DE102012106403A1 - Reactive magnetron sputtering for coating substrates by target of magnetron, comprises arranging substrate opposite to magnetron, atomizing target material by sputtering and depositing sputtered target material to substrate - Google Patents

Reactive magnetron sputtering for coating substrates by target of magnetron, comprises arranging substrate opposite to magnetron, atomizing target material by sputtering and depositing sputtered target material to substrate Download PDF

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Abstract

Reactive magnetron sputtering for coating substrates by a target of a magnetron, comprises arranging a substrate, which is to be coated, opposite to the magnetron, atomizing the target material by sputtering and depositing the sputtered target material in the presence of a reactive gas to a substrate. The plasma is ignited between the substrate and the magnetron for atomization. The ignition point of the plasma is forced by means of the magnetic system of the magnetron on a self-closed track, preferably an erosion trench. The magnetic system is operated asymmetrically. Reactive magnetron sputtering for coating substrates by a target of a magnetron comprises arranging a substrate, which is to be coated, opposite to the magnetron, atomizing the target material by sputtering and the depositing the sputtered target material in the presence of a reactive gas to a substrate. The plasma is ignited between the substrate and the magnetron for atomization. The ignition point of the plasma is forced by means of the magnetic system of the magnetron on a self-closed track, preferably an erosion trench. The magnetic system is operated asymmetrically. The magnetic flux density in a first magnetic field above a first section of the erosion trench is higher than that in a second magnetic field over a second portion of the erosion trench. An independent claim is also included for a device for reactive magnetron sputtering, comprising the magnetron with the target, which is to be atomized, of the coating material with a cutting surface, the magnetic system on the side of the target facing away from the cutting surface for generating a closed loop magnetic tunnel, which is adjacent to the cutting surface, and a plasma device with the electrode arrangement for generating a plasma ring above the cutting surface, where the magnetic system comprises at least two mutually opposite sections of magnets with different shape and/or material in the magnetic flux density.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum reaktiven Magnetronsputtern zur Beschichtung von Substraten. Die Beschichtung erfolgt von einem Target eines Magnetrons, wobei ein zu beschichtendes Substrat dem Magnetron gegenüber angeordnet und dessen Targetmaterial durch Sputtern zerstäubt wird, wobei zum Zerstäuben zwischen Substrat und Magnetron ein Plasma gezündet wird, dessen Zündpunkt mittels des Magnetsystems des Magnetrons auf eine in sich geschlossene Bahn, allgemein als Erosionsgraben bezeichnet, gezwungen ist. Das zerstäubte Targetmaterial wird unter Anwesenheit eines Reaktivgases auf einem Substrat abgeschieden. The invention relates to a method for reactive magnetron sputtering for coating substrates. The coating is carried out by a target of a magnetron, wherein a substrate to be coated arranged opposite the magnetron and its target material is sputtered by sputtering, wherein for sputtering between the substrate and magnetron a plasma is ignited, the ignition point by means of the magnetic system of the magnetron to a self-contained Railway, commonly referred to as erosion ditch, is forced. The sputtered target material is deposited on a substrate in the presence of a reactive gas.

Es ist bekannt, Schichten mittels reaktiven Sputterns herzustellen. Dabei wird in einem Hochvakuum an ein Target eine Spannung, üblicherweise eine in der Polarität wechselnde Spannung, angelegt. Das Target wird mit einem Magnetfeld durchsetzt, wodurch der durch Hochvakuum und Targetspannung erzeugte Sputtereffekt ermöglicht oder unterstützt wird. Die Kombination von Target und Magnetfelderzeuger wird als Magnetron bezeichnet, das Sputtern somit als Magnetronsputtern. It is known to produce layers by means of reactive sputtering. In this case, a voltage, usually a voltage varying in polarity, is applied in a high vacuum to a target. The target is penetrated by a magnetic field, which enables or supports the sputtering effect generated by high vacuum and target voltage. The combination of target and magnetic field generator is referred to as magnetron, sputtering thus as magnetron sputtering.

In den Prozessraum wird nun gezielt ein Gas eingeleitet, welches unter zumindest teilweiser Reaktion mit dem Targetmaterial zusammen mit diesem auf einer Oberfläche eines Substrates abgelagert wird. Dies wird als reaktives Sputtern bezeichnet. Durch Einleiten von Sauerstoff als Reaktionsgas werden beispielsweise oxidische Schichten erzielt. So ist es beispielsweise möglich, eine Metalloxid-Schicht aus einem metallischen Target mittels dieses reaktiven Sputterns zu erzeugen. A gas is then introduced in a targeted manner into the process space, which gas is deposited on at least one partial reaction with the target material together with it on a surface of a substrate. This is called reactive sputtering. By introducing oxygen as a reaction gas, for example, oxide layers are achieved. For example, it is possible to produce a metal oxide layer from a metallic target by means of this reactive sputtering.

In der Praxis finden planare Magnetrons mit ebener Kathodengeometrie oder Rohrmagnetrons mit zylindrischer Kathode Anwendung. Für die großindustrielle Anwendung haben sich die Rohrmagnetrons sehr bewährt. Hierbei ist ein rohrförmiges Target (Rohrtarget) vorgesehen, in dessen innerem Hohlraum das Magnetsystem angeordnet ist. Bei dem Sputtervorgang wird das Rohrtarget gedreht, so dass es ständig um das feststehende Magnetfeld dreht. Damit wird erreicht, dass immer die gesamte Targetoberfläche vom Sputterprozess bearbeitet wird. Es sollen sich keine Zonen unterschiedlichen Targetabtrages oder unterschiedlicher Targetoxidation herausbilden, wie beim planaren Target zwangsläufig der Fall ist. Damit wird u.a. gewährleistet, dass das Target gleichmäßig absputtert, wodurch eine bessere Targetausnutzung erreicht wird. In practice planar magnetrons with planar cathode geometry or tube magnetrons with cylindrical cathode are used. Tubular magnetrons have proved very successful for large-scale industrial applications. Here, a tubular target (tube target) is provided, in the inner cavity of the magnet system is arranged. In the sputtering process, the tube target is rotated so that it constantly rotates around the fixed magnetic field. This ensures that always the entire target surface is processed by the sputtering process. There should be no zones of different Targetabtrages or different target oxidation, as inevitably the case with the planar target. This will u.a. ensures that the target spalls evenly, resulting in better target utilization.

Rohrmagnetrons werden, wie auch planare Magnetrons, in in-line-Vakuumbeschichtungsanlagen eingesetzt. Dabei handelt es sich um langgestreckte Vakuumanlagen mit einem Substrattransportsystem, mittels dem Substrate durch die Vakuumbeschichtungsanlage unter Passieren verschiedener Bearbeitungsstationen, u.a. auch Beschichtungsstationen, hindurch bewegt werden. Tube magnetrons, like planar magnetrons, are used in in-line vacuum coating systems. These are elongated vacuum systems with a substrate transport system, by means of which the substrates pass through the vacuum coating installation while passing through various processing stations, i.a. also coating stations, are moved through.

Mit zunehmender Komplexität der herzustellenden Schichtsysteme steigen auch die Anforderungen an die Homogenität der Einzelschichten. Z.B. hängt das Reflexions- und Transmissionsverhalten des Schichtsystems wesentlich von der Schichtdicke der meist sehr dünnen Funktions-, Schutz- und Antireflexionsschichten ab. Gerade für Schichtsysteme mit Filtereigenschaften sind deshalb die zulässigen Schichtdickenvariationen sehr gering, sowohl von Substrat zu Substrat als auch über der Fläche eines Substrats. Letzteres erfordert einen Ausgleich von Schwankungen sowohl in Richtung als auch quer zur Substrattransportrichtung. With increasing complexity of the layer systems to be produced, the demands on the homogeneity of the individual layers also increase. For example, The reflection and transmission behavior of the layer system depends essentially on the layer thickness of the mostly very thin functional, protective and antireflection layers. Especially for layer systems with filter properties, therefore, the permissible layer thickness variations are very small, both from substrate to substrate and over the surface of a substrate. The latter requires compensation for variations both in the direction and transverse to the substrate transport direction.

Eine Quelle der Schichtdickenschwankungen ist die Magnetfeldgeomerie entlang des Erosionsgrabens, die zum einen durch das Magnetfeld entlang des Magnettunnels und zum anderen auch durch die Verteilung des Targetabtrages beeinflusst wird. Maßnahmen zur Variation des Magnetfelds sind beispielsweise die Änderung der Position eines Magneten zu einem benachbarten Magneten oder zur Targetoberfläche oder die Änderung des Abstandes oder die Lage der Pole ( US 5,865,970 A ). Andere Vorschläge sind auf die direkte Änderung der Magnetfeldstärke gerichtet, z.B. durch die Verwendung von Elektromagneten oder die Änderung der Winkeleinstellung zwischen Magnet und Rohrtarget. In der EP 1 412 964 B1 wird eine Homogenität in der Magnetfeldgeometrie als unerlässlich angesehen und eine Magnetanordnung für Rohrmagnetrons beschrieben, die Variationen in der magnetischen Flussdichte entlang des Erosionsgrabens zum Ausgleich von Inhomogenität quer zur Substrattransportrichtung gestattet. Ein solches so genannten Shimming oder Shimmen, das die Homogenisierung des Magnetfeldes beabsichtigt, bewirkt Änderungen der magnetischen Flussdichte im Bereich von wenigen, deutlich unter 10 Prozenten. One source of layer thickness variations is the magnetic field geomerism along the erosion trench, which is influenced by the magnetic field along the magnetic tunnel and by the distribution of the target discharge. Measures for varying the magnetic field are, for example, the change of the position of a magnet to an adjacent magnet or to the target surface or the change of the distance or the position of the poles ( US 5,865,970 A ). Other proposals are directed to the direct change of the magnetic field strength, for example by the use of electromagnets or the change of the angle setting between magnet and tube target. In the EP 1 412 964 B1 For example, homogeneity in magnetic field geometry is considered indispensable and a tube magnet magnet assembly is described that allows for variations in magnetic flux density along the erosion trench to compensate for inhomogeneity across the substrate transport direction. Such a so-called shimming, which intends the homogenization of the magnetic field, causes changes in the magnetic flux density in the range of a few, well below 10 percent.

In der DE 10 2009 053 756 A1 werden Schwankungen des Magnetfelds über der Targetoberfläche ausgeglichen, die auf Abweichungen von einer präzisen zylindrischen Geometrie und Rotation der Rohrmagnetrons und infolge dessen auf ungleichmäßigem Targetabtrag an der gerade über dem Magnetsystem befindlichen Targetoberfläche beruhen. Diese Magnetfeldschwankungen sind mit einer Schwankung des Arbeitspunktes verbunden, so dass mit einer dazu synchronisierten Modulation der Targetspannung ein Ausgleich angestrebt wird. Im Ergebnis können die Substrateigenschaften in Substrattransportrichtung zu einem großen Teil homogenisiert werden. In the DE 10 2009 053 756 A1 Fluctuations in the magnetic field across the target surface are compensated for, which are due to deviations from precise cylindrical geometry and rotation of the tube magnetrons and consequently to uneven target removal at the target surface just above the magnet system. These magnetic field fluctuations are associated with a fluctuation of the operating point, so that with a synchronized modulation of the target voltage compensation is sought. As a result, the substrate properties in the substrate transport direction can be largely homogenized.

Allerdings sind bei Rohrmagnetrons weitere Einflüsse auf die jeweils einem Rohrmagnetron zugehörige Plasmadynamik festgestellt worden, die den beiden sich gegenüber liegenden Abschnitten der quer zur Substrattransportrichtung erstreckten Erosionsgrabenabschnitte zuzuordnen sind und sich nicht synchron zueinander verhalten. Daraus ist zu schlussfolgern, dass sie nicht oder zumindest nicht allein der Unwucht des Rohrmagnetrons zuzuordnen sind. Solche Schwankungen wirken sich verstärkt auf reaktive Sputterverfahren aus und zwar dann, wenn eine solche Phasenverschiebung der Arbeitspunktschwankungen über beiden Hälften des ins sich geschlossenen Erosionsgraben vorliegt, bei der eine Ausregelung der Schwankung über einer Hälfte eine gleichzeitig Ausregelung über der anderen Hälfte verhindert, so dass sich die Ausregelung verstärkt nur auf einen Teil der abzuscheidenden Schicht auswirkt. However, with tubular magnetrons, further influences on the respective plasma magnetron associated plasma dynamics have been found, which are attributable to the two opposite sections of the erosion trench sections extending transversely to the substrate transport direction and do not behave synchronously with one another. From this it can be concluded that they are not or at least not solely attributable to the imbalance of the tubular magnetron. Such fluctuations have an increased effect on reactive sputtering processes, namely when there is such a phase shift of the operating point fluctuations over both halves of the self-contained erosion trench, in which a control of the fluctuation above one half prevents simultaneous control over the other half, so that the ruling reinforces only a part of the layer to be separated.

Es ist folglich Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zum reaktiven Magnetronsputtern und eine dazu verwendbare Vorrichtung anzugeben, so dass ein verbesserter Ausgleich von Schwankungen über den Umfang des in sich geschlossenen Erosionsgrabens möglich ist. It is therefore an object of the invention to provide a method for reactive magnetron sputtering and a device which can be used for this purpose, so that an improved compensation of fluctuations over the circumference of the self-contained erosion trench is possible.

Zur Lösung der Aufgabe wird ein Magnetronsputterverfahren nach Anspruch 1 und ein Vorrichtung zum reaktiven Magnetronsputtern nach Anspruch 8 angegeben. Sich darauf beziehende abhängige Ansprüche stellen vorteilhafte Ausgestaltungen dar. To achieve the object, a magnetron sputtering method according to claim 1 and a device for reactive magnetron sputtering according to claim 8 are given. Related dependent claims represent advantageous embodiments.

Im Gegensatz zur bekannten Verfahrensweise wird erfindungsgemäß ein Teil des Erosionsgrabens deutlich stärker ausgebildet und damit das Magnetron einseitig asymmetrisch betrieben und dazu die sonst angestrebte Symmetrie des Magnetfeldes gebrochen. In contrast to the known procedure, according to the invention, a part of the erosion trench is formed significantly stronger and thus the magnetron unilaterally operated asymmetrically and this broken the otherwise desired symmetry of the magnetic field.

Zum Magnetronsputtern ist, wie eingangs beschrieben, ein in sich geschlossener magnetischer Tunnel und daraus folgend ein in sich geschlossener Erosionsgraben erforderlich, um das Plasma aufrecht zu erhalten. Jedoch dominiert in dem erfindungsgemäßen Verfahren ein Teil des Grabens, so dass dieser Teil für den Reaktivgasverbrauch und die Abscheiderate sowie die entstehenden Schichteigenschaften maßgeblich verantwortlich ist und so die Inhomogenitäten entlang des Erosionsgrabens an Gewicht verlieren. For magnetron sputtering is, as described above, a self-contained magnetic tunnel and, consequently, a self-contained erosion trench required to maintain the plasma. However, in the method according to the invention, a part of the trench dominates, so that this part is decisively responsible for the reactive gas consumption and the deposition rate as well as the resulting layer properties and thus lose weight in the inhomogeneities along the erosion trench.

Bei einem sich über das gesamte Substrat erstreckenden Rohrmagnetron und ebenso bei einem solchen langgestreckten planaren Magnetron wird der dominierende Magnetfeldbereich zweckmäßig einer der beiden parallel zur Achse des Rohres oder des Rechtecks verlaufenden Bereich sein. Bei einem geradlinig unter bzw. über dem Magnetron hindurch bewegten Substrat und/oder bei rotierendem Magnetron liegen sich der stärker und der demgegenüber schwächer ausgebildete Magnetfelbereich im Verlauf des Erosionsgrabens gegenüber. Aber auch andere Geometrien können in Abhängigkeit von der Geometrie und einem möglichen Transport der Substrate sowie von der Targetgeometrie anwendbar sein. With a tube magnetron extending over the entire substrate and also with such an elongate planar magnetron, the dominant magnetic field region will expediently be one of the two regions extending parallel to the axis of the tube or of the rectangle. In the case of a substrate moving rectilinearly under or over the magnetron and / or with a rotating magnetron, the magnetic field area which is stronger and which is weaker in comparison is located in the course of the erosion trench. However, other geometries can also be applicable depending on the geometry and possible transport of the substrates as well as on the target geometry.

Mit zunehmender Dominanz des einen Magnetfeldbereichs verliert der andere an Einfluss, so dass entsprechend verschiedener bevorzugte Ausgestaltungen die magnetische Flussdichte in letzterem nur maximal 80%, bevorzugt maximal 50% des Ersteren ist oder gerade so groß, dass der Plasmaring nicht erlischt, d.h. der Elektroneringstrom nicht unterbrochen wird. With increasing dominance of one magnetic field region, the other loses influence, so that according to various preferred embodiments, the magnetic flux density in the latter is at most 80%, preferably at most 50% of the former or just so large that the plasma ring does not extinguish, i. the electron ring current is not interrupted.

Vorrichtungsseitig wird das Magnetsystem mittels der verwendeten Materialien der Magnete oder durch deren Geometrien oder einer Kombination von beidem derart konfiguriert, dass für zumindest zwei sich einander gegenüber liegende Abschnitte des Magnetsystems magnetische Flussdichten erzielbar sind, die die oben beschriebene Dominanz des einen Magnetfeldbereichs realisieren. Die mittels des Magnetsystems gezielt eingestellten Unterschiede liegen in den oben beschriebenen Prozentbereichen und damit deutlich über den durch das bekannte Shimmen ausgleichbaren Inhomogenitäten. On the device side, the magnet system is configured by means of the materials used of the magnets or by their geometries or a combination of both such that for at least two mutually opposite sections of the magnet system magnetic flux densities can be achieved, which realize the above-described dominance of a magnetic field region. The differences set by means of the magnet system lie in the percentage ranges described above and thus clearly above the inhomogeneities which can be compensated by the known shimming.

Neben der gezielt eingestellten Asymmetrie des Magnetfeldes kann auch ein Shimmen günstig sein, z.B. um die Asymmetrie fein abzustimmen, d.h. in jener Ausdehnung des Magnetfeldes, die sich über beide Magnetfeldbereiche erstreckt, oder um Inhomogenität innerhalb eines Magnetfeldbereiches auszugleichen. Letzteres erfolgt entlang der Ausdehnung jedes Magnetfeldbereichs und kann mit einem Shimmen in der ersten Ausdehnung kombiniert werden. In addition to the deliberately set asymmetry of the magnetic field, shimming may also be beneficial, e.g. to fine tune the asymmetry, i. in that extent of the magnetic field which extends over both magnetic field ranges, or to compensate for inhomogeneity within a magnetic field range. The latter occurs along the extent of each magnetic field region and can be combined with shimming in the first dimension.

Die Dominanz eines Magnetfeldbereichs gegenüber dem anderen gestattet die Regelung des Arbeitspunktes des reaktiven Sputterprozesses anhand der Ermittlung eines dafür geeigneten, diesen Magnetfeldbereich charakterisierenden Prozessparameters, hier zur Unterscheidung als erster Prozessparameter bezeichnet. The dominance of one magnetic field area with respect to the other allows the regulation of the operating point of the reactive sputtering process on the basis of the determination of a suitable process parameter characterizing this magnetic field area, referred to here as a first process parameter for distinction.

Unter Arbeitspunkt wird hier ein Punkt auf einem von mehreren Prozessparametern abhängigen mehrdimensionalem Strom-Spannungs-Kennlinienfeld verstanden. Zur Erreichung bestimmter Schichtqualitäten wird ein bestimmter Sollpunkt oder Sollbereich in dem Kennlinienfeld vorgegeben, in dem der Arbeitspunkt liegen soll, d.h. normalerweise wird der Arbeitspunkt so eingestellt, dass ein Optimum an zu erzielenden Schichteigenschaften erreicht wird. Operating point is here understood to be a point on a multi-dimensional current-voltage characteristic field dependent on several process parameters. In order to achieve certain layer qualities, a specific desired point or desired range is specified in the characteristic field in which the operating point should lie, i. Normally, the operating point is adjusted so that an optimum of layer properties to be achieved is achieved.

Insbesondere bei reaktiven Prozessen ist der Einfluss der Prozessparameter auf das Kennlinienfeld besonders stark oder nicht eindeutig, was sich in Form von Sprüngen oder Hysteresen zeigt. Das führt dazu, dass minimale Schwankungen des Magnetfeldes, die zu minimalen Schwankungen in der Impedanz führen, erhebliche Arbeitspunktschwankungen nach sich ziehen können. In particular, in reactive processes, the influence of the process parameters on the characteristic field is particularly strong or ambiguous, which manifests itself in the form of jumps or hystereses. As a result, minimal variations in the magnetic field that result in minimal impedance variations can result in significant operating point variations.

Bei der Prozessführung wird der Arbeitspunkt nach Möglichkeit konstant gehalten. Hierfür sind Regelverfahren bekannt, beispielsweise das Plasmaemissionsmonitoring (PEM) oder eine Leistungsregelung mittels Reaktionsgaszuführung bei einer konstant geregelten Spannung. Bei der Leistungsregelung wird der zur Bereitstellung der Targetspannung eingesetzte Generator spannungsgeregelt betrieben und die gewünschte Leistung über den Reaktivgasfluss eingestellt. During process control, the operating point is kept constant as far as possible. For this purpose, control methods are known, for example, the plasma emission monitoring (PEM) or a power control by means of reactive gas supply at a constant regulated voltage. In power control, the generator used to provide the target voltage is operated under voltage control and the desired power is set via the reactive gas flow.

In der DE 10 2009 053 756 B4 , auf dessen dort beschriebenes Verfahren zur Stabilisierung des Arbeitspunktes in einer Rohrmagnetrons aufweisenden Vakuumkammer hier Bezug genommen wird, ist eine Regelung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses vorgesehen, bei dem an ein Rohrmagnetron mit einem rotierenden Target und eine Gegenelektrode eine Targetspannung angelegt wird, derart, dass eine durch den Targetumlauf hervorgerufene periodische Änderung eines ersten Prozessparameters durch eine periodische Änderung eines zweiten Prozessparameters mit einer determinierten Höhe ausgeregelt wird. In the DE 10 2009 053 756 B4 , to which there described method for stabilizing the operating point in a Rohrmagnetrons having vacuum chamber is referred to, a control of the operating point of the coating process is provided, in which a target tube voltage is applied to a tube magnet with a rotating target and a counter electrode, such that a is corrected by the target circulation caused periodic change of a first process parameter by a periodic change of a second process parameter with a determinate amount.

Die Variation des Magnetfeldes in den beiden Magnetfeldbereichen können alternativ oder ergänzend auch durch die zum Stand der Technik beschriebenen Maßnahmen erfolgen, soweit sie die notwendige Abweichung der Flussdichten in beiden Bereichen erlauben. The variation of the magnetic field in the two magnetic field regions can alternatively or additionally also be carried out by the measures described in the prior art insofar as they permit the necessary deviation of the flux densities in both regions.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 5865970 A [0007] US 5865970 A [0007]
  • EP 1412964 B1 [0007] EP 1412964 B1 [0007]
  • DE 102009053756 A1 [0008] DE 102009053756 A1 [0008]
  • DE 102009053756 B4 [0022] DE 102009053756 B4 [0022]

Claims (9)

Reaktives Magnetronsputtern zur Beschichtung von Substraten von einem Target eines Magnetrons, wobei ein zu beschichtendes Substrat dem Magnetron gegenüber angeordnet, dessen Targetmaterial durch Sputtern zerstäubt und das zerstäubte Targetmaterial unter Anwesenheit eines Reaktivgases auf einem Substrat abgeschieden wird, wobei zum Zerstäuben zwischen Substrat und Magnetron ein Plasma gezündet wird, dessen Zündpunkt mittels des Magnetsystems des Magnetrons auf eine in sich geschlossene Bahn, nachfolgend als Erosionsgraben bezeichnet, gezwungen ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetsystem asymmetrisch betrieben wird, indem dessen magnetische Flussdichte in einem ersten Magnetfeldbereich über einem ersten Abschnitt des Erosionsgrabens höher ist als in einem zweiten Magnetfeldbereich über einem zweiten Abschnitt des Erosionsgrabens. Reactive magnetron sputtering for coating substrates of a target of a magnetron, wherein a substrate to be coated facing the magnetron, whose target material is sputtered by sputtering and the sputtered target material is deposited on a substrate in the presence of a reactive gas, wherein for sputtering between substrate and magnetron a plasma is ignited, the ignition point by means of the magnet system of the magnetron to a self-contained path, hereinafter referred to as erosion pit, forced, characterized in that the magnetic system is operated asymmetrically by the magnetic flux density in a first magnetic field area above a first portion of the erosion trench higher is than in a second magnetic field region over a second portion of the erosion trench. Reaktives Magnetronsputtern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetische Flussdichte in einem von besagten beiden Magnetfeldbereichen gleich oder kleiner als 80%, bevorzugt gleich oder kleiner 50% der magnetischen Flussdichte des anderen Magnetfeldbereichs beträgt. Reactive magnetron sputtering according to claim 1, characterized in that the magnetic flux density in one of said two magnetic field ranges is equal to or less than 80%, preferably equal to or less than 50% of the magnetic flux density of the other magnetic field range. Reaktives Magnetronsputtern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetische Flussdichte in einem von besagten beiden Magnetfeldbereichen gerade so groß eingestellt wird, dass der Plasmaring aufrechterhalten wird. Reactive magnetron sputtering according to claim 1, characterized in that the magnetic flux density in one of said two magnetic field ranges is set just so large that the plasma ring is maintained. Reaktives Magnetronsputtern nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die voneinander abweichenden Magnetfeldbereiche durch ein Magnetsystem erzeugt werden, das Abschnitte mit unterschiedlicher und/oder mit einstellbarer magnetischer Flussdichte aufweist. Reactive magnetron sputtering according to one of the preceding claims, characterized in that the divergent magnetic field regions are generated by a magnet system having sections with different and / or adjustable magnetic flux density. Reaktives Magnetronsputtern nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Regelung des Arbeitspunktes des reaktiven Sputterprozesses anhand eines ersten Prozessparameters, welcher den Magnetfeldbereich mit der höheren magnetischen Flussdichte charakterisiert, erfolgt. Reactive magnetron sputtering according to one of the preceding claims, characterized in that a control of the operating point of the reactive sputtering process on the basis of a first process parameter, which characterizes the magnetic field region with the higher magnetic flux density occurs. Reaktives Magnetronsputtern nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Prozessparameter die Intensität einer signifikanten Linie eines optischen Emissionsspektrogramms oder ein Reaktivgaspartialdruck ist. Reactive magnetron sputtering according to claim 5, characterized in that the first process parameter is the intensity of a significant line of an optical emission spectrogram or a reactive gas partial pressure. Reaktives Magnetronsputtern nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung auf einem entlang einer Substrattransportrichtung bewegten Substrat und/oder von zumindest einem Rohrmagnetron erfolgt, dessen Achse sich senkrecht zur Substrattransportrichtung erstreckt. Reactive magnetron sputtering according to one of the preceding claims, characterized in that the coating takes place on a substrate moved along a substrate transport direction and / or of at least one tubular magnetron whose axis extends perpendicular to the substrate transport direction. Vorrichtung zum reaktiven Magnetronsputtern nach einem der vorstehenden Ansprüchen, mit einem Magnetron, welches ein Target des zu zerstäubenden Beschichtungsmaterials mit einer Abtragsoberfläche und einem Magnetsystem auf der der Abtragsoberfläche abgewandten Seite des Targets zur Erzeugung eines in sich geschlossenen magnetischen Tunnels benachbart zur Abtragsoberfläche () umfasst, und mit einer Plasmavorrichtung mit Elektrodenanordnung zur Erzeugung eines Plasmarings über der Abtragsoberfläche (), dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetsystem asymmetrisch ausgebildet ist, indem es in zumindest zwei, einander gegenüber liegenden Abschnitten Magnete umfasst, deren Form und/oder Materialien Unterschiede in der magnetischen Flussdichte realisieren. A reactive magnetron sputtering apparatus as claimed in any one of the preceding claims, further comprising a magnetron comprising a target of the coating material to be sputtered with an ablation surface and a magnet system on the side of the target facing away from the ablation surface to form a self-contained magnetic tunnel adjacent the ablation surface (12); and with a plasma device having an electrode arrangement for generating a plasma ring over the ablation surface (10), characterized in that the magnet system is asymmetrical in that it comprises magnets in at least two mutually opposite sections, whose shape and / or materials differ in the magnetic flux density realize. Vorrichtung zum reaktiven Magnetronsputtern nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Mittel zum Shimmen des Magnetfeldes in zumindest einer Ausdehnung des Magnetfeldes umfasst. A device for reactive magnetron sputtering according to claim 8, characterized in that the device comprises means for shimming the magnetic field in at least one extension of the magnetic field.
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