DE102010062556A1 - Halbleiterschaltungsanordnung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Halbleiterschaltungsanordnung (10) mit einem Gehäuse (12) für ein Schaltungssubstrat (14) beschrieben, das Halbleiterbauelemente (20) aufweist und das an einem Kühlkörper (24) vorgesehen ist. Das Gehäuse (12) ist mit Druckelementen (26) ausgebildet, die jeweils einen Druckkörper (28) aus einem Material aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials des Gehäuses (12).
Description
- Die Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Gehäuse für ein Schaltungssubstrat, das Halbleiterbauelemente aufweist und das an einem Kühlkörper vorgesehen ist, wobei das Gehäuse mit Druckelementen ausgebildet ist.
- Aus der
DE 199 03 875 C2 ist eine Halbleiterschaltungsanordnung in Druckkontaktierung bekannt, bei der es sich insbesondere um einen Stromumrichter handelt. Diese bekannte Halbleiterschaltungsanordnung besteht aus einem Treiber und mindestens einem Gehäuse, das ein Schaltungssubstrat mit Halbleiterbauelementen aufweist. Zwischen dem Treiber und dem Gehäuse ist eine Druckplatte zum Aufbau eines konstanten Anpreßdruckes angeordnet. Die Druckplatte weist eine in Kunststoff eingebettete Metalleinlage mit isolierten Durchführungen für elektrische Kontakte auf. Das Gehäuse ist materialeinstückig mit Druckelementen ausgebildet, die dazu vorgesehen sind, das Schaltungssubstrat gegen einen Kühlkörper zu pressen, um einen gewünschten Wärmeübergang vom Schaltungssubstrat zum Kühlkörper zu bewirken. Diese thermische Kopplung kann jedoch noch Wünsche offen lassen. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterschaltungsanordnung zu schaffen, bei welcher die thermische Kopplung des Schaltungssubstrates mit dem Kühlkörper auf einfache Weise verbessert ist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruches 1, d. h. dadurch gelöst, dass die Druckelemente des Gehäuses jeweils mindestens einen Druckkörper aus einem Material aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials des Gehäuses. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, dass die Druckkraft, mit welcher die Druckelemente mittelbar oder unmittelbar am Schaltungssubstrat wirksam werden, umso größer sind, je wärmer die Halbleiterschaltungsanordnung ist, so dass der thermische Widerstand zwischen dem Schaltungssubstrat und dem Kühlkörper entsprechend verkleinert wird.
- Erfindungsgemäß kann das Gehäuse der Halbleiterschaltungsanordnung mit Kavitäten für die Druckkörper ausgebildet sein, wobei die Druckkörper mit einem Kopfabschnitt aus der jeweils zugehörigen Kavität vorstehen, so dass der jeweilige Kopfabschnitt mittelbar oder unmittelbar gegen das Schaltungssubstrat wirksam wird.
- Der Kopfabschnitt des jeweiligen Druckkörpers kann noppenförmig ausgebildet sein, um ein Gehäuse mit thermomechanischen Kraftnoppen zu realisieren.
- Zur mechanischen Versteifung des Gehäuses, das aus einem Kunststoffmaterial wie beispielsweise PPS besteht, d. h. um seine Formstabilität weiter zu verbessern, kann es vorteilhaft sein, wenn dem jeweils mindestens einen Druckkörper des Gehäuses eine Metalleinlage zugeordnet ist, die in das Gehäuse eingebettet ist. Die Metalleinlage kann von einem Metallblech gebildet sein.
- Bei der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung können die Druckkörper der Druckelemente dem Schaltungssubstrat unmittelbar zugeordnet sein. Desgleichen ist es möglich, dass der mindestens eine Druckkörper mindestens eines Druckelementes einem Halbleiterbauelement zugeordnet ist, so dass dieser Druckkörper über das zugehörige Halbleiterbauelement mittelbar am Schaltungssubstrat wirksam wird, um dieses gegen den Kühlkörper zu pressen. Des Weiteren ist es möglich, dass die Druckkörper einer Anzahl erster Druckelemente dem Schaltungssubstrat und die Druckkörper einer Anzahl zweiter Druckelemente Halbleiterbauelementen zugeordnet sind.
- Erfindungsgemäß können die Druckkörper beispielsweise aus einem Silikonmaterial bestehen, das in zugehörige Kavitäten des Gehäuses spritzgußtechnisch eingebracht wird. Im Betrieb erwärmt sich die Halbleiterschaltungsanordnung, wobei sich das Silikonmaterial stärker ausdehnt als das dieses umgebende Gehäusematerial. Beispielsweise beträgt das Verhältnis des Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silikon zum Wärmeausdehnungskoeffizienten von PPS 300 ppm zu 30 ppm. Die hieraus resultierende Volumenänderung bildet eine thermomechanische Kraft, die erfindungsgemäß dazu genutzt wird, um das Schaltungssubstrat gegen den Kühlkörper der Halbleiterschaltungsanordnung zu pressen und auf diese Weise eine optimale Wärmeableitung zum Kühlkörper zu bewirken.
- Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit der anliegenden Zeichnung.
- Es zeigen:
-
1 in einer Seitenansicht abschnittweise und teilweise aufgeschnitten, nicht maßstabgetreu in einem vergrößerten Maßstab eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung, und -
2 in einer der1 ähnlichen schematischen Darstellung eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung. -
1 zeigt abschnittweise eine Halbleiterschaltungsanordnung10 mit einem aufgeschnitten gezeichneten Gehäuse12 für ein Schaltungssubstrat14 . Das Schaltungssubstrat14 weist an seiner einen Seite eine schaltstrukturierte Metallisierung16 und an seiner davon abgewandten zweiten Seite eine Metallisierung18 auf. Am Schaltungssubstrat14 sind Halbleiterbauelemente20 vorgesehen, die mittels der schaltstrukturierten Metallisierung16 verschaltet sind. Zur Verschaltung sind beispielsweise Bonddrähtchen22 vorgesehen. - Bei den Halbleiterbauelementen
20 handelt es sich insbesondere um Leistungshalbleiterbauelemente, um eine Leistungshalbleiterschaltungsanordnung zu realisieren. - Zur Wärmeableitung ist ein Kühlkörper
24 vorgesehen, an welchem das Schaltungssubstrat14 mit seiner Metallisierung18 großflächig anliegt. - Eine optimale Wärmeableitung vom Schaltungssubstrat
14 zum Kühlkörper24 wird erzielt, wenn das Schaltungssubstrat14 mit einer entsprechenden Anpreßkraft gegen den Kühlkörper24 gepresst wird. Zu diesem Zwecke ist das Gehäuse12 materialeinstückig mit Druckelementen26 ausgebildet. Erfindungsgemäß weisen die Druckelemente26 jeweils einen Druckkörper28 auf, der aus einem Material besteht, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials des Gehäuses12 bzw. des entsprechenden Druckelementes26 . - Das Gehäuse
12 bzw. das jeweilige Druckelement26 ist mit einer Kavität30 für einen zugehörigen Druckkörper28 ausgebildet. Der Druckkörper28 ist derartig dimensioniert, dass er aus dem zugehörigen Druckelement26 mit einem Kopfabschnitt32 vorsteht. Bei dem in1 gezeichneten Ausführungsbeispiel der Halbleiterschaltungsanordnung10 liegt der Kopfabschnitt32 , der noppenförmig ausgebildet ist, an einem Halbleiterbauelement20 an und drückt im Betrieb der Halbleiterschaltungsanordnung10 , d. h. bei der jeweiligen erhöhten Betriebstemperatur, gegen das entsprechende Halbleiterbauelement20 und somit mittelbar das Schaltungssubstrat14 gegen den Kühlkörper24 . Demgegenüber verdeutlicht die2 , in der gleiche Einzelheiten mit den selben Bezugsziffern wie in1 bezeichnet sind, dass der jeweilige Druckkörper28 nicht mittelbar über ein Halbleiterbauelement20 sondern unmittelbar gegen das Schaltungssubstrat14 und dieses gegen den Kühlkörper12 drückt. Außerdem verdeutlicht die2 eine Metalleinlage34 , die von einem Metallblech gebildet ist, das in das Gehäuse12 spritzgußtechnisch eingebettet ist. Die Metalleinlage34 ist dem jeweiligen Druckkörper28 zugeordnet und bewirkt eine Erhöhung der Formstabilität des Gehäuses12 . Mittels Schrauben, von welchen nur eine Schraube36 gezeichnet ist, ist das Gehäuse12 mit dem Kühlkörper24 in an sich bekannter Weise verschraubt. - Bezugszeichenliste
-
- 10
- Halbleiterschaltungsanordnung
- 12
- Gehäuse (von
10 für14 ) - 14
- Schaltungssubstrat (von
10 ) - 16
- schaltstrukturierte Metalllage (von
14 ) - 18
- Metalllage (von
14 ) - 20
- Halbleiterbauelement (von
10 an16 ) - 22
- Bonddrähtchen (zwischen
20 und16 ) - 24
- Kühlkörper (von
10 ) - 26
- Druckelemente (von
12 für14 ) - 28
- Druckkörper (von
26 ) - 30
- Kavität (in
26 für28 ) - 32
- Kopfabschnitt (von
28 ) - 34
- Metalleinlage (in
12 ) - 36
- Schraube (von
10 zwischen12 und24 ) - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 19903875 C2 [0002]
Claims (8)
- Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Gehäuse (
12 ) für ein Schaltungssubstrat (14 ), das Halbleiterbauelemente (20 ) aufweist und das an einem Kühlkörper (24 ) vorgesehen ist, wobei das Gehäuse (12 ) mit Druckelementen (26 ) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckelemente (26 ) des Gehäuses (12 ) jeweils mindestens einen Druckkörper (28 ) aus einem Material aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials des Gehäuses (12 ). - Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (
12 ) mit Kavitäten (30 ) für die Druckkörper (28 ) ausgebildet ist, wobei die Druckkörper (28 ) mit einem Kopfabschnitt (32 ) aus der jeweils zugehörigen Kavität (30 ) vorstehen. - Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopfabschnitt (
32 ) des jeweiligen Druckkörpers (28 ) noppenförmig ausgebildet ist. - Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass dem jeweils mindestens einen Druckkörper (
28 ) eine Metalleinlage (34 ) zugeordnet ist, die in das Gehäuse (12 ) eingebettet ist. - Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Metalleinlage (
34 ) von einem Metallblech gebildet ist. - Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkörper (
28 ) der Druckelemente (26 ) dem Schaltungssubstrat (14 ) zugeordnet sind. - Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Druckkörper (
28 ) mindestens eines Druckelementes (26 ) einem Halbleiterbauelement (20 ) zugeordnet ist. - Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckkörper (
28 ) einer Anzahl erster Druckelemente (26 ) dem Schaltungssubstrat (14 ) und die Druckkörper (28 ) einer Anzahl zweiter Druckelemente (26 ) Halbleiterbauelementen (20 ) zugeordnet sind.
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EP11185631.6A EP2463899B1 (de) | 2010-12-07 | 2011-10-18 | Halbleiterschaltungsanordnung |
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DE102010062556A Withdrawn DE102010062556A1 (de) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | Halbleiterschaltungsanordnung |
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