DE102013012145A1 - Protein transistor based on anti-silicon antibody - Google Patents

Protein transistor based on anti-silicon antibody Download PDF

Info

Publication number
DE102013012145A1
DE102013012145A1 DE102013012145.0A DE102013012145A DE102013012145A1 DE 102013012145 A1 DE102013012145 A1 DE 102013012145A1 DE 102013012145 A DE102013012145 A DE 102013012145A DE 102013012145 A1 DE102013012145 A1 DE 102013012145A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
transistor
antibody
nanoparticles
doped silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102013012145.0A
Other languages
German (de)
Inventor
Auf Nichtnennung Antrag
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE102013012145.0A priority Critical patent/DE102013012145A1/en
Publication of DE102013012145A1 publication Critical patent/DE102013012145A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12Q—MEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • C12Q1/6869—Methods for sequencing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/761—Biomolecules or bio-macromolecules, e.g. proteins, chlorophyl, lipids or enzymes

Abstract

Für die Kombination integrierter Schaltkreise auf Wafern mit biologischen Molekülen (BioChips) ist die Kopplung der biologischen Moleküle an die Siliziumstrukturen der integrierten Schaltkreise von entscheidender Bedeutung. Grundlage der vorliegenden Erfindung ist ein Silizium basierter Wafer an den Antikörper binden, die gegen Silizium Nanopartikel gerichtet sind. Entsprechende Silizium Nanopartikel sind als Elektrodenmaterial an Source und Drain Elektrode von Feld-Effekt Transistoren auf dem Silizium Wafer aufgebracht und bilden zusammen mit dem biologischen Molekül (Antikörper) einen Protein Transistor.For the combination of integrated circuits on wafers with biological molecules (BioChips), the coupling of the biological molecules to the silicon structures of the integrated circuits is of crucial importance. Basis of the present invention is a silicon-based wafer bind to the antibodies that are directed against silicon nanoparticles. Corresponding silicon nanoparticles are applied as electrode material to source and drain electrodes of field effect transistors on the silicon wafer and together with the biological molecule (antibody) form a protein transistor.

Description

Die Kopplung von biologischem Molekül und integriertem Schaltkreis auf Siliziumbasis ist entscheidend für die Konstruktion von Bio-Chips. Mit diesen Bio-Chips können die Konzentrationen von Substanzen in biologischen Materialien (z. B. Vollblut oder Serum) bestimmt werden. Außerdem eignen sich solche Bio-Chips zur Bestimmung der DNA-Sequenz (zur DNA-Sequenzierung). Dies gelingt, indem die Leitfähigkeit der biologischen Moleküle mittels der Schaltungen des integrierten Schaltkreises gemessen wird. Zu diesem Zweck ist der Kontakt zwischen Schaltkreis auf Silizium Basis und biologischem Molekül von entscheidender Bedeutung.The coupling of biological molecule and silicon-based integrated circuit is critical to the design of bio-chips. With these bio-chips, the concentrations of substances in biological materials (eg whole blood or serum) can be determined. In addition, such bio-chips are suitable for determining the DNA sequence (for DNA sequencing). This is achieved by measuring the conductivity of the biological molecules by means of the circuits of the integrated circuit. For this purpose, the contact between silicon-based circuit and biological molecule is of crucial importance.

Hier wird folgende Lösung des Problems des Kontakts zwischen Silizium auf der einen Seite und biologischem Molekül auf der anderen Seite beschrieben: Durch den Einsatz von Anti-Silizium Antikörpern kann eine feste und stabile Verbindung von biologischem Molekül und elektonischem Schaltkreis erreicht werden. Die Antikörper können dabei durch Immunisierung eines Tieres mittels Silizium Nanopartikel erzeugt werden. Eine weitere Möglichkeit zur Erzeugnung der Antikörper liegt in der Produktion monoklonaler Antikörper mittels Hybridomazellen. Durch Kopplung eines Anti-Silizium Antikörpers an einen weiteren Antikörper kann dieser bivalente Antikörper Komplex dann verwendet werden um Konzentrationen von Analyten direkt elektronisch zu bestimmen. Durch Kopplung eines Anti-Silizium-Antikörers an eine DNA-Polymerase kann der Komplex aus Anti-Silizium Antikörper und DNA-Polymerase verwendet werden um die Sequenz von DNA zu bestimmen. Zu diesem Zeck werden die Antikörper-Antikörper Konjugate bzw. die Polymerase Antikörper Konjugate in einem Mikrochip mit Silizium-Nanopartikeln oder Silizium Nanopartikel ähnlichen Strukturen als Kopplungsstellen für die Einbindung des biologischen Komplexes in die Transistoren auf einem Mikrochip eingesetzt. Das neue an der hier vorgestellten Erfindung liegt in der Art des Kontakts zwischen biologischem Molekül (Antikörper) und Elektrode des Transistors. Dabei kommen entsprechend vorliegender Erfindung dotierte Silizium Nanopartikel oder diesen ähnliche Siliziumstrukturen auf der einen Seite und Anti-Silizium Antikörper auf der anderen Seite zur Anwendung. Dies hat den Vorteil der einfachen technischen Realisierbarkeit. Außerdem kann der resultierende Chip in wässriger Umgebung eingesetzt werden. Dies ist von einiger Bedeutung beim geplanten Einsatz zum Messen biologischer Stoffmengen-Konzentrationen. Damit es nicht zu unerwünschten Kurzschlüssen kommt, aber auch damit es nicht zu ungewünschten und unspezifischen Bindungen der Antikörper an die Silizium Oberfläche des Chips kommt, wird der Chip an allen nicht bindenenden Oberflächen mit einer Schicht Siliziumdioxid überzogen. Der Siliziumdioxid Überzug erfüllt dabei zwei Funktionen auf einmal: Zum Einen verhindert er unspezifische Bindungen der Anti-Silizium Antikörper und zum Anderen ermöglicht der Überzug das Eintauchen oder Benetzen des Chips mit wässriger Lösung, was wesentliche Vorraussetzung ist für ein effektives Messen einer biologischen Stoffmengenkonzentration oder für ein effektives Sequenzieren der DNA. Damit ein leitfähiger Kontakt zwischen biologischem Molekül einerseits und Silizium-Chip andererseits zustande kommt, muss das Silizium des Elektroden Materials dotiert sein. Auf diese Weise wird sichergestellt, daß eine leitfähige Verbindung zwischen Schaltkreis und biologischem Molekül besteht.Here, the following solution to the problem of contact between silicon on the one hand and biological molecule on the other hand is described: By using anti-silicon antibodies, a firm and stable connection of biological molecule and electronic circuit can be achieved. The antibodies can be generated by immunizing an animal using silicon nanoparticles. Another possibility for generating the antibodies is the production of monoclonal antibodies by means of hybridoma cells. By coupling an anti-silicon antibody to another antibody, this bivalent antibody complex can then be used to directly determine concentrations of analytes electronically. By coupling an anti-silicon antibody to a DNA polymerase, the complex of anti-silicon antibody and DNA polymerase can be used to determine the sequence of DNA. For this purpose, the antibody-antibody conjugates or the polymerase antibody conjugates are used in a microchip with silicon nanoparticles or silicon nanoparticle-like structures as coupling sites for the integration of the biological complex into the transistors on a microchip. The new feature of the present invention is the nature of the contact between the biological molecule (antibody) and the electrode of the transistor. In this case, according to the present invention, doped silicon nanoparticles or similar silicon structures on one side and anti-silicon antibodies on the other side are used. This has the advantage of simple technical feasibility. In addition, the resulting chip can be used in an aqueous environment. This is of some importance in the planned use for measuring biological substance concentrations. So that it does not come to unwanted short circuits, but also so that it does not come to unwanted and unspecific binding of the antibodies to the silicon surface of the chip, the chip is coated on all non-bonding surfaces with a layer of silicon dioxide. The silicon dioxide coating fulfills two functions at once: On the one hand, it prevents non-specific binding of the anti-silicon antibodies and on the other hand, the coating allows the immersion or wetting of the chip with aqueous solution, which is essential for the effective measurement of a biological molar concentration or an effective sequencing of the DNA. For a conductive contact between biological molecule on the one hand and silicon chip on the other hand, the silicon of the electrode material must be doped. This ensures that there is a conductive connection between the circuit and the biological molecule.

Beschreibung der Zeichnungen/schematischen AbbildungenDescription of the drawings / schematic illustrations

  • 1) Die Abbildung zeigt schematisch einen Anti-Silizium Antikörper, der an die Elektroden eines integrierten Schaltkreises gebunden hat.1) The figure shows schematically an anti-silicon antibody bound to the electrodes of an integrated circuit.
  • 2) Die Abbildung zeigt schematisch einen Anti-Silizium Antikörper, der an die Elektroden eines integrierten Schaltkreises gebunden hat. An diesen Antikörper ist wieder ein zweiter Antikörper kovalent gebunden, der aufgrund seiner Spezifität die Analyt Moleküle detektieren kann.2) The figure shows schematically an anti-silicon antibody bound to the electrodes of an integrated circuit. Again, a second antibody is covalently bound to this antibody, which due to its specificity can detect the analyte molecules.
  • 3) Die Abbildung zeigt schematisch einen Anti-Silizium Antikörper, der an die Elektroden eines integrierten Schaltkreises gebunden hat. An diesen Antikörper wiederum ist DNA-Polymerase kovalent gebunden. Auf diese Weise wird es möglich die Aktivität der DNA-Polymerase zu verfolgen.3) The figure shows schematically an anti-silicon antibody bound to the electrodes of an integrated circuit. In turn, DNA polymerase is covalently bound to this antibody. In this way it becomes possible to follow the activity of the DNA polymerase.

Claims (10)

Ein Transistor zum Einbau auf einem integrieten Schaltkreis, gekennzeichnet dadurch, daß der zu messende Stromfluß des Transistors durch ein biologisches Molekül hindurch stattfindet, welches mittels dotierten Silizium Nanopartikeln oder diesen ähnlichen dotierten Silizium Strukturen an die Oberfläche des Transistors gebunden wird.A transistor for incorporation on an integrated circuit, characterized in that the current flow of the transistor to be measured takes place through a biological molecule which is bound to the surface of the transistor by means of doped silicon nanoparticles or similar doped silicon structures. Ein FET-Transistor (Feld-Effekt-Transistor), gekennzeichnet dadurch, dass sich das biologische Molekül zwischen Source- und Drain-Elektrode des betreffenden Transistors befindet, wobei die Kontakte zwischen Source- bzw. Drain-Elektrode und biologischem Molekül jeweils von dotierten Silizium Nanopartikeln oder diesen ähnlichen dotierten Silizium Strukturen auf der Oberfläche des Transistors gebildet werden.An FET transistor (field-effect transistor), characterized in that the biological molecule is located between the source and drain of the transistor in question, wherein the contacts between the source and drain electrode and biological molecule of each doped silicon Nanoparticles or these similar doped silicon structures are formed on the surface of the transistor. Ein Transistor entsprechend Schutzanspruch 1 und 2, zusätzlich dadurch gekennzeichnet, dass sich ein Anti-Silizium Antikörper als biologisches Molekül zwischen Source und Drain-Elektrode des Transistors befindet, und zwar mit einem Fab Fragment an der Source-Elektrode und mit dem anderen Fab-Fragment des Antikörpers an der Drain Elektrode gebunden, wobei die Kontakte zwischen Source- bzw. Drain-Elektrode und Antikörper jeweils wieder von dotierten Silizium Nanopartikel gebildet werden.A transistor according to protection claim 1 and 2, additionally characterized in that an anti-silicon antibody is located as a biological molecule between the source and drain of the transistor, with a Fab fragment at the source electrode and with the other Fab fragment of the antibody at the drain electrode bonded, wherein the contacts between the source and drain electrodes and antibodies are each again formed by doped silicon nanoparticles. Ein Transistor bzw. mehrere Transistoren entsprechend Schutzanspruch 1 und 2, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß die Kontakte zwischen Siliziumwafer und dem biologischen Molekül durch Anti-Silizium-Antikörper vermittelt werden, die an entsprechenden Silizium-Nanopartikeln oder an diesen ähnlichen Siliziumstrukturen auf der Oberfläche des Siliziumchips binden.A transistor or a plurality of transistors according to protection claims 1 and 2, additionally characterized in that the contacts between the silicon wafer and the biological molecule are mediated by anti-silicon antibodies on corresponding silicon nanoparticles or on these similar silicon structures on the surface of the silicon chip tie. Ein Wafer mit Transistoren zum Einbau auf einem integrierten Schaltkreis nach Schutzanspruch 1, 2, 3 und 4, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß alle nicht Antikörper-bindenden Bereiche der Oberfläche des Wafers mittels einer Siliziumdioxid-Schicht elektrisch und auch gegenüber elektrolythaltiger Flüssigkeit vollständig isoliert sind.A wafer with transistors for installation on an integrated circuit according to protection claims 1, 2, 3 and 4, additionally characterized in that all non-antibody-binding areas of the surface of the wafer are completely isolated by means of a silicon dioxide layer electrically and also to electrolyte-containing liquid. Ein Transistor entsprechend den Schutzansprüchen 1 bis 4, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß Gate und Source-Elektroden durch n-dotierte Silizium Nanopartikel gebildet werden und daß entsprechende Anti-n dotierte Silizium Nanopartikel Antikörper gegen diese n-dotierten Nanopartikel zur Anwendung kommen.A transistor according to the claims 1 to 4, additionally characterized in that the gate and source electrodes are formed by n-doped silicon nanoparticles and that corresponding anti-n doped silicon nanoparticle antibodies are used against these n-doped nanoparticles. Ein Transistor entsprechend den Schutzansprüchen 1 bis 4, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß die Gate und Source-Elektroden durch p-dotierte Silizium Nanopartikel gebildet werden und daß entsprechende Anti-p dotierte Silizium Nanopartikel Antikörper gegen diese p-dotierten Nanopartikel zur Anwendung kommen.A transistor according to the claims 1 to 4, additionally characterized in that the gate and source electrodes are formed by p-doped silicon nanoparticles and that corresponding anti-p doped silicon nanoparticle antibodies are used against these p-doped nanoparticles. Ein Transistor entsprechend den Schutzansprüchen 1 bis 4, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß Gate und Source-Elektroden durch n- oder p-dotierte Silizium Nanopartikel gebildet werden und daß Anti-Silizium Nanopartikel Antikörper zur Anwendung kommen.A transistor according to the protection claims 1 to 4, additionally characterized in that the gate and source electrodes are formed by n- or p-doped silicon nanoparticles and that anti-silicon nanoparticle antibodies are used. Ein Apparat entsprechend den Schutzansprüchen 1 bis 7, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß an den Anti-Silizium-Nanopartikel Antikörper jeweils ein weiterer Antikörper kovalent gebunden wurde, um auf diese Weise mit dem Apparat die Konzentation von Proteinen zu bestimmen.An apparatus according to the claims 1 to 7, additionally characterized in that in each case a further antibody was covalently bound to the anti-silicon nanoparticle antibody, in order to determine in this way with the apparatus the concentration of proteins. Ein Apparat entsprechend den Schutzansprüchen 1 bis 7, zusätzlich gekennzeichnet dadurch, daß an den Anti-Silizium-Nanopartikel Antikörper eine DNA-Polymerase kovalent gebunden wurde, um auf diese Weise mit dem Apparat DNA zu sequenzieren.An apparatus according to claims 1 to 7, further characterized in that a DNA polymerase has been covalently bound to the anti-silicon nanoparticle antibody so as to sequence DNA with the apparatus.
DE102013012145.0A 2013-07-20 2013-07-20 Protein transistor based on anti-silicon antibody Pending DE102013012145A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013012145.0A DE102013012145A1 (en) 2013-07-20 2013-07-20 Protein transistor based on anti-silicon antibody

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013012145.0A DE102013012145A1 (en) 2013-07-20 2013-07-20 Protein transistor based on anti-silicon antibody

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013012145A1 true DE102013012145A1 (en) 2015-01-22

Family

ID=52131158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013012145.0A Pending DE102013012145A1 (en) 2013-07-20 2013-07-20 Protein transistor based on anti-silicon antibody

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102013012145A1 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018200687A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
JP2019503485A (en) * 2016-01-14 2019-02-07 ロズウェル バイオテクノロジーズ，インコーポレイテッド Molecular sensors and related methods
US10508296B2 (en) 2017-04-25 2019-12-17 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
US10526696B2 (en) 2016-07-26 2020-01-07 Roswell Biotechnologies, Inc. Multi-electrode molecular sensing devices and methods of making the same
US10597767B2 (en) 2016-02-22 2020-03-24 Roswell Biotechnologies, Inc. Nanoparticle fabrication
US10648941B2 (en) 2017-05-09 2020-05-12 Roswell Biotechnologies, Inc. Binding probe circuits for molecular sensors
US10712334B2 (en) 2016-01-28 2020-07-14 Roswell Biotechnologies, Inc. Massively parallel DNA sequencing apparatus
US10737263B2 (en) 2016-02-09 2020-08-11 Roswell Biotechnologies, Inc. Electronic label-free DNA and genome sequencing
US10902939B2 (en) 2017-01-10 2021-01-26 Roswell Biotechnologies, Inc. Methods and systems for DNA data storage
US11100404B2 (en) 2017-10-10 2021-08-24 Roswell Biotechnologies, Inc. Methods, apparatus and systems for amplification-free DNA data storage
US11624725B2 (en) 2016-01-28 2023-04-11 Roswell Blotechnologies, Inc. Methods and apparatus for measuring analytes using polymerase in large scale molecular electronics sensor arrays
US11656197B2 (en) 2017-01-19 2023-05-23 Roswell ME Inc. Solid state sequencing devices comprising two dimensional layer materials

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019503485A (en) * 2016-01-14 2019-02-07 ロズウェル バイオテクノロジーズ，インコーポレイテッド Molecular sensors and related methods
EP3403079A4 (en) * 2016-01-14 2019-09-04 Roswell Biotechnologies, Inc Molecular sensors and related methods
JP7109785B2 (en) 2016-01-14 2022-08-01 ロズウェル バイオテクノロジーズ，インコーポレイテッド Molecular sensors and related methods
US10712334B2 (en) 2016-01-28 2020-07-14 Roswell Biotechnologies, Inc. Massively parallel DNA sequencing apparatus
US11448639B2 (en) 2016-01-28 2022-09-20 Roswell Biotechnologies, Inc. Massively parallel DNA sequencing apparatus
US11624725B2 (en) 2016-01-28 2023-04-11 Roswell Blotechnologies, Inc. Methods and apparatus for measuring analytes using polymerase in large scale molecular electronics sensor arrays
US11440003B2 (en) 2016-02-09 2022-09-13 Roswell Biotechnologies, Inc. Electronic label-free DNA and genome sequencing
US10737263B2 (en) 2016-02-09 2020-08-11 Roswell Biotechnologies, Inc. Electronic label-free DNA and genome sequencing
US10597767B2 (en) 2016-02-22 2020-03-24 Roswell Biotechnologies, Inc. Nanoparticle fabrication
US10584410B2 (en) 2016-07-26 2020-03-10 Roswell Biotechnologies, Inc. Multi-electrode molecular sensing devices and methods of making the same
US10526696B2 (en) 2016-07-26 2020-01-07 Roswell Biotechnologies, Inc. Multi-electrode molecular sensing devices and methods of making the same
US10902939B2 (en) 2017-01-10 2021-01-26 Roswell Biotechnologies, Inc. Methods and systems for DNA data storage
US11656197B2 (en) 2017-01-19 2023-05-23 Roswell ME Inc. Solid state sequencing devices comprising two dimensional layer materials
EP3615685A4 (en) * 2017-04-25 2021-01-20 Roswell Biotechnologies, Inc Enzymatic circuits for molecular sensors
US11268123B2 (en) 2017-04-25 2022-03-08 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
US10913966B2 (en) 2017-04-25 2021-02-09 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
WO2018200687A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
US10508296B2 (en) 2017-04-25 2019-12-17 Roswell Biotechnologies, Inc. Enzymatic circuits for molecular sensors
US11143617B2 (en) 2017-05-09 2021-10-12 Roswell Biotechnologies, Inc. Binding probe circuits for molecular sensors
US10648941B2 (en) 2017-05-09 2020-05-12 Roswell Biotechnologies, Inc. Binding probe circuits for molecular sensors
US11100404B2 (en) 2017-10-10 2021-08-24 Roswell Biotechnologies, Inc. Methods, apparatus and systems for amplification-free DNA data storage

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013012145A1 (en) Protein transistor based on anti-silicon antibody
Choi et al. Integration of field effect transistor-based biosensors with a digital microfluidic device for a lab-on-a-chip application
US10309921B2 (en) Label-free electrochemical biosensor
DE602005001367T2 (en) Apparatus and method for measuring biological material
EP1786927B1 (en) Device and method for the detection of charged macromolecules
JP2019501383A (en) Methods and systems for sensing with modified nanostructures
Zörgiebel et al. Schottky barrier-based silicon nanowire pH sensor with live sensitivity control
DE10163557B4 (en) Transistor-based sensor with specially designed gate electrode for high-sensitivity detection of analytes
EP2286227B1 (en) Method for detecting chemical or biological species and device for carrying out the method
Pud et al. Liquid and back gate coupling effect: Toward biosensing with lowest detection limit
DE102012216497A1 (en) Electronic sensor device for detecting chemical or biological species, microfluidic device with such a sensor device and method for producing the sensor device and method for producing the microfluidic device
JP2009533689A5 (en)
Fernandes et al. SPICE macromodel of silicon-on-insulator-field-effect-transistor-based biological sensors
CN108957007B (en) Biosensor combining dialysis device and silicon nanowire field effect transistor
Varghese et al. Fabrication and charge deduction based sensitivity analysis of GaN MOS-HEMT device for glucose, MIG, C-erbB-2, KIM-1, and PSA detection
Balakrishnan et al. Polysilicon nanogap lab-on-chip facilitates multiplex analyses with single analyte
DE102007043132B4 (en) Biosensor and method for measuring a concentration of an analyte in a medium
Islam et al. Graphene-based electrolyte-gated field-effect transistors for potentiometrically sensing neuropeptide Y in physiologically relevant environments
Rollo et al. High aspect ratio fin-ion sensitive field effect transistor: Compromises toward better electrochemical biosensing
Khamaisi et al. Electrical performance of silicon-on-insulator field-effect transistors with multiple top-gate organic layers in electrolyte solution
Lee et al. Nanowire size dependence on sensitivity of silicon nanowire field-effect transistor-based pH sensor
Singh et al. Breast-cancer biomarker (C-erbB-2) detection in saliva/serum based on InGaAs/Si heterojunction dopingless TFET biosensor
DE112011100324B4 (en) Measuring biomolecules and charged ions in an electrolyte
DE112013004201T5 (en) ion sensor
Knopfmacher Sensing with silicon nanowire field-effect transistors

Legal Events

Date Code Title Description
R086 Non-binding declaration of licensing interest
R012 Request for examination validly filed
R084 Declaration of willingness to licence