DE102009059300A1 - Transporting and regenerating container for regenerating and transporting silicon solar cell from last manufacturing stage to classifying stage, has region arranged relative to electrode so that cells are electrically coupled with electrode - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft einen Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter.The invention relates to a photovoltaic cell transport and -Regenerationsbehälter.
Eine Photovoltaikzelle, beispielsweise eine Solarzelle, dient üblicherweise dazu, Licht in elektrische Energie umzuwandeln. Oftmals wird monokristallines oder polykristallines Silizium als Substratmaterial für eine Photovoltaikzelle eingesetzt.A photovoltaic cell, for example a solar cell, usually serves to convert light into electrical energy. Often, monocrystalline or polycrystalline silicon is used as the substrate material for a photovoltaic cell.
Von Bedeutung für eine Photovoltaikzelle ist beispielsweise ihr Wirkungsgrad, wobei der Wirkungsgrad oftmals schon zu Beginn des Betriebs unter Arbeitsbeginn erheblich abnimmt, beispielsweise bis um 3% absolut.Of importance for a photovoltaic cell, for example, their efficiency, the efficiency often decreases significantly at the beginning of the operation at the beginning of work, for example, up to 3% absolute.
Beispielsweise für eine Silizium-Solarzelle ist es durch einen sogenannten Regenerationsprozess möglich, den Wirkungsgrad nach erfolgter Abnahme wieder zu erhöhen.For example, for a silicon solar cell, it is possible by a so-called regeneration process to increase the efficiency again after acceptance.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter bereitgestellt, der aufweist eine Elektrode zum Bereitstellen elektrischer Spannung, sowie einen Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich, eingerichtet zum Aufnehmen einer Mehrzahl von miteinander elektrisch gekoppelten Photovoltaikzellen, wobei der Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich derart relativ zu der Elektrode angeordnet ist, dass eine in dem Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich aufgenommene Photovoltaikzelle der Mehrzahl von Photovoltaikzellen mit der Elektrode elektrisch gekoppelt ist.According to various embodiments, there is provided a photovoltaic cell transport and regeneration vessel comprising an electrode for providing electrical voltage and a photovoltaic cell receiving area configured to receive a plurality of photovoltaic cells electrically coupled to each other, the photovoltaic cell housing area being so relative to the electrode arranged that a photovoltaic cell of the plurality of photovoltaic cells accommodated in the photovoltaic cell receiving region is electrically coupled to the electrode.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigenShow it
In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Eine Photovoltaikzelle, beispielsweise eine Solarzelle, ist eingerichtet zum Umwandeln von Licht in elektrische Energie. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine Photovoltaikzelle ein Halbleitersubstrat auf, welches p-dotiert oder n-dotiert sein kann. Weiterhin weist die Photovoltaikzelle einen Bereich entgegengesetzter Dotierung auf (oftmals auch als Emitter bezeichnet), womit ein pn-Übergang oder ein np-Übergang gebildet wird.A photovoltaic cell, such as a solar cell, is configured to convert light into electrical energy. In various embodiments, a photovoltaic cell has a semiconductor substrate, which may be p-doped or n-doped. Furthermore, the photovoltaic cell has a region of opposite doping (often also referred to as emitter), with which a pn junction or an np junction is formed.
Wenn die Photovoltaikzelle mit Licht beleuchtet wird, dann werden elektrische Ladungsträger erzeugt, die durch das durch den pn-Übergang oder den np-Übergang gebildete Potentialgefälle räumlich voneinander getrennt werden. Die räumlich getrennten elektrischen Ladungsträger können zu einer Oberfläche der Photovoltaikzelle diffundieren und beispielsweise mittels eines oder mehrerer dort ausgebildeter elektrisch leitfähiger Kontakte, beispielsweise Metallkontakte (beispielsweise aus Silber oder Aluminium), einem externen Stromkreis zugeführt werden.When the photovoltaic cell is illuminated with light, electrical charge carriers are generated, which are spatially separated from each other by the potential difference formed by the pn junction or the np junction. The spatially separated electrical charge carriers can diffuse to a surface of the photovoltaic cell and, for example, by means of one or more trained there electrically conductive contacts, such as metal contacts (for example, made of silver or aluminum), are supplied to an external circuit.
Das Halbleitersubstrat ist gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen einkristallines Silizium oder multikristallines Silizium (auch bezeichnet als polykristallines Silizium).The semiconductor substrate is monocrystalline silicon according to various embodiments or multicrystalline silicon (also referred to as polycrystalline silicon).
Das Halbleitersubstrat (im Folgenden auch bezeichnet als Wafer) weist beispielsweise eine Dicke auf in einem Bereich von 100 μm bis 500 μm, beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von 200 μm bis 300 μm.The semiconductor substrate (hereinafter also referred to as wafer) has, for example, a thickness in a range of 100 μm to 500 μm, for example a thickness in a range of 200 μm to 300 μm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist das Halbleitersubstrat dotiert, beispielsweise ist das Halbleitersubstrat (z. B. der Siliziumwafer) p-dotiert, beispielsweise mit einem Element der III. Hauptgruppe des Periodensystems, beispielsweise mit Bor.In various embodiments, the semiconductor substrate is doped, for example, the semiconductor substrate (eg, the silicon wafer) is p-doped, for example with an element of III. Main group of the periodic table, for example with boron.
Aufgrund der guten Löslichkeit von Bor in der Schmelze des Siliziums während der Waferherstellung, beispielsweise mittels des sogenannten Czochralski-Verfahrens (Cz-Verfahren) (es ist darauf hinzuweisen, dass alternativ auch andere geeignete Herstellungsverfahren eingesetzt werden können, beispielsweise das sogenannte Float-Zone-Verfahren (FZ-Verfahren), ergibt sich bei diesem Dotierprozess ein weitgehend homogen mit Bor dotierter Siliziumkristall.Due to the good solubility of boron in the melt of the silicon during wafer production, for example by means of the so-called Czochralski process (Cz process) (it should be noted that alternatively other suitable production processes can be used, for example the so-called float zone Method (FZ method), resulting in this doping process, a substantially homogeneously doped with boron silicon crystal.
In der Siliziumschmelze ist bei dem Cz-Verfahren in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch Sauerstoff gelöst, der ebenfalls in den Siliziumkristall eingebaut wird.In the silicon melt, oxygen is also dissolved in various embodiments in the Cz process, which is likewise incorporated into the silicon crystal.
Wird beispielsweise eine mittels des Cz-Verfahrens hergestellte Photovoltaikzelle beleuchtet und/oder wird an sie eine externe elektrische Spannung angelegt, so werden in ihr Überschussminoritätsladungsträger erzeugt und es fliegt in ihr ein elektrischer Strom. Dabei bilden sich Komplexe aus Bor und Sauerstoff als Defekte, die als elektrisch aktive Störstellen wirken und die elektrischen Eigenschaften der Photovoltaikzelle negativ beeinflussen können.If, for example, a photovoltaic cell produced by means of the Cz process is illuminated and / or an external electrical voltage is applied to it, its excess minority charge carriers are generated in it and an electric current flows in it. Complexes of boron and oxygen form as defects, which act as electrically active impurities and can adversely affect the electrical properties of the photovoltaic cell.
Die Defekte verringern die Materialqualität des Cz-Siliziumsubstrats während der ersten Betriebsstunden der Photovoltaikzelle und der Wirkungsgrad der Photovoltaikzelle sinkt, bis er bei einem bestimmten Wert in die Sättigung geht. Dies wird auch als ”ladungsträgerinduzierte Degradation” bezeichnet.The defects reduce the material quality of the Cz-silicon substrate during the first hours of operation of the photovoltaic cell and the efficiency of the photovoltaic cell decreases until it saturates at a certain value. This is also referred to as "charge carrier induced degradation".
Bei einer Bor-Konzentration von etwa 1·1016 cm–3 und einer Sauerstoff-Konzentration in Cz-Silizium in einem Bereich von 5·1017 cm–3 bis 10·1017 cm–3, wie gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, degradiert der Wirkungsgrad der Photovoltaikzelle beispielsweise unter Betriebsbedingungen innerhalb weniger Stunden um bis zu 3% absolut. Bereits ein bei einer Photovoltaikzelle aus Cz-Silizium beobachteter Verlust von 1% absolut stellt bei einem Wirkungsgrad von 16,5%, wie er für eine industriell hergestellte Photovoltaikzelle auf Basis von Cz-Silizium vor der Degradation typisch ist, einen Verlust von mehr als 6% relativ dar. Es hat sich gezeigt, dass die Degradation und damit der Verlust des Wirkungsgrads während des anfänglichen Betriebs der Photovoltaikzelle umso größer ist, je höher die Bor-Konzentration und/oder die Sauerstoff-Konzentration in dem Silizium ist.At a boron concentration of about 1 × 10 16 cm -3 and an oxygen concentration in Cz-silicon in a range of 5 × 10 17 cm -3 to 10 × 10 17 cm -3 , as provided according to various embodiments, degraded The efficiency of the photovoltaic cell, for example, under operating conditions within a few hours by up to 3% absolute. Even a loss of 1% absolute observed in a Cz-silicon photovoltaic cell, with an efficiency of 16.5%, as is typical for an industrially produced Cz-silicon based photovoltaic cell before degradation, a loss of more than 6 % relative. It has been found that the higher the boron concentration and / or the oxygen concentration in the silicon, the greater the degradation and thus the loss of efficiency during the initial operation of the photovoltaic cell.
Es ist darauf hinzuweisen, dass der Siliziumwafer in alternativen Ausführungsbeispielen aus multikristallinem (beispielsweise mit Bor-dotiertem und Sauerstoff aufweisendem) Silizium sein kann. Alternativ kann das Halbleitersubstrat auch Siliziumschichten (beispielsweise aufweisend Bor und Sauerstoff) aufweisen, die aus der gasförmigen Phase oder der flüssigen Phase auf einem Träger abgeschieden worden sind.It should be understood that in alternative embodiments, the silicon wafer may be of multicrystalline (eg, boron-doped and oxygen-containing) silicon. Alternatively, the semiconductor substrate may also include silicon layers (eg, comprising boron and oxygen) deposited on a support from the gaseous phase or the liquid phase.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist das Silizium beispielsweise mit Bor dotiert mit einer Bor-Konzentration in einem Bereich von ungefähr 1·1016 cm–3 bis ungefähr 3·1016 cm–3. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Silizium ferner beispielsweise eine Sauerstoff-Konzentration auf in einem Bereich von ungefähr 5·1016 cm–3 bis ungefähr 3·1018 cm–3.For example, in various embodiments, the silicon is doped with boron having a boron concentration in a range of about 1 × 10 16 cm -3 to about 3 × 10 16 cm -3 . For example, in various embodiments, the silicon further has an oxygen concentration in a range of about 5 × 10 16 cm -3 to about 3 × 10 18 cm -3 .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine Photovoltaikzelle an einer Hauptprozessierungsoberfläche des Halbleitersubstrats (z. B. Siliziumsubstrats) einen Emitter auf, beispielsweise einen Bereich, der eine zu dem Halbleitertyp des Halbleitersubstrats entgegengesetzte Leitfähigkeit aufweist. In dem Beispiel eines Bor-dotierten Siliziumsubstrats (ein p-Typ-Halbleiter) ist der Emitter beispielsweise ein n-dotierter Bereich, der beispielsweise mittels eines oberflächlichen Eindiffundierens eines n-Typ-Dotierstoffs (beispielsweise Phosphor), in das Halbleitersubstrat.In various embodiments, a photovoltaic cell has an emitter on a main processing surface of the semiconductor substrate (eg, silicon substrate), for example, a region having a conductivity opposite to the semiconductor type of the semiconductor substrate. For example, in the example of a boron-doped silicon substrate (a p-type semiconductor), the emitter is an n-type doped region formed by, for example, surface-diffusing an n-type dopant (eg, phosphorus) into the semiconductor substrate.
Eine solche Diffusion wird beispielsweise bei einer Temperatur oberhalb von 800°C durchgeführt. In alternativen Ausführungsbeispielen wird ein anderes Verfahren eingesetzt, mit dem eine n-dotierte Schicht erzeugt wird, beispielsweise mittels einer Abscheidung an der Substratoberfläche aus einer gasförmigen Phase oder einer flüssigen Phase.Such a diffusion is carried out, for example, at a temperature above 800 ° C. In alternative embodiments, another method is used, with which an n-doped layer is produced, for example by means of a deposition on the substrate surface from a gaseous phase or a liquid phase.
Ferner kann die Photovoltaikzelle derart aufgebaut sein, dass die Emitterschicht die Substratoberfläche nicht vollständig bedeckt. Es ist ausreichend, dass lediglich ein oder mehrere Teilbereiche der Substratoberfläche an der Vorderseite und/oder der Rückseite des Halbleitersubstrats von der n-dotierten Schicht bedeckt ist.Furthermore, the photovoltaic cell may be constructed such that the emitter layer does not completely cover the substrate surface. It is sufficient that only one or more subregions of the substrate surface at the front side and / or the rear side of the semiconductor substrate is covered by the n-doped layer.
In einem alternativen Ausführungsbeispiel kann das mit Bor dotierte Siliziumsubstrat ein n-Typ-Halbleiter sein, wenn es beispielsweise mit einem n-Typ-Dotierstoff (wie beispielsweise Phosphor) überkompensiert ist. In diesem Fall ist der Emitter ein p-dotierter Bereich und kann beispielsweise durch Eindiffundieren oder Einlegieren von Bor oder Aluminium erzeugt werden. Auch der Fall, in dem der Emitter und das Halbleitersubstrat von dem gleichen Halbleitertyp ist, ist in einem alternativen Ausführungsbeispiel vorgesehen. Dies ist beispielsweise realisiert, wenn die beiden Bereiche stark unterschiedliche Bandstrukturen aufweisen, so dass sich an ihrer Schnittstelle eine Bandverbiegung einstellt, die das gewünschte Potentialgefälle bewirkt.In an alternative embodiment, the boron-doped silicon substrate may be an n-type semiconductor, for example, with an n-type semiconductor. Type dopant (such as phosphorus) is overcompensated. In this case, the emitter is a p-type doped region and may be formed by, for example, diffusing or alloying boron or aluminum. Also, the case where the emitter and the semiconductor substrate are of the same semiconductor type is provided in an alternative embodiment. This is realized, for example, if the two areas have very different band structures, so that at their interface a band bending is established which effects the desired potential gradient.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das Erzeugen von Überschussminoritätsladungsträgern in dem Siliziumsubstrat während eines im Folgenden noch näher erläuterten Stabilisierungsprozesses durchgeführt, in dem Elektronen als Minoritätsladungsträger in einem p-Typ-Siliziumsubstrat zur Verfügung stehen, wobei zusätzlich zu der Gleichgewichtsladungsträgerkonzentration, Überschussminoritätsladungsträger durch Bewirken eines durch die Photovoltaikzelle fließenden Stroms durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung erzeugt werden.In various embodiments, the generation of excess minority carriers in the silicon substrate is performed during a stabilization process, in which electrons are available as minority carriers in a p-type silicon substrate, wherein, in addition to the equilibrium carrier concentration, excess minority carriers are induced by causing one through the photovoltaic cell flowing current can be generated by applying an external electrical voltage.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der Strom durch die Photovoltaikzelle für eine vorgebbare Behandlungsdauer getrieben, während derer die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereichs liegt, beispielsweise innerhalb eines Temperaturbereichs mit einer Temperaturuntergrenze von ungefähr 50°C und einer Temperaturobergrenze von ungefähr 230°C. Es hat sich gezeigt, dass mit zunehmender Behandlungsdauer ein Wirkungsgrad-stabilisierender Effekt sukzessive zunimmt. Anders ausgedrückt hat sich gezeigt, dass, je länger die Behandlungsdauer gewählt ist, desto höher der erzielte Wirkungsgrad ist, bei dem die Photovoltaikzelle in einem anschließenden Betrieb stabil bleibt.In various embodiments, the current through the photovoltaic cell is driven for a predetermined treatment time, during which the temperature of the semiconductor substrate is within a predetermined temperature range, for example within a temperature range having a temperature lower limit of about 50 ° C and an upper temperature limit of about 230 ° C. It has been shown that with increasing duration of treatment, an efficiency-stabilizing effect increases successively. In other words, it has been found that the longer the treatment time is chosen, the higher the efficiency achieved is, at which the photovoltaic cell remains stable in a subsequent operation.
Das Modell zum Erläutern des Regenerationsprozesses soll jedoch den Schutzumfang der Ansprüche nicht einschränken.However, the model for explaining the regeneration process is not intended to limit the scope of the claims.
Gemäß diesem Modell kann eine Photovoltaikzelle gemäß einen Ausführungsbeispiel drei unterschiedliche Zustände aufweisen, beispielsweise in einer Solarzelle mit einem mit Bor-dotiertem und Sauerstoff-aufweisenden Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Cz-Siliziumsubstrat), nämlich
- • einen
ersten Zustand 1002 , der auch als ”annealter Zustand”1002 bezeichnet wird; - • einen
zweiten Zustand 1004 , der auch als ”degradierter Zustand”1004 bezeichnet wird; und - • einen
dritten Zustand 1006 , der auch als ”regenerierter Zustand”1006 bezeichnet wird.
- • a
first state 1002 which is also called "annealer state"1002 referred to as; - • a
second state 1004 who is also called a "degraded state"1004 referred to as; and - • a
third state 1006 which is also called "regenerated state"1006 referred to as.
In dem ”annealten Zustand”
Ein Zustandsübergang
In dem ”regenerierten Zustand”
Durch den Solarzellen-Regenerationsprozess wird ein Zustandsübergang
Ein Zustandsübergang
Die Degradation
Wie oben dargelegt wurde, wird die Temperatur des Halbleitersubstrats während des Regenerationsprozesses
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter bereitgestellt, in dem einerseits eine Mehrzahl (beispielsweise eine Vielzahl) (beispielsweise fertigprozessierte) Photovoltaikzellen auf einfache Weise transportiert werden können beispielsweise von dem letzten Fertigungs-Prozessschritt (von beispielsweise einer Metallisierung oder einer Kantenisolation) hin zu einer Klassifizierungsstation, in der die (beispielsweise fertigprozessierten) Photovoltaikzellen klassifiziert werden und/oder einer Qualitätssicherungsprüfung unterzogen werden, und andererseits auf einfache, kompakte und kostengünstige Weise (beispielsweise sogar während des Transports) einem Solarzellen-Regenerationsprozess (beispielsweise der Regeneration
Erneut Bezug nehmend auf
Ferner weist der Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter
Auf dem Stapel der Photovoltaikzellen
Die Elektrode
Der Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich
Wie in
Das Gehäuse
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich
Der Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich
- • entlang einer ersten Achse in einem Bereich von 10 cm bis 50 cm (dies kann beispielsweise die Breite des Photovoltaikzellen-
Aufnahmebereichs 104 sein); - • entlang einer zu der ersten Achse senkrechten zweiten Achse in einem Bereich von 10 cm bis 50 cm (dies kann beispielsweise die Länge des Photovoltaikzellen-
Aufnahmebereichs 104 sein); und - • entlang einer zu der ersten Achse und der zweiten Achse senkrechten dritten Achse in einem Bereich von 10 cm bis 30 cm (dies kann beispielsweise die Höhe des Photovoltaikzellen-
Aufnahmebereichs 104 sein).
- Along a first axis in a range of 10 cm to 50 cm (this may be, for example, the width of the photovoltaic
cell receiving area 104 be); - Along a second axis perpendicular to the first axis in a range of 10 cm to 50 cm (this may be, for example, the length of the photovoltaic
cell receiving area 104 be); and - Along a third axis perpendicular to the first axis and the second axis in a range of 10 cm to 30 cm (this may, for example, the height of the photovoltaic
cell receiving area 104 be).
Die Elektrode
In verschiedenen Ausführungsbeispielen (auch in verschiedenen noch im Folgenden näher erläuterten Ausführungsbeispielen) kann die Erhöhung der Temperatur der Photovoltaikzellen
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Steuerung und/oder die Spannungsquelle oder Stromquelle derart eingerichtet sein, dass der Regenerationsprozess kontinuierlich, d. h. ohne Unterbrechung, durchgeführt wird, ohne dass der oben beschriebene Temperaturbereich verlassen wird und/oder ohne dass der Stromfluss unterbrochen wird.In various embodiments, the controller and / or the voltage source or current source may be configured such that the regeneration process is continuous, i. H. without interruption, is performed without leaving the above-described temperature range and / or without the current flow is interrupted.
Es ist jedoch in alternativen Ausführungsbeispielen vorgesehen, dass die Steuerung und/oder die Spannungsquelle oder Stromquelle derart eingerichtet sind, dass der Regenerationsprozess zeitweilig unterbrochen wird. So können/kann beispielsweise die Steuerung und/oder die Spannungsquelle oder Stromquelle derart eingerichtet sein, dass das Anlegen der externen Spannung an die Elektrode
Es ist anzumerken, dass, wie im Folgenden noch näher erläutert wird, der Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter
Wie in
Auf dem Stapel der Photovoltaikzellen
Die zusätzliche Elektrode
Weiterhin ist in
Wenn die Steuerung
Die Steuerung
Der Photovoltaikzellen-Aufnahmebereich
Abgestützt und mechanisch gekuppelt (beispielsweise verschraubt, verklebt oder verklemmt) mit mindestens einer Bodenstrebe
Der Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter
Alternativ oder zusätzlich zu der Heizung
Die Heizung kann an einer Seitenwand oder an mehreren Seitenwänden oder sogar umlaufend an oder in dem Gehäuse
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können eine oder mehrere Seitenwände mit einer Wärmeisolation versehen sein.In various embodiments, one or more sidewalls may or may be provided with thermal insulation.
In diesem Ausführungsbeispiel ist die Elektrode
Es ist darauf hinzuweisen, dass die zusätzlichen Elemente der anderen Ausführungsbeispiele wie beispielsweise eine Steuerung, eine Spannungsquelle oder Stromquelle, oder auch eine Heizung auch in dem Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Photovoltaikzellen-Aufnahmebereichen
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter eine Steuerschnittstelle zum Empfangen von Steuersignalen zum Steuern eines Photovoltaikzellen-Regenerationsprozesses für die in dem Behälter angeordneten Photovoltaikzellen aufweisen.In various embodiments, the photovoltaic cell transport and regeneration vessel may include a control interface for receiving control signals for controlling a photovoltaic cell regeneration process for the photovoltaic cells disposed in the vessel.
Ein erster Teilprozess
Nach der Fertigstellung der fertigprozessierten Photovoltaikzellen
Dazu werden zunächst die Photovoltaikzellen
Anschließend an den zweiten Teilprozess
Anschließend an den dritten Teilprozess
Anschaulich ist somit gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, dass eine Umsetzung des Regenerationsprozesses derart erfolgt, dass vor dem Klassifizierungsschritt der Photovoltaikzellen
Wie oben erläutert wird, ist zur Kontaktierung der gegebenenfalls untersten Photovoltaikzelle
Die für den Regenerationsprozess gewünschte Temperatur kann durch die Bestromung der Photovoltaikzellen
Die Regulierung des Prozessstromes kann mittels einer Steuerung erfolgen, die in der Transportbox implementiert sein kann und derart eingerichtet sein kann, dass sie den Strom durch den Stapel von Photovoltaikzellen
Wie oben beschrieben worden ist, kann die Anzahl der Photovoltaikzellen
Der Regenerationsprozess (und damit der dritte Teilprozess
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist ein Prozesstunnel
Die Transportboxen
Ebenfalls denkbar ist somit anschaulich eine oder eine Mehrzahl von Regenerationskammern
Die Photovoltaikzellen-Transport- und -Regenerationsbehälter gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen können einen oder mehrere Vorsprünge oder Ausnehmungen, beispielsweise Griffe, in dem Gehäuse
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein kombinierter Transport- und Regenerationsbehälter bereitgestellt, der mehrere Solarzellen derart aufnehmen kann, dass jeweils die negative Elektrode (Vorderseite) einer ersten Solarzelle die positive Elektrode (Rückseite) einer nächsten Solarzelle berührt und dass der so entstehende Stapel von Solarzellen an der ersten Solarzelle und der letzen Solarzelle derart kontaktiert werden kann, dass bei Anlegen einer externen Spannung der ganze Stapel von Solarzellen bestromt werden kann.In various embodiments, a combined transport and regeneration container is provided which can accommodate a plurality of solar cells such that each of the negative electrode (front) of a first solar cell touches the positive electrode (back) of a next solar cell and that the resulting stack of solar cells at the first solar cell and the last solar cell can be contacted so that when an external voltage is applied, the whole stack of solar cells can be energized.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein kombinierter Transport- und Regenerationsbehälter bereitgestellt, der ferner aufweist einen Temperaturermittlungs-Schaltkreis, der eingerichtet ist zum Ermitteln der Temperatur der Photovoltaikzellen unter Verwendung der Spannung, die an einer oder mehreren der Photovoltaikzellen anliegt während des Stromflusses durch die Photovoltaikzellen und die Elektrode.In various embodiments, a combined transport and regeneration vessel is provided, further comprising a temperature detection circuit configured to determine the temperature of the photovoltaic cells using the voltage applied to one or more of the photovoltaic cells during the flow of current through the photovoltaic cells and the photovoltaic cells Electrode.
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