DE102012216494A1 - Method of operating projection printer for EUV lithography, involves controlling image-side transmission depending on comparison result such that image-side transmission is produced within one or more transmission specifications - Google Patents

Method of operating projection printer for EUV lithography, involves controlling image-side transmission depending on comparison result such that image-side transmission is produced within one or more transmission specifications Download PDF

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Abstract

The method involves measuring (101) image side transmission of the projection printer (201) by one or more optical elements (203) which reflects light with exposure utilizable wavelength (205). The measured image side transmission is compared (103) with predetermined transmission specifications. The image-side transmission is controlled (105) depending on the comparison result such that the image-side transmission is produced within the one or more transmission specifications. Independent claims are included for the following: (1) projection printer for EUV lithography; and (2) computer program for operating projection printer for EUV lithography.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie. Die Erfindung betrifft ferner ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie sowie ein Computerprogramm.The invention relates to a method for operating a projection exposure system for EUV lithography. The invention further relates to a projection exposure system for EUV lithography and a computer program.

Projektionsbelichtungssysteme für die EUV-Lithographie sind als solche beispielsweise aus der Offenlegungsschrift DE 199 03 807 A1 oder EP 1 746 463 A2 bekannt.Projection exposure systems for EUV lithography are as such, for example, in the published patent application DE 199 03 807 A1 or EP 1 746 463 A2 known.

Im Betrieb solcher EUV-Projektionsbelichtungssysteme kann es beispielsweise zu Verunreinigungen auf optischen Elementen oder Veränderungen der optischen Wirkung der optischen Elemente des Systems kommen. Solche Verunreinigungen oder Veränderungen können in der Regel zu einer Transmissionsveränderung, insbesondere einem Transmissionsverlust führen.In the operation of such EUV projection exposure systems, for example, it can lead to contamination on optical elements or changes in the optical effect of the optical elements of the system. Such impurities or changes can usually lead to a change in transmission, in particular a loss of transmission.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann daher darin gesehen werden, ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie anzugeben, welche einen in einem Betrieb des Systems auftretenden Transmissionsverlust kompensieren kann.The problem underlying the invention can therefore be seen to provide a method for operating a projection exposure system for EUV lithography, which can compensate for a transmission loss occurring in an operation of the system.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann auch darin gesehen werden, ein entsprechendes Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie anzugeben.The object underlying the invention can also be seen in providing a corresponding projection exposure system for EUV lithography.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann auch darin gesehen werden, ein entsprechendes Computerprogramm anzugeben.The problem underlying the invention can also be seen in providing a corresponding computer program.

Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.These objects are achieved by means of the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments are the subject of each dependent subclaims.

Gemäß einem Aspekt wird ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie bereitgestellt. Hierbei wird die Transmission bzw. Intensität feldpunktaufgelöst für Feldpunkte der Bildfeldebene gemessen. Es wird also insbesondere bildseitig die Transmission bzw. Intensität, vorzugsweise bildseitig die ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität, des mittels eines oder mehreren optischen Elementen des Projektionsbelichtungssystems reflektierten Lichts einer Belichtungsnutzwellenlänge des Projektionsbelichtungssystems gemessen, wobei die Belichtungsnutzwellenlänge vorzugsweise im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm liegt.In one aspect, a method of operating a projection exposure system for EUV lithography is provided. In this case, the transmission or intensity is measured field-point resolved for field points of the image field plane. The transmission or intensity, preferably the image-side, of the spatially resolved transmission or intensity of the light of an exposure useful wavelength of the projection exposure system reflected by one or more optical elements of the projection exposure system is thus measured on the image side, wherein the exposure useful wavelength is preferably in the range between 5 nm and 30 nm ,

Die gemessene Transmission bzw. Intensität wird feldpunktaufgelöst mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen verglichen. Abhängig von dem Vergleich wird die Lichtleistung, und somit insbesondere die Intensität bzw. Transmission, derart geregelt, dass die feldpunktweisen Transmissionsparameter bzw. Intensitätsparameter innerhalb bzw. möglichst nahe den vorbestimmten Grenzen der Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegen. Die bildseitige Transmission bzw. Intensität, insbesondere die bildseitige ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität, wird also abhängig von dem Vergleich derart geregelt, dass die bildseitige Transmission innerhalb der einen oder der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt und/oder eine Verbesserung in zumindest einer der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen bewirkt wird.The measured transmission or intensity is compared field-resolved with predetermined transmission specifications or intensity specifications. Depending on the comparison, the light output, and thus in particular the intensity or transmission, is regulated in such a way that the field-point-wise transmission parameters or intensity parameters lie within or as close as possible to the predetermined limits of the transmission specifications or intensity specifications. The image-side transmission or intensity, in particular the image-side spatially resolved transmission or intensity, is thus regulated depending on the comparison such that the image-side transmission lies within the one or more transmission specifications or intensity specifications and / or an improvement in at least one of the plurality Transmission specifications or intensity specifications is effected.

Nach einem weiteren Aspekt wird ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie angegeben. Das Projektionsbelichtungssystem umfasst ein optisches Element sowie eine Messeinrichtung zum Messen der feldpunktaufgelösten Transmission. Des Weiteren ist eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen der feldpunktaufgelösten Transmission mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen vorgesehen. Das Projektionsbelichtungssystem umfasst ferner eine Regelungseinrichtung zum Regeln der Transmission bzw. Intensität derart, dass diese innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt.In another aspect, a projection exposure system for EUV lithography is provided. The projection exposure system comprises an optical element and a measuring device for measuring the field-point-resolved transmission. Furthermore, a comparison device is provided for comparing the field-point-resolved transmission with predetermined transmission specifications or intensity specifications. The projection exposure system further comprises a control device for regulating the transmission or intensity such that it lies within the predetermined transmission specifications or intensity specifications.

Gemäß noch einem Aspekt wird ein Computerprogramm bereitgestellt, das Programmcode zur Durchführung des Verfahrens zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie umfasst, wenn das Computerprogramm in einem Computer ausgeführt wird.In yet another aspect, there is provided a computer program comprising program code for performing the method of operating a projection exposure system for EUV lithography when the computer program is executed in a computer.

Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, in einem Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie die feldpunktaufgelöste Transmission zu messen. Dieses Projektionsbelichtungssystem enthält eine Mehrzahl an gleich oder unterschiedlich ausgebildeten optischen Elementen, wie beispielsweise einen Kollektorspiegel, oder einen facettierten Spiegel oder einen anderen aus dem Stand der Technik bekannten Spiegel. Allgemein ist jedes dieser optischen Elemente ausgebildet, Licht zu reflektieren, insbesondere Licht im EUV-Wellenlängenspektrum zwischen 5 nm und 30 nm zu reflektieren. Die optischen Elemente sind insofern insbesondere im Strahlengang des Systems angeordnet.In particular, the invention thus encompasses the idea of measuring the field-point-resolved transmission in a projection exposure system for EUV lithography. This projection exposure system includes a plurality of equally or differently formed optical elements, such as a collector mirror, or a faceted mirror or other mirror known in the art. In general, each of these optical elements is designed to reflect light, in particular to reflect light in the EUV wavelength spectrum between 5 nm and 30 nm. The optical elements are so far arranged in particular in the beam path of the system.

Aufgrund des Vergleichs mit den vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen kann festgestellt werden, ob bedingt durch Verunreinigungen oder Veränderungen ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust aufgetreten ist. Hierbei entspricht die vorbestimmte Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation in der Regel der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität, die in einen neuen bzw. einem Projektionsbelichtungssystem ohne Verunreinigungen und/oder Veränderungen gemessen wird. Die vorbestimmte Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation kann insbesondere auch der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität entsprechen, welche gerade noch toleriert werden kann, ohne dass es zu wesentlichen negativen Beeinträchtigungen bei einer Belichtung eines Wafers mittels der Projektionsbelichtungsanlage kommt. Aufgrund der Regelung der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität derart, dass die bildseitige feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt, kann in vorteilhafter Weise sichergestellt werden, dass die Minimalanforderungen an feldpunktaufgelöster Transmissionsvariation bzw. die Minimalanforderungen an die Intensität für eine bestimmungsgemäße Belichtung eines Wafers erreicht bzw. sichergestellt werden.Due to the comparison with the predetermined transmission specifications or intensity specifications, it can be determined whether, due to impurities or changes, a transmission loss or loss of intensity occured. In this case, the predetermined transmission specification or intensity specification generally corresponds to the field-point-resolved transmission or intensity which is measured in a new or a projection exposure system without impurities and / or changes. The predetermined transmission specification or intensity specification can in particular also correspond to the field-point-resolved transmission or intensity, which can barely be tolerated, without there being any significant negative impairments in the case of exposure of a wafer by means of the projection exposure apparatus. Due to the regulation of the field-point-resolved transmission or intensity such that the image-side field-point-resolved transmission or intensity lies within the predetermined transmission specifications or intensity specifications, it can be ensured in an advantageous manner that the minimum requirements for field-point-resolved transmission variation or the minimum intensity requirements for one intended exposure of a wafer can be achieved or ensured.

Insbesondere wenn bei dem Vergleich festgestellt wird, dass die bildseitige Transmission bzw. die bildseitige Intensiät außerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikationen ist, umfasst das Regeln der Transmission beispielsweise ein Erhöhen einer Intensität des Lichts der Belichtungsnutzwellenlänge in der Bildfeldebene.In particular, when it is determined in the comparison that the image-side transmission or the image-side intensity is outside the predetermined transmission specification or intensity specifications, for example, controlling the transmission comprises increasing an intensity of the light of the exposure useful wavelength in the image field plane.

Ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere ein Projektionsbelichtungssystem, welches für die EUV-Lithographie eingerichtet ist. Hierbei steht „EUV” für „extrem ultraviolette Strahlung”. Die extrem ultraviolette Strahlung umfasst einen Spektralbereich zwischen 10 nm und 30 nm. Ein Projektionsbelichtungssystem im Sinne der vorliegenden Erfindung kann insbesondere als ein EUV-Projektionsbelichtungssystem bezeichnet werden. Das System umfasst insbesondere eine Lichtquelle, welche Licht in dem EUV-Spektralbereich bereitstellen bzw. abstrahlen kann.In the context of the present invention, a projection exposure system for EUV lithography designates in particular a projection exposure system which is set up for EUV lithography. Here, "EUV" stands for "extremely ultraviolet radiation". The extreme ultraviolet radiation comprises a spectral range between 10 nm and 30 nm. A projection exposure system in the sense of the present invention may be referred to in particular as an EUV projection exposure system. In particular, the system comprises a light source which can provide or radiate light in the EUV spectral range.

Nach einer Ausführungsform umfasst das Regeln der Transmission bzw. Intensität das Einstellen einer Ausgangsleistung einer Licht der Belichtungsnutzwellenlänge bereitstellenden Lichtquelle. Die Lichtquelle kann beispielsweise einen Laser zur Erzeugung eines Plasmas umfassen. Als Medium zur Erzeugung des Plasmas kann beispielsweise Xenon oder Zinn vorgesehen sein. Das heißt also insbesondere, dass das Medium mittels Laserimpulsen beaufschlagt wird. Das so erzeugte Plasma gibt dann in vorteilhafter Weise Licht mit einer Wellenlänge im Bereich der extrem ultravioletten Strahlung ab.In one embodiment, controlling the transmission or intensity comprises adjusting an output power of a light of the light-emitting wavelength providing light. The light source may include, for example, a laser for generating a plasma. As a medium for generating the plasma, for example, xenon or tin may be provided. This means in particular that the medium is acted upon by laser pulses. The plasma thus generated then advantageously emits light having a wavelength in the region of the extreme ultraviolet radiation.

Durch eine Regelung der Laserleistung, also insbesondere durch eine Reduzierung oder eine Erhöhung der Laserleistung, kann der Intensität des Lichtes in der Bildfeldebene der Projektionsbelichtungssystems geregelt werden. Das heißt also insbesondere, wenn in dem Projektionsbelichtungssystem in der Bildebene eine kleinere Intensität relativ zu der vorbestimmten Intensität gemessen wird, dass dann die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird, also insbesondere die Laserleistung erhöht wird.By controlling the laser power, ie in particular by reducing or increasing the laser power, the intensity of the light in the field of view of the projection exposure system can be regulated. That means, in particular, if a smaller intensity relative to the predetermined intensity is measured in the projection exposure system in the image plane, that then the output power of the light source is increased, ie in particular the laser power is increased.

Nach einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Ausgangsleistung der Lichtquelle während der Messung kleiner ist als eine maximale Ausgangsleistung der Lichtquelle, so dass, wenn die bildseitig gemessene Intensität kleiner als die vorbestimmte Intensität ist, die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird.According to a further embodiment, it can be provided that an output power of the light source during the measurement is smaller than a maximum output power of the light source, so that when the image-side measured intensity is smaller than the predetermined intensity, the output power of the light source is increased.

Das heißt also insbesondere, dass die Lichtquelle, beispielsweise der Laser, mit einer geringeren Leistung betrieben wird relativ zu der maximalen Ausgangsleistung, welche die Lichtquelle bereitstellen kann. So wird in vorteilhafter Weise eine Reserve betreffend des Intensität bereitgehalten, insofern die Lichtintensität einfach dadurch erhöht werden kann, dass die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird.This means, in particular, that the light source, for example the laser, is operated at a lower power relative to the maximum output power which the light source can provide. Thus, a reserve regarding the intensity is advantageously kept available insofar as the light intensity can be increased simply by increasing the output power of the light source.

Somit ist auch ferner eine quasi-kontinuierliche Regelung bewirkt.Thus, a quasi-continuous control is also effected.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Regeln der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. der Intensität mittels eines ersten Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elements durchgeführt. Das heißt also insbesondere, dass das erste Element insbesondere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbieren kann. Vorzugsweise ist das erste Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element ein Folienfilter. Ein solcher Filter kann auch als ein Transmissionsfilter bezeichnet werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass der Folienfilter eine Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke bzw. Dickenvariation aufweist. Die Apodisationsschicht kann beispielsweise Silizium und/oder Germanium und/oder c-ZnSe umfassen. Möglich ist es auch, dass die Apodisationsschicht aus einem Mehrlagenschichtstapel aus Silizium und/oder Germanium und/oder c-ZnSe sowie Trennschichten aus Zirkoniumsilizid besteht. Das Anordnen eines solchen Licht der Belichtungswellenlänge absorbierenden Elements in einem Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems bewirkt in vorteilhafter Weise, dass die Transmission verändert, beispielsweise homogenisiert wird.According to a further embodiment, the regulation of the field-point-resolved transmission or the intensity is carried out by means of a first light of the exposure-use-wavelength-absorbing element. This means, in particular, that the first element can in particular absorb light of the exposure-use wavelength. Preferably, the first light of the exposure-use-wavelength-absorbing element is a film filter. Such a filter may also be referred to as a transmission filter. In particular, it can be provided that the film filter has an apodization layer with a predetermined thickness or thickness variation. The apodization layer may comprise, for example, silicon and / or germanium and / or c-ZnSe. It is also possible that the apodization layer consists of a multilayer stack of silicon and / or germanium and / or c-ZnSe as well as separating layers of zirconium silicide. The arrangement of such a light of the exposure wavelength absorbing element in a beam path of the projection exposure system causes advantageously that the transmission is changed, for example, homogenized.

In einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Regeln ein Austauschen eines zweiten die Transmission verändernden Elements, welches in einem Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems angeordnet ist, durch das erste die Transmission verändernden Elements umfasst. Die im Zusammenhang mit dem ersten die Transmission verändernden Elements gemachten Ausführungen gelten analog für das zweite die Transmission verändernden Elements.In another embodiment, it may be provided that the regulation involves exchanging a second transmission that alters the transmission Element, which is arranged in a beam path of the projection exposure system, through the first comprises the transmission-changing element. The statements made in connection with the first element that changes the transmission apply analogously to the second element which changes the transmission.

Das heißt also insbesondere, dass das zweite die Transmission verändernde Element als ein Folien- bzw. Transmissionsfilter mit einer Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke gebildet sein kann. Die Dicke der Apodisationsschicht des zweiten Elements ist vorzugsweise größer als die Dicke der Apodisationsschicht des ersten Elements. Allgemein kann vorgesehen sein, dass das zweite Element mehr absorbiert als das erste Element.This means, in particular, that the second element which changes the transmission can be formed as a film or transmission filter with an apodisation layer having a predetermined thickness. The thickness of the apodisation layer of the second element is preferably greater than the thickness of the apodisation layer of the first element. In general, it can be provided that the second element absorbs more than the first element.

Wenn aufgrund des Vergleichs der feldpunktaufgelösten Transmission in Bildfeldebene mit der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust festgestellt wird, so kann mittels des Austauschens des zweiten die Transmission verändernden Elements durch das erste die Transmission verändernde Element, welches hier dann vorzugsweise eine Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke umfasst, welche kleiner ist als die Schichtdicke der Apodisationsschicht des zweiten Elements, bewirkt werden, dass die Transmission bzw. Intensität feldabhängig oder feldkonstant erhöht wird. Das kompensiert in vorteilhafter Weise einen eingetretenen Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust.If a transmission loss or loss of intensity is determined on the basis of the comparison of the field-point-resolved transmission in the image field plane with the predetermined transmission specifications or intensity specifications, the second element which changes the transmission can then be replaced by the first element which changes the transmission, which then preferably has an apodization layer a predetermined thickness, which is smaller than the layer thickness of the apodisation layer of the second element, causes the transmission or intensity to be increased as a function of the field or constant field. This advantageously compensates for a transmission loss or intensity loss that has occurred.

In einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das erste die Transmission verändernde Element in einer feldnahen Position angeordnet wird. Vorzugsweise wird das zweite die Transmission verändernde Element in einer feldnahen Position angeordnet.In a further embodiment it can be provided that the first element changing the transmission is arranged in a field-near position. Preferably, the second element changing the transmission is arranged in a near-field position.

In einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das erste die Transmission verändernde Element in einer pupillennahen Position angeordnet wird. Vorzugsweise wird das zweite die Transmission verändernde in einer pupillennahen Position angeordnet.In another embodiment, provision may be made for the first transmission-changing element to be arranged in a position near the pupil. Preferably, the second transmission-changing member is disposed in a near-pupil position.

Eine feldnahe Position im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere eine Position im Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems, an der ein Verhältnis V aus Hauptstrahlhöhe zu Randstrahlhöhe dem Betrage nach größer als n/10 beträgt, wobei n ein vorbestimmter Parameter ist.In particular, a near-field position in the sense of the present invention designates a position in the beam path of the projection exposure system in which a ratio V of principal ray height to marginal ray height is greater than n / 10, where n is a predetermined parameter.

Eine pupillennahe Position im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere eine Position im Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems, an der das Verhältnis V aus Hauptstrahlhöhe zu Randstrahlhöhe dem Betrage nach kleiner als 1/n beträgt.A pupil-near position within the meaning of the present invention particularly designates a position in the beam path of the projection exposure system in which the ratio V of principal ray height to marginal ray height is less than 1 / n in terms of magnitude.

Der Parameter n kann beispielsweise 5, insbesondere 10, beispielsweise 20 betragen.The parameter n can be, for example, 5, in particular 10, for example 20.

Unter Hauptstrahlhöhe im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere die Strahlhöhe des Hauptstrahls im Strahlengang eines Feldpunkts des Objektsfelds mit maximaler Feldhöhe zu verstehen.For the purposes of the present invention, main beam height is understood in particular to mean the beam height of the main beam in the beam path of a field point of the object field with maximum field height.

Unter Randstrahlhöhe im Sinne der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise die Strahlhöhe im Strahlengang eines Strahls mit maximaler Apertur ausgehend von der Feldmitte des Objektfelds zu verstehen.For the purposes of the present invention, "edge beam height" is to be understood as meaning preferably the beam height in the beam path of a beam with a maximum aperture starting from the center of the field of the object field.

Weitergehende Ausführungen bezüglich der vorgenannten Definitionen betreffend eines Hauptstrahls, eines Randstrahls, pupillennah oder feldnah sind insbesondere in den Absätzen [0029] bis [0040] der Offenlegungsschrift EP 1 746 463 A2 gemacht, welche explizit als zur Offenbarung der vorliegenden Erfindung angesehen werden.Further explanations concerning the abovementioned definitions relating to a main ray, a marginal ray, close to the pupil or close to the field are in particular in the paragraphs [0029] to [0040] of the published patent application EP 1 746 463 A2 which are explicitly considered to be the disclosure of the present invention.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Hierbei zeigen:The invention will be explained in more detail below with reference to preferred embodiments. Hereby show:

1 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie, 1 a flowchart of a method for operating a projection exposure system for EUV lithography,

2 ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie und 2 a projection exposure system for EUV lithography and

3 ein weiteres Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie. 3 Another projection exposure system for EUV lithography.

1 zeigt ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie. 1 shows a method of operating a projection exposure system for EUV lithography.

Gemäß einem Schritt 101 wird bildfeldseitig die feldpunktaufgelöste Transmission des Projektionsbelichtungssystems gemessen. Diese wird in einem Schritt 103 mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen verglichen. Abhängig von dem Vergleich wird in einem Schritt 105 die feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität derart geregelt, dass die bildseitig feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt und/oder zumindest eine Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation verbessert und/oder wenigsten die feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität verändert.In one step 101 On the image field side, the field-point-resolved transmission of the projection exposure system is measured. This one gets in one step 103 compared with predetermined transmission specifications. Depending on the comparison will be in one step 105 the field-point-resolved transmission or intensity regulated such that the image-side field point resolved transmission or intensity is within the predetermined transmission specifications or intensity specifications and / or at least one transmission specification or intensity specification improved and / or at least the field point resolved transmission or intensity changed.

2 zeigt ein Projektionsbelichtungssystem 201 für die EUV-Lithographie. 2 shows a projection exposure system 201 for EUV lithography.

Das System 201 umfasst ein optisches Element 203. Bei dem optischen Element 203 kann es sich beispielsweise um einen Spiegel handeln. Mittels des optischen Elements 203 kann insbesondere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge reflektiert werden. Dies ist symbolisch mittels eines gewellten Pfeils mit dem Bezugszeichen 205 gekennzeichnet.The system 201 includes an optical element 203 , In the optical element 203 it can be, for example, a mirror. By means of the optical element 203 In particular, light of the exposure useful wavelength can be reflected. This is symbolically by means of a wavy arrow with the reference numeral 205 characterized.

Des Weiteren umfasst das Projektionsbelichtungssystem 201 eine Messeinrichtung 207 zum Messen des mittels des optischen Elements 203 reflektierten Lichts der Belichtungsnutzwellenlänge 205. Ferner umfasst das System 201 eine Vergleichseinrichtung 209 zum Vergleichen der gemessenen feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität mit vorbestimmten Transmissionspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen.Furthermore, the projection exposure system includes 201 a measuring device 207 for measuring by means of the optical element 203 reflected light of the exposure useful wavelength 205 , Furthermore, the system includes 201 a comparison device 209 for comparing the measured field-point-resolved transmission or intensity with predetermined transmission specifications or intensity specifications.

Das Projektionsbelichtungssystem 201 umfasst ferner eine Regelungseinrichtung 211 zum Regeln der bildseitigen feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität derart, dass diese vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen entsprechen und/oder eine Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation verbessert.The projection exposure system 201 further comprises a control device 211 for controlling the image-side field-point-resolved transmission or intensity such that they correspond to predetermined transmission specifications or intensity specifications and / or improve a transmission specification or intensity specification.

3 zeigt ein weiteres Projektionsbelichtungssystem 301. 3 shows another projection exposure system 301 ,

Der Übersicht halber sind in dem System 301 die Messeinrichtung, die Vergleichseinrichtung und die Regelungseinrichtung nicht gezeigt.For clarity, in the system 301 the measuring device, the comparison device and the control device are not shown.

Das System 301 umfasst eine Lichtquelle 303. Die Lichtquelle 303 kann beispielsweise einen Laser und ein Medium aufweisen, das bei Beschuss mittels des Lasers zu einem Plasma wird, welches daraufhin Licht im Spektralbereich der extremen ultravioletten Strahlung abstrahlt.The system 301 includes a light source 303 , The light source 303 For example, it may comprise a laser and a medium which, when bombarded by the laser, becomes a plasma which then emits light in the spectral region of the extreme ultraviolet radiation.

Die Strahlung bzw. das Licht, welche mittels der Lichtquelle 303 bereitgestellt werden, werden mittels eines Kollektorspiegels 305 gesammelt und reflektiert. Das mittels des Kollektorspiegels 305 reflektierte Licht der Belichtungsnutzwellenlänge wird auf einen ersten Spiegel 307 gelenkt, von welchem das Licht reflektiert wird in Richtung eines zweiten Spiegels 309. Von dort wird das Licht reflektiert in Richtung eines dritten Spiegels 311 und von dort wird das Licht in Richtung eines vierten Spiegels 313 reflektiert. Von dem vierten Spiegel 313 wird das Licht auf einen fünften Spiegel 315 reflektiert, wobei das Licht dann von dem fünften Spiegel 315 in Richtung eines Retikels 316 bzw. Maske reflektiert wird.The radiation or the light, which by means of the light source 303 are provided by means of a collector mirror 305 collected and reflected. The means of the collector mirror 305 reflected light of the exposure useful wavelength is applied to a first mirror 307 directed, from which the light is reflected in the direction of a second mirror 309 , From there the light is reflected towards a third mirror 311 and from there the light turns towards a fourth mirror 313 reflected. From the fourth mirror 313 the light is on a fifth mirror 315 reflected, the light then from the fifth mirror 315 in the direction of a reticle 316 or mask is reflected.

Eine Objektebene des Retikels 316 ist mit dem Bezugszeichen 317 gekennzeichnet. Der Retikel 316 kann mittels einer Retikelpositionierungseinrichtung 318 in eine vorbestimmte Position gebracht werden.An object plane of the reticle 316 is with the reference numeral 317 characterized. The reticle 316 can by means of a Retikelpositionierungseinrichtung 318 be brought into a predetermined position.

Das Licht, welches dann von dem Retikel 316 reflektiert wird bzw. werden, gelangt auf einen sechsten Spiegel 319, von welchem das Licht dann in Richtung eines siebten Spiegels 321 reflektiert wird. Von dem siebten Spiegel 321 wird das Licht in Richtung eines achten Spiegels 323 reflektiert. Von dem achten Spiegel 323 wird das Licht dann in Richtung eines neunten Spiegels 325 reflektiert. Von diesem neunten Spiegel 325 wird das Licht in Richtung eines zehnten Spiegels 327 reflektiert. Von diesem wird das Licht in Richtung eines elften Spiegels 329 reflektiert. Von dem elften Spiegel 329 wird das Licht dann in Richtung eines Wafers 331 und auf diesen reflektiert. Eine Waferebene des Wafers 331 ist mit dem Bezugszeichen 332 gekennzeichnet. Der Wafer 331 kann mittels einer Waferpositionierungseinrichtung 333 in eine vorbestimmte Position verlagert werden.The light, which then from the reticle 316 is reflected on a sixth mirror 319 from which the light then goes towards a seventh mirror 321 is reflected. From the seventh mirror 321 the light goes in the direction of an eighth mirror 323 reflected. From the eighth mirror 323 the light then turns towards a ninth mirror 325 reflected. From this ninth mirror 325 the light turns towards a tenth mirror 327 reflected. From this, the light turns towards an eleventh mirror 329 reflected. From the eleventh mirror 329 then the light is directed towards a wafer 331 and reflected on this. A wafer plane of the wafer 331 is with the reference numeral 332 characterized. The wafer 331 can by means of a wafer positioning device 333 be moved to a predetermined position.

Die Spiegel mit den Bezugszeichen 319, 321, 323, 325, 327, 329 bilden ein Projektionsobjektiv 337. Eine optische Achse des Projektionsobjektivs 337 ist mit dem Bezugszeichen 335 gekennzeichnet.The mirrors with the reference numerals 319 . 321 . 323 . 325 . 327 . 329 form a projection lens 337 , An optical axis of the projection lens 337 is with the reference numeral 335 characterized.

Die einzelnen von den optischen Elementen reflektierten Strahlen sind hier in 3 beispielhaft mit dem Bezugszeichen 339 gekennzeichnet.The individual rays reflected by the optical elements are here in FIG 3 by way of example with the reference numeral 339 characterized.

Die Elemente, die mittels der geschweiften Klammer mit dem Bezugszeichen 343 umfasst sind, bilden ein Beleuchtungssystem 343.The elements by means of the curly bracket with the reference numeral 343 are included, form a lighting system 343 ,

Eine Retikelebene ist mit dem Bezugszeichen 345 gekennzeichnet.A Retikelebene is denoted by the reference numeral 345 characterized.

Das System 301 umfasst des Weiteren die Transmission verändernden Elemente 347 und 349. Hierbei ist das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element 347 in einer feldnahen Position angeordnet. Das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element 349 ist in einer pupillennahen Position angeordnet.The system 301 further comprises the transmission-changing elements 347 and 349 , Here, the light of the exposure-use wavelength is absorbing element 347 arranged in a field near position. The light of the exposure-use-wavelength absorbing element 349 is arranged in a pupil near position.

In einem nicht gezeigten Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, dass nur eines der beiden Licht absorbierenden Elemente 347 und 349 vorgesehen ist.In an embodiment, not shown, it may be provided that only one of the two light-absorbing elements 347 and 349 is provided.

Durch die Positionierung in einer pupillennahen Position können in vorteilhafter Weise feldkonstante Transmissionseffekte eingestellt werden. Durch eine Positionierung in feldnaher Position können in vorteilhafter Weise ortsabhängige Transmissionseffekte eingestellt werden. Durch die Positionierung in einer pupillennahem und einer feldnahen Position können sowohl feldkonstante als auch ortsabhängige Transmissionseffekte eingestellt werden.By positioning in a position close to the pupil field constant transmission effects can be adjusted in an advantageous manner. Positioning in the field-near position advantageously enables location-dependent transmission effects to be set. By positioning in a near-pupil and near-field Position can be set both field constant and location-dependent transmission effects.

Eine Messung der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission in dem System 301 wird vorzugsweise in der Waferebene 332 gemessen.A measurement of the image-side spatially resolved transmission in the system 301 is preferably in the wafer plane 332 measured.

Wenn ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust oder eine Transmissionsveränderung bzw. Intensitätsveränderung auftritt, beispielsweise aufgrund von Verunreinigungen und/oder Lebensdauereffekten wie Schichtveränderungen, so wird die gemessene ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität außerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegen. In diesem Fall kann eine Rückführung in die Grenzen der Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation beispielsweise dadurch bewirkt werden, eines der Licht absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht absorbierenden Elemente 347, 349, aus dem Strahlengang zu entfernen, oder eines der beiden Licht absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht absorbierenden Elemente 347, 349 durch andere Licht absorbierende Elemente 347, 349 zu ersetzen.If a transmission loss or a change in intensity or change in intensity occurs, for example because of impurities and / or lifetime effects such as layer changes, the measured spatially resolved transmission or intensity will be outside the predetermined transmission specifications or intensity specifications. In this case, a return to the limits of the transmission specification or intensity specification can be effected, for example, by one of the light-absorbing elements 347 and 349 , in particular both light-absorbing elements 347 . 349 to remove from the beam path, or one of the two light-absorbing elements 347 and 349 , in particular both light-absorbing elements 347 . 349 by other light-absorbing elements 347 . 349 to replace.

Vorzugsweise kann vorgesehen sein, zumindest eines der beiden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349, durch hier nicht gezeigte Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente auszutauschen. Dies kann beispielsweise dadurch bewirkt werden, dass die Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente als ein Filter mit einer Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke bzw. einer vorbestimmten Dickenvariation gebildet sind, wobei die ausgetauschten Filter eine geringere Schichtdicke bzw. eine andere Schichtdickenvariation aufweisen als sich bereits im Strahlengang befindenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349. Durch das Vorsehen von solchen Filtern, insbesondere von Folienfiltern, umfassend eine Apodisationsschicht kann in vorteilhafter Weise ein ortsabhängiger Transmissionsverlauf korrigiert werden.Preferably, it can be provided, at least one of the two light of the exposure useful wavelength absorbing elements 347 and 349 , in particular both light of the exposure useful wavelength absorbing elements 347 and 349 to exchange elements which are not shown here for exposure light wavelength absorbing elements. This can be effected, for example, by forming the light of the exposure-use-wavelength-absorbing elements as a filter having an apodization layer with a predetermined thickness or a predetermined thickness variation, the exchanged filters having a smaller layer thickness or a different layer thickness variation than is already present in the beam path light of the exposure-wavelength-absorbing elements 347 and 349 , By providing such filters, in particular film filters comprising an apodization layer, a location-dependent transmission profile can be corrected in an advantageous manner.

In einer nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente an beliebig weiteren Stellen im Strahlengang des Systems 301 angeordnet werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass diese nach dem Kollektorspiegel 305, im Beleuchtungssystem 343, vor oder nach dem Retikel 316 angeordnet werden.In one embodiment, not shown, it may be provided that the light of the exposure useful wavelength absorbing elements at any other locations in the beam path of the system 301 to be ordered. In particular, it can be provided that these after the collector mirror 305 , in the lighting system 343 , before or after the reticle 316 to be ordered.

Bei Änderung der lokalen oder globalen Transmission des Kollektorspiegels, beispielsweise durch Verschmutzungen, können diese Verschmutzungen durch ein geeignetes Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierendes Element korrigiert werden. In einem solchen Fall ist insbesondere vorgesehen, dass die Lichtquelle sodann mit einer größeren bzw. höheren Leistung betrieben wird. Dann ist vorzugsweise vorgesehen, dass dies dann durch das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Element wieder künstlich reduziert wird.When changing the local or global transmission of the collector mirror, for example by contamination, these contaminants can be corrected by a suitable light of the light-emitting wavelength absorbing element. In such a case, it is provided in particular that the light source is then operated with a larger or higher power. Then it is preferably provided that this is then artificially reduced by the light of the light-emitting wavelength absorbing element.

Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, eine orts- und/oder zeitabhängige Regelung der Transmission bzw. Intensität zum Zwecke einer Absorptionskorrektur vorzusehen. Ortsabhängig bezieht sich insbesondere darauf, dass an einem beliebigen Ort innerhalb des Strahlengangs ein Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierendes Element angeordnet, insbesondere ausgetauscht, werden kann. Zeitabhängig bezieht sich insbesondere darauf, dass in vorbestimmten Zeitintervallen Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente im Strahlengang durch andere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente ausgetauscht werden können. Insbesondere können die sich bereits im Strahlengang befindenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente durch Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente ausgetauscht werden, welche verändert Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbieren als die auszutauschenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente.The invention thus encompasses, in particular, the idea of providing a location-dependent and / or time-dependent regulation of the transmission or intensity for the purpose of absorption correction. Depending on the location, it is particularly important that a light of the light-emitting wavelength absorbing element can be arranged, in particular exchanged, at any desired location within the beam path. Time-dependent refers in particular to the fact that at predetermined time intervals, light of the exposure-use-wavelength-absorbing elements in the beam path can be exchanged for other elements of the light-emitting-wavelength-absorbing light. In particular, the light of the exposure-wavelength absorbing elements already in the beam path can be exchanged with light of the exposure-use-wavelength absorbing elements which absorb light of the exposure-use wavelength differently than the light of the exposure-wavelength-absorbing elements to be exchanged.

Beispielsweise kann bei einer zeitabhängigen Regelung vorgesehen sein, dass diese kontinuierlich ist. Insbesondere kann die zeitabhängige Regelung auch in diskreten zeitlichen Abständen vorgenommen werden. Beispielsweise können solche zeitlichen Abstände von einer Chipfertigung zu einer weiteren Chipfertigung durchgeführt werden, also insbesondere nach etwa 100 ms oder etwa 200 ms.For example, it can be provided with a time-dependent control that it is continuous. In particular, the time-dependent control can also be carried out at discrete time intervals. For example, such time intervals can be carried out from one chip production to another chip production, that is to say in particular after about 100 ms or about 200 ms.

Beispielsweise kann ein zeitlicher Abstand auch dem zeitlichen Abstand zwischen zwei Waferfertigungen entsprechen, also insbesondere etwa 30 s.For example, a time interval can also correspond to the time interval between two wafer productions, ie in particular about 30 s.

Insbesondere kann ein zeitlicher Abstand einem Zeitintervall von einer Lotfertigung (Losfertigung) zur nächsten Lotfertigung entsprechen, also insbesondere etwa 15 min. Ein Lot (Los) bezeichnet hier insbesondere eine Gütermenge mit gleichen Eigenschaften, die in einem zusammenhängenden Produktionsprozess hergestellt wird.In particular, a time interval can correspond to a time interval from one lot production (lot production) to the next solder production, ie in particular about 15 min. In particular, a lot here refers to a quantity of goods having the same properties, which is produced in a coherent production process.

Auch größere zeitliche Abstände, wie beispielsweise Stunden, Tage, Wochen, Monate oder Jahre oder auch eine Kombination der obigen zeitlichen Abstände kann vorgesehen sein.Even larger time intervals, such as hours, days, weeks, months or years or a combination of the above time intervals may be provided.

Das erfindungsgemäße Projektionsbelichtungssystem kann insbesondere auch für die Mikrolithographie, insbesondere für die EUV-Mikrolithographie, eingerichtet sein. The projection exposure system according to the invention can also be set up in particular for microlithography, in particular for EUV microlithography.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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  • EP 1746463 A2 [0002, 0032] EP 1746463 A2 [0002, 0032]

Claims (9)

Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems (201, 301) für die EUV-Lithographie mit einer Belichtungsnutzwellenlänge zwischen 5 nm und 30 nm, wobei bildseitig die Transmission des mittels eines oder mehreren optischen Elementen (203, 305, 307, 309, 311, 313, 315, 319, 321, 323, 325, 327, 329) des Projektionsbelichtungssystems (201, 301) reflektierte Licht der Belichtungsnutzwellenlänge (205) gemessen (401) wird, die mit einer oder mehreren vorbestimmten Transmissionsspezifikationen verglichen wird, wobei abhängig von dem Vergleich die bildseitige Transmission derart geregelt (105) wird, dass die bildseitige Transmission innerhalb der einen oder der mehreren Transmissionsspezifikationen ist und/oder eine Verbesserung in zumindest einer der mehreren Transmissionsspezifikationen bewirkt wird.Method for operating a projection exposure system ( 201 . 301 ) for the EUV lithography with an exposure useful wavelength between 5 nm and 30 nm, wherein on the image side, the transmission of the by means of one or more optical elements ( 203 . 305 . 307 . 309 . 311 . 313 . 315 . 319 . 321 . 323 . 325 . 327 . 329 ) of the projection exposure system ( 201 . 301 ) reflected light the exposure useful wavelength ( 205 ) ( 401 ), which is compared with one or more predetermined transmission specifications, wherein, depending on the comparison, the image-side transmission is regulated ( 105 ), the image-side transmission is within the one or more transmission specifications and / or an improvement in at least one of the plurality of transmission specifications is effected. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Regeln der bildseitigen Transmission bzw. Intensität, insbesondere der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission bzw. Intensität das Einstellen einer Ausgangsleistung einer Licht der Belichtungsnutzwellenlänge bereitstellenden Lichtquelle (303) umfasst.The method of claim 1, wherein the controlling the image-side transmission or intensity, in particular the image-side spatially resolved transmission or intensity, the setting of an output power of a light of the light-emitting wavelength providing light source ( 303 ). Verfahren nach Anspruch 2, wobei während der Messung eine Ausgangsleistung der Lichtquelle (303) kleiner als eine maximale Ausgangsleistung der Lichtquelle (303) ist, wobei die Ausgangsleistung der Lichtquelle (303) erhöht wird, wenn die gemessene bildseitige ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität kleiner als eine vorbestimmte Transmissonsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation ist.Method according to claim 2, wherein during the measurement an output power of the light source ( 303 ) smaller than a maximum output power of the light source ( 303 ), the output power of the light source ( 303 ) is increased when the measured image-side spatially resolved transmission or intensity is less than a predetermined transmission specification. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Regeln der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission bzw. Intensität mittels eines ersten Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elements (347, 349) durchgeführt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein the regulation of the image-side spatially resolved transmission or intensity by means of a first light of the exposure-use-wavelength-absorbing element (FIG. 347 . 349 ) is carried out. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Regeln ein Austauschen eines zweiten Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elements, welches in einem Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems (201, 301) angeordnet ist, durch das erste Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element umfasst.The method of claim 4, wherein the controlling comprises exchanging a second light of the exposure-wavelength-absorbing element which is in a beam path of the projection exposure system ( 201 . 301 ), by the first light of the exposure-use-wavelength absorbing element comprises. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das erste Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element in einer feldnahen Position angeordnet wird.A method according to claim 4 or 5, wherein the first light of the exposure-wavelength-absorbing element is disposed in a near-field position. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das erste Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element in einer pupillennahen Position angeordnet wird.A method according to claim 4 or 5, wherein the first light of the exposure-wavelength-absorbing element is placed in a pupil-near position. Projektionsbelichtungssystem (201, 301) für die EUV-Lithographie, mit einem oder mehreren optischen Elementen, einer Messeinrichtung (207) zum Messen der bildseitigen Transmission bzw. Intensität, insbesondere der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission bzw. Intensität, einer Vergleichseinrichtung (209) zum Vergleichen der gemessenen bildseitigen Transmission bzw. Intensität, insbesondere der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission bzw. Intensität mit einer oder mehreren vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. einer oder mehreren vorbestimmten Intensitätsspezifikationen und einer Regelungsseinrichtung (211) zum Regeln des reflektierten der bildseitigen Transmission bzw. Intensität, insbesondere der bildseitigen ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität derart, dass diese innerhalb der einen oder der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. einer oder mehrerer Intensitätsspezifikationen liegt und/oder eine Verbesserung in zumindest einer der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. in zumindest einer der mehreren Intensitätsspezifikationen bewirkt wird.Projection exposure system ( 201 . 301 ) for EUV lithography, with one or more optical elements, a measuring device ( 207 ) for measuring the image-side transmission or intensity, in particular the image-side spatially resolved transmission or intensity, of a comparison device ( 209 ) for comparing the measured image-side transmission or intensity, in particular the image-side spatially resolved transmission or intensity with one or more predetermined transmission specifications or one or more predetermined intensity specifications and a control device ( 211 ) for controlling the reflected image - side transmission or intensity, in particular the image - side, locally resolved transmission or intensity such that it lies within the one or more transmission specifications or one or more intensity specifications and / or an improvement in at least one of the plurality of transmission specifications or in at least one of the plurality of intensity specifications. Computerprogramm, umfassend Programmcode zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wenn das Computerprogramm in einem Computer ausgeführt wird.Computer program comprising program code for carrying out the method according to one of claims 1 to 7, when the computer program is executed in a computer.
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