DE102012025202A1 - Operating rectifier comprises connecting first and second rectifier sectors to transformer by first and second windings, and controlling each sector by semiconductor switching element of FET - Google Patents

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Abstract

The method comprises connecting first and second (12) rectifier sectors to a transformer (15) by first and second (14) windings, and controlling each sector by a semiconductor switching element. The rectifier is adapted to supply output of the rectifier to a load with power. A switching time of the switching element is determined independent of a primary-side driver of the transformer. The semiconductor switching element is a switching element of a FET with a free-wheeling unit. The determination of the switching time is carried out as voltage of the free-wheeling unit. The method comprises connecting first and second (12) rectifier sectors to a transformer (15) by first and second (14) windings, and controlling each sector by a semiconductor switching element. The rectifier is adapted to supply output of the rectifier to a load with power. A switching time of the switching element is determined independent of a primary-side driver of the transformer. The semiconductor switching element is a switching element of a FET with a free-wheeling unit. The determination of the switching time is carried out as voltage of the free-wheeling unit. The method further comprises comparing a primary current with a primary circuit current threshold during operation, and comparing a secondary current with a secondary circuit current threshold during operation. The semiconductor switching elements are switched based on the comparison result. A magnetic field sensor (17) is arranged on the transformer. The switching elements are switched based on evaluation of signals of the sensor. Components of the first and the second rectifier sectors are symmetrical to each other. A terminal of the rectifier is implemented in a secondary circuit by a secondary-side center tap. A primary-side control of the first and second rectifier sectors is performed by symmetrical pulses. Independent claims are included for: (1) a method for operating a resistance welding device; and (2) a resistance welding device.

Description

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Betrieb einer Widerstandsschweißvorrichtung und eine Widerstandsschweißvorrichtung als solche gemäß den unabhängigen Ansprüchen.The invention describes a method for operating a resistance welding device and a resistance welding device as such according to the independent claims.

Das in der DE 4330914 A1 vorgeschlagene Verfahren dient zur Steuerung einer Widerstandsanordnung mit den, Ermitteln wenigstens zweier für den Schweißvorgang charakteristischen Eingangsgrößen, zum Beispiel Sekundärstrom und Elektrodenkraft, Zuordnen der wenigstens zwei Eingangsgrößen zu in Form von Zugehörigkeitsfunktionen unscharf definierten linguistischen Werten, Verknüpfen der ermittelten Zugehörigkeitswerte gemäß unscharf definierten Verknüpfungsregeln zu wenigstens einer in Form einer Zugehörigkeitsfunktion zu einem linguistischen Wert unscharf definierten Ausgangsgröße, Ableiten wenigstens einer Stellgröße zur Verstellung des Phasenanschnittwinkels und/oder der Stromzeit und/oder der Elektrodenkraft und/oder der Pulsweite und/oder des Vorschubs der Elektroden aus der bzw. den unscharfen Ausgangsgrößen.That in the DE 4330914 A1 proposed method is used to control a resistor arrangement with, determining at least two characteristic of the welding process input variables, such as secondary current and electrode force, assigning the at least two input variables to blurred in the form of membership functions linguistic values, linking the determined membership values according to blurred defined association rules at least deriving at least one manipulated variable for adjusting the phase angle and / or the current time and / or the electrode force and / or the pulse width and / or the advancement of the electrodes from the or the fuzzy output variables ,

Die DE 696 18 121 T2 zeigt auf eine elektrische Wechselrichter-Leistungsversorgungseinrichtung für das Widerstandsnahtschweißen.The DE 696 18 121 T2 shows an electric inverter power supply device for the resistance seam welding.

Beim Widerstandsschweißen mit Gleichstrom werden sehr hohe Ströme gefordert, die im Bereich von mehreren Kiloampere liegen können. Zur Erzeugung dieser Ströme werden üblicherweise Transformatoren verwendet, welche primärseitig mittels einer Vollbrücke angesteuert werden und sekundärseitig mittels eines Synchrongleichrichters die Schweißzangen mit Strom versorgen.Resistance welding with direct current requires very high currents, which can be in the range of several kiloamperes. To generate these currents usually transformers are used, which are controlled on the primary side by means of a full bridge and the secondary side by means of a synchronous rectifier supply the welding guns with power.

Die US 4903189 A zeigt einen sekundärseitigen Synchrongleichrichter, welcher mittels Schottky-Dioden realisiert ist.The US 4,903,189 A shows a secondary-side synchronous rectifier, which is realized by means of Schottky diodes.

Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin einen Gleichrichter und ein Verfahren zu dessen Betrieb anzugeben, mittels dessen die Systemperformance der Anordnung gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen verbessert wird, insbesondere hinsichtlich der während des Betriebs auftretenden Verlustleistungen in den Bauteilen des Gleichrichters.The object of the invention is therefore to specify a rectifier and a method for its operation, by means of which the system performance of the arrangement is improved compared with the solutions known from the prior art, in particular with regard to the power losses occurring during operation in the components of the rectifier.

Die Erfindung schlägt zu diesem Zwecke ein neues Verfahren zum Betrieb des Gleichrichters, vorzugsweise eines Gleichrichters für eine Widerstandsschweißvorrichtung vor.The invention proposes for this purpose a new method for operating the rectifier, preferably a rectifier for a resistance welding device.

Der mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens betriebene Gleichrichter umfasst einen ersten und einen zweiten Gleichrichterzweig, welcher jeweils mittels einer ersten und einer zweiten Sekundärwicklung eines Transformators verbunden ist. Der Gleichrichter ist dazu ausgebildet eine am Ausgang des Gleichrichters anschließbare Last mit Strom zu versorgen, wobei jeder Zweig des Gleichrichters mittels eines Halbleiterschaltelementes unter Verwendung einer Ansteuervorrichtung angesteuert wird. Der Schaltzeitpunkt eines Halbleiterschaltelementes wird jeweils unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung des Transformators ermittelt.The rectifier operated by means of the method according to the invention comprises a first and a second rectifier branch, which is connected in each case by means of a first and a second secondary winding of a transformer. The rectifier is designed to supply a load that can be connected to the output of the rectifier, wherein each branch of the rectifier is controlled by means of a semiconductor switching element using a drive device. The switching time of a semiconductor switching element is determined in each case independently of a primary-side control of the transformer.

Die Erfindung ermöglicht es auf einfache Weise und mit geringstem Schaltungsaufwand die Schaltzeitpunkte der Halbleiterschaltelemente im Sekundärkreis zu erfassen. Die jeweiligen Ein- und Ausschaltzeitpunkte der Halbleiterbauelemente werden dabei exakt ermittelt und sekundärseitigen ungewollten Kurzschlüssen kann vorgebeugt werden.The invention makes it possible to detect the switching times of the semiconductor switching elements in the secondary circuit in a simple manner and with minimal circuit complexity. The respective on and off times of the semiconductor devices are accurately determined and secondary unwanted short circuits can be prevented.

Der wesentliche Vorteil der Erfindung liegt im Vergleich zu bekannten Ansteuerverfahren in der Reduzierung der im Gleichrichter auftretenden Verlustleistung.The main advantage of the invention lies in the reduction of the power dissipation occurring in the rectifier in comparison to known driving methods.

Vorteilhafterweise handelt es sich bei den Halbleiterschaltelementen um ein Schaltelement aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren mit Freilaufdiode, wobei die Ermittlung des Schaltzeitpunktes des Halbleiterschaltelementes unter Berücksichtigung der negativen Freilaufdiodenflußspannung ermittelt wird.Advantageously, the semiconductor switching elements are a switching element from the group of field effect transistors with freewheeling diode, wherein the determination of the switching time of the semiconductor switching element is determined taking into account the negative freewheeling diode voltage.

Diese verbesserte Lösung kann in jeder Anwendung eingesetzt werden, bei welcher eine Gleichrichtung in Verbindung mit einer Stromsenke bzw. in Verbindung mit einem induktiven Ausgang durchgeführt wird, insbesondere in Verbindung mit einer Widerstandsschweißeinrichtung.This improved solution can be used in any application in which a rectification is performed in conjunction with a current sink or in connection with an inductive output, in particular in conjunction with a resistance welding device.

Neben der Reduzierung der Verlustleistung wird bei vorhandener Wasserkühlung eine geringere Wassermenge zur Kühlung benötigt als ohne die Erfindung. Die Baugröße der verbauten Bauelemente kann aufgrund der zuvor genannten Vorteile der Erfindung ebenfalls reduziert werden. Insgesamt wird dadurch die gesamte Baugröße des Gleichrichters reduziert und auch der Wasserdruck im Kühlkreislauf kann reduziert werden. Vorteilhafterweise wird der Gleichrichter derart dimensioniert, dass er leicht veraltete Gleichrichter mit höherer Verlustleistung in existierenden Systemen ersetzen kann. Er ist somit jederzeit als Ersatzteil beispielsweise für vorhandene Widerstandsschweißeinrichtungen verwendbar.In addition to the reduction of power loss, a smaller amount of water is required for cooling when existing water cooling than without the invention. The size of the installed components can also be reduced due to the aforementioned advantages of the invention. Overall, this reduces the overall size of the rectifier and also the water pressure in the cooling circuit can be reduced. Advantageously, the rectifier is dimensioned such that it can easily replace outdated rectifiers with higher power dissipation in existing systems. He is thus at any time as a spare part, for example, for existing resistance welding equipment used.

Ergänzend wird zur Ansteuerung auch ein Wert verwendet, welcher eine Primärstromschwelle repräsentiert und somit einen Vergleich des tatsächlich während des Betriebs auftretenden Primärstromes mit der Primärkreisstromschwelle ermöglicht. Somit könnten die Halbleiterschaltelemente auch unter Berücksichtigung des Vergleichsergebnisses geschaltet werden, was weitere Vorteile bei der Realisierung einer Ansteuerung und Optimierung des Systems hinsichtlich der Schaltzeitpunkte eröffnet, da nun ein zusätzlicher Parameter zur Verfügung steht, der mittelbar zur Zustandserfassung im Sekundärkreis verwendbar ist.In addition, a value is used for the control, which represents a primary current threshold and thus allows a comparison of the actual occurring during operation primary current with the primary circuit current threshold. Thus, the semiconductor switching elements could also take into account the comparison result be switched, which opens up further advantages in the realization of a control and optimization of the system with respect to the switching times, since now an additional parameter is available, which is indirectly used for condition detection in the secondary circuit.

Ergänzend wird zur Ansteuerung auch ein Wert verwendet, welcher eine Sekundärkreisstromschwelle repräsentiert und somit einen Vergleich des tatsächlich während des Betriebs auftretenden Sekundärstromes mit der Sekundärkreisstromschwelle ermöglicht. Somit könnten die Halbleiterschaltelemente auch unter Berücksichtigung dieses Vergleichsergebnisses geschaltet werden, was weitere Vorteile bei der Realisierung einer Ansteuerung und Optimierung des Systems hinsichtlich der Schaltzeitpunkte eröffnet, da nun ein zusätzlicher Parameter zur Verfügung steht, der unmittelbar zur Zustandserfassung des Sekundärkreises verwendbar ist.In addition, a value is used for the control, which represents a secondary circuit current threshold and thus allows a comparison of the secondary current actually occurring during operation with the secondary circuit current threshold. Thus, the semiconductor switching elements could also be switched in consideration of this comparison result, which opens up further advantages in the realization of a control and optimization of the system with respect to the switching times, since now an additional parameter is available, which is directly usable for state detection of the secondary circuit.

Zur weiteren Verbesserung könnte am Transformator ein Magnetfeldsensor angeordnet werden, dessen Signale ausgewertet werden, wobei die Halbleiterschaltelemente auch unter Verwendung des Auswerteergebnisses geschaltet werden, was weitere Optimierungsmöglichkeiten für einen verlustarmen Betrieb der Anordnung eröffnet, weil eine Sättigung des Magnetkerns verhindert werden kann.For further improvement, a magnetic field sensor could be arranged on the transformer whose signals are evaluated, wherein the semiconductor switching elements are switched using the evaluation result, which opens up further optimization possibilities for low-loss operation of the arrangement, because saturation of the magnetic core can be prevented.

Vorteilhafterweise sind sowohl die Komponenten des ersten als auch des zweiten Gleichrichterzweiges symmetrisch ausgebildet, wobei der Anschluss des Gleichrichters an den zweiteiligen Sekundärkreis mittels einer sekundärseitigen Mittelanzapfung des Sekundärkreises realisiert ist. Die Ansteuerung des ersten und des zweiten Gleichrichterzweiges erfolgt mittels im wesentlichen symmetrischer Impulse, um einer Sättigung im Transformatorkern vorzubeugen.Advantageously, both the components of the first and the second rectifier branch are formed symmetrically, wherein the connection of the rectifier to the two-part secondary circuit is realized by means of a secondary-side center tap of the secondary circuit. The control of the first and the second rectifier branch by means of substantially symmetrical pulses to prevent saturation in the transformer core.

Die symmetrische Ausbildung ermöglicht eine gleichförmige Magnetisierung, was sich vorteilhaft auf die Energieübertragung und die Systemperformance auswirkt.The symmetrical design allows a uniform magnetization, which has an advantageous effect on the energy transfer and the system performance.

Die Erfindung eignet sich besonders zur Stromversorgung der Elektroden einer Widerstandsschweißvorrichtung in Verbindung mit einem Schweißtransformator, welcher eine erste und eine zweite miteinander gekoppelte Sekundärwicklung und eine Primärwicklung umfasst sowie mit einem Gleichrichter, betrieben gemäß einem der zuvor beschriebenen Verfahrensschritte.The invention is particularly suitable for powering the electrodes of a resistance welding device in conjunction with a welding transformer, which comprises a first and a second secondary winding coupled to each other and a primary winding and with a rectifier, operated according to one of the method steps described above.

Der besondere Vorteil bei dieser Anwendung liegt darin, dass Insbesondere die beim Widerstandsschweißen aufgrund der hohen Ströme auftretenden Verluste mittels der Erfindung drastisch reduziert werden können.The particular advantage of this application is that in particular the losses occurring in resistance welding due to the high currents can be drastically reduced by means of the invention.

Die Erfindung erstreckt sich auch auf die im Verfahren weiter oben beschriebene Bauteileanordnung, insbesondere den Gleichrichter und eine den Gleichrichter umfassende Widerstandschweißeinrichtung.The invention also extends to the component arrangement described above in the method, in particular the rectifier and a resistance welding device comprising the rectifier.

Eine solche Widerstandschweißeinrichtung umfasst eine erste und eine zweite miteinander gekoppelte Sekundärwicklung und eine Primärwicklung sowie einen erfindungsgemäßen Gleichrichter. Der Gleichrichter umfasst einen ersten und einen zweiten sekundärseitigen Gleichrichterzweig. Die sekundärseitigen Gleichrichterzweige sind jeweils mittels der ersten und der zweiten Sekundärwicklung ansteuerbar. Es sind Mittel vorgesehen, welche derart ausgebildet sind, dass die Schaltzeitpunkt der Halbleiterschaltelemente unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung des Transformators im wesentlichen in Echtzeit erfassbar sind, wobei die Ermittlung der Schaltzeitpunktes auch unter Berücksichtigung der negativen Freilaufdiodenflußspannung erfolgt.Such a resistance welding device comprises a first and a second secondary winding coupled to one another and a primary winding and a rectifier according to the invention. The rectifier comprises a first and a second secondary-side rectifier branch. The secondary-side rectifier branches can each be controlled by means of the first and the second secondary winding. Means are provided which are designed in such a way that the switching time of the semiconductor switching elements can be detected substantially in real time independently of a primary-side triggering of the transformer, wherein the determination of the switching instant also takes place taking into account the negative free-wheeling diode voltage.

Mittels der Erfindung erreicht man eine Reduzierung der Verlustleistung im Vergleich zu bekannten Diodengleichrichtern, welche höhere Durchlasswiderstände aufweisen. Aufgrund der möglichen Parallelschaltung von mehreren Halbleiterschaltelementen in den Gleichrichterzweigen könnten Ströme bis zu 15 kA oder höher geschaltet werden, wobei sich die Verlustleistung gegenüber Diodengleichrichtern um ca. 70% reduziert.By means of the invention, a reduction of the power loss is achieved in comparison to known diode rectifiers, which have higher on-state resistances. Due to the possible parallel connection of several semiconductor switching elements in the rectifier branches currents could be switched up to 15 kA or higher, with the power loss compared to diode rectifiers reduced by about 70%.

Primärseitig ist eine Vollbrücke vorgesehen. Die Vollbrücke kann hierzu beispielsweise mehrere IGBTs umfassen, die miteinander zu einer Brückenschaltung verschaltet sind. Die Primärwicklung ist zwischen beiden Brückenzweigen angeordnet, und wird mittels wechselseitiger Ansteuerung der Transistoren mit Strom beaufschlagt.On the primary side, a full bridge is provided. For this purpose, the full bridge may comprise, for example, a plurality of IGBTs, which are interconnected to form a bridge circuit. The primary winding is disposed between the two bridge branches, and is energized by mutual driving of the transistors.

Mittels dieser Vorgehensweise erreicht man eine Reduzierung der Verlustleistung während der aktiven Energieübertragung und es steht eine höhere Spannung während der Kommutierung des Sekundärstromes zur Verfügung.By means of this procedure one achieves a reduction of the power loss during the active energy transmission and there is a higher voltage during the commutation of the secondary current available.

Dies hat wiederum zur Folge, dass die aktive Energieübertragungszeit und damit auch die Systemperformance verbessert wird.This in turn means that the active energy transfer time and thus the system performance is improved.

Vorteilhafterweise erfolgt die Ansteuerung der Gleichrichterzweige mit einer Frequenz im Bereich von 1 kHz bis 20 kHz, insbesondere im Bereich zwischen 1 kHz bis 10 kHz. Dadurch wird es möglich die Baugröße, das Gewicht und damit die Kosten des Transformators zu reduzieren.Advantageously, the control of the rectifier branches with a frequency in the range of 1 kHz to 20 kHz, in particular in the range between 1 kHz to 10 kHz. This makes it possible to reduce the size, weight and thus the cost of the transformer.

Vorteilhafterweise ist auch eine Stromregelung umfasst, welche mittels eines im Primärstromkreis der Primärwicklung oder im Sekundärstromkreis der Sekundärwicklung erfassten Stromes betrieben wird. Die Primärstrommessung wird jedoch bevorzugt, weil diese zuverlässiger und einfacher ist, da der Sekundärstromsensor im Trafo angeordnet und mittels eines einfachen Kabels mit der Steuerung verbunden werden kann.Advantageously, a current regulation is included, which means of a primary circuit in the primary winding or in Secondary circuit of the secondary winding detected current is operated. However, the primary current measurement is preferred because it is more reliable and easier since the secondary current sensor can be located in the transformer and connected to the controller by a simple cable.

Bevorzugt wird von der Ansteuervorrichtung unter Verwendung eines Wertes, welcher eine Primärstromschwelle repräsentiert, ein Vergleich des tatsächlich während des Betriebs auftretenden Primärstromes mit der Primärstromschwelle durchgeführt. Die Halbleiterschaltelemente werden abhängig von dem Ergebnis des Vergleichs geschaltet. Hierdurch kann das Ende der Kommutierung erkannt und somit die Systemperformance weiter gesteigert werden.Preferably, the drive device uses a value representing a primary current threshold to compare the actual primary current that occurs during operation with the primary current threshold. The semiconductor switching elements are switched depending on the result of the comparison. As a result, the end of the commutation can be detected and thus the system performance can be further increased.

1 zeigt den Aufbau eines erfindungsgemäß optimierten Stromgleichrichters. 1 shows the structure of an inventively optimized current rectifier.

2 zeigt die einzelnen Zeitbereiche interner Signalzustände. 2 shows the individual time ranges of internal signal states.

3 zeigt ein Ausführungsbeispiel für die Ansteuervorrichtung. 3 shows an embodiment for the drive device.

4 zeigt eine Widerstandsschweißvorrichtung. 4 shows a resistance welding device.

In 1 ist eine Vollbrücke Q1–Q4 mit einem erfindungsgemäßen Gleichrichter 10 gezeigt. Beide sind Teil einer Widerstandsschweißanlage (nicht gezeigt).In 1 is a full bridge Q1-Q4 with a rectifier according to the invention 10 shown. Both are part of a resistance welding system (not shown).

Die Vollbrücke ist links dargestellt und umfasst einen ersten und einen zweiten Brückenarm. Beide Brückenarme liegen parallel an einer Gleichspannung L(+) und L(–) an. Jeder der Brückenarme umfasst zwei Schalter Q1, Q4 und Q2, Q3 beispielsweise in Form von IGBTs. Das Schalterpaar Q1, Q4 ist dem ersten Brückenarm und das Schalterpaar Q2, Q3 ist dem zweiten Brückenarm zugeordnet. Im eigentlichen Brückenzweig ist die Primärwicklung 18 eines Schweißtransformators 15 angeordnet.The full bridge is shown on the left and includes a first and a second bridge arm. Both bridge arms are connected in parallel to a DC voltage L (+) and L (-). Each of the bridge arms comprises two switches Q1, Q4 and Q2, Q3, for example in the form of IGBTs. The switch pair Q1, Q4 is the first bridge arm and the switch pair Q2, Q3 is associated with the second bridge arm. In the actual bridge branch is the primary winding 18 a welding transformer 15 arranged.

Auf der rechten Seite der 1 ist der erfindungsgemäße Gleichrichter 10 gezeigt. Dieser umfasst die beiden Sekundärwicklungen 13 und 14 des Schweißtransformators 10. Beide Sekundärwicklungen 13 und 14 sind in Serie geschaltet und bilden am Kontaktpunkt der Serienschaltung eine Mittelanzapfung 19 und somit einen ersten 11 und einen zweiten 12 Sekundärzweig. An der Mittelanzapfung 19 ist eine erste Schweißelektrode 16a angeschlossen, welche während des Schweißvorganges sowohl ein positives als auch negatives Potential aufweisen kann. Eine zweite Schweißelektrode 16b ist mit den Source-Anschlüssen von sekundärseitigen Halbleiterschaltern Q5 und Q6 verbunden. Der erste Halbleiterschalter Q5 ist im ersten Sekundärzweig 11 und der zweite Halbleiterschalter ist im zweiten Sekundärzweig 12 angeordnet.On the right side of the 1 is the rectifier according to the invention 10 shown. This includes the two secondary windings 13 and 14 of the welding transformer 10 , Both secondary windings 13 and 14 are connected in series and form a center tap at the contact point of the series connection 19 and thus a first 11 and a second 12 Secondary branch. At the center tap 19 is a first welding electrode 16a connected, which may have both a positive and negative potential during the welding process. A second welding electrode 16b is connected to the source terminals of secondary side semiconductor switches Q5 and Q6. The first semiconductor switch Q5 is in the first secondary branch 11 and the second semiconductor switch is in the second secondary branch 12 arranged.

Die sekundärseitigen Halbleiterschalter Q5 und Q6 dienen zur Beaufschlagung des Werkstückes mit Schweißstrom mittels der Schweißelektroden 16. Die Halbleiterschalter Q5, Q6 sind mit Freilaufdioden (Überspannungsschutz) ausgestattet. Die Freilaufdioden können auch in die Halbleiterschalter Q5, Q6 integriert sein.The secondary-side semiconductor switches Q5 and Q6 serve to load the workpiece with welding current by means of the welding electrodes 16 , The semiconductor switches Q5, Q6 are equipped with freewheeling diodes (overvoltage protection). The freewheeling diodes may also be integrated in the semiconductor switches Q5, Q6.

Am Schweißtransformator wird bevorzugt ein Magnetfeldsensor 17 angeordnet. Dessen Signale werden von der Ansteuervorrichtung ausgewertet, so dass die Schaltelemente auch unter Verwendung des Auswerteergebnisses geschaltet werden. Mittels des Magnetfeldsensors kann dann ebenfalls Einfluss auf die Kommutierung genommen und die Systemperformance weiter gesteigert werden.At the welding transformer is preferably a magnetic field sensor 17 arranged. Whose signals are evaluated by the drive device, so that the switching elements are switched using the evaluation result. By means of the magnetic field sensor can then also influence on the commutation taken and the system performance can be further increased.

Sowohl die Komponenten des ersten als auch des zweiten Gleichrichterzweiges sind vorzugsweise symmetrisch ausgebildet. Der Anschluss des Synchrongleichrichters an den zweiteiligen Sekundärkreis ist mittels einer sekundärseitigen Mittelanzapfung des Schweißtransformators realisiert. Die Ansteuerung des ersten und des zweiten Gleichrichterzweiges erfolgt mittels im wesentlichen symmetrischer Impulse. Diese symmetrische Ausbildung ermöglicht eine gleichförmige Magnetisierung, was sich vorteilhaft auf die Energieübertragung und die Systemperformance auswirkt.Both the components of the first and the second rectifier branch are preferably formed symmetrically. The connection of the synchronous rectifier to the two-part secondary circuit is realized by means of a secondary-side center tap of the welding transformer. The control of the first and the second rectifier branch by means of substantially symmetrical pulses. This symmetrical design allows a uniform magnetization, which has an advantageous effect on the energy transfer and the system performance.

Die Ansteuervorrichtung umfasst eine Steuerlogik, eine Stromerfassung mit Komparator und eine Gatterschaltung. Beide wirken derart zusammen, dass die zur Ansteuerung erforderlichen Impulse erzeugt werden. Vorteil dieser Lösung ist die Realisierbarkeit einer sehr kompakten Anordnung.The drive device comprises a control logic, a current detection with comparator and a gate circuit. Both interact in such a way that the pulses required for driving are generated. Advantage of this solution is the feasibility of a very compact arrangement.

Die Ansteuerung erfolgt vorzugsweise mittels eines integrierten Schaltkreises oder mittels diskreter Bauteile. Die Ansteuervorrichtung kann auch mit Hilfe eines Mikrocontrollers realisiert werden. Sie kann auch in den Schweißtransformator integriert werden. Im Falle der Verwendung eines Mikrocontrollers wäre eine Realisierung auch ohne zusätzliche externe Anschlüsse möglich.The control is preferably carried out by means of an integrated circuit or by means of discrete components. The drive device can also be realized with the aid of a microcontroller. It can also be integrated into the welding transformer. In the case of using a microcontroller, a realization would be possible without additional external connections.

2 zeigt ein Signaldiagramm, welches sich beim Betrieb des erfindungsgemäßen Gleichrichters ergibt. 2 shows a signal diagram, which results in the operation of the rectifier according to the invention.

Die Halbleiterbauelemente Q5, Q6 sind mittels MOS-FETs mit integrierter Freilaufdiode realisiert. Die Erfindung basiert auf einer Messung der Source Drain Spannung UT1 an den jeweiligen MOS-FETs Q5 und Q6.The semiconductor components Q5, Q6 are realized by means of MOS-FETs with integrated freewheeling diode. The invention is based on a measurement of the source drain voltage UT1 at the respective MOS FETs Q5 and Q6.

Mittels Schließen der Schalter Q1 und Q3 (Q2, Q4 sind offen) wird die Spannung L(+), L(–) primärseitig an den aus der 1 bekannten Transformator 10 angelegt, welche unter Berücksichtigung der Übersetzung des Transformators dann an der Sekundärwindung als eine Spannung UT1 an dem Halbleiterschalter Q5 bzw. an dem Ausgang der Anordnung anliegt. By closing the switches Q1 and Q3 (Q2, Q4 are open), the voltage L (+), L (-) on the primary side of the from 1 known transformer 10 applied, which, taking into account the translation of the transformer then applied to the secondary winding as a voltage UT1 to the semiconductor switch Q5 and at the output of the arrangement.

Abhängig von UT1 ändert sich der Strom IQ5 im Halbleiterbauelement Q5 und es treten Diodenflußspannungen an der Freilaufdiode des Halbleiterbauelementes Q5 als kurzzeitige Spannungsspitzen UQ5 u. a. zu den Zeitpunkten T1, T4 auf.Depending on UT1, the current IQ5 in the semiconductor device Q5 changes, and diode current voltages appear on the freewheeling diode of the semiconductor device Q5 as short-time voltage peaks UQ5 and U2. a. at the times T1, T4.

Mittels dieser Spannungsspitzen UQ5 wird unter Verwendung einer Ansteuerschaltung (nicht gezeigt) die Einschaltung des Halbleiterbauelementes Q5 mittels seines Gates quasi in Echtzeit und unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung realisiert.By means of these voltage peaks UQ5, the activation of the semiconductor component Q5 by means of its gate is realized virtually in real time and independently of a primary-side activation using a drive circuit (not shown).

Nach Erkennung einer minimalen Flußspannung am Ende der Stromflussdauer IQ5 wird das Halbleiterbauelement Q5 ausgeschaltet. Dadurch entstehen Spannungsspitzen UQ5 basierend auf dem kurzzeitigen Freilaufdiodenbetrieb zum Zeitpunkt T3 und T7.Upon detection of a minimum forward voltage at the end of the current flow duration IQ5, the semiconductor device Q5 is turned off. This results in voltage spikes UQ5 based on the short-term free-wheeling diode operation at the time T3 and T7.

Mittels Schließen der Schalter Q2 und Q4 (Q1, Q3 sind offen) wird die Spannung L(+), L(–) primärseitig an den aus der 1 bekannten Transformator 10 angelegt, welche unter Berücksichtigung der Übersetzung des Transformators dann beispielsweise an der Sekundärwindung als eine Spannung UT1 an dem Halbleiterschalter Q6 bzw. an dem Ausgang der Anordnung anliegt.By closing the switches Q2 and Q4 (Q1, Q3 are open), the voltage L (+), L (-) on the primary side of the from 1 known transformer 10 applied, which, taking into account the translation of the transformer then applied, for example, at the secondary winding as a voltage UT1 to the semiconductor switch Q6 and at the output of the arrangement.

Abhängig von UT1 ändert sich der Strom IQ6 im Halbleiterbauelement Q6 und es treten Diodenflußspannungen an der Freilaufdiode des Halbleiterbauelementes Q6 als kurzzeitige Spannungsspitzen UQ6 u. a. zu den Zeitpunkten T2, T6 auf.Depending on UT1, the current IQ6 in the semiconductor device Q6 changes, and diode current voltages appear on the freewheeling diode of the semiconductor device Q6 as short-time voltage peaks UQ6 and the like. a. at the times T2, T6.

Mittels dieser Spannungsspitzen UQ6 wird unter Verwendung einer Ansteuerschaltung (nicht gezeigt) die Einschaltung des Halbleiterbauelementes Q6 mittels seines Gates quasi in Echtzeit und unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung realisiert.By means of these voltage peaks UQ6, the activation of the semiconductor component Q6 by means of its gate is realized virtually in real time and independently of a primary-side activation using a drive circuit (not shown).

Nach Erkennung einer minimalen Flußspannung am Ende der Stromflussdauer IQ6 wird das Halbleiterbauelement Q6 ausgeschaltet. Dadurch entsteht eine Spannungsspitze UQ6 basierend auf dem kurzzeitigen Freilaufdiodenbetrieb zum Zeitpunkt T5.Upon detection of a minimum flux voltage at the end of the current flow duration IQ6, the semiconductor device Q6 is turned off. This creates a voltage spike UQ6 based on the short-term free-wheeling diode operation at time T5.

Ergänzende oder alternative Maßnahmen zur Ansteuerung des Gates vobn Q5 und/oder Q6 könnten sein:

  • a) Messung des Stromes, welcher in den Halbleiterschaltelementen Q5 bzw. Q6 auftritt, wobei ein Stromschwellwert erfasst wird und unter Berücksichtigung dessen der Einschaltvorgang für die Halbleiterbaulemente Q5 bzw. Q6 realisiert wird. Sinkt der Strom wieder unter diese Schwelle schaltet das Halbleiterbaulement Q5 bzw. Q6 ab.
  • b) Erzeugung und Ableitung der Schaltsignale für die Halbleiterbauelemente unter Verwendung und Auswertung eines Magnetfeldsensors.
Supplementary or alternative measures for controlling the gates vobn Q5 and / or Q6 could be:
  • a) Measurement of the current which occurs in the semiconductor switching elements Q5 and Q6, wherein a current threshold is detected and, taking into account the turn-on of the Halbleiterbaulemente Q5 or Q6 is realized. If the current falls below this threshold again, the semiconductor device Q5 or Q6 switches off.
  • b) Generation and derivation of the switching signals for the semiconductor devices using and evaluating a magnetic field sensor.

Bei diesem neuen Konzept fungieren die Freilaufdioden quasi als Gleichrichter und das Halbleiterschaltelement wird erst eingeschaltet, wenn die Freilaufdiode vorwärts leitend ist.In this new concept, the freewheeling diodes act as a kind of rectifier and the semiconductor switching element is only turned on when the freewheeling diode is forward-conducting.

Prinzip bedingt sind auch Ansteuerphasen vorhanden, in denen beide Halbleiterbauelemente leitend sind, da die Stromkommutierung im Gegensatz zu bekannten Lösungen (Synchrongleichrichter) über den hier vorhandenen induktiven Energiespeicher (Sekundärwicklung des Transformators) und die Primärspannung gesteuert wird. Im gegensatz zu einem Synchrongleichrichter, bei dem die Halbleiterschaltelemente in Vorwärtsrichtung mit Strom beaufschlagt werden, werden bei der erfindungsgemäßen Lösung die Halbleiterbauelemente in Rückwärtsrichtung mit Strom beaufschlagt.Due to the principle also driving phases are present in which both semiconductor devices are conductive, since the current commutation is controlled in contrast to known solutions (synchronous rectifier) on the present here inductive energy storage (secondary winding of the transformer) and the primary voltage. In contrast to a synchronous rectifier, in which the semiconductor switching elements are supplied with current in the forward direction, in the solution according to the invention, the semiconductor components in the reverse direction are energized.

3 zeigt grob schematisch die Funktion eines integrierten oder eines diskreten Schaltkreises, welcher einen Teil der Ansteuerung der aus 2 bekannten Halbleiterschalter Q5, Q6 realisiert, am Beispiel für Q5. 3 shows roughly schematically the function of an integrated or a discrete circuit, which is a part of the control of 2 known semiconductor switch Q5, Q6 implemented, using the example of Q5.

Das erfindungsgemäße Ansteuerprinzip für Halbleiterschalter Q5 basiert auf Messung der Drain Source Spannung des jeweiligen Halbleiterschalters Q5 bzw. Q6.The control principle according to the invention for semiconductor switch Q5 is based on measurement of the drain-source voltage of the respective semiconductor switch Q5 or Q6.

Über das Schließen der Schalter Q1 und Q3 wird Primärspannung an den Trafo gelegt, die mit der Übersetzung bewertet auch an der Sekundärwindung als UT1 anliegt. Sobald die Spannung UT1 positiv ist steigt der Strom in Q5 über die integrierte Freilaufdiode an und es wird die negative Diodenflußspannung an der Drain-Source Spannung von Q5 erkannt. Es wird ein Komparator mit einer Referenz verwendet, um ein Clock-Signal (Pfeil T1) zu erzeugen, mit dem ein D-Flip-Flop bei positiver Trafospannung UT1 als High auf seinen dann gespeicherten Ausgang schaltet und damit der Ansteuerimpuls für das Gate Q5 gesetzt wird.Primary voltage is applied to the transformer via the closing of the switches Q1 and Q3, which is also rated at the secondary winding as UT1 with the translation evaluated. As soon as the voltage UT1 is positive, the current in Q5 will increase via the integrated freewheeling diode and the negative diode current voltage at the drain-source voltage of Q5 will be detected. A comparator with a reference is used to generate a clock signal (arrow T1), with which a D-flip-flop with a positive transformer voltage UT1 switches high to its then stored output and thus sets the drive pulse for the gate Q5 becomes.

Sobald die negative Flußspannung des rückwärtsleitenden Halbleiterschalters Q5 auf Grund des geringen Stromes nahe Null ist wird wieder über den Komparator mit Hysterese oder eine Referenz ein Clock (Pfeil T3) für das Flip-Flop erzeugt, der nun mit seinem Eingang negative Trafospannung UT1 den Ausgang auf Low setzt und damit den Halbleiterschalter Q5 über Gate Q5 low ausschaltet.As soon as the negative forward voltage of the reverse-conducting semiconductor switch Q5 is close to zero due to the low current, it is again across the Comparator with hysteresis or a reference generates a clock (arrow T3) for the flip-flop, which now sets with its input negative transformer voltage UT1 the output to low and thus the semiconductor switch Q5 via gate Q5 low off.

Dann ist der Halbleiterschalter Q5 bis zum endgültigen Sperren wieder kurzzeitig im Diodenbetrieb. Ein erneuter Clock während dieses Diodenbetriebs ändert aber am Ausgang des Flip Flops nichts. Dieser Diodenbetrieb ist aufgrund des kleinen Stromes für die Verluste unrelevant.Then the semiconductor switch Q5 is again in diode mode for a short time until the final blocking. A new clock during this diode operation does not change anything at the output of the flip-flop. This diode operation is irrelevant due to the small current for the losses.

In 3 gezeigt ist ein mittels Komparatoren realisierter Teil der Ansteuerschaltung. Mittels der Komparatoren 31 und 32 sowie den Referenzspannungungen 34 und 35 wird die Spannung an Q5 überwacht. Mittels des Komparators 33 sowie der Referenzspannungungen 36 wird die Trafospannung UT1 im Sekundärkreis überwacht. Die Gatespannung von Q5 wird zu einem der Zeitpunkte T1 bis T8 und fortfolgende angesteuert. Hierzu dient ein Oder-Gatter 37 und das D-Flip-Flop 38 zur Speicherung des Zustandes der Gatespannung an Q5, welcher als High/Low-Signal auf dem Ausgang des D-Flip-Flop 38 ausgegeben wird. Damit wird der Schaltzustand des MOS-FETs Q5 gesteuert.In 3 a part of the drive circuit realized by means of comparators is shown. By means of comparators 31 and 32 as well as the reference voltages 34 and 35 the voltage at Q5 is monitored. By means of the comparator 33 as well as the reference voltages 36 the transformer voltage UT1 is monitored in the secondary circuit. The gate voltage of Q5 is driven to one of the times T1 to T8 and the next. This is an OR gate 37 and the D-flip-flop 38 for storing the state of the gate voltage at Q5, which as a high / low signal on the output of the D flip-flop 38 is issued. Thus, the switching state of the MOS-FET Q5 is controlled.

Ein High-Signal bedeutet eine positive einen eingeschalteten MOS-FET Q5, wozu die Trafospannung UT1 positiv sein muß und ein Low-Signal bedeutet der MOS-FET Q5 wird gesperrt und die Trafospannung UT1 ist negativ.A high signal means a positive MOS FET Q5 turned on, to which the transformer voltage UT1 must be positive and a low signal means the MOS FET Q5 is disabled and the transformer voltage UT1 is negative.

Ein solches Signal dient mit entsprechend gleicher Schaltung wiederum als Ansteuerimpuls für das Gate des Halbleiterbauelementes Q6. Die Ansteuerung erfolgt quasi in Echtzeit, ausschließlich mittels des sekundärseitig erfassten Stromes und unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung der Anordnung.Such a signal is used with the same circuit again as a driving pulse for the gate of the semiconductor device Q6. The control takes place virtually in real time, exclusively by means of the secondary-side detected current and independent of a primary-side control of the arrangement.

Die Erfindung umfasst auch eine in 4 gezeigte Widerstandsschweißvorrichtung mit einem erfindungsgemäßen Schweißtransformator und Gleichrichter gemäß 1 und einer Ansteuervorrichtung gemäß 3 (in 4 nicht gezeigt). Die zuvor genannten Komponenten können in einem Gehäuse 41 zusammen mit weiteren Komponenten wie einer Schweißsteuerung etc. untergebracht sein. Die Schweißelektroden sind mittels der Bezugszeichen 42 und 43 gekennzeichnet. Bezugszeichen 44 kennzeichnet ein zu bearbeitendes Material.The invention also includes an in 4 shown resistance welding device with a welding transformer according to the invention and rectifier according to 1 and a driving device according to 3 (in 4 Not shown). The aforementioned components can be housed 41 be housed together with other components such as a welding control etc. The welding electrodes are identified by the reference numerals 42 and 43 characterized. reference numeral 44 indicates a material to be processed.

Solch eine erfindungsgemäße Widerstandsschweißvorrichtung weist reduzierte Totzeiten im Sekundärkreis auf und hat damit verbesserte Systemeigenschaften im Vergleich zu bekannten Lösungen.Such a resistance welding device according to the invention has reduced dead times in the secondary circuit and thus has improved system properties in comparison with known solutions.

Eine Stromregelung ist vorzugsweise ebenfalls umfasst, welche mittels eines im Primärstromkreis der Primärwicklung oder im Sekundärstromkreis der Sekundärwicklung erfassten Stromes betrieben wird.A current control is preferably also included, which is operated by means of a detected in the primary circuit of the primary winding or in the secondary circuit of the secondary winding current.

Dies ermöglicht eine präzise Regelung der Vorgänge im Sekundärkreis und wirkt sich zusätzlich positiv auf die Systemperformance aus.This allows a precise control of the processes in the secondary circuit and additionally has a positive effect on the system performance.

Vorzugsweise wird die Ansteuerung der Gleichrichterzweige mit einer Frequenz im Bereits von 1 kHz bis 20 kHz realisiert, insbesondere im Bereich zwischen 1 kHz bis 10 kHz.Preferably, the control of the rectifier branches is realized with a frequency in Already from 1 kHz to 20 kHz, in particular in the range between 1 kHz to 10 kHz.

Bei diesen Frequenzbereichen wurden optimale Ergebnisse erzielt.Optimum results were achieved at these frequency ranges.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Claims (10)

Verfahren zum Betrieb eines Gleichrichters (10), welcher einen ersten (11) und einen zweiten (12) Gleichrichterzweig umfasst, welcher jeweils mittels einer ersten (13) und einer zweiten (14) Sekundärwicklung eines Transformators (15) verbunden ist und welcher Gleichrichter (10) dazu ausgebildet ist eine am Ausgang des Gleichrichters (10) anschließbare Last mit Strom zu versorgen, wobei jeder Zweig (11, 12) des Gleichrichters (10) mittels eines Halbleiterschaltelementes (Q5, Q6) angesteuert wird, wobei der Schaltzeitpunkt eines Halbleiterschaltelementes (Q5, Q6) unabhängig von einer primärseitigen Ansteuerung (Q1, Q2, Q3; Q4) des Transformators (15) ermittelt wird.Method for operating a rectifier ( 10 ), which receives a first ( 11 ) and a second ( 12 ) Rectifier branch, which in each case by means of a first ( 13 ) and a second ( 14 ) Secondary winding of a transformer ( 15 ) and which rectifier ( 10 ) is designed to be at the output of the rectifier ( 10 ) to supply connectable load, each branch ( 11 . 12 ) of the rectifier ( 10 ) is driven by means of a semiconductor switching element (Q5, Q6), wherein the switching time of a semiconductor switching element (Q5, Q6) independently of a primary-side drive (Q1, Q2, Q3, Q4) of the transformer ( 15 ) is determined. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Halbleiterschaltelement (Q5, Q6) ein Schaltelement aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren mit Freilaufmittel ist, wobei die Ermittlung des Schaltzeitpunktes unter Berücksichtigung der Spannung am Freilaufmittel erfolgt.The method of claim 1, wherein the semiconductor switching element (Q5, Q6) is a switching element from the group of field effect transistors with freewheel means, wherein the determination of the switching time taking into account the voltage at the freewheel means. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei unter Verwendung eines Wertes, welcher eine Primärstromschwelle repräsentiert, ein Vergleich des tatsächlich während des Betriebs auftretenden Primärstromes mit der Primärkreisstromschwelle durchgeführt wird und wobei die Halbleiterschaltelemente (Q5, Q6) auch unter Berücksichtigung dieses Vergleichsergebnisses geschaltet werden.Method according to one of the preceding claims, wherein using a value representing a primary current threshold, a comparison of the actual occurring during operation primary current is performed with the Primärkreisstromschwelle and wherein the semiconductor switching elements (Q5, Q6) are also switched taking into account this comparison result. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei unter Verwendung eines Wertes, welcher eine Sekundärkreisstromschwelle repräsentiert, ein Vergleich des tatsächlich während des Betriebs auftretenden Sekundärstromes mit der Sekundärkreisstromschwelle durchgeführt wird und wobei die Halbleiterschaltelemente (Q5, Q6) auch unter Berücksichtigung des Vergleichsergebnisses geschaltet werden.Method according to one of the preceding claims, wherein using a value representing a secondary circuit threshold, a comparison of the secondary current actually occurring during operation with the secondary circuit current threshold is performed and wherein the semiconductor switching elements (Q5, Q6) are also switched in consideration of the comparison result. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei am Schweißtransformator (15) ein Magnetfeldsensor (17) angeordnet ist, dessen Signale ausgewertet werden, wobei die Schaltelemente (Q5, Q6) auch unter Verwendung dieses Auswerteergebnisses geschaltet werden.Method according to one of the preceding claims, wherein on the welding transformer ( 15 ) a magnetic field sensor ( 17 ) is arranged, whose signals are evaluated, wherein the switching elements (Q5, Q6) are also switched using this evaluation result. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei sowohl die Komponenten des ersten (11) als auch des zweiten (12) Gleichrichterzweiges symmetrisch ausgebildet sind und wobei der Anschluss des Gleichrichters (10) an den Sekundärkreis (13, 14) mittels einer sekundärseitigen Mittelanzapfung (19) realisiert ist, wobei die primärseitige Ansteuerung (Q1, Q2, Q3, Q4) des ersten (11) und des zweiten (12) Gleichrichterzweiges mittels im wesentlichen symmetrischer Impulse erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein both the components of the first ( 11 ) as well as the second ( 12 ) Rectifier branches are formed symmetrically and wherein the connection of the rectifier ( 10 ) to the secondary circuit ( 13 . 14 ) by means of a secondary-side center tap ( 19 ), wherein the primary-side drive (Q1, Q2, Q3, Q4) of the first ( 11 ) and the second ( 12 ) Rectifier branch by means of substantially symmetrical pulses. Verfahren zum Betrieb einer Widerstandsschweißvorrichtung und insbesondere zur Stromversorgung der Schweißelektroden mittels eines Schweißtransformators, welcher eine erste (11) und eine zweite (12) miteinander gekoppelte Sekundärwicklung (13, 14) und eine Primärwicklung (18) umfasst sowie mit einem Gleichrichter (10), welcher gemäß einem der vorherigen Verfahrensansprüche 1 bis 6 betrieben wird.Method for operating a resistance welding device and, in particular, for supplying power to the welding electrodes by means of a welding transformer, which comprises a first ( 11 ) and a second ( 12 ) coupled to each other secondary winding ( 13 . 14 ) and a primary winding ( 18 ) and with a rectifier ( 10 ), which is operated according to one of the preceding method claims 1 to 6. Widerstandsschweißvorrichtung mit einem Schweißtransformator (10), welcher eine erste (13) und eine zweite (14) miteinander gekoppelte Sekundärwicklung und einer Primärwicklung (18) sowie einen Gleichrichter (10) umfasst, wobei der Gleichrichter (10) einen ersten (11) und einen zweiten (12) sekundärseitigen Gleichrichterzweig umfasst, wobei die sekundärseitigen Gleichrichterzweige (11, 12) jeweils mittels der ersten (13) und der zweiten (14) Sekundärwicklung ansteuerbar sind, wobei in jedem Zweig (11, 12) des Gleichrichters (10) ein Halbleiterschaltelement (Q5, Q6) vorgesehen ist und wobei Mittel vorgesehen sind, mittels derer der Schaltzeitpunkt der sekundärseitigen Halbleiterschaltelementes (Q5, Q6) sekundärseitig ermittelbar ist.Resistance welding device with a welding transformer ( 10 ), which is a first ( 13 ) and a second ( 14 ) coupled together secondary winding and a primary winding ( 18 ) and a rectifier ( 10 ), wherein the rectifier ( 10 ) a first ( 11 ) and a second ( 12 ) secondary-side rectifier branch, wherein the secondary-side rectifier branches ( 11 . 12 ) each by means of the first ( 13 ) and the second ( 14 ) Secondary windings are controllable, whereby in each branch ( 11 . 12 ) of the rectifier ( 10 ), a semiconductor switching element (Q5, Q6) is provided and wherein means are provided, by means of which the switching time of the secondary-side semiconductor switching element (Q5, Q6) can be determined on the secondary side. Widerstandsschweißvorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei eine Strommessung umfasst ist, welche mittels des Stromes im Primärstromkreis der Primärwicklung und/oder des Stromes im Sekundärstromkreis der Sekundärwicklung zur Steuerung des Gleichrichters betrieben wird.Resistance welding apparatus according to claim 8, wherein a current measurement is included, which is operated by means of the current in the primary circuit of the primary winding and / or the current in the secondary circuit of the secondary winding for controlling the rectifier. Widerstandsschweißvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Ansteuerung der Gleichrichterzweige (11, 12) mit einer Frequenz im Bereich von 1 kHz bis 20 kHz erfolgt, insbesondere im Bereich zwischen 1 kHz bis 10 kHz.Resistance welding device according to one of claims 8 or 9, wherein the drive of the rectifier branches ( 11 . 12 ) takes place at a frequency in the range of 1 kHz to 20 kHz, in particular in the range between 1 kHz to 10 kHz.
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