DE102009029199A1 - Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts - Google Patents

Component parts manufacturing method for e.g. pressure sensors, involves selecting temperature for heating microstructured or nanostructured components such that materials of components are not converted into gaseous component parts Download PDF

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Ricardo Ehrenpfordt
Frieder Haag
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Abstract

The method involves applying microstructured or nanostructured components on a substrate (1). The components are coated with thermally decomposable polymer. The thermally decomposable polymer coated components are partially coated with potting compounds. The components partially coated with the potting compounds are heated to temperature at which the thermally decomposable polymer is decomposed by a heat process. The temperature for heating the components is selected such that materials of the components are not converted into gaseous component parts. An independent claim is also included for a component part comprising microstructured or nanostructured components.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils. Dieses Verfahren beinhaltet den Schritt des Umhüllens eines mikro- oder nanostrukturiertem Bauelements. Die Erfindung betrifft weiterhin ein gemäß diesem Verfahren erhältliches Bauteil sowie dessen Verwendung.The present invention relates to a method for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component. This method includes the step of wrapping a micro- or nanostructured device. The invention further relates to a component obtainable by this method and its use.

Sensoren werden üblicherweise in stanzgitter- oder substratbasierten Umhüllgehäusen (Moldgehäusen) verpackt. Diese können auf einem Kupfer-Kunststoffgehäuse (Kupfer-Leadframe) basierte Substrate als Ausführungsformen sein, die Gehäuse mit Anschlussbeinchen (leaded Gehäuse) oder Gehäuse ohne Anschlussbeinchen (leadless Gehäuse) umfassen. Dabei werden die einzelnen Sensoren oder ASICs (Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen) entweder nebeneinander oder übereinander auf das Substrat gepackt, worauf sich im Folgenden ein Vergussprozess anschließt. Zunehmend werden aber auch neue substratlose Gehäuse entwickelt. Eine Variante der Chipverpackung wird als eWLP (Embedded Wafer Level Packaging) bezeichnet.Sensors are usually packaged in stamping grid or substrate-based wrapping housings (mold housings). These may be on a copper plastic frame (copper leadframe) based substrates as embodiments comprising leaded housing or leadless housing. In this case, the individual sensors or ASICs (application-specific integrated circuits) are either packed side by side or one above the other onto the substrate, followed by a potting process in the following. Increasingly, however, new substrateless housing are being developed. One variant of chip packaging is referred to as eWLP (Embedded Wafer Level Packaging).

Innerhalb von Moldgehäusen entsteht unter Temperatureinfluss durch die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der Materialien eine thermische Fehlanpassung (Mismatch) und es kommt in dessen Folge zu Verformungen (Verbiegung) der gesamten Anordnung (Package), zu Stressinduzierungen und somit zur negativen Beeinflussung der Sensorsignale. Vor allem die Grenzflächen des Materialverbundes stellen sich dahingehend als Ausgangspunkt für mechanische Spannungen dar. Diesem thermomechanischen Mismatch versucht man unter anderem durch stressentkoppelnde weiche Kleber zwischen den Verbundflächen zu entgegnen. Gerade dieses Stressverhalten führte in der Vergangenheit zur Verwendung von stressärmeren aber weitaus kostenintensiveren sogenannten Premold-Gehäusen bei besonders stressempfindlichen Inertialsensoren. Bei den Premold-Gehäusen handelt es sich um spritzgegossene, vorgefertigte Gehäuse mit abschließender Deckelung und es besteht kein direkter Kontakt zwischen Silizium und der Umhüllmasse.Within mold housings, a thermal mismatch arises due to the different coefficients of thermal expansion of the materials under the influence of temperature and, as a result, deformations (bending) of the entire assembly (package), stress inducements and thus negative influence on the sensor signals. Above all, the interfaces of the material composite are thus considered to be the starting point for mechanical stresses. This thermomechanical mismatch is attempted to be counteracted, inter alia, by stress-decoupling soft adhesives between the composite surfaces. Precisely this stress behavior has in the past led to the use of less stressful but much more costly so-called premold packages in particularly stress-sensitive inertial sensors. The Premold housings are injection-molded, prefabricated enclosures with a final cap and there is no direct contact between silicon and the encapsulant.

Eine andere Möglichkeit zur mechanischen Stressentkopplung in diesem Zusammenhang bestünde darin, keine mechanische Verbindung zum Mold-Gehäuse vorliegen zu haben. Bislang ist jedoch nicht bekannt, wie solch ein Freiraum aufgebaut werden könnte.Another possibility for mechanical stress decoupling in this context would be to have no mechanical connection to the mold housing. So far, however, it is not known how such a free space could be built.

DE 10 2005 041 539 A1 offenbart eine adhäsive Folie zum Bestücken eines Trägers mit Halbleiterchips vor einem Einbetten derselben in eine Kunststoffmasse auf dem Träger. Dazu weist die Folie eine Kernfolie und mindestens auf der Bestückungseite der Folie eine Beschichtung mit Klebstoff auf. Die Beschichtung weist auf ihrer Oberseite ein druck- und/oder temperaturempfindliches Material auf, das sich bei Druck- und/oder Wärmeeinwirkung zersetzt und gasförmige Zersetzungsprodukte abscheidet. DE 10 2005 041 539 A1 discloses an adhesive film for loading a carrier with semiconductor chips prior to embedding it in a plastic mass on the carrier. For this purpose, the film has a core film and at least on the component side of the film on a coating with adhesive. The coating has on its upper side on a pressure and / or temperature-sensitive material which decomposes on pressure and / or heat and deposits gaseous decomposition products.

Diese betrifft jedoch die Ablösung eines Verbundes von einem Substrat unter Verwendung eines druck- und/oder temperaturempfindlichen Materials. Hohlräume in einer Vergussmasse werden nicht aufgebaut. Wünschenswert wäre daher ein alternatives Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils, wobei solche Hohlräume in der Vergussmasse erhalten werden können.However, this relates to the detachment of a composite from a substrate using a pressure and / or temperature-sensitive material. Cavities in a potting compound are not built up. It would therefore be desirable to have an alternative method for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component, wherein such cavities can be obtained in the potting compound.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Erfindungsgemäß vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umfassenden Bauteils, umfassend die Schritte:

  • – Bereitstellen eines Substrats;
  • – Aufbringen von mindestens einem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement auf das Substrat;
  • – Umhüllen des aufgebrachten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements mit einem thermisch zersetzbaren Polymer;
  • – Zumindest teilweises Umhüllen des mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements mit einer Umhüllmasse;
  • – Erhitzen der erhaltenen Anordnung auf eine Temperatur, bei der das thermisch zersetzbare Polymer im Verfahren thermisch zersetzt wird und zumindest teilweise in gasförmige Bestandteile überführt wird und wobei weiterhin die Temperatur so gewählt wird, dass weiteres Material der erhaltenen Anordnung nicht in gasförmige Bestandteile überführt wird.
According to the invention, a method is proposed for producing a component comprising a microstructured or nanostructured component, comprising the steps:
  • - Providing a substrate;
  • - applying at least one micro- or nanostructured device to the substrate;
  • - Enveloping the applied micro- or nanostructured device with a thermally decomposable polymer;
  • - At least partially wrapping the coated with the thermally decomposable polymer micro- or nanostructured device with a Umhüllmasse;
  • - Heating the resulting assembly to a temperature at which the thermally decomposable polymer is thermally decomposed in the process and is at least partially converted into gaseous components and further wherein the temperature is chosen so that further material of the arrangement obtained is not converted into gaseous components.

Der erste Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens beinhaltet das Bereitstellen des Substrats. Das Material des Substrats kann beispielsweise ausgewählt aus der Gruppe umfassend Keramiken, Metalle oder hochschmelzender Kunstoffe werden. Das Metall kann dabei aus der Gruppe der Edelstahle 1.4034 und/oder 1.4310 ausgewählt werden.The first step of the method of the invention involves providing the substrate. The material of the substrate may, for example, be selected from the group comprising ceramics, metals or refractory plastics. The metal can be selected from the group of stainless steels 1.4034 and / or 1.4310.

Es ist möglich, dass eine Klebefolie oder Klebeschicht auf dem Substrat aufgebracht wird. Die Schichtdicke kann dabei in einem Bereich von ≥ 0,2 μm bis ≤ 200 μm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 1 μm bis ≤ 100 μm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 2 μm bis ≤ 10 μm liegen. Solch eine Klebeschicht oder Klebefolie kann die aufzubringenden mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente auf dem Substrat fixieren und das Substrat von einem Moldverbund nach dem Molden lösen.It is possible that an adhesive film or adhesive layer is applied to the substrate. The layer thickness may be in a range of ≥ 0.2 μm to ≦ 200 μm, preferably in a range of ≥ 1 μm to ≦ 100 μm and particularly preferably in a range of ≥ 2 μm to ≦ 10 μm. Such an adhesive layer or adhesive film can fix the applied micro- or nanostructured components on the substrate and detach the substrate from a mold composite after Molden.

Im nächsten Schritt wird mindestens ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement auf das Substrat aufgebracht. Ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein Bauelement mit internen Strukturabmessungen im Bereich von ≥ 1 nm bis ≤ 100 µm. Unter den internen Strukturabmessungen sind hierbei die Abmessungen von Strukturen innerhalb des Bauelements wie zum Beispiel Gräben, Stegen oder Leiterbahnen gemeint. Solche Bauelemente werden in der Mikrosystemtechnik oder in mikroelektromechanischen Systemen verwendet.In the next step, at least one micro- or nanostructured component is applied to the substrate. A micro- or nanostructured component in the sense of the present invention is in particular a component with internal structure dimensions in the range of ≥ 1 nm to ≦ 100 μm. The internal structural dimensions here mean the dimensions of structures within the component, such as trenches, webs or strip conductors. Such devices are used in microsystem technology or in microelectromechanical systems.

Das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement kann einen Bereich umfassen, welcher zur elektrischen Kontaktierung mit einem weiteren mikro- oder nanostrukturierten Bauelement vorgesehen ist. Solch ein Bereich kann auch als Anschlusspad oder Anschlusskontakt bezeichnet werden. Die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente können unter anderem integrierte Schaltungen, Sensorelemente, passive Bauelemente, keramische Kondensatoren, Widerstände oder Aktoren umfassen. Die Bauelemente ergeben dann ein System, welches nach Vereinzelung ein eigenständiges Package aufweist.The micro- or nanostructured component may comprise an area which is provided for electrical contacting with another microstructured or nanostructured component. Such an area may also be referred to as a terminal pad or terminal contact. The micro- or nanostructured devices may include, but are not limited to, integrated circuits, sensor elements, passive devices, ceramic capacitors, resistors, or actuators. The components then yield a system which, after separation, has an independent package.

Beim Aufbringen wird zumindest ein Teilbereich der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente mit der Oberseite des Substrats oder mit der Oberseite von auf dem Substrat befindlichen weiteren Schichten oder Folien kontaktiert. Der Abstand der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente untereinander entspricht den Erfordernissen des herzustellenden Bauteils. Die Aufbringung der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente kann mit einem automatischen Bestücker durchgeführt werden. Dabei hängt die aufzubringende Kraft, mit der die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente auf das Substrat aufbracht werden, von der Dicke der obersten Schicht und von der Bestücktemperatur, der Haltezeit und der Art der zu bestückenden Bauelemente ab. Zusätzlich kann die Aufbringung der mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente durch ein Erhitzen des Substrats erleichtert werden.During application, at least one subarea of the microstructured or nanostructured components is contacted with the upper side of the substrate or with the upper side of further layers or foils located on the substrate. The spacing of the microstructured or nanostructured components with one another corresponds to the requirements of the component to be produced. The application of the micro- or nanostructured components can be carried out with an automatic mounter. In this case, the applied force with which the micro- or nanostructured components are applied to the substrate depends on the thickness of the uppermost layer and on the placement temperature, the holding time and the type of components to be assembled. Additionally, the application of the micro- or nanostructured devices may be facilitated by heating the substrate.

Als nächstes wird das aufgebrachte mikro- oder nanostrukturierte Bauelement mit einem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllt. Dabei kann die Schichtdicke des thermisch zersetzbaren Polymers in einem Bereich von ≥ 100 nm bis ≤ 200 µm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 500 nm bis ≤ 50 µm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 900 nm bis ≤ 10 µm liegen. Die Schicht kann mittels kostengünstiger Verfahren wie Tauchen, Dispensen, Bedrucken, Aufschleudern, Jetten oder Sprühbelacken aufgebracht werden. Daran kann sich vorteilhafterweise ein Temperprozess anschließen, wobei zum Bespiel bei einer Temperatur von 100°C für 10 bis 30 Minuten erhitzt wird.Next, the applied micro- or nanostructured device is wrapped with a thermally decomposable polymer. In this case, the layer thickness of the thermally decomposable polymer in a range of ≥ 100 nm to ≤ 200 microns, preferably in a range of ≥ 500 nm to ≤ 50 microns and more preferably in a range of ≥ 900 nm to ≤ 10 microns. The layer can be applied by means of cost-effective methods such as dipping, dispensing, printing, spin-coating, jetting or spray painting. This can advantageously be followed by an annealing process, being heated for example at a temperature of 100 ° C for 10 to 30 minutes.

Als Druckverfahren kann der Siebdruck oder der Schablonendruck verwendet werden. Ebenfalls kann das thermisch zersetzbare Polymer als Festresist aufgebracht werden. Die nach dem genannten Verfahren aufgebrachte Schicht kann dabei entweder strukturiert aufgebracht oder nach dem Aufbringen strukturiert werden. Das Strukturieren kann dabei photolithographisch erfolgen.As the printing method, the screen printing or the stencil printing can be used. Also, the thermally decomposable polymer can be applied as a solid resist. The layer applied by the mentioned method can either be applied in a structured manner or structured after application. The structuring can be done photolithographically.

Das verwendete thermisch zersetzbare Polymer kann eine zersetzungsfreie Temperaturstabilität bis zu 140°C aufweisen. Bei Temperaturen über 200°C kann sich das Polymer beispielsweise in CO2, CO und H2 zumindest teilweise rückstandsfrei zersetzen.The thermally decomposable polymer used may have a decomposition-free temperature stability up to 140 ° C. At temperatures above 200 ° C, the polymer can decompose, for example, in CO 2 , CO and H 2 at least partially without residue.

Danach wird das mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllte mikro- oder nanostrukturierte Bauelement mit einer Umhüllmasse zumindest teilweise umhüllt. Weitere Bezeichnungen für die Umhüllmasse sind auch Vergussmasse, Moldcompound-Komponente, Vergießmasse, Spritzpressmasse, Umspritzmasse, Moldmasse und/oder Pressmasse. Des Weiteren kann die Umhüllmasse Füllstoffe aufweisen. Diese Füllstoffe dienen der Anpassung der Materialeigenschaften. Die Umhüllmasse kann dabei zum einen ein mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umgebenes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umhüllen. Des Weiteren kann die Umhüllmasse direkt ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umhüllen. Die Umhüllmasse kann beispielsweise aus der Gruppe der Epoxidharze, Polyacrylate, Polyoxymethylene und/oder Silicone ausgewählt werden.Thereafter, the coated with the thermally decomposable polymer micro- or nanostructured device is at least partially enveloped with a Ummüllmasse. Other designations for the encapsulant are potting compound, molding compound component, potting compound, transfer molding compound, overmolding compound, molding compound and / or molding compound. Furthermore, the encasing compound may comprise fillers. These fillers serve to adapt the material properties. The encapsulation compound may on the one hand surround a microstructured or nanostructured component surrounded by the thermally decomposable polymer. Furthermore, the encasing compound can directly encase a micro- or nanostructured component. The enveloping composition can be selected for example from the group of epoxy resins, polyacrylates, polyoxymethylenes and / or silicones.

Vorteilhafterweise weisen die verwendeten Umhüllmassen niedrige Kriechstromeigenschaften, hohe Homogenität, einen niedrigen Brechungsindex, einen niedrigen Schrumpf und/oder einen niedrigen Wärmeleitkoeffizient auf. Des Weiteren können die verwendeten Umhüllmassen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, der sich von dem Wert des Wärmeausdehnungskoeffizienten des Silizium bis zu einem Faktor zehn unterscheiden kann, ebenso können die verwendeten Umhüllmassen insbesondere ein hohes Elastizitätsmodul und eine hohe Glasübergangstemperatur aufweisen.Advantageously, the encapsulants used have low creepage current properties, high homogeneity, a low refractive index, low shrinkage and / or a low coefficient of thermal conduction. Furthermore, the encapsulants used can have a coefficient of thermal expansion which can differ from the value of the thermal expansion coefficient of the silicon up to a factor of ten, likewise the encapsulants used can in particular have a high elastic modulus and a high glass transition temperature.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung umfasst der Begriff „umhüllen” hierbei ein Verfahren des Umspritzens, Spritzpressens, Vergießens und, unter Verwendung der englischen Fachbegriffe, molding, transfer molding und injection molding, liquid molding, compression molding und des sheetmoldens.In the context of the present invention, the term "enveloping" here comprises a method of extrusion coating, transfer molding, potting and, using the English technical terms, molding, transfer molding and injection molding, liquid molding, compression molding and the sheetmold.

Auf das Umhüllen mit der Umhüllmasse folgend findet ein Erhitzen der erhaltenen Anordnung statt. Unter erhaltener Anordnung sind hierbei die aus den vorherigen Verfahrensschritten erhaltenden umhüllten Bauelemente gemeint. Dieser Schritt wird auch als Post Mold Cure (PMC) Schritt bezeichnet. Der für die Moldmasse notwendige PMC-Schritt wird innerhalb der vorliegenden Erfindung benutzt, um das aufgebrachte thermisch zersetzbare Polymer zu zersetzen. Zeitdauer und Temperatur richten sich dabei nach der aufgebrachten Polymerschichtdicke. Somit wird innerhalb dieses Erhitzens die Aushärtung und Endvernetzung der Moldmasse erreicht und zudem die Entkopplung zwischen den Grenzflächen erreicht. Following the wrapping with the wrapping compound, a heating of the resulting assembly takes place. The term "preserved arrangement" here means the enclosed components obtained from the previous method steps. This step is also referred to as Post Mold Cure (PMC) step. The PMC step necessary for the molding compound is used within the present invention to decompose the applied thermally decomposable polymer. Time and temperature depend on the applied polymer layer thickness. Thus, within this heating, the curing and final cross-linking of the molding compound is achieved and, moreover, the decoupling between the boundary surfaces is achieved.

Erhitzt wird auf eine Temperatur, bei der das thermisch zersetzbare Polymer im Verfahren thermisch zersetzt wird und zumindest teilweise in gasförmige Bestandteile überführt wird und wobei weiterhin die Temperatur so gewählt wird, dass weiteres Material der erhaltenen Anordnung nicht in gasförmige Bestandteile überführt wird.Is heated to a temperature at which the thermally decomposable polymer is thermally decomposed in the process and is at least partially converted into gaseous components and further wherein the temperature is chosen so that further material of the arrangement obtained is not converted into gaseous components.

Bei dieser Temperatur kommt es zumindest teilweise zu einer rückstandsarmen Zersetzung des Polymers, ohne dass weiteres Material Schaden nimmt. Das weitere Material liegt dabei in Komponenten des Bauteils vor, die nicht aus dem thermisch zersetzbaren Polymer bestehen oder diese umfassen. Dabei werden die anderen Komponenten bei der Zersetzungstemperatur zum Beispiel nicht verformt. Vorzugsweise findet bei der gewählten Temperatur auch eine Aushärtung und Endvernetzung der Umhüllmasse statt.At this temperature, there is at least partially a residue-poor decomposition of the polymer, without further material damage. The other material is present in components of the component that do not consist of or comprise the thermally decomposable polymer. For example, the other components are not deformed at the decomposition temperature. Curing and final cross-linking of the coating material preferably take place at the selected temperature.

Liegt ein Bauteil mit einer Vielzahl von mikro- oder nanostrukturierten Bauelementen enthaltenen Systemen vor, können diese mittels Sägen vereinzelt werden.If a component with a variety of micro- or nanostructured components contained systems, they can be separated by means of sawing.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren können mikro- oder nanostrukturierte Bauelemente von der sie umgebenen Umhüllmasse entkoppelt werden und in einem weiteren Schritt von dem Träger abgelöst werden. Werden die Bauelemente an ihrer Unterseite verdrahtet, so können sie auf der elastischen Umverdrahtung schwingungsdämpfend gelagert werden. Weiterhin kann eine Verringerung der spannungserzeugenden mechanischen Grenzflächen erreicht werden. Der thermische Mismatch wird verringert und damit einhergehend der Signaldrift von betroffenen Sensoren.By virtue of the method according to the invention, microstructured or nanostructured components can be decoupled from the encasing compound surrounding them and detached from the carrier in a further step. If the components are wired on their underside, they can be mounted vibration-damping on the elastic rewiring. Furthermore, a reduction of the stress-generating mechanical interfaces can be achieved. The thermal mismatch is reduced and, consequently, the signal drift of affected sensors.

Ein zusätzlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, dass es zu bestehenden eWLP-Prozessen für substratlose Moldpackages konform ist, es also ohne Änderung des Gesamtprozesses angewendet werden kann.An additional advantage of the method according to the invention is that it conforms to existing eWLP processes for substrateless mold packages, ie it can be used without changing the overall process.

In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt die Temperatur beim Erhitzen in einem Bereich von ≥ 140°C bis ≤ 280°C, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 180°C bis ≤ 250°C und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 200°C bis ≤ 240°C. Die genannten Temperaturbereiche haben sich als besonders vorteilhaft erwiesen, weil es gleichzeitig zu einer ausreichend schnellen Verfestigung der Umhüllmasse und zu einer ausreichend schnellen Zersetzung des thermisch zersetzbaren Polymers kommen kann.In one embodiment of the method according to the invention, the temperature during heating is in a range of ≥ 140 ° C to ≦ 280 ° C, preferably in a range of ≥ 180 ° C to ≤ 250 ° C, and more preferably in a range of ≥ 200 ° C. up to ≤ 240 ° C. The temperature ranges mentioned have proved to be particularly advantageous, because at the same time a sufficiently rapid solidification of the coating compound and a sufficiently rapid decomposition of the thermally decomposable polymer can occur.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vor dem Aufbringen des mikro- oder nanostrukturierten Bauelements auf der Oberseite des Substrats eine elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie auf die für das Aufbringen vorgesehene Seite des Substrats aufgetragen. Diese Folie kann man mit ihren elektrisch leitenden Bereichen nach einer eventuellen Strukturierung als Basis für eine Umverdrahtung dienen. Durch Laserbohr- und Metallisierungsvorgänge können die Kontakte hergestellt werden.In a further embodiment of the method according to the invention, before the application of the microstructured or nanostructured component on the upper side of the substrate, a film comprising electrically conductive regions is applied to the side of the substrate provided for the application. This foil can be used with their electrically conductive areas after a possible structuring as the basis for a rewiring. Through laser drilling and metallization processes, the contacts can be made.

Des Weiteren können mittels eines Laserbohrvorgangs Durchkontakte durch die elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie zu den mikro- oder nanostrukturierten Bauelementen hergestellt werden. Beispielsweise kann dann eine kupferkaschierte Harzfolie (RCC-Folie) nach einer Trennung von einem temporären Träger die entsprechenden mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente miteinander verbinden. Diese Verbindungen können noch galvanisch verstärkt werden. Die Folie im Sinne der vorliegenden Erfindung kann dabei aus unterschiedlichen Materialien bestehen, in der die eine Komponente in der anderen eingebettet ist. Dabei umfasst mindestens eine Komponente ein elektrisch leitfähiges Material.Furthermore, by means of a laser drilling process, through-contacts can be produced through the film comprising electrically conductive regions to form the microstructured or nanostructured components. For example, then a copper-clad resin film (RCC film) after disconnection from a temporary carrier connect the corresponding micro- or nanostructured devices together. These compounds can still be galvanically reinforced. The film according to the present invention may consist of different materials, in which one component is embedded in the other. At least one component comprises an electrically conductive material.

Nach erfolgter Umverdrahtung können die mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente substratlos gelagert sein. Hierdurch kann eine systemdämpfende Wirkung erzielt werden.After rewiring, the micro- or nanostructured components can be stored without substrate. As a result, a system-damping effect can be achieved.

Vorzugsweise ist die elektrisch leitfähige Bereiche umfassende Folie eine kupferkaschierte Harzfolie (RCC-Folie). Die Umverdrahtung kann hierfür hinsichtlich dämpfender und federnder Eigenschaften angepasst und die Bauelemente bezüglich der notwendigen Schwingungsmasse optimiert werden. Ein Vorteil ist, dass die Systemschwingungen von dem Einbauort des Bauteils entkoppelt werden können und es somit zu einem Fernhalten der Resonanzbereiche der Sensoren kommt.Preferably, the film comprising electrically conductive regions is a copper-clad resin film (RCC film). For this purpose, the rewiring can be adapted with regard to damping and resilient properties, and the components can be optimized with regard to the necessary vibration mass. One advantage is that the system oscillations can be decoupled from the installation location of the component and thus the resonant regions of the sensors are kept away.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das thermisch zersetzbare Polymer ein Thermoplast. Der Einsatz eines Thermoplasten hat den Vorteil, dass in einem weiteren Verfahrensschritt, sofern es möglich sein sollte, der Thermoplast wieder erweicht werden kann. Dabei kann das thermoplastische Polymer ausgewählt werden sein der Gruppe umfassend polycyclische Olefine, Acrylnitril-Butadien-Styrol, Polyamide, Polylactat, Polymethylmethacrylat, Polycarbonat, Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol, Polyetherketon und/oder Polyvinylchlorid.In a further embodiment of the method according to the invention, the thermally decomposable polymer is a thermoplastic. The use of a thermoplastic has the advantage that in one further process step, if it should be possible, the thermoplastic can be softened again. In this case, the thermoplastic polymer may be selected from the group comprising polycyclic olefins, acrylonitrile-butadiene-styrene, polyamides, polylactate, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyether ketone and / or polyvinyl chloride.

Es ist weiterhin möglich, dass das thermisch zersetzbare Polymer auch chemisch zersetzbar ist.It is also possible that the thermally decomposable polymer is also chemically decomposable.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird mindestens ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement vor dem Umhüllen mit dem thermisch zersetzbaren Polymer mit einer Maske bedeckt. Durch diese Abdeckung kommt es zwischen dem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement und einer nachfolgenden Umhüllung mit dem thermisch zersetzbaren Polymer zu keinem Kontakt des mikro- oder nanostrukturierten Bauelements und dem thermisch zersetzbaren Polymer. Die dabei eingesetzten Masken können ein Rakelsieb, für den Siebdruck und/oder den Schablonendruck umfassende Masken beinhalten. Vorteilhaft an dieser Ausführungsform ist, dass die Bauelemente, die keine Umhüllung mit dem thermisch zersetzbaren Polymer benötigen, ausgespart werden können und es somit zu einer Materialersparnis kommt.In a further embodiment of the method according to the invention, at least one microstructured or nanostructured component is covered with a mask before being enveloped by the thermally decomposable polymer. As a result of this covering, no contact of the microstructured or nanostructured component and the thermally decomposable polymer occurs between the microstructured or nanostructured component and a subsequent cladding with the thermally decomposable polymer. The masks used may include a doctoring screen, masks comprising screen printing and / or stencil printing. An advantage of this embodiment is that the components that do not require a cladding with the thermally decomposable polymer, can be left out and thus it comes to a saving of material.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement aus der Gruppe umfassend Mikro-Elektro-Mechanische Systeme (MEMS), Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen (ASIC) und/oder Sensorelemente ausgewählt. Die genannten Bauelemente profitieren insbesondere von der Entkopplung der Umhüllmasse im erfindungsgemäßen Verfahren, da sie besonders anfällig für Schwankungen in ihrer Funktion, beispielsweise ihrer Sensorsignale, unter dem Einfluss mechanischer Spannungen sind. Dabei können die Sensorelemente Bestandteile in Beschleunigungssensoren, Drehratensensoren, Drucksensoren, Magnetsensoren, Hallsensoren, Massenflusssensoren, Gassensoren, optischen Sensoren und/oder Mehrchipmodulen sein.In a further embodiment of the method according to the invention, the microstructured or nanostructured component is selected from the group comprising micro-electro-mechanical systems (MEMS), application-specific integrated circuits (ASIC) and / or sensor elements. The components mentioned benefit in particular from the decoupling of the enveloping composition in the method according to the invention, since they are particularly susceptible to fluctuations in their function, for example their sensor signals, under the influence of mechanical stresses. The sensor elements may be components in acceleration sensors, rotation rate sensors, pressure sensors, magnetic sensors, Hall sensors, mass flow sensors, gas sensors, optical sensors and / or multi-chip modules.

In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement ein Halbleiterbauelement. Dabei kann das Halbleiterbauelement ausgewählt sein aus der Gruppe umfassend MEMS, ASICs, Active Pixel Sensor, Charge Coupled Device (CCD)-Sensor, Contact Image Sensor, Diac (diode for alternating current), Digital Pixel Sensor, Elektronenmultiplierröhren (Electron Multiplying) CCD, Fotothyristor, Gate Array, Gate Turn-Off (GTO)-Thyristor, Halbleiterrelais, Halbleiterspeicher, Integrationsgrad, Mikroprozessor, Neuromorphe Chips, Optokoppler, Position Sensitive Device, Solarzelle, Stromrückgekoppelter Operationsverstärker, Thyristor, Thyristorsteller, Thyristortetrode, Thyristorturm, Time-of-flight-Sensor, Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Drehratensensoren, Massenflusssensoren, Magnetsensoren, Gassensoren, Hallsensoren, Feuchtigkeitssensoren, Trench-Technik und/oder Video-RAM (Random Access Memory). Auch hier gilt, dass die Stabilität der Funktion der Bauelemente durch die thermische Entkopplung verbessert wird.In a further embodiment of the method according to the invention, the microstructured or nanostructured component is a semiconductor component. In this case, the semiconductor component may be selected from the group comprising MEMS, ASICs, Active Pixel Sensor, Charge Coupled Device (CCD) sensor, contact image sensor, diode for alternating current, digital pixel sensor, Electron Multiplying CCD, Photothyristor, gate array, gate turn-off (GTO) thyristor, semiconductor relay, semiconductor memory, degree of integration, microprocessor, neuromorphic chips, optocoupler, position sensitive device, solar cell, current feedback operational amplifier, thyristor, thyristor, thyristor, thyristor, time-of-flight Sensor, pressure sensors, accelerometers, temperature sensors, yaw rate sensors, mass flow sensors, magnetic sensors, gas sensors, Hall sensors, humidity sensors, trench technology and / or random access memory (RAM). Again, the stability of the function of the components is improved by the thermal decoupling.

Es ist weiterhin möglich, nach erfolgter Umhüllung mit der Umhüllmasse mittels eines Bohrvorgangs oder eines speziellen Moldwerkzeuges, beispielsweise eines Stempels, eine Kavität zu erzeugen. Dabei kann die Kavität bis zu dem thermisch zersetzbaren Polymer gehen, was das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement umhüllt. Des Weiteren ist es auch möglich, die Kavität erst nach dem Zersetzen des thermisch zersetzbaren Polymers zu erzeugen. Dabei kann die Kavität durch die Umhüllmasse bis zu einem ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement umgebenen Zwischenraum gebohrt werden.It is also possible, after wrapping with the wrapping material by means of a drilling process or a special Moldwerkzeuges, such as a stamp to produce a cavity. In this case, the cavity can go as far as the thermally decomposable polymer, which envelops the microstructured or nanostructured component. Furthermore, it is also possible to produce the cavity only after the decomposition of the thermally decomposable polymer. In this case, the cavity can be drilled through the encapsulation compound to a space surrounded by a microstructured or nanostructured component.

Ein weiterer Gegenstand der Erfindung betrifft ein Bauteil, erhältlich durch ein erfindungsgemäßes Verfahren, umfassend ein von einer ausgehärteten Umhüllmasse umgebenes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement, wobei zwischen dem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement und der ausgehärteten Umhüllmasse zumindest teilweise ein Zwischenraum ausgebildet ist. Die Vorteile, insbesondere die thermische Entkopplung wurden bereits in Bezug auf das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben. Daher wird zur Vermeidung von Wiederholung darauf verwiesen.Another object of the invention relates to a component obtainable by a method according to the invention, comprising a micro- or nanostructured component surrounded by a hardened encasing compound, wherein at least partially a gap is formed between the microstructured or nanostructured component and the hardened encasing compound. The advantages, in particular the thermal decoupling, have already been described in relation to the method according to the invention. Therefore, reference is made to avoid repetition.

Erwähnt sei, dass es zu einer teilweisen Entkopplung der grenzflächenverbundenen mikro- oder nanostrukturierten Bauelemente zu der Umhüllmasse kommt. Im Sinne der vorliegenden Erfindung kann die Umhüllmasse insbesondere eine Vergussmasse und/oder Pressmasse sein. Somit kann das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement schwingungsdämpfend gelagert mit einer dämpfenden, federnden Umverdrahtung verbunden werden, so dass störende Systemschwingungen am Einsatzort des Bauteils kompensiert werden können.It should be mentioned that there is a partial decoupling of the interface-connected micro- or nanostructured components to the enveloping composition. For the purposes of the present invention, the encasing compound may in particular be a potting compound and / or molding compound. Thus, the micro- or nanostructured device can be connected vibration-damping mounted with a damping, resilient rewiring, so that disturbing system vibrations can be compensated at the site of the component.

Der Abstand zwischen dem Bauelement und der ausgehärteten Umhüllmasse, also die Breite des Zwischenraums, kann in einem Bereich von ≥ 100 nm bis ≤ 200 µm, bevorzugt in einem Bereich von ≥ 500 nm bis ≤ 50 µm und besonders bevorzugt in einem Bereich von ≥ 900 nm bis ≤ 10 µm liegen.The distance between the component and the hardened enveloping compound, ie the width of the gap, can be in a range of ≥ 100 nm to ≦ 200 μm, preferably in a range of ≥ 500 nm to ≦ 50 μm and particularly preferably in a range of ≥ 900 nm to ≤ 10 microns.

In einer Ausführungsform umfasst das erfindungsgemäße Bauteil weiterhin eine von außen bis in den Zwischenraum hineinreichende Kavität. Vorzugsweise reicht die Kavität durch die Umhüllmasse bis zu dem Zwischenraum. Alternativ kann zusätzlich die Kavität durch die elektrisch leitfähigen Bereiche umfassende Folie hindurchreichen. Hierdurch ist es möglich, Medienzugänge für stressarm verpackte Bauelemente wie beispielsweise Sensoren zu erhalten. Dabei können die Sensoren unter anderem Drucksensoren, Fluidsensoren und/oder chemische Sensoren sein. Vorteilhafterweise kann dadurch eine Kommunikation des Zwischenraums mit dem Außenmedium stattfinden, wobei dies vorzugsweise durch eine Fluid-Kommunikation erreicht werden kann.In one embodiment, the component according to the invention further comprises a cavity extending from the outside to the intermediate space. Preferably, the cavity extends through the Umhüllmasse up to the gap. Alternatively, the cavity can additionally pass through the film comprising electrically conductive regions. This makes it possible to get media access for low-stress packaged components such as sensors. The sensors may include pressure sensors, fluid sensors and / or chemical sensors. Advantageously, this can take place a communication of the intermediate space with the outer medium, wherein this can preferably be achieved by a fluid communication.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung eines erfindungsgemäßen Bauteils für Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Drehratensensoren, Massenflusssensoren, Magnetsensoren, Gassensoren, Hallsensoren und/oder Feuchtigkeitssensoren.The present invention further relates to the use of a component according to the invention for pressure sensors, acceleration sensors, temperature sensors, rotation rate sensors, mass flow sensors, magnetic sensors, gas sensors, Hall sensors and / or moisture sensors.

Die vorliegende Erfindung wird anhand einer speziellen Ausführungsform des Verfahrens unter Bezugnahme der nachfolgenden Zeichnungen weiter erläutert, ohne hierauf beschränkt zu sein. Es zeigen:The present invention will be further explained with reference to a specific embodiment of the method with reference to the following drawings, without being limited thereto. Show it:

1 das Bereitstellen eines Substrats mit einer RCC-Folie 1 providing a substrate with an RCC film

2 das Auftragen des thermisch zersetzbaren Polymers 2 the application of the thermally decomposable polymer

3 die Situation nach dem Auftragen des thermisch zersetzbaren Polymers 3 the situation after application of the thermally decomposable polymer

4 das Umhüllen mit einer Umhüllmasse 4 the wrapping with a wrapping material

5 die Situation nach dem Zersetzen des thermisch zersetzbaren Polymers 5 the situation after the decomposition of the thermally decomposable polymer

6 ein fertiges Bauteil 6 a finished component

7 eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauteils 7 an embodiment of a component according to the invention

1 zeigt ein bereitgestelltes Substrat 1 mit einer Klebefolie 2, auf der eine RCC-Folie 3 aufgebracht wurde. Die RCC-Folie 3 umfasst dabei eine Epoxidschicht 3a und eine Kupferschicht 3b, wie in der Vergrößerung dargestellt ist. Die in der RCC-Folie 3 enthaltende Epoxidschicht 3a liegt auf der Kupferschicht 3b und bildet in diesem Fall die für das Aufbringen von Bauelementen vorgesehene Seite. 1 shows a provided substrate 1 with an adhesive film 2 on which a RCC slide 3 was applied. The RCC film 3 includes an epoxy layer 3a and a copper layer 3b , as shown in the enlargement. The in the RCC film 3 containing epoxy layer 3a lies on the copper layer 3b and forms in this case the intended for the application of components page.

2 zeigt den Schritt des Auftragens des thermisch zersetzbaren Polymers 7. Auf dem Substrat 1 mit der RCC-Folie 3 wurden auf der Epoxidschicht 3a der RCC-Folie 3 mikro- oder nanostrukturierte Bauelemente 4, 4' aufgebracht. Die Bauelemente 4, 4' weisen ihnen zugeordnete Kontaktstellen 5, 5' auf, die sich innerhalb der Epoxidschicht 3a befinden. In diesem Ausführungsbeispiel stellen die Bauelementen 4 MEMS-Chips und die Bauelemente 4' ASIC-Chips dar. Die ASIC-Chips 4 werden von einer Maske 6 abgedeckt. Mittels einer Rakel 8 wird das thermisch zersetzbare Polymer 7 auf die Bauelementanordnung aufgetragen. Hierbei wird das Polymer 7 auf MEMS-Chips 4 und die Maske 6 sowie in die Spalten zwischen MEMS-Chips 4 und Maske 6 aufgebracht. Die Maske 6 verhindert, dass das Polymer 7 die ASIC-Chips 4' umhüllt, so dass nur ein Umhüllung der freiliegenden MEMS-Chips 4 erfolgt. 2 shows the step of applying the thermally decomposable polymer 7 , On the substrate 1 with the RCC foil 3 were on the epoxy layer 3a the RCC film 3 micro- or nanostructured components 4 . 4 ' applied. The components 4 . 4 ' assign them associated contact points 5 . 5 ' on that are within the epoxy layer 3a are located. In this embodiment, the components represent 4 MEMS chips and the components 4 ' ASIC chips. The ASIC chips 4 be from a mask 6 covered. Using a squeegee 8th becomes the thermally decomposable polymer 7 applied to the device arrangement. Here, the polymer 7 on MEMS chips 4 and the mask 6 as well as in the gaps between MEMS chips 4 and mask 6 applied. The mask 6 prevents the polymer 7 the ASIC chips 4 ' wrapped so that only one envelope of exposed MEMS chips 4 he follows.

Nach dem Entfernen der Maske 6 liegt eine Anordnung wie in 3 gezeigt vor. Dabei ist zu erkennen, dass sich um die MEMS-Chips 4 herum gleichmäßig verteilt eine Schicht des thermisch zersetzbaren Polymers 7 befindet. Im Gegensatz hierzu sind ASIC-Chips 4' nicht von dem Polymer 7 umhüllt.After removing the mask 6 lies an arrangement as in 3 shown before. It can be seen that the MEMS chips 4 evenly distributed around a layer of the thermally decomposable polymer 7 located. In contrast, ASIC chips 4 ' not from the polymer 7 envelops.

Im nächsten Schritt wird die in 3 gezeigte Anordnung vergossen. 4 zeigt, wie die Umhüllmasse 9 ASIC-Chips 4' direkt berührt, wogegen sich zwischen MEMS-Chips 4 und Umhüllmasse 9 eine Schicht des thermisch zersetzbaren Polymers 7 befindet. Anschließend kann auf eine Temperatur erhitzt werden, bei der das Polymer 7 thermisch zersetzt wird.In the next step, the in 3 shed arrangement shown. 4 shows how the wrapping mass 9 ASIC chips 4 ' directly touched, whereas between MEMS chips 4 and enveloping mass 9 a layer of the thermally decomposable polymer 7 located. Subsequently, it can be heated to a temperature at which the polymer 7 thermally decomposed.

5 zeigt den Zustand nach dem Erhitzen. Einer Folge des Erhitzens ist das Verfestigen oder Aushärten der Umhüllmasse 9. Weiterhin entstehen durch die Zersetzung des thermisch zersetzbaren Polymers Zwischenräume 10, so dass kein Kontakt zwischen den MEMS-Chips 4 und der ausgehärteten Umhüllmasse 9 besteht. 5 shows the state after heating. One consequence of heating is the solidification or hardening of the encapsulant 9 , Furthermore, the decomposition of the thermally decomposable polymer creates gaps 10 , so no contact between the MEMS chips 4 and the cured coating 9 consists.

Als letzter Schritt erfolgt eine Umverdrahtung. Dabei ist in 6 ein Bauteil nach der Umverdrahtung dargestellt. Für die Umverdrahtung müssen zunächst das Substrat 1 und die dazugehörige Klebefolie 2 entfernt werden, so dass die die Unterseiten der Bauelemente 4, 4' abdeckende RCC-Folie 3 freilegt. Daran schließen sich Laserbohrvorgänge durch die Epoxidschicht 3a und die Kupferschicht 3b der RCC-Folie 3 an. Hierbei werden Durchkontakte zu den Anschlusskontakten 5, 5' erhalten. Die Durchkontakte werden anschließend mit einer Metallisierung versehen. Hierbei kann eine galvanische Verstärkung der Kupferschicht 3b erfolgen. Weiterhin kann die Kupferschicht 3b mit einem Lötstopp 11 versehen werden, wobei dieser zusätzlich noch strukturiert werden kann. Nach der Umverdrahtung kann durch Sägen das Bauteil vereinzelt werden, welches durch die gestrichelte Linie in der Abbildung illustriert wird.The last step is a rewiring. It is in 6 a component shown after the rewiring. For the rewiring, first the substrate 1 and the associated adhesive film 2 be removed so that the the undersides of the components 4 . 4 ' covering RCC film 3 exposes. This is followed by laser drilling through the epoxy layer 3a and the copper layer 3b the RCC film 3 at. In this case, through contacts to the connection contacts 5 . 5 ' receive. The vias are then provided with a metallization. In this case, a galvanic reinforcement of the copper layer 3b respectively. Furthermore, the copper layer 3b with a solder stop 11 be provided, which can be additionally structured. After the rewiring, the component can be singulated by sawing, which is illustrated by the dashed line in the figure.

7 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauteils. Hierbei liegt eine durch die Umhüllmasse 9 gehende Kavität 12 vor. Die Kavität 12 erreicht dabei den Zwischenraum 10, welcher den MEMS-Chips 4 umgibt. 7 shows a further embodiment of a component according to the invention. This is due to the Umhüllmasse 9 going cavity 12 in front. The cavity 12 reaches the gap 10 which is the MEMS chips 4 surrounds.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102005041539 A1 [0005] DE 102005041539 A1 [0005]

Claims (10)

Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement (4, 4') umfassenden Bauteils, umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Substrats (1); – Aufbringen von mindestens einem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement (4, 4') auf das Substrat (1); – Umhüllen des aufgebrachten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements (4, 4') mit einem thermisch zersetzbaren Polymer (7); – Zumindest teilweises Umhüllen des mit dem thermisch zersetzbaren Polymer umhüllten mikro- oder nanostrukturierten Bauelements (4, 4') mit einer Umhüllmasse (9); – Erhitzen der erhaltenen Anordnung auf eine Temperatur, bei der das thermisch zersetzbare Polymer (7) im Verfahren thermisch zersetzt wird und zumindest teilweise in gasförmige Bestandteile überführt wird und wobei weiterhin die Temperatur so gewählt wird, dass weiteres Material der erhaltenen Anordnung nicht in gasförmige Bestandteile überführt wird.Method for producing a microstructured or nanostructured component ( 4 . 4 ' ) comprising the steps of: - providing a substrate ( 1 ); Application of at least one micro- or nano-structured component ( 4 . 4 ' ) on the substrate ( 1 ); Enveloping the applied micro- or nanostructured device ( 4 . 4 ' ) with a thermally decomposable polymer ( 7 ); At least partial encasing of the microstructured or nanostructured component encased in the thermally decomposable polymer ( 4 . 4 ' ) with a wrapping compound ( 9 ); Heating the resulting assembly to a temperature at which the thermally decomposable polymer ( 7 ) is thermally decomposed in the process and is at least partially converted into gaseous components and wherein further the temperature is chosen so that further material of the arrangement obtained is not converted into gaseous components. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Temperatur beim Erhitzen in einem Bereich von ≥ 140°C bis ≤ 280°C liegt.The method of claim 1, wherein the heating temperature is in a range of ≥ 140 ° C to ≤ 280 ° C. Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Aufbringen des mikro- oder nanostrukturierten Bauelements (4, 4') auf der Oberseite des Substrats (1) eine elektrisch leitfähige Bereiche (3b) umfassende Folie (3) auf die für das Aufbringen vorgesehene Seite des Substrats (1) aufgetragen wird.The method of claim 1, wherein prior to application of the micro- or nanostructured device ( 4 . 4 ' ) on top of the substrate ( 1 ) an electrically conductive areas ( 3b ) comprehensive foil ( 3 ) on the side of the substrate intended for application ( 1 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das thermisch zersetzbare Polymer (7) ein Thermoplast ist.Process according to claim 1, wherein the thermally decomposable polymer ( 7 ) is a thermoplastic. Verfahren nach Anspruch 1, wobei mindestens ein mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement (4, 4') vor dem Umhüllen mit dem thermisch zersetzbaren Polymer (7) mit einer Maske (6) bedeckt wird.The method of claim 1, wherein at least one micro- or nanostructured device ( 4 . 4 ' ) before being coated with the thermally decomposable polymer ( 7 ) with a mask ( 6 ) is covered. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement (4, 4') aus der Gruppe umfassend Mikro-Elektro-Mechanische Systeme, Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen und/oder Sensorelemente ausgewählt ist.Method according to claim 1, wherein the microstructured or nanostructured component ( 4 . 4 ' ) is selected from the group comprising micro-electro-mechanical systems, application-specific integrated circuits and / or sensor elements. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement (4, 4') ein Halbleiterbauelement ist.Method according to claim 1, wherein the microstructured or nanostructured component ( 4 . 4 ' ) is a semiconductor device. Bauteil, erhältlich durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1, umfassend ein von einer ausgehärteten Umhüllmasse (9) umgebenes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement (4, 4'), wobei zwischen dem mikro- oder nanostrukturierten Bauelement (4, 4') und der ausgehärteten Umhüllmasse (9) zumindest teilweise ein Zwischenraum (10) ausgebildet ist.A component obtainable by a method according to claim 1, comprising one of a hardened encapsulant ( 9 ) surrounded micro- or nanostructured device ( 4 . 4 ' ), wherein between the micro- or nanostructured device ( 4 . 4 ' ) and the hardened coating ( 9 ) at least partially a gap ( 10 ) is trained. Bauteil gemäß Anspruch 8, weiterhin umfassend eine von außen bis in den Zwischenraum (10) hineinreichende Kavität (12).A component according to claim 8, further comprising an outside to the intermediate space ( 10 ) reaching into cavity ( 12 ). Verwendung eines Bauteils gemäß Anspruch 8 für Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Drehratensensoren, Massenflusssensoren, Magnetsensoren, Gassensoren, Hallsensoren und/oder Feuchtigkeitssensoren.Use of a component according to claim 8 for pressure sensors, acceleration sensors, temperature sensors, rotation rate sensors, mass flow sensors, magnetic sensors, gas sensors, Hall sensors and / or moisture sensors.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013017129A2 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Structural device comprising a structural element, apparatus for applying the structural element, method for producing the structural device and method for applying the structural element
DE102017203381A1 (en) * 2017-03-02 2018-04-05 Robert Bosch Gmbh Microelectronic component arrangement and corresponding manufacturing method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109346415B (en) * 2018-09-20 2020-04-28 江苏长电科技股份有限公司 Packaging method and packaging equipment for selectively packaging structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041539A1 (en) 2005-08-31 2006-11-23 Infineon Technologies Ag Adhesive film to attach semiconductor chips to a carrier before embedding in plastic has temperature-sensitve and/or pressure-sensitive film that decomposes to gaseous products

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004011203B4 (en) * 2004-03-04 2010-09-16 Robert Bosch Gmbh Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip arrangement
EP1758814A4 (en) * 2004-03-15 2010-12-15 Georgia Tech Res Inst Packaging for micro electro-mechanical systems and methods of fabricating thereof
US20080083957A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
US7847387B2 (en) * 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041539A1 (en) 2005-08-31 2006-11-23 Infineon Technologies Ag Adhesive film to attach semiconductor chips to a carrier before embedding in plastic has temperature-sensitve and/or pressure-sensitive film that decomposes to gaseous products

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013017129A2 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Structural device comprising a structural element, apparatus for applying the structural element, method for producing the structural device and method for applying the structural element
DE102011108981A1 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Structural device with a component, device for application of the device, method for producing the structural device and method for application of the device
DE102011108981B4 (en) * 2011-08-01 2016-02-18 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Structural device with a component, device for application of the device, method for producing the structural device and method for application of the device
DE102017203381A1 (en) * 2017-03-02 2018-04-05 Robert Bosch Gmbh Microelectronic component arrangement and corresponding manufacturing method

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