat ( and executing a Drucktemperns on the substrate ( 16 16 ) mittels eines Drucktemperdeckels ( ) (By means of a Drucktemperdeckels 20 20 ), bevor der erste und der zweite Die gestapelt werden. ) Before the first and the second are stacked.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat ( The method of claim 1, wherein the substrate ( 16 16 ) aus einem organischen Substrat, einem Keramiksubstrat, einem Siliziumsubstrat, einem Glassubstrat oder einem Laminatsubstrat ausgebildet ist. ) Is formed of an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate or a laminate substrate.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Substrat ( The method of claim 1 or 2, wherein the substrate ( 16 16 ) aus einem Epoxid oder einem Harz ausgebildet ist. ) Is formed from an epoxy or a resin.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat ( Method according to one of the preceding claims, wherein the substrate ( 16 16 ) auf dem Träger mittels Klebstoff ( ) (On the carrier by means of adhesive 12 12 ) vorläufig angebracht wird. ) Is provisionally mounted.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiter das horizontale Verschieben des zweiten Dies ( Method according to one of the preceding claims, further (the horizontal displacement of the second die 26 26 ) gegenüber dem ersten Die ( ) Relative to the first die ( 22 22 ) umfasst, so dass der zweite Die mit einem Überhang ( ) Such that the second die (with an overhang 34 34 ) vorgesehen wird. is provided).
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiter das Verteilen eines Füllmaterials ( Method according to one of the preceding claims, further (the distribution of a filler material 24 24 ) nur zwischen dem ersten Die und dem Substrat umfasst. ) The first die and includes only between the substrate.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, das weiter das Verteilen eines Füllmaterials ( Method according to one of claims 1 to 5, further (the distribution of a filler material 24 24 ) nur zwischen dem ersten Die und dem zweiten Die umfasst. ) And the second comprises only between the first die, the.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, das weiter das Ausbilden einer Formmasse ( Method according to one of claims 2 to 7, further (forming a molding material 28 28 ) über freiliegenden Teilen des organischen Substrats, des ersten Dies und des zweiten Dies umfasst. ) Over exposed portions of the organic substrate, the first die and the second die.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, das weiter das Beibehalten von freiliegenden Teilen des organischen Substrats, des ersten Dies und des zweiten Dies ohne Formmasse darauf umfasst. Method according to one of claims 2 to 7, further comprising maintaining of exposed portions of the organic substrate, the first die and the second die includes, without molding composition thereon.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, das weiter das Entfernen eines Teils der Formmasse ( The method of claim 9, further (removing a portion of the molding composition 28 28 ) durch Schleifen umfasst. ) Comprises by grinding.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiter das Entfernen des Trägers ( Method according to one of the preceding claims, further (the removal of the carrier 14 14 ) umfasst, nachdem der zweite Die auf dem ersten Die gestapelt wurde. ) Comprises, after the second die on the first die has been stacked.
  12. Verfahren zum Ausbilden einer Package-on-Package(PoP)-Vorrichtung, die Folgendes umfasst: vorläufiges Anbringen eines Substrats ( A method of forming a package on package (PoP) device, comprising: attaching a temporary substrate ( 16 16 ) auf einem Träger ( ) On a carrier ( 14 14 ); ); Stapeln einer Mehrzahl von Dies ( Stacking a plurality of dies ( 22 22 , . 26 26 ) über dem Substrat, wobei mindestens einer der Mehrzahl von Dies ( ) Over the substrate, wherein at least one of the plurality (of this 22 22 , . 26 26 ) oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger aufweist; has), or the substrate is a deviation of the coefficient of thermal expansion relative to the support; Entfernen des Trägers, nachdem die Mehrzahl von Dies gestapelt wurde; Removing the carrier, after the plurality of stacked This was; und Ausführen eines Drucktemperns auf dem Substrat ( and executing a Drucktemperns on the substrate ( 16 16 ) mittels eines Drucktemperdeckels ( ) (By means of a Drucktemperdeckels 20 20 ), bevor ein erster Die und ein zweiter Die der Mehrzahl von Dies gestapelt werden. ) Before a first die and a second plurality of the stacked from this.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Substrat aus einem organischen Substrat, einem Keramiksubstrat, einem Siliziumsubstrat, einem Glassubstrat oder einem Laminatsubstrat ausgebildet ist. The method of claim 12, wherein the substrate is an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate or a laminate substrate is formed.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, das weiter das horizontale Verschieben eines der Dies gegenüber einem anderen der Dies umfasst, wenn die Dies gestapelt werden. The method of claim 12 or 13, further comprising horizontal shifting one of the dies relative to another, this, when the dies are stacked.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, das weiter das Verteilen eines Füllmaterials ( Method according to one of claims 12 to 14, further (the distribution of a filler material 24 24 ) nur zwischen dem Substrat und einem ersten der Dies, der dem Substrat am nächsten liegt, umfasst, nachdem die Dies gestapelt wurden. ), Comprises only between the substrate and a first of the dies, which is situated closest to the substrate, after the dies were stacked.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, das weiter das Verteilen eines Füllmaterials ( Method according to one of claims 12 to 14, further (the distribution of a filler material 24 24 ) nur zwischen den Dies umfasst, nachdem die Dies gestapelt wurden. ) Only covers between the dies after this were stacked.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, das weiter das Ausbilden einer Formmasse ( Method according to one of claims 12 to 16, further (forming a molding material 28 28 ) über freiliegenden Teilen des organischen Substrats und über den Dies umfasst. ) Over exposed portions of the organic substrate and the dies.
  18. Verfahren zum Ausbilden einer Package-on-Package(PoP)-Vorrichtung, das Folgendes umfasst: vorläufiges Anbringen eines Substrats ( A method of forming a package on package (PoP) device, comprising: attaching a temporary substrate ( 16 16 ) auf einem Träger ( ) On a carrier ( 14 14 ); ); Stapeln eines ersten Dies ( Stacking a first die ( 22 22 ) auf dem Substrat ( ) On the substrate ( 16 16 ), wobei mindestens der erste Die oder das Substrat eine Abweichung des Wärmeausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Träger ( ), Wherein at least the first die or substrate (a deviation of the coefficient of thermal expansion relative to the carrier 14 14 ) aufweist; ) having; Stapeln eines zweiten Dies ( Stacking a second die ( 26 26 ) auf dem ersten Die, wobei der zweite Die gegenüber dem ersten Die horizontal verschoben ist, so dass der zweite Die mit einem Überhang ( ) On the first die, the second die towards the first die is moved horizontally so that the second die (with an overhang 34 34 ) vorgesehen wird; is provided); Verteilen eines Füllmaterials ( Dispensing a filling material ( 24 24 ) zwischen dem ersten Die und dem Substrat und zwischen dem ersten Die und dem zweiten Die; ) Between the first die and the substrate and between the first die and the second die; und Ausführen eines Drucktemperns auf dem Substrat ( and executing a Drucktemperns on the substrate ( 16 16 ) mittels eines Drucktemperdeckels ( ) (By means of a Drucktemperdeckels 20 20 ), bevor der erste und der zweite Die gestapelt werden. ) Before the first and the second are stacked.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, das weiter das Ausbilden des Substrats aus einem organischen Substrat, einem Keramiksubstrat, einem Siliziumsubstrat, einem Glassubstrat oder einem Laminatsubstrat umfasst. The method of claim 18, further comprising forming the substrate from an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate or a laminate substrate.
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