DE102011084996A1 - Arrangement for coating a substrate - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem organischen Beschichtungsmaterial (16), umfassend wenigstens einen Verdampfungsbehälter (18) zur Aufnahme von organischem Beschichtungsmaterial (16) und wenigstens eine Wärmequelle (20) zum Verdampfen des organischen Beschichtungsmaterials (16), wobei der Verdampfungsbehälter (18) eine Austrittsöffnung (22) für verdampftes organisches Beschichtungsmaterial (16) aufweist, und wobei wenigstens eine absorptionsspektroskopische Anordnung (26) mit einer Strahlungsquelle (32) und einem Detektor (36) zum Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials (16) vorgesehen ist, und wobei die Anordnung ferner eine mit der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung (26) verbundene Verstärkungseinheit aufweist, welche einen Strahlungszerhacker (37) zum Erzeugen einer zeitlich periodischen Pulsfolge von Strahlungspulsen durch die Strahlungsquelle und einen Lock-in-Verstärker (38) umfasst. Mit einer derartigen Anordnung ist die Beschichtungsrate etwa einer Physikalischen Gasphasenabscheidung besonders wartungsarm und genau ermittelbar. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem organischen Beschichtungsmaterial (16).The present invention relates to an arrangement for coating a substrate (12) with an organic coating material (16) comprising at least one evaporation container (18) for receiving organic coating material (16) and at least one heat source (20) for evaporating the organic coating material (16 wherein the evaporation container (18) has a vaporized organic coating material outlet opening (22), and at least one absorption spectroscopic arrangement (26) having a radiation source (32) and a detector (36) for detecting the vapor density of the evaporated coating material (16), and wherein the arrangement further comprises an amplification unit connected to the absorption spectroscopic device (26), which comprises a radiation chopper (37) for generating a time-periodic pulse train of radiation pulses through the radiation source and a lock-in amplifier (38). umfass t. With such an arrangement, the coating rate of about a physical vapor deposition is particularly low maintenance and can be accurately determined. The present invention further relates to a method for coating a substrate (12) with an organic coating material (16).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zum Beschichten eines Substrats, vorzugsweise mittels physikalischer Gasphasenabscheidung, mit einer verbesserten Ermittelbarkeit der Beschichtungsrate.The present invention relates to an arrangement for coating a substrate, preferably by means of physical vapor deposition, with an improved ascertainability of the coating rate.

Stand der TechnikState of the art

Zur Herstellung von einzelnen oder mehreren Materialschichten auf einem Trägersubstrat sind diverse Techniken, wie beispielsweise Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD), Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder Molekülarstrahlepitaxie (MBE) bekannt und gebräuchlich. Bei der Physikalischen Gasphasenabscheidung, beispielsweise, handelt es sich um ein Verfahren, bei dem das Ausgangsmaterial beziehungsweise das Beschichtungsmaterial, wie etwa ein Metall, Halbleiter oder auch organische oder anorganische Moleküle, beispielsweise durch eine elektrische Heizung, auf Temperaturen in der Nähe des Siedepunkts erhitzt wird, sich ein Materialdampf zu einem Substrat bewegt und dort zu einer Schicht kondensiert. Um die Schichtdicke des abgeschiedenen Materials auf dem Substrat einstellen zu können, benötigt man insbesondere Kenntnis über die Beschichtungsrate beziehungsweise den Materialfluss von dem Verdampfer hin zum dem Substrat. Da der Materialfluss beziehungsweise die Beschichtungsrate unter anderem von Faktoren wie dem Füllstand des Verdampfers, den Materialeigenschaften des Füllgutes und der Verdampfertemperatur abhängig ist, ist dieser vorzugsweise für einen kontinuierlichen Beschichtungsprozess mess- und regelbar. Various techniques, such as Physical Vapor Deposition (PVD), Chemical Vapor Deposition (CVD) or Molecular Beam Epitaxy (MBE) are known and commonly used to fabricate single or multiple layers of material on a carrier substrate. Physical vapor deposition, for example, is a process in which the starting material or coating material, such as a metal, semiconductor or even organic or inorganic molecules, for example by an electric heater, is heated to temperatures near the boiling point , Moving a material vapor to a substrate and there condenses into a layer. In order to be able to adjust the layer thickness of the deposited material on the substrate, it is particularly necessary to know the coating rate or the material flow from the evaporator to the substrate. Since the material flow or the coating rate is dependent inter alia on factors such as the fill level of the evaporator, the material properties of the contents and the evaporator temperature, this is preferably measured and regulated for a continuous coating process.

Um Beschichtungsraten bei der Beschichtung von metallischem Beschichtungsmaterial zu bestimmen, ist beispielsweise die Verwendung von Thermoelementen (TC), Quartzkristall-Mikrowaagen (QCM), Quadrupol-Massenspektroskopie (QMS), Infrarot-Monitoring (Infrared Monitor), Lichtstreuung (SLS), spektroskopischer Ellipsometrie (SE), Elektronenstoß-Emissionsspektroskopie (EIES), Atomspektroskopie (AA) oder auch Röntgenfluoreszenzspektroskopie (RFS, XRF) bekannt. Die beschriebenen Verfahren werden vor allem bei einem Herstellungsprozess von CIGS-Solarzellen genutzt und regeln dort punktförmige Sputterquellen unter Verwendung von metallischem Beschichtungsmaterial. Derartige Verfahren sind jedoch grundsätzlich nicht auf Beschichtungsverfahren für organisches Beschichtungsmaterial übertragbar. For example, to determine coating rates in the coating of metallic coating material, the use of thermocouples (TC), quartz crystal microbalances (QCM), quadrupole mass spectroscopy (QMS), infrared monitoring (Infrared Monitor), light scattering (SLS), spectroscopic ellipsometry (SE), electron impact emission spectroscopy (EIES), atomic spectroscopy (AA) or X-ray fluorescence spectroscopy (RFS, XRF). The described methods are primarily used in a production process of CIGS solar cells and regulate punctiform sputtering sources using metallic coating material. However, such processes are basically not transferable to coating processes for organic coating material.

Daher werden derzeit bei einem Beschichten von Substraten mit organischem Beschichtungsmaterial, wie etwa bei der Herstellung von organischen Solarzellen, die Aufdampfraten punktuell mit Schwingquarzen beziehungsweise Quarzkristall-Mikrowaagen (QCM) gemessen und durch die Heizleistung am Verdampfer manuell geregelt.Therefore, in the case of coating substrates with organic coating material, such as in the production of organic solar cells, the vapor deposition rates are currently measured with quartz crystals or quartz crystal microbalances (QCM) and controlled manually by the heating power at the evaporator.

Aus dem Dokument DE 10 2008 043 634 A1 ist ein Verdampfer zum Verdampfen organischer Materialien sowie eine Beschichtungsanlage insbesondere zur Herstellung organischer Leuchtdioden und/oder organischer Solarzellen bekannt. Der Verdampfer umfasst einen Verdampfungsbehälter mit wenigstens einer Wärmequelle zum Verdampfen von organischem Material und einer Austrittsöffnung für verdampftes organisches Material. Dabei ist die Wärmequelle ein außerhalb des Verdampfungsbehälters angeordneter, den Verdampfungsbehälter von außen, ausschließlich durch Wärmestrahlung erhitzender Strahler. Die Austrittsöffnung ist ferner langgestreckt und linienförmig ausgebildet.From the document DE 10 2008 043 634 A1 For example, an evaporator for evaporating organic materials and a coating system, in particular for producing organic light-emitting diodes and / or organic solar cells, are known. The evaporator comprises an evaporation tank having at least one heat source for vaporizing organic material and an outlet for vaporized organic material. In this case, the heat source is arranged outside the evaporation container, the evaporation container from the outside, heated only by heat radiation radiator. The outlet opening is also elongate and linear.

Das Dokument DE 10 2009 029 236 A1 beschreibt ebenfalls einen Verdampfer zum Verdampfen organischer Materialien sowie eine Beschichtungsanlage insbesondere zur Herstellung organischer Leuchtdioden und/oder organischer Solarzellen. Um eine schnelle Einstellung beziehungsweise Veränderung der Beschichtungsrate zu realisieren, ist gemäß diesem Dokument ein Mittel zum Variieren des freien Querschnitts einer schlitzförmigen Austrittsöffnung des Verdampfungsbehälters oder eines der Austrittsöffnung nachgelagerten Austrittskanals vorgesehen.The document DE 10 2009 029 236 A1 also describes an evaporator for vaporizing organic materials and a coating system, in particular for the production of organic light-emitting diodes and / or organic solar cells. In order to realize a rapid adjustment or change in the coating rate, a means for varying the free cross section of a slot-shaped outlet opening of the evaporation container or of an outlet channel downstream of the outlet opening is provided according to this document.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Anordnung zum Beschichten eines Substrats mit einem organischen Beschichtungsmaterial, umfassend wenigstens einen Verdampfungsbehälter zur Aufnahme von organischem Beschichtungsmaterial und wenigstens eine Wärmequelle zum Verdampfen des organischen Beschichtungsmaterials, wobei der Verdampfungsbehälter eine Austrittsöffnung für verdampftes organisches Beschichtungsmaterial aufweist, und wobei wenigstens eine absorptionsspektroskopische Anordnung mit einer Strahlungsquelle und einem Detektor zum Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials vorgesehen ist, und wobei die Anordnung ferner eine mit der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung verbundene Verstärkungseinheit aufweist, welche einen Strahlungszerhacker zum Erzeugen einer zeitlich periodischen Pulsfolge von Strahlungspulsen durch die Strahlungsquelle und einen Lock-in-Verstärker umfasst. The present invention is an arrangement for coating a substrate with an organic coating material, comprising at least one evaporation vessel for receiving organic coating material and at least one heat source for vaporizing the organic coating material, wherein the evaporation vessel has an outlet opening for vaporized organic coating material, and wherein at least one Absorption spectroscopic arrangement is provided with a radiation source and a detector for detecting the vapor density of the evaporated coating material, and wherein the arrangement further comprises an associated with the absorption spectroscopic device gain unit, which is a Strahlungszerhacker for generating a time-periodic pulse train of radiation pulses through the radiation source and a lock in amplifier includes.

Eine Anordnung zum Beschichten eines Substrats mit einem organischen Beschichtungsmaterial kann im Sinne der vorliegenden Erfindung jegliche Anordnung sein, mittels der ein organisches Beschichtungsmaterial auf ein Substrat aufbringbar ist. Unter einem Beschichten kann daher im Sinne der vorliegenden Erfindung jeglicher Prozess verstanden werden, bei dem ein organisches Beschichtungsmaterial auf ein Substrat aufbringbar ist, insbesondere in Form wenigstens einer Schicht beziehungsweise Beschichtung. Die Beschichtung kann dabei jede geeignete Form, Struktur oder Dicke aufweisen und ferner in jedem gewünschten Muster auftragbar sein. Bevorzugt kann die Anordnung zum Beschichten eines Substrats eine Vorrichtung zur Physikalischen Gasphasenabscheidung sein oder diese umfassen. Jedoch ist es im Rahmen der vorliegenden Erfindung nicht ausgeschlossen, dass die Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats eine Vorrichtung zur Chemischen Gasphasenabscheidung umfasst oder diese ist oder jede weitere Vorrichtung, durch welche ein organisches Material insbesondere unter Verwendung einer Gasphase in einem Vakuum auf ein Substrat aufbringbar ist. Eine derartige Vorrichtung kann insbesondere für eine Herstellung von organischen Licht – emittierende Dioden (OLEDs) oder organischen Solarzellen dienen. An arrangement for coating a substrate with an organic coating material may, for the purposes of the present invention, be any arrangement by means of which an organic coating material can be applied to a substrate. Under a coating can therefore in the sense of The present invention is understood to mean any process in which an organic coating material can be applied to a substrate, in particular in the form of at least one layer or coating. The coating can have any suitable shape, structure or thickness and can also be applied in any desired pattern. Preferably, the arrangement for coating a substrate may be or include a physical vapor deposition apparatus. However, within the scope of the present invention, it is not excluded that the device for coating a substrate comprises or is a device for chemical vapor deposition or any other device by means of which an organic material, in particular using a gas phase in a vacuum on a substrate can be applied , Such a device can be used in particular for the production of organic light-emitting diodes (OLEDs) or organic solar cells.

Dabei können etwa für die Abscheidung von aktiven organischen Schichten sowie von Transportschichten im Vakuum überwiegend thermische Verdampfer eingesetzt werden. Für das Beschichten eines Substrats mit organischen Materialien können diese im Vakuum je nach verwendetem Ausgangsstoff insbesondere in einem Temperaturbereich zwischen etwa ≥ 100°C und etwa ≤ 700°C verdampft werden. Bezüglich der wenigstens einen Wärmequelle können dabei besonders gute Ergebnisse im Hinblick auf die Erwärmungsgeschwindigkeit und die Regelbarkeit der Temperatur des Verdampfungsbehälters beziehungsweise des zu verdampfenden organischen Materials durch den Einsatz mindestens eines Quarzstrahlers, insbesondere mindestens eines Doppelrohrquarzstrahlers erzielt werden.It can be used for example for the deposition of active organic layers and transport layers in vacuum predominantly thermal evaporator. For coating a substrate with organic materials, they can be evaporated in vacuo, depending on the starting material used, in particular in a temperature range between approximately ≥ 100 ° C. and approximately ≦ 700 ° C. With regard to the at least one heat source, particularly good results with regard to the heating rate and the controllability of the temperature of the evaporation vessel or of the organic material to be vaporized can be achieved by using at least one quartz heater, in particular at least one double tube quartz heater.

Als organisches Beschichtungsmaterial, welches insbesondere durch die erfindungsgemäße Anordnung auf ein Substrat zu beschichten ist, können insbesondere dienen Bathocuproin (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin), Fullerene, wie etwa C60- oder C70-Fullerene, Phthalocyanine, wie etwa Kuper (Cu)- oder Zink (Zn)-Phthalocyanin. As organic coating material, which is to be coated in particular by the arrangement according to the invention on a substrate, in particular bathocuproine (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), fullerenes, such as C 60 - or C can serve 70 fullerenes, phthalocyanines such as copper (Cu) or zinc (Zn) phthalocyanine.

Das Substrat kann jedes geeignete Substrat umfassen oder sein, welches durch ein oben beschriebenes Verfahren beschichtbar ist. Beispielsweise kann das Substrat ein zur Herstellung von insbesondere organischen Leuchtdioden, Solarzellen oder sonstiger elektronischer Komponenten geeignetes Substrat sein. Beispielhaft können hier insbesondere genannt werden Glas, beschichtetes Glas, Kunststoffe, wie beispielsweise Polycarbonat, Polyethylen, Polycarbonat Polyvinylchlorid, etwa in Verbindung mit einer leitfähigen Schicht und/oder etwa als Folie.The substrate may comprise or be any suitable substrate which is coatable by a method as described above. By way of example, the substrate may be a substrate suitable for producing in particular organic light-emitting diodes, solar cells or other electronic components. By way of example, mention may be made in particular of glass, coated glass, plastics, such as polycarbonate, polyethylene, polycarbonate, polyvinyl chloride, for example in conjunction with a conductive layer and / or as a film.

Ein Verdampfungsbehälter kann ferner im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere jegliches Behältnis sein, in welchem das organische Beschichtungsmaterial, mit welchem das Substrat beschichtet werden soll, vorgelegt beziehungsweise zumindest temporär aufgenommen werden kann. Furthermore, in the context of the present invention, an evaporation container may in particular be any container in which the organic coating material with which the substrate is to be coated can be initially introduced or at least temporarily taken up.

Weiterhin ist eine Verstärkungseinheit vorgesehen, welche einen Strahlungszerhacker zum Erzeugen einer zeitlich periodischen Pulsfolge von Strahlungspulsen durch die Strahlungsquelle umfasst. Der Strahlunsgzerhacker kann auch als Chopper bezeichnet werden. Durch diesen wird eine definierte Abfolge an zeitlich begrenzten Strahlungspulsen möglich.Furthermore, an amplification unit is provided which comprises a radiation chopper for generating a temporally periodic pulse train of radiation pulses through the radiation source. The Strahlunsgzerhacker can also be called a chopper. Through this a defined sequence of temporally limited radiation pulses becomes possible.

Der Strahlungszerhacker kann dabei etwa dazu ausgestaltet sein, die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung in eine zeitliche periodische Pulsfolge zu modulieren. Ferner kann der Strahlungszerhacker derart direkt mit der Strahlungsquelle verbunden sein, dass die Strahlungsquelle als solche eine definierte Strahlungs-Pulsfolge emittiert. Beispielsweise können Strahlungspulse in einer Frequenz von ≥ 50 Hz bis ≤ 100 Hz erzeugt werden, wobei dieser Bereich nicht beschränkend ist.The radiation chopper can be designed, for example, to modulate the radiation emitted by the radiation source into a temporal periodic pulse sequence. Furthermore, the radiation chopper can be connected directly to the radiation source in such a way that the radiation source as such emits a defined radiation pulse sequence. For example, radiation pulses can be generated in a frequency of ≥ 50 Hz to ≤ 100 Hz, this range being not restrictive.

Um das von dem Strahlungszerhacker modulierte beziehungsweise erzeugte Signal in besonders vorteilhafter Weise auswerten zu können, umfasst die Verstärkungseinheit ferner einen Lock-in-Verstärker, der zweckmäßigerweise mit dem Strahlungszerhacker verbunden sein kann. Unter einem Lock-in-Verstärker kann im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere ein auch als phasenempfindlicher Gleichrichter oder Trägerfrequenzverstärker bezeichneter Verstärker verstanden werden, der einen schmalbandigen Bypassfiter darstellen kann und insbesondere das Signal-Rausch-Verhältnis eines schwachen insbesondere Wechselsignals verbessern kann. Dabei kann der Lock-in-Verstärker insbesondere ein Phasenverstärker sein, der nur die Strahlungspulse auswertet und verstärkt. Dabei kann in besonders vorteilhafter Weise nur die signalumfassende Phase verstärkt werden, was eine besonders gute Verbesserung des Signal-Rauch-Verhältnisses erlaubt.In order to be able to evaluate the signal modulated or generated by the radiation chopper in a particularly advantageous manner, the amplification unit further comprises a lock-in amplifier, which can be suitably connected to the radiation chopper. For the purposes of the present invention, a lock-in amplifier can be understood in particular to be an amplifier which is also referred to as a phase-sensitive rectifier or carrier frequency amplifier and which can represent a narrow-band bypass filter and, in particular, can improve the signal-to-noise ratio of a weak, in particular alternating signal. In particular, the lock-in amplifier can be a phase amplifier which only evaluates and amplifies the radiation pulses. In this case, only the signal-comprehensive phase can be amplified in a particularly advantageous manner, which allows a particularly good improvement of the signal-to-smoke ratio.

Insbesondere durch das Vorsehen der vorbeschriebenen Verstärkungseinheit kann es erfindungsgemäß möglich werden, eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung zur Messung der Dampfrate und damit der Beschichtungsrate von organischem Beschichtungsmaterial anwenden zu können. Eine derartige Verstärkungseinheit kann dabei mit der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung, insbesondere mit deren Detektor, verbunden sein. Das bedeutet insbesondere, dass sie ein separates Bauteil darstellen, oder als Teil der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung in diese integriert sein kann.In particular, by providing the above-described amplification unit, it may be possible according to the invention to be able to use an absorption spectroscopic device for measuring the vapor rate and thus the rate of coating of organic coating material. Such an amplification unit can be connected to the absorption spectroscopic device, in particular to its detector. This means, in particular, that they represent a separate component or can be integrated into it as part of the absorption spectroscopic device.

Somit wird es durch die erfindungsgemäße Anordnung möglich, die Dampfdichte bei einem Beschichtungsprozess mit einem organischen Beschichtungsmaterial durch eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung genau und effizient detektieren zu können und so etwa einen Beschichtungsprozess effizient steuern beziehungsweise regeln zu können. Dies ist gemäß dem Stand der Technik grundsätzlich nicht möglich, da beispielsweise der Absorptionsquerschnitt von organischem Beschichtungsmaterial um einige Zehnerpotenzen, wie etwa um den Faktor zehntausend, geringer ist, als bei metallischen Beschichtungsprozessen. Thus, it is possible by the arrangement according to the invention to be able to detect the vapor density in a coating process with an organic coating material accurately and efficiently by an absorption spectroscopic device and thus to be able to control or regulate a coating process efficiently. In principle, this is not possible according to the prior art since, for example, the absorption cross section of organic coating material is lower by a few orders of magnitude, such as by a factor of ten thousand, than in the case of metallic coating processes.

Im Detail basiert bei der Absorptionsspektroskopie die direkte Messung der Dampfdichte in einem Beschichtungsprozess auf der Lichtabsorption und wird grundsätzlich durch das Lambert-Beersche Gesetz beschrieben: I = I0exp(-kd). Dabei beschreibt k den Absorptionskoeffizienten, d die optische Weglänge, I0 die eingestrahlte Lichtintensität und I die gemessene Lichtintensität. Dabei wird mit Hilfe einer externen Lichtquelle der wellenlängenabhängige Absorptionskoeffizient bestimmt, welcher direkt proportional zur Dampfdichte ist. Als Lichtquellen können sowohl kohärente als auch inkohärente Lichtquellen genutzt werden. Als Beispiele können hier Halogenlampen, wie etwa Xenonlampen genannt werden, wohingegen als Detektoren beispielsweise Spektrometer geeignet sein können.In detail, in absorption spectroscopy, the direct measurement of vapor density in a coating process is based on light absorption and is basically described by the Lambert-Beer law: I = I 0 exp (-kd). K describes the absorption coefficient, d the optical path length, I 0 the incident light intensity and I the measured light intensity. In this case, the wavelength-dependent absorption coefficient is determined with the aid of an external light source, which is directly proportional to the vapor density. As light sources both coherent and incoherent light sources can be used. As examples, halogen lamps, such as xenon lamps, may be mentioned here, whereas spectrometers, for example, may be suitable as detectors.

Durch das Vorsehen einer absorptionsspektroskopischen Vorrichtung zum Erfassen der Dampfdichte wird es möglich, die Beschichtungsrate eines organischen Beschichtungsmaterials vollständig oder zumindest teilweise auf optischem Wege zu ermitteln. Eine Beschichtungsrate kann dabei im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere der Menge an Beschichtungsmaterial entsprechen, welche in einer bestimmten Zeitdauer auf dem Substrat abgeschieden wird beziehungsweise mit dem das Substrat beschichtet ist. Beispielsweise kann die Beschichtungsrate eine Aufdampfrate umfassen beziehungsweise dieser entsprechen.By providing an absorption spectroscopic device for detecting the vapor density, it becomes possible to determine the coating rate of an organic coating material completely or at least partially by optical means. In the context of the present invention, a coating rate may correspond in particular to the amount of coating material which is deposited on the substrate in a specific period of time or with which the substrate is coated. For example, the coating rate may include or correspond to a vapor deposition rate.

Somit können in der erfindungsgemäßen Anordnung etwaige Elemente der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung, wie beispielsweise Strahlungsquellen oder Detektoren, außerhalb des Beschichtungskegels positioniert werden. Dadurch kann verhindert werden, dass die absorptionsspektroskopische Vorrichtung ebenfalls von dem Beschichtungsmaterial beschichtet wird beziehungsweise dieses auf der Vorrichtung, wie insbesondere einer Strahlungsquelle oder einem Detektor, abgeschieden wird. Dies bringt eine Vielzahl von Vorteilen mit sich.Thus, in the arrangement according to the invention, any elements of the absorption spectroscopic device, such as radiation sources or detectors, can be positioned outside the coating cone. As a result, it can be prevented that the absorption spectroscopic device is likewise coated by the coating material or that it is deposited on the device, in particular a radiation source or a detector. This brings a variety of benefits.

Zum Einen können die Lebensdauer beziehungsweise die fehlerfreien Arbeitsintervalle und damit die Wartungsintervalle deutlich verlängert werden. Ferner ist es erfindungsgemäß nicht notwendig, wie etwa bei Massequarzen üblich, Wechseleinrichtungen beziehungsweise Revolver vorzusehen. Dadurch kann der benötigte Bauraum minimiert werden. Weiterhin kann dadurch, dass das zu beschichtende Substrat auch nicht partiell von der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung überdeckt wird, die Ausbeute an wie gewünscht beschichtetem Substrat erhöht werden. On the one hand, the service life or the error-free working intervals and thus the maintenance intervals can be significantly extended. Furthermore, it is not necessary according to the invention to provide change devices or revolvers, as is customary in the case of massecuite crystals. As a result, the required space can be minimized. Furthermore, the fact that the substrate to be coated is not partially covered by the absorption spectroscopic device, the yield of coated as desired substrate can be increased.

Darüber hinaus kann durch eine erfindungsgemäß mögliche Positionierung der absorptionsspektroskopischen Anordnung insbesondere vollständig außerhalb eines Gehäuses beziehungsweise einer Beschichtungskammer und ferner außerhalb des Beschichtungskegels beispielsweise der Nachteil von Quarzkristall-Mikrowaagen vermieden werden, nach dem diese arbeitsweisenbedingt beschichtet werden, das teilweise porös auf der Quarzkristall-Mikrowaage abgeschiedene Beschichtungsmaterial wieder abplatzt und durch Partikeleintrag in die abgeschiedene Schicht den Beschichtungsprozess negativ beeinflusst. Dadurch kann in einer erfindungsgemäßen Abordnung die Morphologie der abgeschiedenen Schicht stets wie gewünscht ausgebildet werden.In addition, by an inventively possible positioning of the absorption spectroscopic arrangement, in particular completely outside a housing or a coating chamber and also outside the coating cone, for example, the disadvantage of quartz crystal microbalance can be avoided, after which these are coated for working reasons, the partially porous deposited on the quartz crystal microbalance Coating material flakes off again and adversely affects the coating process by introducing particles into the deposited layer. As a result, in a secondment according to the invention, the morphology of the deposited layer can always be formed as desired.

Weiterhin bietet eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung den Vorteil einer dynamischen und schnellen Bestimmung der Beschichtungsrate, weshalb auf etwaige Veränderungen unmittelbar reagiert werden kann. Somit kann insbesondere bei der Ermittlung der Dampfdichte unmittelbar auf eine sich verändernde Beschichtungsrate noch während des Beschichtungsprozesses reagiert werden, so dass eventuell auftretende Fehler unmittelbar korrigiert werden können. Dadurch kann der Ausschuss bei einem Beschichtungsprozess bei auftretenden Fehlern weiter minimiert werden. Dabei kann die Verdampferrate beziehungsweise die Beschichtungsrate unter Verwendung von nur sehr kurzen Integrationszeiten in einem Bereich von wenigen Sekunden oder etwa bei < 1 Sekunde ermittelbar sein. Dadurch kann eine schnelle Ratensteuerung gewährleistet werden.Furthermore, an absorption spectroscopic device offers the advantage of a dynamic and rapid determination of the coating rate, so that any changes can be reacted immediately. Thus, in particular when determining the vapor density, it is possible to react directly to a changing coating rate even during the coating process, so that any errors occurring can be corrected directly. As a result, the rejects during a coating process can be further minimized in the event of errors. In this case, the evaporator rate or the coating rate can be determined using only very short integration times in a range of a few seconds or approximately <1 second. As a result, a fast rate control can be ensured.

Weiterhin sind absorptionsspektroskopische Vorrichtungen beziehungsweise die dadurch ausführbaren Verfahren zum Ermitteln der Beschichtungsrate meist im Wesentlichen unabhängig von Störgrößen wie etwa der Temperatur. Dadurch können auch bei sich verändernden Bedingungen, wie beispielsweise, wenn sich während der Beschichtung durch Strahlungswärme des Verdampfers seine Temperatur ändert, konstante beziehungsweise korrekte Raten ermittelt werden, wodurch die Schichtdicke auf dem Substrat wie gewünscht eingestellt werden kann beziehungsweise die Materialzusammensetzung in der Beschichtung wie gewünscht ausgebildet werden kann. Ferner sind absorptionsspektroskopische Vorrichtungen bis auf etwaige Strahlungsquellen beziehungsweise Beleuchtungsquellen im Wesentlichen verschleißfrei.Furthermore, absorption spectroscopic devices or the methods that can be carried out thereby for determining the coating rate are usually substantially independent of disturbance variables, such as temperature. As a result, constant or correct rates can be determined even under changing conditions, such as when the temperature changes during the coating by radiant heat of the evaporator, whereby the layer thickness can be set as desired on the substrate or the material composition in the coating as desired can be trained. Further are Absorptionssroskoproskopische devices except for any radiation sources or sources of illumination substantially free of wear.

Erfindungsgemäß kann daher weiterhin eine Kombination von unterschiedlichen Messmethoden in Kombination mit einer in-situ Simulation realisiert werden, wobei mit einem derartig kombinierten insbesondere Steuerkonzept beziehungsweise Regelkonzept besonders vorteilhaft die für eine Massenfertigung erforderlichen hochratenfähigen Verdampferquellen in ausreichender Präzision und Kontinuität betrieben werden können.According to the invention, therefore, a combination of different measurement methods in combination with an in-situ simulation can continue to be realized, with a particularly combined control concept or control concept particularly advantageous for mass production high-rate evaporator sources can be operated in sufficient precision and continuity.

Durch eine erfindungsgemäße Anordnung kann es insbesondere möglich werden, exakt abgeschiedene organische Beschichtungen auf dem Substrat zu erzeugen, welche auch wenigstens zwei unterschiedliche Materialien aufweisen können. So können beispielsweise zwei unterschiedliche Materialien nacheinander auf dem Substrat aufgetragen werden. Ferner wird es möglich, Mischschichten auf dem Substrat abzuscheiden, welche eine Mischung aus wenigstens zwei unterschiedlichen Materialien aufweisen. Speziell in der organischen Photovoltaik kann diese Ausgestaltung von Vorteil sein, da hier Mischschichten mit einem definierten Verhältnis mehrerer Materialien gewünscht sein können. Dazu ist es zweckmäßig, wenn die Materialien simultan aus unterschiedlichen Quellen durch die Verdampferquellen verdampft werden können.By means of an arrangement according to the invention, it can be possible, in particular, to produce precisely deposited organic coatings on the substrate, which may also have at least two different materials. For example, two different materials may be sequentially applied to the substrate. Furthermore, it becomes possible to deposit mixed layers on the substrate, which have a mixture of at least two different materials. This embodiment may be advantageous, especially in organic photovoltaics, since mixed layers with a defined ratio of a plurality of materials may be desired here. For this it is expedient if the materials can be simultaneously evaporated from different sources through the evaporator sources.

Durch Absorptionsspektroskopie ist dabei insbesondere die Dichte des erzeugten Atom-/Molekülstrahls jedes einzelnen Verdampfers ermittelbar. Dabei ist insbesondere bei der Anordnung einer Mehrzahl an Verdampfungsbehältern beziehungsweise Verdampfern die Dampfdichte vor jedem Verdampfungsbehälter beziehungsweise der jeweiligen Austrittsöffnung bestimmbar, wobei insbesondere eine Mehrzahl an absorptionsspektroskopischen Vorrichtungen vorgesehen sein kann, so dass die Beschichtungsrate eines jeden Verdampfers einzeln und unabhängig bestimmbar ist. Dadurch ist auch bei dem Beschichten durch zwei oder mehr Verdampferquellen auf dieselbe Substratposition nicht nur die kumulierte Verdampfungsrate beziehungsweise Beschichtungsrate bestimmbar, sondern auch das Mischungsverhältnis ist wie gewünscht und konstant einregelbar. Die Verwendung einer absorptionsspektroskopischen Vorrichtung ist insbesondere vorteilhaft für hochratefähige Verfahren also für solche mit hohen Beschichtungsraten. In particular, the density of the atomic / molecular beam produced by each individual evaporator can be determined by absorption spectroscopy. In particular, in the arrangement of a plurality of evaporation tanks or evaporators, the vapor density before each evaporation tank or the respective outlet opening can be determined, in particular a plurality of absorptionssroskoproskopischen devices may be provided so that the coating rate of each evaporator is individually and independently determined. As a result, not only the cumulative evaporation rate or coating rate can be determined in the same substrate position during coating by two or more evaporation sources, but also the mixing ratio can be adjusted as desired and constantly. The use of an absorption spectroscopic device is particularly advantageous for high-rate methods, ie those with high coating rates.

Im Rahmen einer Ausgestaltung kann die Anordnung ferner eine reflektometrische Vorrichtung und/oder eine Transmissionsvorrichtung zum Ermitteln der Schichtdicke einer auf das Substrat aufgetragenen organischen Beschichtung aufweisen. Derartige Vorrichtungen können insbesondere vorteilhaft für dicke aufgebrachte Beschichtungen sein, wie etwa für Schichtdicken ab ungefähr und rein beispielhaft 40 nm. Derartige Schichtdicken können insbesondere erzielt werden durch hochratefähige Verfahren, also durch solche mit hohen Beschichtungsraten. Eine reflektometrische Vorrichtung wie auch eine Transmissionsvorrichtung umfasst dabei insbesondere eine Strahlungsquelle und einen Detektor. Die Strahlungsquelle kann dabei insbesondere eine Halogenlampe wie etwa eine Xenonlampe sein oder diese umfassen und ferner Strahlung in einem Wellenlängenbereich von etwa ≥ 300 nm bis ≤ 2,5 µm emittieren. Die Strahlung kann also etwa in dem Bereich des UV-IR-Lichts liegen. Dabei wird insbesondere Licht mit sämtlichen vorgenannten Wellenlängen emittiert, da eine Messung so genauer sein kann. Der Detektor kann insbesondere ein CCD-Chip beziehungsweise ein geeignetes Spektrometer sein beziehungsweise ein derartiges Bauteil umfassen. Within the scope of an embodiment, the arrangement may further comprise a reflectometric device and / or a transmission device for determining the layer thickness of an organic coating applied to the substrate. Such devices may be particularly advantageous for thick coatings applied, such as for layer thicknesses from approximately and purely by way of example 40 nm. Such layer thicknesses can be achieved in particular by high-rate processes, ie by those with high coating rates. In this case, a reflectometric device as well as a transmission device in particular comprises a radiation source and a detector. The radiation source may be in particular a halogen lamp such as a xenon lamp or include this and further emit radiation in a wavelength range of about ≥ 300 nm to ≤ 2.5 microns. The radiation can thus be approximately in the range of UV-IR light. In this case, in particular light with all the aforementioned wavelengths is emitted, since a measurement can be so accurate. The detector may in particular be a CCD chip or a suitable spectrometer or comprise such a component.

Im Detail kann durch die reflektometrische Vorrichtung oder auch durch eine Transmissionsvorrichtung nach einem Beschichtungsprozess oder einem Teilbeschichtungsprozess die Schichtdicke der auf das Substrat aufgebrachten Beschichtung bestimmt werden. In detail, the layer thickness of the coating applied to the substrate can be determined by the reflectometric device or also by a transmission device after a coating process or a partial coating process.

Bei einer reflektometrischen Anordnung kann dazu von der Strahlungsquelle Licht auf das beschichtete Substrat gestrahlt werden, zweckmäßigerweise auf die Beschichtung oder auch auf die der aufgetragenen Beschichtung entgegengesetzten Seite des Substrats insbesondere dann, wenn das Substrat zumindest teilweise transparent ist, wie dies bei der Verwendung von Folien, Glas oder Ähnlichem der Fall ist. Dabei wird ein Teil des Lichts an der Oberfläche der Beschichtung reflektiert, wobei ein weiterer Teil des Lichts die Beschichtung durchdringt und erst an der Oberfläche des Substrats reflektiert wird. Die reflektierte Strahlung, welche eine Interferenz der an dem Substrat und der Beschichtung reflektierten Strahlung und eventuell der eingestrahlten Strahlung umfasst, kann dann durch den Detektor detektiert werden. Beispielsweise durch einen Vergleich mit einem Modell kann durch ein Auswerten der reflektierten Strahlung die Schichtdicke anhand der reflektierten Strahlung ermittelt werden. In a reflectometric arrangement, light can be radiated from the radiation source onto the coated substrate, expediently onto the coating or else onto the side of the substrate opposite the applied coating, in particular if the substrate is at least partially transparent, as in the case of the use of films , Glass or the like. In this case, part of the light is reflected on the surface of the coating, wherein a further part of the light penetrates the coating and is only reflected on the surface of the substrate. The reflected radiation, which comprises an interference of the radiation reflected at the substrate and the coating and possibly the irradiated radiation, can then be detected by the detector. For example, by comparison with a model, the layer thickness can be determined on the basis of the reflected radiation by evaluating the reflected radiation.

Unter einer Transmissionsvorrichtung kann insbesondere eine Vorrichtung verstanden werden, welche eine Strahlungsquelle und einen Detektor aufweist, wobei die Strahlungsquelle und der Detektor auf unterschiedlichen Seiten des Substrats angeordnet sind, so dass die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung das Substrat zusammen mit der Beschichtung durchstrahlen kann. Dadurch kann bei der Kenntnis der von der Strahlungsquelle emittierten Strahlung und der transmittierten Strahlung der Grad an von der Beschichtung absorbierten Strahlung ermittelt werden, was ebenfalls Rückschlüsse auf die Schichtdicke zulässt. Dazu kann wiederum ein geeignetes Computermodell Verwendung finden. Eine Transmissionsvorrichtung kann dabei insbesondere bei der Verwendung von transparenten Substraten geeignet sein.A transmission device may, in particular, be understood to mean a device which has a radiation source and a detector, wherein the radiation source and the detector are arranged on different sides of the substrate, so that the radiation emitted by the radiation source can radiate through the substrate together with the coating. As a result, with the knowledge of the radiation emitted by the radiation source and of the transmitted radiation, the degree of radiation absorbed by the coating can be determined, which also draws conclusions regarding the Layer thickness allows. This in turn can find a suitable computer model use. A transmission device may be suitable in particular when using transparent substrates.

Die Messung kann dabei bezüglich eines sich bewegenden Substrats unmittelbar nach dem jeweiligen Beschichtungsprozess erfolgen, um möglichst genaue und sichere Messwerte zu erhalten, so dass die reflektometrische Vorrichtung und/oder die Transmissionsvorrichtung vorteilhafterweise unmittelbar nach einer Beschichtungsposition beziehungsweise nach einer Austrittsöffnung des Verdampfungsbehälters angeordnet sein kann. Folglich kann in dieser Ausgestaltung insbesondere eine Gesamtschichtdicke ermittelt werden als Addition von Einzelschichtdicken. Vorteilhaft kann die Schichtdicke in dieser Ausgestaltung nach jedem Beschichtungsschritt ermittelt werden. Dabei kann die Schichtdicke ausgehend von einem bekannten System ermittelt werden, wobei das System etwa nach jedem Beschichtungsschritt durch die zuvor ermittelten Schichtdicken kalibriert werden kann.The measurement can take place with respect to a moving substrate immediately after the respective coating process in order to obtain the most accurate and reliable measured values, so that the reflectometric device and / or the transmission device can advantageously be arranged immediately after a coating position or after an exit opening of the evaporation container. Consequently, in this embodiment, in particular a total layer thickness can be determined as the addition of individual layer thicknesses. Advantageously, the layer thickness in this embodiment can be determined after each coating step. In this case, the layer thickness can be determined starting from a known system, wherein the system can be calibrated after each coating step by the previously determined layer thicknesses.

Weitere Einheiten, wie etwa ein Polarisator oder Ähnliches, können dabei zweckmäßigerweise von der reflektometrischen Vorrichtung und/oder Transmissionsvorrichtung umfasst sein.Further units, such as a polarizer or the like, may be expediently encompassed by the reflectometric device and / or transmission device.

In dieser Ausgestaltung kann somit durch ein Reflektions- und/oder Transmissionsspektrum der wellenlängenabhängige Reflektions- und Transmissionsgrad des Schichtstapels gemessen, und mit dessen Hilfe und insbesondere mit einer computergestützten Simulation die zuletzt aufgebrachte Schichtdicke bestimmt werden. Dabei ist bei Kenntnis der Dauer des Beschichtungsprozesses ein exakter Rückschluss auf die Beschichtungsrate möglich. Die Beschichtungsrate kann hier insbesondere ohne eventuelle Störeinflüsse, welche etwa das Abscheiden eines in der Gasphase sich befindlichen Materialdampfs reduzieren oder verändern, exakt bestimmt werden. Dadurch ist es weiterhin möglich, unter Verwendung der ermittelten Beschichtungsrate den Beschichtungsprozess zu steuern beziehungsweise zu regeln.In this refinement, the wavelength-dependent reflection and transmittance of the layer stack can thus be measured by means of a reflection and / or transmission spectrum, and with its help, and in particular with a computer-aided simulation, the last applied layer thickness can be determined. If the duration of the coating process is known, an exact conclusion about the coating rate is possible. The coating rate can be determined exactly here, in particular without any interfering influences, which for example reduce or change the deposition of a material vapor present in the gas phase. As a result, it is furthermore possible to control or regulate the coating process using the determined coating rate.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist in dieser Ausgestaltung besonders vorteilhaft geeignet, um exakte Ergebnisse bezüglich der Beschichtungsrate zu erhalten. So können etwa die Nachteile der Reflektometrie, Transmissionsmessung beziehungsweise der Absorptionsspektroskopie, welche anwendungsbedingt durchaus vernachlässigbar und/oder tolerierbar sein können, behoben werden. Die Absorptionsspektroskopie liefert die Messsignale der Verdampfungsraten jedes einzelnen Verdampfers, die Reflektometrie und/oder Transmissionsmessung ergänzend dazu das Messsignal der resultierenden absoluten Schichtdicken. Die Beschichtungsrate kann ferner zusätzlich oder alternativ durch variierende Überfahrgeschwindigkeiten des Substrates angepasst werden.The arrangement according to the invention is particularly advantageous in this embodiment in order to obtain exact results with respect to the coating rate. Thus, for example, the disadvantages of reflectometry, transmission measurement or absorption spectroscopy, which due to the application can be quite negligible and / or tolerable, can be overcome. The absorption spectroscopy provides the measurement signals of the evaporation rates of each individual evaporator, the reflectometry and / or transmission measurement in addition to the measurement signal of the resulting absolute layer thicknesses. The coating rate may also be additionally or alternatively adjusted by varying overspeed of the substrate.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann der Strahlungszerhacker eine wenigstens einen strahlungsundurchlässigen Bereich und wenigstens einen strahlungsdurchlässigen Bereich aufweisende rotierbare Scheibe umfassen. Dies ist eine besonders einfache, sichere und langlebige Ausgestaltung, um die von der Strahlungsquelle kontinuierlich emittierte Strahlung in zeitlich begrenzte Strahlungspulse zu modulieren. Dabei kann die Scheibe, die auch als Chopperrad bezeichnet werden kann, eine beliebige Anzahl an strahlungsdurchlässigen Bereichen und strahlungsundurchlässigen Bereichen aufweisen, so dass durch die Rotationsgeschwindigkeit der Scheibe die zeitliche Pulsfolge der emittierten Strahlung einstellbar sein kann. Dabei kann die Scheibe oder ein Bereich der Scheibe den Strahlungskegel der Strahlungsquelle vorzugsweise vollständig abdecken. Ferner können der wenigstens eine strahlungsdurchlässige Bereich und der wenigstens eine strahlungsundurchlässige Bereich vorteilhafterweise derart angeordnet sein, dass diese bei einer Rotation der Scheibe um Ihrer Achse nacheinander den Strahlungskegel der Strahlungsquelle abdecken beziehungswiese in diesem angeordnet sind.Within the scope of a further embodiment, the radiation chopper can comprise a rotatable disk having at least one radiation-impermeable region and at least one radiation-transmissive region. This is a particularly simple, safe and durable design to modulate the radiation emitted by the radiation source continuously in time-limited radiation pulses. In this case, the disk, which can also be referred to as a chopper wheel, have any desired number of radiation-transmissive regions and radiation-impermeable regions, so that the temporal pulse sequence of the emitted radiation can be adjustable by the rotational speed of the disk. In this case, the disk or a region of the disk can preferably completely cover the radiation cone of the radiation source. Furthermore, the at least one radiation-transmissive region and the at least one radiation-impermeable region can advantageously be arranged in such a way that they cover the radiation cone of the radiation source successively in a rotation of the disk about its axis.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung können wenigstens zwei Verdampfungsbehälter vorgesehen sein, an denen das zu beschichtende Substrat aufeinanderfolgend entlangführbar ist, wobei stromabwärts der Austrittsöffnung wenigstens eines Verdampfungsbehälters bezüglich des verdampften Beschichtungsmaterials eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung zum optischen Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials vorgesehen ist, und wobei stromabwärts der Austrittsöffnung wenigstens eines Verdampfungsbehälters bezüglich des entlanggeführten Substrats eine reflektometrische und/oder Transmissionsvorrichtung zum optischen Erfassen der Schichtdicke der abgeschiedenen Beschichtung vorgesehen ist. Dies ist eine besonders effektive Anordnung, um die positiven Effekte der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung mit denen einer reflektometrischen und/oder Transmissionsvorrichtung zu kombinieren. Dadurch können besonders genaue Ergebnisse bezüglich der Beschichtungsrate ermittelt werden.In a further embodiment, at least two evaporation containers may be provided, on which the substrate to be coated can be guided successively, wherein an absorption spectroscopic device for optically detecting the vapor density of the evaporated coating material is provided downstream of the outlet opening of at least one evaporation container with respect to the evaporated coating material, and downstream the outlet opening of at least one evaporation container is provided with respect to the along-guided substrate a reflectometric and / or transmission device for optically detecting the layer thickness of the deposited coating. This is a particularly effective arrangement for combining the positive effects of the absorption spectroscopic device with those of a reflectometric and / or transmissive device. As a result, particularly accurate results with respect to the coating rate can be determined.

Dabei ist dem Fachmann verständlich, dass eine entsprechende reflektometrische und/oder Transmissionsvorrichtung auch bei dem Vorliegen von mehr als zwei Verdampfungsbehältern insbesondere zwischen einzelnen oder sämtlichen der jeweils zwei Verdampfungsbehälter vorgesehen sein kann. Optional kann alternativ oder zusätzlich eine reflektometrische und/oder Transmissionsvorrichtung nach dem letzten von dem Substrat passierten Verdampfungsbehälter vorgesehen sein, um die final aufgetragene Schichtdicke beziehungsweise die von dem letzten Verdampfungsbehälter aufgetragene Schichtdicke zu ermitteln. Ferner kann eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung für jeden Verdampfungsbehälter vorgesehen sein.It is understood by those skilled in the art that a corresponding reflectometric and / or transmission device can be provided even in the presence of more than two evaporation tanks, in particular between each or all of the two evaporation tanks. Optionally, alternatively or additionally, a reflectometric and / or Transmission device may be provided after the last passed from the substrate evaporation tank to determine the final applied layer thickness or applied by the last evaporation tank layer thickness. Further, an absorption spectroscopic device may be provided for each evaporation tank.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann die Austrittsöffnung linienförmig ausgestaltet sein. Dadurch ist neben dem Einstellen besonders hoher Beschichtungsraten, durch das Einstellen einer variablen Geometrie der Austrittsöffnung, beispielsweise in einem Vergleich zu punktförmigen Sputterquellen, eine sehr schnelle Veränderung des ausgetragenen organischen Beschichtungsmaterial möglich, wodurch sehr dynamische Beschichtungsverfahren besonders effektiv sind. Insbesondere bei Beschichtungsverfahren mit organischem Verdampfungsmaterial unter Verwendung der Absorptionsspektroskopie treten somit Effekte auf, die die einzelnen Vorteile insbesondere mit Bezug auf dynamische Steuerung verbessern.In the context of a further embodiment, the outlet opening can be designed linear. As a result, in addition to the setting of particularly high coating rates, by setting a variable geometry of the outlet opening, for example in comparison to punctiform sputtering sources, a very rapid change of the discharged organic coating material is possible, whereby very dynamic coating processes are particularly effective. In particular, in the case of coating processes with organic vaporization material using absorption spectroscopy, effects thus occur which improve the individual advantages, in particular with regard to dynamic control.

Im Detail kann es sich bei dem Verdampfungsbehälter insbesondere in dieser Ausgestaltung um ein, insbesondere quer zur Substratbewegungsrichtung orientiertes, Rohr handeln, vorzugsweise mit kreisrundem Querschnitt. Ganz besonders bevorzugt ist das Rohr dünnwandig und/oder aus Metall ausgebildet und in Richtung seiner Längserstreckung geschlitzt, vorzugsweise auf der dem Substrat zugewandten Oberseite des Rohres. Der Längsschlitz des Rohres bildet dabei bevorzugt die Austrittsöffnung, durch die etwa verdampftes organisches Material auf direktem Weg zu dem zu beschichtenden Substrat strömen kann. Die schlitzförmige Austrittsöffnung hat bevorzugt eine geringe Breite bezogen auf den Rohrdurchmesser. Sie bildet dadurch eine Drosselstelle, die bei geeigneter Auslegung eine sehr homogene Verteilung des Dampfstroms über die gesamte Länge des Verdampfers erzeugt, selbst bei einer ungleichmäßigen Verteilung des Beschichtungsmaterials im Verdampfungsrohr. Durch den anpassbaren Durchmesser und die Längenausdehnung des, vorzugsweise aus Metall ausgebildeten, Rohres kann ein großes Vorratsvolumen von zu verdampfendem organischen Material erhalten werden, so dass bei einer Verwendung des Verdampfers in Inline-Beschichtungsanlagen eine sehr lange Betriebszeit bis zum notwendigen Nachfüllen etwa im Rahmen eines Wartungszyklus erreicht werden kann.In detail, the evaporation container, in particular in this embodiment, may be a tube oriented in particular transversely to the direction of substrate movement, preferably with a circular cross-section. Most preferably, the tube is thin-walled and / or formed of metal and slotted in the direction of its longitudinal extent, preferably on the substrate facing the top of the tube. The longitudinal slot of the tube preferably forms the outlet opening, through which organic material which has evaporated approximately can flow directly to the substrate to be coated. The slot-shaped outlet opening preferably has a small width relative to the pipe diameter. It thereby forms a throttle point, which generates a very homogeneous distribution of the steam flow over the entire length of the evaporator, even with an uneven distribution of the coating material in the evaporation tube with a suitable design. Due to the adjustable diameter and the length of the tube, preferably made of metal, a large storage volume of organic material to be vaporized can be obtained, so that when using the evaporator in inline coating systems a very long operating time to the necessary refilling approximately within a Maintenance cycle can be achieved.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann die absorptionsspektroskopische Vorrichtung einen Photomultiplier als Detektor aufweisen. Derartige Detektoren eignen sich besonders vorteilhaft für Beschichtungsverfahren mit organischem Beschichtungsmaterial, da sie bereits kleinste Messsignale sicher und genau detektieren können, und ferner gut mit der erfindungsgemäß verwendeten Verstärkungseinheit kombinierbar sind.In a further embodiment, the absorption spectroscopic device may comprise a photomultiplier as a detector. Such detectors are particularly advantageous for coating processes with organic coating material, since they can detect even the smallest measuring signals safely and accurately, and furthermore can be combined well with the amplification unit used according to the invention.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann die Anordnung ferner eine Quarzkristall-Mikrowaage (QCM) aufweisen. Eine Kombination von Absorptionsspektroskopie, etwa zusammen mit Reflektometrie und/oder Transmissionsverfahren, sowie einer Quarzkristall-Mikrowaage kann insbesondere dann Vorteile aufweisen, wenn beispielsweise Beschichtungsmaterial mit kleinster Rate verdampft wird und etwa die Nachweisgrenze der Absorptionsspektroskopie zumindest teilweise unterschreitet. Auch in dieser Ausgestaltung kann die Bestimmung der Beschichtungsrate beziehungsweise die Regelung der Atom-/Molekülverdampfer nicht mehr allein über das Ratensignal der Quarzkristall-Mikrowaage gesteuert werden, sondern vielmehr über eine Kombination von mehreren Messsignalen, die in-situ mittels Computersimulation verarbeitbar sind. Quarzkristall-Mikrowaagen sind dabei Mikrowaagen, deren Sensor auf einem Schwingquarz basiert. Dabei wird die piezoelektrische Eigenschaft von Quarz genutzt, die zu einer Frequenzänderung des Schwingquarzes führt, welche in Abhängigkeit zur Masse des auf einer Oberfläche des Quarzes adsorbierten Materials steht.In a further embodiment, the arrangement may further comprise a quartz crystal microbalance (QCM). A combination of absorption spectroscopy, such as along with reflectometry and / or transmission methods, as well as a quartz crystal microbalance can have particular advantages, for example, when coating material is evaporated at the lowest rate and at least partially below the detection limit of the absorption spectroscopy. Also in this embodiment, the determination of the coating rate or the control of the atomic / molecular evaporator can no longer be controlled solely by the rate signal of the quartz crystal microbalance, but rather via a combination of several measurement signals that can be processed in-situ by means of computer simulation. Quartz crystal microbalances are microbalances whose sensor is based on a quartz crystal. In this case, the piezoelectric property of quartz is used, which leads to a change in frequency of the quartz crystal, which is dependent on the mass of adsorbed on a surface of the quartz material.

Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann eine Steuereinheit vorgesehen sein, die mit der Verstärkungseinheit verbunden ist und ferner derart ausgestaltet ist, einen Beschichtungsprozess auf Basis der von der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung ermittelten Daten zu steuern. Dadurch kann unmittelbar auf die ermittelte Beschichtungsrate reagiert werden, um so die Schichtdicken oder etwa ein Mischungsverhältnis wie gewünscht einstellen oder beibehalten zu können. Im Detail kann beispielsweise die Steuereinheit mit der auf das Beschichtungsmaterial wirkenden Wärmequelle verbunden sein und diese so nachregeln, so dass etwa bei einer zu geringen Beschichtungsrate aufgeheizt wird und entsprechend bei einer zu hohen Beschichtungsrate abgekühlt wird. Weiter beispielhaft kann etwa die Austrittsöffnung des Verdampfungsbehälters, durch den die verdampften Moleküle in Richtung Substrat entweichen, mechanisch verkleinert oder vergrößert werden, so dass, in Abhängigkeit der gewünschten Anpassung, weniger oder mehr Moleküle pro Zeitintervall den Verdampfungsbehälter verlassen können, also die Beschichtungsrate ebenso angepasst wird. Dazu kann die Steuereinheit mit einer Vorrichtung zum Verkleinern und/oder Vergrößern der effektiven Austrittsöffnung verbunden sein. Weiterhin kann beispielsweise eine Überfahrgeschwindigkeit des Substrats angepasst werden.In a further embodiment, a control unit may be provided, which is connected to the amplification unit and is further configured to control a coating process on the basis of the data determined by the absorption spectroscopic device. As a result, it is possible to react directly to the determined coating rate so as to be able to set or maintain the layer thicknesses or a mixing ratio as desired. In detail, for example, the control unit can be connected to the heat source acting on the coating material and adjust it so that it heats up, for example, if the coating rate is too low and it is cooled accordingly if the coating rate is too high. By way of further example, the exit opening of the evaporation vessel through which the vaporized molecules escape in the direction of the substrate can be mechanically reduced or enlarged so that, depending on the desired adaptation, fewer or more molecules per time interval can leave the evaporation vessel, ie the coating rate is also adjusted becomes. For this purpose, the control unit can be connected to a device for reducing and / or enlarging the effective outlet opening. Furthermore, for example, a crossing speed of the substrate can be adjusted.

Die Steuereinheit, welche eine Regeleinheit sein kann, kann zweckmäßigerweise ein Programm umfassen, welches basierend auf den ermittelten Daten der Beschichtungsrate ein Steuersignal beziehungsweise Regelsignal errechnen und an die Beschichtungseinheit, also insbesondere an die Wärmequelle oder eine weitere Einstellmöglichkeit zum Variieren beispielsweise des Verdampfungsgrades oder der Austrittsmenge des Beschichtungsmaterials aus dem Verdampfungsbehälter, senden kann.The control unit, which may be a control unit, may conveniently comprise a program which is based on the determined Data of the coating rate, a control signal or control signal calculate and send to the coating unit, ie in particular to the heat source or a further adjustment for varying, for example, the degree of evaporation or the exit amount of the coating material from the evaporation vessel.

Ferner kann die Steuereinheit, für den Fall, dass eine reflektometrische und/oder Transmissionsvorrichtung und/oder eine Quarzkristall-Mikrowaage vorgesehen ist, zusätzlich mit dieser beziehungsweise diesen verbunden sein. Dadurch kann der Beschichtungsprozess noch genauer gesteuert beziehungsweise geregelt werden.Furthermore, in the event that a reflectometric and / or transmission device and / or a quartz crystal microbalance is provided, the control unit may additionally be connected to it or to this. As a result, the coating process can be controlled or regulated even more precisely.

Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einem organischen Beschichtungsmaterial unter Anwendung einer erfindungsgemäßen Anordnung, wobei die Beschichtungsrate zumindest durch die absorptionsspektroskopische Vorrichtung unter Verwendung der Verstärkungseinheit ermittelt und das Abscheiden des organischen Beschichtungsmaterials anhand der ermittelten Beschichtungsrate gesteuert wird. Dadurch kann ein besonders dynamischer, genauer und effektiver Beschichtungsprozess ermöglicht werden, der auch bei organischen Beschichtungsmaterialien sehr gute Ergebnisse liefert. Bezüglich weiterer Vorteile wird ferner auf die Ausführungen zu der erfindungsgemäßen Anordnung verwiesen.The present invention further relates to a method for coating a substrate with an organic coating material using an arrangement according to the invention, wherein the coating rate is determined at least by the absorption spectroscopic device using the reinforcing unit and the deposition of the organic coating material is controlled on the basis of the determined coating rate. As a result, a particularly dynamic, accurate and effective coating process can be made possible, which also gives very good results in organic coating materials. With regard to further advantages, reference is also made to the comments on the inventive arrangement.

Im Rahmen einer Ausgestaltung kann eine Anordnung umfassend einen Verdampfungsbehälter mit einer linienförmigen Austrittsöffnung verwendet werden und die Beschichtungsrate durch Einstellung eines Öffnungszustands der Austrittsöffnung gesteuert werden. Dadurch kann die Beschichtungsrate in besonders weiten Bereichen und dabei besonders schnell und dynamisch gesteuert beziehungsweise geregelt werden. Folglich können die Vorteile eines dynamischen Beschichtungsprozesses eines organischen Beschichtungsmaterials insbesondere in dieser Ausgestaltung besonders vorteilhaft zum Tragen kommen. Die Einstellung des Öffnungszustands kann dabei insbesondere die Größe der bereitgestellten Öffnung und/oder die Geometrie der bereitgestellten Öffnung im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeuten.Within the scope of an embodiment, an arrangement comprising an evaporation container with a linear outlet opening can be used and the coating rate can be controlled by setting an opening state of the outlet opening. As a result, the coating rate can be controlled or regulated particularly quickly and dynamically in particularly wide ranges. Consequently, the advantages of a dynamic coating process of an organic coating material, particularly in this embodiment, can be particularly advantageous. The setting of the opening state can mean in particular the size of the provided opening and / or the geometry of the provided opening in the sense of the present invention.

Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die Verwendung einer erfindungsgemäßen Anordnung und/oder eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten eines Substrats mit einem organischen Beschichtungsmaterial.The present invention further relates to the use of an arrangement according to the invention and / or a method according to the invention for coating a substrate with an organic coating material.

Zeichnungen und BeispieleDrawings and examples

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Gegenstände werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigenFurther advantages and advantageous embodiments of the subject invention are illustrated by the drawings and explained in the following description. It should be noted that the drawings have only descriptive character and are not intended to limit the invention in any way. Show it

1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Anordnung; und 1 a schematic representation of an embodiment of an inventive arrangement; and

2 eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Anordnung. 2 a schematic representation of another embodiment of an inventive arrangement.

In 1 ist eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung 10 zum Beschichten eines Substrats 12 mit einem organischen Beschichtungsmaterial gezeigt. Mittels der erfindungsgemäßen Anordnung 10 ist auf dem Substrat 12 eine organische Beschichtung 14 erzeugbar, insbesondere indem ein Beschichtungsmaterial 16 verdampft wird, zu dem Substrat 12 strömt und dort kondensiert. Dabei ist eine Steuerung von punktförmigen und insbesondere linearen Verdampferquellen, umfassend einen Verdampfungsbehälter 18 und eine Wärmequelle 20, für Beschichtungsanwendungen mit hohen dynamischen Beschichtungsraten möglich, wie sie etwa zur Herstellung von Solarzellen oder Licht emittierenden Dioden geeignet sind.In 1 is an embodiment of the arrangement according to the invention 10 for coating a substrate 12 shown with an organic coating material. By means of the arrangement according to the invention 10 is on the substrate 12 an organic coating 14 producible, in particular by a coating material 16 is evaporated, to the substrate 12 flows and condenses there. Here is a control of punctiform and in particular linear evaporator sources, comprising an evaporation tank 18 and a heat source 20 , for coating applications with high dynamic coating rates, such as those suitable for the production of solar cells or light-emitting diodes.

Eine präzise Messung und Regelung der Beschichtungsraten beziehungsweise Verdampfungsraten kann insbesondere bei der organischen Photovoltaik eine notwendige Voraussetzung sein, um leistungsfähige und stabile Solarzellen in großer Fläche herstellen zu können. Ändert sich im Beschichtungsverlauf von Misch-Schichten die Verdampfungsrate eines Verdampfers, führt dies zu einem anderen Mischungsverhältnis der Materialien in der Schicht. Dadurch ergeben sich zum Beispiel in den organischen Solarzellen oder bei OLEDs Einbußen im Wirkungsgrad und der Lebensdauer.Precise measurement and control of the coating rates or evaporation rates can be a necessary prerequisite, particularly in the case of organic photovoltaics, in order to be able to produce powerful and stable solar cells in a large area. If the evaporation rate of an evaporator changes during the coating process of mixed layers, this leads to a different mixing ratio of the materials in the layer. This results in, for example, in the organic solar cells or OLEDs losses in efficiency and service life.

Insbesondere bei derartigen Anwendungen können zum einen eine präzise Regelung (+/–5%) zusammen mit oder alternativ mit hohen dynamischer Raten (> 50 nm·m/min) gewünscht sein, um eine gleichbleibende Schichtdicke zu gewährleisten, was mit der erfindungsgemäßen Anordnung 10 problemlos möglich ist.In particular, in such applications, on the one hand, a precise control (+/- 5%) together with or alternatively with high dynamic rates (> 50 nm · m / min) may be desired in order to ensure a consistent layer thickness, which with the inventive arrangement 10 easily possible.

Die Anordnung 10 umfasst wenigstens einen beispielsweise rohrförmigen Verdampfungsbehälter 18 zur Aufnahme von organischem Beschichtungsmaterial 16 und wenigstens eine Wärmequelle 20 zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials 16. Der Verdampfungsbehälter 18 sowie die Wärmequelle 20 können dabei in einem beispielsweise wassergekühlten Gehäuse 21 angeordnet sein, welches etwa die Strahlung der Wärmequellen 20 auf den Verdampfungsbehälter 18 fokussieren und ein zu starkes Aufheizen anderer Anlagenteile verhindern beziehungsweise die anderen Anlagenteile so schützen kann. Der Verdampfungsbehälter 18 kann sich ferner quer zu einer Substratbewegungsrichtung A des Substrats 12 erstrecken. Der Verdampfungsbehälter 18 umfasst dabei eine Austrittsöffnung 22 für verdampftes Beschichtungsmaterial 16. Durch die Austrittsöffnung 22 kann senkrecht zur Substratbewegungsrichtung A in Richtung Substrat 12 verdampftes Beschichtungsmaterial 16 ausströmen und so einen Beschichtungskegel 24 bilden, der auf dem Substrat 12 kondensiert und so die Beschichtung 14, ausbildet.The order 10 comprises at least one, for example, tubular evaporation vessel 18 for receiving organic coating material 16 and at least one heat source 20 for evaporation of the coating material 16 , The evaporation tank 18 as well as the heat source 20 can in an example water-cooled housing 21 be arranged, which is about the radiation of the heat sources 20 on the evaporation tank 18 focus and prevent excessive heating of other parts of the system or protect the other parts of the system so. The evaporation tank 18 can also be transverse to a substrate movement direction A of the substrate 12 extend. The evaporation tank 18 includes an outlet opening 22 for evaporated coating material 16 , Through the outlet 22 can be perpendicular to the substrate movement direction A towards the substrate 12 evaporated coating material 16 flow out and so a coating cone 24 that form on the substrate 12 condenses and so does the coating 14 , trains.

Die Austrittsöffnung 22 kann beispielsweise einen linienförmigen Spalt formen und etwa eine Breite von ≥ 30 cm aufweisen. Die Wärmequelle 20 beziehungsweise die Wärmequellen 20 können etwa als Doppelrohrquarzstrahler ausgebildet sein oder diese umfassen und beispielsweise auf einem Kreisumfang um den Verdampfungsbehälter 18 angeordnet sein. Ferner weist das Gehäuse 21 zweckmäßigerweise eine Öffnung 23 zum Austritt des Beschichtungskegels 24 beziehungsweise des verdampften Beschichtungsmaterials 16 auf.The outlet opening 22 For example, it may form a line-shaped gap and may have a width of ≥ 30 cm. The heat source 20 or the heat sources 20 For example, they may be formed as or comprise double tube quartz radiators and, for example, on a circumference around the evaporation vessel 18 be arranged. Furthermore, the housing has 21 expediently an opening 23 to the exit of the coating cone 24 or the evaporated coating material 16 on.

Es ist ferner wenigstens eine absorptionsspektroskopische Vorrichtung 26 zum Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials 16 vorgesehen. Diese kann innerhalb des Gehäuses 21 oder auch etwa außerhalb des Gehäuses 21 und hier insbesondere an Strahlungsöffnungen 28 und 30, wie etwa an Glasfenstern, des Gehäuses 21 angeordnet sein. Dadurch kann eine Strahlungsquelle 32 der absorptionsspektroskopischen Anordnung 26 einen definierten Lichtstrahl 34 zu einem Detektor 36, wie etwa einem Photomultiplier, der absorptionsspektroskopischen Anordnung 26 leiten. It is also at least one absorption spectroscopic device 26 for detecting the vapor density of the evaporated coating material 16 intended. This can be inside the case 21 or even outside the case 21 and here in particular at radiation openings 28 and 30 , such as glass windows, of the housing 21 be arranged. This may cause a radiation source 32 the absorption spectroscopic arrangement 26 a defined light beam 34 to a detector 36 , such as a photomultiplier, of the absorption spectroscopic array 26 conduct.

Ist die Austrittsöffnung 22 linienförmig ausgestaltet, so durchstrahlt die absorptionsspektroskopische Anordnung 26 vorteilhafterweise die größte Breite des Beschichtungskegels 24. Folglich sind in diesem Fall die Strahlungsquelle 32 und der Detektor 36 derart angeordnet, dass der Lichtstrahl 34 den Beschichtungskegel 24 durchstrahlt und parallel zu dem Spalt der Austrittsöffnung 22 und damit insbesondere parallel zur Längserstreckung des Verdampfungsbehälters 18 verläuft.Is the outlet opening 22 designed line-shaped, the absorption spectroscopic arrangement radiates through 26 advantageously the largest width of the coating cone 24 , Consequently, in this case, the radiation source 32 and the detector 36 arranged such that the light beam 34 the coating cone 24 radiates and parallel to the gap of the outlet opening 22 and thus in particular parallel to the longitudinal extent of the evaporation tank 18 runs.

Die Anordnung 10 weist ferner eine Verstärkungseinheit umfassend einen Strahlungszerhacker 37 zum Erzeugen einer zeitlich periodischen Pulsfolge von Strahlungspulsen durch die Strahlungsquelle und einen Lock-in-Verstärker 38 auf. Durchstrahlt der Lichtstrahl 34 den Beschichtungskegel 24 des organischen Beschichtungsmaterials 16, ist die Dampfdichte und dadurch die Beschichtungsrate von organischem Beschichtungsmaterial ermittelbar.The order 10 further comprises a gain unit comprising a radiation chopper 37 for generating a temporally periodic pulse train of radiation pulses by the radiation source and a lock-in amplifier 38 on. The light beam radiates through 34 the coating cone 24 of the organic coating material 16 , the vapor density and thereby the coating rate of organic coating material can be determined.

In einer Ausgestaltung kann die Anordnung 10 ferner eine reflektometrische Vorrichtung 40 und/oder eine Transmissionsvorrichtung 42 zum Ermitteln der Schichtdicke der auf das Substrat 12 aufgetragenen organischen Beschichtung 14 aufweisen. In dieser Ausgestaltung kann bezüglich der reflekometrischen Vorrichtung 40 insbesondere eine Lichtquelle 44 und ein Detektor 46 vorgesehen sein. Dadurch kann ein emittierter Lichtstrahl 48, 50 auf das Substrat 12 beziehungsweise auf die Beschichtung 14 strahlen, an dem Substrat 12 beziehungsweise an der Beschichtung 14 reflektiert werden und als reflektierter Strahl 52, 54 zu dem Detektor 46 strahlen, wo er detektierbar ist. Bezüglich der Transmissionsvorrichtung 42 kann ferner ebenfalls eine Strahlungsquelle, die mit der Strahlungsquelle 44 der reflektometrischen Vorrichtung identisch sein kann, sowie ein Detektor 56 zum Detektieren der das Substrat 12 und die Beschichtung 14 durchstrahlenden Strahlung 58 vorgesehen sein.In one embodiment, the arrangement 10 further a reflectometric device 40 and / or a transmission device 42 for determining the layer thickness of the on the substrate 12 applied organic coating 14 exhibit. In this embodiment, with respect to the reflectometric device 40 in particular a light source 44 and a detector 46 be provided. This can cause an emitted light beam 48 . 50 on the substrate 12 or on the coating 14 shine on the substrate 12 or on the coating 14 be reflected and reflected beam 52 . 54 to the detector 46 radiate where it is detectable. Regarding the transmission device 42 may also be a radiation source with the radiation source 44 the reflectometric device may be identical, as well as a detector 56 for detecting the substrate 12 and the coating 14 radiating radiation 58 be provided.

In einer weiteren Ausgestaltung kann zusätzlich zu den vorbeschriebenen Vorrichtungen zum optischen Erfassen einer Beschichtungsrate eine Quarzkristall-Mikrowaage 60 vorgesehen sein, die in dem Beschichtungskegel 24 angeordnet sein kann. In a further embodiment, in addition to the above-described devices for optically detecting a coating rate, a quartz crystal microbalance 60 be provided in the coating cone 24 can be arranged.

In einer weiteren Ausgestaltung kann eine Steuereinheit 61 vorgesehen sein, die mit der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung 26 beziehungsweise mit der Verstärkungseinheit und gegebenenfalls mit der reflektometrischen Vorrichtung 40 und/oder der Transmissionsvorrichtung 42 und/oder der Quarzkristall-Mikrowaage 60 verbunden ist. Die Steuereinheit 61 kann dann derart ausgestaltet sein, um einen Beschichtungsprozess auf Basis der von der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung 26 und gegebenenfalls von der reflektometrischen Vorrichtung 40 und/oder der Transmissionsvorrichtung 42 und/oder der Quarzkristall-Mikrowaage 60 ermittelten Daten zu steuern. Dazu kann die Steuereinheit 61 beispielsweise mit dem Verdampfungsbehälter 18 beziehungsweise mit einer Vorrichtung zum Einstellen der Austrittsöffnung 22 und/oder mit der oder den Wärmequellen 20 verbunden sein, um so den Beschichtungsprozess beziehungsweise die Beschichtungsrate, etwa durch Einstellen der Temperatur der Wärmequelle 20 oder durch Einstellung eines Öffnungszustands der Austrittsöffnung 22 zu steuern.In a further embodiment, a control unit 61 be provided with the absorption spectroscopic device 26 or with the amplification unit and optionally with the reflectometric device 40 and / or the transmission device 42 and / or the quartz crystal microbalance 60 connected is. The control unit 61 can then be configured to a coating process on the basis of the absorption spectroscopic device 26 and optionally from the reflectometric device 40 and / or the transmission device 42 and / or the quartz crystal microbalance 60 control the data collected. This can be done by the control unit 61 for example, with the evaporation tank 18 or with a device for adjusting the outlet opening 22 and / or with the one or more heat sources 20 be connected so as to the coating process or the coating rate, such as by adjusting the temperature of the heat source 20 or by adjusting an opening state of the outlet opening 22 to control.

Durch die erfindungsgemäße Anordnung 10 sind somit grundsätzlich folgende Analyseverfahren beziehungsweise Analysevorrichtungen zur Ermittlung der Beschichtungsrate anwendbar: Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit einer Quartzkristall-Mikrowaage; Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit Reflektometrie; Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit Transmissionsverfahren; Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit einer Quartzkristall-Mikrowaage und mit Reflektometrie; Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit einer Quartzkristall-Mikrowaage und mit Transmissionsverfahren; Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit Reflektometrie und Transmissionsverfahren; und/oder Absorptionsspektroskopie in Verbindung mit einer Quartzkristall-Mikrowaage in Kombination mit Reflektometrie und Transmissionsverfahren.By the arrangement according to the invention 10 Thus, in principle, the following analytical methods or analytical devices are applicable for determining the coating rate: Absorption spectroscopy in conjunction with a quartz crystal Microbalance; Absorption spectroscopy in conjunction with reflectometry; Absorption spectroscopy in connection with transmission methods; Absorption spectroscopy in conjunction with a quartz crystal microbalance and with reflectometry; Absorption spectroscopy in conjunction with a quartz crystal microbalance and with transmission methods; Absorption spectroscopy in conjunction with reflectometry and transmission methods; and / or absorption spectroscopy in conjunction with a quartz crystal microbalance in combination with reflectometry and transmission methods.

Da es sich bei einem Beschichtungsprozess für organische Beschichtungsmaterialien 16 insbesondere um Vakuumprozesse handeln kann, können sämtliche in der 1 gezeigten Elemente in einer nicht gezeigten Vakuumkammer angeordnet werden. Ferner kann das Substrat 12, etwa durch vakuumdichte Öffnungen, durch die Vakuumkammer geführt werden. Darüber hinaus können insbesondere die absorptionsspektroskopische Vorrichtung 26, die reflektometrische Vorrichtung 40 und/oder die Transmissionsvorrichtung 42 vollständig oder teilweise außerhalb der Vakuumkammer angeordnet sein. Dabei können beispielsweise Lichtstrahlen durch vakuumdichte Fenster oder Lichtleiter zu der gewünschten Anwendungsposition geführt werden.As it is in a coating process for organic coating materials 16 In particular, can act to vacuum processes, all in the 1 shown elements are arranged in a vacuum chamber, not shown. Furthermore, the substrate 12 , are passed through the vacuum chamber, such as through vacuum-tight openings. In addition, in particular, the absorption spectroscopic device 26 , the reflectometric device 40 and / or the transmission device 42 be arranged completely or partially outside the vacuum chamber. In this case, for example, light beams can be guided through vacuum-tight windows or light guides to the desired application position.

In 2 ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Gemäß 2 sind wenigstens zwei Verdampfungsbehälter 18 vorgesehen, an denen das zu beschichtende Substrat 12 aufeinanderfolgend, also insbesondere nacheinander entlangführbar ist, wobei stromabwärts der Austrittsöffnung 22 wenigstens eines Verdampfungsbehälters 18 bezüglich des verdampften Beschichtungsmaterials 16 insbesondere eine absorptionsspektroskopische Anordnung 26 zum optischen Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials 16 vorgesehen ist, und wobei stromabwärts der Austrittsöffnung 22 wenigstens eines Verdampfungsbehälters 18 bezüglich des entlanggeführten Substrats 12 eine reflektometrische 40 und/oder Transmissionsvorrichtung 42 zum optischen Erfassen der Schichtdicke der abgeschiedenen Beschichtung 14, 15 vorgesehen ist. 2 ist dabei stark vereinfacht gezeigt, um das Prinzip dieser Ausführungsform zu erläutern. Grundsätzlich können in für den Fachmann verständlicher Weise sämtliche in 1 gezeigten Bauteile vorgesehen sein. Im Detail sind in 2 lediglich die Gehäuse 21 mit dazwischen angeordneter reflektometrischer Vorrichtung 40 und Transmissionsvorrichtung 42 sowie mit Strahlungsquelle 32 und Detektor 36 der absorptionsspektroskopischen Vorrichtungen 26 gezeigt. Es ist für den Fachmann ersichtlich, dass die Verstärkungseinheit ebenfalls in der Ausgestaltung gemäß 2 vorhanden sein soll.In 2 another embodiment of the present invention is shown. According to 2 are at least two evaporation tanks 18 provided on which the substrate to be coated 12 successively, that is, in particular, can be guided in succession, wherein downstream of the outlet opening 22 at least one evaporation tank 18 with respect to the evaporated coating material 16 in particular an absorption spectroscopic arrangement 26 for optically detecting the vapor density of the evaporated coating material 16 is provided, and wherein downstream of the outlet opening 22 at least one evaporation tank 18 with respect to the along-guided substrate 12 a reflectometric 40 and / or transmission device 42 for optically detecting the layer thickness of the deposited coating 14 . 15 is provided. 2 is shown greatly simplified to explain the principle of this embodiment. Basically, in a manner understandable to those skilled in all in 1 be provided components shown. In detail are in 2 only the case 21 with interposed reflectometric device 40 and transmission device 42 as well as with radiation source 32 and detector 36 the absorption spectroscopic devices 26 shown. It will be apparent to those skilled in the art that the reinforcing unit is also in the embodiment according to 2 should be present.

2 zeigt weiterhin, dass eine Abrollvorrichtung 62 zum Abrollen eines insbesondere folienförmigen zu beschichtenden Substrats 12 und eine Aufrollvorrichtung 64 zum Aufrollen des beschichteten Substrats 12 vorgesehen sein kann, wobei die Abrollvorrichtung 62 und die Aufrollvorrichtung 64 derart angeordnet sind, dass bei einem Abrollvorgang und/oder bei einem Aufrollvorgang des Substrats 12 dieses an wenigstens einer Austrittsöffnung 22 entlang führbar ist. Dabei kann nach der ersten Austrittsöffnung 22 eine Beschichtung 14 und nach der zweiten Austrittsöffnung eine weitere Beschichtung 15 auf das Substrat 12 aufgetragen werden. 2 further shows that a rolling device 62 for unrolling a particular film-shaped substrate to be coated 12 and a retractor 64 for rolling up the coated substrate 12 may be provided, wherein the rolling device 62 and the retractor 64 are arranged such that during a rolling process and / or during a rolling up of the substrate 12 this at least one outlet opening 22 is feasible along. It can after the first outlet 22 a coating 14 and after the second outlet opening, a further coating 15 on the substrate 12 be applied.

Wiederum können gemäß 2 sämtliche gezeigten Elemente in einer nicht gezeigten Vakuumkammer angeordnet werden. Ferner kann das Substrat 12, etwa durch vakuumdichte Öffnungen, durch die Vakuumkammer geführt werden. Darüber hinaus können insbesondere die absorptionsspektroskopische Vorrichtung 26, die reflektometrische Vorrichtung 40 und/oder die Transmissionsvorrichtung vollständig oder teilweise außerhalb der Vakuumkammer angeordnet sein. Dabei können beispielsweise Lichtstrahlen durch vakuumdichte Fenster oder Lichtleiter zu der gewünschten Anwendungsposition geführt werden.Again, according to 2 all elements shown are arranged in a vacuum chamber, not shown. Furthermore, the substrate 12 , are passed through the vacuum chamber, such as through vacuum-tight openings. In addition, in particular, the absorption spectroscopic device 26 , the reflectometric device 40 and / or the transmission device can be arranged completely or partially outside the vacuum chamber. In this case, for example, light beams can be guided through vacuum-tight windows or light guides to the desired application position.

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Claims (11)

Anordnung zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem organischen Beschichtungsmaterial (16), umfassend wenigstens einen Verdampfungsbehälter (18) zur Aufnahme von organischem Beschichtungsmaterial (16) und wenigstens eine Wärmequelle (20) zum Verdampfen des organischen Beschichtungsmaterials (16), wobei der Verdampfungsbehälter (18) eine Austrittsöffnung (22) für verdampftes organisches Beschichtungsmaterial (16) aufweist, und wobei wenigstens eine absorptionsspektroskopische Anordnung (26) mit einer Strahlungsquelle (32) und einem Detektor (36) zum Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials (16) vorgesehen ist, und wobei die Anordnung (10) ferner eine mit der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung (26) verbundene Verstärkungseinheit aufweist, welche einen Strahlungszerhacker (37) zum Erzeugen einer zeitlich periodischen Pulsfolge von Strahlungspulsen durch die Strahlungsquelle (32) und einen Lock-in-Verstärker (38) umfasst. Arrangement for coating a substrate ( 12 ) with an organic coating material ( 16 ) comprising at least one evaporation vessel ( 18 ) for receiving organic coating material ( 16 ) and at least one heat source ( 20 ) for evaporating the organic coating material ( 16 ), wherein the evaporation tank ( 18 ) an outlet opening ( 22 ) for evaporated organic coating material ( 16 ), and wherein at least one absorption spectroscopic arrangement ( 26 ) with a radiation source ( 32 ) and a detector ( 36 ) for detecting the vapor density of the evaporated coating material ( 16 ), and wherein the arrangement ( 10 ) further with the absorption spectroscopic device ( 26 ) having a radiation chopper ( 37 ) for generating a temporally periodic pulse sequence of radiation pulses by the radiation source ( 32 ) and a lock-in amplifier ( 38 ). Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Anordnung (10) ferner eine reflektometrische Vorrichtung (40) und/oder eine Transmissionsvorrichtung (42) zum Ermitteln der Schichtdicke einer auf das Substrat (12) aufgetragenen organischen Beschichtung (14, 15) aufweist.Arrangement according to claim 1, wherein the arrangement ( 10 ) further comprises a reflectometric device ( 40 ) and / or a transmission device ( 42 ) for determining the layer thickness of a on the substrate ( 12 ) applied organic coating ( 14 . 15 ) having. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Strahlungszerhacker (37) eine wenigstens einen strahlungsundurchlässigen Bereich und wenigstens einen strahlungsdurchlässigen Bereich aufweisende rotierbare Scheibe umfasst.Arrangement according to claim 1 or 2, wherein the radiation chopper ( 37 ) comprises a rotatable disc having at least one radiopaque region and at least one radiation transmissive region. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei wenigstens zwei Verdampfungsbehälter (18) vorgesehen sind, an denen das zu beschichtende Substrat (12) aufeinanderfolgend entlangführbar ist, wobei stromabwärts der Austrittsöffnung (22) wenigstens eines Verdampfungsbehälters (18) bezüglich des verdampften Beschichtungsmaterials (16) insbesondere eine absorptionsspektroskopische Anordnung (26) zum optischen Erfassen der Dampfdichte des verdampften Beschichtungsmaterials (16) vorgesehen ist, und wobei stromabwärts der Austrittsöffnung (22) wenigstens eines Verdampfungsbehälters (18) bezüglich des entlanggeführten Substrats (12) eine reflektometrische Vorrichtung (40) und/oder eine Transmissionsvorrichtung (42) zum optischen Erfassen der Schichtdicke der abgeschiedenen Beschichtung (14, 15) vorgesehen ist.Arrangement according to claim 1 or 2, wherein at least two evaporation tanks ( 18 ) are provided, on which the substrate to be coated ( 12 ) is guided along successively, wherein downstream of the outlet opening ( 22 ) at least one evaporation tank ( 18 ) with respect to the evaporated coating material ( 16 ), in particular an absorption spectroscopic arrangement ( 26 ) for optically detecting the vapor density of the evaporated coating material ( 16 ) is provided, and wherein downstream of the outlet opening ( 22 ) at least one evaporation tank ( 18 ) with respect to the along-guided substrate ( 12 ) a reflectometric device ( 40 ) and / or a transmission device ( 42 ) for optically detecting the layer thickness of the deposited coating ( 14 . 15 ) is provided. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Austrittsöffnung (22) linienförmig ausgestaltet ist.Arrangement according to one of claims 1 to 4, wherein the outlet opening ( 22 ) is designed linear. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die absorptionsspektroskopische Vorrichtung (26) einen Photomultiplier als Detektor (36) aufweist.Arrangement according to one of claims 1 to 5, wherein the absorption spectroscopic device ( 26 ) a photomultiplier as a detector ( 36 ) having. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Anordnung (10) ferner eine Quarzkristall-Mikrowaage (60) aufweist.Arrangement according to one of claims 1 to 6, wherein the arrangement ( 10 ) a quartz crystal microbalance ( 60 ) having. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Steuereinheit (61) vorgesehen ist, die mit der Verstärkungseinheit verbunden ist und ferner derart ausgestaltet ist, einen Beschichtungsprozess auf Basis der von der absorptionsspektroskopischen Vorrichtung (26) ermittelten Daten zu steuern.Arrangement according to one of claims 1 to 7, wherein a control unit ( 61 ), which is connected to the amplification unit and is further configured in such a way, a coating process on the basis of the absorption spectroscopic device ( 26 ) to control the data obtained. Verfahren zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem organischen Beschichtungsmaterial (16) unter Anwendung einer Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Beschichtungsrate zumindest durch die absorptionsspektroskopische Vorrichtung (26) unter Verwendung der Verstärkungseinheit ermittelt und das Abscheiden des organischen Beschichtungsmaterials (16) anhand der ermittelten Beschichtungsrate gesteuert wird. Process for coating a substrate ( 12 ) with an organic coating material ( 16 ) using an arrangement ( 10 ) according to one of claims 1 to 7, wherein the coating rate is determined at least by the absorption spectroscopic device ( 26 ) is determined using the reinforcing unit and the deposition of the organic coating material ( 16 ) is controlled on the basis of the determined coating rate. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine Anordnung (10) umfassend einen Verdampfungsbehälter (18) mit einer linienförmigen Austrittsöffnung (22) verwendet wird und die Beschichtungsrate durch Einstellung eines Öffnungszustands der Austrittsöffnung (22) gesteuert wird.Method according to claim 9, wherein an arrangement ( 10 ) comprising an evaporation tank ( 18 ) with a linear outlet opening ( 22 ) is used and the coating rate by adjusting an opening state of the outlet opening ( 22 ) is controlled. Verwendung einer Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 und/oder eines Verfahrens nach Anspruch 8 oder 9 zum Beschichten eines Substrats (12) mit einem organischen Beschichtungsmaterial (16).Use of an arrangement ( 10 ) according to one of claims 1 to 8 and / or a method according to claim 8 or 9 for coating a substrate ( 12 ) with an organic coating material ( 16 ).
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