DE102012009099B4 - Circuit arrangement with tunable transconductance - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung, die zwei Eingangsanschlüsse für ein Eingangssignal aufweist, die über zwei getrennte Eingangssignalpfade mit jeweils einem Stromspiegel eines Stromspiegelpaars verbunden sind, durch den aus dem Eingangssignal ein Ausgangsstromsignal erzeugt wird. Jeder Stromspiegel ist aus einem als Diode wirkenden ersten Transistor und einem das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistor gebildet. Die als Diode wirkenden ersten Transistoren sind mit einer ersten Stromquelle und die das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistoren mit einer zweiten Stromquelle verbunden, die getrennt voneinander einstellbar sind. Mit der vorliegenden Schaltungsanordnung lässt sich ein Transkonduktanzverstärker mit kontinuierlich abstimmbarer Transkonduktanz realisieren.The present invention relates to a circuit arrangement having two input terminals for an input signal, which are connected via two separate input signal paths, each having a current mirror of a current mirror pair, by which an output current signal is generated from the input signal. Each current mirror is formed of a first transistor acting as a diode and a second transistor supplying the output current signal. The first transistors acting as a diode are connected to a first current source and the second transistors supplying the output current signal are connected to a second current source, which are adjustable separately from one another. With the present circuit arrangement, it is possible to realize a transconductance amplifier with continuously tunable transconductance.

Description

Technisches AnwendungsgebietTechnical application

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung, die sich beispielsweise als abstimmbarer Transkonduktanzverstärker oder als abstimmbare positive oder negative Kapazität einsetzen lässt.The present invention relates to a circuit arrangement which can be used, for example, as a tunable transconductance amplifier or as a tunable positive or negative capacitance.

Transkonduktanzverstärker sind wichtige Schaltungskomponenten in vielen Arten analoger Schaltungen. Für besonders schnelle analoge Schaltungen wird oft im Current-Mode gearbeitet, d. h. der Strom ist die signalführende Größe. Zudem wird für eine größere Störfestigkeit eine differenzielle Ausführung verwendet, die sich durch konstanten Stromverbrauch und eine hohe Dämpfung des Common-Mode auszeichnet.Transconductance amplifiers are important circuit components in many types of analog circuits. For very fast analog circuits is often used in the current mode, d. H. the current is the signal-carrying quantity. In addition, a differential design is used for greater immunity to interference, which is characterized by constant power consumption and a high attenuation of the common mode.

Stand der TechnikState of the art

Der einfachste und am wenigsten lineare Transkonduktanzverstärker besteht aus einem differenziellen Transistorpaar mit Stromquelle. Die Eingangsspannung ΔV = Vin+ – Vin– entspricht der doppelten Basis-Emitter-Spannung VBE der Transistoren. Der Stromfluss ergibt sich aus

Figure 00010001
wobei VT der Temperaturspannung entspricht.The simplest and least linear transconductance amplifier consists of a differential transistor pair with current source. The input voltage ΔV = V in + - V in corresponds to twice the base-emitter voltage V BE of the transistors. The current flow results
Figure 00010001
where V T corresponds to the temperature voltage.

Die Transkonduktanz gm bestimmt sich bei ΔV ≈ 0 mit

Figure 00020001
The transconductance g m is determined at ΔV ≈ 0
Figure 00020001

Eine Verbesserung der Linearität kann durch negative Rückkopplung mittels resistiver Emitter-degeneration erreicht werden. Dadurch liegt am Bipolartransistor nicht die halbe Eingangsspannung an, sondern die halbe Eingangsspannung abzüglich des Spannungsabfalls am Degenerationswiderstand Rd. Bei einem DC-Arbeitspunkt mit hohem gm des Transistors wird die Rückkopplung durch den Degenerationswiderstand Rd bestimmend und die Gesamttranskonduktanz gm,tot nähert sich dem Kehrwert des Degenerationswiderstands:

Figure 00020002
An improvement in linearity can be achieved by negative feedback through resistive emitter degeneration. As a result, the bipolar transistor is not half the input voltage, but half the input voltage minus the voltage drop across the degeneration resistor R d . At a DC operating point with high g m of the transistor, the feedback is determined by the degeneration resistor R d and the total transconductance g m, tot approaches the reciprocal of the degeneration resistance:
Figure 00020002

Ein wesentlicher Nachteil der Transkonduktanzverstärker mit resistiver Degeneration ist die fehlende Abstimmbarkeit der Transkonduktanz. Durch Verwendung einer Degeneration mit Dioden anstelle des Degenerationswiderstands Rd kann die Abstimmbarkeit erhalten werden. Die Transkonduktanz beträgt in diesem Fall

Figure 00020003
wobei Ic für den Bias-Strom, VT für die Temperaturspannung und n für die Anzahl der Basis-Emitter-Dioden steht.A major disadvantage of the transconductance amplifier with resistive degeneration is the lack of tunability of the transconductance. By using degeneracy with diodes instead of degeneration resistance R d , tunability can be obtained. The transconductance in this case is
Figure 00020003
where I c stands for the bias current, V T for the temperature voltage and n for the number of base-emitter diodes.

Eine weitere Möglichkeit der Linearisierung von Transkonduktanzverstärkern besteht in der Parallelschaltung mehrerer Einzel-Transkonduktanzverstärker. Bei den bisher beschriebenen Transkonduktanzverstärkern mit konvexem Transkonduktanzverlauf bietet sich eine additive Kombination von asymmetrischen Verstärkern oder eine subtraktive Kombination von Verstärkern mit unterschiedlicher Verstärkung an. Durch diese Parallelschaltung wird eine Kombination der Transkonduktanzverläufe der beiden Verstärker und somit bei geeigneter Dimensionierung eine Linearisierung des Gesamt-Transkonduktanzverlaufs erreicht.Another possibility for the linearization of transconductance amplifiers is the parallel connection of several single transconductance amplifiers. The convex transconductance transconductance amplifiers described so far offer an additive combination of asymmetric amplifiers or a subtractive combination of amplifiers of different amplification. By means of this parallel connection, a combination of the transconductance profiles of the two amplifiers and thus, with suitable dimensioning, a linearization of the overall transconductance profile is achieved.

Ein asymmetrischer Transkonduktanzverlauf eines differenziellen Paars kann durch unterschiedlich große Emitterflächen der Transistoren erzeugt werden. Der Sättigungs-Sperrstrom ist linear abhängig von der Emitterfläche, somit verschiebt sich bei einem Emitterflächenverhältnis k das Maximum der Transkonduktanz um ln(k).An asymmetric transconductance profile of a differential pair can be generated by differently sized emitter areas of the transistors. The saturation reverse current is linearly dependent on the emitter surface, so shifts at an emitter area ratio k, the maximum of the transconductance to ln (k).

Bei seriell resistiver Degeneration, wie sie beispielsweise in B. Gilbert, „The Multi-tanh Principle: A Tutorial Overview”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, 33 (1): 2–17, 1998 beschrieben ist, werden die Degenerationswiderstände umgekehrt proportional zu den zugehörigen Emitterflächen dimensioniert. Bei parallel resistiver Degeneration werden die Emitterflächen und die Ströme der dazugehörenden Stromquellen proportional zueinander dimensioniert. Bei serieller Degeneration mit Dioden, wie sie ebenfalls in der genannten Veröffentlichung von B. Gilbert beschrieben ist, werden die Emitterflächen und die dazugehörenden Dioden so dimensioniert, dass die jeweiligen Sättigungssperrströme gleich groß sind. In integrierten Schaltungen werden die Dioden aus Bipolar-Transistoren mit kurzgeschlossenem Basis-Kollektoranschluss gebildet.In serial resistive degeneration, as described, for example, in B. Gilbert, "The Multi-Ten Principle: A Tutorial Overview", Solid State Circuits, IEEE Journal of, 33 (1): 2-17, 1998, the degeneration resistances inversely proportional to the associated emitter surfaces dimensioned. In parallel resistive degeneration, the emitter areas and the currents of the associated current sources are dimensioned proportionally to each other. In the case of serial degeneration with diodes, as also described in the cited publication by B. Gilbert, the emitter areas and the associated diodes are dimensioned such that the respective saturation blocking currents are the same size. In integrated circuits, the diodes are formed from bipolar transistors with a short-circuited base-collector connection.

Die DE 195 43 866 C1 und die US 6 271 725 B1 beschreiben jeweils Transkonduktanzverstärker mit als Stromspiegel geschalteten Transistoren. Durch eine Kreuzkopplung der Lastelemente mit einem ersten und einem zweiten Transistor wird bei der DE 195 43 866 C1 eine Reduzierung des Stromes durch die Lastelemente bewirkt und dadurch die laststromunabhängige Eigenstromaufnahme reduziert. Die in der US 6 271 725 B1 gewählte Verschaltung bewirkt eine Erweiterung Dynamikbereiches des Transkonduktanzverstärkers.The DE 195 43 866 C1 and the US Pat. No. 6,271,725 B1 each describe transconductance amplifiers with transistors connected as current mirrors. By crosstalk of the load elements with a first and a second transistor is in the DE 195 43 866 C1 causes a reduction of the current through the load elements and thereby reduces the load current independent self-current absorption. The in the US Pat. No. 6,271,725 B1 selected interconnection causes an expansion of the dynamic range of the transconductance amplifier.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung anzugeben, die einen kontinuierlich abstimmbaren Transkonduktanzverstärker ermöglicht und sich auch für die Realisierung einer kontinuierlich abstimmbaren Kapazität nutzen lässt.The object of the present invention is to provide a circuit arrangement which allows a continuously tunable transconductance amplifier and can also be used for the realization of a continuously tunable capacitance.

Darstellung der ErfindungPresentation of the invention

Die Aufgabe wird mit der Schaltungsanordnung gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Schaltungsanordnung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche oder lassen sich der nachfolgenden Beschreibung sowie den Ausführungsbeispielen entnehmen.The object is achieved with the circuit arrangement according to claim 1. Advantageous embodiments of the circuit arrangement are the subject of the dependent claims or can be found in the following description and the exemplary embodiments.

Die vorgeschlagene Schaltungsanordnung weist zwei Eingangsanschlüsse für ein Eingangssignal auf, die über zwei getrennte Eingangssignalpfade mit jeweils einem Stromspiegel eines Stromspiegelpaars verbunden sind. Das Eingangssignal kann als Stromsignal oder als Spannungssignal anliegen. Bei einem Eingangsspannungssignal sind vorzugsweise in jedem der Eingangssignalpfade ein oder mehrere Schaltungselemente zur Wandlung des Eingangsspannungssignals in ein Eingangsstromsignal angeordnet. Durch den Stromspiegel wird aus dem Eingangsstromsignal ein Ausgangsstromsignal erzeugt. Jeder Stromspiegel ist aus einem als Diode wirkenden ersten Transistor und einem den Ausgangsstrom bzw. das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistor gebildet. Die als Diode wirkenden ersten Transistoren der Stromspiegel sind mit einer ersten gemeinsamen Stromquelle und die zweiten Transistoren der Stromspiegel mit einer zweiten gemeinsamen Stromquelle verbunden. Die erste und die zweite Stromquelle sind dabei getrennt voneinander einstellbar, so dass das Stromverhältnis zwischen diesen beiden Stromquellen gezielt verändert werden kann.The proposed circuit arrangement has two input terminals for an input signal, which are connected via two separate input signal paths, each with a current mirror of a current mirror pair. The input signal can be present as a current signal or as a voltage signal. In an input voltage signal, one or more circuit elements are preferably arranged in each of the input signal paths for converting the input voltage signal into an input current signal. The current mirror generates an output current signal from the input current signal. Each current mirror is formed of a first transistor acting as a diode and a second transistor supplying the output current or the output current signal. The acting as a diode first transistors of the current mirror are connected to a first common current source and the second transistors of the current mirror with a second common current source. The first and the second current source are separately adjustable so that the current ratio between these two power sources can be selectively changed.

Bei der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung sind somit im Falle eines Eingangsspannungssignals die beiden Signalpfade für das positive Eingangspotential und das negative Eingangspotential, deren Differenz der Eingangsspannung entspricht, voneinander getrennt. In einer Ausgestaltung der Schaltungsanordnung wird das Eingangsspannungssignal in jedem der beiden Signalpfade über ein oder mehrere geeignete Schaltungselemente in ein Eingangsstromsignal gewandelt. Bei Nutzung der Schaltungsanordnung als Transkonduktanzverstärker umfassen diese Schaltungselemente vorzugsweise eine Kombination aus einem Transistor und einem Konversionswiderstand. Das Eingangssignal wird auf den Steuereingang des Transistors gegeben, d. h. im Falle eines Bipolar-Transistors auf die Basis, im Falle eines in CMOS-Technologie realisierten Transistors auf das Gate. Der Transistor sorgt für eine hohe Eingangsimpedanz des Transkonduktanzverstärkers. Die Basis-Emitter-Diode bzw. Gate-Source-Diode im Falle eines Feldeffekttransistors schiebt die Eingangsspannung um die Diodenspannung herunter. Zwischen dem Emitter- bzw. Source-Anschluss des Transistors und dem Eingang des Stromspiegels befindet sich der Konversionswiderstand, der die verschobene Eingangsspannung in einen Strom wandelt. Mit dem Stromspiegel wird dieser Strom gespiegelt und als Ausgangsstrom des Stromspiegels nutzbar gemacht. Der Stromspiegel ist aus zwei Transistoren gebildet, von denen beim eingangsseitigen Transistor Basis und Kollektor bzw. Gate und Source kurzgeschlossen sind. Dieser Transistor wirkt deshalb wie eine Diode oder idealerweise als Spannungsquelle und wird im Folgenden als Referenz-Diode bezeichnet. Der zweite Transistor bewirkt die Erzeugung des Ausgangsstroms der Spiegelstromquelle und wird im Folgenden als Spiegelstrom-Transistor bezeichnet. Bei der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung werden die Referenz-Dioden und die Spiegelstrom-Transistoren aufgeteilt und durch getrennte Stromquellen angesteuert, die im Folgenden als Referenzstromquelle und Spiegelstromquelle bezeichnet werden. Wird in der Spiegelstromquelle ein höherer Strom eingestellt als in der Referenzstromquelle, so verhält sich der Stromspiegel in erster Näherung wie ein Stromspiegel mit Degeneration durch eine Spannungsquelle. Die durch die Spannungsquelle hervorgerufene Strom-Verstärkung ist näherungsweise konstant über einen großen Bereich. Durch das Stromverhältnis von Spiegelstromquelle zu Referenzstromquelle kann damit die Gesamt-Transkonduktanz der Schaltungsanordnung kontinuierlich eingestellt werden. Dabei dient die Schaltungsanordnung als Transkonduktanzverstärker, bei dem das Eingangsspannungssignal in das von den Stromspiegeln gelieferte Ausgangsstromsignal gewandelt wird.In the case of the proposed circuit arrangement, in the case of an input voltage signal, the two signal paths for the positive input potential and the negative input potential whose difference corresponds to the input voltage are thus separated from one another. In one embodiment of the circuit arrangement, the input voltage signal is converted in each of the two signal paths via one or more suitable circuit elements into an input current signal. When using the circuit arrangement as a transconductance amplifier, these circuit elements preferably comprise a combination of a transistor and a conversion resistor. The input signal is applied to the control input of the transistor, i. H. in the case of a bipolar transistor on the base, in the case of realized in CMOS technology transistor to the gate. The transistor provides a high input impedance of the transconductance amplifier. The base-emitter diode or gate-source diode in the case of a field effect transistor shifts the input voltage by the diode voltage. Between the emitter or source terminal of the transistor and the input of the current mirror is the conversion resistor, which converts the shifted input voltage into a current. With the current mirror this current is mirrored and made usable as output current of the current mirror. The current mirror is made up of two transistors, of which the base and collector and gate and source are short-circuited at the input-side transistor. This transistor therefore acts as a diode or ideally as a voltage source and is referred to below as a reference diode. The second transistor causes the generation of the output current of the mirror current source and is hereinafter referred to as mirror current transistor. In the proposed circuit arrangement, the reference diodes and the mirror current transistors are divided and driven by separate current sources, which are referred to below as the reference current source and mirror current source. If a higher current is set in the mirror current source than in the reference current source, the current mirror behaves in a first approximation like a current mirror with degeneration by a voltage source. The current gain produced by the voltage source is approximately constant over a wide range. By the current ratio of mirror current source to reference current source so that the total transconductance of the circuit can be adjusted continuously. In this case, the circuit arrangement serves as a transconductance amplifier in which the input voltage signal is converted into the output current signal delivered by the current mirrors.

Bei dieser Nutzung der Schaltungsanordnung als Transkonduktanzverstärker kann durch Hinzufügen von Degenerationswiderständen zwischen Referenz-Diode und Referenzstromquelle sowie zwischen Spiegelstromtransistor und Spiegelstromquelle eine weitere Verbesserung der Linearität erreicht werden.In this use of the circuit arrangement as a transconductance amplifier, a further improvement of the linearity can be achieved by adding degeneration resistors between the reference diode and the reference current source as well as between the mirror current transistor and the mirror current source.

In einer weiteren Ausgestaltung der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung als Transkonduktanzverstärker wird dieser mit mindestens einem weiteren Transkonduktanzverstärker kombiniert, um die Linearität der Gesamt-Transkonduktanz weiter zu verbessern. Im Gegensatz zu den in der Beschreibungseinleitung genannten Verfahren wird dabei nicht auf asymmetrische Verstärker oder subtraktive Kombination zurückgegriffen. Stattdessen werden durch unterschiedliche Degeneration erhaltene unterschiedliche Transkonduktanzverläufe verwendet. Für eine optimale Einstellung müssen mindestens drei der vier Stromquellen (Referenz- und Spiegelstromquellen für die beiden kombinierten Transkonduktanzverstärker) einstellbar sein.In a further embodiment of the proposed circuit arrangement as a transconductance amplifier, this is combined with at least one further transconductance amplifier in order to further improve the linearity of the overall transconductance. In contrast to the methods mentioned in the introduction, it does not use asymmetric amplifiers or subtractive combinations. Instead different transconductance profiles obtained by different degeneration are used. For optimal adjustment, at least three of the four current sources (reference and mirror current sources for the two combined transconductance amplifiers) must be adjustable.

In einer alternativen Ausgestaltung der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung wird diese als abstimmbare positive oder negative Kapazität ausgebildet. Hierzu wird das Ausgangsstromsignal der Stromspiegel wieder in die Eingangsknoten zurückgeleitet. Die Schaltungsanordnung entspricht damit einer aktiven Kapazität. Wie beim abstimmbaren Transkonduktanzverstärker kann auch hier der gewandelte Strom mit einem kontinuierlich abstimmbaren Faktor verstärkt werden. Vorzugsweise werden bei einer derartig ausgestalteten Schaltungsanordnung die Schaltungselemente zur Wandlung eines Eingangsspannungssignals in ein Eingangsstromsignal durch einen Emitterfolger sowie eine Kapazität gebildet. Über den Emitterfolger wird eine Replika-Spannung der Eingangsspannung erzeugt. Die Kapazität C wandelt die Änderung der Spannung dann in einen Strom

Figure 00090001
In an alternative embodiment of the proposed circuit arrangement, this is designed as a tunable positive or negative capacitance. For this purpose, the output current signal of the current mirror is fed back into the input node. The circuit arrangement thus corresponds to an active capacitance. As with the tunable transconductance amplifier, the converted current can also be amplified with a continuously tunable factor. Preferably, in such a configured circuit arrangement, the circuit elements for converting an input voltage signal into an input current signal are formed by an emitter follower and a capacitor. Via the emitter follower, a replica voltage of the input voltage is generated. Capacitance C then converts the voltage change into a current
Figure 00090001

Eine derartige Ausgestaltung der Schaltungselemente kann auch bei der Realisierung als Transkonduktanzverstärker eingesetzt werden, wobei dann dieser Eingangsstrom nach Wandlung durch den Stromspiegel wiederum einer externen Schaltung zur Verfügung gestellt werden kann.Such an embodiment of the circuit elements can also be used in the implementation as a transconductance amplifier, in which case this input current, after conversion by the current mirror, can again be made available to an external circuit.

In einer Weiterbildung dieser als aktive Kapazität ausgebildeten Schaltungsanordnung werden konventionelle schaltbare Kapazitäten in den Schaltungsaufbau integriert, um eine höhere Güte der Schaltung zu erzielen.In a further development of this circuit arrangement designed as active capacitance, conventional switchable capacitances are integrated into the circuit structure in order to achieve a higher quality of the circuit.

Die vorgeschlagene Schaltungsanordnung lässt sich sowohl in der Ausgestaltung als Transkonduktanzverstärker als auch in der Ausgestaltung als aktive Kapazität in zahlreichen analogen integrierten Schaltungen einsetzen. Beispielhafte Einsatzbereiche sind Telekommunikationsgeräte, Messgeräte oder Militärtechnik.The proposed circuit arrangement can be used both in the embodiment as a transconductance amplifier and in the embodiment as an active capacitor in numerous analog integrated circuits. Exemplary fields of application are telecommunication devices, measuring devices or military technology.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Die vorgeschlagene Schaltungsanordnung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen nochmals näher erläutert. Hier zeigen:The proposed circuit arrangement will be explained in more detail using exemplary embodiments in conjunction with the drawings. Show here:

1 ein Beispiel für einen nicht-abstimmbaren Transkonduktanzverstärker; 1 an example of a non-tunable transconductance amplifier;

2 ein Beispiel für eine Ausgestaltung der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung als abstimmbarer Transkonduktanzverstärker; 2 an example of an embodiment of the circuit arrangement according to the present invention as a tunable transconductance amplifier;

3 ein weiteres Beispiel für eine Ausgestaltung der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung als abstimmbarer Transkonduktanzverstärker; 3 a further example of an embodiment of the circuit arrangement according to the present invention as a tunable transconductance amplifier;

4 ein Beispiel für eine Nutzung des vorgeschlagenen Transkonduktanzverstärkers als Gütetranskonduktanz; 4 an example of a use of the proposed transconductance amplifier as a good transconductance;

5 ein Beispiel für eine Abhängigkeit der Transkonduktanz von der Eingangsspannung für verschiedene Emitter-Flächenverhältnisse m; 5 an example of a dependence of the transconductance on the input voltage for different emitter area ratios m;

6 ein Beispiel für eine Abhängigkeit der Transkonduktanz von der Eingangsspannung bei additiver Kombination zweier Transkonduktanzverstärker; 6 an example of a dependence of the transconductance of the input voltage with additive combination of two transconductance amplifier;

7 ein Beispiel für eine Ausgestaltung der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung als CMOS-Transkonduktanzverstärker; 7 an example of an embodiment of the proposed circuit arrangement as a CMOS transconductance amplifier;

8 ein Beispiel für eine Ausgestaltung der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung als kontinuierlich abstimmbare aktive Kapazität; 8th an example of an embodiment of the circuit arrangement according to the present invention as a continuously tunable active capacitor;

9 eine schematische Darstellung einer konventionellen einschaltbaren Kapazität; und 9 a schematic representation of a conventional switchable capacity; and

10 eine schematische Darstellung einer weiteren Möglichkeit einer einschaltbaren Kapazität. 10 a schematic representation of another possibility of a switchable capacity.

Wege zur Ausführung der ErfindungWays to carry out the invention

Vor der Beschreibung der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung wird anhand der 1 zunächst eine besondere Ausgestaltung eines weiteren nicht-abstimmbaren Transkonduktanzverstärkers betrachtet. In der Schaltungsanordnung dieses Transkonduktanzverstärkers, wie er in der 1a dargestellt ist, sind beide Signalpfade – positiv und negativ – voneinander getrennt. Der Transkonduktanzverstärker ist unipolar. Jeder Signalpfad steht hierbei aus dem Eingang (in+, in–) einem Eingangstransistor T1, einem Konversionswiderstand RC sowie einem Stromspiegel Sp1, Sp2. Jeder Stromspiegel ist jeweils aus den beiden Transistoren T2 und T3 gebildet. Am Ausgang (out+, out–) der Stromspiegel Sp1, Sp2 wird der Ausgangsstrom bereitgestellt. Das Eingangssignal wird auf die Basis der Bipolartransistoren T1 gegeben. Diese sorgen für eine hohe Eingangsimpedanz des Transkonduktanzverstärkers. Die Basis-Emitter-Diode von T1 schiebt die Eingangsspannung um die Diodenspannung herunter. Basis und Kollektor des Transistors T2 sind kurzgeschlossen. T2 wirkt deshalb wie eine Diode oder idealerweise als Spannungsquelle. Zwischen T1 und T2 befindet sich der Konversionswiderstand RC, der die verschobene Eingangsspannung in einen Strom wandelt. Mittels des Stromspiegels Sp1, Sp2 aus T2 und T3 wird der Strom als Ausgangsstrom für die nachfolgende Schaltung nutzbar gemacht. Insgesamt wirkt diese Schaltung wie ein Transkonduktanzverstärker mit der Gesamt-Transkonduktanz

Figure 00110001
Before the description of the proposed circuit arrangement is based on the 1 First, consider a particular embodiment of another non-tunable transconductance amplifier. In the circuit arrangement of this transconductance amplifier, as shown in the 1a is shown, both signal paths - positive and negative - are separated. The transconductance amplifier is unipolar. Each signal path stands in this case from the input (in +, in-) an input transistor T1, a conversion resistor R C and a current mirror Sp1, Sp2. Each current mirror is formed in each case from the two transistors T2 and T3. At the output (out +, out-) of the current mirror Sp1, Sp2, the output current is provided. The input signal is given to the base of the bipolar transistors T1. These provide a high input impedance of the transconductance amplifier. The base-emitter diode of T1 shunts the input voltage by the diode voltage. Base and collector of the transistor T2 are short-circuited. T2 therefore acts like a diode or ideally as a voltage source. Between T1 and T2 is the conversion resistor R C , which converts the shifted input voltage into a current. By means of the current mirror Sp1, Sp2 from T2 and T3, the current is made available as output current for the subsequent circuit. Overall, this circuit acts like a transconductance amplifier with the overall transconductance
Figure 00110001

Bei diesem Transkonduktanzverstärker wird somit die Eingangsspannung über die Basis-Emitter-Diode des Transistors T1 auf den Widerstand RC gegeben, der über den als Diode geschalteten Transistor T2 an eine virtuelle Masse angeschlossen ist. Der Widerstand RC wandelt die Spannung in einen Strom. Dieser wird über die Spiegeltransistorquelle auf das differentielle Ausgangspaar übertragen. 1b zeigt hierbei ein Beispiel eines Stromspiegels mit Bipolar-Transistoren T2, T3. Der Eingangsstrom Iref wird dabei durch den Stromspiegel in den Ausgangsstrom Imirror gespiegelt.In this transconductance amplifier, the input voltage is thus applied via the base-emitter diode of the transistor T1 to the resistor R C , which is connected via the diode-connected transistor T2 to a virtual ground. The resistor R C converts the voltage into a current. This is transmitted via the mirror transistor source to the differential output pair. 1b shows an example of a current mirror with bipolar transistors T2, T3. The input current I ref is mirrored by the current mirror in the output current I mirror .

Ein Beispiel für eine Ausgestaltung der Schaltungsanordnung gemäß der vorgeschlagenen Erfindung als Transkonduktanzverstärker ist in 2a dargestellt. Diese Schaltungsanordnung unterscheidet sich von der Schaltungsanordnung der 1a dadurch, dass die als Referenz-Dioden wirkenden Transistoren T2 und die Spiegelstrom-Transistoren T3 aufgeteilt und durch getrennte Stromquellen iref und itca angesteuert werden. Führen beide Stromquellen den gleichen Strom, so ist die Schaltung direkt äquivalent zur Schaltung der 1a. Wird in der Spiegelstromquelle itca ein höherer Strom eingestellt als in der Referenzstromquelle iref, so verhält sich der Stromspiegel Sp1, Sp2 in erster Näherung wie ein Stromspiegel mit Degeneration durch eine Spannungsquelle. Dies ist in der äquivalenten Betrachtung der beiden Stromspiegel Sp1, Sp2 in 2b veranschaulicht. Die durch die Spannungsquelle hervorgerufene Strom-Verstärkung ist näherungsweise konstant über einen großen Bereich.An example of an embodiment of the circuit arrangement according to the proposed invention as a transconductance amplifier is shown in FIG 2a shown. This circuit arrangement differs from the circuit arrangement of 1a in that the transistors T2 acting as reference diodes and the mirror current transistors T3 are split and driven by separate current sources i ref and i tca . If both current sources carry the same current, then the circuit is directly equivalent to the circuit of 1a , If a higher current is set in the mirror current source i tca than in the reference current source i ref , the current mirror Sp1, Sp2 behaves in a first approximation like a current mirror with degeneration by a voltage source. This is in the equivalent consideration of the two current mirrors Sp1, Sp2 in 2 B illustrated. The current gain produced by the voltage source is approximately constant over a wide range.

Über das Stromverhältnis der beiden Stromquellen iref und itca kann die Gesamt-Transkonduktanz dieser Schaltungsanordnung kontinuierlich verstellt werden. Weiterhin besteht auch die Möglichkeit, durch unterschiedliche Dimensionierung der Emitterflächen der T2, T3 Transistoren der Stromspiegel Sp1, Sp2 die Verstärkung bereits im Vorfeld bei einem Stromverhältnis von 1:1 zu verändern.The total transconductance of this circuit arrangement can be adjusted continuously via the current ratio of the two current sources i ref and i tca . Furthermore, it is also possible, by different dimensioning of the emitter surfaces of the T2, T3 transistors of the current mirror Sp1, Sp2 to change the gain in advance at a current ratio of 1: 1.

Eine Verbesserung der Linearität kann durch Hinzufügen von Degenerationswiderständen Rd erreicht werden, wie dies in der Ausgestaltung der 3 dargestellt ist. Hierbei sind zwischen den Transistoren T2, T3 der beiden Stromspiegel Sp1, Sp2 und der jeweiligen Referenz- bzw. Spiegelstromquelle iref, itca jeweils Degenerationswiderstände Rd,a und Rd,b geschaltet. Zum einen mindern diese die für die Linearität negativen Auswirkungen von Hochstrom- und Leckeffekten in den Stromspiegeln, erhöhen sie die Robustheit der Schaltungsanordnung gegen Fehlanpassung durch Technologie- oder Temperatureffekte. Insgesamt ergibt sich mit Degenerationswiderständen ein breiterer Eingangsspannungsbereich. Es muss jedoch darauf geachtet werden, dass der Degenerationswiderstand Rd klein ist im Vergleich zu 1/gm des zugehörigen Bipolartransistors, vorzugsweise Rd ≤ 0,1·1/gm. Andernfalls beschränkt der Degenerationswiderstand die Abstimmfähigkeit des Transkonduktanzverstärkers. Typische Werte für den Degenerationswiderstand Rd und den Kehrwert der Transistorsteilheit 1/gm sind 1 Ω und 25 Ω. Auch hier kann durch Veränderung der Emitterflächen und des Verhältnisses der Degenerationswiderstände Rd,a/Rd,b die Abhängigkeit der Transkonduktanz von der Eingangsspannung verändert werden.An improvement of the linearity can be achieved by adding degeneration resistances R d , as in the embodiment of FIG 3 is shown. In this case, degeneration resistances R d, a and R d, b are respectively connected between the transistors T2, T3 of the two current mirrors Sp1, Sp2 and the respective reference or mirror current source i ref , i tca . On the one hand, these reduce the linearity negative effects of high current and leakage effects in the current mirrors, increasing the robustness of the circuitry against mismatching due to technology or temperature effects. Overall, there is a wider input voltage range with degeneration resistors. However, care must be taken that the degeneration resistance R d is small in comparison to 1 / g m of the associated bipolar transistor, preferably R d ≦ 0.1 * 1 / g m . Otherwise, the degeneration resistance limits the tuning capability of the transconductance amplifier. Typical values for the degeneration resistance R d and the inverse of the transistor slope 1 / g m are 1 Ω and 25 Ω. Here too, by changing the emitter areas and the ratio of the degeneration resistances R d, a / R d, b, the dependence of the transconductance on the input voltage can be changed.

4 zeigt eine mögliche Verwendung des vorgeschlagenen Transkonduktanzverstärkers als Gütetranskonduktanz. 4 shows a possible use of the proposed transconductance amplifier as a good transconductance.

Bei Simulationen eines Zwei-Ton-Tests konnte gezeigt werden, dass die erreichten Signal-Intermodulationsprodukt-Abstände des vorgeschlagenen Transkonduktanzverstärkers ähnlich groß wie die eines herkömmlichen Emitter-degenerierten Transkonduktanzverstärkers sind. Simuliert wurden dabei Verstärker mit Transkonduktanzwerten bei 0,5 mS, 1 mS, 2 mS, 4 mS und 8 mS. Durch Verändern des Verhältnisses zwischen Referenzstrom aus der Referenzstromquelle iref und Verstärkerstrom aus der Spiegelstromquelle itca kann ein Faktor > 10 im Abstimmbereich der Transkonduktanz erreicht werden.In simulations of a two-tone test, it has been shown that the signal-to-intermodulation product spacings achieved by the proposed transconductance amplifier are similar to those of a conventional emitter-degenerated transconductance amplifier. Amplifiers with transconductance values at 0.5 mS, 1 mS, 2 mS, 4 mS and 8 mS were simulated. By varying the ratio between the reference current from the reference current source i ref and the amplifier current from the mirror current source i tca , a factor> 10 can be achieved in the tuning range of the transconductance.

Wie im Falle konventioneller Transkonduktanzverstärker kann auch beim abstimmbaren Transkonduktanzverstärker die Linearität durch Kombination zweier Verstärker verbessert werden. Hierbei werden durch unterschiedliche Degeneration erhaltene unterschiedliche Transkonduktanzverläufe verwendet, wie sie beispielhaft in der 5 dargestellt sind. Diese Figur zeigt die Abhängigkeit der Transkonduktanz von der Eingangsspannung für verschiedene Emitterflächen-Verhältnisse m der Transistoren des Stromspiegels.As in the case of conventional transconductance amplifiers, the linearity can also be improved in the tunable transconductance amplifier by combining two amplifiers. In this case, different transconductance profiles obtained by different degeneration are used, as exemplified in US Pat 5 are shown. This figure shows the dependence of the transconductance on the input voltage for different emitter area ratios m of the transistors of the current mirror.

Durch additive Kombination zweier Transkonduktanzen mit unterschiedlichem Biasstrom bzw. Referenzstrom kann eine bessere Linearität der Transkonduktanz erreicht werden, wie dies in der 6a dargestellt ist. Verschiedene Degenerationswiderstände oder verschiedene Referenzströme führen zu unterschiedlichen Transkonduktanzverläufen. Ein hoher Spannungsabfall über dem Widerstand Rd (großer Widerstand oder großer Referenzstrom) führt zu einer geringeren maximalen Eingangsspannung. Dies ist in der 6b beispielhaft dargestellt.By means of the additive combination of two transconductances with different bias current or reference current, a better linearity of the transconductance can be achieved, as described in US Pat 6a is shown. Different degeneration resistances or different reference currents lead to different transconductance curves. A high voltage drop across the resistor R d (high resistance or large reference current) results in a lower maximum input voltage. This is in the 6b exemplified.

Die vorgeschlagene Schaltungsanordnung lässt sich nicht nur mit Bipolar-Transistoren, sondern auch in CMOS-Technologie realisieren. 7 zeigt hierzu ein Beispiel für die Schaltungsanordnung als Transkonduktanzverstärker in CMOS-Technologie. Die einzelnen Transistoren T1, T2 und T3 werden dabei durch Feldeffekt-Transistoren gebildet.The proposed circuit arrangement can be realized not only with bipolar transistors, but also in CMOS technology. 7 shows an example of the circuit arrangement as a transconductance amplifier in CMOS technology. The individual transistors T1, T2 and T3 are formed by field-effect transistors.

Die Methodik der über ein Stromverhältnis abstimmbaren Verstärkung kann auch im Bereich aktiver Kapazitäten angewendet werden. In 8 ist hierzu ein Beispiel für eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung dargestellt, die eine aktive verstimmbare Kapazität bildet. Über einen Emitterfolger wird hierbei eine Replika-Spannung der Eingangsspannung erzeugt. Eine Kapazität C wandelt die Änderung der Spannung in einen Strom, der durch einen verstellbaren Stromspiegel Sp1, Sp2 einer externen Schaltung zur Verfügung gestellt werden könnte. In 8 wird dieser Strom wieder in den Eingangsknoten zurückgeleitet. Die Schaltung entspricht damit einer aktiven Kapazität. Wie beim abstimmbaren Transkonduktanzverstärker kann auch hier der gewandelte Strom über die Veränderung des Stromverhältnisses aus Referenzstromquelle iref und Spiegelstromquelle icapa um einen kontinuierlich abstimmbaren Faktor verstärkt werden.The method of gain-tunable gain can also be used in the area of active capacities. In 8th For this purpose, an example of a circuit arrangement according to the invention is shown, which forms an active tunable capacitance. An emitter follower generates a replica voltage of the input voltage. A capacitor C converts the change in voltage into a current that could be provided by an adjustable current mirror Sp1, Sp2 of an external circuit. In 8th this stream is returned to the input node. The circuit thus corresponds to an active capacity. As with the tunable transconductance amplifier, the converted current can also be amplified by a continuously tunable factor via the change in the current ratio of the reference current source i ref and the mirror current source i capa .

Die Arbeitspunkteinstellung der als Referenz-Dioden wirkenden Transistoren T2 kann dabei durch pnp Bipolar-Stromquellen, p-Kanal MOSFET-Stromquellen oder im einfachsten Fall durch einen Widerstand erfolgen.The operating point setting of the transistors T2 acting as reference diodes can be effected by pnp bipolar current sources, p-channel MOSFET current sources or in the simplest case by a resistor.

Ein Nachteil dieser Schaltung ist zweifellos die schlechte Güte, die durch eine Gütetranskonduktanz kompensiert werden muss. Es bietet sich daher an, die abstimmbare Kapazität mit konventionellen, schaltbaren Kapazitäten zu ergänzen, wie sie in den 9 und 10 dargestellt sind. Im Gegensatz zu anderen kontinuierlichen Kapazitäten, beispielsweise Varaktordioden, kann jedoch mit der vorliegenden Schaltungsanordnung in Kombination mit konventionellen schaltbaren Kapazitäten eine sehr große Kapazität (hier: 0,5 pF differentiell) realisiert werden, ohne dafür eine große Kapazität im ausgeschalteten Fall hinnehmen zu müssen. Auch die Verwendung der Methodik für eine Realisierung negativer Kapazitäten (Peaking-Kapazität) ist möglich.A disadvantage of this circuit is undoubtedly the poor quality, which must be compensated by a Q-transconductance. It therefore makes sense to supplement the tunable capacitance with conventional, switchable capacitances, as used in the 9 and 10 are shown. In contrast to other continuous capacitors, for example varactor diodes, however, a very large capacitance (here: 0.5 pF differentially) can be realized with the present circuit arrangement in combination with conventional switchable capacitors, without having to accept a large capacitance in the switched-off case. It is also possible to use the methodology for realizing negative capacities (peaking capacity).

9 zeigt beispielhaft eine konventionelle schaltbare Kapazität. Bei eingeschalteter Stromquelle wirkt die einfache Kapazität Csingle-ended. 10 zeigt eine andere Ausgestaltung einer schaltbaren Kapazität, wie sie aus M. Schmidt et al., „A 1.55 GHz to 2.45 GHz Center Frequency Continuous-Time Bandpass Delta-Sigma Modulator for Frequency Agile Transmitters”, In: Proc. of IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, RFIC2009, S. 153–156, 2009 bekannt ist. Bei eingeschaltetem Emitterfolger wirkt die differentielle Kapazität Cef = 2Csingle-ended. Im Gegensatz zum konventionellen Vorgehen kann so bei gleicher Güte eine höhere Kapazität hinzugeschaltet werden. 9 shows an example of a conventional switchable capacity. When the power source is switched on, the simple capacitance C acts single-ended . 10 shows another embodiment of a switchable capacitance as described in M. Schmidt et al., "A 1.55 GHz to 2.45 GHz Center Frequency Continuous-Time Band-pass Delta-Sigma Modulator for Frequency Agile Transmitters", In: Proc. of IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, RFIC2009, pp. 153-156, 2009. When the emitter follower is switched on, the differential capacitance C ef = 2C acts as a single-ended . In contrast to the conventional procedure, a higher capacity can be added with the same quality.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

  • in+in +
    Eingangsanschluss 1Input connection 1
    in–in-
    Eingangsanschluss 2Input connector 2
    T1T1
    Eingangstransistorinput transistor
    RC R C
    Konversionswiderstandconversion resistor
    Sp1Sp1
    Stromspiegel 1Current mirror 1
    Sp2sp2
    Stromspiegel 2Current mirror 2
    out+out +
    Ausgang 1Output 1
    out–out-
    Ausgang 2Output 2
    T2T2
    Transistor als Referenz-DiodeTransistor as a reference diode
    T3T3
    Spiegelstrom-TransistorCurrent mirror transistor
    iref i ref
    ReferenzstromquelleReference current source
    itca i tca
    SpiegelstromquelleMirror current source
    Rd R d
    Degenerationswiderstanddegeneration resistance
    CC
    Kapazitätcapacity
    icapa i capa
    SpiegelstromquelleMirror current source
    ief i ef
    Stromquelle EmitterfolgerCurrent source emitter follower
    Iref I ref
    Eingangsstrominput current
    Imirror I mirror
    Ausgangsstromoutput current

Claims (10)

Schaltungsanordnung mit einem Stromspiegelpaar (Sp1, Sp2), die zwei Eingangsanschlüsse (in+, in–) für ein Eingangssignal aufweist, die über zwei getrennte Eingangssignalpfade mit jeweils einem Stromspiegel des Stromspiegelpaars (Sp1, Sp2) verbunden sind, durch den aus dem Eingangssignal ein Ausgangsstromsignal an einem Ausgang (out+, out–) des Stromspiegelpaars (Sp1, Sp2) erzeugt wird, wobei – jeder Stromspiegel (Sp1, Sp2) aus einem als Diode geschalteten ersten Transistor (T2) und einem das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistor (T3) gebildet ist, – die als Diode geschalteten ersten Transistoren (T2) der Stromspiegel (Sp1, Sp2) mit einer ersten Stromquelle (iref) und die das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistoren (T3) der Stromspiegel (Sp1, Sp2) mit einer zweiten Stromquelle (itca, icapa) verbunden sind, und – die erste (iref) und die zweite Stromquelle (itca, icapa) getrennt voneinander einstellbar sind.Circuit arrangement comprising a current mirror pair (Sp1, Sp2) having two input terminals (in +, in-) for an input signal, which are connected via two separate input signal paths to a respective current mirror of the current mirror pair (Sp1, Sp2), by the input signal an output current signal is generated at an output (out +, out-) of the current mirror pair (Sp1, Sp2), wherein each current mirror (Sp1, Sp2) is formed of a diode-connected first transistor (T2) and a second transistor (T3) supplying the output current signal In that the diode-connected first transistors (T2) of the current mirrors (Sp1, Sp2) are connected to a first current source (i ref ) and the second transistors (T3) of the current mirrors (Sp1, Sp2) supplying the output current signal are connected to a second current source (i tca , i capa ), and - the first (i ref ) and the second current source (i tca , i capa ) are separately adjustable. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in jedem der Eingangssignalpfade Schaltungselemente zur Wandlung eines Eingangsspannungssignals in ein Eingangsstromsignal angeordnet sind, die einen Transistor (T1) mit einem Steuereingang, an dem das Eingangspannungssignal anliegt, und einen Widerstand (RC) umfassen, der das durch den Transistor (T1) verschobene Eingangsspannungssignal in das Eingangsstromsignal wandelt.Circuit arrangement according to Claim 1, characterized in that, in each of the input signal paths, circuit elements for converting an input voltage signal into an input current signal are arranged, which comprises a transistor (T1) a control input to which the input voltage signal is applied, and a resistor (R C ) which converts the input voltage signal shifted by the transistor (T1) into the input current signal. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in jedem der Eingangssignalpfade Schaltungselemente zur Wandlung eines Eingangsspannungssignals in ein Eingangsstromsignal angeordnet sind, die einen als Emitterfolger geschalteten Transistor (T1), der ein Replika-Spannungssignal des Eingangsspannungssignals erzeugt, und eine Kapazität (C) umfassen, die das Replika-Spannungssignal in das Eingangsstromsignal wandelt.Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that in each of the input signal paths circuit elements for converting an input voltage signal are arranged in an input current signal, which comprises a connected as emitter follower transistor (T1) which generates a replica voltage signal of the input voltage signal, and a capacitance (C) which converts the replica voltage signal into the input current signal. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen jedem der als Diode geschalteten ersten Transistoren (T2) und der ersten Stromquelle (iref) und zwischen jedem der das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistoren (T3) und der zweiten Stromquelle (itca, icapa) ein oder mehrere Degenerationswiderstände (Rd,a, Rd,b) geschaltet sind.Circuit arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that between each of the diode-connected first transistors (T2) and the first current source (i ref ) and between each of the output current signal supplying second transistors (T3) and the second current source (i tca , i capa ) one or more degeneration resistors (R d, a , R d, b ) are connected. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Degenerationswiderstände (Rd,a), die zwischen den ersten Transistoren (T2) und der ersten Stromquelle (iref) geschaltet sind, andere Widerstandswerte aufweisen als die Degenerationswiderstände (Rd,b), die zwischen den zweiten Transistoren (T3) und der zweiten Stromquelle (itca, icapa) geschaltet sind.Circuit arrangement according to Claim 4, characterized in that the degeneration resistors (R d, a ) which are connected between the first transistors (T2) and the first current source (i ref ) have different resistance values than the degeneration resistors (R d, b ), which are connected between the second transistors (T3) and the second current source (i tca , i capa ). Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Degenerationswiderstände (Rd,a), die zwischen den ersten Transistoren (T2) und der ersten Stromquelle (iref) geschaltet sind, die gleichen Widerstandswerte aufweisen als die Degenerationswiderstände (Rd,b), die zwischen den zweiten Transistoren (T3) und der zweiten Stromquelle (itca, icapa) geschaltet sind.Circuit arrangement according to Claim 4, characterized in that the degeneration resistors (R d, a ) which are connected between the first transistors (T2) and the first current source (i ref ) have the same resistance values as the degeneration resistors (R d, b ) which are connected between the second transistors (T3) and the second current source (i tca , i capa ). Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die als Diode geschalteten ersten Transistoren (T2) eine andere Größe ihrer Emitterfläche aufweisen als die das Ausgangsstromsignal liefernden zweiten Transistoren (T3).Circuit arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the diode-connected first transistors (T2) have a different size of their emitter surface than the output current signal supplying second transistors (T3). Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang (out+, out–) des Stromspiegelpaars (Sp1, Sp2) mit den Eingangsanschlüssen (in+, in–) verbunden ist.Circuit arrangement according to one of Claims 1 to 7, characterized in that the output (out +, out-) of the current mirror pair (Sp1, Sp2) is connected to the input terminals (in +, in). Verwendung der Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 als einstellbarer Transkonduktanzverstärker.Use of the circuit arrangement according to one of Claims 1 to 7 as an adjustable transconductance amplifier. Verwendung der Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 als abstimmbare Kapazität.Use of the circuit arrangement according to claim 8 as a tunable capacitance.
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