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Die
Erfindung betrifft eine optische Baugruppe zur Führung
eines EUV-Strahlungsbündels. Ferner betrifft die Erfindung
eine Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage zur
Ausleuchtung eines Objektfeldes mit Beleuchtungslicht einer Strahlungsquelle,
ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und der
Strahlungsquelle, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen
Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauelements
mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit
einem derartigen Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes
Bauelement.
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Eine
optische Baugruppe mit einem eine Mehrzahl von aktuatorisch verlagerbaren
Einzelspiegeln umfassenden Spiegel ist bekannt aus der
US 6,658,084 B2 .
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Beleuchtungsoptiken
für Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlagen, bei
denen auf den Einzelspiegeln beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage
thermische Energie deponiert wird, insbesondere beim Betrieb mit
EUV (extrem ultraviolett)-Strahlung im Bereich zwischen 5 nm und
30 nm, lassen sich entweder nur mit einer für anspruchsvolle Beleuchtungsaufgaben
nicht tolerabel niedrigen Strahlungsleistung betreiben oder haben
ebenfalls nicht tolerabel hohe Durchsatzverluste.
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Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische
Baugruppe der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass
hiermit eine Beleuchtungsoptik aufgebaut werden kann, die auch bei
nicht zu vernachlässigender thermischer Last auf den Einzelspiegeln
einen hohen Beleuchtungslichtdurchsatz gewährleistet.
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Diese
Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch
eine optische Baugruppe mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen
und durch eine optische Baugruppe mit den im Anspruch 13 angegebenen Merkmalen.
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Erfindungsgemäß wurde
gemäß einem ersten Aspekt erkannt, dass ein Betrieb
im Vakuum den Durchsatz insbesondere bei kleinen Wellenlängen des
Beleuchtungslichts im EUV deutlich erhöht, da ein Gas als
Wärmetransportmedium im Vakuum nicht mehr zur Verfügung
steht und da ferner durch die Atmosphäre herbeigeführte
Beleuchtungslichtverluste vermieden sind. Bei der erfindungsgemäßen
optischen Baugruppe ist aufgrund der Wärmeleitungsabschnitte
mit einer Wärmeabführleistungsdichte von mindestens
1 kW/m2 gewährleistet, dass von den Spiegelkörpern
aufgenommene, also nicht reflektierte, optische oder elektrische
Leistung effizient von den Spiegelkörpern auf die Tragstruktur
abgeführt wird. Eine Überhitzung der Spiegelkörper,
die beispielsweise zur Zerstörung von hoch reflektierenden Beschichtungen
auf den Spiegelkörpern führen könnte,
wird trotz des Betriebs der Spiegelkörper in der evakuierten
Kammer vermieden. Aufgrund der Wärmeleitungsabschnitte
mit der erfindungsgemäß hohen Wärmeabführleistungsdichte
kommt es also nicht auf eine Konvektions-Abführung von
Wärme von den Spiegelkörpern oder auf eine Wärmeabfuhr von
den Spiegelkörpern über eine Wärmeleitung durch
ein stehendes Gasmedium an. Ein Vakuumbetrieb des Spiegels der optischen
Baugruppe mit entsprechend geringen EUV-Strahlungsverlusten ist dann
ohne Überhitzung der Einzelspiegel möglich. Bei
dem Verlagerungs-Freiheitsgrad des Spiegelkörpers relativ
zur Tragstruktur handelt es sich um mindestens einen Kipp- und/oder
Translationsfreiheitsgrad. Die Reflexionsfläche eines der
Spiegelkörper kann eine Ausdehnung von 0,5 mm × 0,5
mm, 1 mm × 1 mm, 4 mm × 4 mm, 8 mm × 8
mm oder auch von 10 mm × 10 mm haben. Die Wärmeleitungsabschnitte
können auch zur Abführung einer größeren
von den Spiegelkörpern aufgenommenen Leistungsdichte ausgebildet
sein. Pro Spiegelkörper kann von einem der Wärmeleitungsabschnitte
beispielsweise eine Leistungsdichte von 2 kW/m2, von 5 kW/m2, von 10
kW/m2, von 20 kW/m2, von 50 kW/m2 oder von 100 kW/m2 auf die Tragstruktur
abgeführt werden. Die Wärmeleitungsabschnitte
können zur Abführung einer von den Spiegelkörpern
aufgenommenen thermischen Leistung von mindestens 50 mW auf die Tragstruktur
ausgebildet sein. Pro Spiegelkörper kann von einem der
Wärmeleitungsabschnitte beispielsweise eine Leistung von
100 mW, von 150 mW oder von 160 mW auf die Tragstruktur abgeführt
werden.
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Aktuatoren
nach Anspruch 2 ermöglichen den Einsatz vergleichsweise
steifer Wärmeleitungsabschnitte, die wiederum eine vorteilhaft
hohe Wärmeabführkapazität haben können.
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Dies
gilt insbesondere für Lorentz-Aktuatoren nach Anspruch
3, mit denen hohe Aktuatorkräfte realisierbar sind. Lorentz-Aktuatoren
sind prinzipiell bekannt aus der
US 7,145,269 B2 .
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Eine
stromführende Aktuatorkomponente nach Anspruch 4 führt
zur Möglichkeit eines Aufbaus des Aktuators mit hoher Integrationsdichte.
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Mehrere
Lagen aufgedruckter Leiterbahnen nach Anspruch 5 ermöglichen
beispielsweise verschiedene Orientierungen der Leiterbahnen pro
aufgedruckter Lage und/oder verschiedene Leiterbahnen-Querschnitte
pro aufgedruckter Lage. Auf diese Weise können verschiedene
Kraftrichtungen des Aktuators zur Realisierung verschiedener Verlagerungsfreiheitsgrade
und/oder verschiedene Kraftniveaus der Verlagerung realisiert werden.
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Reluktanz-Aktuatoren
nach Anspruch 6, die beispielsweise aus der
WO 2007/134574A bekannt sind,
ermöglichen ebenfalls hohe Aktuatorkräfte.
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Entsprechendes
gilt für Piezo-Aktuatoren nach Anspruch 7.
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Das
optische Element kann mittels eines Lagerungssystems basierend auf
Festkörpergelenken so gelagert sein, dass es in den aktuierten
Freiheitsgraden hinreichend nachgiebig ist, um mit den zur Verfügung
stehenden Aktuatorkräften die geforderte Auslenkung zu
erreichen. Gleichzeitig kann die Lagerung so sein, dass die nicht
aktuierten Freiheitsgrade eine hinreichende Steifigkeit aufweisen
und dass das Lagerungssystem eine ausreichende thermische Leistungsdichte
bzw. eine ausreichende absolute thermische Leistung abführen
kann. Um die Wärmeleitfähigkeit zu erhöhen,
ist es denkbar, zusätzliche Warmeleitungselemente bzw.
Wärmeleitungsabschnitte einzusetzen, die eine relativ geringe
mechanische Steifigkeit haben können.
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Eine
Mehrzahl von Wärmeleitungsstreifen nach Anspruch 8 gewährleistet
eine zur Verlagerung des Spiegelkörpers notwendige Elastizität
der Wärmeleitungsstreifen, bei der gleichzeitig über
die Mehrzahl der Wärmeleitungsstreifen eine gute Wärmeabführung
ermöglicht ist.
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Eine
aktive Kühlung der Tragstruktur nach Anspruch 9 verbessert
den Wärmehaushalt der optischen Baugruppe nochmals. Bei
der aktiven Kühlung kann es sich beispielsweise um eine
Wasserkühlung und/oder um eine Peltierkühlung
handeln.
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Eine
Integrationsdichte von mindestens 0,5 nach Anspruch 10 gewährleistet
einen geringen Beleuchtungslichtverlust im Bereich der Zwischenräume
zwischen den Spiegelkörpern.
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Eine
matrixförmige, also zeilen- und spaltenweise Anordnung
der Spiegelkörper nach Anspruch 11 lässt sich
mit sehr hoher Integrationsdichte realisieren.
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Wenn
die Spiegelkörper nach Anspruch 12 die Facetten eines Facettenspiegels
darstellen, ist eine Ausgestaltung einer Belichtungsoptik mit einer optischen
Baugruppe mit einem derartigen Spiegelkörper möglich,
bei dem ein Objektfeld von jeweils einem der Spiegelkörper
vollständig ausgeleuchtet wird. Alternativ ist es möglich,
eine derartige Facette eines Facettenspiegels durch eine Mehrzahl
derartiger Einzelspiegel zu realisieren. Dies vergrößert
die Flexibilität der Beleuchtungsoptik.
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Eine
optische Baugruppe nach Anspruch 13 gemäß einem
zweiten Aspekt der Erfindung führt zu einem besonders guten
Kompromiss zwischen guter Beweglichkeit einerseits und gutem Wärmeübertrag andererseits.
Die Wärmeleitungsabschnitte gemäß diesem zweiten
Aspekt können zur Abführung einer von den Spiegelkörpern
aufgenommenen thermischen Leistungsdichte von mindestens 1 kW/m2 auf die Tragstruktur ausgebildet sein.
Jeder der Wärmeleitungsabschnitte kann zwei, drei oder
auch eine größere Anzahl der Wärmeleitungsstreifen
aufweisen. Die Wärmeleitungsabschnitte können
Teil einer geschlitzten Membran sein. Benachbarte der Wärmeleitungsstreifen
können über Schlitze in einer derartigen Membran
voneinander beabstandet sein. Der Aktuator kann einen mit dem Spiegelkörper
verbundenen und senkrecht zu einer Spiegelebene und/oder senkrecht
zu einer Membranebene der geschlitzten Membran verlaufenden Aktuatorstift
aufweisen. Stehkräfte auf einen solchen Aktuatorstift können
parallel zur Membranebene verlaufen. Der Wärmeleitungsabschnitt
mit den Wärmeleitungsstreifen kann, insbesondere, wenn
dieser als Membran ausgeführt ist, so gestaltet sein, dass
der Aktuatorstift bei Wirkung solcher parallel zur Membranebene
verlaufender Stellkräfte nicht unerwünscht durch
eine insgesamte translatorische Verlagerung des Aktuatorstifts ausweicht.
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Eine
Anordnung der Wärmeleitungsstreifen nach Anspruch 14 ermöglicht
eine Gestaltung der Wärmeleitungsabschnitte derart, dass
für ein Aktuieren der Einzelspiegel gut beherrschbare Kräfteverhältnisse
hinsichtlich einer Responskraft des Wärmeleitungsabschnitts
auf eine von außen über einen Aktuator aufgebrachte
Kraft hin gewährleistet ist.
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Zwischenräume
nach Anspruch 15 stellen eine Beweglichkeit des Wärmeleitungsabschnitts und
damit eine Beweglichkeit des Spiegelkörpers relativ zur
Tragstruktur sicher. Zwischen dem inneren und dem äußeren
Verbindungsabschnitt können zwei, drei oder auch eine größere
Anzahl von Wärmeleitungsstreifen aufeinander folgen. Entsprechend folgen
bei dieser Ausführung mehrere Wärmeleitungsstreifen
in Umfangsrichtung um den inneren Verbindungsabschnitt herum aufeinander.
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Bei
einer spiralförmigen Ausgestaltung nach Anspruch 16 können
zum Beispiel zwei bis vier derart spiralförmiger Wärmeleitungsstreifen
pro Wärmeleitungsabschnitt zum Einsatz kommen. Jeder Wärmeleitungsstreifen
kann zwischen einem und zwei Umläufen um ein Zentrum bzw.
eine zentrale Achse ausbilden. Bevorzugt ist eine Umlauferstreckung des
jeweiligen Wärmeleitungsstreifens um das Zentrum der Spirale,
die zwischen 360° und 540° und insbesondere im
Bereich von 420° liegt. Alternativ zu einer spiralförmigen
Ausgestaltung können die Wärmeleitungsstreifen
zwischen dem radial inneren Verbindungsabschnitt des Wärmeleitungsabschnitts
und dem radial äußeren Verbindungsabschnitt des
Wärmeleitungsabschnitts in Aufsicht gesehen C- oder S-förmig
ausgeführt sein. Auch eine Kombination der Gestaltungen „Spiralform”, „C-Form” und „S-Form” ist möglich.
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Eine
Elektrodenanordnung nach Anspruch 17 ermöglicht eine elektrostatische
Aktuierung der Einzelspiegel.
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Mehrere
Gegenelektroden nach Anspruch 18 ermöglichen eine reproduzierbare
Vorgabe über mehrere Kippfreiheitsgrade des jeweiligen
Einzelspiegels.
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Die
vorstehend erläuterten Merkmale der optischen Baugruppe
gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung können
mit den ebenfalls vorstehend erläuterten Merkmalen der
optischen Baugruppe gemäß dem zweiten Aspekt kombiniert
werden.
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Die
Vorteile eines Spiegels nach Anspruch 19 einer Beleuchtungsoptik
nach Anspruch 20, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 21, einer
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22, eines Herstellungsverfahrens
nach Anspruch 23 und eines strukturierten Bauelements nach Anspruch
24 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die
erfindungsgemäße optische Baugruppe bereits erläutert
wurden. Beim Einsatz eines Beleuchtungssystems mit einer EUV-Strahlungsquelle mit
einer erzeugten Nutzstrahlung im Bereich von 5 nm bis 30 nm kommen
die Vorteile der erfindungsgemäßen optischen Baugruppe
besonders gut zum Tragen.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher
erläutert. In dieser zeigen:
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1 schematisch
eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie
mit einer im Meridionalschnitt dargestellten Beleuchtungsoptik und einer
Projektionsoptik;
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2 eine
Ausleuchtung einer Eintrittspupille der Projektionsoptik in Form
eines konventionellen Beleuchtungssettings;
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3 eine
Ausleuchtung einer Eintrittspupille der Projektionsoptik in Form
eines annularen, also ringförmigen, Beleuchtungssettings;
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4 eine
Ausleuchtung einer Eintrittspupille der Projektionsoptik in Form
eines 45°-Quadrupol-Beleuchtungssettings;
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5 eine
weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 mit
einem Multispiegel-Array (MMA) und einem von diesem beleuchteten
Pupillenfacettenspiegel;
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6 schematisch
eine Aufsicht auf den Pupillenfacettenspiegel nach 5 mit
einer Pupillenfacetten-Ausleuchtung, die einem Beleuchtungssetting entspricht;
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7 die
Beleuchtungsoptik nach 5 mit einer umgestellten Kanalzuordnung
des Multispiegel-Arrays zum Pupillenfacettenspiegel;
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8 schematisch
eine Aufsicht auf den Pupillenfacettenspiegel nach 7 mit
einer Pupillenfacetten-Ausleuchtung, die einem annularen Beleuchtungssetting
entspricht;
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9 die
Beleuchtungsoptik nach 5 mit einer umgestellten Kanalzuordnung
des Multispiegel-Arrays zum Pupillenfacettenspiegel;
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10 schematisch
eine Aufsicht auf den Pupillenfacettenspiegel nach 9 mit
einer Pupillenfacetten-Ausleuchtung, die einem Dipol-Beleuchtungssetting
entspricht;
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11 schematisch
eine Ausführung eines Einzelspiegels eines der Facettenspiegel
der Beleuchtungsoptik nach 1 bzw. eines
Einzelspiegels des Multispiegel-Arrays nach 6 in einer
geschnittenen Seitenansicht;
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12 perspektivisch
eine Ausschnittsvergrößerung der Spiegelanordnung
nach 11 im Bereich eines freien Endes eines einen Permanentmagneten
aufweisenden Aktuatorstiftes;
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13 eine
Ausführung einer Aufhängung eines Einzelspiegels
nach den 11 und 12;
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14 in
einer zu 11 ähnlichen Darstellung
schematisch zwei nebeneinander liegende Einzelspiegel einer weiteren
Ausführung eines der Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik
nach 1 bzw. des Multispiegel-Arrays nach 6 in
einer geschnittenen Seitenansicht, wobei der in der 14 links
dargestellte Einzelspiegel in einer unverkippten Neutralstellung
und der in der 14 rechts dargestellte Einzelspiegel
in einer aktuatorisch verkippten Stellung dargestellt ist;
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15 einen
Schnitt gemäß Linie XV-XV in 14;
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16 schematisch
Verfahrensschritte eines Verfahrensablaufs zur Herstellung von Gegenelektroden
eines Aktuators zur Verlagerung eines Spiegelkörpers des
Einzelspiegels in der Ausführung nach den 14 und 15;
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17 schematisch
einen Verfahrensablauf eines Verfahrens zur Integration eines Spiegelkörpers
mit einer Spiegelfläche mit geringer Rauheit in einen Einzelspiegel
der Ausführung nach den 14 und 15;
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18 in
einer zu 15 ähnlichen Ansicht bereichsweise
einen Wärmeleitungsabschnitt der Ausführung des
Einzelspiegels nach den 14 und 15;
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19 in
einer zu 18 ähnlichen Darstellung
eine weitere Ausgestaltung von Wärmeleitungsstreifen innerhalb
eines Wärmeleitungsabschnitts;
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20 in
einer zu 18 ähnlichen Darstellung
eine weitere Ausgestaltung von Wärmeleitungsstreifen innerhalb
eines Wärmeleitungsabschnitts;
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21 in
einer zu 18 ähnlichen Darstellung
eine weitere Ausgestaltung von Wärmeleitungsstreifen innerhalb
eines Wärmeleitungsabschnitts;
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22 in
einer zu 14 ähnlichen Darstellung
eine Ausschnittsvergrößerung einer weiteren Ausführung
eines Einzelspiegels im Bereich eines Abstandshalters und eines
Aktuatorstiftes und einen zwischenliegenden Wärmeleitungsabschnitt;
und
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23 in
einer zu 22 ähnlichen Darstellung
eine weitere Ausführung einer Verbindung des Abstandshalters
mit dem Aktuatorstift und dem Wärmeleitungsabschnitt.
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1 zeigt
schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für
die Mikrolithografie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat
neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur
Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Das
Objektfeld 5 kann rechteckig oder bogenförmig mit
einem x/y-Aspektverhältnis von beispielsweise 13/1 gestaltet
sein. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes
und in der 1 nicht dargestelltes reflektierendes
Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur
Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente
zu projizierende Struktur trägt. Eine Projektionsoptik 7 dient
zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 8 in
einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem
Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des
Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers,
der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.
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Das
Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten
ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter
gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron
in der y-Richtung gescannt.
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Bei
der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle
mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und
30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um
eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge
Produced Plasma), oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch
Laser, Laser Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV-Strahlungsquellen,
beispielsweise solche, die auf einem Synchrotron oder auf einem
Free Electron Laser (Freie Elektronenlaser, FEL) basieren, sind
möglich.
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EUV-Strahlung
10,
die von der Strahlungsquelle
3 ausgeht, wird von einem
Kollektor
11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor
ist beispielsweise aus der
EP
1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor
11 propagiert
die EUV-Strahlung
10 durch eine Zwischenfokusebene
12,
bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel
13 trifft. Der
Feldfacettenspiegel
13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik
4 angeordnet,
die zur Objektebene
6 optisch konjugiert ist.
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Die
EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Nutzstrahlung,
Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.
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Nach
dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von
einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 liegt entweder
in der Eintrittspupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 oder
in einer hierzu optisch konjugierten Ebene. Der Feldfacettenspiegel 13 und
der Pupillenfacettenspiegel 14 sind aus einer Vielzahl
von Einzelspiegeln aufgebaut, die nachfolgend noch näher
beschrieben werden. Dabei kann die Unterteilung des Feldfacettenspiegels 13 in
Einzelspiegel derart sein, dass jede der Feldfacetten, die für
sich das gesamte Objektfeld 5 ausleuchten, durch genau
einen der Einzelspiegel repräsentiert wird. Alternativ
ist es möglich, zumindest einige oder alle der Feldfacetten durch
eine Mehrzahl derartiger Einzelspiegel aufzubauen. Entsprechendes
gilt für die Ausgestaltung der den Feldfacetten jeweils
zugeordneten Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 14,
die jeweils durch einen einzigen Einzelspiegel oder durch eine Mehrzahl
derartiger Einzelspiegel gebildet sein können.
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Die
EUV-Strahlung 10 trifft auf die beiden Facettenspiegel 13, 14 unter
einem Einfallswinkel auf, der kleiner oder gleich 25° ist.
Die beiden Facettenspiegel werden also im Bereich eines normal incidence-Betriebs
mit der EUV-Strahlung 10 beaufschlagt. Auch eine Beaufschlagung
unter streifendem Einfall (grazing incidence) ist möglich.
Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet,
die eine Pupillenebene der Projektionsoptik 7 darstellt
bzw. zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch
konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und
einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit
in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten
Spiegeln 16, 17 und 18 werden die Feldfacetten
des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd
in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist
ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing
incidence Spiegel”). Die Übertragungsoptik 15 wird
zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik
zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom
Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet.
Das Beleuchtungslicht 10 wird von der Strahlungsquelle 3 hin
zum Objektfeld 5 über eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen geführt.
Jedem dieser Ausleuchtungskanäle ist eine Feldfacette des
Feldfacettenspiegels 13 und eine dieser nachgeordnete Pupillenfacette
des Pupillenfacettenspiegels 14 zugeordnet. Die Einzelspiegel
des Feldfacettenspiegels 13 und des Pupillenfacettenspiegels 14 können
aktuatorisch verkippbar sein, sodass ein Wechsel der Zuordnung der
Pupillenfacetten zu den Feldfacetten und entsprechend eine geänderte
Konfiguration der Ausleuchtungskanäle erreicht werden kann.
Es resultieren unterschiedliche Beleuchtungssettings, die sich in
der Verteilung der Beleuchtungswinkel des Beleuchtungslichts 10 über das
Objektfeld 5 unterscheiden.
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Zur
Erleichterung der Erläuterung von Lagebeziehungen wird
nachfolgend unter anderem ein globales kartesisches xyz-Koordinatensystem
verwendet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur
Zeichenebene auf den Betrachter zu. Die y-Achse verläuft
in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in
der 1 nach oben.
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In
ausgewählten der nachfolgenden Figuren ist ein lokales
kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet, wobei die x-Achse
parallel zur x-Achse nach der 1 verläuft
und die y-Achse mit dieser x-Achse die optische Fläche
des jeweiligen optischen Elements aufspannt.
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2 zeigt
ein erstes Beleuchtungssetting, das mit der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 erreicht werden
kann und das als konventionelles Beleuchtungssetting oder als kleines
konventionelles Beleuchtungssetting bezeichnet wird. Dargestellt
ist eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 10 in
einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 7. Die Eintrittspupille
kann maximal bis zu einem kreisförmigen Pupillenrand 20 ausgeleuchtet
werden.
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Beim
konventionellen Beleuchtungssetting wird innerhalb des Pupillenrandes 20 ein
hierzu konzentrischer kreisförmiger Pupillenbereich 21 ausgeleuchtet.
Ein äußerer Radius Sout des konventionellen Pupillen-Ausleuchtungsbereichs
verhält sich zum Radius Smax des Pupillenrandes 20 wie
folgt: Sout/Smax = 0,8.
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3 zeigt
die Beleuchtungsverhältnisse bei einem weiteren Beleuchtungssetting,
das mit der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 eingestellt
werden kann und das als annulares Beleuchtungssetting bezeichnet
wird. Ausgeleuchtet wird hierbei ein ringförmiger Pupillenbereich 22.
Ein äußerer Radius Sout des Pupillenbereichs 22 ist
dabei so groß, wie derjenige des Pupillenbereichs 21 beim
konventionellen Beleuchtungsring nach 2. Ein innerer
Radius Sin verhält sich beim annularen Pupillenbereich 22 zum Radius
Smax des Pupillenrandes 20 wie folgt: Sin/Smax = 0,6.
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4 zeigt
ein weiteres Beleuchtungssetting, das mit der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 eingestellt
werden kann und das als 45°-Quadrupol- bzw. 45°-Quasar-Beleuchtungssetting
bezeichnet wird. In der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 werden
innerhalb des Pupillenrandes 20 vier ringsektorförmige
Pupillenbereiche 23 ausgeleuchtet, die in den vier Quadranten
der Eintrittspupille angeordnet sind. Jeder der Pupillenbereiche 23 überstreicht
dabei um das Zentrum des Pupillenrandes 20 einen Umfangswinkel
von 45°. Die Quasar-Pupillenbereiche 23 sind zum
Zentrum des Pupillenrandes 20 hin von einem inneren Radius
Sin begrenzt, der dem inneren Radius des annularen Pupillenbereichs 22 nach 3 entspricht.
Nach außen hin sind die Quasar-Pupillenbereiche 23 durch
den Pupillenrand 20 begrenzt.
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Die
verschiedenen Beleuchtungssettings nach den 2 bis 4 sowie
vorgegebene weitere Beleuchtungssettings können über
eine entsprechende Verkippung der Einzelspiegel des Feldfacettenspiegels 13 und
einen entsprechenden Wechsel der Zuordnung dieser Einzelspiegel
des Feldfacettenspiegels 13 zu den Einzelspiegeln des Pupillenfacettenspiegels 14 erreicht
werden. Abhängig von der Verkippung der Einzelspiegel des
Feldfacettenspiegels 13 werden die diesen Einzelspiegeln
neu zugeordneten Einzelspiegel des Pupillenfacettenspiegels 14 so
durch Verkippung nachgeführt, dass wiederum eine Abbildung
der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 13 in das Objektfeld 5 gewährleistet
ist.
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5 zeigt
eine alternative Ausgestaltung einer Beleuchtungsoptik 24 für
die Projektionsbelichtungsanlage 1. Komponenten, die denjenigen
entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 bereits
erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und
werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Von
der Strahlungsquelle 3, die ebenfalls als LPP-Quelle ausgebildet
sein kann, ausgehende Nutzstrahlung 10 wird zunächst
von einem ersten Kollektor 25 gesammelt. Bei dem Kollektor 25 kann es
sich um einen Parabolspiegel handeln, der die Strahlungsquelle 3 in
die Zwischenfokusebene 12 abbildet bzw. das Licht der Strahlungsquelle 3 auf den
Zwischenfokus in der Zwischenfokusebene 12 fokussiert.
Der Kollektor 25 kann so betrieben werden, dass er vor
der Nutzstrahlung 10 mit Einfallswinkeln nahe 0° beaufschlagt
wird. Der Kollektor 25 wird dann nahe der senkrechten Inzidenz
(normal incidence) betrieben und daher auch als normal incidence-(NI-)Spiegel
bezeichnet. Auch ein unter streifendem Einfall betriebener Kollektor
kann anstelle des Kollektors 25 zum Einsatz kommen.
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Der
Zwischenfokusebene 12 ist bei der Beleuchtungsoptik 24 ein
Feldfacettenspiegel 26 in Form eines Multispiegel-Arrays
(MMA) nachgeordnet. Der Feldfacettenspiegel 26 ist als
mikroelektromechanisches System (MEMS) ausgebildet. Er weist eine
Vielzahl von matrixartig zeilen- und spaltenweise in einem Array
angeordneten Einzelspiegeln 27 auf. Die Einzelspiegel 27 sind
aktuatorisch verkippbar ausgelegt, wie nachfolgend noch erläutert
wird. Insgesamt weist der Feldfacettenspiegel 26 etwa 100.000
der Einzelspiegel 27 auf. Je nach Größe
der Einzelspiegel 27 kann der Feldfacettenspiegel 26 auch
beispielsweise 1.000, 5.000, 7.000 oder auch mehrere hunderttausend,
beispielsweise 500.000 Einzelspiegel 27 aufweisen.
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Vor
dem Feldfacettenspiegel 26 kann ein Spektralfilter angeordnet
sein, der die Nutzstrahlung 10 von anderen, nicht für
die Projektionsbelichtung nutzbaren Wellenlängenkomponenten
der Emission der Strahlungsquelle 3 trennt.
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Der
Feldfacettenspiegel 26 wird mit Nutzstrahlung 10 mit
einer Leistung von 840 W und einer Leistungsdichte von 6,5 kW/m2 beaufschlagt.
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Das
gesamte Einzelspiegel-Array des Facettenspiegels 26 hat
einen Durchmesser von 500 mm und ist dicht gepackt mit den Einzelspiegeln 27 ausgelegt.
Die Einzelspiegel 27 repräsentieren, soweit eine
Feldfacette durch jeweils genau einen Einzelspiegel realisiert ist,
bis auf einen Skalierungsfaktor die Form des Objektfeldes 5.
Der Facettenspiegel 26 kann aus 500 jeweils eine Feldfacette
repräsentierenden Einzelspiegeln 27 mit einer
Dimension von etwa 5 mm in der y-Richtung und 100 mm in der x-Richtung
gebildet sein. Alternativ zur Realisierung jeder Feldfacette durch
genau einen Einzelspiegel 27 kann jede der Feldfacetten
durch Gruppen von kleineren Einzelspiegeln 27 approximiert
werden. Eine Feldfacette mit Dimensionen von 5 mm in der y-Richtung
und von 100 mm in der x-Richtung kann z. B. mittels eines 1 × 20-Arrays
von Einzelspiegeln 27 der Dimension 5 mm × 5 mm
bis hin zu einem 10 × 200-Array von Einzelspiegeln 27 mit
den Dimensionen 0,5 mm × 0,5 mm aufgebaut sein. Die Flächenabdeckung
des kompletten Feldfacetten-Arrays durch die Einzelspiegel 27 kann
70% bis 80% betragen.
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Von
den Einzelspiegeln 27 des Facettenspiegels 26 wird
das Nutzlicht 10 hin zu einem Pupillenfacettenspiegel 28 reflektiert.
Der Pupillenfacettenspiegel 28 hat etwa 2.000 statische
Pupillenfacetten 29. Diese sind in einer Mehrzahl konzentrischer Ringe
nebeneinander angeordnet, sodass die Pupillenfacette 29 des
innersten Rings sektorförmig und die Pupillenfacetten 29 der
sich hieran unmittelbar anschließenden Ringe ringsektorförmig
gestaltet sind. In einem Quadranten des Pupillenfacettenspiegels 28 können
in jedem der Ringe 12 Pupillenfacetten 29 nebeneinander
vorliegen. Jeder der in der 6 dargestellten
Ringsektoren ist wiederum von einer Mehrzahl von Einzelspiegeln 27 gebildet.
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Von
den Pupillenfacetten 29 wird das Nutzlicht 10 hin
zu einem reflektierenden Retikel 30 reflektiert, das in
der Objektebene 6 angeordnet ist. Es schließt
sich dann die Projektionsoptik 7 an, wie vorstehend im
Zusammenhang mit der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 erläutert.
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Zwischen
dem Facettenspiegel 28 und dem Retikel 30 kann
wiederum eine Übertragungsoptik vorgesehen sein, wie vorstehend
in Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 erläutert.
-
6 zeigt
beispielhaft eine Ausleuchtung der Pupillenfacetten 29 des
Pupillenfacettenspiegels 28, mit der angenähert
das konventionelle Beleuchtungssetting nach 2 erreicht
werden kann. In den beiden inneren Pupillenfacettenringen des Pupillenfacettenspiegels 28 wird
in Umfangsrichtung jede zweite der Pupillenfacetten 29 beleuchtet.
Diese alternierende Beleuchtungsdarstellung in der 6 soll
symbolisieren, dass die bei diesem Beleuchtungssetting realisierte
Füllungsdichte um einen Faktor 2 geringer ist als bei einem
annularen Beleuchtungssetting. Angestrebt wird in den beiden inneren Pupillenfacettenringen
ebenfalls eine homogene Beleuchtungsverteilung, allerdings mit um
einen Faktor 2 geringerer Belegungsdichte. Die beiden äußeren
in 6 dargestellten Pupillenfacettenringe werden nicht
beleuchtet.
-
7 zeigt
schematisch die Verhältnisse bei der Beleuchtungsoptik 24,
soweit dort ein annulares Beleuchtungssetting eingestellt ist. Die
Einzelspiegel 27 des Feldfacettenspiegels 26 sind
derart aktuatorisch mit Hilfe nachfolgend noch erläuterter
Aktuatoren verkippt, sodass auf dem Pupillenfacettenspiegel 28 ein äußerer
Ring der ringsektorförmigen Pupillenfacette 29 mit
dem Nutzlicht 10 beleuchtet ist. Diese Beleuchtung des
Pupillenfacettenspiegels 28 ist in der 8 dargestellt.
Die Verkippung der Einzelspiegel 27 zur Erzeugung dieser
Beleuchtung ist in der 7 am Beispiel eines der Einzelspiegel 27 beispielhaft
angedeutet.
-
9 zeigt
schematisch die Verhältnisse bei der Beleuchtungsoptik 24,
soweit dort ein Dipolsetting eingestellt ist.
-
10 zeigt
die zu diesem Dipol-Beleuchtungssetting gehörende Ausleuchtung
des Pupillenfacettenspiegels 28. Beleuchtet werden zwei
Ringsektoren am Übergang zwischen dem zweiten und dritten
und am Übergang zwischen dem ersten und vierten Quadranten des
Pupillenfacettenspiegels 28. Beleuchtet werden dabei Pupillenfacetten 29 der
drei äußersten Pupillenfacettenringe in zwei zusammenhängenden
Ringsektorbereichen 31 mit einer Umfangserstreckung um
ein Zentrum 32a des Pupillenfacettenspiegels 28 von
jeweils etwa 55°.
-
Diese
Dipol-Beleuchtung des Pupillenfacettenspiegels 28 wird
wiederum durch entsprechende aktuatorische Verkippung der Einzelspiegel 27 des Feldfacettenspiegels 26 erreicht,
wie in der 9 am Beispiel eines der Einzelspiegel 27 beispielhaft
angedeutet.
-
Zum
Umstellen der Beleuchtungssettings entsprechend den 5, 7 und 9 ist
ein Kippwinkel der Einzelspiegel 27 im Bereich von ±50 mrad
erforderlich. Die jeweilige Kippposition für das einzustellende
Beleuchtungssetting muss mit einer Genauigkeit von 0,2 mrad eingehalten
werden.
-
Die
Einzelspiegel 27 des Feldfacettenspiegels 26 bzw.
die entsprechend aufgebauten Einzelspiegel des Feldfacettenspiegels 13 und
des Pupillenfacettenspiegels 14 bei der Ausführung
der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 tragen
Multilayer-Beschichtungen zur Optimierung ihrer Reflektivität
bei der Wellenlänge der Nutzstrahlung 10. Die
Temperatur der Multilayer-Beschichtungen sollte 150°C beim Betreten
der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht überschreiten.
-
Dies
wird durch einen Aufbau der Einzelspiegel erreicht, der (vgl. 11)
nachfolgend beispielhaft anhand eines der Einzelspiegel 27 des
Feldfacettenspiegels 26 erläutert wird.
-
Die
Einzelspiegel 27 der Beleuchtungsoptik 4 bzw. 24 sind
in einer evakuierbaren Kammer 32 untergebracht, von der
in den 5 und 11 eine Begrenzungswand 33 angedeutet
ist. Die Kammer 32 kommuniziert über eine Fluidleitung 33a,
in der ein Absperrventil 33b untergebracht ist, mit einer
Vakuumpumpe 33c. Der Betriebsdruck in der evakuierbaren
Kammer 32 beträgt einige Pa (Partialdruck H2). Alle
anderen Partialdrücke liegen deutlich unterhalb von 1 × 10–7 mbar.
-
Der
die Mehrzahl von Einzelspiegeln 27 aufweisende Spiegel
bildet zusammen mit der evakuierbaren Kammer 32 eine optische
Baugruppe zur Führung eines Bündels der EUV-Strahlung 10.
-
Jeder
der Einzelspiegel 27 kann eine beaufschlagbare Reflexionsfläche 34 mit
Abmessungen von 0,5 mm × 0,5 mm oder auch von 5 mm × 5
mm und größer aufweisen. Die Reflexionsfläche 34 ist Teil
eines Spiegelkörpers 35 des Einzelspiegels 27. Der
Spiegelkörper 35 trägt die Mehrlagen-(Multilayer)-Beschichtung.
-
Die
Reflexionsflächen 34 der Einzelspiegel 27 ergänzen
sich zu einer gesamten Spiegel-Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 26.
Entsprechend können sich die Reflexionsflächen 34 auch
zur gesamten Spiegel-Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 13 oder
des Pupillenfacettenspiegels 14 ergänzen.
-
Eine
Tragstruktur 36 oder ein Substrat des Einzelspiegels 27 ist über
einen Wärmeleitungsabschnitt 37 mit dem Spiegelkörper 35 mechanisch
verbunden (vgl. 11). Teil des Wärmeleitungsabschnitts 37 ist
ein Gelenkkörper 38, der eine Verkippung des Spiegelkörpers 35 relativ
zur Tragstruktur 36 zulässt. Der Gelenkkörper 38 kann
als Festkörpergelenk ausgebildet sein, das eine Verkippung
des Spiegelkörpers 35 um definierte Kipp-Freiheitsgrade, beispielsweise
um eine oder um zwei Kippachsen zulässt. Der Gelenkkörper 38 hat
einen äußeren Haltering 39, der an der
Tragstruktur 36 festgelegt ist. Weiterhin hat der Gelenkkörper 38 einen
gelenkig mit dem Haltering 39 verbundenen inneren Haltekörper 40.
Dieser ist zentral unter der Reflexionsfläche 34 angeordnet.
Zwischen dem zentralen Haltekörper 40 und dem
Spiegelkörper 35 ist ein Abstandshalter 41 angeordnet.
-
Im
Spiegelkörper 35 deponierte Wärme, also insbesondere
der im Spiegelkörper 35 absorbierte Anteil der
auf den Einzelspiegel 27 auftreffenden Nutzstrahlung 10,
wird über den Wärmeleitungsabschnitt 37,
nämlich über den Abstandshalter 41, den zentralen
Haltekörper 40 und den Gelenkkörper 38 sowie
den Halter 39 hin zur Tragstruktur 36 abgeführt. Über
den Wärmeleitungsabschnitt 37 kann eine Wärmeleistungsdichte
von 10 kW/m2 oder eine Wärmeleistung von mindestens 160
mW an die Tragstruktur 36 abgeführt werden. Der
Wärmeleitungsabschnitt 37 ist alternativ zur Abführung
einer Wärmeleistungsdichte von mindestens 1 kW/m2 oder
einer vom Spiegelkörper 35 aufgenommenen Leistung
von mindestens 50 mW auf die Tragstruktur 36 ausgebildet.
Bei der aufgenommenen Leistung kann es sich neben absorbierter Leistung
der Emission der Strahlungsquelle 3 auch beispielsweise
um aufgenommene elektrische Leistung handeln. Die Tragstruktur 36 weist
Kühlkanäle 42 auf, durch die ein aktives
Kühlfluid geführt ist.
-
Auf
der vom Abstandshalter 41 abgewandten Seite des Haltekörpers 40 ist
an diesem ein den Abstandshalter 41 mit kleineren Außendurchmesser fortsetzender
Aktuatorstift 43 montiert. Ein freies Ende des Aktuatorstifts 43 trägt
einen Permanentmagneten 44. Ein Nordpol und ein Südpol
des Permanentmagneten 44 sind längs des Aktuatorstifts 43 nebeneinander
angeordnet, sodass sich ein Verlauf von magnetischen Feldlinien 45 ergibt,
wie in der 11 angedeutet.
-
Die
Tragstruktur 36 ist als den Aktuatorstift 43 umgebende
Hülse ausgestaltet. Die Tragstruktur 36 kann beispielsweise
ein Silizium-Wafer sein, auf dem ein ganzes Array von Einzelspiegeln 27 nach
Art des in der 11 gezeigten Einzelspiegels 27 angeordnet
ist.
-
Auf
der dem Spiegelkörper 35 abgewandten Seite der
Tragstruktur 36 und des Aktuatorstifts 43 ist eine
Kühlplatte 46 angeordnet. Die Kühlplatte 46 kann
durchgehend für alle der Einzelspiegel 27 des Feldfacettenspiegels 26 vorgesehen
sein. In der Kühlplatte 46 sind weitere Kühlkanäle 42 angeordnet,
durch die das aktive Kühlfluid geleitet wird.
-
Die
Tragstruktur 36 sowie die Kühlplatte 46 sorgen
für eine zusätzliche Strahlungskühlung
der wärmebelasteten Komponenten des Einzelspiegels 27,
insbesondere für eine Strahlungskühlung des Aktuatorstifts 43.
Der Wärmetransfer über Wärmestrahlung
ist bei den gegebenen Leistungsdichten und Temperaturen beinahe
vernachlässigbar.
-
Auf
einer dem Aktuatorstift 43 zugewandten Oberfläche 47 der
Kühlplatte 46 sind Leiterbahnen 48 aufgedruckt.
Die Kühlplatte 46 dient also als Grundkörper
zum Aufdrucken der Leiterbahnen 48. Ein Stromfluss durch
die Leiterbahnen 48 vermittelt eine Lorentzkraft 49 an
den Permanentmagneten 44, für die eine Kraftrichtung
in der 11 beispielhaft angedeutet ist.
Durch entsprechenden Stromfluss durch die Leiterbahnen 48 lässt
sich der Aktuatorstift 43 daher auslenken und entsprechend
der Spiegelkörper 35 verkippen.
-
Der
Einzelspiegel
27 hat also einen Aktuator
50 in
Form eines elektromagnetisch arbeitenden Aktuators speziell in Form
eines Lorentz-Aktuators. Ein Lorentz-Aktuator ist grundsätzlich
beispielsweise aus der
US
7,145,269 B2 bekannt. Ein derartiger Lorentz-Aktuator lässt
sich in einem Batch-Prozess als mikroelektromechanisches System
(micro-elekctro-mechanical system, MEMS) herstellen. Mit einem derartigen
Lorentz-Aktuator lässt sich eine Kraftdichte von 20 kPa
erreichen. Die Kraftdichte ist definiert als das Verhältnis
aus der Aktuatorkraft zu derjenigen Fläche des Aktuators, über
die die Aktuatorkraft wirkt, in Draufsicht, im Falle des Aktuators
50 also
zum Querschnitt des Aktuatorstifts
43.
-
Alternativ
zur Ausführung als Lorentz-Aktuatoren können die
Einzelspiegel
27 auch noch als Reluktanz-Aktuatoren, beispielsweise
nach Art der
WO 2007/134574A oder
als Piezo-Aktuatoren ausgebildet sein. Mit einem Reluktanz-Aktuator
lässt sich eine Kraftdichte von 50 kPa erreichen. Je nach
Ausgestaltung lässt sich mit einem Piezo-Aktuator eine
Kraftdichte von 50 kPa bis 1 MPa erreichen.
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Dargestellt
sind bei der Ausführung nach 11 Leiterbahnen 48,
die in Form von drei nebeneinander liegenden Gruppen aufgedruckt
sind. Alternativ ist es möglich, auf die Kühlplatte 46 mehrere übereinander
liegende Lagen von gegeneinander isolierten Leiterbahnen aufzudrucken,
die sich in der Orientierung der einzelnen Leiter auf der Oberfläche 47 und/oder
im Querschnitt der Leiterbahnen unterscheiden. Je nach Stromfluss durch
eine dieser übereinander liegenden Leiterbahnen lässt
sich dann eine andere Auslenkungsrichtung über die Lorentzkraft 49 erzeugen.
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12 zeigt
eine derartige Anordnung von übereinander liegenden Lagen 51 bis 54 der
Leiterbahnen 48. Die oberste Leiterbahnen-Lage 51 ist
für einen Stromfluss in negativer x-Richtung ausgelegt. Entsprechend
verlaufen die einzelnen Leiterbahnen 48 der Lage 51 längs
der x-Richtung. Die nicht näher dargestellten Leiterbahnen
der darunter liegenden Leiterbahnen-Lagen 52 bis 54 verlaufen
beispielsweise längs einer Winkelhalbierenden zum von der
x- und der y-Achse aufgespannten Quadranten, unter einem 90°-Winkel
zu dieser Winkelhalbierenden sowie längs der y-Richtung.
Durch einen entsprechenden Stromfluss durch die so orientierten
Leiterbahnen der Lagen 52 bis 54 wird jeweils
eine andere Richtung der Lorentzkraft 49 und damit eine
andere Auslenkung des Permanentmagneten 44 und des hiermit
verbundenen und in der 12 nicht dargestellten Aktuatorstiftes 43 erzeugt.
Der Permanentmagnet 44 ist Teil des ansonsten in der 12 nicht dargestellten
Aktuatorstifts 43 und damit des Hebelarmes des Aktuators 50.
-
13 zeigt
eine Variante des Gelenkkörpers 38 zwischen dem
Haltering 39 und dem zentralen Haltekörper 40.
Der Gelenkkörper 38 hat eine Vielzahl benachbarter
Festkörpergelenke 55, die als Wärmeleitungsstreifen
dienen und einen derart geringen Streifenquerschnitt haben, dass
sie elastisch flexibel sind. Die einander direkt benachbarten Festkörpergelenke 55 sind
voneinander getrennt ausgeführt und verbinden den Haltering 39 mit
dem zentralen Haltekörper 40. Im Bereich des Übergangs
der Festkörpergelenke 55 hin zum äußeren
Haltering 39 verlaufen die Festkörpergelenke 55 in
etwa tangential. Im Bereich des Übergangs der Festkörpergelenke 55 hin
zum zentralen Haltekörper 40 verlaufen die Festkörpergelenke 55 in
etwa radial.
-
Die
Festkörpergelenke 55 haben zwischen dem Haltering 39 und
dem zentralen Haltekörper 40 einen gebogenen Verlauf.
-
Aufgrund
dieses Verlaufs der Festkörpergelenke 55 ergibt
sich eine charakteristische Steifigkeit des durch diese Festkörpergelenke 55 gebildeten Gelenkkörpers 38 in
Bezug auf die Gegenkraft, die dieser Gelenkkörper 38 der
auf den Aktuatorstift 43 ausgeübten Aktuatorkraft
entgegenbringt.
-
Alternativ
zum in der 13 dargestellten gebogenen Verlauf
der Festkörpergelenke 55 können diese
auch anders geformt sein und/oder einen anderen Verlauf aufweisen,
je nachdem, welche Steifigkeitsanforderungen in Bezug auf eine Steifigkeit des
Gelenkkörpers 38 in der Ebene des Halterings 39 und
senkrecht hierzu gefordert ist.
-
Die
Festkörpergelenke 55 ergeben insgesamt eine als
geschlitzte Membran ausgeführte Festkörpergelenkeinrichtung.
Durch die dargestellte Streifen-Strukturierung der Membran wird
eine deutlich verbesserte mechanische Nachgiebigkeit in Aktuierungsrichtung
ohne große Einbußen bei der Wärmeleitfähigkeit,
insbesondere bei der abführbaren thermischen Leistungsdichte,
erreicht. Die verbesserte mechanische Nachgiebigkeit führt
zu einer Reduzierung der notwendigen Aktuierungskraft für
den zentralen Haltekörper 40 und damit den hiermit
verbundenen Einzelspiegel.
-
Eine
Summe der Reflexionsflächen 34 auf den Spiegelkörpern 35 ist
größer als das 0,5-fache einer von der gesamten
Spiegel-Reflexionsfläche des Feldfacettensiegels 26 belegten
Gesamtfläche. Die Gesamtfläche ist dabei definiert
als die Summe der Reflexionsflächen 34 zuzüglich
der Flächenbelegung durch die Zwischenräume zwischen
den Reflexionsflächen 34. Ein Verhältnis
der Summe der Reflexionsflächen der Spiegelkörper
einerseits zu dieser Gesamtfläche wird auch als Integrationsdichte
bezeichnet. Diese Integrationsdichte kann auch größer sein
als 0,6 und größer sein als 0,7.
-
Mit
Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens
ein Teil des Retikels 30 auf einen Bereich einer lichtempfindlichen
Schicht auf dem Wafer zur lithografischen Herstellung eines mikro-
bzw. nanostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements,
z. B. eines Mikrochips abgebildet. Je nach Ausführung der
Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper
werden das Retikel 30 und der Wafer zeitlich synchronisiert
in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise
im Stepperbetrieb verfahren.
-
Die
optische Baugruppe gemäß 11 wird im
Ultrahochvakuum betrieben. Bei einer typischen Beaufschlagung der
Reflexionsfläche 34 mit EUV-Strahlung 10 hat
der Spiegelkörper 35 eine Temperatur von maximal
150°C. Über den Abstandshalter 41 fällt
diese Temperatur bis zum Haltekörper 40 und zum
Haltering 39 um 100 K ab. Zwischen dem Haltering 39 und
den Kühlkanälen 42 in der Tragstruktur 36 liegt
ein weiteres Temperaturgefälle von 30 K vor. Bis zu den
Leiterbahnen 48 hat die optische Baugruppe dann im wesentlichen
Raumtemperatur.
-
In
der Kühlplatte 46 liegt eine Temperatur von etwa
300 K vor.
-
Eine
Dämpfung des elektromagnetisch arbeitenden Aktuators 50 kann
durch eine Wirbelstromdämpfung oder auch durch eine selbst
induzierte Dämpfung in den als Wicklungen vorliegenden
Leiterbahnen 48 realisiert sein. Eine selbst induzierte Dämpfung über
die Leiterbahnen 48 setzt das Vorhandensein einer Strom-
bzw. Spannungsquelle für die Leiterbahnen 48 mit
sehr geringem Ohmschen Widerstand dar, so dass für den
Fall, dass die Leiterbahnen 48 strom- bzw. spannungslos
sind, die Leiterbahnen 48 über die Quelle im Wesentlichen
kurzgeschlossen sind und daher bei relativ zu den Leiterbahnen 48 bewegtem
Permanentmagneten 44 (vgl. 11) in
den Leiterbahnen 48 ein dämpfender Stromfluss
induziert werden kann.
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Zu-
und Abführleitungen für die als Wicklungen ausgeführten
Leiterbahnen 48 können antiparallel geführt
sein, so dass ein Zuführdraht zur jeweiligen als Wicklung
ausgeführten Leiterbahn 48 einerseits und ein
Abführdraht von der als Wicklung ausgeführten
Leiterbahn andererseits parallel benachbart zueinander verlaufend
geführt sind. Dies führt dazu, dass sich die Magnetfelder
des Zufuhrstromes und des Abführstroms gegenseitig auslöschen,
so dass kein Übersprechen zwischen benachbarten Leiterbahnen 48 resultiert.
-
Die
Zuführ- oder Abführleitungen für die
als Wicklungen ausgeführten Leiterbahnen 48 können
in verschiedenen Lagern übereinander oder innerhalb einer
Lage nebeneinander angeordnet sein.
-
Anhand
der 14 und 15 wird
nachfolgend eine weitere Ausführung von Einzelspiegeln
beschrieben, die nachfolgend beispielhaft anhand zweier Einzelspiegel 27 des
Feldfacettenspiegels 26 erläutert wird. Komponenten,
die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf
die 1 bis 13 und insbesondere unter Bezugnahme
auf die 11 und 12 bereits
erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und
werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
-
Die
Ausführung der Einzelspiegel 27 nach den 14 und 15 unterscheidet
sich von derjenigen nach den 11 bis 13 zunächst
durch die Gestaltung des Wärmeleitungsabschnitts 37.
Dieser ist bei der Ausgestaltung nach den 14 und 15 aus
insgesamt drei spiralförmig ausgeführten Wärmeleitungsstreifen 56, 57 und 58 zusammengesetzt
und stellt eine geschlitzte Membran dar. Der nähere Aufbau
der nach Art dreier ineinander verschachtelter Spiralfedern angeordneten
Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 ergibt
sich aus der Schnittdarstellung der 15. Die
Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 sind
radial um ein Zentrum 59 des Einzelspiegels 27 herumführend
ausgeführt. In Bezug auf das Zentrum 59 an einem
radial inneren Verbindungsabschnitt 60 des Wärmeleitungsabschnitts 37 nach
den 14 und 15 ist
ein Verbindungsübergang 56i, 57i, 58i jeweils
des Wärmeleitungsstreifens 56, 57, 58 mit
dem Spiegelkörper 35 angeordnet. Der radial innere
Verbindungsabschnitt 60 des Wärmeleitungsabschnitts 37 stellt
gleichzeitig den Haltekörper 40 dar. Die Verbindung
des jeweiligen Wärmeleitungsstreifens 56 bis 58 mit
dem Spiegelkörper 35 geschieht über den
Verbindungsübergang 56i, 57i, 58i, den
zentralen Haltekörper 40 und den Abstandshalter 41.
-
An
einem radial äußeren Verbindungsabschnitt 61 ist
ein Verbindungsübergang 56a, 57a, 58a des
jeweiligen Wärmeleitungsstreifens 56, 57, 58 mit der
Tragstruktur 36 angeordnet. Die Verbindung der Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 mit
der Tragstruktur 36 erfolgt über die Verbindungsübergänge 56a, 57a, 58a,
den äußeren Verbindungsabschnitt 61,
der gleichzeitig den Haltering 39 darstellt, und die Hülse der
Tragstruktur 36.
-
Die
Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 verlaufen
voneinander über Zwischenräume getrennt. Jeder
der Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 verbindet unabhängig
von den anderen Wärmeleitungsstreifen den Spiegelkörper 35 mit
der Tragstruktur 36. Die Tragstruktur 36 kann,
wie in der 15 angedeutet, nach außen
hin rechteckig begrenzt sein.
-
Die
Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 sind
so angeordnet, dass sie auf einem Radius zwischen dem inneren Verbindungsabschnitt 60 und
dem äußeren Verbindungsabschnitt 61 aufeinander
folgen, wobei zwischen benachbarten der Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 jeweils
ein Zwischenraum vorliegt.
-
In
der Hülse der Tragstruktur 36 sind insgesamt drei
Elektroden 62, 63, 64 integriert, die
gegeneinander elektrisch isoliert sind und in Umfangsrichtung um
das Zentrum 59, jeweils etwa knapp 120° überstreckend,
gegeneinander elektrisch isoliert angeordnet sind. Die Elektroden 62 bis 64 stellen
Gegenelektroden zum im Fall der Ausführung nach den 14 und 15 als
Elektrodenstift ausgebildeten Aktuatorstift 43 dar. Der
Aktuatorstift 43 kann als Hohlzylinder ausgeführt
sein. Bei einer weiteren Ausführungsform des Einzelspiegels 27 können
auch vier oder mehr Elektroden anstelle der drei Elektroden 62 bis 64 vorhanden
sein.
-
In
der 14 rechts ist der Einzelspiegel 27 in
der Ausführung nach den 14 und 15 in
einer gekippten Stellung gezeigt, in der die Gegenelektrode 64 auf
einem positiven Potenzial V+ relativ zum negativen Potenzial V– des
Aktuatorstifts 43 geschaltet ist. Aufgrund dieser Potenzialdifferenz
V+/V– ergibt sich eine Kraft FE,
die das freie Ende des Aktuatorstifts 43 hin zur Gegenelektrode 64 zieht,
was zu einer entsprechenden Verkippung des Einzelspiegels 27 führt.
Die federnde Membranaufhängung aus den drei Wärmeleitungsstreifen 56, 57, 58 sorgt
dabei für eine nachgiebige und kontrollierte Verkippung
des Einzelspiegels 27. Zudem sorgt diese federnde Membranaufhängung
für eine hohe Steifigkeit des Einzelspiegels 27 gegenüber
translatorischen Bewegungen in der Membranebene der federnden Membranaufhängung,
was auch als hohe in-plane-Steifigkeit bezeichnet ist. Diese hohe
Steifigkeit gegenüber translatorischen Bewegungen in der
Membranebene unterdrückt eine unerwünschte translatorische
Bewegung des Aktuatorstifts 43, also des Elektrodenstifts,
in Richtung hin zu den Elektroden 62 bis 64 ganz
oder weitgehend. Auf diese Weise ist eine unerwünschte
Reduzierung eines möglichen Kippwinkelbereichs des Aktuatorstifts 43 und
damit des Spiegelkörpers 35 vermieden.
-
Zwischen
dem in der 15 in Bezug auf das Zentrum 59 in
Drei-Uhr-Position angeordneten äußeren Verbindungsabschnitt 56a und
dem in der 15 etwa in Fünf-Uhr-Position
angeordneten inneren Verbindungsabschnitt 56i verläuft
der Wärmeleitungsstreifen 56 in Umfangsrichtung
um das Zentrum 59 um etwa 420°. Der Wärmeleitungsstreifen 57 verläuft
zwischen dem äußeren Verbindungsübergang 57a und
dem inneren Verbindungsübergang 57i zwischen der
Sieben-Uhr-Position und der Neun-Uhr-Position in der 15 ebenfalls
in Umfangsrichtung um etwa 420°. Der Wärmeleitungsstreifen 58 verläuft
zwischen dem äußeren Verbindungsübergang 58a und
dem inneren Verbindungsübergang 58i zwischen der
Elf-Uhr-Position und der Ein-Uhr-Position in der 15 ebenfalls
in Umfangsrichtung um etwa 420°.
-
Je
nach dem, wie das relative Potenzial der Gegenelektroden 62 bis 64 zum
Potenzial der Elektrode des Aktuatorstifts 43 gewählt
ist, können die Einzelspiegel 27 der Ausführung
nach den 14 und 15 um
einen vorgegebenen Kippwinkel verkippt werden. Dabei sind nicht
nur Kippwinkel möglich, die einer Neigung des Aktuatorstifts 43 genau
zu einer der drei Gegenelektroden 62 bis 64 hin
entsprechen, sondern, je nach einer vorgegebenen Potenzialkombination
der Gegenelektroden 62 bis 64, auch beliebige
andere Kippwinkel-Orientierungen.
-
Der
Abstandshalter 41, der Aktuatorstift 43 sowie
der Wärmeleitungsabschnitt 37 mit den Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58,
dem inneren Verbindungsabschnitt 60 und dem äußeren
Verbindungsabschnitt 61 sind zusammen mit dem Spiegelkörper 35 aus
monokristallinem Silizium gefertigt. Alternativ können
die Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 inklusive der
Verbindungsabschnitte 60, 61 auch aus polykristallinem
Diamanten mittels Mikrofabrikation gefertigt sein.
-
Anstelle
eines Aktuatorstifts 43 mit rundem Querschnitt kann auch
ein Aktuatorstift mit elliptischem Querschnitt gewählt
werden. Die Halbachsen der Ellipse dieses Querschnitts sind dann
so gewählt, dass ein Abstand zwischen der Elektrode des
Aktuatorstifts und den Gegenelektroden 62 bis 64 entlang einer
ersten Achse, in der ein größerer Kippwinkelbereich
gewünscht ist, geringer ist als entlang einer zweiten,
hierzu senkrechten zweiten Achse, längs der ein kleinerer
Kippwinkelbereich gewünscht ist. Der größere
Kippwinkelbereich kann 100 mrad und der kleinere Kippwinkelbereich
kann 50 mrad betragen.
-
Anhand
der 16 wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung
der Gegenelektroden 62 bis 64 erläutert.
-
In
einem Bereitstellungsschritt 65 wird ein Ausgangssubstrat
bereitgestellt. Hierbei handelt es sich um einen monokristallinen
Silizium-Wafer, dessen Dicke vorzugsweise zwischen 300 μm
und 750 μm liegt. Die Dicke des Silizium-Wafers kann auch unterhalb
oder oberhalb dieses Bereichs liegen. Als Vorderseite 66 des
Ausgangssubstrats wird nachfolgend die Seite bezeichnet, an der
später der Wärmeleitungsabschnitt 37 angebracht
wird. Die Gegenelektroden 62 bis 64 werden von
einer der Vorderseite 66 gegenüberliegenden Substratrückseite 67 des Ausgangssubstrats
her strukturiert.
-
In
einem Ätzschritt 68 wird nun eine Basisstruktur
von der Substratrückseite 67 in das Ausgangssubstrat,
also in ein die spätere Tragstruktur 36 ergebendes
Roh-Trägersubstrat geätzt. Es kann sich hierbei
um die ring- oder hülsenförmige Tragstruktur 36 gemäß den
Ausführungen nach den 11 bis 15 handeln.
Die im Ätzschritt 68 geätzte Tragstruktur 36 ist
an Trennstellen zwischen den Gegenelektroden 62 bis 64 unterbrochen.
Der Ätzschritt 68 erfolgt mit Hilfe eines Standardverfahrens
wie optischer Lithografie und Siliziumtiefenätzen. Mit
dem Ätzschritt 68 wird die Form der Gegenelektroden 62 bis 64 definiert
und ein Negativ nach Art einer Gussform für die später
zu schaffenden Gegenelektroden 62 bis 64 geätzt.
Eine Ätztiefe 69 definiert die Höhe der
Gegenelektroden 62 bis 64. Diese Ätztiefe
kann geringer sein als die Dicke des Ausgangssubstrats. Bei einer
nicht dargestellten Ausführung kann die Ätztiefe
auch genauso groß sein wie die Dicke des Ausgangssubstrats.
-
In
einem Aufbringungsschritt 70 wird nun in Gussformen 71,
die im Ätzschritt 68 geätzt wurden, zur
elektrischen Isolierung der späteren Gegenelektroden 62 bis 64 auf
das Ausgangssubstrat eine dielektrische Schicht aufgebracht. Bei
der dielektrischen Schicht kann es sich um Siliziumdioxid handeln.
Die Aufbringung kann mittels eines Standardverfahrens wie thermischer
Oxidation oder CVD (Chemical Vapor Deposition) geschehen. Die Dicke
der dielektrischen Schicht beträgt mehrere Mikrometer.
Die dielektrische Schicht kann als Schicht dotiertem Siliziumoxids
ausgeführt sein, wodurch eine Vorbereitung für
eine spätere Dotierung der Gegenelektroden 62 bis 64 geschehen
kann.
-
In
einem Auffüllschritt 72 wird die mit der dielektrischen
Schicht ausgekleidete Gussform 71 mit polykristallinem
Silizium aufgefüllt. Hierbei kann ein LPCVD-(Low Pressure,
Niederdruck, CVD)Verfahren zum Einsatz kommen. Das polykristalline
Silizium ist dotiert und elektrisch leitfähig. Eine Dotierung
des polykristallinen Siliziums kann direkt während des
Auftragens oder nachträglich mittels Diffusion geschehen.
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In
einem Polierschritt 73, der durch ein CMP-(Chemical-Mechanical
Polishing, chemisch-mechanisches Polieren)Verfahren realisiert sein
kann, wird überschüssiges polykristallines Silizium,
das während des Auffüllschritts 72 außerhalb
der Gussformen 71 auf dem Aufgangssubstrat aufgewachsen
ist, wegpoliert.
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In
einem Strukturierschritt 74 wird nun auf der Vorderseite 66 des
Ausgangssubstrats der Wärmeleitungsabschnitt 37 auf
das Ausgangssubstrat aufgebracht. Dies kann mit Hilfe eines Dünnschichtverfahrens
realisiert werden. Wie vorstehend erläutert, verbindet
der Wärmeleitungsabschnitt 37 den Aktuatorstift 43,
in der Ausführung nach den 14 und 1,
also die zentrale Elektrode, mit der Tragstruktur 36. Als
Dünnschicht kann eine polykristalline Diamantschicht zum
Einsatz kommen. Die polykristalline Diamantschicht kann mit Hilfe
eines CVD-Verfahrens aufgebracht werden. Der Strukturierschritt 74 ist
für das Gegenelektroden-Herstellungsverfahren nicht zwingend,
sondern dient der Vorbereitung der Anbringung der beweglichen zentralen
Elektrode.
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In
einem Anbringungsschritt 75 wird der Spiegelkörper 35 von
der Vorderseite 66 her angebracht. Dies geschieht derart,
dass die jeweiligen Spiegelkörper 35 nach ihrer
Vereinzelung jeweils fest ausschließlich im zentralen Bereich,
also im Bereich des späteren zentralen Abstandshalters 41 mit
dem Ausgangssubstrat verbunden sind. Der Anbringungsschritt 75 kann
als Fusionsbond-Prozess gestaltet sein.
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In
einem weiteren Strukturierschritt 77 wird von der Rückseite
des Ausgangssubstrats her mit Hilfe optischer Lithografie und Tiefenätzverfahren
die zentrale und vorzugsweise bewegliche Elektrode, also der Aktuatorstift 43,
strukturiert. Dies geschieht durch Freiätzen eines Zwischenraums 76 zwischen der
zentralen Elektrode, also dem Aktuatorstift 43, und der
Hülse der Tragstruktur 36. Hierbei wird das Ausgangssubstrat
komplett durchgeätzt. Die zentrale Elektrode ist anschließend
nur noch über den Wärmeleitungsabschnitt 37,
also über die vorher auf der Vorderseite 66 angebrachte
Federaufhängung mit dem Ausgangssubstrat verbunden. Die
Oxidschicht, die im Aufbringungsschritt 70 aufgebracht
wurde, wirkt während dieses weiteren Strukturierschritts 77 als
seitlicher Ätzstopp und schützt die im Auffüllschritt 72 für
die Gegenelektroden 62 bis 64 vorbereiteten Elemente
aus polykristallinem Silizium.
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In
einem Freilegungsschritt 78 wird nun die freigelegte Oxidschicht
auf einer Innenseite 79 der Gegenelektroden 62 bis 64 weggeätzt.
Dieser Freilegungsschritt 78 kann auch weggelassen werden.
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Der
so vorbereitete Mikrospiegelaktuator kann in einem Anbindungsschritt 80 elektrisch
und mechanisch an ein weiteres Substrat angebunden werden. Dies
kann über ein Flip-Chip-Verfahren geschehen, über
das die hergestellten Elektrodenanordnungen auf einen integrierten
Schaltkreis (ASIC) gebondet werden. Dies geschieht von der Substratrückseite 67 her.
Hierbei werden die Gegenelektroden 62 bis 64 elektrisch
mit entsprechenden Schaltkreisen auf dem integrierten Schaltkreis
verbunden. Eine derartige Konfiguration erlaubt eine integrierte Ansteuerung
der Gegenelektroden 62 bis 64 und damit eine entsprechende
Kontrolle der Kippspiegel des jeweiligen Einzelspiegels 27.
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Die
mit diesem Verfahren hergestellten Gegenelektroden 62 bis 64 sind
in die Tragstruktur 36 in das Ausgangssubstrat integriert,
sind jedoch nicht mechanisch vom Ausgangssubstrat getrennt. Die Tragstruktur 36 ist
somit auch nach der Integration der Gegenelektroden 62 bis 64 eine
monolithische Einheit, die genügend Stabilität
für weitere Prozessschritte, insbesondere für
die Verbindung im Anbindungsschritt 80 gewährleistet.
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Beim
Anbindungsschritt 80 können die Gegenelektroden 62 bis 64 von
der Rückseite 67 her über das Flip-Chip-Verfahren
in einem Kontaktierungsschritt 81 direkt, also von einer
in der 14 vertikal und senkrecht zur
Reflexionsfläche 34 in der Neutralstellung verlaufenden
Richtung her, kontaktiert werden. Ein Kontaktieren von einer beispielsweise
in der 14 horizontal verlaufenden Richtung her
ist nicht erforderlich.
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Anhand
der 17 wird nachfolgend ein Verfahren zur Integration
eines Spiegelkörpers 35 mit einer Reflexionsfläche 34 mit
extrem geringer Rauhigkeit erläutert.
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Die
Anforderungen an die Oberflächenbeschaffenheit der Reflexionsfläche 34,
insbesondere an deren Mikrorauheit sind sehr hoch. Ein typischer Wert
hierfür ist eine Rauhheit von 0,2 nm rms. Dieser Mikrorauheitswert
erfordert eine externe Politur der Reflexionsfläche 34,
die nach dem Polieren mit dem sonstigen Einzelspiegel 27 verbunden
wird. Beim nachfolgend beschriebenen Herstellungsverfahren wird
die vorpolierte und hoch empfindliche Reflexionsfläche 34 während
aller in einem typischen Mikrofabrikationsverfahren angewandter
Prozessschritte konserviert.
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In
einem Polierschritt 82 wird ein Siliziumsubstrat mit einem
für die Mikrofabrikation geeigneten Format, z. B. ein rundes
Substrat mit einem Durchmesser von 100 mm oder 150 mm, und einer für
den Poliervorgang erforderlichen Dicke, beispielsweise einer Dicke
von 10 mm, für die für die EUV-Beleuchtung erforderliche
Oberflächenrauheit poliert.
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Derartige
Polierverfahren sind auch als „Superpolitur” bekannt.
In einem Beschichtungsschritt 83 wird das polierte Siliziumsubstrat
mittels eines thermischen Verfahrens mit einer dünnen Siliziumdioxidschicht überzogen.
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In
einem Fügungsschritt 84 wird das oxidierte, superpolierte
Siliziumsubstrat mit einem zweiten, nicht superpolierten Siliziumsubstrat
desselben Formats zusammengefügt. Hierbei kommt die superpolierte
Reflexionsfläche 34 auf dem zweiten Siliziumsubstrat,
das auch als Trägersubstrat bezeichnet wird, zu liegen.
Bei dem Fügungsschritt 84 kann ein Fusionsbonden
zum Einsatz kommen, was im Zusammenhang mit der Herstellung sogenannter „Silicon-On-Insolator” (SOI)-Wafern
verwendet wird.
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In
einem weiteren Polierschritt 85 wird das so entstandene
Substratsandwich mit Hilfe eines chemisch-mechanischen Verfahrens
poliert. Hierbei wird das zukünftige Spiegelsubstrat auf
die erforderliche Dicke geschliffen. Eine typische Dicke für
den Spiegelkörper 35 liegt im Bereich zwischen
30 μm und 200 μm.
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Das
nun auf die erforderliche Dicke gebrachte Substrat kann nun weiterprozessiert
werden, da die hoch polierte und empfindliche Reflexionsfläche 34 mechanisch
und chemisch durch die darüberliegende Siliziumdioxidschicht
sowie das Siliziumträgersubstrat geschützt sind.
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In
einem Strukturierschritt 86 wird nun eine der Reflexionsfläche 34 gegenüberliegende
Rückseite des Spiegelsubstrats mittels eines Tiefenätzverfahrens
strukturiert. Hierbei kann der Abstandshalter 41 geätzt
werden, der später mit dem Wärmeleitungsabschnitt 37,
also mit der Federaufhängung, die auch Membranfederung
bezeichnet wird, verbunden wird. Beim Strukturierschritt 86 können
auch seitliche Spiegelgrenzen der Reflexionsfläche 34 durch
Tiefenätzen vorgegeben werden, so dass bei einem späteren
Entfernen des Trägersubstrats die Spiegelkörper 35 der
Einzelspiegel 27 bereits vereinzelt sind.
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Das
so vorbereitete Substratsandwich wird nun in einem Verbindungsschritt 87 mit
der zentralen Elektrode, also mit dem Aktuatorstift 43,
verbunden. Dies erfolgt beim Anbringungsschritt 75 des
Herstellungsverfahrens nach 16. Der
Verbindungsschritt 87 kann als Fusionsbonden oder als eutektisches
Bonden ausgestaltet sein. Hierbei kann der Abstandshalter 41 mit
dem Aktuatorstift 43 verbunden werden.
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In
einem Freilegungsschritt 88 wird das Trägersubstrat,
das bislang die Reflexionsfläche 34 geschützt
hat, mit einem Tiefenätzverfahren weggeätzt. Der Ätzprozess
stoppt dabei auf der Siliziumdioxidschicht, die auf die Reflexionsfläche 34 aufgebracht ist.
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In
einem weiteren Freilegungsschritt 89 wird die Siliziumdioxidschicht
beispielsweise mittels Flusssäure in Dampfphase weggeätzt.
Dieser weitere Freilegungsschritt 89 kann in einer nicht
oxidierenden Atmosphäre erfolgen, um eine Reoxidation des Siliziums
der Reflexionsfläche 34 zu verhindern.
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Der
Beschichtungsschritt 83 kann auch weggelassen werden. Anstelle
einer Beschichtung mit einer dünnen Siliziumdioxidschicht
kann in das Trägersubstrat mit einem Tiefenätzverfahren
eine Mehrzahl von Vertiefungen geätzt werden. Diese Vertiefungen werden
so bemessen und angeordnet, dass beim Zusammenfügen des
Trägersubstrats mit dem vorpolierten Spiegelkörper 35 die
zukünftigen Reflexionsflächen 34 mit
dem Trägersubstrat nicht in Kontakt kommen. Eine Kontaktfläche
zwischen dem Spiegelsubstrat und dem Trägersubstrat ist
dann ausschließlich durch den Verlauf der die Vertiefungen
umgebenden Rahmenflächen des Trägersubstrats vorgegeben.
Diese Rahmenflächen entsprechen späteren Spiegelgrenzen
der Einzelspiegel 27. Vor dem Zusammenfügen des
Trägersubstrats mit dem Spiegelsubstrat wird das vorstrukturierte,
also die Vertiefungen aufweisende, Trägersubstrat thermisch
oxidiert. Die hierbei aufgebrachte Siliziumdioxidschicht wird beim
späteren Wegätzen des Trägersubstrats
als Ätzstopp verwendet. Diese Variante ohne den Beschichtungsschritt 83 kann
auch bei Einzelspiegeln 27 mit nicht ebenen Reflexionsflächen 34 zum
Einsatz kommen, beispielsweise bei Einzelspiegeln 27 mit
konkaven oder konvexen Reflexionsflächen 34.
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18 zeigt
zur Verdeutlichung der Ausgestaltung der Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58 nochmals
einen Bereich des Wärmeleitungsabschnitts 37. Dargestellt
sind der zentrale Haltekörper 40, der auch den
inneren Verbindungsabschnitt 60 darstellt, und die diesen
umgebenden Wärmeleitungsstreifen 56 bis 58.
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19 zeigt
eine Variante der Gestaltung von Wärmeleitungsstreifen 90 für
den Wärmeleitungsabschnitt 37 zwischen der nicht
dargestellten Tragstruktur und dem nicht dargestellten Spiegelkörper.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme
insbesondere auf die Gestaltung des Wärmeleitungsabschnitts
des Einzelspiegels nach den 14, 15 und 18 bereits
erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und
werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Zwischen
dem inneren Verbindungsabschnitt 60 und dem äußeren
Verbindungsabschnitt 61 liegen 24 C-förmig
gebogen ausgeführte Wärmeleitungsstreifen 90 vor.
Benachbarte der Wärmeleitungsstreifen 90 sind über
ebenfalls C-förmig ausgeformte Schlitze 91 voneinander
beabstandet. Wie auch bei der Ausführung nach den 15 bzw. 18 liegt
auch bei der Ausführung nach 19 der
Wärmeleitungsabschnitt 37 als Membran vor, in den
die Wärmeleitungsstreifen, also im Falle der Ausführung
nach 19 die Wärmeleitungsstreifen 90, durch
Einarbeitung der Schlitze 91 ausgeformt sind.
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Anhand
der 20 und 21 werden nachfolgend
zwei weitere Gestaltungsmöglichkeiten für den
Wärmeleitungsabschnitt 37 erläutert.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme
insbesondere auf die Gestaltung des Wärmeleitungsabschnitts
des Einzelspiegels nach den 14, 15 und 18 bereits
erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden
nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
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Bei
der Ausgestaltung nach 20 liegen zwischen dem inneren
Verbindungsabschnitt 60 und dem äußeren
Verbindungsabschnitt 61 insgesamt 25 Wärmeleitungsstreifen 92 vor,
die nach Art der Speichen eines Rades angeordnet sind. Zwischen
dem inneren Verbindungsabschnitt 60 und dem äußeren Verbindungsabschnitt 61 ist
jeder der Wärmeleitungsstreifen 92 S-förmig
gekrümmt. Benachbarte der Wärmeleitungsstreifen 92 sind über
Schlitze 93 voneinander getrennt.
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Die
Ausführung nach 21 unterscheidet sich
von derjenigen nach 20 durch die Form der Biegung
der Wärmeleitungsstreifen, die bei der Ausführung
nach 21 die Bezugsziffer 94 tragen. Bei der
Ausführung nach 21 sind
die Wärmeleitungsstreifen 94 in der Ebene des
Wärmeleitungsabschnitts 37 C-förmig gebogen
ausgeführt. Benachbarte der Wärmeleitungsstreifen 94 sind
durch ebenfalls C-förmig gebogen ausgeführte Schlitze 95 voneinander
beabstandet.
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Durch
die Ausgestaltung der Wärmeleitungsstreifen entsprechend
den vorstehend erläuterten Ausführungsbeispielen
des Einzelspiegels nach den 14, 15 und 18,
nach 20 und nach 21 und
durch die Ausgestaltung der zwischen benachbarten Wärmeleitungsstreifen
angeordneten Schlitze hinsichtlich der Form, der Breite, der Anzahl der
Wärmeleitungsstreifen sowie der Form, Breite und Anzahl
der Schlitze kann eine Steifigkeit und eine Wärmeleitungseigenschaft
der hierdurch jeweils ausgebildeten Membranfeder zwischen dem inneren Verbindungsabschnitt 60 und
dem äußeren Verbindungsabschnitt 61 an
Vorgabewerte angepasst werden.
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Anhand
der 22 und 23 werden
zwei verschiedene Gestaltungsmöglichkeiten bei der thermischen
Ankopplung des Abstandshalters 41 an den zentralen Haltekörper 40 bzw.
den inneren Verbindungsabschnitt 60 des Wärmeleitungsabschnitts 37 beschrieben.
Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme
insbesondere auf die 14 bereits erläutert
wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals
im Einzelnen diskutiert.
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Bei
der Ausgestaltung nach 22 ist der zentrale Haltekörper 40 des
Wärmeleitungsabschnitts 37 zwischen dem Abstandshalter 41 und dem
Aktuatorstift 43 angeordnet, so dass auf einer Seite des
zentralen Haltekörpers 40 des Wärmeleitungsabschnitts 37 der
Abstandshalter 41 und auf der anderen Seite des zentralen
Haltekörpers 40 der Aktuatorstift 43 angebunden
ist. Der Abstandshalter 41 ist mit dem Aktuatorstift 43 also über
den Haltkörper 40 verbunden.
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Bei
der Ausgestaltung nach 23 ist der Abstandshalter 41 direkt
mit dem Aktuatorstift 43 verbunden. Der zentrale Haltekörper 40 des
Wärmeleitungsabschnitts 37 hat eine zentrale Öffnung 96, durch
die ein dem Aktuatorstift 43 zugewandtes Ende des Abstandshalters 41 sich
hindurch erstreckt. Der zentrale Haltekörper 40,
der diesen Endbereich des Abstandshalters 41 umgibt, liegt
auf einer dem Abstandshalter 41 zugewandten Stirnwand des
Aktuatorstifts 43 auf und ist hierüber mit dem
Aktuatorstift 43 verbunden. Eine thermische Ankopplung
des Abstandshalters 41 und damit des Spiegelkörpers 35 an den
Wärmeleitungsabschnitt 37 erfolgt im Falle der Ausführung
nach 23 nicht direkt, sondern über den Aktuatorstift 43.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - US 6658084
B2 [0002]
- - US 7145269 B2 [0008, 0093]
- - WO 2007/134574 A [0011, 0094]
- - EP 1225481 A [0054]