DE102009029199A1 - Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts - Google Patents
Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009029199A1 DE102009029199A1 DE102009029199A DE102009029199A DE102009029199A1 DE 102009029199 A1 DE102009029199 A1 DE 102009029199A1 DE 102009029199 A DE102009029199 A DE 102009029199A DE 102009029199 A DE102009029199 A DE 102009029199A DE 102009029199 A1 DE102009029199 A1 DE 102009029199A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- nanostructured
- sensors
- component
- components
- micro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00325—Processes for packaging MEMS devices for reducing stress inside of the package structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/02—Housings
- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/143—Digital devices
- H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Abstract
Description
Stand der TechnikState of the art
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils. Dieses Verfahren beinhaltet den Schritt des Umhüllens eines mikro- oder nanostrukturiertem Bauelements. Die Erfindung betrifft weiterhin ein gemäß diesem Verfahren erhältliches Bauteil sowie dessen Verwendung.The present invention relates to a method for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component. This method includes the step of wrapping a micro- or nanostructured device. The invention further relates to a component obtainable by this method and its use.
Sensoren werden üblicherweise in stanzgitter- oder substratbasierten Umhüllgehäusen (Moldgehäusen) verpackt. Diese können auf einem Kupfer-Kunststoffgehäuse (Kupfer-Leadframe) basierte Substrate als Ausführungsformen sein, die Gehäuse mit Anschlussbeinchen (leaded Gehäuse) oder Gehäuse ohne Anschlussbeinchen (leadless Gehäuse) umfassen. Dabei werden die einzelnen Sensoren oder ASICs (Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen) entweder nebeneinander oder übereinander auf das Substrat gepackt, worauf sich im Folgenden ein Vergussprozess anschließt. Zunehmend werden aber auch neue substratlose Gehäuse entwickelt. Eine Variante der Chipverpackung wird als eWLP (Embedded Wafer Level Packaging) bezeichnet.Sensors are usually packaged in stamping grid or substrate-based wrapping housings (mold housings). These may be on a copper plastic frame (copper leadframe) based substrates as embodiments comprising leaded housing or leadless housing. In this case, the individual sensors or ASICs (application-specific integrated circuits) are either packed side by side or one above the other onto the substrate, followed by a potting process in the following. Increasingly, however, new substrateless housing are being developed. One variant of chip packaging is referred to as eWLP (Embedded Wafer Level Packaging).
Innerhalb von Moldgehäusen entsteht unter Temperatureinfluss durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der Materialien eine thermische Fehlanpassung (Mismatch) und es kommt in dessen Folge zu Verformungen (Verbiegung) der gesamten Anordnung (Package), zu Stressinduzierungen und somit zur negativen Beeinflussung der Sensorsignale. Vor allem die Grenzflächen des Materialverbundes stellen sich dahingehend als Ausgangspunkt für mechanische Spannungen dar. Diesem thermomechanischen Mismatch versucht man unter anderem durch stressentkoppelnde weiche Kleber zwischen den Verbundflächen zu entgegnen. Gerade dieses Stressverhalten führte in der Vergangenheit zur Verwendung von stressärmeren aber weitaus kostenintensiveren sogenannten Premold-Gehäusen bei besonders stressempfindlichen Inertialsensoren. Bei den Premold-Gehäusen handelt es sich um spritzgegossene, vorgefertigte Gehäuse mit abschließender Deckelung und es besteht kein direkter Kontakt zwischen Silizium und der Umhüllmasse.Within mold housings, a thermal mismatch arises due to the different coefficients of thermal expansion of the materials under the influence of temperature and, as a result, deformations (bending) of the entire assembly (package), stress inducements and thus negative influence on the sensor signals. Above all, the interfaces of the material composite are thus considered to be the starting point for mechanical stresses. This thermomechanical mismatch is attempted to be counteracted, inter alia, by stress-decoupling soft adhesives between the composite surfaces. Precisely this stress behavior has in the past led to the use of less stressful but much more costly so-called premold packages in particularly stress-sensitive inertial sensors. The Premold housings are injection-molded, prefabricated enclosures with a final cap and there is no direct contact between silicon and the encapsulant.
Eine andere Möglichkeit zur mechanischen Stressentkopplung in diesem Zusammenhang bestünde darin, keine mechanische Verbindung zum Mold-Gehäuse vorliegen zu haben. Bislang ist jedoch nicht bekannt, wie solch ein Freiraum aufgebaut werden könnte.Another possibility for mechanical stress decoupling in this context would be to have no mechanical connection to the mold housing. So far, however, it is not known how such a free space could be built.
Diese betrifft jedoch die Ablösung eines Verbundes von einem Substrat unter Verwendung eines druck- und/oder temperaturempfindlichen Materials. Hohlräume in einer Vergussmasse werden nicht aufgebaut. Wünschenswert wäre daher ein alternatives Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils, wobei solche Hohlräume in der Vergussmasse erhalten werden können.However, this relates to the detachment of a composite from a substrate using a pressure and / or temperature-sensitive material. Cavities in a potting compound are not built up. It would therefore be desirable to have an alternative method for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component, wherein such cavities can be obtained in the potting compound.
Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention
Erfindungsgemäß vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils, umfassend die Schritte:
- – Bereitstellen eines Substrats;
- – Aufbringen von mindestens einem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement auf das Substrat;
- – Umhüllen des aufgebrachten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements mit einem thermisch zersetzbaren Polymer;
- – Zumindest teilweises Umhüllen des mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements mit einer Umhüllmasse;
- – Erhitzen der erhaltenen Anordnung auf eine Temperatur, bei der das thermisch zersetzbare Polymer im Verfahren thermisch zersetzt wird und zumindest teilweise in gasförmige Bestandteile überführt wird und wobei weiterhin die Temperatur so gewählt wird, dass weiteres Material der erhaltenen Anordnung nicht in gasförmige Bestandteile überführt wird.
- - Providing a substrate;
- - applying at least one micro- or nanostructured device to the substrate;
- - Enveloping the applied micro- or nanostructured device with a thermally decomposable polymer;
- - At least partially wrapping the coated with the thermally decomposable polymer micro- or nanostructured device with a Umhüllmasse;
- - Heating the resulting assembly to a temperature at which the thermally decomposable polymer is thermally decomposed in the process and is at least partially converted into gaseous components and further wherein the temperature is chosen so that further material of the arrangement obtained is not converted into gaseous components.
Der erste Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens beinhaltet das Bereitstellen des Substrats. Das Material des Substrats kann beispielsweise ausgewählt aus der Gruppe umfassend Keramiken, Metalle oder hochschmelzender Kunstoffe werden. Das Metall kann dabei aus der Gruppe der Edelstahle 1.4034 und/oder 1.4310 ausgewählt werden.The first step of the method of the invention involves providing the substrate. The material of the substrate may, for example, be selected from the group comprising ceramics, metals or refractory plastics. The metal can be selected from the group of stainless steels 1.4034 and / or 1.4310.
Es ist möglich, dass eine Klebefolie oder Klebeschicht auf dem Substrat aufgebracht wird. Die Schichtdicke kann dabei in einem Bereich von ≥ 0,2 μm bis ≤ 200 μm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 1 μm bis ≤ 100 μm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 2 μm bis ≤ 10 μm liegen. Solch eine Klebeschicht oder Klebefolie kann die aufzubringenden mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente auf dem Substrat fixieren und das Substrat von einem Moldverbund nach dem Molden lösen.It is possible that an adhesive film or adhesive layer is applied to the substrate. The layer thickness may be in a range of ≥ 0.2 μm to ≦ 200 μm, preferably in a range of ≥ 1 μm to ≦ 100 μm and particularly preferably in a range of ≥ 2 μm to ≦ 10 μm. Such an adhesive layer or adhesive film can fix the applied micro- or nanostructured components on the substrate and detach the substrate from a mold composite after Molden.
Im nächsten Schritt wird mindestens ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement auf das Substrat aufgebracht. Ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein Bauelement mit internen Strukturabmessungen im Bereich von ≥ 1 nm bis ≤ 100 µm. Unter den internen Strukturabmessungen sind hierbei die Abmessungen von Strukturen innerhalb des Bauelements wie zum Beispiel Gräben, Stegen oder Leiterbahnen gemeint. Solche Bauelemente werden in der Mikrosystemtechnik oder in mikroelektromechanischen Systemen verwendet.In the next step, at least one micro- or nanostructured component is applied to the substrate. A micro- or nanostructured component in the sense of the present invention is in particular a component with internal structure dimensions in the range of ≥ 1 nm to ≦ 100 μm. The internal structural dimensions here mean the dimensions of structures within the component, such as trenches, webs or strip conductors. Such devices are used in microsystem technology or in microelectromechanical systems.
Das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement kann einen Bereich umfassen, welcher zur elektrischen Kontaktierung mit einem weiteren mikro- oder nanostrukturierten Bauelement vorgesehen ist. Solch ein Bereich kann auch als Anschlusspad oder Anschlusskontakt bezeichnet werden. Die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente können unter anderem integrierte Schaltungen, Sensorelemente, passive Bauelemente, keramische Kondensatoren, Widerstände oder Aktoren umfassen. Die Bauelemente ergeben dann ein System, welches nach Vereinzelung ein eigenständiges Package aufweist.The micro- or nanostructured component may comprise an area which is provided for electrical contacting with another microstructured or nanostructured component. Such an area may also be referred to as a terminal pad or terminal contact. The micro- or nanostructured devices may include, but are not limited to, integrated circuits, sensor elements, passive devices, ceramic capacitors, resistors, or actuators. The components then yield a system which, after separation, has an independent package.
Beim Aufbringen wird zumindest ein Teilbereich der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente mit der Oberseite des Substrats oder mit der Oberseite von auf dem Substrat befindlichen weiteren Schichten oder Folien kontaktiert. Der Abstand der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente untereinander entspricht den Erfordernissen des herzustellenden Bauteils. Die Aufbringung der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente kann mit einem automatischen Bestücker durchgeführt werden. Dabei hängt die aufzubringende Kraft, mit der die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente auf das Substrat aufbracht werden, von der Dicke der obersten Schicht und von der Bestücktemperatur, der Haltezeit und der Art der zu bestückenden Bauelemente ab. Zusätzlich kann die Aufbringung der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente durch ein Erhitzen des Substrats erleichtert werden.During application, at least one subarea of the microstructured or nanostructured components is contacted with the upper side of the substrate or with the upper side of further layers or foils located on the substrate. The spacing of the microstructured or nanostructured components with one another corresponds to the requirements of the component to be produced. The application of the micro- or nanostructured components can be carried out with an automatic mounter. In this case, the applied force with which the micro- or nanostructured components are applied to the substrate depends on the thickness of the uppermost layer and on the placement temperature, the holding time and the type of components to be assembled. Additionally, the application of the micro- or nanostructured devices may be facilitated by heating the substrate.
Als nächstes wird das aufgebrachte mikro- oder nanostrukturierte Bauelement mit einem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllt. Dabei kann die Schichtdicke des thermisch zersetzbaren Polymers in einem Bereich von ≥ 100 nm bis ≤ 200 µm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 500 nm bis ≤ 50 µm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 900 nm bis ≤ 10 µm liegen. Die Schicht kann mittels kostengünstiger Verfahren wie Tauchen, Dispensen, Bedrucken, Aufschleudern, Jetten oder Sprühbelacken aufgebracht werden. Daran kann sich vorteilhafterweise ein Temperprozess anschließen, wobei zum Bespiel bei einer Temperatur von 100°C für 10 bis 30 Minuten erhitzt wird.Next, the applied micro- or nanostructured device is wrapped with a thermally decomposable polymer. In this case, the layer thickness of the thermally decomposable polymer in a range of ≥ 100 nm to ≤ 200 microns, preferably in a range of ≥ 500 nm to ≤ 50 microns and more preferably in a range of ≥ 900 nm to ≤ 10 microns. The layer can be applied by means of cost-effective methods such as dipping, dispensing, printing, spin-coating, jetting or spray painting. This can advantageously be followed by an annealing process, being heated for example at a temperature of 100 ° C for 10 to 30 minutes.
Als Druckverfahren kann der Siebdruck oder der Schablonendruck verwendet werden. Ebenfalls kann das thermisch zersetzbare Polymer als Festresist aufgebracht werden. Die nach dem genannten Verfahren aufgebrachte Schicht kann dabei entweder strukturiert aufgebracht oder nach dem Aufbringen strukturiert werden. Das Strukturieren kann dabei photolithographisch erfolgen.As the printing method, the screen printing or the stencil printing can be used. Also, the thermally decomposable polymer can be applied as a solid resist. The layer applied by the mentioned method can either be applied in a structured manner or structured after application. The structuring can be done photolithographically.
Das verwendete thermisch zersetzbare Polymer kann eine zersetzungsfreie Temperaturstabilität bis zu 140°C aufweisen. Bei Temperaturen über 200°C kann sich das Polymer beispielsweise in CO2, CO und H2 zumindest teilweise rückstandsfrei zersetzen.The thermally decomposable polymer used may have a decomposition-free temperature stability up to 140 ° C. At temperatures above 200 ° C, the polymer can decompose, for example, in CO 2 , CO and H 2 at least partially without residue.
Danach wird das mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllte mikro- oder nanostrukturierte Bauelement mit einer Umhüllmasse zumindest teilweise umhüllt. Weitere Bezeichnungen für die Umhüllmasse sind auch Vergussmasse, Moldcompound-Komponente, Vergießmasse, Spritzpressmasse, Umspritzmasse, Moldmasse und/oder Pressmasse. Des Weiteren kann die Umhüllmasse Füllstoffe aufweisen. Diese Füllstoffe dienen der Anpassung der Materialeigenschaften. Die Umhüllmasse kann dabei zum einen ein mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umgebenes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umhüllen. Des Weiteren kann die Umhüllmasse direkt ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umhüllen. Die Umhüllmasse kann beispielsweise aus der Gruppe der Epoxidharze, Polyacrylate, Polyoxymethylene und/oder Silicone ausgewählt werden.Thereafter, the coated with the thermally decomposable polymer micro- or nanostructured device is at least partially enveloped with a Ummüllmasse. Other designations for the encapsulant are potting compound, molding compound component, potting compound, transfer molding compound, overmolding compound, molding compound and / or molding compound. Furthermore, the encasing compound may comprise fillers. These fillers serve to adapt the material properties. The encapsulation compound may on the one hand surround a microstructured or nanostructured component surrounded by the thermally decomposable polymer. Furthermore, the encasing compound can directly encase a micro- or nanostructured component. The enveloping composition can be selected for example from the group of epoxy resins, polyacrylates, polyoxymethylenes and / or silicones.
Vorteilhafterweise weisen die verwendeten Umhüllmassen niedrige Kriechstromeigenschaften, hohe Homogenität, einen niedrigen Brechungsindex, einen niedrigen Schrumpf und/oder einen niedrigen Wärmeleitkoeffizient auf. Des Weiteren können die verwendeten Umhüllmassen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, der sich von dem Wert des Wärmeausdehnungskoeffizienten des Silizium bis zu einem Faktor zehn unterscheiden kann, ebenso können die verwendeten Umhüllmassen insbesondere ein hohes Elastizitätsmodul und eine hohe Glasübergangstemperatur aufweisen.Advantageously, the encapsulants used have low creepage current properties, high homogeneity, a low refractive index, low shrinkage and / or a low coefficient of thermal conduction. Furthermore, the encapsulants used can have a coefficient of thermal expansion which can differ from the value of the thermal expansion coefficient of the silicon up to a factor of ten, likewise the encapsulants used can in particular have a high elastic modulus and a high glass transition temperature.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung umfasst der Begriff „umhüllen” hierbei ein Verfahren des Umspritzens, Spritzpressens, Vergießens und, unter Verwendung der englischen Fachbegriffe, molding, transfer molding und injection molding, liquid molding, compression molding und des sheetmoldens.In the context of the present invention, the term "enveloping" here comprises a method of extrusion coating, transfer molding, potting and, using the English technical terms, molding, transfer molding and injection molding, liquid molding, compression molding and the sheetmold.
Auf das Umhüllen mit der Umhüllmasse folgend findet ein Erhitzen der erhaltenen Anordnung statt. Unter erhaltener Anordnung sind hierbei die aus den vorherigen Verfahrensschritten erhaltenden umhüllten Bauelemente gemeint. Dieser Schritt wird auch als Post Mold Cure (PMC) Schritt bezeichnet. Der für die Moldmasse notwendige PMC-Schritt wird innerhalb der vorliegenden Erfindung benutzt, um das aufgebrachte thermisch zersetzbare Polymer zu zersetzen. Zeitdauer und Temperatur richten sich dabei nach der aufgebrachten Polymerschichtdicke. Somit wird innerhalb dieses Erhitzens die Aushärtung und Endvernetzung der Moldmasse erreicht und zudem die Entkopplung zwischen den Grenzflächen erreicht. Following the wrapping with the wrapping compound, a heating of the resulting assembly takes place. The term "preserved arrangement" here means the enclosed components obtained from the previous method steps. This step is also referred to as Post Mold Cure (PMC) step. The PMC step necessary for the molding compound is used within the present invention to decompose the applied thermally decomposable polymer. Time and temperature depend on the applied polymer layer thickness. Thus, within this heating, the curing and final cross-linking of the molding compound is achieved and, moreover, the decoupling between the boundary surfaces is achieved.
Erhitzt wird auf eine Temperatur, bei der das thermisch zersetzbare Polymer im Verfahren thermisch zersetzt wird und zumindest teilweise in gasförmige Bestandteile überführt wird und wobei weiterhin die Temperatur so gewählt wird, dass weiteres Material der erhaltenen Anordnung nicht in gasförmige Bestandteile überführt wird.Is heated to a temperature at which the thermally decomposable polymer is thermally decomposed in the process and is at least partially converted into gaseous components and further wherein the temperature is chosen so that further material of the arrangement obtained is not converted into gaseous components.
Bei dieser Temperatur kommt es zumindest teilweise zu einer rückstandsarmen Zersetzung des Polymers, ohne dass weiteres Material Schaden nimmt. Das weitere Material liegt dabei in Komponenten des Bauteils vor, die nicht aus dem thermisch zersetzbaren Polymer bestehen oder diese umfassen. Dabei werden die anderen Komponenten bei der Zersetzungstemperatur zum Beispiel nicht verformt. Vorzugsweise findet bei der gewählten Temperatur auch eine Aushärtung und Endvernetzung der Umhüllmasse statt.At this temperature, there is at least partially a residue-poor decomposition of the polymer, without further material damage. The other material is present in components of the component that do not consist of or comprise the thermally decomposable polymer. For example, the other components are not deformed at the decomposition temperature. Curing and final cross-linking of the coating material preferably take place at the selected temperature.
Liegt ein Bauteil mit einer Vielzahl von mikro- oder nanostrukturierten Bauelementen enthaltenen Systemen vor, können diese mittels Sägen vereinzelt werden.If a component with a variety of micro- or nanostructured components contained systems, they can be separated by means of sawing.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren können mikro- oder nanostrukturierte Bauelemente von der sie umgebenen Umhüllmasse entkoppelt werden und in einem weiteren Schritt von dem Träger abgelöst werden. Werden die Bauelemente an ihrer Unterseite verdrahtet, so können sie auf der elastischen Umverdrahtung schwingungsdämpfend gelagert werden. Weiterhin kann eine Verringerung der spannungserzeugenden mechanischen Grenzflächen erreicht werden. Der thermische Mismatch wird verringert und damit einhergehend der Signaldrift von betroffenen Sensoren.By virtue of the method according to the invention, microstructured or nanostructured components can be decoupled from the encasing compound surrounding them and detached from the carrier in a further step. If the components are wired on their underside, they can be mounted vibration-damping on the elastic rewiring. Furthermore, a reduction of the stress-generating mechanical interfaces can be achieved. The thermal mismatch is reduced and, consequently, the signal drift of affected sensors.
Ein zusätzlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, dass es zu bestehenden eWLP-Prozessen für substratlose Moldpackages konform ist, es also ohne Änderung des Gesamtprozesses angewendet werden kann.An additional advantage of the method according to the invention is that it conforms to existing eWLP processes for substrateless mold packages, ie it can be used without changing the overall process.
In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt die Temperatur beim Erhitzen in einem Bereich von ≥ 140°C bis ≤ 280°C, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 180°C bis ≤ 250°C und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 200°C bis ≤ 240°C. Die genannten Temperaturbereiche haben sich als besonders vorteilhaft erwiesen, weil es gleichzeitig zu einer ausreichend schnellen Verfestigung der Umhüllmasse und zu einer ausreichend schnellen Zersetzung des thermisch zersetzbaren Polymers kommen kann.In one embodiment of the method according to the invention, the temperature during heating is in a range of ≥ 140 ° C to ≦ 280 ° C, preferably in a range of ≥ 180 ° C to ≤ 250 ° C, and more preferably in a range of ≥ 200 ° C. up to ≤ 240 ° C. The temperature ranges mentioned have proved to be particularly advantageous, because at the same time a sufficiently rapid solidification of the coating compound and a sufficiently rapid decomposition of the thermally decomposable polymer can occur.
In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vor dem Aufbringen des mikro- oder nanostrukturierten Bauelements auf der Oberseite des Substrats eine elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie auf die für das Aufbringen vorgesehene Seite des Substrats aufgetragen. Diese Folie kann man mit ihren elektrisch leitenden Bereichen nach einer eventuellen Strukturierung als Basis für eine Umverdrahtung dienen. Durch Laserbohr- und Metallisierungsvorgänge können die Kontakte hergestellt werden.In a further embodiment of the method according to the invention, before the application of the microstructured or nanostructured component on the upper side of the substrate, a film comprising electrically conductive regions is applied to the side of the substrate provided for the application. This foil can be used with their electrically conductive areas after a possible structuring as the basis for a rewiring. Through laser drilling and metallization processes, the contacts can be made.
Des Weiteren können mittels eines Laserbohrvorgangs Durchkontakte durch die elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie zu den mikro- oder nanostrukturierten Bauelementen hergestellt werden. Beispielsweise kann dann eine kupferkaschierte Harzfolie (RCC-Folie) nach einer Trennung von einem temporären Träger die entsprechenden mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente miteinander verbinden. Diese Verbindungen können noch galvanisch verstärkt werden. Die Folie im Sinne der vorliegenden Erfindung kann dabei aus unterschiedlichen Materialien bestehen, in der die eine Komponente in der anderen eingebettet ist. Dabei umfasst mindestens eine Komponente ein elektrisch leitfähiges Material.Furthermore, by means of a laser drilling process, through-contacts can be produced through the film comprising electrically conductive regions to form the microstructured or nanostructured components. For example, then a copper-clad resin film (RCC film) after disconnection from a temporary carrier connect the corresponding micro- or nanostructured devices together. These compounds can still be galvanically reinforced. The film according to the present invention may consist of different materials, in which one component is embedded in the other. At least one component comprises an electrically conductive material.
Nach erfolgter Umverdrahtung können die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente substratlos gelagert sein. Hierdurch kann eine systemdämpfende Wirkung erzielt werden.After rewiring, the micro- or nanostructured components can be stored without substrate. As a result, a system-damping effect can be achieved.
Vorzugsweise ist die elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie eine kupferkaschierte Harzfolie (RCC-Folie). Die Umverdrahtung kann hierfür hinsichtlich dämpfender und federnder Eigenschaften angepasst und die Bauelemente bezüglich der notwendigen Schwingungsmasse optimiert werden. Ein Vorteil ist, dass die Systemschwingungen von dem Einbauort des Bauteils entkoppelt werden können und es somit zu einem Fernhalten der Resonanzbereiche der Sensoren kommt.Preferably, the film comprising electrically conductive regions is a copper-clad resin film (RCC film). For this purpose, the rewiring can be adapted with regard to damping and resilient properties, and the components can be optimized with regard to the necessary vibration mass. One advantage is that the system oscillations can be decoupled from the installation location of the component and thus the resonant regions of the sensors are kept away.
In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das thermisch zersetzbare Polymer ein Thermoplast. Der Einsatz eines Thermoplasten hat den Vorteil, dass in einem weiteren Verfahrensschritt, sofern es möglich sein sollte, der Thermoplast wieder erweicht werden kann. Dabei kann das thermoplastische Polymer ausgewählt werden sein der Gruppe umfassend polycyclische Olefine, Acrylnitril-Butadien-Styrol, Polyamide, Polylactat, Polymethylmethacrylat, Polycarbonat, Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol, Polyetherketon und/oder Polyvinylchlorid.In a further embodiment of the method according to the invention, the thermally decomposable polymer is a thermoplastic. The use of a thermoplastic has the advantage that in one further process step, if it should be possible, the thermoplastic can be softened again. In this case, the thermoplastic polymer may be selected from the group comprising polycyclic olefins, acrylonitrile-butadiene-styrene, polyamides, polylactate, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyether ketone and / or polyvinyl chloride.
Es ist weiterhin möglich, dass das thermisch zersetzbare Polymer auch chemisch zersetzbar ist.It is also possible that the thermally decomposable polymer is also chemically decomposable.
In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird mindestens ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement vor dem Umhüllen mit dem thermisch zersetzbaren Polymer mit einer Maske bedeckt. Durch diese Abdeckung kommt es zwischen dem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement und einer nachfolgenden Umhüllung mit dem thermisch zersetzbaren Polymer zu keinem Kontakt des mikro- oder nanostrukturierten Bauelements und dem thermisch zersetzbaren Polymer. Die dabei eingesetzten Masken können ein Rakelsieb, für den Siebdruck und/oder den Schablonendruck umfassende Masken beinhalten. Vorteilhaft an dieser Ausführungsform ist, dass die Bauelemente, die keine Umhüllung mit dem thermisch zersetzbaren Polymer benötigen, ausgespart werden können und es somit zu einer Materialersparnis kommt.In a further embodiment of the method according to the invention, at least one microstructured or nanostructured component is covered with a mask before being enveloped by the thermally decomposable polymer. As a result of this covering, no contact of the microstructured or nanostructured component and the thermally decomposable polymer occurs between the microstructured or nanostructured component and a subsequent cladding with the thermally decomposable polymer. The masks used may include a doctoring screen, masks comprising screen printing and / or stencil printing. An advantage of this embodiment is that the components that do not require a cladding with the thermally decomposable polymer, can be left out and thus it comes to a saving of material.
In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement aus der Gruppe umfassend Mikro-Elektro-Mechanische Systeme (MEMS), Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen (ASIC) und/oder Sensorelemente ausgewählt. Die genannten Bauelemente profitieren insbesondere von der Entkopplung der Umhüllmasse im erfindungsgemäßen Verfahren, da sie besonders anfällig für Schwankungen in ihrer Funktion, beispielsweise ihrer Sensorsignale, unter dem Einfluss mechanischer Spannungen sind. Dabei können die Sensorelemente Bestandteile in Beschleunigungssensoren, Drehratensensoren, Drucksensoren, Magnetsensoren, Hallsensoren, Massenflusssensoren, Gassensoren, optischen Sensoren und/oder Mehrchipmodulen sein.In a further embodiment of the method according to the invention, the microstructured or nanostructured component is selected from the group comprising micro-electro-mechanical systems (MEMS), application-specific integrated circuits (ASIC) and / or sensor elements. The components mentioned benefit in particular from the decoupling of the enveloping composition in the method according to the invention, since they are particularly susceptible to fluctuations in their function, for example their sensor signals, under the influence of mechanical stresses. The sensor elements may be components in acceleration sensors, rotation rate sensors, pressure sensors, magnetic sensors, Hall sensors, mass flow sensors, gas sensors, optical sensors and / or multi-chip modules.
In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement ein Halbleiterbauelement. Dabei kann das Halbleiterbauelement ausgewählt sein aus der Gruppe umfassend MEMS, ASICs, Active Pixel Sensor, Charge Coupled Device (CCD)-Sensor, Contact Image Sensor, Diac (diode for alternating current), Digital Pixel Sensor, Elektronenmultiplierröhren (Electron Multiplying) CCD, Fotothyristor, Gate Array, Gate Turn-Off (GTO)-Thyristor, Halbleiterrelais, Halbleiterspeicher, Integrationsgrad, Mikroprozessor, Neuromorphe Chips, Optokoppler, Position Sensitive Device, Solarzelle, Stromrückgekoppelter Operationsverstärker, Thyristor, Thyristorsteller, Thyristortetrode, Thyristorturm, Time-of-flight-Sensor, Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Drehratensensoren, Massenflusssensoren, Magnetsensoren, Gassensoren, Hallsensoren, Feuchtigkeitssensoren, Trench-Technik und/oder Video-RAM (Random Access Memory). Auch hier gilt, dass die Stabilität der Funktion der Bauelemente durch die thermische Entkopplung verbessert wird.In a further embodiment of the method according to the invention, the microstructured or nanostructured component is a semiconductor component. In this case, the semiconductor component may be selected from the group comprising MEMS, ASICs, Active Pixel Sensor, Charge Coupled Device (CCD) sensor, contact image sensor, diode for alternating current, digital pixel sensor, Electron Multiplying CCD, Photothyristor, gate array, gate turn-off (GTO) thyristor, semiconductor relay, semiconductor memory, degree of integration, microprocessor, neuromorphic chips, optocoupler, position sensitive device, solar cell, current feedback operational amplifier, thyristor, thyristor, thyristor, thyristor, time-of-flight Sensor, pressure sensors, accelerometers, temperature sensors, yaw rate sensors, mass flow sensors, magnetic sensors, gas sensors, Hall sensors, humidity sensors, trench technology and / or random access memory (RAM). Again, the stability of the function of the components is improved by the thermal decoupling.
Es ist weiterhin möglich, nach erfolgter Umhüllung mit der Umhüllmasse mittels eines Bohrvorgangs oder eines speziellen Moldwerkzeuges, beispielsweise eines Stempels, eine Kavität zu erzeugen. Dabei kann die Kavität bis zu dem thermisch zersetzbaren Polymer gehen, was das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement umhüllt. Des Weiteren ist es auch möglich, die Kavität erst nach dem Zersetzen des thermisch zersetzbaren Polymers zu erzeugen. Dabei kann die Kavität durch die Umhüllmasse bis zu einem ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umgebenen Zwischenraum gebohrt werden.It is also possible, after wrapping with the wrapping material by means of a drilling process or a special Moldwerkzeuges, such as a stamp to produce a cavity. In this case, the cavity can go as far as the thermally decomposable polymer, which envelops the microstructured or nanostructured component. Furthermore, it is also possible to produce the cavity only after the decomposition of the thermally decomposable polymer. In this case, the cavity can be drilled through the encapsulation compound to a space surrounded by a microstructured or nanostructured component.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung betrifft ein Bauteil, erhältlich durch ein erfindungsgemäßes Verfahren, umfassend ein von einer ausgehärteten Umhüllmasse umgebenes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement, wobei zwischen dem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement und der ausgehärteten Umhüllmasse zumindest teilweise ein Zwischenraum ausgebildet ist. Die Vorteile, insbesondere die thermische Entkopplung wurden bereits in Bezug auf das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben. Daher wird zur Vermeidung von Wiederholung darauf verwiesen.Another object of the invention relates to a component obtainable by a method according to the invention, comprising a micro- or nanostructured component surrounded by a hardened encasing compound, wherein at least partially a gap is formed between the microstructured or nanostructured component and the hardened encasing compound. The advantages, in particular the thermal decoupling, have already been described in relation to the method according to the invention. Therefore, reference is made to avoid repetition.
Erwähnt sei, dass es zu einer teilweisen Entkopplung der grenzflächenverbundenen mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente zu der Umhüllmasse kommt. Im Sinne der vorliegenden Erfindung kann die Umhüllmasse insbesondere eine Vergussmasse und/oder Pressmasse sein. Somit kann das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement schwingungsdämpfend gelagert mit einer dämpfenden, federnden Umverdrahtung verbunden werden, so dass störende Systemschwingungen am Einsatzort des Bauteils kompensiert werden können.It should be mentioned that there is a partial decoupling of the interface-connected micro- or nanostructured components to the enveloping composition. For the purposes of the present invention, the encasing compound may in particular be a potting compound and / or molding compound. Thus, the micro- or nanostructured device can be connected vibration-damping mounted with a damping, resilient rewiring, so that disturbing system vibrations can be compensated at the site of the component.
Der Abstand zwischen dem Bauelement und der ausgehärteten Umhüllmasse, also die Breite des Zwischenraums, kann in einem Bereich von ≥ 100 nm bis ≤ 200 µm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 500 nm bis ≤ 50 µm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 900 nm bis ≤ 10 µm liegen.The distance between the component and the hardened enveloping compound, ie the width of the gap, can be in a range of ≥ 100 nm to ≦ 200 μm, preferably in a range of ≥ 500 nm to ≦ 50 μm and particularly preferably in a range of ≥ 900 nm to ≤ 10 microns.
In einer Ausführungsform umfasst das erfindungsgemäße Bauteil weiterhin eine von außen bis in den Zwischenraum hineinreichende Kavität. Vorzugsweise reicht die Kavität durch die Umhüllmasse bis zu dem Zwischenraum. Alternativ kann zusätzlich die Kavität durch die elektrisch leitfähigen Bereiche umfassende Folie hindurchreichen. Hierdurch ist es möglich, Medienzugänge für stressarm verpackte Bauelemente wie beispielsweise Sensoren zu erhalten. Dabei können die Sensoren unter anderem Drucksensoren, Fluidsensoren und/oder chemische Sensoren sein. Vorteilhafterweise kann dadurch eine Kommunikation des Zwischenraums mit dem Außenmedium stattfinden, wobei dies vorzugsweise durch eine Fluid-Kommunikation erreicht werden kann.In one embodiment, the component according to the invention further comprises a cavity extending from the outside to the intermediate space. Preferably, the cavity extends through the Umhüllmasse up to the gap. Alternatively, the cavity can additionally pass through the film comprising electrically conductive regions. This makes it possible to get media access for low-stress packaged components such as sensors. The sensors may include pressure sensors, fluid sensors and / or chemical sensors. Advantageously, this can take place a communication of the intermediate space with the outer medium, wherein this can preferably be achieved by a fluid communication.
Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung eines erfindungsgemäßen Bauteils für Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Drehratensensoren, Massenflusssensoren, Magnetsensoren, Gassensoren, Hallsensoren und/oder Feuchtigkeitssensoren.The present invention further relates to the use of a component according to the invention for pressure sensors, acceleration sensors, temperature sensors, rotation rate sensors, mass flow sensors, magnetic sensors, gas sensors, Hall sensors and / or moisture sensors.
Die vorliegende Erfindung wird anhand einer speziellen Ausführungsform des Verfahrens unter Bezugnahme der nachfolgenden Zeichnungen weiter erläutert, ohne hierauf beschränkt zu sein. Es zeigen:The present invention will be further explained with reference to a specific embodiment of the method with reference to the following drawings, without being limited thereto. Show it:
Nach dem Entfernen der Maske
Im nächsten Schritt wird die in
Als letzter Schritt erfolgt eine Umverdrahtung. Dabei ist in
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 102005041539 A1 [0005] DE 102005041539 A1 [0005]
Claims (10)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009029199A DE102009029199A1 (en) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts |
CN2010102739397A CN102009944A (en) | 2009-09-04 | 2010-09-03 | Destressing construction technique for non-substrate molding package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009029199A DE102009029199A1 (en) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009029199A1 true DE102009029199A1 (en) | 2011-03-10 |
Family
ID=43535898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009029199A Ceased DE102009029199A1 (en) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102009944A (en) |
DE (1) | DE102009029199A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013017129A2 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Structural device comprising a structural element, apparatus for applying the structural element, method for producing the structural device and method for applying the structural element |
DE102017203381A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-04-05 | Robert Bosch Gmbh | Microelectronic component arrangement and corresponding manufacturing method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109346415B (en) * | 2018-09-20 | 2020-04-28 | 江苏长电科技股份有限公司 | Packaging method and packaging equipment for selectively packaging structure |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005041539A1 (en) | 2005-08-31 | 2006-11-23 | Infineon Technologies Ag | Adhesive film to attach semiconductor chips to a carrier before embedding in plastic has temperature-sensitve and/or pressure-sensitive film that decomposes to gaseous products |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004011203B4 (en) * | 2004-03-04 | 2010-09-16 | Robert Bosch Gmbh | Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip arrangement |
EP1758814A4 (en) * | 2004-03-15 | 2010-12-15 | Georgia Tech Res Inst | Packaging for micro electro-mechanical systems and methods of fabricating thereof |
US20080083957A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
US7847387B2 (en) * | 2007-11-16 | 2010-12-07 | Infineon Technologies Ag | Electrical device and method |
-
2009
- 2009-09-04 DE DE102009029199A patent/DE102009029199A1/en not_active Ceased
-
2010
- 2010-09-03 CN CN2010102739397A patent/CN102009944A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005041539A1 (en) | 2005-08-31 | 2006-11-23 | Infineon Technologies Ag | Adhesive film to attach semiconductor chips to a carrier before embedding in plastic has temperature-sensitve and/or pressure-sensitive film that decomposes to gaseous products |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013017129A2 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Structural device comprising a structural element, apparatus for applying the structural element, method for producing the structural device and method for applying the structural element |
DE102011108981A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Structural device with a component, device for application of the device, method for producing the structural device and method for application of the device |
DE102011108981B4 (en) * | 2011-08-01 | 2016-02-18 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Structural device with a component, device for application of the device, method for producing the structural device and method for application of the device |
DE102017203381A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-04-05 | Robert Bosch Gmbh | Microelectronic component arrangement and corresponding manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102009944A (en) | 2011-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009029201B4 (en) | Method for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component | |
DE102012108305B4 (en) | Sensor component and method | |
DE102007058951B4 (en) | MEMS package | |
DE102010030960B4 (en) | Process for manufacturing a vibration-damped component | |
DE102010064120B4 (en) | Component and method for its manufacture | |
DE102014115653B4 (en) | METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENTS WITH ELECTRICALLY CONDUCTIVE FRAME ON A SUBSTRATE FOR RECEIVING ELECTRONIC CHIPS | |
DE102009044863B4 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device | |
DE102011102266B4 (en) | Arrangement with a MEMS component with a PFPE layer and method for the production | |
DE102008039706A1 (en) | Semiconductor device | |
DE102011004381A1 (en) | Mold module with sensor element | |
DE102008040775A1 (en) | Encapsulation, MEMS and selective encapsulation | |
DE102010001711A1 (en) | Semiconductor device and corresponding manufacturing method | |
DE102006005994A1 (en) | Semiconductor component e.g. semiconductor chip useful in semiconductor wafer comprises semiconductor substrate having active area region, interspace between carrier and covering filled with underfiller material | |
DE102006056361B4 (en) | Module with polymer-containing electrical connection element and method | |
DE102013103140A1 (en) | Integrated 3-D circuits and methods for their formation | |
DE102013222733A1 (en) | Micromechanical sensor device | |
DE102011087963A1 (en) | Microphone package, has housing cover connected with housing bottom by connection material that has low hardening temperature and/or requires short time for curing than another connection material connecting cover with microphone chip | |
DE102010041129A1 (en) | Multifunction sensor as PoP mWLP | |
DE102013102230A1 (en) | Semiconductor packages and methods for their training | |
DE102012223982A1 (en) | Method for producing an electronic assembly | |
DE102009029199A1 (en) | Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts | |
DE102014118214B4 (en) | Easily manufactured electrical component and method for producing an electrical component | |
DE102012209034A1 (en) | Electronic module and method for producing such an electronic module, and electronic control unit with such an electronic module | |
DE102010030457A1 (en) | Method for manufacturing fragile microelectromechanical system structure of packaged microelectromechanical system components for e.g. laptop, involves coating substrate with plastic material to produce chip packaging | |
DE102013112029A1 (en) | Semiconductor device with encapsulation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |