DE102010053722A1 - Method and device for producing cover electrodes on organic electronic elements - Google Patents

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M. Sc. Gil Tae Hyun
Dr. Ing. May Christian
Sebastian Franke
John Fahlteich
Nicolas Schiller
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung für die Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen. Aufgabe der Erfindung ist es, Möglichkeiten für die Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen anzugeben, mit denen diese Deckelektroden mit konstanter Schichtdicke, reproduzierbar und erhöhter Beschichtungsrate, bei Vermeidung von Defekten oder eine Beeinflussung organischer Schichtkomponenten, ausgebildet werden können. Bei der Erfindung werden Halbzeuge für organische elektronische Elemente ohne Deckelektroden in einem Abstand zu mindesten zwei aus dem Deckelektrodenwerkstoff gebildeten Targets in einer Vakuumkammer angeordnet. Die Halbzeuge und die Targets werden mit jeweils einer Magnetron Sputterquelle mit einer Transportvorrichtung relativ zueinander bewegt. Die Magnetron Sputterquellen werden mit den Targets alternierend mit elektrischer Spannung beaufschlagt und zwischen den Targets wird ein Plasma generiert, mit dessen freien Ladungsträgern die Deckelektroden auf den Halbzeugen ausgebildet werden.The invention relates to a method and a device for the production of cover electrodes on organic electronic elements. The object of the invention is to provide possibilities for the production of cover electrodes on organic electronic elements with which these cover electrodes can be formed with constant layer thickness, reproducible and increased coating rate while avoiding defects or influencing organic layer components. In the invention, semifinished products for organic electronic elements without cover electrodes are arranged in a vacuum chamber at a distance from at least two targets formed from the cover electrode material. The semi-finished products and the targets are moved relative to one another with a magnetron sputter source each with a transport device. The magnetron sputter sources are alternately charged with electrical voltage with the targets and a plasma is generated between the targets, with the free charge carriers of which the cover electrodes are formed on the semifinished products.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung für die Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen, wie z. B. Leuchtdioden (OLED's), organischen fotovoltaischen Elementen (OPV's) oder organischen lichtemittierenden Transistoren (OLET). Die Deckelektroden sollen dabei durch Magnetron Sputtern, als bewährtes PVD-Beschichtungsverfahren, hergestellt werden.The invention relates to a method and an apparatus for the production of cover electrodes on organic electronic elements, such. As light-emitting diodes (OLEDs), organic photovoltaic elements (OPV's) or organic light-emitting transistors (OLET). The cover electrodes are to be produced by magnetron sputtering, as a proven PVD coating process.

Die organischen elektronischen Elemente werden üblicherweise als Mehrschichtaufbau hergestellt. Die funktionellen Schichten sind dabei von einer Deckelektrode und einer Bodenelektrode eingeschlossen. Je nach Funktion eines organischen elektronischen Elements kann dabei die Deckelektrode optisch transparent, optisch nicht transparent oder für elektromagnetische Strahlung reflektierend sein. Dies kann insbesondere durch geeignete Auswahl des Deckelektrodenwerkstoffs und die Dicke der abgeschiedenen Schicht berücksichtigt werden.The organic electronic elements are usually produced as a multilayer structure. The functional layers are enclosed by a cover electrode and a bottom electrode. Depending on the function of an organic electronic element, the cover electrode may be optically transparent, optically non-transparent or reflective for electromagnetic radiation. This can be taken into account in particular by suitable selection of the cover electrode material and the thickness of the deposited layer.

Bei der Herstellung der einzelnen Schichten und hier insbesondere organischer Schichten sowie den Deckelektroden werden erhöhte Anforderungen gestellt. Diese erhöhen sich weiter, wenn eine großflächige Beschichtung gewünscht ist. Wesentliche Anforderungen sind dabei eine konstante Schichtdicke über die gesamte Fläche und eine reproduzierbare Herstellbarkeit. So werden in der jüngeren Vergangenheit Flächengrößen von mindestens 370 mm·470 mm gewünscht.In the production of the individual layers and in particular organic layers and the cover electrodes increased demands are made. These increase further when a large-area coating is desired. Essential requirements are a constant layer thickness over the entire surface and a reproducible manufacturability. For example, surface sizes of at least 370 mm x 470 mm are desired in the recent past.

Bei von durch Magnetron Sputtern ausgebildeten Deckelektroden traten bisher Beschichtungsfehler in Folge eines Substratbeschusses mit energiereichen Partikeln auf. Sie führen dazu, dass Schäden an der Deckelektrode und den organischen Schichten auftreten und diese zu Ausschuss und unzuverlässige Bauelemente führen. Solche hochenergetischen Partikel können am Target reflektierte Argonneutralteilchen, gesputterte Atome und Ionen des Plasmas sein, die zu Defekten der organischen Schicht und dabei unter anderem zu Kurzschlüssen führen.In the case of cover electrodes formed by magnetron sputtering, coating defects have hitherto occurred as a result of substrate bombardment with high-energy particles. They cause damage to the top electrode and organic layers, resulting in rejects and unreliable components. Such high-energy particles may be argon-neutral particles, sputtered atoms and ions of the plasma which are reflected at the target and which lead to defects of the organic layer and, among other things, to short-circuits.

Beim Sputtern werden energetische atomare Partikel und Elektronen gebildet und elektromagnetische Strahlung, wie z. B. Vakuum -Ultraviolett-Ultraviolett-Photonen (VUV-UV-Photonen) freigesetzt. Deren Energie beeinflusst die Bindungsenergie von Kohlenstoff-Kohlenstoff kovalenten Bindungen oder auch. Kohlenstoff-Wasserstoffverbindungen organischer Moleküle. Dabei kann die erwähnte elektromagnetische Strahlung zur Degradation einer oder mehrerer der Schichten eines organischen elektronischen Elements führen.When sputtering energetic atomic particles and electrons are formed and electromagnetic radiation, such. B. Vacuum ultraviolet ultraviolet photons (VUV UV photons) released. Their energy influences the binding energy of carbon-carbon covalent bonds or else. Carbon-hydrogen compounds of organic molecules. In this case, the mentioned electromagnetic radiation can lead to the degradation of one or more of the layers of an organic electronic element.

Partikel können in unterhalb der Deckelektrode ausgebildete andere Funktionsschichten eindringen und Kurzschlusswege bilden.Particles can penetrate into other functional layers formed below the cover electrode and form short-circuit paths.

Um diesen Nachteilen entgegen zu wirken, wurde versucht die Energie der gesputterten Atome oder Ionen zu reduzieren. Dies kann durch höhere Prozessdrücke und kleinere elektrische Spannungen, die an die Sputterquelle angelegt werden, erreicht werden, was aber zu einer reduzierten Beschichtungsrate und zu einer verlängerten Taktzeit führt. Außerdem ist die Zeit, bei der eine Bestrahlung aus dem Plasma und hier auch mit den VUV-UV-Photonen erfolgt, ebenfalls größer. Durch die Bestrahlung kann die Elektronen- bzw. Löcherinjektion in der an die Deckelektrode angrenzenden Schicht negativ beeinflusst werden. Dies führt zu einem reduzierten Wirkungsgrad des jeweiligen organischen elektronischen Elements.In order to counteract these disadvantages, an attempt was made to reduce the energy of the sputtered atoms or ions. This can be achieved by higher process pressures and lower electrical voltages applied to the sputter source, but resulting in a reduced coating rate and extended cycle time. In addition, the time at which irradiation from the plasma, and here also with the VUV UV photons, is also greater. As a result of the irradiation, the electron or hole injection in the layer adjoining the cover electrode can be negatively influenced. This leads to a reduced efficiency of the respective organic electronic element.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Möglichkeiten für die Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen anzugeben, mit denen diese Deckelektroden mit konstanter Schichtdicke, reproduzierbar und erhöhter Beschichtungsrate, bei Vermeidung von Defekten oder eine Beeinflussung organischer Schichtkomponenten, ausgebildet werden können.It is therefore an object of the invention to provide possibilities for the production of cover electrodes on organic electronic elements, with which these cover electrodes with constant layer thickness, reproducible and increased coating rate, avoiding defects or influencing organic layer components can be formed.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe, mit einem Verfahren, das die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Für die Herstellung kann eine Vorrichtung nach Anspruch 8 eingesetzt werden. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen realisiert werden.According to the invention, this object is achieved by a method having the features of claim 1. For the manufacture of a device according to claim 8 can be used. Advantageous embodiments and further developments of the invention can be realized with features described in the subordinate claims.

Bei der Erfindung werden Halbzeuge für organische elektronische Elemente ohne Deckelektroden, die in einem Abstand zu mindesten zwei aus dem Deckelektrodenwerkstoff gebildeten Targets angeordnet sind, und die Targets mit dem Magnetron Sputterquellen und die Halbzeuge mit einer Transportvorrichtung relativ zueinander bewegt. Diese Bewegung kann bevorzugt translatorisch entlang einer Vorschubachsrichtung erfolgen. Es besteht aber auch die Möglichkeit eine rotierende Bewegung durchzuführen.In the invention, semi-finished products for organic electronic elements without cover electrodes, which are arranged at a distance from at least two targets formed from the cover electrode material, and the targets with the magnetron sputtering sources and the semi-finished products are moved relative to one another with a transport device. This movement can preferably take place translationally along a feed axis direction. But it is also possible to perform a rotating movement.

Bei der Vorrichtung sind die Magnetron Sputterquellen innerhalb einer Vakuumkammer angeordnet. Die Magnetron Sputterquellen mit ihren Targets sind in Vorschubachsrichtung der Halbzeuge ebenfalls in einem Abstand zueinander angeordnet und elektrisch zueinander isoliert. Die Targets und die Magnetron Sputterquellen sind an mindestens eine elektrische Gleichspannungsquelle über eine bipolare Schalteinheit angeschlossen. Mit der bipolaren Schalteinheit wird die elektrische Spannung alternierend in gepulster Form den Magnetron Sputterquellen zugeführt.In the apparatus, the magnetron sputtering sources are disposed within a vacuum chamber. The magnetron sputtering sources with their targets are also arranged in the feed axis direction of the semi-finished products at a distance from one another and electrically insulated from one another. The targets and the magnetron sputter sources are connected to at least one electrical DC voltage source via a bipolar switching unit. With the bipolar switching unit, the electrical voltage alternately supplied in pulsed form the magnetron sputtering sources.

Es kann aber auch für jede Magnetron Sputterquelle eine eigene elektrische Spannungsquelle vorgesehen sein. Die Zuführung des elektrischen Stroms erfolgt in diesem Fall ebenfalls alternierend. Es wird also eine Magnetron Sputterquelle mit elektrischer Spannung versorgt und im gleichen Zeitraum ist die jeweils andere Magnetron Sputterquelle ausgeschaltet.But it can also be provided for each magnetron sputter source its own electrical voltage source. The supply of electric current takes place in this case also alternately. Thus, a magnetron sputter source is supplied with electrical voltage and in the same period of time the other magnetron sputter source is switched off.

Zwischen den Targets wird ein Plasma generiert, darin enthaltene angeregte Atome des Targetwerkstoffs bilden die Deckelektroden auf den Halbzeugen aus, so dass nach Ausbildung der Deckelektroden ein entsprechendes organisches elektronisches Element fertiggestellt ist, zumindest was den gesamten Schichtaufbau betrifft. Eine elektrische Kontaktierung kann ggf. später hergestellt werden.A plasma is generated between the targets, excited atoms of the target material contained therein form the cover electrodes on the semi-finished products, so that after formation of the cover electrodes a corresponding organic electronic element is completed, at least as far as the entire layer structure is concerned. An electrical contact can be made later if necessary.

Die Magnetron Sputterquellen mit den Targets können in einer Reihenanordnung, bevorzugt in Vorschubbewegungsachsrichtung, angeordnet sein. Für eine großflächige gleichmäßige Beschichtung können auch mehrere Magnetron Sputterquellen mit Targets angeordnet sein und dadurch die für die Ausbildung von Deckelektroden erforderliche Bearbeitungszeit verkürzt werden. Dabei können dann z. B. senkrecht zur Vorschubachsrichtung entsprechend lange Magnetron Sputterquellen eingesetzt werden.The magnetron sputtering sources with the targets can be arranged in a row arrangement, preferably in feed movement axial direction. For a large-area uniform coating, a plurality of magnetron sputter sources with targets can also be arranged, thereby shortening the processing time required for the formation of cover electrodes. It can then z. B. perpendicular to the feed axis direction correspondingly long magnetron sputtering sources are used.

Die einzelnen Targets sollten senkrecht zur Vorschubachsrichtung der zu beschichtenden Halbzeuge eine Länge bzw. Ausdehnung aufweisen, die mindestens 30% größer, als die Ausdehnung der Halbzeuge senkrecht zur Vorschubachsrichtung ist.The individual targets should have a length or extent perpendicular to the feed axis direction of the semi-finished products to be coated which is at least 30% larger than the extent of the semi-finished products perpendicular to the feed axis direction.

Die Targets können aus einem Metall, das ausgewählt ist aus Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu, Pb, Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce, Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, In und Cu oder einer Legierung dieser Metalle gebildet sein. Dabei können auch elektrisch leitende Oxide für den Werkstoff der Deckelektrode bei der Beschichtung reaktiv gebildet werden. Ein solches Oxid kann beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Zinkaluminiumoxid (ZAO) oder Fluorzinnoxid (FTO) sein.The targets may be made of a metal selected from Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu, Pb, Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce , Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, In and Cu or an alloy of these metals. In this case, it is also possible to reactively form electrically conductive oxides for the material of the cover electrode during the coating. Such an oxide may be, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc aluminum oxide (ZAO) or fluoro tin oxide (FTO).

Unter Halbzeugen kann hier ein Mehrschichtaufbau verstanden werden, bei dem lediglich noch die Deckelektrode nicht ausgebildet ist. Alle anderen für die Funktion erforderlichen Schichten können dabei bereits vorhanden sein. Als letzter Schritt für die Herstellung organischer elektronischer Elemente kann nach der Ausbildung der Deckelektrode noch eine Kapselung ausgebildet werden, mit der ein Eindringen von Gasen und Flüssigkeit aus der Umgebung vermieden werden kann.Semi-finished products can be understood here as a multilayer construction in which only the cover electrode is not formed. All other layers required for the function can already be present. As the last step for the production of organic electronic elements, an encapsulation can still be formed after the formation of the cover electrode, with which an ingress of gases and liquid from the environment can be avoided.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die im Plasma enthaltenen angeregten Atome des Targetwerkstoffs, mit denen die Deckelektroden ausgebildet werden, ohne Störung auf die zu beschichtende Oberfläche des Halbzeugs auftreffen. Hierfür sollte der Raum frei von weiteren Einbauten gehalten sein. Es sollte daher auf Schutzeinrichtungen, wie z. B. Schutzschilde innerhalb der Vakuumkammer und insbesondere im Bereich, in dem das Plasma gebildet wird, verzichtet werden. Demzufolge sind die Targets der Magnetron Sputterquellen auch nicht von Schutzeinrichtungen umgeben, zumindest was den Bereich in Richtung der zu beschichtenden Halbzeuge betrifft. Es erfolgt so keine Beeinflussung der Bewegung der Teilchen durch zusätzliche Einbauten in der Vakuumkammer, die beim Stand der Technik üblicherweise aber vorhanden sind. Eine so genannte Dunkelfeldabschirmung um die Magnetron Sputterquellen kann aber vorhanden sein.It is particularly advantageous if the excited atoms of the target material contained in the plasma, with which the cover electrodes are formed, strike the surface of the semifinished product to be coated without disturbance. For this purpose, the room should be kept free of other installations. It should therefore be on protective devices, such. As shields within the vacuum chamber and in particular in the area in which the plasma is formed, are dispensed with. Consequently, the targets of the magnetron sputtering sources are also not surrounded by protective devices, at least as far as the area in the direction of the semifinished products to be coated is concerned. There is thus no influence on the movement of the particles through additional internals in the vacuum chamber, which are usually present in the prior art. However, a so-called dark field shield around the magnetron sputtering sources may be present.

Die Targets sollten in einem Abstand von mindestens 50 mm zu den zu beschichtenden Halbzeugen angeordnet sein. Der Abstand sollte nicht größer als 250 mm sein.The targets should be arranged at a distance of at least 50 mm to the semi-finished products to be coated. The distance should not be greater than 250 mm.

Unmittelbar nebeneinander angeordnete Targets sollten in Vorschubachsrichtung in einem Abstand im Bereich von 50 mm bis 250 mm zueinander angeordnet sein.Immediately adjacent targets should be arranged in the feed axis direction at a distance in the range of 50 mm to 250 mm from each other.

Die Magnetron Sputterquellen mit den Targets sollten mit gepulster elektrischer Spannung betrieben werden und dabei zwischen den einzelnen Pulsen zwei in Vorschubachsrichtung unmittelbar nebeneinander angeordneten Magnetron Sputterquellen mit Targets über einen kürzeren Zeitraum, als die Pulslänge der gepulsten elektrischen Spannung, ausgeschaltet sein.The magnetron sputtering sources with the targets should be operated with pulsed electrical voltage, and between the individual pulses two magnetron sputtering sources arranged directly next to one another in the advancing axis direction should be switched off with targets for a shorter time than the pulse length of the pulsed electrical voltage.

Die Einschaltzeit einer Magnetron Sputterquelle mit Target sollte im Bereich 3 μs bis 50 μs und die Ausschaltzeit im Bereich 0,05 μs bis 4 μs innerhalb eines Betriebszyklusses einer Magnetron Sputterquelle oder mehrerer elektrisch parallel geschalteter Magnetron Sputterquellen gehalten werden. Die Einschaltzeit ist dabei deutlich größer als die Ausschaltzeit, wodurch ständig homogenes Plasma vorhanden und zumindest zwischen unmittelbar nebeneinander angeordneten Targets ausgebildet ist.The turn-on time of a magnetron sputter source with target should be kept in the range of 3 μs to 50 μs and the turn-off time in the range of 0.05 μs to 4 μs within one operating cycle of a magnetron sputtering source or several magnetron sputtering sources connected in parallel. The turn-on time is significantly greater than the turn-off time, as a result of which homogeneous plasma is constantly present and at least formed between targets arranged directly next to one another.

Die Plasmabildungszone kann so gezielt zwischen den jeweiligen Targets der Magnetron Sputterquellen gehalten werden.The plasma formation zone can thus be held in a targeted manner between the respective targets of the magnetron sputtering sources.

Der Betrieb der Magnetron Sputterquellen sollte bevorzugt mit rechteckförmig gepulster elektrischer Spannung erfolgen. Es sind aber auch andere Pulsungsarten, z. B. eine sinusförmige Pulsung möglich.The operation of the magnetron sputtering sources should preferably be done with rectangular pulsed electrical voltage. But there are other types of pulsation, z. B. a sinusoidal pulsation possible.

Mit der Erfindung können organische elektronische Elemente mit folgendem Aufbau hergestellt werden. Auf einem Substrat aus beispielsweise Glas oder einer flexiblen Folie kann eine Bodenelektrode mit hoher elektrischer Leitfähigkeit, optischer Transparenz oder Reflektivität ausgebildet sein. Auf der Bodenelektrode kann eine Transportschicht, Emissionsschicht und noch eine Transportschicht für eine OLED oder ein OPV, in Form einer geeigneten organischen Schicht und darauf dann die Deckelektrode aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem elektrisch leitenden Oxid ausgebildet sein. With the invention, organic electronic elements having the following structure can be produced. On a substrate of, for example, glass or a flexible film, a bottom electrode with high electrical conductivity, optical transparency or reflectivity may be formed. A transport layer, emission layer and also a transport layer for an OLED or an OPV, in the form of a suitable organic layer and then the cover electrode made of a metal, a metal alloy or an electrically conductive oxide can be formed on the bottom electrode.

Bei den mit der Erfindung hergestellten organischen elektronischen Elementen kann auf eine unterhalb der Deckelektrode angeordnete Zwischenschicht (Buffer layer) verzichtet werden. Damit kann die Bestrahlungszeit, insbesondere mit dem Plasma und den VUV-UV-Photonen während der zur Ausbildung der Deckelektrode durchgeführten Schichtbildung verkürzt und so der Einfluss dieser Strahlung verringert werden.In the case of the organic electronic elements produced by the invention, it is possible to dispense with an intermediate layer (buffer layer) arranged below the cover electrode. Thus, the irradiation time, in particular with the plasma and the VUV UV photons can be shortened during the formation of the top electrode layer formation and thus the influence of this radiation can be reduced.

Dabei wirkt sich auch die größere Verteilung der gesputterten Atome auf der zu beschichtenden Oberfläche mit entsprechender Flussdichte aus.The larger distribution of the sputtered atoms on the surface to be coated with corresponding flux density also has an effect.

Es kann eine konstante Schichtdicke der Deckelektrode über die gesamte zu beschichtende Fläche eingehalten und Defekte in der die Deckelektrode bildenden Schicht vermieden werden. Auch die Haftung der Deckelektrode, wie auch das elektronische Übergangsverhalten zwischen Deckelektrode und der darunter angeordneten Schicht kann verbessert werden.It is possible to maintain a constant layer thickness of the cover electrode over the entire surface to be coated and to avoid defects in the layer forming the cover electrode. The adhesion of the cover electrode, as well as the electronic transition behavior between the cover electrode and the underlying layer can be improved.

Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden.The invention will be explained in more detail by way of example in the following.

Dabei zeigen:Showing:

1 in schematischer Form den Schichtaufbau eines Beispiels eines organischen elektronischen Elements; 1 in schematic form, the layer structure of an example of an organic electronic element;

2 eine Darstellung eines Beispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung; 2 a representation of an example of a device according to the invention;

3 eine Darstellung eines weiteren Beispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung; 3 a representation of another example of a device according to the invention;

4 ein Diagramm der Strom-Spannungscharakteristik einer grünen OLED mit einer erfindungsgemäß hergestellten Deckelektrode und einer Referenz-OLED; 4 a diagram of the current-voltage characteristic of a green OLED with a cover electrode according to the invention and a reference OLED;

5 ein Diagramm des Stromeffiezienz-Lumineszenz-Verhaltens einer grünen OLED mit erfindungsgemäß hergestellten Deckelektrode und einer Referenz-OLED und 5 a diagram of the current efficiency luminescence behavior of a green OLED inventively produced cover electrode and a reference OLED and

6 das Emissionsspektrum einer grünen OLED mit erfindungsgemäß hergestellten Deckelektrode und einer Referenz-OLED. 6 the emission spectrum of a green OLED with inventively produced cover electrode and a reference OLED.

In 1 ist ein Mehrschichtaufbau für eine organische Leuchtdiode gezeigt. Dabei ist auf einem optisch transparenten oder opaquen Substrat 101 eine Bodenelektrode 102 aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem elektrisch leitenden Oxid ausgebildet, die die Anode bildet. Diese Bodenelektrode 102 kann ebenfalls durch Magnetron Sputtern hergestellt werden.In 1 a multilayer structure for an organic light emitting diode is shown. It is on an optically transparent or opaque substrate 101 a bottom electrode 102 formed of a metal, a metal alloy or an electrically conductive oxide forming the anode. This bottom electrode 102 can also be made by magnetron sputtering.

Auf der Bodenelektrode 102 sind weitere organische Schichten abgeschieden worden. Dies sind bei dem gezeigten Beispiel eine Loch-Injektions-Schicht (hole injection layer) oder eine Loch-Transport-Schicht (hole transport layer) 103. Eine zweite organische Schicht ist hier eine Elektronensperrschicht (EBL) 104, die die Elektronen in der Emissionsschicht (EL) 105 verteilt, um eine Barriere dazwischen zu bilden. In der Emissionsschicht 105 werden Anregungen für Elektronenlochpaare erzeugt und Licht durch radiative Rekombination generiert. Die Emissionsschicht 105 ist dotiert. Die jeweilige Dotierung bestimmt die Elektrolumineszenz, Fluoreszenz oder Phosphoreszenz.On the bottom electrode 102 Further organic layers have been deposited. These are in the example shown a hole injection layer (hole injection layer) or a hole transport layer (hole transport layer) 103 , A second organic layer is here an electron barrier layer (EBL) 104 containing the electrons in the emission layer (EL) 105 distributed to form a barrier in between. In the emission layer 105 For example, excitations are generated for electron-hole pairs and light is generated by radiative recombination. The emission layer 105 is doped. The respective doping determines the electroluminescence, fluorescence or phosphorescence.

Bei fotovoltaischen Elementen ist an Stelle der Emissionsschicht 105 eine Licht absorbierende Schicht vorhanden.For photovoltaic elements, instead of the emission layer 105 a light-absorbing layer is present.

Eine Lochsperrschicht (hole blocking layer) 106 kann an Stelle der Elektronensperrschicht 104 vorhanden sein. Diese soll Elektronen zur Emissionsschicht 105 transportieren.A hole blocking layer 106 may be in place of the electron-blocking layer 104 to be available. This should be electrons to the emission layer 105 transport.

Darüber und zwischen der Deckelektrode 108 ist eine Elektronen-Transport-Schicht 107 ausgebildet.Above and between the cover electrode 108 is an electron transport layer 107 educated.

Für eine verbesserte Ladungsinjektion und Transport können dotierte organische Schichten als Loch-Transport-Schicht 103 oder Elektronen-Transport-Schicht eingesetzt werden. Diese erreichen eine hohe elektrische Leitfähigkeit von ca. 5·10–5 S/cm.For improved charge injection and transport, doped organic layers can be used as a hole transport layer 103 or electron transport layer. These achieve a high electrical conductivity of about 5 · 10 -5 S / cm.

Solche organischen Schichten können durch Verdampfen im Vakuum unter Einsatz von Schattenmasken hergestellt werden. An diese Vakuumkammer, in der Hochvakuumbedingungen eingehalten sein sollen, kann sich eine weitere Vakuumkammer anschließen, in der eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Herstellung der Deckelektrode 108 aufgenommen ist.Such organic layers can be made by evaporation in vacuo using shadow masks. At this vacuum chamber to be maintained in the high vacuum conditions, a further vacuum chamber can connect, in which a device according to the invention for the production of the cover electrode 108 is included.

In 2 ist ein Beispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, die innerhalb einer Vakuumkammer angeordnet ist, gezeigt. In der Vakuumkammer wird bei Hochvakuum und dabei bei einem Druck von ca. 4 Pa gearbeitet.In 2 is an example of a device according to the invention, which is arranged within a vacuum chamber shown. In the vacuum chamber is operated at high vacuum while at a pressure of about 4 Pa.

Bei diesem Beispiel sind zwei rechteckige Magnetron Sputterquellen mit jeweils einer Kathode 201 und einem Magnetron 211 in einem Abstand zueinander angeordnet und mit Isolatoren 210 elektrisch isoliert.In this example, two rectangular magnetron sputtering sources each having a cathode 201 and a magnetron 211 spaced apart and with insulators 210 electrically isolated.

An den Magnetron Sputterquellen ist jeweils ein Target 202 vorhanden, das mit dem Deckelektrodenwerkstoff gebildet ist. Dies kann ein Metall sein, das ausgewählt ist aus Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Si, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu und Pb. Der Deckelektrodenwerkstoff kann auch eine Legierung dieser Metalle mit Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce, Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, oder Cu sein. Der Deckelektrodenwerkstoff kann auch ein elektrisch leitendes Oxid, wie z. B. ITO, IZO, ZAO oder FTO sein. Dabei kann das Target aus dem jeweiligen Metall gebildet sein und das Oxid reaktiv bei der Beschichtung gebildet werden. Hierfür kann Sauerstoff als Reaktivgas in die Vakuumkammer zugeführt werden.The magnetron sputtering sources each have a target 202 present, which is formed with the cover electrode material. This may be a metal selected from Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Si, Sb, Sn, Zn, Mn, Ti, Cu and Pb. The cover electrode material may also be an alloy of these metals with Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce, Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, or Cu. The cover electrode material can also be an electrically conductive oxide, such as. ITO, IZO, ZAO or FTO. In this case, the target can be formed from the respective metal and the oxide can be formed reactive during the coating. For this purpose, oxygen can be supplied as a reactive gas in the vacuum chamber.

Die Targets 202 können mit den Kathoden 201 der Magnetron Sputterquellen mittels Schraubverbindung verbunden sein. Die Targets 202 können an der Rückseite gekühlt sein (nicht dargestellt).The targets 202 can with the cathodes 201 the magnetron Sputterquellen be connected by means of screw. The targets 202 can be cooled at the back (not shown).

Für eine Reduzierung der elektrischen Entladungsspannung und des Innendruckes sowie einer besseren Verteilung freier Ladungsträger im gebildeten Plasma 209 sind Magnetrons 211 vorhanden deren magnetische Flussdichte zwischen 900 Gauss und 2300 Gauss liegt. über eine Gasringzuführung 204 mit Austrittsöffnungen kann ein Prozessgas, wie z. B. Ar, O2 oder ein Ar + O2 Gemisch volumenstromgeregelt in Richtung zu den Targets 202 zugeführt werden.For a reduction of the electrical discharge voltage and the internal pressure and a better distribution of free charge carriers in the plasma formed 209 are magnetrons 211 whose magnetic flux density is between 900 Gauss and 2300 Gauss. via a gas ring feed 204 with outlet openings, a process gas, such. B. Ar, O 2 or an Ar + O 2 mixture volume flow-controlled in the direction of the targets 202 be supplied.

Beide Magnetron Sputterquellen sind mit ihren Kathoden 201 an jeweils eine elektrische Spannungsquelle 206 angeschlossen und werden mit der bipolaren Schalteinheit 205 alternierend ein- und ausgeschaltet. Die elektrische Gleichspannung wird dabei mit rechteckförmigen Einzelpulsen mit einem großen Einschalt- zu Ausschaltzeitverhältnis zugeschaltet. Dabei werden positive geladene Atome/Ionen im zwischen den Targets 202 generierten Plasma 209 gebildet.Both magnetron sputter sources are with their cathodes 201 in each case an electrical voltage source 206 connected and are connected to the bipolar switching unit 205 alternately on and off. The electrical DC voltage is switched on with rectangular single pulses with a large switch-on to Ausschaltzeitverhältnis. Thereby, positively charged atoms / ions become between the targets 202 generated plasma 209 educated.

Um die Targets 202 und die Kathoden 201 der Magnetron Sputterquellen sind keine Schutzschilde in Richtung auf die zu beschichtenden Halbzeuge 208 vorhanden, wodurch eine große Winkelverteilung der freien Ladungsträger im gebildeten Plasma 209 und dadurch wiederum eine homogene Beschichtung mit entsprechender Deckelektrode 108 erreicht werden.To the targets 202 and the cathodes 201 The magnetron sputter sources are not shields in the direction of the semi-finished products to be coated 208 present, resulting in a large angular distribution of the free charge carriers in the plasma formed 209 and in turn a homogeneous coating with corresponding cover electrode 108 be achieved.

Es können zwei elektrische Gleichspannungsquellen 206 parallel vorhanden sein, wie dies in 3 gezeigt ist. Dabei sind ein erstes Paar von Magnetron Sputterquellen mit Kathode 201, Target 202 und Magnetron 211 über die elektrisch leitende Verbindung 304 und ein weiteres solches Paar über die elektrisch leitende Verbindung 304 elektrisch parallel geschaltet mit der jeweiligen elektrischen Gleichspannungsquelle 206 verbunden und die Paare können mit der bipolaren Schalteinheit 205 alternierend ein- und ausgeschaltet werden. In 3 wird deutlich, dass das Plasma 209 über zumindest nahezu die gesamte Länge der in Reihe angeordneten Magnetron Sputterquellen ausgebildet werden kann. Die Wand 203 der Vakuumkammer ist an Erdpotential angeschlossen.There can be two electrical DC voltage sources 206 be present in parallel, as in 3 is shown. Here are a first pair of magnetron sputtering sources with cathode 201 , Target 202 and magnetron 211 over the electrically conductive connection 304 and another such pair via the electrically conductive connection 304 electrically connected in parallel with the respective electrical DC voltage source 206 connected and the pairs can with the bipolar switching unit 205 alternately switched on and off. In 3 it becomes clear that the plasma 209 over at least almost the entire length of the magnetron sputtering sources arranged in series can be formed. The wall 203 the vacuum chamber is connected to earth potential.

Die Halbzeuge 208 werden bei diesem Beispiel mit Trägern 207 als Transportvorrichtung translatorisch durch die Vakuumkammer und in konstantem Abstand zu den Oberflächen der Targets 202 bewegt, was mit dem Pfeil, der die Vorschubachsrichtung angibt, verdeutlicht ist. Die Dicke der auszubildenden Deckelektrode 108 kann auch mit der Vorschubgeschwindigkeit der bewegten Halbzeuge 208 beeinflusst werden.The semi-finished products 208 become carriers in this example 207 as a transport device translationally through the vacuum chamber and at a constant distance to the surfaces of the targets 202 moves, which is illustrated by the arrow indicating the feed axis direction. The thickness of the tracer top electrode 108 can also with the feed rate of the moving semi-finished products 208 to be influenced.

Nachfolgend soll die Ausbildung einer Deckelektrode aus Al für die Herstellung einer phosphoreszenten grünen OLED auf einem entsprechend vorbereiteten Halbzeug 208 beschrieben werden. Als Vergleich wurde eine entsprechende Referenz-OLED mit einer 100 nm dicken Deckelektrode 108 aus Yb, die herkömmlich durch Vakuumverdampfung hergestellt worden ist, herangezogen.The following is the formation of a cover electrode made of Al for the production of a phosphorescent green OLED on a suitably prepared semi-finished product 208 to be discribed. As a comparison, a corresponding reference OLED with a 100 nm thick top electrode 108 from Yb, which has conventionally been prepared by vacuum evaporation.

Nach der Erfindung wurden in einer Vorrichtung gemäß 2 Targets 202 an den Magnetron Sputterquellen aus Al mit einem Reinheitsgrad von 99,999% eingesetzt. Die Targets 202 hatten jeweils eine Abmessung 87 mm·499 mm und waren in einem Abstand von 81,1 mm parallel zur zu beschichtenden Oberfläche der Halbzeuge 208 angeordnet. Die Targets 202 waren dabei so ausgerichtet, dass sie eine Länge senkrecht zur Vorschubachsrichtung von 499 mm aufwiesen. Die Halbzeuge 208 wiesen in dieser Achsrichtung eine Breite von 300 mm auf. Die Halbzeuge 208 wurden mit einer konstanten Geschwindigkeit bewegt.According to the invention were in a device according to 2 targets 202 used on the magnetron sputter sources made of Al with a purity of 99.999%. The targets 202 each had a dimension of 87 mm x 499 mm and were at a distance of 81.1 mm parallel to the surface to be coated of the semi-finished products 208 arranged. The targets 202 were aligned so that they had a length perpendicular to the feed axis of 499 mm. The semi-finished products 208 had a width of 300 mm in this axial direction. The semi-finished products 208 were moved at a constant speed.

Über die Gaszuführung 204 wurde Argon als Prozessgas mit einem Prozessdruck von 4 × 10–3 hPa zugeführt. Mit der bipolaren Schalteinheit 205 wurden die Einschaltzeit auf 9 μs und die Ausschaltzeit auf 1 μs für jede Magnetron Sputterquelle vorgegeben. Dem zu Folge war jede der Magnetron Sputterquellen in einem Zyklus zu 45%, also über 9 μs eingeschaltet und zu 5%, also über 1 μs ausgeschaltet. Die Magnetron Sputterquellen wurden also alternierend so betrieben, dass während der Ausschaltzeit einer Magnetron Sputterquelle bei einem Betriebszyklus auch die jeweils andere Magnetron Sputterquelle ausgeschaltet ist. Dies trifft sinngemäß auch für den Betrieb von mehreren bzw. elektrisch parallel geschalteten Paaren von Magnetron Sputterquellen bei einer Vorrichtung nach 3 zu.About the gas supply 204 Argon was fed as a process gas at a process pressure of 4 × 10 -3 hPa. With the bipolar switching unit 205 For example, the on-time was set to 9 μs and the off-time was set to 1 μs for each magnetron sputter source. As a result, each of the magnetron sputtering sources was switched on in one cycle to 45%, ie over 9 μs, and switched off to 5%, ie over 1 μs. The magnetron sputtering sources were thus alternately operated such that during the turn-off time of a magnetron sputtering source in an operating cycle, the respective other magnetron sputtering source is switched off. This applies mutatis mutandis to the operation of multiple or electrically connected in parallel pairs of magnetron sputter sources in a device 3 to.

Die Magnetron Sputterquellen wurden bei einem gepulsten Betrieb mit einer Leistung von 500 W bei einer maximalen elektrischen Spannung von 200 V und einem elektrischen Strom von 2,5 A betrieben. Unter diesen Bedingungen und bei einer Vorschubgeschwindigkeit von 0,14 m/min wurde eine Deckelektrode 108 aus Al mit einer Schichtdicke von 100 nm, deren maximale Abweichung in Vorschubachsrichtung bei ±5% lag, hergestellt. Die Deckelektrode 108 hatte eine Fläche von 370 mm·470 mm.The magnetron sputtering sources were operated in a pulsed operation with a power of 500 W at a maximum electric voltage of 200 V and an electric current of 2.5 A. Under these conditions and at a feed rate of 0.14 m / min, a top electrode was formed 108 made of Al with a layer thickness of 100 nm, whose maximum deviation in the feed axis direction was ± 5%. The cover electrode 108 had an area of 370 mm x 470 mm.

Dem in 4 gezeigten Diagramm kann man die jeweilige elektrische Stromdichte und die Lumineszenz in Abhängigkeit der elektrischen Spannung für eine grüne OLED mit der Erfindung hergestellten und nach dem Stand der Technik aus Yb hergestellter Deckelektrode 108 entnehmen. Dabei wird der deutlich reduzierte elektrische Kriechstrom der mit Anwendung der Erfindung hergestellten OLED erkennbar. Bei –5 V liegen die elektrischen Stromdichten bei 10–3 mA/cm2 und 10–4 mA/cm2, was zeigt, dass die durch Sputtern aus Al hergestellte Deckelektrode 108 nicht zu Schäden geführt hat, wie dies beispielsweise durch eine Degradation von organischen Schichten in Folge einer Bestrahlung vom Plasma 209 oder durch Ionenbeschuss der Fall wäre.The in 4 The graph shown can be the respective electric current density and the luminescence depending on the voltage for a green OLED produced with the invention and produced according to the prior art from Yb cover electrode 108 remove. In this case, the significantly reduced electrical leakage current of the OLED produced using the invention can be seen. At -5 V, the electric current densities are 10 -3 mA / cm 2 and 10 -4 mA / cm 2 , showing that the cover electrode produced by sputtering of Al 108 has not led to damage, as for example, by a degradation of organic layers as a result of irradiation from the plasma 209 or by ion bombardment.

Mit den in 5 gezeigten Verläufen wird die höhere elektrische Stromeffizienz der nach der Erfindung erhaltenen OLED im Vergleich zur Referenz-OLED deutlich. Die elektrische Betriebsspannung einer OLED mit gesputterter AL-Deckelektrode kann kleiner als bei der Referenz-OLED mit Yb-Deckelektrode bei gleicher Lumineszenz sein. So genügt bei einer Lumineszenz von 100 cd/m2 eine elektrische Betriebsspannung von 2,35 V um eine elektrische Stromeffizienz von 21,33 cd/A zu erreichen. Die Werte der Referenz-OLED liegen dabei bei 2,77 V und 13,23 cd/A. Bei einer Lumineszenz von 1000 cd/m2 sind dies 2,76 V und 18,6 cd/A für die mit der Erfindung erhaltene OLED und 3,22 V und 10,0 cd/A für die Referenz-OLED.With the in 5 As shown, the higher electrical current efficiency of the OLED obtained according to the invention in comparison to the reference OLED becomes clear. The electrical operating voltage of an OLED with sputtered AL cover electrode can be smaller than in the case of the reference OLED with Yb cover electrode with the same luminescence. Thus, with a luminescence of 100 cd / m 2, an electrical operating voltage of 2.35 V is sufficient to achieve an electrical current efficiency of 21.33 cd / A. The values of the reference OLED are 2.77 V and 13.23 cd / A. At a luminescence of 1000 cd / m 2 , this is 2.76 V and 18.6 cd / A for the OLEDs obtained with the invention and 3.22 V and 10.0 cd / A for the reference OLED.

Claims (12)

Verfahren zur Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen bei dem Halbzeuge (208) für organische elektronische Elemente ohne Deckelektroden (108) in einem Abstand zu mindesten zwei aus dem Deckelektrodenwerkstoff gebildeten Targets (202) in einer Vakuumkammer angeordnet sind und die Halbzeuge (208) und die Targets (202) mit jeweils einer Magnetron Sputterquelle (201, 211) mit einer Transportvorrichtung (207) relativ zueinander bewegt werden; wobei die Magnetron Sputterquellen (201, 211) mit den Targets (202) alternierend mit elektrischer Spannung beaufschlagt werden und zwischen den Targets (202) ein Plasma (209) generiert wird, mit dessen freien Ladungsträgern die Deckelektroden (108) auf den Halbzeugen (208) ausgebildet werden.Process for the production of cover electrodes on organic electronic elements in semifinished products ( 208 ) for organic electronic elements without cover electrodes ( 108 ) at a distance to at least two targets formed from the cover electrode material ( 202 ) are arranged in a vacuum chamber and the semi-finished products ( 208 ) and the targets ( 202 ) each with a magnetron sputtering source ( 201 . 211 ) with a transport device ( 207 ) are moved relative to each other; the magnetron sputter sources ( 201 . 211 ) with the targets ( 202 ) are applied alternately with electrical voltage and between the targets ( 202 ) a plasma ( 209 ) is generated, with its free charge carriers the cover electrodes ( 108 ) on the semi-finished products ( 208 ) be formed. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetron Sputterquellen (201, 211) mit den Targets (202) mit gepulster elektrischer Spannung betrieben werden und dabei zwischen den einzelnen Pulsen zwei in Vorschubachsrichtung unmittelbar nebeneinander angeordneten Magnetron Sputterquellen (201, 211) mit Targets (202) über einen kürzeren Zeitraum, als die Pulslänge der gepulsten elektrischen Spannung, ausgeschaltet sind.Method according to claim 1, characterized in that the magnetron sputter sources ( 201 . 211 ) with the targets ( 202 ) are operated with pulsed electrical voltage and thereby between the individual pulses two in Vorschubachsrichtung immediately adjacent magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) with targets ( 202 ) are switched off for a shorter period of time than the pulse length of the pulsed electrical voltage. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausbildung des Plasma (209) und die Bewegung der freien Ladungsträger nicht durch Einbauten innerhalb des Raumes, in dem das Plasma (209) generiert wird, beeinflusst wird.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the formation of the plasma ( 209 ) and the movement of the free charge carriers not by internals within the space in which the plasma ( 209 ) is being influenced. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einschaltzeit von Magentron Sputterquellen (201, 211) mit Target (202) im Bereich 5 μs bis 15 μs und die Ausschaltzeit im Bereich 0,5 μs bis 3 μs bei einem Betriebszyklus einer Magnetron Sputterquelle (201, 211) oder mehrerer Magnetron Sputterquellen (201, 211), die elektrisch parallel geschaltet sind, gehalten wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the switch-on time of Magentron sputter sources ( 201 . 211 ) with target ( 202 ) in the range of 5 μs to 15 μs and the turn-off time in the range of 0.5 μs to 3 μs in one operating cycle of a magnetron sputtering source ( 201 . 211 ) or multiple magnetron sputter sources ( 201 . 211 ), which are electrically connected in parallel, is held. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Targets (202) eingesetzt werden, die mit einem Metall, das ausgewählt ist aus Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Si, Sb, Sri, Zn, Mn, Ti, Cu, Pb Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce, Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, In und Cu oder einer Legierung dieser Metalle gebildet sind.Method according to one of the preceding claims, characterized in that targets ( 202 ), which may be used with a metal selected from Al, Ag, Ca, Mg, Cr, W, Zr, Si, Sb, Sr, Zn, Mn, Ti, Cu, Pb Li, Ba, Sm, Ca, Sr, Ce, Cs, Tb, Eu, Yb, Rb, K, Mg, In, and Cu, or an alloy of these metals. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausbildung von Deckelektroden (108) aus einem elektrisch leitenden Oxid Sauerstoff als Reaktivgas in die Vakuumkammer zugeführt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that for the formation of cover electrodes ( 108 ) is fed from an electrically conductive oxide oxygen as a reactive gas in the vacuum chamber. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an Magnetron Sputterquellen (201, 211) ein magnetisches Feld mit einer magnetischen Flussdichte im Bereich 900 Gauss bis 2300 Gauss ausgebildet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) a magnetic field with a magnetic flux density in the range 900 Gauss to 2300 Gauss is formed. Vorrichtung zur Herstellung von Deckelektroden auf organischen elektronischen Elementen mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der Halbzeuge (208) für organische elektronische Elemente ohne Deckelektroden (108) in einem Abstand zu mindesten zwei aus dem Deckelektrodenwerkstoff gebildeten Targets (202) angeordnet und mit einer Transportvorrichtung (207) relativ zueinander bewegbar sind und die Targets (202) an Magnetron Sputterquellen (201, 211) und innerhalb einer Vakuumkammer angeordnet sind; wobei die Targets (202) und die Magnetron Sputterquellen (201, 211) in Vorschubachsrichtung der Halbzeuge (208) ebenfalls in einem Abstand zueinander angeordnet und elektrisch isoliert sind; und an mindestens eine elektrische Gleichspannungsquelle (206) über eine bipolare Schalteinheit (205) angeschlossen sind; wobei mittels der bipolaren Schalteinheit (205) elektrische Spannung alternierend in gepulster Form den Magnetron Sputterquellen (201, 211) zuführbar ist.Device for producing cover electrodes on organic electronic elements with a method according to one of Claims 1 to 7, in which semifinished products ( 208 ) for organic electronic elements without cover electrodes ( 108 ) in one Distance to at least two targets formed from the cover electrode material ( 202 ) and with a transport device ( 207 ) are movable relative to each other and the targets ( 202 ) on magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) and are disposed within a vacuum chamber; where the targets ( 202 ) and the magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) in Vorschubachsrichtung the semi-finished products ( 208 ) are also spaced apart and electrically isolated; and to at least one electrical DC voltage source ( 206 ) via a bipolar switching unit ( 205 ) are connected; wherein by means of the bipolar switching unit ( 205 ) electrical voltage alternately in pulsed form the magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) can be fed. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge der jeweiligen Targets (202) mindestens 30% länger als die Ausdehnung der Halbzeuge (208) senkrecht zur Vorschubachsrichtung ist.Apparatus according to claim 8, characterized in that the length of the respective targets ( 202 ) at least 30% longer than the dimension of the semi-finished products ( 208 ) is perpendicular to the feed axis direction. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Raum zwischen den Halbzeugen (208) und den Targets (202) in dem ein Plasma (209) ausgebildet wird, bis auf eine Zufuhreinrichtung (204) für Gas frei von weiteren Einbauten gehalten ist.Apparatus according to claim 8 or 9, characterized in that the space between the semi-finished products ( 208 ) and the targets ( 202 ) in which a plasma ( 209 ), except for a supply device ( 204 ) is kept free of gas for further installations. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Targets (202) in einem Abstand von mindestens 50 mm zu den zu beschichtenden Halbzeugen (208) und/oder unmittelbar nebeneinander angeordnete Targets (202) in Vorschubachsrichtung in einem Abstand im Bereich von 5 mm bis 250 mm zueinander angeordnet sind.Device according to one of claims 8 to 10, characterized in that the targets ( 202 ) at a distance of at least 50 mm from the semi-finished products to be coated ( 208 ) and / or directly adjacent targets ( 202 ) are arranged in the feed axis direction at a distance in the range of 5 mm to 250 mm from each other. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Magnetron Sputterquellen (201, 211) mit Targets (202) elektrisch parallel geschaltet sind.Device according to one of claims 8 to 11, characterized in that a plurality of magnetron sputtering sources ( 201 . 211 ) with targets ( 202 ) are electrically connected in parallel.
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