DE102009055946B3

DE102009055946B3 - Verfahren zur Schichtdickenmessung mittels Vakuumbedampfung abgeschiedener Schichten und Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung in einer Durchlaufanlage

Info

Publication number: DE102009055946B3
Application number: DE200910055946
Authority: DE
Inventors: Bernd-Dieter Wenzel; Jörg Dr. Faber
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne GmbH
Priority date: 2009-11-30
Filing date: 2009-11-30
Publication date: 2011-06-01
Anticipated expiration: 2029-12-01

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung der Dicke von Schichten, die mittels Vakuumbedampfung im Durchlaufverfahren auf einem Substrat 1 abgeschieden wurden. Ihr liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Schichtdickenmessung anzugeben, das Schwankungen in den geometrischen Eigenschaften des zu beschichtenden Substrats 1 berücksichtigt und das dennoch Schichtdickenmessungen mit einer dichten Messpunktfolge ermöglicht. Das Verfahren soll außerdem kostengünstig und in Inline-Beschichtungsanlagen insbesondere während eines Vakuumdurchlaufs einsetzbar sein. Zur Lösung der Aufgabe wird ein Verfahren angegeben, bei dem eine geometrische Größe des Substrats 1 und die Schichtdicke aus jeweils einer, der ersten und der zweiten Temperaturänderung ermittelt werden, die aufgrund der Bedampfung des Substrats und abseits davon erfolgen und gemessen werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung der Dicke von Schichten, die mittels Vakuumbedampfung im Durchlaufverfahren auf einem Substrat abgeschieden wurden.
Schichten werden im Vakuum durch verschiedene thermische oder Plasmaverfahren mit hoher Güte auf Substraten abgeschieden, wobei mit den thermischen Verdampfungsverfahren deutlich höhere Abscheideraten zu erzielen sind. Beispielsweise ist die Rate beim Elektronenstrahlbeschichten um den Faktor zehn höher als beim Sputtern. Es wird daher bevorzugt bei industriellen Verfahren eingesetzt, bei denen ein großer Flächendurchsatz notwendig ist. Die Schichten sind thermischer bei Verdampfung in der Regel in einem Toleranzbereich von +/–10 aufzubringen, wobei die Schichtdicke insbesondere durch den Betrag der Verdampferleistung beeinflusst werden kann.
Durch mehrere mit dem Beschichtungsprozess verbundene Energiequellen wird das Substrat in reproduzierbarer Weise aufgeheizt. Die dabei zu berücksichtigenden Energiequellen sind im wesentlichen die Strahlungswärme vom Verdampfertiegel und die Kondensationswärme der sich abscheidenden Schicht. Bei der Elektronenstrahlverdampfung ist darüber hinaus auch der Energieeintrag von gestreuten und reflektierten Elektronen der Elektronenstrahleinrichtung zu berücksichtigen. Diese Wärmequellen sind sämtlich direkt oder indirekt mit der Beschichtungsrate verknüpft. Die Erwärmung des Substrats ist somit auch ein Maß für die aufgebrachte Schichtdicke.
Bei der Beschichtung von Glas- oder bandförmigen Substraten, deren Dicke mit großer Genauigkeit bekannt ist und kaum schwankt, wird als einfaches Verfahren zur Schichtdickenkontrolle der abgeschiedenen Schicht die Temperaturmessung des Substrats eingesetzt. Unmittelbar vor und nach der Beschichtung wird die Substrattemperatur bestimmt und aus der Temperaturdifferenz über den oben beschriebenen Zusammenhang zwischen Energieeintrag und Beschichtungsrate die Schichtdicke ermittelt.
Schwankt die Dicke des Substrates jedoch oder werden diskrete Substrate mit wechselnder, unbekannter Dicke, wie z. B. Wafer beschichtet, ist diese Methode insbesondere dann nicht geeignet, wenn die Schichtdickenmessung inline und bei hohem Durchsatz ausgeführt werden soll. Da die Temperaturdifferenz wesentlich von der Substratdicke beeinflusst wird, müsste für eine Schichtdickenbestimmung nach dem oben genannten Verfahren die Dicke der Substrate bekannt und klassifiziert sein oder im Prozess ermittelt werden. Das ist bei der Beschichtung von z. B. mehreren tausend Wafern pro Stunde innerhalb der Inline-Beschichtungs-Anlage nicht realisierbar.
Der Erfindung liegt folglich die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Schichtdickenmessung anzugeben, das Schwankungen in den geometrischen Eigenschaften des zu beschichtenden Substrats berücksichtigt und das dennoch Schichtdickenmessungen mit einer dichten Messpunktfolge ermöglicht. Das Verfahren soll außerdem kostengünstig und in Inline-Beschichtungsanlagen insbesondere während eines Vakuumdurchlaufs einsetzbar sein.
Zur Lösung der Aufgabe wird ein Verfahren angegeben, das die Dickenmessung der Schicht mit der Messung der Dicke eines Substrats oder eines Substratabschnitts kombiniert, wobei anstelle der Dicke in analoger Weise grundsätzlich auch eine andere geometrische Größe eines Substrats ermittelt werden kann. Dabei wird für beide Messungen das gleiche grundsätzliche Verfahren angewendet, jedoch zu unterschiedlichen Zeitpunkten innerhalb des Durchlaufs. Beide Messungen beruhen auf der Abgabe bzw. Aufnahme einer begrenzbaren Wärmemenge, was einfach in einen Durchlauf, auch ohne Brechen eines Vakuums, zu integrieren ist. Letzteres insbesondere aus dem Grund, weil verschiedene Prozesse während eines Durchlaufs mit einem Temperaturanstieg oder einem Temperaturabfall des Substrats verbunden sind. Diese Prozesse sind für den Wärmeeintrag oder die Wärmeabgabe nutzbar oder durch eine kontrollierte Erwärmung oder Abkühlung zu ergänzen.
Unabhängig davon, ob die im Durchlauf ohnehin ablaufenden thermischen Prozesse genutzt werden oder zusätzliche Prozessschritte eingefügt werden, ist die aufgenommene oder abgegebene Wärmemenge begrenzbar. Am einfachsten erfolgt dies über die zeitliche Begrenzung der Wärmeaufnahme oder Wärmeabgabe oder des für die Messung der jeweiligen Temperaturänderung verwendeten Prozessabschnitts. Der erste Fall wird bei der Wärmeaufnahme infolge der Bedampfung genutzt, da ein Substrat zur Abscheidung einer Schicht vordefinierter Dicke nur für einen begrenzten Zeitraum der Bedampfung ausgesetzt wird. Zweiter Fall wird immer dann verwendet, wenn von einem längeren Erwärmungs- oder Abkühlungsprozess nur ein Zeitabschnitt, möglichst mit gleichförmigem Wärmeeintrag oder gleichförmiger Wärmeabgabe, für die Temperaturmessungen berücksichtigt wird.
Die Kombination der Ermittlung beider geometrischer Werte, der Dicke der Schicht und der Dicke des Substrats oder Substratabschnitts, gestattet Schwankungen in der Substratgeometrie auch für Inline-Messungen zu berücksichtigen, ohne diese Schwankungen explizit vor der Beschichtung zu kennen.
Die zu ermittelnde Dicke eines Substrats oder Substratabschnitts hängt meist von der Art des Substrats ab. Bei diskreten Substraten, d. h. solchen mit in Bezug auf den Beschichtungsraum begrenzten, kleineren Abmessungen wie z. B. Wafern, treten häufig Dickenschwankungen von Substrat zu Substrat auf, die wie oben beschrieben nicht durchlaufend zu ermitteln, mit dem hier vorgestellten Verfahren dennoch zu berücksichtigen sind. Bei großen Substraten, die sich häufig über den gesamten Beschichtungsbereich erstrecken, oder auch bei Endlossubstraten ist das Verfahren anwendbar, wenn das Substrat abschnittsweise betrachtet wird und sich die Randbedingungen zum benachbarten Abschnitt nicht wesentlich ändern. Auch für solche Substratabschnitte sind Schwankungen der Dicke des Substrats zu berücksichtigen. Der Einfachheit halber soll für beide Fälle, d. h. sowohl für diskrete Substrate als auch für Abschnitte größerer Substrate, in der vorliegenden Beschreibung allgemein von einem Substrat die Rede sein.
Erfindungsgemäß werden die Temperaturmessungen zur Berücksichtigung der Substratgeometrie abseits der Bedampfung durchgeführt. Darunter ist zu verstehen, dass die Messstelle dieser Temperaturmessungen so gewählt wird, dass ein Wärme eintrag, der durch die Bedampfung bedingt ist, an dieser Stelle nicht erfolgen soll. Der Wärmeeintrag durch die Bedampfung erfolgt von verschiedenen Energiequellen, insbesondere durch die Kondensationswärme der abgeschiedenen Schicht, durch die Verdampfungseinrichtung selbst, z. B. die Wärme reflektierter Elektronen vom Verdampfungsbad bei Elektronenstrahlverdampfung oder Strahlungswärme vom Verdampfungsbad oder durch Begleitprozesse wie dem Plasma bei plasmagestützten Verdampfungsprozessen, bei denen gestreute Elektronen und Ionen des Plasmas die Substrattemperatur erhöhen. Diese Wärmequellen sind für die Ermittlung der Substratgeometrie auszuschließen, indem die dafür notwendigen Temperaturmessungen außerhalb des Beschichtungsbereichs oder auch außerhalb der Bedampfungskammer innerhalb der Durchlaufanlage erfolgen.
Da in diesem Prozessbereich keine Änderungen in der Wärmekapazität des Substrats infolge Schichtwachstums zu berücksichtigen sind, können diese Messungen am beschichteten oder unbeschichteten Substrat erfolgen. D. h. diese Messungen sind wahlweise vor oder nach dem Bedampfungsbereich im Durchlaufprozess möglich.
Aber auch Temperaturmessungen in unmittelbarer Nachbarschaft zum Bedampfungsbereich sind möglich. Denn selbst wenn durch Streueffekte noch Änderungen an der abgeschiedenen Schicht erfolgen, ist dies für die Substratgeometriebestimmung ohne Relevanz. Die Ursache hierfür liegt in den geometrischen Relationen zwischen dem Substrat und der abgeschiedenen Schicht. So beträgt die Schichtdicke bezogen auf die Substratdicke üblicherweise nur wenige Prozent, z. B. 1% oder weniger, so dass der Temperaturanstieg des Substrat-Schicht-Verbundes insbesondere bei geringfügigen Änderungen der Schicht am Ende des Bedampfungsbereiches von der Wärmekapazität des Substrats bestimmt wird.
Der überwiegende Einfluss des Substrats im Substrat-Schicht-Verbund gestattet dennoch die Ermittlung der Schichtdicke anhand der Temperaturänderung während des Bedampfungsprozesses, nachfolgend als zweite Temperaturänderung bezeichnet. Dies beruht zum einen auf dem hohen Wärmeeintrag während der Bedampfung und zum anderen auf der Verwendung geeigneter, präziser Temperaturmessmethoden. Beispielhaft seien Strahlungspyrometer genannt, ein häufig für die Beschichtung eingesetztes Temperaturmessverfahren. Die Strahlungspyrometer sind im beschriebenen Verfahren günstigerweise, insbesondere bei Siliziumwafern, auf die beschichtete Seite des Substrats gerichtet. Die Ausrichtung der Pyrometer auf die abgeschiedene Schicht hat den Vorteil, dass die Pyrometer für die Messung von Siliziumsubstraten auch für geringere Temperaturen verwendet werden können.
Um tatsächlich nur den Einfluss der abgeschiedenen Schicht auf die Temperaturänderung des Substrats zu erfassen, erfolgt die Temperaturmessung unmittelbar vor und unmittelbar nach der Bedampfung, d. h. eingangs und ausgangs des Beschichtungsbereiches. Die Messstelle für die Temperaturmessung sollte insbesondere so gewählt werden, dass die Temperatur des Substrats nicht mehr oder noch nicht von dem benachbarten, meist kühleren Bereich beeinflusst wird. Darüber hinaus sind die Temperatursensoren vor dem Einfluss von Streudampf zu schützen Insbesondere bei sehr langen Bedampfungsprozessen kann dies durch die Verwendung von Quotientenpyrometern oder durch zusätzliche bewegliche Blenden (Shutter) unterstützt werden.
Ob die Temperaturmessung für die Substratgeometrie, die der Unterscheidung wegen und ohne Festlegung einer zeitlichen Reihenfolge als erste Temperaturänderung bezeichnet sein soll, entsprechend verschiedener Ausgestaltungen des Verfahrens während eines Wärmeeintrags oder während einer Substratabkühlung erfolgt, hängt insbesondere von der Gesamtenergiebilanz des Durchlaufprozesses ab. Während bei der Substratabkühlung ohnehin ablaufende Prozesse nutzbar sind, wie eine spontane durch Wärmestrahlung ablaufende Abkühlung z. B. nach der Bedampfung, und keine zusätzliche Wärmequelle erforderlich ist, kann ein zusätzlicher Wärmeeintrag vor oder nach der Bedampfung die Temperaturbelastung eines möglicherweise ohnehin bereits hoch belasteten Substrats weiter verstärken. Auch mögliche Änderungen der Schichtstruktur sind für diese Verfahrensvariante zu berücksichtigen. Jedoch ermöglicht die Bestimmung der Substratgeometrie vor der Bedampfung die in-situ-Schichtdickenmessung, da die Substratgeometrie bei der Schichtdickenmessung am selben Substrat sofort Berücksichtigung finden kann. Dies wiederum bietet Möglichkeiten zur Prozessregelung.
Um den Anforderungen eines Durchlaufprozesses insbesondere hinsichtlich des Zeit- und Kostenaufwandes gerecht zu werden, erfolgt die Bestimmung der Substratgeometrie in einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens empirisch anhand von Kennlinien. Diese werden in der Anlage an Substraten bekannter Geometrie ermittelt und setzen die Substratdicke zu einer Temperaturänderung des beschichteten oder unbeschichteten Substrats in Beziehung. Als Parameter dient die aufgenommene oder abgegebene Wärmemenge, wie oben beschrieben z. B. über die Zeitdifferenz zwischen zwei Temperaturmessungen.
In gleicher Weise ist auch die Schichtdicke der abgeschiedenen Schicht aus Kennlinien zu ermitteln, die zuvor an Substraten bekannter Geometrie gewonnen wurden, indem die Schichtdicke mit anderen, z. B. coulometrischen Methoden, auch ex situ ermittelt werden.
Die Ermittlung der Substrat- und ebenso der Schichtdicke anhand von Kennlinien, gestattet in vorteilhafter Weise Änderungen in den Wärmeprozessen, die im Verlauf eines kontinuierlichen Betriebs einer Bedampfungsanlage vonstatten gehen, zu berücksichtigen. Dazu werden die Kennlinien in zeitlichen Abständen korrigiert, indem die erforderlichen Referenzmessungen regelmäßig wiederholt werden. Solche mit dem Betrieb der Anlage verbundenen Änderungen sind z. B. das Senken des Badspiegels im Verdampfer, die Änderung des Auftreffwinkels und Auftreffortes des Elektronenstrahls. Auch eine mögliche Abkühlung des Substrats während langandauernder oder mit großen Temperaturerhöhungen verbundener Bedampfungsprozesse können durch Korrektur der Kennlinien berücksichtigt werden.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. Die zugehörige Figur zeigt eine Bedampfungskammer mit vor- und nachgelagerten Abschnitten einer im Durchlaufprinzip arbeitenden Vakuumbeschichtungsanlage.
Die dargestellte Vakuumbeschichtungsanlage dient der Beschichtung von Wafern 1 für die Photovoltaik im kontinuierlichen Verfahren mit Aluminium mittels Elektronenstrahlverdampfen. Die Dicke der Wafer 1 schwankt aufgrund der Herstellungstechnologie in einem Bereich von bis zu +/–15%.
Zur Beschichtung werden mehrere Substrate 1, im Ausführungsbeispiel die Wafer 1 in Losen auf Carrier 3 gelegt und mittels eines Transportsystems 5 in einer Richtung, allgemein als Substrattransportrichtung 6 bezeichnet, durch die Vakuumbeschichtungsanlage und damit durch die Bedampfungskammer 4 transportiert.
Die Bedampfungskammer 4 gemäß Fig. ist mit einem Vakuumerzeuger 7 verbunden, um das für die Beschichtung mittels Verdampfung erforderliche Vakuum herzustellen.
In der Bedampfungskammer 4 ist unterhalb der Ebene, in welcher die Carrier 3 durch die Anlage bewegt werden, ein Verdampfertiegel 10 angeordnet, aus welchem das Beschichtungsmaterial 11, vorliegend Aluminium, verdampft wird. Dazu wird eine Dampfquelle 14, im Ausführungsbeispiel die gesamte Oberfläche des Beschichtungsmaterials 11, erzeugt durch Erhitzen des Beschichtungsmaterials 11, vorliegend mittels Elektronenstrahl 12, der mit einer Elektronenstrahlkanone 13 erzeugt wird. Das verdampfte Beschichtungsmaterial 11 breitet sich in einer Dampfwolke 15 zu den Wafern 1 hin aus und schlägt sich darauf nieder. Die Ausdehnung der Dampfwolke 15 bestimmt den Beschichtungsbereich. In alternativen Ausgestaltungen von Bedampfungskammern 4 kann der Beschichtungsbereich durch Blenden (nicht dargestellt) begrenzt sein, z. B. zur Erzielung einer homogenen Schichtverteilung.
Erfindungsgemäß sind an einem Wafer 1, dessen Schichtdicke zu ermitteln ist, zumindest drei Temperaturmessungen durchzuführen, wobei im dargestellten Ausführungsbeispiel eine Temperaturmessung sowohl für die Schichtdickenermittlung als auch für die Ermittlung der Substratgeometrie verwendet wird. In anderen Ausgestaltungen können weitere Temperaturmesspunkte angeordnet sein, wobei es grundsätzlich auch möglich ist, mehr als zwei Temperaturmessungen für eine der beiden genannten geometrischen Ermittlungen zu verwenden.
Am Eingang der Bedampfungskammer 4 wird die Eingangstemperatur T1 eines Wafers 1 mittels eines geeigneten Temperatursensors 16.1 gemessen. Sofern der Wafer 1 in Prozessen vor der Bedampfungskammer 4 bereits eine ausreichende Erwärmung erfahren hat, kann die Temperaturmessung z. B. mittels eines Strahlungspyrometers erfolgen, das bekanntlich für Silizium erst bei höheren Temperaturen verwendbar ist. Ist der Wafer 1 eingangs der Bedampfungskammer 4 noch nicht erwärmt, kann auch die Lagertemperatur in den Wafer-Magazinen oder einer anderen Lagerstätte des Wafers als T1 verwendet werden.
Durch den Beschichtungsprozess in der Bedampfungskammer 4 erhöht sich die Temperatur des Wafers 1. Die Kondensationswärme der Aufdampfschicht und weitere Wärme in die Wafer einbringenden Effekte in der Bedampfungskammer 4, wie z. B. Wärmestrahlung vom Verdampfungsbad, die Wärme reflektierter Elektronen bei Elektronenstrahlverdampfung oder Ionen- und Elektronenstreuprozesse bei plasmagestützten Verfahren, erhöhen die Temperatur des Wafers 1 auf die Temperatur T2. Diese wird mit einem weiteren Temperatursensor 16.2 gemessen, der ausgangs der Bedampfungskammer 4 angeordnet ist. Bei dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel zur Beschichtung mit Aluminium liegt die Temperatur T2 im Bereich von 200 bis 400°C. Beide Temperatursensoren 16.1 und 16.2 sind außerhalb der Bedampfungskammer 4 und damit im bedampfungsfreien Raum positioniert, so dass keiner der in der Bedampfungskammer 4 wirkenden, erwärmenden Effekte auf die Wafer 1 und die Temperatursensoren 16.1, 16.2 wirken kann.
Ein dritter Temperatursensor 16.3 misst die Temperatur T3 des Wafers 1 nach der Durchfahrt einer Abkühlstrecke 8 im Anschluss der Bedampfungskammer 4. In dieser Strecke kühlen sich die Wafer 1 durch Wärmestrahlung auf die Temperatur T3 ab.
Die Dicke der aufgedampften Schicht ist sehr klein gegen die Dicke des Wafers 1 und damit wird die Abkühlungsrate des Wafers 1 durch dessen Wärmeinhalt bestimmt. Folglich kühlen dickere Wafer 1 während ihres Durchgangs durch die Abkühlstrecke 8 weniger ab als dünne. Aus dem Abstand der Temperatursensoren 16.2, 16.3 für T2 und T3 und der Bahngeschwindigkeit der die Wafer 1 transportierenden Carrier 3 ergibt sich die Abkühlungszeit. Aus der Temperaturdifferenz T2 – T3, d. h. der ersten Temperaturänderung, und der Abkühlzeit kann die Dicke des Wafers bestimmt werden. Mit dieser ermittelten Waferdicke kann dann aus der Erwärmung und der entsprechenden zweiten Temperaturänderung T2 – T1 die Dicke der aufgedampften Schicht ermittelt werden.
Mittels eines Prozessrechners 18, in welchem auch zuvor ermittelte und/oder im Verlaufe eines kontinuierlich ablaufenden Beschichtungsverfahrens korrigierte Kennlinien gespeichert sind, werden die Temperaturen T1, T2 und T3 gemessen und daraus anhand der Kennlinien die Dicke des Wafers rund die der Aufdampfschicht ermittelt.
In einer Abwandlung des Verfahrens werden die Wafer 1 vor der Beschichtung durch eine separate Wärmequelle erwärmt und durch den Wärmeanstieg z. B. von 10 bis 20°C die Waferdicke ermittelt. Die Wafer 1 werden dann beschichtet und die Schichtdicke aus dem weiteren Temperaturanstieg und der bereits bekannten Waferdicke anhand der gespeicherten Kennlinien ermittelt.
Insbesondere beim Elektronenstrahlbedampfen wird die Schicht auf den in einem Carrier 3 gehaltenen Wafern 1 häufig durch mehrere Dampfquellen 14 gebildet, die durch den periodisch abgelenkten Elektronenstrahl 12 auf einem oder mehreren Verdampfertiegeln 10 erzeugt werden, so dass die Dampfquellen 14 über die Carrierbreite verteilt angeordnet sind. Auf die Fig. bezogen, würden die einzelnen Dampfquellen 14 in Blickrichtung hintereinander angeordnet sein. Trotz einer Superpositionierung der quer zur Substrattransportrichtung 6 angeordneten Dampfquellen 14 können diese Spuren von Inhomogenitäten in den Schichtdicken parallel zur Substrattransportrichtung 6 erzeugen.
Um eine gleichmäßige Schichtdicke über die Wafer 1 in Carrierbreite herzustellen, ist jeder Dampfquelle 14 eine eigene, Temperaturmessung sowohl für die Temperatur T2 als auch für T3 zugeordnet. Eine Beschränkung dieser Zuordnung auf die Temperaturmessungen von T2 und T3 ist möglich, wenn T2 und T3 wie im beschriebenen Ausführungsbeispiel nach der Bedampfung gemessen werden, da der Einfluss der einzelnen Dampfquellen 14 erst dort zu verzeichnen ist. Selbstverständlich können alternativ auch Temperaturmessungen vor der Bedampfungskammer 4 auf den Spuren der Dampfquellen 14 erfolgen. Bei solch einer von den Dampfquellen 14 abhängigen Schichtdickenermittlung kann die Leistung des Verdampfers, im Ausführungsbeispiel der Elektronenstrahlleistung, auf die einzelnen Dampfquellen 14 bezogen geregelt werden, entsprechend den ermittelten Schichtdicken in der Spur jeder Dampfquelle 14.
Bezugszeichenliste

1: Substrat, Wafer
3: Carrier
4: Bedampfungskammer
5: Transportsystem
6: Substrattransportrichtung
7: Vakuumerzeuger
8: Abkühlstrecke
10: Verdampfertiegel
11: Beschichtungsmaterial
12: Elektronenstrahl
13: Elektronenstrahlkanone
14: Dampfquelle
15: Dampfwolke
16: Temperatursensor
18: Prozessrechner
T1, T2, T3: Substrattemperatur

Claims

Verfahren zur Dickenmessung von im Durchlaufverfahren mittels Vakuumbedampfung abgeschiedenen Schichten, folgende Verfahrensschritte umfassend: – Messung einer ersten Temperaturänderung eines diskreten Substrats oder eines Substratabschnitts, nachfolgend allgemein als Substrat (1) benannt, die aus einer Aufnahme oder einer Abgabe einer begrenzbaren Wärmemenge in einem solchen Zeitabschnitt des Durchlaufverfahrens resultiert, in welchem kein Wärmeeintrag in das Substrat (1) aufgrund der Bedampfung erfolgt, – Ermittlung der Dicke des Substrats (1) aus dessen gemessener, abseits der Bedampfung erfolgten ersten Temperaturänderung, – Messung einer zweiten Temperaturänderung des Substrats (1), die aus der Aufnahme der durch die Bedampfung verursachten Wärmemenge resultiert, – Ermittlung der Dicke der auf dem Substrat (1) abgeschiedenen Schicht aus dessen gemessener, während der Bedampfung erfolgten zweiten Temperaturänderung, wobei der Anteil des nur auf das Substrat (1) entfallenden Wärmeeintrags anhand der zuvor ermittelten Dicke des Substrats (1) berücksichtigt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Messung der ersten Temperaturänderung zur Ermittlung der Dicke des Substrats (1) nach der Bedampfung im Verlauf der Abkühlung des beschichteten Substrats (1) erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Messung der ersten Temperaturänderung zur Ermittlung der Dicke des Substrats (1) vor der Bedampfung erfolgt.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Ermittlung der Dicke des Substrats (1) und/oder der Schichtdicke der abgeschiedenen Schicht anhand von Kennlinien erfolgen, welche die Dicke des Substrats (1) und/oder die Schichtdicke der abgeschiedenen Schicht zur jeweiligen Temperaturänderung in Beziehung setzen.
Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung in einer Durchlaufanlage, folgende Verfahrensschritte umfassend: – Transport zumindest eines Substrats (1) in Substrattransportrichtung (6) durch eine Bedampfungskammer (4) der Durchlaufanlage mittels eines Transportsystems (5), – Verdampfung von Beschichtungsmaterial (11) in der Bedampfungskammer (4) und dessen Abscheidung auf dem Substrat (1) in einem Bedampfungsbereich, – Erwärmung oder Abkühlung des Substrats (1) in einem Abschnitt des Durchlaufverfahrens, in welchem kein Wärmeeintrag in das Substrat (1) aufgrund der Bedampfung erfolgt, – wobei die Schichtdicke der auf dem Substrat (1) abgeschiedenen Schicht nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 ermittelt wird.