DE102010032892B3 - Coated product and use thereof - Google Patents
Coated product and use thereof Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010032892B3 DE102010032892B3 DE201010032892 DE102010032892A DE102010032892B3 DE 102010032892 B3 DE102010032892 B3 DE 102010032892B3 DE 201010032892 DE201010032892 DE 201010032892 DE 102010032892 A DE102010032892 A DE 102010032892A DE 102010032892 B3 DE102010032892 B3 DE 102010032892B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- substrate
- functional layer
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
Abstract
Beschichtetes Produkt (1) umfassend wenigstens ein Substrat (2), wenigstens eine Barriereschicht (3) und wenigstens eine funktionelle Schicht (4), dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) ein Stahlsubstrat ist, dass die Barriereschicht (3) eine Oxidschicht ist, die durch ein alleiniges oder kombiniertes HPPM-Sputterverfahren auf das Substrat aufgebracht ist, so dass die Barriereschicht (3) eine Veränderung der chemischen Zusammensetzung der funktionellen Schicht (4) durch äußere Temperatureinflüsse besser vermindert, dass die funktionelle Schicht (4) eine Silber umfassende Schicht ist, wobei die funktionelle Schicht (4) auf die Barriereschicht (3) aufgebracht ist, und dass die Veränderung der chemischen Zusammensetzung der funktionellen Schicht durch eine Temperaturbehandlung des beschichteten Produkts (1) über 85 Stunden bei 600°C unter Argonatmosphäre, mittels Messung der Reflektion elektromagnetischer Strahlung bei einer Wellenlelbar ist, wobei die Reflektion nach der Temperaturbehandlung wenigsten 98% der Reflektion vor der Temperaturbehandlung beträgt.Coated product (1) comprising at least one substrate (2), at least one barrier layer (3) and at least one functional layer (4), characterized in that the substrate (2) is a steel substrate, that the barrier layer (3) is an oxide layer , which is applied to the substrate by a single or combined HPPM sputtering process, so that the barrier layer (3) better reduces a change in the chemical composition of the functional layer (4) due to external temperature influences, so that the functional layer (4) comprises a silver Layer is, wherein the functional layer (4) is applied to the barrier layer (3), and that the change in the chemical composition of the functional layer by a temperature treatment of the coated product (1) for 85 hours at 600 ° C under an argon atmosphere, by means of measurement the reflection of electromagnetic radiation at a wavelength is, the reflection according to the temperature r treatment is at least 98% of the reflection before the temperature treatment.
Description
Die Erfindung betrifft ein beschichtetes Produkt. Das beschichtete Produkt umfasst wenigstens ein Substrat, wenigstens eine Barriereschicht und wenigstens eine funktionelle Schicht.The invention relates to a coated product. The coated product comprises at least one substrate, at least one barrier layer and at least one functional layer.
Beschichtete Produkte, die wenigstens ein Substrat, eine Barriereschicht und eine funktionelle Schicht umfassen, sind seit langem bekannt. Die Barriereschicht übernimmt hierbei eine wesentliche Schutzfunktion innerhalb des Produkts, insbesondere gegenüber der funktionellen Schicht, beispielsweise als Sauerstoffdiffusionsbarriere, als Korrosionsschutz gegen Lebensmittel, Korrosionsschutz gegen aggressive Umgebungen, insbesondere bei höheren Temperaturen, Korrosionsschutz gegen aggressive Atmosphären (wie z. B. Schwefel, Selen), Barriere gegen Alkalidiffusion, Barriere gegen Diffusion von Komponenten des Substrats in eine angrenzende funktionelle Schicht. Durch Barriereschichten kann der Einsatzbereich von Produkten, die eine funktionelle Schicht aufweisen, erweitert und neue Anwendungsbereiche erschlossen werden.Coated products comprising at least a substrate, a barrier layer and a functional layer have long been known. In this case, the barrier layer assumes an essential protective function within the product, in particular with respect to the functional layer, for example as an oxygen diffusion barrier, as corrosion protection against food, corrosion protection against aggressive environments, in particular at higher temperatures, corrosion protection against aggressive atmospheres (such as, for example, sulfur, selenium) Barrier against alkali diffusion, barrier against diffusion of components of the substrate into an adjacent functional layer. Barrier layers can expand the range of application of products that have a functional layer and open up new areas of application.
Typische Beschichtungsverfahren zum Aufbringen von Barriereschichten basieren auf Chemical-Vapor-Deposition-(CVD)-Prozessen (z. B, PECVD, PICVD) und Physical-Vapor-Deposition-(PVD)-Prozessen (z. B. Mittelfrequenz-(MF)-Magnetron-Sputtern). Wichtig für eine gute Barrierewirkung ist, dass die Barriereschicht dicht, d. h. insbesondere nicht porös, ohne Pinholes aufwächst. Wichtig ist außerdem, dass die Barriereschicht glatt wächst, um weitere Schichten auf die Barriereschicht aufbringen zu können.Typical coating processes for applying barrier layers are based on chemical vapor deposition (CVD) processes (eg, PECVD, PICVD) and physical vapor deposition (PVD) processes (eg, center frequency (MF). magnetron sputtering). Important for a good barrier effect is that the barrier layer is dense, d. H. especially non-porous, growing without pinholes. It is also important that the barrier layer grows smoothly in order to be able to apply further layers to the barrier layer.
Als Materialien für Barriereschichten sind insbesondere Oxide und Nitride und Carbide von Metallen bekannt. Die Barrierewirkung hängt dabei neben der Materialzusammensetzung unter anderem von der Dichte (Porosität, Pinholes) und der Dicke der Barriereschicht ab – in der Regel je dichter und je dicker umso besser.As materials for barrier layers in particular oxides and nitrides and carbides of metals are known. The barrier effect depends not only on the composition of the material, but also on the density (porosity, pinholes) and the thickness of the barrier layer - usually the denser and the thicker the better.
Beschichtete Glas- oder Glaskeramikprodukte und Verfahren zu deren Herstellung sind aus der Schrift
Ein beschichtetes Glasprodukt, umfassend ein Glassubstrat mit einer transparenten und leitfähigen Indiumzinnoxid-(ITO)-Schicht, die eine Decksicht aufweist, welche eine Redoxbarriere für die ITO-Schicht bildet, wobei die ITO-Schicht durch gepulstes, hochionisierendes Hochleistungs-Magentronsputtern (HPPMS) erhalten wird, ist aus der Schrift
HPPMS-Verfahren zum Aufbringen transparenter, leitfähiger Oxide werden von V. Sittinger et al. in Thin Solid Films 516, Seite 5847–5859, (2008) beschrieben.HPPMS methods for applying transparent, conductive oxides are described by V. Sittinger et al. in Thin Solid Films 516, p. 5847-5859, (2008).
Aus der Schrift
Aufgabe der Erfindung ist es, ausgehend von diesem Stand der Technik, ein verbessertes beschichtetes Produkt, das wenigstens ein Substrat, wenigstens eine Barriereschicht und wenigstens eine funktionelle Schicht aufweist, bereitzustellen. Die Barriereschicht soll eine Veränderung der chemischen Zusammensetzung der funktionellen Schicht durch äußere Einflüsse, insbesondere durch andere Bestandteile des Produkts und/oder der Umgebung des Produkts, besser vermindern, als eine im Stand der Technik bekannte Barriereschicht vergleichbarer Dicke und Zusammensetzung.The object of the invention is to provide, starting from this prior art, an improved coated product which has at least one substrate, at least one barrier layer and at least one functional layer. The barrier layer is said to better reduce a change in the chemical composition of the functional layer due to external influences, in particular by other constituents of the product and / or the environment of the product, than a barrier layer of comparable thickness and composition known in the art.
Im Folgenden sind weitere bevorzugte Ausführungsformen des beschichteten Produkts beschrieben.In the following, further preferred embodiments of the coated product are described.
Bei dem beschichteten Produkt (
Die Aufgabe wird gelöst durch ein beschichtetes Produkt (
- – das Substrat (
2 ) ein Stahlsubstrat ist, - – die Barriereschicht (
3 ) eine Oxidschicht ist, die durch ein alleiniges oder kombiniertes HPPM-Sputterverfahrens auf das Substrat (2 ) aufgebracht ist, so dass die Barriereschicht (3 ) eine Veränderung der chemischen Zusammensetzung der funktionellen Schicht (4 ) durch äußere Temperatureinflüsse besser vermindert, die funktionelle Schicht (4 ) eine Silber umfassende Schicht ist, wobei die funktionelle Schicht (4 ) auf die Barriereschicht (3 ) aufgebracht ist, und die Veränderung der chemischen Zusammensetzung der funktionellen Schicht (4 ) durch eine Temperaturbehandlung des beschichteten Produkts (1 ) über 85 Stunden bei 600°C unter Argonatmosphäre, mittels Messung der Reflektion elektromagnetischer Strahlung bei einer Wellenlänge von 11 μm der funktionellen Schicht (4 ) ermittelbar ist, wobei die Reflektion nach der Temperaturbehandlung wenigstens 98% der Reflektion vor der Temperaturbehandlung beträgt.
- - the substrate (
2 ) is a steel substrate, - The barrier layer (
3 ) is an oxide layer deposited on the substrate by a sole or combined HPPM sputtering process (2 ) is applied, so that the barrier layer (3 ) a change in the chemical composition of the functional layer (4 ) is better reduced by external temperature influences, the functional layer (4 ) is a silver-comprising layer, wherein the functional layer (4 ) on the barrier layer (3 ) and the change in the chemical composition of the functional layer (4 ) by a temperature treatment of the coated product (1 ) at 600 ° C for over 85 hours Argon atmosphere, by measuring the reflection of electromagnetic radiation at a wavelength of 11 μm of the functional layer (4 ), wherein the reflection after the temperature treatment is at least 98% of the reflection before the temperature treatment.
Vorzugsweise wird wenigstens eine weitere Barriereschicht, insbesondere eine Barriereschicht mittels eines alleinigen oder kombinierten HPPM-Sputterverfahrens und/oder wenigstens eine weitere funktionelle Schicht aufgebracht.Preferably, at least one further barrier layer, in particular a barrier layer, is applied by means of a sole or combined HPPM sputtering method and / or at least one further functional layer.
Es können aber auch andere Schichten, insbesondere Zwischenschichten oder wenigstens eine Deckschicht aufgebracht werden.However, it is also possible to apply other layers, in particular intermediate layers or at least one covering layer.
Insbesondere wird die Barriereschicht (
Vorzugsweise kann das HPPM-Sputterverfahren alleine oder in Kombination mit anderen Sputterverfahreri, insbesondere HF-, DC- und MF-Sputterverfahren, durchgeführt werden. Die Kombination kann insbesondere abwechselnd oder überlagernd erfolgen.Preferably, the HPPM sputtering method may be performed alone or in combination with other sputtering methods, especially HF, DC and MF sputtering methods. In particular, the combination can take place alternately or superimposed.
Das HPPM-Sputtern (HPPMS; High Power Impulse Magnetron Sputtern (gepulstes, hochionisierendes Hochleistungsmagnetronsputtern)) oder auch HiPIM-Sputtern; High Power Pulse Magnetron Sputtern) als Bestandteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist ein Sputterverfahren, bei dem hochenergetische Pulse erzeugt werden, die zu hohen Leistungsdichten auf dem Targetmaterial deutlich über die für übliches Sputtern typischen 10 W/cm2 führen, je nach Targetmaterial und Verfahren 100 bis 1000 W/cm2 oder mehr. Die üblichen Frequenzen beim HPPMS-Verfahren liegen im Bereich 100 Hz bis 10.000 Hz, typisch bei 500 Hz bis wenigen kHz.HPPM sputtering (HPPMS) or HiPIM sputtering; high power impulse magnetron sputtering (pulsed, high-performance, high-power magnetron sputtering); High Power Pulse Magnetron sputtering) as part of the process according to the invention is a sputtering process in which high-energy pulses are generated which lead to high power densities on the target material well above the 10 W / cm 2 typical for conventional sputtering, depending on the target material and
Die hohen Leistungsdichten führen dazu, dass die aus dem Targetmaterial herauskatapultierten Partikel eine höhere Energie als beim konventionellen Sputtern aufweisen. Es lassen sich nicht nur Neutralteilchen, sondern darüber hinaus auch elektrisch geladene Partikel (Ionen) erzeugen. Insbesondere lassen sich die Ionen durch ein Substratbias auf das Substrat gezielt beschleunigen.The high power densities result in the particles catapulted out of the target material having a higher energy than in the case of conventional sputtering. Not only neutral particles but also electrically charged particles (ions) can be generated. In particular, the ions can be specifically accelerated by a substrate bias on the substrate.
Die höhere Energie der Partikel führt zu einer höheren Mobilität auf der Substratoberfläche und begünstigt dadurch das Wachstum der Barriereschicht (
Durch geeignete Prozessparameter, insbesondere Pulsparameter kann die Oberflächentopografie der aufgebrachten, gesputterten Barriereschicht (
Die Schichtdicken der Barriereschichten liegen je nach Schichtmaterial und Funktion, die die Barriereschicht übernehmen soll, vorzugsweise zwischen 10 und 1000 nm.The layer thicknesses of the barrier layers are preferably between 10 and 1000 nm, depending on the layer material and function that the barrier layer is to take over.
Vorteilhaft kann auch eine Kombination aus HPPM-Sputterverfahren mit herkömmlichen Mittelfrequenz-(MF)-, Gleichstrom-(DC)- oder Hochfrequenz-(HF)-Sputterverfahren sein. Die bei HPPMS reduzierte Aufbringrate, im Vergleich zu anderen Sputterverfahren, kann dadurch kompensiert werden, wobei positive Aspekte (insbesondere Erzielung einer höheren Dichte der Barriereschicht) der höherenergetischen HPPMS-Partikel nicht verloren gehen. Durch die Überlagerung von HPPMS mit einem konventionellen Sputterverfahren kann die Energie des HPPM-Sputterpulses besser eingekoppelt werden, da hier das Plasma in der langen Puls-aus-Zeit durch die Überlagerung nicht komplett verlöscht. Die Überlagerung mit MF-Sputterverfahren reduziert darüber hinaus elektrische Überschläge (Arcing) bei reaktiven HPPM-Sputterprozessen. Dadurch wird die Anzahl der Defekte der aufgebrachten Schicht (Pinholes, lokale Aufschmelzungen, Droplets) reduziert.Also advantageous may be a combination of HPPM sputtering techniques with conventional medium frequency (MF), DC (DC) or radio frequency (RF) sputtering techniques. Compared to other sputtering methods, the HPPMS-reduced deposition rate can be compensated for, whereby positive aspects (in particular achieving a higher density of the barrier layer) of the higher-energy HPPMS particles are not lost. By superimposing HPPMS with a conventional sputtering method, the energy of the HPPM sputtering pulse can be coupled in better, since the plasma does not completely quench during the long pulse-off time due to the superimposition. The MF sputtering overlay also reduces electrical arcing in HPPM reactive sputtering processes. This reduces the number of defects of the applied layer (pinholes, local melts, droplets).
Ausführungsbeispieleembodiments
Es wurden 100 nm dicke Barriereschichten (
Die Wirkung der Barriereschicht hinsichtlich Sauerstoffdiffusion und Diffusion von Stahlkomponenten in eine angrenzende funktionelle Schicht (Metallschicht) wurde untersucht.The effect of the barrier layer on oxygen diffusion and diffusion of steel components into an adjacent functional layer (metal layer) was investigated.
Bei der Stahldiffusionsbarriereschicht (Barriereschicht zur Minimierung der Diffusion von Bestandteilen des Stahlsubstrats in eine funktionelle Schicht des beschichteten Produkts) hat sich gezeigt, dass die über konventionelle Sputterverfahren abgeschiedene Barriereschichten eine schlechtere Barrierewirkung haben als diejenigen Barriereschichten, bei denen das HPPM-Sputterverfahren überlagert (kombiniert) wurde. Nachgewiesen wurde dies an beschichteten Produkten des Aufbaus: Stahlsubstrat/Diffusionsbarriereschicht (Schichtdicke 100 nm)/funktionelle Silberschicht (Schichtdicke 50 nm)/Al2O3-Deckschicht (Schichtdicke 100 nm), die unter Schutzgasatmosphäre 85 Stunden bei 600°C getempert wurden. Die Reflexion von elektromagnetischer Strahlung bei 11 μm Wellenlänge wurde vor und nach dem Tempern des beschichteten Produkts vermessen. Ohne Barriereschicht wurde die Reflexion von 0,982 um ca. 11% auf 0,868 reduziert. Durch die Standard-MF-Barriereschicht liegt die Reduktion bei 3%, auf 0,951. Die Kombination von unipolarem bzw. bipolarem HPPM- und MF-Sputtern führt zu einer Reduktion der Reflexion an der funktionellen Silberschicht von 2,1% bzw. 1,3% (siehe
Besonders positive Ergebnisse lassen sich verfahrenstechnisch durch die Wahl eines geeigneten Pulsmusters erzeugen. Um ein stabiles Plasma mit wenig elektrischen Überschlägen (Arcing) zu erhalten kann eine lange Puls-an-Zeit (typisch mehrere 10 μs bis hin zu 200 μs) in ein Pulspaket aus mehreren kurzen Pulsen (typisch 30 μs oder kürzer, bevorzugt 20 μs oder kürzer, bevorzugt 10 μs oder kürzer) zerlegt werden, wodurch es zu deutlich weniger Überschlägen kommt. Das Pulspaket kann dabei nur aus unipolaren oder nur aus bipolaren oder aus unipolaren und bipolaren Pulsmustern gestaltet werden.Particularly positive results can be generated procedurally by choosing a suitable pulse pattern. In order to obtain a stable plasma with little electrical arcing, a long pulse-on-time (typically several 10 μs up to 200 μs) into a pulse packet of several short pulses (typically 30 microseconds or shorter, preferably 20 microseconds or shorter, preferably 10 μs or shorter), resulting in significantly fewer flashovers. The pulse packet can be designed only from unipolar or only bipolar or unipolar and bipolar pulse patterns.
Das bislang beste Ergebnis hinsichtlich minimierter Diffusion von Bestandteilen des Stahlsubstrats in die funktionelle Silberschicht aufgrund dazwischen liegenden Barriereschicht konnte mit der Kombination von HPPMS-Pulspaketen mit bipolarer MF-Überlagerung erzielt werden: Die Reflexion an der Silberschicht wurde von 0,982 auf 0,974, d. h. nur um weniger als 1% reduziert (siehe
Die Erfindung kann prinzipiell überall dort angewendet werden, wo eine Barriereschicht mittels konventionellen Sputterverfahren abgeschieden wird. Eine Erweiterung der vorhandenen Sputteranlage mit HPPM-Sputterpulser, gegebenenfalls darauf abgestimmten MF-Pulser, Kabel und Steuerung ist hierzu notwendig. Vorteilhaft kann zusätzlich das Verwenden eines Substrat-Bias in Verbindung mit HPPMS sein, da dann die aus dem Targetmaterial erzeugten Ionen gezielt auf das Substrat hin beschleunigt werden können.In principle, the invention can be used wherever a barrier layer is deposited by means of conventional sputtering methods. An extension of the existing sputtering system with HPPM sputtering pulser, optionally matched MF pulser, cable and control is necessary for this purpose. In addition, it may be advantageous to use a substrate bias in conjunction with HPPMS, since then the ions generated from the target material can be accelerated in a targeted manner toward the substrate.
Bei solarthermischen Receivern werden Barriereschichten eingesetzt, um eine Diffusion von Bestandteilen des Stahlsubstrates in die angrenzende, IR-reflektierende (funktionelle) Schicht zu verhindern. Insbesondere bei hohen Betriebstemperaturen des Receivers (> 400°C) in Direktverdampfungskraftwerken oder Salzschmelzekraftwerken muss eine Barriereschicht vorliegen, die die Diffusion verhindert und dadurch die IR-Reflexion der funktionellen Schicht nicht wesentlich vermindert.In solar thermal receivers, barrier layers are used to prevent diffusion of constituents of the steel substrate into the adjacent, IR-reflecting (functional) layer. In particular, at high operating temperatures of the receiver (> 400 ° C) in Direktverdampfungskraftwerken or molten salt power plants, a barrier layer must be present, which prevents diffusion and thus does not significantly reduce the IR reflection of the functional layer.
Eine Sauerstoffbarriereschicht auf SiO2-Basis könnte darüber hinaus bei Vakuumbruch des Receivers als Oxidationsschutz der darunter liegenden Schichten (Cermet, IR-Reflektor) dienen und die Absorbereigenschaft der Beschichtung an Luft aufrechterhalten.An oxygen barrier layer on the basis of SiO 2 could also serve as a protection against oxidation of the underlying layers (cermet, IR reflector) in case of vacuum breakage of the receiver and maintain the absorber property of the coating in air.
Vorzugsweise ist das beschichtete Produkt Teil eines solarthermischen Receivers.Preferably, the coated product is part of a solar thermal receiver.
Die Figuren zeigen:The figures show:
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Beschichtetes ProduktCoated product
- 22
- Substratsubstratum
- 33
- Barriereschichtbarrier layer
- 44
- funktionelle Schichtfunctional layer
- 55
- Deckschichttopcoat
Claims (2)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201010032892 DE102010032892B3 (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Coated product and use thereof |
PCT/EP2011/003541 WO2012013302A1 (en) | 2010-07-30 | 2011-07-15 | Coated products and method for producing a coated product |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201010032892 DE102010032892B3 (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Coated product and use thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010032892B3 true DE102010032892B3 (en) | 2011-12-15 |
Family
ID=44514610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201010032892 Expired - Fee Related DE102010032892B3 (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Coated product and use thereof |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102010032892B3 (en) |
WO (1) | WO2012013302A1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012110040A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Depositing layer by reactive high-energy sputtering process by spraying part of layer by sputtering process on substrate, and depositing layer on substrate, where sputtering process is performed by magnetron operated by pulse pattern |
DE102012107163A1 (en) * | 2012-08-03 | 2014-05-15 | INI Coatings Ltd. | Coating a substrate using high energy pulse magnetron sputtering, comprises applying bipolar pulses on at least one aluminum containing magnetron target for producing an aluminum oxide coating, and coating without external heat supply |
WO2014135490A1 (en) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | Schott Ag | Scratch-resistant glass object |
CN112135503A (en) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 禾达材料科技股份有限公司 | Electromagnetic wave shield and transmission line assembly using the same |
DE202021104774U1 (en) | 2021-09-06 | 2022-01-04 | Schott Ag | Scratch resistant glass item |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023144027A1 (en) | 2022-01-26 | 2023-08-03 | Schott Ag | Coated substrate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100092771A1 (en) * | 2006-12-22 | 2010-04-15 | Agc Flat Glass Europe Sa | Bending of glass sheets |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007058356A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co.Kg | PVD method and PVD device for producing low-friction, wear-resistant functional layers and coatings produced therewith |
DE102007033338B4 (en) | 2007-07-16 | 2010-06-02 | Schott Ag | Hard material-coated glass or glass-ceramic article and method for its production and use of the glass or glass-ceramic article |
DE102008028141A1 (en) | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Audi Ag | glass product |
-
2010
- 2010-07-30 DE DE201010032892 patent/DE102010032892B3/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-15 WO PCT/EP2011/003541 patent/WO2012013302A1/en active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100092771A1 (en) * | 2006-12-22 | 2010-04-15 | Agc Flat Glass Europe Sa | Bending of glass sheets |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012110040A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Depositing layer by reactive high-energy sputtering process by spraying part of layer by sputtering process on substrate, and depositing layer on substrate, where sputtering process is performed by magnetron operated by pulse pattern |
DE102012110041A1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method for setting the operating point during high-energy sputtering |
DE102012107163A1 (en) * | 2012-08-03 | 2014-05-15 | INI Coatings Ltd. | Coating a substrate using high energy pulse magnetron sputtering, comprises applying bipolar pulses on at least one aluminum containing magnetron target for producing an aluminum oxide coating, and coating without external heat supply |
WO2014135490A1 (en) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | Schott Ag | Scratch-resistant glass object |
KR20150126627A (en) * | 2013-03-06 | 2015-11-12 | 쇼오트 아게 | Scratch-resistant glass article |
CN105073673A (en) * | 2013-03-06 | 2015-11-18 | 肖特股份有限公司 | Scratch-resistant glass object |
JP2016517381A (en) * | 2013-03-06 | 2016-06-16 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | Scratch-resistant glass products |
CN105073673B (en) * | 2013-03-06 | 2019-03-26 | 肖特股份有限公司 | Scratch resistance glass workpiece |
US10781133B2 (en) | 2013-03-06 | 2020-09-22 | Schott Ag | Scratch-resistant glass or glass ceramic articles |
KR102170171B1 (en) * | 2013-03-06 | 2020-10-27 | 쇼오트 아게 | Scratch-resistant glass article |
CN112135503A (en) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 禾达材料科技股份有限公司 | Electromagnetic wave shield and transmission line assembly using the same |
DE202021104774U1 (en) | 2021-09-06 | 2022-01-04 | Schott Ag | Scratch resistant glass item |
DE202022103333U1 (en) | 2021-09-06 | 2022-06-23 | Schott AG | Scratch resistant glass item |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012013302A1 (en) | 2012-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010032892B3 (en) | Coated product and use thereof | |
DE19518781C1 (en) | Metal body with alpha-alumina coating for e.g. shaping tool | |
EP1514851B1 (en) | Protective coating for a body as well as process and plant unit for preparing protective coatings | |
DE3047888C2 (en) | ||
EP0744472B1 (en) | Vacuum coated composite sintered body and method of its production | |
EP1180262A1 (en) | Method for producing a hybrid disk, and hybrid disk | |
DE2215151B2 (en) | Process for producing thin layers of tantalum | |
EP1711643A2 (en) | Method for the production of an ultra barrier layer system | |
EP0432090B1 (en) | Process for producing a coating and articles coated by the process | |
EP2549521A1 (en) | Method and device for producing low-particle layers on substrates | |
DE10100746A1 (en) | Device and method for forming films | |
EP1614763A1 (en) | Method of manufacturing a coating material based on titanium suboxide, a correspondingly manufactured coating material and sputter target provided with the coating material | |
EP1791987A2 (en) | Method for vacuum-coating with a photo-semiconducting layer and use of said method | |
DE102012011277B4 (en) | A method of forming closed sheets of graphene on the surface of a substrate and substrate coated with the method | |
EP0734459A1 (en) | Plasma-activated vapour-deposition process and device | |
DE102008022145B4 (en) | Apparatus and method for high performance pulse-gas flow sputtering | |
DE10118763A1 (en) | Production of ceramic (mixed) metal oxide layers on substrate made from glass, ceramic, glass-ceramic, iron or other metals comprise coating substrate with an intermediate layer, applying ceramic (mixed) metal oxide layers using anodization | |
EP0793735B1 (en) | Packing element, in particular for shutting-off and regulating means, and process for producing the same | |
EP2468915B1 (en) | Method for separating dielectric layers in a vacuum and use of the method | |
EP0966008A2 (en) | Manufacturing method of an anode for electrolytic capacitors, anode fabricated by this method and capacitor containing such and anode | |
DE102008028990B4 (en) | Increasing the high-temperature oxidation resistance of TiAl alloys and components made therefrom by Pl3 | |
DE102017205417A1 (en) | Process for forming a layer formed with polycrystalline or monocrystalline diamond | |
DE19833123A1 (en) | Adherent cubic boron nitride layer production, especially for iron alloy machining tools or optical components, comprises initially depositing an adhesion promoting boron nitride layer by pulsed laser deposition | |
EP2300631A1 (en) | Method for producing a transparent and conductive metal oxide layer by highly ionized pulsed magnetron sputtering | |
DE102004060670B4 (en) | Method and arrangement for producing high-temperature-resistant scratch-resistant coatings with low surface roughness |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120316 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |