DE102010009455B4 - Semiconductor laser device with a semiconductor laser chip and method for the production thereof - Google Patents

Semiconductor laser device with a semiconductor laser chip and method for the production thereof Download PDF

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Abstract

Halbleiterlaservorrichtung mit mindestens einem Halbleiterlaserchip (1), wobei der Halbleiterlaserchip (1)- eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert,- eine laterale Ausdehnung (B) von höchstens 100 µm aufweist,- auf einem Submount (2) angeordnet ist,- der Halbleiterlaserchip (1) in einer Ausnehmung (21) des Submounts (2) angeordnet ist, sodass die Ausnehmung (21) eine obere Stufe des Submounts (2) bildet,- der Submount (2) eine weitere, untere Stufe aufweist, sodass der Halbleiterlaserchip (1) über die obere Stufe herausragt und sodass eine Strahlungsauskoppelfacette (14) des Halbleiterlaserchips (1) freiliegend ist und sich in Draufsicht gesehen über der unteren Stufe befindet, wodurch im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) eine Abschattung von Laserlicht durch den Submount (2) vermieden ist, und- der Halbleiterlaserchip (1) die Ausnehmung (21) seitlich an nur einer Seite überragt.Semiconductor laser device with at least one semiconductor laser chip (1), wherein the semiconductor laser chip (1) - contains an active layer which emits electromagnetic radiation, - has a lateral extent (B) of at most 100 µm, - is arranged on a submount (2), - the semiconductor laser chip (1) is arranged in a recess (21) of the submount (2) so that the recess (21) forms an upper step of the submount (2), - the submount (2) has a further, lower step, so that the Semiconductor laser chip (1) protrudes over the upper step and so that a radiation decoupling facet (14) of the semiconductor laser chip (1) is exposed and is located above the lower step when the semiconductor laser chip (1) is in operation, as a result of which laser light is shadowed by the submount ( 2) is avoided, and the semiconductor laser chip (1) protrudes laterally beyond the recess (21) on only one side.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip, der eine aktive Schicht aufweist. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung.The present invention relates to a semiconductor laser device having a semiconductor laser chip having an active layer. The invention also relates to a method for producing such a semiconductor laser device.

Halbleiterlaservorrichtungen finden aufgrund ihrer Kompaktheit Anwendung in zahlreichen Applikationsbereichen, wie beispielsweise Datenspeicherung, Projektionsanwendungen, Drucktechnik und ähnliches. Insbesondere Halbleiterlaser basierend auf dem InGaN-Materialsystem bieten aufgrund ihrer erzeugten Strahlung im UV- bis Blau- beziehungsweise grünen Wellenlängenbereich vielfältige Einsatzmöglichkeiten.Due to their compactness, semiconductor laser devices are used in numerous application areas, such as data storage, projection applications, printing technology and the like. Semiconductor lasers based on the InGaN material system in particular offer a wide range of possible uses due to the radiation they generate in the UV to blue or green wavelength range.

Ein sehr hoher Anteil der Kosten derartiger Halbleiterlaservorrichtungen entsteht durch die hochpreisigen Substrate, die aufgrund ihrer niedrigen Defektdichte und erforderlichen, an die Halbleiterlaser gitterangepassten Struktur für eine hohe Lebensdauer vorteilhaft sind. Um die Herstellungskosten derartiger Vorrichtung niedrig zu halten, müssen aus einem Substrat möglichst viele Halbleiterlaserchips gewonnen werden. Dementgegen steht jedoch eine Mindestgröße der Kontaktbereiche der Halbleiterlaserchips, die zum Messen, Kontaktieren und Bonden der Chips notwendig sind.A very high proportion of the costs of such semiconductor laser devices arises from the high-priced substrates, which are advantageous for a long service life due to their low defect density and the required structure that is lattice-matched to the semiconductor laser. In order to keep the production costs of such a device low, as many semiconductor laser chips as possible must be obtained from one substrate. On the other hand, however, there is a minimum size of the contact areas of the semiconductor laser chips, which are necessary for measuring, contacting and bonding the chips.

Druckschrift DE 10 2007 030 129 A1 betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem LED-Chip in einem Verguss auf einem Submount, wobei Durchkontaktierungen durch den Submount hindurch verlaufen, sodass das Halbleiterbauteil oberflächenmontierbar ist. Der LED-Chip weist laterale Abmessungen von weniger als 100 µm auf.Pamphlet DE 10 2007 030 129 A1 relates to a semiconductor component with an LED chip in a potting on a submount, vias running through the submount so that the semiconductor component can be surface-mounted. The LED chip has lateral dimensions of less than 100 µm.

Die Druckschrift US 2007 / 0 165 686 A1 offenbart einen Halbleiterlaser, der eine Breite von 40 µm aufweist. Der Laser ist zum Teil in einer Ausnehmung auf einem Submount montiert.The pamphlet US 2007/0 165 686 A1 discloses a semiconductor laser having a width of 40 µm. The laser is partly mounted in a recess on a submount.

Die Druckschrift US 2009 / 0 180 505 A1 zeigt einen Laser auf Basis von GaN. Eine Breite des Lasers liegt bei 100 µm. Der Laser ist auf einem Submount angebracht.The pamphlet US 2009/0 180 505 A1 shows a laser based on GaN. The width of the laser is 100 µm. The laser is mounted on a submount.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Halbleiterlaservorrichtung anzugeben, die insbesondere kostengünstig herstellbar ist und gleichzeitig eine hohe Leistung aufweist. Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes, insbesondere kostengünstiges Herstellungsverfahren einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung anzugeben.The invention is based on the object of specifying an improved semiconductor laser device which, in particular, can be manufactured inexpensively and at the same time has a high output. Furthermore, the invention is based on the object of specifying an improved, in particular cost-effective production method for such a semiconductor laser device.

Diese Aufgaben werden unter anderem durch eine Halbleiterlaservorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zu dessen Herstellung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 7gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Halbleiterlaservorrichtung und des Verfahrens zu dessen Herstellung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These objects are achieved, inter alia, by a semiconductor laser device with the features of claim 1 and a method for its production with the features of claim 7. Advantageous developments of the semiconductor laser device and of the method for its production are the subject of the dependent claims.

Erfindungsgemäß ist eine Halbleiterlaservorrichtung vorgesehen, die mindestens einen Halbleiterlaserchip aufweist, der eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert, und eine laterale Ausdehnung von höchstens 100 µm aufweist. Der Halbleiterlaserchip ist auf einem Submount angeordnet.According to the invention, a semiconductor laser device is provided which has at least one semiconductor laser chip which contains an active layer which emits electromagnetic radiation and which has a lateral extent of at most 100 μm. The semiconductor laser chip is arranged on a submount.

Eine derartige Halbleiterlaservorrichtung weist demnach einen Halbleiterlaserchip auf, der eine geringe Chipbreite, beziehungsweise laterale Ausdehnung, von höchstens 100 µm aufweist. Aus einem Substrat können so aufgrund der geringen Chipbreite möglichst viele Halbleiterlaserchips gewonnen werden, wodurch vorteilhafterweise die Herstellungskosten derartiger Vorrichtungen niedrig gehalten werden können.Such a semiconductor laser device accordingly has a semiconductor laser chip which has a small chip width, or lateral extent, of at most 100 μm. Because of the small chip width, as many semiconductor laser chips as possible can thus be obtained from a substrate, as a result of which the production costs of such devices can advantageously be kept low.

Die laterale Ausdehnung des Halbleiterlaserchips ist insbesondere die Ausdehnung in Richtung quer zu einer Strahlrichtung der Laservorrichtung.The lateral extension of the semiconductor laser chip is in particular the extension in the direction transverse to a beam direction of the laser device.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist der Halbleiterlaserchip ein Substrat auf. Vorzugsweise dient das Substrat als Aufwachsubstrat für die Schichten des Halbleiterlaserchips. Besonders bevorzugt ist das Substrat ein Aufwachsubstrat für die Schichten des Halbleiterlaserchips.In a preferred configuration, the semiconductor laser chip has a substrate. The substrate preferably serves as a growth substrate for the layers of the semiconductor laser chip. The substrate is particularly preferably a growth substrate for the layers of the semiconductor laser chip.

Das Substrat umfasst vorzugsweise Galliumnitrid, Siliziumcarbid, Saphir, Silizium, Aluminiumnitrid und/oder Indiumnitrid.The substrate preferably comprises gallium nitride, silicon carbide, sapphire, silicon, aluminum nitride and / or indium nitride.

Vorzugsweise weist das Substrat des Halbleiterlaserchips eine laterale Ausdehnung von höchstens 100 µm auf. Die hochpreisige Substratfläche ist somit auf eine minimal notwendige Breite von höchstens 100 µm reduziert, wodurch sich die Materialkosten einer derartigen Laservorrichtung mit Vorteil minimieren.The substrate of the semiconductor laser chip preferably has a lateral extent of at most 100 μm. The high-priced substrate area is thus reduced to a minimum required width of at most 100 μm, which advantageously minimizes the material costs of such a laser device.

Bevorzugt weist der Submount Material auf, das sich durch eine höhere Wärmeleitfähigkeit auszeichnet als das Substrat.The submount preferably has material which is characterized by a higher thermal conductivity than the substrate.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Halbleiterlaserchip als Dünnfilm-Laserchip ausgebildet. Als Dünnfilm-Laserchip wird im Rahmen der Anmeldung ein Halbleiterlaserchip angesehen, während dessen Herstellung das Aufwachssubstrat, auf den eine Halbleiterschichtenfolge beispielsweise epitaktisch aufgewachsen wurde, vorzugsweise vollständig abgelöst ist.In a preferred embodiment, the semiconductor laser chip is designed as a thin-film laser chip. In the context of the application, a thin-film laser chip is regarded as a semiconductor laser chip, during the manufacture of which the growth substrate, on which a semiconductor layer sequence was grown, for example, epitaxially, is preferably completely detached.

Vorzugsweise weist der Halbleiterlaserchip eine laterale Ausdehnung von höchstens 60 µm, bevorzugt von höchstens 50 µm auf.The semiconductor laser chip preferably has a lateral extent of at most 60 μm, preferably of at most 50 μm.

Durch die Verwendung eines Substrats mit einer niedrigen Defektdichte und an die Schichten des Halbleiterlaserchips angepassten Gitterstruktur kann eine hohe Lebensdauer der Laserchips erzielt werden, wobei gleichzeitig die Chipkosten aufgrund der reduzierten lateralen Ausdehnung des Substrats reduziert sind.By using a substrate with a low defect density and a lattice structure adapted to the layers of the semiconductor laser chip, a long service life of the laser chips can be achieved, while at the same time the chip costs are reduced due to the reduced lateral extent of the substrate.

Durch die Anordnung des Halbleiterlaserchips auf dem Submount ist mit Vorteil trotz der reduzierten lateralen Ausdehnung ein problemloses Handling der Vorrichtung möglich. Beispielsweise kann die Halbleiterlaservorrichtung auf einem externen Träger angeordnet werden. Weiter ist es möglich, auf einem Submount eine Mehrzahl von Halbleiterlaserchips, die beispielsweise Strahlung in unterschiedlicher Farbe emittieren, zu integrieren.Due to the arrangement of the semiconductor laser chip on the submount, problem-free handling of the device is advantageously possible despite the reduced lateral extent. For example, the semiconductor laser device can be arranged on an external carrier. It is also possible to integrate a plurality of semiconductor laser chips, which, for example, emit radiation in different colors, on a submount.

Bevorzugt basiert der Halbleiterlaserchip auf dem Materialsystem InGaN, besonders bevorzugt auf InGaAlN. The semiconductor laser chip is preferably based on the InGaN material system, particularly preferably on InGaAlN.

Vorzugsweise ist der Laserchip geeignet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner 600 nm zu erzeugen. Bevorzugt ist der Laserchip geeignet, elektromagnetische Strahlung im grünen, blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu erzeugen.The laser chip is preferably suitable for generating electromagnetic radiation with a wavelength of less than 600 nm. The laser chip is preferably suitable for generating electromagnetic radiation in the green, blue or ultraviolet spectral range.

Der Halbleiterlaserchip ist ein Kantenemitter. Eine Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips ist an einer Seitenfläche des Chips angeordnet.The semiconductor laser chip is an edge emitter. A radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip is arranged on a side face of the chip.

Der Submount ist strukturiert ausgebildet. Somit weist der Submount zumindest eine Ausnehmung auf, welche den Halbleiterlaserchip teilweise aufnimmt.The submount is structured. The submount thus has at least one recess which partially accommodates the semiconductor laser chip.

Ein strukturierter Submount ist ein Submount, der eine Struktur aufweist, also die Ausnehmungen. Die Ausnehmungen sind dabei zur Aufnahme des Halbleiterlaserchips geeignet. Eine Aussparung des Submounts ist derart angeordnet, dass die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips über dieser Aussparung zu liegen kommt. Dadurch kann mit Vorteil im Betrieb eine Abschattung des von dem Halbleiterlaserchip emittierten Laserlichts durch den Submount vermieden werden.A structured submount is a submount that has a structure, that is to say the recesses. The recesses are suitable for receiving the semiconductor laser chip. A recess in the submount is arranged in such a way that the radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip comes to lie above this recess. As a result, shading of the laser light emitted by the semiconductor laser chip by the submount can advantageously be avoided during operation.

Der Submount ist stufenförmig ausgebildet. Somit weist der Submount einen Vorsprung auf, in den eine grabenförmige Ausnehmung angeordnet ist, die den Halbleiterlaserchip aufnimmt.The submount is stepped. The submount thus has a projection in which a trench-shaped recess is arranged which receives the semiconductor laser chip.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Submount ein wärmeleitfähiger Submount. Insbesondere weist der Submount eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. Beispielsweise ist der Submount ein SiC-Submount. Dadurch kann die im Betrieb entstandene Wärme des Laserchips über den Submount abtransportiert werden. Ein wärmeleitfähiger Submount ist insbesondere in Verbindung mit Dünnfilmlaserchips von Vorteil.In a preferred embodiment, the submount is a thermally conductive submount. In particular, the submount has a high thermal conductivity. For example, the submount is a SiC submount. As a result, the heat generated by the laser chip during operation can be transported away via the submount. A thermally conductive submount is particularly advantageous in connection with thin-film laser chips.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist der Submount ein Halbleitermaterial, ein Metall oder eine Keramik auf. Beispielsweise enthält der Submount zumindest eines der folgenden Materialien oder ist aus zumindest einem dieser Materialien gebildet: Saphir, SiC, AlN, Stahl oder CuW.In a further preferred embodiment, the submount has a semiconductor material, a metal or a ceramic. For example, the submount contains at least one of the following materials or is formed from at least one of these materials: sapphire, SiC, AlN, steel or CuW.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist eine erste elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips über einen ersten Kontaktbereich gebildet, der zwischen Halbleiterlaserchip und Submount angeordnet ist. Ist der Submount elektrisch isolierend ausgebildet, beispielsweise ein AlN- oder Saphir-Submount, ist der erste Kontaktbereich derart geführt, dass dieser von extern elektrisch anschließbar ist. Beispielsweise kann der erste Kontaktbereich mittels eines Durchbruchs durch den Submount auf die von dem Halbleiterlaserchip abgewandte Seite des Submounts geführt und dort elektrisch anschließbar sein. Alternativ kann der erste Kontaktbereich auf der dem Halbleiterlaserchip zugewandten Seite des Submounts zu einer Seitenfläche des Submounts geführt und dort elektrisch anschließbar sein.In a further preferred configuration, a first electrical contacting of the semiconductor laser chip is formed via a first contact area which is arranged between the semiconductor laser chip and the submount. If the submount is designed to be electrically insulating, for example an AlN or sapphire submount, the first contact area is guided in such a way that it can be electrically connected externally. For example, the first contact area can be guided by means of an opening through the submount to the side of the submount facing away from the semiconductor laser chip and can be electrically connected there. Alternatively, the first contact area on the side of the submount facing the semiconductor laser chip can be led to a side surface of the submount and can be electrically connected there.

Ist der Submount leitend ausgebildet, beispielsweise ein Si-, SiC- oder Metall-Submount, kann die elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips über den Submount und den ersten Kontaktbereich geführt sein.If the submount is designed to be conductive, for example an Si, SiC or metal submount, the electrical contacting of the semiconductor chip can be made via the submount and the first contact area.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist eine zweite elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips über einen zweiten Kontaktbereich gebildet, der auf der von dem Submount abgewandten Oberseite des Halbleiterchips angeordnet ist. Ist der Submount elektrisch isolierend, kann der zweite Kontaktbereich direkt auf eine Oberseite des Submounts geführt sein. Ist der Submount elektrisch leitend ausgebildet, ist vorzugsweise zwischen dem zweiten Kontaktbereich und dem Submount eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht angeordnet, um Kurzschlüsse zu vermeiden.In a further preferred configuration, a second electrical contacting of the semiconductor laser chip is formed via a second contact area which is arranged on the top side of the semiconductor chip facing away from the submount. If the submount is electrically insulating, the second contact area can be led directly to an upper side of the submount. If the submount is designed to be electrically conductive, an electrically insulating passivation layer is preferably arranged between the second contact area and the submount in order to avoid short circuits.

Der Submount weist zumindest eine Ausnehmung auf, welche den Halbleiterlaserchip teilweise aufnimmt, wobei der zweite Kontaktbereich von der Oberseite des Halbleiterlaserchips zu einem Bereich der Oberseite des Submounts geführt ist, der außerhalb der Ausnehmung angeordnet ist.The submount has at least one recess which partially accommodates the semiconductor laser chip, the second contact area being guided from the top of the semiconductor laser chip to an area of the top of the submount which is arranged outside the recess.

Der Submount weist vorzugsweise Seitenbereiche auf, die jeweils an Seitenflächen der Ausnehmung angrenzen, und die den Halbleiterlaserchip zumindest teilweise umgeben. Der zweite Kontaktbereich ist dabei vorzugsweise auf einen dieser Seitenbereiche geführt.The submount preferably has side regions which each adjoin side surfaces of the recess and which at least partially surround the semiconductor laser chip. The second contact area is preferably guided to one of these side areas.

Der zweite Kontaktbereich kann mittels eines Durchbruchs durch den Submount auf die von dem Halbleiterlaserchip abgewandte Seite des Submounts extern elektrisch anschließbar sein.The second contact area can be electrically connectable externally by means of an opening through the submount on the side of the submount facing away from the semiconductor laser chip.

Alternativ ist es möglich, dass die zweite elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips über einen zweiten Kontaktbereich gebildet ist, der zwischen Halbleiterlaserchip und Submount angeordnet ist. In diesem Fall ist der Halbleiterlaserchip ein so genannter Flip-Chip-Halbleiterlaserchip, der auf einer seiner Seiten beide Kontaktbereiche aufweist. Der erste und der zweite Kontaktbereich sind dabei voneinander isoliert angeordnet. Beispielsweise weisen der erste und zweite Kontaktbereich zueinander einen Abstand auf. Der erste und der zweite Kontaktbereich können in diesem Fall mittels Durchbrüche, die durch den Submount geführt sind, von der dem Laserchip abgewandten Seite des Submounts extern elektrisch kontaktierbar sein.Alternatively, it is possible for the second electrical contacting of the semiconductor laser chip to be formed via a second contact area which is arranged between the semiconductor laser chip and the submount. In this case, the semiconductor laser chip is a so-called flip-chip semiconductor laser chip, which has both contact areas on one of its sides. The first and the second contact area are arranged isolated from one another. For example, the first and second contact areas are spaced apart from one another. In this case, the first and second contact areas can be electrically contactable externally by means of openings that are guided through the submount, from the side of the submount facing away from the laser chip.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die laterale Ausdehnung des zweiten Kontaktbereichs größer als die laterale Ausdehnung des Halbleiterlaserchips. In diesem Fall ist vorzugsweise der zweite Kontaktbereich auf der von dem Submount abgewandten Oberseite des Halbleiterchips ausgebildet. Dadurch kann eine Mindestgröße des zweiten Kontaktbereichs ermöglicht werden, die zum Messen, Kontaktieren und Bonden des Halbleiterlaserchips notwendig ist, wobei gleichzeitig die laterale Ausdehnung des Halbleiterlaserchips möglichst gering gehalten ist.In a further preferred configuration, the lateral extent of the second contact area is greater than the lateral extent of the semiconductor laser chip. In this case, the second contact area is preferably formed on the top side of the semiconductor chip facing away from the submount. As a result, a minimum size of the second contact area can be made possible, which is necessary for measuring, contacting and bonding the semiconductor laser chip, the lateral extent of the semiconductor laser chip being kept as small as possible at the same time.

Beispielsweise ist eine Passivierungsschicht bereichsweise auf dem Submount und dem Halbleiterlaserchip angeordnet, auf der der zweite Kontaktbereich geführt ist. Beispielsweise weist die Passivierungsschicht eines der folgenden Materialien auf: PVD SiO2, ALD SiO2, BCB, Spin-on-Glass, AlOx, Nitride, Fluoride oder Oxide.For example, a passivation layer, on which the second contact area is guided, is arranged in areas on the submount and the semiconductor laser chip. For example, the passivation layer has one of the following materials: PVD SiO 2 , ALD SiO 2 , BCB, spin-on-glass, AlO x , nitrides, fluorides or oxides.

Die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips kann dabei mit der Passivierungsschicht überzogen sein, wobei in diesem Fall bevorzugt die Schichtdicke der Passivierungsschicht so gewählt ist, dass diese keine Auswirkung auf die Reflektivität der Laserfacette hat. Beispielsweise weist die Schichtdicke der Passivierungsschicht ein Vielfaches von λ/2/n auf. Alternativ kann die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlasers bei Aufbringen der Passivierungsschicht durch eine Lackmaske geschützt sein, sodass die Auskoppelfacette keine Beschichtung mit der Passivierungsschicht erfährt.The radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip can be coated with the passivation layer, in which case the layer thickness of the passivation layer is preferably selected so that it has no effect on the reflectivity of the laser facet. For example, the layer thickness of the passivation layer has a multiple of λ / 2 / n. Alternatively, the radiation decoupling facet of the semiconductor laser can be protected by a lacquer mask when the passivation layer is applied, so that the decoupling facet is not coated with the passivation layer.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterlaservorrichtung, die einen Halbleiterlaserchip umfasst, der eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert, und eine laterale Ausdehnung von höchstens 100 µm aufweist, umfasst die folgenden Verfahrensschritte:

  • - Befestigen des Halbleiterlaserchips auf einem Submount,
  • - elektrisches Kontaktieren des Halbleiterlaserchips, und
  • - Montieren des Submounts auf einem Träger.
A method according to the invention for producing a semiconductor laser device which comprises a semiconductor laser chip which contains an active layer which emits electromagnetic radiation and which has a lateral extent of at most 100 μm comprises the following method steps:
  • - mounting the semiconductor laser chip on a submount,
  • - electrical contacting of the semiconductor laser chip, and
  • - Mount the submount on a carrier.

Das Verfahren zeichnet sich vorteilhafterweise durch eine kostengünstige Herstellung aus. Da die laterale Ausdehnung des Chips auf höchstens 100 µm beschränkt ist, sind die Herstellungskosten und auch die Vorrichtungskosten minimiert.The method is advantageously distinguished by inexpensive production. Since the lateral extent of the chip is limited to a maximum of 100 μm, the manufacturing costs and also the device costs are minimized.

Der Submount wird strukturiert. Somit wird in dem Submount eine Ausnehmung ausgebildet, in der der Halbleiterlaserchip anschließend angeordnet wird. Dadurch kann der Halbleiterlaserchip mit Vorteil gezielt auf dem Submount ausgerichtet werden, wobei gleichzeitig ein geringer Höhenunterschied zwischen der Oberseite des Halbleiterlaserchips und der Oberseite des Submounts erzielt wird, sodass eine vereinfachte elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips ermöglicht wird.The submount is structured. Thus, a recess is formed in the submount, in which the semiconductor laser chip is then arranged. As a result, the semiconductor laser chip can advantageously be aligned in a targeted manner on the submount, with a slight difference in height between the top side of the semiconductor laser chip and the top side of the submount being achieved, so that simplified electrical contacting of the semiconductor laser chip is made possible.

Es wird eine Aussparung in dem Submount derart ausgebildet, dass die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips über dieser Aussparung angeordnet ist.A cutout is formed in the submount in such a way that the radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip is arranged above this cutout.

Die Ausnehmungen des Submounts werden beispielsweise als Graben ausgebildet.The recesses of the submount are designed as trenches, for example.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird in einem gemeinsamen Verfahren eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen hergestellt, wobei vorzugsweise eine Mehrzahl von Halbleiterlaserchips auf einem gemeinsamen Submount angeordnet wird. Beispielsweise weist der Submount eine Mehrzahl von Ausnehmungen auf, wobei in jeweils einer Ausnehmung ein Halbleiterlaserchip angeordnet wird. Anschließend an die Herstellung der Halbleiterlaservorrichtungen in dem gemeinsamen Verfahren können die Halbleiterlaservorrichtungen aus dem Verbund heraus vereinzelt werden. Je nach Anwendung können alternativ eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen aus dem Verbund herausgelöst werden.In a further preferred embodiment, a plurality of semiconductor laser devices are produced in a common method, a plurality of semiconductor laser chips preferably being arranged on a common submount. For example, the submount has a plurality of recesses, a semiconductor laser chip being arranged in each recess. Subsequent to the production of the semiconductor laser devices in the common method, the semiconductor laser devices can be separated from the composite. Depending on the application, a plurality of semiconductor laser devices can alternatively be detached from the composite.

Bei der Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen in einem gemeinsamen Verfahren, also in einem Verbund, werden beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat epitaktisch aufgewachsen, wobei anschließend mittels eines Mesa-Ätzverfahrens eine Mehrzahl von Halbleiterlaserchips hergestellt werden, die über das Aufwachssubstrat weiter mechanisch miteinander verbunden sind. Weiter wird ein Submount bereitgestellt. Mittels eines Laserliftoffverfahrens können anschließend eine Mehrzahl von Halbleiterlasern auf den Submount übertragen werden. Dabei kann je nach gewünschter Anwendung ein selektives Übertragen der Halbleiterlaserchips auf den Submount oder ein gleichzeitiges Übertragen aller Halbleiterlaserchips auf den Submount stattfinden.When producing a plurality of semiconductor laser devices in a common process, that is to say in a composite For example, a semiconductor layer sequence is epitaxially grown on a growth substrate, a plurality of semiconductor laser chips then being produced by means of a mesa etching process, which are further mechanically connected to one another via the growth substrate. A submount is also provided. A plurality of semiconductor lasers can then be transferred to the submount by means of a laser lift-off process. Depending on the desired application, a selective transfer of the semiconductor laser chips to the submount or a simultaneous transfer of all semiconductor laser chips to the submount can take place.

Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten der Halbleiterlaservorrichtung und des Verfahrens zu dessen Herstellung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 12 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:

  • 1 einen schematischen Querschnitt eines Halbleiterlaserchips für eine erfindungsgemäße Halbleiterlaservorrichtung,
  • 2 Verfahrensschritte zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung gemäß eines Ausführungsbeispiels,
  • 6, 7, 10, 12 Verfahrensschritte zur Herstellung von nicht erfindungsgemäßen Abwandlungen von Halbleiterlaservorrichtung,
  • 3 bis 5 Kontaktierungsverfahrensschritte zur Herstellung jeweils einer erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung gemäß weiterer Ausführungsbeispiele, und
  • 8, 9, 11 Kontaktierungsverfahrensschritte zur Herstellung jeweils einer nicht erfindungsgemäßen Abwandlung einer Halbleiterlaservorrichtung.
Further features, advantages, preferred configurations and expediencies of the semiconductor laser device and of the method for its production emerge from the following in connection with FIG 1 to 12th illustrated embodiments. Show it:
  • 1 a schematic cross section of a semiconductor laser chip for a semiconductor laser device according to the invention,
  • 2 Method steps for producing a semiconductor laser device according to the invention in accordance with an exemplary embodiment,
  • 6th , 7th , 10 , 12th Method steps for the production of modifications of semiconductor laser devices not according to the invention,
  • 3 to 5 Contacting method steps for the production of a semiconductor laser device according to the invention in accordance with further exemplary embodiments, and
  • 8th , 9 , 11 Contacting method steps for the production of a respective non-inventive modification of a semiconductor laser device.

Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.Identical or identically acting components are each provided with the same reference symbols. The components shown and the proportions of the components to one another are not to be regarded as true to scale.

In 1 ist ein schematischer Querschnitt eines Halbleiterlaserchips 1 dargestellt, der ein Substrat 10 und einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel 11 mit einer aktiven, strahlungserzeugenden Schicht aufweist. Die aktive Schicht des Halbleiterlaserchips ist vorzugsweise geeignet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlängen kleiner 600 nm zu erzeugen. Bevorzugt ist die aktive Schicht des Chips geeignet elektromagnetische Strahlung im grünen, blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu erzeugen.In 1 Fig. 3 is a schematic cross section of a semiconductor laser chip 1 shown of a substrate 10 and an epitaxial semiconductor layer stack 11 with an active, radiation-generating layer. The active layer of the semiconductor laser chip is preferably suitable for generating electromagnetic radiation with a wavelength of less than 600 nm. The active layer of the chip is preferably suitable for generating electromagnetic radiation in the green, blue or ultraviolet spectral range.

Der Halbleiterlaserchip 1 ist ein Kantenemitter. Eine Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips ist somit an einer Seitenfläche des Chips angeordnet. In 1 führt die Ausdehnung des von dem Chip erzeugten Laserstrahls beispielsweise in die Zeichenebene hinein.The semiconductor laser chip 1 is an edge emitter. A radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip is thus arranged on a side face of the chip. In 1 guides the expansion of the laser beam generated by the chip into the plane of the drawing, for example.

Die laterale Ausdehnung des Halbleiterlaserchip 1 beträgt höchstens 100 µm, vorzugsweise höchstens 60 µm, besonders bevorzugt höchstens 50 µm.The lateral extension of the semiconductor laser chip 1 is at most 100 μm, preferably at most 60 μm, particularly preferably at most 50 μm.

Das Substrat 10 ist beispielweise ein GaN-Substrat, wobei die laterale Ausdehnung B des Substrats höchstens 100 µm aufweist. Die laterale Ausdehnung des Substrats 10 ist insbesondere die Ausdehnung des Substrats 10 in Richtung quer zur Strahlrichtung des Halbleiterlaserchips.The substrate 10 is, for example, a GaN substrate, the lateral extent B of the substrate being at most 100 μm. The lateral extent of the substrate 10 is in particular the extent of the substrate 10 in the direction transverse to the beam direction of the semiconductor laser chip.

Vorzugsweise weist das Substrat eine laterale Ausdehnung B von höchstens 50 µm auf. Beispielsweise beträgt die laterale Ausdehnung, also die Breite des Halbleiterchips, 50 µm. Die Höhe H des Substrats weist beispielsweise 100 µm auf.The substrate preferably has a lateral extent B of at most 50 μm. For example, the lateral extent, that is to say the width of the semiconductor chip, is 50 μm. The height H of the substrate is 100 μm, for example.

Auf dem Substrat ist ein epitaktischer Halbleiterschichtenstapel 11 angeordnet, der beispielsweise als Breitstreifenlaser ausgebildet ist. Die Laserstruktur ist dabei beispielsweise so geätzt, dass dabei oberseitig ein Streifen ausgebildet ist.An epitaxial semiconductor layer stack is on the substrate 11 arranged, which is designed for example as a broad strip laser. The laser structure is etched, for example, in such a way that a stripe is formed on the top.

Die Laserstruktur ist beispielsweise mittels einer Passivierungsschicht 13 umschlossen. Die Passivierungsschicht ist vorzugsweise elektrisch isolierend ausgebildet. Beispielsweise enthält die Passivierungsschicht eine der folgenden Materialien: PVD SiO2, ALD SiO2, BCB, Spin-on-Glass, AlOx, Nitride, Fluoride und/oder Oxide.The laser structure is for example by means of a passivation layer 13th enclosed. The passivation layer is preferably designed to be electrically insulating. For example, the passivation layer contains one of the following materials: PVD SiO 2 , ALD SiO 2 , BCB, spin-on-glass, AlOx, nitrides, fluorides and / or oxides.

Auf der von dem Substrat 10 abgewandten Seite der Halbleiterlaserstruktur 11 ist ein erster Kontaktbereich 12a angeordnet, über den der Halbleiterlaserchip elektrisch kontaktierbar ist. Ein zweiter Kontaktbereich ist vorzugsweise auf der von dem Halbleiterlaserchip 11 abgewandten Seite des Substrats angeordnet (nicht dargestellt), so dass der Halbleiterlaserchip von extern kontaktierbar ist.On the from the substrate 10 remote side of the semiconductor laser structure 11 is a first contact area 12a arranged, via which the semiconductor laser chip can be electrically contacted. A second contact area is preferably on that of the semiconductor laser chip 11 arranged away from the side of the substrate (not shown), so that the semiconductor laser chip can be contacted from outside.

Dadurch, dass der Halbleiterlaserchip 1 ein GaN-Substrat 10 aufweist, das sich durch eine geringe laterale Ausdehnung von höchstens 100 µm auszeichnet, kann ein kostengünstiger Halbleiterlaserchip erzielt werden. Insbesondere kann ein Halbleiterlaserchip erzielt werden, der sich durch niedrige Herstellungskosten bei einer hohen Leistung auszeichnet, da die notwendige laterale Ausdehnung des hochpreisigen GaN-Substrats auf ein Minimum von unter 100 µm reduziert ist. Die optimale Leistung des Halbleiterlaserchips kann durch einen Submount erzielt werden (nicht dargestellt), auf dem der Halbleiterlaserchip angeordnet ist.In that the semiconductor laser chip 1 a GaN substrate 10 has, which is characterized by a small lateral extent of at most 100 microns, an inexpensive semiconductor laser chip can be achieved. In particular, a semiconductor laser chip can be achieved which is characterized by low production costs and high output, since the necessary lateral extension of the expensive GaN substrate is reduced to a minimum of less than 100 μm. The optimum performance of the semiconductor laser chip can be achieved by a submount (not shown) on which the semiconductor laser chip is arranged.

In den 2A und 2B ist jeweils eine derartige Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und einem Submount 2 dargestellt. 2A zeigt insbesondere die Montage des Halbleiterlaserchips 1 auf einem Submount 2 einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung. Zur einfachen Montage des Halbleiterlaserchips ist in dem Submount 2 eine beispielsweise grabenförmige Ausnehmung 21 ausgebildet, in die der Halbleiterlaserchip 1 angeordnet wird. Die Ausnehmung 21 des Submounts 2 nimmt den Halbleiterlaserchip 1 teilweise auf. Beispielsweise ist die Ausnehmung 21 ein Graben, der eine größere Breite und eine größere Länge als der Halbleiterlaserchip 1 aufweist, so dass die Grundfläche der Ausnehmung größer ist als die Grundfläche des Halbleiterlaserchips, wodurch der Halbleiterlaserchip in der Ausnehmung angeordnet werden kann.In the 2A and 2 B is in each case such a semiconductor laser device with a semiconductor laser chip according to the embodiment of FIG 1 and a submount 2 shown. 2A particularly shows the assembly of the semiconductor laser chip 1 on a submount 2 such a semiconductor laser device. For easy assembly of the semiconductor laser chip is in the submount 2 for example a trench-shaped recess 21 formed into which the semiconductor laser chip 1 is arranged. The recess 21 of the submount 2 takes the semiconductor laser chip 1 partially up. For example, the recess 21 a trench that has a greater width and a greater length than the semiconductor laser chip 1 has, so that the base area of the recess is larger than the base area of the semiconductor laser chip, whereby the semiconductor laser chip can be arranged in the recess.

Der Submount 2 weist in dem Ausführungsbeispiel der 2A eine stufenförmige Anordnung an. Somit weist der Submount zwei Ebenen auf, wobei auf der oberen Ebene der Halbleiterlaserchip montiert wird.The submount 2 has in the embodiment of 2A a stepped arrangement. The submount thus has two levels, with the semiconductor laser chip being mounted on the upper level.

In 2B ist eine Halbleiterlaservorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2A dargestellt, bei der der Halbleiterlaserchip 1 in der Ausnehmung 21 des Submounts 2 angeordnet ist. Der Halbleiterlaserchip 1 ist derart auf dem Submount angeordnet, dass eine Strahlungsauskoppelfacette 14 des Halbleiterlaserchips über einer Aussparung 22 des Submounts 2 angeordnet ist. Bei einem stufenförmigen Aufbau des Submounts, wie es in 2B der Fall ist, ragt demnach der Halbleiterlaserchip 1 über eine obere Stufe heraus, so dass die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips freiliegend ist. Dadurch wird im Betrieb des Halbleiterlaserchips eine Abschattung des Laserlichts durch den Submount 2 vermieden.In 2 B FIG. 13 is a semiconductor laser device according to the embodiment of FIG 2A shown in which the semiconductor laser chip 1 in the recess 21 of the submount 2 is arranged. The semiconductor laser chip 1 is arranged on the submount in such a way that a radiation decoupling facet 14th of the semiconductor laser chip over a recess 22nd of the submount 2 is arranged. In the case of a stepped structure of the submount, as shown in 2 B is the case, the semiconductor laser chip protrudes 1 through an upper step, so that the radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip is exposed. As a result, the laser light is shaded by the submount when the semiconductor laser chip is in operation 2 avoided.

Der Submount 2 weist mittels der Ausnehmung 21 und der Aussparung 22 eine Strukturierung auf. Vorzugsweise ist der Submount 2 ein wärmeleitfähiger Submount, so dass die im Betrieb des Halbleiterlaserchips erzeugte Wärme über den Submount 2 nach extern abgeführt werden kann. Vorzugsweise weist der Submount ein Halbleitermaterial, ein Metall oder eine Keramik auf. Beispielsweise weist der Submount eines der folgenden Materialien auf: Saphir, SiC, AlN, Stahl, CoW.The submount 2 points by means of the recess 21 and the recess 22nd a structuring on. Preferably the submount is 2 a thermally conductive submount, so that the heat generated during operation of the semiconductor laser chip via the submount 2 can be discharged externally. The submount preferably has a semiconductor material, a metal or a ceramic. For example, the submount has one of the following materials: sapphire, SiC, AlN, steel, CoW.

Vorzugsweise ist eine erste elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips 1 über einen ersten Kontaktbereich gebildet (nicht dargestellt), der zwischen Halbleiterlaserchip 1 und Submount 2 angeordnet ist. In diesem Fall ist der erste Kontaktbereich des Halbleiterlaserchips demnach in der Ausnehmung des Submounts angeordnet. Eine zweite elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips ist vorzugsweise über einen zweiten Kontaktbereich gebildet, der bevorzugt auf der von dem Submount 2 abgewandten Oberseite 15 des Halbleiterlaserchips angeordnet ist.A first electrical contacting of the semiconductor laser chip is preferred 1 Formed via a first contact area (not shown) between the semiconductor laser chip 1 and submount 2 is arranged. In this case, the first contact area of the semiconductor laser chip is accordingly arranged in the recess of the submount. A second electrical contacting of the semiconductor laser chip is preferably formed via a second contact area, which is preferably on that of the submount 2 facing away from the top 15th of the semiconductor laser chip is arranged.

Beispiele zur Herstellung einer möglichen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlaserchips sind in den 3A bis 3G dargestellt.Examples for the production of a possible electrical contacting of the semiconductor laser chip are in the 3A to 3G shown.

In 3A ist der Halbleiterlaserchip 1 in der Ausnehmung 21 des Submounts 2 angeordnet, wobei zwischen Halbleiterlaserchip 1 und Submount 2 der erste Kontaktbereich 12a angeordnet ist. Während eines Lötvorganges zum Auflöten des Halbleiterlaserchip 1 auf dem Submount 2 wird der Halbleiterlaserchip 1 mittels einer Druckfolie 6 mechanisch mit dem Submount 2 verbunden. Anschließend wird die Druckfolie 6 entfernt.In 3A is the semiconductor laser chip 1 in the recess 21 of the submount 2 arranged, with between semiconductor laser chip 1 and submount 2 the first contact area 12a is arranged. During a soldering process for soldering the semiconductor laser chip 1 on the submount 2 becomes the semiconductor laser chip 1 by means of a printing film 6th mechanically with the submount 2 connected. Then the printing film 6th away.

Nach dem mechanischen Verbinden wird ein Photolack 3 auf die Oberseite 15 des Halbleiterlaserchips 1 und auf die Oberseite 23 des Submounts 2 aufgebracht, wie in 3B dargestellt.After mechanical bonding, a photoresist is created 3 on top 15th of the semiconductor laser chip 1 and on top 23 of the submount 2 upset, as in 3B shown.

Mittels eines lithographischen Verfahrens wird der Photolack derart strukturiert, dass ein Kontaktfenster über einem zur elektrischen Kontaktierung vorgesehenen Bereich des Halbleiterlaserchips ausgebildet wird. Weiter wird mittels des lithographischen Verfahrens ein Kontaktfenster auf der Oberseite 23 des Submounts ausgebildet, wie in 3C dargestellt.The photoresist is structured by means of a lithographic method in such a way that a contact window is formed over a region of the semiconductor laser chip provided for electrical contacting. A contact window is also created on the upper side by means of the lithographic process 23 of the submount, as in 3C shown.

Anschließend wird zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlaserchips ein zweiter Kontaktbereich 12b auf dem Photolack 3 ausgebildet. Insbesondere wird der zweite Kontaktbereich 12b derart ausgebildet, dass dieser von dem Kontaktfenster, das über dem Bereich des Halbleiterchips angeordnet ist, zu dem Kontaktfenster auf der Oberseite des Submounts führt. Insbesondere führt so der zweite Kontaktbereich von der Oberseite des Halbleiterchips zu einem Bereich der Oberseite des Submounts, der außerhalb der Ausnehmung des Submounts 2 angeordnet ist, wie in 3D dargestellt. Vorzugsweise ist der zweite Kontaktbereich 12b eine Metallschicht, die mittels eines galvanischen Abscheideverfahrens hergestellt wird.A second contact area is then used to make electrical contact with the semiconductor laser chip 12b on the photoresist 3 educated. In particular, the second contact area 12b designed in such a way that it leads from the contact window, which is arranged above the area of the semiconductor chip, to the contact window on the top of the submount. In particular, the second contact area leads from the top of the semiconductor chip to an area of the top of the submount that is outside the recess of the submount 2 is arranged as in 3D shown. The second contact area is preferably 12b a metal layer that is produced by means of an electrodeposition process.

Dadurch, dass der zweite Kontaktbereich zu dem Bereich des Submounts führt, der außerhalb der Ausnehmung angeordnet ist, entsteht nur ein geringer Höhenunterschied zwischen dem Kontaktierbereich des Halbleiterlaserchips und dem Kontaktierbereich des Submounts, wodurch ein vereinfachtes Kontaktierungsverfahren ermöglicht wird.Because the second contact area leads to the area of the submount that is arranged outside the recess, there is only a slight difference in height between the contacting area of the semiconductor laser chip and the contacting area of the submount, which enables a simplified contacting method.

Anschließend wird, wie in 3e dargestellt, der Photolack entfernt. In dem Ausführungsbeispiel der 3e ist der Submount 2 elektrisch isolierend ausgebildet.Then, as in 3e shown, the photoresist removed. In the embodiment the 3e is the submount 2 designed to be electrically insulating.

Ist dagegen der Submount 2 elektrisch leitend ausgebildet, ist zwischen dem Submount 2 und dem zweiten Kontaktbereich 12b eine elektrisch isolierende Schicht 4 angeordnet, wie in 3f dargestellt.On the other hand, is the submount 2 designed to be electrically conductive, is between the submount 2 and the second contact area 12b an electrically insulating layer 4th arranged as in 3f shown.

Das Ausführungsbeispiel der 3g unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der 3e dadurch, dass der Halbleiterlaserchip 1 nicht in einem Graben in dem Submount angeordnet ist, sondern auf einem Vorsprung des Submounts. Der Submount weist demnach auf einer Seite des Halbleiterlaserchips eine Erhöhung auf, die zur Erleichterung der elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlaserchips dient.The embodiment of the 3g differs from the embodiment of FIG 3e in that the semiconductor laser chip 1 is not arranged in a trench in the submount, but on a projection of the submount. The submount accordingly has an elevation on one side of the semiconductor laser chip, which serves to facilitate the electrical contacting of the semiconductor laser chip.

In den 4 und 5 sind weitere Ausführungsbeispiele zu möglichen elektrischen Kontaktierungen des Halbleiterchips einer Halbleiterlaservorrichtung dargestellt. Das Ausführungsbeispiel der 4a unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der 3d dadurch, dass an Stelle des Photolacks eine Passivierungsschicht 13 auf dem Halbleiterlaserchip und der Oberseite des Submounts angeordnet wird. Insbesondere ist der Halbleiterlaserchip von der Passivierungsschicht vollständig umschlossen.In the 4th and 5 further exemplary embodiments of possible electrical contacting of the semiconductor chip of a semiconductor laser device are shown. The embodiment of the 4a differs from the embodiment of FIG 3d in that instead of the photoresist, a passivation layer 13th is arranged on the semiconductor laser chip and the top of the submount. In particular, the semiconductor laser chip is completely enclosed by the passivation layer.

Wie in dem Ausführungsbeispiel zu 3c wird in dem Ausführungsbeispiel der 4b ein Kontaktfenster über einem vorgesehenen Kontaktierbereich des Halbleiterlaserchips geöffnet. In diesem Bereich wird somit die Passivierungsschicht 13 entfernt.As in the embodiment too 3c is in the embodiment of 4b a contact window is opened over an intended contact area of the semiconductor laser chip. The passivation layer is therefore in this area 13th away.

Anschließend wird der zweite Kontaktbereich 12b auf die Passivierungsschicht aufgebracht. Der zweite Kontaktbereich 12b ist somit auf der Passivierungsschicht 13 geführt. Der zweite Kontaktbereich 12b ist insbesondere durch das Kontaktfenster zum Kontaktierbereich des Halbleiterlaserchips geführt.Then the second contact area 12b applied to the passivation layer. The second contact area 12b is thus on the passivation layer 13th guided. The second contact area 12b is led in particular through the contact window to the contact area of the semiconductor laser chip.

Vorzugsweise ist die laterale Ausdehnung des zweiten Kontaktbereichs 12b größer als die laterale Ausdehnung des Halbleiterchips 1. Das ermöglicht trotz eines Halbleiterlaserchips mit geringer Breite eine Mindestgröße des zweiten Kontaktbereichs 12b, die zum Messen, Kontaktieren und Bonden des Halbleiterchips notwendig ist. Dadurch kann mit Vorteil eine kostengünstige Vorrichtung erzielt werden, die gleichzeitig im Betrieb eine optimale Leistung liefert.The lateral extent of the second contact area is preferably 12b larger than the lateral extent of the semiconductor chip 1 . Despite a semiconductor laser chip with a small width, this enables a minimum size of the second contact area 12b that is necessary for measuring, contacting and bonding the semiconductor chip. This advantageously makes it possible to achieve an inexpensive device which at the same time delivers optimum performance during operation.

In 5 ist eine weitere Kontaktiertechnik des Halbleiterlaserchips in einer Vorrichtung dargestellt. Die elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 1 wird über Durchbrüche ermöglicht, die durch den Submount 2 geführt sind. Insbesondere ist sowohl der erste Kontaktbereich mittels eines Durchbruchs mit einer Kontaktfläche, die sich auf der von dem Halbleiterlaserchip abgewandten Seite des Submounts befindet, verbunden und so elektrisch kontaktierbar. Der zweite Kontaktbereich 12b, die auf die Oberseite des Submounts geführt ist, kann mittels eines weiteren Durchbruchs durch den Submount zu einer weiteren Kontaktfläche, die ebenfalls auf der von dem Halbleiterlaserchip abgewandten Seite des Submounts angeordnet ist, geführt sein.In 5 a further contacting technique of the semiconductor laser chip is shown in a device. The electrical contacting of the semiconductor chip 1 is made possible by openings through the submount 2 are led. In particular, both the first contact area is connected by means of an opening to a contact area which is located on the side of the submount facing away from the semiconductor laser chip and can thus be electrically contacted. The second contact area 12b , which is guided to the top of the submount, can be guided by means of a further opening through the submount to a further contact area, which is also arranged on the side of the submount facing away from the semiconductor laser chip.

Ist der Submount aus einem elektrisch leitenden Material, sind die elektrischen Leitungen in den Durchbrüchen elektrisch isolierend geführt. Zudem sind die Kontaktflächen und die Kontaktbereiche vom Submount elektrisch isoliert.If the submount is made of an electrically conductive material, the electrical lines are routed in an electrically insulating manner in the openings. In addition, the contact surfaces and the contact areas are electrically isolated from the submount.

Ist der Submount aus einem elektrisch isolierenden Material, können die elektrischen Leitungen in den Durchbrüchen zumindest teilweise elektrisch isolierend geführt sein. Zudem können die Kontaktflächen und die Kontaktbereiche vom Submount zumindest teilweise elektrisch isoliert sein.If the submount is made of an electrically insulating material, the electrical lines can be guided in the openings in an at least partially electrically insulating manner. In addition, the contact areas and the contact areas can be at least partially electrically isolated from the submount.

Alternativ zu den Kontaktierungsmöglichkeiten des Halbleiterlaserchips in der Halbleiterlaservorrichtung der Ausführungsbeispiele 3 bis 5 kann der Halbleiterlaserchip als Flipchip ausgebildet sein, wobei der erste und der zweite Kontaktbereich in diesem Fall zwischen Halbleiterlaserchip und Submount angeordnet sind (nicht dargestellt).As an alternative to the contacting possibilities of the semiconductor laser chip in the semiconductor laser device of the exemplary embodiments 3 to 5 For example, the semiconductor laser chip can be designed as a flip chip, the first and second contact areas in this case being arranged between the semiconductor laser chip and the submount (not shown).

In den 6A bis 6F sind Verfahrensschritte zur Herstellung einer Abwandlung einer Halbleiterlaservorrichtung dargestellt, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen in einem gemeinsamen Verfahren, also in einem gemeinsamen Verbund, hergestellt werden.In the 6A to 6F Process steps for producing a modification of a semiconductor laser device are shown, in which a plurality of semiconductor laser devices are produced in a common process, that is to say in a common composite.

6A zeigt ein Aufwachssubstrat 5, auf dem Halbleiterschichten 11 vorzugsweise epitaktisch abgeschieden sind. Die Halbleiterlaserschichten werden anschließend mittels beispielsweise eines Mesa-Ätzprozesses derart strukturiert, dass eine Mehrzahl von Halbleiterlaserchips entsteht, wie in 6B dargestellt. Auf die Halbleiterlaserchips 1 werden jeweils eine Passivierungsschicht 13 und ein zweiter Kontaktbereich 12b angeordnet. Die Halbleiterlaserchips der 6B entsprechen im Wesentlichen dem Halbleiterlaserchip aus 1. 6A shows a growth substrate 5 , on the semiconductor layers 11 are preferably deposited epitaxially. The semiconductor laser layers are then structured by means of a mesa etching process, for example, in such a way that a plurality of semiconductor laser chips is produced, as in FIG 6B shown. On the semiconductor laser chips 1 each have a passivation layer 13th and a second contact area 12b arranged. The semiconductor laser chips of the 6B essentially correspond to the semiconductor laser chip 1 .

Des Weiteren wird ein strukturierter Submount 2 bereitgestellt, wie in 6C gezeigt, der auf der Oberseite 23 Leiterbahnen 20 aufweist. Die Leiterbahnen 20 sind derart auf der Oberseite 23 angeordnet, dass die Abstände der Leiterbahnen zueinander den vorgesehenen Anordnungen der Halbleiterlaserchips auf dem Submount entsprechen.Furthermore, a structured submount 2 provided as in 6C shown the one on the top 23 Conductor tracks 20th having. The conductor tracks 20th are like that on the top 23 arranged so that the distances between the conductor tracks correspond to the intended arrangements of the semiconductor laser chips on the submount.

Der Submount wird anschließend, wie in 6D dargestellt, derart auf den Halbleiterlaserchips angeordnet, dass jeweils eine Leiterbahn mit einem zweiten Kontaktbereich eines Halbleiterlaserchips in Kontakt gebracht wird. In 6D ist nicht zu jedem Halbleiterlaserchip eine Leiterbahn vorgesehen, so dass ein Übertragen der Halbleiterchips auf den Subträger lediglich für einen Teil der hergestellten Halbleiterlaserchips vorgesehen ist.The submount is then, as in 6D shown so on the Arranged semiconductor laser chips that in each case a conductor track is brought into contact with a second contact area of a semiconductor laser chip. In 6D a conductor track is not provided for each semiconductor laser chip, so that a transfer of the semiconductor chips to the subcarrier is only provided for some of the semiconductor laser chips produced.

Wie in 6E dargestellt wird anschließend mittels eines lokal wirkenden Laser-lift-off-Verfahrens die für die Übertragung vorgesehenen Halbleiterlaserchips von dem Aufwachssubstrat gelöst. Die weiteren Halbleiterlaserchips bleiben mit dem Aufwachssubstrat weiter mechanisch verbunden.As in 6E the semiconductor laser chips provided for the transfer are then detached from the growth substrate by means of a locally acting laser lift-off method. The further semiconductor laser chips remain mechanically connected to the growth substrate.

Wie in 6F dargestellt können anschließend das Aufwachssubstrat 5 mit den restlichen Halbleiterlaserchips und der Submount 2 mit den übertragenen Halbleiterlaserchips voneinander getrennt werden.As in 6F the growth substrate can then be shown 5 with the remaining semiconductor laser chips and the submount 2 are separated from each other with the transferred semiconductor laser chips.

In einem oder mehreren anschließenden weiteren Laser-lift-off-Verfahrens können die restlichen Halbleiterlaserchips, die bei dem ersten Verfahren auf dem Aufwachssubstrat 5 verblieben sind, von dem Aufwachssubstrat gelöst werden.In one or more subsequent further laser lift-off processes, the remaining semiconductor laser chips that were placed on the growth substrate in the first process can be used 5 have remained, are detached from the growth substrate.

Bevorzugt können so Halbleiterlaserchips auf den Submount übertragen werden, die als Dünnfilm-Halbleiterlaserchip ausgebildet sind. Dadurch kann mit Vorteil das Aufwachssubstrat, beispielsweise ein GaN-Substrat, in einem weiteren Herstellungsverfahren für weitere Halbleiterlaservorrichtungen wiederverwendet werden, nachdem alle Chips vom Aufwachssubstrat abgenommen sind.In this way, semiconductor laser chips which are designed as thin-film semiconductor laser chips can preferably be transferred to the submount. As a result, the growth substrate, for example a GaN substrate, can advantageously be reused in a further production method for further semiconductor laser devices after all the chips have been removed from the growth substrate.

In den 7A bis 7E sind weitere Verfahrensschritte zur Herstellung einer Abwandlung einer Halbleiterlaservorrichtung dargestellt. Der Schritt der 7A schließt beispielsweise an den Verfahrensschritt der 6F an.In the 7A to 7E further method steps for producing a modification of a semiconductor laser device are shown. The step of 7A includes, for example, the process step of 6F at.

Nach Übertragen der Halbleiterlaserchips auf den Submount kann die Oberseite des Submounts und die Halbleiterlaserchips mittels einer Passivierungsschicht 13 umschlossen werden. Dabei kann die Passivierungsschicht derart aufgebracht werden, dass die Strahlungsauskoppelfacetten des Halbleiterlaserchips frei von Passivierungsmaterial bleiben. Beispielsweise ragen die Strahlungsauskoppelfacetten der Halbleiterlaserchips über eine Aussparung 22 des Submounts 2 heraus, so dass diese frei von Passivierungsschicht sind.After the semiconductor laser chips have been transferred to the submount, the top side of the submount and the semiconductor laser chips can by means of a passivation layer 13th be enclosed. The passivation layer can be applied in such a way that the radiation decoupling facets of the semiconductor laser chip remain free of passivation material. For example, the radiation decoupling facets of the semiconductor laser chips protrude over a cutout 22nd of the submount 2 so that they are free of a passivation layer.

Wie in 7B dargestellt wird anschließend jeweils ein Kontaktfenster über den Halbleiterlaserchips in der Passivierungsschicht erzeugt. Bevorzugt ist das Kontaktfenster in der Passivierungsschicht abgestimmt auf die Größe des jeweiligen Halbleiterchips.As in 7B a contact window is then produced in each case over the semiconductor laser chips in the passivation layer. The contact window in the passivation layer is preferably matched to the size of the respective semiconductor chip.

Wie in 7C dargestellt, wird anschließend jeweils ein zweiter Kontaktbereich 12b auf die Passivierungsschicht 13 aufgebracht. Mittels des Kontaktfenster in der Passivierungsschicht 13 können die Halbleiterlaserchips so von extern kontaktiert werden.As in 7C a second contact area is then shown 12b on the passivation layer 13th upset. By means of the contact window in the passivation layer 13th the semiconductor laser chips can thus be contacted externally.

Anschließend kann, wie in 7D dargestellt, der Verbund aus Halbleiterlaservorrichtungen vereinzelt werden. Die Vereinzelung kann dabei je nach gewünschter Anforderung durchgeführt werden. In 7D ist eine einzelne Halbleitervorrichtung aus dem Verbund gelöst.Then, as in 7D shown, the composite of semiconductor laser devices are isolated. The separation can be carried out depending on the desired requirement. In 7D a single semiconductor device is detached from the composite.

7E zeigt eine fertige Halbleiterlaservorrichtung, die entsprechend ihrer vorgesehenen Anwendung eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen aufweist. Bevorzugt weist die Halbleiterlaservorrichtung drei Halbleiterlaserchips auf, die jeweils Strahlung in einem anderen Wellenlängenbereich emittieren. Beispielsweise emittiert der erste Halbleiterlaserchip Strahlung im roten Wellenlängenbereich, der zweite Halbleiterlaserchip Strahlung im grünen Wellenlängenbereich und der dritte Halbleiterlaserchip Strahlung im blauen Wellenlängenbereich. 7E FIG. 13 shows a finished semiconductor laser device which has a plurality of semiconductor laser devices according to its intended application. The semiconductor laser device preferably has three semiconductor laser chips, each of which emits radiation in a different wavelength range. For example, the first semiconductor laser chip emits radiation in the red wavelength range, the second semiconductor laser chip emits radiation in the green wavelength range, and the third semiconductor laser chip emits radiation in the blue wavelength range.

In den 8 bis 12 sind weitere Abwandlungen eines weiteren Herstellungsverfahrens gezeigt, wobei in dem Verfahren eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen gemeinsam hergestellt werden.In the 8th to 12th further modifications of a further manufacturing method are shown, wherein a plurality of semiconductor laser devices are manufactured together in the method.

In 8A ist ein Verbund von Halbleiterschichten dargestellt, die zur Lasererzeugung geeignet sind. Im Wesentlichen entspricht der Verbund dem der 6A. Ein derartiger Verbund aus Halbleiterlaserschichten ist dem Fachmann unter anderem als Laserbarren bekannt. Auf der Oberseite und auf der Unterseite des Laserbarrens sind Kontaktflächen angeordnet, die jeweils für jeweils einen Halbleiterlaserchip einen ersten Kontaktbereich und einen zweiten Kontaktbereich ausbilden. Dabei können die Kontaktflächen auf der Unterseite des Laserbarrens, wie in 8A dargestellt, strukturiert ausgebildet sein. Alternativ kann die Kontaktfläche auf der Unterseite des Laserbarrens ganzflächig ausgebildet sein, wie in 8B dargestellt.In 8A a composite of semiconductor layers is shown, which are suitable for laser generation. Essentially, the network corresponds to that of the 6A . Such a composite of semiconductor laser layers is known to the person skilled in the art, inter alia, as a laser bar. Contact areas are arranged on the upper side and on the lower side of the laser bar, each of which forms a first contact area and a second contact area for a semiconductor laser chip. The contact surfaces on the underside of the laser bar, as in 8A shown, be structured. Alternatively, the contact surface on the underside of the laser bar can be formed over the entire area, as in FIG 8B shown.

In 8C ist ein strukturierter Submount 2 dargestellt, auf dem Leiterbahnen 20 ausgebildet sind. Ferner sind in dem Submount 2 Aussparungen 22 ausgebildet. Der Submount ist zur Aufnahme einer Mehrzahl von Halbleiterlaserchips geeignet. Der Abstand A zwischen jeweils zwei Leiterbahnen 20 entspricht dem Abstand der Halbleiterlaserchips des Laserbarrens der 8A und B. Insbesondere sind zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterlaserchips auf dem Submount jeweils eine L-förmige Leiterbahn und eine rechteckförmige Leiterbahn vorgesehen. Die Aussparungen 22 in den Submounts sind derart angeordnet, dass darüber jeweils die Strahlungsauskoppelfacette des Halbleiterlaserchips angeordnet werden kann.In 8C is a structured submount 2 shown on the conductor tracks 20th are trained. Furthermore, in the submount 2 Recesses 22nd educated. The submount is suitable for receiving a plurality of semiconductor laser chips. The distance A between two conductor tracks 20th corresponds to the distance between the semiconductor laser chips of the laser bar 8A and B. In particular, an L-shaped conductor track and a rectangular conductor track are provided on the submount for making electrical contact with the semiconductor laser chips. The recesses 22nd are arranged in the submounts in such a way that the radiation decoupling facet of the semiconductor laser chip can be arranged above them.

In den 9A bis 9C sind verschiedene Ausgestaltungen der Leiterbahnen auf dem Submount dargestellt. 9A zeigt streifenförmige Leiterbahnen, die mittels Durchkontaktierungen durch den Submount auf die Rückseite geführt sind. Alternativ kann der Submount ein Material aufweisen, das elektrisch leitfähig ist, sodass die elektrische Kontaktierung über den Submount erfolgt. Zur Verbesserung der Abstrahlcharakteristik sind in dem Submount Aussparungen 22 ausgebildet, über die die Strahlungsauskoppelfacetten der jeweiligen Halbleiterlaserchips angeordnet werden.In the 9A to 9C various configurations of the conductor tracks on the submount are shown. 9A shows strip-shaped conductor tracks that are led through the submount to the rear by means of plated-through holes. Alternatively, the submount can have a material that is electrically conductive, so that the electrical contact is made via the submount. There are recesses in the submount to improve the radiation characteristics 22nd formed, over which the radiation decoupling facets of the respective semiconductor laser chips are arranged.

In 9B ist eine großflächige Leiterbahn auf dem Submount angeordnet. Bevorzugt ist der Submount aus einem leitfähigen Material. Alternativ können Durchbrüche durch den Submount ausgebildet sein, durch die Leiterbahnen zur Rückseite des Submounts geführt sind.In 9B a large-area conductor track is arranged on the submount. The submount is preferably made of a conductive material. Alternatively, openings can be formed through the submount, through which conductor tracks are led to the rear of the submount.

In 9C sind Leiterbahnen dargestellt, die zur Kontaktierung von Halbleiterlaserchips geeignet sind, die als Flipchip ausgebildet sind.In 9C Conductor tracks are shown that are suitable for contacting semiconductor laser chips that are designed as flip chips.

In den 10A bis 10D sind Abwandlungen dargestellt, bei denen der Laserbarren aus 8A oder 8B auf einem Submount der 9A bis 9C aufgebracht ist. Insbesondere werden die Laserbarren auf den Submount gelötet oder geklebt, wobei die Verbindung bevorzugt elektrisch leitfähig ist.In the 10A to 10D Modifications are shown in which the laser bar is made 8A or 8B on a submount of the 9A to 9C is upset. In particular, the laser bars are soldered or glued to the submount, the connection preferably being electrically conductive.

In 10B ist ein Laserbarren auf dem in 9C dargestellten Submount angeordnet, wobei der Laserbarren ein so genannter Flipchip-Laserbarren ist, also beide Kontaktbereiche auf der gleichen Seite des Barrens aufweist.In 10B is a laser bar on the in 9C arranged submount shown, wherein the laser bar is a so-called flip-chip laser bar, so has both contact areas on the same side of the bar.

Wie in 10C und 10D dargestellt, wird der Laserbarren bevorzugt derart montiert, dass die Strahlungsauskoppelfacetten der jeweiligen Halbleiterlaserchips über jeweils einer Aussparung des Submounts zu liegen kommen.As in 10C and 10D As shown, the laser bar is preferably mounted in such a way that the radiation decoupling facets of the respective semiconductor laser chips each come to lie over a recess in the submount.

Auf den Halbleiterlaservorrichtungen der 10A bis 10D wird anschließend eine Passivierungsschicht 13 angeordnet. Dabei kann der Verbund ganzflächig mit der Passivierungsschicht 13 überzogen werden, wie in 11A dargestellt. Dabei ist bevorzugt die Schichtdicke der Passivierungsschicht 13 so gewählt, dass diese keine Auswirkung auf die Reflektivität der Strahlungsauskoppelfacetten der Halbleiterlaserchips hat. Beispielsweise weist die Dicke ein Vielfaches von λ/2/n auf.On the semiconductor laser devices of the 10A to 10D is then a passivation layer 13th arranged. The composite can thereby cover the entire surface with the passivation layer 13th be coated as in 11A shown. The layer thickness of the passivation layer is preferred 13th chosen so that this has no effect on the reflectivity of the radiation decoupling facets of the semiconductor laser chips. For example, the thickness has a multiple of λ / 2 / n.

Alternativ können die Strahlungsauskoppelfacetten bei Aufbringen der Passivierungsschicht 13 mittels einer Lackmaske geschützt werden, so dass an den Strahlungsauskoppelfacetten keine Beschichtung mit Passivierungsschicht 13 stattfindet, wie in 11B gezeigt.Alternatively, the radiation decoupling facets can be used when the passivation layer is applied 13th be protected by means of a lacquer mask, so that there is no coating with a passivation layer on the radiation decoupling facets 13th takes place, as in 11B shown.

Die Passivierungsschicht 13 wird anschließend in vorgesehenen Bereichen der elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips geöffnet, wie in 12A dargestellt. Über diese Kontaktfenster in der Passivierungsschicht 13 werden anschließend, wie in 12B dargestellt, zweite Kontaktbereiche 12b angeordnet, beispielsweise mittels Aufdampfen oder einer Galvanik. Die zweiten Kontaktbereiche 12b werden dabei so geführt, dass zum Bonden vorgesehenen Bereiche der zweiten Kontaktbereiche 12b lateral neben dem Halbleiterlaserchip angeordnet sind.The passivation layer 13th is then opened in the intended areas of the electrical contacting of the semiconductor chips, as in FIG 12A shown. Via this contact window in the passivation layer 13th are then, as in 12B shown, second contact areas 12b arranged, for example by means of vapor deposition or electroplating. The second contact areas 12b are guided in such a way that areas of the second contact areas provided for bonding 12b are arranged laterally next to the semiconductor laser chip.

In 12C ist im Unterschied zu 12B ein Verbund gezeigt, bei dem beide elektrischen Kontaktbereiche der jeweiligen Halbleiterlaservorrichtung auf der Oberseite des Verbunds angeordnet sind. Die zum Bonden vorgesehenen Bereiche sind auch hier neben den jeweiligen Halbleiterlaserchips angeordnet.In 12C is different to 12B a composite is shown in which both electrical contact areas of the respective semiconductor laser device are arranged on the top of the composite. The areas provided for bonding are also arranged here next to the respective semiconductor laser chips.

Anschließend werden die Halbleiterlaservorrichtungen, wie in 12D dargestellt, mittels eines Lasertrenn-Prozesses vereinzelt. Insbesondere findet die Lasertrennung entlang der in 12D dargestellten gestrichelten Linie S statt.Subsequently, the semiconductor laser devices as shown in FIG 12D shown, isolated by means of a laser cutting process. In particular, the laser separation takes place along the in 12D shown dashed line S instead.

Anschließend erhält man eine wie in 12E dargestellte Halbleiterlaservorrichtung.Then you get one like in 12E illustrated semiconductor laser device.

Claims (9)

Halbleiterlaservorrichtung mit mindestens einem Halbleiterlaserchip (1), wobei der Halbleiterlaserchip (1) - eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert, - eine laterale Ausdehnung (B) von höchstens 100 µm aufweist, - auf einem Submount (2) angeordnet ist, - der Halbleiterlaserchip (1) in einer Ausnehmung (21) des Submounts (2) angeordnet ist, sodass die Ausnehmung (21) eine obere Stufe des Submounts (2) bildet, - der Submount (2) eine weitere, untere Stufe aufweist, sodass der Halbleiterlaserchip (1) über die obere Stufe herausragt und sodass eine Strahlungsauskoppelfacette (14) des Halbleiterlaserchips (1) freiliegend ist und sich in Draufsicht gesehen über der unteren Stufe befindet, wodurch im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) eine Abschattung von Laserlicht durch den Submount (2) vermieden ist, und - der Halbleiterlaserchip (1) die Ausnehmung (21) seitlich an nur einer Seite überragt.Semiconductor laser device with at least one semiconductor laser chip (1), wherein the semiconductor laser chip (1) - contains an active layer that emits electromagnetic radiation, - has a lateral extent (B) of at most 100 µm, - is arranged on a submount (2), - The semiconductor laser chip (1) is arranged in a recess (21) of the submount (2) so that the recess (21) forms an upper step of the submount (2), - The submount (2) has a further, lower step, so that the semiconductor laser chip (1) protrudes over the upper step and so that a radiation decoupling facet (14) of the semiconductor laser chip (1) is exposed and is located above the lower step when viewed from above, whereby When the semiconductor laser chip (1) is in operation, shadowing of laser light by the submount (2) is avoided, and - The semiconductor laser chip (1) protrudes laterally beyond the recess (21) on only one side. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Halbleiterlaserchip (1) eine laterale Ausdehnung (B) von höchstens 60 µm aufweist.Semiconductor laser device according to Claim 1 , the semiconductor laser chip (1) having a lateral extent (B) of at most 60 μm. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterlaserchip (1) ein Dünnfilm-Halbleiterlaserchip ist.A semiconductor laser device according to any preceding claim, wherein the semiconductor laser chip (1) is a thin film semiconductor laser chip. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Submount (2) ein Halbleitermaterial, ein Metall oder eine Keramik aufweist.Semiconductor laser device according to one of the preceding claims, wherein the submount (2) comprises a semiconductor material, a metal or a ceramic. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlaserchips (1) zumindest ein Durchbruch durch den Submount (2) geführt ist.Semiconductor laser device according to one of the preceding claims, at least one opening being guided through the submount (2) for electrical contacting of the semiconductor laser chip (1). Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine erste elektrische Kontaktierung des Halbleiterlaserchips über einen ersten Kontaktbereich (12a) gebildet ist, die zwischen Halbleiterlaserchip (1) und Submount (2) angeordnet ist.Semiconductor laser device according to one of the preceding claims, wherein a first electrical contact of the semiconductor laser chip is formed via a first contact area (12a) which is arranged between the semiconductor laser chip (1) and the submount (2). Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip (1), der eine aktive Schicht enthält, die elektromagnetische Strahlung emittiert, und eine laterale Ausdehnung (B) von höchstens 100 µm aufweist, umfassend folgende Verfahrensschritte: - Befestigen des Halbleiterlaserchips (1) auf einem Submount (2), und - elektrisches Kontaktieren des Halbleiterlaserchips (1), sodass - der Halbleiterlaserchip (1) in einer Ausnehmung (21) des Submounts (2) angeordnet wird und die Ausnehmung (21) eine obere Stufe des Submounts (2) bildet, - der Submount (2) eine weitere, untere Stufe aufweist und der Halbleiterlaserchip (1) über die obere Stufe herausragt und eine Strahlungsauskoppelfacette (14) des Halbleiterlaserchips (1) freiliegend ist und sich in Draufsicht gesehen über der unteren Stufe befindet, wodurch im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) eine Abschattung von Laserlicht durch den Submount (2) vermieden ist, und - der Halbleiterlaserchip (1) die Ausnehmung (21) seitlich an nur einer Seite überragt.A method for producing a semiconductor laser device with a semiconductor laser chip (1) which contains an active layer which emits electromagnetic radiation and has a lateral extent (B) of at most 100 µm, comprising the following method steps: - Fastening the semiconductor laser chip (1) on a submount (2), and - Electrical contacting of the semiconductor laser chip (1), so that - The semiconductor laser chip (1) is arranged in a recess (21) of the submount (2) and the recess (21) forms an upper step of the submount (2), - The submount (2) has a further, lower level and the semiconductor laser chip (1) protrudes beyond the upper level and a radiation decoupling facet (14) of the semiconductor laser chip (1) is exposed and is located above the lower level when viewed from above, whereby in operation of the semiconductor laser chip (1) a shadowing of laser light by the submount (2) is avoided, and - The semiconductor laser chip (1) protrudes laterally beyond the recess (21) on only one side. Verfahren gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Halbleiterlaservorrichtung auf einem externen Träger montiert wird.A method according to the preceding claim, wherein the semiconductor laser device is mounted on an external carrier. Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei eine Mehrzahl von Halbleiterlaservorrichtungen in einem gemeinsamen Verfahren hergestellt werden.Procedure according to Claim 7 or 8th wherein a plurality of semiconductor laser devices are manufactured in a common process.
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