DE102013008025A1 - Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use - Google Patents

Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use Download PDF

Info

Publication number
DE102013008025A1
DE102013008025A1 DE102013008025.8A DE102013008025A DE102013008025A1 DE 102013008025 A1 DE102013008025 A1 DE 102013008025A1 DE 102013008025 A DE102013008025 A DE 102013008025A DE 102013008025 A1 DE102013008025 A1 DE 102013008025A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal oxide
gas
structured metal
defect structures
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102013008025.8A
Other languages
German (de)
Inventor
Dong Wang
Yong Yan
Ge Chen
Peter Schaaf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Ilmenau
Original Assignee
Technische Universitaet Ilmenau
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Ilmenau filed Critical Technische Universitaet Ilmenau
Priority to DE102013008025.8A priority Critical patent/DE102013008025A1/en
Publication of DE102013008025A1 publication Critical patent/DE102013008025A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

Mit der vorliegenden Erfindung soll ein verbessertes und effizienteres Verfahren zur Generierung gezielter Defektstrukturen in einem strukturierten Metalloxid bereitgestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf einer Temperaturbehandlung des strukturierten Metalloxids in entsprechenden Gasatmosphären bei relativ niedrigen Temperaturen, wobei der Behandlungserfolg durch die chemische Aktivierung des Gases (Dissoziation, Ionisation) bewirkt wird. Die Aktivierung des Gases ist mit verschiedenen Methoden realisierbar. Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandeltes Metalloxid kann z. B. als Elektrodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien, Superkondensatoren oder Farbstoffsolarzellen, als Katalysatormaterial für die Photo- oder Elektrokatalyse oder als aktives Material für elektrochemische Sensoren verwendet werden.The present invention is intended to provide an improved and more efficient method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide. The method according to the invention is based on a temperature treatment of the structured metal oxide in corresponding gas atmospheres at relatively low temperatures, the success of the treatment being brought about by the chemical activation of the gas (dissociation, ionization). The activation of the gas can be implemented using various methods. A metal oxide treated by the process of the invention can, for. B. can be used as electrode material for lithium-ion batteries, supercapacitors or dye solar cells, as catalyst material for photo or electrocatalysis or as an active material for electrochemical sensors.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Generierung gezielter Defektstrukturen in einem strukturierten Metalloxid und dessen Verwendung als effizientes Elektrodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien, Superkondensatoren oder Farbstoffsolarzellen, als Katalysatormaterial für die Photokatalyse (Degradierung von Farbstoffen und Wasserspaltung) oder Elektrokatalyse (Brennstoffzelle) sowie als aktive Materialien für elektrochemische Sensoren. Unter einem strukturierten Metalloxid ist hierbei ein in einer, zwei oder drei Dimensionen strukturiertes Metalloxid zu verstehen (Kugeln, Drähte, Schichten, strukturierte Oberflächen, etc.), wobei die Strukturierungsgröße vom Dezimeter- bis in den Nanometerbereich reichen kann.The present invention relates to a method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use as an efficient electrode material for lithium-ion batteries, supercapacitors or dye solar cells, as a catalyst material for photocatalysis (degradation of dyes and water splitting) or electrocatalysis (fuel cell) and as active materials for electrochemical sensors. A structured metal oxide is to be understood as meaning a metal oxide structured in one, two or three dimensions (spheres, wires, layers, structured surfaces, etc.), wherein the structuring size can range from the decimeter to the nanometer range.

Nanostrukturierte (Nanoteilchen, Nanodrähte, Nanoröhren, etc.) Metalloxide (TiO2, ZnO, SnO2, MnO2, WO3, usw.) haben wegen ihres weithin möglichen Einsatzes als Energiematerialien große Aufmerksamkeit auf sich gezogen [1]. Allerdings sind ihre elektrochemischen und photokatalytischen Leistungen durch die niedrige intrinsische elektrische Leitfähigkeit und begrenzte optische Absorption stark gehemmt [2]. Viele Studien versuchten deshalb, die elektrische Leitfähigkeit solcher Metalloxide durch die Modifizierung ihrer Morphologie oder die Kombination mit leitenden Materialien zu verbessern [3]. Auf der anderen Seite sind elementare Dotierung und Kombination mit Halbleitern kleiner Bandlücke mögliche Methoden zur Erhöhung der optischen Absorption [4]. Kürzlich vorgestellte Wasserstoff-Behandlungen von Metalloxiden (Tempern in H2 oder H2-haltigem Gas) sind eine neue Strategie [5], die die Bildung von Sauerstoff-Fehlstellen auf der Oberfläche des Metalloxids induzieren und ihre elektrochemischen und photokatalytischen Eigenschaften verbessern können [6]. Leider sind diese Methoden instabil, sehr komplex, und teilweise sogar gefährlich. Außerdem sind teure Additive, hohe Temperaturen, oder eine lange Prozesszeit nötig. Darüber hinaus haben die Produkte, die durch solches Tempern hergestellt werden, meistens eine limitierte Qualität.Nanostructured (nanoparticles, nanowires, nanotubes, etc.) Metal oxides (TiO 2 , ZnO, SnO 2 , MnO 2 , WO 3 , etc.) have received much attention because of their widespread use as energy materials [1]. However, their electrochemical and photocatalytic performance is strongly inhibited by their low intrinsic electrical conductivity and limited optical absorption [2]. Many studies have therefore attempted to improve the electrical conductivity of such metal oxides by modifying their morphology or combining them with conducting materials [3]. On the other hand, elemental doping and combination with small-band-gap semiconductors are possible methods for increasing the optical absorption [4]. Recently proposed hydrogen treatment of metal oxides (annealing in H 2 or H 2 -containing gas) is a new strategy [5] that can induce the formation of oxygen vacancies on the surface of the metal oxide and improve its electrochemical and photocatalytic properties [6 ]. Unfortunately, these methods are unstable, very complex, and sometimes even dangerous. In addition, expensive additives, high temperatures, or a long process time are needed. In addition, the products that are produced by such tempering usually have a limited quality.

Daneben ist aus der US 2012/0282733 A1 ein Verfahren zur Einstellung der Bandlücke von Metalloxiden als Halbleitermaterial durch eine Plasmabehandlung bekannt. Dieses Verfahren hat eine große Bedeutung für die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen.Besides that is from the US 2012/0282733 A1 a method for adjusting the band gap of metal oxides as a semiconductor material by a plasma treatment known. This process is of great importance for the manufacture of semiconductor devices.

Die aus dem Stand der Technik bekannten und oben erwähnten Verfahren zur Modifikation der elektrochemischen und photokatalytischen Eigenschaften von Metalloxiden sind für eine großtechnologische Produktion ungeeignet.The methods known from the prior art and mentioned above for modifying the electrochemical and photocatalytic properties of metal oxides are unsuitable for large-scale production.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, die Nachteile aus dem Stand der Technik zu überwinden und ein verbessertes und effizienteres Verfahren zur Generierung gezielter Defektstrukturen in einem strukturierten Metalloxid bereitzustellen.The object of the present invention is therefore to overcome the disadvantages of the prior art and to provide an improved and more efficient method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide.

Erfindungsgemäß gelingt die Lösung dieser Aufgabe mit den Merkmalen des ersten Patentanspruchs. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.According to the invention, the solution of this problem succeeds with the features of the first patent claim. Advantageous embodiments of the method according to the invention are specified in the subclaims.

Mit der vorliegenden Erfindung wird ein neuartiges Verfahren zur Generierung gezielter Defektstrukturen in einem strukturierten Metalloxid vorgestellt, welche die elektrochemischen und photokatalytischen Eigenschaften des Metalloxids durch eine erhöhte elektrische Leitfähigkeit und erhöhte optische Absorption verbessern. Die Defektstrukturen werden durch Behandlung des Metalloxids mit energetisch aktivierten Gasen (z. B. H2, O2, N2, oder auch gemischte Gase) induziert. Zur Veranschaulichung zeigt 1 die stark erhöhte Absorption eines mit einem aktivierten Gas behandelten TiO2 (Schwarzpulver) im Vergleich mit einem unbehandelten TiO2 (weißes Pulver). Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf einer Temperaturbehandlung in entsprechenden Gasatmosphären (hier Wasserstoff) bei relativ niedrigen Temperaturen (hier ca. 300°C), wobei der Behandlungserfolg durch die chemische Aktivierung des Gases (Dissoziation, Ionisation) bewirkt wird (hier mittels einer induktiv-eingekoppelten Plasmabildung). Die Aktivierung des Gases ist aber auch mit anderen Methoden realisierbar (z. B. Röntgen-, UV, oder Mikrowellen-Strahlung).With the present invention, a novel method for the generation of targeted defect structures in a structured metal oxide is presented, which improves the electrochemical and photocatalytic properties of the metal oxide by increased electrical conductivity and increased optical absorption. The defect structures are induced by treatment of the metal oxide with energetically activated gases (eg H 2 , O 2 , N 2 , or else mixed gases). To illustrate shows 1 the greatly increased absorption of an activated gas treated TiO 2 (black powder) compared to an untreated TiO 2 (white powder). The inventive method is based on a temperature treatment in corresponding gas atmospheres (here hydrogen) at relatively low temperatures (here about 300 ° C), the treatment success by the chemical activation of the gas (dissociation, ionization) is effected (here by means of an inductively coupled plasma formation). The activation of the gas can also be achieved by other methods (eg X-ray, UV or microwave radiation).

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren gelingt z. B. eine sehr effiziente Synthese von schwarzem TiO2 (Schwarzpulver). Letzteres kann insbesondere als Anodenmaterial für Lithium-Ionen-Akkumulatoren verwendet werden, da es im Vergleich mit unbehandelten TiO2 eine sehr hohe Leistungskapazität (schnelle Auf- und Entladung) und Zyklenstabilität aufweist. Außerdem ist Titandioxid (TiO2) ungiftig und preiswert.With the method according to the invention succeed z. For example, a very efficient synthesis of black TiO 2 (black powder). The latter can be used in particular as an anode material for lithium-ion batteries, since it has a very high power capacity (fast charge and discharge) and cycle stability in comparison with untreated TiO 2 . In addition, titanium dioxide (TiO 2 ) is non-toxic and inexpensive.

Als ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird im Folgenden die Synthese von schwarzem TiO2 (Schwarzpulver) mittels eines Wasserstoffplasmas (Induktiv-gekoppeltes Plasma, ICP) beschrieben. Als Ausgangsmaterial wurden Anatas TiO2-Nanopartikel mit 15 nm Durchmesser und mit einer spezifischen Oberfläche von 240 m2/g in reinem Zustand verwendet. In einem ersten Schritt wurden 0,10 g der Anatas TiO2-Nanopartikel in 50 ml Acetaldehyd gelöst und in einem drop-cast-Verfahren auf einen Si-Wafer verteilt. Dieses drop-cast-Verfahren wurde solange wiederholt, bis sich eine 0,5~0.6 mg/cm2 TiO2-Schicht auf dem Si-Wafer ausgebildet hatte. Dann wurde dieser Si-Wafer in der Kammer für eine plasmaunterstützte Hydrierung positioniert. Während der 180 minütigen-Behandlung des TiO2 wurde dessen Oberfläche teilweise von dem Wasserstoffplasma (390°C, 3000 W ICP-Leistung, 26,5~28,3 mTorr H2-Gasdruck bei 50 sccm Durchfluss) reduziert. Dabei entstand schwarzes TiO2, welches vom Si-Wafer leicht entfernt werden konnte. Zum Vergleich, behält das TiO2 Pulver die originale weiße Farbe auch nach 180-minütigen Tempern bei 390°C in H2-Gas in der gleichen Kammer mit gleichem H2-Druck und gleichem Durchfluss, allerdings ohne Plasmazündung.As an embodiment of the method according to the invention, the synthesis of black TiO 2 (black powder) by means of a hydrogen plasma (inductively coupled plasma, ICP) is described below. The starting material used was anatase TiO 2 nanoparticles 15 nm in diameter and with a specific surface area of 240 m 2 / g in the pure state. In a first step, 0.10 g of the anatase TiO 2 nanoparticles were dissolved in 50 ml of acetaldehyde and distributed to a Si wafer in a drop-cast process. This drop-cast process was repeated until a 0.5 ~ 0.6 mg / cm 2 TiO 2 layer had formed on the Si wafer. Then this Si wafer was in the chamber positioned for plasma assisted hydrogenation. During the 180 minute treatment of TiO 2 , its surface area was partially reduced by the hydrogen plasma (390 ° C, 3000 W ICP power, 26.5 ~ 28.3 mTorr H 2 gas pressure at 50 sccm flow). This resulted in black TiO 2 , which could be easily removed from the Si wafer. For comparison, the TiO 2 powder retains the original white color even after 180 minutes annealing at 390 ° C in H 2 gas in the same chamber with the same H 2 pressure and flow, but without plasma ignition.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können mit Defekten angereicherte Metalloxide mit kontrollierbarer Qualität hergestellt werden. Die Kontrolle (zum Beilspiel des Hydrierungsgrad) kann über die Prozessparameter wie Druck, Zeit, Leistung, Temperatur, usw. gezielt erfolgen. Der Prozess ist einfach, stabil, sicher, effizient und reproduzierbar. Darüber hinaus erfordert er eine deutlich niedrigere Temperatur und deutlich verkürzte Prozesszeiten als vergleichbare Verfahren und kommt zudem ohne Additive aus. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Produkte zeigen ausgezeichnete elektrochemische und photokatalytische Leistungen aufgrund ihrer deutlich verbesserten Leitfähigkeit und einer drastisch erhöhten Absorption. Diese aktivierte Gasbehandlung eignet sich sehr gut zur Modifizierung von verschiedenen Metalloxiden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein allgemeines Verfahren zur Herstellung leistungsfähiger Metalloxide für verschiedenste Anwendungszwecke vorgeschlagen.With the method according to the invention defect-enriched metal oxides can be produced with controllable quality. The control (to supplement the degree of hydrogenation) can be targeted via the process parameters such as pressure, time, power, temperature, etc. The process is simple, stable, safe, efficient and reproducible. In addition, it requires a significantly lower temperature and significantly shorter process times than comparable methods and also has no additives. The products produced by the process according to the invention show excellent electrochemical and photocatalytic performance due to their significantly improved conductivity and drastically increased absorption. This activated gas treatment is very suitable for the modification of various metal oxides. The method according to the invention proposes a general method for producing efficient metal oxides for a very wide variety of applications.

LiteraturlisteBibliography

  • [1] – M. F. Garcia, A. M. Arias, J. C. Hanson, J. A. Rodriguez, Chem. Rev., 2004, 104, 4063 .[1] - MF Garcia, AM Arias, JC Hanson, JA Rodriguez, Chem. Rev., 2004, 104, 4063 ,
  • [2] – G. M. Wang, H. Y. Wang, Y. C. Ling, Y. C. Tang, X. Y. Yang, R. C. Fitzmorris, C. C. Wang, J. Z. Zhang, Y. Li, Nano Lett., 2011, 11, 3026 .[2] - GM Wang, HY Wang, YC Ling, YC Tang, XY Yang, RC Fitzmorris, CC Wang, JZ Zhang, Y. Li, Nano Lett., 2011, 11, 3026 ,
  • [3] – Y. G. Guo, Y. S. Hu, W. Sigle, J. Maier, Adv. Mater., 2007, 19, 2087 .[3] - YG Guo, YS Hu, W. Sigle, J. Maier, Adv. Mater., 2007, 19, 2087 ,
  • [4] – A. Kongkanand, K. Tvrdy, K. Takechi, M. Kuno, P. V. Karat, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 4007 .[4] - A. Kongkanand, K. Tvrdy, K. Takechi, M. Kuno, PV Karat, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 4007 ,
  • [5] – X. Chef, L. Liu, P. Y. Yu, S. S. Mao, Science, 2011, 331, 746 .[5] - X. Chief, L. Liu, PY Yu, SS Mao, Science, 2011, 331, 746 ,
  • [6] – http://ilo.technologypublisher.com/technology/8648#.UTjAsDehz6M [6] - http://ilo.technologypublisher.com/technology/8648#.UTjAsDehz6M

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2012/0282733 A1 [0003] US 2012/0282733 A1 [0003]

Claims (6)

Verfahren zur Generierung gezielter Defektstrukturen in einem strukturierten Metalloxid dadurch gekennzeichnet, dass das strukturierte Metalloxid unter Einwirkung eines chemisch aktivierten Gases erwärmt wird.Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide, characterized in that the structured metal oxide is heated under the action of a chemically activated gas. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die chemische Aktivierung des Gases mittels eingekoppelter Plasmabildung oder mittels Röntgen-, Elektronen-, Ionen- oder Mikrowellenstrahlung realisiert wird.A method according to claim 1, characterized in that the chemical activation of the gas by means of coupled plasma formation or by means of X-ray, electron, ion or microwave radiation is realized. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass als chemisch zu aktivierendes Gas Wasserstoff, Sauerstoff, Stickstoff oder ein Gemisch aus Gasen verwendet wird.A method according to claim 1 or 2, characterized in that is used as the gas to be chemically activated, hydrogen, oxygen, nitrogen or a mixture of gases. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem als zu aktivierendes Gas Wasserstoff und als Metalloxid Titandioxid verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dispersion aus Titandioxid und Ethanol auf ein Trägersubstrat aufgebracht wird und das Trägersubstrat mit der Titandioxidschicht in einer Wasserstoff-Plasmakammer mit einer Temperatur von 390°C für 180 min behandelt wird.Method according to one of claims 1 to 3, in which is used as the gas to be activated hydrogen and titanium oxide as the metal oxide, characterized in that a dispersion of titanium dioxide and ethanol is applied to a carrier substrate and the carrier substrate with the titanium dioxide layer in a hydrogen plasma chamber with a temperature of 390 ° C for 180 min. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass die in dem strukturierten Metalloxid generierten Defektstrukturen mit Hilfe der Prozessparameter kontrolliert werden.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the defect structures generated in the structured metal oxide are controlled by means of the process parameters. Verwendung eines nach einem der Ansprüche 1 bis 5 modifizierten Metalloxids als Elektrodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien, Superkondensatoren oder Farbstoffsolarzellen, als Katalysatormaterial für die Photo- oder Elektrokatalyse sowie als aktives Material für elektrochemische Sensoren.Use of a metal oxide modified according to any one of claims 1 to 5 as electrode material for lithium ion batteries, supercapacitors or dye solar cells, as a catalyst material for the photo or electrocatalysis and as an active material for electrochemical sensors.
DE102013008025.8A 2013-05-03 2013-05-03 Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use Ceased DE102013008025A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013008025.8A DE102013008025A1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013008025.8A DE102013008025A1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013008025A1 true DE102013008025A1 (en) 2014-11-06

Family

ID=51727295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013008025.8A Ceased DE102013008025A1 (en) 2013-05-03 2013-05-03 Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102013008025A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120282733A1 (en) 2011-05-03 2012-11-08 Szetsen Steven Lee Method for band gap tuning of metal oxide semiconductors
WO2013085469A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 National University Of Singapore Photocatalytic metal oxide nanomaterials; method of making via h2-plasma treatment; use for organic waste decontamination in water

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120282733A1 (en) 2011-05-03 2012-11-08 Szetsen Steven Lee Method for band gap tuning of metal oxide semiconductors
WO2013085469A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 National University Of Singapore Photocatalytic metal oxide nanomaterials; method of making via h2-plasma treatment; use for organic waste decontamination in water

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. Kongkanand, K. Tvrdy, K. Takechi, M. Kuno, P. V. Karat, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 4007
G. M. Wang, H. Y. Wang, Y. C. Ling, Y. C. Tang, X. Y. Yang, R. C. Fitzmorris, C. C. Wang, J. Z. Zhang, Y. Li, Nano Lett., 2011, 11, 3026
http://ilo.technologypublisher.com/technology/8648#.UTjAsDehz6M
M. F. Garcia, A. M. Arias, J. C. Hanson, J. A. Rodriguez, Chem. Rev., 2004, 104, 4063
X. Chef, L. Liu, P. Y. Yu, S. S. Mao, Science, 2011, 331, 746
Y. G. Guo, Y. S. Hu, W. Sigle, J. Maier, Adv. Mater., 2007, 19, 2087

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. Progress in black titania: a new material for advanced photocatalysis
EP3617146B1 (en) Linear porous titanium dioxide material and preparation and use thereof
He et al. The enhanced visible light photocatalytic activity of yttrium-doped BiOBr synthesized via a reactable ionic liquid
CN102247828B (en) Hydrotreated TiO2 nanotube array and preparation method thereof
DE102016105963A1 (en) Fuel cell separator and manufacturing method for a fuel cell separator
US10815579B2 (en) Catalyst for water splitting and method for preparing same
Wei et al. Hydrogenated TiO2 nanotube arrays with enhanced photoelectrochemical property for photocathodic protection under visible light
EP3194639A1 (en) Nickel electrode, self-supporting nickel layer, method for producing same, and use of same
CN109382083B (en) Carbon nanotube-doped titanium dioxide nanotube photocatalytic material and preparation method thereof
DE102019117327A1 (en) DOPED DIAMOND TITANIUM DIOXIDE ELECTRODE
Subasri et al. Investigations on the photocatalytic activity of sol–gel derived plain and Fe3+/Nb5+-doped titania coatings on glass substrates
CN114414332B (en) Preparation method of antioxidant based on Al-CQDs and Al-CNSs
DE102018206378A1 (en) Electrode catalyst for fuel cells and method for its production
DE102021209816A1 (en) CATALYST FOR A FUEL CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME
He et al. Hydrogenation of nano-structured TiO2 photocatalyst through an electrochemical method
Zhao et al. Branched titanium oxide/vanadium oxide composite nanofibers formed by electrospinning and dipping in vanadium sol
DE112016005239T5 (en) Multilayer water-splitting photocatalyst with a plasmon metal layer with optimized plasmon effects
Noh et al. Microstructural effect on the photoelectrochemical performance of hematite-Fe 2 O 3 photoanode for water splitting
DE102014210613A1 (en) Process for producing spherical silicon-carbon nanocomposites, spherical silicon-carbon nanocomposites and their use
DE102013008025A1 (en) Method for generating targeted defect structures in a structured metal oxide and its use
DE102010022831A1 (en) Double-layer capacitor
Pinto et al. On the performance of self-organized TiO2 nanotubes@ MnOx as supercapacitor: Influence of the heat treatment, cathodic treatment, water aging, and thermal oxides
DE10324558A1 (en) Diamond electrode for electrochemical applications and process for their manufacture and use
KR20180112300A (en) Photoelectrochemical cell electrode comprising metallic nanoparticles and method for manufacturing the same
CN103243336A (en) Preparation method of nano platinum/titanium dioxide nanotube array composite material

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20150328