DE102009056129A1 - Rear side layer system for thin-film solar module, has transition or border region arranged between adaptation layer and rear layer and having additional roughness value of greater than certain percent related to nominal layer thickness - Google Patents

Rear side layer system for thin-film solar module, has transition or border region arranged between adaptation layer and rear layer and having additional roughness value of greater than certain percent related to nominal layer thickness Download PDF

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Abstract

The system has a rear contact including a conductive light-reflecting rear layer (506) and an adaptation layer (505) that is adjacent to the rear layer on a side of an incident light. A transition or a border region provided between the adaptation layer and the rear layer has an additional roughness value of greater than 25 percent related to a nominal layer thickness determined by an atomic force microscope measuring method. The adaptation layer is a low-pressure chemical vapor deposition zinc oxide layer working as a diffuser. The rear layer consists of metal. An independent claim is also included for a method for producing a rear side layer system for thin-film solar modules with a rear contact.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Rückseitenschichtsystem für Dünnschichtsolarmodule, ein Dünnschichtsolarmodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenschichtsystems für Dünnschichtsolarmodule.The present invention relates to a backsheet system for thin film solar modules, a thin film solar module, and a method of manufacturing a backsheet system for thin film solar modules.

Dünnschichtsolarmodule sind aus dem Stand der Technik bekannt. In der Regel bestehen sie aus monolithisch verschalteten Solarzellen. 1 zeigt schematisch eine Ausführungsform eines Dünnschichtsolarmoduls in Querschnittsdarstellung. Das Dünnschichtsolarmodul umfasst einen Frontkontakt 102, einen Rückkontakt 104 und einen Absorber 103. Diese Schichten wurden mittels großflächiger Beschichtungsverfahren auf ein Glassubstrat 101 aufgebracht und per Laserprozess strukturiert. Die Bezugszeichen 111, 112 und 113 verdeutlichen die durch Laserstrukturierung gebildeten Bahnen (Pattern). Der Rückkontakt 104 muss gewissen Anforderungen genügen. Einerseits soll der generierte Photostrom über eine möglichst hohe elektrische Querleitfähigkeit möglichst verlustarm abgeführt und dem Verbraucher zur Verfügung gestellt werden. Andererseits ist zu gewährleisten, dass nicht absorbierte Photonen über eine möglichst hohe optische Rückreflexion erneut in den Absorber 103 eingekoppelt werden und zur Stromgeneration beitragen. Von entscheidender Bedeutung ist dabei die Winkelabhängigkeit der Rückreflexion. Ein diffuses, im Idealfall Lambert'sches Rückstreuverhalten steigert die optische Eindringtiefe in Folge schräger Rückreflexion um einige Größenordnungen, ein Effekt, der als Light Trapping bzw. Light Confinement bezeichnet wird.Thin-film solar modules are known from the prior art. As a rule, they consist of monolithically interconnected solar cells. 1 schematically shows an embodiment of a thin-film solar module in cross-sectional view. The thin-film solar module includes a front contact 102 , a back contact 104 and an absorber 103 , These layers were applied to a glass substrate by means of extensive coating methods 101 applied and structured by laser process. The reference numerals 111 . 112 and 113 illustrate the paths formed by laser structuring (pattern). The back contact 104 must meet certain requirements. On the one hand, the generated photocurrent should be dissipated with as little loss as possible via the highest possible electrical transverse conductivity and made available to the consumer. On the other hand, it must be ensured that unabsorbed photons are returned to the absorber via the highest possible optical return reflection 103 be coupled and contribute to the power generation. Of crucial importance is the angular dependence of the return reflection. A diffuse, ideally Lambertian, backscattering behavior increases the optical penetration depth by a few orders of magnitude as a result of oblique reflection, an effect known as light trapping or light confinement.

Im Bereich der silizium-basierten Dünnschichtphotovoltaik existieren zur Zeit vor allem zwei Lösungsansätze, um die besagte Rückreflexion zu verwirklichen. Lösungsansatz A (Variante A) ist in 2 illustriert. Das Licht trifft auf die Solarzelle durch ein Frontglas 201. Auf das Frontglas folgt eine transparente, leitfähige Oxidschicht (TCO) 202, die meist aus ZnO oder SnO2 besteht. Es folgen die Siliziumschichten, z. B. eine Schicht aus amorphen Silizium 203 (a-Si) und aus mikrokristallinen Silizium 204 (μc-Si). Darauf schließt sich eine optisch transparente, elektrisch leitfähige (TCO) Rückkontaktschicht 205 an. Diese transportiert in Variante A den Strom ab. Es folgt eine dicke, dielektrische Rückreflektorschicht 206, die beispielsweise aus weißer Farbe besteht. Am Übergang von der TCO-Rückkontaktschicht 205 aus Zinkoxid (ZnO) zur Rückreflektorschicht 206, sowie infolge Rückstreuung in der Rückreflektorschicht 206 wird das nicht absorbierte Licht reflektiert, um so noch einmal den Absorber zu durchlaufen und zu einem Teil in elektrische Energie umgewandelt zu werden.In the field of silicon-based thin-film photovoltaics, there are currently two approaches to realizing the aforementioned back-reflection. Solution A (Variant A) is in 2 illustrated. The light hits the solar cell through a front glass 201 , The front glass is followed by a transparent, conductive oxide layer (TCO) 202 , which usually consists of ZnO or SnO 2 . It follows the silicon layers, z. B. a layer of amorphous silicon 203 (a-Si) and microcrystalline silicon 204 (C-Si). This is followed by an optically transparent, electrically conductive (TCO) back contact layer 205 at. This transports the power in variant A. This is followed by a thick, dielectric back reflector layer 206 , which is white, for example. At the transition from the TCO back contact layer 205 from zinc oxide (ZnO) to the back reflector layer 206 , as well as due to backscatter in the back reflector layer 206 The non-absorbed light is reflected, so as to once again pass through the absorber and be converted into a part of electrical energy.

In Variante A wird standardmäßig Zinkoxid (ZnO) als Rückkontaktschicht 205 eingesetzt. Favorisiert wird beispielsweise Bor-dotiertes ZnO mit einer Schichtdicke von etwa 1,5 μm, das durch eine chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Drücken (LPCVD) auf dem Absorber abgeschieden wird. Genauso denkbar ist eine Abscheidung von Aluminium-dotierten Zinkoxid (ZnO) mit einer Schichtdicke von ungefähr 1,0 μm, das über ein Sputterverfahren (PVD) auf dem Absorber abgeschieden wird. Nach der anschließenden Segmentierung der Rückkontakte mittels Laserstrukturierung (Pattern 113 in 1) wird jeweils eine weiße Rückreflektorfarbe mit einer Schichtdicke von > 20 μm aufgedruckt, die eine effiziente Rückstreuung durch eine geeignete Pigmentwahl ermöglicht. Wichtig ist eine geringe Absorption des Zinkoxids (ZnO) im interessierenden Wellenlängenbereich von 300 bis 800 nm bzw. 300 bis 1100 nm für amorphe bzw. mikrokristalline Si-Absorber bei einer möglichst hohen elektrischen Leitfähigkeit, d. h. einem Schichtwiderstand von < 20 Ω☐ Entstehende Photoströme können so verlustarm transportiert werden, während transmittiertes Restlicht über die Rückreflexion im Absorber schließlich absorbiert werden kann.In variant A, zinc oxide (ZnO) is used as the back contact layer by default 205 used. For example, preference is given to boron-doped ZnO having a layer thickness of about 1.5 μm, which is deposited on the absorber by a chemical vapor deposition at low pressure (LPCVD). Equally conceivable is a deposition of aluminum-doped zinc oxide (ZnO) with a layer thickness of approximately 1.0 μm, which is deposited on the absorber via a sputtering process (PVD). After the subsequent segmentation of the back contacts by means of laser structuring (Pattern 113 in 1 ) is printed in each case a white back reflector ink with a layer thickness of> 20 microns, which allows efficient backscatter by a suitable choice of pigment. Important is a low absorption of zinc oxide (ZnO) in the wavelength range of interest from 300 to 800 nm or 300 to 1100 nm for amorphous or microcrystalline Si absorber with a high electrical conductivity, ie, a sheet resistance of <20 Ω☐ resulting photocurrents be transported so loss, while transmitted residual light on the return reflection in the absorber can be finally absorbed.

Lösungsmöglichkeit B (Variante B) ist in 3 illustriert. Das Licht trifft durch das Frontglas 301 auf eine TCO-Frontkontaktschicht 302, die meist aus SnO2 oder ZnO besteht. Es folgen die Siliziumschichten, z. B. eine Schicht aus amorphem Silizium (a-Si, 303) und mikrokristallinen Silizium (μc-Si, 304). Daran schließt sich eine dünne Zinkoxid-Schicht 305 von etwa 100 nm Dicke an, die aufgesputtert wurde. Diese ZnO-Schicht wirkt als Diffusionsbarriere und bei geeigneter Wahl der Brechzahl und Schichtdicke als optisches Element (Interferenzschicht, reduzierte Plasmonenabsorption des Rückkontakts). Der Rückkontakt 306 besteht aus hoch-reflektierenden Metallen und zusätzlichen Haft- und Schutzschichten. Das reflektierende Metall ist für eine Absorberschicht aus amorphem Silizium meist Aluminium, während Tandemzellen mit Absorberschichten aus amorphem Silizium und mikrokristallinen Silizium meist mit einem Silberrückkontakt versehen werden. Die Segmenierung der Rückkontakte erfolgt anschließend per Laserstrukturierung. Bei Variante B befindet sich also ein elektrisch leitfähiges, hoch-reflektierendes metallisches Rückkontaktschichtsystem 306 hinter einer dünnen reflexionsverstärkenden TCO-Schicht 305 (TCO = transparent conductive Oxide).Possible solution B (variant B) is in 3 illustrated. The light hits through the front glass 301 on a TCO front contact layer 302 , which mostly consists of SnO 2 or ZnO. It follows the silicon layers, z. B. a layer of amorphous silicon (a-Si, 303 ) and microcrystalline silicon (μc-Si, 304 ). This is followed by a thin zinc oxide layer 305 of about 100 nm thick sputtered on. This ZnO layer acts as a diffusion barrier and with a suitable choice of refractive index and layer thickness as an optical element (interference layer, reduced plasmon absorption of the back contact). The back contact 306 consists of highly reflective metals and additional adhesion and protective coatings. The reflective metal is usually aluminum for an absorber layer of amorphous silicon, while tandem cells with absorber layers of amorphous silicon and microcrystalline silicon are usually provided with a silver back contact. The segmentation of the back contacts is then done by laser structuring. In variant B, therefore, there is an electrically conductive, highly reflective metallic back contact layer system 306 behind a thin reflection-enhancing TCO layer 305 (TCO = transparent conductive oxides).

Beide Varianten haben Nachteile. Der Hauptnachteil bei Variante A ist die Separation von elektrischen und optischen Anforderungen in zwei Schichten, wobei sich die reflektierende Schicht 206 hinter der stromleitenden TCO-Schicht 205 befindet. Für die geforderte hohe elektrische Querleitfähigkeit sind eine hohe Dotierung sowie eine hohe Schichtdicke der TCO-Schicht 205 anzustreben. Dies führt jedoch zu einer starken Absorption in der TCO-Schicht 205 und somit zu einer geringeren Rückreflexion durch die dahinter befindliche weiße Farbe 206.Both variants have disadvantages. The main disadvantage of variant A is the separation of electrical and optical requirements into two layers, with the reflective layer 206 behind the current-conducting TCO layer 205 located. For the required high electrical transverse conductivity are a high doping and a high layer thickness of the TCO layer 205 desirable. However, this leads to a strong absorption in the TCO layer 205 and thus to a lower backreflection due to the white color behind it 206 ,

Dadurch kann das Potential der Weitwinkel-Rückstreuung im dielektrischen Rückreflektor nur unzureichend genutzt werden. Darüber hinaus wird vor allem das schräg-rückreflektierte Licht in der TCO-Schicht 205 vor Wiedereintritt in den Absorber partiell absorbiert. Selbst eine Optimierung der TCO-Elektrooptik ist daher inhärent mit erheblichen elektrischen bzw. optischen Verlusten verbunden.As a result, the potential of the wide-angle backscatter in the dielectric back reflector can only be used insufficiently. In addition, especially the obliquely reflected-back light in the TCO layer 205 partially absorbed before re-entry into the absorber. Even optimization of TCO electro-optics is therefore inherently associated with significant electrical or optical losses.

Hauptnachteil bei Variante B ist die geringe Streuwirkung des Rückreflektorsystems, da die entstehenden Grenzflächen aus z. B. gesputterten ZnO oder Silber alle relativ glatt sind und eine Weitwinkel-Rückstreuung nur in Folge der dem Schichtsystem zugrunde liegenden Frontkontaktrauhigkeit hervorgerufen wird. Zudem wachsen Absorber und Rückkontakt eher konformal auf, wie in 4 gezeigt ist, und tragen zur Lichtstreuung nur minimal bei.Main disadvantage of variant B is the low scattering effect of the back reflector system, since the resulting interfaces of z. B. sputtered ZnO or silver are all relatively smooth and a wide-angle backscatter is caused only as a result of the layer system underlying the front contact roughness. In addition, absorber and back contact grow more conformal, as in 4 is shown, and contribute to light scattering only minimally.

Ausgehend vom vorgenannten Stand der Technik ist es daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Rückseitenschichtsystem für Dünnschichtsolarmodule bereitzustellen, das eine bessere Streuung der Reflexion erreicht und damit zu einem höheren Wirkungsgrad der Dünnschichtsolarmodule führt. Weitere Aufgaben der Erfindung sind die Bereitstellung eines Dünnschichtsolarmoduls mit einem erfindungsgemäßen Rückseitenschichtsystem und die Angabe eines Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Rückseitenschichtsystems.Based on the aforementioned prior art, it is therefore an object of the present invention to provide a back layer system for thin-film solar modules, which achieves a better dispersion of the reflection and thus leads to a higher efficiency of the thin-film solar modules. Further objects of the invention are the provision of a thin-film solar module with a back-side layer system according to the invention and the disclosure of a method for producing a back-side layer system according to the invention.

Die Lösung der Aufgabe der Erfindung erfolgt mit einem Rückseitenschichtsystem gemäß Anspruch 1. Die weiteren Aufgaben werden durch ein Dünnschichtsolarmodul gemäß Anspruch 4 und ein Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 5 erfüllt. Vorteilhafte Ausgestaltungen und bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.The object of the invention is achieved with a backsheet system according to claim 1. The further objects are achieved by a thin-film solar module according to claim 4 and a manufacturing method according to claim 5. Advantageous embodiments and preferred embodiments of the invention are specified in the subclaims.

Das erfindungsgemäße Rückseitenschichtsystem für Dünnschichtsolarmodule umfasst einen Rückkontakt, wobei der Rückkontakt eine leitfähige, lichtreflektierende Rückschicht und eine an die Rückschicht auf der Seite des Lichteinfalls angrenzende Anpassungsschicht aufweist. Das Rückseitenschichtsystem zeichnet sich dadurch aus, dass ein Grenzbereich zwischen der Anpassungsschicht und der Rückschicht einen zusätzlichen Rauhigkeitswert (RMS-Wert) von 25% bezogen auf die nominale Schichtdicke ermittelt durch das Messverfahren AFM (atomic force microscope) aufweist, die zudem per Nachbehandlung (Plasmaätzen bzw. chemisches Ätzen) weiterhin deutlich erhöht werden kann.The backsheet system according to the invention for thin-film solar modules comprises a back contact, wherein the back contact has a conductive, light-reflecting back layer and an adaptation layer adjoining the back layer on the side of the light incidence. The backsize layer system is characterized in that a boundary region between the matching layer and the back layer has an additional roughness value (RMS value) of 25% relative to the nominal layer thickness determined by the AFM (atomic force microscope) measuring method, which is further enhanced by post-treatment (plasma etching or chemical etching) can be further increased significantly.

Durch den erhöhten Rauhigkeitswert wird eine diffuse Reflexion des Lichtes erreicht. Damit ist die Streuung an der reflektierenden Grenzfläche verbessert. Aufgrund des schrägen Reflexionswinkels verlängert sich der optische Weg des reflektierten Lichtes durch den Absorber erheblich. Das erfindungsgemäße Rückseitenschichtsystem kann vorteilhaft bei dünnen Absorberschichten eingesetzt werden, besonders für im nahen infraroten Spektralbereich schwach absorbierende mikrokristalline Zellen. Aufgrund der relativ geringen Depositionsrate dieser Absorberschicht erfolgt damit einhergehend eine deutliche Reduzierung der Herstellungskosten der Solarzellen.Due to the increased roughness value, a diffuse reflection of the light is achieved. This improves the scattering at the reflecting interface. Due to the oblique angle of reflection, the optical path of the reflected light through the absorber increases considerably. The backsize layer system according to the invention can advantageously be used with thin absorber layers, especially for microcrystalline cells which absorb weakly in the near infrared spectral range. Due to the relatively low deposition rate of this absorber layer is accompanied by a significant reduction in the manufacturing cost of solar cells.

Vorzugsweise ist die Anpassungsschicht eine als Diffusor wirkende LPCVD-ZnO-Schicht, welche mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigen Drücken (Low Pressure chemical vapour deposition) aufgebracht wurde.Preferably, the matching layer is a diffuser-acting LPCVD-ZnO layer deposited by low pressure chemical vapor deposition.

Die Rückschicht besteht vorzugsweise aus einem Metall. Durch das Metall wird eine gute elektrische Leitfähigkeit der Rückschicht erreicht.The backing layer is preferably made of a metal. The metal achieves good electrical conductivity of the backing layer.

Weiterhin umfasst die Erfindung ein Dünnschichtsolarmodul, das ein erfindungsgemäßes Rückseitenschichtsystem umfasst.Furthermore, the invention comprises a thin-film solar module which comprises a back-side layer system according to the invention.

Darüber hinaus umfasst die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Rückseitenschichtsystems für Dünnschichtsolarmodule mit einem Rückkontakt, wobei der Rückkontakt eine leitfähige, lichtreflektierende Rückschicht und eine an die Rückschicht auf der Seite des Lichteinfalls angrenzende Anpassungsschicht aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch den Schritt des Aufwachsens einer Anpassungsschicht mit zusätzlichem Rauhigkeitswert (RMS-Wert) von 25% bezogen auf die nominale Schichtdicke, ermittelt durch ein Messverfahren mittels AFM (atomic force microscope), gekennzeichnet. Durch Nachbehandlung (Plasmaätzen bzw. chemisches Ätzen) kann der Rauhigkeitswert nochmals deutlich erhöht werden.In addition, the invention includes a method of making a backsheet system of the invention for thin film solar modules having a back contact, the back contact having a conductive light reflective backing layer and an alignment layer adjacent to the backing layer on the side of the light incident. The method according to the invention is characterized by the step of growing an adaptation layer with an additional roughness value (RMS value) of 25% based on the nominal layer thickness, determined by a measurement method by means of AFM (atomic force microscope). By aftertreatment (plasma etching or chemical etching), the roughness value can be significantly increased again.

Vorzugsweise erfolgt das Aufwachsen durch ein LPCVD-Verfahren. Hierbei wird die natürliche Wachstumsmorphologie des durch das LPCVD-Verfahren abgeschiedenen ZnO als Streugrenzfläche ausgenutzt.Preferably, growth is by an LPCVD method. Here, the natural growth morphology of the ZnO deposited by the LPCVD method is utilized as the scattering surface.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels unter Zuhilfenahme der Schnittdarstellung nach 5 näher erläutert.The invention will now be described with reference to an embodiment with the aid of the sectional view 5 explained in more detail.

5 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Dünnschichtsolarmoduls. Das Licht trifft durch eine Frontglasschicht 501 auf eine TCO Frontkontaktschicht 502. Die Frontkontaktrauhigkeit führt zu einem konformalen Auftragen der nachfolgenden Schichten, wie der amorphen Siliziumschicht 503 und der mikrokristallinen Siliziumschicht 504. 5 shows an embodiment of a thin-film solar module according to the invention. The light hits through a front glass layer 501 on a TCO front contact layer 502 , The front contact roughness leads to a conformal application of the subsequent layers, such as the amorphous silicon layer 503 and the microcrystalline silicon layer 504 ,

Es folgt eine dünne selbststrukturierte Anpassungsschicht aus Zinkoxid, die bevorzugt mittels eines LPCVD-Verfahrens aufgetragen wurde. Die LPCVD-ZnO-Schicht 505 wird hierbei nicht für die notwendige elektrische Querleitfähigkeit eingesetzt, sondern ersetzt funktional die gesputterte, dünne TCO-Schicht des Standes der Technik, wobei die LPCDVD-ZnO-Schicht 505 als zusätzlicher Diffusor wirkt. Hierbei wird die natürliche Wachstumsmorphologie des durch das LPCVD-Verfahren abgeschiedenen ZnO als Streugrenzfläche ausgenutzt. Das Verfahren unterscheidet sich somit grundsätzlich von alternativen Ansätzen, die für die dünne, gesputterte TCO-Anpassungsschicht eine nachgelagerte Strukturierung bzw. Ätzung vorsehen.This is followed by a thin self-aligned zinc oxide matching layer, which was preferably applied by an LPCVD process. The LPCVD-ZnO layer 505 is not used here for the necessary electrical transverse conductivity, but functionally replaces the sputtered, thin TCO layer of the prior art, wherein the LPCDVD-ZnO layer 505 acts as an additional diffuser. Here, the natural growth morphology of the ZnO deposited by the LPCVD method is utilized as the scattering surface. The method thus fundamentally differs from alternative approaches which provide downstream structuring or etching for the thin, sputtered TCO adaptation layer.

Claims (7)

Rückseitenschichtsystem (505; 506) für Dünnschichtsolarmodule mit einem Rückkontakt, wobei der Rückkontakt eine leitfähige, lichtreflektierende Rückschicht (506) und eine an die Rückschicht auf einer Seite eines Lichteinfalls angrenzende Anpassungsschicht (505) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Übergangs- oder Grenzbereich zwischen der Anpassungsschicht (505) und der Rückschicht (506) einen zusätzlichen Rauhigkeitswert (RMS-Wert) von ≥ 25% bezogen auf die nominale Schichtdicke ermittelt durch das Messverfahren AFM (atomic force microscope) aufweist.Backsheet system ( 505 ; 506 ) for thin film solar modules having a back contact, wherein the back contact comprises a conductive, light reflecting back layer ( 506 ) and a matching layer adjacent to the backing layer on one side of a light incidence ( 505 ), characterized in that a transition or boundary region between the matching layer ( 505 ) and the backing layer ( 506 ) has an additional roughness value (RMS value) of ≥ 25% based on the nominal layer thickness determined by the measuring method AFM (atomic force microscope). Rückseitenschichtsystem nach Anspruch 1, wobei die Anpassungsschicht (505) eine als Diffusor wirkende LPCVD-ZnO-Schicht ist.The backsheet system of claim 1, wherein the conformance layer (16) 505 ) is an acting as a diffuser LPCVD-ZnO layer. Rückseitenschichtsystem nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Rückschicht (506) aus einem Metallsystem besteht.Backsheet system according to claim 1 or 2, wherein the backing layer ( 506 ) consists of a metal system. Dünnschichtsolarmodul, das ein Rückseitenschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfasst.A thin film solar module comprising a backsheet system according to any one of the preceding claims. Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenschichtsystems (505; 506) für Dünnschichtsolarmodule mit einem Rückkontakt, wobei der Rückkontakt – eine leitfähige, lichtreflektierende Rückschicht (506) und – eine an die Rückschicht auf einer Seite eines Lichteinfalls angrenzende Anpassungsschicht aufweist, gekennzeichnet durch den Schritt des Aufwachsens einer Anpassungsschicht (505) mit einem Übergangs- oder Grenzbereich mit einem zusätzlichen Rauhigkeitswert (RMS-Wert) von 25% bezogen auf die nominale Schichtdicke, ermittelt durch das Messverfahren AFM (atomic force microscope).Method for producing a backsize layer system ( 505 ; 506 ) for thin-film solar modules with a back contact, the back contact - a conductive, light-reflecting back layer ( 506 ) and - an adaptation layer adjoining the backing layer on one side of a light incidence, characterized by the step of growing an adaptation layer ( 505 ) with a transitional or boundary area with an additional roughness value (RMS value) of 25% with respect to the nominal layer thickness, determined by the AFM (Atomic Force Microscope) measuring method. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Aufwachsen durch ein LPCVD-Verfahren erfolgt.The method of claim 5, wherein said growing is by an LPCVD method. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass durch Nachbehandlung mittels Plasmaätzen bzw. chemisches Ätzen die Rauhigkeit weiter erhöht wird.A method according to claim 5 or 6, characterized in that the roughness is further increased by aftertreatment by means of plasma etching or chemical etching.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6593522B2 (en) * 2000-03-29 2003-07-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell device
US20090242020A1 (en) * 2008-04-01 2009-10-01 Seung-Yeop Myong Thin-film photovoltaic cell, thin-film photovoltaic module and method of manufacturing thin-film photovoltaic cell

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