DE102009026676A1 - Drucksensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft eine Drucksensoranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Drucksensoranordnung umfasst einen Sensorchip (1), welcher einen ersten Druckerfassungsbereich (PEA) zum Erfassen eines ersten äußeren Absolutdrucks (P) und einen zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) zum Erfassen eines zweiten äußeren Absolutdrucks (P') aufweist; wobei der Sensorchip (1) in einem von dem ersten Druckerfassungsbereich (PEA) und dem zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) beabstandeten Montagebereich (1a) auf einem Träger (5) montiert ist. Ein Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) ist vorgesehen, welches den Sensorchip (1) derart umgibt, dass der erste Druckerfassungsbereich (PEA) in eine erste Gehäusekammer (KA) und der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) in eine zweite Gehäusekammer (KB) ragt; wobei die erste Gehäusekammer (KA) eine erste Durchgangsöffnung (OA) aufweist, durch welche der erste Druckerfassungsbereich (MA) mit dem ersten äußeren Absolutdruck (P) beaufschlagbar ist, und die zweite Gehäusekammer (KB) eine zweite Durchgangsöffnung (OB) aufweist, durch welche der zweite Druckerfassungsbereich (MB) mit dem zweiten äußeren Absolutdruck (P') beaufschlagbar ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Drucksensoranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
  • Obwohl auf beliebige Halbleiterchipanordnungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in Bezug auf eine mikromechanische Silizium-Halbleiterchipanordnung mit einem integrierten Differenzdrucksensor erläutert.
  • Aus der DE 100 325 79 A1 ist ein oberflächenmikromechanischer (OMM) Absolutdrucksensor bekannt, der durch das ”advanced porous silicon membrane” (APSMTM) Verfahren hergestellt wird. Die Membran wird hierbei durch Abscheidung einer epitaktischen Siliziumschicht auf einer durch poröses Silizium hergestellten Kavität erzeugt. Im Bereich der Membran lagert sich das poröse Silizium derart um, dass ein Hohlraum unter der Membran entsteht.
  • Die DE 10 2006 026 881 A1 offenbart ein Montagekonzept für einen Absolutdrucksensor in Open-Cayity-Full-Mold-Technik. Bei diesem Montagekonzept wird ein Chip auf einem Leadframe befestigt, drahtgebondet und so mit einer Moldmasse umspritzt, dass der Sensorchip zum Teil aus der Moldmasse herausragt. Im nicht umspritzten Teil befindet sich die Sensormembran. Bei diesem Konzept können allerdings nur Absolutdrucksensoren realisiert werden.
  • Die DE 10 2007 022 852 A1 offenbart eine Differenzdruck-Sensoranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Bei dieser bekannten Differenzdruck- Sensoranordnung wird ein zu messender Druck im Bereich einer Membran mit piezoresistiven Widerständen angelegt und gleichzeitig ein Referenzdruck an den unter der Membran befindlichen Hohlraum von einer Öffnung, welche von der Membran beabstandet ist, angelegt. Die feinen Öffnungen und Kanäle des Referenzdruckanschlusses sind allerdings gegenüber Partikeln oder Schmutz empfindlich.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Drucksensoranordnung nach Anspruch 1 und das entsprechende Herstellungsverfahren nach Anspruch 11 weisen gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, dass ein einfacher kostengünstiger und umgebungseinflussunempfindlicher Aufbau ermöglicht wird. Es ergeben sich insbesondere Vorteile hinsichtlich geringer Verpackungskosten.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht in der Bereitstellung einer Drucksensoranordnung, welche einen ersten und einen zweiten Druckerfassungsbereich zum Erfassen eines jeweiligen Absolutdrucks aufweist, wobei der erste und zweite Druckerfassungsbereich in einer ersten bzw. zweiten Gehäusekammer vorgesehen sind, wobei die beiden nicht miteinander verbundenen Gehäusekammern unabhängig voneinander mit Druck beaufschlagbar sind. Einer der Druckerfassungsbereiche kann für den zu erfassenden Druck verwendet werden. Der andere zum Anlegen eines entsprechenden Referenzdrucks.
  • Es ist vorteilhaft, wenn die Drucksensoranordnung an den Druckanschlüssen medienresistent ist und auch für partikelhaltige und ätzende Medien verwendet werden kann. Besonders medienresistent lassen sich die Druckerfassungsbereiche dadurch gestalten, dass jeweils eine einkristalline mikromechanische Membran verwendet wird.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist der erste Druckerfassungsbereich einen ersten Membranbereich mit einer darauf vorgesehenen ersten piezoresistiven Widerstandsanordnung und der zweite Druckerfassungsbereich einen zweiten Membranbereich mit einer darauf vorgesehenen zweiten piezoresistiven Widerstandsanordnung auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Sensorchip eine Leiterbahnanordnung auf, welche die erste piezoresistive Widerstandsanordnung und die zweite piezoresistive Widerstandsanordnung miteinander verbindet und welche an eine erste Mehrzahl von Kontaktflächen angeschlossen ist, die sich in dem Montagebereich befinden.
  • Wenn die Kontaktflächen für die elektrischen Anschlüsse im Montagebereich, welche üblicherweise aus Aluminium bestehen, durch Moldmasse des Gehäuses geschützt sind, lässt sich ein sehr medienresistenter Aufbau realisieren. In diesem Fall gibt es in den beiden Druckerfassungsbereichen in den Gehäusekammern nur Oberflächen aus Silizium oder einem Passivierungsmaterial, z. B. Siliziumnitrid, an die das Medium gelangen kann. Bekannterweise sind Silizium oder Siliziumnitrid besonders medienresistent. Damit ist der gesamte Sensor besonders medienresistent.
  • Werden diffundierte Leiterbahnen für die Leiterbahnanordnung zur Kontaktierung der Piezowiderstände auf dem Sensorchip verwendet, kann eine besonders hohe Medienbeständigkeit erreicht werden, da mögliche Fehlstellen in der Passivierung, wie z. B. Kratzer, Druckstellen, bzw. Pinholes, nicht zum Anätzen der dadurch freigelegten Metalleiterbahnen führt. Eine einkristalline Siliziummembran hat den Vorteil hoher mechanischer Festigkeit und eines hohen K-Faktors von darin dotierten Piezowiderständen (hohe Empfindlichkeit).
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung liegt der Montagebereich zwischen dem ersten Druckerfassungsbereich und dem zweiten Druckerfassungsbereich, wobei der erste Druckerfassungsbereich lateral in die erste Gehäusekammer und der zweite Druckerfassungsbereich lateral in die zweite Gehäusekammer ragt. Eine gute Stressentkopplung der Sensormembran lässt sich durch einen derart lateral überhängenden jeweiligen Druckerfassungsbereich erzielen. Durch die räumliche Entfernung des Montagebereichs vom jeweiligen Druckerfassungsbereich, z. B. Membranbereich, wird mechanischer Stress abgebaut.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die erste piezoresistive Widerstandsanordnung einen ersten bis vierten Widerstand auf, wobei die zweite piezoresistive Widerstandsanordnung einen fünften bis achten Widerstand aufweist, wobei eine erste bis vierte Kontaktfläche im Montagebereich vorgesehen ist, und wobei zwischen jeweils zwei Kontaktflächen jeweils ein Widerstand der ersten piezoresistiven Widerstandsanordnung und ein Widerstand der zweiten piezoresistiven Widerstands anordnung in Reihe geschaltet sind. Bei einer derartigen Serienanordnung der Widerstände der ersten und zweiten piezoresistiven Widerstandsanordnung reichen lediglich vier Anschlüsse vom Sensorelement mit zwei Messbrücken zur Auswerteschaltung. Im Stand der Technik mussten bisher bei derartigen Doppelbrücken acht elektrische Verbindungen hergestellt werden. Optional können selbstverständlich weitere Anschlüsse hinzukommen, falls beispielsweise ein Element zur Temperaturmessung im jeweiligen Druckerfassungsbereich gewünscht ist.
  • Vorteil bei der gezeigten Verschaltung der zwei Einzelbrücken ist weiterhin, dass nur ein Verstärker verwendet werden muss. Das spart Herstellungskosten und minimiert Toleranzen. Liegen die zu messenden Druckbereiche auf unterschiedlichem Niveau, können die beiden Sensorelemente für unterschiedliche Druckbereiche ausgelegt werden.
  • Existierende Herstellungsprozesse von Drucksensoren können für die erfindungsgemäße Drucksensoranordnung größtenteils beibehalten werden, wie z. B. der gesamte Halbleiterprozess für die Piezowiderstände und/oder für die Auswerteschaltung auf dem Siliziumchip oder für vorhandene Sensor-Gehäuseteile.
  • Das elektrische Vormessen ist im Waferverbund möglich. Ein Bandabgleich ist nach der Montage möglich. Im Falle der Verwendung von Siliziummembranen als Druckerfassungsbereiche kann die Geometrie der Membranen beliebig gestaltet werden, vorzugsweise quadratisch, rechteckig oder rund.
  • Der Aufbau ist als reines Drucksensorelement oder optional in Kombination mit einem Auswertechip in einem einzigen Moldgehäuse realisierbar. Ebenfalls möglich ist es, den Auswertechip im Sensorchip zu integrieren.
  • Zeichnungen
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es illustrieren:
  • 1 eine ebene Querschnittsansicht einer Drucksensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine senkrechte Querschnittsansicht der Drucksensoranordnung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entlang der Linie AA' in 1; und
  • 3 ein schematisches Schaltbild einer Brückenschaltung zur Verwendung bei der Drucksensoranordnung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.
  • 1 zeigt eine ebene Querschnittsansicht einer Drucksensoranordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 2 zeigt eine senkrechte Querschnittsansicht der Drucksensoranordnung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entlang der Linie AA' in 1.
  • In 1 und 2 bezeichnet Bezugszeichen 1 einen Silizium-Sensorchip, welcher in einem Montagebereich 1a über eine Kleberschicht 6 mit einem Träger in Form eines Leadframe 5 verbunden ist. Der Sensorchip 1 weist einen ersten Druckerfassungsbereich PEA, der in einer ersten Gehäusekammer KA vorgesehen ist, und einen zweiten Druckerfassungsbereich PEB, der in einer zweiten Gehäusekammer KB vorgesehen ist, auf.
  • Der erste Druckerfassungsbereich PEA weist einen ersten Membranbereich MA mit einem darunter befindlichen ersten Hohlraum HA auf. Eindiffundiert in den ersten Membranbereich ist eine erste piezoresistive Widerstandsanordnung mit vier Widerständen R11, R12, R13, R14.
  • Der zweite Druckerfassungsbereich PEB weist einen zweiten Membranbereich MB mit einem darunter befindlichen zweiten Hohlraum HB auf. Eindiffundiert in den zweiten Membranbereich MB ist eine zweite piezoresistive Widerstandsanordnung mit vier Widerständen R21, R22, R23, R24.
  • Der jeweilige Druckerfassungsbereich PEA bzw. PEB ist beabstandet von dem Montagebereich 1A, um eine gute Stressentkopplung zu gewährleisten.
  • Die erste Gehäusekammer KA weist eine erste Durchgangsöffnung OA auf, durch welche der erste Druckerfassungsbereich PEA mit einem ersten äußeren Absolutdruck P beaufschlagbar ist. Analog weist die zweite Gehäusekammer KB eine zweite Durchgangsöffnung OB auf, durch welche der zweite Druckerfassungsbereich PEB mit einem zweiten äußeren Absolutdruck P', beispielsweise einem Referenzdruck, beaufschlagbar ist.
  • Der montierte Sensorchip 1 und ein mit Bezugszeichen M bezeichnendes Moldgehäuse befinden sich zwischen einer ersten Platte P1 und einer zweiten Platte P2, wobei zwischen der ersten Platte P1 und dem Moldgehäuse M eine erste Dichtung D1 und zwischen der zweiten Platte P2 und dem Moldgehäuse M eine zweite Dichtung D2 vorgesehen ist.
  • Die erste Platte P1 weist einen ersten Druckanschlussstutzen SA auf, der mit der ersten Öffnung OA verbunden ist, und einen zweiten Druckanschlussstutzen SB, der mit der zweiten Öffnung OB verbunden ist.
  • Über diese beiden Druckanschlussstutzen SA, SB kann der externe Druck P bzw. P' in die Gehäusekammer KA bzw. KB zum ersten bzw. zweiten Druckerfassungsbereich PEA, PEB eingeleitet werden.
  • Des Weiteren mit speziellem Bezug auf 1 weist der Sensorchip 1 eine vorzugsweise eindiffundierte Leiterbahnanordnung mit zahlreichen Leiterbahnen auf, welche die erste piezoresistive Widerstandsanordnung mit den Widerstanden R11, R12, R13, R14 und die zweite piezoresistive Widerstandsanordnung R21, R22, R23, R24 miteinander verbindet und welche an eine erste Mehrzahl von Kontaktflächen K1, K2, K3, K4 aus Aluminium angeschlossen ist, die sich in dem Montagebereich 1a an der Oberfläche des Sensorchips 1 befinden. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind von der Leiterbahnanordnung in 1 nur die Leiterbahnen 113 und 121 eingezeichnet. Der Verlauf der weiteren Leiterbahnen lässt sich der Darstellung von 3 entnehmen, welche weiter unten beschrieben wird.
  • Dadurch dass der Montagebereich 1a mit der Mehrzahl von Kontaktflächen K1, K2, K3, K4 im Moldgehäuse M angeordnet ist, lässt sich eine besondere Medienresistenz erzielen. Diese wird dadurch verstärkt, dass alle Leiterbahnen der Leiterbahnanordnung in das Silizium des Sensorchips eindiffundiert sind. Dadurch dass gleichzeitig die beiden Druckanschlussstutzen SA, SB medienresistent gestaltet werden und die in die Gehäusekammern KA, KB ragenden Bereiche des Sensorchips 1 nur Silizium- oder Siliziumnitridoberflächen aufweisen, lässt sich die Drucksensoranordnung gemäß der vorliegenden Ausführungsform für aggressive Medien, z. B. Ätzgase, verwenden.
  • Weiter mit Bezug auf 1 ist ein Silizium-Auswertechip 10 ebenfalls auf dem Leadframe 5 montiert und in das Moldgehäuse M eingemoldet. Der Auswertechip 10 dient zum Verarbeiten von Drucksignalen von dem ersten Druckerfassungsbereich und dem zweiten Druckerfassungsbereich PEB, welche über die Kontaktflächen K1, K2, K3, K4 abgenommen werden und mittels Bonddrähten B1, B2, B3, B4 auf Kontaktflächen K1', K2', K3', K4' auf dem Auswertechip 10 geführt werden, in ein Differenzdrucksignal.
  • Der Sensorchip 10 weist weitere Kontaktflächen KA1 bis KA8 auf, welche über Bonddrähte B01 bis B08 mit jeweiligen Beinen L1 bis L8 des Leadframes 5 verbunden sind, welche aus dem Moldgehäuse M herausragen.
  • 3 zeigt ein schematisches Schaltbild einer Brückenschaltung zur Verwendung bei der Drucksensoranordnung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie aus 3 ersichtlich, sind jeweils ein Widerstand der ersten piezoresistiven Widerstandsanordnung R11, R12, R13, R14 und ein Widerstand der zweiten piezoresistiven Widerstandsanordnung R21, R22, R23, R24 in Reihe geschaltet, wobei jeweils ein derartiges Paar zwischen zwei Kontaktflächen vorgesehen sind.
  • Insbesondere liegt die Serienschaltung zwischen R13 und R23 zwischen den Kontaktflächen K1 und K4, die Reihenschaltung zwischen den Widerständen R14 und R24 zwischen den Kontaktflächen K4 und K2, die Reihenschaltung zwischen der Widerstände R12, R22 zwischen den Kontaktflächen K2 und K3 und die Reihenschaltung der Widerstände R11, R21 zwischen den Kontaktflächen K3 und K1. Sämtliche dieser Widerstände sind also in einem Ring verschaltet, wobei zwischen jeweils einer Reihenschaltung aus zwei Widerständen und einer dazu banachbarten Reihenschaltung aus zwei Widerständen eine Kontaktfläche angeschlossen ist. Durch diese Art der Verschaltung ist es möglich, lediglich vier Kontaktfläche K1, K2, K3, K4 im Montagebereich 1a vorzusehen.
  • Dabei liegt zwischen den Kontakfflächen K1 und K2 bzw. K1' und K2' die Brückenspannung UBr und zwischen den Kontaktflächen K3 und K4 bzw. K3' und K4' die Versorgungsspannung UV. Die Brückenspannung UBr entspricht dem Differenzdruck-Sensorsignal, welches durch einen einzigen Ausgangsverstärker 15 auf dem Sensorchip 10 in das endgültige Ausgangssignal UA verstärkt wird, das dem Differenzdruck zwischen den beiden Druckerfassungsbereichen PEA, PEB proportional ist.
  • Nimmt man vereinfacht an: R1i = R3i = R0i + ΔRi und R2i = R4i = R0i – ΔRi mit
    i = 1 für den ersten Druckerfassungsbereich PEA und
    i = 2 für den zweiten Druckerfassungsbereich PEB,
    dann gilt
  • Figure 00080001
  • Damit kann eine Differenzbildung durch die Verschaltung der beiden piezoresistiven Widerstandsbrücken erzeugt werden. Der Gesamtbrückenwiderstand Rges = 2R0 ist doppelt so groß, die Brückenspannung UBr halb so groß wie bei einer einfach verschal teten Brücke. Daher muss die Membran MA bzw. MB empfindlicher gemacht werden oder der Verstärker 15 eine höhere Verstärkung aufweisen, um diesen Effekt zu kompensieren.
  • Besonders vorteilhaft ist jedoch, dass bei einer gleichmäßigen Druckerhöhung keine Brückenspannungsänderung auftritt, also eine Gleichtaktunterdrückung vorliegt. Dadurch kann der volle Dynamikbereich des Verstärkers auf das Differenzsignal UBr angepasst werden.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass Prozessschwankungen weitestgehend durch das Matching der Einzelwiderstände der jeweiligen Brückenwiderstände auf einem Membranbereich MA bzw. MB kompensiert werden. Was übrig bleibt ist die Differenz des Offsets beider Brücken, der wie bei Einzelbrücken durch die Auswerteschaltung abgeglichen werden kann.
  • Im Weiteren wird das Herstellungsverfahren wie die oben erläuterte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Drucksensoranordnung beschrieben. Die Membranbereiche MA, MB im Sensorchip 1 werden beispielsweise durch Abscheidung einer epitaktischen Schicht auf porös geätztem Silizium erzeugt, wobei sich das poröse Silizium derart umlagert, dass in diesen Bereichen der jeweilige Hohlraum HA bzw. HB unter der Membran MA bzw. MB entsteht. Die Form und Größe der Membranbereiche MB ist beliebig, vorzugsweise jedoch quadratisch rechteckig oder rund. Eine ausführliche Beschreibung dieses Verfahrens befindet sich, wie oben erwähnt, in der DE 100 325 79 A1 . Auch die Herstellung der piezoresistiven Widerstandanordnungen und der Leiterbahnanordnung erfolgt nach bekannten Techniken.
  • Die auf einem Wafer hergestellten Sensorchips 1 werden durch Sägen vereinzelt und wie in 2 erkennbar mittels der Kleberschicht 6 auf den Leadframe 5 im Montagebereich 1a geklebt. Anschließend werden der Auswertechip 10 und die Bonddrähte B1 bis B4 bzw. B01 bis B08 vorgesehen. Danach erfolgt das Umspritzen mit der Moldmasse des Moldgehäuses M in üblicher Spritzgusstechnik, wobei die Gehäusekammern KA, KB frei bleiben. Mechanisch werden die Chips 1, 10 durch die Moldmasse fixiert, wobei die Gehäusekammern KA, KB beim Molden durch eine Folie und einen Stempel in der Moldpresse freigehalten werden.
  • Die obere und untere Platte P1, P2 werden mit den Dichtungen D1, D2 zum Abdichten auf das Moldgehäuse M gedrückt, zum Beispiel durch eine Verschraubung oder Klemmung. Auch eine einfache Abdichtung mit einem Hohlring (O-Ring) wäre prinzipiell möglich.
  • Bevorzugte Anwendungen für die erfindungsgemäße Drucksensoranordnung sind ein Sensor zur Harnstoffdruckmessung, ein Differenzdrucksensor für Russpartikelfilter, Kraftstoffsensoren, Drucksensoren für Bremsbooster, Tankdrucksensoren und Getriebedrucksensoren.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert worden ist, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auch in anderer Weise ausführbar.
  • In den obigen Beispielen wurden nur piezoresistive Sensorstrukturen betrachtet. Die Erfindung ist jedoch auch für kapazitive oder sonstige Sensorstrukturen geeignet, bei denen Druck-Messmembranen verwendet werden.
  • Obwohl bei der vorliegenden Ausführungsform am Moldgehäuse M eine jeweilige Dichtung D1, D2 mit einer darüber vorgesehen Platte P1 bzw. P2 vorgesehen sind, an der die Verbindungen zu den Druckmedien mit den unterschiedlichen Drücken P, P' hergestellt werden kann, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Der erste Druckanschluss kann sowohl oben als auch unten an dem Gehäuse erfolgen. Eine weitere Möglichkeit, den zweiten Druckanschluss anzubringen ist, diesen beim Moldvorgang als Einlegeteil gleich miteinzumolden.
  • Die dargestellte Brückenschaltung mit den zwei verschalteten Einzelbrücken ist prinzipiell auch für zwei getrennte Sensorchips mit je einer Einzelbrücke in einem entsprechenden Druckerfassungsbereich mit einer Membran anwendbar.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 10032579 A1 [0003, 0047]
    • - DE 102006026881 A1 [0004]
    • - DE 102007022852 A1 [0005]

Claims (15)

  1. Drucksensoranordnung mit: einem Sensorchip (1), welcher einen ersten Druckerfassungsbereich (PEA) zum Erfassen eines ersten äußeren Absolutdrucks (P) und einen zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) zum Erfassen eines zweiten äußeren Absolutdrucks (P') aufweist; wobei der Sensorchip (1) in einem von dem ersten Druckerfassungsbereich (PEA) und dem zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) beabstandeten Montagebereich (1a) auf einem Träger (5) montiert ist; wobei ein Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) vorgesehen ist, welches den Sensorchip (1) derart umgibt, dass der erste Druckerfassungsbereich (PEA) in eine erste Gehäusekammer (KA) und der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) in eine zweite Gehäusekammer (KB) ragt; und wobei die erste Gehäusekammer (KA) eine erste Durchgangsöffnung (OA) aufweist, durch welche der erste Druckerfassungsbereich (PEA) mit dem ersten äußeren Absolutdruck (P) beaufschlagbar ist, und die zweite Gehäusekammer (KB) eine zweite Durchgangsöffnung (OB) aufweist, durch welche der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) mit dem zweiten äußeren Absolutdruck (P') beaufschlagbar ist.
  2. Drucksensoranordnung nach Anspruch 1, wobei der erste Druckerfassungsbereich (PEA) einen ersten Membranbereich (MA) mit einer darauf vorgesehenen ersten piezoresistiven Widerstandsanordnung (R11, R12, R13, R14) und der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) einen zweiten Membranbereich (MB) mit einer darauf vorgesehenen zweiten piezoresistiven Widerstandsanordnung (R21, R22, R23, R24) aufweist.
  3. Drucksensoranordnung nach Anspruch 2, wobei der Sensorchip (1) eine Leiterbahnanordnung (L13, L21) aufweist, welche die erste piezoresistive Widerstandsanordnung (R11, R12, R13, R14) und die zweite piezoresistive Widerstandsanordnung (R21, R22, R23, R24) miteinander verbindet und welche an eine erste Mehrzahl von Kontaktflächen (K1, K2, K3, K4) angeschlossen ist, die sich in dem Montagebereich (1a) befinden.
  4. Drucksensoranordnung nach Anspruch 4, wobei die erste piezoresistive Widerstandsanordnung (R11, R12, R13, R14) einen ersten bis vierten Widerstand (R11, R12, R13, R14) aufweist und wobei die zweite piezoresistive Widerstandsanordnung (R21, R22, R23, R24) einen fünften bis achten Widerstand (R21, R22, R23, R24) aufweist, wobei eine erste bis vierte Kontaktfläche im Montagebereich (1a) vorgesehen sind, und wobei zwischen jeweils zwei Kontaktflächen jeweils ein Widerstand der ersten piezoresistiven Widerstandsanordnung (R11, R12, R13, R14) und ein Widerstand der zweiten piezoresistiven Widerstandsanordnung (R21, R22, R23, R24) in Reihe geschaltet sind.
  5. Drucksensoranordnung nach Anspruch 3, wobei ein Auswertechip (10) auf dem Träger (5) in dem Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) montiert ist, welcher zum Verarbeiten von Drucksignalen von dem ersten Druckerfassungsbereich (PEA) und dem zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) in ein Differenzdrucksignal gestaltet ist, und wobei der Auswertechip (10) eine zweite Mehrzahl von Kontaktflächen (K1', K2', K3', K4') aufweist, die mit der ersten Mehrzahl von Kontaktflächen (K1, K2, K3, K4) über Bonddrähte (B1, B2, B3, B4) verbunden ist.
  6. Drucksensoranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (5) einen Leadframe und das Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) ein Moldgehäuse aufweist.
  7. Drucksensoranordnung nach Anspruch 6, wobei das Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) eine erste Platte (P1) und eine zweite Platte (P2) aufweist, zwischen denen sich der montierte Sensorchip (1) und das Moldgehäuse befinden.
  8. Drucksensoranordnung nach Anspruch 7, wobei die erste Platte (P1) einen ersten Druckanschlußstutzen (SA), der mit der ersten Öffnung (OA) verbunden ist, und einen zweiten Druckanschlußstutzen (SB), der mit der zweiten Öffnung (OB) verbunden ist, aufweist.
  9. Drucksensoranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Montagebereich (1a) zwischen dem ersten Druckerfassungsbereich (PEA) und dem zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) liegt und wobei der erste Druckerfassungsbereich (PEA) lateral in die erste Gehäusekammer (KA) und der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) lateral in die zweite Gehäusekammer (KB) ragt.
  10. Drucksensoranordnung nach Anspruch 3, wobei die erste Mehrzahl von Kontaktflächen (K1, K2, K3, K4) von einem aus Moldmasse bestehenden Teil des Gehäuses (M, D1, P1, D2, P2) überdeckt sind.
  11. Herstellungsverfahren für eine Drucksensoranordnung mit den Schritten: Montieren von einem Sensorchip (1), welcher einen ersten Druckerfassungsbereich (PEA) zum Erfassen eines ersten äußeren Absolutdrucks (P) und einen zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) zum Erfassen eines zweiten äußeren Absolutdrucks (P') aufweist, in einem von dem ersten Druckerfassungsbereich (PEA) und dem zweiten Druckerfassungsbereich (PEB) beabstandeten Montagebereich (1a) auf einem Träger (5) montiert ist; Vorsehen von einem Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2), welches den Sensorchip (1) derart umgibt, dass der erste Druckerfassungsbereich (PEA) in eine erste Gehäusekammer (KA) und der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) in eine zweite Gehäusekammer (KB) ragt, und derart, dass die erste Gehäusekammer (KA) eine erste Durchgangsöffnung (OA) aufweist, durch welche der erste Druckerfassungsbereich (PEA) mit dem ersten äußeren Absolutdruck (P) beaufschlagbar ist, und die zweite Gehäusekammer (KB) eine zweite Durchgangsöffnung (OB) aufweist, durch welche der zweite Druckerfassungsbereich (PEB) mit dem zweiten äußeren Absolutdruck (P') beaufschlagbar ist.
  12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei der Träger (5) einen Leadframe und das Gehäuse (M, D1, P1, D2, P2) ein Moldgehäuse aufweist.
  13. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei der Sensorchip (1) zunächst auf den Leadframe geklebt wird, danach eine erste Mehrzahl von Kontaktflächen (K1, K2, K3, K4), die sich in dem Montagebereich (1a) befinden, mittels Bonddrähten (B1, B2, B3, B4) elektrisch angeschlossen wird, und anschließend das Moldgehäuse durch Spritzguß gebildet wird.
  14. Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei eine erste Platte (P1) und eine zweite Platte (P2) vorgesehen werden, zwischen denen sich der montierte Sensorchip (1) und das Moldgehäuse befinden.
  15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, wobei die erste Platte (P1) einen ersten Druckanschlußstutzen (SA), der mit der ersten Öffnung (OA) verbunden wird, und einen zweiten Druckanschlußstutzen (SB), der mit der zweiten Öffnung (OB) verbunden wird, aufweist.
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