DE102012222312A1 - Method for characterizing temperature sensor, involves supplying amount of energy to temperature sensor to effect change in temperature, where change of resistance value of temperature sensor is detected - Google Patents

Method for characterizing temperature sensor, involves supplying amount of energy to temperature sensor to effect change in temperature, where change of resistance value of temperature sensor is detected Download PDF

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DE102012222312A1
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Ronny Wolf
Ralf Wenk
Thomas Kitzing
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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    • G—PHYSICS
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    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/005—Calibration

Abstract

The method (600) involves supplying (610) an amount of energy to a temperature sensor to effect the change in temperature. The change of the resistance value of the temperature sensor is detected (620), where the change of the resistance value is caused by the temperature change. A characterizing information is determined (630) by using the resistance value of the temperature sensor to characterize the temperature sensor. The amount of energy is actively applied, particularly by a heat chamber or by a heater blower or by a temperature bath or by inductive heating. An independent claim is included for a device for use in a system for characterizing a temperature sensor.

Description

Stand der Technik State of the art

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren sowie auf eine entsprechende Vorrichtung zum Charakterisieren eines Temperatursensors sowie auf ein System zum Charakterisieren eines Temperatursensors. The present invention relates to a method and to a corresponding device for characterizing a temperature sensor and to a system for characterizing a temperature sensor.

Zur Charakterisierung der Kennlinie eines Temperatursensors muss heute der elektrische Widerstand von Temperatursensoren, wie beispielsweise bei Heißleitern (NTC), bei mindestens einer exakt einzuhaltenden Temperatur, die als Prüftemperatur bezeichnet werden kann, ermittelt werden. Für eine hohe Prüfgenauigkeit muss diese Prüftemperatur möglichst genau eingestellt und über die gesamte Prüfdauer gehalten werden. Diese Anforderung lässt sich nur mit einem großen technologischen und zeitlichen Aufwand umsetzen. To characterize the characteristic curve of a temperature sensor today, the electrical resistance of temperature sensors, such as thermistors (NTC), must be determined at least one exact temperature to be maintained, which can be referred to as the test temperature. For high test accuracy, this test temperature must be set as accurately as possible and maintained over the entire test duration. This requirement can only be realized with a great deal of technological and time expenditure.

Offenbarung der Erfindung Disclosure of the invention

Vor diesem Hintergrund wird mit der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Charakterisieren eines Temperatursensors, eine Vorrichtung zum Charakterisieren eines Temperatursensors sowie ein System zum Charakterisieren eines Temperatursensors gemäß den Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung. Against this background, the present invention proposes a method for characterizing a temperature sensor, a device for characterizing a temperature sensor and a system for characterizing a temperature sensor according to the main claims. Advantageous embodiments emerge from the respective subclaims and the following description.

Eine Charakterisierung oder Bewertung eines Temperatursensors ist über eine Temperaturänderung möglich, der der Temperatursensor ausgesetzt ist. Dabei kann eine Temperaturänderung des Temperatursensors über das Zuführen von Energie zu dem Temperatursensor erreicht werden. Bei Zuführung einer festen Wärmemenge ergibt sich an einem Temperatursensor immer die gleiche Temperaturänderung, unabhängig von der Starttemperatur, die der Temperatursensor aufweist. Dabei kann sowohl die Starttemperatur als auch die Temperaturänderung über eine Änderung des Widerstandswertes des Temperatursensors erfasst werden. Vorteilhaft kann das vorgestellte Verfahren zur Charakterisierung eines Temperatursensors eine schnelle Charakterisierung eines Temperatursensors ermöglichen, da keine Prüftemperatur über einen langen Zeitraum eingestellt werden muss. Auch kann das Verfahren ohne Zuhilfenahme eines zusätzlichen Temperatursensors ausgeführt werden. Von Vorteil ist ein geringer Prüfaufwand und damit verbunden eine hohe Prüfgenauigkeit bei gleichzeitig niedrigen Prüfkosten. Die Bewertung eines Temperatursensors kann sehr schnell erfolgen. A characterization or evaluation of a temperature sensor is possible via a temperature change to which the temperature sensor is exposed. In this case, a temperature change of the temperature sensor can be achieved by supplying energy to the temperature sensor. When a fixed amount of heat is supplied, the same temperature change always occurs at a temperature sensor, regardless of the starting temperature that the temperature sensor has. In this case, both the starting temperature and the temperature change can be detected via a change in the resistance value of the temperature sensor. Advantageously, the presented method for the characterization of a temperature sensor can enable a rapid characterization of a temperature sensor, since no test temperature has to be set over a long period of time. Also, the method can be performed without the aid of an additional temperature sensor. The advantage is a low inspection effort and thus a high inspection accuracy at low test costs. The evaluation of a temperature sensor can be done very quickly.

Es wird ein Verfahren zum Charakterisieren eines Temperatursensors vorgestellt, wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors eine Änderung eines Widerstandswertes des Temperatursensors bewirkt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
Zuführen einer Energiemenge zu dem Temperatursensor, um die Temperaturänderung zu bewirken;
Erfassen der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes des Temperatursensors; und
Bestimmen einer Charakterisierungsinformation unter Verwendung des Widerstandswertes des Temperatursensors, um den Temperatursensor zu charakterisieren. A method for characterizing a temperature sensor is presented, wherein a temperature change of the temperature sensor causes a change in a resistance value of the temperature sensor, the method comprising the following steps:
Supplying an amount of energy to the temperature sensor to effect the temperature change;
Detecting the change in the resistance value of the temperature sensor caused by the temperature change; and
Determining a characterization information using the resistance value of the temperature sensor to characterize the temperature sensor.

Gemäß einer Ausführungsform kann die Änderung des Widerstandswertes für sich alleine oder in Kombination mit einem weiteren während der Ausführung des Verfahrens erfassten oder vorbestimmten Wert verwendet werden, um als Charakterisierung beispielsweise eine Gut-Schlecht-Bewertung des Temperatursensors durchzuführen oder die Charakterisierungsinformation zu einer Kalibrierung des Temperatursensors zu verwenden. Dies kann unter Verwendung einer Information über die zugeführte Energie und zusätzlich oder alternativ unter Verwendung eines Referenzwertes erfolgen. According to one embodiment, the change in the resistance value can be used alone or in combination with another value detected or predetermined during the execution of the method, for characterizing, for example, a good-bad evaluation of the temperature sensor or the characterization information for a calibration of the temperature sensor to use. This can be done using information about the energy supplied and additionally or alternatively using a reference value.

Unter einem Temperatursensor kann ein Heißleiter verstanden werden. Ein Heißleiter kann auch als Thermistor, mit dem englischsprachigen Begriff Negative Temperature Coefficient Thermistors oder kurz NTC beziehungsweise NTC-Widerstand bezeichnet werden. Alternativ kann unter einem Temperatursensor ein Kaltleiter, ein PTC-Widerstand oder PTC-Thermistor (englisch: Positive Temperature Coefficient) verstanden werden. Unter einem Temperatursensor kann ein Sensor verstanden werden, der eine Widerstandsänderung bei einer Temperaturänderung erfährt. Dabei bewirkt eine Temperaturänderung des Temperatursensors eine messbare Widerstandsänderung des Temperatursensors. Unter einer Widerstandsänderung kann hierbei eine Änderung eines elektrischen Widerstandes verstanden werden. Durch ein Erfassen eines – elektrischen – Widerstandswertes des Temperatursensors kann ein Temperaturwert bestimmt werden, der diesem Widerstandswert zugeordnet ist. Eine Temperaturänderung beziehungsweise eine Änderung des ermittelbaren Temperaturwertes kann mittels Zuführen einer vordefinierten Energiemenge erzielt werden. Unter einer Energiemenge kann ein Energieeintrag verstanden werden. Eine Energiemenge kann beispielsweise in Form von elektrischer Energie oder Wärme zugeführt werden. Während des Zuführens der Energiemenge kann eine Wandlung der Energiemenge in eine Wärmeenergie beziehungsweise Wärmemenge stattfinden, beispielsweise durch eine Erhitzung des Temperatursensors aufgrund eines zugeführten elektrischen Stroms. Eine vordefinierte Wärmemenge, die dem Temperatursensor zugeführt wird, kann eine vordefinierte Temperaturänderung des Temperatursensors bewirken. Dabei kann die vordefinierte Temperaturänderung unabhängig von einer Anfangs- oder Starttemperatur des Temperatursensors sein. Der Widerstandswert des Temperatursensors kann direkt oder indirekt mit einem Messverfahren ermittelt werden. Eine Messung eines Widerstandswertes kann schnell erfolgen. Der Temperatursensor kann an einer Tragstruktur angeordnet sein. Dabei kann die Tragstruktur ein Gehäuse für den Temperatursensor bilden. Auch kann die Tragstruktur einen weiteren Sensor integrieren. Beispielsweise kann der Temperatursensor in einem kombinierten Druck-Temperatur-Sensor integriert sein. Die Tragstruktur kann ein elektrisch leitfähiger Körper sein. Unter einer Charakterisierungsinformation kann eine Kennlinie, ein oder eine Mehrzahl von Parametern, der oder die den Temperatursensor charakterisieren oder eine andere Information verstanden werden. Unter einer Charakterisierungsinformation kann eine Bewertung oder eine Unterscheidung nach guten und schlechten Temperatursensoren verstanden werden. Unter einer Charakterisierungsinformation kann zumindest ein Parameter einer Widerstandskennlinie verstanden werden. Eine Charakterisierungsinformation kann als eine Prozessgröße bezeichnet werden. A temperature sensor can be understood as a thermistor. A thermistor may also be referred to as a thermistor, with the English term Negative Temperature Coefficient Thermistors or NTC or NTC resistor for short. Alternatively, a temperature sensor can be understood to mean a PTC resistor, a PTC resistor or PTC thermistor (English: Positive Temperature Coefficient). A temperature sensor can be understood as meaning a sensor which undergoes a change in resistance when the temperature changes. In this case, a temperature change of the temperature sensor causes a measurable change in resistance of the temperature sensor. A change in resistance here can be understood as a change in an electrical resistance. By detecting a - electrical - resistance value of the temperature sensor, a temperature value can be determined, which is associated with this resistance value. A temperature change or a change of the ascertainable temperature value can be achieved by supplying a predefined amount of energy. An amount of energy can be understood as an energy input. An amount of energy can be supplied, for example, in the form of electrical energy or heat. During the supply of the amount of energy can take place a conversion of the amount of energy into a heat energy or amount of heat, for example by heating the temperature sensor due to a supplied electric power. A predefined amount of heat supplied to the temperature sensor may cause a predefined temperature change of the temperature sensor. In this case, the predefined temperature change can be independent of a start or start temperature of the temperature sensor. The resistance value of the temperature sensor can be determined directly or indirectly with a measuring method. A measurement of a resistance value can be done quickly. The temperature sensor may be arranged on a support structure. In this case, the support structure form a housing for the temperature sensor. Also, the support structure can integrate another sensor. For example, the temperature sensor can be integrated in a combined pressure-temperature sensor. The support structure may be an electrically conductive body. Characterization information may include a characteristic curve, one or a plurality of parameters, which characterize the temperature sensor or other information. Characterization information can be understood to mean a rating or a distinction between good and bad temperature sensors. Under a characterization information can be understood at least one parameter of a resistance characteristic. Characterization information may be referred to as a process variable.

Ferner können im Schritt des Erfassens zumindest zwei Widerstandswerte erfasst werden, um die Änderung des Widerstandswertes zu erfassen. Dabei kann ein Widerstandswert eine Temperatur repräsentieren. Insbesondere kann eine Widerstandsänderung des Temperatursensors eine Temperaturänderung repräsentieren. Durch das Erfassen von zumindest zwei Widerstandswerten kann eine Differenz zwischen den zumindest zwei Widerstandswerten ermittelt werden. Die Differenz zwischen den zumindest zwei Widerstandswerten kann eine Widerstandsänderung repräsentieren. In einer besonderen Ausführungsform können während des Zuführens einer vordefinierten Energiemenge, beziehungsweise Wärmemenge, eine Mehrzahl von Widerstandswerten erfasst werden. Eine Widerstandsänderung kann auch aus einer Mehrzahl von Widerstandswerten ermittelt werden. Eine Widerstandsänderung kann als ein Maximum einer Mehrzahl von erfassten oder ermittelten Widerstandsänderungen definiert sein. Further, in the step of detecting, at least two resistance values may be detected to detect the change of the resistance value. In this case, a resistance value can represent a temperature. In particular, a change in resistance of the temperature sensor may represent a temperature change. By detecting at least two resistance values, a difference between the at least two resistance values can be determined. The difference between the at least two resistance values may represent a change in resistance. In a particular embodiment, during the supply of a predefined amount of energy, or amount of heat, a plurality of resistance values can be detected. A resistance change can also be determined from a plurality of resistance values. A resistance change may be defined as a maximum of a plurality of detected or determined resistance changes.

Günstig ist es auch, wenn die Energiemenge aktiv zugeführt wird, beispielsweise mittels einer Wärmekammer, mittels eines Heizgebläses, mittels eines Temperaturbads, durch induktives Erwärmen oder einer Kombination davon. Die Energiemenge kann mittels einer Wärmekammer, in der der Temperatursensor angeordnet ist, zugeführt werden. Die Energiemenge kann mittels eines Heizgebläses, in dessen erwärmten Luftstrom der Temperatursensor angeordnet ist, zugeführt werden. Die Energiemenge kann dem Temperatursensor mittels eines Temperaturbades, insbesondere in dem der Temperatursensor angeordnet ist, zugeführt werden. Der Temperatursensor kann induktiv erwärmt werden. Dadurch kann dem Temperatursensor von außen eine Wärmemenge zugeführt werden. It is also favorable if the amount of energy is actively supplied, for example by means of a heating chamber, by means of a heating fan, by means of a temperature bath, by inductive heating or a combination thereof. The amount of energy can be supplied by means of a heat chamber in which the temperature sensor is arranged. The amount of energy can be supplied by means of a heater blower, in the heated air flow of the temperature sensor is arranged. The amount of energy can be supplied to the temperature sensor by means of a temperature bath, in particular in which the temperature sensor is arranged. The temperature sensor can be heated inductively. As a result, an amount of heat can be supplied to the temperature sensor from the outside.

Zusätzlich oder alternativ kann die Energiemenge mittels einer passiven Erwärmung, insbesondere mittels einer Eigenerwärmung des Temperatursensors, zugeführt werden. Der Temperatursensor kann mittels eines Stroms und gleichzeitig oder alternativ einer Spannung, die für die Widerstandsmessung zugeführt werden, passiv erwärmt werden. Eine Versorgungseinheit kann Energie zur Versorgung des Temperatursensors bereitstellen. Die Versorgungseinheit kann Energie zur passiven Erwärmung des Temperatursensors bereitstellen. Additionally or alternatively, the amount of energy can be supplied by means of a passive heating, in particular by means of a self-heating of the temperature sensor. The temperature sensor may be passively heated by means of a current and, alternatively, a voltage supplied for resistance measurement. A supply unit may provide power to supply the temperature sensor. The supply unit may provide energy for passive heating of the temperature sensor.

Auch ist es günstig, wenn im Schritt des Bestimmens als Charakterisierungsinformation unter Verwendung der Änderung des Widerstandswertes ein Widerstandshub und gleichzeitig oder alternativ eine Peakzeit ermittelt wird. Dabei kann der Widerstandshub eine maximale Widerstandsänderung repräsentieren. Die Peakzeit kann ein Zeitintervall bis zu einem Zeitpunkt der maximalen Widerstandsänderung repräsentieren. Ledigliche beispielsweise kann die Peakzeit ein Zeitintervall vom Ende der Energiezufuhr oder Wärmezufuhr, von einem Zeitpunkt nach dem Ende der Energiezufuhr oder Wärmezufuhr oder von einem Beginn der Temperaturänderung bis zu einem Zeitpunkt der maximalen Widerstandsänderung repräsentieren. Unter einem Widerstandshub kann eine Widerstandsänderung von dem Beginn der Temperaturänderung bis zu einem lokalen Maximum eines Widerstandswertes des Temperatursensors, insbesondere einer Mehrzahl von Widerstandswerten, verstanden werden. Dabei kann das lokale Maximum auch als ein lokales Minimum verstanden werden. Alternativ kann unter dem Widerstandshub eine Widerstandsänderung von dem zu Beginn der Temperaturänderung erfassten Widerstandswert zu einem Minimum oder alternativ Maximum einer Mehrzahl von Widerstandswerten verstanden werden. Unter der Peakzeit kann auch ein Zeitintervall oder einer Zeitspanne vom Beginn der Temperaturänderung bis zum Erreichen des, insbesondere maximalen, Widerstandshubes verstanden werden. Der Widerstandshub kann im Schritt des Bestimmens der Charakterisierungsinformation mit einem Referenzwert verglichen werden. Die Peakzeit kann im Schritt des Bestimmens der Charakterisierungsinformation mit einem Referenzwert verglichen werden. Der Referenzwert kann einen Schwellwert oder Grenzwert repräsentieren. Alternativ kann ein Toleranzbereich um den Referenzwert definiert sein. Unter Verwendung des Widerstandshubes und der Peakzeit kann ein Score gebildet werden, der im Schritt des Bestimmens der Charakterisierungsinformation mit einem Referenzwert verglichen wird. Im Schritt des Bestimmens der Charakterisierungsinformation kann durch den Vergleich mit einem Referenzwert eine Gut-schlecht-Bewertung durchgeführt werden. It is also advantageous if, in the step of determining as characterization information using the change of the resistance value, a resistance swing and simultaneously or alternatively a peak time is determined. The resistance stroke can represent a maximum change in resistance. The peak time may represent a time interval up to a maximum resistance change time. For example, the peak time may represent a time interval from the end of the power supply or heat supply, from a time after the end of the power supply or heat supply, or from a start of the temperature change to a time point of the maximum resistance change. A resistance stroke may be understood to mean a change in resistance from the beginning of the temperature change to a local maximum of a resistance value of the temperature sensor, in particular a plurality of resistance values. The local maximum can also be understood as a local minimum. Alternatively, the resistance stroke may be understood to mean a change in resistance from the resistance value detected at the beginning of the temperature change to a minimum or, alternatively, maximum of a plurality of resistance values. The peak time can also be understood as meaning a time interval or a time span from the beginning of the temperature change to the achievement of the, in particular maximum, resistance stroke. The resistance stroke can in Step of determining the characterization information to be compared with a reference value. The peak time may be compared to a reference value in the step of determining the characterization information. The reference value may represent a threshold or limit. Alternatively, a tolerance range can be defined around the reference value. Using the resistance swing and the peak time, a score can be formed, which is compared with a reference value in the step of determining the characterization information. In the step of determining the characterization information, a good-bad judgment can be made by the comparison with a reference value.

Ferner kann das Verfahren zum Charakterisieren eines Temperatursensors einen Schritt des Ermittelns der im Schritt des Zuführens zugeführten Energiemenge aufweisen, um die Temperaturänderung zu bestimmen. Bei einer Wandlung von einer Energiemenge, das heißt einer primären Energie, in eine Wärmemenge können etwaige Energieverluste auftreten. Wenn die zugeführte Energiemenge oder die zugeführte Wärmemenge bestimmt wird, kann mittels der Energiemenge die Temperaturänderung bestimmt werden. Ein Energieverlust kann je nach Ort des Bestimmens der zugeführten Energiemenge bestimmt oder vernachlässigt werden. Die Energiemenge und die Widerstandsänderung können zeitsynchron erfasst werden. Further, the method of characterizing a temperature sensor may include a step of determining the amount of energy supplied in the step of supplying to determine the temperature change. In a conversion of an amount of energy, that is, a primary energy, in a quantity of heat, any energy losses can occur. If the supplied amount of energy or the amount of heat supplied is determined, the temperature change can be determined by means of the amount of energy. An energy loss may be determined or neglected depending on the location of determining the amount of energy supplied. The amount of energy and the change in resistance can be detected synchronously.

Ferner kann im Schritt des Bestimmens eine Einbaulage und gleichzeitig oder alternativ eine thermische Anbindung des Temperatursensors an eine Trägerstruktur unter Verwendung der zugeführten Energiemenge und gleichzeitig oder alternativ der Änderung des Widerstandswertes bestimmt werden, um den Temperatursensor zu charakterisieren. Eine Einbaulage kann die thermische Anbindung des Temperatursensors an eine Trägerstruktur beeinflussen. Alternativ kann ein Fügemittel oder ein Klebemittel die thermische Anbindung des Temperatursensors an eine Trägerstruktur beeinflussen. Eine zugeführte Energiemenge oder Wärmemenge kann die Trägerstruktur erwärmen. Eine Änderung der Temperatur der Trägerstruktur kann in Abhängigkeit von der thermischen Anbindung des Temperatursensors an die Trägerstruktur eine Temperaturänderung des Temperatursensors bewirken und somit eine Widerstandsänderung des Temperatursensors bewirken. Bei unterschiedlicher thermischer Anbindung oder alternativ unterschiedlicher Einbaulage kann eine Temperaturänderung der Trägerstruktur eine unterschiedliche Widerstandsänderung am Temperatursensor bewirken. Dabei können die Einbaulage und die thermische Anbindung des Temperatursensors einen Einfluss auf einen messbaren Widerstandswert haben. Furthermore, in the step of determining an installation position and simultaneously or alternatively a thermal connection of the temperature sensor to a support structure using the amount of energy supplied and simultaneously or alternatively the change of the resistance value can be determined to characterize the temperature sensor. An installation position can influence the thermal connection of the temperature sensor to a support structure. Alternatively, a joining agent or an adhesive may affect the thermal connection of the temperature sensor to a support structure. A supplied amount of energy or amount of heat may heat the support structure. A change in the temperature of the carrier structure may, depending on the thermal connection of the temperature sensor to the carrier structure cause a temperature change of the temperature sensor and thus cause a change in resistance of the temperature sensor. With different thermal connection or alternatively different installation position, a temperature change of the support structure can cause a different change in resistance at the temperature sensor. The installation position and the thermal connection of the temperature sensor can have an influence on a measurable resistance value.

Auch kann im Schritt des Erfassens ein Widerstandssignal erfasst werden, welches die Änderung des Widerstandswertes des Temperatursensors repräsentiert, wobei das Widerstandssignal eine Mehrzahl von Widerstandswerten über eine Zeit der Temperaturänderung repräsentiert, um den Temperatursensor zu charakterisieren. Das Widerstandssignal kann zumindest zwei Widerstandswerte umfassen, wobei ein erster Widerstandswert zu Beginn der Temperaturänderung erfasst werden kann und ein zweiter der zumindest zwei Widerstandswerte am Ende der Temperaturänderung erfasst werden kann. Wenn das Widerstandssignal eine Vielzahl von Widerstandswerten umfasst, kann aus dem Widerstandssignal der Widerstandshub bestimmt werden. So kann unter Verwendung eines minimalen und eines maximalen Widerstandswertes des Widerstandssignals der Widerstandshub bestimmt werden. Alternativ kann der Widerstandshub unter Verwendung des ersten Widerstandswertes des Widerstandssignals und einem Minimum oder alternativ einem Maximum des Widerstandssignals bestimmt werden. Also, in the step of detecting, a resistance signal representing the change of the resistance value of the temperature sensor may be detected, the resistance signal representing a plurality of resistance values over a time of the temperature change to characterize the temperature sensor. The resistance signal may include at least two resistance values, wherein a first resistance value may be detected at the beginning of the temperature change and a second one of the at least two resistance values may be detected at the end of the temperature change. When the resistance signal includes a plurality of resistance values, the resistance swing can be determined from the resistance signal. Thus, using a minimum and a maximum resistance value of the resistance signal, the resistance swing can be determined. Alternatively, the resistance swing may be determined using the first resistance value of the resistance signal and a minimum or, alternatively, a maximum of the resistance signal.

Ferner kann in einem Schritt des Filterns das Widerstandssignal gefiltert werden, insbesondere um unerwünschte Signalanteile, welche die Widerstandsänderung repräsentieren, abzuschwächen und gleichzeitig oder alternativ zu unterdrücken. Mittels eines Schritts des Filterns können Messausreißer oder ein Rauschen in dem Widerstandssignal abgeschwächt oder herausgefiltert werden. Ein gefiltertes Widerstandssignal kann eine Bestimmung des Widerstandshubes und der Peakzeit erleichtern im Vergleich zu einem ungefilterten Widerstandssignal. Unerwünschte Messgrößen in dem Widerstandssignal können in einer Filtereinheit abgeschwächt oder unterdrückt werden. Further, in a step of filtering, the resistance signal may be filtered, in particular to attenuate and simultaneously or alternatively suppress unwanted signal components representing the change in resistance. By means of a step of filtering, measurement outliers or noise in the resistance signal can be attenuated or filtered out. A filtered resistance signal may facilitate determination of the resistance swing and peak time as compared to an unfiltered resistance signal. Unwanted variables in the resistance signal can be attenuated or suppressed in a filter unit.

Es wird eine Vorrichtung zum Charakterisieren eines Temperatursensors vorgestellt, wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors eine Änderung eines Widerstandswertes des Temperatursensors bewirkt, die die folgenden Merkmale aufweist:
eine Einrichtung zum Erfassen der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes des Temperatursensors; und
eine Einrichtung zum Bestimmen einer Charakterisierungsinformation unter Verwendung des Widerstandswertes des Temperatursensors, um den Temperatursensor zu charakterisieren. A device for characterizing a temperature sensor is presented, wherein a temperature change of the temperature sensor causes a change in a resistance value of the temperature sensor, which has the following features:
means for detecting the change in the resistance of the temperature sensor caused by the temperature change; and
means for determining characterization information using the resistance value of the temperature sensor to characterize the temperature sensor.

Auch durch diese Ausführungsvariante der Erfindung in Form einer Vorrichtung kann die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden. Unter einer Vorrichtung kann vorliegend ein elektrisches Gerät verstanden werden, das Sensorsignale verarbeitet und in Abhängigkeit davon Steuer- und/oder Datensignale ausgibt. Die Vorrichtung kann eine Schnittstelle aufweisen, die hard- und/oder softwaremäßig ausgebildet sein kann. Bei einer hardwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen beispielsweise Teil eines sogenannten System-ASICs sein, der verschiedenste Funktionen der Vorrichtung beinhaltet. Es ist jedoch auch möglich, dass die Schnittstellen eigene, integrierte Schaltkreise sind oder zumindest teilweise aus diskreten Bauelementen bestehen. Bei einer softwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen Softwaremodule sein, die beispielsweise auf einem Mikrocontroller neben anderen Softwaremodulen vorhanden sind. Also by this embodiment of the invention in the form of a device, the object underlying the invention can be solved quickly and efficiently. In the present case, a device can be understood as meaning an electrical device which processes sensor signals and outputs control and / or data signals in dependence thereon. The device may have an interface, which may be formed in hardware and / or software. In the case of a hardware-based embodiment, the interfaces can be part of a so-called system ASIC, for example, which contains a wide variety of functions of the device. However, it is also possible that the interfaces are their own integrated circuits or at least partially consist of discrete components. In a software training, the interfaces Software modules that are present for example on a microcontroller in addition to other software modules.

Es wird ein System zum Charakterisieren eines Temperatursensors vorgestellt, wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors eine Änderung eines Widerstandswertes des Temperatursensors bewirkt, wobei das System die folgenden Merkmale aufweist:
einen Temperatursensor, der ausgebildet ist, dass eine eingebrachte Energiemenge, insbesondere eine Wärmeenergie eine Änderung eines Widerstandswertes des Temperatursensors bewirkt.
eine Vorrichtung zum Charakterisieren des Temperatursensors. Bei der Vorrichtung zum Charakterisieren des Temperatursensors kann es sich um eine bereits vorangehend beschriebene Vorrichtung zum Charakterisieren des Temperatursensors handeln. A system for characterizing a temperature sensor is presented, wherein a temperature change of the temperature sensor causes a change of a resistance value of the temperature sensor, the system having the following features:
a temperature sensor, which is designed so that an introduced amount of energy, in particular a heat energy causes a change in a resistance value of the temperature sensor.
a device for characterizing the temperature sensor. The device for characterizing the temperature sensor may be an apparatus for characterizing the temperature sensor already described above.

Die Erfindung ersetzt zur Charakterisierung eines Temperatursensors das Prinzip der exakten Temperierung durch das Prinzip der definierten Temperaturänderung. Die Widerstandsänderung des Temperatursensors und gegebenenfalls deren zeitlicher Verlauf werden durch die Kennlinie des Temperatursensors und seine thermische Anbindung an die Umgebung bestimmt. In Kenntnis des Betrages der induzierten Temperaturänderung und deren zeitlichen Verlaufs können Rückschlüsse auf beide Kenngrößen gezogen werden. Die Umgebungstemperatur kann einfach kompensiert werden und ist für die Messung vernachlässigbar. Durch das verwendete dynamische Messprinzip kann sowohl die gesamte Technik zur exakten Temperierung des Prüflings entfallen als auch die Prüfdauer drastisch reduziert werden. The invention replaces the principle of exact temperature control by the principle of the defined temperature change in order to characterize a temperature sensor. The change in resistance of the temperature sensor and, if appropriate, its time course are determined by the characteristic of the temperature sensor and its thermal connection to the environment. Knowing the amount of the induced temperature change and its time course, conclusions can be drawn on both parameters. The ambient temperature can be easily compensated and is negligible for the measurement. Due to the dynamic measuring principle used, the entire technology for precise temperature control of the test object can be omitted and the test duration drastically reduced.

Das genannte Verfahren sowie die genannte Vorrichtung können zur Bewertung von Temperatursensoren verwendet werden. Sie basieren darauf, dass sich unabhängig von der Starttemperatur bei Zuführung einer festen Wärmemenge stets die gleiche Temperaturänderung am Sensor ergibt. Es gilt Q = c·m·∆T, wobei Q für die Wärmemenge, c für eine spezifische Wärmekapazität, m für die Masse sowie ∆T für die Temperaturänderung steht. Von Vorteil ist, dass eine Messung der Starttemperatur, insbesondere mittels eines zusätzlichen Temperatursensors, entfallen kann. Stattdessen kann auf einen Widerstandswert des zu bewertenden oder zu charakterisierenden Temperatursensors zurückgegriffen werden, durch den die Starttemperatur repräsentiert wird. Dabei kann die Wärmemenge aktiv beispielsweise durch eine Klimakammer, Heizgebläse, Temperaturbad oder induktives Erwärmen oder alternativ passiv, beispielsweise durch die Eigenerwärmung des Temperatursensors, zugeführt werden. Said method and said device can be used for the evaluation of temperature sensors. They are based on the fact that, regardless of the starting temperature when a fixed amount of heat is supplied, the same temperature change always occurs at the sensor. It is Q = c · m · ΔT, where Q stands for the amount of heat, c for a specific heat capacity, m for the mass and .DELTA.T for the temperature change. It is advantageous that a measurement of the starting temperature, in particular by means of an additional temperature sensor, can be omitted. Instead, it is possible to fall back on a resistance value of the temperature sensor to be evaluated or to be characterized, by means of which the starting temperature is represented. The amount of heat can be active, for example, by a climate chamber, fan heater, temperature bath or inductive heating or alternatively passively, for example, by the self-heating of the temperature sensor, are supplied.

Dabei wird auf folgende physikalische Gesetzmäßigkeiten aufgebaut. Q = c·m·∆T, mit

Q
für die Wärmemenge,
c
für die spezifische Wärmekapazität, Temperatursensor-typspezifisch,
m
für die Masse, Temperatursensor-typspezifisch, sowie
∆T
für die Temperaturänderung.
It is based on the following physical laws. Q = c · m · ΔT, With
Q
for the amount of heat,
c
for the specific heat capacity, temperature sensor type specific,
m
for the mass, temperature sensor type specific, as well
.DELTA.T
for the temperature change.

Aus der Kennliniengleichung eines Temperatursensors am Beispiel eines Temperatursensors

Figure DE102012222312A1_0002

R0
Nominalwiderstand, Temperatursensor-typspezifisch,
b
Temperatursensor-typspezifischer Koeffizient, und
T0
Nominaltemperatur (üblicherweise 20°C)
ergibt sich bei einer definierten Temperaturänderung folgende Widerstandsänderung:
Figure DE102012222312A1_0003
From the characteristic equation of a temperature sensor using the example of a temperature sensor
Figure DE102012222312A1_0002
R 0
Nominal resistance, temperature sensor type specific,
b
Temperature sensor type-specific coefficient, and
T 0
Nominal temperature (usually 20 ° C)
the following resistance change occurs with a defined temperature change:
Figure DE102012222312A1_0003

Mit T1 als Starttemperatur der Messung und unter Verwendung der ersten Gleichung und Berücksichtigung der Wärmeverluste an die Umgebung:

Figure DE102012222312A1_0004
With T 1 as the starting temperature of the measurement and using the first equation and taking into account the heat losses to the environment:
Figure DE102012222312A1_0004

Hierbei steht V für einen Verlustfaktor (an die Umgebung) zwischen 0 und 1 sowie C0 für einen Kennlinienfaktor. Here, V stands for a loss factor (to the environment) between 0 and 1 and C 0 for a characteristic factor.

Damit ist die zu messende Widerstandsänderung bei bekannter Starttemperatur ausschließlich von der Kennlinie des Temperatursensors und dessen thermischer Anbindung an die Umgebung bestimmt. Thus, the resistance change to be measured at a known starting temperature is determined exclusively by the characteristic curve of the temperature sensor and its thermal connection to the environment.

Mit anderen Worten kann das vorgestellte Verfahren beziehungsweise eine entsprechende Vorrichtung bei geeigneter Wahl der Messparameter sowohl eine Charakterisierung der Kennlinie des Temperatursensors als auch eine Bestimmung der thermischen Anbindung des Temperatursensors an die unmittelbare Umgebung verwendet werden. Alternativ kann eine Gut-schlecht- Bewertung erfolgen. In other words, the presented method or a corresponding device can be used with a suitable choice of the measurement parameters both a characterization of the characteristic of the temperature sensor and a determination of the thermal connection of the temperature sensor to the immediate environment. Alternatively, a good-bad rating can be made.

Von Vorteil ist auch ein Computerprogrammprodukt mit Programmcode, der auf einem maschinenlesbaren Träger wie einem Halbleiterspeicher, einem Festplattenspeicher oder einem optischen Speicher gespeichert sein kann und zur Durchführung des Verfahrens nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, wenn das Programmprodukt auf einem Computer oder einer Vorrichtung ausgeführt wird. Also of advantage is a computer program product with program code which can be stored on a machine-readable carrier such as a semiconductor memory, a hard disk memory or an optical memory and for carrying out the Method according to one of the embodiments described above is used when the program product is executed on a computer or a device.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen: The invention will now be described by way of example with reference to the accompanying drawings. Show it:

1 ein Blockschaltbild einer Vorrichtung zum Charakterisieren eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 1 a block diagram of an apparatus for characterizing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

2 eine schematische Darstellung eines Schnittbildes eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 2 a schematic representation of a sectional view of a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

3 eine Widerstandskennlinie 300 eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 3 a resistance characteristic 300 a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

4 Widerstandskennlinien von unterschiedlich in einer Trägerstruktur angebundenen und/oder angeordneten Temperatursensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 4 Resistance characteristics of different in a support structure connected and / or arranged temperature sensors according to an embodiment of the present invention;

5 Widerstandskennlinien von unterschiedlich in einer Trägerstruktur angebundenen Temperatursensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 5 Resistance characteristics of different in a support structure connected temperature sensors according to an embodiment of the present invention;

6 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 600 zum Charakterisieren eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 6 a flowchart of a method 600 for characterizing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

7 ein Blockschaltbild am Beispiel eines Druck-Temperatur-Sensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 7 a block diagram of the example of a pressure-temperature sensor according to an embodiment of the present invention;

8 eine schematische grafische Darstellung einer Gut-schlecht-Bewertung von Temperatursensoren in einer Trägerstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und 8th a schematic graphical representation of a good-bad evaluation of temperature sensors in a support structure according to an embodiment of the present invention; and

9 eine schematische grafische Darstellung einer Gut-schlecht-Bewertung von Temperatursensoren in einer Trägerstruktur mit einem Schwellwert gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 9 a schematic graphical representation of a good-bad evaluation of temperature sensors in a support structure with a threshold value according to an embodiment of the present invention.

In der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird. In the following description of preferred embodiments of the present invention, the same or similar reference numerals are used for the elements shown in the various figures and similarly acting, wherein a repeated description of these elements is omitted.

1 zeigt ein Blockschaltbild einer Vorrichtung 100 zum Charakterisieren eines Temperatursensors 110 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Vorrichtung 100 zum Charakterisieren eines Temperatursensors 110 umfasst eine Einrichtung 120 zum Zuführen einer Energiemenge 125 zu dem Temperatursensor 110, eine Einrichtung 130 zum Erfassen der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes 135 des Temperatursensors 110 sowie eine Einrichtung 140 zum Bestimmen einer Charakterisierungsinformation 145 unter Verwendung des Widerstandswertes 135 des Temperatursensors 110, um den Temperatursensor 110 zu charakterisieren. 1 shows a block diagram of a device 100 for characterizing a temperature sensor 110 according to an embodiment of the present invention. The device 100 for characterizing a temperature sensor 110 includes a device 120 for supplying an amount of energy 125 to the temperature sensor 110 , An institution 130 for detecting the change in the resistance caused by the temperature change 135 of the temperature sensor 110 as well as a facility 140 for determining characterization information 145 using the resistance value 135 of the temperature sensor 110 to the temperature sensor 110 to characterize.

Der Temperatursensor 110 weist eine Schnittstelle zum Erfassen eines Widerstandswertes des Temperatursensors 110 auf. Die Vorrichtung 100 zum Charakterisieren eines Temperatursensors 110 weist weiterhin eine in 1 nicht gezeigte Schnittstelle zum Erfassen eines Widerstandswertes des Temperatursensors 110 auf. Über die genannte oder eine weitere Schnittstelle des Temperatursensors 110 kann der Temperatursensor 110 von einer Stromquelle mit Strom versorgt werden und der Spannungsabfall über den Sensor gemessen werden (Widerstand R=U/I). Bei dem Temperatursensor 110 kann es sich je nach Ausführungsbeispiel beispielsweise um einen Heißleiter oder alternativ einen Kaltleiter handeln. Ein spezielles Ausführungsbeispiel eines Temperatursensors 110 wird in 2 dargestellt. Die Charakterisierungsinformation wird in 3 weiter ausgeführt; anhand einer Kennlinie werden verschiedene Parameter zum Charakterisieren des Temperatursensors 110 dargestellt und dann in den folgenden Figuren detaillierter ausgeführt. The temperature sensor 110 has an interface for detecting a resistance value of the temperature sensor 110 on. The device 100 for characterizing a temperature sensor 110 also has an in 1 not shown interface for detecting a resistance value of the temperature sensor 110 on. Via the mentioned or another interface of the temperature sensor 110 can the temperature sensor 110 be powered by a power source and the voltage drop across the sensor are measured (resistance R = U / I). At the temperature sensor 110 Depending on the exemplary embodiment, it may, for example, be a thermistor or, alternatively, a thermistor. A specific embodiment of a temperature sensor 110 is in 2 shown. The characterization information is in 3 further elaborated; On the basis of a characteristic, different parameters are used to characterize the temperature sensor 110 shown and then detailed in the following figures.

2 zeigt eine schematische Darstellung eines Schnittbildes eines Temperatursensors 110 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Temperatursensor 110 ist in einer Trägerstruktur 210 angeordnet. Bei der Trägerstruktur 210 handelt es sich in diesem Ausführungsbeispiel um einen Druckaufnehmer aus Edelstahl. Der Temperatursensor 110 ist als Heißleiter ausgeführt. Die Trägerstruktur 210 weist eine im Wesentlichen längliche Struktur auf, wobei an einer Stirnseite eine Spitze ausgebildet ist. Die Trägerstruktur 210 weist ein Durchgangsloch und ein Sackloch auf. Das Sackloch ist in einem Toleranzbereich entlang der Haupterstreckungsrichtung der Trägerstruktur 210 angeordnet und endet in der an der Stirnseite ausgebildeten Spitze der Trägerstruktur 210. Der Temperatursensor 110 ist in dem Sackloch angeordnet. Das Durchgangsloch ist parallel zum Sackloch ausgerichtet. In einem Ausführungsbeispiel kann der Temperatursensor 110 in dem Sackloch verklebt sein. Über die Anordnung des Temperatursensors 110 in der Trägerstruktur 210 kann eine thermische Anbindung des Temperatursensors 110 an die Trägerstruktur 210 erfolgen. Die thermische Anbindung des Temperatursensors 110 an die Trägerstruktur 210 kann weiterhin durch ein Verkleben mit einem Klebstoff mit der Trägerstruktur 210 beeinflusst werden. 2 shows a schematic representation of a sectional image of a temperature sensor 110 according to an embodiment of the present invention. The temperature sensor 110 is in a carrier structure 210 arranged. In the support structure 210 this is a pressure transducer made of stainless steel in this embodiment. The temperature sensor 110 is designed as a thermistor. The support structure 210 has a substantially elongated structure, wherein on a front side, a tip is formed. The support structure 210 has a through hole and a blind hole. The blind hole is in a tolerance range along the main extension direction of the support structure 210 arranged and ends in the formed on the front side tip of the support structure 210 , The temperature sensor 110 is arranged in the blind hole. The through hole is aligned parallel to the blind hole. In one embodiment, the temperature sensor 110 be glued in the blind hole. About the Arrangement of the temperature sensor 110 in the support structure 210 can be a thermal connection of the temperature sensor 110 to the support structure 210 respectively. The thermal connection of the temperature sensor 110 to the support structure 210 can continue by gluing with an adhesive to the support structure 210 to be influenced.

Mit anderen Worten zeigt 2 eine Messung der Widerstandsänderung eines Temperaturfühlers in Metallhülse mittels externer induktiver Heizung. Der Temperatursensor ist in einem Druckaufnehmer aus Edelstahl angeordnet. In einem Ausführungsbeispiel wird der P-T-Sensor in einen Induktor positioniert und die Metallhülse definiert induktiv erwärmt. Der Widerstandsverlauf während der Messung wird aufgezeichnet und stellt sich wie in 3 dargestellt dar:
3 zeigt eine Widerstandskennlinie 300 eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In einem kartesischen Koordinatensystem ist auf der Abszisse die Zeit T in Millisekunden (ms) und auf der Ordinate ein Widerstand R in Kilo-Ohm (kΩ) dargestellt. In dem Koordinatensystem ist eine Widerstandskennlinie 300 eingezeichnet. Die Widerstandskurve beginnt zu einer als Startzeitpunkt T0 definierten Startzeit mit einem Startwert des Widerstands, welcher als RS bezeichnet wird. Die Widerstands Kennlinie sinkt mit der Zeit, um nach einer Peakzeit TP ein Minimum Rmin des Widerstands zu erreichen und von diesem Moment an wieder langsam anzusteigen. Die Differenz zwischen dem Startwert RS des Widerstands und dem Minimum er Rmin des Widerstands wird als Widerstandshub ∆R bezeichnet. In other words shows 2 a measurement of the change in resistance of a temperature sensor in metal sleeve by means of external inductive heating. The temperature sensor is arranged in a pressure transducer made of stainless steel. In one embodiment, the PT sensor is positioned in an inductor and the metal sleeve defined inductively heated. The resistance curve during the measurement is recorded and turns as in 3 shown:
3 shows a resistance characteristic 300 a temperature sensor according to an embodiment of the present invention. In a Cartesian coordinate system, the abscissa shows the time T in milliseconds (ms) and the ordinate a resistance R in kilo-ohms (kΩ). In the coordinate system is a resistance characteristic 300 located. The resistance curve begins at a start time defined as start time T 0 with a start value of the resistance, which is designated as R S. The resistance characteristic decreases with time in order to reach a minimum R min of the resistance after a peak time T P and to increase slowly again from this moment on. The difference between the starting value R S of the resistor and the minimum resistance R min of the resistor is referred to as the resistance stroke ΔR.

Zum Zeitpunkt T0 wird der Startwiderstand RS erfasst und die externe Heizung aktiviert. Durch die externe Heizung wird die Metallhülse definiert erwärmt. Die Widerstandskennlinie des Sensors sinkt aufgrund der internen Wärmeleitung der Baugruppe, was der gesuchten Eigenschaft entspricht, bis zum Minimum ab, was der höchsten Temperatur entspricht. Da die externe Wärmezufuhr nur eine begrenzte Wärmemenge zuführt, steigt die Widerstandskennlinie nach Erreichen des Minimums durch die Wärmeverluste an die Umgebung wieder an (Abkühlung). Grundsätzlich kann die Messung auch nach der Erfassung des Minimums abgebrochen werden. At time T 0 , the starting resistance R S is detected and the external heating is activated. Due to the external heating, the metal sleeve is heated in a defined way. The resistance characteristic of the sensor decreases to the minimum, which corresponds to the highest temperature, due to the internal heat conduction of the assembly, which corresponds to the characteristic sought. Since the external heat supply supplies only a limited amount of heat, the resistance characteristic increases after reaching the minimum by the heat losses to the environment again (cooling). In principle, the measurement can be aborted even after the minimum has been detected.

In dem gezeigten Ausführungsbeispiel beträgt der Startwert RS des Widerstands ca. 31 kΩ. 3 zeigt die Widerstandskennlinie 300 über einen Zeitraum von 10.000 ms das Minimum Rmin der Widerstandskennlinie 300 liegt bei ca. 7 kΩ, und wird nach einer Zeit von 2.000 ms erreicht. Am Ende erreicht die dargestellte Widerstandskennlinie 300 nach 10.000 ms einen Wert von ca. 20 kΩ. In the embodiment shown, the starting value R S of the resistor is approximately 31 kΩ. 3 shows the resistance characteristic 300 over a period of 10,000 ms the minimum R min of the resistance characteristic 300 is about 7 kΩ, and is reached after a time of 2,000 ms. At the end, the illustrated resistance characteristic reaches 300 after 10,000 ms a value of approx. 20 kΩ.

Die Widerstandskennlinie kann in einem Ausführungsbeispiel als eine Messkurve bestimmt werden. Aus der Messkurve ergeben sich ein Startwert Widerstand Rs, ein Widerstandshub ∆R, eine Peakzeit Tp sowie ein Minimum Widerstand Rmin. Der Widerstandshub und die Peakzeit sind abhängig von Lage und thermischer Anbindung des Temperaturfühlers im Druckaufnehmer und können zur Bewertung des P-T-Sensors ausgewertet werden. Für verschiedene Einbaulagen und thermische Anbindungen lassen sich eindeutige Abweichungen im Signalverlauf ermitteln:
4 zeigt Widerstandskennlinien von unterschiedlich in einer Trägerstruktur angebundenen und/oder angeordneten Temperatursensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In einem kartesischen Koordinatensystem entsprechend dem in 3 dargestellten Koordinatensystem sind fünf unterschiedliche Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 dargestellt. Die Widerstandskennlinie 300 ist bereits anhand von 3 beschrieben. Die Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 weisen unterschiedliche Höhen des als Heißleiter ausgebildeten Temperatur Sensors über dem Grund eines Sacklochs als einer Trägerstruktur auf. Bei dem in einer Trägerstruktur angeordneten Temperatursensor kann es sich um ein Ausführungsbeispiel entsprechend des in 2 gezeigten Ausführungsbeispiels handeln. Die Widerstandskennlinie 300 repräsentiert einen 0,0 mm über Grund angeordneten Temperatursensor. Die Widerstandslinie 410 repräsentiert einen 1,4 mm über Grund angeordneten Temperatursensor. Die Widerstandskennlinie 420 repräsentiert einen 2,4 mm über Grund angeordneten Temperatursensor. Die Widerstandslinie 430 repräsentiert einen 3,4 mm über Grund angeordneten Temperatursensor. Die Widerstandslinie 440 repräsentiert einen 4,4 mm über Grund angeordneten Temperatursensor. Durch das Anordnen des Temperatursensors in unterschiedlicher Höhe über Grund ändert sich sowohl die Peakzeit als auch der Widerstandshub der zugeordneten Widerstandskennlinie 300, 410, 420, 430, 440. Mit einer steigenden über Grund angeordneten Höhe des Temperatursensors verlängert bzw. steigt die Peakzeit und gleichzeitig verringert sich der Widerstandshub. Bei den gezeigten Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 kann von gleichen Randparametern für das Erstellen der Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 ausgegangen werden, d.h. die Temperatur zu Beginn der Charakterisierung des Temperatursensors sowie die zugeführte Energiemenge je Temperatursensor können als in einem Toleranzbereich gleich angesehen werden. So starten die genannten fünf Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 in einem Toleranzbereich bei dem gleichen Widerstandswert. Nach einer Zeit von ca. 10.000 ms erreichen die Widerstandskennlinien 300, 410, 420, 430, 440 einen Widerstandsbereich von ca. 20 kOhm, sodass man auch hier von einem in einem Toleranzbereich gleichen Widerstandswert sprechen kann. Der Toleranzbereich bezieht sich dabei nicht auf den Endwert nach 10 s, die Messung hätte auch nach dem Erfassen des Minimums beendet werden können. The resistance characteristic can be determined in one embodiment as a measurement curve. The measurement curve results in a starting value of resistance R s , a resistance stroke ΔR, a peak time Tp and a minimum resistance R min . The resistance stroke and the peak time depend on the position and thermal connection of the temperature sensor in the pressure transducer and can be evaluated for the evaluation of the PT sensor. For different mounting positions and thermal connections, clear deviations in the signal curve can be determined:
4 shows resistance characteristics of different in a support structure connected and / or arranged temperature sensors according to an embodiment of the present invention. In a Cartesian coordinate system according to the in 3 shown coordinate system are five different resistance characteristics 300 . 410 . 420 . 430 . 440 shown. The resistance characteristic 300 is already based on 3 described. The resistance characteristics 300 . 410 . 420 . 430 . 440 have different heights of the formed as a thermistor temperature sensor on the bottom of a blind hole as a support structure. The temperature sensor arranged in a carrier structure may be an exemplary embodiment according to the description in 2 act shown embodiment. The resistance characteristic 300 represents a 0.0 mm above ground temperature sensor. The resistance line 410 represents a temperature sensor located 1.4 mm above ground. The resistance characteristic 420 represents a temperature sensor located 2.4 mm above ground. The resistance line 430 represents a 3.4 mm above ground temperature sensor. The resistance line 440 represents a 4.4 mm above ground temperature sensor. By arranging the temperature sensor at different levels above ground, both the peak time and the resistance swing of the associated resistance characteristic change 300 . 410 . 420 . 430 . 440 , With a rising above ground level of the temperature sensor extends or increases the peak time and at the same time reduces the resistance stroke. In the shown resistance characteristics 300 . 410 . 420 . 430 . 440 can have the same edge parameters for creating the resistance curves 300 . 410 . 420 . 430 . 440 can be assumed, ie the temperature at the beginning of the characterization of the temperature sensor and the amount of energy supplied per temperature sensor can be regarded as equal in a tolerance range. So start the mentioned five resistance characteristics 300 . 410 . 420 . 430 . 440 in a tolerance range at the same resistance value. After a time of approx. 10,000 ms, the resistance characteristics reach 300 . 410 . 420 . 430 . 440 a resistance range of approx. 20 kOhm, so that one of them also has a tolerance range same resistance value can speak. The tolerance range does not refer to the final value after 10 s, the measurement could have been terminated even after the minimum was recorded.

Eine Abhängigkeit zwischen Startwiderstand und einem Qualitätskriterium wird nachfolgend anhand von 8 veranschaulicht. A dependence between starting resistance and a quality criterion is described below on the basis of 8th illustrated.

5 zeigt Widerstandskennlinien von unterschiedlich in einer Trägerstruktur angebundenen Temperatursensoren gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Widerstandskennlinie 300 ist bereits anhand von 3 beschrieben. Die zwei in 5 gezeigten Widerstandskennlinien 300, 510 repräsentieren mit (300) und ohne (510) Klebstoff in einer Trägerstruktur angeordnete Temperatursensoren. Bei dem Temperatursensor kann es sich um einen Temperatursensor gemäß einem der in 1 und 2 gezeigten Ausführungsbeispiele handeln. Die Widerstandskennlinien sind entsprechend eines in 3 gezeigten Ausführungsbeispiels dargestellt. Die Widerstandskennlinie 300 repräsentiert einen mit 12 mg Klebstoff in einer Trägerstruktur angebundenen Temperatursensor. Die Widerstandskennlinie 510 repräsentiert einen ohne Klebstoff in einer Trägerstruktur angebundenen Temperatursensor. Beide Temperatursensoren sind 0 mm über Grund (des Sacklochs) der Trägerstruktur angeordnet. Der mit Klebstoff eingebundene Temperatursensor weist eine kürzere Peakzeit und einen höheren Widerstandshub auf als der ohne Klebstoff eingebundene Temperatursensor. 5 shows resistance characteristics of different temperature sensors connected in a support structure according to an embodiment of the present invention. The resistance characteristic 300 is already based on 3 described. The two in 5 shown resistance characteristics 300 . 510 represent with ( 300 ) and without ( 510 ) Adhesive arranged in a support structure temperature sensors. The temperature sensor may be a temperature sensor according to one of the in 1 and 2 act examples shown. The resistance characteristics are according to a in 3 shown embodiment shown. The resistance characteristic 300 represents a temperature sensor attached to 12 mg of adhesive in a support structure. The resistance characteristic 510 represents a temperature sensor attached without adhesive in a support structure. Both temperature sensors are located 0 mm above ground (the blind hole) of the support structure. The adhesive-bonded temperature sensor has a shorter peak time and a higher resistance stroke than the non-adhesive temperature sensor.

6 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 600 zum Charakterisieren eines Temperatursensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem Temperatursensor kann es sich um einen bereits in 1 oder 2 beschriebenen Temperatursensor handeln. Eine Temperaturänderung des Temperatursensors bewirkt eine Änderung eines Widerstandswertes des Temperatursensors. Das Verfahren 600 zum Charakterisieren eines Temperatursensors umfasst einen Schritt 610 des Zuführens einer Energiemenge zu dem Temperatursensor, um die Temperaturänderung zu bewirken, einen Schritt 620 des Erfassens der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes des Temperatursensors sowie einen Schritt 630 des Bestimmens einer Charakterisierungsinformation unter Verwendung des Widerstandswertes des Temperatursensors, um den Temperatursensor zu charakterisieren. Mit anderen Worten kann das Verfahren zur dynamischen Charakterisierung von Temperatursensoren genutzt werden. Das vorgestellte Verfahren dient der Reduzierung des notwendigen Prüfaufwandes im Vergleich zu bekannten Verfahren und damit verbunden einer Erhöhung der Prüfgenauigkeit und Senkung der Prüfkosten. 6 shows a flowchart of a method 600 for characterizing a temperature sensor according to an embodiment of the present invention. The temperature sensor may be one already in 1 or 2 act described temperature sensor. A temperature change of the temperature sensor causes a change in a resistance value of the temperature sensor. The procedure 600 for characterizing a temperature sensor comprises a step 610 supplying an amount of energy to the temperature sensor to effect the temperature change, a step 620 detecting the change in the resistance value of the temperature sensor caused by the temperature change, and a step 630 determining a characterization information using the resistance value of the temperature sensor to characterize the temperature sensor. In other words, the method can be used for the dynamic characterization of temperature sensors. The presented method serves to reduce the necessary testing effort in comparison to known methods and, associated therewith, to increase the accuracy of the test and reduce the testing costs.

7 zeigt ein Blockschaltbild am Beispiel eines Druck-Temperatur-Sensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das hier gezeigte Blockschaltbild kann in Zusammenhang mit dem in 1 beschriebenen Blockschaltbild einer Vorrichtung 100 zum Charakterisieren eines Temperatursensors 110 betrachtet werden. Es handelt sich um eine detailliertere Darstellung eines entsprechenden Ausführungsbeispiels. Ein Temperatursensor 110 ist in einer Trägerstruktur 210, welche als ein Druck-Temperatur-Sensor ausgebildet ist, angeordnet. Auf den Temperatursensor 110 wirkt ein aktiver Wärmeeintrag 710 oder alternativ ein passiver Wärmeeintrag 720. In einem weiteren Ausführungsbeispiel können der aktive Wärmeeintrag 710 und der passive Wärmeeintrag 720 gleichzeitig wirken. Der aktive Wärmeeintrag 710 wird von einer zentralen Steuer- und Auswerteeinheit 730, kurz als SAE bezeichnet, gesteuert. Zur Steuer- und Auswerteeinheit 730 ist eine Visualisierung 740 zugeordnet. Die Visualisierung 740 zeigt Prozessgrößen wie beispielsweise den Widerstandswert des Temperatursensors 110, den Widerstandshub, die zugeführte Energie oder das Widerstandssignal an. Die Steuer- und Auswerteeinheit 730 steuert weiterhin eine Versorgungseinheit 750, kurz als VE bezeichnet, eine Filterung Einheit 760, kurz als FE bezeichnet, sowie eine Datenerfassungseinheit 770, kurz als DE bezeichnet. Die Versorgungseinheit 750 liefert eine Versorgungsgröße an den Temperatursensor 110. Eine Messgröße geht vom Temperatursensor 110 über die Filtereinheit 760 zur Datenerfassungseinheit 770. In einem Ausführungsbeispiel geht eine Messgröße von dem aktiven Wärmeeintrag 710 zur Datenerfassungseinheit 770, den Wärmeeintrag zum Temperatursensor 110 zu erfassen. Die von der Datenerfassungseinheit 770 erfassten Messgrößen werden an die Steuer-und Auswerteeinheit 730 weitergereicht. In dem in Fig. Sieben dargestellten Blockschaltbild sind Steuersignale bzw. die Steuerung gepunktet dargestellt. Gestrichelte Pfeile repräsentieren Versorgungsgrößen. Die Messgrößen sind als durchgezogene Linien bzw. Pfeile dargestellt. 7 shows a block diagram of the example of a pressure-temperature sensor according to an embodiment of the present invention. The block diagram shown here can be used in conjunction with the in 1 described block diagram of a device 100 for characterizing a temperature sensor 110 to be viewed as. It is a more detailed representation of a corresponding embodiment. A temperature sensor 110 is in a carrier structure 210 , which is designed as a pressure-temperature sensor, arranged. On the temperature sensor 110 acts an active heat input 710 or alternatively a passive heat input 720 , In a further embodiment, the active heat input 710 and the passive heat input 720 act simultaneously. The active heat input 710 is provided by a central control and evaluation unit 730 , briefly referred to as SAE, controlled. To the control and evaluation unit 730 is a visualization 740 assigned. The visualization 740 shows process variables such as the resistance value of the temperature sensor 110 , the resistance stroke, the supplied energy or the resistance signal. The control and evaluation unit 730 continues to control a supply unit 750 , abbreviated as VE, a filtering unit 760 , called FE for short, and a data acquisition unit 770 , abbreviated as DE. The supply unit 750 supplies a supply to the temperature sensor 110 , A measurand goes from the temperature sensor 110 over the filter unit 760 to the data acquisition unit 770 , In one embodiment, a measure of the active heat input 710 to the data acquisition unit 770 , the heat input to the temperature sensor 110 capture. The data collection unit 770 measured quantities are sent to the control and evaluation unit 730 passed on. In the block diagram shown in Fig. Seven control signals and the controller are shown dotted. Dashed arrows represent supply sizes. The measured variables are shown as solid lines or arrows.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann eine Versorgungseinheit (VE) die Energie zur Versorgung des Sensors bereitstellen. Eine Versorgungseinheit (VE) kann die Energie für die mögliche passive Erwärmung des Temperatursensors (NTC) bereitstellen. In einem entsprechenden Ausführungsbeispiel ist die Datenerfassungseinheit 770 mit der Filtereinheit verbunden, sodass die dem Temperatursensor 110 nachgeschaltete Filtereinheit 760 (FE) unerwünschte Signalanteile der elektrischen Messgrößen abschwächt und unterdrückt. Die Datenerfassungseinheit 770 (DE) kann in einem Ausführungsbeispiel die Messsignale zeitsynchron erfassen, das heißt die zugeführte Energiemenge und den Widerstandswert des Temperatursensors zeitsynchron oder simultan erfassen. Die Steuer- und Auswerteeinheit 730 übernimmt die Steuerung der Hardware und die nachgestellte Auswerteeinheit der Steuer- und Auswerteeinheit 730 ermittelt, sowie visualisiert die Prozessgrößen. According to one embodiment, a supply unit (VE) may provide the power to power the sensor. A supply unit (VE) can provide the energy for the possible passive heating of the temperature sensor (NTC). In a corresponding embodiment, the data acquisition unit 770 connected to the filter unit, so that the temperature sensor 110 downstream filter unit 760 (FE) weakens and suppresses unwanted signal components of the electrical measured quantities. The data acquisition unit 770 In one exemplary embodiment, (DE) can detect the measuring signals in a time-synchronized manner, that is to say record the supplied quantity of energy and the resistance value of the temperature sensor simultaneously or simultaneously. The control and evaluation unit 730 assumes control of the hardware and the downstream evaluation unit of the control and evaluation unit 730 determines and visualizes the process variables.

8 zeigt eine schematische grafische Darstellung einer Gut-schlecht- Bewertung von Temperatursensoren in einer Trägerstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei den Temperatursensoren in einer Trägerstruktur kann es sich um Druck-Temperatur-Sensoren (P-T-Sensoren) gemäß dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel handeln. In einem kartesischen Koordinatensystem ist auf der Abszisse der Startwert RS des Widerstands des Temperatursensors und auf der Ordinate ein als Score Q bezeichneter Parameter, welcher als Quotient aus Widerstandshub und Peakzeit gebildet wird, dargestellt. Bei dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Kennlinie der verwendeten Temperatursensoren nicht linear, woraus sich eine Abhängigkeit der gemessenen Widerstandswerte vom Startwert RS des Widerstandes zu Beginn einer Messung ergibt. Der Startwert RS des Widerstands auf der Abszisse ist in Kilo Ohm angegeben. Der Score Q wird in Kiloohm pro Sekunde (kΩ/s) auf der Ordinate dargestellt. Für die Gut-Schlecht-Bewertung der P-T-Sensoren wird ein Score Q = Widerstandshub/Peakzeit berechnet. Da die Kennlinie der verwendeten Temperaturfühler nicht linear ist, ergibt sich eine Abhängigkeit der Messgrößen vom Startwert des Widerstandes zu Beginn der Messung. 8th shows a schematic graphical representation of a good-bad rating of temperature sensors in a support structure according to an embodiment of the present invention. The temperature sensors in a support structure may be pressure-temperature sensors (PT sensors) according to the in 2 shown embodiment act. In a Cartesian coordinate system, the abscissa represents the starting value R S of the resistance of the temperature sensor, and the ordinate represents a parameter designated as Score Q, which is formed as a quotient of the resistance stroke and the peak time. In the embodiment shown here, the characteristic curve of the temperature sensors used is not linear, which results in a dependence of the measured resistance values on the starting value R S of the resistor at the beginning of a measurement. The starting value R S of the resistance on the abscissa is given in kilo ohms. The score Q is plotted in kilo-ohms per second (kΩ / s) on the ordinate. For the good-bad rating of the PT sensors, a score Q = resistance stroke / peak time is calculated. Since the characteristic curve of the temperature sensors used is not linear, there is a dependence of the measured variables on the start value of the resistance at the beginning of the measurement.

Mit anderen Worten zeigt 8 die Abhängigkeit zwischen Startwiderstand Rs und dem Qualitätskriterium Q. In 8 wird die Unabhängigkeit des beschriebenen Ansatzes von einer exakten Temperierung deutlich. Es handelt sich um Messungen bei Raumtemperatur, welche 10 kOhm entspricht, und bei ca. 55°C, was 3 kOhm entspricht. Die Positionen 710 und 720 sind die Grenzen des „guten“ Messbereichs, das heißt, in dem Bereich sind die getesteten Sensoren in Ordnung, wobei 710 den eigentlichen Schwellwert für die Gut- Schlechtbewertung repräsentiert. 720 dient zur Überprüfung der Plausibilität des Messwertes. Bei Überschreiten ist eine Fehlpositionierung des Prüflings wahrscheinlich und die Prüfung wird inklusive Positionierung komplett wiederholt. In other words shows 8th the dependence between starting resistance Rs and the quality criterion Q. In 8th the independence of the described approach from an exact temperature control becomes clear. It is measurements at room temperature, which corresponds to 10 kOhm, and at about 55 ° C, which corresponds to 3 kOhm. The positions 710 and 720 are the limits of the "good" measurement range, that is, in the range the tested sensors are ok, where 710 represents the actual threshold value for the good bad rating. 720 serves to check the plausibility of the measured value. If exceeded, incorrect positioning of the test object is probable and the test is completely repeated including positioning.

9 zeigt entsprechend zu 8 eine schematische grafische Darstellung einer Gut-schlecht-Bewertung von Temperatursensoren in einer Trägerstruktur mit einem Schwellwert gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Schwellwert für die Bewertung wurde experimentell ermittelt und kann einfach aus dem Startwiderstand der jeweiligen Messung berechnet und mit der Messgröße verglichen werden: Der Schwellwert kann nach der experimentell ermittelten Funktion Qgrenz = 0,105 + x1,18 bestimmt werden. 9 shows accordingly 8th a schematic graphical representation of a good-bad evaluation of temperature sensors in a support structure with a threshold value according to an embodiment of the present invention. The threshold value for the evaluation was determined experimentally and can simply be calculated from the starting resistance of the respective measurement and compared with the measured variable: The threshold value can be determined according to the experimentally determined function Q grenz = 0.105 + x 1.18 .

Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden. The embodiments described and shown in the figures are chosen only by way of example. Different embodiments may be combined together or in relation to individual features. Also, an embodiment can be supplemented by features of another embodiment.

Ferner können erfindungsgemäße Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden. Furthermore, method steps according to the invention can be repeated as well as carried out in a sequence other than that described.

Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine „und/oder“-Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist. If an exemplary embodiment comprises a "and / or" link between a first feature and a second feature, then this is to be read so that the embodiment according to one embodiment, both the first feature and the second feature and according to another embodiment either only first feature or only the second feature.

Claims (11)

Verfahren (600) zum Charakterisieren eines Temperatursensors (110), wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors (110) eine Änderung eines Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110) bewirkt, wobei das Verfahren (600) die folgenden Schritte umfasst: Zuführen (610) einer Energiemenge (125) zu dem Temperatursensor (110), um die Temperaturänderung zu bewirken; und Erfassen (620) der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110); und Bestimmen (630) einer Charakterisierungsinformation (145) unter Verwendung des Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110), um den Temperatursensor (110) zu charakterisieren. Procedure ( 600 ) for characterizing a temperature sensor ( 110 ), wherein a temperature change of the temperature sensor ( 110 ) a change of a resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ), the process ( 600 ) comprises the following steps: feeding ( 610 ) an amount of energy ( 125 ) to the temperature sensor ( 110 ) to effect the temperature change; and capture ( 620 ) the change in resistance caused by the temperature change ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ); and determining ( 630 ) characterization information ( 145 ) using the resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ) to the temperature sensor ( 110 ) to characterize. Verfahren (600) gemäß Anspruch 1, bei dem im Schritt (620) des Erfassens zumindest zwei Widerstandswerte (135) erfasst werden, um die Änderung des Widerstandswertes (135) zu erfassen. Procedure ( 600 ) according to claim 1, wherein in step ( 620 ) of detecting at least two resistance values ( 135 ) to detect the change in the resistance value ( 135 ) capture. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem die Energiemenge (125) aktiv zugeführt wird, insbesondere mittels einer Wärmekammer und/oder mittels eines Heizgebläses und/oder mittels eines Temperaturbads und/oder durch induktives Erwärmen. Procedure ( 600 ) according to one of the preceding claims, in which the amount of energy ( 125 ) is actively supplied, in particular by means of a heating chamber and / or by means of a Heizgebläses and / or by means of a temperature bath and / or by inductive heating. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem die Energiemenge (125) mittels einer passiven Erwärmung, insbesondere mittels einer Eigenerwärmung des Temperatursensors (110), zugeführt wird. Procedure ( 600 ) according to one of the preceding claims, in which the amount of energy ( 125 ) by means of a passive heating, in particular by means of a self-heating of the temperature sensor ( 110 ) is supplied. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (630) des Bestimmens als Charakterisierungsinformation (145) unter Verwendung der Änderung des Widerstandswertes (135) ein Widerstandshub (∆R) und/oder eine Peakzeit (Tp) ermittelt wird, wobei der Widerstandshub (∆R) eine maximale Widerstandsänderung repräsentiert und wobei die Peakzeit (Tp) ein Zeitintervall bis zu einem Zeitpunkt der maximalen Widerstandsänderung repräsentiert. Procedure ( 600 ) according to one of the preceding claims, wherein in step ( 630 ) of determining as characterization information ( 145 ) using the change in the resistance value ( 135 ), a resistance swing (ΔR) and / or a peak time (Tp) is determined, wherein the resistance swing (ΔR) represents a maximum resistance change, and wherein the peak time (Tp) represents a time interval up to a time point of maximum resistance change. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, mit einem Schritt des Ermittelns der im Schritt (610) des Zuführens zugeführten Energiemenge (125), um die Temperaturänderung zu bestimmen. Procedure ( 600 ) according to any one of the preceding claims, comprising a step of determining in step ( 610 ) of supplying supplied amount of energy ( 125 ) to determine the temperature change. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (630) des Bestimmens eine Einbaulage und/oder eine thermische Anbindung des Temperatursensors (110) an eine Trägerstruktur (210) unter Verwendung der zugeführten Energiemenge (125) und/oder der Änderung des Widerstandswertes (135) bestimmt wird, um den Temperatursensor (110) zu charakterisieren. Procedure ( 600 ) according to one of the preceding claims, wherein in step ( 630 ) of determining an installation position and / or a thermal connection of the temperature sensor ( 110 ) to a support structure ( 210 ) using the amount of energy supplied ( 125 ) and / or the change of the resistance value ( 135 ) is determined to the temperature sensor ( 110 ) to characterize. Verfahren (600) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (620) des Erfassens ein Widerstandssignal erfasst wird, welches die Änderung des Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110) repräsentiert, wobei das Widerstandssignal eine Mehrzahl von Widerstandswerten (125) über eine Zeit der Temperaturänderung repräsentiert, um den Temperatursensor (110) zu charakterisieren. Procedure ( 600 ) according to one of the preceding claims, wherein in step ( 620 ) of detecting a resistance signal is detected which the change of the resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ), wherein the resistance signal has a plurality of resistance values ( 125 ) over a period of temperature change to the temperature sensor ( 110 ) to characterize. Verfahren (600) gemäß Anspruch 8, bei dem in einem Schritt des Filterns das Widerstandssignal gefiltert wird, insbesondere um unerwünschte Signalanteile, welche die Widerstandsänderung repräsentieren, abzuschwächen und/oder zu unterdrücken. Procedure ( 600 ) according to claim 8, wherein in a filtering step the resistance signal is filtered, in particular to attenuate and / or suppress unwanted signal components representing the change in resistance. Vorrichtung (100) zum Charakterisieren eines Temperatursensors (110), wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors (110) eine Änderung eines Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110) bewirkt, die die folgenden Merkmale aufweist: eine Einrichtung (120) zum Zuführen einer Energiemenge (125), um die Temperaturänderung zu bewirken; und eine Einrichtung (130) zum Erfassen der durch die Temperaturänderung bewirkten Änderung des Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110); und eine Einrichtung (140) zum Bestimmen einer Charakterisierungsinformation (145) unter Verwendung des Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110), um den Temperatursensor (110) zu charakterisieren. Contraption ( 100 ) for characterizing a temperature sensor ( 110 ), wherein a temperature change of the temperature sensor ( 110 ) a change of a resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ) having the following features: a device ( 120 ) for supplying an amount of energy ( 125 ) to effect the temperature change; and a facility ( 130 ) for detecting the change in the resistance value caused by the temperature change ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ); and a facility ( 140 ) for determining a characterization information ( 145 ) using the resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ) to the temperature sensor ( 110 ) to characterize. System zum Charakterisieren eines Temperatursensors (110), wobei eine Temperaturänderung des Temperatursensors (110) eine Änderung eines Widerstandswertes (135) des Temperatursensors bewirkt, wobei das System die folgenden Merkmale aufweist: einen Temperatursensor (110), der ausgebildet ist, dass eine eingebrachte Energiemenge (125), insbesondere eine Wärmeenergie eine Änderung eines Widerstandswertes (135) des Temperatursensors (110) bewirkt. eine Vorrichtung (100) zum Charakterisieren eines Temperatursensors (110) gemäß Anspruch 10. System for characterizing a temperature sensor ( 110 ), wherein a temperature change of the temperature sensor ( 110 ) a change of a resistance value ( 135 ) of the temperature sensor, the system comprising the following features: a temperature sensor ( 110 ), which is designed such that an amount of energy introduced ( 125 ), in particular a heat energy a change of a resistance value ( 135 ) of the temperature sensor ( 110 ) causes. a device ( 100 ) for characterizing a temperature sensor ( 110 ) according to claim 10.
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